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    Informe Final 5 Electronicos II

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    Victor Torres
    Este documento presenta los resultados de un laboratorio sobre la respuesta en alta frecuencia de un amplificador de una sola etapa. Se concluye que a altas frecuencias aparecen las capacidades parásitas del transistor, lo que causa una señal de salida desfasada 180° para cada valor de frecuencia. Las tablas muestran que la ganancia disminuye a medida que aumenta la frecuencia debido al efecto de las capacidades parásitas.

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    Este documento presenta los resultados de un laboratorio sobre la respuesta en alta frecuencia de un amplificador de una sola etapa. Se concluye que a altas frecuencias aparecen las capacidades parásitas del transistor, lo que causa una señal de salida desfasada 180° para cada valor de frecuencia. Las tablas muestran que la ganancia disminuye a medida que aumenta la frecuencia debido al efecto de las capacidades parásitas.

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    lOMoARcPSD|5371555

    Informe Final 5 Electronicos II

    Circuitos electrónicos II (Universidad Nacional Mayor de San Marcos)

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    FIEE-UNMSM. Alta Frecuencia del Amplificador de una sola etapa.

    Respuesta en Alta Frecuencia de un amplificador de una sola etapa


    Guardia Lopez Samuel
    [email protected]
    Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica - UNMSM

    Resumen: El objetivo de este laboratorio fue estudiar el Cbe simplemente aparece como una capacitancia a
    comportamiento en altas frecuencias de un amplificador de tierra de ca, como muestra la figura 10-32, en paralelo
    audio. Para este laboratorio fue necesario el uso del con Cent(Miller). Viendo el colector, Cbc aparece en la
    osciloscopio, multímetro, generador de señales, fuente de
    poder DC, transistores, resistencias, condensadores,
    conectores, Protoboard. Llegamos a la conclusión que en
    altas frecuencias aparecen las llamadas capacidades
    parásitas del transistor, se obtuvo una señal de salida
    desfasada 180° para cada valor de frecuencia.

    Índice de Términos: Amplificador de una etapa,


    respuesta a alta frecuencia, capacidades parásitas.
    I. INTRODUCCIÓN: capacitancia de salida Miller del colector a tierra. Como
    La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con muestra la figura 10-32, la capacitancia de salida Miller
    transistores está fijada por los condensadores internos y aparece en paralelo con Rc.
    las constantes de tiempo asociadas.
    Un circuito equivalente en ca en alta frecuencia para el
    amplificador basado en BJT de la figura 10-31(a) se
    muestra en la figura 10-31(b). Observe que los
    capacitores de acoplamiento y puenteo se tratan como
    cortos efectivos y no aparecen en el circuito
    equivalente. Las capacitancias internas,Cbe y Cbc, las Estas dos capacitancias Miller crean una circuito RC de
    cuales son significativas sólo en altas frecuencias, sí entrada de alta frecuencia y un circuito RC de salida en
    aparecen en el diagrama. Como previamente se alta frecuencia. Estos dos circuitos, el de entrada y el de
    mencionó, Cbe en ocasiones se llama capacitancia de salida difieren en baja frecuencia, los cuales actúan
    entrada Cib y Cbc es ocasiones se llama capacitancia de como filtros pasoaltas porque las capacitancias están a
    salida Cob, Cbe se especifica en hojas de datos a un tierra y por consiguiente actúan como filtros pasobajas.
    cierto valor de VBE. Amenudo, una hoja de datos El circuito equivalente en la figura 10-32 es un modelo
    registrará Cib como Cibo y Cob como Cobo. La o como ideal porque se desprecian las capacitancias parásitas
    la última letra en el subíndice indica que la capacitancia provocadas por las interconexiones del circuito .
    se mide con la base abierta. Por ejemplo, un transistor
    2N2222A tiene una Cbe de 25 pF a VBE _ 0.5 V de cd,
    IC _ 0 y f _ 1 MHz. También, Cbe se especifica a un
    cierto valor de VBC. El 2N2222A tiene una Cbc
    máxima de 8 pF a VBC _ 10 V de cd.
    Teorema de Miller en análisis en alta frecuencia
    Aplicando el teorema de Miller al amplificador inversor
    de la figura 10-31(b) y utilizando la ganancia en
    frecuencias medias, se tiene un circuito que puede ser
    analizado en cuanto a respuesta en alta frecuencia.
    Viendo desde la fuente de señales, la capacitancia Cbc
    aparece en la capacitancia de entrada Miller de la base a
    tierra.

