UNIVERSIDAD OLMECA

FACULTAD DE INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS

PROGRAMA EDUCATIVO

ING. BIOMEDICA
EXPERIENCIA EDUCATIVA

ELECTRÓNICA I Y LABORATORIO
TRABAJO

RESUMEN
CATEDRATICO

PEDRO VEGA PERERA

ESTUDIANTE

EDER JULIAN MURILLO ORDOÑEZ

14 DE DICIEMBRE DEL 2020

CAPÍTULO 9: AMPLIFICADORES BASADOS
EN FET Y CIRCUITOS
DE CONMUTACIÓN

Subtema: AMPLIFICADOR EN FUENTE COMÚN

En la figura 9-1 se muestra un modelo equivalente del FET. Además se incluye la
resistencia entre el drenaje y la fuente, . Se supone que la resistencia es
extremadamente grande, así que se puede considerar como un circuito abierto
entre la compuerta y la fuente.

En la figura 9-2 se muestra un modelo ideal de un

circuito basado en un FET con una resistencia de
ca externa en el drenaje. La ganancia de voltaje de
ca de este circuito es Vsal/Vent, donde
Vent = Vgs y Vsal = Vds.

Un amplificador en fuente común basado en JFET

es aquel en el que se aplica una señal de entrada
de ca a la compuerta y la señal de salida de ca se
toma del drenaje. Un amplificador en fuente común
no tiene ningún resistor en la fuente o tiene uno puenteado, de tal forma que la
fuente queda conectada a la tierra de ca. El resistor RG, sirve para dos propósitos:
mantiene la compuerta a aproximadamente 0 V de cd y su gran valor impide que
se cargue la fuente de señal de ca. La caída a través de RS produce una voltaje
de polarización.
Una gráfica
La operación que se acaba de describir para un JFET de canal n se ilustra tanto
en la curva de característica de transferencia como en la curva de característica
de drenaje en la figura 9-4.
La parte muestra cómo una variación senoidal, Vgs, produce una variación
senoidal correspondiente de Id. La figura 9-4 muestra la misma operación
utilizando las curvas del drenaje. La señal en la compuerta hace que varíe la
corriente en el drenaje por encima y por debajo del punto Q sobre la recta de
carga, como lo indican las flechas. Las líneas proyectadas a partir de los picos del
voltaje en la compuerta a través del eje ID hasta el eje VDS indican las variaciones
pico a pico de la corriente en el drenaje y el voltaje entre el drenaje y la fuente,
como se muestra. Debido a que la curva de la característica de transferencia no es
lineal, la salida tendrá alguna distorsión. Esto se reduce al mínimo si la señal
excursiona dentro de una parte limitada de la recta de carga.

Análisis en cd
El primer paso para analizar un amplificador basado en un FET es determinar las
condiciones en cd que incluyan ID y VS. ID determina el punto Q para un
amplificador y permite calcular VD, por lo que es útil determinar su valor. El
método gráfico, presentado en el capítulo 8 que utiliza la curva de
transconductancia se aplicará aquí a un amplificador. Se utilizará el amplificador
mostrado en la figura 9-5 para ilustrar ambos métodos.
Método gráfico Recuerde de la sección 8-2 que la característica de transferencia
universal de un JFET (curva de transconductancia) ilustra la relación entre la
corriente de salida y el voltaje de entrada. Los puntos extremos de la curva de
transconductancia están en IDSS y VGS(corte). Se obtiene una solución gráfica
trazando la recta de carga (para el caso autopolarizado mostrado) sobre la misma
curva y leyendo los valores de VGS e ID en la intersección de estas curvas
(punto Q)
Método matemático El método matemático es más tedioso que el método gráfico
porque implica expandir la ecuación a una forma cuadrática y resolverla. Para
determinar ID matemáticamente con las cantidades conocidas, sustitúyase VGS
IDRS en la ecuación 8-1. El resultado se muestra en la ecuación 9-2, la cual tiene
ID en ambos miembros. El aislamiento de ID require solucionar la forma
cuadrática, la cual se da en el apéndice B.
Circuito equivalente en ca
Para analizar la operación del amplificador de la figura 9-5, se desarrolla un
circuito equivalente en ca de la siguiente manera. La fuente de cd se reemplaza
con una tierra, con base en la consideración de que la resistencia interna de la
fuente es cero. El circuito equivalente en ca se muestra en la figura 9-8.
Rd y la fuente están efectivamente a un potencial de tierra de ca.

