Ae - P2 - Jose Carlos, Mariela Molina, Juan Pablo

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UNIVERSIDAD POPULAR AUTÓNOMA

DEL ESTADO DE PUEBLA

CAMPUS PUEBLA | MODALIDAD


ESCOLARIZADA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍAS.

ASIGNATURA: Amplificadores Electronicos.


CLAVE: IET201 GRUPO: 2

“Práctica 2.- Polarización de Emisor”

INTEGRANTES DEL EQUIPO


NOMBRE MATRÍCULA CARRERA
José Carlos Lozano 17030221 Ing. Aeroespacial
Lizardi

Juan Pablo Escajeda 5802588 Ing. Mecatrónica


Garcia

Mariela Raviela Molina 26330010 Ing. Electrónica

PROFESOR: Edson Olmedo Urrutia

PERIODO ACADÉMICO:Primavera 2023


Introducción.

En la siguiente práctica se integrarán todos los conceptos aprendidos sobre los


transistores BJT en el transcurso del curso, para tener la capacidad de identificar
la polarización que se presenta en un diagrama esquemático, será necesario
obtener Ib, Ic, igualmente calcular la Beta que presenta un circuito en físico, así
al final poder concluir en que región de operación está con el valor que nos
resulte de tensión entre la base y el colector. De igual manera se medirán los
parámetros mediante un simulador, un circuito físico y por su forma matemática
para después comparar las diferencias que existen entre ellos y concluir si es
que nuestra metodología es la indicada para analizar ese tipo de polarización, en
este caso es sobre el emisor .

Descripción General.
En esta segunda práctica, desarrollamos una simulación de software y física
para analizar un circuito de polarización estabilizado en emisor de un transistor
BJT 2n2222, analizando sus tres canales, nosotros obtendremos las corrientes de
las resistencias en cada sección del circuito, lo cual nos permitirá un cálculo
experimental de la ganancia.

Resumen Teórico.
Un circuito de polarización estabilizado en emisor para un transistor BJT es el
siguiente:

A partir del cual se necesitan obtener los valores de 𝞫, Ib, Ic, Vce, Vb, Vbc.
El valor de la Beta, es un valor de identificación para cada tipo de transistor,
está directamente relacionado con Ib, Ic ya que es el cociente entre estos dos
valores. Este valor lo tendremos en la hoja de especificaciones de nuestro
transistor teniendo los siguientes valores que van dependiendo de la corriente
del colector y del voltaje colector-emisor:

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Tabla 1. Valores de ganancia del transistor 2n2222
La corriente límite (Ic) que se le puede suministrar al transistor según el
datasheet es de 800 mA.
Vce, es el voltaje corriente emisor, este voltaje es arrojado por el voltaje de la
fuente menos el producto de Ic por Rc.
En este circuito Vb ya está dado por el voltaje de la base el cual se presenta
como una constante de 0.7 Volts.
Los valores de voltaje y corriente pueden variar unas décimas en los resultados
obtenidos, a continuación Datasheet de nuestro trasnsistor.

Descripción y Desarrollo de la Práctica.


Para comenzar con la práctica se tuvo que construir el circuito correspondiente
con el transistor, sus resistencias y la fuente de voltaje continuo del laboratorio
de electrónica de nuestra institución.

Una vez verificado que los componentes estuvieran correctamente conectados


se medirá la corriente tanto de la base como del colector de nuestro circuito,
para esto se ocupará un multímetro. Es necesario que para poder medir la
corriente este debe estar en circuito abierto y conectar las puntas cerrando el
circuito, dándonos como resultado lo siguiente:

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Corriente de base. Corriente del colector.

Una vez teniendo estos valores se calculara el valor verdadero de 𝛽 que tendra
nuestro circuito a una fuente de voltaje de 12 V con las resistencias en la base y
emisor, cuyos valores son de 140kΩ y 2.2kΩ respectivamente.

𝐼𝐶 2.154𝑚𝐴
β = 𝐼𝐵
= 93.2 µ𝐴
≈ 23
Después de conseguir este valor se tendrá que buscar los valores de Voltajes que
se requieren y se piden en la práctica para poder así luego compararlos con los
cálculos matemáticos que se realizarán y la simulación en el software de
Proteus.

