Unidad 1. Dispotivos Semiconductores

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INSTITUTO TECNOLÓGICO DE

DURANGO

INGENIERÍA MECATRÓNICA

APUNTES DE LA MATERIA DE ELECTRÓNICA

ANALÓGICA

ING. GERARDO RAFAEL SOLANO

Nombres:

Gerardo Antuna Hernández C18041013

Juan Manuel Antuna Soria 18041091

Jonathan Israel Hernández Cháidez 18041125


Victoria de Durango, Dgo. Octubre de 2021
Programación oficial del TECNM

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Desarrollo de la materia

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Competencia #1 Dispositivos Semiconductores

1.1 Aspectos históricos de la electrónica

Con el invento de John Ambrose Fleming, en 1904, se considera que comenzó

la electrónica, esto con el diodo de vacío. Su funcionamiento se basaba en el

efecto Edison; al colocar una lámina dentro de una bombilla para evitar el

ennegrecimiento que producía la ampolla de vidrio en el filamento de carbón.

Otro gran avance en la historia de la electrónica lo dio Lee De Forest, al

inventar el triodo en 1906. Básicamente es igual al diodo de vacío, con la

diferencia de que le fue añadida una rejilla de control situada entre el cátodo y

la placa, modificando la nube electrónica del cátodo, variando la corriente de la

placa. Gracias a esto, la fabricación de los primeros amplificadores de sonido,

receptores de radio, etc., fue muy beneficiado.

Con el transistor, aparecido en 1948 y un año después, el transistor de unión, lo

que permitió una mayor miniaturización de aparatos como los radios. Este

dispositivo es utilizado en la actualidad para la mayoría de las aplicaciones

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electrónicas; entre sus ventajas se tiene que es de menor tamaño y fragilidad,

mayor rendimiento enérgico, menores tensiones de alimentación, entre otras.

Este dispositivo cuenta con tres terminales, el emisor, la base y el colector, es

bastante semejante a un triodo; la base seria la rejilla de control, el emisor el

cátodo y el colector la placa. Al polarizar adecuadamente estos tres terminales

se consigue controlar una gran corriente de colector a partir de una pequeña

corriente de base.

Para el año de 1958 se desarrolló el primer circuito integrado, alojando seis

transistores en un único chip. Para 1970, se desarrolló el primer

microprocesador, el Intel 4004. En años más recientes, los campos de

desarrollo de la electrónica analógica son tan amplios que se han dividido, la

principal división es la de la electrónica analógica de la digital.

1.2 Definición de electricidad y electrónica

Electricidad: es una forma de energía que se manifiesta con el movimiento de

los electrones de la capa externa de los átomos que hay en la superficie de un

material conductor. Es un fenómeno íntimamente ligado en la materia y a la

vida.

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Es el conjunto de fenómenos físicos relacionados con la presencia y el flujo de

cargas eléctricas. Se manifiesta en una gran variedad de fenómenos como los

rayos, electricidad estática, inducción electromagnética o flujo de corriente

eléctrica. Esta forma de energía es tan versátil que cuenta con un sin número de

aplicaciones, como lo son el transporte, climatización, iluminación y

computación.

El movimiento de las cargar eléctricas a través de un medio conductor se

conoce como corriente eléctrica y se origina en poner en contacto dos

elementos entre los que hay una diferencia de potencial.

Electrónica: Se trata de la rama de la ciencia que se ocupa del estudio del flujo

y control de electrones (electricidad), además del estudio de su comportamiento

y efectos.

Comprende la física, ingeniería, tecnología y las aplicaciones que tratan con la

emisión, flujo y control de electrones en el vacío y la materia. También puede

definirse como la rama de la ingeniería que estudia los dispositivos electrónicos y su

utilización.

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La electrónica trata con circuitos eléctricos que involucran componentes

eléctricos activos como tubos de vacío, transistores, diodos, circuitos

integrados, optoelectrónica y sensores, componentes eléctricos pasivos

asociados y tecnologías de interconexión. Comúnmente, los dispositivos

electrónicos contienen circuitos que consisten principal o exclusivamente en

semiconductores activos complementados con elementos pasivos; Tal circuito

se describe como un circuito electrónico.