Efecto de una carga de ca en la ganancia de voltaje

Cuando se conecta una carga a la salida de un amplificador mediante un capacitor
de acoplamiento, como muestra la figura 9-10(a), la resistencia de ca en el drenaje
es efectivamente RD en paralelo con RL porque el extremo superior de RD está a
un potencial de tierra de ca. El circuito equivalente en ca se muestra en la figura 9-
10(b)
Inversión de fase
El voltaje de salida (en el drenaje) está desfasado 180° con respecto al voltaje de
entrada (en la compuerta). La inversión de fase puede ser designada por una
ganancia de voltaje negativa, Av. Recuerde que el amplificador con BJT en emisor
común también exhibía una inversión de fase.
Resistencia de entrada
Debido a que la entrada a un amplificador en emisor común es por la compuerta,
la resistencia de entrada es extremadamente alta. Idealmente, tiende a infinito y
puede ser despreciada. Como se sabe, la unión pn polarizada en inversa en un
JFET y la estructura de compuerta aislada en un MOSFET producen la alta
resistencia de entrada.
FET, VGS/IGSS. La corriente de fuga en inversa, IGSS, en general se da en las
hojas de datos para un valor específico de VGS., de tal forma que la resistencia de
entrada del dispositivo pueda ser calculada.
Operación de un amplificador con D-MOSFET
El voltaje de señal hace que Vgs excursione por encima y por debajo de su valor
cero, lo que produce una excursión de Id, como muestra la figura 9-13. La
excursión positiva de Vgs produce el modo de enriquecimiento e Id se incrementa.
Obsérvese que el modo de enriquecimiento se encuentra a la derecha del eje
vertical y el modo de empobrecimiento a la izquierda. El análisis en cd de este
amplificador es un poco más fácil que para un JFET porque ID IDSS con VGS 0.
Operación de un amplificador con E-MOSFET

Un E-MOSFET de canal n en fuente común polarizado mediante divisor de voltaje con una fuente
de ca acoplada capacitivamente a la compuerta se muestra en la figura 9-14. La compuerta se

polariza con un voltaje positivo de modo que VGS > VGS(umbral)

Subtema: AMPLIFICADOR EN DRENAJE COMÚN

Un amplificador con JFET en drenaje común es uno en el cual la señal de entrada
se aplica a la compuerta y la salida
se toma de la fuente, lo que hace al
drenaje común a ambas. En la figura
9-18 se muestra un amplificador con
JFET en drenaje común. Un
amplificador en drenaje común
también se conoce como seguidor
de fuente. En este circuito particular
se utiliza autopolarización. La señal de entrada se aplica a la compuerta mediante
un capacitor de acoplamiento, C1, y la señal de salida se acopla al resistor de
carga mediante C2
Resistencia de entrada
Debido a que la señal de entrada se aplica a la compuerta, la resistencia de
entrada vista por la fuente de la señal de entrada es extremadamente alta, tal
como en la configuración en fuente común. El resistor, RG, en paralelo con
resistencia de entrada viendo hacia la compuerta es la resistencia total de entrada.
Subtema: AMPLIFICADOR EN COMPUERTA COMÚN
Un amplificador en compuerta común autopolarizado se muestra en la figura 9-22.
La compuerta está conectada directamente a tierra; la señal de entrada se aplica
en la fuente mediante C1. La salida se acopla mediante C2 a la terminal drenaje.

