Electronica Potencia PDF

Escuela Politécnica Superior.
Universidad de Jaén (España)

Departamento Ingeniería Electrónica y Automática
Juan D. Aguilar Peña

Marta Olid Moreno
[email protected]
http://blogs.ujaen.es/jaguilar/
Electrónica de Potencia
©Juan Domingo Aguilar Peña 2005
Escuela Politécnica Superior. Universidad de Jaén (España)

Departamento Ingeniería Electrónica y Automática
Este manual electrónico llamado

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
tiene licencia Creative Commons
Índice General
UNIDAD Nº 0. INTRODUCCIÓN A LA ASIGNATURA. EVALUACIÓN.
Tema 0.- INTRODUCCIÓN ELECTRÓNICA DE POTENCIA
UNIDAD Nº 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Tema 1.- REPASO CONCEPTOS: POTENCIA ELÉCTRICA.

ARMÓNICOS.
Tema 2.- ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Tema 3.- DISIPACIÓN DE POTENCIA
UNIDAD Nº 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Tema 4.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA
UNIDAD Nº 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS
Tema 5.- TIRISTOR.
Tema 6.- GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAC Y EJEMPLOS DE

APLICACIONES
UNIDAD Nº 4. CONVERTIDORES
Tema 7.- CONVERTIDORES AC/DC: RECTIFICACION.
Tema 8.- FILTRADO Y FUENTES REGULADAS
Tema 9.- CONVERTIDORES DC/DC
Tema 10.- INTRODUCCIÓN A LAS CONFIGURACIONES BÁSICAS DE

LAS FUENTES DE ALIMENTACIÓN CONMUTADAS
Tema 11.- CONVERTIDORES DC/AC: INVERSORES.
MANUAL DE USUARIO

UNIDAD Nº 0. INTRODUCCIÓN A LA ASIGNATURA

UNIDAD Nº 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA
Tema 0.- Introducción a la Electrónica de Potencia

Introducción. Concepto de electrónica de potencia. Evolución tecnológica y
dispositivos. Convertidores. Ejemplos de aplicación
Prof. J.D. Aguilar Peña

Departamento de Electrónica. Universidad Jaén
[email protected]
http://voltio.ujaen.es/jaguilar
0.1 Introducción 1
0.2 Electrónica de potencia 1
0.3 Campos de aplicación 2
0.4 Procedimientos de conversión 3
0.5 Requisitos del dispositivo electrónico de potencia 4
0.6 Componentes de base en la electrónica de potencia 4
0.6.1.- Comparación de semiconductores con capacidad de corte 6
0.7 Evolución tecnológica de los dispositivos semiconductores 6
0.8 Clasificación de los convertidores de potencia 8
0.8.1 Según el modo de conmutación 8
0.8.2 Según el tipo de conversión 9
0.8.3 Según el tipo de energía 12

TEMA 0: INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA
0.1 Introducción
La Electrónica de Potencia es la parte de la electrónica que estudia los dispositivos y los circuitos
electrónicos utilizados para modificar las características de la energía eléctrica, principalmente su
tensión y frecuencia.
Esta rama de la electrónica no es reciente, aunque se puede decir que su desarrollo más espectacular
se produjo a partir de la aparición de los elementos semiconductores, y más concretamente a partir de
1957, cuando Siemens comenzó a utilizar diodos semiconductores en sus rectificadores.
La Electrónica de Potencia se ha introducido de lleno en la industria en aplicaciones tales como las
fuentes de alimentación, cargadores de baterías, control de temperatura, variadores de velocidad de
motores, etc. Es la Electrónica Industrial quien estudia la adaptación de sistemas electrónicos de
potencia a procesos industriales. Siendo un sistema electrónico de potencia aquel circuito electrónico
que se encarga de controlar un proceso industrial, donde interviene un transvase y procesamiento de
energía eléctrica entre la entrada y la carga, estando formado por varios convertidores, transductores
y sistemas de control, los cuales siguen hoy en día evolucionando y creciendo constantemente.
El campo de la Electrónica de Potencia puede dividirse en grandes disciplinas o bloques temáticos:
Electrónica
Industrial
Electrónica de Convertidores de
Regulación y Control Potencia
Aplicaciones a
Procesos Industriales Componentes
Electrónicos de Potencia
Fig 0.1 Bloques temáticos que comprende la Electrónica de Potencia
El elemento que marca un antes y un después en la Electrónica de Potencia es sin duda el Tiristor
(SCR, Semiconductor Controlled Rectifier), cuyo funcionamiento se puede asemejar a lo que sería
un diodo controlable por puerta. A partir de aquí, la familia de los semiconductores crece
rápidamente: Transistores Bipolar (BJT, Bipolar Junction Transistor); MOSFET de potencia;
Tiristor bloqueable por puerta (GTO, Gate turn-off Thyristor); IGBT, Insulate Gate Bipolar
Transistor; etc., gracias a los cuales, las aplicaciones de la electrónica de potencia se han
multiplicado.
Una nueva dimensión de la electrónica de potencia aparece cuando el control de los elementos de
potencia se realiza mediante la ayuda de sistemas digitales (microprocesadores, microcontroladores,
etc). Esta combinación derivó en una nueva tecnología, que integra en un mismo dispositivo,
elementos de control y elementos de potencia. Esta tecnología es conocida como Smart - Power y su
aplicación en industria, automovilismo, telecomunicaciones, etc. tiene como principal límite la
disipación de elevadas potencias en superficies semiconductoras cada vez más pequeñas.
0.2 Electrónica de potencia

El término “Electrónica de Potencia” cubre una amplia serie de circuitos electrónicos en los cuales el
objetivo es controlar la transferencia de energía eléctrica. Se trata por tanto de una disciplina
© Universidad de Jaén; J. D. Aguilar; M. Olid 1
comprendida entre la Electrotécnia y la Electrónica. Su estudio se realiza desde dos puntos de vista:
el de los componentes y el de las estructuras.
En el proceso de conversión de la naturaleza de la energía eléctrica, toma vital importancia el
rendimiento del mismo. La energía transferida tiene un valor elevado y el proceso debe realizarse de
forma eficaz, para evitar que se produzcan grandes pérdidas. Dado que se ponen en juego tensiones e
intensidades elevadas, si se trabaja en la zona lineal de los semiconductores, las perdidas de potencia
pueden llegar a ser excesivamente elevadas, sobrepasando en la inmensa mayoría de los casos las
características físicas de los mismos, provocando considerables pérdidas económicas y materiales.
Parece claro que se debe trabajar en conmutación.
0.3 Campos de aplicación

En general los sistemas de potencia se utilizan para accionar cualquier dispositivo que necesite una
entrada de energía eléctrica distinta a la que suministra la fuente de alimentación primaria. Podemos
encontrar aplicaciones de baja potencia, media y alta, con un amplio margen, desde algunos cientos
de vatios hasta miles de kilovatios.
[0_1]
Veamos a continuación algunas de las aplicaciones industriales de cada uno de los convertidores:
Rectificadores:
- Alimentación de todo tipo de sistemas electrónicos, donde se necesite energía eléctrica en
forma de corriente continua.
- Control de motores de continua utilizados en procesos industriales: Máquinas herramienta,
carretillas elevadoras y transportadoras, trenes de laminación y papeleras.
- Transporte de energía eléctrica en c.c. y alta tensión.
- Procesos electroquímicos.
- Cargadores de baterías.
Reguladores de alterna:
- Calentamiento por inducción.
- Control de iluminación.
- Control de velocidad de motores de inducción.
- Equipos para procesos de electrodeposición.
Cambiadores de frecuencia:
- Enlace entre dos sistemas energéticos de corriente alterna no sincronizados.
- Alimentación de aeronaves o grupos electrógenos móviles.
Inversores:
- Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones industriales.
- Convertidores corriente continua en alterna para fuentes no convencionales, tales como la
fotovoltaica o eólica
- Calentamiento por inducción.
- SAI
Troceadores:
- Alimentación y control de motores de continua.
- Alimentación de equipos electrónicos a partir de baterías o fuentes autónomas de corriente
continua.

0.4 Procedimientos de conversión

En general, cualquier conversión de energía eléctrica se puede realizar por procedimientos
electromecánicos o por procedimientos electrónicos.
La mayor flexibilidad y controlabilidad de los dispositivos electrónicos, hace que se apliquen para
resolver procesos cada vez más complejos. Un equipo electrónico de potencia consta
fundamentalmente de dos partes, tal como se simboliza en la siguiente figura:
Energía Eléctrica
de entrada CIRCUITO DE
POTENCIA carga
Alimentación Información Señales

gobierno
CIRCUITO AUXILIAR
Circuito Disparo y
Bloqueo Circuito de Control
Fig 0.2 Diagrama de bloques de un sistema de potencia
1. Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y elementos pasivos,

que liga la fuente primaria de alimentación con la carga.
2. Un circuito de mando, que elabora la información proporcionada por el circuito de potencia
y genera unas señales de excitación que determinan la conducción de los semiconductores
controlados con una fase y secuencia conveniente.
Diferencia entre la electrónica de señal y electrónica de potencia:
En la electrónica de señal se varía la caída de tensión que un componente activo crea en un circuito
habitualmente alimentado en continua. Esta variación permite, a partir de una información de
entrada, obtener otra de salida modificada o amplificada. Lo que interesa es la relación entre las
señales de entrada y salida, examinando posteriormente la potencia suministrada por la fuente
auxiliar que requiere para su funcionamiento. La función de base es la amplificación y la principal
característica es la ganancia.
Fig 0.3 Característica fundamental de un sistema electrónico de Señal
En la electrónica de potencia el concepto principal es la conversión de energía y el rendimiento.

Partimos de una señal de gran potencia, que es tratada en un sistema cuyo control corre a cargo de
una señal llamada de control o cebado, obteniendo a la salida del sistema una señal cuya potencia ha
sido modificada convenientemente.

Fig 0.4 Característica fundamental de un sistema electrónico de Potencia
0.5 Requisitos del dispositivo electrónico de potencia

Un dispositivo básico de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
• Tener dos estados bien diferenciados, uno de alta impedancia (idealmente infinita), que
caracteriza el estado de bloqueo y otro de baja impedancia (idealmente cero) que caracteriza el
estado de conducción.
• Capacidad de soportar grandes intensidades con pequeñas caídas de tensión en estado de
conducción y grandes tensiones con pequeñas corrientes de fugas cuando se encuentra en estado
de alta impedancia o de bloqueo.
• Controlabilidad de paso de un estado a otro con relativa facilidad y poca disipación de potencia.
• Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro y capacidad para poder trabajar a
frecuencias considerables.
De los dispositivos electrónicos que cumplen los requisitos anteriores, los más importantes son el
Transistor de Potencia y el Tiristor. Estos dispositivos tienen dos electrodos principales y un tercer
electrodo de control. Muchos circuitos de potencia pueden ser diseñados con transistores, siendo
intercambiables entre sí en lo que se refiere al circuito de potencia exclusivamente y siendo
diferentes los circuitos de control según se empleen Transistores o Tiristores.
0.6 Componentes de base en la electrónica de potencia.

Los componentes semiconductores de potencia que vamos a caracterizar se pueden clasificar en tres
grupos de acuerdo a su grado de controlabilidad:
Diodos: Estado de ON y OFF controlables por el circuito de potencia.
Tiristores: Fijados a ON por una señal de control pero deben conmutar a OFF mediante el circuito de
potencia.
Conmutadores Controlables: Conmutados a ON y a OFF mediante señales de control.(BJT,
MOSFET, GTO, IGBT's).
Diodo:
Es el elemento semiconductor formado por una sola unión PN. Su símbolo se muestra a
continuación:
Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular corriente en sentido contrario al de

conducción. El único procedimiento de control consiste en invertir la tensión ánodo cátodo, no
disponiendo de ningún terminal de control.
Tiristores.
Dentro de la denominación general de tiristores se consideran todos aquellos componentes
semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentación
regenerativa de una estructura PNPN. Existen varios tipos, de los cuales el más empleado es el
rectificador controlado de silicio (SCR), aplicándole el nombre genérico de tiristor.
Dispone de dos terminales principales, ánodo y cátodo, y uno auxiliar de disparo o puerta. En la
figura siguiente se muestra el símbolo.
La corriente principal circula del ánodo al cátodo. En su estado de OFF, puede bloquear una tensión
directa y no conducir corriente. Así, si no hay señal aplicada a la puerta, permanecerá en bloqueo
independientemente del signo de la tensión Vak. El tiristor debe ser disparado a ON aplicando un
pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeño instante. La caída de tensión
directa en el estado de ON es de pocos voltios (1-3V).
Una vez empieza a conducir, es fijado al estado de ON, aunque la corriente de puerta desaparezca, no
pudiendo ser cortado por pulso de puerta. Solo cuando la corriente del ánodo tiende a ser negativa, o
inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, se cortará el tiristor.
Gate-Turn-Off Thyristors (GTOs):

Funcionamiento muy similar al SCR pero incorporando la capacidad de bloquearse de forma
controlada mediante una señal de corriente negativa por puerta. Mayor rapidez frente a los SCR,
soportando tensiones y corrientes cercanas a las soportadas por los SCRs. Su principal inconveniente
es su baja ganancia de corriente durante el apagado, lo cual obliga a manejar corrientes elevadas en la
puerta, complicando el circuito de disparo. Su símbolo es el siguiente:
Bipolar Junction Transistor (BJT):

La figura siguiente muestra el símbolo de un transistor bipolar NPN y PNP:
Manejan menores voltajes y corrientes que el SCR, pero son más rápidos. Fáciles de controlar por el
terminal de base, aunque el circuito de control consume más energía que el de los SCR. Su principal
ventaja es la baja caída de tensión en saturación. Como inconveniente destacaremos su poca ganancia
con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenómeno de avalancha secundaria.

Metal-Oxide-Semiconductior Field Effect Transistors (MOSFET):
El control del MOSFET se realiza por tensión, teniendo que soportar solamente un pico de corriente
para cargar y descargar la capacidad de puerta. Como ventajas destacan su alta impedancia de
entrada, velocidad de conmutación, ausencia de ruptura secundaria, buena estabilidad térmica y
facilidad de paralelizarlos. En la siguiente figura se muestra el símbolo de un MOSFET de canal N y
un MOSFET de canal P.
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):
El IGBT combina las ventajas de los MOSFETs y de los BJTs, aprovechando la facilidad del disparo
del MOSFET al controlarlo por tensión y el tipo de conducción del bipolar, con capacidad de
conducir elevadas corrientes con poca caída de tensión.
Su símbolo es el siguiente:
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada, como el Mosfet, y bajas pérdidas de conducción en
estado activo como el Bipolar. Pero no presenta ningún problema de ruptura secundaria como los
BJT.
El IGBT es inherentemente más rápido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutación del
IGBT es inferior a la de los MOSFETs.
0.6.1.- COMPARACIÓN DE SEMICONDUCTORES CON CAPACIDAD DE

CORTE.
Rapidez de
Elemento Potencia conmutación
MOSFET Baja Alta

BIPOLAR Media Media
IGBT Media Media
GTO Alta Baja
0.7 Evolución tecnológica de los dispositivos semiconductores.

Durante los años setenta, los Tiristores (SCRs), los Tiristores Bloqueables por Puerta (GTOs); y los
Transistores Bipolares (BJTs) constituían los dispositivos de potencia primordiales, mientras que los
Transistores MOSFETs eran todavía demasiado recientes para participar en las aplicaciones de
potencia. Los SCRs y los BJTs de aquella época podían conmutar a frecuencias entre 1 y 2KHz .

Durante los años ochenta se consiguieron bastantes avances, tales como reducción de la resistencia
en conmutación de los transistores MOSFETs, aumento de la tensión y la corriente permitida en los
GTOs, desarrollo de los dispositivos híbridos MOS-BIPOLAR tales como los IGBTs, así como el
incremento de las prestaciones de los circuitos integrados de potencia y sus aplicaciones.
Se imponen los dispositivos MOSFETs, ya que poseen una mayor velocidad de conmutación, un área
de operación segura más grande y un funcionamiento más sencillo, en aplicaciones de reguladores de
alta frecuencia y precisión para el control de motores.
Los GTOs son empleados con asiduidad en convertidores para alta potencia, debido a las mejoras en
los procesos de diseño y fabricación que reducen su tamaño y mejoran su eficiencia. Aparecen los
IGBTs, elementos formados por dispositivos Bipolares y dispositivos MOS, estos dispositivos se
ajustan mucho mejor a los altos voltajes y a las grandes corrientes que los MOSFETs y son capaces
de conmutar a velocidades más altas que los BJTs.
Los IGBTs pueden operar por encima de la banda de frecuencia audible, lo cual, facilita la reducción
de ruidos y ofrece mejoras en el control de convertidores de potencia. Mediados los años ochenta
aparecen los dispositivos MCT que están constituidos por la unión de SCRs y MOSFETs.
En la década de los noventa los SCRs van quedando relegados a un segundo plano, siendo
sustituidos por los GTOs. Se incrementa la frecuencia de conmutación en dispositivos MOSFETs e
IGBTs, mientras que los BJTs son gradualmente reemplazados por los dispositivos de potencia
anteriores. Los C.I. (circuitos integrados) de potencia tienen una gran influencia en varias áreas de la
electrónica de potencia.
Para concluir, decir que tecnológicamente se tiende a fabricar dispositivos con mayores velocidades
de conmutación, con capacidad para bloquear elevadas tensiones, permitir el paso de grandes
corrientes y por último, que tengan cada vez, un control más sencillo y económico en consumo de
potencia.
En la figura 0.5 se pueden observar las limitaciones de los distintos dispositivos semiconductores, en
cuanto a potencia controlada y frecuencias de conmutación. Dispositivos que pueden controlar
elevadas potencias, como el Tiristor (104 KVA) están muy limitados por la frecuencia de
conmutación (orden de KHz), en el lado opuesto los MOSFETs pueden conmutar incluso a
frecuencias de hasta 103 KHz pero la potencia apenas alcanza los 10 KVA, en la franja intermedia se
encuentran los BJTs (300 KVA y 10 KHz), los GTOs permiten una mayor frecuencia de
conmutación que el Tiristor, 1 KHz con control de potencias de unos 2000 KVA, por último los
IGBTs parecen ser los mas ideales para aplicaciones que requieran tanto potencias como frecuencias
intermedias.
P (KVA)
104
SCR
103 GTO
IGBT
102
BJT
101
MOS
100
10-1 100 101 102 103 f (KHZ)
Fig 0.5 Características frecuencia – potencia conseguidas, durante los años 90, para los distintos tipos de semiconductores de potencia.
Todas estas consideraciones justifican la búsqueda de nuevos dispositivos y la incesante evolución

desde la aparición de los semiconductores, siempre buscando el estado ideal; poder controlar la
máxima cantidad de potencia, pudiendo hacer que los dispositivos conmuten a la mas alta frecuencia
con el consiguiente beneficio en rapidez y en eliminación de ruidos pues interesa conmutar a
velocidades superiores a la frecuencia audible (20 kHz)
En la figura 0.6 se pueden apreciar algunas de las principales aplicaciones de los distintos
semiconductores, a lo largo de su historia, así como las cotas de potencia y frecuencias de
conmutación alcanzadas y su previsible evolución futura, Destacar la utilización de SCRs en
centrales de alta potencia; los GTOs para trenes eléctricos; Modulos de Transistores, modulos de
MOSFETS, IGBTs y GTOs para sistemas de alimentación ininterrumpida, control de motores,
robótica (frecuencias y potencias medias, altas); MOSFETs para automoción, fuentes conmutadas,
reproductores de video y hornos microondas (bajas potencias y frecuencias medias); y por último
módulos de Transistores para electrodomésticos y aire acondicionado (potencias bajas y frecuencias
medias).
Fig 0.6 Aplicaciones generales de los semiconductores en la industria.[Rashid,1995]
0.8 Clasificación de los convertidores de potencia [Bühler, 1998]

Los equipos de potencia se pueden clasificar:
- Según el modo de conmutación

- Según el tipo de conversión.
- Según el tipo de energía que los alimenta.
0.8.1 SEGÚN EL MODO DE CONMUTACIÓN

Cuado se intentan clasificar los convertidores según el modo de conmutación, hay que tener en
cuenta la forma en que se provoca el bloqueo del elemento semiconductor es decir el paso de
conducción a corte; generalmente éste está provocado por la conmutación de corriente de un
elemento rectificador a otro. Se pueden distinguir tres casos: sin conmutación, con conmutación
natural y con conmutación forzada.

¾ Sin conmutación
Este tipo de convertidores se caracteriza por el hecho de que la corriente por la carga se anula a la
misma vez que se anula la corriente por el elemento rectificador. Como ejemplo podemos citar un
regulador de corriente interna con dos tiristores.
¾ Conmutación natural
El paso de corriente de un elemento rectificador a otro se provoca con la ayuda de tensiones alternas
aplicadas al montaje del convertidor estático. Como ejemplo podemos citar un rectificador
controlado con SCR.
[0_2]
¾ Conmutación forzada
El paso de corriente de un elemento rectificador a otro, está provocado generalmente por la descarga
de un condensador o red LC que forma parte del convertidor. Como ejemplo podemos citar un
convertidor dc-dc con tiristor.
0.8.2 SEGÚN EL TIPO DE CONVERSIÓN

Los equipos de potencia se pueden clasificar según el tipo de conversión de energía que realizan,
independientemente del tipo de conmutación utilizada para su funcionamiento.
A. Contactor de corriente
Es un dispositivo estático que permite conectar y desconectar la carga instalada a su salida, con la
ayuda de una señal de control de tipo lógico.
Fig 0.7 Contactor de corriente
Su característica fundamental es que la frecuencia a su salida es igual a la de entrada. La tensión de

salida es igual a la de entrada si el contactor de corriente está cerrado (c = 1). La corriente de salida
depende de la carga. Si el contactor está abierto (c = 0), la corriente de salida Is es nula. La potencia
activa P se dirige de la entrada hacia la salida. Se dice entonces que el contactor funciona en el
primer cuadrante del plano Is - Us con dos estados bien diferenciados. OFF - ON
B. Variador de corriente
Su funcionamiento es idéntico al del contactor de corriente, la única diferencia está en que la señal de
control es de tipo analógico. Variando esta señal de forma continua, se hace variar la tensión de
salida Us entre 0 y la tensión de entrada Ue.
Fig 0.8 Variador de corriente o regulador

En realidad este dispositivo es un contactor de corriente que se desconecta y conecta periódicamente,

con lo que se consigue trocear la tensión de entrada. De esta manera, los valores medio y eficaz de la
tensión de salida son variables. Este dispositivo se conoce también con el nombre de regulador.
C. Rectificador
Este dispositivo convierte las tensiones alternas de su entrada en tensiones continuas a su salida. En
general, la tensión de salida es constante.
Fig 0.9 Rectificador
Es posible variar la tensión de salida de manera continua mediante una señal de control analógica. En
este caso se habla de rectificador controlado. Tanto la tensión como la corriente de salida sólo pueden
ser positivas. La potencia activa P se dirige de la entrada a la salida.
D. Ondulador
Realiza la operación inversa al rectificador, convirtiendo una tensión continua de entrada en una
tensión alterna a la salida.
Fig 0.10 Ondulador
La señal analógica de control tiene como misión adaptar el funcionamiento del ondulador en función
de una tensión de entrada variable, si la tensión de salida debe mantenerse constante, o para hacer
variar la tensión de salida si la tensión de entrada es constante. La potencia activa P se dirige desde la
entrada hacia la salida, es decir, del lado continuo al lado alterno del dispositivo.
E. Convertidor de corriente
Este dispositivo es capaz de funcionar como rectificador controlado o como ondulador. La entrada es
alterna, mientras que la salida es continua.
Fig 0.11 Convertidor de corriente
Es importante hacer notar que la corriente sólo puede circular en una dirección dada la presencia de
elementos rectificadores que impiden el paso de la misma en sentido contrario. Si la tensión media a
la salida del convertidor es negativa la potencia entregada es negativa, indicando en este caso la
transferencia de energía desde la carga a la fuente primaria

F. Convertidor de corriente bidireccional

Está formado por dos convertidores de corriente. La corriente puede circular tanto de la entrada a la
salida, como de la salida a la entrada. Su polaridad y su valor, así como el signo de la tensión
continua de salida pueden ser variados mediante la señal analógica de control. El convertidor de
corriente bidireccional puede funcionar en los cuatro cuadrantes del plano Is - Us, por lo que la
potencia activa (P), puede ser positiva o negativa.
Fig 0.12 Convertidor de corriente bidireccional
G. Convertidor de frecuencia directo

Su funcionamiento básico consiste en proporcionar una señal alterna de frecuencia distinta a la de la
señal alterna de entrada. Está constituido por un convertidor de corriente bidireccional. La potencia
activa puede circular de la entrada hacia la salida o viceversa.
Fig 0.13 Convertidor de frecuencia directo
H. Convertidor de frecuencia con circuito intermedio

A diferencia del circuito anterior, ahora la conversión de la frecuencia no se realiza de manera
directa, sino indirectamente. El dispositivo está formado por un rectificador a la entrada y un on-
dulador a la salida.
Fig 0.14 Convertidor de frecuencia con circuito intermedio

La tensión alterna de entrada de frecuencia fe se rectifica para obtener la tensión continua Ui del
circuito intermedio (con frecuencia fi = 0). Esta tensión se convierte en alterna mediante el uso de un
ondulador, y la frecuencia suele ser distinta a la de la entrada. El rectificador y el ondulador estarán
controlados de forma adecuada por dos señales analógicas. En el esquema de la figura se puede
apreciar que la potencia activa sólo puede ir de la entrada a la salida.
0.8.3 SEGÚN EL TIPO DE ENERGÍA
De manera general se puede abordar el estudio de los distintos convertidores en función de los cuatro
tipos de conversión posibles.
Desde el punto de vista real, dado que el funcionamiento del sistema encargado de transformar el tipo
de “presentación” de la energía eléctrica viene condicionado por el tipo de energía disponible en su
entrada, clasificaremos los convertidores estáticos de energía en función del tipo de energía eléctrica
que los alimenta, tal y como se muestra en la siguiente figura:
Fig 0. 15 Clasificación de los convertidores estáticos según la energía que los alimenta

Bibliografía básica para estudio

HART, Daniel W. Electrónica de Potencia. Ed. Prentice Hall. Madrid 2001. ISBN 84-205-3179-0
RASHID, M. H. Electrónica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Ed. Prentice Hall

Hispanoamericana, S.A. México 1995.
Bibliografía ampliación
BÜHLER, HANSRUEDI. Electrónica industrial: Electrónica de Potencia. Ed. Gustavo Gili, 1988.
ISBN: 84-252-1253-7
MOHAN, N.; UNDELAND, T. M.; ROBBINS W. P. Power electronics: Converters, Applications

and design. 2ª Edición. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1995.
SÉGUIER, G. Electrónica de potencia: los convertidores estáticos de energía. Funciones de base.

Ed. Gustavo Gili. Barcelona, 1987. ISBN: 968-8887-063-3
Enlaces web interesantes

<www.powerdesigners.com/InfoWeb/resources/links/Power_links.shtm> [Consulta: 5 de julio de
2004]
Sitio web general pspice con mucha información <www.pspice.com > [Consulta: 5 de julio de 2004]
Interactive Power Electronics Seminar (iPES). <http://www.ipes.ethz.ch > [Consulta: 5 de julio de
2004]
Tutorial de electrónica de potencia de html Venkat Ramaswamy
<http://www.powerdesigner.com > [Consulta: 5 de julio de 2004]
www curso de electrónica de potencia ( Portugués)
<http://www.dee.feis.unesp.br/gradua/elepot/principal.html > [Consulta: 5 de julio de 2004]
Applet Java de Semiconductores <http://jas.eng.buffalo.edu> [Consulta: 5 de julio de 2004]


UNIDAD Nº 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
Tema 1.- Repaso conceptos: Potencia eléctrica. Armónicos

Valor eficaz. Energía. Potencia media. Potencia aparente. Factor de potencia. Cálculo
de potencia en circuitos de alterna con señales sinusoidales. Cargas lineales y no
lineales. Cálculo para formas de onda periódicas no sinusoidales. Fourier. Fuente no
sinusoidal y carga lineal. Carga no lineal. Armónicos y análisis con Pspice. Efectos
de los Armónicos: Amenazas, normativa, soluciones
Tema 2.- Elementos semiconductores de potencia
Tema 3.- Disipación de potencia

[email protected]
1.1 Introducción 1
1.2 Conceptos básicos 1
1.2.1 Bobinas y condensadores 1
1.3 Potencia en circuitos de alterna con señales sinusoidales 2
1.3.1 Potencia instantánea y potencia media 3
1.3.2 Potencia reactiva 3

1.3.3 Potencia compleja 4
1.3.4 Potencia aparente 5
1.3.5 Valor eficaz 5
1.3.6 Factor de potencia 6
1.4 Cargas lineales y no lineales 6
1.5 Cargas no lineales (descomposición armónica) 7

1.5.1 Definición de armónico 7
1.5.2 Orden del armónico 7
1.5.3 Espectro armónico 8
1.6 Series de Fourier 9
1.6.1 Análisis de Fourier 10
Distorsión armónica total “Total Harmonic Distortion(THD)” 15
Valor efectivo o valor rms 16
Factor de cresta 16
Valor promedio 17
Factor de potencia y cos φ 17
Factor de desclasificación K 18
1.6.2 Análisis de fourier usando pspice 19
1.7 Algunos equipos deformantes 20
1.8 Cálculos con ondas periódicas no sinusoidales 22

1.8.1 Fuente sinusoidal y carga lineal 22
1.8.2 Fuente sinusoidal y carga no lineal 22
1.9 Efectos de los armónicos 23
1.9.1.- Importancia del neutro 23
1.10 Legislación 25
1.11 Soluciones 28
TEMA1: POTENCIA Y ARMÓNICOS
1.1 Introducción
Los cálculos de potencia son esenciales para el análisis y diseño de los circuitos electrónicos de
potencia. En este tema vamos a revisar los conceptos básicos sobre potencia, prestando especial
atención a los cálculos de potencia en circuitos con corrientes y tensiones periódicas no sinusoidales.
1.2 Conceptos básicos

¾ Potencia instantánea
La potencia instantánea de cualquier dispositivo se calcula a partir de la tensión en bornas del mismo
y de la corriente que le atraviesa.
p (t ) = v (t ) ⋅ i (t ) E 1. 1
La relación es válida para cualquier dispositivo o circuito.

Generalmente la potencia instantánea es una magnitud que varía con el tiempo.
El dispositivo absorbe potencia si p(t) es positivo en un valor determinado de t y entrega potencia si
p(t) es negativa.
¾ Energía
La energía o trabajo es la integral de la potencia instantánea.

W = ∫ p(t ) dt
t2
E 1. 2
t1
Si v(t) está expresada en voltios e i(t) en amperios, la potencia se expresará en vatios y la energía en
julios.
¾ Potencia media
Las funciones de tensión y corriente periódicas producen una función de potencia instantánea
periódica. La potencia media es el promedio a lo largo del tiempo de p(t) durante uno o más periodos.
Algunas veces también se denomina potencia activa o potencia real.
1 t 0 +T 1 t 0 +T
P= ∫ p(t ) dt = ∫ v(t )i(t ) dt E 1. 3
T t0 T t0
Donde T es el periodo de la forma de onda de potencia
1.2.1 BOBINAS Y CONDENSADORES
Las bobinas y condensadores tienen las siguientes características para tensiones y corrientes
periódicas:
i(t + T ) = i(t )
v(t + T ) = v(t )
¾ Bobina
En una bobina, la energía almacenada es:
© Universidad de Jaén. J. D. Aguilar; M. Olid 1

1 2
WL = Li (t ) E 1. 4
2
Si la corriente de la bobina es periódica, la energía acumulada al final de un periodo es igual a la
energía que tenía al principio. Si no existe transferencia de potencia neta:
PL = 0 La potencia media absorbida por una bobina es cero para funcionamiento periódico
en régimen permanente.
La potencia instantánea no tiene por qué ser cero.
A partir de la relación de tensión-corriente de la bobina:
1 t 0 +T
i(t 0 + T ) =VL (t ) dt + i(t 0 )
L ∫t 0
E 1. 5
Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes periódicas:

1 t 0 +T
i(t 0 + T ) − i(t 0 ) = ∫ VL (t ) dt = 0 E 1. 6
L t0
L
Multiplicando por y sabiendo que i(t 0 + T ) = i(t 0 )
T
1 t 0 +T
med[VL (t )] = VL = v(t ) dt = 0
T ∫t 0
La tensión media en extremos de una bobina es cero
¾ Condensador
En una bobina, la energía almacenada es:

1 2
WC = cv (t ) E 1. 7
2
Si la tensión del condensador es una señal periódica:
PC = 0 La potencia media absorbida por el condensador es cero para funcionamiento periódico

en régimen permanente.
A partir de la relación de tensión-corriente del condensador:
1 t 0 +T
v (t 0 + T ) = i C (t ) dt + v(t 0 )
C ∫t 0
E 1. 8
Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes periódicas:
1 t 0 +T
v (t 0 + T ) − v (t 0 ) = i C (t ) dt = 0
C ∫t 0
E 1. 9
L
Multiplicando por y sabiendo que i(t 0 + T ) = i(t 0 )
T
1 t 0 +T
med[i C (t )] = I C = ∫ i(t ) dt = 0 La intensidad media por el condensador es cero
T t0
1.3 Potencia en circuitos de alterna con señales sinusoidales

Generalmente, las tensiones y/o corrientes en los circuitos electrónicos de potencia no son
sinusoidales. Sin embargo, una forma de onda periódica no sinusoidal puede representarse mediante
una serie de Fourier de componentes sinusoidales.

En los circuitos lineales con generadores sinusoidales, todas las corrientes y tensiones de régimen
permanente son sinusoidales.
1.3.1 POTENCIA INSTANTÁNEA Y POTENCIA MEDIA
Para cualquier elemento de un circuito de alterna, supongamos que:
v(t ) = Vm cos(ωt + θ )
i(t ) = I m cos(ωt + φ )
Recordemos que la potencia instantánea de los circuitos de alterna es p(t ) = v(t ) ⋅ i(t )
1 t 0 +T 1 t 0 +T
Y la potencia media: P = ∫ p(t ) dt = ∫ v(t )i(t ) dt
T 0
t T t0
Luego la potencia instantánea es:
p(t ) = v(t ) ⋅ i(t ) = [Vm cos(ωt + θ )] ⋅ [I m cos(ωt + φ )] E 1.10
1
Sabiendo que (cosA )(cosB) = [cos(A + B) + cos(A − B)]
2
⎛V I ⎞
p(t ) = ⎜ m m ⎟[cos(2 ωt + θ + φ ) + cos(θ − φ )] E 1.11
⎝ 2 ⎠
Y la potencia media es:
1 T ⎛V I ⎞ T
P= ∫ p(t ) dt = ⎜ m m ⎟ ∫ [cos(2 ωt + θ + φ ) + cos(θ − φ )]dt E 1.12
T 0 ⎝ 2T ⎠ 0
El resultado de esta integral puede obtenerse por deducción. Dado que el primer término de la
integral es una función coseno, la integral en un periodo es igual a cero y el segundo término es una
constante. Por tanto, la potencia media de cualquier elemento de un circuito de alterna es:
⎛V I ⎞
P = ⎜ m m ⎟ cos(θ − φ ) E 1.13
⎝ 2 ⎠
O bien
P = Vrms I rms cos(θ − φ ) E 1.14
Vm Im
Siendo Vrms = , I rms = y cos(θ − φ ) el ángulo de fase entre la tensión y la corriente.
2 2
Su unidad es el vatio (w). Esta potencia es la denominada potencia activa.
1.3.2 POTENCIA REACTIVA
La potencia reactiva se caracteriza por la acumulación de energía durante una mitad del ciclo y la
devolución de la misma durante la otra mitad del ciclo.
Q = Vrms I rms sen (θ − φ ) [1_1]
La unidad es el voltio-amperio reactivo (VAR)

Por convenio, las bobinas absorben potencia reactiva positiva y los condensadores absorben potencia
reactiva negativa.
1.3.3 POTENCIA COMPLEJA
La potencia compleja combina las potencias activa y reactiva para los circuitos de alterna:
S = P + jQ = (Vrms )(I rms ) * E 1.15
Vrms y I rms son magnitudes complejas que se expresan como fasores (magnitud y ángulo) y (I rms ) *
es el complejo conjugado de un fasor de corriente, lo que proporciona resultados coherentes con el
convenio de que la bobina absorbe potencia reactiva.
Esta ecuación de potencia compleja no es aplicable a señales no sinusoidales.
[1_2] [1_3] [1_4]
Trazar el
triángulo de potencias de un circuito cuya impedancia es
z = 3 + j 4 Ω y al que se le aplica un fasor de tensión V =100|30º volt.
V 100 30°
Solución: El fasor de intensidad de corriente es I = = = 20 − 23,1° A
z 5 53,1°
Método 1:
P = I 2 ⋅ R = 20 2 ⋅ 3 = 1200 W
Q = I 2 ⋅ x = 20 2 ⋅ 4 = 1600 VAR retraso
S = I 2 ⋅ z = 20 2 ⋅ 5 = 2000 VA
fp = cos 53,1° = 0,6 en retraso
Método 2:
S = V⋅ I = 100 ⋅ 20 = 2000 VA
P = V⋅ I⋅ cosθ = 2000 ⋅ cos 53,1° = 1200 W
Q = V⋅ I⋅ senθ = 2000 ⋅ sen 53,1° = 1600 VAR retraso
fp = cosθ = 0,6 en retraso
Método 3:
( )( )
S = V⋅ I * = 100 30° ⋅ 20 23,1° = 2000 53,1° = 1200 + j1600
P = 1200 W ; Q = 1600 VAR en retraso ; S = 2000 VA ; fp = cosθ = 0,6 en retraso
Método 4:
( ) (
VR = R ⋅ I = 20 − 23,1° ⋅ 3 = 60 − 23,1° ; VX = 20 − 23,1° ⋅ 4 90° = 80 − 66,9°)( )
VR2 60 2 V 2 80 2
P= = = 1200 W ; Q = X = = 1600 VAR
R 3 X 4
V 2 100 2 P
S= = = 2000 VA ; fp = = 0,6 en retraso
z 5 S
[J. A. Edminister]

1.3.4 POTENCIA APARENTE
La potencia aparente se expresa de la siguiente forma:
S = VRMS ⋅ I RMS E 1.16
Su unidad es el voltio-amperio (VA)
La potencia aparente en los circuitos de alterna es la magnitud de la potencia compleja:
S = S = P2 + Q2
Potencia Activa
Potencia aparente
Potencia reactiva
Fig 1.1 El símbolo de un condensador o un inductor indica de qué tipo son las
cargas, capacitivas o inductivas, respectivamente.
1.3.5 VALOR EFICAZ
El valor eficaz también es conocido como valor cuadrático medio o rms. Se basa en la potencia
media entregada a una resistencia.
2
V
P = cc E 1.17
R
Para una tensión periódica aplicada sobre una resistencia, la tensión eficaz se define como una
tensión que proporciona la misma potencia media que la tensión continua. La tensión eficaz puede
calcularse:
2
V
P = ef E 1.18
R
Calculando la potencia media:
1 T 1 T 1 T v 2 (t ) 1 ⎡1 T ⎤
P= ∫ p (t ) dt = ∫ v ( t ) i ( t ) dt = ∫ dt = ⎢ ∫ v 2 (t ) dt ⎥
T 0 T 0 T 0 R R ⎣T 0
⎦
Si igualamos estas dos ecuaciones:

2 2
V 1 ⎡1 T ⎤ V 1 T 2
P = ef = ⎢ ∫ v 2 (t ) dt ⎥ = ef v (t ) dt
T ∫0
2
→ Vef =
R R ⎣T 0 ⎦ R
1 T 2
v (t ) dt
T ∫0
2
Vef = VRMS
2
= E 1.19
2
Del mismo modo, la corriente eficaz se desarrolla a partir de P = I RMS R

1 T 2
i (t ) dt
T ∫0
2
I ef = I 2RMS = E 1.20
1.3.6 FACTOR DE POTENCIA

El factor de potencia de una carga se define como el cociente de la potencia media o activa y la
potencia aparente:
Potencia Activa P P
FP = = = = cos(θ − φ ) E 1.21
Potencia Aparente S VRMS I RMS
Esta ecuación de factor de potencia tampoco es aplicable a señales no sinusoidales, como se

verá posteriormente.
El factor de potencia utiliza el valor total de RMS, incluyendo así todos los armónicos, para su
cálculo.
f.p. Interpretación
0a1 No se consume toda la potencia suministrada, presencia de potencia reactiva.

1 El dispositivo consume toda la potencia suministrada, no hay potencia reactiva.
-1 El dispositivo genera potencia, corriente y tensión en fase.
-1 a 0 El dispositivo genera potencia, adelantos o retrasos de corriente
1.4 Cargas lineales y no lineales.

Hasta ahora, la mayor parte de las cargas utilizadas en la red eléctrica eran cargas lineales, cargas que
daban lugar a corrientes con la misma forma de onda que la tensión, es decir, prácticamente
sinusoidales.
Con la llegada de la electrónica integrada a numerosos dispositivos eléctricos, las cargas producen
corrientes distorsionadas cuya forma ya no es sinusoidal. Estas corrientes están compuestas por
armónicos, cuya frecuencia es múltiplo de la frecuencia fundamental de 50 Hz.
CARGA LINEAL:
Una carga se dice lineal cuando la corriente que ella absorbe tiene la
misma forma que la tensión que la alimenta. Esta corriente no tiene
componentes armónicos.
Ejemplo: resistencias de calefactores, cargas inductivas en régimen
permanente (motores, transformadores...)
CARGA NO LINEAL O DEFORMANTE:

Una carga se dice no lineal cuando la corriente que ella absorbe no es
de la misma forma que la tensión que la alimenta. Esta corriente es
rica en componentes armónicos donde su espectro será función de la
naturaleza de la carga.
Ejemplo: fuentes de alimentación, control de motores de inducción,
entrehierro del transformador y en general cualquier carga que
incorpore un convertidor estático de potencia.

[1_5]
[1_6]
Fig 1.2 Las cargas lineales pueden provocar que entre la corriente y la tensión
exista un desfase, sin embargo no provocan la deformación de la forma de onda.
Son cargas lineales las cargas resistivas, inductivas y capacitivas.
[1_7]
[1_8]
Fig 1.3 A diferencia de las anteriores, las cargas no lineales se caracterizan por
producir una deformación de la onda de corriente.
1.5 Cargas no lineales (descomposición armónica)

1.5.1 DEFINICIÓN DE ARMÓNICO.
Una perturbación armónica es una deformación de la forma de onda respecto de la senoidal pura
teórica.
Según la norma UNE EN 50160:1996, una tensión armónica es una tensión senoidal cuya frecuencia
es múltiplo entero de la frecuencia fundamental de la tensión de alimentación.
Podemos definir los armónicos como oscilaciones senoidales de frecuencia múltiplo de la
fundamental.
1.5.2 ORDEN DEL ARMÓNICO

Los armónicos se clasifican por su orden, frecuencia y secuencia
Orden 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... n
Frec. 50 100 150 200 250 300 350 400 450 ... n*50
Sec + - 0 + - 0 + - 0 ... ...

El orden del armónico es el número entero de veces que la frecuencia de ese armónico es mayor que
la de la componente fundamental. Por ejemplo, el armónico de orden 7 es aquel cuya frecuencia es 7
veces superior a la de la componente fundamental, si la componente fundamental es de 50 Hz el
armónico de orden 7 tendría una frecuencia de 350 Hz. En una situación ideal donde sólo existiera
señal de frecuencia 50 Hz, sólo existiría el armónico de orden 1 o armónico fundamental.
Se observa en la tabla que hay dos tipos de armónicos, los impares y los pares. Los armónicos
impares son los que se encuentran en las instalaciones eléctricas, industriales y edificios comerciales.
Los armónicos de orden par sólo existen cuando hay asimetría en la señal debida a la componente
continua.
En un sistema trifásico no distorsionado las corrientes de las tres fases llevan un cierto orden. Si el
sistema es simétrico y la carga también las tres ondas de corriente tendrán el mismo módulo y estarán
desfasadas 120º; diremos que la secuencia es directa si el orden con que las tres ondas pasan
sucesivamente por un estado es ABC y diremos que es inversa si es ACB. Con ondas distorsionadas
se puede hacer el mismo planteamiento para cada uno de los armónicos. Cuando el sistema está
formado por ondas iguales en fase se denomina homopolar.
Si la secuencia de las ondas fundamentales es directa, todos los armónicos de orden 3n-2 serán de
secuencia directa, los de orden 3n-1 de secuencia inversa y los de orden 3n de secuencia homopolar.
Si utilizamos como ejemplo un motor asíncrono trifásico de 4 hilos, entonces los armónicos de
secuencia directa o positiva tienden a hacer girar al motor en el mismo sentido que la componente
fundamental. Como consecuencia provocan una sobrecorriente en el motor que hace que se caliente.
Provocan en general calentamientos en cables, motores, transformadores. Los armónicos de
secuencia negativa hacen girar al motor en sentido contrario al de la componente fundamental y por
lo tanto frenan al motor, provocando también calentamientos. Los armónicos de secuencia neutra (0)
o homopolares, no tienen efectos sobre el giro del motor pero se suman en el hilo neutro, provocando
una circulación de corriente de hasta 3 veces mayor que el 3 armónico que por cualquiera de los
conductores, provocando calentamientos.
[1_9]
1.5.3 ESPECTRO ARMÓNICO.
El espectro armónico permite descomponer una señal en sus armónicos y representarlo mediante un
gráfico de barras, donde cada barra representa un armónico, con una frecuencia, un valor eficaz,
magnitud y desfase.
Fig 1.4 Espectro armónico o diagrama de barras. Cada barra representa un

armónico, y para cada armónico se proporciona, en la parte superior derecha, su
orden, su frecuencia, los amperios eficaces, valor porcentual de ese armónico
con respecto al fundamental o al total, y el desfase con respecto a la
fundamental. En este ejemplo se puede observar como los armónicos
predominantes son, además del fundamental, el 3º, 5º y 9º.
Es una representación en el dominio de la frecuencia de la forma de onda que se puede observar con
un osciloscopio.

Es necesario utilizar instrumentos de medida de tecnología adecuada, capaces de medir el valor

eficaz real de una señal de corriente o de tensión. El análisis y la interpretación de los datos medidos,
en términos de contaminación armónica, podrán hacerse de manera clara a partir de un equipo
apropiado.
Fig 1.5 Medidor Fluke 43B. (Cortesía de Fluke)
En la figura podemos ver un medidor específico de la marca Fluke (Fluke 43B analizador de
potencia).
Nos permite ver representadas las formas de onda de la tensión y de la corriente, como en un
osciloscopio y además da directamente las potencias activa, reactiva y aparente, factor de
desplazamiento y factor de potencia. Permite obtener la descomposición armónica de la señal.
Puedes practicar con el demo de este aparato pinchando sobre el enlace
En el resto del tema trataremos de estudiar más a fondo los diferentes valores representados.
1.6 Series de Fourier

Los circuitos electrónicos de potencia tienen, normalmente, tensiones y/o corrientes que son
periódicas pero no sinusoidales.
Las series de Fourier pueden utilizarse para describir formas de onda periódicas no sinusoidales en
términos de una serie de sinusoides, o dicho de otra forma:
Una forma de onda periódica no sinusoidal puede describirse

mediante una serie de Fourier de señales sinusoidales.

1.6.1 ANÁLISIS DE FOURIER
Las funciones periódicas pueden ser descompuestas en la suma de:
a) Un término constante que será la componente continua.

b) Un término sinusoidal llamado componente fundamental, que será de la misma frecuencia
que la función que se analiza.
c) Una serie de términos sinusoidales llamados componentes armónicos, cuyas frecuencias son
múltiplos de la fundamental.
∞
a0
v 0 (t ) = + ∑ (a n Cos nω t + b n Sen nωω) E 1.22
2 n =1,2,..
a0/2 es el valor medio de la tensión de salida, vo(t). Las constantes a0, an y bn pueden ser determinadas
mediante las siguientes expresiones:
2 T 1 2π
∫
a0 =v 0 (t ) dt = ∫ v 0 (ωt ) dω t
T 0 π 0
2 T 1 2π
a n = ∫ v 0 (t ) Cos nωωtd= ∫ v 0 (ωt ) Cos nωωtdωt n = 1,2,3...
T 0 π 0
2 T 1 2π
b n = ∫ v 0 (t )Sen nω t dt = ∫ v 0 (ωt )Sen n ωtdωt n = 1,2,3...
T 0 π 0
Los términos an y bn son los valores de pico de las componentes sinusoidales. Como para cada
armónico (o para la fundamental) estas dos componentes están desfasadas 90°, la amplitud de cada
armónico (o de la fundamental) viene dada por:
2 2
Cn = a n + bn
Si desarrollamos el término de la ecuación [E 1.22]:
⎛ an bn ⎞
a n Cos nω t + b n Sen nω t = a n + b n ⎜ Sen nω t ⎟
2 2
Cos nω t +
⎜ 2 2 2 2 ⎟
⎝ a n + bn a n + bn ⎠
y de esta ecuación podemos deducir un ángulo φn, que estará definido por los lados de valores an y bn,
y Cn como hipotenusa:
a n Cos nω t + b n Sen nω t = a n + b n (Senφ n Cos nω t + Cosφ n Sen nω t ) =

2 2
= a n + b n Sen (nω t + φ n )
2 2
⎛a ⎞
donde φ n = tan −1 ⎜⎜ n ⎟⎟
⎝ bn ⎠
Sustituyendo en la ecuación [E 1.22], el valor instantáneo de la tensión representada en serie de Fourier

será:
∞
a0
v 0 (t ) = + ∑ C n Sen (nω t + φ n ) E 1.23
2 n =1,2,...

Cn es el valor de pico, y φn el ángulo de retardo de la componente armónica de orden “n” de la

tensión de salida, o también:
a0 ∞
⎛ b ⎞
v 0 (t ) = + ∑ C n Cos(nω t + θ n ) θ n = arctg⎜⎜ − n ⎟⎟
2 n =1,2,... ⎝ an ⎠
Computadoras. Se tiene una fuente de voltaje sin distorsión a una frecuencia de

rad
50 Hz, v(w 0 ⋅ t ) = 220 ⋅ 2 ⋅ sen (w 0 ⋅ t ) V , donde ω 0 = 100 ⋅ π . Una
s
computadora extrae 0,6 A rms de corriente. Dicha corriente puede aproximarse utilizando la
siguiente receta de Fourier:
% fundamental % de total Signo del sen

Fundamental 100.0 67.88 +
Tercera 80.1 54.37 -
Quinta 60.6 41.13 +
Séptima 37.0 25.12 -
Novena 15.7 10.67 +
Aplicando la receta anterior tenemos lo siguiente:
De fundamental: i1 (ω 0 ⋅ t ) = 0,6 ⋅ 0.6788 ⋅ 2 ⋅ sen (1 ⋅ ω 0 ⋅ t ), A
De tercera armónica: i 3 (ω 0 ⋅ t ) = 0,6 ⋅ 0.5437 ⋅ 2 ⋅ sen (3 ⋅ ω 0 ⋅ t ), A
De quinta armónica: i 5 (ω 0 ⋅ t ) = 0,6 ⋅ 0.4113 ⋅ 2 ⋅ sen (5 ⋅ ω 0 ⋅ t ), A
De séptima armónica: i 7 (ω 0 ⋅ t ) = 0,6 ⋅ 0.2512 ⋅ 2 ⋅ sen (7 ⋅ ω 0 ⋅ t ), A
De novena armónica: i 9 (ω 0 ⋅ t ) = 0,6 ⋅ 0.1067 ⋅ 2 ⋅ sen (9 ⋅ ω 0 ⋅ t ), A
La suma fundamental y armónica es:
i(ω 0 ⋅ t ) = +0,576 ⋅ sen (1 ⋅ ω 0 ⋅ t ) − 0,461 ⋅ sen (3 ⋅ ω 0 ⋅ t ) + 0,349 ⋅ sen (5 ⋅ ω 0 ⋅ t ) − 0,213 ⋅ sen (7 ⋅ ω 0 ⋅ t )

+ 0,09 ⋅ sen (9 ⋅ ω 0 ⋅ t )
En la siguiente figura podemos ver las diferentes pantallas del medidor Fluke obtenidas.

Fig 1.6 Diferentes pantallas obtenidas en el medidor Fluke
La forma de onda y su descomposición armónica pueden verse en la figura
Fig 1.7 Descomposición armónica
Simetría de una función f (t)
Pueden reconocerse con facilidad cuatro tipos de simetría que se utilizarán para simplificar la tarea
de calcular los coeficientes de Fourier:
a) Simetría de función par

b) Simetría de función impar
c) Simetría de media onda
d) Simetría de cuarto de onda
Una función es par cuando f (t ) = f (− t ) y es impar cuando f (t ) = − f (− t ) . La función par sólo

tiene términos coseno (bn = 0) y la función impar sólo tiene términos seno (an = 0).

⎛ T⎞
En la simetría de media onda se cumple: f (t ) = − f ⎜ t − ⎟ y tiene la propiedad de que tanto an como
⎝ 2⎠
bn son cero para valores pares de n (solo contiene armónicos de orden impar). Esta serie contendrá
términos seno y coseno a menos que la función sea también par o impar.
Determinar el desarrollo trigonométrico en serie de Fourier para la onda

cuadrada de la figura, y dibujar su espectro.
Datos:
Solución:
El intervalo 0 < ωt <π, f(t) = V; y para π < ωt < 2π, f(t) = -V. El valor medio de la onda es cero, por lo tanto
a0/2=0. Los coeficientes de los términos en coseno se obtienen integrando como sigue:
1⎡ π
VCos n ωtdωt + ∫ (− V ) Cos n ωtdωt ⎤ =
2π
an = ∫
π ⎢⎣ 0 π ⎥⎦
V ⎡⎡ 1 ⎤ ⎤
π 2π
⎤ ⎡1
= ⎢ ⎢ Sen nω t ⎥ − ⎢ Sen nω t ⎥ ⎥ = 0 para todo n
π ⎢⎣ ⎣ n ⎦0 ⎣n ⎦ π ⎥⎦
Por tanto, la serie no contiene términos en coseno. Realizando la integral para los términos en seno:
1⎡ π
VSen n ωt dω t + ∫ (− V )Sen nω tdω t ⎤ =
2π
bn = ∫
π ⎢⎣ 0 π ⎥⎦
V ⎡⎡ 1 ⎤ ⎤
π 2π
⎤ ⎡1
= ⎢ ⎢− Cos nω t ⎥ + ⎢ Cos nω t ⎥ ⎥ =
π ⎢⎣ ⎣ n ⎦0 ⎣n ⎦ π ⎥⎦
V
= (− Cos nπ + Cos 0 + Cosn 2 π − Cosnπ ) = 2 V (1 − Cos nπ )
πn πn
Entonces, bn=4V/πn para n = 1, 3, 5,..., y bn=0 para n = 2, 4, 6,...Por lo tanto la serie para la onda cuadrada es:
4V 4V 4V
f (t ) = Sen ϖ t + Sen 3 ωt + Sen 5 ωt + ....
π 3π 5π
y el espectro para esta serie será el que se muestra a continuación:
…

Contiene los armónicos impares de los términos en seno, como pudo anticiparse del análisis de la simetría de la
onda. Ya que la onda cuadrada dada, es impar, su desarrollo en serie contiene solo términos en seno, y como
además tiene simetría de media onda, sólo contiene armónicos impares.
Las formas de onda más comunes en electrónica de potencia son:
Fig 1.8 Forma de onda cuadrada y forma de onda pulsante

Fig 1.9 Forma de onda cuadrada modificada y sinusoide rectificada de media onda
Sinusoide rectificada y rectificador trifásico

[1_10]
[1_11] [1_12]
¾ Distorsión armónica total “Total Harmonic Distortion(THD)”
También se le conoce como factor armónico o factor de distorsión. Se definió como consecuencia de
la necesidad de poder cuantificar numéricamente los armónicos existentes en un determinado punto
de medida.
Es la relación del valor rms de la distorsión y el valor rms de la fundamental. Debido a que la
fundamental no contribuye a la distorsión, el valor efectivo de la distorsión es la raíz de la suma de
los cuadrados de los valores rms de las armónicas, de la segunda en adelante. Matemáticamente se
escribe:
valor rms de la distorsión I 22 + I 32 + I 24 + I 52 + ... + I 2nmax

THD = = E 1.24
valor rms de la fundamental I1
Al incluir el valor rms de la fundamental, I1, dentro del radical se obtiene:
2 2 2 2 2 2
⎛I ⎞ ⎛ I3 ⎞ ⎛ I 4 ⎞ ⎛ I5 ⎞ ⎛I ⎞ nmax
⎛ In ⎞
THD = ⎜⎜ 2 ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ + ⎜⎜ ⎟⎟ + ... + ⎜⎜ nmax ⎟⎟ = ∑ ⎜⎜ ⎟⎟ E 1.25
⎝ I1 ⎠ ⎝ I1 ⎠ ⎝ I 1 ⎠ ⎝ I 1 ⎠ ⎝ I1 ⎠ n = 2 ⎝ I1 ⎠
In
el cociente es el valor rms de la armónica n dividido por el valor rms de la fundamental.
I1

Fig 1.10 Cuando una instalación eléctrica se ve afectada por numerosos

armónicos es posible que la distorsión total armónica supere el 100% lo que
indicaría que en esa instalación o punto de medida hay más armónicos que
componente fundamental
Cuando una señal no contiene armónicos, o es casi senoidal, su THD es
cercano al 0%. Por tanto se debe tratar de que el THD sea lo más bajo
posible.
¾ Valor efectivo o valor rms

El valor efectivo o valor rms de una función periódica indica la energía que tiene una determinada
señal y es la raiz cuadrada del valor promedio de la función al cuadrado.
Matemáticamente se escribe:
1
(t ) = (t )dt
T
Frms = ∫
2 2
promedio de f f E 1.26
T 0
El valor rms de una senoidal es el valor pico entre 2 . El valor rms de una función formada por
componentes senoidales de frecuencia distinta está dado por la raiz cuadrada de los cuadrados de los
valores rms de dichas componentes, esto es, el valor rms de:
i (t ) = 2 I 1 sen(ω1t ) + 2 I 2 sen(ω 2 t ) + 2 I 3 sen(ω 3t ) E 1.27
está dado por I rms = I 12RMS + I 22RMS + I 32RMS , si las frecuencias angulares ω1 , ω 2 y ω 3 son
distintas.
Fig 1.11 Medición del valor rms total
¾ Factor de cresta:
El factor de cresta es un factor de deformación, que relaciona el valor de pico (cresta) de una onda
sinusoidal y el valor eficaz de la misma señal.
valor pico
f .c. = E 1.28
valor rms

Debido a que el valor rms de una senoidal es el valor pico entre 2 , el factor de cresta de una
senoidal es 2.
Fig 1.12 El valor de factor de cresta CF es un indicación de la cantidad de

distorsión. Un factor de cresta elevado equivale a una alta distorsión.
¾ Valor promedio
El valor promedio de una forma de onda periódica es el área bajo la curva de la onda en un periodo
T, entre el tiempo del periodo. Tiene la siguiente expresión matemática:
área bajo la curva 1 T
Fprom = = ∫ f (t ) dt E 1.29
periodo en segundos T 0
2
El valor promedio de una senoidal es cero, el valor promedio de una senoidal rectificada es VP ,
π
siendo V P el valor pico de la senoidal.
¾ Factor de potencia y cos φ
Habitualmente se tiende a pensar que el factor de potencia y el cos φ son lo mismo, esto es cierto
solamente cuando no hay armónicos.
El factor de potencia es la relación entre la potencia activa y la potencia aparente:

P
FP = E 1.30
S
El cos φ es la relación que existe entre las componentes fundamentales de la potencia activa y la
potencia aparente.
Fig 1.13 Se observa como el factor de potencia y el cos φ son

diferentes, esto indica que en el punto donde hayamos hecho las
medidas tenemos armónicos.

El factor de potencia y el cos φ sólo son iguales

cuando no existen armónicos.
¾ Factor de desclasificación K
El factor K es un factor de desclasificación de los transformadores que indica cuánto se debe reducir
la potencia máxima de salida cuando existen armónicos. La expresión matemática es la siguiente:
I pico f .c.
K= = E 1.31
I rms ⋅ 2 2
Se trata de medir el valor de pico y la corriente eficaz en cada fase del secundario del transformador,
calcular sus promedios y utilizar la fórmula anterior. Así por ejemplo, si una ve medido en el
secundario del transformador de 1000 KVA se encontrara que el factor de desclasificación K vale
1,2; entonces la máxima potencia que podríamos demandar del transformador, para que éste no se
sobrecalentase y no empezara a distorsionar la tensión, sería de 833 KVA (1000 KVA/1,2 = 833
KVA).
Fig 1.14 La instrumentación de medida especializada en la medición

y análisis de armónicos facilita este valor del factor K, evitando
complejos cálculos matemáticos.
Si esta medida se hubiera hecho en el secundario del transformador
de entrada, la potencia máxima tendría que reducirse en un factor de
3,7 veces.
El Factor K de desclasificación se debe utilizar para reducir la potencia máxima

del transformador sólo cuando la medida está hecha en el secundario del
mismo. Cuando la medida se hace en cualquier otro punto de la instalación, el
factor K no tiene utilidad.
En el siguiente cuadro podemos observar las diferentes medidas comentadas anteriormente.

Fig 1.15 Medidas
1.6.2 ANÁLISIS DE FOURIER USANDO PSPICE (A partir de la instrucción .FOUR)
Fig 1.16 Interpretación del listado de Fourier obtenido con la simulación mediante Pspice
En el gráfico anterior tenemos señaladas con un recuadro cada una de las partes del listado que
ofreceremos en cada simulación, donde:
1. Línea para el nombre del archivo .Cir y ejemplo al que pertenece.

2. Tipo de análisis del parámetro indicado en esta misma línea.
3. Componente continua que tiene la señal.
4. Columna que contiene el número de orden de cada armónico.
5. Columna que nos da la frecuencia de cada uno de los armónicos.

6. Amplitud máxima de cada uno de los armónicos.

7. Amplitud máxima normalizada o factor de distorsión de cada armónico.
8. Fase de cada armónico con respecto al parámetro analizado.
9. Fase de cada armónico normalizado respecto al fundamental. (Se obtienen restándole la fase
del fundamental a la columna 8).
10. Distorsión armónica total que ofrece Pspice utilizando para el cálculo los nueve armónicos
que analiza.
Los valores que ofrece Pspice (tanto en las gráficas como en el listado de componentes de Fourier)
son valores de pico, por tanto, para hacer la comparación con los datos teóricos hay que tener esto en
cuenta y hacer la corrección oportuna, por ejemplo:
VO1 VO1( PSpice )

VO1 = → VO1( RMS ) =
2 2
Los datos obtenidos teóricamente y los que el programa ofrece son muy similares, aunque existirá
una pequeña diferencia debida a que el programa realiza los cálculos con componentes semirreales.
Estos cálculos se pueden aproximar más a los reales cuanto más complejos sean los modelos de los
componentes utilizados en Pspice.
La variación existente entre la distorsión armónica total THD que proporciona Pspice por defecto con
respecto a la teórica se debe a que el programa, por defecto, sólo tiene en cuenta los nueve primeros
armónicos.
Existe otra forma de representar el desarrollo de Fourier y que se conoce como espectro frecuencial.
Este espectro no es otra cosa que el diagrama donde se representan las amplitudes de cada uno de los
armónicos que constituyen una onda. La amplitud de los armónicos decrece rápidamente para ondas
con series que convergen rápidamente. Las ondas con discontinuidades, como la onda de dientes de
sierra o la onda cuadrada, tienen un espectro cuyas amplitudes decrecen lentamente, ya que sus
desarrollos en serie tienen armónicos de elevada amplitud.
A continuación se muestra un análisis del espectro frecuencial, así se pueden comparar los dos tipos
de representación mediante Pspice:
Da te/Time ru n: 01/31/96 12:53:52 Tem perature: 27.0
FUNDAMENTAL
(5 0.00 0,30 .35 5)
30V
ARMONICO 3
(1 50.0 00,1 0.1 18)
20V
ARMONICO 5
(2 50.0 00,6 .07 10)
ARMONICO 7
(3 50.0 00,4 .33 65)
10V ARMONICO 9
(4 49.9 82,3 .39 09)
Fig 1.17
Espectro frecuencial de las componentes de
Fourier
0V
0H 0.2KH 0.4KH 0.6KH 0.8KH 1.0KH 1.2KH
V (3,0)
Freq uenc y
1.7 Algunos equipos deformantes

o Rectificador cargador
Las cargas tienen su manera típica de consumir; en particular los rectificadores cargadores totalmente
controlados, tienen esta forma característica de doble ojiva.

En este caso la ojiva es poco pronunciada, gracias a la inductancia serie que se utiliza para la
atenuación armónica.
En la figura podemos observar la forma de onda de la corriente absorbida y su espectro armónico:
o Variador de velocidad
El variador de velocidad es una carga muy deformante con un alto contenido armónico, que alcanza
valores de distorsión de corriente superiores al 100%, lo cual quiere decir que superan los armónicos
a la corriente fundamental.
Como podemos observar en la gráfica, la tasa de distorsión global se sitúa en el 124%, lo que nos da
una idea de lo altamente contaminante que es esta carga.
Sus armónicos individuales son de una magnitud elevada comenzando por el quinto, que se sitúa en
el 81% de la corriente fundamental, seguido del séptimo con un 74%, el decimo primero con un 42%
y el décimo tercero con n valor importante.
También hay que destacar el elevado factor de cresta, que provoca una corriente de pico muy elevada
e inestable debido a los constantes arranques y paradas.

1.8 Cálculos con ondas periódicas no sinusoidales

1.8.1 FUENTE NO SINUSOIDAL Y CARGA LINEAL
Si se aplica una tensión periódica no sinusoidal a una carga que sea una combinación de elementos
lineales, la potencia absorbida por la carga puede determinarse utilizando superposición.
Una tensión periódica no sinusoidal es equivalente a la combinación en serie de las tensiones de la
correspondiente serie de Fourier.
La corriente en la carga puede determinarse utilizando superposición y la siguiente ecuación:
∞
Vn I n
Pav = V0 I 0 + ∑ cos(ϕ n − θ n ) E 1.32
n =1 2
1.8.2 FUENTE SINUSOIDAL Y CARGA NO LINEAL

Si una fuente de tensión sinusoidal se aplica a una carga no lineal, la forma de onda de la corriente no
será sinusoidal pero puede representarse como una serie de Fourier. Si la tensión es la sinusoide:
v(t ) = V1sen (ω 0 t + θ1 ) E 1.33
y la corriente se representa mediante la serie de Fourier:

∞
i(t ) = I 0 + ∑ I n sen (nω 0 t + Φn ) E 1.34
n =1
la potencia media absorbida por la carga se calcula a partir de la [E 1.32 ]
∞
⎛V I ⎞
P = V0 I 0 + ∑ ⎜ n max n max ⎟ cos(θ n − Φn ) E 1.35
n =1 ⎝ 2 ⎠
V1 I1 ∞
⎛ (0 ) ⋅ I nmax ⎞
P = (0) ⋅ (I 0 ) + cos(θ n − Φn ) + ∑ ⎜ ⎟ cos(θ n − Φn ) = V1rms I 1rms cos(θ1 − Φ1 )
2 n =2 ⎝ 2 ⎠
El único término de potencia distinto de cero es el correspondiente a la frecuencia de la tensión
aplicada.
En el cuadro siguiente se resume lo comentado anteriormente.
Potencia activa
- Significado físico aceptado. Lectura complementaria
- Promediada en un ciclo [1_13]
- Transportada a la frecuencia
fundamental, f1
P= V1rms·I1rms·cos φ1 [W]
Potencia reactiva
Potencia aparente - Significado físico aceptado.
S=Vrms·Irms [VA] - Transportada a la frecuencia
fundamental, f1
Q= V1rms·I1rms·sen φ1 [VAr]
Potencia NO activa
- Ortogonal a P
S2+P2 [VA]
Potencia de Distorsión
- Significado físico aceptado.
- Símbolo no aceptado
D2=S2-P2+Q2 [VA]

1.9 Efectos de los armónicos

Cualquier señal que circule por la instalación eléctrica, ya sea de corriente o de
tensión, y cuya forma de onda no sea senoidal, puede provocar daños en ella o
en los equipos conectados a la misma.
Cuando una corriente está deformada, es decir, cuando su forma de onda no es senoidal, se dice que
contiene armónicos. Los efectos de los armónicos son numerosos, unos se observan a simple vista, o
se escuchan, otros necesitan de medidores de temperatura para comprobar el calentamiento de cables,
arrollamientos o pletinas, y finalmente otros necesitan de equipos especiales como medidores de
armónicos, o analizadores para poder cuantificar la importancia de los armónicos en un punto de la
instalación.
Los efectos de los armónicos son los siguientes:
Grandes corrientes por el conductor neutro (sobrecalentamiento de los cables)

Sobrecalentamiento de los cables por el efecto piel (señales de alta frecuencia)
Disparos indeseados de interruptores
Baterías de condensadores(resonancia, amplificación armónica)
Acoplamiento línea telefónica
Sobrecalentamiento transformador (desclasificación, aumento de K)
1.9.1.- IMPORTANCIA DEL NEUTRO

Un sistema trifásico son tres generadores de corriente alterna monofásica en los que un extremo de
cada uno de los tres bobinados se han unido en un punto central, formando un generador trifásico que
crea tres tensiones del mismo valor pero con un desfase mutuo de 120º.
Cuando el sistema esta equilibrado, la suma de las tres corrientes que en un instante dado pasan hacia
dicho punto central es constantemente igual a cero, es decir, si la corriente de ida va por un
conductor, la de retorno se distribuye entre los otros dos.
En las redes de distribución de baja tensión suele incluirse el conductor que corresponde al punto
central de la conexión en estrella, llamado conductor de neutro, que siempre está unido a tierra. En
estas redes de distribución, la corriente que circula por el neutro es igual a la suma vectorial de las
tres corrientes de fase, por lo que si las cargas de las tres fases están correctamente equilibradas y la
corriente es senoidal, la resultante por el conductor neutro es nula o muy reducida.
Esto es cierto para la frecuencia fundamental, pero cuando se presentan armónicos mezclados con la
corriente fundamental, en los circuitos trifásicos con cargas no lineales, las armónicas de orden impar
(3ª, 9ª, 15ª, etc.), no se cancelan sino que se suman en el conductor neutro, por lo que la corriente por
el conductor neutro puede ser mayor que la corriente de fase. El peligro consiste en un excesivo
sobrecalentamiento del cable neutro, además de causar caídas de voltaje, entre el neutro y la tierra,
mayores de lo normal.

Fig 1.18 Presencia de armónicos mezclados con la corriente fundamental
El valor eficaz de la intensidad de esta corriente del conductor neutro es simplemente igual a la suma
aritmética de las tres corrientes armónicas de orden 3 de cada una de las fases.
La existencia de estos armónicos, que se pueden presentar incluso aun cuando los equipos cumplan
con las normas de limitación de armónicos, provoca una serie de problemas entre los que se podrían
destacar: un fuerte incremento de las pérdidas en las instalaciones por aumento de la resistencia de
los conductores por efecto piel y por efecto proximidad.
Los efectos “piel” y “proximidad” consisten en que, cuando una corriente alterna pasa a través de un
conductor de un cable, se crea a su alrededor un campo magnético variable que induce una diferencia
de tensión en su seno o en los conductores situados en su proximidad, lo que provoca unas corrientes
que se oponen parcialmente a las que recorren estos conductores, ocasionando un aumento de su
resistencia óhmica y de las pérdidas por efecto Joule que se generan en dichos cables.

Fig 1.19 Corriente por el conductor neutro: Carga no lineal
Fig 1.20 Sección reducida
1.10 Legislación
La magnitud del problema de los armónicos está aumentando alarmantemente como consecuencia de
la proliferación de la electrónica de potencia, en todos los niveles del sistema, desde los puntos de
generación hasta la utilización de la energía eléctrica.

Las empresas de suministro de energía aceptan la necesidad ineludible de establecer normativas, cuya
implantación requiere el desarrollo de sistemas de medida y control, de precisión y fiabilidad
aceptables. Organizaciones internacionales tales como CENELEC, IEC o IEE mantienen Comités
dedicados a la especificación de normativas concretas en este campo.
Organismos de normalización
Los diferentes organismos que elaboran las normas que deben aplicar los instaladores y los
fabricantes de material eléctrico son los siguientes:
• CEI: Comisión electrotécnica internacional. Las normas relacionadas con esta comisión son
reconocidas por la designación CEI
• CENELEC: Comité europeo de normalización electrotécnica. Estas normas se identifican
mediante la designación EN, ENH o HD.
• AENOR: Asociación española de la normalización y certificación. Se identifica con la
designación UNE.
Fig 1.21 Organismos de normalización
Una norma es un conjunto de reglas, de descripciones o incluso de metodologías que un fabricante

utiliza como referencia, con el fin de definir el producto que fabrica y de realizar las pruebas de los
productos elaborados.
Cuando el CENELEC desea elaborar una norma por iniciativa propia, somete el proyecto de la norma
a la CEI, quien asume la elaboración de la norma a nivel internacional.
Las normas relativas a la compatibilidad electromagnética (CEM) establecidas por la CEI llevaban en
otro tiempo la referencia CEI 1000-X-X y las del CENELEC, la referencia EN 61000-X-X.
Actualmente, para evitar confusiones, las normas CEI y EN emplean la misma referencia: la norma
CEI 1000-X-X será entonces equivalente a la norma EN 61000-X-X.

Fig1.22 Principales normas relativas a los armónicos
Normas CEI
Fig 1.23 Normas CEI. Los límites en las corrientes armónicas de los equipos informáticos son establecidos a través de las clases A y D y en
función de la potencia absorbida por dichos equipos

La clase D es la más controvertida debido a que cuenta con una forma de onda especial generada por
el circuito rectificador y el condensador de filtrado, la cual es la más utilizada en la mayoría de
equipos electrónicos de alimentación. En la mayoría de aplicaciones mencionadas hasta ahora los
equipos utilizados se catalogarán en clase A o D, dependiendo de si la forma de onda de la corriente
de entrada en un semi-periodo (referida a su valor de pico) está dentro de la máscara definida en la
figura, al menos el 95% de la duración de cada semi-periodo, donde si esto se verifica dicho equipo
pertenecerá a la clase D.
Norma IEE 519
La normativa más reciente para el control del contenido armónico ha sido recopilada por el grupo de
trabajo IEE-PES en el documento IEE 519.
Los límites recomendados se refieren a las condiciones más desfavorables en régimen permanente de
funcionamiento; durante transitorios
Armónicas
(a) Voltaje THD (%)
individuales (%)
V < 69 kV 3.0 5.0
69kV<V<161 kV 1.5 2.5
V>161kV 1.0 1.5
Límites de distorsión para la tensión
El propósito de la IEEE 519 es el de recomendar límites en la distorsión armónica según dos criterios
distintos, específicamente:
1. Existe una limitación sobre la cantidad de corriente armónica que un consumidor puede
inyectar en la red de distribución eléctrica.
2. Se establece una limitación en el nivel de voltaje armónico que una compañía de distribución
de electricidad puede suministrar al consumidor.
1.11 Soluciones
Para poder atenuar o evitar que los armónicos sigan causando serios problemas y prevenir los que nos
pudieran causar en el futuro, las diferentes soluciones son las siguientes:
¾ Soluciones electrotécnicas
1) Sobredimensionamiento
Con fuentes de mayor potencia y pletinas y cables de mayor sección se consigue que el efecto de los
armónicos en las instalaciones provoque menos incidencias y tarde más en manifestarse.
2) Transformadores con diferentes acoplamientos

Si utilizamos una transformador triángulo/estrella mantendrá en ese punto de la instalación al
armónico tercero, noveno y múltiplo de 3.
Si las cargas generadoras de armónicos son trifásicas, predominan principalmente los armónicos
quinto y séptimo y por tanto la solución anterior no es la adecuada. En su lugar se utilizará el
transformador de doble secundario.
3) Filtros pasivos
Cuando en una instalación se realiza un estudio porque se han detectado determinados problemas, se
pueden ver qué armónicos están presentes y observar cuál de ellos tiene una magnitud mayor que el
resto.

Se puede desarrollar un filtro acorde con ese armónico en particular para atenuarlo de manera
significativa y si es posible anularlo.
¾ Compensador activo de armónicos

El compensador se intercala en paralelo entre la fuente y la carga, su funcionamiento está basado en
el principio de reinyección de corriente. Este método permite realizar un muestreo de los armónicos
que hay en cada momento en la red y los corrige de forma prácticamente instantánea, pudiendo
distinguir y tratar con independencia, los armónicos correspondientes a cada una de las fases en una
instalación trifásica, controlando y reduciendo también de manera muy eficaz, los armónicos que
circulan por el neutro.
[1_14]


EDMINISTER, J. E. Circuitos eléctricos. Ed. McGraw-Hill, 1991.
FÉLICE, Eric. Perturbaciones armónicas. Ed. Paraninfo, 2000.
PEREZ, A. A. Y OTROS. La amenaza de los armónicos y sus soluciones. Ed. Paraninfo, 1999.
ARRILLAGA, J; EGUILUZ, L. I. Armónicos en sistemas de potencia. Universidad de Cantabria.
Eléctrica Riesgo, 1994.
DOVAL, J.; MARCOS, J. Potencia Eléctrica y factor de potencia: Medida de las componentes con
osciloscopios digitales. Mundo Electrónico. Mayo 2002.
MANUAL FLUKE 43B


DE POTENCIA

Diodo de potencia (características estáticas y dinámicas. Conexión serie, conexión
paralelo), tiempos de conmutación. Transistor bipolar (Características. Tiempos de
conmutación. Calculo de la potencia disipada. Curva SOA y fenómenos de ruptura.
Ataque y protecciones)

[email protected]
2.1 Diodo de Potencia 1
2.1.1 Características estáticas 1

Modelos estáticos del Diodo 1
Simbología 1
Parámetros en estado de bloqueo 2
Parámetros en estado de conducción 2
Potencia media disipada por el diodo en conducción 3
2.1.2 Características dinámicas del Diodo de Potencia 4

Paso de conducción a corte, Turn off 5
Paso de corte a conducción, Turn on 7
2.1.3. Tipos de diodos de potencia 7
2.1.4. Asociación de Diodos de Potencia 7

Asociación de diodos en serie 7
Asociación de diodos en paralelo 9
2.2 Transistor Bipolar, BJT 11
2.2.1 Características del transistor Bipolar 11

2.2.2 Tiempos de Conmutación 14
2.2.3 Disipación de potencia en conmutación 15
2.2.4 Conmutación del BJT. Circuitos de control 18
2.2.5 Área de funcionamiento seguro, SOA 20
2.2.6 Protección del BJT 21
2.2.7 Circuitos de protección del BJT 22
Red snubber para el transitorio Turn on (Encendido) 23
Red snubber para el transitorio Turn off (Apagado) 23
2.3 El Transistor Mosfet de Potencia 26
2.3.1 Regiones de trabajo del MOSFET 27

Región Óhmica. 28
Región Activa (Saturación de Canal) 28
Región de Corte 29
2.3.2 Circuitos de excitación para mosfet 29
2.4 Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT 31
2.5 Optoacopladores 32
2.6 Relés de Estado Sólido, SSR 32

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
2.1 Diodo de Potencia
El elemento rectificador de potencia más común es el diodo de potencia.

Las características de los diodos de potencia son, en general, similares a
las de los diodos normales, idealmente presenta dos estados bien
diferenciados: corte y conducción. El paso de un estado a otro no se
realiza de forma instantánea y en dispositivos en los que el
funcionamiento se realiza a elevada frecuencia, es muy importante el
tiempo de paso entre estados, puesto que éste acotará las frecuencias de
Fig 2.1 trabajo.
Diodo de potencia. Simbología
En cuanto a márgenes de funcionamiento, hay diodos que en estado de conducción pueden llegar a
soportar corrientes medias superiores a los 1.500 A llegando hasta tensiones inversas superiores a los
2.000 V. El silicio es el elemento semiconductor más empleado puesto que es capaz de soportar
elevadas intensidades en conducción y grandes tensiones inversas con bajas corrientes de fuga en
corte. El único procedimiento de control posible, es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
2.1.1 CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS

Las características estáticas del diodo de potencia, se estudian definiendo conceptos tales como
modelos estáticos y parámetros en estado de bloqueo y de conducción.
Modelos estáticos del Diodo

En estado de conducción, tres son los modelos que podemos utilizar para el diodo semiconductor en
función de la precisión que se requiera en los cálculos. En la figura 2.2 están representados junto con
la curva tensión - intensidad que caracteriza a cada modelo.
i i i
Tensión de codo
[2_1]
Curva real de un dispositivo

vD vD vD [2_2]
E E RD
Fig 2. 2
Modelos estáticos del diodo
+ vD - + vD - + vD - a) Modelo ideal
(a) (b) (c) b) Primera aproximación
c) Segunda aproximación, modelo real
El modelo ideal asemeja el diodo a un cortocircuito, despreciando la tensión de codo E, que sí es

considerada en la primera aproximación. La resistencia interna RD, junto a la tensión de codo también
se considera en la segunda aproximación.
El modelo equivalente para el diodo de potencia en corte puede asemejarse a un interruptor abierto
en el que se desprecian las corrientes de fuga del dispositivo.
Simbología
La simbología usada más comúnmente en electrónica de potencia se resume en el siguiente esquema,

por ejemplo: VRSM Tensión inversa máxima no repetitiva

Fig 2. 3 Simbología empleada
Parámetros en estado de bloqueo

Cuando un diodo se encuentra en estado de bloqueo, es decir, cuando no conduce existen una serie de
valores de tensión que no pueden ser sobrepasados. En la figura 2.4 se han representado los valores
máximos de tensión inversa ánodo - cátodo que puede soportar un diodo momentáneamente o de
manera continuada, sin que el dispositivo semiconductor corra el peligro de destruirse.
• VRWM Tensión inversa de trabajo máxima. Es la tensión que puede ser soportada por el diodo de
forma continuada sin peligro de calentamientos.
• VRRM Tensión inversa de pico repetitivo. Es la tensión que puede ser soportada en picos de 1 ms
repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
• VRSM Tensión inversa de pico no repetitivo. Es la tensión que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10 ms.
• VR Tensión de ruptura. Si es alcanzada, aunque sea por una sola vez con duración de 10 ms o
menos, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.
• IR Intensidad de fugas. Intensidad que circula por el dispositivo de potencia cuando está
bloqueado.
Fig 2. 4
Parámetros en estado de bloqueo.
Tensiones inversas en el diodo
Parámetros en estado de conducción

Cuando el diodo conduce también es importante no sobrepasar los valores de corriente permitidos
por el dispositivo y que son facilitados por el fabricante.
• IF (AV) Intensidad en directo media nominal. Es el valor medio de la máxima intensidad de

impulsos senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la cápsula mantenida a determinada
temperatura.

• IFRM Intensidad en directo de pico repetitivo. Puede ser soportada cada 20 ms por tiempo
indefinido, con duración del pico de 1 ms a determinada temperatura de la cápsula.
• IFSM Intensidad en directo de pico no repetitivo. Es el máximo pico de intensidad aplicable por
una vez cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10 ms.
Algunos fabricantes dan la intensidad nominal en valor eficaz y no en valor medio, cuestión que hay
que tener en cuenta cuando se comparan diodos de distintas marcas.
Datos del diodo en corte Datos del diodo en conducción

[2_3] [2_4]
Potencia media disipada por el diodo en conducción
La potencia instantánea que disipa un diodo será:
p d (t) = v d (t) ⋅ i d (t) E 2. 1
Fig 2.5
Potencia instantánea disipada por el diodo en conmutación
La potencia media responde a la integral definida, de la potencia instantánea en un periodo, dividida

por la duración del periodo T.
1T
Pd(AV) = ∫ v d (t) ⋅ id (t) ⋅ dt E2.2
T0
Considerando la tensión de codo, VD y la resistencia interna, RD del diodo y sustituyendo en la

ecuación [E2.2]
1T V T
RD T 2
Pd(AV) = ∫ ( VD + i d ⋅ R D ) ⋅ i d ⋅ dt = D ∫ i d ⋅ dt + ∫ id ⋅ dt E2. 3
T0 T 0 T 0
Esta expresión consta de dos términos; en el primero aparece la intensidad media, y en el segundo, la
intensidad eficaz al cuadrado.
Pd(AV) = VD ⋅ I dc + R D ⋅ I 2rms E2. 4
La potencia media no sólo depende de la intensidad media, sino también del valor eficaz
de la señal y por lo tanto, del factor de forma, a.
I RMS
a= E2. 5
I DC

Generalmente el fabricante proporciona información en las hojas de características del dispositivo

semiconductor, por medio de tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una
intensidad conocida. También proporciona curvas que relacionan la potencia media con el factor de
forma.
Ejemplos de curvas proporcionadas por el fabricante
[2_5]
Tipos de curvas
[2_6]
Sch o ttk y Re ctifie r

Ab s olute M axim um Rating s * T A = 25°C unles s otherw is e noted
Sym b o l Par am e te r V alue Units

V RRM Max imum Repetitiv e Rev ers e V oltage 20 V
IF(A V ) A v erage Rec tif ied Forw ard Current 500 mA 500 mA
IFSM Non Repetitiv e Peak Forw ard Current 5.5 A
(Surge applied at rated load c onditions half w av e, s ingle phas e, 60 Hz )
Ts tg Storage Temperature Range -65 to +150 ºC
Tj max Operating Junc tion Temperature -65 to +150 ºC
*Thes e ratings are limiting v alues abov e w hic h the s erv ic eability of any s emic onduc tor
dev ic e may be impaired.
Th e r m al Char acte r is tics

R θ JA Thermal Res is tanc e Junc tion to A mbient* 340 °C/W 340 º C/W
R θ JL Thermal Res is tanc e Junc tion to Lead 150 °C/W 150 º C/W
*FR-4 or FR-5 = 3.5 x 1.5 inc hes us ing minimum rec ommended Land Pads .
Ele ctr ical Ch ar acte r is tics T A = 25°C unles s otherw is e noted

VF Forw ard V oltage @ IF = 100 mA , 300 mV
IF = 100 mA , TA = 100 °C 220 mV
IF = 500 mA , 385 mV
IF = 500 mA , TA = 100 °C 330 mV
IR Rev ers e Current @ V R = 10 V , 75 µA
V R = 10 V , TA = 100 °C 5.0 mA
V R = 20 V , 250 µA
V R = 20 V , TA = 100 °C 8.0 mA
Fig 2.6 Hoja de características.
Cuestión didáctica 2.1
Observar y comentar los diferentes datos e información que se pueden obtener a partir
de las hojas de características de un diodo.
2.1.2 CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS DEL DIODO DE POTENCIA

Cuando en el estudio del comportamiento de los dispositivos semiconductores se quiere profundizar
en los transitorios provocados por la conmutación, hay que tener en cuenta las características
dinámicas, dado que los dispositivos no son ideales, se requiere un tiempo, para conseguir el paso de
corte a conducción, ton y de conducción a corte, toff.

Paso de conducción a corte, Turn off

Cuando un diodo se encuentra conduciendo una intensidad, Id la zona central de la unión p-n está
saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea dicha
intensidad. Si el circuito exterior fuerza la disminución de la corriente con una cierta velocidad, di/dt
aplicando una tensión inversa, resultará que después del paso por cero de la señal i(t), hay un periodo
en el cual cierta cantidad de portadores cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo
conduzca en sentido contrario. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después
de un tiempo, ts durante el cual los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión una zona de
carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tf en pasar de un valor de pico negativo Irr a un
valor prácticamente nulo, mientras se va descargando la capacidad interna de la unión.
Esta capacidad se puede considerar como la suma de la Capacidad de Difusión, Cdif y la Capacidad
de Depleción o de transición, Cj La primera es proporcional a la corriente por el diodo y sólo tiene
relevancia con éste polarizado en directo, mientras que la segunda, aparece con el diodo polarizado
en inverso.
Fig 2. 7
Variación de la capacidad interna en función de
la tensión inversa. Observar que para valores
mayores de tensión inversa, la capacidad varía
muy poco por lo que se puede considerar
constante
Fig 2. 8
En el paso de conducción a corte, la corriente por el diodo evoluciona
desde valores positivos a valores negativos hasta que finalmente se
anula. El tiempo de recuperación inverso, trr adquiere una gran
importancia a la hora de trabajar en conmutación, pues limita la
máxima frecuencia de trabajo.
Tiempo de recuperación inverso, trr Comprende el intervalo de tiempo desde que la corriente if
pasa por cero en el cambio on – off hasta que la corriente vuelve a adquirir el 10 % del valor Irr.
También se puede definir como el periodo durante el cual el diodo permite la conducción en
sentido negativo. Está compuesto por la suma del tiempo de almacenamiento, ts y el tiempo de
caída, tf
t rr = t s + t f E2. 6
Tiempo de almacenamiento, ts Es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

intensidad hasta que se alcanza el pico negativo y es debido a la acumulación de portadores en la
región de deplexión de la unión.

Tiempo de caída, tf Es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta
se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la
práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la corriente hasta que se alcanza el 10%
de dicho valor.
Carga eléctrica almacenada o desplazada, Qrr
Factor de suavizado, S Es la relación entre los tiempos de caída y almacenamiento.
tf
S= E2. 7
ts
Fig 2. 9 Forma de onda de la corriente por el diodo, según el valor del factor de suavizado, S
Para el cálculo de los parámetros Irr y Qrr hay que tener en cuenta la pendiente di/dt que representa la
disminución de intensidad por el diodo y el área de un triangulo, Qrr cuya base y altura son
respectivamente trr e Irr, que representa la carga almacenada en la unión p-n, durante el paso a corte
del dispositivo, puesto que normalmente ts y tf suelen ser desconocidos se pueden suponer dos casos;
que tf es despreciable frente a ts con lo cual trr es igual a ts y que ambos son iguales a la mitad de trr
di 1
I rr = t s ⋅ Q rr = t rr . I rr E 2. 8
dt 2
Primera suposición
Q rr di
t f = 0 ⇒ t s = t rr t rr = 2 ⋅ I rr = 2 ⋅ Q rr ⋅ E 2. 9
di dt dt
Segunda suposición
trr Q rr di
ts = tf = t rr = 4 ⋅ I rr = Q rr ⋅ E2.10
2 di dt dt
Una vez realizados los cálculos para ambos supuestos se elige siempre el peor de los casos: mayor trr
o mayor Irr según las especificaciones del problema. Pues éste es el que puede perjudicar en mayor
medida al dispositivo semiconductor.

