1

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESIME ZACATENCO

INGENIERA EN COMUNICACIONES Y
ELECTRNICA

DISPOSITIVOS

PRACTICA 05

TRANSISTOR BIPOLAR

FLORES ASTUDILLO BRUNO DANTE

Grupo 5CV6

2
Prctica No. 5
Transistor Bipolar
Objetivos:
1. Identificar las terminales del transistor.
2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
3. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base emisor y de colector base de un
transistor de silicio.
4. Obtener la curva caracterstica de entrada del transistor bipolar en configuracin de emisorcomn observar su variacin con el voltaje de colector emisor.
5. Obtener las curvas caractersticas de salida en configuracin de emisor comn. Observar
su variacin con la temperatura. Identificar las regiones de operacin corte, saturacin y
activa directa.
Desarrollo Experimental:
Conceptos Bsicos:
Transistor Bipolar.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de

amplificados, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingles
de transfer resistor (resistencia de transferencia).
Los transistores son componentes esenciales para nuestra civilizacin porque toda la
electrnica moderna los utiliza, ya sea en forma individual (discreta) como tambin formando parte
de circuitos integrados, analgicos o digitales, de todo tipo: microprocesadores, controladores de
motores elctricos, procesador de seal, reguladores de voltaje, etc.
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso
diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y video, hornos de microondas,
lavarropas automticas, automviles, equipo de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadores, impresoras, lmparas fluorescentes, equipo de rayos X, tomgrafos,
ecgrafos, etc.

3
Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o trodo, el transistor bipolar fue
inventado en loslaboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1942 por John Bardeen, Walter
HouserBrattain y William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con el premio Nobel
de Fsica en 1956.
Sus inventores lo llamaron as por la propiedad que tiene el transistor de cambiar su
resistencia al paso de la corriente elctrica que lo atraviesa entrando por uno de los 3 terminales
(el emisor) y saliendo por otro (el colector) en funcin de la mayor o menor corriente elctrica
que, para excitarlo, se inyecte en el tercero (la base).
El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente que
forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o
recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores(base). A diferencia de las vlvulas el transistor es un dispositivo controlado por corriente
y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son
elementos pasivos. Su funcionamiento solo puede explicarse mediante mecnica cuntica, luego
en realidad el transistor es un dispositivo cuntico.
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio.
Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP y la direccin del flujo de la corriente en
cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector
(C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de
transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una

cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregara por otra (emisor), una cantidad
mayor a esta, en una factor que se llama amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:

IC (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin)

por IB (corriente que pasa por la patilla base).
IC = *IB
IB (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que I C, slo que la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro casa sale de l o viceversa.

4
Segn la formula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente I B cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver
figura.

En el grfico las corrientes de base (I B) son ejemplos para poder entender que a ms
corriente la curva es ms alta.
Material:

Osciloscopio de doble trazo

Generador de seales
Multmetro analgico y/o digital
Una pinza de punta
Una pinza de corte
6 cables caimn caimn de 50cm.
6 cables caimn banana de 50cm.
6 cables banana banana de 50cm.
4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin BNC y en el otro caimanes
Tablilla de conexiones (protoboard)
Fuente de voltaje CD (variable)
Fuente de corriente CD (variable)
1 transistor de germanio NPN AC127
4 transistor de silicio NPN BC547
4 resistor de 1k a watt
1 resistor de 100k a watt
1 encendedor

Experimentos:
1. Es requisito que para antes de realizar la prctica el alumno presente por escrito y en
forma concisa y breve los siguientes puntos sobre el transistor bipolar:
a) Smbolo
b) Construccin interna
c) Diagrama tpico de uniones
d) Modelo matemtico
e) Comportamiento grfico de entrada y salida
f) Parmetros principales y su definicin
g) Circuitos equivalentes

5
h) Parmetro h
i) Polarizacin tpica
El profesor deber revisar que el alumno cumpla con este punto antes de entrar a
laboratorio, as como que se presente con los circuitos correspondientes debidamente armados, de
NO satisfacer estas indicaciones el alumno NO tendr derecho a quedarse en el laboratorio y se le
considerara como falta al mismo.
2. Identificar las terminales del transistor bipolar.
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar
y si este es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de
especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican cmo estn ubicadas las
terminales de emisor colector y base.
En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que el
dispositivo este en buen estado.
En el caso que no se cuete con la informacin suficiente, mediante algunas mediciones
realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los transistores bipolares y el
tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.
2.1.