El movimiento de los electrones a través de un conductor nos da corriente

eléctrica; se puede producir con la ayuda de baterías y generadores. El

dispositivo que controla el flujo de electrones se llama dispositivo electrónico;

son los principales bloques de construcción de los circuitos electrónicos. La

electrónica tiene varias ramas que incluyen, electrónica digital, electrónica

analógica, microelectrónica, nanoelectrónica, optoelectrónica, circuito

integrado y dispositivo semiconductor.

1.3 Materiales Semiconductores

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El prefijo semi se aplica a algo que se encuentra a un rango entre dos límites.

Para entender la definición de la palabra semiconductor debemos primero

comprender dos términos; aislante y conductor.

 Aislante: también conocido como material dieléctrico, son materiales

que presentan un nivel muy inferior de conductividad al estar bajo la

presión de una fuente de voltaje.

 Conductor: aplicamos este término a cualquiera de los materiales que

permiten el flujo generoso de una carga cuando se aplica una fuente de

voltaje de magnitud limitada sobre sus terminales.

Ahora bien, los materiales semiconductores poseen un nivel de conductividad

localizado entre los extremos dieléctrico y conductor. Dicha conductividad

varía con la temperatura, así es como estos materiales pueden comportarse

como aislantes o conductores.

Se introducen unos átomos conocidos como impurezas que hacen que el

material presente una conductividad controlable eléctricamente. Para esto,

existen dos tipos de impurezas; P y N. Además, existen dos tipos de cristales

fundamentales:

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1. Cristales de impurezas tipo P.

2. Cristales de impurezas tipo N.

Existen diversos tipos de materiales semiconductores que son muy utilizados,

entre los que se encuentran el Silicio (Si) y el Germanio (Ge).

Silicio: se trata del elemento electropositivo más abundante de la corteza

terrestre; es un metaloide con marcado de lustre metálico y sumamente

quebradizo. Su número atómico es 14 y su peso atómico es 28.086.

El silicio se encuentra en muchas formas de dióxidos y en innumerables

variaciones de los silicatos naturales. Para un análisis de las estructuras y

composiciones de las clases representativas.

Se sabe que el silicio forma compuestos con 64 de los 96 elementos estables y

probablemente forme siliciuros con otros 18 elementos. Además de los

siliciuros metálicos, que se utilizan en grandes cantidades en metalurgia, forma

compuestos importantes y de empleo frecuente con hidrógeno, carbono, los

halógenos, nitrógeno, oxígeno y azufre. Además, se han preparado derivados

órganos silícicos de gran utilidad.

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Germanio: está muy distribuido en la corteza terrestre; puede encontrarse

como sulfuro o este asociado a estos. Tiene apariencia metálica, pero sus

propiedades físicas y químicas solo se presentan en condiciones especiales.

El germanio es divalente o tetravalente. Los compuestos divalentes (óxido,

sulfuro y los halogenuros) se oxidan o reducen con facilidad. Los compuestos

tetravalentes son más estables. Los compuestos órgano germánicos son

numerosos y, en este aspecto, el germanio se parece al silicio. El germanio y

sus derivados parecen tener una toxicidad menor en los mamíferos que los

compuestos de estaño o plomo.

Sus propiedades son tales que tiene varias aplicaciones importantes,

especialmente en la industria de los semiconductores. El primer dispositivo de

estado sólido, el transistor, fue hecho de germanio. Los cristales especiales de

germanio se usan como sustrato para el crecimiento en fase vapor de películas

finas de GaAs y GaAsP en algunos diodos emisores de luz. Se emplean lentes y

filtros de germanio en aparatos que operan en la región infrarroja del espectro.

Mercurio y cobre impregnados de germanio son utilizados en detectores

infrarrojos; los granates sintéticos con propiedades magnéticas pueden tener

aplicaciones en los dispositivos de microondas para alto poder y memoria de

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burbuja magnética; los aditivos de germanio incrementan los Amper-horas

disponibles en acumuladores.

Las características de este tipo de materiales pueden alterarse de manera

importante, mediante la adición de ciertos átomos de impureza al material

prácticamente puro. Aunque se añade una cantidad muy pequeña de impurezas,

puede ocasionar alteraciones en la estructura de bandas lo suficientemente

significativas para modificar las propiedades del material por completo.

1.4 Modelo Atómico

Desde la Antigüedad, el ser humano se ha cuestionado de qué estaba hecha la

materia. Unos 400 años antes de Cristo, el filósofo griego Demócrito consideró

que la materia estaba constituida por pequeñísimas partículas que no podían ser

divididas en otras más pequeñas. Por ello, llamó a estas partículas átomos, que

en griego quiere decir "indivisible". Demócrito atribuyó a los átomos las

cualidades de ser eternos, inmutables e indivisibles.