Paso de corte a conducción, Turn on

Por ser prácticamente despreciables los efectos provocados por el tiempo de recuperación directa,
indicar solamente que se conoce como Turn on, al tiempo que transcurre entre el instante en que la
tensión entre el ánodo y cátodo se hace positiva y en el que dicha tensión alcanza el valor normal de
conducción. Es decir el tiempo de paso de corte a conducción.
Características dinámicas
[2_7]
PROBLEMA 2.1
El diodo de potencia BYX 71 actúa inicialmente con una corriente de 2A y una temperatura ideal
de la unión de 25ºC. El diodo opera en un circuito en el cual la corriente es inversa, de 20
Amperios/microsegundo (A/µs). Determinar el tiempo de recuperación inversa, trr, así como la
corriente inversa máxima, IRM
Solución: tf = 0 → trr =265ns; IRM = 5.29 A
tf = ts → trr =374ns;IRM = 3.74 A [Fisher]
2.1.3. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Diodo rectificador normal
Tienen un tiempo de recuperación inversa relativamente alto, típicamente de 25 µs, y se utilizan en

aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperación no es crítico.
Margen de funcionamiento: desde < 1A hasta varios miles de A; 50V...5KV
Diodo de barrera Schottky
En un diodo Schottky se puede eliminar (o minimizar) el problema de almacenamiento de carga de

una unión pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una “barrera de potencial” con un contacto entre un
metal y un semiconductor
Margen de funcionamiento: 1A...300A; Son usados en rectificadores de bajo voltaje para mejorar la
eficacia de la rectificación.
Diodo de recuperación rápida
Los diodos de recuperación rápida tienen un tiempo de recuperación bajo, por lo general menor que
5µs. Esta característica es especialmente valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta variación de
corriente tan rápida necesitará contactos de protección, sobre todo cuando en el contacto exterior
encontramos elementos inductivos.
Margen de funcionamiento: <1A...300A; 50V...3KV
2.1.4. ASOCIACIÓN DE DIODOS DE POTENCIA

Las dos características más importantes del diodo de potencia son: La intensidad máxima en directo y
la tensión inversa máxima de bloqueo. Si las necesidades del circuito pueden llegar a sobrepasar la
capacidad máxima del dispositivo es necesario utilizar varios diodos asociados en serie o en paralelo
según el caso.
Asociación de diodos en serie

Para aplicaciones en las que aparecen tensiones inversas elevadas por rama, como por ejemplo en
rectificadores de potencia, la capacidad de bloqueo de un único diodo puede no ser suficiente. Será

necesario una conexión serie de dos o más elementos. Si los elementos están colocados en serie,
tendrán la misma corriente de fugas, sin embargo, presentan tensiones inversas diferentes.
Esto podría causar que alguno de los diodos pudiera destruirse por sobrepasamiento de su tensión
inversa máxima.
Fig 2. 10
Tensiones inversas y corrientes de fuga en dos
diodos distintos
Este problema puede resolverse conectando resistencias en paralelo con cada diodo.
Fig 2. 11
Asociación de diodos en serie
Para que estas resistencias sean efectivas, deben conducir una corriente mucho mayor que la
corriente de fugas del diodo.
I = I S1 + I R1 = I S2 + I R2 E 2.11
Vd1 V
I S1 + = I S2 + d2 E 2.12
R1 R2
Si R = R1 = R2
Vd1 V
I S1 + = I S2 + d2 E 2.13
R R
PROBLEMA 2.2
Los dos diodos que se muestran en la figura 2.11 están conectados en serie, un voltaje total de
VD = 5 kV. Las corrientes de fuga inversas de los dos diodos son IS1 = 30 mA e IS2 = 35 mA.
(a) Encuentre los voltajes de diodo, si las resistencias de distribución del voltaje son iguales, R1
= R2 = R = 100kΩ.
(b) Encuentre las resistencias de repartición del voltaje R1 y R2, si los voltajes del diodo son
iguales, VD1 = VD2 = VD/2.
(c) Utilice PSpice para verificar los resultados de la parte (a). Los parámetros del modelo PSpice
son: BV = 3 kV e IS = 20 mA para el diodo D1, e IS = 35 mA para el diodo D2
Solución: (a) VD1=2750V, VD2=2250V; (b) R1=100kΩ, R2=125kΩ; [Rashid]
Circuito para la simulación Pspice

PROBLEMA 2.2

PROBLEMA 2.3
Se pretende colocar 3 diodos, de tensión inversa máxima 40V, en serie para soportar una tensión
total de 100V. Calcular las resistencias de ecualización necesarias sabiendo que la corriente
inversa máxima de estos diodos (para 40V de tensión inversa) es de 40mA. ¿Qué nombre recibe
este tipo de ecualización?
Solución:
VRRM 40 V
R eq = = = 1 KΩ
I RM 40 mA
Por d1 no circula corriente inversa y por d2 y d3 circula la máxima, por lo tanto, para estos dos
tenemos:
R eq ⋅ R ⎫
⎪
R eq + R ⎪ 2 ⋅ R eq ⋅ R
⎬→
R eq ⋅ R ⎪ R eq + R
R eq + R ⎪⎭
U Total
u 1 < VRRM = 40 V → u 1 = R ⋅
2 ⋅ R eq ⋅ R
R+
R eq + R
Despejando tenemos: R = 0.3KΩ
R eq min
a= (Parámetro introducido para facilitar el cálculo)
R
U Total
n−
U Total /VRRM − 1 V VRRM
Debe cumplirse que: a > ; R < RRM
U I RM U Total /VRRM − 1
n − Total
VRRM
[Gualda]
Asociación de diodos en paralelo

Esta configuración se utiliza cuando se requieren altas intensidades. Presenta como inconveniente el
reparto desigual de la corriente por cada una de las ramas de los diodos debido a las distintas
características de conducción de los mismos.
Este problema se puede resolver utilizando dos criterios: conectando resistencias en serie con cada
diodo o bien inductancias iguales acopladas en cada rama de la red paralelo. Las resistencias
conectadas en serie ayudan a estabilizar e igualar los valores de intensidad I1 e I2 Las inductancias se
pueden obtener utilizando transformadores con una relación de transformación 1:1 conectados tal y
como muestra la figura 2.12.
El segundo método es aplicable únicamente en condiciones de operación en las que la alimentación
sea pulsatoria o senoidal.
Fig 2. 12
Asociación de diodos en paralelo.
Circuitos de estabilización de corriente
por resistencias e inductancias

PROBLEMA 2.4
Se conectan dos diodos en paralelo de forma que en total tienen que conducir 100A. Determinar
el valor de las resistencias para que ninguno conduzca más de 55A. Calcular la potencia y la
caída de tensión en cada rama.
Datos: VD1=1.5V; VD2=1.8V
Solución:
Suponiendo que algún diodo conduzca 55A, este diodo será el de menor tensión de codo
I1 = 55A
I2 = 45A
Como V = R ⋅ I1 + VD 1 = R ⋅ I 2 + VD 2 , tenemos que la resistencia en cada rama será:
VD 2 − VD 1 1.8 V − 1.5 V
R= = ⇒ R = 0.03 Ω
I1 − I 2 55 A − 45 A
La potencia en cada rama será:
PR 1 = R ⋅ I12 = 0.03 Ω⋅ (55 A ) ⇒ PR 1 = 90.75 W

2
PR 2 = R ⋅ I 22 = 0.03 Ω⋅ (45 A ) ⇒ PR 2 = 60.75 W

2
La caída de tensión en cada rama será:
V = R ⋅ I1 + VD 1 = 0.03 Ω⋅ 55 A + 1.5 V ⇒ V = 3.15 V

[Fisher]
PROBLEMA 2.5
Dos diodos con rango de 800V de voltaje y corriente inversa de 1mA, se conectan en serie a una
fuente de AC de 980 voltios de tensión de pico (Vsmax). La característica inversa es la
presentada en la figura. Determinar:
(a) Voltaje inverso de cada diodo.

(b) Valor de la resistencia a colocar en paralelo de forma que el voltaje en los diodos no sea
superior al 55% de Vsmax.
(c) Corriente total y pérdidas de potencia en las resistencias.
Solución: (a) VD1=700V, VD2=280V; (b) VD1=539V, VD2=441V R=140kΩ; (c) IS=4.55mA,
PR=2.54W
[Ashfaq]

PROBLEMA 2.6
Dos diodos tienen las características presentadas son conectados en paralelo. La corriente total es
de 50A. Son conectadas dos resistencias en serie con los diodos para provocar una redistribución
de la corriente. Determinar:
(a) el valor de la resistencia de forma que por un diodo no circule más del 55% de Imax
(b) Potencia total de pérdidas en las resistencias.
(c) Caída de tensión diodo resistencia.
Solución: (a) R=0.06Ω; (b) PR=75.8W; (c) V=2.95V [Ashfaq]
2.2 Transistor Bipolar, BJT
El transistor bipolar es conocido como un elemento amplificador de señal.

En el contexto de los componentes electrónicos de Potencia, es usado como
un dispositivo de conmutación, ya que, dispone de las características que lo
convierten en un conmutador casi ideal.
A diferencia del transistor bipolar normal, en el cual, la zona de trabajo más

Fig 2. 13 importante es la lineal, en el transistor de potencia los estados más
Transistor de Potencia.
Simbología importantes de funcionamiento son saturación y corte. Estos dos estados se
corresponden con los estados cerrado y abierto del conmutador ideal.
Zonas de funcionamiento Circuito con carga resistiva

[2_8] [2_9]
Los transistores bipolares de alta potencia se utilizan fundamentalmente para trabajar con frecuencias
por debajo de 10KHz y en aplicaciones que requieran 1.200 V y 400 A como máximo.
2.2.1 CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El funcionamiento y utilización del transistor de potencia es idéntico al del transistor normal,
teniendo como característica especial la capacidad de soportar altas tensiones e intensidades y por
tanto elevadas potencias a disipar.
Características a tener en cuenta en el transistor bipolar:
• IC = Intensidad máxima que puede circular por el Colector
• VCE0 = Tensión de ruptura de colector con base abierta, (máxima tensión C-E que se puede
aplicar en extremos del transistor sin provoca la ruptura)
• Pmax = Potencia máxima
• Tensión en sentido directo

• Corriente de fugas
• Frecuencia de corte
• VCBO = Tensión de ruptura colector - base con base abierta
• VEBO = Tensión de ruptura emisor - base con base abierta
• VCEOSUS = Tensión de ruptura por un aumento excesivo de la corriente de colector y de la tensión
C-E
En función de la polarización B-E, se pueden definir otras características:
• VCEO = Tensión de ruptura colector – emisor, con base abierta.

• VCER = Tensión colector – emisor con resistencia de base especificada.
• VCEX = Tensión colector – emisor con circuito especificado entre base – emisor.
• VCEV = Tensión colector – emisor con tensión especificada entre base – emisor.
• VCES = Tensión colector – emisor con unión base – emisor cortocircuitada.
Parámetros en el 2N3055
[2_10]
En relación con los parámetros definidos anteriormente, se puede decir que la VCEmáx depende
esencialmente de tres factores.
• La polarización base - emisor.
• El gradiente de tensión (dV/dt).
• La estructura interna del transistor (tecnología de fabricación).
Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutación un fenómeno complejo

conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha se denomina primera ruptura,
la segunda ruptura se puede definir como la ruptura de la unión debido a efectos térmicos localizados
(creación de puntos calientes).
La primera ruptura se debe a un aumento excesivo de la tensión C - E. Sin embargo, la ruptura

secundaria se produce cuando la tensión C - E y la corriente de colector aumentan excesivamente, de
tal forma que ésta última se concentra en una pequeña área de la unión de colector polarizado
inversamente. La concentración de corriente forma un punto caliente (falta de uniformidad en el
reparto de la corriente) y el dispositivo se destruye térmicamente. Este tipo de ruptura podrá
presentarse tanto en turn on como en turn off.
La figura 2.14 muestra la característica tensión - intensidad de un transistor NPN bipolar de potencia.
Al igual que en uno de pequeña potencia, se pueden distinguir tres zonas: activa, corte y saturación.

Fig 2. 14
Característica V - I de un transistor NPN
bipolar de potencia.
PROBLEMA 2.7
El transistor bipolar de la figura, tiene una β en el rango 8 a 40. Calcular el valor de RB que
resulta en saturación con un factor de sobreexcitación de 5, la βf forzada y la pérdida de
potencia PT en el transistor.
Datos: 8≤β≤40; RC=11Ω; VCC=200V; VB=10V;VCEsat=1.0V; VBEsat=1.5V; ODF=5
Solución:
La corriente de colector en saturación es:
VCC − VCEsat 200 V − 1.0 V

I CS = = ⇒ I CS = 18.091 A
RC 11 Ω
La corriente de base en saturación es:
I CS 18.1 A
I BS = = ⇒ I BS = 2.263 A
β min 8
Normalmente se diseña el circuito de tal forma que IB sea mayor que IBS
IB
El factor de sobreexcitación, ODF, proporciona la relación entre ambas: ODF =
I BS
I B = I BS ⋅ ODF = 2.263 A⋅ 5 ⇒ I B = 11.313 A
VB − VBEsat
El valor de RB se calcula a partir de la ecuación de la corriente de base: I B =
RB
…

…
VB − VBEsat 10 V − 1.5 V
RB = = ⇒ R B = 0.751 Ω
IB 11.313 A
La β forzada, βf, mide la relación entre ICS e IB
I CS 18.091 A
βf = = ⇒ β f = 1.6
I B 11.313 A
La pérdida de potencia total, PT, es:
PT = VBEsat ⋅ I B + VCEsat ⋅ I CS = 1.5 V⋅ 11.313 A + 1.0 V⋅ 18.091 A ⇒

PT = 35.06 W
[Rashid]
2.2.2 TIEMPOS DE CONMUTACIÓN

Para aplicaciones en las cuales se usa el transistor de potencia como interruptor, es necesario hacerle
cambiar de estado, on - off, reiteradamente. El paso de un estado a otro se denomina conmutación y
no se realiza de forma instantánea, sino que requiere un cierto tiempo. En función de la magnitud del
mismo, se verá limitada la utilidad del dispositivo. Esta limitación cobra mayor importancia a medida
que aumenta la velocidad de conmutación o lo que es lo mismo, la frecuencia de control.
En el diseño se deben disminuir los tiempos de conmutación ya que estos tiempos producen picos de
potencia.
Fig 2. 15
Tiempos de conmutación en el transistor
Cada uno de los dos tipos de conmutación, turn on y turn off lleva asociado un tiempo de
conmutación que a su vez se puede subdividir en otros dos tiempos.
Tiempo de encendido, ton Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de corte a
conducción, turn on.
t on = t d + t r E 2.14
Tiempo de retardo (Delay Time, td) Es el que transcurre desde el instante en que se aplica la
señal de entrada al dispositivo conmutador, hasta que la señal de salida alcanza el 10% de su valor
final.
Tiempo de subida (Rise Time, tr) Tiempo que emplea la señal de salida para evolucionar desde
el 10% hasta el 90% de su valor final.

Tiempo de apagado, toff Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de conducción
a corte, turn off.
t off = t s + t f E 2.15
Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts) Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja al 90% de su valor inicial.
Tiempo de caída (Fall time, tf) Tiempo que emplea la señal de salida para evolucionar desde el
90% hasta el 10% de su valor inicial.
Fig 2.16 Tiempo de encendido y tiempo de apagado de un circuito con carga resistiva
Características 2N3055 Turn-on Turn-off

[2_11] [2_12] [2_13]
2.2.3 DISIPACIÓN DE POTENCIA EN CONMUTACIÓN

La disipación de potencia del transistor trabajando en conmutación se puede subdividir en varias
componentes: la potencia en la base, la potencia en estado de corte, la potencia en estado de
conducción y la potencia perdida en las conmutaciones.
La potencia que se utiliza para controlar el terminal de control o base, viene dada por la expresión.
p B (t ) ≈ VBE ⋅ I B E 2.16

Otra pequeña componente es la potencia disipada por el transistor, en estado de corte y viene dada
por la expresión
p off (t ) = v CE (t ) ⋅ i C (t ) ≈ VCC ⋅ I fugas E 2.17
PB y Poff normalmente son despreciables.
El término más importante viene dado por las pérdidas de potencia en conducción
p on (t ) = VCE (sat) ⋅ I C(sat) E 2.18
La energía perdida en la conmutación de corte a conducción se denomina Won y en la conmutación de

conducción a corte, Woff
Si los tiempos asociados a estas componentes son cortos y la frecuencia de conmutación del BJT es
alta, se deberá calcular la potencia media disipada multiplicando los términos de potencia por la
frecuencia de conmutación. Este valor es muy importante para calcular y diseñar el disipador de calor
que deberá acoplarse al dispositivo. La potencia media disipada vendrá dada por la siguiente
expresión.
PD ≈ [ Pon ⋅ t on + (Woff + Won ) ] ⋅ f E 2.19
Si el transistor trabaja con pulsos de frecuencia y amplitud constantes, se puede hallar la energía
disipada en cada ciclo para luego hallar su valor medio mediante integración.
La potencia instantánea disipada por el transistor, se obtiene multiplicando la intensidad de colector
por la tensión colector - emisor en cada instante.
PD ( t ) = i c ( t ) ⋅ v ce ( t ) E 2.20
Si se integra esta expresión respecto del tiempo se tendrá la energía instantánea perdida por ciclo.
W( t ) = ∫ i c ( t ) ⋅ v ce ( t ) ⋅ dt E2.21
La figura muestra como se puede dividir la duración de un pulso, Ton para su posterior estudio, desde
el punto de vista de la disipación de potencia.
Paso de corte a conducción

t 2 − t1 = t on
Intervalo de conducción
t3 − t2 = tn
Paso de conducción a corte
t 4 − t 3 = t off
Duración del pulso
Ton = t on + t n + t off
Fig 2. 17
Pulso de conducción del transistor.
Corriente de colector, ic
Tensión colector emisor, vCE
Potencia disipada, P
Todas ellas en función del tiempo.

Por tanto la energía perdida en el pulso también se puede descomponer como la suma de las energías
perdidas en cada intervalo: ton, tn y toff
W( t ) = Won ( t ) + Wn ( t ) + Woff ( t ) E 2.22
Las energías perdidas se calculan aplicando la ecuación [E2.23] a cada intervalo considerado.
t2
I C(sat) ⋅ VCC ⋅ t on
Won = ∫ iC ( t ) ⋅ v ce ( t ) ⋅ dt = E 2.23
t1 6
t3
Wn = ∫ iC ( t ) ⋅ v ce ( t ) ⋅ dt = IC(sat) ⋅ VCE(sat) ⋅ t n E 2.24
t2
t4
I C(sat) ⋅ VCC ⋅ t off
Woff = ∫ iC ( t ) ⋅ v ce ( t ) ⋅ dt = E 2.25
t3 6
Se puede decir, por tanto, que la energía total perdida en cada pulso será la suma de las energías
obtenidas en las ecuaciones anteriores. Si se divide dicha energía entre el periodo de la señal, T se
obtiene el valor medio de la potencia total disipada por el transistor:
Won + Wn + Woff
PTOT(AV) = E 2.26
T
PROBLEMA 2.8
Las formas de onda de la Fig 2.17 corresponden a un pulso de salida en un transistor de potencia.
Determinar las pérdidas de potencia debidas a la corriente de colector en los siguientes instantes:
(a) Durante ton

(b) Durante el tiempo de conducción, tn
(c) Durante toff
(d) Durante el tiempo de apagado o no conducción, to
Calcular también la potencia de pérdidas total, PT y dibujar la potencia instantánea, PC (t)
Datos: VCC = 250V; VBEsat = 3V; IB = 8A; VCEsat = 2V; ICE = 100A; ICEO = 3mA; td = 0.5µs;
tr=1µs; ts = 5µs; tf = 3µs; fs = 10kHz (frecuencia de trabajo); k = 50% (ciclo de trabajo).
Solución: (a) Pd = 3.75mW; PT = 42.333W Æ Pon = 42.337W. (b) Pn = 97W. (c) Ps = 10W;
Pf=125W Æ Poff = 135W. (d) Po = 0.315W
[Rashid]
En algunas ocasiones no es necesario realizar un análisis tan completo como en el

problema anterior. Hay algunos autores que optan por emplear un método aproximado,
considerando que la VCE (sat) = 0, y la ICEO = 0 y calculando únicamente las pérdidas de
potencia durante el tiempo de subida tr y el de bajada tf. Mediante esta aproximación,
solo se evalúa la pérdida de potencia en los instantes en que se produce la conmutación
del dispositivo, que es cuando se produce una disipación de potencia elevada, como se ha
comprobado en el ejemplo anterior.
¿Como incide la VCEsat sobre las pérdidas totales?

PROBLEMA 2.9
Repetir los cálculos del problema 2.8 teniendo en cuenta las consideraciones y aproximaciones
expuestas en el párrafo anterior.
Observar las diferentes pérdidas de potencia debidas a los diferentes tiempos y valorar
cuales de ellas se pueden despreciar.
Cuando la carga tiene fuerte componente inductiva la evolución de las formas de onda de la tensión y
de la intensidad son las representadas [Fisher]
Fig 2.18 Carga inductiva
Quedando en este caso el cálculo de la disipación de potencia:
1
Wt ON = ⋅ V⋅ I C(sat) ⋅ (t 1 + t 2 ) E 2.27
2
Wcond = VC (sat ) ⋅ I C (sat ) ⋅ t 5 E 2.28
1
Wt OFF = ⋅ V⋅ I C(sat) ⋅ (t 3 + t 4 ) E 2.29
2
Wt ON + Wt OFF + Wcond
PTOT(AV) = = f ⋅ (Wt ON + Wt OFF + Wcond ) E 2.30
T
2.2.4 CONMUTACIÓN DEL BJT. CIRCUITOS DE CONTROL

Como consecuencia de los tiempos de retardo que se producen en el transistor, la puesta en
funcionamiento del mismo en el instante deseado resulta problemática. Inicialmente interesaría una
corriente de base elevada, para disminuir el tiempo de retardo, y finalmente, una corriente de base
negativa, para forzar el bloqueo en el menor tiempo posible. La figura muestra la forma de onda
idónea de la corriente de base de un transistor bipolar para obligarle a evolucionar sin problemas, a
saturación y después a corte de forma óptima.

Fig 2. 19
Forma de onda idónea de la corriente de base para forzar la
conmutación del transistor bipolar.
No es demasiado difícil imaginar la complejidad de un circuito que genere dicha corriente, si

pensamos que el valor necesario, puede alcanzar varios amperios.
La tendencia actual es la de intentar simplificar al máximo este problema. Por ello se han
desarrollado distintos circuitos integrados (drivers), que con la adición de muy pocos
componentes exteriores logran generar la función de ataque, limitándose a un margen de
frecuencias bajo, menor de 100 KHz y de potencias medias / bajas.
Circuito típico
[2_14]
En la figura se muestra un sencillo ejemplo de circuito de control para reducir los tiempos de
conmutación de los transistores de potencia.
Ve
t1 t2 t
-Ve Forma de onda
[2_15]
IB
IBmáx
t
IBmin
Fig 2. 20 Transitorios de tensión en la fuente, Ve y de corriente en la base, Ib Circuito para el control del transistor.
Cuando la señal de entrada pasa a nivel alto, R2 está cortocircuitada inicialmente por el condensador
descargado. La corriente de base inicial:
Vi − v BE
I B1 = E2.31
R1
A medida que se carga el condensador, la corriente de base disminuye y llega a un valor final de:
Vi − v BE
I B2 = E2.32
R 1 + R2

La señal de entrada pasa a nivel bajo en la puesta a corte, y el condensador cargado proporciona un
pico de corriente negativa a medida que se elimina la carga de la base.
El tiempo de carga deseado del condensador es el que determina el valor de éste. Se necesitan de tres
a cinco constantes de tiempo para cargar o descargar el condensador. La constante de tiempo de
carga es:
⎛ R ⋅R ⎞
τ = RE ⋅ C1 = ⎜⎜ 1 2 ⎟⎟C1 E2.33
⎝ R1 + R2 ⎠
PROBLEMA 2.10
Diseñe un circuito de excitación de la base de un BJT, con la configuración de la figura 2.18, que
tenga un pico de 3A durante la puesta en conducción y mantenga una corriente de base de 0,4A
mientras el transistor está activado. La tensión vi es un pulso de 0 a 50V con un ciclo de trabajo
del 50% y la frecuencia de conmutación es de 100kHz. Suponga que vBE es de 1V cuando el
transistor está conduciendo.
[Hart]
2.2.5 AREA DE FUNCIONAMIENTO SEGURO, SOA

Los datos proporcionados por la curva de salida incluida en las hojas de características suministradas
por el fabricante del dispositivo, en las que se muestran los valores de la corriente IC en relación con
la tensión colector-emisor VCE, no son suficientes para conocer si el transistor BJT se encuentra
trabajando en un punto seguro, sin sobrepasar los límites térmicos. Para ello se suministra la curva
SOA (Safe Operating Area). Esta curva está definida por aquellos puntos que cumplen que el
producto IC ⋅ VCE no sobrepase la máxima potencia disipable permitida por el transistor elegido, es
decir, definen el área de funcionamiento seguro del transistor.
En la figura 2.21 además de la curva para un funcionamiento continuo del transistor, se encuentran
otras curvas similares, con un área mayor. Estas curvas indican el funcionamiento seguro del
transistor cuando trabaja en conmutación en los tiempos establecidos por la gráfica.
Zona 1: (IC (máx) continuous). Representa el máximo valor de corriente que puede circular por el
colector para una tensión colector emisor dada. El funcionamiento del transistor con corrientes
mayores puede dar lugar a la ruptura del mismo.
Zona 2: (DC operation dissipation – limites). Este tramo indica la máxima disipación de potencia del
dispositivo. Es la zona en la cuál el producto de IC y VCE proporciona la disipación máxima del
dispositivo. Si esta curva es sobrepasada se producen sobrecalentamientos y la destrucción del
transistor.
Zona 3: (IS/B limited). Es el límite permitido para evitar la destrucción del dispositivo por el
fenómeno de ruptura o avalancha secundaria.
Zona 4: (VCEO(máx)). El último tramo es el límite debido a la tensión de ruptura primaria del transistor
e indica la máxima tensión que puede soportar el dispositivo en estado de bloqueo.

Fig 2. 21 Curva S.O.A. del transistor de potencia BDY58R, para TC = 25ºC. (Cortesía de RCA Bipolar Power Devices)
2.2.6 PROTECCIÓN DEL BJT

Sobreintensidades
Las sobreintensidades están asociadas al periodo de saturación del transistor. Cuando aumenta la
corriente IC si la tensión VCE es elevada, la disipación de potencia se incrementa y se puede llegar a
alcanzar la máxima temperatura de la unión.
Conforme la corriente IC aumenta, la potencia disipada aumenta y por tanto también la temperatura;
la resistencia interna del transistor RCE disminuye (resistencia con coeficiente negativo de
temperatura), por lo que circulará más corriente por el dispositivo se disipará más potencia que pro-
vocará un nuevo aumento del calor y así sucesivamente. Esta realimentación positiva puede causar la
destrucción del dispositivo. (Efecto segunda ruptura).
Los fusibles normalmente no se utilizan para proteger el BJT, ya que, la acción del transistor es
mucho más rápida que la del fusible.
Sobretensiones
Las sobretensiones están asociadas al estado de corte del transistor bipolar. En este estado se debe
prestar especial atención a la posibilidad de ruptura primaria del dispositivo, también llamada ruptura
por avalancha (cuando se sobrepasa la tensión máxima permitida). Las cargas minoritarias aceleradas
por el campo de la unión, producido por la polarización inversa, colisionan rompiendo las uniones y
produciendo más cargas, las cuales también son aceleradas, produciéndose una realimentación y la
conducción final del dispositivo.

Transitorios
Los transitorios de corriente y de tensión son eliminados de la misma forma para los transistores
como para cualquier otro tipo de dispositivo semiconductor.
Las inductancias serie limitan el tiempo de variación de la corriente y los condensadores paralelo
limitan el tiempo de variación de la tensión.
Las redes snubber en serie están constituidas por una bobina LS y se usan para limitar el tiempo de
subida de la corriente del transistor dic/dt en el paso a conducción. Si la corriente IC crece muy
rápidamente, conforme decrece la tensión VCE puede darse el fenómeno de ruptura secundaria.
El valor de la inductancia LS puede ser calculado a partir de la relación
di c I C Vcc VCC ⋅ t r
= = como I C = I L ⇒ LS = E2.34
dt tr LS IL
La inductancia LS se coloca en serie con la fuente de alimentación Vcc.
Para cargas inductivas, durante el paso a corte la tensión VCE no debe incrementarse muy rápida-
mente a medida que la corriente de colector decae, ya que, también podría darse el fenómeno de
ruptura secundaria.
Una red snubber en paralelo, formada por un condensador soluciona este inconveniente.
dVCE VCE i( t )
= = E2. 35
dt tf CS
Sabiendo que al final del paso a corte VCE = Vcc y que i ≈ I L se puede calcular el valor del
condensador
IL ⋅ t f
CS = E2. 36
Vcc
A continuación vamos a ver con más detalle estas consideraciones.
2.2.7 CIRCUITOS DE PROTECCIÓN DEL BJT

Con el objeto de profundizar en el funcionamiento de las protecciones del transistor, se realiza a
continuación un estudio más detallado de la función de las redes snubber, así como del diseño de las
mismas. Se estudiaran dos casos particulares:
• Red snubber para el transitorio, turn on.
• Red snubber para el transitorio, turn off.
Fig 2. 22
Característica de transferencia para carga inductiva con y sin red snubber.
Observe que sin red snubber se sobrepasa la curva SOA en la conmutación de
conducción a corte provocándose la destrucción del dispositivo por el efecto
de segunda ruptura (zona 3)

Transistor con carga inductiva y las formas de onda asociadas durante la conmutación.
[2_16]
Red snubber para el transitorio Turn on (encendido)

El objetivo de esta red es hacer que la tensión VCE disminuya mientras aumenta IC Para ello se coloca
una inductancia LS en serie con el diodo Df para reducir la tensión.
Este tipo de red snubber no es muy usado, los semiconductores son muy rápidos para entrar en
conducción y por esta razón no es crítico el uso de circuitos de protección de encendido.
La reducción de la tensión viene dada por la expresión
di C I
∆VCE = LS ⋅ = LS ⋅ o E 2.37
dt t ri
Fig 2. 23 a) Protección snuber para turn on (encendido). b) VCE e IC en el transistor, con red snubber para turn on.
La bobina suaviza la pendiente con lo que aumenta la corriente
Durante el estado de conducción del transistor, la corriente Io circula por la inductancia LS. Cuando el
transistor pasa a corte, la energía almacenada en la inductancia (1/2 LS I o2 ) se disipa en la resistencia
RLS a través del diodo DLS con una constante de tiempo igual a LS/RLS.
Para determinar el valor de RLS se debe tener en cuenta, por un lado que esta resistencia deberá ser lo
suficientemente elevada para que durante toff la intensidad iLS disminuya al menos hasta el 10% de la
intensidad Io
- R LS ⋅t
LS
i LS (t) = I o ⋅ e haciendo i LS (t off ) < 0.1 ⋅ I o E 2.38
RLS ⋅ t off LS ⋅ ln 10
ln 10 < ⇒ RLS > E 2.39
LS t off
Red snubber para el transitorio Turn off (Apagado)

Mediante este circuito se pretende que conforme aumenta la tensión en el transistor, la corriente IC
disminuya, para evitar que el producto sea elevado, limitando de este modo la disipación de potencia
del transistor. Para ello, se coloca un condensador en paralelo con el transistor. Este condensador
debe absorber más intensidad cuando la tensión empiece a crecer.
Esta red:
o Suaviza las formas de onda de tensión en el apagado del transistor.
o Parte de las pérdidas de conmutación se trasladan a otros componentes.

Fig 2.24 Transistor en conmutación con carga inductiva sin protección
Fig 2. 25
Red snuber para turn off.
En el intervalo de tiempo 0 < t < tf
I0
I o = i CS + i C donde i CS = ⋅t E 2.40
tf
1 t Io ⋅ t 2
VCS = VCE = ∫0 i CSdt = E 2.41
CS 2CS ⋅ t f
Cuando iC = 0 (t = tf) se verifica
Io ⋅ t f Io ⋅ t f
Vd = VCS = ⇒ CS = E 2.42
2C S 2 Vd

iC iC iC
I0
iDf iDf iDf
iCs iCs iCs
vd
vCs vCs vCs
tf tf tf
Cs pequeño Cs = Cs1 Cs grande
Fig 2. 26 Formas de onda de la corriente y la tensión durante el turn-off. El área sombreada representa la carga almacenada en la capacidad
snubber durante el turn - off, carga que tendrá que ser disipada por el transistor. El valor Cs1 se corresponde con el valor Cs calculado en
la ecuación E2.48
Cuando el transistor pasa a conducción, éste se comporta como un cortocircuito. CS se descarga a

través del transistor, provocando una sobreintensidad que viene limitada por RS
Nótese que durante el paso de conducción a corte (on – off) el condensador se carga a través del
diodo, DS y durante el paso de corte a conducción (off – on) se descarga a través de RS.
Se elige una resistencia tal que el condensador se descargue antes de que el transistor vuelva a
apagarse. Es necesario un intervalo de tiempo igual a entre tres y cinco constantes de tiempo (para
limitar la descarga instantánea del condensador sobre el transistor). Suponiendo que la descarga
completa sean cinco constantes de tiempo
t on
t on > R S C S ⇒ R S < E2.43
5 ⋅ CS
El condensador se descarga a través de la resistencia y el transistor cuando éste entra en conducción.

1
La energía almacenada, ω = CVS2 , se transfiere mayoritariamente a la resistencia, luego la
2
potencia absorbida por la resistencia es la energía dividida entre el tiempo, siendo éste el periodo de
conmutación.
1
CVS
1
PR = 2 = CVS2 f E2.44
T 2
Tensión Intensidad
[2_17] [2_18]
A continuación podemos ver las distintas formas de onda de tensión e intensidad para un circuito con
carga RL sin protección, otro con carga RL y protección por diodo y otro con carga RL y protección
por red Snubber.
Transistor en conmutación con carga inductiva Circuito con carga RL en paralelo y protección
[2_19] [2_20]

Comparación de la conmutación con carga inductiva sin protección, con diodo volante en paralelo con la bobina y Red
Snubber RC en paralelo con el transistor (es interesante ver la escala del eje x)
[2_21]
Características 2N3055 Formas de onda de tensión

[2_11] [2_22]
2.3 El Transistor Mosfet de Potencia

1. El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de
D Drenador los elementos que lo componen; una fina película
ID metálica (Metal - M); oxido de silicio (Óxido - O);
región semiconductora (Semiconductor - S).
2. El mosfet es un dispositivo unipolar, la conducción sólo
Puerta es debida a un tipo de portador.
G
IG IS
[2_23]
S Surtidor
Vgs
3. Las aplicaciones más típicas de los transistores de
Fig 2.27
Mosfet de Potencia de canal N. potencia MosFet se encuentran en la conmutación a
Simbología. altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para
controlar motores, generadores de altas frecuencia para
inducción de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y trasmisores de
radiofrecuencia.
4. De los dos tipos existentes de MOSFET (acumulación y deplexión), para aplicaciones de

elevada potencia únicamente se utilizan los MOSFET de acumulación, preferiblemente de
canal N.
Como se puede observar en la figura 2.27 el Mosfet de canal N conduce cuando VGS > 0
Las características más importantes que distinguen a los MOSFET de otros dispositivos son
las siguientes:
- Alta velocidad de conmutación, llegando a MHz.

- No presentan el fenómeno de segunda ruptura por lo que el área de trabajo seguro
(SOA) mejora con respecto del BJT
- El control se realiza mediante la tensión aplicada entre los terminales de puerta y
surtidor (VGS), lo que reduce considerablemente tanto la complejidad como la
potencia de los circuitos de disparo.
- Las tensiones máximas de bloqueo son relativamente bajas en los MOSFET de alta
tensión (< 1000V) y las corrientes máximas moderadas (< 500A).
5. También presentan algunos inconvenientes que interesa resaltar. Los Mosfet tienen el
problema de ser muy sensibles a las descargas electrostáticas y requieren un embalaje
especial. Su protección es relativamente difícil. Son más caros que sus equivalentes bipolares
y la resistencia estática entre Drenador - Surtidor, es más grande, que la Colector - Emisor lo
que provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en conducción.
6. El modo de funcionamiento de un MOSFET de potencia es análogo al de pequeña señal.

Aplicando las tensiones apropiadas entre la puerta y el surtidor (VGS) del dispositivo se
controla la anchura del canal de conducción y en consecuencia se puede modular el flujo de
portadores de carga que atraviesa el semiconductor. En modo interruptor, se aplican pulsos
de tensión durante el estado ON y se retiran (o se aplican con polaridad contraria) en el
estado OFF
Mosfet
[2_24]

En el MOSFET de pequeña señal, el canal de conducción se establece en horizontal,

geometría que limita las tensiones de bloqueo. Dado que en la mayoría de aplicaciones de
potencia se necesitan tensiones de bloqueo elevadas (> 100V), el canal de conducción se
construye siguiendo una estructura vertical (VDMOS, SIPMOS) con la que se consiguen
mayores tensiones de bloqueo.
Canal de conducción
[2_25]
En la figura se observa claramente una estructura pnp, que constituye el denominado BJT
parásito del MOSFET, en el cual la base está conectada al sustrato. El principal
inconveniente de la presencia del BJT parásito es que podría entrar en conducción si la
tensión de base y emisor alcanza valores significativos (> 0,10V). Para evitarlo, se realiza un
cortocircuito entre el sustrato y el surtidor (es decir, entre base y emisor) de manera que se
evita el riesgo de conducción del NJT parásito. Pero parecería un diodo parásito entre
drenador y surtidor.
Estructura pnp
[2_26]
La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en que estos
últimos son controlados por tensión aplicada en la puerta (G) y requieren solo una pequeña corriente
de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son controlados por corriente aplicada a la
base.
PROBLEMA 2.11
El convertidor y el circuito de protección de la figura tienen Vs=100V e IL=5A. La frecuencia de

conmutación es de 100kHz, con un ciclo de trabajo del 50%, y el transistor se apaga en 0,5µs.
Determinar:
(a) Las pérdidas de apagado sin circuito de protección, si la tensión del transistor llega a Vs en
0,1µs.
(b) Diseñe un circuito de protección usando el criterio de que la tensión del transistor alcance su
valor final al mismo tiempo que la corriente del transistor llega a cero.
(c) Determine las pérdidas del transistor durante el apagado y la potencia disipada en la
resistencia al añadir el circuito de protección.
Solución: (a) PQ = 15W; (b) 0,0125µF, R = 80Ω; (c) PQ = 2,08W, PR = 6,25W

[Hart]
2.3.1 REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

La curva característica aporta información acerca de cómo varía la intensidad del Drenador, ID para
una tensión drenador - surtidor, VDS que se mantiene fija, variando la tensión aplicada entre la puerta
y el surtidor Vgs.

Curvas características del Mosfet:
[2_27]
[2_28]
Fig 2. 28 Curva característica

correspondiente a un Mosfet de
acumulación de canal “N”.
Observar la división en tres
regiones: Ohmica, Activa, Corte.
Región Óhmica.
Esta región se utiliza cuando actúa el Mosfet como una resistencia dependiente de VGS en estado
encendido. En esta región el valor de VDS será:
VDS = VGS - VGS(th) E 2.45
Una definición de la región óhmica, parte de la característica que satisface la condición que
VGS - VGS(th) ≥ VDS E 2.46
Esta región tiene una baja resistencia entre el drenador - surtidor, RDS(ON) un valor típico para un
Mosfet de potencia trabajando a 500V y 10A es de 0.5 Ω
En funcionamiento interruptor, las pérdidas de potencia durante la conducción son:
PON = R DSon ⋅ I 2DRM E 2.47
Resistencia en conducción Ejemplos de Mosfets comerciales

[2_29] [2_30]
Región Activa (Saturación de Canal)

En esta región el transistor Mos funciona como amplificador.
Para un valor de VGS, que será como mínimo VGS(th) se produce el paso de corriente entre el drenador
y el surtidor.
En la región activa el valor de la tensión entre puerta y surtidor, VGS controla la magnitud de la
corriente del drenador, ID así como la tensión entre el drenador y el surtidor VDS.
Para esta región se cumplen las siguientes ecuaciones.
VGS > VGS(th) VGS - VGS(th) < VDS E 2.48
µn C ox ω
I d = K (VGS - VT ) 2 donde K = E 2.49
2L
µn = movilidad de los portadores de carga
Cox = capacidad de compuerta
ω = anchura del canal
L = Longitud del canal

Región de Corte
Si se cierra el circuito exterior, esto no significa que se cambie el estado del dispositivo, si la tensión
aplicada entre Puerta - Surtidor es inferior a Vth, el dispositivo continuará en la región de corte. En
esta región la corriente que circula por el drenador es prácticamente nula. En los Mosfet de potencia
Vth suele ser algo mayor que 2 V.
Para esta región se cumplen las siguientes condiciones:
VGS < VGS(th) VDS ≥ 0 ID ≈ 0 E 2.50
Fig 2.29 Zona de operación segura (SOA) en un MOSFET de Potencia (iD y VDS en escala logarítmica)
Describa, dibuje y compare las zonas de funcionamiento seguro (SOA) de un transistor

bipolar y un transistor MOSFET. Acote los valores típicos de tensión e intensidad
máximos.
2.3.2 CIRCUITOS DE EXCITACIÓN PARA MOSFET

El Mosfet es un dispositivo controlado por tensión, que resulta relativamente simple de activar y
desactivar, lo cual es una ventaja repecto al transistor bipolar de unión. El estado de conducción se
consigue cuando la tensión puerta-fuente sobrepasa de forma suficiente la tensión umbral, lo que
fuerza al MOSFET a entrar en la región de trabajo óhmica.
Normalmente, la tensión puerta-fuente del MOSFET para el estado activado en circuitos conmutados
está entre 10 y 20 V. El estado desactivado se consigue con una tensión menor que la tensión umbral.
Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son muy bajas. Sin embargo, es
necesario cargar la capacidad de entrada parásita para poner al MOSFET en conducción, y des-
cargarla para apagarlo. Las velocidades de conmutación vienen determinadas básicamente por la
rapidez con que la carga se puede transferir hacia y desde la puerta.
Un circuito de excitación para MOSFET debe ser capaz de absorber y generar corrientes
rápidamente, para conseguir una conmutación de alta velocidad. En la figura 2.30 se pueden ver tres
ejemplos de circuitos excitadores, el elemental y dos mejorados.

El circuito de excitación elemental de la figura excitará al transistor, pero el tiempo de conmutación

puede que sea inaceptablemente elevado para algunas aplicaciones. Además, si la señal de entrada
proviene de dispositivos lógicos digitales de baja tensión, puede que la salida lógica no sea suficiente
para poner al MOSFET en conducción.
El circuito de excitación Tótem-Pole de la figura mejora al elemental. El doble seguidor de emisor o
Totem-Pole consiste en un par de transistores bipolares NPN y PNP acoplados. Cuando la tensión de
excitación de entrada está a nivel alto, Q1 conduce y Q2 está apagado, haciendo conducir al MOSFET.
Cuando la señal de excitación de entrada está a nivel bajo, Q1 está al corte y Q2 conduce, eliminando
la carga de la puerta y apagando el MOSFET.
En el circuito excitador integrado, con buffer Tótem-Pole la señal de entrada proviene de un circuito
TTL de colector abierto usado como circuito de control, con el Tótem-Pole utilizado como buffer
para suministrar y absorber las corrientes de puerta requeridas
En aplicaciones de baja potencia algunos circuitos integrados tienen salidas con circuitos preparados
para absorber y generar corrientes capaces de excitar directamente a los transistores Mosfet, un
ejemplo es el circuito de control PWM SG1525A, éste consta de un par de transistores NPN para
cada salida. Los transistores de cada pareja son excitados como transistores de activación-
desactivación complementaria, con un transistor generando corriente y otro absorbiendo corriente.
IRF630
[2_31]
Fig 2. 30 Circuitos de excitación del MOSFET

2.4 Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT

C El Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT “Insulate Gate Bipolar Transistor”
combina las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada
elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en conmutación, como los BJT, por lo
G que puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.
E El circuito simplificado equivalente lo podemos ver en el siguiente enlace.

Fig 2. 31
IGBT. Simbología
[2_32]
Los IBGT fueron desarrollados hace relativamente poco tiempo, pero su evolución ha sido rápida
debido a que han demostrado tener una resistencia en conducción muy baja y una elevada velocidad
de conmutación (la transición desde el estado de conducción al de bloqueo se puede considerar de
unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el rango de los 50KHz), además de una
elevada tensión de ruptura.
Los IGBT pueden soportar unas tensiones de 1400V y unas corrientes de 300A.
El control por tensión hace que el IGBT sea más rápido que el BJT, pero más lento que el Mosfet. La
energía aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequeña con una corriente del orden de los
nanoamperios, esta pequeña potencia necesaria para conmutar el dispositivo, hace que pueda ser
controlado por circuitos integrados.
Los IGBTs son similares a los MOSFET en cuanto a requerimientos de excitación.
Características IGBT IGB20N120 Comparación IGBT-Mosfet

[2_33] [2_34] [2_35]
En el [Enlace 2_36] se observa la comparación entre IGBT y MOSFET con el mismo área de
semiconductor, en la que se puede ver que la caída de tensión es menor en el IGBT y por tanto
tendremos menores pérdidas en conducción.
Fig 2. 32

El problema que plantea el IGBT es un coeficiente de temperatura negativo implicando que a mayor
temperatura, menor caída de tensión y por tanto aumenta la corriente, provocando un aumento de la
temperatura de la unión. Esto será un problema cuando se quieran colocar varios en paralelo, como
ocurría con el bipolar.
Este elemento semiconductor está desplazando a los demás en potencia media.
Clasifique los dispositivos semiconductores de potencia que conozca en función de la

potencia que pueden manejar y la frecuencia a la que puedan operar.
2.5 Optoacopladores
Un optoacoplador es un dispositivo semiconductor formado por un
fotoemisor y un fotorreceptor. Todos estos elementos se encuentran
Anodo 1 3 Colector
dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.
Cátodo 2 4 Emisor
La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del
Fig 2. 33 fotorreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una señal
Optoacoplador. Simbología eléctrica en una señal luminosa modulada y volver a convertirla en una
señal eléctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el
aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.
Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos
infrarrojos (IRED) y los fotorreceptores pueden ser tiristores o transistores. Se utilizan como circuitos
de corriente de excitación de dispositivos semiconductores de potencia.
4N2X
[2_36]
2.6 Relés de Estado Sólido, SSR

Un relé de estado sólido SSR (Solid State Relay), es un circuito electrónico que contiene en su
interior un circuito disparado por nivel, acoplado a un interruptor semiconductor, un transistor o un
tiristor. Un SSR es un producto construido y comprobado en una fábrica, no un dispositivo formado
por componentes independientes que se han montado sobre una placa de circuito impreso.
Circuito de entrada Circuito de conmutación

o de control Acoplamiento o de salida
OPTOACOPLADOR
Tensión Fotodetector R
de de paso Tensión de
control por cero conmutación
SCR
C
Fig 2. 34 Diagrama de bloques para un Relé de Estado Sólido, SSR

Circuito de Entrada o de Control

Control por tensión continua. El circuito de entrada suele ser un fotodiodo, solo o con una
resistencia en serie, también se pueden encontrar modelos con un diodo en antiparalelo para evitar la
inversión de la polaridad por accidente. Los niveles de entrada son compatibles con TTL, CMOS, y
con valores normalizados 12V, 24V, etc.).
Control por tensión alterna. El circuito de entrada suele ser como el anterior incorporando un
puente rectificador integrado y una fuente de corriente continua para polarizar el diodo led.
Acoplamiento
El acoplamiento con el circuito se realiza por medio de un optoacoplador o por medio de un
transformador que se encuentra acoplado de forma magnética con el circuito de disparo del Triac.
Circuito de Conmutación o de Salida

El circuito de salida contiene los dispositivos semiconductores de potencia con su correspondiente
circuito excitador. Este circuito será diferente según el tipo de corriente que se necesite conmutar, cc
o ca.



AHMED, Ashfaq. Power electronics for technology. Ed. Prentice Hall, 1999. ISBN 0-13-231069-4
FISHER, M. Power electronics. PWS-KENT, 1991
GUALDA, J. A.; MARTÍNEZ, P. M. Electrónica Industrial, Técnicas de Potencia. Serie

Electrónica de la Escuela Técnica Superior de Ingenieros Industriales de Madrid. 2ª Edición.
Marcombo, 1992.

and Design. 2ª Edición. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1995.
VELASCO, J. et al. Sistemas Electrotécnicos de Potencia: Electrónica de regulación y control de

potencia. Paraninfo, 1998.

<www.irf.com> [Consulta: 5 de julio de 2004]
<www.onsemi.com> [Consulta: 5 de julio de 2004]
<www.semikron.com> [Consulta: 5 de julio de 2004]


DE POTENCIA

Disipación de potencia. Equivalente eléctrico. Parámetros fundamentales. Impedancia
térmica. Cálculo de disipadores de calor.

[email protected]
3.1 Introducción 1
3.2 Propagación del calor en el dispositivo semiconductor 1
3.3 Equivalente eléctrico 2
3.3.1 Resistencias térmicas 3
Resistencia Unión - Contenedor, Rjc 4
Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd 5
Resistencia de disipador, Rd 6
3.3.2 Temperatura máxima de la unión, Tjmax 7
3.3.3 Potencias 8
3.4 Cálculo de Rd de diodo rectificador 10
3.5 Ventilación forzada 14
3.6 Impedancia Térmica 14
Respuesta ante un único pulso de potencia 17
Respuesta ante una serie de impulsos al azar 18
3.7 Resumen 23
TEMA 3: DISIPACIÓN DE POTENCIA
3.1 Introducción
Siempre que por un elemento conductor circula una corriente eléctrica, se generan unas pérdidas de
potencia que elevan la temperatura del mismo. Estas pérdidas son debidas el efecto Joule, y cobran
especial protagonismo en los elementos semiconductores de potencia, puesto que por ellos circulan
elevadas intensidades, y por tanto el incremento de temperatura que se produce pone en peligro la
vida del dispositivo.
El calor que se produce en el interior del semiconductor debe ser evacuado rápidamente, con el fin de
evitar que la temperatura interna llegue al límite máximo permitido, límite por encima del cual se
destruirá el dispositivo.
En los últimos años, se ha experimentado un gran avance en los dispositivos

electrónicos de potencia; la tendencia es integrar en pequeñísimas pastillas
de silicio la mayor cantidad posible de funciones, tanto de control como de
potencia (tecnología Smart – Power, o circuitos integrados inteligentes). El
principal freno para el desarrollo de las nuevas tecnologías es precisamente
la disipación del calor que se genera en el interior de los chips.
Fig 3. 1
En Electrónica de Potencia la refrigeración juega un papel muy importante
Disipador de potencia en la optimización del funcionamiento y vida útil del semiconductor de
potencia. En éste tema se analizan los métodos más adecuados y seguros
para la refrigeración y se tratarán de mostrar los aspectos más importantes en el cálculo de
disipadores de calor.
3.2 Propagación del calor en el dispositivo semiconductor
(2.08 Mb)
[3_1]
Fig 3. 2 La excesiva disipación de potencia destruye el transistor por sobrecalentamiento. Utilizando un disipador se evacua parte del calor,
evitando así que la temperatura de la unión exceda los límites permitidos por el fabricante.
En todo semiconductor el flujo de corriente eléctrica produce una pérdida de energía que se
transforma en calor. El calor generado en la unión del semiconductor, se propaga por conducción a la
cápsula o contenedor y por convección al aire o medio ambiente se produce un aumento de la
temperatura en el dispositivo; si este aumento es excesivo e incontrolado provocará una disminución
de la fiabilidad del componente, llegándose incluso a la destrucción de las uniones. Ver figura 3.2
La capacidad de evacuación de calor al ambiente varía según el tipo de cápsula o contenedor del
dispositivo; en los semiconductores de potencia esta evacuación es demasiado pequeña, por lo que es
© Universidad de Jaén; J. D. Aguilar Peña; M. Olid 1

necesario facilitar la transferencia de calor generado, esto se consigue mediante un dispositivo de

mayor volumen y superficie llamado radiador o disipador de calor, el cual hace de puente para
evacuar el calor de la cápsula al medio ambiente.
Ejemplos de disipadores:
[3_2] [3_3] [3_4]
3.3 Equivalente eléctrico

Aunque el diseño térmico de los elementos semiconductores podría realizarse aplicando las
ecuaciones básicas de la transferencia de calor, se ha generalizado un método mas sencillo basado en
una analogía entre las ecuaciones térmicas y la ley de Ohm.
Por el principio de analogía se puede realizar un símil eléctrico de todo el proceso térmico. La
diferencia de temperatura es análoga a una diferencia de potencial (tensión) el flujo calorífico es
análogo al flujo de corriente eléctrica (intensidad) y la resistencia térmica similar a la resistencia
eléctrica.
El paso de la corriente eléctrica produce un aumento de la temperatura de la unión (Tj). Si ésta se

quiere mantener a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energía calorífica generada por la
unión. El calor pasará del punto más caliente al más frío, con mayor o menor dificultad dependiendo
de la resistencia térmica que encuentre a su paso, dicha resistencia expresa el grado de dificultad
para evacuar el calor de un dispositivo y se mide en grados centígrados por vatio (ºC/W).
El objetivo principal de este tema es determinar el tipo y longitud del disipador que se ha de colocar
en el dispositivo semiconductor, para garantizar que no se supere la temperatura de la unión máxima
permitida por el fabricante. Presentamos un listado con todos los parámetros que se utilizaran así
como su nomenclatura.
Rjc = Resistencia térmica unión-contenedor, otras notaciones: RθJC, Rth j-c , Rth j-mb,
Rja = Resistencia térmica unión ambiente, otras notaciones: RθJA, Rth j-a
Rcd = Resistencia térmica contenedor-disipador, otras notaciones: RθCHS, Rth mb-h
Rd = Resistencia térmica disipador-ambiente
Rca = Resistencia térmica contenedor-ambiente
Rdv = Resistencia térmica del disipador, con ventilador.
Tjmáx = Temperatura máxima que puede soportar la unión del dispositivo.

Tj = Temperatura alcanzada por la unión del transistor durante su funcionamiento.
Tc = Temperatura del contenedor
Td = Temperatura del disipador
Ta = Temperatura ambiente
Pd = Potencia que disipa el transistor.

Wat = Potencia máxima que el transistor puede disipar con una Tc = 25ºC
F = Factor de corrección cuando se utiliza ventilador
K = Coeficiente de seguridad para evitar que se alcance la Tjmáx.
Cθ = Capacidad térmica.
El origen de estos datos es muy diverso. Algunos vendrán dados en tablas y manuales; otros, deberá
de establecerlos el diseñador y otros, representan las incógnitas del problema y deberán calcularse.

(8.93 Mb)
[3_5]
Fig 3.3
Resistencias térmicas y temperaturas, localizadas en un
montaje real
Aplicando el principio de analogía a las magnitudes eléctricas y térmicas, se cumple:
Tj − Ta = Pd ⋅ (R jc + R ca ) E 3.1
Cuando añadimos un disipador aparecen unas nuevas resistencias, Rcd + Rd que se añaden en paralelo
con Rca y debe de cumplirse que Rca>>Rcd+Rd quedando solo Rjc+Rcd+Rd. Como se ve la misión del
radiador ha sido reducir la resistencia térmica c-a del conjunto.
Fig 3.4
Equivalente eléctrico, para el estudio de la disipación de calor. La Rca en
paralelo con la suma Rcd + Rd se puede despreciar, es decir, es mucho
mayor el flujo de calor desde el contenedor - radiador ambiente que desde
el contenedor ambiente.
A continuación se definen estos parámetros uno por uno, con el fin de clarificar los términos del
problema.
3.3.1 RESISTENCIAS TÉRMICAS

Es obvio pensar que cuanto menor sea el valor de la resistencia térmica, más fácil será evacuar el
calor y menor el incremento de temperatura en la unión para una misma potencia eléctrica disipada.
La resistencia térmica global desde la unión del semiconductor hasta el medio ambiente se puede
desglosar en varias resistencias térmicas
Rth 2
[3_6]

Resistencia Unión - Contenedor, Rjc [3_7]

(168 Kb)
El foco calorífico se genera en la unión del propio cristal semiconductor, de tal forma que el calor
debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. La dificultad que presenta el dispositivo para
evacuar este calor se mide como resistencia térmica unión contenedor. Esta resistencia depende del
tipo de encapsulado y la suministra el fabricante, bien directamente o indirectamente en forma de
curva de reducción de potencia.
Tjmax − Tc
R jc = E 3. 2
Pd
Fig 3.5
Curva de reducción de Potencia.
Muestra la potencia máxima que es capaz de disipar el dispositivo en función de
la Tª de la cápsula. La pendiente de la recta es la inversa de la resistencia unión
contenedor.
PROBLEMA 3.1
Dados los datos correspondientes a un transistor 2N3055, comprobar que el valor de la Rjc
suministrada por el fabricante cumple la ecuación [E3.2]. Datos hoja de características:
Wat=115W Tjmax=200ºC Rjc = 1,52ºC
Solución: Rjc = 1.52ºC/W
Tipos de encapsulados TO.3 y TO.220, los más utilizados

[3_8] [3_9]

Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd [3_10]
Es la resistencia térmica entre el contenedor y el disipador. La facilita el fabricante o se puede

encontrar en tablas, siempre está condicionada por el tipo de contenedor o cápsula y por el tipo de
contacto entre la cápsula y la aleta refrigeradora. El valor de la misma depende del sistema de
fijación del disipador, del grado de contacto entre las superficies e incluso de la fuerza con que se
aprieten los tornillos fijadores. Para mejorar este contacto, y/o aislar eléctricamente las dos
superficies, se suelen interponer materiales, que pueden ser de dos tipos: pastas y láminas aislantes.
Las Pastas que pueden ser conductoras, o no conductoras de la electricidad, producen una
disminución de la Rcd mejorando el contacto entre las superficies, suelen ser pastas de silicona.
Láminas aislantes eléctricas como mica, kelafilm, etc, que se pueden emplear solas o conjuntamente
con pastas de silicona conductoras de calor. En la mayoría de los transistores el contenedor hace las
veces de colector, por lo que generalmente es necesario aislarlo eléctricamente del disipador
(normalmente, el colector suele estar a Vcc y el disipador a tierra puesto que suele colocarse en el
chasis del aparato, generalmente conectado a tierra).
Lamina aislante Sistemas de fijación Montaje (584 Kb)
[3_11] [3_12]
[3_13]
Por tanto esta resistencia térmica depende del tipo de contacto entre contenedor y disipador y se
pueden dar las siguientes combinaciones:
• Contacto directo, RD
• Contacto directo más pasta de silicona, RD+S
• Contacto directo más mica aislante, RD+M
• Contacto directo más mica aislante más pasta de silicona, RD+M+S
El valor de la resistencia Rcd depende bastante del tipo de contacto, a continuación se ordenan de
menor a mayor.
RD+S < RD < RD+M+S < RD+M
El valor de esta resistencia térmica influye notablemente en el cálculo de la Rd y por tanto en la

superficie y longitud necesarias en la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto más
baja es Rcd menor tendrá que ser Rd y por tanto más pequeña la aleta necesaria.
Fig 3.6 Tabla de resistencias térmicas

Para un contenedor del tipo TO.3 se tienen los siguientes valores para la resistencia
contenedor disipador en función del tipo de contacto:
RD+S = 0.12ºC/W; RD = 0.25ºC/W; RD+M+S = 0.4ºC/W; RD+M = 0.8ºC/W.
Observar la diferencia de valores e intentar razonar las causas de esta variación.
Resistencia de disipador, Rd [3_14]
En realidad es la resistencia disipador - ambiente y representa la oposición al flujo de calor desde el

elemento disipador al aire o medio ambiente. Depende de factores como: condiciones de la
superficie, color y posición de montaje.
Para el cálculo de esta resistencia, se puede utilizar la siguiente fórmula (ver figura 3.4):
Tj − Ta
Rd = − (R jc + R cd ) E 3. 3
Pd
Una vez calculada la Rd se elige la aleta refrigeradora.
En primer lugar se tendrá en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el
adecuado para el montaje de la aleta.
En segundo lugar, para el caso de grandes radiadores, hay que calcular la longitud necesaria de
disipador y cortar la adecuada. Para ello es necesario disponer de gráficas que ofrecen los fabricantes
de la Resistencia en función de la longitud del disipador.
Fig 3. 7 Resistencia térmica, Rd en función de la

longitud del disipador.
De todos los parámetros que intervienen en el cálculo de Rd, el cálculo de la potencia disipada, Pd,
suele ser el más complejo. La potencia que disipa un semiconductor variará según el tipo de
dispositivo que se esté utilizando y de la señal aplicada.
Disponemos de estos tres perfiles de radiadores para dispositivos semiconductores, si la

Rd necesaria es de 3ºC/W justificar la elección del radiador adecuado

Fig 3.8 Radiadores
3.3.2 TEMPERATURA MÁXIMA DE LA UNIÓN, TJMAX

Esta temperatura representa el límite superior al que no debe llegar la unión y menos sobrepasarlo si
queremos evitar la destrucción del dispositivo. Este dato está disponible, normalmente, en los
manuales de los fabricantes de semiconductores. En su defecto se puede adoptar uno de los valores
típicos mostrados en la tabla que se expone a continuación, en función del dispositivo a refrigerar:
DISPOSITIVO RANGO DE Tjmáx

De unión de Germanio Entre 100 y 125ºC
De unión de Silicio Entre 150 y 200ºC
JFET Entre 150 y 175ºC
MOSFET Entre 175 y 200ºC
Tiristores Entre 100 y 125ºC
Transistores Uniunión Entre 100 y 125ºC
Diodos Zener Entre 150 y 175ºC
Fuente: Revista Nueva Electrónica
El objetivo principal será mantener la temperatura de la unión por debajo de la máxima permitida.
Utilizaremos un coeficiente de seguridad, K cuyo valor dará una temperatura de la unión
comprendida entre el 50% y el 70% de la máxima, K estará comprendido entre 0.5 y 0.7. La
temperatura de la unión que se utilizará en los cálculos será:
Tj = K ⋅ Tjmáx E 3. 4
Las condiciones de funcionamiento en función de K serán:
Para valores de K = 0.5: dispositivo poco caliente. Máximo margen de seguridad, pero el tamaño de
la aleta refrigeradora será mayor.

Para valores de K = 0.6: menor tamaño de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente
demasiado.
Para valores de K = 0.7: máximo riesgo para el dispositivo. El tamaño de la aleta refrigeradora será
menor que en el caso anterior. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se sitúe en el exterior.
3.3.3 POTENCIAS
Potencia máxima disipable, Wat
La potencia máxima que puede disipar un dispositivo es un dato que proporciona el fabricante para
una temperatura de contenedor de 25ºC.
Tj − Tc T j max − 25º C
Wat = = E 3. 5
R jc R jc
Característica 2N3055
[3_15]
Sea un transistor con las siguientes características:
PT max = 75 W
Tj max = 175° C
R j−c = 2° C/W
Determinar la máxima disipación de potencia en continua permitida para una temperatura de contenedor de
80ºC
Fig 3.9
Solución:
Como se puede comprobar gráficamente:
Tj − Tc 175° C− 80° C
PT max = = PT max = 47.5 W
R jc 2° C/W
[Power Semiconductor Applications]

PROBLEMA 3.2
Las hojas de características proporcionadas por el fabricante del transistor 2N3055 informan que
puede disipar un máximo de 116 vatios. ¿Se corre riesgo de destruir el dispositivo si se le hace
disipar 90 W? Justificar la respuesta
Datos: Ta = 25ºC
Solución:
El planteamiento inmediato es pensar que efectivamente se pueden disipar 90 vatios sin correr
ningún riesgo de destruir el dispositivo, dado que el dispositivo puede disipar hasta 116 W según
el fabricante. Pero si se realizan los cálculos oportunos y se consideran las verdaderas
condiciones de funcionamiento la sorpresa es mayúscula y las consecuencias se pueden apreciar
en la figura 3.2
Sabiendo que la temperatura de la unión máxima permitida es de 200ºC y la Rja proporcionada

por el fabricante, sin considerar aleta refrigeradora es de 35ºC/W, la máxima potencia disipable
sin disipador es:
Tj max − Ta 200° C− 25° C

Pd max = = ⇒ Pd max = 5 W
R ja 35° C/W
Este valor queda muy por debajo del indicado por el fabricante.
Considerando una aleta con una buena resistencia térmica: R d = 0.6° C /W

una resistencia térmica contenedor – disipador: R cd = 0.12° C /W
y una resistencia unión – contenedor: R jc = 1.5° C/W
ambos valores también bastante adecuados, la máxima potencia disipable con disipador es:
Tj max − Ta
Pd max = ⇒ Pd max = 78.83 W
R jc + R cd + R d
Ni en el mejor de los casos, con la mínima resistencia unión disipador, es posible disipar los
90W que se pretendían.
Las consecuencias son conocidas, se destruiría la unión.
La potencia que se puede disipar con aleta disipadora es superior a la disipable sin aleta e
inferior a la que suministra el fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la
Pdmáx manteniendo la temperatura del contenedor a 25ºC, cosa que en condiciones normales de
funcionamiento es imposible.
PROBLEMA 3.3
En un circuito determinado, el BD137 ha de disipar 3W. Determinar el disipador adecuado si

queremos que el transistor permanezca poco caliente.
Datos: Wat = 3W; Watmax = 12W para Tc = 25º; Tjmax = 150º
Solución: Rd = 4.85 º/W
Rjc se obtiene de las hojas de características del fabricante. Rcd depende del tipo de
contacto entre el dispositivo y el radiador. Rd depende exclusivamente del radiador
utilizado.

3.4 Cálculo de Rd de diodo rectificador

En el caso de diodo rectificador, para calcular la resistencia térmica del disipador hay que conocer la
intensidad media directa por el diodo IFAV, el factor de forma, "a" que es la relación entre la
intensidad eficaz y la intensidad media, y también la temperatura ambiente del entorno en que va a
trabajar el dispositivo. Estos datos son propios del circuito en el cual el diodo está funcionando.
I RMS
a= E 3. 6
I FAV
En el tema 2, se calculó la potencia media disipada por un diodo, demostrándose que no sólo depende
del valor medio de la corriente sino que es función también de la intensidad eficaz. No obstante, esta
potencia suele venir dada por el fabricante en forma de curvas para diodos de potencia.
Para formas de onda cuadradas en lugar del factor de forma será necesario conocer el ciclo de
trabajo, D que es la relación entre el tiempo de conducción en cada periodo, ton y el periodo, T.
t on
D= E 3. 7
T
La intensidad media para la operación con ondas cuadradas se calcula según la expresión:
I TAV = D ⋅ I RMS E 3. 8
Demostrar que efectivamente para una señal cuadrada la corriente media que
atraviesa el diodo es igual a la corriente eficaz multiplicada por la raíz
cuadrada del ciclo de trabajo, [E3.8]
El cálculo de la resistencia de disipador se apoya en las curvas que proporciona el fabricante, que son
propias de cada diodo.
Fig 3.10 Gráficas para el diodo rectificador. Potencia en función de la intensidad media para distintos factores de forma y temperaturas de
contenedor en función de la temperatura ambiente para distintos valores de resistencia contenedor ambiente. Observar la interpretación de
la gráfica realizada en el problema 3.4

Suponiendo conocidas la intensidad media y el factor de forma, la potencia que disipa el diodo se
puede obtener directamente en la curva de la izquierda. Con este valor de potencia y el de la
temperatura ambiente en la curva de la derecha se pueden ver tanto la temperatura de contenedor
como la resistencia contenedor ambiente necesaria.
R ca = R cd + R d E 3. 9
De esta expresión se puede obtener la resistencia de disipador buscada sabiendo que Rcd dependerá
del tipo de contacto cápsula-disipador.
Para un diodo de potencia, las pérdidas totales serán la suma de las pérdidas en conmutación y las
pérdidas en conducción. Las pérdidas en conmutación son significativas a altas frecuencias y
aparecen como consecuencia de la recuperación inversa. Se pueden calcular aplicando la expresión:
Pconmutación = VR ⋅ Q RR ⋅ f s E 3.10
En la que VR es la tensión en bornes del diodo en estado de bloqueo, fs es la frecuencia de

conmutación y QRR es la carga de recuperación inversa

En la gráfica de la figura 3.10, se puede observar que a medida que aumenta la potencia
que se quiere disipar, eje Y de la gráfica de la izquierda, disminuye la temperatura a la
que se debe encontrar el contenedor, eje Y de la gráfica de la derecha. Reflexionar sobre
esta aparente contradicción.
PROBLEMA 3.4
Sea un diodo rectificador de 60A del tipo BYW93 con una Rjc = 0.7 ºC/W y una Tjmax = 150ºC,
que se está utilizando en un circuito que aporta una intensidad media de 30A con un factor de
forma de 1.57 Sabiendo que la temperatura ambiente es de 40ºC, la Rcd seleccionada es de
0.3ºC/W y las curvas que facilita el fabricante son las de la Figura 3.10 Calcular la Rd
Solución: Rd= 3.7ºC/W
PROBLEMA 3.5
Para un mismo componente, un fabricante aporta dos curvas de desvataje, según se indica en la
siguiente figura. A la vista de los datos en ellas reflejados, obténgase:
Fig 3.11
(a) A una temperatura ambiente de 50ºC, ¿qué potencia máxima puede disipar el componente
para no requerir disipador?
(b) Si la temperatura ambiente es de 40 ºC, ¿en qué condiciones podría disipar 20W?
(c) En un circuito en que disipa 10 w se le ha colocado un disipador de 3ºC/W (colocado con un
aislante que introduce 1ºC/W), ¿Hasta qué temperatura ambiente funcionaría correctamente?
…

Solución:
(a) Sin disipador:
150° C− 40° C
θ ja = = 55° C/W
2W
Tj max − Ta 150° C− 50° C

Pmax (55° C sin disip .) = = ⇒ Pmax (55° C sin disip .) = 1.82 W
θ ja (sin disip .) 55° C/W
(b) Si se disipan 20W:
Fig 3.12
150° C− 40° C
θ jc = = 5.5° C/W θ ca = θ dis + θ aislante
20 W
La temperatura en la cápsula será:
Tc = Tj − 20 ⋅ θ jc = Tj − 20 W⋅ 5.5° C/W = Tj − 110° C
Cuando Tj = Tj max es el caso límite ⇒ Tc = 40° C
Como ésta es la temperatura deseada para Ta, esto sólo se conseguirá si θ ca = 0 Æ didipador
infinito.
(c)
Fig 3.13
Tj = 10 ⋅ (θ jc + θ aislante + θ dis ) + Ta = 95° C+ Ta

Como Tj ≤ Tj max Ta ≤ Tj max − 95° C = 150° C− 95° C ⇒ Ta = 55° C

PROBLEMA 3.6
La máxima temperatura de la unión de un transistor de potencia es de 180ºC, la resistencia

térmica unión-cápsula es Rjc = 5K/W
(a) Si la temperatura ambiente es de 50ºC y se emplea un aislante cápsula-disipador con Rcs =
1K/W, obtener la resistencia térmica mínima que debe poseer el disipador que se utilice, cuando
el transistor disipa 20W.
(b) Repítase el apartado anterior si el transistor disipase 25W
(c) Dibújese la curva de desvataje del transistor, sabiendo que la potencia nominal está dada para
40ºC.
Solución:
(a)
Fig 3.14
Tj = 20 W⋅ (5° C/W + 1° C/W + θ dis ) + Ta ≤ Tj max

Tj max − Ta
θ dis ≤ − 6° C/W ⇒ θ dis = 0.5° C/W
20 W
(b)
Fig 3.15
Repitiendo las operaciones del apartado anterior:
Tj = 25 W⋅ (5° C/W + 1° C/W + θ dis ) + Ta ≤ Tj max

Tj max − Ta
θ dis ≤ − 6° C/W ⇒ θ dis = −0.8° C/W Æ ¡Imposible! No se podría disipar
25 W
esta potencia
(c)
Tj max − Ta 180° C− 40° C
Pn = Pmax (Ta = 40° C ) = = ⇒ Pn = 28 W
θ jc 5° C/W
Fig 3.16

PROBLEMAS PROPUESTOS
• Calcular la potencia máxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la temperatura de la

cápsula no debe superar los 10ºC.
• Calcular la potencia máxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la temperatura

ambiente es de 50ºC.
• Un transistor de potencia, de silicio, tiene las siguientes especificaciones térmicas:
PD (max ) = 20 W , θ ja = 7° C/W , θ jc = 0.7° C/W

(a) Obtener la temperatura máxima de la unión.
(b) El transistor está montado directamente sobre un radiador de calor de aluminio que
tiene θ ra = 4° C/W y la resistencia térmica cápsula-radiador es de θ cr = 0.2° C/W .
Hallar la máxima disipación permisible.
• Un transistor tiene un encapsulado TO.126 y una temperatura Tj máxima de 150ºC.

Determinar la potencia máxima que puede disipar sin aleta, en el caso que la temperatura
ambiente nunca sea inferior a 45ºC. En estas condiciones, indicar la resistencia térmica
máxima de la aleta que permita duplicar la anterior potencia máxima.
• Un diodo Zener de 2W debe disipar 5W y la temperatura máxima de la unión es 175ºC.
Calcular la θja. Si la temperatura ambiente es de 50ºC y θjc = 15 ºC/W, determinar la máxima
resistencia térmica entre la cápsula-ambiente que evite dañar al diodo. Si el encapsulado del
diodo es del tipo TO.202, proponer un tipo de aleta que verifique todos los requerimientos.
Características 2N3904 [Electrónica básica para ingenieros]

[3_16]
3.5 Ventilación forzada

Cuando la resistencia térmica obtenida en el cálculo es muy baja, se puede
elegir entre pocos radiadores, puesto que son pocos los que hay en el mercado
que ofrecen una resistencia térmica inferior a 0.5 – 0.6 ºC/W. En estos casos,
se utiliza un ventilador, el cual es capaz de reducir la resistencia térmica
equivalente.
Para valorar en términos numéricos la reducción de la resistencia térmica es

absolutamente necesario conocer un dato que nos proporciona el fabricante
Fig 3.17 Ventilador del ventilador. Este es el aire que es capaz de mover el ventilador por unidad
de tiempo.
3.6 Impedancia Térmica

El método de diseño empleado anteriormente sólo es válido en aquellos casos en los que la
temperatura de pico que alcanza la unión es muy parecida a su temperatura media.
El aquellos componentes que soportan pulsos únicos de potencia, pulsos de forma irregular o trenes
de pulsos de baja frecuencia con ciclos de trabajo pequeños (δ<0.5), el factor que limita las pérdidas
de potencia es la temperatura de pico de la unión y no la temperatura media.
La razón de esto es que el calentamiento no llega a la cápsula ni al radiador debido a la inercia
térmica, y la cápsula permanece prácticamente a la temperatura ambiente.

El modelo anterior ( Tj = Pd ⋅ R jc + Tc ) NO es válido.

El modelo térmico debe ser modificado para contar con la capacidad térmica, se deben incluir estas
capacidades que simulan a las inercias térmicas de los elementos.
Fig 3.18 Modelo térmico
En este caso habría que definir una impedancia térmica Zjc<Rjc , que sirve para calcular la evolución
de la temperatura instantánea.
Las pérdidas de potencia prácticamente se producen en la oblea de silicio, que al tener poca masa, su
inercia térmica es muy pequeña y puede cambiar de temperatura rápidamente.
El radiador tiene mucha masa con lo que su inercia es mucho mayor y los cambios de temperatura
son mucho más lentos.
En la práctica se utiliza un método simplificado, a partir de las curvas que el fabricante proporciona
de impedancia térmica transitoria (ver figura 3.23). Se trataría de calcular las dos incógnitas de Tc y
Rd
Fig 3.19
¿Qué potencia debo de tomar? Para el cálculo de Tc la potencia máxima y para el cálculo de Rd la
potencia media.
Fig 3.20
Tenemos dos ecuaciones con dos incógnitas, Tc y Rd.
En el circuito eléctrico que representa la analogía con el comportamiento térmico se pueden ver una
serie de grupos Rt Ct cada uno con una constante de tiempo característica τ = Rt Ct

El valor de la constante de tiempo determina si cada uno de los grupos Rt Ct alcanzan el equilibrio
rápida o lentamente. Cada grupo produce un incremento de temperatura que viene dado por la
expresión:
⎡ -t
R t ⋅C t
⎤
∆T = t 2 − t 1 = R t ⋅ Pd ⋅ ⎢1 − e ⎥ E 3.11
⎢⎣ ⎥⎦
Rt Resistencia térmica del grupo Rt Ct
Ct Capacidad térmica del grupo Rt Ct
Cuando se aplica el pulso de potencia, la temperatura va aumentando de valor con la consiguiente

carga de las capacidades térmicas. Cuando éstas se cargan totalmente, se alcanza el régimen
permanente para la temperatura y su aumento ya solo depende de la resistencia térmica
Fig 3.21
Temperatura de la unión en función del pulso aplicado. La
temperatura, aumenta con la duración del pulso, hasta que se
alcanza el régimen permanente. (Cortesía Motorola)
Si a esta red se aplica un pulso de potencia, el valor de pico para Tj depende de la amplitud del pulso
de potencia y de la anchura del pulso ton.
La figura 3.21 muestra la respuesta de Tj ante dos pulsos de diferentes anchuras pero con el mismo
valor de pico. El pulso de menor anchura hace que la unión alcance un valor inferior de temperatura.
Como se puede observar, si se aplica un pulso lo suficientemente ancho, la temperatura de la unión
alcanzará el régimen estable. Si la duración del pulso aplicado no permite a Tj llegar al régimen
estable, es cuando la impedancia térmica cobra importancia.
La variación de la impedancia térmica Zjc(t) con la anchura de pulso la puede dar el fabricante
directamente, pero lo normal es que suministre una curva como la mostrada en la figura 3.22, en la
que se utiliza r(t) que es el resultado de normalizar la impedancia térmica transitoria Zjc(t) con la
resistencia térmica Rjc, en régimen estable.
Z jc (t)
r(t) = E 3.12
R jc
Zjc(t) = Impedancia térmica transitoria.
Rjc = Resistencia térmica en régimen estable.
r(t) = Impedancia térmica normalizada (inferior a la unidad).
Para pulsos de corta duración r(t) es bastante pequeño pero al incrementarse ton, r(t) se aproxima a 1.
Esto quiere decir que para pulsos de larga duración la impedancia transitoria Zjc(t) se aproxima a la
resistencia Rjc en régimen estable. Conociendo ton se puede obtener r(t) a partir de la gráfica de la
figura 3.22 La impedancia térmica se obtiene despejando en [E3.12]
Z jc (t) = r(t) ⋅ R jc E 3.13

Fig 3. 22
Impedancia térmica normalizada, r(t) para un solo pulso, en función de
la duración de éste, ton
En algunas ocasiones el fabricante suministra las curvas de la resistencia térmica transitoria para
trenes de pulsos en función del ciclo de trabajo, D tal y como se puede observar en la gráfica de la
figura 3.23.
Fig 3.23 Impedancia térmica normalizada para trenes de pulsos de larga duración, en función del ciclo de trabajo. (Cortesía de Motorola)
Se define el ciclo de trabajo como la relación entre la anchura del pulso y el periodo del tren de
impulsos.
t on
D= E3. 14
T
ton = tp = Anchura del pulso aplicado
T = Periodo del tren de impulsos.
A continuación se verá como se utilizan las curvas de la impedancia térmica que suministra el
fabricante y se aplicará al cálculo de la temperatura que alcanzará la unión según sea aplicado un
único pulso de potencia o un tren de pulsos.
Respuesta ante un único pulso de potencia

Algunas veces el fabricante suministra en una sola gráfica la curva para un único pulso de potencia y
para trenes de impulsos con diferentes ciclos de trabajo (D). En este caso la curva con D = 0 es la
correspondiente a un pulso único de potencia.
Fig 3. 24
Respuesta de la temperatura de la unión ante un único pulso de potencia
Ante la aplicación de un único pulso de potencia como el que se puede observar en la figura, se
puede calcular Tj mediante la curva r(t) frente a ton si se conoce, Pd, Rjc y Tc utilizando la expresión
3.15

Tj1 = Tc + Z jc (t1 ) ⋅ Pd = Tc + r(t1 ) ⋅ R jc ⋅ Pd E 3.15
PROBLEMA 3.7
Dada la curva de la figura 3.27 de la impedancia térmica transitoria normalizada en función de

la anchura del pulso aplicado y del ciclo de trabajo (r(ton D)) de un transistor 2N3716,
determinar la temperatura de la unión al final del primer pulso bajo las siguientes condiciones:
Pd = 40W; ton = 10ms; T = 50ms; Tc = 50ºC; Rjc = 1.17ºC/W
Fig 3.27 Impedancia térmica transitoria normalizada para el 2N3716 (Cortesía de Motorola)
En la gráfica de la figura se obtiene el valor de r (ton) para un único pulso, es decir la

intersección de la vertical para ton = 10 ms con la curva para D = 0.
r (t on ) = 0.4
La temperatura que alcanzará la unión al final del pulso se calcula mediante la ecuación [E3.15]
Tj = Tc + r (t on ) ⋅ R jc ⋅ Pd = 50° C+ 0.4 ⋅ 1.17° C/W⋅ 40 W Tj = 68.72°
Respuesta ante una serie de impulsos al azar

En una serie de impulsos de potencia al azar cada impulso tiene valores diferentes para la anchura
y la altura. Para hallar el valor de los incrementos de temperatura ocasionados se debe aplicar el
principio de superposición.
En la utilización de este principio cada intervalo de potencia que produce calor, es considerado
positivo en valor y cada intervalo de refrigeración es considerado negativo. Un intervalo de
calentamiento comienza al mismo tiempo de la aplicación del impulso y se extiende al infinito. Un
intervalo de refrigeración comienza al finalizar el impulso de potencia y también se extiende al
infinito.

Fig 3.28
Serie de impulsos al azar, principio de superposición para calcular la
variación de la Tª de la unión. Este método también puede ser aplicado
cuando el tiempo total de calentamiento es más pequeño que el tiempo
necesario para alcanzar el régimen permanente. (Cortesía de Motorola)
Llamando ∆Tj a la diferencia de temperatura entre la unión y la cápsula
∆Tj = Tj − Tc
se cumplirá que el ∆Tj considerando el primer impulso es:
∆Tj1 = P1 ⋅ r ( t1 ) ⋅ R jc
mientras que considerando hasta el tercer impulso, la expresión se complica:
∆Tj3 = [P1 ⋅ r ( t 3 ) − P1 ⋅ r ( t 3 − t 1 ) + P2 ⋅ r ( t 3 − t 2 )]⋅ R jc
y para el quinto impulso:
∆Tj5 = [P1 ⋅ r ( t 5 ) − P1 ⋅ r ( t 5 − t1 ) + P2 ⋅ r ( t 5 − t 2 ) − P2 ⋅ r ( t 5 − t 3 ) + P3 ⋅ r ( t 5 − t 4 )]⋅ R jc
Como se puede observar, se hace un sumatorio, con el signo adecuado, según se trate de
calentamiento o de refrigeración, de los efectos que tiene cada impulso sobre el instante en el que se
desea saber la temperatura que alcanzará la unión Tj.
Considerando un tren de impulsos de larga duración, éste permitirá alcanzar el equilibrio a la
temperatura de la unión.
Al final del primer impulso los cálculos son iguales que para un único pulso. Al final de un impulso
en un estado estable se cumple la expresión
∆Tj = Pd ⋅ R jc ⋅ r(t on , D)
r (ton, D) se obtiene de la gráfica de la impedancia térmica normalizada suministrada por el

fabricante.
Para poder utilizar la curva de r(t) en función de varios ciclos de trabajo, r(ton, D) es necesario que el
producto del número de pulsos, n por el período sea al menos equivalente al tiempo necesitado por el
semiconductor para alcanzar el equilibrio térmico.

Las curvas de resistencia térmica transitoria que facilita el fabricante son útiles para pulsos
rectangulares de potencia. Los pulsos de potencia no rectangulares pueden ser analizados mediante
sus equivalentes rectangulares.
Para formas de onda simples como la senoidal y triangular pueden utilizarse expresiones matemáticas
para convertirlas en sus equivalentes rectangulares pero en cualquier caso un análisis gráfico
haciendo que las energías almacenadas en ambas formas de onda sean las mismas (en la original y en
la equivalente rectangular), será una buena aproximación.
Fig 3.25 Aproximación de un pulso de potencia mediante pulsos rectangulares
Fig 3.26

PROBLEMA 3.8
Dado un transistor que requiere 3 segundos para alcanzar el equilibrio térmico. Sabemos que ton
= 100 µs y que el ciclo de trabajo D = 0.5. Determinar el número de pulsos, n para poder usar la
gráfica r(ton, D).
Solución:
t on 100 µs
T= = ⇒ T = 2 ⋅ 10 − 4 s
D 0.5
3s 3s
n⋅ T = 3 s → n = = −4
⇒ n = 1.5 ⋅10 4
T 2 ⋅ 10 s
Visita el tutorial interactivo de electrónica de potencia
www.ipes.ethz.ch
Fig 3.29 Equivalente térmico

Fig 3.30 Impedancia térmica
Un nuevo ejemplo ilustrará mejor el cálculo de Tj al aplicar un tren de impulsos de larga duración a
un transistor.
PROBLEMA 3.9
Dada la curva de la impedancia térmica transitoria normalizada en función de la anchura del

pulso aplicado y del ciclo de trabajo (r(ton, D)) del transistor 2N3716, Fig. 3.27, encontrar el
máximo valor que alcanzará la temperatura de la unión al aplicar un tren de impulsos
Datos: Pd = 40W; ton = 10ms; T = 50ms; Tc = 50ºC; Rjc = 1.17ºC/W
Solución:
El máximo valor de la temperatura de la unión se alcanzará cuando el número de impulsos sea

suficiente como para dejar que la temperatura alcance el régimen estable.
Se puede calcular el ciclo de trabajo mediante la expresión E3.20

t on
D= ⇒ D = 0.2
T
De la curva suministrada por el fabricante para D = 0.2 y ton = 10 ms se obtiene:
r (t on , D ) = 0.56
con lo cual la Tj será:
Tj = Tc + r (t on , D ) ⋅ R jc ⋅ Pd ⇒ Tj = 76.2°
Se podría haber utilizado también el principio de superposición, para resolver este problema,
pero los cálculos son largos. No tendremos más remedio que aplicarlo si el fabricante sólo nos da
la curva de r(t) / ton para un solo pulso de potencia correspondiente a D = 0.

3.7 Resumen
A continuación vamos a presentar un resumen de los conceptos estudiados en esta lección para
posteriormente ver algunos ejemplos de aplicación
¾ Funcionamiento en continua (valores medios de potencia)

Tj − Ta Tj − Tc
R ja = R jc =
PT (AV ) PT (AV )
Combinando estas ecuaciones:

Tj − Ta
R da = − R jc − R cd
PT (AV )
Cuando queremos obtener valores medios de temperatura que alcanzará la unión hay que tomar
Potencia media y Resistencia térmica
¾ Funcionamiento discontinuo
1. Tren de pulsos de corta duración
Fig 3.31 Variación de la temperatura de la unión y temperatura

contenedor cuando la duración del pulso es pequeña comparada
con la constante de tiempo térmica del disipador
Tj − Tc
PTmax = Tc = Tj − PTmax ⋅ Z jc
Z jc
Tjmax = Tc + PMAX ⋅ Z jc = Ta + PT (AV ) ⋅ (R cd + R da ) + PMAX ⋅ Z jc
2. Un solo pulso de larga duración
Cuando la duración del pulso es mayor que la constante de tiempo del radiador
Fig 3.32 Pulso de larga duración
En los ejemplos vamos a suponer que Tc = 75ºC

Sea una señal rectangular periódica de potencia en un dispositivo (normalmente la

podemos encontrar en convertidores conmutados).
100W son disipados cada 400µs con un periodo de 20µs. Calcular la temperatura
máxima que alcanzará la unión del semiconductor.
Solución:
Tjmax:
t p = 400 µs = 4 ⋅ 10 −4 s ; T = 2 ⋅ 10 −5 s ; P = 100 W
Fig 3.33 Curvas de impedancia térmica. Cortesía de Philips
20
δ= = 0.05
400
El valor de Zjc lo obtenemos para δ = 0.05 de las figura 3.33: Z jc ≈ 0.1° C/W
∆ Tjc ≈ P⋅ Z jc = 100 W⋅ 0.1° C/W = 10° C
Tj ≈ Tc + ∆Tjc = 75° C+ 10° C = 85° C
Tjmax(media):
Pav = P⋅ δ = 100 W⋅ 0.05 = 5 W

∆Tjc (a v ) = Pa v ⋅ Z jc (δ =1) = 5 W⋅ 2° C/W = 10° C
Tj(a v ) = 75° C+ 10° C = 85° C
Para el caso de que la señal sea un solo pulso y con igual duración al anterior
problema: t p = 400 µs = 4 ⋅ 10 −4 s
Solución:
tp
Ahora: δ = = 0 → T = ∞ ; P = 100 W
T
De la gráfica 3.33, para δ = 0 : Zjc = 0.04ºC/W
∆ Tjc = P⋅ Z jc = 100 W⋅ 0.04° C/W = 4° C

Para la forma de onda compuesta de la figura 3.34, calcular la temperatura de la

unión. T = 400µs
Fig 3. 34 Cortesía de Philips
La forma de onda de la figura consiste en 3 pulsos rectangulares (40W para 10µs, 20W para 130µs y 100W
para 20µs). La temperatura de la unión se puede calcular en cualquier punto del ciclo.
Para el primer cálculo todos los pulsos, positivos y negativos, deben terminar en tx y para el segundo cálculo en
ty.
Pulsos positivos incrementan la temperatura de la unión, mientras que los negativos la decrementan.
Hacer el cálculo para tx
Solución:
∆Tj max = P1 ⋅ Z jc ( t 1) + P2 ⋅ Z jc ( t 3) + P3 ⋅ Z jc ( t 4 ) − P1 ⋅ Z jc ( t 2 ) − P2 ⋅ Z jc (t 4 )
Los valores de P1, P2 y P3 son: P1 = 40 W , P2 = 20 W , P3 = 100 W
Los valores de Zjc los sacamos de la figura 3.33

Por último: t1 = 180µs, t2 = 170µs, t3 = 150µs, t4 = 20µs.
180
Para t1 : δ = = 0.45 ⇒ Z jc = 0.9 K/W
400
En la siguiente tabla pueden verse los valores calculados para este ejemplo:
Realizar el cálculo para ty

PROBLEMA PROPUESTO
Un transistor MOSFET que presenta una resistencia en conducción de valor RDSON = 100m Ω, se
coloca en un circuito de manera que, cuando conduce, lleva una corriente igual a 10A. La
impedancia térmica unión-cápsula de este transistor se muestra en la figura. La resistencia
térmica del radiador sobre el que va montado, presenta un valor RθRA=5ºC/W. La temperatura
ambiente es de 30ºC.
Calcular, para los casos siguientes, la temperatura máxima que alcanza la unión del
semiconductor:
a) El transistor lleva pulsos de corriente de 10kHz y ciclo de trabajo 0,1.

b) El transistor conduce de forma permanente.
c) El transistor conduce corriente con una frecuencia de 1Hz y ciclo de trabajo 0,1.
d) En el transistor se produce un único pulso de corriente de 1ms de duración cada 10 minutos de
funcionamiento.
Fig 3.35

Bibliografía
AGUILAR PEÑA, J. D.; MOLINA SALIDO, J. DE LA CRUZ; NIETO PULIDO, J.; LOPEZ
MUÑOZ, P. Disipadores de calor para semiconductores de potencia. Cámara oficial de comercio e
industria de la provincia de Jaén, Jaén 1994.
AGUILAR J. D.; ALMONACID G. Disipadores de calor. Revista Española de Electrónica. Julio-

Agosto, 1991.
AGUILAR PEÑA, J. D.; VALERO SOLAS, D. Amplificadores De potencia. Teoría y problemas.

