Condensadores y Dielectricos
Condensadores y Dielectricos
Condensadores y Dielectricos
Concepto de Capacidad.
Tipos de Condensadores.
Asociación de Condensadores.
Energía de un Condensador.
Condensador plano-paralelo con Dieléctrico.
Comportamiento microscópico de un Dieléctrico.
BIBLIOGRAFÍA
- Alonso; Finn. "Física ". Cap. 25. Addison-Wesley Iberoamericana.
- Gettys; Keller; Skove. "Física clásica y moderna". Cap. 23. McGraw-Hill.
- Halliday; Resnick. "Fundamentos de física". Cap. 30. CECSA.
- Roller; Blum. "Física". Cap. 29. Reverté.
- Serway. "Física". Cap. 26. McGraw-Hill.
- Tipler. "Física". Cap. 21. Reverté.
Concepto de Capacidad
q
C= Unidades en el S.I.: Faradio (F)
V
Tipos de Condensadores
εo εo εo A
E C t e
q q εo A
La capacidad será C= =
V q d / εo A
C=
d
Líneas de Campo Eléctrico entre las placas de
un Condensador
2.- Condensador Cilíndrico: Se compone de un alambre de
+ + +
radio a y una corteza cilíndrica
+ + +
+
E
de radio b concéntrica con el
+ +
- -
+ alambre.
+ - -- -
+ - + Siendo E el Campo Eléctrico en
- a- -
+ - - + la zona entre los dos
b + b conductores. Podemos calcular
V = − ∫a E ⋅ d r
+
+ +
+
+ + + esta Campo Eléctrico aplicando
el Teorema de Gauss.
qint qint q
∫ E ⋅ ds = ε o E 2πrL =
εo
E=
2πε o rL
b b
q 2πε oL
V = − ∫a E ⋅ d r = ∫a E dr C= =
V ln(b / a)
q b dr q b
V= ∫a
= ln
2πε oL r 2πε oL a
Cuanto mayor es la longitud del
cilindro más carga es capaz de
acumular
3.- Condensador Esférico: Se compone de una esfera
conductora interior de radio R1 y
+q
una corteza esférica concéntrica
R1 de radio R2.
R2
-q
Si suponemos que la esfera interior tiene carga
negativa y la corteza está cargada positivamente,
el Campo Eléctrico entre ambas, a una distancia r,
será el de una Carga Puntual colocada en el
centro.
R2 R2 R2 q R − R1
V=−
∫
R1 ∫
E ⋅ dr =
R1 ∫
E dr = k dr = kq 2
R1 r 2 R1R 2
Si R 2 → ∞ Se define la Capacidad de
R1R 2 R2
C= = 4πε oR1 un Condensador esférico
k(R 2 − R1 ) R 2 − R1 aislado como
C = 4πε oR
Asociación de Condensadores
q q
V1
V1 = y V2 = V = V1 + V2
C1 C2
1 1
V = q(
1 1
+ ) C eq =
q 1 1 1
= +
=∑
C1 C 2 V C eq C1 C 2 C eq i Ci
Condensadores en Paralelo Regla general: La Diferencia de
V Potencial entre los extremos de un
cierto número de dispositivos
V conectados en paralelo es la misma
para todos ellos.
En este caso q = q1+q2 y es la
-q1 +q1
Diferencia de Potencial la que
a b permanece constante, luego
-q2 +q2
q1 = C1V y q 2 = C 2 V q = q1 + q 2
V q = V (C1 + C 2 ) C = C1 + C 2
C eq = ∑ C i
i
Energía de un Condensador
q' q
W = ∫ dW = ∫0 dq'
C
Este trabajo coincide con la Energía Eléctrica almacenada
en el Condensador, luego
1 q2
U=
2C
1
También se puede escribir como 1
U = CV 2
2
o U = qV
2
Densidad de Energía: Se define como la cantidad de
Energía por unidad de volumen.
1 1ε A 1
U = CV 2 = o E 2 d 2 = ε o E 2 ( Ad )
2 2 d 2
A
L es una constante Planoparalelo L=
d
que depende de la 2πl
geometría Cilíndrico L=
ln(b / a)
Comportamiento Microscópico de un Dieléctrico
Moléculas Polares
Eo → P→ Aquellas que tienen un momento
dipolar permanente (por ejemplo el
agua).