Sin embargo las ideas de Demócrito sobre la materia no fueron aceptadas por

los filósofos de su época y hubieron de transcurrir cerca de 2200 años para que

la idea de los átomos fuera tomada de nuevo en consideración.

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Se conoce como modelos atómicos a las distintas representaciones gráficas de

la estructura y funcionamiento de los átomos. Los modelos atómicos han sido

desarrollados a lo largo de la historia de la humanidad a partir de las ideas que

en cada época se manejaban respecto a la composición de la materia.

Los primeros modelos atómicos datan de la antigüedad clásica, cuando los

filósofos y naturalistas se aventuraron a pensar y a deducir la composición de

las cosas que existen, es decir, de la materia.

Modelo atómico de Demócrito (450 a.C.)

La “Teoría Atómica del Universo” fue creada por el filósofo griego Demócrito

junto a su mentor, Leucipo. En aquella época los conocimientos no se

alcanzaban mediante la experimentación, sino mediante el razonamiento lógico,

basándose en la formulación y el debate de ideas.

Demócrito propuso que el mundo estaba formado por partículas muy pequeñas

e indivisibles, de existencia eterna, homogéneas e incompresibles, cuyas únicas

diferencias eran de forma y tamaño, nunca de funcionamiento interno. Estas

partículas se bautizaron como “átomos”, palabra que proviene del griego

atémnein y significa “indivisible”.

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Según Demócrito, las propiedades de la materia estaban determinadas por el

modo en que los átomos se agrupaban. Filósofos posteriores como Epicuro

añadieron a la teoría el movimiento aleatorio de los átomos.

Modelo atómico de Dalton (1803 d.C.)

El primer modelo atómico con bases científicas nació en el seno de la química,

propuesto por John Dalton en sus “Postulados Atómicos”. Sostenía que todo

estaba hecho de átomos, indivisibles e indestructibles, incluso mediante

reacciones químicas.

Dalton proponía que los átomos de un mismo elemento químico eran iguales

entre sí y tenían la misma masa e iguales propiedades. Por otro lado, propuso el

concepto de peso atómico relativo (el peso de cada elemento respecto al peso

del hidrógeno), comparando las masas de cada elemento con la masa del

hidrógeno. También propuso que los átomos pueden combinarse entre sí para

formar compuestos químicos.

La teoría de Dalton tuvo algunos errores. Afirmaba que los compuestos

químicos se formaban usando la menor cantidad de átomos posible de sus

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elementos. Por ejemplo, la molécula de agua, según Dalton, sería HO y no

H2O, que es la fórmula correcta. Por otro lado, decía que los elementos en

estado gaseoso siempre eran monoatómicos (compuestos por un solo átomo), lo

que sabemos no es real.

Modelo atómico de Lewis (1902 d.C.)

También llamado “Modelo del Átomo Cúbico”, en este modelo Lewis proponía

la estructura de los átomos distribuida en forma de cubo, en cuyos ocho vértices

se hallaban los electrones. Esto permitió avanzar en el estudio de las valencias

atómicas y los enlaces químicos, sobre todo luego de su actualización por parte

de Irving Langmuir en 1919, donde planteó el “átomo del octeto cúbico”.

Estos estudios fueron la base de lo que se conoce hoy como el diagrama de

Lewis, herramienta muy útil para explicar el enlace covalente.

Modelo atómico de Thomson (1904 d.C.)

Thomson asumía que los átomos eran esféricos con electrones incrustados en

ellos.

Propuesto por J. J. Thomson, descubridor del electrón en 1897, este modelo es

previo al descubrimiento de los protones y neutrones, por lo que asumía que los

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átomos estaban compuestos por una esfera de carga positiva y los electrones de

carga negativa estaban incrustados en ella, como las pasas en el pudín. Dicha

metáfora le otorgó al modelo el epíteto de “Modelo del Pudín de Pasas”.

Este modelo hacía una predicción incorrecta de la carga positiva en el átomo,

pues afirmaba que esta estaba distribuida por todo el átomo. Más tarde esto fue

corregido en el modelo de Rutherford donde se definió el núcleo atómico.

Figura No.

Modelo atómico de Rutherford (1911 d.C.)