Ed. Paraninfo, Madrid 1993.
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de julio de 2005]
POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS, PHILIPS SEMICONDUCTOR. Tema7.

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RUIZ ROBREDO, G. A. Electrónica para ingenieros. Dpto. Electrónica y Computadores. Facultad

de ciencias, Universidad de Cantabria.
<http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroWeb.html> [Consulta: 5 de julio de 2005]
TIRISTOR DATA (Lección 8: Reliability and Quality) <http://onsemi.com>


POTENCIA
Tema 4.- Introducción

Introducción y clasificación. Distorsión. Amplificadores de potencia clase A (Acoplo
directo. Por transformador). Distorsión. Contratase Clase B: Circuito básico, cálculos,
rendimiento, distorsión. Amplificadores de potencia en contratase AB: Dos fuentes de
alimentación, una fuente de alimentación. Servoamplificadores.

[email protected]
4.1 Consideraciones generales 1
4.1.1 Clasificación de los Amplificadores 1

4.1.2 Tipos de Distorsión 2
4.1.3 Cálculo de la distorsión armónica 3
4.2 Diseño del Amplificador 8
4.2.1 Situación del punto de trabajo 8
4.3 Amplificador de Potencia Clase A 9
4.3.1 Características generales 9

4.3.2 Clase A con acoplo directo a la carga 10
4.3.3 Clase A con acoplo por transformador 12
4.3.4 Distorsión en clase A 12
4.4 Amplificador de Potencia Clase B 13

4.4.2 Amplificador de Potencia Clase B en contrafase ó push-pull 14
Disipación de potencia y rendimiento 16

Distorsión de cruce 20
Reducción de la distorsión con realimentación 21
4.5 Amplificador de potencia clase AB 22

4.5.2 Amplificador de Potencia Clase AB en contratase 23
Características generales 23
Diseño del amplificador 23
Polarización con un multiplicador VBE 24
4.6 Servoamplificadores 30
Servoamplificador controlado por corriente 30

Amplificador PWM (modulación de anchura de pulso) controlado por tensión 31
Amplificador PWM controlado por corriente 32
4.7 Protecciones contra sobreintensidades 32
Limitación por corriente constante 32

Limitación de corriente regresiva (Foldback) 33
TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA
4.1 Consideraciones generales

Se puede definir amplificador de potencia como la etapa, cuyo objetivo es entregar la máxima
potencia a la carga, con la mínima distorsión y con el máximo rendimiento, sin sobrepasar ni en las
condiciones más desfavorables de funcionamiento, los límites máximos permitidos de disipación de
potencia de los elementos empleados.
Las etapas de salida son diseñadas para trabajar con niveles de tensión y corriente elevados. Las
aproximaciones y modelos de pequeña señal no son aplicables o deben de ser utilizados con las
consideraciones oportunas.
4.1.1 CLASIFICACIÓN DE LOS AMPLIFICADORES
Según la frecuencia de las señales a amplificar

• De Corriente Continua. Entre 0 y algunos hercios.
• De Audiofrecuencia. Entre 20Hz y 20KHz.
• De Radiofrecuencia. Entre 20KHz y varios cientos de MHz.
• De Videofrecuencia. También llamados de banda ancha, entre 30Hz y 15MHz.
Según el funcionamiento de los transistores de salida
• Lineales. Los transistores trabajan en zona lineal.
• De conmutación. Los transistores de salida trabajan en conmutación, on - off.
Atendiendo al punto estático de funcionamiento, punto Q. Ver figura 4.1
Fig 4. 1 Tipos de amplificadores atendiendo al punto estático de funcionamiento. Observar las formas de onda de la señal de entrada, VBE y
de la señal de salida, IC
© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 1

• CLASE A. La señal de salida circula durante todo un ciclo de la señal de entrada. El punto de
funcionamiento Q está centrado en la Recta de carga.
• CLASE B. La señal de salida circula durante un semiciclo de la señal de entrada. Ic)Q = 0
• CLASE AB. La señal de salida circula durante menos de un ciclo y más de un semiciclo de la
señal de entrada. Ic)Q ≠ 0 pero pequeño.
• CLASE C. La señal de salida circula durante menos de un semiciclo de la señal de entrada. El
transistor se encuentra polarizado negativamente VBE < 0
• CLASE D. Se conocen también con el nombre de amplificadores conmutados. Los elementos
de salida trabajan en conmutación, por lo que las pérdidas de potencia son muy bajas y
consecuentemente, alcanzan rendimientos próximos al 100%
4.1.2 TIPOS DE DISTORSIÓN.

En un amplificador ideal la señal de salida es una réplica exacta de la señal de entrada. En
amplificadores reales, fundamentalmente debido a las características no lineales de los dispositivos
utilizados, aparecen distorsiones que introducen modificaciones en la señal de salida.
Distorsión de fase
Aparece debido a que las componentes de una señal sufren distintos desplazamientos de fase a
medida que van atravesando las etapas del amplificador. Estas diferencias de fase son provocadas por
los elementos capacitivos e inductivos que forman parte del sistema.
Distorsión de frecuencia
Aparece debido a que la ganancia de los amplificadores no es la misma para todas las frecuencias, es
decir, la respuesta en frecuencia no es plana, por lo que la señal de salida presentará deformaciones
con respecto a la de entrada, dado que las formas de onda complejas están compuestas por señales
sinusoidales de distintas frecuencias y amplitudes. Al igual que en el caso anterior, estas
deformaciones son provocadas por los elementos capacitivos e inductivos. En general, éstas
distorsiones aparecen conjuntamente.
Distorsión de amplitud
Aparecen por la falta de linealidad de los componentes de los amplificadores introduciéndose señales
armónicas indeseadas en la señal de salida. La ganancia de los amplificadores no es la misma para
todas las amplitudes de la forma de onda de la señal de entrada, por lo que pueden aparecer
amplificaciones o recortes desproporcionados en la señal de salida. Estos efectos se pueden
minimizar mediante una realimentación negativa.
En función de la señal de entrada, se definen dos tipos de distorsión de amplitud.
Distorsión armónica.
Para una señal de entrada senoidal pura, el amplificador añade frecuencias armónicas de la frecuencia
de la señal de entrada, que se unen a ésta, alterando su forma. Es la forma de distorsión más
característica. Por ejemplo, una señal pura de 1kHz se transforma a la salida del amplificador con
distorsión en otra señal que además de tener la componente fundamental de 1kHz posee señales
armónicas de 2kHz (segundo armónico), 3kHz (tercer armónico), etc.
Distorsión armónica total Componente armónica Componente armónica y resultante

[4_1] [4_2] [4_3]

Distorsión por intermodulación. [4_4]
Tiene lugar cuando a la entrada de un amplificador se aplican simultáneamente dos señales de

distinta frecuencia y a la salida aparecen además de éstas, otras frecuencias no relacionadas
armónicamente con ellas. Para dos señales de entrada, de frecuencias f1 y f2, se obtienen a la salida
señales cuya frecuencia esta relacionada con la de las señales de entrada, f1, f2, 2f1, 2f2,... nf1,...nf2,
f1+f2,... n (f1+f2), f1-f2, etc.
Estos dos tipos de distorsión de amplitud se expresan en tanto por ciento. Debe quedar claro que
ambas distorsiones son debidas a la falta de linealidad de los dispositivos utilizados.
Fig 4. 2 Tipos de distorsión
4.1.3 CÁLCULO DE LA DISTORSIÓN ARMÓNICA

Sea un circuito al cual se le aplica, como señal de entrada, una señal cosenoidal
Vi (t) = Vm Cos ωo t E 4. 1
La alinealidad de la función de transferencia del circuito da como resultado una señal de salida
distorsionada.
Según Fourier, cualquier señal periódica puede descomponerse en un cierto número de señales que
sumadas dan como resultado la forma de onda de la señal periódica, con la particularidad de que la
frecuencia de estas ondas sigue un orden armónico.
N
Vo(t) = VDC + V1cos(ω0 t + φ1 ) + ∑ Vn cos(nω0 t + φ n ) E 4. 2
n =2
donde VDC es el valor medio o componente continua de la señal de entrada. El término de frecuencia
ω0 es el fundamental, que se correspondería con la respuesta deseada, las demás componentes para n
> 1 son los términos que producen la distorsión. Luego la falta de linealidad del circuito produce
componentes armónicas:
N
d(t) = ∑ Vn cos(nω0 t + φ n ) E 4. 3
n =2

d(t) = V2 cos(2ω0 t + φ 2 ) + V3cos(3ω0 t + φ3 ) + ... + Vn cos(nω0 t + φ n ) E 4. 4
El valor eficaz vendrá dado por la siguiente expresión:
2 2 2
⎛V ⎞ ⎛V ⎞ ⎛V ⎞
VRMS = ⎜ 2 ⎟ + ⎜ 3 ⎟ + ... + ⎜ N ⎟ E 4. 5
⎝ 2⎠ ⎝ 2⎠ ⎝ 2⎠
La distorsión armónica se mide en tanto por ciento y se define como
2 2 2
⎛V ⎞ ⎛V ⎞ ⎛V ⎞
%THD = ⎜⎜ 2 ⎟⎟ + ⎜⎜ 3 ⎟⎟ + ... + ⎜⎜ n ⎟⎟ ⋅ 100 E 4. 6
⎝ V1 ⎠ ⎝ V1 ⎠ ⎝ V1 ⎠
El factor armónico del n-ésimo armónico mide la contribución de cada armónico, y se define como
Vn
HFn = E 4. 7
V1
El factor de distorsión, DF indica la cantidad de distorsión armónica que queda en una forma de
onda después de que ésta haya sido sometida a una atenuación de segundo orden. Se define según la
expresión:
∞ 2
1 ⎛V ⎞
DF = ∑ ⎜ 2n ⎟ E 4. 8
V1 n = 2,3... ⎝ n ⎠
donde V1 es el valor eficaz de la componente fundamental y Vn es el valor eficaz del enésimo

componente armónico.
El factor de distorsión de un componente armónico en particular viene dado por
Vn
DFn = E 4. 9
V1 ⋅ n 2
El armónico de menor orden, LOH es el componente que no presenta desfase respecto del
fundamental y su amplitud es mayor o igual al 3% de la de éste. La comprobación de que no existe
desfase se puede hacer fácilmente en el listado de Fourier, obtenido mediante Pspice, en la columna
“Normalized phase (deg)”.
Dada la importancia que tiene la distorsión para el conocimiento del comportamiento global de un
sistema, y en electrónica de potencia la descomposición de una onda en sus correspondientes
amónicos, en la simulación 4.1 se analizan brevemente los datos que sobre el particular se pueden
obtener del listado de Fourier una vez realizada la simulación del comportamiento del sistema
mediante el programa Pspice.
SIMULACIÓN PSPICE 4.1
El circuito de la figura a) es un amplificador de potencia clase B en contrafase con dos fuentes de

alimentación. El circuito de la figura b) es el mismo amplificador de potencia preamplificado y
realimentado para evitar la distorsión de cruce. Los transistores push-pull (simetricos
complementarios) son NPN BD135 y PNP BD136.
a) Obtener mediante Pspice el listado de Fourier, las formas de onda de las tensiones de entrada y
salida del amplificador, para el transistor BD135 y la función de transferencia, cuando se aplica a
la entrada la tensión vi = 1 sen(2π 1000t)
b) Realizar el mismo análisis con Pspice para vi = 12 sen (2π 1000t) Comparar los resultados
para los apartados a y b, ¿qué conclusión se puede sacar?
…

c) Introducir una realimentación usando un preamplificador formado por un circuito operacional

y realizar el mismo análisis con Pspice.
Solución:
Se facilitan los listados para la simulación con PsPice, los cuales incluye los modelos necesarios
para los transistores complementarios así como el subcircuito correspondiente al amplificador
operacional.
Por razones obvias no se han reflejado todos los resultados obtenidos en la simulación, se invita
al lector para que la realice y reflexione sobre los resultados obtenidos, así como para que los
compare. También es interesante analizar los efectos que se producen al introducir nuevos
valores en la amplitud de la señal de entrada así como el efecto de introducir la realimentación.
Apartado (a)
Descripción del circuito:
Análisis de Fourier:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4)
DC COMPONENT = -7.428562E-06
HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1 1.000E+03 5.677E-01 1.000E+00 1.373E-01 0.000E+00

2 2.000E+03 3.446E-04 6.070E-04 -1.639E+02 -1.642E+02
3 3.000E+03 9.795E-02 1.726E-01 1.792E+02 1.788E+02
4 4.000E+03 7.385E-04 1.301E-03 -1.576E+02 -1.581E+02
5 5.000E+03 3.593E-02 6.330E-02 1.781E+02 1.775E+02
6 6.000E+03 1.087E-03 1.915E-03 -1.558E+02 -1.567E+02
7 7.000E+03 1.249E-02 2.200E-02 1.757E+02 1.747E+02
8 8.000E+03 1.201E-03 2.116E-03 -1.572E+02 -1.583E+02
9 9.000E+03 2.849E-03 5.019E-03 1.670E+02 1.658E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.852069E+01 PERCENT
En la columna correspondiente a las componentes de Fourier se puede comprobar que la

amplitud de los armónicos pares es despreciable (ausencia de armónicos pares) y que la amplitud
del fundamental predomina sobre la de los armónicos impares que también son despreciables a
partir del tercero. De la columna correspondiente a las componentes normalizadas o factor
armónico, se obtienen los datos HD de la expresión para el cálculo de la distorsión armónica
total.
THD = HD 22 + HD 32 + HD 24 + ... = 0.1852 THD = 18.52 %
…

En esta pantalla se puede apreciar la distorsión de cruce, característica de los amplificadores de potencia trabajando en
clase B en contrafase. Así como la diferencia entre la tensión de entrada y la de salida
En esta pantalla se puede apreciar la causa de la distorsión de cruce que no es otra que la irregularidad en la
amplificación para valores pequeños de la amplitud de la señal de entrada (-0.4V , 0.4V )
Apartado (b)
DC COMPONENT = -5.934254E-03

1 1.000E+03 1.137E+01 1.000E+00 3.059E-02 0.000E+00

2 2.000E+03 1.196E-02 1.052E-03 -8.776E+01 -8.779E+01
3 3.000E+03 1.495E-01 1.315E-02 1.787E+02 1.786E+02
4 4.000E+03 1.184E-02 1.041E-03 -8.818E+01 -8.821E+01
5 5.000E+03 8.400E-02 7.388E-03 1.795E+02 1.794E+02
6 6.000E+03 1.098E-02 9.658E-04 -9.039E+01 -9.042E+01
7 7.000E+03 5.556E-02 4.886E-03 1.799E+02 1.799E+02
8 8.000E+03 9.575E-03 8.421E-04 -9.207E+01 -9.210E+01
9 9.000E+03 4.082E-02 3.590E-03 1.778E+02 1.778E+02
Todos los armónicos continúan siendo despreciables en amplitud frente al fundamental,

igualmente el tercer armónico sigue siendo el más importante en amplitud. La distorsión
armónica ha disminuido considerablemente, su valor, teniendo en cuenta los nueve armónicos, se
calcula considerando la ecuación:
…

THD = HD 22 + HD 32 + HD 24 + ... = 0.0164 THD = 1.64 %
La señal de salida sigue a la de entrada, aunque para el valor de pico es ligeramente menor,
(11.54 V) aparentemente no existe distorsión de cruce
Sigue existiendo distorsión de cruce, pero a medida que aumentamos la amplitud de la señal este
efecto disminuye.
Apartado (c)
DC COMPONENT = 2.911615E-06

1 1.000E+03 9.948E-01 1.000E+00 1.063E-02 0.000E+00

2 2.000E+03 5.956E-06 5.988E-06 1.869E+01 1.868E+01
3 3.000E+03 1.815E-04 1.824E-04 4.850E+01 4.849E+01
4 4.000E+03 6.541E-06 6.575E-06 -5.787E+01 -5.788E+01
5 5.000E+03 1.666E-04 1.674E-04 2.061E+01 2.059E+01
6 6.000E+03 9.908E-06 9.960E-06 -1.344E+02 -1.344E+02
7 7.000E+03 1.458E-04 1.466E-04 -6.993E+00 -7.003E+00
8 8.000E+03 1.801E-05 1.810E-05 1.678E+02 1.678E+02
9 9.000E+03 1.214E-04 1.221E-04 -3.438E+01 -3.439E+01
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.134022E-02 PERCENT
El valor de la amplitud para todos los armónicos es despreciable y el valor del fundamental es
prácticamente igual al valor máximo de la señal de entrada por lo que se puede predecir que la
señal de salida seguirá a la de entrada en todo su periodo. La distorsión total ha disminuido
considerablemente pudiéndose decir que no existe
THD = 0.03 %
…

Se puede comprobar que no existe distorsión de cruce
4.2 Diseño del Amplificador

Para diseñar un amplificador, existen dos posibilidades:
• Conocido el transistor y sus características de funcionamiento (PDmáx, VCEmáx e Icmáx), se calcula la

resistencia de carga RL y la tensión de alimentación VCC que permitan obtener la máxima
potencia de salida PL.
• Conocida la potencia de salida deseada y la carga, determinar la tensión de alimentación y las
características mínimas del transistor.
4.2.1 SITUACIÓN DEL PUNTO DE TRABAJO

En la figura 4.3 se pueden ver las posiciones de la recta de carga en función de la clase en la que
trabaje el amplificador:
Fig 4. 3 Posición del punto de trabajo, Q: intersección de las rectas de carga dinámica y estática para los distintos tipos de Amplificadores
de potencia.

4.3 Amplificador de Potencia Clase A
Fig 4. 4 Amplificación en clase A
4.3.1 CARACTERÍSTICAS GENERALES

Circula corriente en la salida durante todo el periodo de la señal de entrada. Cuando no hay señal de
entrada, la pérdida de potencia es máxima (IC = ICQ).
Al obtener grandes potencias y trabajar con grandes señales, trabajan próximos a la zona no lineal de
la característica V-I, por lo que la distorsión será significativa, aunque menor que en otras clases
como la B o la C.
El punto estático de funcionamiento estará en el centro de la característica de transferencia dinámica.
El rendimiento máximo es del 50%, pero en la práctica está entre el 20 y el 35 %.
Se pueden distinguir dos tipos, según el acoplo con la carga, acoplo directo y acoplo por
transformador.
Etapa de salida clase A
La etapa de salida clase A más sencilla es el seguidor de emisor aunque su eficiencia es bastante baja
(<0.25). La figura 4.5 a) muestra el esquema de este tipo de etapa polarizada con una fuente de
tensión adicional (VBB) para que en ausencia de señal (vs=0) la Vo sea VCC/2; en este caso
VBB=VCC/2+VBE. Es decir, la corriente de colector en continua de este transistor es
VCC
I CQ = E 4.10
2RL
Fig 4. 5 a) Etapa de salida clase A b) Curva de transferencia en tensión

La figura 4.5 b) presenta su curva de transferencia en tensión respecto a la señal de entrada vS. Al
tratarse de un seguidor de emisor la ganancia es ~1, luego la pendiente de la recta también es 1.
Fácilmente se comprueba que la amplitud máxima de la tensión de salida es VCC/2 limitada por la
tensión de alimentación y siempre que Q esté centrada sobre la recta de carga estática. La potencia de
disipación promedio en alterna disipada por RL se obtiene
2
⎛I ⎞ 1 V2
PL = I ⋅ R L = ⎜ max ⎟ ⋅ R L = ⋅ m
2
ef E 4.11
⎝ 2 ⎠ 2 RL
y esa potencia es máxima cuando Vm = VCC/2 de forma que

2
VCC
PLmax = E 4.12
8⋅RL
La potencia suministrada por las fuentes de alimentación se obtiene

2
VCC
PCC = VBB ⋅ I BQ + VCC ⋅ I CQ ≅ VCC ⋅ I CQ = E 4.13
2⋅RL
al ser IBQ << ICQ y sustituyendo ICQ por la ecuación [E4.10]. La máxima eficiencia se determina por las
ecuaciones [E4.12] y [E4.13]
Pl max 1
η max = = = 0.25 (25% ) E 4.14
PCC 4
4.3.2 CLASE A CON ACOPLO DIRECTO A LA CARGA

En este tipo de amplificador, la carga está acoplada directamente al circuito de colector.
En este circuito concreto, la recta de carga estática coincide con la dinámica. Se situará el punto Q en
el centro de éstas rectas para que la excursión de la corriente de salida sea máxima.
Fig 4. 6 Amplificador de potencia en clase A con acoplo directo. Circuito eléctrico y Corriente de colector para máxima excursión. Punto Q
situado en el centro de la recta de carga dinámica.
Para deducir las fórmulas correspondientes a éste diseño, es importante observar la figura 4.6, en la
que se supone que se obtiene la máxima excursión teórica de salida.
El diseño corresponde al caso del transistor trabajando en el límite de seguridad.
VCEmáx VCC I Cmáx
VCEmáx = VCC ; VCEQ = ; I Cmáx = ; I CQ =
2 RL 2

El valor de RL se determina directamente
VCC V
RL = = CEmáx E 4.15
I Cmáx I Cmáx
La potencia en la carga será
2 2
2 ⎛I ⎞ ⎛I ⎞ I2 V2 ⋅ R
PL = I ef ⋅ R L = ⎜ máx ⎟ ⋅ R L = ⎜ Cmáx ⎟ ⋅ R L = Cmáx ⋅ R L = CC 2 L
⎝ 2 ⎠ ⎝2 2 ⎠ 8 8⋅ R L
2
VCC
PL = E 4.16
8⋅ RL
Como se aprecia en la figura 4.6, la potencia máxima disipada por el transistor depende directamente
del punto Q, el cual pertenece a la hipérbola de máxima disipación de potencia
VCC I Cmäx VCC VCC

PD = VCEQ ⋅ I CQ = ⋅ = ⋅
2 2 4 RL
2
VCC
PD = E 4.17
4⋅RL
Cabe destacar que en clase A, cuando no existe señal de entrada, el transistor disipa la máxima
potencia (VCEQ · ICQ).
La potencia suministrada por la fuente de alimentación se determina según la expresión
I Cmäx VCC VCC

PCC = VCC ⋅ I CQ = VCC ⋅ = ⋅
2 2 RL
2
VCC
PCC = E 4.18
2⋅RL
Finalmente se determina el rendimiento
2
VCC
P 8R
µ ≤ L = 2L = 0,25 ⇒ µ ≤ 25% E 4.19
PCC VCC
2 RL
PDMÁX = 2 ⋅ PLMÁX
PCC = 4 ⋅ PLMÁX
Para obtener 4 vatios en la carga, se debe diseñar una fuente de 16 vatios y elegir un
transistor de 8 vatios mínimo.

4.3.3 CLASE A CON ACOPLO POR TRANSFORMADOR
Fig 4. 7 Amplificador de Potencia Clase A con acoplo por transformador. Circuito eléctrico, Rectas de carga estática y dinámica.
Localización del punto Q
El rendimiento de un amplificador puede mejorar con una carga acoplada por transformador.
En este tipo de amplificador, la carga está acoplada al transistor mediante un transformador, esto
hace posible adaptar impedancias únicamente variando la relación de espiras del transformador, "a"
ya que: R 'L = a 2 ⋅ R L . Al mismo tiempo, el transformador impide que la corriente continua circule
por la carga, eliminando la disipación de potencia que en el caso anterior se producía debido al paso
de la corriente, IC a través de la carga, provocando que el rendimiento pueda ser más elevado (≤
50%).
Si se supone ideal el transformador, la resistencia de los arrollamientos para corriente continua será
nula, por lo que la recta de carga estática será una recta vertical. El punto Q esta situado en la
intersección de la recta de carga dinámica con la estática y la hipérbola de máxima disipación de
potencia del transistor.
4.3.4 DISTORSIÓN EN CLASE A.

Factores que provocan la distorsión:
• No linealidad de las características del transistor.

• Situar la recta de carga dinámica próxima a la zona de ruptura por avalancha.
• Disminución de la ganancia de corriente, hFE con el aumento de la corriente de colector, IC.
• En la característica de entrada, debido a que la respuesta es del tipo diodo.
En definitiva, siempre existirá distorsión, cuyo grado será determinado mediante la aplicación del
teorema de Fourier.
El cálculo de la distorsión armónica se suele hacer experimentalmente, aunque se puede calcular de

manera aproximada mediante la utilización de las curvas del dispositivo ante una señal de entrada
senoidal.
Una consecuencia directa de la distorsión es que la potencia total de salida será mayor que la debida
solo al fundamental, aunque tal y como se demuestra a continuación no se comete mucho error al
considerar para el cálculo de la potencia de salida total, sólo la componente fundamental.
2 I12
P1 = I ef ⋅ RL = ⋅ RL E4. 20
2

Considerando todos los armónicos, la potencia total de salida será:
2
2 I 2máx I1(máx) + I 22(máx) + ... + I 2n(máx)
PLtotal = I ef ⋅ RL = ⋅ RL = ⋅ RL
2 2
E4. 21
2 ⎛ I 22(máx) I 2n(máx) ⎞
PLtotal =
I1(máx)
2
⋅ R L ⎜1 +
⎜ 2
I1(máx)
+ ... +
I 2n(máx) ⎟
( )
⎟ = 1 + THD 2 ⋅ P
1
⎝ ⎠
En la expresión anterior, THD representa la distorsión armónica total en tanto por uno.
Por ejemplo, para una distorsión total del 10% (valor elevado) La diferencia entre considerar o no,
todos los armónicos es tan solo del 1%
4.4 Amplificador de Potencia Clase B

La mayor desventaja de la etapa de salida clase A es el consumo estático de potencia incluso en
ausencia de señal de entrada. En muchas aplicaciones prácticas existen largos tiempos muertos
(standby) a la espera de señal de entrada o con señales intermitentes. Etapas de salida que
desperdician potencia en periodos standby tienen efectos perniciosos importantes. En primer lugar, se
reduce drásticamente el tiempo de duración de las baterías de los equipos electrónicos. En segundo
lugar, ese consumo de potencia continuado provoca un incremento de temperatura en los dispositivos
que limita su tiempo medio de vida dando lugar a una mayor probabilidad de fallar con el tiempo el
sistema electrónico.
La etapa de salida clase B tiene consumo estático de potencia en modo standby prácticamente cero.
• La señal de salida circula durante medio ciclo de la señal entrada

• El transistor se polariza en el límite de corte, por lo que en ausencia de señal de entrada, la
corriente de colector es nula.
• El rendimiento teórico máximo es del 78.5%; en la práctica se obtiene entre el 50% y el 65%.
• Admiten señales de entrada de mayor amplitud que en clase A.
• Introducen mucha distorsión por lo que no se suelen utilizar en amplificadores de potencia con
un único transistor; si se suelen utilizar en montajes de contrafase.
Fig 4. 8 Amplificación en clase B. Corriente de colector en función de la corriente de base. Localización del punto Q en la recta de carga
dinámica. Observese que el transistor está polarizado al corte.

4.4.2 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B EN CONTRAFASE Ó PUSH-

PULL
Fig 4. 9 Amplificador de Potencia Clase B en Contrafase con Transistores Simétricos Complementarios
Utiliza dos transistores, uno NPN y otro PNP (simétricos complementarios), en contrafase que
conducen alternativamente en función de si la señal de entrada es positiva o negativa (de ahí el
nombre de push-pull)
Fig 4. 10 Formas de onda para un único transistor, polarizado en Clase B
Cuando se atacan, con una señal senoidal, las bases de los transistores, se observa que si uno de ellos
está polarizado en directo, el otro está en inverso, por lo que cada uno de ellos amplificará un
semiperiodo de la señal de entrada.
Para calcular el rendimiento del amplificador, se supone que las características de los transistores
están idealizadas, por lo que la curva de transferencia dinámica es una línea recta. También se supone
que la corriente mínima es cero. Si se observan las figuras 4.10 y 4.11 los cálculos resultan más
comprensibles.

Para realizar la construcción de la figura 4.11, se parte de las formas de onda para un solo transistor,
polarizado en clase B de la fig 4.10. Para una excitación senoidal, la salida es senoidal durante el
primer semiperiodo y cero durante el segundo.
Fig 4. 11 Recta de carga compuesta utilizada para el diseño de un Amplificador Clase B en contrafase
La forma de onda para el segundo transistor será una serie de impulsos senoidales desfasados 180º
respecto de los del primer transistor. Como el circuito en contrafase es simétrico, el estudio realizado
para un transistor, es válido también para el otro.
La corriente de carga, proporcional a la diferencia de las dos corrientes de colector, será una onda
senoidal perfecta, para las condiciones ideales inicialmente supuestas, como se puede apreciar en la
figura 4.11.
Fig 4. 12 Característica de transferencia en la etapa

de salida clase B
La figura 4.12 muestra la curva de transferencia en tensión de este circuito. Para vi=0, ambos
transistores se encuentran en corte (vo=0) y el consumo estático de corriente es nulo (modo standby).
Si se incrementa la tensión de entrada hasta que Q1 entra en conducción, vi>VBE1(on), entonces
aparece niveles apreciables de corriente en Q1 que circularán por la resistencia de carga; en este caso
Q2 está en corte al verificarse VBE2> 0. A partir de ahora, Q1 opera en la región lineal hasta alcanzar
la saturación (vi>VCC+VBE1-VCE1(sat)). Similares resultados se obtienen para vi< 0 siendo ahora Q2 el
transistor que entra en la región lineal con una tensión máxima de salida limitada por la región de

saturación (vi<-VCC-VEB2+VCE2(sat)), estando siempre Q1 en corte. Resumiendo, con vi>VBE1(on) Q1

está en conducción y Q2 en corte y con vi<–VEB2(on) Q1 está en conducción y Q2 en corte. Además,
existe una zona muerta -VEB2(on)<vi <VBE1(on) que ambos transistores están en corte. Esta
característica introduce una distorsión de salida, denominada distorsión de cruce (crossover),
Fig 4. 13
Formas de onda de corriente y de voltaje para una etapa
de salida clase B en contrafase.
a) Tensión de entrada
b) Tensión de salida
c) Corriente de colector para T1
d) Corriente de colector para T2
Disipación de potencia y rendimiento

Potencia de salida o potencia en la carga, PL
Vmáx I máx
PL = Vef ⋅ I ef = ⋅ E4. 22
2 2
Potencia máxima que puede entregarse a la carga, se obtiene cuando Vmáx = Vcc
Ver la fig 4.11
Vcc2
PLmáx = E4. 23
2 ⋅ RL
Potencia suministrada por la fuente, PCC
I C1max I
PCC = PCC1 + PCC2 = VCC1 + VCC2 C 2 max E4. 24
π π

I máx
PCC = 2 ⋅ ⋅ VCC E4. 25
π
En la figura 4.10 se puede ver que ICC con carga es el valor medio para un semiciclo.
Rendimiento, µ (cuando la potencia en la carga es máxima)
PL
µ= = 78.5% E4. 26
Pcc
El rendimiento es bastante mayor que en los amplificadores en clase A. El valor elevado del
rendimiento se explica porque en un sistema clase B no circula corriente si no hay excitación,
mientras que en clase A, la fuente de alimentación entrega corriente incluso si la señal es cero. En
clase B, la potencia disipada en el colector es cero en reposo y aumenta con la excitación.
1 (VCC − VCEsat )
2
π VCC − VCEsat
En realidad: PLmax = µ=
2 RL 4 VCC
La potencia disipada en ambos transistores es la diferencia entre la potencia suministrada y la

potencia entregada a la carga (suponiendo pérdidas nulas en el resto del circuito), como Imáx=Vmáx/RL
resulta la siguiente expresión:
2
2 VCC ⋅ Vmax Vmax
PD(2 T) = PCC − PL = ⋅ − E4. 27
π RL 2 ⋅ RL
Supuesta Vmáx = Vcc se obtiene la potencia que disiparán los dos transistores cuando la potencia en la
carga sea máxima.
Vcc2 (4 − π )
PD(2T) = E4. 28
R L 2π
Derivando la ecuación [E4.27] se puede determinar el valor de Vmáx que hace que la potencia media
disipada en los transistores sea máxima
dPD 2
=0 ⇒ Vmáx = Vcc E4. 29
dVmáx π
Resumiendo, la potencia disipada en los transistores es cero sin señal (Vmáx = 0), aumenta conforme
lo hace Vmáx, y llega al valor medio máximo cuando Vmáx = 0.636 Vcc.
El valor máximo de PD(2T) se halla sustituyendo el valor obtenido para Vmax [E4.29] en la expresión
[E4.27]
2Vcc2 4 VCC 2
PD(2T)máx = = ⋅ = 0.4 ⋅ PLmáx E4. 30
π2 ⋅ R L π2 2 ⋅ R L
PD(1T)máx = 0.2 ⋅ PLmáx E4. 31

Fig 4. 14 Relaciones de Potencias. Para el amplificador en contrafase Clase B.
Fig 4. 15
Formas de onda a salida máxima para un transistor
en una etapa de salida Clase B.
a) Corriente de colector
b) Tensión colector-emisor
c) Disipación de potencia instantánea en el
transistor
Potencia instantánea disipada en el transistor
Pc ( t ) = v ce ( t ) i c ( t )
v ce ( t ) = VCC − i c ( t ) R L
Pc ( t ) = (VCC − i c ( t ) R L ) i c ( t )
Pc ( t ) = VCC i c ( t ) − i c2 ( t ) R L E4. 32

Potencia instantánea máxima en el transistor
dPc ( t )
= VCC − 2 i c ( t ) R L
di( t )
VCC − 2 i c ( t ) R L = 0
V
i c ( t ) = CC
2 RL
V
Pc max = CC E4. 33
4 RL
Fig 4. 16
Amplificador clase B en contratase
Si se desea entregar 10W con un amplificador en contrafase clase B, la potencia media

máxima a disipar en los dos transistores será 4W. (PDmáx = 4W), es decir, se deben elegir
transistores que sean capaces de disipar cada uno 2W de potencia media,
aproximadamente. Se puede obtener una salida de cinco veces la disipación de potencia
especificada para un solo transistor, mientras que si se quieren obtener los 10W de potencia
en clase A, con un solo transistor, éste deberá disipar 20W.
Cuando en el circuito de la figura 4.9 se suprime una de las fuentes de alimentación y se añade un
condensador de gran capacidad, que la sustituye durante el semiciclo en el que conduce el segundo
transistor, la excursión máxima de salida se reduce a Vcc/2. Este circuito se muestra en la figura 4.17.
VCC
T1
+C -
VCC
2
ve T2 RL Fig 4. 17
Amplificador de Potencia en contrafase, Clase B con simetría complementaria, utilizando una
sola fuente de alimentación
La capacidad se carga durante la conducción de T1 y se descarga durante la conducción de
T2
Al introducir el condensador, se hace al circuito dependiente de la frecuencia. Conforme disminuye

la frecuencia de la señal, aumenta la tensión en el condensador y disminuye en la carga, reduciendo
la ganancia del amplificador.
El punto de media potencia, o de 3 dB, especifica la frecuencia más baja de corte. Esta es la
frecuencia que provoca una caída de 3 dB, Av = 0.707 en la amplitud de salida.

El punto está especificado por la siguiente expresión.
1 1
RL = ⇒ ω= E4. 34
j ωC 1 R L ⋅ C1
La impedancia del condensador disminuye con el aumento de la frecuencia, por lo que el peor de los
casos se produce a frecuencias bajas. Si se supone que la frecuencia más baja (frecuencia de corte) es
fL, el valor para el condensador será:
1
C1 = E4. 35
2π ⋅ f L ⋅ R L
PROBLEMA 4.1
El montaje de la figura es un amplificador clase B en contrafase realizado con transistores

complementarios. Para una señal de excitación Ue = A sen ωt, y considerando un
comportamiento ideal del sistema. Calcular la Potencia máxima de la señal de salida, la
disipación de potencia en cada transistor y el rendimiento de la conversión de potencia para las
condiciones expresadas. La máxima disipación de potencia media en los transistores y el
rendimiento de la conversión de potencia para estas condiciones. Si se sustituye la fuente doble
simétrica por una sola fuente de alimentación, ¿qué valor debe tener ésta para obtener la misma
potencia en la carga? Datos: UC = 15 V; RL = 4Ω.
Solución: PLtotal = 28.125W; PD1T = 3.842; η = 78.54%; PD1Tmax = 5.7W; η = 50%
Distorsión de cruce
Los armónicos pares desaparecen como consecuencia del montaje en contrafase. La principal fuente
de distorsión es el tercer armónico, aunque no se considerará por no influir de manera significativa en
la potencia de salida.
La distorsión que sí se debe considerar en este tipo de montajes es la debida a la alinealidad de las
características de entrada de los transistores. Se conoce como distorsión de cruce (crossover). Si se
aplica una entrada senoidal a la entrada de un amplificador en contrafase clase B, no habrá salida
hasta que la entrada supere la tensión de umbral (Vτ ≈ 0 .5 ... 0.7 voltios para el silicio). Esto se puede
apreciar en la figura 4.18 Para evitar este tipo de distorsión se aplica una ligera polarización a las
bases de los transistores. Para ello se colocan diodos de compensación en serie con unas resistencias,
encargadas de hacer que ICQ se encuentre ligeramente por encima de cero, (esto provoca que los
transistores amplifiquen la señal de entrada en alterna de manera simultánea en la región de paso por
cero, compensando así la baja amplificación en dicha zona, por tanto el nuevo funcionamiento será
en clase AB que se estudiará posteriormente, dentro de este mismo capítulo.

Fig 4. 18
Distorsión de cruce
En la figura se aprecia la evolución de la señal de
salida, conforme aumenta el nivel de la señal de
entrada. La distorsión de cruce disminuye según
aumenta la entrada, pero llega un momento en que
la señal se recorta como consecuencia de trabajar en
la zona de saturación de los transistores.
Reducción de la distorsión con realimentación

Una forma de reducir la distorsión de cruce en los amplificadores clase B en contrafase, consiste en
introducir un lazo de realimentación y colocar un preamplificador con una gran ganancia en lazo
abierto. Este preamplificador suele ser un amplificador operacional. El circuito así configurado tiene
una aplicación fundamental en el caso de los servoamplificadores, que serán tratados con mayor
profundidad mas adelante.

Estudiar con más detalle, como afecta a la distorsión introducida por el propio
amplificador, el hecho de colocar un preamplificador de gran ganancia.

…
¿Sabrías deducir y comentar porqué esta configuración reduce la distorsión?
PROBLEMA 4.2
El circuito de la figura tiene VCC= 15V, RL=2kΩ, VBE(on)=0.6V y VBE(sat)=0.2V.

(a) Dibuje la característica de transferencia de Vi a Vo suponiendo que los transistores se activan
abruptamente para Vbe = VBE(on)
(b) Dibuje la forma de onda del voltaje de salida y la forma de onda de la corriente de colector en
cada dispositivo para un voltaje de entrada senoidal de amplitud 1V, 10V, 20V.
(c) Verifique (a) y (b) al utilizar PSpice con IS=10-6A, βF=100, rb=100Ω y rc=20Ω para cada
uno de los dispositivos. Utilice PSpice para determinar la distorsión en segunda y tercera
armónica e Vo para las condiciones indicadas en (b)
[Gray]
PROBLEMA 4.3
Para el circuito del problema 4.2 suponga que VCC= 12V, RL=1kΩ y que vCE(sat)=0.2V. Suponga
que existe un voltaje de entrada senoidal suficiente disponible en Vi para excitar a Vo hasta sus
límites de recorte de onda. Calcule la potencia máxima promedio que se puede entregar a RL
antes de que ocurra el recorte de onda, la eficiencia correspondiente y la disipación máxima
instantánea del dispositivo. Desprecie la distorsión por cruce.
Solución: PL = 69.6mW; ηc = 77.2%; Pc= 36mW
4.5 Amplificador de potencia clase AB

• La señal de salida circula más de un semiciclo y menos de un ciclo de la señal de entrada.

• Es un caso intermedio entre la clase A y la B. Se configura en contrafase.
• Con señales de alto nivel, su comportamiento tiende al de clase B con menor rendimiento. En
reposo circula una pequeña corriente estática.
• Cuando se trabaja en contratase clase AB se elimina la distorsión de cruce.

Fig 4. 19 Amplificación en clase AB. Corriente de colector en función de la corriente de base. Localización del punto Q en la recta de carga
dinámica. Obsevese como el transistor está polarizado en una zona próxima al corte.
4.5.2 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE AB EN CONTRAFASE.

Características generales
La distorsión de cruce que se produce en los amplificadores en contrafase clase B, puede eliminarse
si previamente se polarizan ligeramente ambos transistores. De esta forma, la señal de entrada
oscilará en torno a un nivel de polarización distinto de cero y se conseguirá eliminar la zona muerta
situada en las proximidades del origen.
Reducción de la distorsión de cruce

[4_5]
Diseño del amplificador
Fig 4. 20 Etapa clase AB con polarización por a) diodos y b) multiplicador VBE
En esta figura se muestra la polarización basada en dos diodos. En ausencia de señal, vi = 0, la caída
de tensión en diodo D1 hace que el transistor Q1 tenga una ligera polarización de base-emisor con
una corriente de colector baja y lo mismo sucede a Q2 con el diodo D2; es decir, ambos transistores
conducen. Cuando se aplica una tensión a la entrada uno de los transistores estará en la región lineal
y el otro cortado, funcionando de una manera similar a la etapa clase B anterior pero con la ausencia
de distorsión de cruce. En este caso la potencia promedio suministrada por una fuente de
VCC VO
alimentación es: PCC = + I Q ⋅ VCC
π RL

En general, el segundo término es despreciable frente al primero y el valor de la eficiencia indicada

en las ecuaciones anteriores siguen siendo válidas.
El circuito de la figura 4.21 es un circuito en el que se emplea el condensador Cs cuando queremos

alimentar el amplificador con una sola fuente de alimentación. Los diodos proporcionan una pequeña
polarización a las bases de los transistores, que evita la distorsión de cruce. Además, su pequeña
resistencia dinámica junto con su coeficiente negativo de temperatura, aportan mayor estabilidad
térmica frente a variaciones de temperatura, los diodos además reducen las fluctuaciones de la VBE de
los transistores con la temperatura. Estos diodos deben tener características similares a las del
transistor y se deben montar en el mismo disipador de calor.
(4.45MB)
[4_6]
Fig 4. 21
Amplificador de potencia clase AB en contrafase
En el cual una fuente de alimentación ha sido sustituida por el
condensador CS
Cuando se alimenta la entrada con una señal senoidal, se puede observar que durante el primer
semiciclo de la misma conduce el transistor Q1. El condensador se carga hasta una tensión igual a
Vcc/2. Durante el semiciclo negativo de la tensión, el condensador actúa de alimentación para el
transistor Q2.
El precio que se paga por evitar la distorsión de cruce es un pequeño consumo de potencia en
ausencia de señal, que repercute en una disminución del rendimiento.
Polarización con un multiplicador VBE. [E4_7]
Otro procedimiento para obtener la diferencia de tensión 2VBE entre la base de los transistores
necesaria para eliminar la distorsión de cruce es utilizar lo que se denomina multiplicador de VBE.
Este circuito consiste en un transistor (Q3) con dos resistencias (R1 y R2) conectadas entre su colector
y emisor con la base. Si se desprecia la corriente de base (para ello R1 y R2 deben ser de unos pocos
kΩ) entonces la corriente que circula por R1 es VBE3/R1 y la tensión entre el colector y emisor de ese
transistor es
VBE 3 ⎛ R ⎞
VCE 3 = ⋅ (R 1 + R 2 ) = VBE 3 ⋅ ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ E 4.36
R1 ⎝ R1 ⎠
es decir, la tensión VCE3 se obtiene multiplicando la VBE3 por un factor (1+R1/R2).
En el diseño de cualquier amplificador de simetría complementaria, se deben tener en cuenta tres

factores importantes.

La distorsión de cruce, que se puede reducir fácilmente colocando resistencias de pequeño

valor, en serie con los diodos, para hacer que ICQ se encuentre ligeramente por encima de cero.
La posibilidad de falla térmica, que puede producirse si los dos transistores complementarios
no tienen las mismas características o si una VBE descompensada se reduce por las altas
temperaturas. Esto conduciría a una corriente de colector mayor, que originaría disipación de
potencia y calentamientos adicionales. Este proceso continúa hasta que se calienta y falla. Este
problema se reduce colocando pequeñas resistencias en serie con el emisor para aumentar el nivel
de polarización en continua.
Mantener los diodos de polarización en conducción todo el tiempo para evitar la

distorsión.
El diseño del amplificador de la figura 4.21 requiere conocer la resistencia del diodo en directo, que
suele ser inferior a 100 Ω. También es importante que la corriente de polarización del diodo sea
bastante grande para mantener los diodos en la zona lineal de su región de polarización directa para
todas las tensiones de entrada.
La máxima corriente de pico negativa a través del diodo debe ser menor que la corriente de
polarización en directo. Es decir, la componente de cc debe ser mayor que la de ca, de modo que
cuando se suman, la corriente resultante no se vuelva negativa. Si esto no fuese así, el diodo se
polarizaría en inverso.
I D > i dp E4. 37
donde idp es la amplitud del componente de ca de la corriente del diodo.
Notese la utilización de un subíndice adicional (p) para indicar que se está utilizando el valor de pico
de la variable.
El circuito equivalente en ca se muestra en la figura 4.22 donde ib es la corriente en ca de la base del

transistor y v'L es la tensión en ca a través de la carga RL + jXCS, a baja frecuencia.
Fig 4. 22
Circuito equivalente en corriente alterna para el estudio del amplificador
de potencia clase AB en contrafase.
El valor de la corriente continua a través del diodo, ID
VCC
− 0.7
ID = 2 E4. 38
R2
El valor de pico de la corriente alterna a través del diodo en sentido inverso, idp

v´Lp
i dp = i bp + i R2p = i bp + E4. 39
R2
Se ha supuesto que la ganancia en tensión del amplificador es la unidad. Es decir, la tensión en ca a
través de R2 es igual que la tensión de emisor, v ´L
La condición límite para el funcionamiento del diodo en la región de polarización directa se establece
igualando ID con idp. Para simplificar, se considera que R1 = R2. El valor de las resistencias se
determina despejando en la expresión resultante.
VCC VCC
− 0.7 v ´Lp − 0.7 − v ´Lp
2 = i bp + R2 = 2 E4. 40
R2 R2 i bp
Por ser el amplificador un seguidor de emisor de ganacia unidad se tiene que vi ≈ v ´L .
A frecuencias medias, la tensión a través de CS es cero, por tanto la tensión v'L aparece en extremos
de la resistencia de carga, RL siendo v'L = vL
A la frecuencia de corte, -3 dB, la potencia de salida cae a la mitad de la potencia a frecuencias

medias, y la tensión a través de RL es igual a la tensión a través de CS. Cada una de estas tensiones es
igual a v L / 2
La tensión de pico entre los extremos de CS y RL es v'Lp
2 2
⎛v ⎞ ⎛v ⎞
v ´
Lp = ⎜⎜ L ⎟⎟ + ⎜⎜ L ⎟⎟ = v L
⎝ 2⎠ ⎝ 2⎠
v'Lp = R L ⋅ β ⋅ i bp = R L ⋅ i cp E4. 41
La resistencia de entrada se determina del circuito equivalente mostrado en la figura 4.22 para la
condición de ZL = RL a frecuencias medias, donde XC1 = 0.
R en = (R f + R 2 ) [R + (R
f 2 βR L )] E4. 42
Se ha supuesto que a frecuencias medias el condensador es un cortocircuito. Nótese que RL se refleja

como βRL y que el diodo tiene una resistencia en directo, Rf, y otra en inverso, Rr.
Fig 4. 23 Circuito equivalente para el cálculo de la resistencia de entrada.

La ganancia de intensidad, se calcula observando la figura 4.23, de la cual se deducen las expresiones
para la tensión através del diodo, vD1 con el transistor Q1 en conducción, de la corriente por el diodo,
iD2 y de la corriente de entrada, ien que es la suma de las corrientes por el dido D2, la corriente de base
del transistor Q1 y la corriente por la resistencia R2
⎛ v ⎞ v D1 + v L
v D1 = R f ⎜⎜ i bp + L ⎟⎟ i D2 = E4. 43
⎝ R2 ⎠ Rf + R2
v + vL v ib
i en = D1 + i bp + L Ai = β E4. 44
Rf + R2 R2 i en
El condensador CS será de gran capacidad, de forma que su reactancia es despreciable a las

frecuencias normales de trabajo.
El rendimiento teórico viene dado por la expresión:
PL
µ= = 78.5% E4. 45
PCC
Para determinar el rendimiento real, se considera la existencia de pérdidas, que por lo general se
cuantifican entre un 10% y un 35% de la potencia teórica calculada. La fuente deberá suministrar una
potencia real dada por la expresión:
PCC(real) = PCC(teorica) + 20%PCC(teórica) E4. 46
PROBLEMA 4.4
Diseñar un circuito amplificador de clase AB
a) Diseñar el circuito amplificador de clase AB de la siguiente figura, que pueda abastecer el

máximo voltaje de salida, con una carga de resistencia RL=50Ω, con una corriente. IQ=2⋅10-3ª y
Vcc = 12V que asegure la conducción.
b)Hallar la caída de tensión en los diodos, VBB, para vo = 0 y para vo =11.8V
DATOS:
Los parámetros del diodo: Is = 10-13A; VD1 = 0.7V; VD2 = 0.7V; IDmin = 1mA
Los parámetros del transistor son: βf = 50; VBE = 0.7V; VCEsat = 0.2V; VT = 25.8mV

PROBLEMA PROPUESTO
El circuito de la figura 4.20 (a) es una clase AB polarizado con diodos para eliminar la distorsión
de cruce. Se pide:
(a) Calcular el rendimiento de la etapa si vi=5Vsenwt despreciando el efecto IQ.
(b) Repetir el apartado (a) incluyendo a las fuentes de corriente.
(c) Si vi=7.5Vsenwt calcular la potencia promedio de las fuentes de alimentación, de la
resistencia de carga y de cada uno de los transistores. Obtener el valor de la corriente de
colectorpico de un transistor.
(d) Una característica sorprendente de esta etapa es que la potencia de disipación máxima de un
transistor no se produce para una tensión máxima de salida como en principio parece lógico, sino
2 VCC
cuando la tensión de salida toma el valor de v o = = 0.636 VCC
π
Demostrar esa condición y determinar la potencia promedio de disipación máxima de un
PROBLEMA 4.5
Diseñar un circuito con simetría complementaria compensado por diodos (Ver figura 4.21) para
un amplificador de audio con una respuesta en frecuencia de 60Hz a 20KHz y una potencia de
salida de 0.5W en un altavoz de 8Ω. La fuente de alimentación es de 12V. Determinar:
(a) La ganancia de corriente.

(b) La potencia proporcionada por la fuente.
(c) Potencia máxima disipada por cada transistor.
Solución:
Apartado (a)
Se determina primero el valor de ICmax necesario para alcanzar la carga especificada, usando la
ecuación:
I C2 max ⋅ R L
PL = = 0.5 W
2
1W
I C max = = 0.354 A
RL
El voltaje de carga máximo es:

v L = R L ⋅ I C max = 2.828 V
La razón entre la corriente de colector y la corriente de base es β, por tanto, la corriente de base
pico debe ser:
I C max
ib = = 5.9 mA
β
Como: v' L = v L
El valor de R2 es:
Vcc
− 0.7 V − v'L
R2 = 2 = 419.44 Ω
ib
…

Rin y la corriente de entrada se determinan a la frecuencia media
⎛ v ⎞
VD 1 = R f ⋅ ⎜⎜ i b + L ⎟⎟ = 0.1 V
⎝ R2 ⎠
La corriente de entrada es:
VD 1 + v L v
i in = + i b + L = 19 mA
Rf + R2 R2
R 2 ⋅ β⋅ R L
El paralelo de R2 y RL es: R 2 //R L = = 223.8 Ω
R 2 + β⋅ R L
Luego la resistencia de entrada es:
(R f + R 2 ) ⋅ (R f + R 2 //R L )
R in = = 150.3 Ω
(R f + R 2 ) + (R f + R 2 //R L )
La ganancia de corriente se obtiene de la razón entre las corrientes de entrada y de salida:
ib
∆ i = β⋅ → ∆ i = 18.141
i in
Apartado (b)
La potencia para el amplificador:
Vcc ⋅ I C max Vcc2

Pcc = + → Pcc = 1.52 W
π 2⋅ Rf + 2⋅R2
Apartado (c)
El valor nominal de la potencia de cada transistor es:
Vcc2
Ptrans = → Ptrans = 0.45 W
4 ⋅ π2⋅ R L
[Savant]
PROBLEMA 4.6
Diseñar un amplificador push-pull clase B con simetría complementaria compensado por diodos
para excitar una carga de 4Ω a +3V para un intervalo de frecuencias de 50Hz a 20KHz. Suponer
que los transistore NPN y PNP poseen una β=100 para cada uno y VBE=+-0.7V. Los diodos
tienen una resistencia en directo Rf = 10Ω. Determinar todas las tensiones y corrientes en reposo
para una tensión de alimentación Vcc=16V. Determinar la máxima potencia que se extrae de la
fuente de alimentación, la potencia desarrollada en la carga y disipación de potencia en los
transistores.
Solución: Pcc = 404W; PL = 1.13W: PT = 1.62W
[Savant]

4.6 Servoamplificadores
El servoamplificador es la etapa de potencia encargada de actuar sobre un servomotor para efectuar
por ejemplo, un control de velocidad o de posición. Son empleados en robots industriales así como en
otros equipos de control numérico. Básicamente se pueden enumerar dos tipos: lineales (los
transistores bipolares trabajan en la zona lineal) y PWM (los transistores bipolares o Mosfet trabaja
en conmutación).
En la figura 4.24 se muestra el servoamplificador más simple, usado para controlar los dos sentidos
de giro de un motor. El control se efectúa mediante un amplificador clase B en contrafase.
Fig 4. 24
Servoamplificador bipolar controlado por tensión, que utiliza un
amplificador en contrafase funcionando en clase B, el giro del
motor no es uniforme debido a la distorsión
Sabido es que el amplificador en clase B presenta el problema de la distorsión de cruce, lo que

provoca que el giro del motor no sea uniforme, por lo que se hace necesario configurar la entrada en
clase AB. Para ello, se incluyen dos diodos en serie con otras tantas resistencias que se encargarán
de polarizar ligeramente a los transistores así como de estabilizarlos térmicamente, ver la figura 4.25
Fig 4. 25
Servoamplificador con amplificador en contrafase, clase AB, los diodos
y las resistencias son compensadoras con el objeto de eliminar la
distorsión de cruce
Servoamplificador controlado por corriente

Hay aplicaciones en las que interesa que la corriente que circula por el motor esté controlada
directamente por la señal de entrada, porque el par desarrollado en el motor es el factor principal.
El par instantáneo generado en el motor viene dado por la siguiente expresión:
m = KT ⋅ im E4. 47
m = par instantáneo, im = corriente por el motor, KT = constante del par del motor
El control de la corriente se realiza introduciendo un detector de corriente y un amplificador

operacional como se puede ver en la figura 4.26 La resistencia Rs se emplea para detectar la
intensidad como resistencia Shunt.

Fig 4. 26
Servoamplificador bidireccional controlado por corriente
El amplificador operacional está configurado en modo inversor, siendo la tensión de salida
R2
vs = − ⋅ vi vs = i m ⋅ R s E4. 48
R1
La corriente que circula por el motor, en función de la tensión de entrada es:
R2
im = − ⋅ vi E4. 49
R1 ⋅ R s
Amplificador PWM (modulación de anchura de pulso) controlado por tensión

En la figura 4.27 se muestra el principio en el cual se basa el control por tensión de amplificadores
PWM.
El comparador tiene dos entradas. En la entrada positiva (+) se aplica la tensión de control y en la
entrada negativa (-), la señal triangular. La señal a la salida del comparador será una relación entre
las dos señales de entrada. La tensión aplicada al motor en cada momento se puede ver en la figura
4.27
Fig 4. 27
Servoamplificador básico controlado por tensión.
Circuito y formas de onda de tensión e intensidad aplicadas al
motor.

Cuando vi es mayor que la señal triangular, la tensión de salida es igual a + Vcc, el transistor Tr1 está
en conducción y Tr2 en corte. La tensión aplicada al motor es E.
Cuando vi es menor a la señal triangular, la tensión de salida es – VDD, el transistor Tr2 está en
conducción y Tr1 en corte. En este caso, la tensión aplicada al motor es –E.
La velocidad del motor depende de la tensión media aplicada en función del ciclo de trabajo de la
señal, es decir, la relación entre los tiempos de conducción y corte de los transistores
Amplificador PWM controlado por corriente

En la figura 4.28 se muestra el esquema de este tipo de amplificador. En el cual la señal de referencia
es la diferencia entre la intensidad de mando y la intensidad de salida, sensada en extremos de RS.
Fig 4. 28 Servoamplificador PWM controlado por corriente.
4.7 Protecciones contra sobreintensidades.

Un problema que se plantea en las salidas de los amplificadores es la protección de los transistores
frente a posibles cortocircuitos accidentales, con el fin de evitar la destrucción de los mismos. En
estos casos, la protección mediante fusibles no es acertada, dada la lentitud de actuación de los
mismos. Se estudian a continuación una serie de circuitos limitadores de corriente.
Limitación por corriente constante
Fig 4. 29 Limitación por corriente constante: Circuito y Característica Tensión - Corriente
Se emplea con niveles bajos de corriente.

Si se produce un cortocircuito accidental (RL = 0 ) y está conduciendo el transistor T4, la caída de
tensión en la resistencia de emisor aumentará y provocará la conducción del transistor limitador T3,

que absorberá parte de la corriente de la base del transistor de salida T4. Esto provoca que disminuya
la tensión de salida y por lo tanto una limitación de la corriente total suministrada a la carga. El otro
transistor de salida (T5) es protegido por T1 en conexión con T2.
El efecto de la limitación por corriente constante se puede ver en la característica tensión-corriente de
la figura 4.29
El valor de la resistencia de emisor es función de la corriente de cortocircuito, ISC
VBE
RE = E4. 50
I SC
Con este método siempre se dispone de corriente de carga, pero su valor queda limitado y la
eliminación de la causa que provoca el cortocircuito vuelve a producir el funcionamiento normal del
circuito.
El principal inconveniente es que en caso de cortocircuito, la potencia que debe disipar el transistor
de salida T4 es muy elevada al estar aplicada en él toda la tensión de entrada y circular la máxima
corriente de cortocircuito. En la elección del transistor se debe tener en cuenta este valor de la
potencia, para no superar las limitaciones de la curva SOA.
El valor de la potencia disipada por el transistor T4 en caso de cortocircuito será
PD = (VCC − VBE ) ⋅ I SC E4. 51
Limitación de corriente regresiva (Foldback)

En esta configuración se limita el valor de la corriente de cortocircuito a un valor inferior al de la
máxima corriente permitida.
El funcionamiento es similar al de la limitación de corriente constante. Los transistores limitadores

T2 y T3 están normalmente bloqueados; si se produce un cortocircuito, aumenta la corriente entre los
terminales de salida del amplificador, aumentando la tensión base – emisor de los transistores
limitadores. Al llegar esta tensión a un valor prefijado mediante el potenciómetro R3, los transistores
entran en conducción, restando parte de la corriente a la etapa de salida formada por los transistores
T4 y T5.
Fig 4. 30 Protección por limitación de corriente regresiva (Foldback): Circuito y característica tensión corriente

La corriente máxima, Imáx se calcula según las ecuaciones:

V1
VR3 = Vsal + VBE VR3 = R 3 ⋅ V1 = Vsal + I máx ⋅ R E
R2 + R3
R 2 + R 3 Vsal
I máx = VR 3 − E4. 52
RE ⋅ R3 RE
Llamando “M” al factor de realimentación del divisor de tensión formado por R2 – R3
R3
M= E4. 53
R2 + R3
Relacionando las expresiones anteriores, se tiene una nueva expresión para Imax
(1 − M ) ⋅ Vsal
I máx = I SC + E4. 54
M ⋅RE
El valor de la corriente de cortocircuito viene dada por:
VBE
I SC = E4. 55
M ⋅RE
La resistencia de emisor en función de la corriente máxima, se obtiene despejando M en la expresión
[E4.55], sustituyendo en la [E4.54] y despejando
Vsal
ISC
RE = E4. 56
⎛ V ⎞ I
⎜⎜1 + sal ⎟⎟ − máx
⎝ VBE ⎠ ISC
La potencia disipada en los transistores de salida es menor que en el caso del apartado anterior, y
viene dada por la expresión:
PD = (VCC − Vsal − V1 ) ⋅ ISC E4. 57
donde:
V1 = R E ⋅ ISC
En la figura 4.30 se puede ver la característica de salida en la que se observa que la corriente de
cortocircuito es menor que la máxima que proporciona el circuito.
En la figura 4.31 se aprecian los puntos de funcionamiento cuando se usa este método de limitación.
Como la máxima potencia se disipa durante el cortocircuito, y en este caso es menor que la que
puede entregar la fuente, el aprovechamiento del área de funcionamiento seguro (SOA) es mayor, lo
que permite la utilización de transistores de salida “más pequeños”.
Fig 4. 31
Disipación de potencia con protecciones contra cortocircuito para los
casos de corriente constante y corriente regresiva. En el segundo caso
no se sobrepasa la curva SOA

Bibliografía
AGUILAR PEÑA, J. D.; DOMENECH MARTÍNEZ, A.; GARRIDO SÁNCHEZ, J. Simulación
Electrónica con PsPice. Ed. RA-MA. Madrid, 1995.
AGUILAR PEÑA, J. D.; VALERO SOLAS, D. Amplificadores De potencia. Teoría y problemas.

Ed. Paraninfo, Madrid 1993.
GRAY, PAUL R.; MEYER, ROBERT G. Análisis y diseño de Circuitos Integrados Analógicos.
Ed. Prentice Hall, cop, México 1995.
RASHID, M. H. Circuitos microelectrónicos. Análisis y diseño. Thomson, 2000.
RUIZ, ROBREDO, G. A. Electrónica básica para ingenieros. Dpto. Electrónica y Computadores.

Facultad de ciencias, Universidad de Cantabria.
<http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroweb.html> [Consulta: 21 de enero de 2005]
SAVANT, C. J. et al. Diseño electrónico. Addison Wesley iberoamericana, 1992.

POTENCIA
Tema 5.- Tiristores

Introducción. Tiristor: Estructura y características, principios de funcionamiento.
Nomenclatura. Características estáticas y dináicas. Métodos de disparo: Disparo por
puerta, otros métodos de disparo. Limitaciones de frecuencia. Límites de pendientes
de tensión. Limitaciones térmicas. Extinción del SCR: Conmutación natural,
conmtación forzada
Tema 6.- Gobierno de tiristores y triac y ejemplos de aplicaciones

[email protected]
5.1 Introducción 1
5.2 Estructura 2
5.3 Principio de funcionamiento 2
5.3.1 Tensión ánodo cátodo negativa, VAK < 0 2

5.3.2 Tensión ánodo cátodo positiva, VAK > 0 3
5.4 Nomenclatura y Características 5
5.4.1 Nomenclatura 5
5.4.2 Características 8
Características estáticas 8
Características de control 9
Construcción de la curva característica de puerta 9
Características de conmutación 15
Características térmicas 17
5.5 Métodos de disparo 18
5.5.1 Disparo por puerta 18

5.5.2 Disparo por módulo de tensión 20
5.5.3 Disparo por gradiente de tensión 20
5.5.4 Disparo por radiación 20
5.5.5 Disparo por temperatura 21
5.6 Limitaciones del Tiristor 21
5.6.1 Frecuencia de funcionamiento 21

5.6.2 Pendiente de tensión, dv/dt 22
5.6.3 Pendiente de intensidad, di/dt 25
5.6.4 Protección contra sobrecarga de larga duración (cortocircuito) 28
5.6.5 Limitaciones de la temperatura 29
5.7 Extinción del Tiristor. Tipos de conmutación 32
5.7.1 Conmutación natural 32

5.7.2 Conmutación forzada 33
5.8 Tipos de Tiristores 42
5.8.1 Triac 43
5.8.2 GTO 45
5.8.3 MCT 47
TEMA 5: TIRISTOR
5.1 Introducción
El tiristor (también llamado SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio),
es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la disposición PNPN.
Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. El instante de conmutación
(paso de corte a conducción), puede ser controlado con toda precisión actuando sobre el terminal de
puerta, por lo que es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades por el elemento, lo que hace
que el tiristor sea un componente idóneo en electrónica de potencia, ya que es un conmutador casi
ideal, rectificador y amplificador a la vez como se comprobará con posterioridad.
El tiristor es un elemento unidireccional y sólo conduce corriente en el sentido ánodo – cátodo,
siempre y cuando el elemento esté polarizado en sentido directo (tensión ánodo – cátodo positiva) y
se haya aplicando una señal en la puerta. Para el caso de que la polarización sea inversa, el elemento
estará siempre bloqueado.
En la curva característica idealizada del SCR, se pueden apreciar tres zonas
Zona 1. VAK positiva (ánodo con mayor potencial que cátodo). La IA (intensidad de ánodo) puede
seguir siendo nula. El dispositivo se comporta como un circuito abierto (se encuentra en estado de
bloqueo directo).
Fig 5.1 Símbolo y curva característica ideal del tiristor.
Zona 2. VAK positiva. En este instante se introduce una señal de mando por la puerta que hace que el
dispositivo bascule del estado de bloqueo al estado de conducción, circulando una IA por el
dispositivo, intensidad que estará limitada sólo por el circuito exterior. El elemento está en estado de
conducción. El paso de conducción a corte se hace polarizando la unión ánodo - cátodo en sentido
inverso provocando que la intensidad principal que circula se haga menor que la corriente de
mantenimiento (IH).
Fig 5.2
Curva
característica
real del tiristor.

TEMA 5: TIRISTOR
Zona 3. VAK negativa. La IA es nula, por lo que el dispositivo equivale a un circuito abierto,
encontrándose en estado de bloqueo inverso.
5.2 Estructura
Fig 5.3 Modelo de Tiristor: Cuatro capas. Tres diodos. Distintos tipos de encapsulado para el tiristor
El tiristor (SCR), está formado por cuatro capas semiconductoras P y N, ver figura 5.3 Estas cuatro
capas forman 3 uniones PN: U1 (P1-N1), U2 (N1-P2) y U3 (P2-N2), que se corresponden con 3
diodos. El comportamiento de estos diodos no es independiente, ya que hay capas comunes entre
ellos, y por tanto habrá interacciones que determinan el comportamiento final.
5.3 Principio de funcionamiento

En este apartado se estudian las diferentes situaciones que se pueden presentar dependiendo de la
señal de puerta y de la polaridad de la tensión aplicada entre ánodo y cátodo.
5.3.1 TENSIÓN ÁNODO CÁTODO NEGATIVA, VAK < 0

En estas condiciones los diodos U1 y U3 de la figura 5.3 quedan polarizados en sentido inverso y el
diodo U2 en sentido directo.
Las corrientes en las uniones U1 y U3 están producidas por el transporte de portadores minoritarios,
es decir, en dichas uniones los huecos pasarán de N a P a la vez que los electrones pasarán de P a N.
Dado que el número de electrones y de huecos puestos en juego es muy pequeño, la corriente inversa
será también muy pequeña. Ver figura 5.4
I A = IS1 = IS3 = IS e qv ( kt
)
− 1 ≈ IS E5. 1
La corriente IA obtenida mediante esta ecuación es muy pequeña, y por lo tanto, idealmente, se puede
considerar que es nula para cualquier valor de VAK inferior a VRSM (tensión inversa máxima). En
estas condiciones de trabajo, el dispositivo se comporta como un circuito abierto.
Fig 5.4
Distribución de huecos y electrones en el tiristor para VAK
<0

TEMA 5: TIRISTOR
5.3.2 TENSIÓN ÁNODO CÁTODO POSITIVA, VAK > 0
Tensión ánodo-cátodo negativa

[5_1]
Tensión ánodo-cátodo positiva

[5_2]
Fig 5.5
Flujo de electrones y huecos en el tiristor.
Sin excitación de puerta

En estas condiciones, si no se aplica ninguna señal en la puerta (G), las uniones U1 y U3 estarán
polarizadas en sentido directo, estando la unión U2 polarizada en sentido inverso, y por el mismo
razonamiento anterior, se llega a la conclusión de que la única corriente que circula por el dispositivo
es la corriente inversa de saturación, IS2 del diodo formado en la unión U2.
Con excitación de puerta.

Si se aumenta la corriente a través de la unión U2 inyectando corriente por la base, disminuye la
polarización inversa de U2. En estas condiciones una vez disparado el tiristor, idealmente, se
comporta como un cortocircuito. La tensión ánodo cátodo, VAK en conducción es del orden de 1 a
2V.
Podemos utilizar el modelo equivalente de dos transistores para analizar el funcionamiento del
tiristor. Estos transistores están conectados de forma que se obtiene una realimentación positiva.
Fig 5.6 Modelo equivalente
Suponiendo que la región P1 tenga aplicada una tensión positiva con respecto a la zona N2, las
uniones U1 y U3 emiten portadores de carga positivos y negativos respectivamente hacia las regiones
N1 y P2 respectivamente. Estos portadores tras su difusión en las bases de los transistores llegarán a
la unión U2 donde la carga espacial crea un intenso campo eléctrico.
Si α1 es la ganancia de corriente de Q1 (fracción de la corriente de huecos inyectada en el emisor y
que llega al colector del transistor NPN) y α 2 es la ganancia de corriente de Q2:

TEMA 5: TIRISTOR
I C1 = α1 ⋅ I E 1 + I CO1 I A = I C1 + I C 2 = (α1 ⋅ I E 1 + I CO 1 ) + (α 2 ⋅ I E 2 + I CO 2 )
I C 2 = α 2 ⋅ I E 2 + I CO 2 I A = α1 ⋅ I A + α 2 ⋅ I K + I COX = α 1 ⋅ I A + α 2 ⋅ (I A + I G ) + I COX
α 2 ⋅ I G + I COX
IK = IE 2 = IA + IG ⇒ IA =
1 − (α 1 + α 2 )
I A = I E1
La corriente de ánodo depende de la corriente de puerta y de α1 y α2 (ICOX es muy pequeña).

En algunos transistores de Si, la ganancia “α” es baja para valores reducidos de corriente, pero
aumenta cuando lo hace la corriente. Para IG = 0, ICO1 + ICO2 es reducida, el denominador se acerca a
la unidad (tiristor OFF).
Por el contrario, cuando por cualquier motivo aumenta la corriente de fugas (ICO1 + ICO2) lo hace
también la corriente y la ganancia (α1+α2)Æ1 y la corriente de ánodo tiende a infinito (tiristor ON).
Cuando aumenta la corriente de fugas debido a un aumento de la tensión ánodo-cátodo puede
dispararse el SCR y este método es desaconsejado en la mayoría de los casos.
Modos de disparo.
Se pueden deducir dos modos de disparo para el SCR
Por tensión suficientemente elevada aplicada entre A – K, lo que provoca que el tiristor entre
en conducción por efecto de "avalancha" (Efecto no deseado)
Por intensidad positiva de polarización en la puerta.
Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarización inversa, existen unas
pequeñas corrientes de fugas.
5.4 Nomenclatura y Características

5.4.1 NOMENCLATURA
Fig 5.7 Simbología empleada
La nomenclatura utilizada para designar los diferentes parámetros es: (V, v) para la tensión, (I, i) para
la intensidad y (P) para la potencia. En función del parámetro que en cada momento se quiera
identificar, se añaden unos subíndices que se desglosan a continuación.
Características del SCR

[5_3]

TEMA 5: TIRISTOR
VDRM
Tensión de pico repetitivo en estado de bloqueo directo. (Repetitive peak off-state voltage).
Expresa el valor máximo de voltaje repetitivo para el cual el fabricante garantiza que no hay
conmutación, con la puerta en circuito abierto.
VDSM
Tensión de pico no repetitivo en estado de bloqueo directo. (Non -repetitive peak off - state
voltage). Valor máximo de tensión en sentido directo que se puede aplicar durante un determinado
periodo de tiempo con la puerta abierta sin provocar el disparo.
VDWM
Tensión máxima directa en estado de trabajo. (Crest working off - state voltage). Valor
máximo de tensión en condiciones normales de funcionamiento.
VRRM
Tensión inversa de pico repetitivo. (Repetitive peak reverse voltage). Valor máximo de tensión
que se puede aplicar durante un cierto periodo de tiempo con el terminal de puerta abierto.
VRSM
Tensión inversa de pico no repetitivo. (Non - repetitive peak reverse voltage). Valor máximo
de tensión que se puede aplicar con el terminal de puerta abierto.
VRWM
Tensión inversa máxima de trabajo. (Crest working reverse voltage). Tensión máxima que
puede soportar el tiristor con la puerta abierta, de forma continuada, sin peligro de ruptura.
VT
Tensión en extremos del tiristor en estado de conducción. (Forward on - state voltage).
VGT
Tensión de disparo de puerta. (Tensión de encendido). (Gate voltage to trigger). Tensión de
puerta que asegura el disparo con tensión ánodo - cátodo en directo.
VGNT
Tensión de puerta que no provoca el disparo. (Non - triggering gate voltage). Voltaje de puerta
máximo que no produce disparo, a una temperatura determinada.
VRGM
Tensión inversa de puerta máxima. (Peak reverse gate voltage). Máxima tensión inversa que se
puede aplicar a la puerta.
VBR
Tensión de ruptura. (Breakdown voltage). Valor límite que si es alcanzado un determinado
tiempo en algún momento, puede destruir o al menos degradar las características eléctricas del
tiristor.
IT(AV)
Corriente eléctrica media. (Average on - state current). Valor máximo de la corriente media en
el sentido directo, para unas condiciones dadas de temperatura, frecuencia, forma de onda y ángulo
de conducción.
IT(RMS)
Intensidad directa eficaz. (R.M.S. on state current).
ITSM
Corriente directa de pico no repetitiva. (Peak one cycle surge on - state current). Corriente
máxima que puede soportar el tiristor durante un cierto periodo de tiempo.

TEMA 5: TIRISTOR
ITRM
Corriente directa de pico repetitivo. (Repetitive peak on - state current). Intensidad máxima
que puede ser soportada por el dispositivo por tiempo indefinido a una determinada temperatura.
IRRM
Corriente inversa máxima repetitiva. (Corriente inversa). (Reverse current). Valor de la
corriente del tiristor en estado de bloqueo inverso.
IL
Corriente de enganche. (Latching current). Corriente de ánodo mínima que hace bascular al
tiristor del estado de bloqueo al estado de conducción.
IH
Corriente de mantenimiento. (Holding current). Mínima corriente de ánodo que conserva al
tiristor en su estado de conducción.
IDRM
Corriente directa en estado de bloqueo. (Off - state current).
IGT
Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger). Corriente de puerta que asegura el
disparo con un determinado voltaje de ánodo.
IGNT
Corriente de puerta que no provoca el disparo. (Non-triggering gate current).
ITC
Corriente controlable de ánodo. (Controllable anode current). (Para el caso de tiristores GTO).
I2t
Valor límite para protección contra sobreintensidades. (I2t Limit value). Se define como la
capacidad de soportar un exceso de corriente durante un tiempo inferior a medio ciclo. Permite
calcular el tipo de protección. Se debe elegir un valor de I2t para el fusible de forma que:
I2t (fusible) < I2t (tiristor) E5. 2
PGAV
Potencia media disipable en la puerta. (Average gate power dissipation). Representa el valor
medio de la potencia disipada en la unión puerta-cátodo.
PGM
Potencia de pico disipada en la puerta. (Peak gate power dissipation). Potencia máxima
disipada en la unión puerta-cátodo, en el caso de que apliquemos una señal de disparo no continua.
Ptot
Potencia total disipada. (Full power dissipation). En ella se consideran todas las corrientes:
directa, media, inversa, de fugas, etc. Su valor permite calcular el radiador, siempre que sea preciso.
Tstg
Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range). Margen de temperatura de
almacenamiento.
Tj
Temperatura de la unión. (Juntion temperature). Indica el margen de la temperatura de la
unión, en funcionamiento.
Rth j-mb ; Rj-c; R θJC
Resistencia térmica unión-contenedor. (Thermal resistance, Junction to ambient)
Rth mb-h; Rc-d
Resistencia térmica contenedor - disipador. (Thermal resistance from mounting base to
heatsink).

TEMA 5: TIRISTOR
Rth j-a; Rj-a; R θJA

Resistencia térmica unión - ambiente. (Termal resistance juntion to ambient in free air).
Zth j-mb; Zj-c; ZθJC(t)
Impedancia térmica transitoria unión - contenedor. (Transient thermal impedance, juntion - to -
case).
Zth j-a; Zj-a; Z θJA(t)
Impedancia térmica transitoria unión - ambiente. (Transient thermal impedance, juntion - to -
ambient).
td
Tiempo de retraso. (Delay time).
tr
Tiempo de subida (Rise time).
tgt; ton
Tiempo de paso a conducción. (Gate - controlled turn – on time).
tq; toff
Tiempo de bloqueo, (Circuit - commutated turn - off time). Intervalo de tiempo necesario para
que el tiristor pase al estado de bloqueo de manera que aunque se aplique un nuevo voltaje en sentido
directo, no conduce hasta que haya una nueva señal de puerta.
di/dt
Valor mínimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos
calientes.
dv/dt
Valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo de la cual no se produce el cebado sin
señal de puerta.
(dv/dt)C
Valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo de la cual no se produce el nuevo cebado
del SCR cuando pasa de conducción a corte.
5.4.2 CARACTERÍSTICAS
El tiristor posee una serie de características que lo hacen apto para su utilización en circuitos de
potencia:
• Interruptor casi ideal.

• Amplificador eficaz (pequeña señal de puerta produce gran señal A – K).
• Fácil controlabilidad.
• Características en función de situaciones pasadas (Memoria).
• Soporta altas tensiones.
• Capacidad para controlar grandes potencias.
• Relativa rapidez.
Las características de los tiristores pueden dividirse en cuatro grupos: estáticas, de control, dinámicas
y térmicas.
Características estáticas
Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y son los valores máximos que
colocan al elemento en el límite de sus posibilidades. Su análisis permite seleccionar, en una primera
aproximación, el tiristor que mejor se ajusta a las necesidades del problema que se trata de resolver.

TEMA 5: TIRISTOR
En general, bastará con observar los valores de los siguientes parámetros de entre los ofrecidos en las
hojas de características del fabricante para seleccionar el elemento: VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IFD,
IR, Tj, IH.
Fig 5.8 Características estáticas
SKT10
[E 5_4]
Características de control.
Determinan la naturaleza del circuito de mando que mejor responde a las condiciones de disparo. En
la práctica, las corrientes y tensiones necesarias para el basculamiento son sensiblemente las mismas
en la mayoría de los casos.
Para la región puerta - cátodo los fabricantes definen entre otras las siguientes características: VGFM,
VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT, IGT, IGNT
Entre los parámetros más importantes cabe destacar los siguientes:

VGT e IGT que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
VGNT e IGNT, muy importantes porque dan los valores máximos de corriente y de tensión, para los
cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no basculan a conducción.
Fig 5.9
Curva característica de puerta del tiristor (Cortesía de Philips)

TEMA 5: TIRISTOR
La figura 5.9 muestra la curva característica de puerta del tiristor. En ella se relacionan los distintos
parámetros de puerta, destacándose el área central que asegura el disparo del dispositivo por lo que se
conoce con el nombre de “área de disparo seguro”.Dentro de éste área deben quedar incluidos todos
los valores de corriente o tensión capaces o apropiados para poder producir el disparo.
El diodo puerta (G) - cátodo (K) difiere de un diodo de rectificación en aspectos tales como una caída
de tensión en sentido directo más elevada y una mayor dispersión para un mismo tipo de tiristor.
Construcción de la curva característica de puerta

Como ya se ha dicho, la unión puerta – cátodo se comporta como un diodo, por lo que se puede
representar la característica directa de dicho diodo. Para una misma familia de tiristores existe una
gran dispersión, por lo que es necesario dibujar un determinado número de curvas pertenecientes a
cada una de las uniones de las familias anteriormente mencionadas para así poder prever cada una de
las posibles variaciones particulares.
Para no complicar demasiado el proceso, se dibujan únicamente las dos curvas extremas, puesto que
todas las demás quedan comprendidas entre ambas.
En la figura 5.10 se observan las curvas de dispersión, y en trazo más oscuro las dos curvas más
extremas.
VFG VFG
(V) (V)
(a) (A) IFG (b) (A) IFG
Fig 5.10 Zona de disparo por puerta (b) calculada a partir de las curvas de dispersión de la unión G-K (a)
Para analizar de manera gráfica el concepto de disipación máxima, se coge un tiristor típico con los
valores nominales y las características de puerta siguientes:
VRGM max = 5V; PGAV max = 0.5W; PGM max = 5W; VGT > 3.5V; IGT > 65mA
Si se coloca la curva de máxima disipación de potencia de pico sobre la figura 5.10a se completa la
curva característica de puerta del tiristor. Esta curva representa el lugar geométrico de V e I, de
manera que:
PMAX = V ⋅ I
De la misma forma se puede obtener la curva de potencia media.
Se define ciclo de trabajo (δ) como el cociente entre la potencia media y la potencia de pico
PG(AV)
δ= E 5. 3
PGM
De todo lo visto hasta ahora, se deduce que las tensiones e intensidades válidas para producir el
disparo deben estar comprendidas en la zona rayada de la figura 5.10b
Dentro de esta zona cabe destacar un área en la cual el disparo resulta inseguro y está determinado
por el mínimo número de portadores necesarios en la unión puerta - cátodo para llevar al tiristor al
estado de conducción. Esta corriente mínima disminuye al aumentar la temperatura, tal y como se
puede ver en la figura 5.11

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.11 Zona de disparo inseguro del tiristor.
Fig 5.12

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.13 Curva característica de puerta. (Tened en cuenta que el eje x es logarítmico, de ahí la diferencia con la figura 5. 9)
Identificar en la tabla y la curva los parámetros estudiados para el tiristor SKT10 de

Semikron.
SKT10
[E 5_4]
PROBLEMA 5.1
Sea una fuente de alimentación de 220V de tensión eficaz, con picos de tensión de 220 2 =
311V, determinar las características mínimas que debe reunir el tiristor.
Solución:
Para disponer de un margen de seguridad del 50%, se elige un tiristor que se dispare con una
tensión superior a
311V ⋅ 1.5 = 470V.
Se elegirá un tiristor con un valor de
VDRM > 470 V y VDSM >>> VDRM
Sea una señal alterna que alimenta a un circuito formado por un SCR y una carga:
La corriente y la tensión media que un tiristor dejará pasar a la carga variarán en función del instante
en el que se produzca el disparo, del que van a depender factores tales como la potencia entregada y
la potencia consumida por el dispositivo, de forma que cuanto mayor sea el ángulo de conducción,
mayor potencia se tendrá a la salida del tiristor, ver figura 5.14
Como se deduce directamente de la figura 5.14, cuanto mayor sea el ángulo de bloqueo (ángulo de
disparo), menor será el ángulo de conducción
180º = Ángulo de conducción + Ángulo de disparo E5. 4

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.14
Ángulo de bloqueo y conducción de un tiristor cuando la señal
de entrada es alterna senoidal
Es muy importante conocer la variación de la potencia total en el elemento semiconductor debido a

las pérdidas del mismo en función de los diferentes ángulos de conducción, para así poder determinar
la temperatura, tanto en la unión de montaje, como en la cápsula, y así poder calcular las protecciones
(disipadores) oportunos para la protección del circuito.
A continuación vamos a ver un ejemplo de funcionamiento, el clásico rectificador controlado de

media onda.
PROBLEMA 5.2
Para el circuito simple de control de potencia con carga resistiva de la figura, calcular: La tensión
de pico en la carga, la corriente de pico en la carga, la tensión media en la carga y la corriente
media en la carga. Realizar también un estudio del circuito mediante el programa Pspice,
obteniendo las formas de onda para un ángulo de retardo α = 60º. Comprobar que los apartados
calculados en el ejercicio, coinciden con las simulaciones.
Datos: Ve (RMS) = 120V, f = 50Hz, α = 60º, RL = 10Ω
Fig 5.15 Circuito para la simulación con Pspice

Solución:
- Tensión de pico en la carga
Se corresponde con el valor de la tensión máxima suministrada por la fuente:
Vp (carga ) = Vmáx = 2 ⋅ Ve (RMS ) → Vp (carga ) = 169.7 V
- Corriente de pico en la carga
Se obtiene a partir del valor de la tensión de pico en la carga

Vp (carga )
I p (carga ) = → I p (carga ) = 16.67 A
RL
…

TEMA 5: TIRISTOR
…
- Tensión media en la carga
Vmáx π V V
⋅ ∫ sen (wt ) dwt = máx [− coswt ]α = máx (1 + cosα ) → Vmed = 40.5 V
π
Vmed =
2⋅π α 2⋅π 2⋅π
- Corriente media en la carga
Se calcula utilizando la ecuación anterior, pero sustituyendo el valor de Vmáx por el valor de Imáx
I máx
I med = (1 + cosα ) → I med = 4.05 A
2⋅π
A continuación se realiza la simulación del circuito mediante Pspice, gracias a la cual se obtienen
las señales de tensión en la carga y en el tiristor. Se insta al lector a que simule el circuito y
compruebe los resultados obtenidos.
*Problema5_2.CIR
*E.P.S. JAEN DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
* CIRCUITO DE CONTROL SIMPLE DE POTENCIA;
*FUENTE DE TENSION
VS 1 0 SIN ( 0 169.7V 50Hz )
VG 4 2 PULSE ( 0V 10V 3333.3US 1NS 1NS 100US 20MS )
VI 3 0 DC 0V
*RESISTENCIA DE CARGA
RL 2 3 10OHM
*SEMICONDUCTOR
XT1 1 2 4 2 SCR; ANODO CATODO PUERTA CATODO
*SUBCIRCUITO DEL TIRISTOR; MODELO DE M. H. RASHID (Power electronics 2ª edicion, Prentice
Hall)
.SUBCKT SCR 1 2 3 2
S1 1 5 6 2 SMOD
.MODEL SMOD VSWITCH (RON = 0.0125 ROFF = 10E+5 VON = 0.5V VOFF = 0V)
RG 3 4 500HM
VX 4 2 DC 0V
VY 5 7 DC 0V
DT 7 2 DMOD
.MODEL DMOD D ( IS = 2.2E-15 BV = 1800 TT = 0V )
RT 6 2 1OHM
CT 6 2 10UF
F1 2 6 POLY(2) VX VY 0 50 11
.ENDS SCR
*ANALISIS A REALIZAR
.TRAN 20US 50MS
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL = 1.0N RELTOL = 1.0M VNTOL = 1.0M ITL5 = 10000
.END

TEMA 5: TIRISTOR
Modificar en Pspice el valor del ángulo de retardo del SCR y observar la tensión
instantánea de salida V (2). Utiliza RMS ( ) y AVG ( ) para el cálculo
PROBLEMA 5.3
En el circuito de la figura 5.16 comentar el funcionamiento del circuito desde 0 a 2π, determinar
el valor de la tensión y corriente eficaz en la carga.
Fig 5.16 Circuito
Solución:
1) 0 ≤wt ≤ α. El SCR está bloqueado. En estas condiciones no circula ninguna corriente

por la carga (IL = 0) y la VAK = Vm ⋅ senα
2) α ≤ wt < π. En el instante wt = α el circuito de disparo aplica un pulso que hace entrar el

SCR en conducción. Aparece una corriente por la carga de valor IL = Vmsenα/ZL, si se
desprecia la caída de tensión en el SR (VAK ~ 0V). En estas condiciones,
VS = VL + VAK
3) π ≤ wt < 2π. En el instante α = π el SCR conmuta a corte de forma natural. En el

semiperiodo negativo el SCR se mantiene a corte porque la tensión del ánodo es inferior
a la del cátodo. La corriente es nula (IL = 0) y la VAK = Vm ⋅ senα

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.17 Formas de onda para el circuito de la figura 5.16
2π π π
1 1 1 2 ⎡ α sen 2 α ⎤
∫ (I ) ∫ (Vm ⋅ senα )2 dwt =
2
I RMS = dwt = Vm ⎢ −
4 ⎥⎦ α
L
2π 0
2π α 2π ⎣2
2π π
1 Vm2 ⎡ α sen 2 α ⎤
∫ (VL ) dwt =
2
VRMS = −
2π 0
2 π ⎢⎣ 2 4 ⎥⎦ α
2π 2
1 Vrms
Prms = ∫
2π 0
I L ⋅ VL d wt = Vrms ⋅ I rms =
ZL
= I 2rms ⋅ Z L
Características de conmutación
Los tiristores, al no ser interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar del estado de bloqueo
al estado de conducción y viceversa. Para frecuencias inferiores a 400 Hz se pueden ignorar estos
efectos. En la mayoria de las aplicaciones se requiere una conmutación más rápida (mayor
frecuencia), por lo que éste tiempo debe tenerse en cuenta.
Se realiza el análisis por separado del tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conducción o
tiempo de encendido, ton y el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conducción a corte o tiempo de
apagado, toff
Tiempo de Encendido, ton
El tiempo de encendido o tiempo en pasar de corte a conducción, tON se puede dividir en dos tiempos:
Tiempo de retardo, td y Tiempo de subida, tr

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.18
Representación gráfica del tiempo de encendido, tON.
El tiempo de retardo, también llamado tiempo de precondicionamiento, td es el tiempo que trascurre

desde que el flanco de ataque de la corriente de puerta alcanza la mitad de su valor final (50%) hasta
que la corriente de ánodo IA alcanza el 10% de su valor máximo para una carga resistiva, ver figura
5.18
El tiempo de retardo depende de la corriente de mando, de la tensión ánodo - cátodo y de la

temperatura, td disminuye si estas magnitudes aumentan.
El tiempo de subida, tr es el tiempo necesario para que la corriente de ánodo IA pase del 10% al 90%
de su valor máximo para una carga resistiva. Este tiempo se corresponde también con el paso de la
caída de tensión en el tiristor del 90% al 10% de su valor inicial. Ver figura 5.18
La amplitud de la señal de puerta y el gradiente de la corriente de ánodo, juegan un papel importante

en la duración del tr que aumenta con los parámetros anteriores.
El tiempo de cebado o tiempo de encendido, debe ser lo suficientemente corto, como para no ofrecer
dificultades en aplicaciones de baja y de mediana frecuencia.
La suma de los dos tiempos anteriores, td y tr es el tiempo de cierre tON, trascurrido el cual el tiristor
se satura comenzando la conducción. Otro factor, de gran importancia, que se debe tener en cuenta
es el hecho de que durante el cebado del dispositivo, el impulso sólo afecta a la parte vecina del
electrodo de puerta, con lo cual el paso del tiristor del estado de corte a conducción está limitado en
principio a esta superficie inicialmente cebada.
Como la caída de tensión en el tiristor no se efectúa de una forma instantánea, simultáneamente se

pueden presentar valores altos de tensión y de corriente, alcanzándose valores muy altos de potencia.
La energía será disipada en un volumen muy reducido, en las cercanías de la puerta que es donde
comienza la conducción, dando lugar a un calentamiento considerable. Si se alcanzase en algún
momento el límite térmico crítico, podría destruirse la zona conductora por fusión de la pastilla de
silicio. Esto se conoce con el nombre de destrucción por dI/dt.
Sobre los tiempos anteriores (td y tr) pueden influir una serie de parámetros entre los que cabe
destacar los que influyen sobre td : Tiempo de subida, Amplitud de la corriente de ánodo y tensión de
ánodo.