Si colocamos un dieléctrico entre las placas de un Condensador plano-
paralelo, se polariza a medida que se introduce en el seno del
Condensador Aparece una densidad superficial de Carga en las
caras adyacentes a las placas del Condensador
σp
- + + - - - + + - + - + -
+ - + +
- + - + - - -
- + - + + +
+ + + - + - - - - Ep -
- + + +
+
- + - - - - - -
+ + + + +
σ
- + - + +
+ - + - - -
+ + - + + + +
- + - - - - -
- + - + + +
- - - - - -
+
+ - - + + -
- ++ + + + +
- - -
Eo = 0 Eo Eo
El Campo Eléctrico total es, en este caso E = E o i + Ep ( − i )
E = E o − Ep
Simulación
qenc (q − q ' )
Dieléctricos ∫∫ E . ds = =
ε0
ε0
-q’ +q’
(σ − σ ' ) S σ −σ '
ES= ⇒E=
E0 ε0 ε0
E’ Si σ = D σ ' = P D = ε0 E + P
E D: Desplazamiento P: Polarización
- +
P ∝ E ⇒ P = ε0 χ E D = (1 + χ ) ε 0 E = ε E
+q E = E0 − E ' -q
χ : susceptibilidad, ε : permitividad en medio
- + - +- + P = ε0 χ E
D =ε E
ε
(1 + χ ) = = Κ = ε r constante dieléctrica
ε0
σ'
E ' = ⇒ P = σ ' = ε 0 E ' = ε 0 ( E0 − E ) = ε 0 E ( K − 1) = ε 0 χ E
ε0
P σ'S 1
E S ε0 = S ε0 = = q − q ' ⇒ q ' ( + 1) = q
ε0 χ χ χ
1
q ' (1 + χ ) = χ q ⇒ q ' = q (1 − ) K = 1 ( χ = 0) ⇒ q ' = 0
K K = ∞ ( χ = ∞) ⇒ q ' = q
E0 E E0 Valores
Material K Campo
P Ruptura
+q -q V/m
Aire 3 106
D D D Pilicarbonato 2,8 3 107
Poliéster 3,3 6 107
Vidrio pirex 4,7 1 107
Hasta ahora C aislado (q cte); que pasa si conectado a V?
2
Introduciendo un dieléctrico Introduciendo un dieléctrico
V0
C0 → C = C0 K V0 → V = C0 → C = C0 K V = V0
K
2
1 1 V EP 0 1 1
E P = C V = C0 K 2 = EP = C V = C0 K V0 = K EP 0
2 2 2
0
2 2 K K 2 2
Condiciones de borde en límite entre dieléctricos
∫ E . dl = 0
ε1 h ε2
h → 0 ⇒ ∫ E1 . dl − ∫ E2 . dl = 0
E2
E1 Et1 = Et 2
siempre
q si q =0 en
∫∫ E . d S = = 0
ε1 ε0 superficie
ε2
E1 h → 0 ⇒ ∫∫ E1 . dS − ∫∫ E1 . dS = 0
E2
h EN 1 = EN 2
σ1 E n1 = E n 2 = E D1 = ε 0 K1 E D2 = ε 0 K 2 E
K1 V =Ed
K2 = ∆V
2 condensadores en paralelo ≠ q
≠ C
σ2
Esfera cargada con q en volumen
Cáscara dieléctrica
aire Cáscara conductora r = ∞ →V = 0
ε
q r
q
r > r4 E = V = − ∫ E dr =
4 π ε0 r 2
∞ 4 π ε0 r
r4 r
q
r3 < r < r4 ; E = 0; V = − ∫ E dr − ∫ E dr =
∞ r4 4 π ε 0 r4
q q 1 1 1
r2 < r < r3 ; E = ;V = + −
4 π ε0 r 2
4 π ε 0 r4 r r3
q
r1 < r < r2 ; E =
4 π ε0 r2
q 1 1 1 1 1 1 1
V= + − + −
4 π ε 0 r4 r2 r3 ε r r2
r4 r3 r2 r1
ρr q 1 1 1 1 1 1 1 ρ 2 2
r < r1 ; E =
3 ε0
;V = + − + − +
4 π ε 0 r4 r2 r3 ε r1 r2 6 ε 0
(r1 − r )
Esfera conductora descargada
Cáscara dieléctrica
Cáscara conductora A t=0 q en exte-
ε inicialmente con q rior de cáscara
V
Con V esfera interior se carga en sup.
qi
Vr = = V (r < r1 ) ⇒ q1 = Vr 4 π ε 0 r1
1
4 π ε 0 r1 1
q1 q + q1
E (r < r1 ) = 0, E (r1 < r < r2 ) = , E (casc) = 0, E (r > r3 ) =
4π ε r 2
4 π ε0 r2
r
q1 dr q1 1 1
r1 < r < r2 ; Vr − Vr = − ∫ ⇒ Vr = Vr + −
r 4π ε r 4 π ε r r1
1 2 1
1
r3 r2 r1
r2 < r < r3 ⇒ V = cte = Vr 2
q1 1 1 q + q1 1 1
r > r3 V = Vr + − + −
4 π ε r2 r1 4 π ε 0 r r3
1