Art 2
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ISSN: 1665-3521
[email protected]
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología
de Superficies y Materiales A.C.
México
Carbajal Franco, G.; Tiburcio Silver, A.; Domínguez, J. M.; Sánchez Juárez, A.
Sensores de propano usando películas delgadas de SnO2
Superficies y vacío, núm. 10, junio, 2000, pp. 1-4
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
Distrito Federal, México
G. Carbajal-Franco, A. Tiburcio-Silver
H. Inst. Tec. de Toluca, Apdo. postal 890, 50000 Toluca, México.
J. M. Domínguez,
Inst. Mex. del Petróleo, Apdo. postal 14-805, 07730 México, D. F.
A.Sánchez-Juárez,
CIE-UNAM, Apdo. postal 34, 62580 Temixco, Mor.
En este trabajo se reporta la elaboración de películas delgadas de SnO2 y SnO2:Ag (espesor aproximado de 200 nm)
obtenidas por tratamiento térmico de películas de Sn y Sn:Ag depositadas por evaporación al vacío en substratos de
alúmina. Para la impurificación con plata se utilizó un procedimiento sencillo y muy barato. Se muestran resultados
preliminares de las propiedades de sensado. Las películas detectan selectivamente la presencia de C3H8 en la
mezcla de gas LP doméstico. La impurificación con Ag reduce aproximadamente 100 ºC el punto óptimo de
temperatura de operación de las películas de SnO2. Este resultado es muy importante al detectar gases explosivos.
Palabras clave: Sensor de Gas, SnO2, Ag, Histéresis,
In this work, we report on the elaboration of SnO2 and SnO2:Ag thin films (~200 nm in thickness) obtained by heat-
treatement in air of Sn and Sn:Ag thin films deposited by vacuum evaporation on alumina substrates. A simple and very
cheap procedure was used to dope the SnO2 films with Ag. Preliminary results on the sensing properties of these films
are presented. Films are able to detect selectively the presence of C3H8 in the LP-gas domestic mixture. Doping with
Ag allows to reduce the optimal operation temperature of the SnO2 sensors by 100ºC. This a very important result when
detecting such a highly explosive gas.
Keywords: Gas Sensor, SnO2, Ag, Hysteresis,
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Superficies y Vacío 10, 1-4, Junio 2000 Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y de Vacío.
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Fig. 5.Sensibilidad de una película sin impurificación intencional expuesta a Fig. 6.Sensibilidad de una película con impurificación intencional expuesta a
C3H8 al 1% en N2. C3H8 al 1% en N2.
NORTHERN, integrado a una computadora TN-5500. En figuras, podemos apreciar que la conductancia de la
el espectro de la película con impurificación se encontró el película expuesta a C4H10 presenta valores menores,
pico de baja energía de la plata, lo que hace suponer que respectivamente, que los valores de la conductancia de la
existe plata presente en la superficie de la película. película expuesta a C3H8. Con esto se puede suponer que
la combustión del gas propano sobre la muestra es más
Para la caracterización eléctrica de las películas se
eficiente que la del gas butano.
montó un sistema de atmósfera y temperatura controladas
Por último se presentan los datos de sensibilidad de
(Fig. 1).
una película sin impurificación y una impurificada
El concepto de sensibilidad empleado fue el propuesto
intencionalmente. La Fig. 5 se refiere a una película sin
por Morrison [11] que se define como:
impurificación intencional. Podemos observar que el punto
de máxima sensibilidad se presenta a aprox. 380 ºC. En la
Fig. 6 se aprecia que el punto de máxima sensibilidad al
(1) gas propano de la película impurificada intencionalmente
se sitúa cerca de los 290 ºC.
donde G es la conductancia eléctrica de la película
expuesta al gas a sensar, Go es la conductancia eléctrica de 4. Conclusiones
la película en una atmósfera sin la presencia del gas a
sensar (N2 en este trabajo), ∆G es igual a G-Go, ∆nS es el Se elaboraron películas de SnO2 y SnO2:Ag por
cambio superficial de portadores de carga, n es la cantidad evaporación al vacío y posterior oxidación. De acuerdo a
de portadores de carga en la película y t es el espesor mediciones de espesor y cálculos estequiométricos se
de la misma. Se empleó esta definición ya que las encontró que probablemente las películas no se hayan
cantidades involucradas son de fácil medición, además de
que nos proporciona datos directos sobre los cambios de oxidado completamente. Se midió la conductancia de las
concentración de portadores a nivel superficial. películas en atmósfera inerte (N2) y en mezclas de n-
En la Fig. 2 se muestra una curva de la conductancia propano-N2. Se definió la sensibilidad como ∆G/Go y se
en función de la temperatura de la muestra, en una encontró que la película impurificada presentó una
atmósfera de C3H8 disuelto al 1% en N2. Se observa una reducción en su punto optimo de temperatura de operación.
alteración considerable en su comportamiento para un Esto puede ser favorable para el sensor debido a que el gas
rango de temperaturas. Esto lo atribuimos a la desorción de propano es el gas de ignición de la mezcla LP.
agua de las películas [12].
Se realizaron mediciones para conocer el efecto de los Referencias
cambios de temperatura sobre la conductancia. En la Fig. 3
se presentan los datos de una película impurificada [1]. G. Riveros. Ciencia y Desarrollo. XXI, 1995 (125).
intencionalmente expuesta a C3H8 diluido al 1% en N2, y [2]. D.R. Blake, F.S. Rowland. . Science. 269, 953 (1995).
en la Fig. 4 se muestran los datos de la misma película [3]. R Huck., U. Böttger, D. Kohl, G. Heiland. Sensors and
Actuators. 17, 355 (1989).
pero expuesta a C4H10 al 1% en N2. Comparando los
[4]. M. Egashira, T. Matsumoto, Y. Shimizu, H. Iwanaga.
datos de conductividad contra temperatura de ambas Sensors and Actuators. 14, 205 (1988).
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