TEMA 5: TIRISTOR
Tiempo de apagado, toff
Para comprender mejor el estudio del tiempo de apagado (extinción) del tiristor, es decir el paso del
estado de conducción al estado de bloqueo (toff), hay que tener en cuenta las formas de onda
características que aparecen en la figura 5.19
Fig 5. 19 Tiempo de apagado.
La extinción del tiristor se producirá por dos motivos: Por reducción de la corriente de ánodo por
debajo de la corriente de mantenimiento y por anulación de la corriente de ánodo.
El tiempo de apagado, toff se puede subdividir en dos tiempos parciales: el tiempo de recuperación
inversa, trr y el tiempo de recuperación de puerta, tgr
t off = t rr + t gr E5. 5
Si la tensión aplicada al elemento cambia de sentido y lo polariza inversamente, la corriente directa

se anula, alcanzándose un valor débil de corriente inversa, ir. Las cargas acumuladas en la
conducción del tiristor se eliminan entonces parcialmente, pudiéndose definir un tiempo de
recuperación inversa, trr, desde t1 a t3 en la figura 5.19.
El resto de las cargas almacenadas se recombinan por difusión. Cuando el número de cargas es
suficientemente bajo, la puerta recupera su capacidad de gobierno: puede entonces volver a aplicarse
la tensión directa sin riesgo de un nuevo cebado. Este tiempo se denomina tiempo de recuperación
de puerta, tgr.
Los parámetros que influyen sobre el tiempo de apagado, toff son:

• Corriente en estado de conducción, IT Elevados picos de corriente implican mayores tiempos de
apagado.
• Tensión inversa, VR Pequeños valores de VR implican grandes tiempos de extinción. Para limitar
esta tensión aproximadamente a un voltio, se coloca un diodo en antiparalelo con el tiristor.
• Velocidad de caída de la corriente de ánodo, dI/dt. Altos valores de dI/dt implican bajos tiempos
de apagado.

TEMA 5: TIRISTOR
• Pendiente de tensión, dVD/dt. Elevados valores de pendiente de tensión implican mayores toff.
• Temperatura de la unión, Tj o del contenedor, Tc. Altas temperaturas implican mayores toff.
• Codiciones de puerta. La aplicación de una tensión negativa de puerta durante la recuperación

inversa reduce el toff. Es importante no aplicar un valor excesivo de tensión inversa en la puerta.
Fig 5.20 Características dinámicas del tiristor BT151
Características térmicas
Para proteger a los dispositivos de este aumento de temperatura, los fabricantes proporcionan en las
hojas de características una serie de datos térmicos que permiten determinar las temperaturas
máximas que puede soportar el elemento sin destruirse y el cálculo del disipador adecuado que ya se
estudiaron en el tema 3.
Fig 5.21 Características térmicas del tiristor BT151
Fig 5.22 Estructura de un tiristor
Identificar en las características del SCR BT151 cada uno de los parámetros estudiados.
BT151
[E 5_5]

TEMA 5: TIRISTOR
5.5 Métodos de disparo

Para que se produzca el cebado (disparo) de un tiristor, la unión ánodo - cátodo debe estar polarizada
en sentido directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para
permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que la corriente de enganche, IL
corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir.
Para que el tiristor, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción deberá circular a través
de él una corriente mínima de valor IH (corriente de mantenimiento), que limita el estado de
conducción y el estado de bloqueo directo.
Los distintos modos de disparo de los tiristores son: Disparo por puerta, Disparo por módulo de
tensión (V), Disparo por gradiente de tensión (dV/dt), Disparo por radiación y Disparo por
temperatura.
Normalmente se usa el disparo por puerta. Los disparos por módulo y gradiente de tensión
son modos no deseados, por lo que han de ser evitados.
5.5.1 DISPARO POR PUERTA

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicación en la puerta
de un impulso positivo de intensidad (generalmente), mediante la conexión de un generador
adecuado entre los terminales de puerta y cátodo a la vez que se mantiene una tensión positiva entre
ánodo y cátodo.
Cuando se aplica una tensión VG, se consigue bajar el potencial (A - K) necesario para disparar al
tiristor, hasta un valor inferior al de VAK aplicado en ese momento.
Fig 5.23 Circuito de control por puerta de un tiristor. Curva característica y curva de máxima disipación de potencia.
En el SCR tradicional, una vez disparado el dispositivo, se pierde el control por puerta. En estas
condiciones, si se quiere bloquear al elemento, se debe hacer que la VAK sea menor que la tensión de
mantenimiento VH y que la IA (Intensidad de ánodo), sea menor que IH (corriente de mantenimiento).
Al disparar el elemento se debe tener presente que el producto entre los valores de corriente y
tensión, entre puerta y cátodo, deben estar dentro de la zona de disparo seguro y no exceder los
límites de disipación de potencia de puerta.
Para poder asegurar que se está dentro de ésta zona, se monta el circuito de la figura anterior. El valor
de la resistencia, R vendrá determinado por la pendiente de la recta tangente a la curva de máxima
disipación de potencia de la curva característica de puerta del tiristor; su valor responde a la siguiente
expresión, ver figura 5.23
VFG
R= E5. 6
I FG
Una vez delimitado el valor máximo que resulta apropiado para el disparo, se debe tener en cuenta
que existe un nivel mínimo por debajo del cual el disparo resulta inseguro, puesto que no se
alcanzaría el mínimo número de portadores, necesarios para producir el cebado del tiristor y por tanto
su paso a conducción.

TEMA 5: TIRISTOR
PROBLEMA 5.4
El circuito de la figura, representa un circuito simple de control de potencia que utiliza un tiristor
como elemento de control de una carga resistiva. Determinar el valor de V necesario para
producir el disparo del tiristor. Suponiendo que se abre el interruptor, una vez disparado el
tiristor, calcular el valor mínimo de tensión, VE que provoca el apagado del mismo.
Datos:
VE = 300V, R = 500Ω, RL = 20Ω
SCR: VH = 2V, IH = 100mA, VG = 0.75V, IG = 10mA
Fig 5.24 Circuito de control de potencia

Solución:
Aplicando las leyes de Kirchoff a la malla de puerta del circuito de la figura anterior, se obtiene
el siguiente valor para la tensión en la fuente
V = VG + R ⋅ I G = 5.75 V
Cuando el tiristor se dispara, la tensión entre ánodo y cátodo no será nula (conmutador ideal),
sino que cae una tensión dada por VH = 2V
La corriente que circula por la carga una vez que ha sido disparado el tiristor será
VE − VH
IL = = 14.9 A
RL
Esta corriente debe ser menor que la corriente de mantenimiento para que el tiristor conmute a
apagado, por lo tanto
VE < I H ⋅ R L + VH = 4V
5.5.2 DISPARO POR MÓDULO DE TENSIÓN

El disparo por módulo de tensión se puede explicar mediante el mecanismo de multiplicación por
avalancha. Este método de disparo se puede desarrollar basándose en la estructura de un transistor,
así si se aumenta la tensión colector - emisor, se alcanza un punto en el que la energía de los
portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos portadores en la unión
de colector, que hacen que se produzca el fenómeno de avalancha. Esta forma de disparo no se
emplea para disparar el tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita
provocado por sobretensiones anormales en los equipos electrónicos.
5.5.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIÓN

A un tiristor se le aplica un escalón de tensión positiva entre ánodo y cátodo con tiempo de subida
muy corto (del orden de microsegundos), la capacidad se carga a:
dv
i=C [5_6]
dt

TEMA 5: TIRISTOR
Si esta intensidad de fugas es lo suficientemente grande, tanto como para mantener el proceso
regenerativo, el tiristor entrará en estado de conducción estable, permaneciendo así una vez pasado el
escalón de tensión que lo disparó. Para producir este tipo de disparo bastarán escalones de un valor
final bastante menor que el valor de la tensión de ruptura por avalancha, con tal de que el tiempo de
subida sea suficientemente corto.
En la figura 5.25, está representada la zona en la que el tiristor se disparó por una variación brusca y
positiva de la tensión de ánodo
[5_7]
Fig 5.25
Zona de disparo por gradiente de tensión.
En tiristores de baja potencia es aconsejable conectar entre puerta y cátodo una resistencia por la que
se derive parte de la intensidad de fugas antes comentada.
5.5.4 DISPARO POR RADIACIÓN

El disparo por radiación está asociado a la creación de pares electrón - hueco por la absorción de luz
por el elemento semiconductor. La acción de la radiación electromagnética de una determinada
longitud de onda provoca la elevación de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor
crítico, obligando al disparo del elemento.
Los tiristores preparados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles (llamados LASCR o
Light Activated SCR) son de pequeña potencia y se utilizan como elementos de control todo - nada.
Fig 5.26 Estructura interna de un fototiristor
5.5.5 DISPARO POR TEMPERATURA

El disparo por temperatura está asociado al aumento de pares electrón - hueco generados en las
uniones del semiconductor.

TEMA 5: TIRISTOR
Resumiendo
Disparo
• Polarización positiva ánodo - cátodo. (ánodo positivo respecto a cátodo).

• El electrodo de control (puerta), en el momento en que se desee provocar el disparo, debe recibir
un pulso positivo (respecto a la polarización que en ese momento exista en el cátodo) durante un
tiempo suficiente como para que IA sea mayor que la intensidad de enganche.
Circuitos de disparo de SCR

[5_8]
Corte
En el momento en que el tiristor se dispara, se pierde el control por puerta. Para desactivarlo se
deberá realizar uno de los siguientes procesos
• Anular la tensión que se tiene aplicada entre ánodo y cátodo.
• Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de ánodo sea inferior a la corriente de
mantenimiento, IH o forzar de alguna otra manera que IA < IH.
5.6 Limitaciones del Tiristor

Las limitaciones más importantes de los tiristores son debidas a la frecuencia de funcionamiento, a la
pendiente de tensión (dv/dt), a la pendiente de intensidad (di/dt) y a la temperatura.
5.6.1 FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO

Dependiendo del tiempo de apertura, los tiristores se pueden clasificar en dos grupos: Tiristores de
corto tiempo de apertura (tiristores rápidos) y tiristores que no exigen, por sus condiciones de
utilización, características especiales de apertura. El tiempo de apertura puede superar los 100 µs. A
estos tiristores se les define como tiristores lentos.
Incluso si se trabaja con tiristores rápidos, no se pueden superar ciertos valores de frecuencia. Estos
valores límite vendrán impuestos por la propia duración del proceso de apertura y cierre del
dispositivo, condiciones intrínsecas imputables al dispositivo. Así la frecuencia, rara vez, podrá
superar los 10 KHz. El hecho de trabajar a frecuencias altas, impone al tiristor restricciones de di/dt;
se puede decir que el dispositivo "conserva en la memoria" el calentamiento producido por esta di/dt.
Esto es debido a la imposibilidad del elemento semiconductor para poder disipar el exceso de calor
producido en su interior.
Por todo lo expuesto anteriormente, se puede afirmar que para valores muy altos de di/dt y con
frecuencias crecientes, se denota una fuerte disminución de la capacidad de conducción del elemento.
Fig 5.27
a) Respuesta de la temperatura de la unión a un pulso de corriente
b) Aumento de la temperatura de la unión por una frecuencia de trabajo
elevada

TEMA 5: TIRISTOR
5.6.2 PENDIENTE DE TENSIÓN, dv/dt

Los picos transitorios de tensión que aparecen a través de un semiconductor son generalmente de
corta duración, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
Una velocidad excesiva del crecimiento de la tensión aplicada entre ánodo y cátodo, dv/dt amenaza
con provocar el cebado indeseado del tiristor, anteriormente bloqueado, en ausencia de señal de
puerta. Este fenómeno se debe a la capacidad interna del tiristor que se carga con una corriente i =
C⋅dv/dt la cual, si dv/dt es grande, puede ser suficiente para provocar el cebado.
Entre las principales causas que pueden provocar este aumento transitorio de la tensión, se pueden
destacar tres:
• Los contactores existentes entre la fuente de alimentación y el equipo.

• La conmutación de otros tiristores cercanos.
• La alimentacion principal.
Cuando el equipo esté alimentado mediante un transformador, ésta actúa como un filtro respecto a los
parásitos que se producen en la red de alimentación. Ahora bien, se presenta el inconveniente de
tener que anular los transitorios introducidos por el propio transformador.
Protecciones contra dv/dt

El buen funcionamiento de los equipos no sólo depende de la calidad de los tiristores elegidos, sino
también de las precauciones tomadas para proteger a estos dispositivos de situaciones desfavorables
presentadas durante el funcionamiento. El diseño de las redes de protección dependerá en gran
medida de los límites de los semiconductores, así como de los fenómenos permanentes y transitorios
a los que estén sometidos.
En circuitos donde el valor de dv/dt sea superior al valor dado por el fabricante, se pueden utilizar
circuitos supresores de transitorios para proteger a los tiristores del cebado por dv/dt, estos circuitos
se conectan en bornes de la alimentación, en paralelo con el semiconductor o en paralelo con la
carga.
Los circuitos supresores de transitorios se pueden clasificar fundamentalmente en dos grupos:
• Grupos RC o grupos L (Red Snubber)

• Resistencias no lineales
Una solución muy utilizada en la práctica es la que se muestra en la figura 5.28. Se trata de conectar
en paralelo con el tiristor un circuito RC (Red SNUBBER), para evitar variaciones bruscas de tensión
en los extremos del dispositivo semiconductor.
Este procedimiento puede presentar el inconveniente de que la energía disipada en la resistencia de la

red SNUBBER sea muy importante.

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.28 Estructura, símbolo de circuito y fotografía de SVS.
En la figura se puede ver la protección del SCR con un elemento supresor de voltaje SVS y una red
RC en paralelo.
Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en antiparalelo, entrando en conducción si se supera
la tensión límite, protegiendo los dispositivos contra sobretensiones.
Ejemplo rápido de cálculo de la red RC
En el circuito de la figura, el SCR está capacitado para soportar un valor de dVAK/dt

= 50V/µs. La descarga inicial del condensador sobre el SCR debe ser limitada a 3A. En el momento en que se
cierra el interruptor S es conectada la fuente de tensión VS al circuito. Si en ese momento se aplica un impulso
apropiado a la puerta del elemento. Calcular el valor del condensador de la red de protección y el valor de la
resistencia de protección.
Datos: dv/dt = 50V/µs R = 20Ω Imáx = 3ª
Fig 5.29

TEMA 5: TIRISTOR
Solución:
Cuando la fuente de tensión alcanza el valor máximo (VSmáx = 220√2 = 311V) se cierra el interruptor S. El
circuito equivalente está formado por la resistencia RL en serie con el condensador y la fuente de tensión.
Suponiendo que en el instante inicial, el condensador está descargado, el valor de la intensidad será:
VS máx 311V
I C (0) = = = 15.55A
RL 20Ω
dV 15.55A
IC = C ⋅ ⇒ C= = 0.311µF
dt 50V / µs
El valor de la constante de tiempo de la red formada por la resistencia de carga y por el condensador es de
6.22µs. El tiempo para que se estabilice el valor de la tensión en el SCR estará comprendido entre 15 y 20µs.
Este tiempo es suficientemente corto para que la fuente de tensión no cambie apreciablemente los valores de
pico.
Si el SCR es disparado en el momento en que se tiene la tensión máxima, con el condensador cargado a 311V,
el valor necesario de la resistencia para limitar la corriente a 3A será:
311V
R= = 103.6 = 100Ω
3A
Cálculo de los elementos de protección

Para determinar los valores de los elementos que forman la red RC existen diversos métodos entre los
que se pueden destacar dos:
• Método de la constante de tiempo. Por ser el más utilizado, es el único que se va a desarrollar.
• Método resonante.
Método de la constante de tiempo
Con éste método se trata de buscar el valor mínimo de la constante de tiempo, τ de la dv/dt del
dispositivo. Ver figura 5.30
El valor de la constante de tiempo responde a la expresión:
0.632 ⋅ VDRM
τ= E5. 7
⎡ dV ⎤
⎢⎣ dt ⎥⎦
min
τ = Constante de tiempo
VDRM = Tensión directa de pico repetitivo
Fig 5. 30
Gráfica para determinar el valor de la constante de tiempo.

TEMA 5: TIRISTOR
En condiciones normales, se tomará VDRM = Vmáx
A partir del valor calculado para τ se determina el valor de los elementos que forman la red RC (red
Snubber) del circuito del ejemplo anterior
τ
C= E5. 8
RL
VAmáx
R= E5. 9
(I TSM − I L ) ⋅ K
VA máx = Tensión de ánodo máxima.
IL = Intensidad en la carga.
K = Factor de seguridad. (0.4...0.1)
La misión de la resistencia calculada es proteger al SCR cuando se produce la descarga instantánea

del condensador al inicio de la conducción.
En el peor de los casos, si el valor de ton es igual a cero, el valor que debe tener la resistencia viene
dado por la ecuación:
VAmáx
R min = E5. 10
dI
⋅C
dt
5.6.3 PENDIENTE DE INTENSIDAD, dI/dt

Una variación rápida de la intensidad puede dar lugar a la destrucción del tiristor. Durante el cebado
(disparo), la zona de conducción se reduce a una parte del cátodo vecina al electrodo de mando. Si el
circuito exterior impone durante esta fase un crecimiento rápido de la intensidad, la densidad de
corriente en la zona de cebado puede alcanzar un valor importante.
Al principio el área de conducción estará limitada al área de la puerta, por lo que la unión entera no
conduce instantáneamente. También ocurre que como el cristal no es totalmente homogéneo existen
zonas donde la resistividad es más baja y por tanto la concentración de intensidad es mayor (puntos
calientes). En la figura 5.30 se muestra el proceso de conducción en función del tiempo.
Fig 5.31 Área de conducción del tiristor en función del tiempo.
El descenso de la caída de tensión en el tiristor durante el paso del estado de bloqueo al de

conducción, no se efectúa de forma instantánea, por lo que habrá momentos en que se presenten
simultáneamente valores elevados de corriente y de tensión.
Un procedimiento para evitar la formación de puntos calientes durante el proceso de disparo del
elemento, es introducir una corriente por puerta mayor de la necesaria. Para ello, se inyecta mayor
cantidad de portadores con lo que la superficie de la unión que conduce aumenta rápidamente. Esta
solución es parcial, porque estará limitada por la necesidad de que la corriente de puerta no
sobrepase un valor máximo dado en las hojas de características del dispositivo semiconductor.

TEMA 5: TIRISTOR
Otro procedimiento posible es añadir algún elemento al circuito exterior de ánodo para conseguir que
la pendiente de la intensidad, dI/dt no sobrepase el valor especificado en las características del estado
de conmutación. Uno de los elementos susceptibles de ser incorporados al circuito de ánodo sería una
inductancia, L como se puede ver en la figura 5.32
Este circuito básico de protección, es un circuito típico de frenado, en el cual la inductancia controla
el efecto provocado por la dI/dt.
Fig 5.32
Circuito para la limitación de dI/dt.
Si se estudia el caso más desfavorable se ve que éste se produce cuando se aplica una tensión
continua. Si ahora el tiristor entra en conducción la intensidad por ánodo, IA se regirá por la expresión
V ⎛ ⎞
R ⋅t
−
IA = ⋅ ⎜⎜1 − e L ⎟
⎟ E5. 11
R ⎝ ⎠
Derivando la expresión anterior, para t = 0 se obtiene el valor máximo y despejando se obtiene el

valor de L. El valor obtenido debe ser menor al expresado en la hoja de características.
V
L= E5. 12
dI A
dt máx
PROBLEMA 5.5
Para el circuito de protección del SCR contra dI/dt de la figura 5.32 calcular el valor de la
inductancia L, para limitar la corriente de ánodo a un valor de 5 A/µs.
Datos: VS = 300V; RL = 5Ω
Solución:
dI A VS
= = 5 ⋅ 10 6 A / s
dt L
VS 300 V
L= = = 60 ⋅ 10 −6 H
dI A 5 ⋅ 10 6 A / s
dt
L = 60 µH

TEMA 5: TIRISTOR
PROBLEMA 5.6
Para el circuito con tiristor de la figura. Calcular aplicando el método de la constante de tiempo
el circuito de protección contra dv/dt y di/dt. Adoptar un factor de seguridad K = 0.4.
Datos:
VRMS = 208V, IL = 58A, R = 5Ω
SCR: VD = 500V, ITSM = 250A, di/dt = 13.5A/µs , dv/dt = 50V/µs
Fig 5.33
Solución:
Valor máximo de tensión

VA máx = 208 ⋅ 2 = 294 V
Constante de tiempo
0.632 ⋅ VD
τ= = 6.32 µs
⎡ dv ⎤
⎢⎣ dt ⎥⎦
min
Valor del condensador

τ
C= = 1.264 µF
R
Valor de la resistencia
VA máx
RS = = 3.83 Ω
(I TSM − I L ) ⋅ K
El valor mínimo para la resistencia será:
VA máx
R min = = 4.15 Ω
⎛ dI ⎞
⎜ ⎟⋅C
⎝ dt ⎠
Como el valor obtenido para RS es inferior a la Rmin que se debe colocar, se elige esta última para
el circuito dado
R = 4.15 Ω
El valor mínimo de la inductancia L para dI/dt se calcula según la expresión:
VA máx
L= = 21.7 µF
dI
dt

TEMA 5: TIRISTOR
5.6.4 PROTECCIÓN CONTRA SOBRECARGA DE LARGA DURACIÓN

(CORTOCIRCUITO)
Ante un cortocircuito, al tratarse de un mal funcionamiento, debe detenerse la operación del
dispositivo hasta que se repare la causa.
Podemos utilizar fusibles rápidos y disyuntores.
Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en cuenta lo siguiente:
1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del dispositivo
( )
2. El valor de la energía permitida del fusible i 2 t c debe ser menor que la del dispositivo que
se pretende proteger
3. El fusible debe ser capaz de soportar toda la tensión una vez que se haya extinguido el arco
4. La tensión que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que la tensión de pico del
dispositivo
Fig 5.34 Protección completa con fusible
5.6.5 LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.

En los semiconductores de potencia, se producen pérdidas durante el funcionamiento que se traducen
en un calentamiento del dispositivo.
Si los períodos de bloqueo y de conducción en un tiristor son repetitivos, la potencia media disipada
en un tiristor será:
1 T
T ∫0
PAV = ⋅ VAK ⋅ I A ⋅ dt + Potencia de puerta. E5. 13

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.35
Curva característica del tiristor en la zona de conducción.
La potencia disipada en los tiristores durante el tiempo de conducción, es mucho mayor que la
potencia disipada durante el tiempo que está bloqueado y que la potencia disipada en la unión puerta
- cátodo. Por tanto se puede decir que las pérdidas en un dispositivo semiconductor, con una tensión
de alimentación dada y una carga fija, aumentan con el ángulo de conducción.
Si se supone que para un semiconductor, la conducción se inicia para cada semiperiodo en un tiempo
t1 y termina en un tiempo t2, la potencia media de perdidas será:
1 t2
T ∫t1
PAV = ⋅ VAK ⋅ I A ⋅ dt
En la figura 5.35 se representa la VAK en función de la IA a partir de esta curva se puede deducir la
siguiente expresión
VAK = V0 + I A ⋅ R E5. 14
donde V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y
para una determinada temperatura de la unión. En éste caso se trabaja dentro de la zona directa de la
curva característica.
Operando con las ecuaciones anteriores:
t t
1 t2 1 2
1 2
= ⋅ ∫ (V0 + R ⋅ I A ) ⋅ I A ⋅ dt = ⋅ V0 ∫ I A dt + ⋅ ∫ R ⋅ (I A ) dt
2
PAV
T t1 T t1
T t1
PAV = V0 ⋅ I A(AV) + R ⋅ (I A(RMS) )
2
Esta ecuación se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda (sinusoidal,
rectangular,...) y para distintos ángulos de conducción en la figura 5.36
Con estas curvas, y partiendo del valor medio de la corriente y de la forma de onda, se puede calcular
el valor de PAV.

TEMA 5: TIRISTOR
En la ecuación anterior se aprecia que la potencia disipada, no sólo depende del valor medio de la
corriente, sino que también depende del valor eficaz. Por tanto se puede decir que dependerá del
factor de forma, parámetro que fue definido en el capítulo 2 y que responde a la siguiente expresión:
I A(RMS)
a=f =
I A(AV)
Una vez elegido el tiristor, a partir de los parámetros más importantes como son la potencia total
disipada y la temperatura, y una vez calculada la potencia media que disipa el elemento en el caso
más desfavorable, se procede a calcular el disipador o radiador más apropiado para poder evacuar el
calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente.
Esta potencia disipada será una potencia de pérdidas que tenderá a calentar al tiristor. El equilibrio
térmico se obtendrá cuando el calor generado sea cedido al medio ambiente, lo cual ha de realizarse
sin que las uniones del tiristor alcancen la temperatura máxima permitida (Tj). Esta temperatura será
aproximadamente de 125ºC para la mayoría de los dispositivos. El calor producido en las uniones PN
del tiristor, es cedido a la cápsula, de ésta pasará al disipador y de éste al medio ambiente.
Fig 5.36
Curva de relación entre IT(AV) y PT(AV)
El cálculo de las resistencias térmicas y de las temperaturas fue estudiado con profundidad en el tema
3. Se recomienda al lector una revisión de dicho tema. Para refrescar esos conceptos se realiza a
continuación el cálculo de un disipador para el tiristor del siguiente ejercicio
PROBLEMA 5.7
Un SCR (BTY 91) con Rjc = 1.6ºC/W y con Rcd = 0.2ºC/W, alimenta a una carga resistiva de
10Ω a partir de una señal alterna de 220VRMS. Si la conducción del SCR es completa (α = 0º).
Calcular el disipador para una temperatura ambiente de 40ºC utilizando la gráfica representada
en la figura.

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.37 Relación de la potencia con los valores máximos permitidos de temperatura.
Solución:
En primer lugar se calcula el ángulo de conducción (θ):
θ = 180º − ángulo de disparo = 180º - 0º = 180º

El valor medio de la intensidad será:
π
1 Vmáx
I TAV =
2π ∫
α R
⋅ senwt dwt
Sustituyendo los valores y resolviendo resulta:
220 ⋅ 2
I TAV = (1 + cosα ) = 10A
2π ⋅ R
En la gráfica de la figura, se identifica el valor de la potencia media, PAV.
El ángulo de conducción está relacionado directamente con el factor de forma.
θ = 180º ⇒ f = 1.6
Partiendo del eje x, para un valor de ITAV = 10A, se traza una vertical hasta cortar la curva que
representa un factor de forma, f = 1.6, a continuación se lleva una horizontal hasta el eje de
potencia y se comprueba que lo corta en un valor de 16.7 W.
Sustituyendo en las ecuaciones los valores dados para el tiristor del circuito.
Tj − Ta 125 − 40
Rd = − (R jc + R cd ) = − (1.6 + 0.2) = 3.29º C/W
PAV 16.7
Se elige un disipador con una resistencia térmica menor de la calculada:
R d ≤ 3.29º C/W
…

TEMA 5: TIRISTOR
Este cálculo se puede hacer gráficamente de la siguiente forma.
En primer lugar se siguen los mismos pasos que anteriormente para calcular la potencia media; a
partir de aquí se lleva una horizontal hacia la derecha de la figura hasta cortar con la vertical que
se levanta desde los 40 ºC que en los datos se expresó como valor de la temperatura ambiente.
Estas dos rectas se cortan en un punto que se corresponde con una
Rca = 3.35ºC/W.
Despejando de la siguiente expresión se puede calcular el valor de la Rd:
R ca = R cd + R d
R d = R ca − R cd = 3.35 − 0.2 = 3.15º C/W ≈ 3º C/W
Si se trabaja en régimen transitorio, por ejemplo en régimen de impulsos, la temperatura de la

unión sobrepasa los valores de las fórmulas empleadas anteriormente. En este caso es necesario
el uso de la impedancia térmica, Zth para que el cálculo del disipador sea correcto.
Montaje (1.37 Mb)

[5_9]
5.7 Extinción del Tiristor. Tipos de conmutación

Se entiende por extinción del tiristor, el proceso mediante el cual, se obliga al tiristor que estaba en
estado de conducción a pasar al estado de corte. Recuerdese que en el momento en que un tiristor
empieza a conducir, se pierde completamente el control sobre el mismo.
Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo se pueden agrupar en dos grandes
grupos: conmutación natural y conmutación forzada
Conmutación natural Conmutación libre Ej. Regulador alterna
Conmutación asistida Ej. Rectificador trifásico
Conmutación forzada Por contacto mecánico

Por circuito resonante Serie
Paralelo
Por carga de condensador
Por tiristor auxiliar
5.7.1 CONMUTACIÓN NATURAL.

En los circuitos de conmutación natural, la conmutación del tiristor se produce de forma espontánea
debido a la propia alimentación principal.

TEMA 5: TIRISTOR
Conmutación libre
La conmutación natural libre se produce cuando la intensidad por el tiristor se anula por si misma,
debido al comportamiento natural de la fuente de tensión. Para poder comprender mejor este tipo de
conmutación observar el circuito de la figura 5.38
Fig 5.38 Circuito de conmutación libre y sus formas de onda
La fuente de tensión es alterna y la carga resistiva pura, por lo que no se produce desfase alguno entre
la tensión y la intensidad. En la figura 5.38 se pueden observar las formas de onda correspondientes a
este circuito.
Para un tiempo wt >π, la intensidad que circula por la carga se anula, al mismo tiempo que la tensión
que cae en extremos de T1 comienza a ser negativa produciendo la conmutación del mismo.
Para un tiempo wt = π +α, comienza a conducir T2, hasta que para un tiempo wt = 2π se produce la
conmutación del mismo. En este instante se repite de nuevo el ciclo descrito anteriormente.
Conmutación asistida
La conmutación natural asistida, se caracteriza por la aplicación sobre el tiristor de un voltaje
negativo entre el ánodo y el cátodo. Este voltaje inverso aparece de una forma natural debido a la
secuencia lógica de funcionamiento de la fuente primaria, por ejemplo, en el caso del rectificador
trifásico.
5.7.2 CONMUTACIÓN FORZADA.

En algunos circuitos con tiristores, la tensión de entrada es de carácter continuo, por lo tanto el
tiristor no podrá pasar a corte de forma natural, siendo necesario recurrir a un circuito auxiliar para
así provocar la conmutación del tiristor.
Para provocar la conmutación del tiristor, será necesario anular la corriente anódica durante un
tiempo suficiente para que el tiristor pueda pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran
importancia, puesto que si su duración es inferior a un valor determinado por toff no tendrá lugar la
conmutación del dispositivo.

TEMA 5: TIRISTOR
Conmutación por contacto mecánico

Este método de conmutación produce la extinción del semiconductor por medio de un interruptor en
paralelo con los terminales de ánodo y cátodo del tiristor. En la práctica la utilización de este circuito
no es nada viable, puesto que el proceso de apagado del tiristor resulta extremadamente lento. Para
evitar este inconveniente se realiza una pequeña modificación en el circuito, que consiste en colocar
un condensador en serie con el interruptor. En el circuito de la figura 5.39 se logra desviar la
corriente que circula por el tiristor y por tanto el apagado del mismo cerrando el interruptor S.
Fig 5.39
Circuito de conmutación del tiristor por aplicación de tensión inversa
mediante condensador.
En este circuito, el interruptor (S) se encuentra

abierto, estando el condensador cargado inicialmente con la polaridad indicada en la figura 5.39
Si en un instante determinado se cierra el interruptor, el condensador queda conectado en paralelo
con el tiristor provocando dos procesos diferentes en el circuito:
• La corriente que circula por el tiristor, será transferida temporalmente al condensador, con lo que
la corriente que circula por el tiristor quedará reducida a cero.
• La tensión que inicialmente tenía el condensador constituirá una tensión inversa para el tiristor
que irá disminuyendo conforme se descarga el mismo.
Este proceso de conmutación está representado gráficamente en las curvas de la figura 5.40
En la mayoría de los circuitos, se requiere que la carga y descarga del condensador también se
produzca de forma cíclica. Por tanto, es fácil deducir que el tiempo para cargar y descargar el
condensador afectará a la máxima frecuencia de funcionamiento del circuito.
La importancia de este método de conmutación dependerá en gran medida del tamaño y del voltaje
del condensador, así como del turn - off del tiristor. El condensador se descarga a un ritmo
determinado por el valor de la intensidad de carga, por lo que la carga almacenada en el condensador
deberá ser capaz de mantener inversamente polarizado el tiristor, hasta transcurrido un período de
tiempo "toff".
Fig 5.40
Curvas de conmutación del tiristor por aplicación de una tensión
inversa mediante condensador.

TEMA 5: TIRISTOR
PROBLEMA 5.8
En el circuito de la figura, para un tiempo de apagado del tiristor toff = 15µs, determinar si se
podrá producir la conmutación óptima del mismo para el valor de capacidad adoptado.
Datos: E = 100V; R0 = 5 Ω; C = 5 µF
Fig 5.41
Solución:
Para este circuito se verifica que:
−t
⎛ −t
⎞
VC = VC ⋅ e R 0 ⋅C ⎜
+ E 1− e R 0 ⋅C ⎟
E5. 16
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Sabiendo que VC (0) = VC = - E y observando las curvas representadas en la figura 5.40 se
puede afirmar que la tensión en el condensador, que es la misma que la que existe en extremos
del tiristor, varía exponencialmente desde un valor negativo inicial hasta que se alcanza el valor
nominal de la batería (+ E). El tiempo para el cual la tensión en el condensador es negativa se
denominará tq.
El valor de este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, ya que si es lo suficientemente
grande permitirá el paso de conducción a corte del tiristor, es decir, sólo si el valor del tiempo tq
es mayor que el valor del tiempo toff, se producirá la conmutación del tiristor.
Igualando a cero el valor de la tensión en el condensador para un tiempo tq,
−tq
⎛ −tq
⎞
0 = −E ⋅ e R 0 ⋅C ⎜
+ E 1− e R 0 ⋅C ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
t q = 0.693 ⋅ R 0 ⋅ C E5. 16
t q = 0.693 ⋅ 5 ⋅ 5 ⋅ 10-6 = 17.33µs

t off = 15µs ⇒ t q > t off
Como el valor del tiempo tq es mayor que el valor de toff, el tiristor pasará a corte sin ninguna
dificultad.
Fig 5.42 Circuito equivalente. Suponiendo IA = 0

TEMA 5: TIRISTOR
Conmutación por circuito resonante

En primer lugar se debe recordar el principio básico de un circuito resonante
La figura 5.43 muestra un circuito conformado por 2 tiristores, una bobina y un condensador
inicialmente cargado con la polaridad indicada. Se parte de la premisa de que ambos tiristores se
encuentran inicialmente en corte. Si en estas condiciones se dispara T1, entonces se producirá la
descarga del condensador a través de la malla conformada por C – T1 – L. Obsérvese que la corriente
circulante por ésta sigue una curva sinusoidal. Cuando la corriente se anule, el condensador quedará
cargado en sentido contrario al inicial. La extinción de la corriente circulante provocará el paso a
corte de T1. La energía almacenada en el condensador ha sido transferida temporalmente a la bobina,
para luego ser devuelta de nuevo al condensador. Esta nueva carga en el condensador se puede
mantener ya que no existe ninguna otra vía de descarga (T1 se encuentra bloqueado).
Fig 5.43 Conmutación del tiristor mediante el uso de una estructura resonante. Circuito y formas de onda.
Si a continuación T2 se dispara, se repetirá de forma idéntica lo expuesto anteriormente, con la única

salvedad de que el sentido de la corriente será contrario a la etapa anterior, ahora a través de la malla
configurada por C – T2 – L. El condensador se descargará y cargará de nuevo, siguiendo una forma
de onda sinusoidal, hasta volver a su condición inicial, antes de que se disparara T1, con lo que se
estará en condiciones de comenzar un nuevo e idéntico ciclo.
Para que el circuito entre en resonancia, se debe verificar:
⎛ 1 ⎞
⎜ Lw − ⎟=0 E5. 17
⎝ wC ⎠

TEMA 5: TIRISTOR
Por lo que la frecuencia de resonancia será:
1
f= E5. 18
2π LC
Por otro lado, para hallar los valores de intensidad circulante por el tiristor, así como la tensión en
extremos del condensador, se deberá recurrir a la siguiente ecuación diferencial donde se han
despreciado la resistencia interna del circuito, así como las caídas de tensión adicionales producidas
en los tiristores. También se ha supuesto que inicialmente no circula ninguna intensidad por la
bobina.
di 1
L + ∫ idt + v C (t = 0) = 0 E5. 19
dt C
Si vC(t = 0) = +VC, entonces:

C
i(t) = + VC senwt E5. 20
L
v C (t) = + VCcoswt E5. 21
Donde VC representa la carga inicial del condensador. T1 se puede constituir como el tiristor
principal del circuito, mientras que T2 puede ser, en la práctica, el tiristor auxiliar, cuyo principal
objetivo será el de apoyar la conmutación del tiristor principal. De esta forma, permitirá que el
condensador se cargue de nuevo a su tensión inicial, estando de nuevo en condiciones de provocar la
conmutación de T1 en el siguiente ciclo.
En los circuitos de conmutación forzada hay que considerar que los condensadores que participan en
la conmutación deben ser cargados antes de que se recurra a ellos para provocar el paso a corte del
tiristor. Una carga insuficiente en el condensador tendrá como consecuencia el fracaso en el intento
de apagar el tiristor.
El circuito resonante puede ser serie o paralelo, para más información ver este anexo
Circuito resonante serie y paralelo .pdf
[5_10]
El tiristor T1 de la figura 5.43 entra en conducción para t = 0.

A partir de los siguientes datos: L = 100 µH. C = 10 µF. VC (0) = 100 V. IL (0) = 0 A.
Determinar: TON del tiristor T1. Tensión existente en el condensador en t = TON. Corriente de pico
del circuito. Tensión en extremos del condensador si se supone que en el tiristor se produce una
caída de tensión en conducción de 0.8 voltios. Obtener con PsPice las formas de onda de la
intensidad circulante por el circuito, así como la tensión en el condensador y en la bobina.
Fig 5.44 Circuito para la simulación mediante Pspice

…

TEMA 5: TIRISTOR
…
*CD5_3.CIR
*E.P.S. JAEN DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
*CIRCUITO RESONANTE LC
VG1 3 0 PULSE (0 1V 0 1NS 1NS .103MS 0.5MS)
VG2 4 0 PULSE (0 1V .3MS 1NS 1NS .103MS 0.5MS)
C 1 2 10uf ic=100v
L 2 0 100uh
XT1 1 0 3 0 SCR; TIRISTOR T1
* MODELO DEL TIRISTOR EN CONTINUA
.SUBCKT SCR 1 2 3 4
DT 5 2 DMOD
ST 1 5 3 4 SMOD
.MODEL DMOD D
.MODEL SMOD VSWITCH (RON =.1 ROFF=10E+6 VON=1V VOFF=0v)
.ENDS SCR
*ANALISIS
.PROBE
.TRAN 1.000u .45m 10u uic ; *ipsp*
.END
Solución: Ton = 0.1ms; vc = -100V; IMÁX =31.62A; vc = -98.4V
Conmutación por carga de condensador
Fig 5. 45
Circuito de conmutación por carga de condensador.
En este circuito se pueden distinguir dos partes bien diferenciadas:
• El circuito de potencia constituido por la fuente E, el tiristor T1 y la carga Ro (resistiva pura)
• El circuito auxiliar de bloqueo formado por la resistencia R, el condensador C y un tiristor T2

auxiliar.
El circuito representado en la figura 5.45 puede ser comparado con un biestable asimétrico de
potencia, en el que los tiristores conducen de forma alternada. Nunca estarán al mismo tiempo los dos
en conducción o en estado de bloqueo; De ello se encargará, como se verá más adelante, el
condensador C.
La principal ventaja de este circuito, es que el valor del tiempo Ton no estará sujeto, como en los
casos anteriormente estudiados, a los parámetros intrínsecos del sistema, sino que puede variar según
se precise. Solo dependerá del instante en el que se produzca el disparo del segundo tiristor.
T1 en conducción y T2 al corte (0 < t < Ton)

Se supone que para t = 0 no conduce ninguno de los tiristores, en este momento se dispara el tiristor
T1 estableciéndose en la malla principal formada por la fuente E, el tiristor T1 y la resistencia Ro , una
corriente de valor

TEMA 5: TIRISTOR
E
Io = E5. 22
RL
El condensador, C se cargará a través de la resistencia, R hasta un valor de tensión, E dado por la

fuente de tensión de la entrada. Para que el circuito presente un funcionamiento correcto, el
condensador debe disponer de un tiempo hasta alcanzar el 100% del valor de carga antes comentado
R ⋅ C <<< TON E5. 23
La intensidad por la resistencia R, después del primer ciclo verificará la siguiente expresión:
t
2E − RC
iR = e 0 < t < TON E5. 24
R
Por tanto, la tensión en el condensador se puede expresar como
⎛ −
t
⎞
v C = E − Ri R = E⎜⎜1 − 2e RC ⎟⎟ E5. 25
⎝ ⎠
Fig 5. 46
Circuito equivalente para 0 < t < TON.
Observando la figura 5.48 se pueden comprender mejor los conceptos y el funcionamiento para el
circuito conmutador por carga de condensador
T1 al corte y T2 en conducción. Ton < t < T
Un instante posterior a Ton se dispara T2 pasando a conducir. Como consecuencia de la carga

alcanzada anteriormente por el condensador, el cátodo de T1 se hace más positivo con respecto al
ánodo, provocando la conmutación del mismo. En este momento es la resistencia R la que estará
conectada a la batería, mientras que a través de Ro se produce la nueva carga del condensador hasta
un valor de -E.
Fig 5.47
Circuito equivalente para TON < t < T.

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.48 Formas de onda del circuito de conmutación por carga de condensador.
Los valores respectivos de la intensidad en la carga, así como la tensión en el condensador son los
siguientes:
t
2E − R 0C
i0 = e E5. 26
R0
⎛ −
t
⎞
v C = − E⎜1 − 2e R 0C ⎟ E5. 27
⎜ ⎟
⎝ ⎠

TEMA 5: TIRISTOR
Para que durante este intervalo de tiempo, Ton < t < T, el condensador disponga del tiempo necesario
para la carga del mismo a una tensión vC = -E, se deberá verificar:
CR 0 << T - Ton E5. 28
Por otro lado, para conseguir una perfecta conmutación del tiristor T1, el intervalo de tiempo tq
durante el cual la tensión ánodo – cátodo de T1 es negativa debe superar el tiempo de apagado del
mismo, toff , de lo contrario se provocaría un autocebado del tiristor, permaneciendo éste en estado de
conducción.
A pesar de que ya se ha efectuado con anterioridad, a continuación se va a calcular el valor de tq ya
que el conocimiento de este parámetro reviste de una gran importancia en la elección del tiristor
apropiado.
La tensión ánodo-cátodo de T1 será:
⎛ −
t
⎞
v T1 ⎜
= − v C = E 1 − 2e R 0C ⎟
E5.29
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Para t = tq la tensión en extremos del tiristor será nula, VT1 = 0. Por tanto, se puede calcular tq a partir
de la expresión anterior
⎛ −
t
⎞
⎜
0 = E 1 − 2e R 0C ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
t q = R 0 ⋅ Cln2 = 0.69 ⋅ R 0 ⋅ C E5. 30
Como R0 = E/I0, siendo I0 la corriente media de carga
E
t q = 0.69 C E5. 31
I0
Para que tq resulte mayor que toff deberá colocarse un condensador de conmutación que verifique
t off ⋅ I 0 I
C≥ = 1.45 ⋅ t off ⋅ 0 E5. 32
0.69 ⋅ E E
En la elección del condensador deberá tenerse en cuenta la máxima corriente de carga.
Al cumplirse el período del circuito de conmutación para t = T, se dispara de nuevo a T1, mientras
que T2 conmutará debido a la tensión inversa del condensador, iniciándose un nuevo ciclo igual al
anteriormente descrito.
Realizar la simulación del circuito de conmutación por carga de condensador mediante

PsPice y comprobar el funcionamiento anteriormente comentado. Obtener las formas de onda de
la intensidad en la puerta de cada uno de los tiristores, así como la intensidad directa y la tensión
entre A – K. Obtener de igual modo la tensión en extremos del condensador, la intensidad por el
condensador, por la resistencia de carga, R0 por la resistencia, R y la intensidad, IE. Determinar el
tiempo para el que la tensión del tiristor es negativa, tq
Visualizar primero para un valor de 3Ω tratando de identificar las diferentes formas de

onda con las planteadas en la figura 5.48 y posteriormente estudiar el comportamiento
para distintos valores de R (1Ω, 3Ω y 10Ω)

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.49
Descripción del circuito
*CD5_4.CIR
*E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
*CIRCUITO DE CONMUTACION POR CARGA DE CONDENSADOR
*COMPONENTES DEL CIRCUITO
VE 1 0 DC 100V
RO 1 2 5OHM
R 1 3 {RESIS}
C 2 3 10UF
.PARAM RESIS = 5
*IMPULSOS DE DISPARO
VG1 4 0 PULSE (0 10V 0 1US 1US 0.1MS 0.2MS)
VG2 5 0 PULSE (0 10V 0.1MS 1US 1US 0.1MS 0.2MS)
*SEMICONDUCTORES
*MODELO DEL TIRISTOR EN CONTINUA; MODELO DE M. H. RASHID (Power Electronics 2ª Edición,
Prentice Hall)
.SUBCKT SCR 1 2 3 4
DT 5 2 DMOD
ST 1 5 3 4 SMOD
.MODEL DMOD D
.MODEL SMOD VSWITCH (RON = 0.1 ROFF = 10E+6 VON = 1V VOFF = 0V)
.ENDS SCR
*ANALISIS A REALIZAR
.STEP PARAM RESIS list 1 3 10; *ipsp*
.TRAN 1.0US 1.5MS 0 0; *ipsp*
.PROBE
.END
5.8 Tipos de Tiristores

En el estudio de la electrónica se pueden encontrar un amplio número de semiconductores
genéricamente llamados tiristores, pero con rasgos característicos que diferencian a unos de otros.
En este apartado se comentarán algunos de ellos: TRIAC, GTO, MCT y SITH

TEMA 5: TIRISTOR
5.8.1 TRIAC
E1 El triac es un semiconductor de tres terminales, dos principales (E1, E2) y otro de

control denominado puerta (G). Este dispositivo tiene la capacidad de controlar el
paso de corriente en ambas direcciones, por tanto se puede decir que se trata de un
dispositivo bidireccional, por lo que es muy utilizado en la regulación de corriente
G alterna. En la figura, aparece representado su símbolo electrónico.
E2
El triac presenta la ventaja de poder pasar al estado de conducción, tanto para tensiones negativas
como positivas. Una forma simple de describir su comportamiento, es comparándolo con dos
tiristores conectados en antiparalelo como se ve en la figura.
E1 G Es más fácil controlar a un triac que a dos tiristores, pero cuando la potencia que se
debe controlar es excesiva para las características del triac (la potencia máxima
que puede disipar es reducida), se puede sustituir por dos tiristores, colocados en
G antiparalelo como se representa en la figura.
E2
El triac es sensible a bajos valores de dV/dt y dI/dt, por tanto se puede decir que el dispositivo tiene
baja velocidad de conmutación, (frecuencia de trabajo entre 50 y 60Hz). El límite de frecuencia para
este tipo de dispositivos está en torno a los 400Hz.
La característica V-I la vemos representada en la figura 5.50, en ella se observa la simetría del
dispositivo
Fig 5.50 Característica V-I
Existen cuatro modos de disparo según se aprecia en la figura 5.51
Fig 5.51
Modos de disparo

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.52 Hay cuatro posibilidades de funcionamiento. No todas son igual de favorables
En la figura siguiente podemos ver un regulador de corriente alterna con Triac
Fig 5. 53 Regulador de corriente alterna
A partir de las características del BT138 identificar los principales parámetros con los
estudiados anteriormente en el triac.
Hoja de características BT138

[5_11]

TEMA 5: TIRISTOR
5.8.2 GTO
El GTO (Gate - Turn - Off), es un dispositivo semiconductor de potencia que
A combina las características más deseables de un tiristor convencional con las
características de un transistor bipolar, presentando la ventaja de poder pasar del
estado de conducción al estado de bloqueo mediante la aplicación de un impulso
G negativo a la puerta. El símbolo electrónico del GTO es similar al de un tiristor
K como se puede ver en la figura.
Característica V – I
La característica V - I del GTO, es similar a la de un tiristor convencional. La tensión ánodo –

cátodo, VAK cuando el dispositivo está conduciendo será aproximadamente de 3 V y la corriente que
circula, solo está limitada por la carga exterior colocada en el circuito.
Característica inversa
La característica inversa del GTO es equivalente a una resistencia la cual es incapaz de bloquear
voltaje o de conducir una corriente significativa. Para continua el dispositivo no presenta ningún
problema, no obstante, si se quiere bloquear cualquier voltaje inverso, se deberá conectar en serie con
el GTO un diodo. Si se quiere que pase la corriente, se debe conectar un diodo en antiparalelo con el
dispositivo. Esto se puede ver representado en la figura 5.54
Fig 5.54 GTO

a) Sin funcionamiento inverso
b) Bloqueo inverso
c) Conducción inversa
Característica de disparo.
Se estudia esta característica sobre un posible circuito de disparo de puerta que incluye, además, un
sistema de protección contra sobretensiones y sobreintensidades del GTO, similar al utilizado con los
tiristores.
Fig 5.55 Circuito de disparo para GTO

TEMA 5: TIRISTOR
Para limitar la velocidad de crecimiento de la tensión (dV/dt) en el transitorio on – off se utiliza el

circuito formado por RS, DS y CS, mientras que para limitar la velocidad de crecimiento de la
corriente (dI/dt) en el mismo transitorio se utiliza el circuito formado por LS, RLS y DLS
En este circuito de disparo, durante un tiempo t1 conduce Q1 y Q2 (Q3 off) y la intensidad que circula
por la puerta del GTO será IGM = 12A. Una vez transcurrido dicho tiempo sólo conducirá Q2, siendo
la intensidad ahora IGM = 2A. Las resistencias R5 y R6 se colocan para controlar (fijar) las
intensidades de Q1 y Q2, mientras que R1, R2, R3 y R4 se colocan para conseguir que Q1 y Q2 trabajen
en conmutación.
Por el contrario, durante el transitorio off – on, será el mosfet Q3 (de baja tensión) el que conduzca,
mientras que Q1 y Q2 estarán cortados. La inductancia LG, en serie con el drenador del mosfet, se
utiliza para controlar la pendiente de decrecimiento de la intensidad negativa de puerta.
PROBLEMA 5.9
Para el circuito de control de potencia con GTO, de la figura, calcular: La potencia en la carga, la
ganancia de corriente en el proceso de corte a conducción y la ganancia de corriente en el
proceso de conducción a corte.
Datos: VS = 600V; R = 30Ω
GTO: VGTO(ON) = 2.2V; PG =10W; IG(ON) = 0.5A; IG(OFF) = -25A
Fig 5.56
Solución: PL = 11.91KW; corte-conducción: ∆I = 39.9; conducción-corte: ∆I = -0.8
5.8.3 MCT
El Most – Controlled – Thyristor (MCT), es un tiristor o un GTO integrado en una pastilla junto con
dos transistores mosfet. Uno de estos mosfet pasa al tiristor de corte a conducción; el otro mosfet lo
pasa de conducción a corte. La frecuencia de conmutación del dispositivo puede ser superior a los
20KHz. En consecuencia, el funcionamiento es similar al del IGBT. No obstante, se deberá observar
que la caída de tensión en conducción del MCT es baja, estando alrededor de 1.1V.
A G A El MCT tiene una serie de propiedades que cubren un amplio rango de

aplicaciones. La principal desventaja es que la capacidad de bloqueo
G inverso del dispositivo será sacrificada en favor de la velocidad de
conmutación. En la figura se representa el símbolo electrónico del
MCT.
K K
MCT

TEMA 5: TIRISTOR

LILEN, HENRI. Tiristores y triacs. Ed. Marcombo, 1988.
THYRISTOR DEVICE DATA: on semiconductor DL 137/D. Mayo 2000.

<http://www.onsemi.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
VELASCO J.; ORIOL M.; OTERO J. Sistemas Electrónicos de Potencia: Electrónica de

regulación y control de potencia. Ed. Paraninfo, 1998.
COUËDIC, Marc. Circuitos integrados para tiristores y triacs. Ed Marcombo, 1999.
FINNEY, DAVID. The Power Thyristor and its applications. Ed. McGraw Hill, cop, Londres, 1980.
GAUDRY, M. Los tiristores: funcionamiento y utilización. Paraninfo, 1969.
LANDER, C. Power electronics. Ed. McGraw-Hill,1993.
POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS. Philips semiconductors. (Capitulo 6: Power

control with thyristors and triac)
<http://www.semiconductor.philips.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
RAMSHAW, R.S. Power electronics semiconductor switches. Ed. Chapman & Hall, 1993.

RASHID, M. H. Spice for power electronics and electric power. Prentice Hall, 1993.

<http://www.semikron.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
<www.irf.com> (International Rectifier) [Consulta: 4 de julio de 2005]
<www.motorola.com/sps/> [Consulta: 4 de julio de 2005]

POTENCIA
Tema 5.- Tiristores

Tema 6.- Gobierno de tiristores y triac y ejemplos de aplicaciones
Introducción. Disparo por cc. Disparo por ca. Disparo por impulsos o trenes de ondas.
Circuitos de mando: Todo o nada, ángulo de conducción, TCA 785, disparo
sincronizado. Disparo por diac. Disparo por optoacopladores. Circuitos de disparo

[email protected]
6.1 Introducción 1
6.2 Gobierno de Tiristores y Triacs. Principios 1
6.2.1 Disparo por corriente continua 1

6.2.2 Disparo por corriente alterna 4
6.2.3 Disparo por impulsos o trenes de ondas 7
6.3 Circuitos de mando 10
6.3.1 Circuitos todo o nada 10

6.3.2 Control de disparo por ángulo de conducción. Control de fase 16
6.4 Disparo mediante circuitos semiconductores 24
6.4.1 Disparo por UJT 26

6.4.2 Disparo por put 40
6.4.3 Disparo por diac 44
6.5 Utilización de optoacopladores 48
6.6 Circuitos aplicados 51

TEMA 6: GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAC Y EJEMPLOS DE APLICACIONES
6.1 Introducción
En los temas anteriores, se han estudiado los Tiristores y los Triacs, habiéndose analizado sus
principios de funcionamiento y sus formas de cebado. En este tema se analizarán los diferentes
sistemas de disparo mediante la aplicación de distintas señales a la puerta de los mismos, así como
los diversos elementos semiconductores utilizados en el disparo de estos dispositivos como el UJT o
el PUT.
6.2 Gobierno de Tiristores y Triacs. Principios

Dependiendo del tipo de señal que se aplique a la puerta del Tiristor o del Triac, se pueden distinguir
las siguientes modalidades de disparo:
• Disparo por corriente continua.

• Disparo por corriente alterna.
• Disparo por impulsos o trenes de ondas.
6.2.1 DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA

Las condiciones requeridas por el dispositivo se pueden encontrar en las curvas de las características
de puerta, como el de la figura 6.1, en el cual se representa la tensión puerta – cátodo en función de
la corriente de puerta. La curva está referida al 1er cuadrante. En el tercer cuadrante, la tensión de
puerta no debe nunca exceder los valores límites impuestos por el fabricante, pues una corriente
inversa de puerta podría dañar al Tiristor.
VFG
(V)
10 VFGM máx = 10 V
PGM máx = 5W
6 A
D
4
Zona preferente
de cebado
B
Fig 6.1
Tensión puerta - cátodo en función de la corriente
de puerta. Hoja de características del Tiristor
0 2N681. Cortesía de General Electric.
0 .5 1 1 .5 2
IFG (A)

Para todos los Tiristores de una misma familia, los valores límites están comprendidos entre las
curvas A y B. La parte C, de la curva representa la tensión directa de pico máxima admisible por la
puerta, VGT mientras que la parte D, indica la potencia de pico máxima admisible por el dispositivo,
PGM max
En la figura 6.2 se representa un circuito típico de disparo por C.C. La recta de carga definida por el
circuito de disparo, debe cortar a la característica de puerta en la región marcada "zona preferente
de cebado", lo más cerca posible de la curva D, como se puede apreciar en la figura 6.1. La variación
de la corriente de puerta, IG respecto al tiempo, debe de ser del orden de varios amperios por segundo
con el fin de reducir al mínimo el tiempo de respuesta. En la figura 6.3 se puede observar con mayor
claridad la zona de funcionamiento del circuito en la región de puerta.
Fig 6.2
Circuito de disparo de SCR por corriente continua.
En el cálculo práctico de los circuitos de mando se deben tener muy en cuenta las consideraciones
hechas anteriormente. Para una mejor comprensión de este apartado, en el ejemplo 6.1 se realiza el
cálculo real de un sencillo circuito de disparo con corriente continua.
Fig 6.3
Punto de funcionamiento del Tiristor en el cebado.

PROBLEMA 6.1
En el circuito de la figura, determinar si la fuente de tensión continua de 6V, es apropiada para

el disparo del Tiristor BTY79.
Fig 6.4
Solución:
La resolución del ejercicio requiere examinar las hojas de características del Tiristor BTY79.
Para establecer el intervalo de valores admisibles para VS, se calculan los valores máximos y
mínimos admisibles para el disparo del elemento, según la característica de puerta del
dispositivo.
Fig 6.5 Tiristor BTY79
La potencia media máxima de puerta que no se debe sobrepasar es PGAV = 0.5W,
Los valores mínimos de disparo, son: Vo = 2V e Io = 75mA.
El valor mínimo para la tensión del generador, VS viene dado por:
VS min = R S máx ⋅ I o + Vo = 4.25V E 6.1
donde, según la gráfica, RSmáx = 30 Ω

…

El valor VSmáx se obtiene para un valor de PGAV = 0.5W.
La potencia máxima disipada en la puerta del dispositivo, cuando RGMAX > RSMIN será:
2
⎡ VS(máx) ⎤
PGM =⎢ ⎥ ⋅ R G (máx) E 6. 2
⎢⎣ R S(mín) + R G (máx) ⎥⎦
Haciendo PGM = PGAV y despejando VSmáx
⎡ P ⎤
VSmáx = ⎢ GAVmáx ⎥ ⋅ (R Smín + R Gmáx ) = 7V E 6. 3
⎣ R Gmáx ⎦
Donde, según la gráfica, RSmín = 24 Ω y RGmáx = 32 Ω
La impedancia máxima de puerta del Tiristor, RGmáx se corresponde con el valor de la pendiente
media, dV/dI de la característica de puerta del Tiristor
Se puede afirmar que la fuente de 6V es apropiada para el correcto funcionamiento del circuito.
6.2.2 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA
Fig 6.6
Circuito básico para el disparo por corriente alterna.
Se debe prestar atención a dos parámetros importantes
• La excursión inversa de la tensión de puerta, VG que debe permanecer por debajo del valor
máximo admisible, lo cual justifica la presencia del diodo de protección.
• La potencia de pico máxima, PGM que puede aumentarse a condición de no sobrepasar la potencia
media de puerta permitida por el fabricante.
PROBLEMA 6.2
Para el circuito de la figura, en el que se representa un control básico de potencia con disparo por
corriente alterna; Calcular el ángulo de disparo y la tensión media entregada a la carga para
distintos valores de R; 5K, 8K y 10K. Comparar estos cálculos con los datos obtenidos
simulando el circuito con PsPice.
Datos: Ve (RMS) = 28.4 V; RL = 20Ω; IGT = 2mA; VGT = 0.7 V; VD = 0.7 V; D 1N4148;
SCR 2N1595
…

Ve = 2 ⋅ Ve(RMS) ⋅ senwt
Fig 6.7
Solución: (para R = 5K)
Aplicando las leyes de Kirchoff se calcula Ve
Ve = (R L + R ) ⋅ I G + VD + VGK
Para R = 5K: Ve = (20 Ω + 5 KΩ ) ⋅ 2 ⋅ 10

−3
A + 0.7 V + 0.7 V = 11.44 V
Para cada valor de Ve se calcula el ángulo de disparo a partir de la expresión
Ve 11.44
wt = arcsen = ≈ 17°
2 ⋅ Ve (RMS ) 28.4 2
La tensión media entregada a la carga, depende del ángulo de disparo
180°
1 V
VDC = ⋅ ∫ Vm senwt = m (− cos180° + cos17°) = 12.5 V
2 π 17° 2π
Aplicando las ecuaciones anteriores se obtienen los siguientes valores para los demás valores en
la carga
RL = 8K Ve = 17.44V Wt ≈ 26 º VDC = 12.14 V

RL = 10K Ve = 21.44 V wt ≈ 32 º VDC = 11.82 V
*Problema6_2.CIR
* E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
* CONTROL BASICO DE POTENCIA. DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA
VE 1 0 SIN (0 40.16V 50HZ)
RL 1 2 20
*DEPENDIENDO DE LA SIMULACION QUE SE DESEE REALIZAR EL LECTOR DEBERA
*CAMBIAR EL ASTERISCO
R 2 3 5K
*R 2 3 8K
*R 2 3 10K
D 3 4 D1N4148
XT1 2 4 0 2N1595
.LIB NOM.LIB
*ANALISIS
.TRAN 100US 40MS
.PROBE V(2) V(1,2) V(1)
.END
…

Fig 6.8 Señal de entrada, Ve, Tensión ánodo-cátodo, VAK, tensión en la carga, VRL para RL =5K
Fig 6.9 Curva obtenida mediante la simulación Pspice para el caso de RL = 5K
El valor de la tensión media en la carga se obtiene según la expresión AVG(V(1,2))
Valores obtenidos en la simulación.
RL = 5K Ve = 11.10 V wt ≈ 16º VDC = 11.96 V

RL = 8K Ve = 16.12 V Wt ≈ 25 º VDC = 11.65 V
RL = 10K Ve = 20.30 V wt ≈ 31 º VDC = 11.35 V
El circuito de la figura 6.10, utiliza un Tiristor para realizar el control por ángulo de
fase, de la potencia aplicada a una carga. Determinar el valor del ángulo de disparo del SCR, el
valor instantáneo de la tensión de entrada que produce el apagado del SCR. Dibujar las formas
de onda asociadas al circuito y compararlas con las obtenidas con Pspice.
DATOS: VE = 17 V; RL = 100Ω; R1 = 5.5 KΩ; R2 = 500Ω; VD = 0.7 V
SCR: IGT = 2mA, VGT = 0.7V ; VTM = 1.1V ; IH = 5mA
...

...
Fig 6.10
*CD6_1.CIR
*E.P.S. JAEN (DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA)
*CONTROL DE POTENCIA POR ANGULO DE FASE
VE 1 0 SIN (0 24V 50HZ)
R1 1 5 5.5K
R2 5 4 500
RL 1 2 100
D 4 3 D1N4148
XT1 2 3 0 2N1595
.LIB NOM.LIB
.TRAN 100US 20MS
.PROBE V(2) V(1) V(1,2)
.END
6.2.3 DISPARO POR IMPULSOS O TRENES DE ONDAS

En el proceso de paso de corte a conducción de Tiristores y Triacs, se podrá aplicar un único pulso o
un tren de impulsos a la puerta del dispositivo. Una ventaja al introducir un pulso frente a introducir
una señal continua, será la menor potencia que deba disipar la puerta, así como poder ampliar las
tolerancias entre las que se puede mover, aunque lo más apropiado es realizarlo mediante la
introducción de un tren de impulsos, como posteriormente se verá. La señal de puerta debe ser
aplicada el tiempo necesario hasta que la corriente por el semiconductor alcance el valor de la
corriente de enganche.
Posteriormente se analizará los distintos dispositivos de disparo (DIAC, UJT, PUT y Acopladores
Ópticos con Tiristores).
Disparo por impulso único

Esta modalidad de disparo, proporcionará a la vez una disminución en la potencia disipada, así como
un aumento de la precisión de disparo. El disparo por impulso único, como se podrá ver
seguidamente, presenta tres razones que explican la preferencia que se le concede, cuando es posible
su utilización.
• El cebado por impulsos, permite una potencia de pico superior a la potencia media de puerta
admisible, pudiendo aplicarse criterios de tolerancia más amplios al circuito de disparo.
• Es posible reducir a un valor mínimo el retardo que existe entre la señal de puerta y la subida de
la corriente de ánodo, lo que permite obtener una sincronización muy precisa.
• Se reduce la disipación de potencia debida a la corriente residual en las proximidades del nivel de
cebado.

• El tiempo de retardo, td disminuye cuando se aumenta la amplitud del impulso de mando
Fig 6.11
Impulso de corriente de puerta.
IGT = Corriente de mando, mínima
En la práctica, es conveniente tener en cuenta los siguientes principios para obtener unos resultados
óptimos.
• El circuito de puerta debe ser atacado, preferentemente, con un generador de corriente.

• La corriente de mando, debe ser mayor que la corriente especificada como mínima.
• El tiempo de subida, debe ser lo más corto posible, entre 0.1µs y 1µs, sobre todo si el Tiristor
debe soportar una fuerte rampa de corriente tras el cebado.
• La duración del impulso debe ser tal que la corriente de mando permanezca por encima de IGT,
en tanto no se alcance la corriente de enganche anódica (IL). Conviene además reservar un
margen de seguridad en el caso de circuitos con carga inductiva, en los que existe un retardo de la
corriente de ánodo.
Disparo por trenes de ondas

En el funcionamiento para corriente alterna con cargas inductivas y un Triac (o dos Tiristores
montados en antiparalelo), la corriente en el elemento inductivo persiste algún tiempo después del
paso por cero de la primera semionda de tensión en la que se produjo el cebado del semiconductor.
Puede suceder entonces que esa corriente no se anule hasta después de pasado el siguiente impulso de
disparo del Triac, por consiguiente, el Triac permanecerá cortado, no existiendo entonces posibilidad
alguna de un nuevo disparo antes de la llegada de la siguiente semionda, de igual polaridad que la
primera. Resulta pues, una rectificación de corriente que puede llegar a deteriorar los circuitos
conectados en la rama. Ver figura 6.12.
Para evitar este fenómeno, se tendrán dos opciones:
• Ampliar la duración de cada pulso. Curva C.

• Enviar trenes de impulsos repetitivos hasta el término de cada semiciclo. Curva D.
Esta segunda opción, presenta la ventaja de consumir poca energía, en valor medio, del circuito de
mando. Además de facilitar el ataque del triac (o del Tiristor) colocando un transformador de
impulsos, con lo que se consigue aislar el circuito de control de la parte de potencia (separación
galvánica). Ver figura 6.13

Fig 6.12 Curvas de disparo por trenes de ondas.
Distintos tipos de disparo de tiristores

[6_1]
Fig 6.13
Circuito de transferencia de pulsos a la puerta del Tiristor, basado en
un amplificador con transformador de impulsos
La duración máxima, tmax del impulso transmitido por el transformador de impulsos puede calcularse
a partir de la ley de inducción.
dB
U2 = N ⋅S⋅ E 6. 4
dt
N = Número de espiras (igual para los arrollamientos primario y secundario).

S = Sección del circuito magnético.
B = Inducción.
Despejando el valor de la inducción de la ecuación anterior
U2 U
B=∫ ⋅ dt ≅ 2máx ⋅ t E 6. 5
N ⋅S N ⋅S
La inducción de saturación, Bmax se alcanza después de un periodo de tiempo, tmax La duración
máxima de un impulso será:
N ⋅ S ⋅ B máx
t máx = E 6. 6
U 2máx
No obstante, los fabricantes en sus hojas de características indican el siguiente valor, expresado en
V⋅µs
t máx ⋅ U 2máx = N ⋅ S ⋅ B máx E 6. 7

6.3 Circuitos de mando

Los circuitos con Tiristores y Triacs se emplean en aplicaciones en las que el elemento realiza
funciones de conducción:
• Todo o nada.
• Control de fase.
Fig 6.14 Control todo o nada. Permite poner bajo tensión una carga alterna a su paso por cero. (Disparo sincronizado), también se puede
modular la potencia consumida por un receptor entregando grupos de periodos enteros
Fig 6.15 a) Control por ángulo de fase (SCR mediaonda) b) Control por ángulo de fase (TRIAC onda completa)
6.3.1 CIRCUITOS TODO O NADA

En un gran número de ocasiones, los relés son sustituidos por Tiristores ó por Triacs, debido a las
grandes ventajas que presentan frente a éstos

• Mayor rapidez de repuesta.

• Menor tamaño.
• Ausencia de chispas entre contactos.
Hay circuitos que permiten a un Tiristor ó Triac funcionar como un interruptor aleatorio, es decir,
circuitos que permiten que el elemento permanezca cerrado en tanto que dure una orden de cierre
aplicada al mismo, y que se abra al desaparecer dicha orden.
Esta función es similar a la que desempeña un relé electromagnético (de aquí el nombre de relé
estático, con el que se designa frecuentemente a estos circuitos). El montaje de interruptores
aleatorios es el descrito a continuación: la orden de cierre para el dispositivo de mando aleatorio se
aplica mediante un pequeño interruptor, S según el montaje de la figura 6.16.
Fig 6.16
Relé estático con Tiritor alimentado con c.a.
En el caso del Tiristor, la tensión de mando ha de ser positiva con relación al cátodo. Si la tensión de
alimentación que se pretende interrumpir procede de una rectificación, el Tiristor se extinguirá por sí
mismo una vez abierto el interruptor, S en cuanto se anule la corriente.
Si la tensión de alimentación es continua, o si no se anula en cada período la corriente de carga, habrá

que incorporar un circuito de extinción (denominado E en la figura 6.17), el cual forzará al Tiristor a
pasar a corte cuando se abra el interruptor S.
Fig 6.17
Relé estático con Tiristor alimentado con Corriente continua
y circuito de extinción.
Mando síncrono
Si permanece la corriente de puerta, el semiconductor se cebará de nuevo en cuanto empiece el
semiperiodo siguiente, sin crear parásitos de conmutación. No obstante, existe un cierto riesgo de
generación de parásitos en el instante de cierre del interruptor, S si se hace de forma aleatoria (riesgo
de poner al triac en conducción en el momento en que la tensión presenta un valor importante).
En la figura 6.18 se representa el esquema de un circuito de uso muy corriente, el cual permite
realizar la función de mando síncrono.
El circuito en este caso debe de incorporar un circuito detector de paso por cero de la tensión o
corriente de alimentación.

Sea el circuito de control de potencia de la figura 6.20. Dibujar la señal de salida en la

carga, para una tensión Ein de 2.5 voltios dc y una señal rampa Vref de 5 voltios de amplitud
Fig 6.20 Circuito de control de potencia

Ton
Demostrar que: VRMScarga = VRMS ⋅ D , siendo D =
T
Circuitos integrados de disparo

Como se ha comentado anteriormente, cuando la conmutación se realiza a tensiones distintas de cero,
se producen transitorios que generan interferencias a altas frecuencias. Lo mismo ocurre al
bloquearse los triacs y los Tiristores si la carga es inductiva. Por eso es conveniente realizar las
conmutaciones en los puntos de cruce por cero.
Actualmente, la mayor parte de los fabricantes ofrecen soluciones a este problema comercializando
distintos circuitos integrados: CA3059 / CA3079 de RCA o VAA216 de MOTOROLA.
La misión de todos los circuitos anteriores, es conseguir que la conmutación se realice antes de que la
tensión de línea exceda de un determinado valor.
Circuito integrado VAA2016
Es un circuito integrado utilizado en control de Potencia sincronizado al paso por cero, se alimenta
directamente de la tensión de red. El diagrama de bloques está representado en la figura 6.21.

Fig 6.21 Diagrama de bloques del Circuito Integrado VAA216. Cortesía de Motorola
Como ejemplo de aplicación vemos un control de temperatura cuyo diagrama esquemático es la

figura 6.22, correspondiente a un regulador de temperatura, permitiendo reducir el consumo de
energía por la noche en determinadas estancias o cuando se producen ausencias de corta duración.
Fig 6.22 Esquema de aplicación
Antes es conveniente recordar algunos conceptos, como el control todo o nada con margen
proporcional. Este tipo de control combina el control todo o nada y el proporcional. Sustituye
adecuadamente al todo o nada con histéresis, regulando de una manera más fina la magnitud a
controlar. La figura 6.23 compara la regulación de temperatura entre un sistema con histéresis y un
control con margen proporcional.

Fig 6.23 Comparación entre la regulación con banda proporcional y con histéresis
La histéresis sirve para evitar las conmutaciones frecuentes (oscilaciones) de un sistema todo o nada,
generadas a la menor perturbación, es decir, para estabilizarlo.
El control con margen proporcional tiende hacia la estabilidad electrónica y de la temperatura. La

entrada en el margen proporcional se traduce en una disminución progresiva de la potencia entregada
a la resistencia de carga. La potencia se restablece anticipándose al límite superior de temperatura y
también cuando ésta decrece.
En la figura 6.24 se representa el diagrama de un circuito todo o nada con margen proporcional. Se
observa que la banda proporcional está creada añadiendo la tensión de consigna a la tensión
triangular (o diente de sierra) para ser comparada con la temperatura. El resultado de esta
comparación y el impulso de paso por cero es lo que permite al circuito lógico generar la señal de
puerta.
Fig 6.24 Diagrama de un control todo o nada con banda proporcional
Volviendo al circuito integrado (figura 6.21), el circuito de sincronización, además de controlar el

circuito lógico de ondas completas, proporciona el reloj necesario para el convertidor D/A que genera
la rampa de tensión. (El periodo está preajustado a 40.96s. Su amplitud corresponde a 1ºC de margen
de regulación).
El fabricante nos suministra los datos y gráficos necesarios para el diseño.

La resistencia Rsync fija el valor de la anchura del pulso.
Fig 6.25 Resistencia de sincronización en función de la duración del impulso de puerta
La duración del pulso, como sabemos, es función de la corriente de enganche IL del triac (Figura
6.26)
Fig 6.26 Duración del impulso en función de la corriente de enganche del triac
La intensidad de salida de ataque a la puerta del triac viene determinada por la curva de la figura 6.27
Fig 6.27 Resistencia de puerta en función de la corriente IGT del triac
UAA2016
[6_2]

Circuitos integrados CA 3059 / CA 3079 de RCA
12
Rs
Power
5 Limiter supply RL
Cx “0”
crossing 3
detec
MT 2
VAC 2
1 INV. Triac
geting 4
circuit G
Rp Fall MT 1
safe
14
100 µF 13 On/Off
sensing
15V 8 amp
7
NTC sensor
9 10 11 6
Fig 6.28 Circuito Integrado CA3059: Diagrama de bloques (Cortesía RCA).
Estos dos circuitos tienen una gran importancia en la conmutación de Tiristores a tensión nula. Por
tanto, se puede denominar a los circuitos integrados CA 3059 / CA 3079, conmutadores a tensión
cero. Son utilizados para el control de Tiristores en aplicaciones de conmutación de potencias en
C.A. comprendidas entre 24 y 227V y frecuencias entre 60 y 400Hz.
El circuito integrado consta de 4 bloques funcionales, ver figura 6.28
• Limitador de potencia: Permite alimentar al circuito integrado directamente de una línea de

C.A.
• Amplificador diferencial: Recibe las señales de un sensor externo u otro tipo de señal de
mando.
• Detector de cruce cero: Sincroniza los pulsos de salida del circuito en el momento en que la
tensión alterna pasa por cero.
• Circuito de disparo: Proporciona impulsos de una elevada corriente con la suficiente potencia
para disparar el tiristor de control.
6.3.2. CONTROL DE DISPARO POR ÁNGULO DE CONDUCCIÓN. CONTROL DE

FASE.
La forma más simple de disparo de un Tiristor o de un Triac, es por medio de corriente continua,
como ya se estudió al principio del tema. Este tipo de control, presentaba el inconveniente de que, la
puerta estaba disipando energía constantemente y el control solo se podía realizar entre 0º y 90º.
Circuitos de control de puerta.

Para disparar un Tiristor, es necesario aplicar una serie de impulsos a su puerta. Estos impulsos deben
tener un cierto ángulo de retardo del disparo, α respecto al paso por cero de las tensiones alternas que
alimentan el convertidor. Para poder variar este ángulo, será necesaria la ayuda de una tensión de
control continua, Ucm
La tensión de control, Ucm se compara con una tensión de referencia cosenoidal (Ur).

Los impulsos de disparo tendrán la misma frecuencia que la tensión de referencia, Ur y están
desplazados un ángulo α respecto al paso por el valor de pico de Ur, como se puede ver en la figura
6.29
∧
U r = Valor de pico de U r
∧
U r ⋅ cosα = U cm E 6. 8
U cm
α = arccos ∧
E 6. 9
Ur
A fin de que el angulo obtenido en la ecuación [E6.9] se corresponda con el ángulo de retardo del
disparo, es indispensable que la tensión de referencia, Ur posea una posición de fase bien
determinada respecto a las tensiones de alimentación del convertidor.
Muy a menudo debe filtrarse la tensión de referencia cuando la tensión representa armónicos
superpuestos.
Un ejemplo de este tipo de circuitos está representado en la figura 6.30.
A veces, en lugar de una tensión de referencia senoidal se utiliza una tensión en dientes de sierra que
debe estar sincronizado con la red de alterna que alimenta al convertidor. En este caso existe una
relación lineal entre el ángulo de retardo y la tensión de control Ucm. Ver figura 6.31
Fig 6.29 Funcionamiento de un dispositivo de control de puerta.
Fig 6.30 Circuito de control de puerta con tensión de referencia senoidal.
Siempre es necesario limitar el campo de variación de la tensión de control, Ucm en correspondencia

con una limitación del ángulo α entre los límites αmin y αmax. Se puede ver que entre α y Ucm
existe una relación, es decir, se comprueba que αmin corresponde con Ucm max y que αmax
corresponde con Ucm min.

Un ejemplo de este tipo de circuitos es el circuito representado en la figura 6.32
Ejemplo de control de un sistema trifásico

[6_3]
Fig 6.31 Generador de dientes de sierra para la sincronización con la red de alterna.
Fig 6.32 Circuito de control de puerta con tensión de referencia de dientes de sierra.
Circuito integrado TCA 785 de SIEMENS
Este circuito es muy empleado en el control de fase. Los pulsos de disparo pueden variar entre 0º y
180º. Los circuitos más típicos en los que se utiliza son convertidores ac/dc y control de corriente
alterna.
GND 1 16 VS
Q2 2 15 Q2
QU 3 14 Q1
Q1 4 13 L
VSYNC 5 12 C12
I 6 11 V0
QZ 7 10 C10
VSTAR 8 9 R0 Fig 6.33
Patillaje del circuito integrado TCA 785. (Cortesía SIEMENS).

Fig 6.34 Diagrama de bloques del integrado TCA 785. (Cortesía de SIEMENS).

Fig 6.35 Formas de onda en cada una de las patillas del C.I TCA 785
La señal de sincronismo es obtenida a través de una resistencia desde la patilla de voltaje, V5. El
detector de voltaje cero evalúa el paso por cero y la transferencia hacia el registro de sincronismo. El
registro de sincronismo controla el generador de rampa. Si el voltaje de rampa obtenido de la patilla
V10 excede del voltaje de control obtenido de la patilla, V11 (determina el ángulo de disparo), la señal
es procesada por el control lógico.
Dependiendo de la magnitud del voltaje de control, V11 el ángulo de disparo puede controlarse dentro
de un rango comprendido entre 0º y 180º. Para cada media onda, un pulso positivo de
aproximadamente 30µs de duración aparece en la salida Q1 (patilla 14) y en la salida Q2 (patilla 15).
La duración del pulso puede ser prolongada por encima de 180º a través del condensador C12. Si la
patilla 12 se conecta a masa, se obtendrán pulsos con una duración entre un valor de α y 180º.
Las salidas Q1 y Q2 (invertidas), suministran la señal inversa de Q1 y de Q2. Una señal de valor α
+180º puede ser usada para controlar por lógica externa al dispositivo. Esta señal puede ser tomada
de la patilla 3.
La entrada inhibidora es usada para desconectar las salidas Q1, Q2, Q1 (invertida), Q2 (invertida). La
patilla 13 es usada para ampliar el valor de las salidas Q1 (invertida) y Q2 (invertida).
A continuación vemos dos ejemplos de aplicación de este circuito integrado, un regulador de alterna
con triac y un regulador de alterna con dos SCR con acoplamiento por transformador de impulsos
atacando directamente a su puerta con el CI

Fig 6.36 Control de la potencia alterna entregada a una carga, por ángulo de fase. Aplicación control de iluminación, motores, etc.
Fig 6.37 Control de la corriente alterna con dos SCR por ángulo de fase

Se propone estudiar un ejemplo de circuito de control de puerta construido con

elementos discretos. Concretamente, se trata de un puente rectificador monofásico totalmente
controlado. Dado el circuito rectificador en puente totalmente controlado de la figura, obtener
mediante PsPice las formas de onda comprendiendo cada una de ellas y la función que
desempeña cada elemento del circuito.
Fig 6.38 Circuito rectificador en puente totalmente controlado
Explicar el funcionamiento del circuito de control
[6_4]
El esquema general del circuito de control de puerta es el siguiente.
DISPARADOR
TRANSFORMADOR DE SCHMITT
INTEGRADOR
ACONDICIONADOR CIRCUITO DE
SEÑAL DE RESET POTENCIA
Fig 6.39 Esquema general
A continuación presentamos el circuito a simular con pspice (versión completa, pues no funciona
en la versión de evaluación debido al elevado número de nudos)

Esquema del circuito de control
Esquema del circuito de potencia

…
CD6_3: TRANSFORMADOR TOMA MEDIA, TOMA MUESTRA SEÑAL DE RED

*PARA LA SINCRONIZACION AL PASO POR CERO
VI1 4 0 SIN(0 17 50)
VI2 0 5 SIN(0 17 50)
*DIODOS RECTIFICADORES
D1 4 6 D1n4148
D2 5 6 D1n4148
*POLARIZACION TRANSISTOR Q1 ENCARGADI DE OBTENER LOS IMPULSOS DE
*SINCRONIZACION DE PASO POR CERO DE LA SEÑAL DE RED
R1 6 9 18K
Q1 8 9 0 BC547A
Q2 10 8 11 BC547A ; DESCARGA EL CONDENSADOR CADA VEZ QUE LA SEÑAL DE RED PASA
POR CERO
*RED RC ENCARGADO DE CREAR LA INTEGRACION PARA LA LA SEÑAL RAMPA
R2 7 8 10K
R3 77 12 100K
RP1 12 11 10k
C1 10 11 100N
RP2/ 7 13 4k; SEÑAL DE REFERENCIA POTENCIOMETRO
RP2// 13 0 1k
D3 14 15 D1n4148
R4 15 17 180
*AMPLIFICADORES OPERACIONALES
XU1A 0 11 7 77 10 TL082
XU2A 10 13 7 77 14 TL082
.LIB NOM.LIB
.lib c:/ps50/linear.lib
*TENDSIONES DE ALIMENTACION DEL CIRCUITO
V+ 7 0 DC 10
V- 0 77 DC 10
*SUBCIRCUITOS PARA LOS TIRISTORES
xT3 4 19 20 BT151AC
xT4 18 4 23 BT151AC
xT6 18 5 22 BT151AC
xT5 5 19 21 BT151AC
.LIB c:/ps50/EPSJAEN.LIB
*SUBCIRCUITOS DE LOS OPROACOPLADORES
XOP1 17 25 24 20 OPTO
XOP2 25 0 26 23 OPTO
XOP3 17 28 55 21 OPTO
XOP4 28 0 27 22 OPTO
R7 18 26 1K
R6 4 24 1K
R8 5 55 1K
R9 18 27 1K
*CARGA; CON POSIBILIDAD DE SER INDUCTIVA
Rout 19 18 10
*Lout 40 18 100m
.TRAN 0.1M 20M
*.four 100h v(19,18)
.probe
Las librerías deben de estar referenciadas al directorio correspondiente
6.4 DISPARO MEDIANTE CIRCUITOS SEMICONDUCTORES

Los circuitos de disparo RC presentan la ventaja de la sencillez, pero también tienen dos
inconvenientes importantes
• La red debe ser adaptada a cada tipo de Tiristor.

• Toda la corriente de cebado pasa por la resistencia, disipando una potencia que no siempre será
despreciable.

PROBLEMA 6.3
En el circuito de disparo mediante red RC de la figura 6.40, el condensador se carga a través de

las resistencias R1 y R2 retardando el momento en que se alcanza la tensión de cebado. El diodo,
D descarga al condensador durante el semiperiodo negativo evitando la aplicación de una fuerte
tensión negativa a la puerta. Calcular, suponiendo que no estuviera conectada la puerta del
semiconductor al diodo, el ángulo de retardo introducido por el condensador.
DATOS: Ve = 220V/50Hz; R1 = 200KΩ; R2 = 500Ω; C = 0.1µF
Fig 6.40 Circuito de disparo mediante red RC
Solución:
La impedancia del condensador

1
XC =
ωC
1
XC = = 31830.9Ω
2 ⋅ π ⋅ 50 ⋅ 0.1 ⋅ 10− 6
La resistencia equivalente
R = R 1 + R 2 = 200.5KΩ
Por tanto el desfase introducido por el condensador será

XC
θ = arctg = 9º
R
Una solución consiste en ir acumulando la energía útil para así suministrarla en forma de impulso en
el momento deseado. Esto se logra acumulando la energía necesaria en un condensador que se
descargará sobre el circuito de puerta del Tiristor. Por lo general, este último circuito será un
oscilador de relajación que aprovecha los fenómenos de resistencia negativa.
Una configuración típica del oscilador de relajación se encuentra en la figura 6.41
Fig 6.41
Esquema de un circuito oscilador de relajación.

6.4.1 DISPARO POR UJT.

El Transistor Uniunión, UJT es un popular dispositivo usado en los osciladores de relajación para el
disparo de Tiristores.
El UJT está constituido por una resistencia de silicio tipo N, terminada en dos electrodos o bases
denominadas B1 y B2. El valor de esta resistencia está comprendido entre 4 y 9 KΩ. En un punto de
ella se crea un diodo PN que realiza la función de emisor del UJT.
Fig 6.42 Circuito de regulación de voltaje eficaz aplicado a la carga
Para que el UJT trabaje correctamente, es necesario polarizarlo de forma adecuada.

