Gomez Vazquez Practica 4 Amplificadores

Manual de Prácticas Amplificadores
Electrónicos
Práctica 4
Amplificadores de señal
pequeña
Amplificador tipo
Darlington
Nombre completo del alumno Firma
Gomez Vazquez Victor Manuel
N° de brigada: Fecha de elaboración: 23/09/2022 Grupo: 6

Práctica 4
Amplificadores de señal pequeña
Amplificador tipo Darlington
Objetivo.
Analizar, diseñar, simular e implementar dos amplificadores tipo Darlington.
Material y equipo
Transistores 2N2222.
Cables (banana-caimán, caimán - caimán, BNC-caimán).
Tableta de prototipos (Protoboard).
Resistencias.
Multímetro.
Fuente de poder.
Generador de funciones.
Osciloscopio.
Trabajo previo y Desarrollo.
Analizar, diseñar y simular dos amplificadores tipo Darlington, las dos

configuraciones que se van a utilizar son emisor común y emisor seguidor. En
cada circuito se va a calcular y simular la impedancia de entrada, salida,
ganancia en voltaje y corriente
Introducción
En la siguiente práctica se diseñaron y simularon dos amplificadores utilizando

la configuración Darlington.
Esta configuración, inventada por Sydney Darlington en 1953, consiste en dos
transistores conectados uno al otro de tal manera que la amplificación en
corriente del primero es amplificada aún más por el segundo.
Esta configuración generalmente se puede obtener como una sola cápsula,
pero para los propósitos de esta práctica se utilizarán dos transistores 2N2222
independientes. Una pareja Darlington se comporta como un transistor
individual, lo cual significa que tiene una terminal base, colector y emisor. La
ganancia total de la pareja de transistores es
aproximadamente el producto de las ganancias individuales de cada transistor.
Para valores más pequeños de β (inferiores a los cientos) se cumple que:
β𝐷𝑎𝑟𝑙𝑖𝑛𝑔𝑡𝑜𝑛 = β1β2 + β1 + β2.
Algunos de sus beneficios incluyen que, dada su gran amplificación de
corriente, solo requiere de una pequeña corriente base, también cuenta con
una gran impedancia de entrada.
Desarrollo
Emisor-Seguidor
Análisis EN DC
Para analizar este circuito se empleará el teorema de superposición, por lo

tanto, existirá un análisis para la fuente de CD y otro para la fuente de CA
Fuente de DC
Aquí la fuente de AC se anula (colocándola en cortocircuito) y los capacitores

se sustituyen por un circuito abierto; ya que la frecuencia en CD es 0 Hz, lo que
provoca que la reactancia del capacitor tienda a infinito
Se utilizará la siguiente configuración para el emisor seguidor
Si aplicamos LVK se llega a
𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝑐 𝐼𝑐 − 𝑉𝑐𝑒 − 𝑅𝑒 𝐼𝑒 = 0
Al realizar la aproximación de 𝐼𝑒 = 𝐼𝑐 y al despejar 𝑅𝑒 se obtiene:
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑐𝑒
𝑅𝑒 = − 𝑅𝑐
𝐼𝑐
Al tener en cuenta que 𝑉𝑅2 está definido por ley de ohm podemos despejar 𝐼2
llegando a:
2𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶
𝐼2 =
𝑅2
Finalmente, al analizar 𝑅1 por ley de ohm y tomando en cuenta la corriente 𝐼1 =
𝐼2 + 𝐼𝐵 obtendremos:
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑅2 𝑉𝑐𝑐−𝐼2
𝑅1 =
𝐼1
⇨ 𝑅1 = 𝐼2 +𝐼𝐵
Por último, al sustituir en la ecuación de 𝐼2 en la ecuación de 𝑅1 se obtiene lo

siguiente
𝑅2 (𝑉𝑐𝑐 − (2𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶 ))
𝑅1 =
2𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅2
Análisis en AC
Para este análisis se utilizará el siguiente modelo de señal pequeña
Para obtener la expresión de ganancia de voltaje, buscaremos obtener las

