TERMINOLOGIAS

TERMINOLOGIA DE MEMORIA
CELDA DE MEMORIA: Dispositivo que se usa para almacenar un solo bit.
PALABRA DE MEMORIA: Grupo de bits (celdas) en una memoria que representa instrucciones o datos de
algún tipo.
BYTE: Conjunto de 8 bits.
CAPACIDAD: Forma de especificar cuantos bits pueden almacenarse en un dispositivo de memoria.
DIRECCION: Numero que identifica la localización de una palabra en la memoria. Cada palabra
almacenada en una memoria tiene una dirección única.
OPERACION DE LECTURA: Operación mediante la cual una palabra binaria almacenada en una dirección
determinada de la memoria es captada y transferida a otra ubicación (dentro de la memoria ó fuera de ella).
OPERACION DE ESCRITURA: Operación mediante la cual se coloca una nueva palabra en alguna
dirección de memoria.
TIEMPO DE ACCESO: Medida de la velocidad del dispositivo de memoria. Es el tiempo que se requiere
para realizar una operación de lectura.
TIEMPO DE CICLO: Medida de la velocidad del dispositivo de memoria: Es el tiempo necesario para que la
memoria realice una operación de lectura ó escritura y después regrese a su estado original lista para
ejecutar el siguiente comando.
MEMORIA VOLATIL: Cualquier tipo de memoria que requiera la aplicación de energía eléctrica a fin de
almacenar información. Si se retira la energía eléctrica, toda la información almacenada en la memoria se
perderá.
MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO (RAM): Memoria en la cual la localización física real de una palabra
de la memoria no tiene efecto sobre el tiempo que tarde en leer de esa dirección o bien escribir en ella.
MEMORIA DE ACCESO SECUENCIAL (SAM): Tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es

constante, sino que varía según la ubicación de la dirección.
MEMORIA DE LECTURA Y ESCRITURA (RWM): Cualquier memoria en la que se pueda leer información
ó escribir en ella con la misma facilidad.
MEMORIA DE SOLO LECTURA (ROM): Memorias semiconductoras diseñadas para aplicaciones en las
cuales solo se permite la operación de lectura.
DISPOSITIVOS DE MEMORIA ESTATICA: Dispositivos semiconductores en los cuales los datos

almacenados se quedarán permanentemente guardados en tanto se aplique energía, sin necesidad de
reescribir periódicamente los datos en la memoria.
DISPOSITIVOS DE MEMORIA DINAMICA: Dispositivos semiconductores en los cuales los datos

almacenados no se quedaran permanentemente guardados, aun con energía aplicada, a menos que los
datos se reescriban en forma periódica en la memoria (operación de refresco).
OPERACION GENERAL EN LA MEMORIA
1.- Seleccionar la dirección de memoria que este siendo accesada para una operación de lectura ó
escritura.
2.- Seleccionar la operación (lectura ó escritura) a ser realizada.

3.- Proporcionar los datos de entrada para ser almacenados en la memoria durante la operación de
escritura.
4.- Contener los datos de salida que vienen de la memoria durante una operación de lectura.
5.- Activar (o desactivar) la memoria de manera que responda (o no) a las entradas de dirección y el
comando de Lectura/Escritura.
MEMORIA DE SOLO LECTURA (ROM)
Este tipo de memoria se diseñó con el fin de contener datos que sean permanentes ó que no cambien
frecuentemente.
No se puede escribir nuevos datos pero si puede leerse información en ella.
Para alguna ROM, los datos que están almacenados tienen que grabarse durante el proceso de fabricación,
para otras se puede introducir en forma eléctrica.
Al proceso de grabación de datos se conoce como PROGRAMACION DE LA ROM.
Alguna ROM no pueden alterar sus datos una vez que se hayan programado, otras pueden borrarse y
reprogramarse.
Las ROM se usan para almacenar datos e información que no cambiara durante la operación de un
sistema.
Un uso importante de las ROM es en el almacenamiento de programas de microcomputadoras, porque los
datos no se pierden cuando esta se apaga. Esto se realiza en el Sistema Básico de Entrada/Salida (BIOS)
Cuando se enciende la maquina, pueden empezar de inmediato a ejecutar el programa almacenado en la
ROM.
SIMBOLOGIA
INFORMACION Y CAMBIO DE INFORMACION EN UN BUS: Cuando una información esta compuesta

por varias señales, como en el caso de los buses de direcciones y de datos, se utiliza la representación
simplificada que se indica en la figura.
INFORMACION 1 INFORMACION 2
El cruce de las líneas superior e inferior indica que se ha producido un cambio en una o varias de las líneas
que forman el conjunto, Cuando las líneas permanecen paralelas, se esta representando que la totalidad de
la señal permanece sin variación.
ESTADO DE ALTA IMPEDANCIA EN UN BUS: Se indica con una tercera línea intermedia.
Información
Alta Impedancia
Alta Impedancia
INFORMACION NO UTIL O IRRELEVANTE EN UN BUS: Cuando la información presente en un conjunto

de líneas es irrelevante, es decir, no tiene interés para el fenómeno que se describe, se utiliza el siguiente
símbolo.
CAMBIO DE ESTADO EN UNA LINEA: Puesto que el tiempo de cualquier cambio de estado no es nulo,
las subidas y bajadas de las señales, que en realidad serian cercanas a una función exponencial, se
representan mediante los trazos de la figura.
“0” “1” “0”
CAMBIO DE ESTADO EN UNA LINEA EN MOMENTO INDETERMINADO: Si el instante de paso de Cero