Si los terminales B1 y B2 están polarizados en directo con una tensión VBB, se crea un divisor de
tensión entre el contacto de la región P y los terminales B1 y B2, tal que el voltaje entre la región P y
el terminal B1 será:
R B1
VRB1 = ⋅ VBB = µ ⋅ VBB E 6.10
R B1 + R B2
donde
R B1
µ= E 6.11
R B1 + R B2
El valor típico del coeficiente, µ lo suministra el fabricante y está comprendido entre 0.5 y 0.8
Fig 6.43 Esquema de polarización y circuito

equivalente del UJT.
Si con esta configuración se aplica una tensión VE < VC, el diodo se polariza en inverso y no
conducirá. Pero si por el contrario, se aplica una tensión VE tal que se verifica que VE ≥ VP, (siendo
VP = VC + VD y VD la tensión directa de saturación del diodo), el diodo quedará polarizado en sentido
directo, circulando una corriente entre el emisor E y la base B1. Esta corriente inyecta en la zona de
resistencia R1 una corriente de portadores (huecos). La nueva concentración de portadores en esa
zona hace que la resistencia R1 disminuya haciendo a su vez que baje el voltaje VC, con lo que
aumentará la intensidad IE. De esta manera, se creará una zona de resistencia negativa inestable. Esta
zona de resistencia negativa así como los demás parámetros está representada en la figura 6.44.

Si se disminuye la tensión VEB1, entonces disminuye IE. Cuando el dispositivo alcance un valor
inferior a la corriente de valle, IV aumentará el valor de VEB1 pasando a polarizar el diodo en sentido
inverso.
Obtención de características UJT:
[6_5]
[6_6]
Fig 6.44
Característica V-I del UJT
La secuencia de trabajo del oscilador de relajación con UJT se puede comprender mejor observando
la figura 6.45
El condensador se carga a través de la fuente hasta alcanzar un valor que depende de la constante de
tiempo aproximada del circuito, T
T ≈ R T ⋅ CT E 6.12
La frecuencia del oscilador depende del valor del condensador, CT y de la resistencia, RT

Cuando la tensión del condensador se iguala al valor VE (VE = VC + VD), se llega a la tensión de pico
VP. La resistencia entre el emisor y la base B1 baja rápidamente descargándose el condensador a
través de la resistencia R1, apareciendo un pulso en la puerta del Tiristor.
Cuando el UJT no conduce la tensión en extremos de R1 debe ser menor que la tensión de disparo
del SCR ( I BB ⋅ R 1 < VGT ).
VBB
I BB =
R B1 + R B 2 + R 1 + R 2
Fig 6.45 Circuito y formas de onda de un oscilador de relajación con UJT

Es importante escoger una tensión VBB de alimentación adecuada, y un UJT con la suficiente
capacidad de impulso VOB1.
Si el pulso cae hasta alcanzar un valor cero, el UJT recupera el estado de bloqueo, volviendo el
condensador a cargarse para repetir de nuevo el ciclo.
La resistencia R2 se incluye para mejorar la estabilidad del UJT frente a la temperatura. En la
mayoría de los casos, el valor de esta resistencia puede ser calculado aproximadamente utilizando la
siguiente expresión
R 2 = 0.15 ⋅ rBB E6. 13
El UJT es un dispositivo muy utilizado para el disparo de los Tiristores.
Fig 6.46
Característica interbase del UJT para distintos valores de IE
Nomenclatura del UJT

A la hora de manejar las hojas de características para aplicaciones prácticas y durante el desarrollo de
problemas, es muy importante conocer la nomenclatura específica usada para determinar los
parámetros principales del UJT
2N2646
[6_7]
IE
Corriente de emisor.
IEO
Corriente inversa de emisor. Medida entre el emisor y la base 2 para una tensión dada y la base
1 en circuito abierto.
IP
Intensidad de pico de emisor. Máxima corriente de emisor que puede circular sin que el UJT
alcance la zona de resistencia negativa.
IV
Intensidad de valle de emisor. Corriente que circula por el emisor cuando el dispositivo está
polarizado en el punto de la tensión de valle.
rBB
Resistencia interbase. Resistencia entre la base 1 y la base 2 medida para una tensión interbase
dada.
VB2B1
Tensión entre la base 2 y la base 1, también llamada tensión interbase.
VP
Tensión de pico de emisor. Máxima tensión vista desde el emisor antes de que el UJT alcance
la zona de resistencia negativa.

VD
Caída de tensión directa de la unión de emisor. También llamada VF(EB1) ó VF.
VEB1
Tensión de emisor en al base B1.
VEB1(sat.)
Tensión de saturación de emisor. Caída de tensión directa entre el emisor y la base B1 con una
corriente mayor que IV y una tensión interbase dada.
VV
Tensión de valle de emisor. Tensión que aparece en el punto de valle con una VB2B1 dada.
VDB1
Tensión de pico en la base B1. Tensión de pico medida entre una resistencia en serie y la base
B1 cuando el UJT trabaja como un oscilador de relajación.
µ
Relación intrínseca.
αrBB
Coeficiente de temperatura de la resistencia interbase. Variación de la resistencia B2 y B1 para
un rango de temperaturas dado y medido para una tensión interbase y temperatura con emisor a
circuito abierto dadas.
Simulación con Pspice 6.1
Simular con Pspice el circuito de la figura , obtener las formas de onda de la tensión en el
condensador y en la salida.
[6_8]
Fig 6.47
*SIM6_1.CIR
* E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
* OSCILADOR DE RELAJACIÓN CON UJT
VCC 1 0 DC 15V; TENSION DE ALIMENTACION
RT 1 2 20K
CT 2 0 .2U IC=0V
RB2 1 3 100
RB1 4 0 20
XT1 3 2 4 2N4851; SEMICONDUCTOR UJT
.LIB NOM.LIB
.TRAN 0.2ms 12ms
.PROBE V(2) V(4)
.END

Este circuito solo funcionará en la versión completa de DOS 5.0 o en la versión

completa de windows
Tensión en el condensador, vCT Tensión de salida, vsal

10V 10V
1 2 vCT
0V 5V
vsal
>>
- 10V 0V
0s 4ms 8ms 12ms
1 V( 2) 2 V( 4)
Ti me
En el siguiente problema se diseña un oscilador de relajación con UJT.
PROBLEMA 6.4
Para el circuito oscilador de relajación con UJT de la figura 6.48. Calcular los valores máximo y
mínimo de la resistencia R1 + R2, para una correcta oscilación del circuito, calcular también el
valor de los demás componentes del circuito y simularlo mediante PsPice.
DATOS:
VBB = VCC = 20V; CA = 1µF; RB1 = 100Ω
UJT: µ = 0.6; IV = 10mA ; VV = 2V; IP = 5µA ; TD = 0.01... 0.1s
Fig 6.48
Solución:
A partir de la gráfica V-I del UJT se pueden determinar los límites máximo y mínimo de la
resistencia de carga del condensador, R1 + R2. Estas expresiones representan la condición de
oscilación

Fig 6.49 Curva V-I del UJT
VBB − VP
R max ≤ E 6.14
IP
VBB − VV
R min ≥ E 6.15
IV
VBB − VP V − VV
≥ R ≥ BB E 6.16
IP IV
La tensión de disparo, VP
VP = µ ⋅ VBB + VD E 6.17
VP = 12.5V.
Sustituyendo valores en las expresiones anteriores
Rmáx = R1 + R2 = 1.5 MΩ ; Rmín = R1 = 1.8 KΩ
Estos valores de resistencia aseguran la oscilación.
Determinando la expresión de carga de un condensador, se podrá calcular el valor de la

resistencia que falta.
Para los requerimientos de oscilación

TD = 0.01 – 0.1s
Si se llama ttotal al periodo de carga y descarga del condensador, se puede descomponer en:
ttotal = tON + tOFF

donde
tOFF = Tiempo o periodo de carga del condensador, el UJT está bloqueado.

tON = Tiempo o periodo de descarga del condensador.
Normalmente, tOFF >> tON, por tanto se puede despreciar el valor de tON (comprobándolo
posteriormente). Si se parte de la solución de la ecuación diferencial de carga de un condensador
a partir de una tensión continua
…

…
−t
VC (t) = VC (final) + [VC (inicial) − VC (final)] ⋅ e R ⋅C E 6.18
Resolviendo la ecuación anterior
Para t = tOFF Vc (t) = VP Vc(0) = Vv Vc(∝) = VBB
VBB − VV
t OFF = R ⋅ C ⋅ ln E 6.19
VBB − VP
Para las especificaciones del ejemplo, se van a determinar los valores de Rmin y Rmáx:
TD = 0.01s → Rmín = 11.4 KΩ
TD = 0.1s → Rmáx = 113.6 KΩ
Valores que se encuentran dentro del rango calculado anteriormente
Sabiendo que: VBB >>> Vv; VP = µ⋅VBB + VD ≈ µ⋅VBB
La expresión anterior queda definitivamente
1
t OFF = T = R ⋅ C ⋅ ln E 6.20
1− µ
Esta es la aproximación para el cálculo del periodo de oscilación del circuito con UJT.
Se debe hacer notar que cuando µ > 0.6, la ecuación anterior queda reducida
T = R ⋅C E 6.21
A continuación se facilita el listado para la simulación con Pspice, se recomienda al lector que lo
simule y analice los resultados.

*Problema6_4.CIR
*E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
*OSCILADOR DE RELAJACION
VBB 1 0 DC 20V
R1 1 2 10K
* Seleccionar valores del potenciometro
*R2 2 3 10K ;R1+R2 mínima
R2 2 3 100K ;R1+R2 máxima
CA 3 0 1UF ic=2V
RB1 5 0 100
RB2 1 4 500
XT1 4 3 5 2N4851; UJT
.LIB NOM.LIB
.TRAN .2ms 0.4
.PROBE
.END
Este circuito solo funcionará en la versión completa de DOS 5.0 o en la versión

completa de windows
En muchas aplicaciones, en las que se utilizarán Tiristores, no se dispone de una fuente de

alimentación de C.C para alimentar el circuito de disparo, y la única fuente es la de C.A
correspondiente a la etapa de potencia del circuito.

PROBLEMA 6.5
Mediante el circuito de la figura 6.50, se trata de controlar la potencia entregada al motor de un

limpiaparabrisas. Calcular la variación del número de movimientos del limpiaparabrisas por
minuto y el tiempo de descarga aproximado del condensador.
Suponer que cada oscilación del UJT produce un movimiento del motor y que el SCR vuelve al
estado de corte mediante algún procedimiento adecuado no representado en este circuito.
DATOS: VBB = Vcc = 20V; RB1 = 100Ω; C = 50µF

UJT: IP = 16µA; IV = 0.4mA; VV = 1V; µ = 0.6; rBBo = 5KΩ; VD = 0.5V
Fig 6.50
Solución:
Rango de ajuste de variación del movimiento: 2.62 < n < 26.2
ton = 12.4ms
Sincronización con la red de C.A. ; disparo de SCR
Fig 6.51 Circuito de sincronización de pulsos con la red c.a.
El circuito presentado se utiliza para alimentar al UJT a partir de la señal alterna de red. Es
interesante notar que la tensión inicial de la que parte el condensador al inicio de cada semiciclo
coincide con la tensión VV del UJT, lo que indica que el tiempo que tarda en alcanzar la tensión de
disparo y por tanto el impulso inicial, siempre está sincronizado con el paso por cero de la red.

Fig 6.52 Formas de onda del circuito de sincronización de pulsos con la red
El circuito básico para conseguir el sincronismo del oscilador con UJT, con la red de alimentación
está representado en la figura 6.51. En la figura 6.52 se pueden observar las distintas formas de onda
obtenidas del circuito de sincronización con la red.
Los impulsos marcados con 1 y 9, son los impulsos que provocan el disparo del Tiristor en períodos
sucesivos. Los impulsos marcados con 2, 3, 4, 10, 11, 12, que se producen al final de cada
semiperiodo, aunque son aplicados a la puerta del Tiristor, en principio no provocan ninguna
perturbación puesto que el Tiristor se encuentra en estado de conducción. Estos impulsos indeseados
podrían ser eliminados mediante el diseño de un circuito auxiliar. Otra forma de eliminar estos
impulsos indeseados, sería tomando la tensión Vi directamente entre el ánodo y el cátodo del Tiristor.
En el siguiente problema se realizará un estudio más detallado de este tipo de circuitos de
sincronización, mediante el diseño de un oscilador con UJT
Cuestión didáctica 6. 4
Trata de comentar el funcionamiento del circuito de la figura y la particularidad que
presenta, en cuanto a la alimentación y la sincronización con respecto del paso por cero de la
señal de red.
CD6_4.cir
…

…
Para las figuras presentadas, ¿Sabrías demostrar en los dos casos presentados que el periodo es el
indicado, señalar en las figuras el valor de Vp y comparar con su cálculo teórico?
Valor de Rp =100kΩ
Valor de Rp =10kΩ
Datos utilizados en la simulación del UJT (ver .CIR): µ =0,655; Rbb=7kΩ; Vv=1,77V
PROBLEMA 6.6
En la figura, se muestra el esquema de un regulador de corriente alterna de onda completa.

Observar como en este montaje es posible controlar una señal alterna con un SCR mediante la
configuración del puente y del propio SCR. Diseñarlo y simular el circuito mediante PsPice.
Fig 6.53 …

…
DATOS: Ve = 220V; f = 50Hz; PL = 180W; C = 0.2µF; RB1= 20Ω; RB2= 100Ω;
fOSCILAC. = 100 . . . 900Hz
ZENER: Vz = 25V; IF = 2mA
Solución:
Inicialmente será necesario estudiar las gráficas de la intensidad de pico, IP intensidad de valle,
IV y tensión de valle, VV Para un valor VB1B2 = VZ = 25V,
IP = 1µA; IV = 8.5mA; VV = 1.72V
Ip
3.0
Ip, PEAK POINT EMITTER CURRENT ( µA)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0 3.0 6.0 9.0 12 15 18 21 24 27 30

25 VB2B1
VB2B1 INTERBASE VOLTAGE (VOLTS)
Iv 16
Iv, VALLEY POINT CURRENT (mA)
14
12
10
8.5
2N4871
6.0
4.0
2N4870
2.0
0 3.0 6.0 9.0 12 15 18 21 24 27 30

25 VB2B1
Vv 1.8
Vv, VALLEY VOLTAGE (VOLTS)
1.72
1.6
1.5
1.4
0 3.0 6.0 9.0 12 15 18 21 24 27 30
25 VB2B1
...

El valor de la tensión de pico, VP se determinará aplicando la ecuación [E6.17]
VP = µVBB + VD = 19.75V
Sustituyendo en las expresiones [E6.15] y [E6.14] se calculan los valores máximo y mínimo de la
resistencia, R = R1 + R2 que garantizan la oscilación del circuito
R mín = 2.74KΩ R máx = 5.25MΩ
Planteando la ecuación de la constante de tiempo, [E6.20
TD = 1.5 ⋅ R ⋅ C
Para los márgenes de frecuencia especificados, se calculan los valores del potenciómetro,
R1+R2
f1 = 100 Hz f 2 = 900 Hz
1
TD1 = = 1.5 ⋅ R ⋅ C ⇒ R máx = R 1 + R 2 = 33.3KΩ
f1
1
TD2 = = 1.5 ⋅ R ⋅ C ⇒ R mín = R 1 = 3.7KΩ
f2
Tomando valores normalizados
R1 = 4KΩ; R2 = 30KΩ
El diseño del circuito adaptador de tensiones se resume en el cálculo de la resistencia R3. La

tensión de salida del rectificador debe estar siempre por encima de la tensión marcada por el
diodo zener, ocurriendo esto para un determinado ángulo de conducción. Fijando éste en unos
15º aproximadamente
Ve = V0 ⋅ senwt = 311 ⋅ sen15º = 80.5V
El valor de la tensión a través de la resistencia R3 será el valor necesario para la correcta

polarización del diodo zener (IZ = 2mA) y para el UJT IUJT = 4mA. El valor de la intensidad será,
por tanto, 6mA. Calculando el valor de R3, se tiene:
V0 − VZ 80.5 − 25
R3 = = = 9.25KΩ
I 6mA
A continuación se simula el circuito para el máximo valor de R1+R2, con el que se consigue el
primer disparo para t = 6.35 ms, esto implica un ángulo de disparo de 114.3º o lo que es lo
mismo un ángulo de conducción de 65.7º
Problema6_6.cir

[1] Tensión zener, vZ [2] Tensión en el condensador, vC

26V 34V
1 2
vZ
0V 17V
vC
>>
- 26V 0V
0s 6.35 ms 40ms
1 V( 5) - V( 4) 2 V( 6) - V( 4)
Ti me
El condensador tiende a cargarse hasta alcanzar un valor de tensión fijado por el diodo zener. Sin
embargo, cuando C alcanza el valor de la tensión de disparo del UJT, hace que éste se dispare.
En este preciso momento se obtiene en la base 1 del UJT un impulso que provoca el disparo del
Tiristor haciendo que pase del estado de bloqueo al de conducción.
[1] Impulsos de disparo, vG [2] Tensión en el SCR, vSCR
10V 312V
1 2
vSCR
0V
vG
>>
0V - 312V
0s 6.35 ms 40ms
1 V( 8) - V( 4) 2 V( 2) - V( 4)
Ti me
En el circuito se puede observar que la disposición del SCR, es tal que se puede controlar una
potencia alterna, es decir los dos semiciclos con un solo SCR. En este caso se ha de tener en
cuenta que por el puente de diodos va a circular la misma intensidad que por la carga.
El proceso de disparo se repetirá cada semiciclo de la señal de entrada, puesto que, gracias al
puente de diodos, en extremos del Tiristor siempre se tendrá aplicada una señal positiva. Por
tanto la señal estará controlada y en la carga se tendrá una señal como la representada en la
pantalla obtenida con Pspice.
[1] Impulsos de disparo, vG [2] Tensión de entrada,ve Tensión en la carga, vRL
50V 312V
1 2
ve
vRL
0V
vG
>>
0V - 312V
0s 6.35 ms 10ms 20ms 30ms 40ms
1 v( 8) - v( 4) 2 V( 3) V( 1)
Ti me

Si se varía el potenciómetro al valor mínimo de resistencia se observa como el disparo del

Tiristor se produce mucho antes con lo que la potencia entregada a la carga es mucho mayor, se
invita al lector a comprobarlo utilizando Pspice.
Circuito de aplicación: Rectificador onda completa controlado Enlace6_9.cir

[6_9]
Circuito de control de potencia por "Rampa - Pedestal"
Fig 6.54
Principio de control de potencia por rampa – pedestal o
rampa - escalón.
En el control de potencia por "rampa – pedestal", el valor del escalón es fijado por una tensión de
referencia, de nivel ajustable, siendo la rampa una tensión de referencia que se superpone al valor del
escalón necesario para disparar al Tiristor en un punto umbral fijo.
Si se hace una breve descripción del funcionamiento del circuito de disparo, figura 6.55 se puede
decir que cuando el valor de tensión VE es mayor que la tensión VD, el condensador C, se carga a
través del potenciómetro R fundamentalmente ya que se verifica que el valor de R es menor que el
valor de R2, y por tanto con una constante de tiempo muy pequeña. Cuando el nudo D alcanza un
valor de tensión, tal que VD ≥ VE, el diodo D1 deja de conducir y el condensador C pasa a cargarse a
través de la resistencia R2 con una constante de tiempo mayor, de valor R2·C , hasta que alcance el
valor de disparo del UJT.
Fig 6.55
Circuito de disparo por el método de “rampa – pedestal” Señal obtenida en laboratorio
Ondas obtenidas con Pspice [6_10]

T1 ≈ P2 A C1
T1 << T2
T2 ≈ (P1 + R 1 ) C1
Fig 6.56 Sistema de control de temperatura.
El voltaje para el cual VD = VE se denomina voltaje pedestal y la variación del voltaje a partir de este
momento se denomina rampa. De aquí surge el nombre de este sistema de control “Rampa –
Pedestal”.
En la figura 6.56 se muestra un ejemplo de aplicación de un circuito de control de disparo por rampa
- pedestal para un sistema de control de temperatura interior recubierto de papel de aluminio. Se hace
un agujero en la caja y se inserta un tubo de cartulina. La fotocélula se monta en el otro extremo del
tubo de forma que no reciba luz del ambiente. La resistencia de la fotocélula es la resistencia de
realimentación del circuito denominada T.
6.4.2 DISPARO POR PUT

El Transistor Uniunión Programable, PUT es un dispositivo de disparo muy usado en los circuitos de
disparo por puerta para los Tiristores. Tiene tres terminales que se identifican como: cátodo (K),
ánodo (A) y puerta (G).
El PUT, es un pequeño Tiristor con puerta de ánodo, presentando unas características de disparo
parecidas a las del UJT, cuando es utilizado en los osciladores de relajación, pero presenta la ventaja
de poder ser programado para determinar el valor de los parámetros µ, VP e IV mediante un sencillo
circuito externo de polarización. (En el caso del UJT, µ viene predeterminado; VP = µ VBB + VD ⇒
una vez fijada la tensión de alimentación también es cte; IV es cte.) El PUT permite variar estos
parámetros y por tanto se pueden obtener periodos de mayor duración.
Fig 6.57
Montaje y circuito equivalente de un PUT

La operación del PUT, depende de la tensión que se tenga aplicada entre el ánodo y la puerta del
dispositivo, figura 6.57
El voltaje de puerta es fijado por un divisor de tensión que es utilizado para programar el disparo del
dispositivo. Si el voltaje de puerta es mayor que el voltaje de ánodo, el PUT queda en estado de corte.
Si se incrementa el voltaje de ánodo hasta un punto alrededor de 0.7V (Voltaje de barrera de la unión
P-N), el voltaje de puerta hace que el PUT pase a conducir en un periodo de tiempo muy corto
(menos de 1µs). La tensión de ánodo (VP) que hace que el dispositivo se dispare, es ajustada
cambiando el voltaje de puerta, es decir, alterando la relación:
RB
RA + RB
En la figura 6.58 se representa un circuito oscilador con PUT. Las resistencias R1, R2 y el
condensador C, actúan ajustando el retraso del voltaje de pico VP. En el paso de corte a conducción,
aparece un pulso de tensión VG (mayor de 6 V) en el cátodo del PUT. Este será el pulso que
apliquemos a la puerta del Tiristor. El condensador se descargará a través de la resistencia de cátodo
haciendo que la corriente caiga hasta cero, cortando de esta manera al PUT. En este momento el
voltaje de ánodo se hace menor que el voltaje de puerta, comenzará a cargarse de nuevo el
condensador hasta alcanzar un voltaje VP, repitiéndose de nuevo el ciclo.
Cuando la tensión de ánodo, VA es superior a VG + VGA, comienza a conducir y tiene una

característica similar a la del UJT como se puede observar en la curva característica V-I del PUT
Tanto IP como IV dependen del valor de las resistencias RA y RB, es decir, del valor de RG, siendo:
RA ⋅RB
RG = E 6.22
RA + RB
Es especialmente importante el hecho de que IP pueda reducirse hasta valores muy bajos
usando valores grandes de RG. Esta característica es muy útil en circuitos con tiempos de
retardo largos. (No hay que olvidar que se vio en el caso del UJT que Rmáx dependía de IP).
Los límites de resistencia de carga del condensador RT se determinan de la misma forma que para el
UJT.
En el problema siguiente se tratará de diseñar el oscilador de relajación con PUT a partir de las
características dadas por el fabricante y para una determinada frecuencia.
Fig 6.58 Oscilador de relajación con PUT. Curva característica V-I del PUT

PROBLEMA 6.7
Diseñar el circuito oscilador de relajación con PUT, representado en la figura 6.59.

Datos: VBB = VCC = 10V; C = 10nF; fosc. = 1.5KHz
PUT: VD = 0.6; VV = 1V
Fig 6.59
Solución:
Para un periodo completo de oscilación, el tiempo es el inverso de la frecuencia y viene dado por
la suma del tiempo de corte, toff y el tiempo de conducción, ton
TD = toff + ton = 666 µs
El condensador se carga exponencialmente desde la tensión de valle a la tensión de pico, con una
constante de tiempo dada por el producto RT ⋅ C
VBB − VV
t off = C ⋅ R T ln
VBB − VP
Donde
VP = VD + VS = VD + µ ⋅ VBB = 5.6 V
VS = VG = 5 V
Sustituyendo en la ecuación anterior:
VBB − VV
t off = C ⋅ R T ln
VBB (1 − µ ) − VD
Cumpliéndose que VBB >> VV VBB >> VD
Siendo µ = 0.5 y considerando R1 = R2
1 R + R2
t off = C ⋅ R T ln ≈ C ⋅ R T ⋅ ln 1
(1 − µ ) R2
Considerando ton <<< toff
TD ≈ toff.
t off ≅ 0.7 ⋅ C ⋅ R T
Despejando el valor de RT
t off
RT = = 100 KΩ
0.7 ⋅ C
…

…
El valor de la resistencia de puerta se fija en RG = 10 KΩ.
R1 ⋅ R 2
RG =
R1 + R 2
También se fijan valores para R1 = R2 = 20KΩ VS = µ ⋅ VBB = 5V
Fig 6.60 Característica V-I del PUT

En la característica V-I del PUT, se determinan los límites entre los que puede oscilar el valor de
la resistencia de carga del condensador, RT Las intensidades de pico y de valle se determinan con
ayuda de las curvas VS - IP y de las curvas VS - IV
IP = 3µA; IV = 100µA
VBB − VP
R Tmáx = = 1.45 MΩ
IP
V − VV
R Tmín = BB = 90 K
IV
90 KΩ < RT < 1.45 MΩ
Fig 6.61

…
2N6027 PUT
[6_11]
Bajo condiciones de operación fijas, la variación en el voltaje de valle respecto a la corriente de

valle es bastante pequeña para asegurar el apagado. Por ello, la resistencia RT deberá ser al
menos dos o tres veces mayor que el valor mínimo.
RT ≥ 3⋅ RTmín 270 K < RT < 1.45 MΩ
El valor de la resistencia RT debe encontrarse entre dos valores elevados, lo que implica que para
mantener las especificaciones dadas, se debería disminuir la capacidad del condensador.
Otra alternativa es reducir el valor de la resistencia de puerta. Por tanto, si se fija el valor de esta
resistencia en RG = 1KΩ, Las resistencias R1 y R2 toman el valor 2KΩ.
Tomando valores normalizados R1 = R2 = 2.2KΩ
Recalculando IP = 10 µA; IV = 400µA RTmax = 440 K RTmin = 22.5 K
El valor de la resistencia RT se ajustará a los valores normalizados comprendidos en el intervalo

(27K, 390K)
27 KΩ < RT < 440 KΩ
6.4.3 DISPARO POR DIAC

El DIAC (Diode Alternative Current) es un dispositivo formado por tres capas de
A1 silicio con la estructura (npn ó pnp) y dos terminales principales de conducción.
No tiene terminal de control.
La característica V - I del dispositivo no es lineal, aunque es simétrica en ambos

A2 sentidos de circulación, Es decir, se trata de un dispositivo bidireccional y
simétrico. En la figura 6.40 puede verse que, cuando el voltaje es positivo o
negativo, pero inferior a un voltaje VS, llamado tensión de ruptura, el elemento se comporta como un
circuito abierto. Sin embargo cuando se sobrepasa esta tensión, la pendiente de la característica se
hace negativa, aumentando la intensidad y disminuyendo el voltaje hasta el punto en que llega a
comportarse casi como un cortocircuito.
Fig 6.62 Característica V-I del Diac
La figura 6.63 muestra un oscilador de relajación, en el circuito: disparo de TRIAC con DIAC.
Cuando se conecta la fuente de tensión, el condensador comienza a cargarse a través del

potenciómetro y de la resistencia en serie. Cuando el condensador alcanza el valor de la tensión de

disparo del DIAC (aproximadamente 30V) éste se hace conductor y el condensador se descarga sobre
el circuito de puerta del TRIAC, que se dispara permitiendo la alimentación de la carga. Cuanto más
baja sea la resistencia de carga, en serie con el condensador, más rápidamente se alcanzará la tensión
de 30V, y antes se disparará el TRIAC. Inversamente, cuanto mayor sea esta resistencia, mayor será
el ángulo de disparo y menor la potencia recibida por la carga.
Este circuito sufre un fenómeno de histéresis: para una misma potencia, el ajuste del potenciómetro
difiere según se esté reduciendo o aumentando la potencia en la carga. Este fenómeno es producido
por la carga residual del condensador.
Fig 6.63
Circuito de disparo de TRIAC con DIAC: Oscilador de
relajación.
Fig 6.64
Formas de ondas en extremos del condensador y del TRIAC en el
oscilador de relajación.
Fig 6.65
Tensión en extremos del triac y del condensador con
doble cte de tiempo

Las curvas representadas en la figura anterior se han obtenido con el circuito de disparo de TRIAC
con DIAC por el método de la doble constante de tiempo de la figura 6.66. Nótese la presencia de los
componentes que proporcionan la segunda constante de tiempo, de forma que cuando C2 dispara al
DIAC, C3 le suministra un “refuerzo” de tensión que acerca los puntos de disparo deseado y real,
mediante P2 se ajusta la doble constante para eliminar el efecto de histéresis.
Fig 6.66 Circuito de disparo de TRIAC con DIAC, método de la doble constante de tiempo.
Para el diseño de una red de temporización se deberá calcular el valor de los componentes RC para
que el ángulo de conducción θC pueda variar entre los límites deseados.
La resolución analítica de este tipo de circuitos es laboriosa, por lo que se han confeccionado una
serie de curvas para poder llevar a cabo el diseño. Un ejemplo de estas curvas se muestra en la figura
6.67
Estas curvas de diseño, expresan la relación existente entre el nivel de tensión con que se carga el
condensador C, normalizada respecto al valor eficaz de la tensión de línea en función del ángulo de
conducción y del parámetro φ = 2RCf, siendo f la frecuencia (expresada en hercios) de la tensión de
línea. En el problema 6.8 se hace un estudio sobre este tipo de curvas.
Conocida la tensión de disparo VP del elemento de disparo, se obtendrá la relación existente entre la
diferencia VP – Vq(0) y la tensión eficaz de línea. Con el valor obtenido y conocidos los ángulos de
conducción deseados, se obtendrá los valores de φ, φ(θC1) y φ(θC2). Teniendo en cuenta estos valores
y fijando un determinado valor para el condensador, C se podrá determinar el valor de R1 y el valor
de R2, partiendo de las siguientes relaciones:
φ (θ C1 ) = 2 ⋅ (R 1 + R 2 ) ⋅ C ⋅ f E 6.23
φ (θ C 2 ) = 2 ⋅ R 1 ⋅ C ⋅ f E 6.24

Fig 6.67 Tensión del condensador en función del ángulo de conducción cuando se carga a partir de una tensión ca.
PROBLEMA 6.8
Diseñar el circuito de control de potencia de onda completa con DIAC de la figura 6.68,
sabiendo que presenta doble constante de tiempo. Datos
TRIAC (MAC3020)
VDRM = 400V IDRM = 2mA VTM = 2V IH = 40mA;
MT2 (+), G(+) IGT = 30mA VGT = 2V
MT2 (-), G(-) IGT = 30mA VGT = 2V
DIAC ( DB3 )
V(BR) 12 = V(BR) 21 = 32V; V12 = V21 = 5V
El control de la luminosidad de la lámpara se realiza a través de R2 y de C2. La misión de la red

formada por R1 - C1, es cargar al condensador C2 a través de la resistencia variable R, de forma
que se compense la caída de tensión que se produce en el condensador C2 al dispararse el DIAC,
manteniéndose así unos potenciales constantes, tanto positivos como negativos, desde los cuales
el condensador C2 se carga hasta que se produce el próximo disparo.
Fig 6.68

Solución:
Fijando un valor para el condensador C2 de 0.1 µF, y siendo la tensión de disparo del DIAC VS =
32V, con ∆V = 5V, se obtiene la relación normalizada de tensiones:
VP − (− VP + ∆V) 32 − (−32 + 5)
VNormalizada = = = 0.223
VRMS( Linea ) 220
Si los ángulos de conducción θC1 = 30º y θC2 = 150º, se llevan a la curva de la figura 6.46, se
tiene:
φ(θC1) ≈ 3.5 φ(θC2) ≈ 0.25
El valor de la resistencia R2 será
φ (θ C1 ) 3.5
R2 = = = 350KΩ
2 ⋅ C2 ⋅ f ( )
2 ⋅ 0.1 ⋅10 −6 ⋅ 50
φ (θ C2 ) 0.25
R2 = = = 25KΩ
2 ⋅ C2 ⋅ f ( )
2 ⋅ 0.1 ⋅ 10 −6 ⋅ 50
El potenciómetro R2, debe variar hasta 350KΩ para alcanzar un ángulo de Ampliación final de
150º. Como se desea que en el momento del disparo la carga del condensador C1 sea un poco
mayor que la carga del condensador C2, se elige C1 = C2 = 0.1µF. El valor de R1 debe ser menor
que la valor máximo de R2, por lo que R1 tomará un valor de 100 KΩ.
6.69 Ampliación de la figura 6.46 para encontrar los valores de φ(θC1) y φ(θC2)
6.5 Utilización de optoacopladores

Un acoplador óptico, está constituido por la asociación dentro de una misma cápsula de un
fototiristor o fototransistor y un diodo LED. Este tipo de dispositivos va a permitir un buen
aislamiento entre el circuito principal (circuito de potencia) y el circuito de control.

La intensidad de disparo necesaria es del orden de 50 mA, obteniéndose aislamientos de unos 2000V
En algunos casos se puede encontrar por separado el fototiristor y el diodo luminiscente con el fin de
poder usarlo como detector de posición o un captador.
Fig 6.70
Esquema de un acoplador óptico con Tiristores.
Los optoacopladores MOC3040 y MOC3041 de Motorola son un claro ejemplo de este tipo de
dispositivos.
Aplicaciones en c.a.
Una de las aplicaciones de los Optoacopladores es el control de disparo de Tiristores y Triacs de
potencia que conmutan cargas que consumen una gran potencia, puesto que con el empleo de este
tipo de dispositivos se garantiza un perfecto aislamiento entre el circuito de disparo y el circuito de
potencia. Un caso usual de aplicación, es la conmutación de cargas resistivas puras tales como
lámparas incandescentes y elementos calefactores, como se puede ver en la figura 6.71
El dispositivo semiconductor de potencia debe ser elegido de tal modo que soporte los picos de
potencia originados en la conmutación de estas cargas, que con frecuencia suelen ser elevados.
Fig 6.71
Circuito de control de potencia, para una carga resistiva
pura, con optoacoplador.
Para los Optoacopladores que se están tratando (MOC3040 y MOC3041), Motorola presenta los
Triacs de potencia de las series MACXXXX para que se usen conjuntamente en el control de
potencia.
Para el diseño de un circuito de control de potencia utilizando un Optoacoplador y un Tiac, se estudia

el circuito de la figura 6.72
Fig 6.72
Circuito de control de potencia utilizando optoacoplador
con triac.

La resistencia denominada RC en el circuito, limita la corriente a través del Optoacoplador. El

máximo valor de la corriente permitida a través del Optoacoplador, es decir, la corriente de pico ITSM,
determina el valor mínimo de RC. Considerando una tensión de red de 110V, cabe esperar un pico de
tensión VIN(pk).
VIN(pk) = 1.2 ⋅ 110V ⋅ 2 = 187V
Con lo cual, se obtiene el valor de RC (min)
VIN(pk) 187
R Cmín = = = 155.8Ω E 6.25
I TSM 1.2
El valor ITSM = 1.2 A se obtiene en las hojas de características
El valor máximo de RC se calcula de forma que permita el paso de la corriente de disparo del triac
IGT, asegurando entre los extremos de este, la tensión máxima de pico en estado de conducción, VTM
y para la tensión por encima de la cual no se produce el disparo del dispositivo VIH.
En las características dadas para el Optoacoplador MOC3040 y para el Triac MAC3030 - 25, se
tiene que el valor de VIH = 40V, VTM = 1.8V y que IGT = 40mA. Por lo tanto:
VIH − VTM
R C (máx) = = 957.75Ω E 6.26
I GT
En la práctica, el valor de la resistencia RC suele estar comprendido entre los valores 310 Ω y 460Ω.
La tensión de línea necesaria para que se produzca el disparo es:
VL = R C ⋅ I GT + VTM (Optoacoplador) + VGT (Triac) E 6 27
Para este caso, de las hojas de características se tomarán los siguientes datos:
VGT = 2V, IGT = 40mA, VTM = 1.8V, RC = 310V
Sustituyendo los valores en la ecuación anterior, se tiene
VL = 16.5V
En el caso de Optoacopladores con Triac, el uso de cargas inductivas tales como motores, relés e
imanes, crearán ciertos problemas para el funcionamiento correcto del circuito. El problema mayor
reside en que la corriente de carga a través del Triac está retrasada con respecto a la tensión de red un
determinado ángulo. Después de la desactivación de las señales de potencia permanece en
conducción hasta que la corriente de carga haya caído por debajo del valor de su corriente de
mantenimiento.

6.6 Circuitos aplicados

Arrancador estático de motor de corriente alterna
Fig 6.73 Arrancador estático de motor corriente alterna
Este circuito se utiliza para arrancar el motor de corriente alterna suministrando progresivamente
tensión en cada una de las fases del motor mediante los diferentes triac. (Cuando la potencia del
motor es elevada, se utilizan normalmente dos tiristores en cada rama)
Arrancador estático con cambio de giro
En este caso existe la posibilidad de intercambiar las fases provocando un cambio de giro en el
motor.
Fig 6.74 Arrancador con cambio de giro

Cargador de baterías basado en un UJT
Fig 6.75 Cargador de baterías usando un UJT
Es un circuito simple que utiliza un oscilador de relajación con UJT para el control del SCR. El
circuito no opera cuando la batería esté completamente cargada o la polaridad de conexión de la
batería no es la correcta.
El funcionamiento del circuito reflejado en las formas de onda de la figura 6.76 es el siguiente. El
oscilador de relajación únicamente está activo cuando la tensión de la batería es baja. En este caso, el
UJT dispara al SCR con una frecuencia variable en función de las necesidades de corriente de carga.
El oscilador de relajación dejará de funcionar cuando la VP sea mayor que la tensión zener del diodo
de referencia 1N4735. En este caso la tensión del condensador CE será constante al valor fijado por
la tensión zener.
Fig 6.76
Formas de onda del cargador de batería de la figura 6.75
Control de calor con sensor de la temperatura
El circuito de control de calor mostrado en la figura 6.77 ha sido concebido para controlar la
temperatura de una habitación.
El circuito de disparo se realiza a través de un UJT que introduce un ángulo de conducción de los
triacs que va a depender de la temperatura de la habitación medida a través de una resistencia térmica
RT. Un incremento en la temperatura disminuye el valor de RT, y por consiguiente, disminuye el
valor de corriente de colector del transistor aumentando a su vez el tiempo de carga del condensador
(disminuye el ángulo de conducción).

Fig 6.77 Circuito de control de calor
Control de potencia mediante microcontrolador
En este caso se utiliza el circuito de interfase de entrada/salida de un microcontrolador. El

aislamiento entre el circuito de control y el circuito de potencia se realiza mediante optoacopladores
MAC301. Para evitar una falta de sincronización entre la señal de control digital y la fase de la línea
se añade un detector de paso por cero.
Fig 6.78 Control de potencia mediante un microprocesador
Lecturas de consulta recomendada:
DL137-D_SCR Tuto_SCR Control_fase an1008

[6_12] [6_13] [6_14] [6_15]


AGUILAR PEÑA, J. D.; RIVERA JUÁREZ, R; SÁNCHEZ GONZALEZ, J. L. Tiristores:
Fundamentos y Elementos de Disparo. Universidad de Jaén. Servicio de Publicaciones e Intercambio
Científico, Jaén 1994.
HONORAT, R. V. Dispositivos electrónicos de potencia: tiristores, triacs y GTO. Ed. Paraninfo,

1995.
THYRISTOR DEVICE DATA: on semiconductor DL 137/D. Mayo 2000.

<http://www.onsemi.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
AN1003. Nota de aplicación, Phase Control Using Thyristor. Teccor Electronics.

<http://www.teccor.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
AN1008. Nota de aplicación, Explanation of maximum Rating for Thyristors.

<http://www.teccor.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
BRADLEY, D. A. Power Electronics. Ed. Chapman & Hall, Londres 1995.
COUËDIC, Marc. Circuitos integrados para tiristores y triacs. Ed Marcombo, 1999.
GAUDRY, M. Rectificadores, Tiristores y Triacs. Biblioteca Técnica Philips. Ed. Paraninfo,

Madrid, 1972.
J. MICHAEL JACOB. Power electronics. Principies & Applications. Delmar, Thomson earning
2002
POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS. Philips semiconductors. (Capitulo 6: Power

control with thyristors and triac)
<http://www.semiconductors.philips.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]

RUIZ, ROBREDO, G. A. Electrónica básica para ingenieros. Dpto. Electrónica y Computadores.

Facultad de ciencias, Universidad de Cantabria.
<http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroweb.html> [Consulta: 4 de julio de 2005]

POTENCIA
Tema 7.- Convertidores ac/dc: rectificación

Rectificación monofásica media onda: Carga resistiva, carga resistiva-inductiva,
carga RL-generador, diodo de libre circulación. Rectificación de media onda
controlado: Carga resistiva, carga RL, carga RLE. Efecto de la conmutación.
Rectificador monofásico onda completa: En puente, toma media, carga RL, carga
RLE. Filtro por condensador. Filtro L. Filtro LC. Rectificador controlado monofásico
de onda completa: Carga R, carga RL, carga RLE. Rectificación trifásica de media
onda. Rectificación polifásica de media onda. Rectificación trifásica de onda
completa. Rectificadores controlados: trifásico media onda, polifásico onda completa.
Tema 8.- Filtrado y fuentes reguladas
Tema 9.- Convertidores dc/dc
Tema 10.- Introducción a las configuraciones básicas de las fuentes de
alimentación conmutadas
Tema 11.- Convertidores dc/ac: inversores

[email protected]
7.1 Introducción 1
7.2 Rectificador monofásico de media onda 1

7.2.1 Carga resistiva 1
7.2.2 Carga resistiva-inductiva 6
7.2.3 Carga RLE 12
7.2.4 Rectificador monofásico de media onda, con diodo volante 17
7.2.5 Rectificador monofásico de media onda, con diodo volante, alimentando
una carga RLE 18
7.3 Rectificador controlado monofásico de media onda 19

7.3.1 Rectificador controlado media onda: carga resistiva 19
7.3.2 Rectificador controlado monofásico de media onda con carga inductiva 24
7.3.3 Rectificador controlado monofásico de media onda con diodo volante y
carga inductiva 27
7.3.4 Rectificador controlado monofásico de media onda: carga RLE 30
7.4 Rectificadores monofásicos de onda completa 31

7.4.1 Rectificador con transformador de toma intermedia 31
7.4.2 Puente rectificador con diodos 34
7.4.3 Estudio para una carga RL altamente inductiva 35
7.4.4 Estudio para una carga RLE 36
7.5 Puente rectificador monofásico totalmente controlado 41

7.5.1 Carga resistiva 41
7.5.2 Estudio para una carga altamente inductiva, corriente continuada 43
7.5.3 Carga RL, corriente discontinua 46
7.5.4 Carga RLE 47
7.5.5 Carga RL con diodo volante 48
7.5.6 Convertidor monofásico en modo inversor 49
7.6 Puente rectificador monofásico semicontrolado o mixto 49
7.7 Rectificadores Polifásicos 51

7.7.1 Rectificadores polifásicos de media onda 51
7.7.2 Rectificador controlado polifásico de media onda 53
7.7.3 Rectificador trifásico de media onda 53
7.7.4 Rectificador controlado trifásico de media onda 56
7.7.5 Puente rectificador trifásico de onda completa 62
7.7.6 Puente rectificador trifásico totalmente controlado 68
7.7.7 Puente rectificador trifásico semicontrolado 74
7.8 Conmutación: El efecto de la inductancia del generador 76

7.8.1 Conmutación en rectificadores monofásicos controlados con transformador
de toma intermedia 77
7.8.2 Conmutaciones en puentes rectificadores trifásicos 79
7.9 Factor de Potencia 80

7.9.1 Factor de potencia en rectificadores monofásicos 81
7.9.2 Factor de potencia en rectificadores polifásicos 83
TEMA 7: CONVERTIDORES AC/DC: RECTIFICACIÓN
7.1 Introducción
Un rectificador es un subsistema electrónico cuya misión es la de convertir la tensión alterna, cuyo

valor medio es nulo, en otra tensión unidireccional de valor medio no nulo.
A la hora de llevar a cabo la rectificación, se han de utilizar elementos electrónicos que permitan el
paso de la corriente en un solo sentido, permaneciendo bloqueado cuando se le aplique una tensión
de polaridad inapropiada. Para ello, el componente más adecuado y utilizado es el diodo
semiconductor. Este dispositivo es el fundamento de los rectificadores no controlados.
7.2 Rectificador monofásico de media onda

7.2.1 CARGA RESISTIVA
Este circuito sólo rectifica la mitad de la tensión de entrada; o sea, cuando el ánodo es positivo con
respecto al cátodo. Podemos considerarlo como un circuito en el que la unidad rectificadora está en
serie con la tensión de entrada y la carga.
Fig 7.1
Circuito rectificador monofásico de media onda
con carga resistiva
El funcionamiento consiste en tomar de la red una señal sinusoidal de valor medio nulo, y
proporcionar a la carga, gracias al diodo, una forma de onda unidireccional, de valor medio no nulo
como se aprecia en la figura 7.2.
Fig 7. 2
Forma de onda del circuito rectificador
monofásico de media onda con carga resistiva.
VC = Vmax Senωt 0 ≤ ωt ≤ π
VC = 0 π ≤ ωt ≤ 2π

Tensión media en la carga: Este valor nos determina la componente de c.c. de la tensión en la
carga. Lo obtenemos calculando el promedio del voltaje de salida del rectificador:
T
1 1 π Vmax
Vdc = ∫ 2 VS (t ) dt = ∫ Vmax Senωt dωt = = 0,318 Vmax
T 0 2π 0 π E 7. 1
así que tendremos una componente continua del orden del 30% del valor de pico.
Tensión eficaz en la carga:
1 π 2
Vmax
Vrms =
2π ∫0 (Vmax Senωtdωt ) dωt =
2 E 7. 2
Regulación: Mediante el parámetro regulación se mide la variación de la tensión continua de salida

(Vdc) en función de la corriente continua que circula por la carga. Dicha variación de la tensión de
salida es debida a una pequeña resistencia que presenta el devanado secundario (RS), y a la
resistencia interna del diodo cuando está conduciendo (Rd).Por eso, lo más conveniente para nuestro
rectificador es que el porcentaje de regulación sea lo menor posible:
Vdc (envacío ) − Vdc (aplenacarga )

r (% ) = × 100%
Vdc (aplenacarga ) E 7. 3
Siendo el valor de tensión media en la carga:
⎛V ⎞
Vdc (enplenacarga ) = ⎜ max ⎟ − (I dc (en plena carga ) (R S + R D ))
⎝ π ⎠
Factor de forma:
Vrms 0,5 Vmax

FF = = = 1,57
Vdc 0,318 Vmax E 7. 4
Factor de rizado: Es una buena forma de medir el alisamiento en la salida de c.c.:
Vac,rms(salida )
FR (% ) = × 100%
Vdc E 7. 5
Sabiendo que:
(Vrms )2 = (Vac,rms(salida ) )2 + (Vdc )2

Valor medio de la corriente en la carga:
I max
I dc =
π E 7. 6
Valor eficaz de la corriente en la carga:
I max
I rms =
2 E 7. 7

Sabiendo que:
Vmax
I max =
RL E 7. 8
Los valores de Idc e Imax deberán tenerse en cuenta a la hora de elegir un diodo semiconductor para el
rectificador, siendo estos valores de intensidad los que circularán por el devanado secundario del
transformador.
Potencia media en la carga:
(Vdc )2 (0,318 Vmax )2

Pdc = =
R R E 7. 9
Potencia eficaz en la carga:
(Vrms )2 (0,5 Vmax )2

Pac = =
R R E 7.10
Rendimiento:
(Vdc )2
P (0,318 Vmax ) 0,101 2
η = dc = R 2 = = = 0,404 → (40,4%)
Pac (Vrms ) (0,5 Vmax )2 0,25 E 7.11
R
PROBLEMA 7.1
Dado un rectificador monofásico de media onda con carga resistiva, cuyo esquema es el
mostrado en la figura 7.1, calcular lo siguiente:
a) Tensión de pico en la carga.

b) Corriente de pico en la carga.
c) Tensión media en la carga.
d) Corriente media en la carga.
e) Corriente eficaz en la carga.
f) Potencia eficaz en la carga.
g) Factor de potencia.
DATOS: R = 20 Ω; VS = 240V; f = 50Hz
Obtener mediante Pspice las formas de onda de: Vc (tensión de carga), Vdc, ic, Idc, Irms, Pac

…
Solución:
a) La tensión de pico en la carga corresponderá con la tensión máxima suministrada por el

secundario
Vp (carga ) = Vmax = 2 VS = 1.414 ⋅ 240 V = 339.4 V
b) La corriente de pico en la carga se correspondería con la intensidad máxima y se podría

obtener de la tensión máxima:
Vmax 339,4
I P (carga ) = I max = = = 16,97 V
R 20
c) Usando la ecuación 7.1 obtenemos la tensión media en la carga:
Vdc = (0,318) Vmax = 108 V
d) La corriente media en la carga la calcularemos usando la ecuación del apartado

anterior, pero sustituyendo Vmax por Imax:
I dc = 5,4 A
e) La corriente eficaz en la carga se calcula usando la ecuación 7.2 y sustituyendo

en ella la Vmax por la Imax:
I max
I rms = = 8,48 A
2
f) La potencia alterna en la carga será:
Pac = (I rms ) R = 1440 W

2
g) El factor de potencia:
P 1440 W
FP = = = 0.7
S 240 V⋅ 8.48 A
Simulación con Pspice:
Problema7_1: RECTIFICADOR MONOFASICO DE M.O. CON CARGA RESISTIVA
VS 1 0 SIN (0 339.4V 50HZ)

R 2 3 20HM
VX 3 0 DC 0V
D1 1 2 DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.22E-15 BV=1200V IBV=13E-3 CJO=2PF TT=1US)
.TRAN 10US 30MS 10US

.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.0N RELTOL=0.01 VNTOL=1.0M ITL5=40000
.END

PROBLEMA 7.2
Dado un rectificador monofásico de media onda con carga puramente resistiva, como se muestra
en la figura 7.1, calcular lo siguiente:
a) La eficiencia de la rectificación.
b) El factor de forma.
c) El factor de rizado.
d) El factor de utilización del transformador.
e) La tensión inversa de pico en el diodo.
f) El factor de cresta de la corriente de alimentación.
Solución:
a) Partiendo de la ecuación [E7.11], tenemos:
(0,318 Vmax )2
η= = 0,405 → (40,5% )
(0,5 Vmax )2
b) De la ecuación [E7.4], calculamos el factor de forma:
0,5 Vmax
FF = = 1,57 → (157% )
0,318 Vmax
c) A partir de la ecuación [E7.5], obtenemos:
FR = 1,21 → (121% )
d) Primero necesitaremos saber el valor de la tensión eficaz y el valor eficaz de la

intensidad en el secundario:
Vmax 0,5 Vmax

VS = = 0,707 Vmax IS =
2 R
0,5 Vmax
S = VS I S = (0,707 Vmax )
R
P
TUF = dc =
Vdc I dc
=
(0,318)
2
= 0,286 →
1
= 3,496
VS I S 0,5 Vmax (0,707 )(0,5) TUF
(0,707 Vmax )
R
e) La tensión inversa de pico en el diodo:
PIV = Vmax
f) El factor de cresta será:
I S(pico ) Vmax R 1
CF = = = =2
IS 0,5 Vmax R 0,5

PROBLEMA 7.3
El rectificador monofásico de media onda de la figura 7.1, es alimentado por una tensión Vs
=120V, 50Hz. Expresa la tensión instantánea en la carga, vc(t), en series de Fourier.
Solución:
La onda no presenta simetrías y por tanto hay que esperar que la serie tenga términos sen y cos
La tensión de salida vc puede expresarse en series de Fourier como:
∞
Vmax
v C (t ) = Vdc + ∑ (a n Senω t + b n Cosω t ) donde: Vdc =
n =1,2,... π
1 2π 1 π Vmax
π∫ π∫
an = vC Sen nωt dωt = Vmax Senωt Sen nωt dωt = para n =1
0 0 2
an = 0 para n =2,4,6,...
1 2π 1 π
π∫ π∫
bn = vC Cos nωt dωt = Vmax Senωt Cos nωt dωt = 0 para n =1
0 0
Vmax (cos nπ + 1)
bn =
( )
para n =2,3,4,...
π 1− n2
Sustituyendo an y bn, la tensión instantánea en la carga será:
Vmax Vmax 2V 2V 2V
vC (t ) = + Senωt − max Cos 2ωt + max Cos 4ωt − max Cos 6ωt + ...
π 2 3π 15π 35π
donde: V max= 2 (120 ) = 169,7 V ω = 2π (50 ) = 314,16 rad / seg
7.2.2 CARGA RESISTIVA-INDUCTIVA
Fig 7. 1
Circuito rectificador monofásico de media onda con
carga RL.

[7_1]
Fig 7. 2
Formas de onda del circuito para una carga RL.
En ellas se puede apreciar el comportamiento del circuito
para un periodo de la señal.
Para 0 < ωt < ωt1: Durante este intervalo el diodo conducirá y el valor de la tensión en la carga será:
vC = v S = Vmax Senωt
y se cumplirá la siguiente ecuación,
⎛ di ⎞
L⎜ C ⎟ + R iC = Vmax Senωt
⎝ dt ⎠ E 7.12
Al resolver la diferencial obtenemos el valor de iC; la solución puede obtenerse expresando la

corriente como la suma de la respuesta forzada (if) y la respuesta natural (il).
La respuesta forzada para esta aplicación, es la corriente existente después de que la respuesta natural
haya decaído a cero. En este caso es la corriente sinusoidal de régimen permanente que existiría en el
circuito si el diodo no estuviera presente:
Vmax
if = ⋅ sen(ωt − ϕ )
z
La respuesta natural es el transitorio que tiene lugar cuando se proporciona energía a la carga. [Hart]
−t
L
il = A ⋅ e τ → τ =
R

ωt
V ⎡ − ⎤
iC = i f + il = max ⎢ Sen(ωt − ϕ ) + Senϕ e ⎥
Q
Z ⎢⎣ ⎥⎦ E 7.13
Lω Lω Lω
donde : Z = R 2 + L2ω 2 Senϕ = Q = tgϕ = → ϕ = arctg
Z R R
Para ωt = ωt1: La intensidad iC se hace cero, porque el diodo pasará a estar bloqueado y se cumplirá
que:
R
− t1
Sen(ωt1 − ϕ ) = − Senϕ e L
en la que ωt1 tendrá un valor superior a T/2 y cuanto más grande sea el valor de R/L, más se
aproximará a T, no existe solución analítica y se necesita de algún método numérico.
Para ωt1 < ωt < 2π: Ahora tampoco circulará corriente por el circuito, al estar el diodo bloqueado,
iC = 0 vD = vS < 0 vC = 0
Casos límites de funcionamiento

Si Lω/R es nulo: Significa que tenemos una carga resistiva pura.
ωt1 = π
La corriente iC valdrá:
Vmax
iC = Senωt para 0 < ωt < π
R
iC = 0 para π < ωt < 2 π
mientras que la tensión media en la carga vale:
2VS Vmax
Vdc = =
π π
Si Lω/R crece: el punto ωt1 tiende a desplazarse hacia la derecha en el eje y la Vdc, a su vez,
disminuye, valiendo ahora:
Vmax
Vdc = (1 − Cosωt1 )
2π E 7.14
y produciéndose una disminución en el valor medio de iC:
Vdc
I dc =
R
Si Lω/R tiende a infinito: quiere decir que tenemos una carga inductiva pura. Así ωt1 se aproxima a
2π, y el valor de Vdc tiende a cero.
La corriente circulará por la carga durante todo el periodo, y vendrá dada por:
Vmax
iC = (1 − Cosωt )
Lω

Fig 7. 5
En esta gráfica podemos observar la forma de
onda de iC para distintos valores de Q.
La corriente está referida a Vmax/Z.
Para finalizar diremos que este rectificador funciona en régimen de conducción discontinua, y en el
cual la inductancia de la carga aumentará el ángulo de conducción y disminuirá el valor medio de la
tensión rectificada.
PROBLEMA 7.4
Dado un rectificador monofásico de media onda con carga RL, como el mostrado en la fig 7.3,
calcular lo siguiente:
a) La tensión media en la carga.

b) La corriente media en la carga.
c) Usando Pspice, obtener la representación gráfica de la tensión en la carga y la corriente
en la carga.
d) Obtener los coeficientes de Fourier de la tensión de salida.
e) Obtener el factor de potencia de entrada.
DATOS: R = 20 Ω; L = 0,0531H; VS = 120V; f=50Hz
Solución:
Vmax = 120 2 = 169,7V ω = 2πf = 314,16 rad/s
⎛ Lω ⎞ 2π
Z = R 2 + L2ω 2 = 26Ω ϕ = arctg ⎜ ⎟= rad Q = tgϕ = 0,84
⎝ R ⎠ 9
ωt
Vmax ⎡ − ⎤
ωt
169,7 ⎡ ⎛ 2π ⎞ ⎛ 2π ⎞ − 0,84 ⎤
iC = = ⎢ Sen(ωt − ϕ ) + Senϕ e Q ⎥ = ⎢ Sen⎜ ωt − ⎟ + Sen⎜ ⎟ e ⎥
Z ⎢⎣ ⎥⎦ 26 ⎢⎣ ⎝ 9 ⎠ ⎝ 9 ⎠ ⎥⎦
y mediante tanteo obtenemos el valor de ωt que hace que iC=0:
ωt (20)(10 −3 )
ωt = 3,846 rad t= = 12,24msg
2π
a) Con el valor de ωt calculado, ya podemos hallar la tensión media en la carga:
1 3,846
Vdc =
2π ∫
0
Vmax Senωtdωt = 47,6V
b) A partir de Vdc obtenemos el valor de la corriente media en la carga:
Vdc
I dc = = 2,38 A
R
…

c) Usando el esquema y el listado que se ofrecen a continuación obtenemos:
Problema7_4: RECTIFICADOR MONOFASICO DE M.O. CON CARGA RL
VS 1 0 SIN (0 169.7V 50HZ)

R 2 3 20HM
L 3 4 0.0531H
VX 4 0 DC 0V
D1 1 2 DMOD
.TRAN 10US 40MS 20MS 10US

.PROBE
.FOUR 50HZ I(VX) V(2)
.END
Se puede apreciar en las formas de onda obtenidas, que la iC=0 para (12.237msg+T).
d) Los coeficientes de Fourier de la tensión en la carga serán:

…


DC COMPONENT = 4.721008E+01
1 5.000E+01 9.052E+01 1.000E+00 7.152E+00 0.000E+00
2 1.000E+02 4.434E+01 4.899E-01 -1.024E+02 -1.096E+02
3 1.500E+02 1.104E+01 1.220E-01 1.090E+01 3.747E+00
4 2.000E+02 1.064E+01 1.176E-01 -1.561E+02 -1.633E+02
5 2.500E+02 8.834E+00 9.759E-02 -4.498E+01 -5.213E+01
6 3.000E+02 4.692E+00 5.184E-02 1.169E+02 1.097E+02
7 3.500E+02 6.239E+00 6.892E-02 -1.054E+02 -1.125E+02
8 4.000E+02 4.043E+00 4.466E-02 2.315E+01 1.600E+01
9 4.500E+02 3.971E+00 4.387E-02 -1.761E+02 -1.832E+02
e) Para la obtención del factor de potencia de entrada, tendremos que obtener las series de
Fourier de la corriente de entrada. Esta será igual que la corriente que atraviesa Vx.
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(VX)

DC COMPONENT = 2.360451E+00
1 5.000E+01 3.476E+00 1.000E+00 -3.268E+01 0.000E+00
2 1.000E+02 1.140E+00 3.280E-01 -1.615E+02 -1.288E+02
3 1.500E+02 2.049E-01 5.895E-02 -5.732E+01 -2.465E+01
4 2.000E+02 1.528E-01 4.395E-02 1.305E+02 1.632E+02
5 2.500E+02 1.030E-01 2.963E-02 -1.215E+02 -8.883E+01
6 3.000E+02 4.597E-02 1.323E-02 3.813E+01 7.081E+01
7 3.500E+02 5.266E-02 1.515E-02 1.743E+02 2.070E+02
8 4.000E+02 2.996E-02 8.620E-03 -5.836E+01 -2.568E+01
9 4.500E+02 2.621E-02 7.542E-03 1.015E+02 1.342E+02
Corriente media de entrada, I S ( dc ) = 2,36 A
Corriente eficaz de entrada del fundamental, I 1( rms ) = 3,47 2 = 2,453
Distorsión armónica total de la corriente de entrada, THD = 33,82% = 0,3382
Corriente armónica eficaz, I h (rms ) = I 1(rms ) × THD = 0,829
Corriente eficaz de entrada, I S = (I S ( dc ) ) + (I ( ) ) + (I ( ) )

2
1 rms
2
h rms
2
= 3,5 A

Ángulo de desplazamiento, Φ 1 = −32,68
Factor de desplazamiento, DF = CosΦ 1 = 0,841 (en retraso)
El factor de potencia valdrá:
VS I1(rms )
PF = CosΦ1 = 0,59
VS I S
También podemos calcular el factor de potencia directamente usando el valor de THD:
1
PF = CosΦ 1 = 0,79
1 + THD 2
Con este segundo método se obtiene un valor superior al obtenido con la primera ecuación. Esto
es debido a la existencia de una componente continua de un valor significativo, por lo que esta
última fórmula la emplearemos solo cuando no existe componente continua.
7.2.3 CARGA RLE
Fig 7. 6 a) Montaje de un circuito rectificador monofásico de media onda con carga RLE. b) Formas de onda para una carga RLE
Este tipo de carga estará caracterizada por dos parámetros:
E Lω
m= Q=
Vmax R

Para ωt1 < ωt < ωt2: El diodo conducirá, VC = VS
El ángulo ωt1 será tal que: Vmax Senωt1 = E ⇒ m = Senωt1
En este intervalo de tiempo en el que el diodo permanece en conducción, se cumplirá la siguiente

ecuación:
⎛ di ⎞
R iC + L⎜ C ⎟ + E = Vmax Senωt iC (ωt1 ) = 0
⎝ dt ⎠
Y resolviéndola se obtiene la expresión de la corriente que circulará por la carga:
−ωt +ωt1
E Vmax ⎡ ⎛E Z ⎞ ⎤
iC = − + ⎢ Sen(ωt − ϕ ) + ⎜⎜ − Sen(ωt1 − ϕ )⎟⎟ e Q ⎥
R Z ⎢⎣ ⎝ R Vmax ⎠ ⎥⎦
Desarrollando, y expresando después Senϕ y Cosϕ en función de Z, R y Q, y sustituyendo

Senωt1 = m se obtiene:
−ωt +ωt1
Vmax ⎡ Senωt − QCosωt mQ 2 + Q 1 − m 2 ⎤
iC = ⎢− m + + e Q
⎥
R ⎣⎢ 1+ Q2 1+ Q2 ⎦⎥ E 7.15
La corriente se hace cero para ωt2 tal que:

−ωt 2 +ωt1
⎡ ⎤
Senωt 2 − QCosωt 2 = m + mQ − ⎢mQ + Q 1 − m e Q ⎥
2 2 2
⎢⎣ ⎥⎦ E 7.16
Para ωt2 < ωt < (2π+ωt1): El diodo estará bloqueado,
iC = 0 VC = E V D = VS − E < 0
Influencia de los parámetros
Como la tensión L(diC dt ) tiene un valor medio nulo, el valor medio Idc de la corriente estará ligado
al valor medio Vdc de la tensión en la carga, y a E por medio de:
Vdc − E
I dc =
R
La tensión media rectificada será:
1 ⎡ ωt 2 2π + ωt1
Vdc = ∫ Vmax Senωt dωt + ∫ Edωt ⎤
2π ⎢⎣ ωt1 ωt 2 ⎥⎦
V E
Vdc = max (Cosωt1 − Cosωt 2 ) + E − (ωt2 − ωt1 ) E 7.17
2π 2π
Si L = 0
ωt 2 = π − ωt1

⎛ 1 ωt ⎞ V
Vdc = E ⎜ + 1 ⎟ + max Cosωt1
⎝2 π ⎠ π
En el gráfico siguiente se puede determinar el valor de ωt2 en función de E y de LR.
Fig 7.7 Este gráfico nos da las variaciones del ángulo de extinción ωt2 en función de m, para diversos valores de Q. Este ángulo es
calculado con la ecuación 7.16.
Las diferentes curvas están comprendidas entre la correspondiente a Q = 0 y la dibujada en trazo

mixto, que se corresponde con Q = ∞ (iC = 0), cuyo cálculo se lleva a cabo haciendo Vdc igual a E en
la ecuación [E7.17].
La diferencia entre el valor de ωt2 y el de ωt1 (curva en trazo discontinuo) da el ángulo de conducción
del diodo.
Las curvas de la figura 7.7 nos muestra como, en conducción discontinua, la tensión rectificada
depende de las características de la carga.
PROBLEMA 7.5
En un rectificador monofásico de media onda, se dispone de una batería de carga con capacidad
de 100W-h. La corriente media es Idc=5A. La tensión en el primario es Vp =120V, 50Hz y el
transformador tiene una relación de transformación a = 2:1. Calcular lo siguiente:
a) Ángulo de conducción del diodo (δ).

b) Valor de la resistencia limitadora de corriente (R).
c) Valor de la potencia (PR) en R.
d) El tiempo de carga de la batería (T) expresado en horas.
e) La eficiencia del rectificador.
f) La tensión inversa de pico en el diodo (PIV).
DATOS: E=12 V; VP=120 V; f =50Hz; a=2

…

…
Solución:
V P 120
VS = = = 60V Vmax = 2VS = 2 (60 ) = 80,85V
a 2
Si el ángulo de conducción del diodo vale δ = ωt2 -ωt1 :
⎛ E ⎞
ωt1 = arcsen⎜⎜ ⎟⎟ = 8,13° ó 0,1419rad
⎝ Vmax ⎠
ωt 2 = 180 − ωt1 = 180 − 8,13 = 171,87°

δ = 163.74°
a) La corriente media de carga la calcularemos mediante la expresión:
1 ωt 2 Vmax Senωt − E
I dc =
2π ∫ω t1 R
dω t
de donde obtenemos que:
1
R= (2Vmax Cosωt1 + 2 Eωt1 − πE ) = 4,26Ω
2π I dc
b) La corriente eficaz en la batería será:
1 ωt 2 (Vmax Senωt − E )2
I rms =
2π ∫ω t1 R2
d ωt =
1 ⎡⎛ (Vmax )2 ⎞ (V )2 ⎤
= ⎢⎜⎜ + E ⎟⎟(π − 2ωt1 ) + max Sen2ωt1 − 4Vmax ECosωt1 ⎥ = 8,2 A
2πR 2 ⎢⎣⎝ 2 ⎠ 2 ⎥⎦
PR = (I rms ) R = (8,2 ) (4,26 ) = 286,4W
2 2
c) Calculamos ahora la potencia Pdc entregada a la batería:
Pdc = EI dc = (12)(5) = 60W
100
TPdc = 100 ⇒ T = = 1,667 h
Pdc
d) El rendimiento o eficiencia del rectificador valdrá:
potencia entregada a la batería Pdc

η= = = 0,1732 → (17,32% )
potencia total entregada Pdc + PR
e) La tensión inversa de pico en el diodo será:
PIV = Vmax + E = 96,85V

PROBLEMA 7.6
Representar gráficamente el comportamiento de la tensión en la bobina. Comentar como afecta la

evolución de dicha tensión en el valor de la intensidad que recorre el circuito.
Calcular:
a) Para un rectificador monofásico de media onda con carga RL.

b) Para un rectificador monofásico de media onda con carga LE.
Solución:
a) Considerando el comportamiento de la bobina por tramos, como nos muestra la figura:
0-t1: Área A, tiempo en que la bobina se carga progresivamente con una tensión L(diC/dt). La
intensidad que recorre el circuito es proporcionada por la fuente.
t1-T/2: Fragmento restante del semiciclo positivo de vS, en este caso la bobina tiene una tensión
superior a la de la fuente, cambiando la polaridad de la misma y manteniendo en conducción al
diodo.
T/2-t2: Estará dentro del semiciclo negativo de vS, y seguiremos teniendo corriente en la carga
ocasionada por el cambio de polaridad mantenido por bobina, debido a la energía almacenada
que tiende a cederla
Área A (energía almacenada) = Área B (energía cedida)
b) En la gráfica se pueden observar las dos áreas iguales que corresponden a la carga y
descarga de la inductancia. Idealmente la bobina no consume potencia, almacena y cede
esa energía.
t1-t2 : Es el área A, donde la tensión de la fuente es superior al valor de la f.e.m. en la carga,

provocando la corriente del circuito y el efecto de carga de la bobina.
t1-t2 : La tensión de la fuente tendrá un valor inferior al de la f.e.m., aunque circula corriente en
la carga debido a la descarga de la bobina.

Área A (carga de la bobina) = Área B (descarga de la bobina)
7.2.4 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE MEDIA ONDA, CON DIODO

VOLANTE
El montaje se obtiene a partir de un rectificador monofásico de media onda con carga RL, al que se le
ha añadido un diodo en paralelo con la carga y que recibe el nombre de “diodo volante”.
[7_2]
Fig 7. 8 a) Montaje del rectificador monofásico de media onda con carga RL y diodo volante, b) Formas de onda del circuito
La tensión en la carga valdrá vS o cero según conduzca uno u otro diodo, así que D1 y D2 formarán un
conmutador.
Para 0 < ωt < π: En este intervalo será el diodo D1 el que conduzca;
v C = vS i = iC vD2 = -vS < 0

La ecuación de malla del circuito nos servirá para deducir el valor de ic:
⎛ di ⎞
R iC + L⎜ C ⎟ = Vmax Senωt iC (t = 0) = i0
⎝ dt ⎠
Para π = ωt < 2π: Ahora será el diodo D2 el que conduzca;

−ωt +π
VC = 0 i=0 vD1 = vS < 0 iC = iC (π )e Q
PROBLEMA 7.7
Determine la corriente y la tensión media en la carga y la potencia absorbida por la resistencia en

el circuito de la figura 7.8.a, donde R = 2 Ω y L =25mH. Vm = 100V y la frecuencia es de 60Hz
Problema7_7.cir
Solución: V0 = 31,8V; I0 = 15,9A; P = 534W [Hart]
7.2.5 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE MEDIA ONDA, CON DIODO

VOLANTE, ALIMENTANDO UNA CARGA RLE
Fig 7. 9 a) El montaje lo hemos obtenido al añadir al circuito del rectificador monofásico de media onda con carga RLE, un diodo volante;
b) Formas de onda del circuito rectificador monofásico de media onda con diodo volante y carga RLE.
[7_3] [7_4]
El hecho de colocar este diodo volante D2, hace que la tensión vC no pueda hacerse negativa. Este
diodo hará su función para valores de m y Q, para los que ωt sea superior a π.
Para 0 < ωt < π: D1 conducirá para el valor de Senωt1 = 0.
Para π < ωt < ωt2: Será D2 el que conduzca.

7.3 Rectificador controlado monofásico de media onda
Los rectificadores controlados reciben este nombre por que utilizan un dispositivo de control, en este
caso el tiristor. Utilizan los mismos montajes que se usan para los no controlados pero sustituyendo
los diodos por tiristores parcial o totalmente. La ventaja de colocar tiristores viene dada por la
capacidad de estos de retardar su entrada en conducción, sucediendo esta cuando la tensión en sus
bornes sea positiva y además reciba un impulso en su puerta.
El ángulo de retardo α es un parámetro fundamental, ya que actuando sobre él es posible hacer variar
la relación entre el valor de la tensión rectificada de salida y el valor de las tensiones alternas de la
entrada, de ahí el calificativo de “controlados”.
En los rectificadores controlados, por lo tanto, se controla el cebado del tiristor y el bloqueo será
natural.
7.3.1 RECTIFICADOR CONTROLADO MEDIA ONDA: CARGA RESISTIVA
En este montaje, con el cambio del diodo por un tiristor podremos tener un control sobre el valor
medio de la tensión en la carga cuando tengamos una tensión de ánodo positiva respecto al cátodo y
se le proporcione a la puerta un impulso de cebado.
Fig 7. 10
Circuito rectificador controlado monofásico de
media onda. La diferencia respecto al circuito
no controlado es el cambio del diodo por un
tiristor.
Durante el semiciclo positivo de la tensión de entrada, la tensión de ánodo es positiva respecto a la de

cátodo, así que estará preparado para entrar en conducción. Cuando el tiristor es disparado para ωt=α,
este empieza a conducir, haciendo que circule por la carga la corriente del secundario. En el instante
ωt=π, la tensión del secundario empieza a ser negativa, lo que provoca el paso a corte del tiristor por
ser la tensión de ánodo negativa con respecto a la de cátodo. En este caso α (ángulo de retardo), será
el tiempo que pasa desde que la tensión del secundario empieza a ser positiva hasta que se produce el
disparo del tiristor en ωt = α.
El uso en la industria de este tipo de rectificador es casi nulo debido a sus bajas prestaciones, como
por ejemplo una señal a la salida de gran rizado y de baja pulsación.
La región de funcionamiento se muestra en la siguiente figura:
Fig 7. 11
Cuadrante de funcionamiento para el rectificador controlado monofásico de
media onda. Podemos apreciar como la tensión de salida y la intensidad
tienen una sola polaridad.

Fig 7. 12
Formas de onda del rectificador controlado monofásico de media onda. Podemos observar la tensión en el secundario, tensión en la carga,
intensidad en la carga y tensión en extremos del tiristor. Todo estará representado para un ángulo de retardo α, por lo que tendremos un
ángulo de conducción en la carga θ. El sistema de disparo deberá suministrar impulsos con desfase variable respecto a la tensión en el
secundario y con la frecuencia de esta; con ello conseguimos regular el valor de tensión en la carga.
Tensión media en la carga: Si Vmax es la tensión en el secundario, tenemos que:
1 π Vmax Vmax
Vdc′ = ∫α Vmax Senωt dωt = [− Cos ω t ]π
α = (1 + Cosα )
2π 2π 2π E 7.18
V
Para α = 0°, la tensión media en la carga será Vdc y su valor: Vdc = max
π
Y el valor normalizado valdrá:
Vdc′ 1
Vn (dc ) = = (1 + Cosα )
Vdc 2 E 7.19

1 π Vmax π 1 − Cos 2ωt

′ = ∫α (Vmax Senωt ) dωt ∫α dωt =
2
Vrms =
2π 2π 2
Vmax ⎡ 1 1 ⎤ Vmax
= ⎢ ωt − Sen2ωt ⎥ = (π − α ) + 1 Sen(2α ) E 7.20
2π ⎣ 2 2 ⎦ 2 π 2
Vmax Vmax
Para α =0°, la tensión eficaz será Vrms y su valor: Vrms = π =
2 π 2
y el valor normalizado valdrá:
′
Vrms 1
Vn (rms ) = = (π − α ) + 1 Sen(2α )
Vrms π 2 E 7.21
Tensión inversa de pico soportada por el tiristor: Esta tensión será la máxima de entrada para α ≤
π/2, por lo tanto:
PIV = Vmax
E 7.22
Corriente media en la carga:
1 π ⎛I ⎞ V′
′ =
I dc ∫α I Senωt dωt = ⎜ max ⎟(1 + Cosα ) → I dc
′ = dc
2π ⎝ 2π
max
⎠ R E 7.23
Corriente eficaz en la carga:
1 π ⎛I ⎞ ⎛ α ⎞ ⎛ Sen2α ⎞ V′
′ = ∫α (I Senωt ) dωt = ⎜ max ⎟ 1 − ⎜ ⎟ + ⎜ ′ = rms
2
I rms ⎟ → I rms
2π ⎝ π ⎠ ⎝ 2π ⎠
max
⎝ 2 ⎠ R
E 7.24
PROBLEMA 7. 8
Dado un rectificador controlado monofásico de media onda con carga resistiva, cuyo esquema es
el mostrado en la figura 7.10.
Calcular lo siguiente:

f) Potencia alterna en la carga.
DATOS: R=20 Ω; VS=240V; α = 40°
Solución:
La tensión de pico en la carga corresponderá con la tensión máxima suministrada por el

secundario:
V p (c arg a ) = Vmax = 2VS = (1,414)(240) = 339,4V
a) La corriente de pico en la carga se correspondería con la intensidad máxima y se podría

obtener de la tensión máxima:
Vmax 339,4
I P (c arg a ) = I max = = = 16,97V
R 20
…

…
b) Usando la ecuación [E7.18] obtenemos la tensión media en la carga:
⎛V ⎞ ⎛ 339,4 ⎞
Vdc′ = ⎜ max ⎟(1 + Cosα ) = ⎜ ⎟(1 + Cos 40°) = 95,4V
⎝ 2π ⎠ ⎝ 2π ⎠
c) La corriente media en la carga la calcularemos usando la ecuación del apartado anterior,
pero sustituyendo Vmax por Imax:
′ = 4,77 A
I dc
d) La corriente eficaz en la carga se calcula usando la ecuación [E7.24]:
⎛I ⎞ ⎛ α ⎞ ⎛ Sen2α ⎞
′ = ⎜ max ⎟ 1 − ⎜ ⎟ + ⎜
I rms ⎟ = 8,20 A
⎝ 2 ⎠ ⎝ π ⎠ ⎝ 2π ⎠
e) La potencia alterna en la carga será:
Pac = (I rms
′ ) R = 1345W
2
Dados el circuito a simular y el listado de un rectificador controlado monofásico de

media onda con carga resistiva, obtener mediante Pspice las formas de onda de: Vc, iC, V’dc, I’dc,
I’rms, P’ac.
CD7_1: RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFASICO DE MEDIA ONDA

*DEFINICION DE PARAMETROS
.PARAM VM={240*SQRT(2)}; VALOR DE LA TENSIÓN DE PICO DE ENTRADA
.PARAM ALFA=40; GRADOS DEL ANGULO DE RETARDO
.PARAM RETARDO={ALFA*20MS/360}; RETARDO EN SEGUNDOS
.PARAM PW={1MS}
VS 1 0 SIN (0V {VM} 50HZ 0S 0S 0DEG); SEÑAL ENTRADA
Vg 4 2 PULSE (0V 10V {RETARDO} 1NS 1NS {PW} 20MS); PULSO EN PUERTA SCR
*CARGA
R 2 3 20HM
VX 3 0 DC 0V
XT1 1 2 4 2 SCR
* SUBCIRCUITO DEL SCR
* Insertar subcircuito del SCR
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.0N RELTOL=1.0M VNTOL=1.0M ITL5=100000
.END
PROBLEMA 7. 9

PROBLEMA 7. 9
Dado un rectificador monofásico controlado de media onda con carga puramente resistiva y con
un ángulo de retardo α = π/2.
a) La eficiencia de la rectificación.
b) Factor de forma.
c) Factor de rizado.
d) Factor de utilización del transformador.
e) La tensión inversa de pico en el diodo (PIV).
Solución:
Ayudándonos de las ecuaciones vistas a lo largo del estudio, hemos obtenido los siguientes
resultados:
V’dc=0,1592Vmax; I’dc=(0,1592Vmax)/R; Vn(dc)=0,5; V’rms=0,3536Vmax; I’rms=(0,3536Vmax)/R;

P’dc=V’dcI’dc=(0,1592Vmax)2/R; P’ac=V’rmsI’rms=(0,3536Vmax)2/R.
a) La eficiencia será:
Pdc′ (0,1592Vmax ) 2
η= = = 0,2027 → (20,27% )
Pac′ (0,3536Vmax )2
b) El factor de forma valdrá:
′
Vrms 0,3536
FF ′ = = = 2,221 → (222,1% )
Vdc′ 0,1592
c) Calculamos ahora el factor de rizado:
RF ′ = FF ′ 2 − 1 = 1,983 → (198,3% )
d) Para calcular el factor de utilización necesitamos obtener antes lo siguiente:
Tensión eficaz en el secundario → VS = Vmax 2 = 0,707Vmax
Intensidad eficaz en el secundario → I S = 0,3536Vmax / R
(El valor eficaz de la intensidad por el secundario será igual a la que circule por la carga.)
0,3536Vmax
Potencia aparente del transformador → S = VS I S = 0,707Vmax
R
TUF =
Pdc′
=
(0,1592)2 = 0,1014 → 1 = 9,86
VS I S (0,707 )(0,3536) TUF
e) La tensión inversa de pico en el tiristor será:
PIV = Vmax

7.3.2 RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE MEDIA ONDA CON

CARGA INDUCTIVA
Fig 7. 13
Rectificador controlado monofásico de Media
Onda con carga RL.
El tiristor empieza a conducir para ωt = α, que será el retardo que introduzca el circuito de disparo.
Esto provoca la circulación de corriente y un voltaje en la bobina y en la resistencia vL y vR
respectivamente:
diC
vL = L = vS − vR v R = R iC
dt
En la siguiente gráfica podemos apreciar que:

- Para valores entre α y ωt1, vL es positiva.
- Cuando ωt = ωt1, vL se hace negativa y la corriente empieza a disminuir.
- Para ωt = ωt2 la corriente se anula y se cumplirá que A1=A2 (el área A1 es la tensión
acumulada en la bobina, y el área A2 será la descarga de tensión de la bobina sobre la
resistencia y la tensión de entrada con la carga actuando como generador).
Fig 7. 14
Formas de onda del rectificador controlado monofásico de
media onda con carga RL.
En la carga habrá corriente para α < ωt < ωt2, donde ωt2 es el
punto representado en la figura en el cual cesa la corriente.
Durante el tiempo que circula intensidad por la carga se
cumple que vC=vS.
Expresión de la corriente instantánea en la carga: A partir del disparo del tiristor se

cumple en el circuito la siguiente ecuación:
diC
R iC + L = Vmax Senωt
dt
Para iC (ωt = α) = 0:
α −ωt
V ⎡ ⎤
iC = max ⎢ Sen(ωt − ϕ ) − Sen(α − ϕ )e
Q
⎥
Z ⎢⎣ ⎥⎦ E 7.25
donde:

⎛ Lω ⎞ Lω
Z = R 2 + L2ω 2 ϕ = arcsen⎜ ⎟ Q = tgϕ =
⎝ Z ⎠ R
La corriente se anulará para un ωt2 que cumpla:

α −ωt 2
Sen(ωt 2 − ϕ ) = Sen(α − ϕ )e Q
E7.26
www.ipes.ethz.ch
PROBLEMA 7. 10
Un rectificador controlado monofásico de media onda con carga RL, como el mostrado en la
figura 7.13, es conectado a una tensión de secundario VS=240V, 50Hz, y a una carga L=0,1H en
serie con R=10Ω. El tiristor se dispara con α=90° y se desprecia la caída de tensión del mismo en
directo.
a) La expresión que nos da la corriente instantánea en la carga.

b) Tensión media en la carga.
c) Corriente media en la carga.
d) Coeficientes de Fourier de la corriente de entrada iS, y el factor de potencia de entrada
PF, con ayuda de Pspice.
DATOS: VS = 240V; f =50Hz; R = 10Ω; L = 0,1H
Solución:
Calculamos los valores máximos de la tensión de secundario y la intensidad:
Vmax 339,4
Vmax = 240 2 = 339,4V I max = = = 33,94 A
R 10
a) Usando la ecuación [E7.25] y sustituyendo en ella los siguientes valores:
⎛ Lω ⎞
Z = R 2 + L2ω 2 = 32,97Ω; ϕ = arcsen⎜ ⎟ = 72,3° = 1,262rad ;
⎝ Z ⎠
Q = tgϕ = 3,135; α = 90° = 1,571rad ; ω = 2πf ;
…

…
⎡ 1, 571−394 ,16 t
⎤
iC = 10,30⎢ Sen(314,16t − 1,262) − 0,304e 3,135 ⎥
⎢⎣ ⎥⎦
b) La tensión media en la carga será:
1 ωt 2
Vdc′ =
2π ∫
90°
339,4 Senωt dωt
Por tanteo y ayudados por la expresión [E7.26], obtenemos que t=0,0136sg para un ángulo en el
que se anula la corriente iC, ωt2=245°. Por lo tanto ya podemos resolver la ecuación de la tensión
media en la carga obteniendo: Vdc′ = 22,8V
Para verlo más claro nos ayudamos de la simulación por Pspice, donde se aprecia un valor de t =
13,582mseg, muy similar al obtenido por tanteo:
c) La intensidad en la carga será:
Vdc′ 22,8
′ =
I dc = = 2,28 A
R 10
d) Para la obtención de los coeficientes de Fourier y el factor de potencia tenemos el
montaje y el listado para la simulación mediante Pspice:

Problema7_10: RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE M.O. CON CARGA RL

VS 1 0 SIN (0V 339.4V 50HZ 0S 0S 0DEG)
VG 5 2 PULSE (0V 10V 5MS 1NS 1NS 100US 20MS)
R 2 3 10HM
L 3 4 0.1H
VX 4 0 DC 0V
XT1 1 2 5 2 SCR
* Insertar subcircuito del SCR
.PROBE
.FOUR 50HZ I(VX)
.END
7.3.3 RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE MEDIA ONDA CON

DIODO VOLANTE Y CARGA INDUCTIVA
Fig 7. 15
Rectificador controlado monofásico de media
onda con diodo volante y carga inductiva.
Cuando la carga es muy inductiva, conviene
poner un diodo en paralelo con la carga, el cual
evita la presencia de tensiones inversas en la
carga.
Mientras el tiristor está conduciendo, la intensidad en la carga viene dada por la ecuación:
⎛ di ⎞
v C = R i C + L⎜ C ⎟
⎝ dt ⎠
Cuando la tensión del secundario se haga negativa, en la carga la tensión se anulará y la corriente
decrecerá exponencialmente. Si observamos las formas de onda de la figura 7.16, apreciamos que si
el valor de la corriente disminuye por debajo del valor de mantenimiento, la corriente en la carga se
hará discontinua (disparo del tiristor para α grande, figura “b”). En la figura “a”, cuando se produce
el disparo del tiristor en el siguiente ciclo de la tensión de entrada, aún existe circulación de corriente
en la carga, así que tendremos conducción continuada (α pequeño).
Tensión media en la carga:
1 π Vmax
Vdc′ = ∫ Vmax Senωt dωt = (1 + Cosα )
2π 0 2π E 7.27
Por lo tanto, cuando se dispara el tiristor con α elevado, menor será el valor de la tensión media en la
carga, siendo cero para α =180°.

Fig 7. 16
Formas de onda en un rectificador monofásico de media onda con carga inductiva y diodo volante:
a) Con un ángulo de retardo α pequeño.
b) Con un ángulo de retardo α grande.
El hecho de colocar un diodo volante tiene dos grandes ventajas:
I. Prevenir de posibles valores negativos de tensión en la carga.
II. Permitir que el tiristor pase al estado de bloqueo una vez alcanzada la tensión de secundario
valor cero; entonces se deja de transferir intensidad a la carga mediante el tiristor.

PROBLEMA 7. 11
Un rectificador controlado monofásico de media onda con diodo volante, es usado para
proporcionar a una carga altamente inductiva unos 15A, con una tensión de alimentación de
240V eficaces. Despreciando la caída de tensión en el tiristor y en el diodo.
a) Tensión media en la carga para los ángulos de retardo: 0°, 45°, 90°, 135°,180°.
b) Especificar requisitos de intensidad eficaz y tensión inversa de pico que tiene que
soportar el tiristor (PIVT).
c) Especificar requisitos de intensidad eficaz y tensión inversa de pico que tiene que
soportar el diodo (PIVD).
Solución:
a) Con la ecuación estudiada anteriormente, hallamos la tensión media en la carga para los
distintos valores de α dados:
Vmax
Vdc′ = (1 + Cosα ) , donde Vmax=240 2 =339,4 V
2π
α 0° 45° 90° 135° 180°

Vdc 108 V 92 54 V 16 V 0V
b) Los requisitos para el tiristor serán:
- La tensión inversa de pico que debe soportar el tiristor coincidirá con la tensión máxima
de alimentación:
PIVT = Vmax = 339,4V
- La corriente eficaz que atravesaría el tiristor suponiendo que esté conduciendo durante
todo el periodo de la señal sería de 15A. Sin embargo, será para α=0° el tiempo máximo
que estará conduciendo, ya que para este valor conducirá medio semiciclo. Por lo tanto
la corriente eficaz para medio semiciclo será:
1 π
I T (rms ) = ∫ 15 dωt = 10,6 A
2
2π 0
c) Los requisitos para el diodo serán:
- La tensión inversa a soportar será:
PIVD = Vmax = 339,4V
- El valor eficaz de corriente que conviene que soporte será de 15A, ya que cuando el
ángulo de disparo del tiristor tiene valores cercanos a 180°, el diodo puede conducir
para casi todo el periodo de la tensión de alimentación:
1 2π
I D ( rms )=
2π ∫
0
15 2 dωt = 15 A

7.3.4 RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFÁSICO DE MEDIA ONDA:

CARGA RLE
Fig 7. 17
Montaje para el rectificador controlado monofásico de media onda con carga
RLE.
Para el estudio, vamos a definir los siguientes parámetros:
- m : relación entre la F.E.M. y la Vmax del secundario → m = E/Vmax

- λ y λ’: ángulos para los que la tensión en el secundario es igual al valor de la F.E.M. →
(Vmax Senλ = E; Vmax Senλ’= E)
⎛ E ⎞
λ = arcsen⎜⎜ ⎟⎟ = arcsen m λ′ = π− λ
⎝ Vmax ⎠
Debemos aprovechar el momento en que la tensión alterna en el secundario, menos la tensión E de la
batería, tenga un valor positivo para aplicar un impulso a la puerta del tiristor y que este pase a
conducir. Esto significa que el disparo se ha de producir entre λ y λ’ para que Vak > 0.
E ⎛ E ⎞
Vmax Senα − E ≥ 0 → Vmax Senα ≥ E → Senα ≥ → α ≥ arcsen⎜⎜ ⎟⎟
Vmax ⎝ Vmax ⎠
Si el disparo se produce antes de que se cumpla esta condición para α, y el impulso fuera de corta
duración, el tiristor no conduciría.
Fig 7. 18
Formas de onda para el rectificador controlado
monofásico de media onda con carga RLE. Están
representadas la tensión del secundario, impulso de
disparo en puerta, tensión en la carga e intensidad en la
carga.