siguientes relaciones
𝑣𝑜 𝑖𝑏
𝐴𝑖 = ( )( )
𝑖𝑏 𝑣𝑖
Para esto se empleará las relaciones de corriente característica de los TBJ
(𝐼𝑒 = (𝛽 + 1)𝐼𝑏 ) por lo que (𝐼𝑒1 = (𝛽1 + 1)𝐼𝑏1) y (𝐼𝑒2 = (𝛽2 + 1)𝐼𝑏2) tomando en
cuenta que 𝑖𝑒 = 𝑖𝑏 tenemos que
𝑖𝑒2 = (𝛽2 + 1)[(𝛽1 + 1)𝑖𝑏 ]
Establecido de lo anterior al analizar por ley de ohm el modelo tenemos que

𝑅𝑞 :
𝑣𝑂 = 𝑅𝑞 𝑖𝑒2 ⇨ 𝑣𝑜 = 𝑅𝑞 ((𝛽2 + 1)[(𝛽1 + 1)𝑖𝑏 ])
𝑣0
= 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)
𝑖𝑏1
𝑖
Para obtener el termino de 𝑣𝑏 se aplicará LVK
𝑖
𝑣1 − 𝑟𝑏 1 𝑖𝑏 1 − 𝑟𝑏 2 𝑖𝑏 2 − 𝑅𝑞 𝑖𝑒 2 = 0
Recordando que (𝐼𝑒1 = (𝛽1 + 1)𝐼𝑏1 ) y (𝐼𝑒2 = (𝛽2 + 1)𝐼𝑏2) y que 𝑖𝑏2 = 𝑖𝑒 1 y al
sustituirlo se tiene:
𝑣1 − 𝑟𝑏 1 𝑖𝑏 1 − 𝑟𝑏 2 (𝛽1 + 1)𝑖𝑏 1 − 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)𝑖𝑏 1 = 0
Al despejar 𝑖𝑏 y dividir sobre 𝑣1 tenemos que
𝑖𝑏 1 1
=
𝑣𝑖𝑛 𝑟𝑏 1 + 𝑟𝑏 2 (𝛽1 + 1) + 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)
Al multiplicar los dos términos tenemos que
𝑣𝑜 𝑖𝑏 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)
𝐴𝑣 = ( ) ( ) =
𝑖𝑏 𝑣𝑖 𝑟𝑏 1 + 𝑟𝑏 2 (𝛽1 + 1) + 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)
Para encontrar la ganancia en corriente se buscan las siguientes relaciones

𝑖𝑜 𝑖𝑏
𝐴𝑖 = ( )( 1 )
𝑖𝑏1 𝑖𝑖
𝑖
Para el termino 𝑖 𝑜 la parte a analizar es la de Re//RL
𝑏1
Al analizarla se puede ver que por el tipo de conexión se puede aplicar un

divisor de corriente lo que de lo anterior 𝑖𝑒2 = (𝛽2 + 1)[(𝛽1 + 1)𝑖𝑏 ]
Por lo que se obtiene

𝑖𝑜 𝑅𝐸 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)
=
𝑖𝑏1 𝑅𝐸 + 𝑅𝐿
𝑖𝑏1
Para el termino se analizará toda la corriente que circula por el circuito
𝑖𝑖
usando la relación de las β para calcularla por lo que se tiene
𝑖𝑏1 𝑅𝐵
=
𝑖𝑖 𝑟𝑏 1 + 𝑟𝑏 2(𝛽1 + 1) + 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)
Al multiplicar las dos anteriores finalmente podemos calcular la ganancia en

corriente
𝑖𝑜 𝑖𝑏1 𝑅𝐸 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1) 𝑅𝐵

𝐴𝑖 = ( )( ) =
𝑖𝑏1 𝑖𝑖 𝑅𝐸 + 𝑅𝐿 𝑟𝑏 1 + 𝑟𝑏 2 (𝛽1 + 1) + 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)
Para la impedancia de entrada tenemos que
𝑅𝐵 (𝑟𝑏 1 + 𝑟𝑏 2 (𝛽1 + 1) + 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1))