Voltaje base-emisor. Voltaje colector-emisor.

Voltaje base. Voltaje colector.

3
Voltaje base-colector.

Disposición del circuito

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Una vez terminadas las mediciones en el circuito físico y utilizando el valor de
la ganancia que se obtuvo previamente se hará el mismo circuito en un software
destinado a la simulación de circuitos electrónicos poniendo los valores exactos
de cada componente y así poder después comparar los resultados obtenidos.

Para finalizar se tendrán que recurrir a hacer los cálculos matemáticos sobre el
análisis de este circuito para corroborar si todo está dentro de los rangos de
valores que se deben de estar obteniendo por las características del transistor y
el valor de los componentes que lo conforman, teniendo como que resolver un
analisis de mallas.

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸 12−0.7
𝐼𝐵 = 𝑅𝐵+(β+1)𝑅𝐸
= 100000+(23+1)1000
= 91. 12µ𝐴

𝐼𝐶 = β𝐼𝐵 = 23(91. 12µ𝐴) = 2. 09𝑚𝐴


( )
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = 12 − 2. 09𝑚𝐴(2200 + 1000) = 5. 29𝑉

5
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶 = 12 − 2. 09𝑚𝐴(2200) = 7. 39𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵𝑅𝐵 = 12 − 91. 12µ𝐴(100000) = 2. 88𝑉
𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 2. 88 − 7. 39 =− 4. 5𝑉

Análisis de resultados.
Una vez realizados el análisis del circuito mediante 3 métodos diferentes de
medición como es en físico, simulación y por planteamiento matemático, se
obtienen los resultados que se muestran en la tabla siguiente:

Circuito Simulación Cálculos


Ib 93.2 𝜇A 91 𝜇A 91.12 𝜇A
Ic 2.154 mA 2.09 mA 2.09 mA
Vce 5.24 V 5.21 V 5.29 V
Vc 7.39 V 7.39 V 7.39 V
Vb 2.14 2.9 2.88
Vbc -4.598 V -4.5 V -4.5 V

Se puede observar que los resultados que se obtuvieron son muy parecidos unos
con otros, donde la corriente que pasa por la base solo varía por menos de 2
microampere que es un cambio insignificante, por otro lado la corriente del
colector varía en 0.1 mA que de igual manera se podría considerar despreciable.
Es curioso que los datos de la simulación como de los cálculos matemáticos en
muchos si no que en la mayoría son exactamente los mismos, pero ya con el
circuito en físico varían un poco más entre los anteriormente mencionados. De
igual manera el voltaje de la base es el que sí varía considerablemente del
circuito con respecto a los otros 2. Al saber cual es el voltaje de la base-colector
y como el resultado de este nos dio negativo se sabe que la polarización está en
la zona activa.

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Conclusión.
Al finalizar la práctica, se logró ver los resultados de lo aprendido en las partes
teóricas de la clase para poder realizar este análisis de una polarización
estabilizada en emisor para un transistor BJT. Los resultados fueron los
esperados en muchos de los parámetros, ya que coincidieron o se acercaron
demasiado a los que calculamos y a lo obtenido durante la simulación, solo
habiendo una diferencia más grande en 1 solo rubro (Vb). Se aprendió bastante
a que es importante saber cómo funciona la polarización, como hacer que este
funcione en la zona activa ya que nos ayudará a la amplificación.
Por otra parte el uso de la hoja de especificaciones nos ayuda a saber cómo es
que se debe de estar manejando el transistor y nos da valores aproximados a los
que debemos tener en la ganancia, este sirve de guía ya que no tenemos ni la
misma corriente (Ic) o el voltaje de colector-emisor que nos marcan.

Bibliografía.
Octopart (2020, November 8). Central Semiconductor 2N2222 Datasheet. Retrieved January
30, 2023, from
https://octopart.com/datasheet/2n2222-central+semiconductor-834998?utm_source=bing&ut
m_medium=cpc&utm_campaign=b_cpc_intl_search_dsa_english_en_usd_datasheets&utm_t
erm=datasheet&utm_content=Intl%20Datasheet%20DSA

Roble (2023, January 30). CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR EN


EMISOR COMÚN. Retrieved January 30, 2023, from
http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/polarizacion-transistor.pdf

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