Si el disparo se produce para un ángulo de retardo α, tal que λ ≤ α ≤ λ’, se cumplirá que:
⎛ di ⎞
Vmax Senωt − E = R iC + L⎜ C ⎟
⎝ dt ⎠
Y de esta ecuación, para iC(ωt=α) = 0 obtenemos:
α −ωt
E Vmax ⎡ ⎡E Z ⎤ Q ⎤
iC = − + ⎢ Sen(ωt − ϕ ) + ⎢ − Sen(α − ϕ )⎥ e ⎥
R Z ⎢⎣ ⎣ R Vmax ⎦ ⎥⎦ E 7.28
Sabiendo que:
Lω ⎛ Lω ⎞ Lω
Z = R 2 + L2ω 2 ; Senϕ = → ϕ = arcsen⎜ ⎟; Q = tgϕ =
Z ⎝ Z ⎠ R
Si θ es el ángulo de conducción, la corriente se anulará para un ángulo ωt= α +θ=ωt1, y así se
cumplirá que:
( )
α −ωt1
Senωt1 − QCosωt1 = m + mQ − mQ + Q 1 − m e
2 2 2 Q
E 7.29
7.4 Rectificadores monofásicos de onda completa
7.4.1 RECTIFICADOR CON TRANSFORMADOR DE TOMA INTERMEDIA
Fig 7.19
Montaje para el rectificador con transformador de toma
intermedia.
Fig 7.20
Formas de onda.
Para este montaje se utiliza un transformador con toma intermedia, que será el encargado de
proporcionarnos dos tensiones (vS1 y vS2), de igual magnitud y con un desfase entre ellas de 180º.


T
2 2 V 2V
∫ Vmax Senωt dωt = max [− Cosωt ]0 = max = 0,636Vmax
π
Vdc =
T 0 π π E 7.30

T
2 2 V
Vrms = ∫ (Vmax Senωt ) dωt = max = 0,707Vmax
2
T 0 2 E 7.31
Regulación: Vamos a considerar la resistencia del devanado secundario (Rs) y del diodo (Rd):
2Vmax
Vdc (en plena carga ) = − I dc ( Rs + Rd )
π
Vdc (en vacio ) − Vdc (en plena carga ) ⎛ 2V ⎞
r (% ) = × 100 = ⎜ max − I dc (Rs + Rd )⎟ × 100
Vdc (en plena carga ) ⎝ π ⎠ E 7.32
Factor de forma:
Vmax
Vrms 2 = 1,11 → (111% )
FF = =
Vdc 2Vmax E 7.33
π
Factor de rizado:
2
⎛V ⎞
FR = ⎜⎜ rms ⎟⎟ − 1 = 0,482 → (48,2% )
⎝ Vdc ⎠ E 7.34
Si comparamos este último resultado con el factor de rizado del rectificador de media onda (121%),
podemos observar que se ha producido una considerable reducción.
VRRM: Es fácil demostrar que el valor de tensión de pico inverso máximo que soportarán cada uno de
los diodos que forman éste montaje se corresponde con 2 VSmax.
Corriente en los diodos:

I max I max
I dc ( D1 ) = I dc ( D2 ) = I rms ( D1 ) = I rms ( D2 ) =
π 2 2 E 7.35
Potencia aparente en el secundario (S):

Vmax
S = 2VS I S = (2 )(0,707 )Vmax ⋅
2R E 7.36
Potencia media en la carga:
(0,636Vmax )2
Pdc =
R E 7.37
(0,707Vmax )2
Pac =
R E 7.38

Rendimiento: también conocido como eficiencia, se obtiene con la relación entre la potencia
continua y eficaz en la carga:
(0,636Vmax )2
η= R = 0,81 → (81% )
(0,707Vmax ) 2
E 7.39
R
Factor de utilización del transformador:
Pdc
TUF = = 0,5732 → (57,32% )
S E 7.40
Después de este análisis hemos podido observar que el rendimiento de este tipo de transformador es
el doble del monofásico de media onda, lo cual, unido a la duplicación de la intensidad media, y a la
notable reducción del rizado, implica una clara mejora.
Cabe destacar que la frecuencia en el fundamental de media onda era de 50Hz, y ahora, la frecuencia
valdrá el doble, o sea 100Hz.
Si hubiera que destacar un inconveniente, este sería el hecho de que los diodos soporten un valor
inverso doble al que soportaban para el rectificador de media onda, pero esto tampoco supone un
problema grande para los diodos que existen en el mercado.
PROBLEMA 7. 12
Dado un rectificador de onda completa con transformador de toma intermedia con carga RL,
obtener la expresión de la tensión en la carga vC(t), usando el método de descomposición en
series de Fourier.
Solución:
Expresando la tensión de salida vC en series de Fourier tenemos:
∞
vC (t ) = Vdc + ∑ (a Cosωt + b Sen nωt )
n n
n = 2 , 4 ,...
donde :
1 2π 2 π 2Vmax
Vdc = ∫ vC (t )dωt = ∫ Vmax Senωtdωt =
2π 0 2π 0 π
1 2π 2 π
an = ∫ vC (t )Cos nωtdωt = ∫ Vmac SenωtCos nωtdωt =
π 0 π 0
4Vmax ∞
−1
=
π
∑ (n − 1)(n + 1)
n = 2 , 4 ,...
1 2π 2 π
bn =
π ∫ 0
vC Sen nωtdωt =
π ∫
0
Vmax SenωtSen nωtdωt = 0
La tensión instantánea en la carga, al sustituir cada término por su valor quedará:
2Vmax 4Vmax 4V 4V
vC (t ) = − Cos 2ωt − max Cos 4ωt − max Cos 6ωt − ...
π 3π 15π 35π

7.4.2 PUENTE RECTIFICADOR CON DIODOS
Fig 7. 21
Montaje para el puente rectificador
con diodos
Fig 7. 22
Forma de onda en la carga para el puente
rectificador con diodos.
Como se puede observar, se obtiene en la carga la
misma forma de onda que en el caso del
rectificador con transformador de toma intermedia.
Recibe el nombre de puente rectificador, por estar formado por cuatro diodos conectados en puente y
su principal ventaja respecto al otro rectificador de onda completa es que no necesita transformador
de toma intermedia.
Durante el semiciclo positivo de la señal de entrada conducirán D2 y D4, mientras que D1 y D3 estarán
polarizados inversamente. Así, en el semiciclo negativo sucederá lo contrario.
Los parámetros característicos son prácticamente iguales que para el rectificador con transformador
de toma intermedia, excepto la tensión inversa máxima que soporta cada diodo, que en este caso será
Vmax.
Puedes comprobar el funcionamiento de este circuito en la siguiente aplicación Java del Power
Electronics Systems Laboratory (IPES), (Rectificadores en puente de diodos monofásicos. Carga
Resistiva)
www.ipes.ethz.ch
Fig 7.23 Rectificador en puente de diodos monofásicos

Dado un puente rectificador monofásico de onda completa, con carga resistiva.

Calcular:

DATOS: R = 20Ω; VS = 240V; f = 50Hz
Solución: Vp(carga) = 339,4V; Ip(carga) = 16,97A; Vdc = 216V; Idc=10,8; Irms=12A; Pac=2880W
7.4.3 ESTUDIO PARA UNA CARGA RL ALTAMENTE INDUCTIVA
Fig 7. 24
Formas de onda para el puente rectificador monofásico,
con carga altamente inductiva.
El efecto de este tipo de carga es fácilmente apreciable mirando las formas de onda. La corriente en
la carga será constante y tendrá un valor IC.

Dado un puente rectificador monofásico de onda completa, con carga Rl, altamente
inductiva.
Calcular:
d) Corriente de pico en la carga.
f) Potencia en la carga.
g) Corriente media en los diodos.
DATOS: R = 20Ω; VS = 240V; f = 50Hz

Solución: Vp(carga) = 339.4V; Vdc = 216V; Idc = 10.8V; Ip(carga) = 10.8A; Irms = 10.8A;
Pc = 2334W, ID(dc) = 5.4A
7.4.4 ESTUDIO PARA UNA CARGA RLE
Cuando introducimos una carga RL, la forma de onda de la intensidad en la carga dependerá de los
valores de R y L:
Fig 7. 25
Formas de onda en el puente rectificador monofásico con
carga RL.
Para el estudio que vamos a realizar añadiremos la tensión de una batería (E) en la carga.
Sabemos que la tensión en el secundario es VS = Vmax Senωt , así que la corriente que circulará por la
carga la obtendremos de:
⎛ di ⎞
L⎜ C ⎟ + RiC + E = Vmax Senωt
⎝ dt ⎠
R
Vmax − t E
iC = Sen(ωt − ϕ ) + A1e L −
Z R E 7.41

⎛ ωL ⎞
Z = R 2 + ω 2 L2 ϕ = arctg ⎜ ⎟
⎝ R ⎠
Caso 1: Corriente continuada en la carga: La constante A1 de la ecuación [E7.41] se puede hallar
partiendo de la condición ωt = π , iC = I 1 .
⎛ Rπ ⎞
⎛ E V ⎞ ⎜ ⎟
A1 = ⎜ I 1 + − max Senϕ ⎟ e ⎝ Lω ⎠
⎝ R Z ⎠
Y sustituyendo en la ecuación [E7.41]:
R⎛ π ⎞
Vmax ⎛ E V ⎞ ⎜ −t ⎟
iC = Sen(ωt − ϕ ) + ⎜ I 1 + − max Senϕ ⎟ e L ⎝ ω ⎠
Z ⎝ R Z ⎠ E 7.42
Si aplicamos unas condiciones iniciales tales que:

⎛ Rπ ⎞
−⎜ ⎟
⎝ Lω ⎠
Vmax 1+ e E
I1 = Senϕ ⎛ Rπ ⎞
− para I1 ≥ 0
Z −⎜ ⎟ R E 7.43
1− e ⎝ Lω ⎠
Sustituyendo en [E7.42] y simplificando:
⎡ ⎛R ⎞⎤
Vmax ⎢ 2 −⎜ t ⎟ E
iC = Sen(ωt − ϕ ) + Senϕe ⎝ L ⎠ ⎥ −
Z ⎢ ⎛
−⎜
R π ⎞
⎟ ⎥ R E 7.44
⎣⎢ 1− e ⎝ Lω ⎠ ⎦⎥
para 0 ≤ ωt ≤ π e iC ≥ 0
Ya que conducirán durante medio semiciclo, la corriente eficaz en los diodos será:
1 π
∫ (i ) dω t
2
I D ( rms ) =
2π
C
0
La corriente eficaz en la carga la obtendremos a partir de la tensión eficaz en los diodos para un
periodo completo:
I rms = (I D ( rms ) ) + (I
2
D ( rms ) )
2
= 2 I D (rms )
La corriente media en los diodos será:

1 π
I D ( dc ) =
2π ∫ 0
iC dωt
Caso 2: Corriente discontinua en la carga: Solo circulará corriente en la carga durante un periodo
ωt1 ≤ ωt ≤ ωt 2 .El diodo comenzará a conducir para ωt = ωt1 , y este vendrá dado por:
⎛ E ⎞
ωt1 = arcsen⎜⎜ ⎟⎟
⎝ Vmax ⎠

Con la ecuación [E7.41] y para valores ωt = ωt1 , iC (ωt ) = 0 :
⎛ Rωt1 ⎞
⎛E V ⎞ ⎜ ⎟
A1 = ⎜ − max Sen(ωt1 − ϕ )⎟ e ⎝ Lω ⎠
⎝R Z ⎠
Si sustituimos este valor en la ecuación [E7.41]:
R ⎛ ωt ⎞
Vmax ⎛ E Vmax ⎞ L ⎜⎝ ω −t ⎟⎠
1
iC = Sen(ωt − ϕ ) + ⎜ − Sen(ωt1 − ϕ )⎟ e
Z ⎝R Z ⎠ E 7.45
Para ωt = ωt 2 , la corriente en la carga se hace cero:
R ⎛ ωt1 −ωt 2 ⎞
Vmax ⎛E V ⎞ ⎜ ⎟
Sen(ωt 2 − ϕ ) + ⎜ − max Sen(ωt1 − ϕ )⎟ e L ⎝ ω ⎠
=0
Z ⎝R Z ⎠
Se puede calcular ωt2 aplicando un proceso iterativo de ensayo y error en la anterior ecuación.
La corriente eficaz en los diodos será:
1 ω
∫ω (i )
t2
dω t
2
I D ( rms ) =
2π
C
t1
Y la tensión media en los diodos es:

1 ωt 2
I D ( dc ) =
2π ∫ω t1
iC dωt
PROBLEMA 7. 13
Dado un puente rectificador monofásico de onda completa y con carga RLE.

a) Corriente en la carga I1, para condiciones iniciales ωt =0.

b) Corriente media en los diodos.
c) Corriente eficaz en los diodos.
d) Corriente eficaz en la carga.
e) Obtener gráficamente la representación instantánea de la intensidad de entrada,
intensidad en la carga y la tensión en la carga, mediante Pspice.
f) Calcular los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada y el factor de potencia de
entrada.
DATOS: R = 2,5 Ω; L=6,5mH; E=10 V; VP=120 V; f =50Hz
Solución:
Vamos a suponer que la corriente en la carga es continuada. Si no estamos en lo cierto

obtendremos un valor para dicha corriente igual a cero, y tendremos que volver a hacer los
cálculos para una corriente discontinua.
Vmax = 2VS = 2 (120 ) = 169,7V ω = 2πf = 2π 50 = 314,16rad / s
⎛ ωL ⎞
Z = R 2 + ω 2 L2 = 3,228Ω ϕ = arctg ⎜ ⎟ = 39,24°
⎝ R ⎠
…

a) Usando la ecuación [E7.43] calculamos el valor de la corriente en la carga para ωt=0:
I 1 = 27,7 A
La suposición del principio será cierta, ya que I1>0.
b) Sacamos la corriente media en los diodos mediante la integración numérica de iC en la

ecuación [E7.44]:
I D ( dc ) = 19,6 A
c) La corriente eficaz en los diodos la determinamos mediante la integración numérica de

(iC)2 entre los límites ωt=0 y π :
I D ( rms ) = 28,74 A
d) Calculamos ahora la corriente eficaz en la carga:
I rms = 2 I D ( rms ) = 40,645 A
e) A continuación se muestran el esquema y el listado necesarios para la simulación

mediante Pspice.
Problema7_13: PUENTE RECTIFICADOR MONOFASICO CON CARGA RLE

VS 1 0 SIN (0 169.7V 50HZ)
R 3 5 2.5
L 5 6 6.5MH
VX 6 4 DC 10V
VY 1 2 DC 0V
D1 2 3 DMOD
D2 0 3 DMOD
D3 4 2 DMOD
D4 4 0 DMOD
.TRAN 10US 60MS 20MS 10us
.FOUR 50HZ i(VY)
.PROBE
.END

Podemos apreciar en las formas de onda obtenidas con Pspice, que I1=29,883A.
f) Necesitaremos obtener los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada para poder

calcular el factor de potencia de entrada:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(VY)


1 5.000E+01 5.357E+01 1.000E+00 -1.242E+01 0.000E+00
2 1.000E+02 3.549E-02 6.624E-04 9.130E+01 1.037E+02
3 1.500E+02 1.183E+01 2.208E-01 2.626E+01 3.868E+01
4 2.000E+02 4.846E-02 9.045E-04 8.847E+01 1.009E+02
5 2.500E+02 7.427E+00 1.386E-01 1.663E+01 2.905E+01
6 3.000E+02 3.617E-02 6.753E-04 9.175E+01 1.042E+02
7 3.500E+02 5.388E+00 1.006E-01 1.236E+01 2.477E+01
8 4.000E+02 4.797E-02 8.955E-04 8.787E+01 1.003E+02
9 4.500E+02 4.205E+00 7.850E-02 1.014E+01 2.256E+01
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 2 902541E+01 PERCENT
Corriente media de entrada, I S ( dc ) = 0,0245 A ≅ 0A

Corriente eficaz de entrada del fundamental, I 1( rms ) = 53,57 2 = 37,88
Distorsión armónica total de la corriente de entrada, THD = 29,02% = 0,2902
Corriente armónica eficaz, I h ( rms ) = I 1( rms ) × THD = 11
…

…
Corriente eficaz de entrada, I S = (I S ( dc ) ) + (I ( ) ) + (I ( ) )
2
1 rms
2
h rms
2
= 39,44 A
Ángulo de desplazamiento, Φ 1 = −12,42
Factor de desplazamiento, DF = CosΦ 1 = 0,976 (en retraso )
El factor de potencia será:
VS I 1( rms )
PF = CosΦ 1 = 0,937 (en retraso )
VS I S
Si usamos THD para calcularlo:
1
PF = CosΦ 1 = 0,937
1 + THD 2
En esta ocasión ambos valores son iguales debido a que la componente continua es de un valor
insignificante.
7.5 Puente rectificador monofásico totalmente controlado

7.5.1 CARGA RESISTIVA
Fig 7. 26
a) Montaje para el puente rectificador monofásico totalmente controlado.
En este montaje, los diodos que formaban el puente rectificador no controlado se sustituyen por tiristores, haciendo posible el control de
fase de una onda complete de la señal de entrada.
b) Formas de onda del puente rectificador totalmente controlado, con carga resistiva. Están representadas las formas de onda de la
intensidad en el secundario y la tensión en la carga.
Los tiristores T1 y T4 conducirán durante el semiciclo positivo de la entrada, y los T2 y T3 en el

negativo. Eso quiere decir que los tiristores se dispararán de dos en dos con un ángulo de retardo α.

2 π 1 Vmax
Vdc′ = ∫α V Senωt dωt = Vmax (− Cosπ + Cosα ) = (1 + Cosα )
2π π π
max
E 7.46
2Vmax
Para α =0° (actuando como diodos), la tensión media en la carga será Vdc y su valor: Vdc =
π
Intensidad eficaz en la carga:
1 π I max ⎡ ⎛ α ⎞ ⎛ Sen2α ⎞⎤
′ = ∫α (I Senωt ) dωt =
2
I rms
2π
max ⎢1 − ⎜ π ⎟ + ⎜ 2π ⎟⎥
2 ⎣ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎦ E 7.47

Pac′ = (I´ rms ) ⋅ R
2
E 7.48
PROBLEMA 7. 14
Dado un puente rectificador monofásico totalmente controlado como el mostrado en la figura

7.26 a), calcular lo siguiente:

d) Intensidad media en la carga.
g) Tensión media en los tiristores.
h) Potencia del generador y factor de potencia.
DATOS: R=20 Ω; VS=240V
Solución:
a) La tensión de pico en la carga será (para α< 90°):
V p (c arg a ) = Vmax = 2VS = 240 2 = 339,4V
b) Ayudándonos del valor anterior calculamos la corriente de pico en la carga:
V p (c arg a )
I p (c arg a ) = = 16,97 A
R
c) La tensión media en la carga es:
2 339,4
[1 + Cos 40°] = 190,8 A
π
Vdc′ =
2π ∫40°
Vmax Senωt dωt =
π
d) La corriente media la calculamos usando la tensión media en la carga:
Vdc′ 190,8
′ =
I dc = = 9,54 A
R 20
e) Con la ecuación [E7.47] calculamos la corriente eficaz en la carga:
I max I max ⎡ ⎛ α ⎞ ⎛ Sen2α ⎞⎤

′ = ∫ (I ) (Senωt ) dωt =
2 2
I rms
2π
max ⎢1 − ⎜ π ⎟ + ⎜ 2π ⎟⎥ = 11,60 A
2 ⎣ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎦
f) El valor anterior nos sirve para el cálculo de la potencia eficaz en la carga:
Pac′ = (I rms
′ ) R = 2691W2
…

g) La corriente media que atravesará los tiristores será:
′
I dc 9,54
I T (dc ) = = = 4,77 A
2 2
h) La potencia del generador:
S = Vrms ⋅ I rms = 240V ⋅ 11,60 A = 2784VA
Y el factor de potencia:
P 2691
FP = = = 0,967
S 2784
7.5.2 ESTUDIO PARA UNA CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA, CORRIENTE

CONTINUADA
En el circuito presentado suponemos que la carga es altamente inductiva, de tal forma que la
corriente en la carga es continua y libre de componentes ondulatorias.
Debido a la carga inductiva, los tiristores que conducen durante el semiciclo positivo de la señal de
entrada, seguirán conduciendo más allá de ωt = π, aun cuando el voltaje de entrada sea negativo.
Las formas de onda para este caso están representadas en la siguiente figura:
Fig 7. 27
Formas de onda para un puente rectificador controlado con carga
altamente inductiva. Este tipo de carga provoca que la corriente en la
carga IC, sea de valor constante. Se han representado la tensión en la
carga, intensidad en la carga e intensidad en el secundario del
transformador.


2 ⎛2⎞
Vdc′ =
2π ∫V max Senωt dωt = ⎜ ⎟Vmax Cosα
⎝π ⎠ E 7.49
Fig 7. 28
a) Cuadrantes de funcionamiento del puente rectificador monofásico totalmente controlado. Como podemos apreciar, puede trabajar en el
primer y cuarto cuadrante.
b) Modos de funcionamiento del puente rectificador monofásico totalmente controlado:
a) Como rectificador (0° < α < 90°): Tensión media en la carga positiva.
b) Como ondulador (90°< α < 180°): Tensión media en la carga negativa.
Durante el periodo que va desde α a π, el voltaje de entrada y la corriente de entrada son positivos; la
potencia fluye de la alimentación a la carga. Se dice que el convertidor opera en modo rectificación.
Durante el periodo π hasta π + α, el voltaje de entrada es negativo y la corriente de entrada positiva;

existiendo un flujo inverso de potencia, de la carga hacia la alimentación. Se dice que el convertidor
opera en modo inversor. Dependiendo del valor de α, el voltaje promedio de salida puede ser positivo
o negativo y permite la operación en dos cuadrantes (modo rectificador y modo inversor u
ondulador). Los dos modos de funcionamiento del rectificador se pueden apreciar en la figura 7.28b).
Fig 7.29
En estas figuras se puede observar la tensión de entrada, la intensidad
suministrada por el secundario del transformador y la componente
fundamental de esta corriente, para diferentes valores del ángulo de
retardo, El ángulo de desfase de IS, como se puede ver coincide con el
ángulo de reatrdo α.

Un método para determinar la tensión y la corriente de salida en el caso de corriente continuada es

utilizar la serie de Fourier. La expresión general de la serie de Fourier para la forma de onda de
tensión en el caso de corriente continua es:
∞
v0 (ωt ) = V0 + ∑ Vn cos(nωt + θ n )
n =1
α +π
1 2Vm
El valor (medio) en continua es: V0 = ∫V sen(ωt )d (ωt ) = cos α
π π
m
α
Las amplitudes de los términos de alterna se calculan a partir de Vn = a n2 + bn2 , donde:
2Vm ⎡ cos(n + 1)α cos(n − 1)α ⎤ 2Vm ⎡ sen(n + 1)α sen(n − 1)α ⎤
an = ⎢ − ⎥ ; bn = − ; n = 2, 4, 6…
π ⎣ n +1 n −1 ⎦ π ⎢⎣ n + 1 n − 1 ⎥⎦
La serie de Fourier para la corriente se determina utilizando superposición.
2
⎛ I ⎞∞
La corriente eficaz se determina a partir de I rms = I + ∑ ⎜ n ⎟ , donde:
2
0
n = 2 , 4 , 6... ⎝ 2⎠
V V Vn
I0 = 0 ; In = n =
R Zn R + jnω 0 L
PROBLEMA 7.15
Un rectificador controlado de onda completa en puente, utiliza un generador de 120Vrms a 60Hz

y una carga R-L, donde R = 10Ω y L = 100mH. El ángulo de disparo es α = 60º. Calcular:
(a) La expresión de la corriente en la carga.

(b) La componente continua (media) de la corriente.
(c) La potencia absorbida por la carga.
Solución: V0 = 54V; Irms = 5,54A; P = 307W

[Hart]
Dado un puente rectificador monofásico totalmente controlado con carga RL altamente

inductiva.
Calcular:

d) Corriente de pico en la carga.
f) Potencia en la carga.
g) Corriente media en los tiristores.
DATOS: R = 20Ω; VS = 240V; α = 40°

Solución: Vp(carga) = 339,4V; V’dc = 165,5V; I’dc = 8,28A; Ip(carga)=8,28A; I’rms=8,28A;
P’C=1370W; IT(dc)=4,14A.
…


CD7_4: PUENTE RECTIFICADOR MONOFASICO TOTALMENTE CONTROLADO CON CARGA RLE
*DEFINICION DE PARAMETROS
.PARAM VM={120*SQRT(2)}; VALOR DE LA TENSIÓN DE PICO DE ENTRADA
.PARAM ALFA=40; GRADOS DEL ANGULO DE RETARDO
.PARAM RETARDO1={ALFA*20MS/360}; RETARDO EN SEGUNDOS
.PARAM RETARDO2={ALFA*20MS/360+10MS}
.PARAM PW={1MS}
VS 1 0 SIN (0V {VM} 50HZ 0S 0S 0DEG)
VG1 3 5 PULSE (0V 10V {RETARDO1} 1NS 1NS 100US 20MS)
L 9 10 6.5MH
VE 10 11 DC 10V
VY 1 2 DC 0V
VX 11 6 DC 0V
XT1 2 5 3 5 SCR
XT2 0 5 7 5 SCR
XT3 6 2 4 2 SCR
XT4 6 0 8 0 SCR
* SUBCIRCUITO DEL SCR
.SUBCKT SCR 1 2 3 2
S1 1 5 6 2 SMOD
RG 3 4 50HM
VX 4 2 DC 0V
VY 5 7 DC 0V
DT 7 2 DMOD
RT 6 2 1HM
CT 6 2 10UF
F1 2 6 POLY (2) VX VY 0 50 11
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.0105 ROFF=10E+5 VON=0.5V VOFF=0V)
.MODEL DMOD D(IS=2.2E-15 BV=1200V TT=0 CJO=0)
.ENDS SCR
.PROBE
.FOUR 50HZ I(VY)
.END
7.5.3 CARGA RL, CORRIENTE DISCONTINUA
Iniciando el análisis para ωt = 0 y con corriente de carga nula, los SCR S1 y S2, del rectificador en
puente estarán polarizados en directa y S3 y S4 se polarizarán en inversa cuando la tensión del
generador se haga positiva. S1 y S2 se activarán cuando se les apliquen señales de puerta para ωt =α.

Cuando S1 y S2 están activados, la tensión de carga es igual a la tensión del generador. La función de
la corriente será:
− (ωt −α )
⎡
Vm ⎤
i0 (ωt ) = ⎢ sen (ω t − θ ) − sen (α − θ )e ωτ
⎥ para α ≤ ωt ≤ β
⎣Z ⎦
⎛ ωL ⎞ L
donde: Z = R 2 + (ωL ) ; θ = tan −1 ⎜ ⎟ y τ =
2
⎝ R ⎠ R
La función de corriente anterior se hace cero en ωt = β. Si β< π+α, la corriente será nula hasta
ωt=π+α, momento en el cual se aplicarán señales de puerta a S3 y S4, que quedarán polarizados en
directa y comenzarán a conducir.
7.5.4 CARGA RLE
PROBLEMA 7. 16
Un rectificador controlado utiliza un generador de alterna con una tensión eficaz de 240V a
60Hz, Vcc = 100V, R = 5Ω y una bobina de inductancia suficientemente grande como para
obtener corriente continua. Calcular:
a) El ángulo de disparo α para que la potencia absorbida por el generador de continua sea
1000W.
b) El valor de la inductancia que limitará la variación pico a pico de la corriente de carga a
2A.
Solución: α = 46º; L = 0,31H
[Hart]
www.ipes.ethz.ch
Fig 7. 30 Rectificador controlado onda completa monofásico

7.5.5 CARGA RL CON DIODO VOLANTE
Fig 7. 31
a) Montaje para el puente rectificador monofásico totalmente controlado con carga RL. Con el diodo volante se le proporciona otro camino
a la corriente que circula por la carga, además de iT1-T4 e iT2-T3, y prevenimos las tensiones negativas en la carga.
b) Formas de onda del puente rectificador monofásico totalmente controlado con carga RL y diodo volante. Se han representado la
intensidad en el secundario del transformador, tensión en la carga, intensidad en la carga e intensidad que circula por el diodo volante.
Podemos apreciar como la porción negativa de la tensión en la carga que teníamos en el montaje sin diodo volante se anula. En ese
intervalo la corriente que circula por los diodos y por el secundario se hace cero, circulando la intensidad por el diodo.

Vmax
Vdc′ = (1 + Cosα )
π E 7.50
Intensidad media en los tiristores: como por cada tiristor circulará corriente en cada periodo de la
tensión de entrada durante un tiempo π-α, entonces:
π −α ⎞
′ ⎛⎜
I T′ (dc ) = I dc ⎟
⎝ 2π ⎠ E 7.51
Intensidad media en el diodo volante: Por el diodo circulará corriente solo desde ωt=0 hasta ωt=α,
en cada semiciclo de la tensión de entrada:
α
′ ⎛⎜ ⎞⎟
I D′ (dc ) = I dc
⎝π ⎠ E 7.52

7.5.6 CONVERTIDOR MONOFÁSICO EN MODO INVERSOR
Para que el convertidor opere como un inversor, el generador de continua suministrará la potencia y
ésta será absorbida por el puente y transferida al sistema de alterna.
Para que el generador de continua suministre potencia, Vcc debe ser negativa. Para que el puente
absorba la potencia y ésta se transfiera al sistema de alterna, la tensión de salida del puente, Vo
también deberá ser negativa.
PROBLEMA 7.17
La tensión generada por un conjunto de células solares tiene un valor de 110V, conectada de
manera que Vcc = -110V. Las células solares son capaces de producir 1000W. El generador de
alterna presenta una tensión eficaz de 120V, R = 0,5 Ω y L es lo suficientemente grande como
para que la corriente de carga sea esencialmente continua. Calcular el ángulo de disparo α para
que el conjunto de células solares entregue 1000W. Calcular la potencia transferida al sistema de
alterna y las pérdidas en la resistencia. Suponer que los SCR son ideales.
Solución: α =165,5º; PR = 41W; P= 525,5W
[Hart]
7.6 Puente rectificador monofásico semicontrolado o mixto
También se suele usar una configuración en la que el ánodo de un diodo está unido al cátodo del otro,
y los tiristores también irán conectados así entre ellos, pero ocasiona problemas para controlar a los
tiristores porque ambos tienen distinta referencia.
Durante el semiciclo positivo el tiristor T1 estará en directo, y cuando ωt= α conducirán T1 y D2 en el

intervalo α ≤ ωt ≤ π. Cuando π≤ ωt ≤ π+ α en el secundario habrá una tensión negativa, provocando
el bloqueo de T1 y que este y D2 dejen de conducir, provocando la entrada en conducción del diodo
volante D3, que se encargará de transferir la corriente a la carga. En el semiciclo negativo tendremos
a T2 en directo y su conducción comenzará para ωt = π+α hasta ωt = 2π, conduciendo también D2.
A continuación se representa el montaje así como las formas de onda obtenidas con este tipo de
rectificador:

Fig 7. 32
a) Montaje para el rectificador monofásico semicontrolado. Se reemplazan por diodos uno de los grupos de conmutación que formaban el
puente totalmente controlado. En este montaje no hay posibilidad de obtener tensión negativa en la carga, así que solo trabajará en el
primer cuadrante del diagrama tensión-corriente
b) Formas de onda del puente rectificador semicontrolado con carga altamente inductiva. Se han representado la tensión en la carga,
intensidad en los tiristores, intensidad en los diodos del puente, intensidad en el secundario, intensidad en la carga e intensidad en el diodo
volante.

Vmax
2
(− Cosπ + Cosα ) = Vmax (1 + Cosα )
π
Vdc′ =
2π ∫α V max Senωt dωt =
π π E 7.53
Como la tensión máxima de salida se da para α =0, donde Vdc = (2Vmax/ π), el valor normalizado de la
tensión en la carga es:
Vdc′
Vn (dc ) = = 0,5(1 + Cosα )
Vdc E 7.54
Fig 7. 33
Característica de control del puente rectificador semicontrolado.
La tensión media en la carga puede variar desde (2Vmax/π) hasta 0, con la
regulación del ángulo de disparo α, desde 0 hasta π.

7.7 Rectificadores Polifásicos

Este tipo de circuitos se utilizarán para producir tensiones y correintes continuas para grandes cargas.
Se suele aumentar el número de fases para proteger a los diodos de tensiones o corrientes demasiado
elevadas. Además, la frecuencia de rizado en la carga también resulta determinante a la hora de usar
rectificadores polifásicos, ya que nos facilitan el rizado y disminuyen los elevados costes que
ocasionaría el gran tamaño de los filtros en rectificadores monofásicos para grandes potencias.
7.7.1 RECTIFICADORES POLIFÁSICOS DE MEDIA ONDA
A continuación se muestra el esquema de conexión del rectificador polifásico de media onda:
Fig 7. 34
Rectificador polifásico de media onda.
La “q” será el índice de conmutación del rectificador, que para el caso de
rectificadores polifásicos coincide con el número de fases.
El desfase entre dos fases sucesivas será 2π q , y sus tensiones serán:
VS 1 = Vmax Cosωt ;
VS 2 = Vmax Cos (ωt − 2π q ) ;
VS 3 = Vmax Cos (ωt − 4π q ) ...
VS (q −1) = Vmax Cos (ωt − 2π (q − 1) q ) ;
VSq = Vmax Cos (ωt − 2π )
Tomando ωt=0, el origen de tiempos que se corresponda con el valor máximo positivo de vS1, cabe
pensar que estarán conduciendo todas las fases polarizadas positivamente, pero en realidad pasa lo
siguiente: al conducir la fase que genera más tensión, en nuestro caso vS1, el nudo donde se
encuentran conectados todos los cátodos de los diodos adquirirá esta tensión y los diodos restantes se
encontrarán polarizados inversamente.
Cuando la tensión de la fase que conduce es igual a la de la fase siguiente, su diodo correspondiente
quedará polarizado directamente y conducirá, provocando el cese de la conducción de la fase
anterior. Este cese instantáneo de la corriente de una fase y el establecimiento de la corriente en la
fase siguiente (conocido como conmutación natural) se producirá en los instantes cuyos tiempos son:
π q, 3π q, 5π q
La tensión rectificada será una señal pulsante de periodo 2π/q, y se define por:
− π q < ωt < π q → vC = Vmax Cosωt

En caso de una carga resistiva pura, la forma de onda de la corriente en la carga será muy parecida a
la de la tensión en la carga y se define así:
vC Vmax
− π q < ωt < π q → iC = = Cosωt
R R
Fig 7. 35
Formas de onda del
rectificador polifásico de
media onda.

π
1 q ⎛π ⎞
Vdc =
2π ∫πv
q
−
q
C dωt =
π
Vmax Sen⎜⎜ ⎟⎟
⎝q⎠ E 7.55
q
A continuación se muestra un estudio de cómo aumenta la tensión media en la carga con el número
de fases:
Nº DE FASES Vdc
2 0,637 Vmax
3 0,826 Vmax
6 0,955 Vmax
48 0,999 Vmax
Tensión inversa de pico en los diodos: La tensión en extremos de un diodo cualquiera (D1), para
un sistema q-fásico será:

Si q es par: PIV = 2Vmax
Si q es impar: se puede demostrar que la tensión inversa de pico será:

⎛π ⎞
PIV = 2Vmax Cos⎜⎜ ⎟⎟
⎝ 2q ⎠ E 7.56
Corriente media en los diodos:

π
1 1 ⎛π ⎞
I D ( dc ) =
2π ∫πI
−
q
q
max Cosωt dωt = I max
π
Sen⎜⎜ ⎟⎟
⎝q⎠ E 7.57
Corriente eficaz en los diodos: tiene el mismo valor que la corriente por cada secundario del
transformador y será:
π
1 1 ⎡π 1 ⎛ 2π ⎞⎤
∫− (I max ) (Cosωt ) dωt
2 2
I D ( rms ) = I S = = I max ⎢ + Sen⎜⎜ ⎟⎟⎥
q
π
2π q
2π ⎣q 2 ⎝ q ⎠⎦ E 7.58
7.7.2 RECTIFICADOR CONTROLADO POLIFÁSICO DE MEDIA ONDA
Fig 7. 36 Rectificador controlado M-fásico de media onda y forma de onda de la tensión en la carga.
π
q +α q ⎛π ⎞
Vdc′ =
2π ∫
− +α
q
q
π Vmax Cosωt dωt =
π
Vmax Sen⎜⎜ ⎟⎟Cosα
⎝q⎠ E 7.59
7.7.3 RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA
Fig 7. 37
Rectificador trifásico
de M.O. los diodos
tienen sus cátodos
conectados a un punto
común, para que en
cualquier instante de
tiempo el diodo con el
mayor voltaje
aplicado conduzca,
mientras los otros dos
estarán polarizados
inversamente.

Se colocará el primario en triángulo para anular el tercer armónico de la tensión de la red.
Las tensiones de alimentación referidas al neutro, que se encuentran desfasadas 120°, serán:
⎛ 2π ⎞ ⎛ 2π ⎞
v an = Vmax Senωt ; vbn = Vmax Sen⎜ ωt − ⎟; vcn = Vmax Sen⎜ ωt + ⎟
⎝ 3 ⎠ ⎝ 3 ⎠
Fig 7. 38
a) Formas de ondas en el rectificador trifásico de media onda.
Cada diodo conduce alternativamente durante periodos de 120° (2π/3), o sea un tercio de periodo. Con esto se consigue un rectificador que
presenta un bajo factor de ondulación, en comparación con los monofásicos.
b) Límites de integración para el cálculo del valor medio de la tensión en la carga.

π
1 3 ⎛π ⎞
Vdc =
2π ∫πV
−
3
3
max Cosωt dωt =
π
Vmax Sen⎜ ⎟ = 0,827Vmax
⎝3⎠ E 7.60
3

Dado un rectificador trifásico de media onda con carga resistiva.

Calcular:
c) Corriente de pico en la carga.
e) Corriente de pico en los diodos.
f) Tensión inversa de pico en los diodos.
g) Corriente media en los diodos.
DATOS: R = 25Ω; VLS = 480V; f = 50Hz
Solución: Vp(carga) = 391,9V; Vdc = 324.1V; IP(carga) = 15.68V; Idc=12,96A; IP(diodo)=15,68A;

PIV=678,8V; ID(dc) =4,32A
*CD7_5:RECTIFICADOR TRIFASICO DE MEDIA ONDA

*************************************
* R CARGA CON POSIBILIDAD DE RLE CARGA
*********************************************************
*DEFINICION GENERAL DE PARAMETROS
***********************************
.PARAM RMS_INP_VOLT={230V}; VOLTAJE DE ENTRADA
.PARAM FREC={50Hz};FRECUENCIA DE LA SEÑAL DE ENTRADA
.PARAM LOAD_IMPED={1ohm}; RESISTENCIA DE CARGA
.PARAM LOAD_ANGLE={30deg};
.PARAM KE={0.5}
*
.PARAM PICOVOLT={SQRT(2/3)*RMS_INP_VOLT}
.PARAM PI={3.141593},RLOAD={LOAD_IMPED*COS(LOAD_ANGLE*PI/180)}
.PARAM LLOAD={LOAD_IMPED*SIN(LOAD_ANGLE*PI/180)/(2*PI*FREC)}
.PARAM ELOAD={KE*PICOVOLT}
***********************************************************************
VA AV 0 SIN(0 {PICOVOLT} {FREC} 0 0 0) ; FASE A
VB BV 0 SIN(0 {PICOVOLT} {FREC} 0 0 -120) ; FASE B
VC CV 0 SIN(0 {PICOVOLT} {FREC} 0 0 -240) ; FASE C
***********************************************************************
Rsource-A AV A 1mohm ; source resistance, phase A
Rsource-B BV B 1mohm ; source resistance, phase B
Rsource-C CV C 1mohm ; source resistance, phase C
********************************************************
DA A OUT Dgen ; diodo DA
DB B OUT Dgen ; diodo DB
DC C OUT Dgen ; diodo DC
*********************************************************
Rload OUT 0 {RLOAD} ; RESISTENCIA DE CARGA
*Lload RL LE {LLOAD} ; POSIBILIDAD DE INDUCTANCIA
*VEload LE 0 DC {ELOAD} ; POSIBILIDAD DE EMC
*********************************************
.MODEL Dgen D
**********************************************
.TRAN 10us 60ms 20.001ms 10us
.OPTIONS ABSTOL=1m RELTOL=1m VNTOL=1m ITL5=0
.PROBE
.END

7.7.4 RECTIFICADOR CONTROLADO TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA
Fig 7. 39
Montaje para el
rectificador
controlado trifásico de
media onda. Se puede
construir a partir de
tres rectificadores
controlados de media
onda
Estudio par una carga resistiva y α ≤ 30° :
Fig 7. 40
Formas de onda para una corriente continuada en un
rectificador trifásico de media onda con carga resistiva. Están
representadas la tensión en la carga, corriente en los tiristores y
tensión en extremos de T1. Al ser la corriente continuada, el
tiristor en conducción permanecerá en ese estado hasta que se
produzca el disparo en el siguiente tiristor al que le corresponde
conducir.

π 5π
3 +α 3 +α
Vdc′ =
2π ∫π
3
− +α
3
Vmax Cosωt dωt =
2π ∫π
6
6
+α
Vmax Senωt dωt =
3 3 E 7.61
= Vmax Cosα = 0,827Vmax Cosα
2π

3 3Vmax
Para α=0°, la tensión media en la carga será Vdc y su valor: Vdc =
2π
Vdc′
Vn (dc ) = = Cosα
y el valor normalizado de la tensión media valdrá: Vdc E 7.62
PROBLEMA 7. 18
Dado un rectificador controlado trifásico de media onda con carga resistiva.

e) Corriente de pico en los tiristores.
f) Tensión inversa de pico en los tiristores.
DATOS: R=25 Ω; VLS=480V, f=50Hz ; α=25°

Solución: Vp (carga) = 391,9V; V’dc = 293,7V; Ip (carga) = 15,68A; I’dc = 11,75A; Ip (tiristor) =11,68A;
PIV = 678,8V; IT (dc) =3,92A.
Estudio para una carga resistiva y α ≥ 30°:

En este caso la corriente en la carga será discontinua:
Fig 7. 41
Formas de onda para corriente discontinua en el rectificador trifásico
de media onda con carga resistiva. Se han representado la tensión en la
carga, tensión en el secundario y corriente que circulará por los
tiristores.

π
3 3 π
Vdc′ =
2π ∫π2
− +α
Vmax Cosωt dωt =
2π ∫π
6
+α
Vmax Senωt dωt =
3
3 ⎡ ⎛π ⎞⎤ E 7.63
= Vmax ⎢1 + Cos⎜ + α ⎟⎥
2π ⎣ ⎝6 ⎠⎦
Dado un rectificador controlado trifásico de media onda con carga resistiva.


e) Corriente de pico en los tiristores.
f) Tensión inversa de pico en los tiristores.
DATOS: R=25 Ω; VLS=480V; f=50Hz; α=80°

Solución: VP(carga) = 368,3V; V’dc = 123,1V; IP(carga) = 14,73A; I’dc =4,92A; IP(tiristor) =14,73A; PIV
= 678,8V; IT(dc) =1,64A
PROBLEMA 7. 19
Dado un rectificador controlado trifásico de media onda con carga resistiva, si queremos obtener
una tensión media en la carga del 50% de la tensión máxima que se pueda obtener.
a) Valor mínimo de la tensión media en la carga que se puede obtener para corriente
continuada.
b) Ángulo de retardo α.
e) Corriente media que circula por cada tiristor.
f) Corriente eficaz que circula por cada tiristor.
g) Rendimiento de la rectificación.
h) Factor de utilización del transformador (TUF).
i) Factor de potencia de entrada.
Datos: R=10Ω; VLS=208V; f=50Hz
Solución:
VLS
VFS = = 120,1V →Vmax = 2VFS = 169,83V
3
Como sabemos que el valor normalizado de la tensión media en la carga es V’n(dc)=0,5 (50%),
podemos calcular el valor de la tensión media en la carga:
3 3Vmax V′
Vdc = = 140,45V → Vn (dc ) = dc → Vdc′ = (0,5)(140,45) = 70,23V
2π Vdc
…

…
a) El valor mínimo de tensión media en la carga que podemos obtener para corriente
continuada será el correspondiente a α=30°:
Vdc′ (30° ) = 0,827Vmax Cosα = (0,827 )(169,83)Cos30° = 121,63V
b) Como V’dc(30°)>70,23V, tendremos corriente discontinua en la carga (30°<α<150°), así

que relacionando valores tenemos que:
Vdc′ 1 ⎡ ⎛π ⎞⎤
Vn (dc ) = = ⎢1 + Cos⎜ + α ⎟⎥ = 0,5 → α = 67,7°
Vdc 3⎣ ⎝6 ⎠⎦
c) Calculamos ahora la intensidad media en la carga:
Vdc′ 70,23
′ =
I dc = = 7,02 A
R 10
d) Para calcular la corriente eficaz en la carga, debemos saber primero el valor de la
tensión eficaz en la carga:
3 π
′ = ∫ α (V Senωt ) dωt =
2
Vrms π
2π
max
+
6
5 α 1 ⎛π ⎞ V′ 94,74
= 3Vmax − + Sen⎜ + 2α ⎟ = 94,74V → I rms
′ = rms = = 9,47 A
24 4π 8π ⎝3 ⎠ R 10
e) La corriente media que atraviesa cada tiristor será:
′
I dc 7,02
I T (dc ) = = = 2,34 A
3 3
f) La corriente eficaz que atraviesa cada tiristor será:
1 π ′
I rms 9,47
∫ α (V Senωt ) dωt =
2
I T (rms ) = π = = 5,47 A
2π
max
+
6 3 3
g) El rendimiento de la rectificación valdrá:
η=
Vdc′ I dc
′
=
(70,23)(7,02) = 0,5495 → (54,95% )
′ I rms
Vrms ′ (94,74)(9,47 )
h) Ahora calcularemos el factor de utilización del transformador:
Vdc′ I dc
′
TUF = → S = 3V FS I FS = 3(120,1)(5,47 ) = 1970,84W
S
TUF =
(70,23)(7,02) = 0,25 → (25% )
1970,84
i) El factor de potencia de entrada será:
PC′
PF = → PC′ = (I rms
′ )2 R = (9,47 )2 10 = 896,81W
S

Estudio para una carga altamente inductiva
Con una carga altamente inductiva, la corriente que atravesará la carga será continuada y de valor
constante.
• Con α ≤ 30°, la tensión en la carga es positiva.

• Con α > 30°, la tensión en la carga es negativa para unos fragmentos de periodo.
π 5π
3 +α 3 +α
Vdc′ =
2π ∫π
3
− +α
3
Vmax Cosωt dωt =
2π ∫π
6
6
+α
Vmax Senωt dωt =
3 3 E 7.64
= Vmax Cosα = 0,827Vmax Cosα
2π
Podemos apreciar que el resultado obtenido es el mismo que para una carga resistiva con α≤30°, y es
así por que en ambos casos la corriente en la carga es continuada.
Fig 7. 42
Formas de onda en un rectificador trifásico de media onda con
carga altamente inductiva. Se han representado la tensión en la
carga, las corrientes en los tiristores y la corriente en la carga.
Con 0°<α<90° se logran tensiones medias de salida positivas, por lo tanto trabajará en el primer
cuadrante del diagrama tensión-corriente. Para 90°< α <180° la tensión media en la carga será
negativa y trabajará en el cuarto cuadrante.

Dado un rectificador controlado trifásico de media onda con carga altamente inductiva.

d) Tensión inversa de pico en los tiristores.
e) Corriente media en los tiristores.
DATOS: R=25 Ω; VLS=480V; f=50Hz; α =50°

Solución: VP(carga) = 391,9V; V’dc = 208,3V; I’dc = 8,33A; PIV = 678,8V; IT(dc) =2,78A
Estudio para una carga inductiva con diodo volante
Fig 7. 43
a) Montaje para el puente rectificador trifásico de media onda con carga altamente inductiva y diodo volante.
b) Formas de onda del puente rectificador trifásico de media onda con carga altamente inductiva y diodo volante. Se han representado la
tensión en la carga, intensidad en T1 e intensidad en el diodo volante.
• Para α ≤ 30°, el valor de la tensión media en la carga viene dado por la ecuación usada para
una carga resistiva y α ≤ 30° [E7.61].
• Para 30°< α < 150°, el valor de la tensión media en la carga vendrá dado por la ecuación
usada para una carga resistiva y 30°< α < 150° [E7.63]. En este caso el diodo volante conduce
tres intervalos durante un periodo. Por ejemplo, para la fase Van el tiristor T1 conduce desde
ωt= α +π/6 hasta ωt=π, y el diodo volante conducirá desde ωt=π hasta que T2 empieza a
conducir para ωt=5π/6. Esto significa que el tiempo que están en conducción T1 y el diodo
volante en un ciclo, será π/3.

7.7.5 PUENTE RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA
Fig 7. 44
Montaje para el rectificador
trifásico de onda completa. Se
utiliza para aplicaciones de alta
potencia.
Este tipo de circuitos se puede estudiar dividiéndolo en dos partes:

Rectificador tipo P: Será la parte de circuito compuesta por los diodos D1, D2, D3, y que tiene un
comportamiento igual a un rectificador trifásico de media onda. En cualquier instante permitirá
conectar a la carga el más alto de los voltajes trifásicos.
Rectificador tipo N: Está compuesto por los diodos D4, D5, D6, y en cualquier instante permitirá
conectar a la carga con el más bajo de los tres voltajes de alimentación.
Con la unión de ambas partes conseguimos que durante todo el tiempo se conecte el más alto de los
tres voltajes a uno de los terminales de la carga y al otro terminal de la carga se conecte el más bajo
de dichos voltajes.
En la figura que se muestra a continuación podemos observar como la parte superior de la forma de
onda es la del grupo tipo P, y la inferior la del tipo N. Así, el voltaje en la carga puede considerarse
como la suma de los voltajes de dos rectificadores de media onda trifásicos, con relación al neutro
“n”.
Fig 7. 45
Formas de onda del puente rectificador trifásico.
En la figura 7.46, para la tensión en la carga vemos seis pulsos con una duración de π/3, provocando
en cada periodo una secuencia de conducción de los diodos tal que:
D3D5; D5D1; D1D6; D6D2; D2D4; D4D3
La secuencia de conducción se corresponde con los seis voltajes senoidales por ciclo, y cuya
diferencia de voltajes es:
vcn-vbn; van-vbn; van-vcn; vbn-vcn; vbn-van; vcn-van
El máximo voltaje será 3Vmax .
En la siguiente página también se muestra un diagrama fasorial donde se pueden apreciar los voltajes
compuestos, tomando Vab como origen de fases.

Fig 7. 46
Formas de onda del puente rectificador trifásico.
Fig 7. 47
Diagrama fasorial
Tensión media en la carga: Se puede calcular obteniendo la tensión media que entrega cada
rectificador de media onda (tipo P y tipo N) que compone el puente:
π
1
Vdc = 2 ×
2π ∫πV
−
3
3
max Cosωt dωt = 1,654Vmax
E 7.65
3

Se puede también considerar como un rectificador hexafásico de media onda, cuya tensión es la de
fase-fase:
π
2 3 3
Vdc =
2π ∫
0
6 3Vmax Cosωt dωt =
π
Vmax = 1,654Vmax
E 7.66
6
y podemos decir que:
3 3 3
Vdc = VF(max ) = VL (max )
π π E 7.67
2
π ⎛ 3 9 3⎞
∫ 3(Vmax ) (Cosωt ) dωt = ⎜ ⎟V = 1,6554V
2 2
Vrms = 6 +
2π 0 ⎜ 2 4π ⎟ max max
⎝ ⎠ E 7.68
6
Corriente media en los diodos: La corriente de pico en los diodos es Imax= 3Vmax / R , que se
corresponde con la corriente máxima de línea. Además cabe destacar que en los diodos circula la
intensidad que atraviesa la carga, durante T/3.
1 V
I D (dc ) = I 0(dc ) = Lmax = 0.3183 ⋅ I max
3 π⋅ R E 7.69
Corriente eficaz en los diodos:

I 0(rms )
I D (rms ) =
3 E 7.70
Corriente eficaz en el secundario del transformador:

2
I S(rms) = I 0(rms )
3 E 7.71
La corriente eficaz de carga es aproximadamente igual a la corriente media ya que los términos de
alterna son pequeños.
Los coeficientes de los términos seno de la serie de Fourier son nulos por simetría por lo que
podemos expresar la tensión de la siguiente manera:
∞
v0 (t ) = v0 + ∑u n cos(nϖ 0 t + π )
u = 6 ,12 ,18...
6 ⋅ Vm, L − L
un = n = 6,12,18...
π (n 2 − 1)
Cuando la tensión de salida es periódica, con un periodo de 1/6 de la tensión del generador de alterna,
los armónicos a la salida son del orden 6kω, siendo k = 1, 2, 3…
Potencia aparente del generador

S = 3 ⋅ U L − L (rms ) ⋅ I S(rms )

PROBLEMA 7. 20
Dado un puente rectificador trifásico de onda completa con carga resistiva, calcular lo siguiente:
a) Tensión media en la carga.

b) Corriente media en la carga.
c) Corriente media en los diodos.
d) Tensión inversa de pico en los diodos.
e) Potencia media en la carga.
DATOS: R = 100 Ω; VLS = 480 V; f =50Hz
Solución:
a) Primero calcularemos el valor de la Vmax (fase-neutro) y después, usando la ecuación
E2.43 hallaremos la tensión media en la carga:
2 VLS
Vmax = 2 VFS = = 391,9 V → Vdc = 1,654 Vmax = 648,2 V
3
b) La corriente media en la carga es:
Vdc 648,2
I dc = = = 6,482 A
R 100
c) Usando la ecuación [E7.69], calculamos la corriente media en los diodos:
I D (dc ) = 0,3183 I max =

0,3183 VL (max )
=
(0,3183) 3 (460) = 2,07 A
R 100
d) La tensión máxima de línea será la tensión inversa de pico que soportarán los diodos:
PIV = VLS 2 = (460 )(1,414 ) = 650 V

e) Y la potencia media será:
Pdc = (I dc ) R = (6,482 ) (100 ) = 4201,63 W

2 2
Problema7_20: PUENTE RECTIFICADOR TRIFASICO CON CARGA RLE

.PARAM VPICO={392}
Van 0 1 SIN (0V {VPICO} 50HZ)
Vbn 0 4 SIN (0V {VPICO} 50HZ 0S 0S -120DEG)
Vcn 0 6 SIN (0V {VPICO} 50HZ 0S 0S -240DEG)
R 3 5 100HM
*L 7 8 1.5MH
*VX 8 5 DC 10V
VY 1 2 DC 0V
D1 2 3 DMOD
D2 4 3 DMOD
D3 6 3 DMOD
D4 5 2 DMOD
D5 5 4 DMOD
D6 5 6 DMOD
.PROBE
.FOUR 50HZ I(VY)
.END

PROBLEMA 7.21
El rectificador trifásico de la figura 7.44 utiliza un generador trifásico con una tensión eficaz de
480V de línea a línea, y la carga es una resistencia de 25 Ω en serie con una bobina de 50mH.
Calcular:
a) El nivel de continua de la tensión de salida.
b) El término de continua y el primer término de alterna de la corriente de carga.
c) La corriente media y la corriente eficaz en los diodos.
d) La corriente eficaz en el generador.
e) La potencia aparente del generador.
Solución: (a) V0 = 648V; (b) I0 = 25.9A, I6(rms) = 0.23A; (c) ID(med) = 8.63A, ID(rms)=15.0A (d)
IS(rms) = 21.2A; (e) S = 17.6kVA
[Hart]
Formas de onda para una carga altamente inductiva

2Β/3 2Β/3 2Β/3
1-5 1-6 6-2 2-4 4-3
Fig 7. 48
Formas de onda de un puente rectificador trifásico,
con carga altamente inductiva.

La serie de Fourier de las corrientes en la fase a de la línea de alterna es:
2 3 ⎛ 1 1 1 1 ⎞
ia (t ) = I 0 ⎜ cos ω 0 t − cos 5ω 0 t + cos 7ω 0 t − cos11ω 0 t + cos13ω 0 t − ...⎟
π ⎝ 5 7 11 13 ⎠
armónicos 6k ± 1 para k = 1, 2, 3…
PROBLEMA 7.22
Dados el circuito a simular y el listado de un puente rectificador trifásico de onda completa con
carga RLE.
a) Obtener gráficamente la representación instantánea de la corriente de entrada,

intensidad en la carga, y tensión en la carga, mediante Pspice.
b) Obtener los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada y el factor de potencia de
entrada
DATOS: R=2,5 Ω; L=1,5 mH; E=10 V; Vab=208 V; f=50 Hz
Solución:
a) El circuito a simular y el listado son los siguientes:
Problema7_22: PUENTE RECTIFICADOR TRIFASICO CON CARGA RLE
Van 0 1 SIN (0V 169.7V 50HZ)

Vbn 0 4 SIN (0V 169.7 50HZ 0S 0S -120DEG)
Vcn 0 6 SIN (0V 169.7 50HZ 0S 0S -240DEG)
R 3 7 2.5HM
L 7 8 1.5MH
VX 8 5 DC 10V
VY 1 2 DC 0V
D1 2 3 DMOD
D2 4 3 DMOD
D3 6 3 DMOD
D4 5 2 DMOD
D5 5 4 DMOD
D6 5 6 DMOD

.PROBE
.FOUR 50HZ I(VY)
.END

Y las formas de onda que se obtienen serán:
Se puede apreciar que I1=110,072A.
b) Para obtener el factor de potencia de entrada, tenemos que obtener los coeficientes de
Fourier de la corriente de entrada.
7.7.6 PUENTE RECTIFICADOR TRIFÁSICO TOTALMENTE CONTROLADO
Fig 7. 49
Montaje para el puente
rectificador trifásico totalmente
controlado. Es de onda
completa con 6 tiristores y se
usa en aplicaciones industriales
de más de más de 120kW.
Esta configuración puede trabajar en el primer y cuarto cuadrante del diagrama tensión-intensidad.

El circuito de disparo ha de suministrar 6 impulsos de control para cada período de la tensión de

alimentación, separados π/3 en el tiempo, con una duración por impulso de 180°-α, contando α desde
el instante de conmutación natural si fueran diodos. El orden en que los tiristores reciben sus
impulsos se debe al orden de encendido y su ubicación.
[7_5]
Fig 7. 50
Formas de onda para α=30°,en un puente rectificador trifásico
totalmente controlado. Podemos apreciar los tiempos de
conducción de los tiristores que forman el puente, trabajando
con carga resistiva.
-Instante A: encendido simultáneo de T5 y T1 que da origen al
siguiente circuito:
Van-T1-CARGA-T5-Vbn
-Instante B: una vez encendido T1 y tras un desfase de 60°,
llega un impulso hasta la puerta de T6, y esto hace que dicho
tiristor conduzca y que la corriente conmute de T5 a T6 dando
origen al circuito siguiente:
Van-T1-CARGA-T6-Vcn
-Instante C: T2 recibe el impulso principal 60° después de la
entrada en conducción de T6. Esto hace que T2 conduzca y la
corriente conmute de T1 a T2, donde resultará el siguiente
circuito:
Vbn-T2-CARGA-T6-Vcn
Para nuestro montaje, el orden de conducción será:

T1-T6; T6-T2; T2-T4; T4-T3; T3-T5; T5-T1
Tensiones de línea: Tensiones de fase:

(Siendo Vmax la tensión máxima de fase)
⎛ π⎞ Van = V max Senωt
v ab = v an − v bn = 3Vmax Sen ⎜ ωt + ⎟
⎝ 6⎠
⎛ 2π ⎞
⎛ π⎞ Vbn = V max Sen⎜ ωt − ⎟
v bc = v bn − v cn = 3Vmax Sen ⎜ ωt − ⎟ ⎝ 3 ⎠
⎝ 2⎠
⎛ 2π ⎞
⎛ π⎞ Vcn = Vmax Sen⎜ ωt + ⎟
v ca = v cn − v an = 3Vmax Sen ⎜ ωt + ⎟ ⎝ 3 ⎠
⎝ 2⎠
A continuación se muestra el desarrollo de la tensión rectificada para diversos ángulos de control α y

con carga resistiva:

Fig 7. 51
Formas de onda de la tensión en la carga para
los ángulos de control:
α = 0°, 30°, 60°, 90°.
En la siguiente figura se ilustra la característica de control del puente rectificador trifásico totalmente
controlado con carga resistiva:
Fig 7. 52
Característica de control del puente rectificador trifásico totalmente controlado.
Estudio para un ángulo de retardo α ≤ 60°:
Con estas condiciones tendremos en la carga una tensión continuada positiva. Tomando como
ejemplo la figura 7.50, para α = 30°, vemos que cada tiristor empieza a conducir 30° después de que
lo hiciera el mismo montaje pero con diodos. Cada elemento conducirá durante 60°, igual que lo
hacía en el puente no controlado.
Tensión media en la carga: Integrando para un intervalo de 60° tenemos:
5π 5π
3 +α 3 +α ⎛ π⎞ 3 3Vmax
π ∫π π ∫π
Vdc′ = 6 Vab dωt = 6 3Vmax Sen⎜ ωt + ⎟dωt = Cosα
6
+α
6
+α ⎝ 6⎠ π
E 7.72
Vdc′ = 1,654Vmax Cosα

O de otra forma, si tomamos el circuito como dos rectificadores trifásicos controlados de media onda:
π
1 +α
Vdc′ = 2 ×
2π ∫π 3
− +α
3
Vmax Cosωt dωt = 1,654Vmax Cosα
E 7.73
3
3 3Vmax
El valor máximo se dará para α =0, siendo → Vdc =
π
5π
3 +α 1 3 3
(V )
π ∫π α
′ =
Vrms 6 2
dωt = 3Vmax + Cos 2α
2 4π
ab
+
6 E 7.74
PROBLEMA 7. 23
Dado un puente rectificador trifásico totalmente controlado con carga resistiva. Si se quiere
obtener una tensión media en la carga del 50% de la tensión máxima que se pueda obtener.
a) El mínimo valor de tensión media que se puede obtener para corriente continuada.
e) Corriente media que circula en los tiristores.
f) Corriente eficaz que circula en los tiristores.
i) Factor de potencia de entrada.
DATOS: R=10 Ω; VLS=208V; f=50Hz
Solución:
VLS
VFS = = 120,1V →Vmax = 2VFS = 169,83V (Tensiónmáximade fase)
3
Como sabemos que el valor normalizado de la tensión media en la carga es V’n(dc)=0,5 (50%),
podemos calcular el valor de la tensión media en la carga:
3 3Vmax Vdc′
Vdc = = 280,9V → Vn (dc ) = → Vdc′ = (0,5)(280,9) = 140,5V
π Vdc
a) El valor mínimo de tensión media en la carga que podemos obtener para corriente continuada
será el correspondiente a α=60°:
Vdc′ (60° ) = 1,654Vmax Cosα = (1,654)(169,83)Cos 60° = 140,5V
b) Como V’dc=V’dc(60°), significa que el ángulo de disparo será α = 60°.
c) Calculamos ahora la intensidad media en la carga:
Vdc′ 140,45
′ =
I dc = = 14,05 A
R 10
d) Para calcular la corriente eficaz en la carga, debemos saber primero el valor de la tensión
eficaz en la carga:
…

…
1 3 3
′ = 3Vmax
Vrms + Cos((2)(60°)) = 159,29V
2 4π
V′ 159,29
′ = rms =
I rms = 15,93 A
R 10
e) La corriente media que atraviesa cada tiristor será:
′
I dc 14,05
I T (dc ) = = = 4,68 A
3 3
f) La corriente eficaz que atraviesa cada tiristor será:
5π 2
1 +α ⎡ ⎛ π ⎞⎤ 1
I T (rms ) =
π ∫π
6
6
+α
⎢ 3Vmax Sen⎜ ωt + 6 ⎟⎥ dωt = I rms
⎣ ⎝ ⎠⎦
′
3
= 9,2 A
g) El rendimiento de la rectificación valdrá:
η=
Vdc′ I dc
′
=
(140,45)(14,05) = 0,778 → (77,8% )
′ I rms
Vrms ′ (159,29)(15,93)
h) Ahora calcularemos el factor de utilización del transformador:
5π 2
V′ I′ 2 6 +α ⎡ ⎛ π ⎞⎤
TUF = dc dc → S = 3VFS I FS → I S =
S ∫π ⎢
π 6 +α ⎣
3Vmax Sen⎜ ωt + ⎟⎥ dωt
⎝ 6 ⎠⎦
2
′
I S = I rms = 13 A → S = 3(120,1)(13) = 4683,9W
3
TUF =
(140,45)(14,05) = 0,421 → (42,1% )
4683,9
i) El factor de potencia de entrada será:
PC′
PF = → PC′ = (I rms
′ )2 R = (15,93)2 10 = 2537,6W
S
PF = 0,542 (en retraso )
El factor de potencia obtenido es menor que para un puente rectificador trifásico semicontrolado,
pero mayor que para un rectificador trifásico de media onda.
Estudio para un ángulo de retardo α > 60°:
- En caso de carga inductiva, el valor de la tensión en la carga se puede hacer negativo para
algunos tramos de un ciclo.
- Si tenemos una carga altamente inductiva y sin diodo volante, habrá una corriente continuada
en la carga y aplicaremos las ecuaciones [E7.72] y [E7.74] para hallar la V’dc y la V’rms
respectivamente.

- Si tenemos carga altamente inductiva y diodo volante o la carga es resistiva, los tiristores
conducirán desde que se disparan (para α>60°) hasta que el valor instantáneo de la tensión en
la carga sea cero. Por lo tanto tendremos corriente discontinua en la carga.
Fig 7. 53
Formas de onda del puente rectificador trifásico totalmente
controlado con carga inductiva y diodo volante para α=90°.
Podemos apreciar que no tenemos tensiones negativas en
la carga.
3 π 3 π ⎛ π⎞
π∫ π∫
Vdc′ = π v ab dωt = π 3Vmax Sen⎜ ωt + ⎟dωt
6
+α
6
+α
⎝ 6⎠
3 3Vmax ⎡ ⎛π ⎞⎤ E 7.75
Vdc′ = ⎢1 + Cos⎜ + α ⎟⎥
π ⎣ ⎝3 ⎠⎦
www.voltio.ujaen.es/jaguilar
Puente rectificador trifásico totalmente controlado

PROBLEMA 7. 24
Dado un puente rectificador trifásico totalmente controlado con carga RLE, y usando Pspice.
Obtener lo siguiente:
a) La representación gráfica de la tensión en la carga (vC), intensidad en la carga (iC), e

intensidad de entrada (iS).
b) Los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada iS, y el factor de potencia de
entrada PF.
DATOS: R=0,5Ω; L=6,5mH; E=10V; VS=120V; f=50Hz; α=60°
Solución:
Vmax = 2VS = 169,7V
Para α=60°, los tiempos de retardo aplicados a los tiristores serán:
t1 =
(90)(20msg ) = 5msg ; t2 =
(210)(20msg ) = 11,666msg ;
360 360
t3 =
(330)(20msg ) = 18,333msg ; t4 =
(270)(20msg ) = 15msg ;
360 360
t5 =
(30)(20msg ) = 1,666msg ; t6 =
(150)(20msg ) = 8,333msg
360 360
A continuación se muestran el circuito a simular y su listado:
Problema7_24cir
7.7.7 PUENTE RECTIFICADOR TRIFÁSICO SEMICONTROLADO
Fig 7. 54
Montaje para el puente rectificador trifásico semicontrolado. Esta configuración es usada en aplicaciones industriales de más de 120kW en
las que se requiera que el convertidor trabaje en el primer cuadrante.
En la figura 7.55 se muestra la tensión entregada a la carga para distintos ángulos de disparo en un
puente rectificador trifásico totalmente controlado y en un puente rectificador trifásico
semicontrolado. La tensión instantánea en la carga se anula para α=60°, y se acentúa más a medida

que aumenta α, por lo que la tensión media en la carga va de un máximo positivo para α =0°, hasta un
valor nulo para α =180°. El armónico fundamental de la tensión rectificada es de 150Hz, en caso de
redes de 50Hz.
Fig 7. 55
Comparación de las tensiones proporcionadas a la carga para distintos ángulos de disparo:
a) Para el puente rectificador trifásico totalmente controlado.
b) Para el puente rectificador trifásico semicontrolado.
Dado un puente rectificador trifásico semicontrolado con carga resistiva, queremos

obtener una tensión media en la carga del 50% de la tensión máxima que se pueda obtener.
Calcular:
a) El mínimo valor de tensión media que se puede obtener para corriente continuada.
e) Corriente media que circula por cada tiristor.
f) Corriente eficaz que circula por cada tiristor.
i) Factor de potencia de entrada (PF).
DATOS: R = 10 Ω; VLS = 208V; f=50Hz

Solución: V’dc(60°) = 210,67V, α=90°, I’dc = 14,05A, I’rms=18,01A, IT(dc)=4,68A
IT(rms)=10,4A, 0(%)=60,8%, TUF(%)=37,2%, PF=0,612 (retraso).

PROBLEMA 7. 25
Dado un puente rectificador trifásico semicontrolado con carga RLE, y usando Pspice.
a) La representación gráfica de la tensión en la carga (vC), intensidad en la carga (iC), e

intensidad de entrada (iS).
b) Los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada iS, y el factor de potencia de
entrada PF. Comparar este factor de potencia con el obtenido en el problema 7.20 y
comentar el resultado.
DATOS: R=0,5 Ω; L=6,5mH; E=10V; VS=120V; f=50Hz; α=60°
Solución:
Vmax = 2VS = 169,7V
Para α =60°, los tiempos de retardo aplicados a los tiristores serán:
t1 =
(90)(20msg ) = 5msg ; t2 =
(210)(20msg ) = 11,666msg ;
360 360
t3 =
(330)(20msg ) = 18,333msg ;
360
A continuación se muestran el circuito a simular, su listado y las tensiones de puerta:
Problema7_25.cir
Podemos apreciar que en este caso (semicontrolado), el factor de potencia obtenido es superior al
calculado en el ejemplo anterior (totalmente controlado). Como sabemos, este factor indica la
cantidad de energía que se aprovecha con respecto a la fuente primaria. Esto hace que el
rectificador trifásico semicontrolado presente unas características muy interesantes para el
control de motores, y en igualdad de condiciones, incluso superiores al rectificador totalmente
controlado.
7.8 Conmutación: El efecto de la inductancia del generador
Hasta ahora hemos considerado que cuando un tiristor se cebaba, el semiconductor se bloqueaba
instantáneamente. Pero siempre hay inductancias en el circuito que no permiten variaciones tan
rápidas de las corrientes.

7.8.1 CONMUTACIÓN EN RECTIFICADORES MONOFÁSICOS CONTROLADOS

CON TRANSFORMADOR DE TOMA INTERMEDIA
Para este montaje vamos a representar el conjunto de las inductancias que actúan en el circuito, por
dos inductancias iguales y colocadas cada una de ellas en serie con un tiristor:
Fig 7. 56
Montaje monofásico con transformador de toma intermedia
con reactancia de conmutación.
Supongamos que está conduciendo T1 y que en el instante t0 cebamos el T2; la corriente en este
tiristor no puede aumentar instantáneamente hasta el valor de la corriente constante IC que circula por
la carga. La inductancia LC1 provoca un aumento de tensión, mientras LC2 provoca una disminución
de la tensión, de forma T1 y T2 conducen simultáneamente hasta que iT1 se anule e iT2 sea igual a la
corriente IC, en el instante t1: iT1+iT2 =IC
Mientras los dos tiristores conducen simultáneamente, la fuente de alimentación está cortocircuitada.
Las tensiones en bornes de las inductancias de conmutación serán:
⎛ di ⎞ ⎛ di ⎞
v LC1 = LC ⎜ T 1 ⎟ v LC 2 = LC ⎜ T 2 ⎟
⎝ dt ⎠ ⎝ dt ⎠
y como estas tensiones son iguales y de signo contrario:
diT 1 di
= − T2
dt dt
Los dos tiristores tienen el cátodo al mismo potencial up, y la velocidad de variación de la corriente
en los tiristores durante la conmutación es:
⎛ di ⎞ ⎛ di ⎞ ⎛ di ⎞
u p = v1 − LC ⎜ T 1 ⎟ = v 2 − LC ⎜ T 2 ⎟ = v 2 + LC ⎜ T 1 ⎟
⎝ dt ⎠ ⎝ dt ⎠ ⎝ dt ⎠
⎛ di ⎞ ⎛ di ⎞ ⎛ di ⎞ 1
2 LC ⎜ T 2 ⎟ = −2 LC ⎜ T 1 ⎟ = v 2 − v1 → ⎜ T 2 ⎟= (v2 − v1 )
⎝ dt ⎠ ⎝ dt ⎠ ⎝ dt ⎠ 2 LC
La corriente en un tiristor, durante la conmutación, variará tanto más rápidamente cuanto mayor sea
la diferencia de tensión entre las dos fases en el instante dado y cuanto menor sea la inductancia de
conmutación.
A veces es necesario conocer la duración de la conmutación. El intervalo de tiempo t1-t0 se expresa
por el ánguloµ, (ángulo de conmutación). Para un grupo con cebado natural tenemos:
2X C IC
1 − Cosµ =
2Vmax
Y para cebado controlado:
2 X C I C ωLC I C
Cosα − Cos (α + µ ) = =
2v max Vmax E 7.76

donde:
X C = LC ω ω = 2πf Vmax = 2VS VS = V1 = V2
Caída de tensión debida a la conmutación: En el circuito habrá una pérdida de tensión relacionada
con el funcionamiento sin conmutación. Dicha pérdida podemos apreciarla en la siguiente figura
(zona sombreada en vLC1), sabiendo que esta caída de tensión se corresponde con la tensión que se
pierde en cada tiristor:
Fig 7. 57
Formas de onda de las tensiones y las corrientes
con variación de α, en un rectificador monofásico
con transformador de toma intermedia.
La iC pasará del valor 0 al máximo IC.

IC
t1 ⎛ di ⎞
∫t0 LC ⎜⎝ dt ⎟⎠dt = LC iC 0
= LC I C
La conmutación se produce dos veces por periodo, en el intervalo de tiempo:
2π 1 1
=
2 ω 2f
y la Vx (caída de tensión debida a la conmutación) será:
1 2 LC I C
VX = X C IC =
π T E 7.77

PROBLEMA 7. 26
Dado un circuito rectificador de onda completa con transformador de toma intermedia, en el que
vamos a tener una corriente en la carga de 20A, y para un ángulo de retardo α=40°.
Calcular:
a) Tensión de pérdidas en la conmutación.

b) Tensión media que vamos a tener a la salida teniendo en cuenta la caída de tensión en la
conmutación.
DATOS: L=1mH; IC=20A; VS=220V; f=50Hz; α=40°
Solución:
a) Usando la ecuación [E7.77], calculamos el valor de la V de pérdidas en la conmutación:
2 I C LC (2)(20)(1)(10 −3 )
VX = = = 2V
T 1 50
b) Idealmente, la tensión que tendremos a la salida es:
2Vmax 2 (2 )(220)
Vdc′ = Cosα = Cos 40° = 151,73V
π π
Pero teniendo en cuenta la caída de tensión en la conmutación:
Vdc ( salida ) = Vdc′ − V X = 151,73 − 2 = 149,73V
7.8.2 CONMUTACIONES EN PUENTES RECTIFICADORES TRIFÁSICOS
En las figuras 7.58 y 7.59 se muestran, respectivamente el montaje y las formas de onda teniendo en
cuenta los efectos de la conmutación.
Fig 7. 58
Esquema de un puente trifásico con reactancias de
conmutación.
Para un puente rectificador trifásico, el ángulo de conmutación vale, para α=0:
2X C IC
1 − Cosµ =
3Vmax
y para α ≠0:
2X C IC
Cosα − Cos (α + µ ) =
3Vmax E 7.78
Caída de tensión debida a la conmutación: La tensión perdida es la necesaria para hacer que la
corriente en cada semiconductor pase de 0 a IC:

t1 ⎛ di ⎞
∫
IC
LC ⎜ ⎟dt = LC iC 0
= LC I C
t0
⎝ dt ⎠
Esta conmutación se produce seis veces por período, es decir, en cada intervalo de tiempo de:
2π 1 1
=
6 ω 6f
por eso, si llamamos VX a la caída de tensión debida a la conmutación:
3 6 LC I C
VX = X C IC =
π T E 7.79
Fig 7. 59
Formas de onda de las tensiones y las corrientes con
variación de ∀, en un rectificador monofásico con
transformador de toma intermedia.
7.9 Factor de Potencia
El factor de potencia en rectificadores dependerá considerablemente del tipo de carga conectada. En

el caso de los controlados, nos encontramos con que presentan un factor inferior a 1, y a veces
bastante inferior.

7.9.1 FACTOR DE POTENCIA EN RECTIFICADORES MONOFÁSICOS
a) Con Carga Resistiva
Estudio para el puente totalmente controlado
El factor de potencia viene dado por el cociente entre la potencia suministrada a la carga (P’C) y la
potencia aparente de la fuente (S):
⎛V ⎞
P 'C = (I rms
′ ) R ′ = ⎜ max ⎟ I rms
′
2
S = Vrms I rms
⎝ 2 ⎠
PC′ ′
2 RI rms
PF = =
S Vmax E 7.80
⎛V ⎞ ⎛ α ⎞ ⎛ Sen2α ⎞ ⎛ α ⎞ ⎛ Sen2α ⎞
′ = ⎜ max ⎟ 1 − ⎜ ⎟ + ⎜
I rms ⎟ → PF = 1 − ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟
⎝ 2R ⎠ ⎝ π ⎠ ⎝ 2π ⎠ ⎝ π ⎠ ⎝ 2π ⎠ E 7.81
Para el montaje no controlado (α=0), el factor de potencia valdrá 1.
Estudio del rectificador con transformador de toma intermedia
La principal diferencia entre este montaje y el puente rectificador, es que en aquel vamos a tener dos
fuentes de tensión (v1 y v2), así que la potencia aparente que proporciona el secundario será:
S = S1+S2 → S1 = S2 → S = 2S1 → S1 = V1(rms)I1(rms)
La intensidad eficaz I1(rms), será igual que la suministrada por un rectificador monofásico controlado
de media onda, ya que cada fuente suministra corriente cada medio semiciclo.
⎛I ⎞ ⎛ α ⎞ ⎛ Sen2α ⎞ ⎛ Vmax ⎞⎛ I max ⎞ ⎛ α ⎞ ⎛ Sen2π ⎞

I 1(rms ) = ⎜ max ⎟ 1 − ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟ → S = 2⎜ ⎟⎜ ⎟ 1− ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟
⎝ 2 ⎠ ⎝ π ⎠ ⎝ 2π ⎠ ⎝ 2 ⎠⎝ 2 ⎠ ⎝ π ⎠ ⎝ 2π ⎠
Para calcular la potencia en la carga hay que saber el valor de I’rms:
⎛ α ⎞ ⎛ Sen2α ⎞
1+ ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟
′
I rms
⎛I ⎞
= ⎜ max ⎟ ⎝ π ⎠ ⎝ 2π ⎠ → P ′ = 2(I ′ )2 R
C rms
⎝ 2 ⎠ 2
y el factor de potencia valdrá:

⎛ α ⎞ ⎛ Sen2α ⎞
1− ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟
PC′ ⎝ π ⎠ ⎝ 2π ⎠
PF = =
S 2 E 7.82
El factor de potencia para el secundario es inferior que para el primario del transformador, en una
relación de 0,707. Esto significa que el transformador necesario tendría que ser mayor que el
utilizado para alimentar un puente rectificador.

PROBLEMA 7. 27
Una carga resistiva es alimentada por un rectificador monofásico controlado. El montaje consta
de un transformador reductor, cuyo primario ha sido conectado a una tensión de red VP = 480V,
50Hz. En el secundario vamos a tener una tensión máxima Vmax = 100V.
Calcular:
a) Para un puente rectificador monofásico controlado, determinar el factor de potencia.
b) Para un transformador de toma intermedia en el secundario, determinar la potencia
aparente en el primario y en el secundario.
c) Para un rectificador con transformador de toma intermedia, determinar el factor de
potencia.
DATOS: R=10Ω; VP=480V; f=50Hz ; Vmax=100V; α=45°
Solución:
a) El PF para el rectificador monofásico controlado lo hallamos con la [E7.81]:
⎛ 45° ⎞ ⎛ Sen90° ⎞
PF = 1 − ⎜ ⎟+⎜ ⎟ = 0,9535
⎝ 180° ⎠ ⎝ 2π ⎠
b) Primero hemos de calcular la Irms suministrada por cada una de las tensiones del
secundario para hallar la potencia aparente en el secundario:
Vmax 100 ⎛ 10 ⎞ ⎛ 45° ⎞ ⎛ Sen90° ⎞

I max = = = 10 A → I rms = ⎜ ⎟ 1 − ⎜ ⎟+⎜ ⎟ = 4,767 A
R 10 ⎝2⎠ ⎝ 180° ⎠ ⎝ 2π ⎠
⎛ 100 ⎞
S S = 2⎜ ⎟4,767 = 674V − A
⎝ 2⎠
Para calcular la potencia aparente en el primario, antes debemos hallar la corriente eficaz en el
primario, y a su vez para calcular esta, hemos de determinar la intensidad máxima en el primario
mediante la relación de transformación del transformador:
I S (max ) VP ⎛ 100 ⎞ ⎛ 1,473 ⎞

= → I P (max ) = 10⎜⎜ ⎟ = 1,473 → I P = ⎜
⎟ ⎟0,9535 = 0,993 A
I P (max ) VS ⎝ 2 (480) ⎠ ⎝ 2 ⎠
Y la potencia aparente en el primario será:
S P = (480 )(0,993) = 477V − A

c) Para el PF del rectificador con transformador de toma intermedia usamos la [E7.82]:
⎛ 45° ⎞ ⎛ Sen90° ⎞
1− ⎜ ⎟+⎜ ⎟
⎝ 180° ⎠ ⎝ 2π ⎠
PF = = 0,674
2
b) Con Carga Altamente Inductiva
Estudio del puente rectificador monofásico totalmente controlado
Teniendo en cuenta que vamos a tener una corriente constante en la carga de valor IC, el factor de
potencia será:

Vmax 2Vmax
PC′ = I C R Cosα
2
S= IC IC =
E 7.83 2 E 7.84 πR E 7.85
PC′
PF = = 0,9Cosα E 7.86
S
Cuando sea no controlado (α=0), el factor de potencia vale 0,9 y por tanto es menor a la unidad.
Dicho factor respecto al primario será igual que respecto al secundario, al ser las respectivas
potencias aparentes iguales.
7.9.2 FACTOR DE POTENCIA EN RECTIFICADORES POLIFÁSICOS
En la mayoría de los casos en los que se trabaja con grandes cargas, se utilizan los puentes
rectificadores polifásicos. La carga suele tener carácter inductivo, así que la corriente que circule por
el sistema será de valor constante IC. El estudio se realizará para un puente rectificador trifásico
respecto a la fuente de alimentación.
Fig 7. 60
Formas de onda en un puente rectificador trifásico con carga
altamente inductiva. Se observa como la corriente de línea de
la fase A podría comenzar π/6 después de que se haga cero
Van, si α=0.
El estudio del factor de potencia se puede hacer sobre una fase. La tensión media por fase se calcula
integrando, eligiendo los límites de integración para el fragmento en el que la corriente no se hace
cero para cada semiciclo:
1 π +α 1 π +α ⎛ π⎞ ⎛ 3Vmax I C ⎞
I CVmax Sen⎜ ωt − ⎟dωt = ⎜⎜ ⎟Cosα
π∫ π∫
PC′ = π I C v an dωt = π
⎟
3
+α
3
+α
⎝ 6⎠ ⎝ π ⎠
E 7.87
El valor eficaz de la corriente para la fase A, la tensión eficaz y la potencia aparente serán:
2 Vmax
I rms = I C = 0,8165 I C Vrms = → S(fase ) = Vrms I rms
3 2
y el factor de potencia será:
PC′ ⎛3⎞
PF = = ⎜⎜ ⎟⎟Cosα
S ⎝π ⎠ E 7.88

Para α=0, este factor no valdrá la unidad porque la alimentación que nos proporcionan las fases no
será continuada durante todo el periodo.
Si tenemos diodo volante, no se producirán cambios para α ≤60°. Para α >60°, el diodo volante
conducirá durante ciertos intervalos. Esto se a precia en la figura:
Fig 7. 61
Formas de onda en un puente rectificador trifásico con carga
altamente inductiva y diodo volante. Con diodo volante no
tendremos tensión instantánea negativa en la carga. La
corriente en la fase A se hace cero, en el momento en que vab
se anula para ωt=π, dejando de valer cero para ωt=2π3+α,
pasando a un valor nulo cuando vca se hace cerro para
ωt=4π/3.
La potencia media se evalúa con la suma de las integrales de los dos intervalos de tiempo en los
cuales la corriente no se anula:
⎛ IC ⎞ ⎡ π ⎛ π⎞ 4π
⎛ π⎞ ⎤
PC = ⎜ ⎟Vmax ⎢ ∫ π Sen⎜ ωt − ⎟dωt + ∫7π3 Sen⎜ ωt − ⎟dωt ⎥ =
′
⎝π ⎠ ⎣ 3
α+
⎝ 6⎠ 6 ⎝ 6⎠ ⎦
⎛ 3Vmax I C ⎞⎡
=⎜ ⎟ ⎢1 + Cos⎛⎜α + π ⎞⎟⎤⎥ para α >
π
⎜ π ⎟⎣ ⎝ 3 ⎠⎦ 3
⎝ ⎠
El intervalo de conducción para los dos pulsos de la corriente de línea en cada semiciclo tienen una
duración total de (4π/3)-2α. Así, la corriente eficaz será:
⎛ 4π ⎞
⎜ ⎟ − 2α
⎝ 3 ⎠
I rms = IC
π
y el factor de potencia:
⎛ 6 ⎞⎡ π ⎤
⎟ ⎢1 + Cos⎛⎜α + ⎞⎟⎥
1
PF = ⎜⎜ ⎟
⎝ π ⎠⎣ ⎝ 3 ⎠⎦ 4π
− 2α
E 7.89
3
π

PROBLEMA 7. 28
Una carga RL altamente inductiva es alimentada por un puente rectificador trifásico totalmente
controlado. El montaje consta de diodo volante, y el valor de la tensión media en la carga varia
desde 1000V a 350V.
Calcular:
c) El rango de α, para obtener la regulación de la tensión media en la carga deseada.

d) El factor de potencia para Vdc=1000V.
e) El factor de potencia para Vdc=350V.
DATOS: R=10 Ω; VFS=480V; f=50Hz
Solución:
a) Para Vdc=1000V, hallamos α con la ecuación [E7.72]:
Vmax = (480)(1,414 ) = 678,8V → 1000 = (1,654 )(678,8)Cosα → α = 27°
para Vdc =350V, nos ayudamos de la ecuación [E7.75]:
⎛3 3⎞
350 = ⎜⎜ ⎟(678,8)[1 + Cos (α + 60°)] → α = 73,5°
⎟
⎝ π ⎠
b) El PF para α=27°, lo hallamos con [E7.88]:
⎛3⎞
PF = ⎜ ⎟Cos 27° = 0,85
⎝π ⎠
c) Y para α=73,75°, usamos [E7.89]:
⎛ 2,45 ⎞ 1
PF = ⎜ ⎟(1 + Cos133,5) = 0,338
⎝ π ⎠ 240 − 147
180

AGUILAR PEÑA, J. D.; MARTINEZ HERNÁNDEZ, F.; RUS CASAS, C. Electrónica de

Potencia, Convertidores AC-DC. Colección de apuntes 1995/96.12. Universidad de Jaén.

BIRD , B. M.; KING, K. G.; PEDDER, D. A. G. An Introduction To Power Electronics. Secon

Edition. Ed. Wiley, 1993.