Ernest Rutherford realizó una serie de experimentos en 1911 a partir de láminas

de oro. En estos experimentos determinó que el átomo está compuesto por un

núcleo atómico de carga positiva (donde se concentra la mayor parte de su

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masa) y los electrones, que giran libremente alrededor de este núcleo. En este

modelo se propone por primera la existencia del núcleo atómico.

Sigue en: Modelo atómico de Rutherford

Modelo atómico de Bohr (1913 d.C.)

Al saltar de una órbita a otra, los electrones emiten un fotón diferenciando la

energía entre órbitas.

Este modelo da inicio en el mundo de la física a los postulados cuánticos, por lo

que se considera una transición entre la mecánica clásica  y la cuántica. El

físico danés Niels Bohr propuso este modelo para explicar cómo podían los

electrones tener órbitas estables (o niveles energéticos estables) rodeando el

núcleo. Además explica por qué los átomos tienen espectros de emisión

característicos.

En los espectros realizados para muchos átomos se observaba que los

electrones de un mismo nivel energético tenían energías diferentes. Esto

demostró que había errores en el modelo y que debían existir subniveles de

energía en cada nivel energético.

El modelo de Bohr se resume en tres postulados:

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Los electrones trazan órbitas circulares en torno al núcleo sin irradiar energía.

Las órbitas permitidas a los electrones son aquellas con cierto valor de

momento angular (L) (cantidad de rotación de un objeto) que sea un múltiplo

entero del valor, siendo h=6.6260664×10-34  y n=1, 2, 3….

Los electrones emiten o absorben energía al saltar de una órbita a otra y al

hacerlo emiten un fotón que representa la diferencia de energía entre ambas

órbitas.

Figura No.

Modelo atómico de Sommerfeld (1916 d.C.)

El modelo de Sommerfeld se basó en parte de los postulados relativistas de

Albert Einstein.

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Este modelo fue propuesto por Arnold Sommerfield para intentar cubrir las

deficiencias que presentaba el modelo de Bohr.

Se basó en parte de los postulados relativistas de Albert Einstein. Entre sus

modificaciones está la afirmación de que las órbitas de los electrones fueran

circulares o elípticas, que los electrones tuvieran corrientes eléctricas

minúsculas y que a partir del segundo nivel de energía existieran dos o más

subniveles.

Figura No.

Modelo atómico de Schrödinger (1926 d.C.)

Propuesto por Erwin Schrödinger a partir de los estudios de Bohr y

Sommerfeld, concebía los electrones como ondulaciones de la materia, lo cual

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permitió la formulación posterior de una interpretación probabilística de la

función de onda (magnitud que sirve para describir la probabilidad de encontrar

a una partícula en el espacio) por parte de Max Born.

Eso significa que se puede estudiar probabilísticamente la posición de un

electrón o su cantidad de movimiento pero no ambas cosas a la vez, debido al

Principio de Incertidumbre de Heisenberg.

Este es el modelo atómico vigente a inicios del siglo XXI, con algunas

posteriores adiciones. Se le conoce como “Modelo Cuántico-Ondulatorio”.

1.5 Bandas De Energía

El modelo de banda de energía se usa para describir los estados de energía de

los portadores de carga en un cristal como en el silicio. Se basa en varios

niveles de energía definidos que pueden ser comparados con capas de

electrones del modelo atómico de Bohr.

Los portadores de carga en el modelo de banda de energía pueden ser negativos

(electrón) o positivos (electrón hueco). Los electrones "faltantes" (es decir,

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huecos) se comportan exactamente de la misma manera que los portadores de

carga.

Los estados de energía relevantes para el campo de la ingeniería eléctrica son

los que están en la banda de valencia (el nivel de energía completamente

ocupado final) y la banda de conducción (la primera banda que no está

completamente ocupada).

Si hay un número de portadores de carga en la banda de conducción pero no

está completamente llena, el material en cuestión es un conductor.

En el caso de un conductor metálico, hay una transición directa entre el

conductor y las bandas de valencia. En el caso de los semiconductores y no

conductores, estas bandas están separadas, por lo que se referiren como bandas

prohibidas o espaciamiento de energía/banda. Para que los portadores de carga

entren en la banda conductora, estas primero deben recibir energía (por

ejemplo, en la forma de calor). Esto explica la conductividad en incremento de

los semiconductores a altas temperaturas.