𝑍𝑖 =
𝑅𝐵 𝑟𝑏 1 + 𝑟𝑏 2 (𝛽1 + 1) + 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)
Para la impedancia de salida tenemos que
𝑍𝑜 = 𝑅𝑒
Diseño
Se calculan las curvas características con el siguiente circuito
Las curvas características fueron
Se selecciono el siguiente punto de operación
𝑰𝒄 = 𝟏. 𝟑𝟔𝟑𝟕 [𝑨] 𝑰𝑩 = 𝟎. 𝟓 [𝑨] 𝑽𝑪𝑬 = 𝟒[𝑽] 𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟎[𝑽]
Para los valores de β se variaron para cada transistor
2n2222 -1
𝑰𝒄 = 𝟓𝟑. 𝟕 [𝒎𝑨] 𝑰𝑩 = 𝟎. 𝟓 [𝑽] 𝛃𝟏 = 𝟏𝟎𝟕
2n2222-2
𝑰𝒄 = 𝟏. 𝟑𝟏 [𝒎𝑨] 𝑰𝑩 = 𝟓𝟒. 𝟐 [𝑽] 𝛃𝟏 = 𝟐𝟒

Con los datos primero calculamos la resistencia 𝑅𝑒 gracias a nuestro análisis
20 − 4
𝑅𝑒 = − 𝑅𝑐 ⇨ 𝑅𝑒 = 11.171[Ω] − 𝑅𝑐
1.37
De la relación anterior sabemos que 𝑅𝑐 no puede ser mayor a 11 o se tendrá

una resistencia negativa por lo que se le asigna un valor de 𝑅𝑐 = 5
𝑅𝑒 = 11.171 − 5 = 6.65 [Ω]
Para este caso en particular se consideró un 2VBE=2.01 V pues los valores no

se aproximaban si se consideraba una de 0.7 V por lo tanto al definir una R2 =
50 R1 resulta en
𝑅2 (𝑉𝑐𝑐 − (2𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶 ))
𝑅1 =
2𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅2
𝑅1 = 39.34[Ω]
Con estas resistencias calculadas podemos calcular Rb
𝑅1 𝑅2
𝑅𝐵 =
𝑅1 + 𝑅2
𝑅𝐵 = 22.08[Ω]
Simulación
Resultados
Amplificador Darlington Emisor-Seguidor 2N2222
Parámetro Teórico Simulado %Error
IB1 0.5 0.49 1.2
IC 1.3657 1.36 0.0417
VCE 4 4.01 0.25
Ganancia Voltaje 0.9999999 0.83 16.39
Ganancia Corriente 0.218 0.1829 16.17
Emisor Común
Análisis EN DC
Para analizar este circuito se empleará el teorema de superposición, por lo

tanto, existirá un análisis para la fuente de CD y otro para la fuente de CA
Tomando en cuenta la gráfica con las curvas de operación, el simulador nos da

prácticamente el valor de 𝑟0
2𝑉
𝑟0 = = 205.33[Ω]
9.6 mA
.
Procedemos a calcular valores de las resistencias.
Analizando la malla de colector-emisor con ley de voltaje de Kirchhoff
obtenemos:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸)
Despejando las resistencias obtenemos:
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = = 173. 94 [𝛺]
𝐼𝐶
Estableciendo un valor para 𝑅𝐶 = 147 𝑅𝑒 = 27.14
Analizando la malla de base-emisor y estableciendo valores de corriente para

poder calcular 𝑅1 𝑅2
𝑉𝐵
𝑅1 =
𝐼𝑅1
𝑅1 = 499𝑘𝑜ℎ𝑚𝑠
𝑉𝐵
𝑅2 =
𝐼𝑅2
𝑅2 = 209 𝑘 𝑜ℎ𝑚𝑠
Análisis en AC
Para este análisis se utilizará el siguiente modelo de señal pequeña
Para cada transistor se necesita calcular la ganancia y la resistencia 𝑟π para

poder calcular la ganancia en corriente y voltaje. Para las resistencias
obtenemos para cada transistor:
𝛽
𝑟π1 = = 10.86 [𝑘𝛺]
𝑔𝑚1
𝛽
𝑟π2 = = 72.5 [𝑘𝛺]
𝑔𝑚2
Teniendo en cuenta el valor de 𝑅𝐿 = 1[𝑘𝛺] para tomar la medición de la