Usar el multmetro en su funcin de hmetro y aplicar la prueba conocida como

prueba de amplificador e identificar las terminales del transistor.

a) Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro. Mida el efecto rectificante entre

las uniones emisor - base y colector base (para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca
el positivo de la fuente interna del hmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras
dos terminales deber medirse baja resistencia, al invertir la polaridad, la resistencia medida
deber de ser alta (use la misma escala del multmetro para la realizacin de estas pruebas). Entre
las terminales de colector emisor se observar alta resistencia sin importar como se coloque la
polaridad de las terminales de las uniones certificantes en el transistor bipolar y el tipo de transistor
NPN o PNP. Para distinguir la terminal del colector de la terminal de emisor ser necesario aplicar
la prueba del amplificador.
b) Habiendo identificado la terminal de base de las otras dos terminales y el tipo de
transistor NPN o PNP la prueba del amplificador consiste en lo siguiente: Para el caso del NPN,
conectar el positivo del hmetro a la terminal que supuestamente es el colector y el negativo al
emisor, la lectura que debe de aparecer en el hmetro es de alta resistencia, en seguida hacer
contacto con el dedo entre colector y la base (esto es equivalente a colocar entre estas terminales
una resistencia de orden de M ohms) y observar la disminucin de la resistencia medida entre
colector emisor, cuando la terminal que se elige como colector es la correcta esta disminucin en
el valor de la resistencia es considerable, si la terminal elegida como colector no es tal, sino la de
emisor al efectuar dicha prueba la disminucin de la resistencia no ser tan importante. Para estar
seguro de cual es cual, deber realizarse ambos casos y comparar las resistencias medidas.
2.2.

Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo es mediante el uso
de un multmetro digital que nos permite medir la beta de transistor. Esto es que
elegimos en el multmetro digital la funcin de medicin de la beta colocamos las
terminales del transistor como creamos que estn correctas y medimos la beta, cuando
el dispositivo est correctamente colocando la beta medida, generalmente es grande

6
(en la mayora de los casos mayor a 50), cuando no est bien colocados la beta que se
mide es pequea (en la mayora de los casos menores a 20 y en algunos cosos indica
circuito abierto.

2.3.

Despus de identificar las terminales de sus transistores bipolares. Dibjelos en

isomtrico en la figura 1, indicando donde est el colector, el emisor y la base.

BC547

AC127

Figura 1. Dibujo isomtrico del Transistor Bipolar indicando la base, el emisor y el colector en un
NPN y en un PNP.

Figura 2. Smbolo del transistor.

3. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
Al igual que en los diodos (uniones rectificante) se tuvo le presencia de corrientes de fuga
(generadas por los portadores minoritarios) en los transistores bipolares tambin se presentan de
tal forma si polarizamos inversamente en cualquier per de terminales del transistor se podrn medir
estas corrientes. Segn el par de terminales que elija, la corriente tendr valores diferentes aunque
del mismo orden de magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy pequeas
comparadas con las corrientes de operacin del dispositivo y que adems para el caso del silicio
son muchos menores que para el germanio. En la expresin matemtica que se usa para la
corriente de saturacin inversa colector base con el emisor abierto en la figura 3 se propone un
circuito para medir esta corriente y observar como varia con la temperatura. Para esta medicin
usaremos el transistor de germanio AC127.

Figura 3. Circuito propuesto para medir la corriente ICBO y su variacin con la temperatura usando
el transistor de germanio.

ICBO = ICO= 4.65 mA a temperatura ambiente.

ICBO1 = ICO1= 4.83 mA a temperatura mayor que la ambiente.
Para aumentar la temperatura acerque un cerillo encendido por cinco segundos.
4. Observar y medir el voltaje de ruptura de la unin base emisor y de la unin colector
base de un transistor bipolar con tecnologa planar.
Actualmente la gran mayora de los transistores bipolares estn construidos con tecnologa
planar, en ellos las regiones del emisor, base y colector presentan diferentes concentraciones de
impurezas y tamaos debido a las caractersticas de construccin que se tienen en las uniones
emisor base y colector - base, el voltaje de ruptura que se presenta en la unin emisor base es
menor que el que se presenta en la unin colector base, llegndose en la prctica a generalizar
diciendo; que launin emisor base de un transistor bipolar de silicio se comporta como un diodo
zener.
Arme el circuito de la figura 4 y obtenga la curva del diodo emisor base posteriormente
desconecte en emisor, conecte el colector y obtenga la curva del diodo colector base, use una
seal senoidal con voltaje pico entre 10 y 12V a una frecuencia entre 60Hz y 1KHz.

Figura 4.a. Circuito propuesto para obtener la curva del diodo emisor base y colector base de un
transistor bipolar.

Figura4.b. Curva del diodo emisor-base.

Reporte el voltaje al cual rompe la unin emisor base V EB = 9 V.

Figura 4.c. Curva del diodo colector base.

Figura 4
5. Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin emisor
comn. Observar su variacin con el voltaje de colector emisor.
Armar el circuito de la figura 5 (observar que este circuito es semejante al de la figura 4,
solo haga los cambios necesarios), el cual permite obtener el comportamiento de la unin emisor
base del transistor bipolar y observar su variacin con el voltaje de colector emisor.

Figura 5.a Circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor base en un
transistor bipolar y su variacin con el voltaje colector emisor.

Figura 5.b. Curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar.