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Dependiendo de la distancia interatómica y del número de electrones de enlace

entre otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas que pueden

estar llenas, vacías o separaciones entre bandas por zonas prohibidas o bandas

prohibidas, formándose así bandas de valencia, bandas de conducción y bandas

prohibidas.

Así en un aislante la separación entre la banda de valencia y la banda de

conducción es muy grande (» 10 eV), y esto significa que un electrón en la

banda de valencia necesita mucha energía para ser liberado y convertirse en un

electrón libre necesario para la conducción. En un conductor las dos bandas

están solapadas, no necesitándose ninguna energía para alcanzar la conducción.

En un semiconductor la banda prohibida es muy estrecha, o lo que es lo mismo,

es muy fácil que un electrón sea liberado y pueda contribuir a la conducción.

22
Figura No.

1.6 Enlaces Químicos

Un enlace químico es la fuerza que une a los átomos para formar compuestos

químicos. Esta unión le confiere estabilidad al compuesto resultante. La energía

necesaria para romper un enlace químico se denomina energía de enlace.

En este proceso los átomos ceden o comparten electrones de la capa de valencia

(la capa externa de un átomo donde se determina su reactividad o su tendencia a

formar enlaces), y se unen constituyendo nuevas sustancias homogéneas

(no mezclas), inseparables a través de mecanismos físicos como el filtrado o el

tamizado.

Es un hecho que los átomos que forman la materia tienden a unirse a través de

diversos métodos que equilibran o comparten sus cargas eléctricas naturales

para alcanzar condiciones más estables que cuando están separados. Los

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enlaces químicos constituyen la formación de moléculas orgánicas e

inorgánicas y, por tanto, son parte de la base de la existencia de los organismos

vivos. De manera semejante, los enlaces químicos pueden romperse bajo ciertas

y determinadas condiciones.

Esto puede ocurrir sometiendo los compuestos químicos a altas temperaturas,

aplicando electricidad o propiciando reacciones químicas con otros

compuestos. Por ejemplo, si aplicamos electricidad al agua es posible separar

las uniones químicas entre el hidrógeno y el oxígeno que la conforman, este

proceso se denomina electrólisis. Otro ejemplo consiste en añadir grandes

cantidades de energía calórica a una proteína, lo cual llevaría a desnaturalizarla

(perder la estructura secundaria de una proteína) o romper sus enlaces.

La formación de iones

Los iones pueden ser de dos tipos. Los cationes son iones positivos que se

forman al perder electrones. Por ejemplo, un átomo de sodio pierde un electrón

para convertirse en un catión sodio Na+. Los iones negativos se forman al

ganar electrones y se llaman aniones. Los aniones reciben nombres que

terminan en "-uro"; por ejemplo, el anión del cloro Cl − se llama cloruro.

24
Figura No.

Tipos de enlace químico

Existen tres tipos de enlace químico conocidos, dependiendo de la naturaleza de

los átomos involucrados:

Enlace covalente. Ocurre entre átomos no metálicos y de cargas

electromagnéticas semejantes (por lo general altas), que se unen y comparten

algunos pares de electrones de su capa de valencia. Es el tipo de enlace

predominante en las moléculas orgánicas y puede ser de tres tipos: simple (A-

A), doble (A=A) y triple (A≡A), dependiendo de la cantidad de electrones

compartidos.

Enlace iónico. Consiste en la atracción electrostática entre partículas con cargas

eléctricas de signos contrarios llamadas iones (partícula cargada eléctricamente,

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que puede ser un átomo o molécula que ha perdido o ganado electrones, es

decir, que no es neutro).

Enlace metálico. Se da únicamente entre átomos metálicos de un mismo

elemento, que por lo general constituyen estructuras sólidas, sumamente

compactas. Es un enlace fuerte, que une los núcleos atómicos entre sí, rodeados

de sus electrones como en una nube.

1.7 Materiales N y P

En general, hay dos tipos de átomos dopantes que dan como resultado dos tipos

de semiconductores extrínsecos. Estos dopantes que producen los cambios

controlados deseados se clasifican como aceptores o donantes de electrones y

los semiconductores dopados correspondientes se conocen como:

 Semiconductores de tipo n.

 Semiconductores tipo p.

Tipo N

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Se le llama tipo n o negativo al material que posee átomos de impurezas que

permiten la aparición de electrones. A estos átomos se les llaman donantes

porque entregan electrones.

Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos donadores de

electrones se llama semiconductor de tipo n, porque la mayoría de los

portadores de carga en el cristal son electrones negativos. Como el silicio es un

elemento tetravalente, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces

covalentes de cuatro electrones de valencia. En el silicio, los dopantes más

comunes son los elementos del grupo III y del grupo V. Los elementos del

grupo V (pentavalente) tienen cinco electrones de valencia, lo que les permite

actuar como donantes. Eso significa que la adición de estas impurezas

pentavalentes como el arsénico, el antimonio o el fósforo contribuye a la

formación de electrones libres, lo que aumenta en gran medida la conductividad

del semiconductor intrínseco. Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro

(grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con

fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.

27
Figura No.

La neutralidad de carga del material semiconductor se mantiene porque los

sitios donantes excitados equilibran los electrones de conducción. El resultado

neto es que el número de electrones de conducción aumenta, mientras que el

número de agujeros se reduce. El desequilibrio de la concentración de

portadores en las bandas respectivas se expresa por el número absoluto

diferente de electrones y agujeros. Los electrones son portadores mayoritarios,

mientras que los agujeros son portadores minoritarios en material de tipo n.

Tipo P

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Se le llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la

formación de huecos, por eso se les denomina también como positivos; no

aparecen electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una

ligadura. Se les conoce como aceptores a los átomos de este tipo porque toman

un electrón.

Se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio, con

átomos de impureza que cuenten con tres electrones de valencia. Los elementos

que se utilizan con frecuencia son el boro, galio e indio. La vacante aceptará

fácilmente un electrón libre, entonces:

 Las impurezas difundidas que cuentan con tres electrones de valencia

se denominan átomos aceptores.

 El material resultante es eléctricamente neutro.

Un semiconductor extrínseco que ha sido dopado con átomos aceptores de

electrones se llama semiconductor de tipo p, porque la mayoría de los

portadores de carga en el cristal son agujeros de electrones (portadores de carga

positiva). 

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El silicio semiconductor puro es un elemento tetravalente, la estructura

cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones de

valencia. En el silicio, los dopantes más comunes son los elementos del grupo

III y del grupo V. Los elementos del grupo III (trivalentes) contienen tres

electrones de valencia, lo que hace que funcionen como aceptores cuando se

usan para dopar silicio. Cuando un átomo aceptor reemplaza un átomo de

silicio tetravalente en el cristal, se crea un estado vacante (un agujero de

electrones). 

Un agujero de electrones (a menudo simplemente llamado agujero) es la falta

de un electrón en una posición en la que uno pudiera existir en un átomo o en

una red atómica. 

Es uno de los dos tipos de portadores de carga que son responsables de crear

corriente eléctrica en materiales semiconductores. Estos agujeros cargados

positivamente pueden moverse de un átomo a otro en materiales

semiconductores a medida que los electrones abandonan sus posiciones. 

La adición de impurezas trivalentes como boro, aluminio o galio. A un

semiconductor intrínseco crea estos agujeros de electrones positivos en la

estructura. Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un

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semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V)

da como resultado un semiconductor de tipo n.

La neutralidad de carga de este material semiconductor también se mantiene. El

resultado neto es que aumenta el número de agujeros de electrones, mientras

que se reduce el número de electrones de conducción. 

Figura No.

Referencias Bibliográficas

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Forbidden. http://personales.upv.es/jquiles/prffi/semi/ayuda/hlpbandas.h
tm
 Boylestad, R. L. (1997). Electronica Teoria de Circuitos. Prentice Hall.
 Definiciones - Modelo de banda de energía - item Glossar. (s. f.). Suche
- item Glossar. https://glossar.item24.com/es/indice-de-
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 Dopaje | PVEducation. (s. f.).
PVEducation. https://www.pveducation.org/es/fotovoltaica/dispositivos
-semiconductores/dopaje
 ▷ Electrónica básica: Materiales tipo n y p. ✅✅✅. (s. f.).
SENSORICX. https://sensoricx.com/electronica-basica/electronica-
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 Enlace QuÃmico - Concepto, tipos de enlaces y ejemplos. (s. f.).
Concepto. https://concepto.de/enlace-quimico/
 Modelos Atómicos - Concepto, tipos y caracterÃsticas. (s. f.).
Concepto. https://concepto.de/modelos-atomicos/
 ¿Qué es un semiconductor tipo n y tipo p? (s. f.). Radiation
Dosimetry. https://www.radiation-dosimetry.org/es/que-es-un-
semiconductor-tipo-n-y-tipo-p/

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