amplificación y con esto podemos calcular la impedancia de entrada y salida
con las siguientes expresiones:
𝑍𝑖 = 𝑟π1 + β1 𝑟π2
𝑍𝑖 = 𝑍1 ||R1 ||R2
𝑍𝑖 = 18.91
Para la impedancia de salida
𝑍𝑜 = ||Rc ||RL
𝑍𝑜 = 128.16
Para la ganancia de corriente
−||R1 ||R2 (𝑅𝑐 )
𝐴𝑖 =
||R1 ||R2
𝑅𝐶 + 𝑅𝐿
𝛽2 + 2𝑟π /𝛽
𝐴𝑖 = −2883.73
Para la ganancia de voltaje

𝑰𝒄 𝜷𝒓𝝅𝟐
𝑨𝒗 = − ( )
𝑽𝒕 𝒓𝝅𝟏 + 𝜷𝒓𝝅𝟐
𝐴𝑣 = 39.78
Diseño
Se calculan las curvas características con el siguiente circuito
Las curvas características fueron
Se selecciono el siguiente punto de operación
𝑰𝒄 = 𝟐𝟓. 𝟖𝟕 [𝒎𝑨] 𝑰𝑩 = 𝟐. 𝟒 [µ𝑨] 𝑽𝑪𝑬 = 𝟑. 𝟓[𝑽] 𝑽𝑪𝑪 = 𝟖[𝑽]
Para los valores de β se quedaron igual para cada transistor
𝛃𝟏 = 𝛃𝟐 = 𝟏𝟓𝟎
Simulación
Amplificador Darlington Emisor-Común 2N2222
Parámetro Teórico Simulado %Error
IB1 2.5 µ 2.42 0.8
IC 25 mA 26.05 0.69
VCE 3.5 3.46 1.1
Ganancia Voltaje 39.178 37.05 5.4
Ganancia Corriente 2883.73 2287.06 10%
Conclusión
Se analizo el funcionamiento de dos configuraciones del amplificador tipo
darlington, utilizando dos transistores 2N222. Se compararon los resultados
simulados con los teóricos y se observó que la ganancia en corriente es mucho
mayor a la ganancia en voltaje, como se es de esperar de este tipo de
amplificador.
Gracias a esta práctica comprendí que el arreglo Darlington de transistores BJT

puede emplearse para amplificar señales; sin embargo, con estas actividades
noté que los transistores de la derecha, los cuales tienen como corriente de
base, la corriente de emisor del otro transistor, presentan grandes potencias de
disipación pues los valores de corriente y voltajes registrados eran elevados.
A diferencia de anteriores practicas la elección de punto de operación fue mas

complicada ya que se observo que el transistor 2n2222 que se localizaba al
lado derecho de la configuración operaba fuera de los valores establecidos lo
que produce comportamientos un poco extraños, para solucionar esto no se
tomo en cuenta la resistencia de salida de corriente alterna pues se consideró
razonable el porcentaje de error obtenido de la señal pequeña ya que se
aproxima a lo que se espera del transistor
Referencias
- Boylestad, R. (2009). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos.
- Datasheet
https://alltransistors.com/adv/pdfdatasheet_st/

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Manual de Prácticas Amplificadores

Nombre completo del alumno Firma

Gomez Vazquez Victor Manuel

N° de brigada: Fecha de elaboración: 23/09/2022 Grupo: 6

Trabajo previo y Desarrollo.