(0) a Uno (1) ó viceversa no esta determinado ó es irrelevante se señala el margen de tolerancia mediante
un rayado como el mostrado en la figura.
MEMORIA RAM 2112:

Bus de direcciones A0 – A7. El numero de direcciones será 28 = 256 direcciones
Bus de Datos: I/O0 – I/O3. Luego, la longitud de la palabra es de 4.
Capacidad de almacenamiento: 256 x 4 = 1024 bits.
Tipo RAM Estática.
Tecnología NMOS.
Alimentación: 5 V.
Encapsulado: DIL (Dual In Line) de 16 pines.
Compatible con tecnología TTL.
Disipación típica de potencia: 2112 A: 225mW
2112 a-L: 150 mW.
Tiempo de acceso máximo: 2112 A = 350 ns.
MEMORIAS RAM
UTILIDAD: El microprocesador de la PC trabaja a una velocidad varios millones de veces superior a aquella
con que lo hacen los dispositivos típicos de almacenamiento (nanosegundos vs. milisegundos). Por esta
razón, es necesario tener un sistema de almacenamiento temporal y rápido donde almacenar la información
a la que el sistema accede con mayor frecuencia. Para esto ha sido especialmente diseñada la memoria
RAM.
RAM ESTATICA ó SRAM

Formadas por flip flops
Al quitar la alimentación pierden la información.
RAM DINAMICAS ó DRAM

Formadas por condensadores que almacenan la información.
Hay que someterlas a un proceso de reescritura periódico (refresco).
Durante el tiempo de refresco no pueden ser utilizadas.
Puede almacenar más información en menos espacio que las SRAM.
SRAM BIPOLAR
Las células de memoria están constituidas por transistores multiemisor.
Tienen alto consumo.
Alta velocidad.
SRAM MOS
VENTAJAS: Bajo consumo debido a transistores MOS
Alta densidad de integración.
DESVENTAJAS: Velocidad de trabajo lenta.
Sensibilidad a la electricidad estática.
TIPOS DE MEMORIAS SRAM
SRAM Burst (ráfaga)

Permite trabajar a muy alta velocidad sobre bloques de direcciones.
Posee una circuiteria interna que direcciona la siguiente posición de memoria sin que la solicite el
microprocesador. Esto es valido solo para un bloque de posiciones de memoria consecutivos.
SRAM Pipeline (tubería)

Mejora el modelo anterior. Posee un buffer especial que permite que la memoria reciba una nueva dirección
antes de terminar el acceso anterior.
MEMORIA RAM MCM51425A

Bus de direcciones A0 – A8, pero como las memorias DRAM tienen multiplexado el bus de direcciones, las
nueve líneas equivalen A0 – A17, es decir tienen 218 = 262,144 direcciones.
Bus de datos D0 – D3, es decir 4 bits.
Capacidad: 262,144 x 4 = 1,048,576 bits.
Tecnología CMOS.
Alimentación +5 V.
Encapsulado DIL 20 pines.
Compatible con tecnología TTL
Consumo típico 80 mA.
Direccionamiento multiplexado.
Tiempo de acceso máximo: 80 ns.
Periodo de refresco máximo: 8 ms.
TIPOS DE MEMORIAS DRAM
FPM RAM(Fast Page Mode RAM)

Esta memoria DRAM esta diseñada para trabajar en modo paginado, es decir para accesos a bloques de
memoria consecutivos.
Su estructura solo difiere de la memoria DRAM convencional en que el decodificador de filas mantiene
valida la ultima dirección sobre la que se trabajó, de esta forma el acceso a direcciones de memoria
consecutivas es muy rapidota que solo hay que esperar la respuesta del multiplexor de columnas.
EDO RAM(Extended Data Out RAM)

Son una variante de las memorias FPM RAM, que mediante la utilización de un buffer especial en su salida,
permite por ejemplo estar finalizando la lectura de un dato de la matriz y simultáneamente estar
decodificando la dirección del siguiente dato a leer.
BEDO RAM (Burst EDO RAM)

Es una variante de las memorias EDO RAM que mejora su velocidad mediante la inclusión, en el propio
chip, de un contador de direcciones.
Solo mejoran su respuesta en accesos a direcciones consecutivas.
SDRAM (Synchronous DRAM)

Es el tipo de memoria DRAM más moderno de los empleados hoy.
Su estructura consta de dos ó mas matrices, cuyo funcionamiento se organiza de forma que, mientras se
esta realizando el acceso a una matriz, otra esta preparando el siguiente acceso.
Incorporan en su estructura todas las mejoras de las memorias DRAM y son las más rápidas.
MEMORIA ROM 6830