Resistencia de entrada
En contraste, la configuración en compuerta común, donde la fuente es la terminal
de entrada, tiene una baja resistencia de entrada. Esto se demuestra de la
siguiente manera: en primer lugar, la corriente de entrada es igual a la corriente
del drenaje.
Amplificador cascodo
Una aplicación en la que se encuentra la configuración en compuerta común es el
amplificador cascodo, comúnmente utilizado en aplicaciones de radiofrecuencia.
En la figura 9-24 se muestra un circuito amplificador cascodo con JFET en fuente
común. La etapa de entrada es un amplificador en fuente común y su carga es un
amplificador en compuerta común conectado al circuito de drenaje.
Las capacitancias internas, las cuales existen en todo tipo de transistor, se
vuelven significativas a frecuencias altas y reducen la ganancia de los
amplificadores inversores como lo describe el efecto Miller, que se aborda en el
capítulo 10.
Subtema: AMPLIFICADOR CLASE D
En un amplificador clase D, los transistores de salida operan como interruptores
en lugar de operar linealmente como en las clases A, B y AB. La ventaja principal
en aplicaciones de audio es que un amplificador clase D opera a una eficiencia
máxima teórica de 100% comparado con la clase A, a 25%, y la clase B/AB, a
79%. En la práctica, con la clase D se pueden alcanzar eficiencias de más de
90%.
Modulación por ancho de pulso (PWM)
La modulación por ancho de pulso es un proceso en el que una señal de entrada
se transforma en una serie de
pulsos con anchos que varían
proporcionalmente a la
amplitud de la señal de
entrada. Esto se ilustra en la
figura 9-26 para un ciclo de
una señal senoidal. Observe
que el ancho de pulso es más
grande cuando la amplitud es
positiva y más angosto
cuando la amplitud es
negativa. La salida será una
onda cuadrada si la entrada
es cero.

Espectros de frecuencia Todas las formas de onda no senoidales se componen

de frecuencias armónicas. El contenido de frecuencia de una forma de onda
particular se conoce como su espectro. Cuando la forma de onda triangular
modula la onda senoidal de entrada, el espectro resultante contiene la frecuencia
de onda senoidal, fentrada, más la frecuencia fundamental de la señal moduladora
triangular, fm y frecuencia armónicas por encima y por debajo de la frecuencia
fundamental. Estas frecuencias armónicas se deben a los rápidos tiempos de
subida y caída de la señal PWM y a las áreas planas entre los pulsos. En la figura
9-28 se muestra un espectro de frecuencia simplificado de una señal PWM.
Etapa con MOSFET complementario
Los MOSFET se disponen en una configuración complementaria en fuente común
para proporcionar ganancia de potencia. Cuando un transistor está encendido hay
muy poco voltaje a través de él y, por consiguiente, se disipa poca potencia aun
cuando puede que circule mucha corriente a través de él. La única ocasión en que
se disipa potencia en los transistores es durante el corto tiempo de conmutación.

Filtro pasobajas
El filtro pasobajas elimina la frecuencia de modulación y armónicos y deja pasar
sólo la señal original hasta la salida. El filtro tiene un ancho de banda que deja
pasar sólo las frecuencias de la señal de entrada, como lo ilustra la figura 9-30.

Flujo de señales
La figura 9-31 muestra las señales en cada punto en un amplificador clase D. Se
aplica una pequeña señal de audio y se modula por ancho de pulsos para producir
una señal PWM a la salida del modulador donde se obtiene la ganancia de voltaje.
La PWM excita la etapa de MOSFET complementario para amplificar la potencia.
La señal PWM es filtrada y la señal de audio amplificada aparece a la salida con
suficiente potencia para excitar un altavoz.
Subtema: CONMUTACIÓN ANALÓGICA MEDIANTE UN MOSFET
Los MOSFET se utilizan mucho en aplicaciones de conmutación digital y analógica
en el modo de conmutación en amplificadores clase D. En general, presentan muy
poca resistencia cuando están encendidos, muy alta cuando están apagados y
tiempos de conmutación rápidos.
Operación de un MOSFET en aplicaciones de conmutación
En general se utilizan los E-MOSFET en aplicaciones de conmutación debido a su
característica de umbral, VGS. Cuando el voltaje de compuerta a fuente es menor
que el valor de umbral, el MOSFET está apagado; cuando el voltaje de compuerta
a fuente es mayor que el valor de umbral, el MOSFET está encendido. Cuando
VGS cambia entre VGS y VGs, el
MOSFET está siendo operado como interruptor, como lo ilustra la figura 9-32. En
el estado apagado, cuando VGS VGS, el dispositivo está operando en el límite
inferior de la recta de carga y actúa como interruptor abierto . Cuando VGS es
suficientemente más grande que VGS, el dispositivo está operando en el extremo
superior de la recta de carga en la región óhmica y actúa como interruptor cerrado
.