Analizar, diseñar y simular dos amplificadores tipo Darlington, las dos

En la siguiente práctica se diseñaron y simularon dos amplificadores utilizando

Para analizar este circuito se empleará el teorema de superposición, por lo

Aquí la fuente de AC se anula (colocándola en cortocircuito) y los capacitores

Se utilizará la siguiente configuración para el emisor seguidor

Si aplicamos LVK se llega a

Al realizar la aproximación de 𝐼𝑒 = 𝐼𝑐 y al despejar 𝑅𝑒 se obtiene:

Por último, al sustituir en la ecuación de 𝐼2 en la ecuación de 𝑅1 se obtiene lo

Para este análisis se utilizará el siguiente modelo de señal pequeña

Para obtener la expresión de ganancia de voltaje, buscaremos obtener las

𝑖𝑒2 = (𝛽2 + 1)[(𝛽1 + 1)𝑖𝑏 ]

Establecido de lo anterior al analizar por ley de ohm el modelo tenemos que

𝑣𝑂 = 𝑅𝑞 𝑖𝑒2 ⇨ 𝑣𝑜 = 𝑅𝑞 ((𝛽2 + 1)[(𝛽1 + 1)𝑖𝑏 ])

𝑣1 − 𝑟𝑏 1 𝑖𝑏 1 − 𝑟𝑏 2 (𝛽1 + 1)𝑖𝑏 1 − 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1)𝑖𝑏 1 = 0

Al despejar 𝑖𝑏 y dividir sobre 𝑣1 tenemos que

Al multiplicar los dos términos tenemos que

Para encontrar la ganancia en corriente se buscan las siguientes relaciones

Al analizarla se puede ver que por el tipo de conexión se puede aplicar un

Por lo que se obtiene

Al multiplicar las dos anteriores finalmente podemos calcular la ganancia en

𝑖𝑜 𝑖𝑏1 𝑅𝐸 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1) 𝑅𝐵

Para la impedancia de entrada tenemos que

𝑅𝐵 (𝑟𝑏 1 + 𝑟𝑏 2 (𝛽1 + 1) + 𝑅𝑞 (𝛽2 + 1)(𝛽1 + 1))

Para la impedancia de salida tenemos que

Se calculan las curvas características con el siguiente circuito

Las curvas características fueron

Se selecciono el siguiente punto de operación

𝑰𝒄 = 𝟏. 𝟑𝟔𝟑𝟕 [𝑨] 𝑰𝑩 = 𝟎. 𝟓 [𝑨] 𝑽𝑪𝑬 = 𝟒[𝑽] 𝑽𝑪𝑪 = 𝟐𝟎[𝑽]

Para los valores de β se variaron para cada transistor

𝑰𝒄 = 𝟓𝟑. 𝟕 [𝒎𝑨] 𝑰𝑩 = 𝟎. 𝟓 [𝑽] 𝛃𝟏 = 𝟏𝟎𝟕

𝑰𝒄 = 𝟏. 𝟑𝟏 [𝒎𝑨] 𝑰𝑩 = 𝟓𝟒. 𝟐 [𝑽] 𝛃𝟏 = 𝟐𝟒

De la relación anterior sabemos que 𝑅𝑐 no puede ser mayor a 11 o se tendrá

𝑅𝑒 = 11.171 − 5 = 6.65 [Ω]

Para este caso en particular se consideró un 2VBE=2.01 V pues los valores no

Con estas resistencias calculadas podemos calcular Rb

Para analizar este circuito se empleará el teorema de superposición, por lo

Tomando en cuenta la gráfica con las curvas de operación, el simulador nos da

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸)

Despejando las resistencias obtenemos:

Analizando la malla de base-emisor y estableciendo valores de corriente para

Para este análisis se utilizará el siguiente modelo de señal pequeña

Para cada transistor se necesita calcular la ganancia y la resistencia 𝑟π para

Teniendo en cuenta el valor de 𝑅𝐿 = 1[𝑘𝛺] para tomar la medición de la

Para la impedancia de salida

Para la ganancia de voltaje

Las curvas características fueron

Se selecciono el siguiente punto de operación

𝑰𝒄 = 𝟐𝟓. 𝟖𝟕 [𝒎𝑨] 𝑰𝑩 = 𝟐. 𝟒 [µ𝑨] 𝑽𝑪𝑬 = 𝟑. 𝟓[𝑽] 𝑽𝑪𝑪 = 𝟖[𝑽]

Para los valores de β se quedaron igual para cada transistor

Gracias a esta práctica comprendí que el arreglo Darlington de transistores BJT

A diferencia de anteriores practicas la elección de punto de operación fue mas

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