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    FIEE-UNMSM. Alta Frecuencia del Amplificador de una sola etapa.

    II. MATERIALES Y MÉTODOS


    A. Equipos, materiales y herramientas utilizados.
     Transistor 2n2222
     Resistores (1/4 W): 56k, 12k, 10k, 1.5k, 0.68k,
    1k
     Condensadores 2(22uf), 100uf
     Multímetro digital
     Generador de señales
     Fuente DC
     Protoboard
    B. Esquemas
    El siguiente circuito fue el que implementamos:

    FIGURA
    4.1

    CIRCUITO PRÁCTICO

    PUNTO Q DE LA FIGURA 4.1:

    Circuito de la figura 4.1 implementado

    GANANCIA VS. FRECUENCIA

    fo=100 Hz

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    FIEE-UNMSM. Alta Frecuencia del Amplificador de una sola etapa.

    fo=1KHz
    f0= 10 KHz
    C. Procedimiento.
    1. Realice la simulación del circuito mostrado en la
    figura 4.1. Encuentre el punto de trabajo y complete la
    tabla 4.1.
    2. Implemente el circuito de la figura 4.1. Establezca
    como señal de salida del generador una onda
    sinusoidal de 10KHz, con el mayor nivel de amplitud
    posible que permita obtener una señal sin distorsión de
    amplitud a la salida del amplificador.
    3. Despreciando el efecto de los condensadores
    (frecuencias medias) determine experimentalmente la
    ganancia de tensión y halle el punto de trabajo.
    fo=100KHz Complete la tabla 4.1
    III. RESULTADOS
    Tabla 4.1

    VCEQ (V) ICQ (A)


    Valor
    7.58 2.02 m
    Simulado
    Valor
    7.54 2.06 m
    Medido
    Tabla 4.2

    Av
    100 1 10 100
    f0 50 HZ
    HZ KHZ KHZ KHZ

    152m 148m 140m 152m 148m


    Vi
    v v v v v

    fo=1MHz Vo 3.51v 5.03v 6.55v 6.63v 6.07v

    Av 23.09 33.99 46.79 43.62 41.01

    Av
    200 500 700 1 2
    f0
    KHZ KHZ KHZ MHZ MHZ

    136m 140m 140m 152m 148m


    Vi
    v v v v v

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    REFERENCIAS:
    Vo 5.67v 4.07v 3.03v 2.04v 1.27v
     Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
    Av 41.69 29.07 21.64 15.79 8.58 electrónicos. Décima edición –Robert L.
    Boylestad.

    IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS  Circuitos electrónicos – Schilling

     En los resultados podemos ver que tenemos  Principios electrónicos – Malvino.


    algunas capacitancias parasitarias a altas
    frecuencia.

    Av vs. Frecuencia
    50

    45

    40

    35

    30

    25

    20

    15

    10

    0
    10 100 1000 10000 100000 100000010000000

     Para una mejor obtención de los resultados,


    empleamos el modelo híbrido, ya que este
    resulta mejor en altas frecuencias.

     Cuando la salida del amplificador cae en


    0.707 de su valor en frecuencias medias,
    observamos la frecuencia en ese punto y a
    partir de ese momento ocurre la caída de la
    ganancia a un valor casi nulo.

    V. CONCLUSIONES
     A altas frecuencias aparecen las llamadas
    capacidades parásitas del transistor.
     La mejor manera de poder realizar el análisis
    en altas frecuencias es utilizando el modelo de
    parámetro híbrido π.
     También observamos que la señal de salida se
    encuentra desfasada 180° con respecto a la
    señal de entrada, pero esto no impide que el
    circuito amplifique.

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