Marcombo, 1992.
HERRANZ ACERO, G. Electrónica industrial II. Sistemas de Potencia. 2ª Edición. Servicio de

publicaciones Escuela Técnica Superior de Telecomunicación, 1990
LANDER, C.W. Power Electronics. Second Edition. Mcgraw-hill Book Company, 1987.

and Design. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1989.
PINTADO, R. Electrónica y Automática Industriales. Serie: Mundo Electrónico. Marcombo,

Boixaen Editores, 1979.
RASHID, M. H. Spice for power electronics and electric power. Prentice Hall International, 1993.
SÉGUIER, G. Electrónica de potencia: los convertidores estáticos de energía. Conversión Alterna-

Continua. Ed. Gustavo Gili. Barcelona, 1986. ISBN 84-252-1277-4

POTENCIA

Conmutación de la inductancia del generador. Fuentes de alimentación reguladas:
Configuración, circuitos integrados

[email protected]
8.1 Introducción 1
8.2 Finalidad 1
8.3 Filtro por condensador 2

Análisis aproximado del filtro por condensador 2
Tiempos de conducción y no conducción 4
Cálculo de la intensidad de pico por el diodo 6
8.4 Filtro por bobina 11
8.5 Filtro LC 14
8.6 Curvas de regulación 19
8.7 Fuentes reguladas 20
8.8 Regulador en serie 22

8.8.1 Elementos del regulador en serie 23
A) Elemento de referencia 23
B) Elemento de muestra 24
C) Elemento comparador 24
D) Amplificador de la señal de error 25
E) Elemento de control 25
8.9 Reguladores de tres terminales 26

8.9.1 Características 28
8.9.2 Reguladores de tensión ajustable tri-terminal 29
TEMA 8: FILTRADO Y FUENTES REGULADAS
8.1 Introducción
Los filtros son circuitos que se colocan entre la salida del rectificador y la impedancia de la carga,
con el objeto de separar las componentes de corriente alterna de las de corriente continua contenidas
en la señal aplicada por el rectificador a la entrada del filtro, y evitar que las primeras alcancen la
carga.
Estos circuitos se realizan con impedancias serie (bobinas) que ofrecen alta impedancia a la
componente alterna de salida del rectificador, y condensadores en paralelo que cortocircuitan las
componentes de corriente alterna entre terminales de la carga.
La acción de los filtros, a pesar de las inevitables pérdidas que introducen en el proceso de
rectificación, aumenta el rendimiento de la rectificación, obteniéndose corrientes continuas más
uniformes con menores componentes de corriente alterna.
La utilización de circuitos de filtro se reduce a sistemas rectificadores de baja potencia y, rara vez,
para circuitos más complejos que sistemas monofásicos de onda completa. La razón es que los
componentes de los circuitos filtro (bobinas y condensadores), para potencias elevadas, resultarían
exagerados en cuanto a volumen y precio.
Para la obtención de corrientes continuas, casi exentas de ondulación y de elevada potencia, se

recurre a sistemas rectificadores más elaborados, como circuitos trifásicos de onda completa,
circuitos en doble estrella con bobina compensadora, etc.
8.2 Finalidad
Las tensiones de salida de los rectificadores monofásicos estudiados en los convertidores ac-dc, se
muestran en la siguiente figura:
Fig 8. 1
Tensiones de salida de los rectificadores
monofásicos.
Las expresiones analíticas de dichas formas de onda, calculadas mediante el desarrollo en serie de
Fourier son:
Media onda Onda completa

⎛1 1 2 Coskωt ⎞ ⎛2 4 Coskωt ⎞
V = Vmáx ⎜⎜ + Senωt − ∑ ⎟
π k = 2, 4... (k + 1)(k − 1) ⎟⎠
VS 1 = Vmáx ⎜⎜ − ∑ ⎟⎟
⎝π 2 ⎝ π π k = 2, 4... (k + 1)(k − 1) ⎠
1
S
2
Escribiendo los primeros términos:
Vmax ⎛1 2 ⎞ 2Vmax ⎛ 4 4 ⎞
V = + Vmax ⎜ Senωt − Cos 2ωt... ⎟ VS 1 = − Vmax ⎜ Cos 2ωt + Cos 4ωt...⎟
π 3π π ⎝ 3π 15π
1
S
2 ⎝2 ⎠ ⎠
A continuación, y con la ayuda de las siguientes figuras podemos apreciar los espectros de ambas
ondas:

Fig 8. 2
Espectros de
las tensiones
de salida.
En ellas vemos que el valor medio (componente continua), en ambos casos es el valor previamente
Vm 2 Vm
calculado, y respectivamente. También vemos el peso de las distintas componentes
π π
armónicas. Por ejemplo, en el de media onda, el fundamental es de frecuencia ω y de amplitud el
50% del valor de pico. En el de onda completa el fundamental es de frecuencia 2ω y de amplitud
alrededor del 40% del valor máximo.
8.3 Filtro por condensador

Con frecuencia el filtrado se efectúa colocando un condensador en paralelo con la carga. El
condensador almacena energía durante el periodo de conducción y la cede posteriormente durante el
periodo de no conducción de los elementos rectificadores. Las ventajas de este tipo de filtro son:
- Pequeño rizado.
- Tensión de salida alta con intensidades pequeñas.
Y los inconvenientes:
- Mala regulación y rizado alto con intensidades grandes.
- Picos de corriente muy elevados que deben soportar los diodos durante el tiempo total de
conducción.
- Picos más elevados cuanto mayor sea la capacidad del condensador.
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Fig 8. 3 Rectificador de onda completa con filtro de condensador
Análisis aproximado del filtro por condensador
Es posible hacer varias aproximaciones razonables que permiten resolver analíticamente el problema.
Este análisis es suficientemente preciso para la mayor parte de las aplicaciones en ingeniería.

Supongamos que la forma de onda de la tensión de salida de un circuito de onda completa con filtro
por condensador, puede aproximarse por una curva quebrada constituida por tramos lineales. Durante
T1 se carga el condensador mientras conducen los elementos rectificadores y durante T2 se descarga
a través de la carga durante el tiempo de no conducción de los elementos rectificadores. En T1 la
tensión ánodo-cátodo es positiva mientras que en T2 es negativa.
Analiza que ocurre con los diodos durante estos tiempos y como están polarizados.
El valor de pico de esta onda es Vm, tensión máxima en el transformador. Si denominamos Vr a la

tensión total de descarga del condensador (es decir, el rizado de la tensión de salida), el valor medio
de la tensión es:
Vr
Vcc = Vm −
2
Fig 8. 4 Aproximación lineal de la forma de onda de salida de un circuito de onda completa con filtro por condensador.
Eliminando la componente continua de la onda, obtenemos la forma de onda que se representa en la

figura anterior (b). El valor eficaz de esta onda triangular es independiente de las pendientes o
longitudes de los tramos rectos, y depende exclusivamente del valor de pico. Se puede demostrar que
la tensión eficaz de rizado resulta ser: [Millman]
Vr
Vef′ =
2 3
Sin embargo, es necesario expresar Vr en función de la corriente en la carga y la capacidad. Si T2

representa el tiempo total de no conducción, el condensador, cuando se descarga a la intensidad
constante ICC, pierde una cantidad de carga igual a ICC·T2. Por tanto, la variación de la tensión en
bornes del condensador es (ICC·T2)/C, es decir:
Q = CVr I CC T2
Vr =
Q = I CC T2 C
Cuanto mejor sea el filtro, menor será el tiempo de conducción T1, y T2 se aproximará más al valor
del semiperiodo. Por tanto vamos a suponer para el caso de rectificador onda completa que
T2=T/2=1/2f, siendo f la frecuencia de la red. Así que:
I CC Vef′ I CC ⋅ 100 1
Vr = r% = = = ⋅ 100
2 fC VCC 4 3 fCVCC 4 3 fCR L

I CC
VCC = Vm −
4 fC E 8. 1
Se ve que el rizado es inversamente proporcional a la resistencia de carga y a la capacidad. La

resistencia efectiva de salida R0 de la fuente de alimentación es igual al factor que multiplica a ICC en
la última ecuación mostrada, es decir R0=1/4fC. Esta resistencia de salida varía inversamente con la
capacidad. Por tanto, para conseguir que el rizado sea pequeño y la regulación buena, deben
emplearse capacidades muy grandes. El tipo de condensador más común para estos filtros es el
electrolítico.
Durante el pequeño tiempo de conducción de los elementos rectificadores (T1), se debe proporcionar
toda la intensidad de la fuente, puesto que el condensador sólo cede y almacena energía, de ahí los
grandes picos de intensidad que deben soportar los elementos rectificadores. Para limitar dichos picos
se suele colocar una resistencia entre el elemento rectificador y el condensador, llamada resistencia
limitadora RS, que suele tener un valor comprendido entre el 1% y el 10% de la resistencia de carga.
Tiempos de conducción y no conducción
1- Conducción del diodo: si despreciamos la caída en el diodo, la tensión del transformador

aparece directamente sobre la carga.
Fig 8. 5
Rectificador de media onda con filtro por
condensador.
Por eso la tensión de salida es Vo=VmSenωt. Inmediatamente surge una pregunta: ¿durante qué
intervalo de tiempo es aplicable esta ecuación? En otros términos, ¿durante qué fracción de cada
ciclo conduce el diodo? El punto en el que el diodo empieza a conducir se denomina punto umbral, y
aquel en el que deja de conducir punto de corte. Calcularemos en primer lugar la expresión de la
corriente que circula por el diodo, y el instante en que esta corriente vale cero estará el punto de
corte.
La expresión de la corriente por el diodo se obtiene inmediatamente. Al ser la tensión del
transformador sinusoidal y aparecer directamente en bornes de RL y C que están en paralelo, se
calcula la corriente fasorial I, multiplicando la tensión fasorial V por la admitancia compleja
(1/RL)+jωC. Por tanto:
⎡ 1
⎤
⎢ ⎡⎛ 1 ⎤2
2
⎛ 1 ⎞ ⎞ ⎥
I = ⎜⎜ + jωC ⎟⎟V = ⎢ ⎢⎜⎜ ⎟⎟ + ω C ⎥ tg ωCR L ⎥V
2 2 −1
⎝ RL ⎠ ⎢ ⎢⎣⎝ RL ⎠ ⎥⎦ ⎥
⎣ ⎦
Como V tiene un valor de pico Vm, la corriente instantánea será:
1
⎡ 1 ⎤2
i = Vm ⎢ω 2 C 2 + 2 ⎥ Sen(ωt + φ )
⎣ RL ⎦ E 8. 2
Siendo:
φ = tg −1ωCRL

Esta expresión muestra que, si se utiliza una capacidad grande para mejorar el filtrado para una carga
RL dada, la corriente por el diodo, i, tiene un valor de pico muy elevado. La corriente por el diodo
tiene la forma representada en la figura siguiente:
Fig 8. 6
Gráfico teórico de la corriente por el diodo y la tensión de salida
en un rectificador de media onda con filtro por condensador.
Para una corriente media de carga especificada, la corriente por el diodo será más aguda y el periodo
de conducción de los diodos disminuirá conforme el condensador sea más grande.
Conviene insistir en que el filtro por condensador puede imponer condiciones muy exigentes sobre el
diodo rectificador, puesto que la corriente media puede ser inferior al límite máximo del diodo, pero
puede suceder que la corriente de pico fuera muy grande.
El instante de corte t1 se calcula igualando a cero la corriente por el diodo. De la ecuación [E 8.2]:
0 = Sen(ωt1 + φ )
es decir,
ωt1 + φ = nπ
siendo n cualquier entero positivo o negativo. El valor de t1 indicado en la figura en el primer
semiciclo corresponde a n=1:
ωt1 = π − φ = π − tg −1ωCRL
E 8. 3
2- No conducción del diodo: en el intervalo entre el instante de corte t1 y el umbral t2, el diodo no
conduce, y el condensador se descarga a través de la resistencia de carga con una constante de
tiempo CRL. Por tanto, la tensión del condensador (igual a la de la carga) es:
−t
vo = Ae CRL
E 8. 4
Para determinar el valor de la constante A que aparece en esta expresión, observemos en la figura 4.7
que en el instante t = t1, instante de corte:
t1
vo = vi = Vm Senωt1 → A = (Vm Senωt1 )e CRL
Así que la ecuación [E 8.4] toma la forma:

− (t −t1 )
vo = (Vm Senωt1 )e CRL
Puesto que t1 se conoce de la ecuación [E 8.3], puede dibujarse Vm en función del tiempo. En la figura
4.7 se representa esta curva exponencial, y donde corta a la curva senoidal VmSenΤt (en el ciclo
siguiente) es el umbral t2. La validez de esta afirmación se comprueba observando que en un instante
de tiempo superior a t2, la tensión en el transformador vi (curva senoidal) es superior a la del
condensador vo (curva exponencial). Como la tensión del diodo es v = vi-vo, v será positiva para
valores superiores a t2 y el diodo empezará a conducir. Por tanto, t2 es el punto umbral.

Cálculo de la intensidad de pico por el diodo
Llamaremos por comodidad a ωt1 ángulo de inicio de la descarga del condensador θ y a ωt2 inicio de
la conducción del diodo α.
¿Cómo podemos calcular el valor exacto de α?
Cuando la tensión del generador vuelve a alcanzar el valor de la tensión de salida en el periodo
siguiente, el diodo vuelve a polarizarse en directa y la tensión de salida vuelve a ser igual a la del
generador. El ángulo en el que el diodo conduce en el segundo periodo, ωt = 2π+α, es el punto en el
que el generador sinusoidal alcanza el mismo valor que la salida exponencial atenuada:
Vm sen (2 π + α ) = (Vm senθ ) e − (2 π + α −θ ) /ω RC

o
sen (α ) − (senθ ) e − (2 π + α −θ ) / ωRC = 0
E 8. 5
La ecuación anterior debe resolverse numéricamente para obtener α.

La corriente en la resistencia se calcula a partir de iR = v0/R; y la corriente en el condensador, a partir
de:
dv0 (t )
iC (t ) = C
dt
que también se puede expresar utilizando ωt como variable:
dv0 (ωt )
iC (ωt ) = ωC
d (ωt )
Utilizando la expresión:
⎧Vm senωt diodo en conducción

v0 (ωt ) = ⎨ −(ωt −θ ) / ωRC
⎩Vθ e diodo al corte E 8. 6
⎧ Vm senθ −(ωt −θ ) / ωRC para θ ≤ ωt ≤ 2π + α

⎪− R e (diodo al corte)
⎪
iC (ωt ) = ⎨ E 8. 7
⎪ωCV cos(ωt ) para 2π + α ≤ ωt ≤ 2π + θ
⎪⎩ m
(diodo en conducción)
La corriente del generador, que es igual a la corriente del diodo, es: iS = iD = iR + iC
La corriente media del condensador es cero, por lo que la corriente media del diodo es igual a la
corriente media en la carga. Ya que el diodo conduce durante un periodo corto de tiempo en cada
ciclo, la corriente de pico del diodo es generalmente mucho mayor que la corriente media del mismo.
La corriente de pico del condensador se produce cuando el diodo entra en conducción en ωt = 2π + α.
A partir de ecuación [E 8.7]:
I C , pico = ωCVm cos(2π + α ) = ωCVm cos α
La corriente en la resistencia para ωt = 2π + α se obtiene:
Vm sen(2π + α ) Vm senα
i R (2π + α ) = =
R R

La corriente de pico del diodo es:

Vm senα ⎛ senα ⎞
I D , pico = ωCVm cos α + = Vm ⎜ ωC cos α + ⎟
R ⎝ R ⎠ E 8. 8
La eficacia del filtro de condensador se determina mediante la variación en la tensión de salida, lo

que puede expresarse como la diferencia entre la tensión máxima y mínima de salida, que es la
tensión de rizado de pico a pico. Para el rectificador de media onda de la figura 8.5, la tensión
máxima de salida es Vm. La tensión mínima de salida tiene lugar en ωt = 2π + α, y puede calcularse
mediante Vmsen(α). El rizado de pico a pico se expresa de la forma siguiente:
∆V0 = Vm − Vm senα = Vm (1 − senα )

E 8. 9
En los circuitos en los que el condensador se selecciona para proporcionar una tensión continua de
salida casi constante, la constante de tiempo R-C es grande comparada con el periodo de la onda
sinusoidal y se aplica la ecuación:
π
θ≈ y Vm senθ ≈ Vm
2
Además, el diodo entra en conducción en un punto cercano al pico de la onda sinusoidal cuando α ≈
π/2. La variación en la tensión de salida cuando el diodo está al corte se describe en la ecuación [E8.6].
Si V0 ≈ Vm y θ ≈ π/2, entonces la ecuación [E8.6] evaluada para α = π/2 es:
v0 (2π + α ) ≈ Vm e − (2π +π / 2−π / 2 ) / ωCR = Vm e −2π / ωRC
La tensión de rizado puede entonces aproximarse como:
∆V0 ≈ Vm − Vm e −2π / ωRC = Vm (1 − e −2π / ωRC )

E 8.10
Además, la función exponencial de la ecuación anterior puede ser aproximada por la expansión en
serie:
2π
e − 2π / ωRC ≈ 1 −
ωRC
Sustituyendo la función exponencial en la ecuación [E8.9], el rizado de pico a pico será
aproximadamente igual a:
⎛ 2π ⎞ Vm
∆V0 ≈ Vm ⎜ ⎟=
⎝ ωRC ⎠ fRC
El rizado de la tensión de salida se reduce incrementando el condensador de filtro C. A medida que C

aumenta, el intervalo de conducción del diodo disminuye. Por tanto, incrementar la capacidad para
reducir el rizado de tensión de salida resultará en una mayor corriente de pico en el diodo.
PROBLEMA 8.1
El rectificador de media onda de la figura utiliza un generador de 120 Vrms a 60Hz, R = 500Ω y
C = 100µF. Calcular:
a) Una expresión para la tensión de salida.

b) La variación de la tensión de pico a pico en la salida
c) Una expresión para la corriente del condensador
d) La corriente de pico del diodo
e) C para que ∆V0 sea 1% de Vm
…

Solución:
A partir de los parámetros dados

Vm = 120 2 = 169,7V
ωRC = (2π 60) ⋅ (500) ⋅ (10)−4 = 18.85rad
El ángulo θ se determina con la ecuación: θ = tan −1 (− ωRC ) = tan −1 (ωRC ) + π
θ = − tan −1 (18,85) + π = 1,62rad = 93°

Vm senθ = 169,5V
El ángulo α se determina a partir de la ecuación [E8. 5]:
sen (α ) − (sen 1,62) e − (2 π + α −1, 62 ) / 18,85 = 0 → α = 0,843rad = 48°

(a) La tensión de salida:
⎧169,7 sen(ωt ) 2π + α ≤ ωt ≤ 2π + θ
v0 (ωt ) = ⎨ − (ωt −1, 62 ) / 18 ,85
⎩169,5e θ ≤ ωt ≤ 2π + α
(b) La tensión de pico a pico:
∆V0 = Vm (1 − senα ) = 169,7(1 − sen(0,843)) = 43V
(c) La corriente del condensador:
⎧− 0,339e − (ωt −1,62 ) / 18,85 A θ ≤ ωt ≤ 2π + α

iC (ωt ) = ⎨
⎩6,4 cos(ωt )A 2π + α ≤ ωt ≤ 2π + θ
(d) La corriente de pico del diodo:
⎛ sen(0,843) ⎞
I D , pico = 2 (120)⎜ 370(10) cos(0,843) +
−4
⎟ = 4,26 + 0,34 = 4,5 A
⎝ 500 ⎠
(e) Para ∆V0 = 0,001Vm :
Vm Vm 1
C≈ = = F = 3333µF
fR∆V0 60 ⋅ 500 ⋅ 0,01Vm 300
Observe que la corriente de pico del diodo se puede determinar mediante la ecuación [E8. 8],
utilizando un valor estimado de α a partir de la ecuación [E8. 9]:
⎛ ∆V0 ⎞ ⎛ 1 ⎞
α ≈ sen −1 ⎜⎜1 − ⎟⎟ = sen −1 ⎜⎜1 − ⎟ = 81,9°
⎝ Vm ⎠ ⎝ fRC ⎟⎠
De acuerdo con la ecuación [E8. 8], la corriente de pico del diodo es 30,4ª

…
Problema8_1: RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON CARGA RC (halfrc.cir)

VS 1 0 SIN(0 169.7 60)
D 1 2 DMOD
R 2 0 500
C 2 0 100UF IC=0
.MODEL DMOD D
.TRAN .01MS 50MS 0 50uS UIC
.PROBE
.OPTIONS RELTOL=.0000001
.END
[Hart]
PROBLEMA 8.2
Se desea diseñar a partir de la red (220V-50Hz.) un rectificador en puente Graetz, con filtro por
condensador que proporcione una tensión continua de salida de 9V con respecto a masa y una
corriente aproximada de 1A. El factor de rizado no debe ser superior al 5%.
a) Esquema del circuito.

b) Calcular el condensador con algunas aproximaciones.
c) Determinar la relación de espiras del elemento transformador.
d) Hallar la resistencia efectiva de salida despreciando las del transformador, resistencia
limitadora y diodos.
Solución: C = 6415µF; n2 / n1 = 0,03; RSAL = 0,77Ω
PROBLEMA 8.3
Se necesita una tensión de c.c. cuyo valor mínimo nunca sea inferior a 28V con una tensión de
red variable entre 190Vef y 240Vef, una corriente máxima de 5A de c.c. y una ondulación no
superior a 4V entre picos.
Solución:
A continuación vamos a hacer un estudio práctico más exhaustivo con algunas aproximaciones:
Empezamos observando que el campo de variación en valores porcentuales de la tensión de la

red está comprendido entre el 86,5% y el 109,1% y que el procedimiento a seguir será el cálculo
del valor del condensador del filtro y, de éste, al del rectificador y del transformador. La
capacidad de C será:
tI M (10)−2 (5)
C= = = 12500µF
∆V 4
Pero éste será el valor mínimo para que )V no supere los 4V entre picos, lo que significa que C
podrá obtenerse con tres condensadores conectados en paralelo de 4700µF para un total teórico
de 14100µF. Esto previene que una posible disminución de la capacidad total aumente la ∆V a
más de 4V entre picos, siempre que esta disminución no sea superior al 11%
(0,89·14100=12549µF). Sin embargo, tampoco hay que olvidar que la ondulación real es menor
que la calculada (ver figura 8.8) y gracias a esto, aún hay otro margen de seguridad adicional.
…

…
Los 28V mínimos se convierten en 32V de pico si se tiene en cuenta la máxima ondulación y en
35V si también se tienen en cuenta las caídas en los diodos del puente de Graetz, que es el
rectificador más adecuado en esta realización, por tratarse de una fuente de tensión simple. Pero
los 35V deben corresponder a la tensión de red del 86,5%. Sin considerar aún las pérdidas en el
transformador, la tensión de su secundario deberá ser:
35
= 40,5V
0,865
Fig 8. 8 Proceso de rizado en un circuito rectificador de onda completa y magnitudes que caracterizan la propia onda.
Suponiendo que la corriente en la carga sea bastante superior a la mitad de la que puede
suministrar el transformador, es razonable asumir que las pérdidas producidas en el mismo al
aplicar la carga sean del orden del 15% o, considerándolo de otro modo, que la tensión con la
carga máxima sea el 85% de la tensión en vacío, lo que lleva finalmente a una tensión de pico de
secundario en vacío de:
40,5
= 47,7V de pico
0,85
que será igual a 33,8V eficaces, que es la que interesa en la elección del transformador.
Si la tensión de la red fuese el 9% superior al valor nominal tal y como se ha supuesto en los
datos iniciales, la tensión de pico con carga del secundario sería de 40,5·109=44,2V de pico. Este
valor servirá para fijar las características de los diodos del puente, pero antes es necesario
establecer qué ∆V se tendrá con la capacidad antes considerada de 14100µF:
∆V =
tI M
=
(10) (5)
−2
= 3,6V
C (14100)10 −6
así que, llamando αt al tiempo de conducción de los diodos:
44,2 − 3,6
α t = 90° − arcsen = 90° − arcsen0,919 = 23°
44,2
y finalmente tendremos que:
180 180
I PM = I M =5 = 39 A de pico máxima
αt 23
En consecuencia, los diodos del puente rectificador deberán soportar una corriente directa de
trabajo, o repetitiva de pico, considerando un 30% de seguridad por las dispersiones de las
características, de 1,3·39 = 50A y una corriente directa de por lo menos 1,3·5=6,5A. Dada la gran
diferencia entre ambas corrientes, será aconsejable adoptar un puente de 10A.
se aconseja intentar hacer el cálculo más exhaustivo visto anteriormente en texto y

comparar con esta aproximación
…

…
La tensión de trabajo inversa de pico de los diodos corresponderá a la situación de máxima
tensión de la red con carga nula, o sea sin pérdidas ni caídas de tensión en el transformador.
Antes se ha calculado que la tensión de pico en vacío para el 85% de la tensión de la red era de
47,7V, por lo que, con una tensión de red nominal de 220V, esta tensión será de 56,1V y, en el
peor de los casos, o sea de 1,09 veces la tensión nominal, da como resultado una tensión de pico
de 56,1·1,09 = 61V de tensión de trabajo inversa de pico.
Para mayor seguridad se adoptará un puente de tensión de trabajo inversa por lo menos un 20%
mayor, o sea de unos 75V, que comercialmente será de 100V.
Por tanto, una simple consideración de orden práctico sugiere que hay que elegir diodos con una
tensión inversa de hoja de características que sea del orden del doble de la calculada, como
también se había visto anteriormente.
El puente necesitará una aleta de refrigeración porque tiene que disipar una potencia de 2·VD·IM =
2·1,5·6,5 = 19W.
La tensión aproximada de trabajo del condensador será de 61V y, por tanto, una tensión
normalizada de 63V será suficiente, aunque es aconsejable utilizar un condensador de 80 ó
100V.
Finalmente, el transformador deberá estar dimensionado para una potencia de 33,8·6,5=220VA.
8.4 Filtro por bobina [Millman]
El funcionamiento del filtro por inductancia se basa en la propiedad fundamental de este componente
de oponerse a cualquier variación de la corriente, de forma que cualquier variación brusca que
pudiera aparecer en un circuito sin inductancia se suaviza por el hecho de colocar este elemento en el
circuito.
A continuación analizaremos el rectificador de onda completa con filtro por bobina. Supongamos que
como filtro de entrada se conecta un choque o inductancia a la salida de un rectificador de onda
completa. En la figura 8.9 (b) se muestran las formas de onda de la corriente en la carga que se
obtienen con y sin inductancia. Podemos calcular la solución exacta de la ecuación diferencial del
circuito, sin embargo, puesto que la corriente en la carga no se anula en ningún instante, es ahora más
sencillo hallar una solución aproximada. Los resultados serán suficientemente precisos para la
mayoría de las aplicaciones, y desde luego mucho más sencillos que la solución exacta. La tensión
aplicada al circuito constituido por la resistencia de carga y el filtro por inductancia es la dada en la
ecuación:
⎡ ⎤
⎢ 2 4 Coskωt ⎥
⎢π π K∑
V = Vm −
par (k + 1)(k − 1)
⎥
⎣⎢ K =0 ⎦⎥
Fig 8. 9
a) Esquema de un rectificador de
onda completa con un choque
como filtro de entrada. b) Formas
de onda de la intensidad en la
carga para L= 0 y L≠ 0.

Se puede observar, analizando el desarrollo de Fourier de un rectificador de onda completa, como en

el circuito equivalente sólo existen elementos lineales, y que la tensión de entrada consta de una
batería 2Vm/π en serie con una fuente alterna cuya f.e.m. es (-4Vm/3π)·Cos2ωt. Según la teoría
elemental de circuitos, la corriente en la carga será igual a:
2Vm 4Vm Cos (2ωt − φ )

i= −
(
πRL 3π R 2 + 4ω 2 L2 12
L ) E 8.11
2ωL
siendo: tgφ =
RL
Fig 8. 10
Circuito equivalente de un rectificador de onda completa con una
bobina como filtro de entrada.
La ecuación [E 8.11] es la expresión analítica de la curva de la corriente en la carga de la figura 4.9 (b).
La tensión en la carga es Vo= i·RL.
El factor de rizado es:
4Vm 1
r= L (
3π 2 R 2 + 4ω 2 L2 ) 1
2
=
2 RL 1
2Vm
(
3 2 R 2 + 4ω 2 L2
L ) 1
2
πRL
y que podemos expresar como:
2 1
r= 1
3 2⎛ ⎞ 2
⎜⎜1 + 4ω L
2 2
2⎟
⎝ RL ⎟⎠
Esta expresión muestra que el filtrado mejora conforme disminuye la resistencia del circuito, o lo que
es lo mismo, conforme aumenta la corriente. Si la relación 4ω2L2/RL2 es grande frente a la unidad, el
factor de rizado se reduce a:
1 RL
r=
3 2 ωL E 8.12
Esta expresión muestra que, con cualquier carga, el rizado varía inversamente con la magnitud de la
inductancia. Además, el rizado es más pequeño cuanto menor es RL, es decir, cuanto mayor es la
corriente.

PROBLEMA 8.4
El rectificador monofásico en puente está alimentado de una fuente a 12V, 60Hz. La resistencia
de carga es R = 500 Ω. Calcular el valor de un inductor en serie que limitará la corriente rms de
componente ondulatoria Ica a menos del 5% de Icd.
Solución:
La impedancia de carga
Z = R + j (nωL ) = R 2 + (nωL ) θ n
2
nωL
θ n = tan −1
R
y la corriente instantánea es
4Vm ⎡1 1 ⎤
i L (t ) = I cd − ⎢⎣ 3 cos(2ωt − θ 2 ) + 15 cos(4ωt − θ 4 )...⎥⎦
π R 2 + (nωL )2 E 8.13
donde
Vcd Vm
I cd = =
R πR
La ecuación [E 8. 13] da el valor rms de la corriente de componente ondulatoria como:
(4Vm )2 ⎛1⎞
2
(4Vm )2 ⎛1⎞
2
= + ⎟ + ...
2π 2 [R 2 + (2ωL ) ] ⎝ 3 ⎠ 2π 2 [R 2 + (4ωL ) ] ⎝ 15 ⎠
2
2 ⎜ ⎟ 2 ⎜
I ca
Considerando únicamente la armónica de orden más bajo (n = 2), tenemos:
4Vm ⎛1⎞
I ca = ⎜ ⎟
2π R + (2ωL ) ⎝3⎠
2 2
Usando el valor de Icd y después de simplificar, el factor de componente ondulatoria es:
I cs 0,4714
r= = = 0,05
I cd 1 + (2ωL / R )
2
Para R = 500 Ω y f = 60Hz, el valor de inductancia se obtiene como:
⎡ ⎛ πL ⎞⎤
0,4714 2 = 0,05 2 ⎢1 + ⎜ 4 ⋅ 60 ⋅ ⎟⎥ → L = 6,55H
⎣ ⎝ 500 2 ⎠⎦
También podríamos haber utilizado la ecuación [E 8. 12] y entonces:
1 500
0,05 = → L = 6,25H
3 2 2π 60 L
La diferencia procede de los términos de orden más elevado de la serie de Fourier que se han
despreciado.
Podemos apreciar qe una inductancia en la carga ofrece una alta impedancia para las corrientes
armónicas y actúa como filtro para reducirlas. Sin embargo, esta inductancia introduce un retraso
de la corriente de carga con respecto al voltaje de entrada.

8.5 Filtro LC [Millman, Rashid]
Los dos tipos de filtros considerados pueden combinarse en uno solo dando como resultado el filtro
LC. Este filtro conjuga el menor rizado conforme aumenta la intensidad del filtro por bobina con el
menor rizado a pequeñas intensidades del filtro por condensador. En la figura 8.11 se representa este
tipo de filtro. La inductancia presenta una impedancia serie grande a los armónicos, y el condensador
una impedancia en paralelo pequeña. La corriente resultante por la carga se suaviza mucho más
eficazmente que con el filtro L o C simples.
Un filtro LC resulta tanto más eficaz cuanto mayor sea la reactancia de la bobina a la frecuencia
fundamental de ondulación, con respecto al valor de la resistencia de carga, o cuanto menor sea el
valor de la reactancia del condensador, también con respecto a la misma resistencia de carga.
Debe de cumplirse que: XL >> RL y XC << RL → XL >> XC
Fig 8. 11
Filtro LC.
Regulación: La tensión se calcula inmediatamente al tomar, para la tensión que aparece en los
terminales AB del filtro de la figura 8.11, los dos primeros términos del desarrollo en serie de Fourier
de la tensión de salida del rectificador, es decir, según la figura 4.10:
2Vm 4Vm
v= − Cos 2ωt
π 3π E 8.14
Los diodos se sustituyeron por una batería en serie con una fuente alterna de frecuencia doble de la
de la red industrial. Este circuito equivalente es idéntico al que utilizamos para el rectificador de onda
completa con filtro por inductancia. Si despreciamos la resistencia óhmica de la inductancia, la
tensión continua de salida es igual a la tensión continua de entrada, es decir:
2Vm
VCC =
π
Si la suma de las resistencias del diodo, transformador e inductancia la denominamos R:
2Vm
VCC = − I CC R
π E 8.15
Factor de rizado: Puesto que la misión del filtro es suprimir los armónicos en el sistema, la
reactancia de la bobina debe ser mucho más grande que la de la combinación en paralelo del
condensador y la resistencia. Esta última es pequeña si la reactancia del condensador es mucho
menor que la resistencia de carga. Por tanto, se introduce muy poco error si suponemos que toda la
corriente alterna pasa por el condensador y ninguna por la resistencia. En este caso, la impedancia
total entre A y B es, aproximadamente XL = 2ΤL, la reactancia de la bobina a la frecuencia del
segundo armónico. La corriente alterna que circula por el circuito es:

4Vm 1 2 1
I ef′ = = VCC
3π 2 X L 3 XL E 8.16
habiendo despreciado la resistencia R en la ecuación [E 8.15]. La tensión alterna en la carga (tensión de

rizado) es la tensión en bornes del condensador. Es decir:
2 X
Vef′ = I ef′ X C = VCC C
3 XL E 8.17
siendo XC = 1/2ωC la reactancia del condensador a la frecuencia del segundo armónico. Entonces, el
factor de rizado es igual a:
Vef′ 2 XC 2 1 1 2 1
r= = = =
VCC 3 XL 3 2ωC 2ωL 12 ω 2 LC E 8.18
Se puede apreciar como el efecto de combinar la disminución del rizado que produce el filtro por
inductancia conforme aumenta la carga y el aumento del mismo debido al filtro por condensador, es
un rizado constante, independiente de la carga.
Inductancia crítica: En el análisis anterior hemos supuesto que la corriente circula por el circuito en
todo instante. Veamos lo que ocurre cuando no se utiliza la inductancia: la corriente circulará por el
circuito del diodo durante una pequeña parte del ciclo, y el condensador se cargará en cada ciclo a la
tensión de pico del transformador. Supongamos ahora que conectamos una inductancia pequeña en el
circuito. Aunque el tiempo que circula la corriente por el diodo es algo mayor, puede aún ocurrir el
corte. Conforme aumenta el valor de la inductancia, se llegará a un valor para el cual el circuito del
diodo suministrará continuamente corriente a la carga, desapareciendo el punto de corte. Este valor
de la inductancia se denomina inductancia crítica LC. En estas circunstancias, cada diodo conduce
durante un semiciclo, y la tensión de entrada al filtro tiene la forma dada por la ecuación [E 8.14].
Solamente en este caso es válida la teoría del filtro LC desarrollada anteriormente.
En la figura 8.12, se ve que, si ha de circular corriente por el rectificador durante todo el ciclo, el pico
I’ef·√2 de la componente alterna de la corriente no debe ser superior a la corriente continua, ICC
=VCC/RL. Por tanto, para que circule corriente por el diodo durante todo el ciclo, es necesario que:
VCC 2V 1
≥ I ef′ 2 = CC
RL 3 XL
donde hemos empleado la ecuación [E 8.16]. De donde:
2 RL
XL ≥
3 E 8.19
Fig 8. 12
Corriente por el diodo en un circuito de onda completa
cuando se utiliza un filtro LC.

y el valor de la inductancia crítica es igual a:
RL
LC =
3ω E 8.20
Estos valores de la inductancia crítica no han sido deducidos a partir de la tensión real de entrada,
sino a partir de una tensión aproximada constituida por una componente continua y el primer término
alterno del desarrollo en serie de Fourier de la tensión real de entrada. Sin embargo, al despreciar los
armónicos más altos, se introduce un error apreciable en el cálculo de la inductancia crítica. Así, en
un diseño exigente es aconsejable aumentar el valor de LC calculado anteriormente en un 25%.
El efecto del corte se ilustra en la figura 8.13, que muestra la curva de regulación del sistema para L
constante y una corriente de carga variable. Evidentemente, cuando la corriente es cero (RL infinita),
el filtro es del tipo por condensador y la tensión de salida es Vm. Conforme aumenta la corriente en la
carga, la tensión disminuye, hasta que en I = IC (la corriente a la que L = LC), la tensión de salida es
la correspondiente al filtro LC sin corte, es decir, 0,636Vm. Para valores de I mayores que IC, la
variación de la tensión se debe a los efectos de las resistencias de los diferentes elementos del
circuito.
Fig 8. 13
Curva de regulación de un rectificador con un filtro LC.
PROBLEMA 8.5
Un rectificador de onda completa ha de suministrar 100mA a 150V con un rizado inferior a 10V.
Calcular los elementos de un rectificador que, utilizando un solo filtro LC, verifique las
especificaciones establecidas.
Solución:
La resistencia de carga efectiva es:

150
RL = = 1500Ω
0,1
y el factor de rizado es:
10
r= = 0,066
150
Según la ecuación [E 8.20], y si f = 50Hz, la inductancia crítica para este filtro es:
1500
LC = = 1,59 H
3(2π 50)
Según la ecuación [E 8.18], el producto LC debe ser como mínimo:
2 2
LC = = = 1,8 ⋅ 10 −5
12rω 12(0,066 )(100π )
2 2

Estos cálculos dan los valores mínimos de L y LC que pueden emplearse para conseguir el
filtrado deseado. Los valores reales que se utilicen dependen de las inductancias y condensadores
existentes en el mercado. La conveniencia de emplear componentes comerciales típicos se basa
en consideraciones de disponibilidad y económicas. Puesto que pueden obtenerse fácilmente
choques de 10H que cumplan los límites de corriente deseados, elegiremos esta inductancia. Por
tanto, el condensador debe ser de unos 2µF.
PROBLEMA 8.6
En el circuito de la figura, la señal de onda completa presente a la entrada de la bobina tiene un

pico de 34V. Si la bobina tiene una resistencia de 25 Ω.
a) El valor del voltaje de salida en continua.

b) El factor de rizado.
c) El valor eficaz de la componente alterna.
Solución:
VSC (a la entrada de L ) 2Vm 2(34)

a) ′ =
VSC RL → VSC = = = 21,64V
X L + RL π π
21,64V
′ =
VSC 500Ω = 20,6V
25Ω + 500Ω
2 1 2 1
r= = = 2·10 − 4 → (0,02% )
12 (10)(500·10 −6 )(2π 50)
b)
12 LCω 2
c) ( )
Vef = rVSC = 2·10 −4 (21,64 ) = 4,3mV
Veamos si se cumplen las condiciones, XL >> RL y XC << RL:
1
X L = Lω = (10)(2π 50) = 3141,5Ω; XC = = 6,36Ω; RL = 500Ω;
ωC
Por lo tanto, sí se cumplirán dichas condiciones.

PROBLEMA 8.7
Un filtro LC se utiliza para reducir el contenido de componente ondulatoria del voltaje de salida
para un rectificador monofásico de onda completa. La resistencia de carga es R = 40 Ω, la
inductancia de carga es L = 10mH y la frecuencia de la fuente es 60Hz (377 rad/s).
a) Calcular los valores Le y Ce de tal manera que el factor de componente ondulatoria de

voltaje de salida sea 10%.
b) Utilice Pspice para calcular las componentes de Fourier del voltaje de la corriente de
salida vL. Suponga parámetros de diodo IS = 1E-25, BV = 100V
Solución:
(a) Para facilitar el paso de la corriente de componente ondulatoria de la armónica de rango

n a través del capacitor del filtro, la impedancia de la carga debe ser mucho mayor que
la del capacitor:
1
R 2 + (nωL ) >>
2
nωC e
Esta condición generalmente queda satisfecha mediante la relación:
10
R 2 + (nωL ) >>
2
nωC e
y bajo esta condición, el efecto de la carga será despreciable. El valor rms de la componente
armónica de rango n, que aparecerá en la salida, se puede encontrar utilizando la regla del divisor
de voltaje, y se expresa:
− 1 / (nωC e ) −1
Von = Vn = V
(nωLe ) − 1 / (nωC e ) (nω ) Le C e − 1 n
2
La cantidad total de voltaje de componente ondulatoria debida a todas las armónicas es:
1/ 2
⎛ ∞ ⎞
Vca = ⎜⎜ ∑ Von2 ⎟⎟
⎝ n = 2, 4, 6... ⎠
Para un valor especificado de Vca y con el valor de Ce correspondiente , se puede calcular el
valor de Le. Podemos simplificar el cálculo considerando sólo la armónica dominante.
La segunda armónica es la dominante y su valor es V2 = 4Vm / 3 2π ( ) y el valor de cd,
Vcd=2Vm / π
Para n = 2:
−1
Vca = Vo 2 = ⋅ V2
(2ω ) 2
Le C e − 1
El valor del capacitor será:
10 10
R 2 + (nωL ) = = 326 µF
2
→ Ce =
2ωC e 4πf R 2 + (4πfL )
2
Y el factor de componente ondulatoria:
Vca V02 V2 1 2 1
r= = = = = 0,1
Vcd Vcd Vdc (4πf ) Le C e − 1
2
3 (4πf ) Le C e − 1
2

…
o bien:
(4πf )2 Le C e − 1 = 4,714 → Le = 30,83mH
(b) Descripción del circuito:
Problema8_7: PUENTE RECTIFICADOR MONOFÁSICO CON FILTRO LC

VS 1 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
LE 3 8 30.83MH
CE 7 4 326UF
RX 8 7 80M ; Used to converge the solution
L 5 6 10MH
R 7 5 40
VX 6 4 DC 0V ; Voltage source to measure the output current
VY 1 2 DC 0V ; Voltage source to measure the input current
D1 2 3 DMOD ; Diode models
D2 4 0 DMOD
D3 0 3 DMOD
D4 4 2 DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.22E-15 BV=1800V) ; Diode model parameters
.TRAN 10US 50MS 33MS 1US ; Transient analysis
.FOUR 120HZ V(6,5) ; Fourier analysis of output voltage
.PROBE
.options ITL5=0 abstol = 1.000u reltol = .05 vntol = 0.01
.END
Los resultados de la simulación Pspice son:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(6,5)

1 1.200E+02 2.436E+00 1.000E+00 4.892E+00 0.000E+00
2 2.400E+02 2.779E-01 1.141E-01 2.610E+01 1.632E+01
3 3.600E+02 1.343E-01 5.512E-02 4.354E+00 -1.032E+01
4 4.800E+02 7.028E-02 2.885E-02 -3.531E+01 -5.488E+01
5 6.000E+02 3.928E-02 1.612E-02 -7.794E+01 -1.024E+02
6 7.200E+02 2.458E-02 1.009E-02 -1.143E+02 -1.437E+02
7 8.400E+02 1.745E-02 7.162E-03 -1.395E+02 -1.737E+02
8 9.600E+02 1.400E-02 5.747E-03 -1.564E+02 -1.955E+02
9 1.080E+03 1.189E-02 4.882E-03 -1.721E+02 -2.161E+02
Lo que verifica el diseño
8.6 Curvas de regulación
Se ha visto que en cualquiera de los rectificadores estudiados, posean o no filtro, la tensión continua
sobre la carga depende de la corriente en ésta, y disminuye al aumentar ICC. En estas condiciones
ideales en que se ha venido analizando el comportamiento de los rectificadores, esta variación de VCC
con ICC es lineal y puede expresarse por medio de una expresión como:
VCC = VCC máx − I CC ∑ rCC
En la que VCC máx es el valor de VCC en vacío y Ε rCC representa la resistencia interna, que en continua
presenta el rectificador y que es la suma de las que posean los distintos elementos situados en serie.
La representación de VCC en función de ICC da lugar a la llamada curva de regulación del rectificador,
que en la práctica, no es una recta debido a la no constancia de las características de los elementos
que determinan Ε rCC. Cuando menor es la pendiente de esta curva, más constante es la tensión de
salida y más se aproxima el rectificador a su modelo, el generador de corriente continua.

Para valorar esto se ha definido el tanto por ciento de regulación, definido por la expresión:
VCC (vacío ) − VCC (c arg a )

% de regulación =
VCC (c arg a )
En la figura 8.14, se muestra la forma general de la curva de regulación y en ella puede apreciarse
como su pendiente mide, en cada punto, la resistencia interna Ε rCC antes citada:
Fig 8. 14
Curva de regulación.
Al aplicar estos conceptos a los distintos tipos de rectificadores con filtro, aparecen curvas típicas de
regulación como las que se muestran en la figura 8.15. De ellas sólo se destaca el punto anguloso de
la correspondiente al rectificador de doble onda con filtro L o LC. Este punto corresponde a la
corriente ICC que hace que la L del circuito resulte crítica. Si la carga ICC es inferior a la de este punto
crítico, resulta que L<LC, y el filtro actúa más bien como filtro por condensador.
Fig 8. 15
Curvas de regulación típicas.
Al disminuir ICC la tensión continua de salida tiende hacia Vm, como ocurre en todos los filtros que
contienen condensadores en paralelo. Por el contrario, si ICC es mayor que el valor crítico, el filtro
actúa conforme a lo que se ha supuesto en su cálculo y la expresión de la curva de regulación,
linealizada será:
2Vm
VCC = − I CC (R2 + rd + rb )
π
expresión en la que rb representa la resistencia en corriente continua de la bobina.
8.7 Fuentes reguladas

Para convertir la tensión alterna en continua se utilizan los circuitos rectificadores. Sin embargo, la
tensión continua disponible a la salida del filtro del rectificador puede que no sea lo suficientemente
“buena”, debido al rizado, para una aplicación particular o que varíe su magnitud ante ciertos tipos de
perturbaciones que afecten al sistema, como pueden ser las variaciones de la carga o de temperatura.
En estos casos se precisan circuitos de estabilización o de regulación para conseguir que la tensión
continua a utilizar sea lo más constante posible.

Esencialmente, una fuente consta de 3 bloques (Fig. 8.16):

- Rectificador: convierte tensión alterna en una forma de onda pulsante de componentes
alternas y continuas.
- Filtro: aísla la componente a.c. de la c.c.
- Regulador: establece niveles de tensión adecuados y mantiene la tensión o intensidad
regulada cte.
Fig 8. 16
Diagrama de bloques de una
fuente de alimentación regulada.
La misión del regulador es contrarrestar la inestabilidad de la fuente primaria. Funciona como un

servomecanismo comparando el parámetro electrónico deseado en la carga con uno de referencia y
efectúa los cambios necesarios para compensar las variaciones de la fuente primaria y las debidas a la
carga. Su tiempo de respuesta es finito y su error en la estabilidad es función de la ganancia del bucle
de la realimentación. Un diagrama de bloques de un sistema regulador se muestra en la figura 8.17.
Fig 8. 17 Diagrama de bloques de un sistema regulador.
Los reguladores de tensión pueden ser:
• Reguladores lineales (Fig. 8.18 a): Controlan la tensión de salida ajustando continuamente
la caída de tensión en un transistor de potencia conectado en serie entre la entrada no
regulada y la carga. Puesto que el transistor debe conducir corriente continuamente, opera en
su región activa o lineal.
- Operan con c.c. a la entrada: VCC.
- Equivalen a una resistencia con valor de ajuste automático.
- Basan su funcionamiento en la caída de tensión en elementos disipativos.
- Tienen bajo rendimiento.
• Reguladores conmutados (Fig. 8.18 b): Utilizan un transistor de potencia como conmutador
de alta frecuencia, de tal manera que la energía se transfiere desde la entrada a la carga en
paquetes discretos. Los pulsos de intensidad se convierten después a una corriente continua
mediante un filtro inductivo y capacitivo. Puesto que, cuando opera como conmutador, el
transistor consume menos potencia que en su región lineal, estos reguladores son más
eficientes (hasta el 80%) que los lineales; además son más pequeños y ligeros. El precio que
se paga por estas ventajas es una mayor complejidad del circuito y un mayor ruido de rizado.

- Conmutador que interrumpe la corriente en la fuente primaria a intervalos de

duración variable.
- Tienen rendimiento elevado.
Fig 8. 18 Diagrama de bloques de un sistema regulador: a) Lineal y b) Conmutado.
www.ipes.ethz.ch
En la figura 8.17 presentamos un regulador lineal serie elemental con elementos

discretos, ¿Sabrías comentar cómo afecta una variación de la tensión de salida
provocada por una variación brusca de la carga sobre el funcionamiento del sistema
realimentado?
Los reguladores lineales pueden ser configuración serie y paralelo. Comentaremos brevemente el
regulador serie por ser el más empleado.
8.8 Regulador en serie
• Esta configuración suele utilizarse cuando la carga es grande.

• En la figura 8.19 (a) vemos el diagrama de bloques de un regulador en serie.
• Del diagrama deducimos que la potencia disipada será:
− VCONTROL = VC = Ve − VS ⎫
⎬⇒
− ICONTROL = IC = IS ⎭

∗VS = cte; 0≤ IS ≤ Ismáx ⇒ PD = PC = (Ve − VS)·ISmáx

∗VS = cte; IS = cte ⇒ PD = PC = (Ve − VS)·IS
∗VS = 0 (cortocircuito) ⇒ PD = PC = VS·ISmáx (muy grande)
Fig 8. 19
Diagrama de bloques de un regulador:
a) En serie y b) En paralelo.
8.8.1 ELEMENTOS DEL REGULADOR EN SERIE
Una fuente de tensión regulada usa, normalmente, un circuito automático de control que detecta las
variaciones de la tensión de salida y los corrige automáticamente. Los elementos de un sistema de
control son:
A) Elemento de referencia
B) Elemento de muestra
C) Elemento comparador
D) Amplificación de la señal de error.
E) Elemento de Control.
A) Elemento de referencia
• Da una tensión de referencia lo más estable posible, bajo un amplio margen de corriente de
funcionamiento.
• Suele constar de un diodo Zener y su resistencia de polarización (Fig. 5.8.a).
Fig 8. 20
Elemento de referencia de un regulador serie.
• De la figura obtenemos que:

VZ ⎛ R ⎞
V S = I 1 ⋅ R + V Z ⇒ I 2 << I 1 ⇒ V S = I z ⋅ R + V Z = ⋅ R + VZ VS = VZ ⋅ ⎜⎜ + 1⎟⎟ ⇒
RZ ⎝ RZ ⎠
⎛ R ⎞ ∆V Z ⎛ R Z ⎞ ∆V R
∆V S = ∆V Z ⋅ ⎜⎜ + 1⎟⎟ ⇒ = ⎜⎜ ⎟⎟ ⇒ R Z << R ⇒ Z = Z ≈ 0
⎝ RZ ⎠ ∆V S ⎝ R + R Z ⎠ ∆V S R
• Por tanto, VZ varía poco con respecto a VS.
Un diodo Zener es el disposiivo más barato y simple para obtener una tensión de referencia más o
menos estable. Sin embargo, hay que adaptarse a los valores de tensiones Zener presentes en el
mercado (5.6V, 6.2V, 6.8V,…), presenta fuerte deriva térmica y el ruido.
Los referencia de tensión basados en diodos Zener tienen valores a partir de 6 a 7 V que requieren en
los referencias de tensión monolíticos tensiones de alimentación de al menos 10V. Esto puede ser un
inconveniente en sistemas alimentados con tensiones más bajas, tales como 5V.

Podemos solventar este problema utilizando algunos circuitos integrados existentes en el mercado.
En la figura 8. 21 se presenta el diagrama circuital de un referencia de tensión LM385, (National
Semiconductor) de 2.5V. Otros referencias de tensión son el AD580/581/584 de Analog Devices, el
MC1403/04 de Motorota y REF-01/-02/-05/-10 de Precision Monolihics.
Fig 8.21
Diagrama del referencia de
tensión “bandgap” LM385 de
2.5V y una aplicación típica
B) Elemento de muestra
• Da una señal proporcional a la de la salida.

• Suele ser un divisor de tensión resistivo, con un pequeño ajuste, situado a la salida de la fuente
(Fig. 8.22)
Fig 8. 22
Elemento de muestra de un regulador serie.
• Los valores de R1, R2, P deben ser >> RL para evitar una posible fuga de corriente.
• De la figura obtenemos que:
I 1 = I comp + I m ⇒ I m >> I comp (despreciable)⇒ I 1 = I m

(1 − α ) ⋅ P + R2 (1 − α ) ⋅ P + R2
V m = I m [(1 − α ) ⋅ P + R 2 ] = ⋅V S ⇒ m =
R1 + R 2 + P R1 + R 2 + P
⇒ Vm = m ⋅ V S
• Para que el consumo del sistema de regulación sea bajo: I m << I S max
C) Elemento comparador
• Analiza en cada instante la señal proveniente del elemento de muestra con la fija de referencia de
forma que intenta equilibrar las variaciones producidas a la salida.

• Generalmente deberá ser un transistor o un amplificador operacional.

• Con transistor (Fig 8.23.a): Si VS aumenta ⇒ VBE aumenta ⇒ IC del transistor es mayor
V m = mVs ⎫ (VBE + VZ )
Vm = V BE + V R ⇒ ⎬ ⇒ V BE = m ⋅ V s − V Z ⇒ V s =
V R = VZ ⎭ m
R1 + R2 + P
⇒ V s = (V BE + V Z ) ⋅
(1 − α ) ⋅ P + R2
• Con amplificador operacional (Fig 8.23.b):

VZ R1 + R 2 + P
VZ = Vm = mVs ⇒ Idealmente ε=0 ⇒ V s = ⇒ Vs = VZ ⋅
m (1 − α ) ⋅ P + R2
R1 R1
R R
Al ampl.
+ αP de error + αP
Al ampl. P VS P VS
de error VBE (1−α)P ε=0 (1−α)P
Fig 8. 23
Elemento comparador de baja tensión de un
VZ Z Vm R2 VZ Z Vm R2 regulador serie. a) Con transistor y b) Con
amplificador operacional.
D) Amplificador de la señal de error
Está formado por un amplificador de acoplo directo, en muchos casos constituidos por un solo
transistor (Fig 8.24).
Fig 8. 24
Elemento amplificador de la señal de error de un regulador serie.
Este elemento amplifica las variaciones producidas en el comparador y las eleva a un nivel tal que
puedan excitar al bloque de control.
E) Elemento de control
Su misión es la de controlar las variaciones de la tensión de salida, aumentando o disminuyendo su
caída de tensión colector-emisor, así como la de permitir la circulación de la corriente necesaria a la
salida. Su diseño puede ser una conexión Darlington con una resistencia R que se comporta como
una fuente de corriente constante (I) denominada Prerregulador (Fig 8.25.a).
Fig 8. 25
Elemento de control de un regulador serie.
I = I B + I AE = cte
I cte ≥ 2 I B max
Si Ve aumenta, Vs aumenta ⇒ IAE varia ⇒ IB y VCE disminuye ⇒ Vs no varia.

Ve − (Vs − V BE )
R ⋅ I cte = Ve − (V s − V BE ) ⇒ R =
I cte
Una mejor solución es usar un transistor con salida por colector como muestra la figura 8.25.b.
En la figura siguiente podemos ver una sencilla fuente de alimentación regulada con A.O.:
Fig 8.26
Regulador de tensión en serie basado en un A.O.
Está constituido por un referencia de tensión y un A.O. que controla al Darlington (Q1 y Q2) de
potencia de salida. Los transistores de potencia tienen una VBE(on) ≈ 1V y el valor de hFE es
generalmente mucho menor que los transistores BJT de baja potencia (a veces tan baja como 10). Por
esta razón, el elemento de regulación en serie se implementa generalmente con un par Darlington que
ofrece una ganancia en intensidad alta, típicamente de 1000 o más. En este circuito, el A.O. actúa
como amplificador de error comparando la tensión de referencia (VREF) obtenida a partir de un
referencia de tensión con la obtenida a través de la red de realimentación formada por un R1 y R2.
Como en un AO ideal, Vn = Vp, la tensión de salida de este circuito es:
⎛ R ⎞
Vo = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟V REF
⎝ R1 ⎠
8.9 Reguladores de tres terminales
Hoy día, en el mercado, podemos encontrar una extensa gama de reguladores de tensión integrados.
Dentro de esta gama, los reguladores de tres terminales son muy populares debido a su simplicidad y
fácil aplicación.
Los reguladores de tensión típicos de tres terminales tienen un terminal para la entrada no regulada
(IN), la salida regulada (OUT) y tierra (COMMON) y están ajustados para proporcionar una tensión
de salida constante tal como +5V o +15V o -15V. Dentro de esta categoría se encuentra la serie
µA78XX (posisitvos) o µA79XX (negativos) de Fairchild. Los dos últimos dígitos indicados por XX
indican la tensión de salida y pueden ser 05, 06, 08, 12, 15, 18 y 24 V. Las versiones de baja potencia
son accesibles en encapsulados de plástico y las de mayor potencia en encapsulados tipo TO-03 y
TO-220 metálicos con corrientes de salida superiores a 1A. Otros ejemplos de reguladores son el
LM340 y LM320 de National Semiconductor, serie MC79XX de Motorota y el LT1003 de Linear
Technology, este último proporciona 5V y 5A de salida.

Fig 8. 27
Fuente de alimentación basado en el
regulador de tensión.
a) positivo µA7812
b) negativo µA7912
Las figuras 8.27.a y 8.27.b describen dos ejemplos de utilización del regulador de tensión fija
µA7812 y µA7912 para obtener tensiones de salida reguladas de +12V y -12V, respectivamente. Los
condensadores C1 y C2 mejoran la respuesta transitoria del regulador. Cuando el regulador se
encuentra a cierta distancia del rectificador, C1 se desdobla en dos, uno conectado a la salida de los
diodos y otro conectado a la entrada del regulador (valor de 0.1 a 1µF) para evitar oscilaciones no
deseadas.
PROBLEMA 8.8
Diseñar el regulador de la figura para una salida de 12V y 1A.
DATOS: β1=20; β2=β3=100; VBE=0,7V;

Diodo Zener: 1N5523A, VZ = 5,1V; Zmax = 26 W, IZmax = 75mA; IZtest = 5mA; Vi=20 ± 4V;
C=250mF.
Comprobar la regulación de la tensión de salida para la variación de la tensión de entrada, por

medio de Pspice.
Problema8_8.cir
Solución:
Vb 3 = VZ + VBE = 5.8 V
Si quiero que pase 1mA por el divisor de tensión, R3, R4, IR3 = 1mA
Vb 3 Vsal − Vb 3
R4 = = 5,8 kΩ R3 = = 6,2 kΩ
IR 3 IR 3
...

…
I = I b 2 max + I c 3 min
I c 1 min
I c 1 min = 1 A → I b 1 = = 50 mA → I e 1 = I b 1 = 50 mA
β1
I e1
Ib2 = = 0,5 mA
β2
Si Ic3 = 0,5mA, entonces: I = I b 2 + I c 3 = 1 mA
Vb 2 = Vsal + 2 ⋅ VBE = 13,4V
Suponiendo que R1=R2:
Vent _ min − Vb 2 Vent _ min − Vb 2

R1 + R2 = → R1 = → R1 = R2 = 1,3kΩ
I 2⋅ I
Como Izmin=1mA, la IR5 = 0,5mA
Vsal − VZ
R5 = = 13,8kΩ
I R5
Las especificaciones de T1 son:
Vent_max = VCE 1 max + Vb 2 − 2 ⋅ VBE ⇒ VCE 1 max = Vent_max − Vb 2 + 2 ⋅ VBE = 12 V

I c 1 min
PDmax = VCE 1 max ⋅ I c1 min = 12 W Ic 2 =
2
VCB1 max = VCE 1 max − VBE = 11,3 V ; VCE 2 max = VCB1 max
PD 2 max = I c 2 ⋅ VCE 2 max = 5,65 W
VCE 3ma x = Vb 2 − VZ = 8,3V ; I c 3 max = I z min
PD 3 max = VCE 3 max ⋅ I c 3 max = 8,3mW
8.9.1 CARACTERÍSTICAS
A continuación se describen algunas especificaciones de los reguladores de tensión que aparecen en

las hojas de características:
• Regulación de línea (line regulation). La regulación de línea es una medida de la capacidad del
circuito para mantener la tensión de salida bajo condiciones de variación de entrada. En el caso de
reguladores de tensión, la entrada se obtiene generalmente a partir de la señal de la red y tiene un
rizado significativo. Si la tensión de entrada de baja calidad es Vi y la tensión de salida
estabilizada es Vo, la regulación de línea (Regline) se define como:

∆Vo
∆Vo V
Re g line = (mV / V ) ó Re g line = o (% / V )
∆Vi ∆Vi
• Regulación de carga (load regulation). La regulación de carga es una medida de la capacidad

del circuito para mantener la tensión de salida aunque cambie la corriente IL absorbida por la
carga. Si el circuito fuera una fuente de tensión ideal, su salida debería ser independiente de IL.
Por tanto, la regulación de la carga está directamente relacionada con la resistencia de salida
equivalente del circuito. La regulación de carga (Regload) se define como:
V NL − VFL
V NL − V FL V NL
Re g load = (mV / mA mV / A) ó Re g load = (% / mA % / A)
∆I L ∆I L
donde VNL es la tensión de salida sin carga y VFL es la tensión de salida a máxima carga.
• Tensión de referencia (reference voltage). Tensión de referencia del regulador utilizada para
ajustar la tensión de salida.
• Corriente de ajuste (ajustment pin current). Corriente de salida por el terminal

ADJUSTMENT.
• Corriente de salida mínima (minimun output current). Corriente mínima de salida por el
terminal OUT. Esta corriente debe ser asegurada para el correcto funcionamiento del regulador de
tensión.
• Corriente de salida máxima (current limit). Máxima corriente de salida que puede proporcionar
el regulador antes de que se active el circuito de protección.
• Tensión “Dropout” (dropout voltage). El voltaje de “dropout” es la mínima diferencia de

tensión entre la entrada y la salida dentro de la cual el circuito es todavía capaz de regular la salida
dentro de las especificaciones. Así, por ejemplo, para IL = 1A, el µA7805 tiene un voltaje de
“dropout” de 2V (typ), 2.5V (max). Esto significa que para una salida garantizada de 5V, Vi debe
ser mayor que 7.5V. Los siguientes reguladores tienen un “dropout” de 0.6V: L487 y L4700
(SGS), LM2931 y LM2935 (National Semiconductor) y LT1020 (Linear Technology).
• Tensión máxima diferencial entrada-salida (Input-Output Voltage Differential). Los

reguladores de tensión tienen limitado el máximo d tensiones de entrada y salida con que pueden
operar. Por ejemplo, el LM117 tiene una tensión diferencial entrada-salida (Input-Output Voltage
Differential) máxima Vi-Vo = 40V. Esto significa que si Vo = 1.25V, la tensión de entrada Vi no
debe superar los 41.25V.
MC7800 Se recomienda analizar la hoja del fabricante del 7800 así como
[8_1] los circuitos típicos de aplicación
8.9.2 REGULADORES DE TENSIÓN AJUSTABLE TRI-TERMINAL
Los reguladores ajustables de tres terminales permiten ajustar la tensión de salida a partir de
resistencias externas conectadas al terminal denominado ADJUSTMENT o ADJ. Uno de los más
populares productos de este tipo es el LM317 (positivo) y LM337 (negativo) de National
Semiconductor capaces de proporcionar hasta 1.5A de corriente de salida. Otros ejemplos de
reguladores de tensión ajustables tri-terminal son el LM338 de National Semiconductor cuya
corriente de salida alcanza los 5A.

En la figura siguiente se presenta una aplicación típica del LM317.
Fig 8. 28
Aplicación del LM317
El LM317 posee internamente una referencia de tensión tipo “bangap” que proporciona una
VREF=1.25V (tyo) entre los terminales OUT y ADJ y está polarizado por una fuente de corriente
estable de IADJ = 65µA (typ). Analizando este circuito fácilmente se comprueba que:
⎛ R ⎞
Vo = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ ⋅ V REF + I ADJ ⋅ R2
⎝ R1 ⎠
Una buena aproximación es considerar que la corriente IADJ (65µA) es muy inferior a las corrientes
(mA) que circulan por las resistencias R1 y R2. Luego, la ecuación anterior se transforma en:
⎛ R ⎞
Vo = ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ ⋅ V REF
⎝ R1 ⎠
Variando R2, Vo puede ser ajustado a cualquier valor dentro del rango 1.25V≤Vo≤30V.
LM317
[8_2]
PROBLEMA 8.9
En la fuente de alimentación siguiente, con un regulador integrado de tres terminales, calcular:

A) Tensión de entrada del regulador.
B) Diseñar el circuito de protección contra sobreintensidades y una red de aumento de corriente.
C) Calcular el disipador si fuese preciso.
DATOS:
Isal= 1,3 A; *Vsal=10mV; f = 50Hz; Vent(RMS)=12,6V
REGULADOR:
Vsal=5V; Isal=0,25 A; SVR=53..64dB; Rθjc=12ºC/W; Vd =2V; Tj=150ºC; Rθja=60ºC/W;
To-202
Problema8_9.cir
...

…
A) Tensión de entrada del regulador:
Con los datos del problema tomamos la tensión del secundario, siendo esta:
Vsmax = Vs ⋅ 2 = 12,6 ⋅ 2 = 17,8 V
La tensión de pico máxima a la entrada del regulador será:
Vent max = Vsmax − 2 ⋅ VT = 17,8 − 2 ⋅ 0,7 = 16,4 V
Como la tensión de rechazo al rizado es de 60dB la atenuación, por tanto será:

60
A = 10 20 = 1000
* Vent = 1000 ⋅ * Vsal = 1000 ⋅ 10 ⋅ 10 −3 = 10 V
La tensión de pico mínima a la entrada del regulador es:
Vent min = Vsal + Vd = 5 + 2 = 7
Para obtener la capacidad realizamos lo siguiente:
I ⋅T
C⋅ V = I DC ⋅ T ⇒ C = DC = 265 µF
2 V⋅ 2
por lo tanto:
* Vent = Vent max − Vent min = 16,4 − 7 = 9,4 V
Se observa que el rizado es grande ya que la capacidad es pequeña, y están también por debajo
del planteamiento inicial que era *Vent=10V. Obteniendo por medio de las hojas de
características del circuito, obtenemos una tensión de continua a la entrada del circuito integrado
es Vent=11,7V
B) Diseñar el circuito de protección contra sobreintensidades y una red de aumenta de corriente.
Teniendo en cuenta las siguientes suposiciones:
VBE1=0,6V β=40
Y sabiendo:
I reg = 0,25 A ⇒ I c1 = I sal − I reg = 1,3 − 0,25 = 1,05 A
VBE 1
R1 = = 2,68 Ω
I c1
I reg −
β
Las características del transistor T1 tienen que ser:
VCEmax = Vent max − Vsal = 16,4 − 5 = 11,4 V
Ic=1,05 A PD=0,63W
A continuación se calculara el circuito de protección utilizando el método de corriente constante:

…

Vbe 2 0,6
R sc = = = 0,57 Ω
I c1 1,05
Vce=0,6V Ic2=1,05 A PD=12W
C) Calcular el disipador si fuese preciso.
Tj − Ta 150 − 25
Psd = = = 2,08 W
R θja 60
PD = (Vent max − Vsal ) ⋅ I reg = 2,85 W
Luego se necesita un disipador.
Tj − Ta 150 − 25
R θja = = = 43,85° C/W
PD 2,85
como:
R θja = R θjc + R θca ⇒ R θca = R θja + R θjc = 43,85 − 12 = 31,85° C/W

R θca = R θcd + R θd ⇒ R θcd = 1,2° C/W
Se ha elegido un contacto con mica mas pasta de silicona, con lo que llegamos a la conclusión
de que:
R θd = R θca − R θcd = 31,85 − 1,2 = 30,6° C/W
Algunas aplicaciones con este circuito integrado las podemos ver en las siguientes figuras
Fig 8.29
Regulador de corriente
Fig 8.30
Regulador de salida ajustable

Fig 8.31
Regulador de corriente Boost
Fig 8.32
Boost con circuito de protección
PROBLEMA 8.10
La figura siguiente muestra el esquema de una fuente de alimentación doble basada en regulador
de tensión positivo µA7905. Determinar la tensión de salida Vo1 y Vo2. Calcular la amplitud
mínima de salida del transformador (Vp) si ambos reguladores tienen un dropout de 2V
DATO: Vd = 0,7V; C1=470µF; C2=100nF

PROBLEMA 8.11
En la figura se presenta un circuito práctico que utiliza el regulador de tensión LM317 para
proporcionar una tensión de salida Vo. Los condensadores C1, C2 y C3 eliminan la presencia de
rizado y los diodos D1 y D2 son de protección del regulador y que en condiciones normales
están a corte.
Determinar la tensión de salida de este circuito.
DATOS: C1=1µF; C2=10µF; C3=1µF; R1=240Ω; R2=1,8kΩ

CHILET et al. Fuentes de alimentación lineales. Análisis, diseño y simulación. Universidad

Politécnica de Valencia. SPUPV 93.736.1993
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National Power Ics Databook. Nacional Semiconductor. <http://www.national.com> [Consulta: 4

de julio de 2005]
NORRIS, B. Electronic Power Control and Digital Techniques, Texas Instruments Electronics
Series. McGraw-Hill, New York, 1976.
RUBIO GARCIA, M. et al. Tecnología 2-3, Electrónica Industrial. Ed. Bruño-Edebe. Barcelona,
1982.
RUIZ ROBREDO, G. Electrónica para ingenieros. Dpto. Electrónica y Computadores. Facultad de

ciencias, Universidad de Cantabria.
<http://grupos.unican.es/dyvci/ruizg/html.files/libroweb.html> [Consulta: 4 de julio de 2005]

POTENCIA

Introducción. Convertidor reductor. Convertidor elevador. Convertidor reductor-
elevador

[email protected]
9.1 Convertidores dc/dc conmutados. Concepto 1
9.1.1 Topología general de un convertidor dc/dc. (Carga inductiva) 5

9.1.2 Ciclo de trabajo 8
9.2 Clasificación de los convertidores dc/dc 9
9.3 Tipos de convertidores dc/dc. Topologías 10
9.3.1 Convertidores tipo A 10

Convertidor STEP-DOWN (reductor, directo) 10
Convertidor STEP-UP (elevador) 21
9.3.2 Convertidores tipo B 26
9.3.3 Convertidores tipo C 27
9.3.4 Convertidores tipo E 33
TEMA 9: CONVERTIDORES DC/DC
9.1 Convertidores dc/dc conmutados. Concepto

Un convertidor DC/DC es un sistema electrónico cuya misión es transformar una corriente continua
en otra de igual carácter pero diferente valor. Se puede encontrar un símil en alterna con los
transformadores y su relación de transformación.
Para introducirnos en el funcionamiento de los convertidores DC/DC, se considerará el circuito que
se recoge en la figura 9.1, conformado exclusivamente por un interruptor y una carga resistiva pura.
El interruptor se abre y se cierra siguiendo una señal de periodo “T” denominada periodo de
convertidor. El tiempo durante el cual el interruptor está cerrado, y por tanto la carga se encuentra
conectada a la fuente primaria de energía, se denominará tiempo de conducción, “TON”. Por otro lado
el tiempo que el interruptor permanece abierto, dejando aislada la carga, se llamará tiempo de
bloqueo, “TOFF”. La suma de TON y TOFF, como se puede apreciar en la figura, da el periodo de
convertidor (T).
Cuando el interruptor S está cerrado, 0< t < TON, la tensión de la fuente se refleja en la carga,
provocando la circulación de corriente a través de ella. Si por el contrario S está abierto, TON < t < T,
el vínculo entre la fuente y carga se rompe, quedando esta última aislada de la primera. Como la
carga es resistiva pura, la corriente circulante por la misma, en estas condiciones, se anula
completamente.
Fig. 9. 1
Convertidor DC/DC con carga resistiva pura.
Circuito y formas de onda.
La tensión media que existe en la carga será:
1 TON TON
VO =
T ∫ 0
vo dt =
T
×E =δ ×E E 9. 1
Al cociente entre TON y T se le denomina ciclo de trabajo, δ. Más adelante se estudiará este concepto
con más detalle.
También se puede obtener el valor eficaz de la tensión en la carga:
⎛1 TON ⎞
∫ vo dt ⎟ = δ E
2
V RMS = ⎜ E 9. 2
⎝T 0
⎠
Partiendo de la tensión media en la carga se puede deducir la intensidad media que circula por la
misma:
VO E
IO = =δ × E 9. 3
RO RO
Considerando que todos los elementos que participan en el convertidor son ideales y que no se
producen pérdidas en los mismos, se puede decir que la potencia de entrada es la misma que la
obtenida a la salida del convertidor. Por tanto:
© Universidad de Jaén; J.D. Aguilar; M. Olid 1

2
1 TON 1 TON vo E2
PE = PO = ∫ vo io dt = ∫ dt = δ E 9. 4
T 0 T 0 RO RO
Las conclusiones más destacadas son las siguientes:
• La tensión media en la carga, VO, es directamente proporcional a la tensión aplicada a la entrada

del convertidor.
• Variando TON se consigue hacer oscilar δ entre 0 y 1, con lo que la señal de salida podrá variar
entre 0 y E. De esta manera se podrá controlar el flujo de potencia a la carga. Los valores máximos
de tensión y potencia media en la carga serán:
VO ( MAX ) = E E 9. 5
E2
PO ( MAX ) = E 9. 6
RO
www.ipes.ethz.ch
Fig. 9. 2
PROBLEMA 9.1
Sea el convertidor de figura 9.1, en el que la carga es totalmente resistiva y de valor RO = 10 Ω.

Si se considera que la frecuencia de operación es de 1Khz. y que cuando el interruptor se halla
cerrado se produce una caída de potencial en el mismo de VS(ON) = 2 V. Calcular:
a) Tensión media de salida, VO.

b) Valor eficaz de la tensión de salida, VRMS.
c) Rendimiento del convertidor.
DATOS: E = 220 V; δ = 0.5

…

…
Solución:
1 TON
× E = δ × E = 0.5(220 − 2 ) = 109V
TON
a) VO =
T ∫ 0
vo dt =
T
b) Por la ecuación [E 9.2]:
V RMS = δ E = 0.5 (220 − 2 ) = 154.15V
c) La potencia de salida se puede extraer de:

1 TON (E − VS (ON ) ) (E − VS (ON ) ) =
2 2 2
1 TON vo
PO = ∫ dt = ∫ dt = δ
T 0 RO T 0 RO RO
= 0.5 ×
(220 − 2)2 = 2376 W
10
Por otro lado, la potencia de entrada
1 TON 1 TON (E − V ( ) ) (E − V ( ) )
∫ ∫ dt = δ E
S ON S ON
PE = E ie dt = E =
T 0 T 0 RO RO
200 − 2
= 0.5 × 200 × = 2398 W
10
Con lo que el rendimiento del convertidor será
PO 2376.2
= = 99.09 %
PE 2398
En este cálculo no se han tenido en cuenta las pérdidas correspondientes al encendido y apagado
del interruptor. Esto último hace que el rendimiento de un convertidor DC/DC conmutado
convencional sea relativamente inferior.
Estudiar como varía la tensión media de salida del convertidor básico de la figura 9.1
para diferentes tiempos de conducción: TON1 = 0.25, TON2 = 0.5, TON3 = 0.75 ms.
DATOS: f = 1Khz; E = V1 = 220 V; R0 = 10 Ω.
*CD9_1: CIRCUITO BASICO CHOPPER CARGA RESISTIVA PURA

*DESCRIPCION DEL CIRCUITO
V1 1 0 DC 220V
VG 3 0 PULSE(0V 100V 0 1NS 1NS {TON} 1MS)
* v1 v2 td tr tf pw per
RG 3 0 10MEG
R0 2 0 50
S1 1 2 3 0 SMOD ; INTERRUPTOR CONTROLADO POR TENSION
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.01 ROFF=10E+6 VON=10V VOFF=5V)
.PARAM TON =.25MS
*ANALISIS
.tran 10.000u .02 0 0 ; *ipsp*
.step PARAM TON list 250.000u 500.000u
+ 750.000u ; *ipsp*
.END

Fig. 9. 3
a) Esquema del circuito de un convertidor DC/DC básico para simulación en Pspice.
b) Parámetros de la señal de tensión que controla la apertura y cierre del interruptor.
Un diagrama de bloques del circuito de control que se utiliza es el presentado en la figura 9.4
Fig. 9. 4 Diagrama de bloques de un controlador PWM
La señal rampa determina la frecuencia de funcionamiento del convertidor. La figura 9.5 muestra las
formas de onda asociadas al circuito de control.
∧
Si vst es el valor de pico de la señal rampa y v st la tensión rampa instantánea:
∧
vst
v st = ⋅t
T
Cuando se igualan la señal rampa a la señal de referencia vcont:
∧
vst vcont
⋅ t = vcont → para t = t on : δ = ∧
T
vst

Fig. 9. 5 Generación de la Modulación por Anchura de Pulsos (PWM)
9.1.1 TOPOLOGÍA GENERAL DE UN CONVERTIDOR DC/DC. (CARGA

INDUCTIVA)
Hasta ahora se ha considerado que la carga presentaba un carácter totalmente resistivo. Para variar el
valor medio de la tensión en bornes de una carga que presente cierto carácter inductivo, se realiza el
montaje con interruptores de la figura 9.6. El funcionamiento de ambos interruptores ha de ser
complementario, o sea cuando uno se encuentre cerrado el otro permanecerá abierto, y viceversa. De
esta forma se le encontrará un camino alternativo a la energía almacenada en la inductancia asociada
a la carga, LO, durante el intervalo de conducción del tiristor.
Fig 9. 6
Convertidor DC/DC con carga inductiva.

Fig. 9. 7
a) Formas de onda para un convertidor con carga inductiva.
b) Circuito equivalente para cada uno de los estados del interruptor.
La operación de este convertidor básico para cargas inductivas es el que sigue, y queda reflejado en
las formas de onda de la figura 9.7.
• Etapa 1ª. S1 cerrado y S2 abierto, 0< t < TON: La tensión E de la fuente se aplica a la carga con lo
que la intensidad crece exponencialmente.
• Etapa 2ª. S1 abierto y S2 cerrado, TON < t < T: La carga queda cortocircuitada y aislada de la fuente
de energía. El cierre de S2 y la naturaleza inductiva de la carga hace que la corriente en la misma
evolucione de forma suave (la intensidad decrece exponencialmente) y no bruscamente, como era el
caso de una carga resistiva pura. Si la inductancia propia de la carga no fuera suficiente para paliar el
rizado de la intensidad de salida, sería recomendable colocar una inductancia de filtro en serie con
ésta.
En la práctica, para realizar el convertidor estático equivalente al de la figura 9.6 se sustituye el

interruptor S2 por un diodo, D, denominado diodo volante (flywheeling diode) o diodo de circulación
libre (freewheeling diode) tal y como se refleja en la figura 9.8.
Fig. 9. 8
Sustitución del interruptor S2 por un diodo.
PROBLEMA 9.2
Realizar con Pspice el estudio del convertidor con carga inductiva de la figura 9.8, y ver como
evoluciona la intensidad por la carga para diferentes valores de la inductancia asociada a la
misma. Suponer:
E = 220 V; RO = 5 Ω; f = 1 KHz; δ = 0.5; L1 = 0.3 mH; L2 = 0.951 mH; L3 = 3 mH.

…

…
Solución:
Fig. 9. 10 Convertidor DC/DC con carga inductiva. Simulación por Pspice.
Observando el circuito de la figura 9.9, se tiene el siguiente listado:
*Problema9_2: CONVERTIDOR BASICO. CARGA INDUCTIVA

V1 1 0 DC 220V
VG 3 0 PULSE(0V 100V 0 1NS 1NS .5MS 1MS)
RG 3 0 10MEG
R 2 4 10
L 4 0 BOBINA 1MH
.MODEL BOBINA IND(L=1MH)
DM 0 2 DMOD; MODELO DE DIODO POR DEFECTO
.MODEL DMOD D
S1 1 2 3 0 SMOD
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.01 ROFF=10E+6 VON=2 VOFF=0)
*ANALISIS
.TRAN 10US 2MS 0MS
.STEP IND BOBINA(L) LIST 0.3 0.951 3
.END
En la figura 9.10 se puede apreciar la intensidad de salida para cada valor de inductancia. Es
interesante hacer recalcar como para diferentes valores de este valor la intensidad presenta una
forma de onda totalmente diferente y que definirá su régimen de funcionamiento: la intensidad
nunca llega a anularse (L = 3 mH; régimen de corriente continuada), la intensidad se hace cero
en el mismo instante en el que finaliza el ciclo del convertidor (L = 0.951 mH; frontera entre
corriente continuada) y la intensidad se anula dentro de dicho periodo (L = 0.3 mH; régimen de
corriente discontinuada).
Fig. 9. 10 Diferentes evoluciones de la intensidad en la carga para diferentes valores de la inductancia asociada a la
carga.

9.1.2 CICLO DE TRABAJO.
Se ha visto como la tensión, la intensidad, en definitiva la potencia entregada a la carga estaba en

función de δ, cociente entre TON y T. Pues bien, a dicho cociente se le denomina “ciclo de trabajo”.
Y se define como la fracción del periodo del convertidor en el cual el interruptor se halla cerrado.
TON
δ=
T
Como se deduce de la ecuación [E 9.1], la señal que aparece a la salida del convertidor depende
únicamente del ciclo de trabajo y del valor de la fuente de alimentación. Como esta última
generalmente se mantendrá constante, disponemos de la variación del ciclo de trabajo como único
medio posible de modificar la señal de salida.
Si se presta un poco de atención a la expresión que define el ciclo de trabajo se podrá deducir que se
presentan tres formas diferentes de modificar el ciclo de trabajo, y por tanto la tensión de salida.
a) Variando el tiempo de conducción TON, al mismo tiempo que se mantiene T fijo.

Llamado también Modulación por Ancho de Pulso (PWM) ya que la frecuencia de la
señal del convertidor se mantiene constante mientras que no ocurre así con la anchura del
pulso que define el tiempo de conducción del convertidor.
b) Variando T y conservando TON constante. Denominado Modulación de Frecuencia ya

que es la frecuencia del convertidor la que varía. El inconveniente más destacado de este
método de control se encuentra en la generación indeseada de armónicos a frecuencias
impredecibles, por lo que el diseño del consiguiente filtro se revestirá de una
complejidad en algunos casos excesiva.
c) Modificando ambos
Fig. 9. 11
a) Formas de onda en la carga para un
troceador de tiempo de conducción variable.
b) Troceador de frecuencia variable.
c) Troceador de frecuencia y tiempo de
conducción variable.

9.2 Clasificación de los convertidores dc/dc
Dependiendo del sentido de la intensidad y la tensión aplicada en la carga los convertidores se

pueden clasificar en cinco clases bien diferenciadas, según el o los cuadrantes del plano V-I en que
puedan funcionar.
Los dos primeros convertidores, clase A y clase B, se caracterizan porque el sentido que presentan
tanto la tensión como la intensidad en la carga es invariable (operación en un solo cuadrante).
Mientras, los convertidores clase C y D, como se puede observar en las figuras 9.12 y 9.13, tienen su
área de trabajo configurada por dos cuadrantes, con lo que un parámetro de los mismos, bien puede
ser la intensidad como la tensión en la carga, puede adoptar diferente sentido. Por último, en el
convertidor clase E la tensión y la intensidad pueden presentar cualquier combinación posible,
pudiendo trabajar este convertidor en cualquiera de los 4 cuadrantes.
En el tipo A cuando el interruptor se cierra, la fuente de tensión E se conecta a la carga, el diodo D

queda polarizado en inverso. La intensidad crece exponencialmente mientras circula a través de R, L
y V. Por otro lado, cuando el interruptor se abre, la carga queda totalmente aislada de la fuente
primaria de energía, la intensidad tiende a decrecer y en la bobina se induce una f.e.m. negativa que
provoca que el diodo D entre en conducción, actuando como un diodo volante o de libre circulación.
El tipo B opera exclusivamente en el segundo cuadrante. Por tanto, la tensión en la carga sigue
positiva, mientras que la intensidad que circula por la carga es negativa. En otras palabras, se puede
decir que la intensidad escapa de la carga y fluye hacia la fuente primaria de tensión. Es por ello que
este convertidor recibe también el apelativo de convertidor regenerativo.
Fig. 9. 12
Clasificación de los convertidores DC/DC en función del cuadrante/s en el que opere:
a) Convertodor tipo A (reductor)
b) Convertidor tipo B.
c) Convertidor tipo C

El convertidor clase C puede operar tanto en el primer como el segundo cuadrante. Por tanto, la
tensión en la carga sólo puede ser positiva, mientras que la intensidad podrá adoptar tanto valores
positivos como negativos. Es por ello que también se le pueda denominar chopper de dos cuadrantes.
Fig. 9. 13
Clasificación de los convertidores (bis).
d) Convertidor tipo D.
e) Convertidor tipo E.
9.3 Tipos de convertidores dc/dc. Topologías.

9.3.1 CONVERTIDORES TIPO A
Convertidor STEP-DOWN (reductor, directo)
Introducción
El convertidor directo, cuyo esquema está representado en la figura 9.14, trabaja como convertidor
reductor, presentando una tensión media de salida inferior a la tensión aplicada a la entrada. Además,
como indica la misma figura, su funcionamiento se prescribe exclusivamente al primer cuadrante de
los ejes formados por V e I, de tal forma que la tensión y la intensidad en la carga siempre adoptarán
valores positivos.
Ton
Vo = E =δ ⋅E 0 <δ <1
T
El estudio del convertidor del que nos ocupamos aquí se centrará en plantear y resolver con detalle
las ecuaciones matemáticas que definen al circuito al considerarse los diferentes estados del
interruptor.
Fig. 9. 14
Esquema de un convertidor reductor y
su modo de trabajo en la gráfica v-i.

En primer lugar y antes de abordar el funcionamiento del circuito cabe indicar la presencia de dos
modos de operación claramente definidos:
• Régimen de corriente continuada (C.C.).
La intensidad que fluye por la carga fluctúa entre unos valores máximo y mínimo, pero nunca llega a
anularse. Esto, como se verá más adelante, se debe a la relación entre el tiempo en el que el
interruptor se encuentra cerrado, y el tiempo necesario para que la bobina descargue totalmente la
energía almacenada previamente.
En el circuito que nos ocupa, para asegurar un régimen continuado, el interruptor S deberá estar
bloqueado un intervalo de tiempo que permita a la intensidad en la carga no hacerse cero. De este
modo, al comenzar el siguiente periodo la intensidad en la carga, que es la misma que circula por la
bobina, podrá partir de un valor inicial, IL(MIN).
• Régimen de corriente discontinuada (C.D.).
La intensidad en la carga se hace nula en un momento determinado a lo largo del TOFF del convertidor
(TOFF es el periodo de tiempo en el que el interruptor está abierto). El tiempo que permanece abierto
el interruptor es mayor que el tiempo que puede estar la bobina cediendo energía, con lo que al
iniciarse el siguiente periodo la intensidad en la carga partirá de cero.
Ambos modos de operación quedan reflejados en la figura 9.15.
Fig. 9. 15
Intensidad en la bobina de un chopper
reductor para regímenes de corriente
continuada y discontinuada.
Funcionamiento
Para estudiar el funcionamiento del circuito se deberá plantear el circuito equivalente para cada uno
de los estados posibles del interruptor (abierto y cerrado). Así, si se considera que el interruptor está
cerrado, el circuito equivalente será el que se recoge en la figura 9.16.a.
Se observa en dicha figura como la fuente primaria de energía E se encuentra conectada a la carga, al
mismo tiempo que el diodo D queda polarizado en inverso. Siempre y cuando E >V existirá un flujo
de intensidad desde la fuente hacia la carga. Esta intensidad, debido a la presencia de la red RL,
seguirá una exponencial creciente hasta alcanzar un valor máximo, IL(MAX).
Alcanzando dicho valor se abre el interruptor, con lo que la carga queda aislada de la fuente. El
circuito equivalente, en este caso, es el que aparece en la figura 9.16.b. El diodo se polariza en
directo, proporcionando un camino de escape para la energía almacenada por la bobina en el periodo
anterior. De esta forma, la intensidad en la carga tenderá a disminuir, siguiendo una exponencial
decreciente, hasta alcanzar un valor mínimo (IL(MIN)). En este instante el interruptor se cerrará de
nuevo, la intensidad empezará a crecer, y comenzará un nuevo ciclo.