El interruptor analógico

Comúnmente se utilizan MOSFET para

conmutar señales analógicas.
Básicamente, una señal aplicada al
drenaje puede ser conmutada a través
de la fuente por un voltaje en la
compuerta. Una restricción importante
es que el nivel de la señal en la fuente no debe hacer que el voltaje de compuerta a fuente caiga
por debajo de VGS(umbral). En la figura 9-34 se muestra un interruptor analógico a base de un
MOSFET de canal n. La señal en el drenaje se conecta a la fuente cuando un VGS positivo enciende
el MOSFET y se desconecta cuando VGS es 0, como se indica.

Aplicaciones de un interruptor analógico

Circuito de muestreo Una aplicación de interruptores analógicos se encuentra en la conversión de

analógica a digital. El interruptor analógico se utiliza en un circuito de muestreo y retención para
muestrear la señal de entrada a una cierta velocidad. Cada valor de señal muestreada se almacena
entonces temporalmente en un capacitor hasta que puede ser convertida en un código digital
mediante un convertidor analógico a digital (ADC). Para lograr esto, el MOSFET se enciende
durante intervalos cortos durante un ciclo de la señal de entrada mediante pulsos aplicados a la
compuerta. La operación básica, que muestra sólo algunos ejemplos por claridad, se ilustra en la
figura 9-36.

Subtema: CONMUTACIÓN DIGITAL MEDIANTE UN MOSFET

En la sección anterior se describió la utilización de los MOSFET para conmutar
señales analógicas. También se utilizan en aplicaciones de conmutación en
circuitos integrados digitales y en circuitos de control de potencia. Los utilizados en
circuitos integrados digitales son dispositivos de baja potencia y los utilizados en
control de potencia son de alta potencia.
CMOS (MOS complementario)
El CMOS combina un E-MOSFET de canal n y uno de canal p en una
configuración en serie, como muestra la figura 9-41(a). El voltaje de entrada en las
compuertas es 0 V o VDD. Observe que tanto VDD como tierra están conectados
a la fuente de los transistores. Para evitar confusions se utiliza el término VDD
para el voltaje positivo, localizado en la fuente del dispositivo de canal p. Cuando
Vent = 0 V, Q1 está encendido y Q2 apagado, como se muestra en la parte (b).
Debido a que Q1 actúa como un interruptor cerrado, la salida es aproximadamente
VDD. Cuando Vent = VDD, Q2 está encendido y Q1 apagado, como se muestra
en la parte (c). Como Q1 actúa como un interruptor cerrado, la salida básicamente
está conectada a tierra (0 V).
Los MOSFET en conmutación de potencia
El BJT era el único transistor de potencia hasta la llegada del MOSFET. El BJT
requiere corriente en la base para encender, tiene características apagado
relativamente bajas y es susceptible a embalamiento térmico a causa de su
coeficiente de temperatura negativo. El MOSFET, sin embargo, es controlado por
voltaje y su coeficiente de temperatura es positivo, lo que evita el embalamiento
térmico. El MOSFET enciende más rápido que el BJT y, cuando está encendido,
su baja resistencia produce pérdidas de potencia en estado de conducción más
bajas que los BJT.
Subtema: SOLUCIÓN DE FALLAS
Un técnico que entiende los fundamentos de operación de un circuito y que es
capaz, si es necesario, de realizar un análisis básico de un circuito dado, es
mucho más valioso que uno que se limita a realizar procedimientos de prueba de
rutina. En esta sección se verá como se prueba una tarjeta de circuito de la que se
tiene sólo un esquema sin ningún procedimiento de prueba ni niveles de voltaje
especificados.