10 líneas de bus de direcciones: A0 – A9. 210 = 1024 direcciones
8 líneas de bus de datos: D0 – D7.
Capacidad 1024 x 8 = 8,192 bits.
Tecnología NMOS.
Alimentación +5V.
Compatible con lógica TTL.
Consumo máximo: 130 mA
Tiempo de acceso máximo: 250 ns.
MEMORIA EPROM 27C64A
Bus de direcciones: A0 – A12. 213 = 8,192 direcciones.
Bus de datos de 8 bits: D0 – D7.
Capacidad 8,192 x 8 = 65,536 bits.
Tipo EEPROM
Tecnología NMOS.
Alimentación +5V.
Encapsulado DIL 28 pines.
Compatible con tecnología TTL.
Consumo máximo 20 mA.
MEMORIA CACHé
Es una memoria de acceso rápido. La teoría de la memoria caché dice que hay una probabilidad bastante
alta de que, si una computadora accede a un sector de la información una vez, lo hago, en un lapso breve,
otra vez, ó acceda al sector adyacente de la información. Cuando se accede a un byte de memoria, éste se
almacena en la caché junto con los bytes siguientes, con la esperanza de que el procesador accederá a
ellos muchos mas rápidamente.
DIFERENCIA DE COSTO ENTRE SRAM Y DRAM

Las células de SRAM son más grandes que los de DRAM debido a su circuiteria: seis transistores
requieren mucho mas espacio que simples condensadores. Esto significa menos chips de SRAM por oblea.
Dado que el costo de producción de la oblea es el mismo, el precio por unidad de SRAM es mayor que el
de DRAM.
SIMM, DIMM, RIMM

Para facilitar una rápida actualización, los chips de DRAM se montan en pequeñas placas de circuitos
impresos, las cuales a su vez, se insertan en zócalos en la tarjeta madre. Estos módulos de memoria
pueden ser:
SIMM: SIMPLES EN LINEA (Single in Line Memory Modules)
DIMM: DOBLES EN LINEA (Dual in Line Memory Modules)
RIMM (Rambus in Line Memory Module) Placa se usa para montar la memoria RAMBUS.
DIFERENCIAS:
Las SIMMs pueden ser de 30 ó 72 pines.
Las Dimos tienen 144 pines (para laptops) ó 168 pines (para PCs)
Todos los RIMMs tienen 144 pines.
Los módulos SIMM leen y escriben información en 32 bits pero el bus de datos de una Pentium trabaja con
64 bits, lo que significa que se necesitan dos módulos SIMM para cubrir el ancho del bus de una Pentium,
en cambio los módulos DIMM trabajan con un bus de 64 pines.
Generalmente no se puede mezclar SIMM, DIMM y RIMM, pero hay circunstancias en que esto es posible.
DDR (DOUBLE DATA RATE): Es una técnica que permite aumentar la velocidad de operación de la DRAM
realizando dos transferencias en un solo ciclo de reloj.
Los fabricantes utilizan el ancho del modulo y el numero de líneas de memoria para identificar los módulos.
Por ejemplo, un SIMM de 32 MB seria un modulo de 8M x 32 y un DIMM de 32 MB seria un modulo de 4M
x 64. Si el modulo incluye control de de paridad o corrección de errores, necesitará mayor cantidad de pines
de salida, con lo cual se convertirá en un modulo de 8M x 36

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TERMINOLOGIA DE MEMORIA

CELDA DE MEMORIA: Dispositivo que se usa para almacenar un solo bit.

BYTE: Conjunto de 8 bits.

CAPACIDAD: Forma de especificar cuantos bits pueden almacenarse en un dispositivo de memoria.

MEMORIA DE ACCESO SECUENCIAL (SAM): Tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es

DISPOSITIVOS DE MEMORIA ESTATICA: Dispositivos semiconductores en los cuales los datos

DISPOSITIVOS DE MEMORIA DINAMICA: Dispositivos semiconductores en los cuales los datos

OPERACION GENERAL EN LA MEMORIA

2.- Seleccionar la operación (lectura ó escritura) a ser realizada.

MEMORIA DE SOLO LECTURA (ROM)

INFORMACION Y CAMBIO DE INFORMACION EN UN BUS: Cuando una información esta compuesta

INFORMACION NO UTIL O IRRELEVANTE EN UN BUS: Cuando la información presente en un conjunto

“0” “1” “0”

CAMBIO DE ESTADO EN UNA LINEA EN MOMENTO INDETERMINADO: Si el instante de paso de Cero

MEMORIA RAM 2112:

RAM ESTATICA ó SRAM

RAM DINAMICAS ó DRAM

SRAM Burst (ráfaga)

SRAM Pipeline (tubería)

MEMORIA RAM MCM51425A

TIPOS DE MEMORIAS DRAM

FPM RAM(Fast Page Mode RAM)

EDO RAM(Extended Data Out RAM)

BEDO RAM (Burst EDO RAM)

SDRAM (Synchronous DRAM)

MEMORIA ROM 6830

DIFERENCIA DE COSTO ENTRE SRAM Y DRAM

SIMM, DIMM, RIMM

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