10
Figura 5

Reporte en la tabla 1 los valores medidos de corriente en la base para los diferentes
voltajes de base emisor.
IB (A) medida sobre
la curva del diodo
emisor base
20
100
150
Tabla 1.

VBE (V) medido sobre

la curva del diodo
emisor

base
cuando VCE=0V
0.7
0.7
0.7

VBE (V) medido sobre

la curva del diodo
emisor

base
cuando VCE=0.5V
0.80
0.81
0.78

VBE (V) medido sobre

la curva del diodo
emisor

base
cuando VCE=5V
0.76
0.81
0.75

6. Obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en configuracin de

emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Armar el cuito de la
figura 6 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar
emisor comn, para diferentes corrientes en la base.

Figura 6.a circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar.

11
Figura 6.b. Curvas caractersticas de salida del transistor bipolar ubicando las regiones de corte,
saturacin y activa directa

Figura 6.c. Curvas caractersticas del transistor bipolar.

Figura 6
Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector
emisor solicitado en la tabla 2, elija los valores adecuados para la corriente de base, tal que la IB,
haga que el transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los valores de I B2 y IB3 lo hagan trabajar
en la regin activa directa (de amplificacin) y la corriente I B4 lo lleve a la regin de saturacin.
Corriente
base

en

IB1 Corte
IB2 Activa
IB3 Activa
IB4Saturacin
Tabla 2

la

Medir los
valores.
VCE
=
0V
0
0.01
0.01
0.04

valores de corriente de colector I C (mA) para cada uno de los

VCE
2V
0.02
0.07
0.08
0.09

VCE
4V
0.03
0.09
0.09
0.09

VCE
6V
0.04
0.04
0.09
0.09

VCE
8V
0.06
0.10
0.11
0.09

VCE
10V
0.10
0.11
0.13
0.10

VCE
12V
0.13
0.13
0.11
0.91

Fije la corriente de base en el valor de I B3 (regin Activa), acerque un cerillo encendido al

transistor bipolar por 5seg. Y observe que le pasa a la corriente de colector. Digas si aumento o
disminuye la corriente.
De 4.23 mA a Temperatura ambiente pasa a 4.83 mA con una temperatura ambiente mayor por lo
tanto aumenta.
Reporte en la grfica de abajo la curva caracterstica de salida del transistor bipolar para la
IB3 a temperatura ambiente y a mayor temperatura. Ilustre sobre la misma grafica el cambio con
diferentes colores de tinta.

12

Figura 7. Curva caracterstica de salida en configuracin de emisor comn para el transistor bipolar
a dos diferentes temperaturas y considerando la corriente en la base constante.
Cuestionario
1.- Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unin emisor base
este polarizada directamente y la unin colector base presente polarizacin cero.

Unin Emisor Base.

13

Unin Colector Base.

2.- Determinar el valor de la alfa () para las lecturas que se realizaron en el circuito de la
figura 2.
R:
3.- Escriba la expresin matemtica que se usa para determinar el aumento de la corriente
de fuga en una unin rectificante cuando aumenta la temperatura, hgalo tanto para el caso
del silicio como para el germanio.
Para el silicio

Para el germanio
4.- Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales de un
transistor bipolar e indique con que literales se conocen.
La corriente de fuga con la terminal de emisor abierta I C.

14

5.- Proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga de la unin emisor
base con el colector corto circuitado.

6.- De qu orden es el voltaje de ruptura colector emisor en el transistor de silicio

BC547?
Es de segundo orden.
7.- A partir de la tabla 2 obtenga las curvas caractersticas de salida del transistor
bipolar en emisor comn.

9.-Proponga el circuito equivalente de parmetros h para el transistor bipolar en

emisor comn y defina cada uno de los parmetros h.

15

hie= La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re).
hre = Representa la dependencia de la curva I B VBE del transistor en el valor de V CE. Es
usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se considera cero).
hfe = La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente referido como h fe o
como la ganancia de corriente continua () en las hojas de datos.
hoe = La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente especificado como una
admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

10.- A partir de las curvas caractersticas de la pregunta 7 obtenga los parmetros

hfe, hoe, para la grfica que obtuvo con la corriente de IB3 y un VCE = 4V respectivamente.

11.- Cuando la corriente en la base es cero, Cunto debe de valer la corriente de

colector?
Es cero ya que

12.- Usando los datos de la tabla 1, obtenga las curvas caractersticas de entrada del
transistor bipolar en emisor comn.

16

13.- Determine los parmetros hbridos h fe, hre, usando las grficas de la pregunta
anterior para una corriente de base de 40A

14.- Anote sus conclusiones.

En esta prctica pudimos observar la configuraciones de un transistor bipolar adems de
su funcionamiento el cual pude emplearse en cualquier mbito de la electrnica digital y la
electrnica analgica as mismo pudimos observar la corriente fuga y su variacin con la
temperatura con la cual se pudo obtener las curvas caractersticas de entrada y salida del transistor
bipolar lo cual nos llev a ver las regiones de corte, saturacin y activa directa.