Fig. 9. 16
Chopper reductor:
a) Circuito equivalente para TON.
b) Circuito equivalente para TOFF.
Análisis matemático
Con lo anteriormente expuesto ya se puede abordar el estudio matemático del circuito. En la figura
9.17 se muestran las formas de onda de este convertidor.
Periodos de funcionamiento
• Interruptor cerrado
Independientemente de que funcione con corriente discontinuada o con corriente continuada, cuando
el interruptor S esté en conducción la ecuación que define al circuito será la que se indica a
continuación:
di L1
E =V + L + Ri L1 E 9. 7
dt
O lo que es lo mismo:
di L1 R E −V
+ i L1 =
dt L L
Antes de seguir, hay que hacer notar que la intensidad que circula por la bobina, iL en esta
configuración, es la misma que circula por la carga (io), por lo que no debe extrañar al lector, en
algunos casos, la utilización de la primera para designar a la corriente de carga.
Fig. 9. 17
Chopper reductor: Formas de tensión e
intensidad para los regímenes posibles
de funcionamiento.
La solución a la ecuación diferencial anterior vendrá dada por:

R
E −V ⎛ E − V ⎞ −t L
i L1 = + ⎜ I '− ⎟×e 0< t < TON E 9. 8
R ⎝ R ⎠
I’ es el valor de la intensidad para t = 0. Si el convertidor opera con corriente continuada, entonces I’

= IMIN. Por otro lado, si el convertidor trabaja con corriente discontinuada, tendremos que I’= 0.
Suponiendo que se está en el caso de corriente continuada (C.C.):

R
E −V ⎛ E − V ⎞ −t L
i L1 = + ⎜ I L ( MIN ) − ⎟×e E 9. 9
R ⎝ R ⎠
Como se puede observar en la figura 6.16, en el momento en que t = TON, la intensidad en la carga
alcanzará su valor máximo. Por tanto, se puede decir:
E −V ⎛ E − V ⎞ −TON RL
I L ( MAX ) = + ⎜ I L ( MIN ) − ⎟×e E 9.10
R ⎝ R ⎠
• Interruptor abierto
Una vez que la intensidad alcance ese valor máximo, el interruptor se abre, quedando la carga aislada
de la fuente de tensión E. Según se puede apreciar en la figura 9.16.b, se producirá una circulación de
intensidad a través de R, L y el diodo volante D.
En este caso la ecuación que define al circuito, si se desprecia la caída de tensión producida en el
diodo, sería la siguiente:
di L 2
V + Ri L 2 + L =0 E 9.11
dt '
siendo t’ = t – TON.
La solución de esta ecuación diferencial vendrá dada por:
R
V ⎛ V ⎞ −t '
iL 2 = − + ⎜ I L ( MAX ) + ⎟ × e L
R ⎝ R⎠
O bien, si se quiere expresar iL en función de t y no de t’, se tendrá que deshacer el cambio anterior,
con lo cual:
R
V ⎛ V ⎞ −(t −TON ) L
iL 2 = − + ⎜ I L (MAX ) + ⎟ × e E 9.12
R ⎝ R⎠
Cuando t = T la intensidad en la carga alcanzará su valor mínimo, IL(MIN):
R
V ⎛ V ⎞ −(T −TON ) L
I L ( MIN ) = − + ⎜ I L (MAX ) + ⎟ × e E 9.13
R ⎝ R⎠
Cálculo de IL(MIN) e IL(MAX)
En primer lugar se procederá al cálculo de IL(MIN). Sea la última ecuación obtenida en el apartado
anterior:
R
V ⎛ V ⎞ −(T −TON ) L
I L ( MIN ) = − + ⎜ I L ( MAX ) + ⎟ × e
R ⎝ R⎠

Si se sustituye en esta ecuación el valor de IL(MAX), expresado anteriormente en la ecuación [E 9.10],

obtenemos:
V ⎡ E −V ⎛ E − V ⎞ ⎜⎝ −TON L ⎟⎠ V ⎤ −(T −TON ) L
⎛ R⎞ R
I L ( MIN ) =− +⎢ + ⎜ I L ( MIN ) − ⎟×e + ⎥×e
R ⎢⎣ R ⎝ R ⎠ R ⎥⎦
Operando se consigue la siguiente expresión:
⎛ TON RL ⎞
⎜e − 1⎟⎟
E ⎜
I L ( MIN ) = ⎝ R ⎠ −V
E 9.14
R ⎛ TL ⎞ R
⎜ e − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Como puede deducirse del esquema del convertidor, IMIN no puede ser nunca
negativo, ya que el diodo impide el paso de corriente de ese signo. Por lo tanto, si al
utilizar la ecuación [E 9.14] nos resulta una corriente negativa, tendremos que deducir
que la corriente mínima será 0, y que además el convertidor está funcionando en
régimen de corriente discontinua. Además, en ese caso, para calcular IMAX usaremos
la ecuación [E9.10], y no la que se deduce a continuación.
Para el cálculo de IL(MAX), se procederá de forma idéntica a la efectuada anteriormente. Si se sustituye

el valor de IL(MIN) (obtenida en la ecuación [E 9.14]) en la ecuación [E 9.10], y que operando:
⎛ −TON ⎞
R
⎜1 − e L ⎟
E⎜ ⎟ V
I L ( MAX ) = ⎝ ⎠−
E 9.15
R ⎛ −T ⎞
R
R
⎜1 − e L ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
La ecuación [E 9.15] sólo puede usarse en caso de que la intensidad mínima sea superior
a cero (régimen de corriente continuada). En caso contrario, deberá utilizarse la
ecuación [E 9.10].
Antes de terminar el apartado cabe recalcar que en el caso de que el interruptor estuviese cerrado (T
= TON), la intensidad en la carga se mantendría constante presentando el siguiente valor:
E −V
I L ( MAX ) = I L ( MIN ) = (T = TON) E 9.16
R
Cálculo del rizado de la intensidad en la carga
El rizado de la intensidad en la bobina, o lo que es lo mismo, de la intensidad en la carga, viene

definido por la siguiente expresión:
∆I L = ∆I O = I L (MAX ) − I L ( MIN ) E 9.17
Sustituyendo en esta última ecuación los valores de las ecuaciones [E 9.14] y [E 9.15], poniendo dicha
expresión en función del ciclo de trabajo y derivando para obtener el máximo de la función:
d (∆I O )
= 0 → δ = 0,5
dδ

También se puede obtener el rizado máximo suponiendo que la intensidad es de tipo lineal, en vez de
exponencial, mediante la siguiente aproximación:
∆I ∆V × ∆t
∆VL = L ⇒ ∆I =
∆t L
si consideramos ∆t = TON:
(Ve − Vs ) × TON
∆I =
L
También se deducirán las siguientes expresiones:
δE I MAX + I MIN
IO = ; IO =
R 2
∆I L
I MAX = I O +
2
∆I
I MIN = IO − L
2
Límite de funcionamiento entre corriente continuada y discontinuada

Si se observa la figura 9.17 se pueden discernir dos tipos de funcionamiento claramente definidos. En
el primero, la intensidad en la carga oscila entre unos valores máximos y mínimos (IL(MAX) e IL(MIN))
pero nunca llega a anularse, por lo que al principio de cada periodo, presentará un valor inicial IL =
IL(MIN). En el segundo caso, la intensidad de carga se anula en un tiempo dado tx (TON < tx < T), con lo
que al empezar el siguiente periodo, iL partirá de cero.
Fig. 9. 18
Chopper reductor: Límite entre corriente continuada y discontinuada
Pero existe un caso particular, que constituye el límite o frontera entre estos dos regímenes de
funcionamiento, en el cual la intensidad en la carga se hace cero en el mismo instante que t = T
(figura 9.18).
En este apartado se va a tratar de obtener el límite diferenciador para así poder separar ambos modos
de trabajo. Para ello se parte de la ecuación [E 9.14]:
⎛ TON RL ⎞
⎜e − 1⎟⎟
E ⎜
I L ( MIN ) = ⎝ R ⎠ −V
R ⎛ TL ⎞ R
⎜ e − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
En el caso límite la intensidad se anula en t = T. Luego haciendo IL(MIN) = 0 en la ecuación anterior,
queda:
⎛ TON RL ⎞
⎜e − 1⎟⎟
V E⎝⎜
= ⎠
R R ⎛ TL R
⎞
⎜ e − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

Si se considera la constante de tiempo del circuito, dada por τ =L/R, y resolviendo:
⎡ V⎛ T ⎞⎤
TON = τ × Ln ⎢1 + ⎜⎜ e τ − 1⎟⎟⎥ E 9.18
⎢⎣ E ⎝ ⎠⎥⎦
El valor de TON dado por la ecuación [E 9.18] es el mínimo exigido por el circuito para funcionar en
régimen de corriente continuada.
Funcionamiento con corriente discontinua
Si se considera el caso en el que el troceador opere en régimen de corriente discontinua (C.D.) habrá
que realizar una serie de modificaciones en las ecuaciones que definen el comportamiento del
circuito.
Para el intervalo de conducción del interruptor, 0< t < TON, el análisis del circuito no sufre
modificación alguna, con lo que se puede decir que la corriente circulante por la bobina, y por ende
en la carga, sigue estando suscrita a la siguiente ecuación:
E −V ⎛ −t ⎞
R
iL = ⎜1 − e L ⎟
R ⎜ ⎟
⎝ ⎠
La intensidad sigue alcanzando un máximo para t = TON, siendo su valor:
E −V ⎛ −TON ⎞
R
I L (MAX ) = ⎜1 − e L ⎟
R ⎜ ⎟
⎝ ⎠
A partir de t = TON la ecuación del circuito será la indicada por la ecuación [E 9.12], en la cual si se
sustituye el valor de IL(MAX) se obtiene:
V ⎡ E −V ⎛ −TON ⎞ ⎤ −(t −TON ) R

R
iL = − +⎢ ⎜1 − e L ⎟ + V ⎥ e L
R ⎢⎣ R ⎜ ⎟ R
⎝ ⎠ ⎥⎦
Al ser el régimen discontinuo, llegará un momento, tx, en el que la intensidad en la carga se anule.
Para hallar ese momento, se igualará a cero la ecuación anterior, con lo que:
L ⎡ E −V ⎛ −TON ⎞⎤
R
t X = TON + Ln ⎢1 + ⎜1 − e L ⎟⎥ E 9.19
R V ⎜ ⎟
⎣⎢ ⎝ ⎠⎦⎥
Esta fórmula obtiene el instante en el que la corriente en la carga se anula.
Voltaje medio de salida para régimen de corriente discontinua
El voltaje medio de salida en este caso valdrá (figura 6.17):
1 T 1 TON
vo dt = ⎡ ∫ E dt + ∫ V dt ⎤
T
VO = ∫
T 0 T ⎢⎣ 0 tx ⎦⎥
(T − t x )
VO = δ E + V E 9.20
T

El valor de tx lo calcularemos utilizando la expresión [E 9.19].
Parámetros importantes para la elección de componentes
Para la selección del componente que haga de interruptor S (por ejemplo, un tiristor) habrá que
considerar los siguientes parámetros:
• Intensidad máxima
La intensidad máxima que ha de soportar el dispositivo que usemos como interruptor viene dada por
la ecuación:
E −V ⎛ −TON ⎞
R
I L ( MAX ) = ⎜1 − e L ⎟
R ⎜ ⎟
⎝ ⎠
• Intensidad media máxima
La corriente media que fluye por el interruptor alcanzará su valor máximo cuando TON = T, en cuyo
caso, y como ya se ha dicho:
E −V
I MAX = I MIN =
R
• Elección del diodo
Para la elección del diodo también se estudiará la intensidad media máxima circulante por el mismo.
Para ello, y para facilitar los cálculos, se supondrá que la inductancia L es lo suficientemente grande
para considerar que la intensidad que circula por el diodo se mantiene constante e igual a su valor
medio durante el tiempo en el que el interruptor está abierto. En estas condiciones durante el tiempo
T-TON, ID será igual a:
1 T T − TON
ID =
T ∫ TON
I O dt = I O
T
E 9.21
Si L es muy grande, se puede establecer:
VO − V δ E − V
IO = = E 9.22
R R
VO es la tensión media en la carga. Por tanto, se puede afirmar:
T − TON ⎛δ E −V ⎞
ID = I O = (1 − δ ) ⎜ ⎟ E 9.23
T ⎝ R ⎠
El valor máximo de la intensidad media por el diodo, ID, se obtendrá derivando la expresión anterior
respecto a la variable que podemos controlar para variar dicha intensidad (es decir, el tiempo que esté
cerrado el interruptor: TON), para a continuación igualar a cero. Así:
2
E ⎛ V⎞
I D ( MAX ) = ⎜1 − ⎟ E 9.24
4R ⎝ E ⎠

PROBLEMA 9.3
Tenemos un chopper step-down igual al representado en la figura 9.14. Debe calcularse:

a) Corriente mínima en la carga.
b) Corriente máxima en la carga.
c) Rizado de la intensidad en la carga.
d) Valor medio de la intensidad de carga.
e) Valor eficaz de la intensidad en la bobina.
f) Resistencia del circuito vista desde la fuente.
g) Valor eficaz de la corriente por el interruptor (suponer que se está usando un tiristor).
h) Comprobar con Pspice que los valores de tensión e intensidades pedidos en los
apartados anteriores son correctos.
i) Límite entre corriente continuada y discontinuada (utilizar para este apartado y los
siguientes una V = 30 V).
j) Para un ciclo de trabajo δ = 0.1, calcular la intensidad máxima y mínima en la carga, la
tensión media de salida, así como el instante en el que la intensidad se anula, si se da el
caso.
k) Graficar con Pspice los valores obtenidos en el apartado anterior, y comprobar que sean
correctos.
DATOS: E = 220 V; R = 5Ω; L = 7.5 mH; f = 1KHz; δ = 0.5; V = 0 V.
Realizar los cálculos mediante las fórmulas dadas de las resoluciones de las ecuaciones
diferenciales y posteriormente comprobar los resultados considerando la aproximación
de que la corriente es lineal
Fig. 9. 19 Esquema del circuito para Pspice.

*Problema9_3: CHOPPER STEP DOWN

**** DEFINICION DE PARAMETROS DEL CIRCUITO
.PARAM VS=220
.PARAM D=0.5
.PARAM FRECUENCIA=1k
.PARAM R=5
.PARAM L=7.5MH
.PARAM VCEM=0
VS 1 0 DC {VS}
**** FUENTE DE EXCITACION TIRISTOR
VG 6 0 PULSE(0 5V 0 1US 1US {D/FRECUENCIA} {1/FRECUENCIA})
VCEM 5 0 DC {VCEM} ;FUERZA CONTRAELECTROMOTRIZ DE LA CARGA
VX 2 3 DC 0V ;FUENTE PARA MEDIR LA CORRIENTE EN EL TIRISTOR
L 4 5 {L}
R 3 4 {R}
D1 0 3 DMOD
XT1 1 2 6 0 SCR ;TIRISTOR
.MODEL DMOD D ;MODELO DE DIODO POR DEFECTO
*MODELO DE TIRISTOR EN CONTINUA("POWER ELECTRONICS.
*CIRCUITS,DEVICES AND APPLICATIONS", MUHAMAD RASHID,
*EDITORIAL PRENTICE HALL)
.SUBCKT SCR 1 2 3 4
DT 5 2 DMOD
ST 1 5 3 4 SMOD
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.1 ROFF=10E+6 VON=4V VOFF=1V)
.ENDS SCR
*ANALISIS:
.tran 10.000u .03 0 0 ;
.probe ; *ipsp*

Solución:
Sustituyendo valores en las ecuaciones [E 9.10] y [E 9.13] obtendremos:
IMAX = 0.7165 IMIN + 12.473

IMIN = 0.7165 IMAX + 0
a) Resolvemos el sistema y obtendremos IMIN = 18.37 A

b) IMAX = 25.63 A.
También podríamos haber aplicado directamente [E 9.14] y [E 9.15]
c) Rizado: ∆I = I MAX − I MIN = 25.63 − 18.37 = 7.26A
d) La corriente media en la carga es aproximadamente:
I MAX + I MIN 25.63 + 18.37

IO = = = 22 A
2 2
e) Suponiendo que la corriente de carga varíe linealmente desde IMIN hasta IMAX, su valor
instantáneo puede expresarse de este modo:
∆I
io = I MIN + t ⇒ 0 < t < TON
δT
∆I
IMIN es el valor inicial de la corriente en el intervalo 0 - TON, mientras que es la
δT
pendiente de la recta (∆I = I MAX − I MIN , y δ T = TON ).
El valor eficaz de la corriente de carga vendrá dado a partir de:
1 δT 2 1 δT⎛ ∆I ⎞ 2
I O ( RMS ) = ∫
δT 0
io dt = ∫ ⎜
δT 0 ⎝
I MIN + t ⎟ dt
δT ⎠
Resolviendo se obtiene:
(I MAX − I MIN )
2
+ I MIN (I MAX − I MIN )

2
I O ( RMS ) = I MIN +
3
Sustituimos los valores ya conocidos de IMIN e IMAX, y obtenemos:
I O ( RMS ) = 22.1 A
f) Corriente media suministrada por la fuente:
La fuente sólo suministra corriente durante el TON del convertidor. Por lo tanto, su corriente
media será (suponiendo io constante e igual a su valor medio):
1 TON 1
IE = ∫
T 0
io dt = TON I O = δ I O
T
IE = δ IO = 0.5 × 22 = 11 A.
…

A partir de este dato podemos hallar la resistencia de entrada vista desde la fuente:
Ri = E / IE = 220/11 = 20Ω.
g) Calculamos el valor eficaz de la corriente por el tiristor:
1 ⎛ δT 2
⎜ ∫ 0 io dt + ∫δ T 0 dt ⎞⎟
T
I Th ( RMS ) =
T⎝ ⎠
La intensidad io es la misma que utilizamos en el apartado e), luego tenemos:
⎡ (I − I MIN )2 ⎤
I Th ( RMS ) = δ ⎢ I MIN + MAX + I MIN (I MAX − I MIN )⎥
2
⎢⎣ 3 ⎥⎦
I Th ( RMS ) = δ I 0( RMS ) = 0.5 × 22.1 A = 15.63 A
h) La simulación en Pspice se ha hecho siguiendo el esquema de la figura 9.19.
Las formas de onda pedidas se encuentran en los siguientes enlaces:
Intensidad en la carga Corriente media en la carga, intensidad eficaz en la bobina y en el tiristor

[9_1] [9_2]
Comparando los valores obtenidos con Pspice con los obtenidos teóricamente, vemos que casi no
hay diferencias entre ambos. Podemos decir que los cálculos han sido correctos.
i) El límite entre corriente continuada y discontinuada viene dado por la ecuación 6.24:
⎡ V⎛ T ⎞⎤ L ⎡ V ⎛ T RL ⎞⎤
TON = τ × Ln ⎢1 + ⎜ e − 1⎟⎟⎥ = Ln ⎢1 + ⎜⎜ e − 1⎟⎟⎥
⎜ τ
⎣⎢ E ⎝ ⎠⎥⎦ R ⎣⎢ E ⎝ ⎠⎦⎥
7.5 × 10 −3 ⎡ 30 ⎛⎜ 1×10−3 × 7.5×10−3
5
⎞⎤
TON = × Ln ⎢1 + × e − 1⎟⎥ = 0.18 mseg
5 ⎢⎣ 220 ⎜⎝ ⎟⎥
⎠⎦
Para poder realizar este apartado, habrá que modificar en el fichero Problema9_3.CIR el valor
de TON y el de V = 30 V.
j) Tenemos ahora un TON = 1/δ = 1/0.1 = 0.1 mseg. Este valor es menor que el límite
obtenido en el apartado anterior, por lo que tenemos que el convertidor está
funcionando ahora en régimen de corriente discontinua, y por tanto
IMIN = 0
Como estamos en corriente discontinua, para calcular IMAX utilizaremos la ecuación [E 9.10]:
R
E −V ⎛ E − V ⎞ −TON L
I MAX = + ⎜ I MIN − ⎟×e
R ⎝ R ⎠
5
220 − 30 ⎛ 220 − 30 ⎞ −0.1×10−3 7.5×10−3
I MAX = + ⎜0 − ⎟ × e = 2.45 A
5 ⎝ 5 ⎠
Ahora calculamos el instante en el que la corriente de carga se anula, utilizando la ecuación
[E9.19]:
…

…
L ⎡ E −V ⎛ −TON ⎞ ⎤
R
t X = TON + Ln ⎢1 + ⎜1 − e L ⎟ ⎥
R V ⎜ ⎟
⎢⎣ ⎝ ⎠⎥⎦
7.5 × 10 −3 ⎡ 220 − 30 ⎛ − 0.1×10 − 3
5
⎞⎤
t x = 0.1 × 10 + −3
Ln ⎢1 + ⎜ 1− e 7.5×10 − 3 ⎟⎥ = 0.6 mseg
5 ⎢⎣ 30 ⎜⎝ ⎟⎥
⎠⎦
Por lo tanto, la corriente en la carga tarda 0.6 mseg en anularse, desde el comienzo de cada
periodo.
Ya podemos hallar la tensión media de salida (ecuación [E9.20])
VO = δ E + V
(T − t x )
T
VO = 0.1 × 220 + 30
( )
(1 − 0.6) × 10 −3 = 34 V
1 × 10 −3
k) Para obtener en Pspice los valores calculados en el apartado anterior deberá modificarse
el valor de TON y de V. Con las gráficas podemos comprobar la veracidad de los datos
que hemos calculado.
PROBLEMA 9.4
Un convertidor como el de la figura 9.14 tiene una carga resistiva pura R = 0.25 Ω, se alimenta
con una fuente de tensión E = 550 V, y tiene una V = 0 V. La frecuencia de trabajo es f = 250
Hz. Calcular la inductancia L en serie con la carga que limite el rizado máximo de la intensidad
en la carga a 20 A.
DATOS: E= 550 V; R= 0.25 Ω ; V=0 V; f = 250Hz ; T = 1/f = 0.004 seg. ; ∆IMAX= 20 A.

Solución: L = 27.5mH
Convertidor STEP-UP (elevador)

Modo de funcionamiento
El troceador de la figura 9.20, al igual que el anterior, funciona en el primer cuadrante, pero, a
diferencia del convertidor Step-Down, éste puede utilizarse para incrementar una tensión continua.
Cuando el interruptor S esté cerrado (0< t < TON), toda la tensión de la fuente primaria E se aplica
sobre la bobina (figura 9.21.a), lo que provoca que la corriente circulante por la misma aumente,
almacenando la inductancia energía durante este intervalo. Si ahora el interruptor se abre (TON < t <
T), la tensión que existe en la bobina se suma a la tensión de fuente, obteniéndose una tensión de
salida vo, siempre superior a esta última y de idéntica polaridad (figura 9.21.b). Al mismo tiempo, la
energía almacenada previamente por la bobina se transfiere a la carga a través del diodo D, obligando
a la corriente a disminuir. En la figura 9.22 se muestran las formas de onda correspondientes a un
periodo del convertidor.
Fig. 9. 20
Esquema de un convertidor
elevador, y su modo de
trabajo en la gráfica v-i.

Fig.6. 21
Chopper elevador:
Fig.6. 22
Chopper elevador: Formas de onda.
• Interruptor cerrado.
Como ya se ha dicho, el circuito equivalente en este caso es el mostrado por la figura 9.21.a. Cuando
el interruptor se cierra la tensión que cae en extremos de la bobina obedece a la siguiente expresión:
di
E = vL = L E 9.25
dt
Integrando esta ecuación entre 0 y TON (para dt), y desde IMIN hasta IMAX (para di), se puede decir:
E
∆I = I L (MAX ) − I L ( MIN ) = TON E 9.26
L
• Interruptor abierto.
Al abrirse el interruptor el circuito queda configurado como ofrece la figura 6.21.b. Por tanto, la
tensión en la carga será:
di
vo = E + v L = E + L
dt
Como el incremento de la intensidad circulante por la bobina durante el TON del convertidor es
idéntico al decremento de la misma durante el TOFF del mismo, entonces, ayudándonos de la relación
9.26:
∆I ⎛ T ⎞
vo = E + L = E ⎜⎜1 + ON ⎟⎟
TOFF ⎝ TOFF ⎠

Operando se tiene que la tensión instantánea en la carga vale:
1
vo = E E 9.27
1− δ
De esta última ecuación se deducen las siguientes consecuencias:
a) La mínima tensión de salida se corresponde con un ciclo de trabajo nulo, es decir:
δ = 0 ⇒ vo = E
b) La tensión en la carga se puede incrementar variando el ciclo de trabajo.
c) La máxima tensión de salida se obtiene para δ = 1.
Tensión media en la carga

Si colocamos un condensador suficientemente grande en paralelo con la carga (en la figura 9.20, con
línea punteada), la tensión en ésta se mantendrá prácticamente constante e igual a su valor medio, que
será:
1
VO = E E 9.28
1− δ
Cálculo de IMIN e IMAX
IMAX se obtiene fácilmente despejándola de la ecuación [E 9.26]:
E
I MAX = TON + I MIN E 9.29
L
Para calcular IMIN tendremos en cuenta la ecuación que define el comportamiento del circuito cuando
el interruptor está abierto (figura 9.21.b). Dicha ecuación es:
di
E+L + Ri = vo
dt
donde operando con esta ecuación obtendremos:
R
−(T −TON )
E − V E TON e L
I MIN = + E 9.30
R ⎛ − (T −TON ) ⎞
R
L⎜⎜1 − e L ⎟
⎟
⎝ ⎠
La ecuación [E 9.30] nos servirá para calcular IMIN, y para IMAX utilizaremos la [E 9.29], en la que sólo
tendremos que sustituir IMIN por su valor, calculado previamente.
PROBLEMA 9.5
El chopper step-up mostrado en la figura 9.23 está alimentado por una fuente E =110 V, V = 220
V. La potencia suministrada a la fuente E es de 300 W. El rizado de la corriente en la bobina es
despreciable. La frecuencia de trabajo del circuito es de 400 Hz.
Calcular:
a) El ciclo de trabajo δ.
b) Corriente media de entrada.
c) Resistencia efectiva de carga (REQ).
d) Intensidad máxima y mínima por la bobina, suponiendo un valor de 2 mH para ésta.
…

Fig. 9. 23 Esquema del convertidor elevador.
a) vo = V; utilizando la ecuación [E 9.27]:
1
vo = E
1− δ
Como V es constante, e igual a su valor medio, podríamos haber utilizado la ecuación [E 9.27].
1
Sustituyendo obtenemos: 220 = 110 ×
1−δ
Con lo que deducimos el valor de δ: δ = 0.5
b) Vamos a obtener el valor de IO en función de la corriente media en la bobina IL:
1 T (T − TON )
IO = ∫
T TON
i L dt = I L
T
(Hemos supuesto que la corriente en la bobina se mantiene prácticamente constante e igual a
su valor medio).
Tenemos que averiguar el valor de IL, y lo hacemos de este modo:
La energía entregada a la carga (a la fuente V en este caso) viene dada por :
WO = (VO − E ) × I O × (T − TON )
suponiendo vo = VO e io = IO (valores instantáneos constantes e iguales a sus valores

medios).
Por tanto, la potencia entregada a la carga durante todo el periodo es:
PO = (VO − E )I O
(T − TON ) = (V − E )I L
(T − TON )(T − TON ) =
O
T T ×T
= (VO − E )I L
(T − TON ) 2
T2
Sabiendo que TON = δ T = δ(1/f), podemos despejar IL:
300 × (2.5 × 10 −3 )
2
PO T 2
IL = = = 10.5 A
(VO − E )(T − TON )2 (220 − 110)[(2.5 − 1.25) × 10 −3 ]2
Ya podemos calcular el valor de IO:

…
T − TON
IO = I L = 0.5 × I L = 5.45 A
T
c) El valor de la resistencia efectiva de carga es el que tendría una carga resistiva que
soportase los valores de tensión e intensidad dados en este circuito, es decir:
VO 220 V
R EQ = = = 40.3 Ω
I O 5.45 A
d) Si aplicamos la ecuación [E 9.30] para calcular IMIN, comprobaremos como nos resulta
un número negativo, debido a que el valor de V es superior al de la fuente E. Si observamos el
circuito, vemos que este valor negativo no puede producirse, ya que el diodo D no permite el
paso de corriente desde V hasta E. El valor mínimo de la corriente en este caso será IMIN = 0.
La explicación a este valor nulo es la siguiente: suponiendo que al dejar de conducir el tiristor, la
bobina tiene suficiente energía almacenada, se producirá un flujo de corriente hacia V. Al ir
“soltando” la energía que acumuló, el voltaje en extremos de la bobina irá disminuyendo, y con
él la intensidad que fluye hacia V. Llegará un momento en el que E+vL ≤ V, con lo que dejará de
correr intensidad. Por eso, para este circuito en particular, la corriente mínima será nula.
Ahora, sirviéndonos de la ecuación [E 9.29], calculamos IMAX:
E 110
I MAX = I MIN + TON = 0 + −3
× 1.25 × 10 −3 = 68.75 A
L 2 × 10

Dado un convertidor step-up, como el de la figura 6.31, se pide:
a) Valor de la tensión de alimentación E.

b) Intensidades, máxima y mínima, en la bobina.
c) Intensidad media de carga y en la bobina.
d) Obtener con Pspice las formas de onda de iL, vo, IL, IO, y comprobar que coincidan con
los valores calculados.
Datos: TON = 1.4 ms; f = 500 Hz; V = 20 V; L = 5 mH; R = 5Ω; vo = 333 V.
Fig. 9. 25 Esquema del convertidor elevador.

…

…
*CD9_2: CHOPPER TIPO STEP-UP

*DESCRIPCION DEL CIRCUITO:
**** DEFINICION DE PARAMETROS DEL CIRCUITO
.PARAM VS=110
.PARAM D=0.5
.PARAM FRECUENCIA=400Hz
.PARAM R=5
.PARAM L=5MH
.PARAM VCEM=220
VS 1 0 DC {VS}
VCEM 4 0 DC {VCEM}
VG 5 0 PULSE(0 10V 0 1US 1US {D/FRECUENCIA} {1/FRECUENCIA})
D1 2 3 DMOD
XT1 2 0 5 0 SCR ;TIRISTOR
L 1 2 {L}
R 3 4 {R}
.MODEL DMOD D ;MODELO DE DIODO POR DEFECTO
*MODELO DE TIRISTOR EN CONTINUA("POWER ELECTRONICS. CIRCUIT,DEVICES
* AND APPLICATIONS",MUHAMAD RASHID,
* EDITORIAL PRENTICE HALL)
.SUBCKT SCR 1 2 3 4
DT 5 2 DMOD
ST 1 5 3 4 SMOD
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=.1 ROFF=10E+6 VON=5V VOFF=1V)
.ENDS SCR
.PROBE
*ANALISIS:
.tran 10.000u .1 0 0 ; *ipsp*
9.3.2 CONVERTIDORES TIPO B.

Introducción
Los convertidores tipo B, igual que los anteriores, siguen operando en un único cuadrante. La tensión
en la carga sigue siendo positiva, pero la corriente es negativa, o sea, “escapa” de la carga.
Fig. 9. 26
En la figura se muestra el
esquema de un convertidor
de tipo B, donde V, que
forma parte de la carga,
puede ser la fuerza
contraelectromotriz
(f.c.e.m) de un motor de
corriente continua, por
ejemplo.
Modo de funcionamiento
Cuando el interruptor esté cerrado (figura 9.27.a) la tensión en la carga se hace nula, y el diodo D
queda polarizado en inverso. Por otro lado, V genera una corriente a través de R y de la bobina L,
almacenándose energía en la misma durante el intervalo de conducción del interruptor, 0 < t < TON.
Cuando el interruptor se abre (figura 9.27.b), la intensidad en la bobina, iL, tiende a disminuir,
provocando la aparición de una fuerza electromotriz. Esta f.e.m. inducida en la bobina se suma a V
con lo que el diodo D queda polarizado en directo, permitiendo el paso de corriente en sentido
inverso hacia la fuente E. En la figura 9.28 aparecen una serie de formas de onda que ayudarán a la
comprensión del funcionamiento de este circuito.
Fig. 9. 27
Convertidor tipo B:

Fig. 9. 28
Convertidor tipo B: Formas de onda.
Se puede demostrar [Rashid] que:

VO
E=
1−δ
Recordar que este troceador funciona en sentido inverso, es decir, transfiriendo energía desde la
carga a la fuente E, luego es un troceador regenerativo. Si el lector está interesado puede consultar
la bibliografía recomendada.
9.3.3 CONVERTIDORES TIPO C.
Introducción
Supongamos que estamos controlando un pequeño motor eléctrico con sentido de giro único,
utilizando un chopper de tipo reductor (step-down), con el cual es posible variar su velocidad de giro.
Para el frenado, utilizaríamos en principio componentes auxiliares para realizar un frenado
dinámico, en el que la energía cinética del motor se disipa en forma de calor en una resistencia.
Sin embargo, con este tipo de frenado se desperdicia energía, por lo que, si queremos mejorar el
rendimiento, debemos implementar un circuito que permita un frenado regenerativo del motor. Este
frenado consiste en recuperar una parte de la energía mecánica del motor devolviéndola hacia la
fuente de alimentación, y se consigue haciendo que el motor, actuando como un generador, fuerce
una corriente hacia la batería. En el chopper directo (step-down) la conexión entre la fuente y el
motor se realiza mediante un diodo que no permite la inversión de la corriente ni, por tanto, el
frenado regenerativo del motor.
Fig. 9. 29
Control de un motor de corriente continua con
sentido de giro único, mediante un convertidor
de dos cuadrantes.
Por lo tanto, para conseguir dicho frenado es necesaria la utilización de troceadores que permitan la
circulación de corriente entre la carga y la fuente en los dos sentidos. Es aquí donde interviene el
convertidor clase C.

El modo de trabajo del convertidor lo representaremos en una gráfica de corriente-tensión, tal y como
lo hemos hecho para anteriores convertidores. Cuando el chopper funciona en el primer cuadrante la
tensión en la carga y la corriente son ambas positivas, funcionando el motor en tracción. Cuando lo
hace en el segundo cuadrante la tensión de carga es positiva y la corriente negativa, produciéndose el
frenado regenerativo del motor. En la figura 9.29 se ilustra el funcionamiento del motor controlado
con el convertidor clase C, mientras que en la figura 9.30 se muestra el esquema de dicho
convertidor.
Fig. 9. 30
Esquema de un convertidor tipo C.
Funcionamiento
En este convertidor la corriente en la carga puede ser positiva o negativa, mientras que el voltaje en
la misma es siempre positivo. El circuito no es más que una combinación de un convertidor reductor
(tipo A), y una regenerativo (tipo B). El interruptor S1 y el diodo D1 operan como convertidor
reductor, mientras que S2 y D2 lo hacen como regenerativo. Debe tenerse cuidado de no cerrar los
dos interruptores al mismo tiempo, ya que esto colocaría a la fuente en cortocircuito.
Vamos a estudiar los semiconductores que conducen en cada intervalo, así como los circuitos por los
que circula la corriente de carga io, durante un ciclo de funcionamiento del convertidor (figura 9.31):
• t1-t2 : Conduce S1 (S1 cerrado y S2 abierto).

Circuito: Fuente-S1-carga.
io: Creciente exponencialmente desde 0.
• t2-t3 : Conduce D1 (S1 abierto y S2 cerrado).

Circuito: Carga-D1.
io: Exponencialmente decreciente desde IMAX hasta 0, forzada por la energía magnética
almacenada en la bobina.
• t3-t4 : Conduce S2 (S1 abierto y S2 cerrado).

Circuito: Carga-S2.
io: Negativa, forzada por la fuerza contraelectromotriz del motor (V), con valor absoluto
exponencialmente creciente desde 0 hasta IMIN.
• t4-t5 : Conduce D2 (S1 cerrado y S2 abierto).

Circuito: Carga-D2-fuente.
io: Negativa, en contra de la batería, es una corriente regenerativa, forzada por la energía
magnética almacenada en la parte inductiva de la carga en serie con la f.e.m. del motor, de
valor absoluto exponencialmente decreciente desde IMIN hasta anularse.
Como puede verse, el funcionamiento que hemos descrito se refiere a un modo de trabajo en ambos
cuadrantes, ya que aunque la tensión en la carga siempre es positiva, la intensidad es positiva en unos
momentos, y negativa en otros. Sin embargo, esto no siempre tiene por que ser así: de hecho,
variando los tiempos de conducción de los interruptores, podemos conseguir que el chopper funcione
sólo en un cuadrante a nuestra elección.

Podemos considerar como tiempo de conducción del convertidor al intervalo en que la carga tiene
aplicada tensión positiva, es decir, entre t0 y t2, siendo el intervalo de no conducción entre t2 y t4.
Así pues, tomaremos como ciclo de trabajo del chopper al que tenga el interruptor S1.
Fig. 9. 31
Chopper tipo C: Formas de onda para trabajo en
los dos cuadrantes.
Vamos ahora a obtener las expresiones más importantes del chopper tipo C. Para ello nos
auxiliaremos de la figura 9.33, en la cual se muestran las formas de onda más representativas del
circuito. Se han utilizado tiristores, pero como en los demás tipos de convertidores, sirve cualquier
clase de semiconductor controlado (transistores bipolares, MOSFET, etc.). Asimismo, en el esquema
pueden observarse dos modos de funcionamiento: en el primer cuadrante (figura 9.33), y en el
segundo cuadrante (figura 9.34).
Fig. 9. 32
Chopper tipo C: Esquema del circuito utilizando
tiristores.

Fig. 9. 33
Formas de onda para trabajo en el primer
cuadrante.
Supuesto que los impulsos de puerta de los

tiristores sean los representados en las
figuras 9.33.b y 9.33.c, la forma de onda de
la corriente sería la representada en la
figura 9.33.d.
Fig. 9. 34
Chopper tipo C: Formas de onda para trabajo
en el segundo cuadrante.
La intensidad en el intervalo 0< t < TON tendrá el valor dado por la ecuación [E 9.31]:
R
E −V ⎛ E − V ⎞ −t L
io = + ⎜ I MIN − ⎟e E 9.31
R ⎝ R ⎠
En el intervalo TON < t < T la intensidad tendrá este valor:

R
V ⎛ V ⎞ −(t −TON ) L
io = − + ⎜ I MAX + ⎟ e E 9.32
R ⎝ R⎠
Los valores de IMAX e IMIN vienen dados por las ecuaciones [E 9.33] y [E 9.34]:

⎛ TON RL ⎞ ⎛ −TON ⎞
R
⎜e − 1⎟⎟ ⎜1 − e L ⎟
E ⎜ E ⎜⎝ ⎟ V
I MIN = ⎝ R ⎠ −V E 9.33 I MAX = ⎠− E 9.34
R ⎛ T ⎞ R R ⎛ −T ⎞
R
R
⎜ e L − 1⎟ ⎜1 − e L ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Estas dos fórmulas se obtuvieron anteriormente para el convertidor reductor (tipo A), pero ahora nos
sirven para los dos cuadrantes.
TON
Tal y como se ha advertido, el ciclo de trabajo δ = corresponde al interruptor
T
(tiristor en este caso) S1.
Si IMIN e IMAX son positivas, el chopper funcionará en el primer cuadrante, y la corriente media de
salida IO será positiva. Por el contrario, si ambas intensidades son negativas, como en el caso de la
figura 9.34, el chopper funcionará en el segundo cuadrante, e IO será negativa.
En el caso intermedio (IMIN < 0, IMAX > 0), predominará el funcionamiento en uno u otro cuadrante
dependiendo de qué intensidad (mínima o máxima) tenga mayor valor absoluto.
Los valores máximos y eficaces de las corrientes en diodos e tiristores (interruptores) se pueden
calcular de forma idéntica a la realizada para los convertidores que funcionan en un solo
cuadrante (tipos reductor y regenerativo). Por otra parte, la tensión media en la carga coincide
con la del convertidor reductor (step-down).
PROBLEMA 9. 6
En la figura 9.35 se representa un chopper clase C, que trabaja a una frecuencia de 20 KHz.
a) Si el ciclo de trabajo del chopper es δ = 0.5, calcular los valores mínimo y máximo de
intensidad en la carga.
b) Tensión media e intensidad media en la carga.
c) ¿Entre que valores de δ deben operar los tiristores para que el chopper funcione
exclusivamente en el segundo cuadrante? ¿y en el primero?
Fig. 9. 35 Esquema del convertidor tipo C.
a) f = 20 KHz; T= 1/f = 50 µs; TON= δT = 25 µs; L= 20 µH; R= 1 Ω; E= 110 V; V= 48 V.
Utilizamos las fórmulas [E 9.33] y [E 9.34] para calcular IMAX e IMIN:
⎛ TON RL ⎞ ⎛ −TON ⎞
R
⎜e − 1⎟ ⎜1 − e L ⎟
E ⎜⎝ ⎟ V
⎠ − = −23.503 A E ⎜⎝ ⎟ V
⎠ − = 37.50.3 A
I MIN = I MAX =
R ⎛ T R
⎞ R R ⎛ −T ⎞
R
R
⎜ e L − 1⎟ ⎜1 − e L ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
…

…
b) Calculamos la tensión media, haciendo uso de la ecuación 6.22 (convertidor reductor):
VO = δ E = 0.5 × 110 = 55 V
La intensidad media en la carga la podemos calcular de dos formas. Una es ésta:
VO − V 55 − 48
IO = = =7A
R 1
Y la otra, es ésta:
I MAX + I MIN 37.503 − 23.503 14
IO = = = =7A
2 2 2
c) Con el fin de conseguir que el chopper funcione sólo en el segundo cuadrante, se ha de
cumplir que la corriente de carga sea siempre negativa, por tanto:
⎛ −TON ⎞
R
⎜1 − e L ⎟
E⎜ ⎟ V
⎠ − ≤ 0 → E ⎛⎜1 − e −TON L ⎞⎟ < V ⎛⎜1 − e −T L ⎞⎟
R R
I MAX = ⎝ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
R ⎛ −T ⎞
R
R ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎜1 − e L ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
V⎛ −T ⎞ V⎛ −T ⎞
R R R R
−TON −TON
1 < ⎜⎜1 − e L ⎟+e
⎟
L
→ e L
> 1 − ⎜⎜1 − e L ⎟⎟
E⎝ ⎠ E⎝ ⎠
Ahora despejamos aplicando logaritmos:
L ⎡ V⎛ −T ⎞ ⎤ L ⎡ V⎛ −T ⎞ ⎤
R R
− TON ⎜
> Ln ⎢1 − ⎜1 − e L ⎟⎟⎥ TON ⎜
< − Ln ⎢1 − ⎜1 − e L ⎟⎟⎥
R ⎢⎣ E ⎝ ⎠⎦⎥ R ⎢⎣ E ⎝ ⎠⎦⎥
Sustituyendo valores obtenemos TON < 10.23 µs. De este dato deducimos:
TON 10.23
δ= < = 0.2
T 50
Esto quiere decir que el ciclo de trabajo del convertidor debe ser menor que 0.2 para que
funcione sólo en el segundo cuadrante.
Sí queremos que el convertidor funcione sólo en el primer cuadrante, deberemos imponer la

condición de que:
⎛ TON RL ⎞
⎜e − 1⎟⎟
E ⎜
I MIN = ⎝ R ⎠ −V ≥0
R ⎛ T ⎞ R
⎜ e L − 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Operando de forma análoga al apartado anterior, despejamos TON, y nos resulta:
35.43 µ s 35.43 µ s
TON > 35.43 µ s → δ > = = 0.7
T 50 µ s
Por lo tanto, para que el convertidor opere exclusivamente en el primer cuadrante, el ciclo de
trabajo deberá ser mayor de 0.7.

9.3.4 CONVERTIDORES TIPO E.
Para aplicaciones en que se precise el control de un motor y su frenado regenerativo en los dos
sentidos de giro es necesario el empleo de un convertidor de cuatro cuadrantes como el que se
muestra en la figura 9.36. A este chopper se le denomina también como chopper de configuración
puente en H. En la figura 9.37 se muestra, asimismo, el modo de trabajo de este convertidor en los
cuatro cuadrantes.
Fig. 9. 36
Esquema de un convertidor tipo E.
Fig. 9. 37
Control de un motor de corriente continua en ambos sentidos
de giro.
Existe otra versión del convertidor de cuatro cuadrantes (figura 9.38), llamada configuración puente
en T. Como puede verse, utiliza la mitad de semiconductores que el puente de H, pero requiere una
alimentación doble, por lo que es menos utilizado que el anterior. Por lo tanto, vamos a centrarnos en
el estudio del puente de H.
Al poder trabajar en los cuatro cuadrantes, el estudio de este convertidor va a reducirse a ver las
formas en que podemos configurarlo.
Fig. 9. 38
Configuración en T de un convertidor de cuatro cuadrantes.

Modos de configuración del puente en H
Existen básicamente dos estrategias de control de los interruptores que conducen a dos formas de
onda de salida distintas: PWM unipolar y PWM bipolar.
• Método 1 (PWM unipolar).- Manteniendo una diagonal permanentemente abierta (por ejemplo S1
y S4), y proporcionando un ciclo de trabajo a los otros dos interruptores (abriéndolos y cerrándolos a
la vez). De esta manera tendríamos dos posibles convertidores tipo D, cada uno de los cuales se
encargaría de un sentido de giro.
• Método 2 (PWM unipolar).- Manteniendo una diagonal permanentemente abierta, como en el

caso anterior, pero dando un ciclo de trabajo sólo a uno de los otros interruptores (el restante se
dejaría cerrado permanentemente). La diagonal activa define el sentido de giro del motor.
En la figura 9.39 se muestra una manera práctica de realizar este tipo de excitación.
Fig. 9. 39
Circuito para obtener la excitación dada por el método 2.
• Método 3 (PWM bipolar).- Hacer que durante el periodo del convertidor se cierren
alternativamente las dos diagonales (S1 y S4 desde 0 hasta TON, mientras que S2 y S3 lo harían desde
TON hasta T). De esta manera, un ciclo de trabajo del 50 % significaría que el motor está parado;
ciclos por encima de 0.5 determinan un sentido de giro, mientras que por debajo corresponden al
sentido de giro opuesto.
Dado un convertidor tipo E como el de la figura 9.36, el cual utiliza el método 2 de
excitación, se pide:
a) Dejar inactiva la diagonal S2-S3, y dejar permanentemente cerrado el interruptor S1,

dando el ciclo de trabajo al S4. Utilizar Pspice para graficar la tensión de salida, y la
intensidad en la carga (suponer que se están usando tiristores).
b) Dejar ahora permanentemente cerrado S4 y aplicar el ciclo de trabajo a S1. Obtener con
Pspice las intensidades en ambos interruptores (tiristores), y la corriente por el diodo
que conduzca en este caso.
DATOS: E = 50 V; L = 1.5 mH; R = 2.5Ω; VCEM = 0 V; T = 4 mseg; δ = 0.75.

…

CD9_3.cir
Dado un convertidor de cuatro cuadrantes como el de la figura 9.36, y suponiendo que
utiliza el método 3 de excitación, se pide:
a) Utilizar Pspice para graficar las formas de onda de tensión e intensidad en la carga (un
motor en este caso), así como las corrientes por los semiconductores (suponer que se
utilizan tiristores), utilizando un ciclo de trabajo δ = 0.75 para la diagonal S1-S4.
b) Obtener los mismo parámetros que en el apartado anterior, ahora para un ciclo de
trabajo δ = 0.25.
DATOS: E = VS = 50 V; L = 1.5 mH; R = 2.5 Ω; VCEM = 0 V; T = 4 ms.
CD9_4.cir


AGUILAR et al. Electrónica de Potencia: Convertidores DC-DC. Colección de apuntes, 1995/96.

Universidad de Jaén.
FINNEY, D. The power thyristor and its applications. Ed. McGraw-Hill, 1980.
GARRIGUES J. et al. Convertidores de continua a continua. U. P. Valencia

Marcombo, 1992.
HERRANZ ACERO, G. Electrónica industrial. E.T.S.I.Telecomunicación, Madrid, 1990.
LANDER, C. Power electronics. Ed. McGraw-Hill, 1993
Moder power electronics : evolution, technology, and applications. B. K. Bose (Ed. lit.). IEEE
Press, 1992. ISBN: 0-87942-282-3
SÉGUIER, G. Electrónica de potencia. Ed. Gustavo Gili. Barcelona, 1976. ISBN: 84-252-0613-8

POTENCIA


[email protected]
10.1 Reguladores lineales de tensión 1
10.2 Convertidor Buck (Reductor) 2
10.2.1 Consideraciones de diseño 11
10.2.2 convertidor boost (elevador) 13
10.2.3 Convertidor Buck-Boost (Elevador-Reductor) 18
10.3 Resumen convertidores estudiados 22

TEMA 10: INTRODUCCIÓN A LAS CONFIGURACIONES BÁSICAS DE LAS FUENTES DE
ALIMENTACIÓN CONMUTADAS
10.1 Reguladores lineales de tensión
Un método para convertir una tensión continua a otra de valor más bajo es el regulador lineal de la
figura 10.1 en el que la tensión de salida es: Vo = IL · RL, donde la corriente de carga es controlada
por el elemento de paso.
La eficiencia de este circuito es una desventaja importante en aplicaciones de potencia. La pérdida

provocada en el transistor de paso trabajando en modo lineal (que se comporta como una resistencia
variable) es la causante de esta ineficiencia.
Una alternativa más eficiente es el convertidor conmutado, el transistor funciona como interruptor
electrónico (corte-saturación).
10.2 Convertidor Buck (Reductor)

Introducción
El convertidor BUCK presenta una tensión media de salida inferior a la que se aplica a la entrada,
encontrándose su principal aplicación en las fuentes de alimentación conmutadas así como en el
control de motores de corriente continua que funcionen exclusivamente en el primer cuadrante
(recordar el convertidor directo).
Conceptualmente, el circuito básico asociado a un convertidor reductor es el mostrado en la figura

10.1, donde la carga es resistiva pura. Si se considera que el interruptor es ideal, la potencia de salida
depende en exclusiva de la posición que adopte éste. A partir de la figura 10.1, se puede calcular la
tensión media de salida en función del ciclo de trabajo.
1 T 1 TON T
vo (t )dt = ⎛⎜ ∫ E dt + ∫ 0 dt ⎞⎟ = ON E = δ E
T
VO = ∫
T 0 T⎝ 0 TON ⎠ T
E 10.1
No obstante, para aplicaciones prácticas, el circuito en cuestión presenta una serie de inconvenientes:
a) La carga normalmente presenta cierto carácter inductivo. Incluso una carga resistiva pura
siempre tendrá asociada una inductancia parásita. Esto significa que el elemento conmutador
podrá sufrir daños irreparables, ya que éste deberá absorber o disipar la energía que se pueda
almacenar en la carga.
b) La tensión de salida oscila entre 0 y E, lo cual no es viable en numerosas aplicaciones, en las

que se precisa un determinado grado de tensión continua. Lo mismo ocurre con la intensidad
de salida.
El primer inconveniente se soluciona utilizando un diodo volante (freewheeling diode), tal como se
indica en la figura 10.2. Por otro lado, las fluctuaciones tanto de la intensidad como de la tensión de
salida se reducen en cierto grado considerando un filtro pasobajo consistente en una bobina y un
condensador. En esta misma figura se puede comparar la tensión que aparece en extremos del diodo,
voi, que es la misma que existía a la salida del convertidor básico en la figura 10.1, con la tensión a la
salida del filtro L-C.

Fig. 10. 1 Diagrama de bloques fuente regulada y fuente conmutada y relación entrada-salida
La característica de este filtro pasa-bajo, considerado el amortiguamiento provocado por la

resistencia R de la carga, se muestra en la figura 10.4. Como puede observarse la frecuencia de
inflexión, fc, de este filtro se selecciona de tal modo que se encuentre bastante por debajo de la
frecuencia de conmutación del convertidor, f, para que de este modo pueda eliminarse el rizado de la
tensión de salida provocada por la frecuencia de conmutación o encendido.
Fig. 10. 2

Fig. 10. 3 Convertidor Buck
Fig. 10. 4
Es importante calcular la relación entre variables eléctricas. Para ello, vamos a recordar dos
propiedades de las bobinas y de los condensadores en circuitos en régimen permanente:
- La tensión media en una bobina es nula.
- La corriente media en un condensador es nula:

Fig. 10. 5 Análisis del convertidor reductor

Fundamento
Durante el periodo de cierre del interruptor, 0 < t < TON (figura 10.6.a), la energía se almacena en la
bobina. Al abrirse el interruptor (figura 10.6.b), la tensión en la bobina invierte su polaridad, lo que
obliga a conducir al diodo D, transfiriendo parte de la energía almacenada previamente en la misma
hacia la carga.
Fig. 10. 6
Circuitos equivalentes para cada uno de los
estados del interruptor:
a) Interruptor cerrado.
b) Interruptor abierto.
Modo de funcionamiento de corriente continuada
Modo de operación.
La figura 10.7 muestra las formas de onda de la tensión e intensidad en la bobina correspondientes al
modo de operación de corriente continuada (C.C.) donde la corriente que circula por la inductancia
fluye de forma ininterrumpida, no anulándose en ningún instante dentro del periodo del convertidor
(iL(t) >0). Como ya se ha dicho, cuando el interruptor está cerrado (0< t < TON) el diodo se encuentra
inversamente polarizado. Esto provoca que durante este intervalo la tensión que cae en extremos de
la bobina sea positiva.
v L = E − vc = E − VO E 10.2
Esta tensión provocará un incremento lineal de la intensidad iL hasta que se produzca la apertura del
interruptor, momento en el cuál la intensidad habrá alcanzado su valor máximo, dado por IL(MAX). Al
abrirse éste, iL sigue circulando, ahora a través del diodo volante y en detrimento de la energía
almacenada previamente en la bobina. La intensidad, por tanto, pasará de este valor máximo, a un
valor mínimo, IL(MIN). La tensión que cae en bornes de la bobina durante este intervalo, T-TON, es:
v L = −vc = −VO E 10.3

Como en régimen permanente estos dos modos de operación se repiten uno después del otro, la
integral de la tensión en la bobina a lo largo de un periodo del convertidor debe ser nula.
T TON T
∫ 0
v L dt = ∫
0
v L dt + ∫
TON
v L dt = 0
Esta ecuación implica que las áreas A y B mostradas en la figura 10.7 deben ser iguales. Con lo cuál:
(E − VO )TON = VO (T − TON )
o lo que es lo mismo:
VO TON
= =δ E 10.4
E T
Fig. 10. 7
Formas de onda en un convertidor BUCK, correspondientes a la
tensión e intensidad circulante por la bobina, para un régimen de
funcionamiento de corriente discontinuada.
Por lo tanto, para una tensión de entrada determinada la tensión de

salida varía de forma lineal en función del ciclo de trabajo del
convertidor, no dependiendo de ningún otro parámetro del circuito.
Si se desprecian las pérdidas de potencia asociadas a las características reales de los elementos del
circuito, la potencia que existe a la entrada del convertidor deber ser igual a la potencia de salida:
PE = PO
Así pues:
E I E = VO I O
IO E 1
= = E 10.5
I E VO δ
Por tanto, en el modo de operación de C.C. el convertidor “buck” o reductor es equivalente a un

transformador de continua donde la razón de transformación puede controlarse electrónicamente,
dentro de un rango de 0 a 1.
Relación de voltajes.
En la figura 10.2, el interruptor S se abre y cierra periódicamente. El período total de funcionamiento
es T, y la fracción de éste en la cual el interruptor está cerrado es δ. Así, el intervalo de tiempo en el
que el interruptor está abierto será (1-δ)T = T-TON = TOFF. Para el propósito de este análisis,
supondremos que el condensador C es lo suficientemente grande como para hacer despreciable el
rizado de la tensión de salida vc. Notaremos a este voltaje invariable en el condensador como VC
(vc(t)≈VC).
La ecuación que define al circuito durante el tiempo en el que el interruptor está cerrado viene dada
por la expresión siguiente:
di L
E = v L + VC = L + VC E 10.6
dt

di L E − VC
= E 10.7
dt L
Durante el intervalo de conducción del convertidor, TON, la corriente de la inductancia crece con una
pendiente constante (figura 10.8), comenzando con un cierto valor inicial IMIN, y alcanzando un valor
máximo, IL(MAX), al final de dicho intervalo.
Para el intervalo en el que el interruptor está abierto, el circuito cambia a la disposición mostrada en
la figura 10.6.b; la ecuación de voltajes en este intervalo de tiempo viene indicada por la ecuación
[E10.8]:
v L + VC = 0 E 10.8
Desarrollando esta ecuación, obtendremos lo siguiente:

di L V
=− C E 10.9
dt L
Así, durante el intervalo de tiempo dado por (T-TON), la corriente en la bobina decrece a un ritmo
constante desde IL(MAX) hasta IL(MIN). Este último valor debe ser el mismo que el que había al iniciarse
el periodo del convertidor, ya que éste trabaja de forma cíclica.
Si ahora operamos con las ecuaciones [E 10.7] y [E 10.9] se obtendrá, respectivamente:
⎛ −V ⎞
I L (MIN ) − I L ( MAX ) = ⎜ C ⎟(1 − δ )T E 10.10
⎝ L ⎠
⎛ E − VC ⎞
I L (MAX ) − I L ( MIN ) = ⎜ ⎟δ T E 10.11
⎝ L ⎠
El cambio experimentado por la intensidad durante el tiempo en el que el interruptor se encontraba
cerrado debe ser el mismo que el sufrido durante la apertura del mismo. Por tanto, igualando ambas
ecuaciones obtenemos:
⎛ E − VC ⎞ ⎛ +V ⎞
⎜ ⎟δ T = ⎜ C ⎟(1 − δ )T
⎝ L ⎠ ⎝ L ⎠
(E − VC )δ = (+ VC )(1 − δ )
VC = δ E
Fig. 10. 8
Formas de onda de un convertidor BUCK.
Como puede observarse, se ha llegada a la misma relación que la
indicada en la ecuación [E 10.4].

Corrientes en el circuito.
De la figura 10.8 podemos encontrar fácilmente el valor medio de la corriente por la bobina:
I L ( MAX ) + I L ( MIN )
IL = E 10. 12
2
En la ecuación [E 10.13] se da una relación entre corrientes en el nodo de la resistencia de carga.
Debido a que la corriente media en el condensador será nula a lo largo de cada ciclo del convertidor,
el resultado de la ecuación [E 10.13] escribirse, tomando valores medios, según la ecuación [E 10.14]
como:
i L = i c + io E 10. 13
I L = IO E 10. 14
El valor de la intensidad media en la carga, IO, está determinado por la ecuación [E 10.15]. Combinando
las ecuaciones [E 10.12], [E 10.14] y [E 10.15] obtendremos una solución para el valor de IL(MIN)+IL(MAX) en
la ecuación [E 10.16].
VC
IO = E 10. 15
R
VC
I L (MAX ) + I L ( MIN ) = 2 E 10. 16
R
Combinando las ecuaciones [E 10.10] y [E 10.16], obtendremos los valores de IL(MAX) e IL(MIN):
⎛ 1 (1 − δ )T ⎞ ⎛ 1 (1 − δ )T ⎞
I L (MAX ) = δ E ⎜ + ⎟ E 10. 17 I L ( MIN ) = δ E ⎜ − ⎟ E 10. 18 [10.1]
⎝R 2L ⎠ ⎝R 2L ⎠
Rizado en el voltaje de condensador.
Hasta ahora se ha considerado que la capacidad del condensador era tan elevada que se podía
considerar que vo(t) = VO. Sin embargo, en la práctica el condensador presenta un valor finito, lo que
provocará la aparición de un cierto rizado en la tensión de salida. Para el cálculo del mismo se
recurrirá a las formas de onda de la figura 10.9. Al mismo tiempo se considerará que el valor medio
de la intensidad circulante por la bobina se dirige hacia la carga mientras que el rizado de la misma lo
hace hacia el condensador. En estas condiciones, el área sombreada en la figura 10.9 representa una
carga adicional para el condensador, de tal forma que el rizado de la tensión de salida será:
∆Q 1 1 ∆I L T
∆VO = =
C C2 2 2
[10.2]
Fig. 10. 9
Cálculo del rizado de la tensión de salida en un
convertidor BUCK, para régimen de corriente
continuada.

De la figura 10.7 se podrá decir:

VO
∆I L = (1 − δ )T
L
De esta forma, el rizado de la tensión de salida queda así:
T 2 VO
∆VO = (1 − δ ) E 10.19
8C L
y el porcentaje del rizado:
∆VO 1 T 2 (1 − δ ) π 2
= = (1 − δ )⎛⎜⎜ f c ⎞⎟⎟ E 10.20
VO 8 LC 2 ⎝ f ⎠
donde f = 1/T y fc = 1 2π LC ( )
Frontera entre C.C. y C.D.
En esta sección se desarrollarán las ecuaciones que muestran la influencia de determinados

parámetros del circuito en el carácter de la intensidad circulante por la bobina (C.C. y C.D.). La
frontera que diferencia ambos modos de operación es, por definición, aquella en la que la corriente
que circula por la bobina se hace cero en el mismo instante en que finaliza el periodo del convertidor
(figura 10.10).
Fig. 10. 10
Tensión e intensidad en la bobina, en la frontera de los regímenes de corriente
continuada y discontinuada.
Si la ecuación [E 10.18] la resolvemos para un valor nulo de IL(MIN), obtendremos una relación para el
mínimo valor de L, denominada inductancia crítica, que proporciona un régimen de corriente
continuada.
TR
LCRITICA = (1 − δ ) E 10. 21
2
Cualquier bobina cuyo valor se encuentre por debajo de la inductancia crítica, considerando unos
valores de E y δ constantes, resultará en un régimen de corriente discontinuada.
En el caso de que nos encontremos al límite del funcionamiento en régimen C.C., la corriente media
en la bobina, ILB (el subíndice B será característico de todo parámetro relacionado con esta frontera
existente entre C.C. y C.D.), que es la misma que circula por la carga será:
1 T δT
I LB = I 0 B = I L (MAX ) = ON (E − VO ) = (E − VO ) E 10. 22
2 2L 2L
Nota, para 0 < t < TON:
di ∆I I L ( MAX )
vL = L =L =L
dt ∆T TON
Una conclusión que se extrae de esto es que si la corriente media de salida, y por tanto, la corriente
media por la inductancia, disminuye por debajo de ILB el régimen de funcionamiento será
discontinuo.

Por tanto, en condiciones fijas de tensión entrada-salida nos acercamos al modo discontinuo cuando
IL se acerca a cero, lo que ocurre si:
A) Bajamos el valor del inductor (aumentan las pendientes y, por tanto el rizado ∆I)
Fig. 10. 11
B) Bajamos el valor de la frecuencia (aumentan los intervalos en los que la corriente está
subiendo o bajando)
Fig. 10. 12
C) Aumentamos el valor de la resistencia de carga (disminuye el valor medio de la corriente por

el inductor)
Fig. 10. 13

www.ipes.ethz.ch
Fig. 10. 14 Convertidor reductor: corriente discontinua
PROBLEMA 10.1
Sea el convertidor directo de la figura (buck chopper), que alimenta a una carga de 12V/6W.
Desde una fuente de 30V. La corriente en el inductor es continuada y la frecuencia de
funcionamiento es de 5KHz.
A) Determina el valor del ciclo de trabajo (formas de onda de il,is,id,V1l).

B) Mínimo valor de L requerido.
C) Mínimo y máximo valor de il si L=1.5 mH.
D) Potencia de la fuente.
E) Potencia en la carga.
Solución:
A) En primer lugar calculamos el ciclo de trabajo δ, en un convertidor directo se cumple:

t ON VO
δ= = = 0,4
T Vg
…

B) El mínimo valor de la inductancia es aquel que trabaje la bobina al limite de la

discontinuidad, o sea, cuando ILmin=0, y a esta se le denomina inductancia critica.
1 t ⋅R
tC = = 0,2 ms L = c ⋅ (1 − δ ) = 0,36 mH
fC 1
C) Para el cálculo del máximo y mínimo valor de intensidad por la bobina si L=1.5mH será por
medio de las siguientes ecuaciones:
⎡⎛ 1 ⎞ (1 − δ ) ⋅ t C ⎤
I min = δ⋅ Vg ⎢⎜ ⎟ − = 1,52 A
⎣⎝ R ⎠ 2 ⋅ L ⎥⎦
⎡⎛ 1 ⎞ (1 − δ ) ⋅ t C ⎤
I max = δ⋅ Vg ⎢⎜ ⎟ + = 2,48 A
⎣⎝ R ⎠ 2 ⋅ L ⎥⎦
D) Para calcular la potencia de la fuente primaria en primer lugar se calcula la corriente media:
⎛ I ⋅I ⎞
I Savg = ⎜ min max ⎟ ⋅ δ = 0,8 A P = Vg ⋅ ISavg = 24 W
⎝ 2 ⎠
E) Para la potencia en la carga utilizamos la siguiente ecuación:
VC2
PL = = 24 W
R
[Fisher]
Problema10_1.cir
10.2.1 CONSIDERACIONES DE DISEÑO
La mayoría de los convertidores reductores están diseñados para funcionamiento con corriente
permanente. La ecuación [E 10.23] proporciona la relación que debe existir entre la frecuencia de
conmutación y la bobina para operar en modo de corriente permanente, y el rizado de salida viene
descrito por la ecuación [E 10.24]. Observe que, al aumentar la frecuencia de conmutación, se reduce el
tamaño mínimo necesario de la bobina para producir corriente permanente y el tamaño mínimo del
condensador para limitar el rizado de salida. Por tanto, las frecuencias de conmutación altas permiten
reducir el tamaño de la bobina y del condensador.
⎡ 1 (1 − δ ) ⎤ (1 − δ )R
I min = 0 = V0 ⎢ − ⎥ → (Lf )min = E 10. 23
⎣R 2 Lf ⎦ 2
∆V0 1−δ
= E 10. 24
V0 8 LCf 2
La desventaja que presentan las altas frecuencias de conmutación es un aumento de la pérdida de

potencia en los interruptores. Al aumentar la pérdida de potencia en los conmutadores disminuye la
eficiencia del convertidor, y será necesario utilizar un disipador de calor de mayor tamaño para el
transistor que funciona como interruptor, lo que compensa la ventaja de reducir el tamaño de la
bobina y el condensador.

PROBLEMA 10.2
Diseñar un convertidor reductor que genere una tensión de salida de 18V sobre una resistencia de
carga de 10 Ω. El rizado de la tensión de salida no debe superar el 0,5% (∆Vo/Vo). Se utiliza una
fuente de continua de 48V. Realizar el diseño para que la bobina opere en corriente permanente,
especifique el ciclo de trabajo, el tamaño de la bobina y del condensador, el valor máximo de la
tensión de pico de cada dispositivo y la corriente eficaz por la bobina y condensador.
Solución:
El ciclo de trabajo para operación en corriente permanente se obtiene a partir de: la ecuación
VO 18
δ= = = 0,375
Vg 48
Hay que seleccionar la frecuencia de conmutación y el tamaño de la bobina para operar en
corriente permanente. Seleccionaremos arbitrariamente una frecuencia de conmutación de
40kHz, que es superior al rango de audio y es lo suficientemente pequeña como para que las
pérdidas en los interruptores sean pequeñas.
L min =
(1 − δ ) R = (1−,375)10 = 78 µH
2f 2 ⋅ 40000
Determinamos que el valor de la bobina sea un 25% mayor que el valor mínimo, con el fin de
asegurar que la corriente en la bobina sea permanente:
L = 1,25 L min = 1,25 ⋅ 78 µH = 97,5 µH
La corriente media en la bobina y la variación de corriente:
VO 18
= IL =
= 1,8 A
R 10
⎛V −V ⎞ ⎛ 48 − 18 ⎞ 1
∆i L = ⎜ S O ⎟ δT = ⎜ −6
⎟ ⋅ 0.375 ⋅ = 2,88 A
⎝ L ⎠ ⎝ 97,5 ⋅10 ⎠ 40000
Las corrientes, máxima y mínima, en la bobina:
∆i L
I max = I L + = 1,8 + 1,44 = 3,24 A
2
∆i
I min = I L − L = 1,8 − 1,44 = 0,36 A
2
Las especificaciones nominales de la bobina deben admitir la corriente eficaz. Para la onda
triangular con desplazamiento:
2 2
⎛ ∆i / 2 ⎞ ⎛ 1,44 ⎞
I L rms = I + ⎜⎜ L ⎟⎟ = 1,8 2 + ⎜⎜
2
L ⎟⎟ = 1,98 A
⎝ 3 ⎠ ⎝ 3 ⎠
El condensador se selecciona:
1− δ 1 − 0,375
C= = = 100 µF
⎛ ∆VO ⎞ 2 8 ⋅ 97,5 ⋅ 10 −6 ⋅ 0,005 ⋅ 40000 2
8 L⎜⎜ ⎟⎟ f
⎝ VO ⎠
…

…
∆i L
La corriente de pico en el condensador es: = 1,44 A
2
1,44
y la corriente eficaz en el condensador para la forma de onda triangular es: = 0,83 A
3
La tensión máxima en el interruptor y el diodo es VS o 48V. La tensión en la bobina cuando el
conmutador está cerrado es: VS − VO = 48 − 18 = 30 V
La tensión en la bobina cuando el interruptor está abierto es VO = 18V.
Por tanto, la bobina debe soportar 30V. Las características nominales del condensador deben
tolerar una salida de 18V.
10.2.2 CONVERTIDOR BOOST (ELEVADOR)
Introducción
En este convertidor (figura 10.15), la energía que procede de la fuente primaria es conducida por el
elemento de conmutación para ser almacenada en la bobina. Este almacenamiento de energía se
efectúa durante el periodo de conducción del conmutador, no existiendo durante este intervalo ningún
tipo de transferencia de energía a la carga. Cuando el conmutador se abre, la tensión que se produce
en bornes de la bobina se suma a la tensión de la fuente obteniéndose una tensión de salida superior a
esta última y con idéntica polaridad. Al mismo tiempo, la energía almacenada previamente por la
bobina es transferida a la carga.
Fig. 10. 15
Esquema de un convertidor BOOST.
Esquema básico de funcionamiento

El esquema básico de este convertidor es el de la figura 10.16, en la que se reflejan sus dos posibles
estados. En el primer estado, (0 < t < TON), el conmutador o interruptor se halla cerrado, por lo que
solamente se establecerá flujo de corriente a través de la bobina, ya que el diodo se encuentra
inversamente polarizado. A lo largo de este intervalo se producirá el almacenamiento de la energía en
L. Por otro lado, cuando el interruptor se abra, figura 10.16.b, se producirá una inversión de polaridad
en la bobina, debido a la imposibilidad de variar bruscamente la intensidad que pasa por ella. Ahora
la bobina actúa como generador, sumándose su tensión a la tensión existente a la entrada del
convertidor. Gracias a dicha inversión de polaridad, la bobina actúa como receptor en el primer
estado y como generador en el segundo.
El filtro utilizado, C, tiene como misión recibir la energía que previamente ha almacenado la bobina,
manteniendo la tensión y corriente de salida durante todo el tiempo que la bobina no entrega energía
a la salida.
Fig. 10. 16
Circuitos equivalentes para cada intervalo de
funcionamiento, de un convertidor BOOST:
a) Interruptor cerrado.
b) Interruptor abierto.

Modo de operación: Régimen C.C.

Relación de voltajes.
Durante TON:
di L E
= E 10. 25
dt L
Durante TOFF:
di L E − VO
= E 10. 26
dt L
En la figura 10.17 se muestra la evolución de la intensidad en la bobina en ambos intervalos.
Fig. 10. 17
Tensión e intensidad en la bobina, para régimen de corriente continuada.
El incremento de iL durante el cierre del interruptor tiene que ser igual al decremento experimentado
por la misma cuando el interruptor se abre. Este hecho es determinante a la hora del cálculo de la
relación de voltajes, de tal forma que si se parte de las ecuaciones [E 10.25] y [E 10.26]:
⎛E⎞
I L ( MAX ) − I L ( MIN ) = ⎜ ⎟δ T E 10. 27
⎝L⎠
⎛ E − VO ⎞
I L ( MIN ) − I L ( MAX ) = ⎜ ⎟ (1 - δ )T E 10. 28
⎝ L ⎠
Igualando estas dos ecuaciones obtenemos la relación de transformación:
VO 1
= E 10. 29
E 1− δ
Si se considera que no existen pérdidas, la potencia de entrada debe ser la misma que la potencia
obtenida a la salida del convertidor, PE = PO.
E I E = VO I O
y por tanto:
IO
= (1 − δ ) E 10. 30
IE
A partir de la ecuación que indica la razón de tensiones, [E 10.29], se puede apreciar el carácter
elevador de tensión que presenta este convertidor. A medida que el ciclo de trabajo aumenta, el valor
de VO es mayor. Esta ecuación implica que la tensión de salida puede ser tan grande como se desee.
No obstante, en el análisis precedente no se ha tenido en cuanta el carácter real de los componentes.
De hecho, la bobina presentará un cierto carácter resistivo que se hace claramente patente conforme
aumenta el ciclo de trabajo, de tal forma que cuando este último se va acercando a la unidad, la

tensión de salida disminuye en vez de aumentar. Es por ello que para prevenir este problema sea
necesario limitar el ciclo de trabajo por debajo de un valor crítico.
Corrientes por los elementos del circuito.
En la figura 10.18 se ofrecen las corrientes que circulan por cada uno de los dispositivos a lo largo de
un ciclo del convertidor. Sería interesante determinar el valor de IL(MAX) e IL(MIN), para que así queden
definidas el resto de intensidades. Para ello partiremos de la igualdad entre la potencia de entrada y la
de salida:
PE = 0.5(I L ( MAX ) + I L ( MIN ) )E
2
V
PO = O
R
Igualando ambas expresiones así como utilizando la razón de transformación dada por la ecuación
[E10.29], se tiene:
2E
I L ( MAX ) + I L (MIN ) =
R(1 − δ )
2
E
IL =
R(1 − δ )
2
Combinando esta ecuación con las expresiones [E 10.28] y [E 10.29], se obtiene:
E E ∆I
I L (MIN ) = δT = I L − L
− E 10. 31
R(1 − δ )
2
2L 2
E E ∆I
I L ( MAX ) = + δT = I L + L E 10. 32
R(1 − δ )
2
2L 2
Con estos valores y conociendo el valor de la corriente por la carga, IO = VO/R, se puede
determinar el valor de la corriente circulante por el condensador, tal y como se refleja en la
figura 10.18.
Fig. 10. 18
Principales intensidades presentes en el convertidor BOOST.
Como ya se ha dicho el convertidor opera al límite del modo C.C. si la intensidad en la bobina se
anula cuando el ciclo del convertidor pone a su fin. Por tanto, si la ecuación [E 10.31] se iguala a cero
se podrá obtener el valor mínimo de inductancia, manteniendo el ciclo de trabajo constante, para que
el convertidor opere en régimen continuado.
E E
I L ( MIN ) = − δT =0
R(1 − δ )
2
2L

Resolviendo esta ecuación:

RT
LCRITICA = δ (1 − δ )2 E 10. 33
2
Una inductancia cuyo valor se encuentre por debajo de la inductancia crítica, supuestos unos valores
de E y δ fijos, le conferirá al convertidor un régimen de operación en C.D.
Fig. 10. 19
Tensión e intensidad en la bobina en el límite de ambos modos de funcionamiento: C.C. y
C.D.
La figura 10.19 muestra las formas de onda correspondientes a un convertidor elevador operando al
límite del régimen continuado. El valor de la corriente media circulante por la bobina en este caso es:
1
I LB = I L ( MAX ) E 10. 34
2
Rizado en la tensión de salida.
El rizado de la tensión de salida se puede obtener, para un régimen de C.C., sí se observa la figura
10.20, en donde además de aparecer la tensión en el condensador, viene indicada la corriente
circulante por el diodo D. Si se supone que el rizado que presenta la intensidad por el diodo fluye a
través del condensador, mientras que su valor medio escapa hacia la carga, el área que aparece
sombreada en esta misma figura representa la carga AQ. Por tanto, el rizado de la tensión de salida
podrá expresarse como:
∆Q I O δ T
∆VO = = E 10. 35
C C
Si la corriente de salida se supone que presenta un valor constante e igual a su valor medio:
VO δ T ∆VO T
∆VO = ⇒ =δ E 10. 36
R C VO τ
Fig. 10. 20
Cálculo del rizado de la tensión de salida para régimen de
corriente continuada.
Donde τ = RC.

PROBLEMA 10.3
Sea el convertidor boost (indirecto-elevador) de la figura en el que Vg= 40V, V0=150V/25Ω,

L=200µH, T = 200 µs. Determinar:
A) Valor del ciclo de trabajo y formas de onda más importantes.

B) Valor de Imax e Imin.
C) Corriente media por el diodo.
D) Valor eficaz de la corriente por la capacidad.
E) Inductancia crítica.
F) Valor de la capacidad para obtener un rizado de tensión de 0.5V.
Solución: A) 0.733; B) 7,83A, 37.17A; C) 6A; D) 10.87A; E) 0.13mH; F) 1760µF.
[Fisher]
Problema10_3.cir
PROBLEMA 10.4
Diseñar un convertidor elevador que presente una salida de 30V a partir de una fuente de 12 V.
La corriente en la bobina será permanente y el rizado de la tensión de salida debe ser menor que
el 1%. La carga es una resistencia de 50 Ω y se supone que los componentes son ideales.
Solución:
En primer lugar calculamos el ciclo de trabajo
VS 12
δ = 1− = 1− = 0,6
VO 30
Si seleccionamos una frecuencia de conmutación de 25kHz, superior al rango auditivo, podemos

obtener la inductancia mínima para corriente permanente
δ⋅ (1 − δ ) R 0,6 ⋅ (1 − 0,60) 50
2 2
L min = = = 96 µH
2f 2 ⋅ 25000
Con el fin de tener un margen para asegurar corriente permanente, definimos L=120µH.
Observar que L y f se han seleccionado arbitrariamente, y que existen otras combinaciones que
producirán corriente permanente.
VS 12
IL = = = 1,5 A
(1 − δ ) 2
R (1 − 0,6)2 50
…

…
∆i L VS δT 12 ⋅ 0,6
= = = 1,2 A
2 2L 2 ⋅ 120 ⋅ 10 −6 ⋅ 25000
I max = 1,5 + 1,2 = 2,7 A

I min = 1,5 − 1,2 = 0,3 A
Calculamos el rizado de la tensión de salida
∆VO δ
= < 1%
VO RCf
δ 0,6
C> = = 48 µF
Rf (∆VO /VO ) 50 ⋅ 25 ⋅103 ⋅ 0,01
10.2.3 CONVERTIDOR BUCK-BOOST (ELEVADOR-REDUCTOR)

Introducción
En esta configuración básica, la salida del convertidor puede ser mayor o menor que la tensión de
entrada.
Fig. 10. 21
Convertidor BUCK-BOOST.
VO δ
= E 10. 37
E 1−δ
Modo de operación
En la figura 10.22 se ofrece los dos modos de funcionamiento en los que puede operar este
convertidor. Cuando el interruptor S se cierra (figura 10.22.a), la fuente primaria de tensión se
conecta a la bobina, al mismo tiempo que el diodo D queda polarizado en inverso. Como
consecuencia de esto, la intensidad que circula por la inductancia crece linealmente, almacenando la
bobina energía. Transcurrido el TON del convertidor, el interruptor se abre (figura 10.22.b), con lo
que la energía almacenada previamente en la bobina se transfiere a través del diodo, al resto del
circuito. Durante este intervalo, TOFF del convertidor, la fuente no suministra ningún tipo de energía.
Régimen C.C.
Relación de tensiones. Razón de conversión.
Como ya se ha dicho, al cerrarse el interruptor, la tensión de la fuente se refleja sobre la bobina, por
lo que la intensidad circulante por esta misma quedará definida por la siguiente ecuación:
di L E
= E 10. 38
dt L

Fig. 10. 22
Tensión e intensidad en la bobina. Circuito
equivalente para cada estado del interruptor: a)
cerrado y b) abierto.
Integrando entre 0 y TON:

E
I L ( MAX ) − I L ( MIN ) = δT E 10. 39
L
Por otro lado, cuando el interruptor se abre, la pendiente de iL vendrá dada por:
di L V
=− C E 10. 40
dt L
y por tanto:
VC
I L ( MIN ) − I L ( MAX ) = − (1 − δ ) T E 10. 41
L
Igualando la ecuación [E 10.39] con esta última resulta la siguiente relación de voltajes que
adelantábamos anteriormente:
δ
VC = VO = E E 10. 42
1−δ
De esta ecuación se extrae que para valores de δ < 0.5, la tensión de salida es inferior a la de al
salida, mientras que si δ > 0.5, la tensión de salida será superior.
Si se considera que la potencia entregada por la fuente es equivalente a la existente a la salida del
convertidor, entonces:
PE = PO
IO 1− δ
= E 10. 43
IE δ
Corrientes circulantes por el circuito.
En la figura 10.23 se ofrecen las formas de onda de las corrientes que circulan por cada uno de los
elementos del circuito. Como puede observarse, es preciso calcular IL(MIN) e IL(MAX) para determinar el
valor de las mismas.

A partir de esta misma figura se puede deducir la corriente media circulante por el interruptor S, que
es la misma que la entregada por la fuente.
⎛ I L (MIN ) + I L ( MAX ) ⎞
I S = I E = ⎜⎜ ⎟⎟ δ
⎝ 2 ⎠
Por tanto, la potencia media entregada por la fuente puede expresarse como:
⎛ I L (MIN ) + I L ( MAX ) ⎞
PE = E I E = ⎜⎜ ⎟⎟ δ E
⎝ 2 ⎠
Fig. 10. 23
Intensidades características de un convertidor BUCK-
BOOST.
Si se iguala la expresión de la potencia de entrada, expresada anteriormente, con la entregada a la

salida del convertidor, y utilizando la ecuación [E 10.42], entonces se puede deducir el valor de IL(MIN) +
IL(MAX):
2δ E
I L ( MIN ) + I L ( MAX ) =
R(1 − δ )
2
Aprovechando la ecuación [E 10.41] y combinándola con la anterior se puede decir:
δE Eδ T ∆I
I L (MIN ) = − L = IL − 2 E 10. 44
R(1 − δ )
2
2 2
δE Eδ T ∆I
I L ( MAX ) = + L = IL + 2 E 10. 45
R(1 − δ )
2
2 2

Condición de corriente continuada.
Como ya se ha indicado, para asegurar el régimen de corriente continuada, la corriente no debe

hacerse cero dentro del periodo del convertidor. El caso crítico, que configura frontera entre ambos
modos de operación, vendrá determinado por la anulación de la corriente en el mismo instante en el
que concluye el periodo del convertidor. Por lo tanto, a partir de la ecuación [E 10.44] se puede
calcular el valor de inductancia mínima para asegurar un modo de operación C.C.
δE δ ET
I L ( MIN ) = 0 = − L
R(1 − δ )
2
2
RT
LCRITICA = (1 − δ )2 E 10. 46
2
Rizado de la tensión de salida.
∆VO δ
Se puede demostrar que: =
VO RCf
PROBLEMA 10.5
Sea el convertidor de la figura, que se usa para obtener un voltaje negativo V0 desde una fuente
positiva Vg. Datos: V0=60V.; L=400µH; f=1KHz. Determinar:
A) Expresar V0/Vg en función de ton/T y dibujar la tensión en extremos de la bobina para Vg=
40V, sabiendo que el valor medio de la corriente por la bobina es de 100A.
B) Dibujar la corriente instantánea a través del transistor y del diodo.
C) Valor medio de la corriente por el transistor.
D) Calcular la corriente de salida
E) Dibujar la corriente instantánea en extremos del condensador.
Solución: C) 60A; D) 40A. [Fisher]
PROBLEMA 10.6
El circuito reductor-elevador de la figura 10.21 presenta los siguientes parámetros:
VS = 24V; δ = 0,4; R = 5 Ω; L = 100µ; C = 400µF; f = 20kHz
Calcular la tensión de salida, la corriente en la bobina y el rizado de salida.
Solución: VO = -16V; IL = 5,33A, Imax = 7,73A, Imin = 2,93A; ∆VO / VO = 1%

En la práctica las formas de onda reales no son perfectamente cuadradas como las que se
han visto anteriormente. Hay que tener en cuenta la no idealidad de los elementos
empleados (transistor, bobina, condensador). Además la presencia de capacidades
parásitas en los componentes, inductancias parásitas en las conexiones y el layout del
circuito que producen resonancia de las formas de onda.
Dimensionado de los semiconductores

[10_3]
No idealidades en el convertidor a No idealidades en el convertidor b

[10_4] [10_5]
Ejemplo Formas de onda reales

[10_6] [10_7]
10.3 Resumen convertidores estudiados
[10_8]
Fig. 10. 24 Buck Converter
[10_9]
Fig. 10. 25 Boost Converter

[10_10]
Fig. 10. 26 Buck-Boost Converter
Fig. 10. 27 Variación de la tensión de salida en función del ciclo de trabajo para los distintos convertidores
LM78S40
[10_11]

GARCERÁ G. Conversores conmutados: circuitos de potencia y control. SPUPV 1998.

and Design. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1989.
MUÑOZ, J. L.; HERNANDEZ J. Sistemas de alimentación conmutados. Paraninfo, 1997.
SIMON S. ANG. Power-switching converters. Ed. Marcel Dekker, 1995.
RASHID, M. H. Electrónica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. 3ª Edición. Prentice

Hall, 2004.

POTENCIA

Introducción. Configuración del circuito de potencia: Transformador con toma media,
batería de toma media. Puente monofásico. Análisis mediante series de Fourier.
Puente trifásico. Regulación de la tensión de salida: Modulación PWM. Conmutación
bipolar, conmutación unipolar. Aplicación control electrónico de motores

[email protected]
11.1 Introducción 1
11.1.1 Principio de funcionamiento 1
11.2 Configuración del circuito de potencia 2
11.2.1 Transformador con toma media 2

1.2.2 Batería con toma media (inversor en medio puente) 3
11.2.3 Puente monofásico 10
11.2.4 Puente trifásico 19
11.3 Modulaciones básicas 27
11.3.1 Definiciones y consideraciones relativas a la modulación PWM 39

11.3.2 Armónicos generados 41
11.4 Filtrado 50
11.4.1 Filtrado de la tensión de salida 50

11.4.2 Diseño de un filtro de tensión 52
11.5 Inversor como fuente de intensidad 61
11.6 Aplicaciones 62
11.6.1 Sistemas de conversión de energía fotovoltaica 63

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC
11.1 Introducción
Los inversores estáticos son circuitos que generan una tensión o intensidad alterna a partir de una
fuente de continua.
La aparición de los transistores de potencia y los tiristores ha facilitado enormemente la solución de
esta función, promoviendo la proliferación de diversos circuitos con muy buenas características que
hubieran sido de difícil realización mediante las técnicas clásicas.
Los inversores u onduladores se pueden estudiar como rectificadores controlados funcionando en
sentido inversor. Sin embargo, estos dispositivos tienen la característica, que en muchas ocasiones es
un gran inconveniente, de que para transformar la energía de corriente continua en alterna deben
conectarse a una fuente alterna del exterior que impone la frecuencia de funcionamiento, con lo cual
se les llama inversores controlados o guiados (inversores no autónomos).
En la mayoría de las ocasiones se precisan inversores que funcionen autónomamente, es decir, que no
estén conectados a ninguna fuente de corriente alterna exterior y que la frecuencia sea función de las
características propias del sistema. Éstos son conocidos como inversores u onduladores autónomos.
Su representación simbólica se aprecia en la figura 11.1.
Fig. 11. 1
Símbolo del inversor autónomo.
En muchas ocasiones estos dispositivos se utilizan para aplicaciones que exigen una componente de
armónicos muy pequeña, una estabilidad de tensión y frecuencia de salida muy grande. La
disminución de armónicos se logra con procedimientos adecuados de disparo, control y con la
colocación de filtros especiales a la salida del inversor. En cuanto a la estabilidad, regulación y
control de la tensión y de la frecuencia se logra mediante el funcionamiento en bucle cerrado.
Los inversores tienen múltiples aplicaciones, entre las cuales podemos destacar los Sistemas de
Alimentación Ininterrumpida (S.A.I.), que se emplean para la alimentación de ordenadores u otros
equipos electrónicos que a la vez que una gran seguridad de funcionamiento deben tener una gran
estabilidad de tensión y frecuencia. El control de motores de C.A., instalaciones de energía solar
fotovoltaica, etc.
11.1.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO.

Para conseguir una corriente alterna partiendo de una corriente continua necesitamos un conjunto de
interruptores que puedan ser conectados y desconectados a una determinada carga de manera que la
salida sea positiva y negativa alternativamente.
Cada uno de estos interruptores debe de estar constituido por un par de tiristores o transistores para
que la corriente pueda circular en los dos sentidos, aunque en la práctica cada interruptor estará
compuesto por un tiristor o transistor y un diodo.
Los circuitos más básicos que se pueden dar de inversores se muestran en las figuras 11.2 y 11.3.
Fig. 11. 2
Circuito básico con batería con toma intermedia.

Fig. 11. 3
Circuito básico sin batería de toma intermedia.
Configuración en puente.
El circuito de la figura 11.2, tiene el inconveniente de necesitar una fuente con toma intermedia,
mientras que en el circuito de la figura 11.3 este problema se ha solventado utilizando cuatro
interruptores los cuales se cierran dos a dos; durante el primer semiperíodo se cierran I1 e I3, y
durante el segundo lo hacen I2 e I4. Además con el circuito de la figura 11.3, a igualdad de valor de la
batería, tenemos una tensión de salida igual al doble que la del circuito de la figura 11.2.
11.2 Configuración del circuito de potencia

Suelen distinguirse tres configuraciones: con transformador de toma media, con batería de toma
media y configuración en puente. Cada una de ellas tiene sus ventajas e inconvenientes, como se
expondrán más adelante, independientemente de los semiconductores empleados en su realización y
de su circuitería auxiliar de excitación y bloqueo.
11.2.1 TRANSFORMADOR CON TOMA MEDIA.
En la figura 11.4 se describe este circuito y las formas de onda de las variables más interesantes.
Fig. 11. 4
Inversor con transformador de toma media.
La fuente de C.C. está representada por una batería de tensión VS. El polo positivo está
permanentemente conectado a la toma media de un transformador que se considera ideal (intensidad
magnetizante nula, resistencia de los devanados nula, inductancia de dispersión nula). El polo
negativo de la batería, que se toma como referencia de tensiones para el circuito asociado al primario,
se conecta alternativamente a los extremos A y B del primario mediante los interruptores IN1 e IN2,
cuya secuencia de funcionamiento queda representada en la figura 11.4.

En los semiperíodos en que IN1 está abierto e IN2 cerrado, como sucede en el instante t1 , se imprime a
los terminales X-B del transformador una tensión VS con la polaridad indicada en la segunda figura.
Suponiendo que los devanados AX, XB y el secundario tienen el mismo número de espiras N, se
tendrá que la tensión de salida es:
vo (t ) = VS
atendiendo a los terminales correspondientes durante el semiperíodo y que es independiente de la

intensidad que circula por la carga. Se ha supuesto, para simplificar al máximo en este primer
esquema, que la carga es una resistencia pura de valor R. La intensidad de salida durante este
semiperíodo es, por lo tanto:
vo (t ) VS
io (t ) = = = IO
R R
La tensión del punto A respecto del X es igual a VS y, según los terminales correspondientes,
positiva. Por lo tanto IN1 queda sometido a una tensión 2VS cuando está abierto.
Durante los semiperíodos en que IN1 está cerrado e IN2 abierto, como sucede en el instante t2 (véase el
tercer esquema), la tensión de la batería está aplicada a los terminales AX del primario y la tensión de
salida es:
vo (t ) = −VS
como puede deducirse de la inspección de los terminales correspondientes, la intensidad de salida
resulta:
VS
io (t ) = − = −I O
R
El interruptor IN2 también queda sometido a una tensión 2VS cuando está abierto. Los circuitos reales
con transistores o tiristores someten por tanto estos dispositivos a picos de tensión todavía mayores a
2VS debido a las inevitables oscilaciones que tienen lugar en las conmutaciones. Por dicha razón esta
configuración no es adecuada para trabajar con tensiones de alimentación altas. El transformador de
toma media tiene un grado de utilización bajo en el primario y empeora bastante el rendimiento en
los circuitos prácticos, por lo que no es aconsejable emplear esta configuración para potencias
superiores a 10 KVA.
La tensión resultante en la salida es una onda cuadrada de amplitud VS independiente de la intensidad
para cualquier tipo de carga, cuya frecuencia está determinada por la velocidad de cierre y apertura
de los interruptores, y en los circuitos prácticos por la frecuencia de los impulsos de excitación de los
semiconductores.
La intensidad de batería en este circuito es perfectamente continua e igual a VS/R.
1.2.2 BATERIA CON TOMA MEDIA (INVERSOR EN MEDIO PUENTE)
Fig. 11. 5
Circuito inversor con batería de toma media.

Durante los semiperíodos en que Q1 está excitado y saturado, la tensión en el extremo derecho de la
carga es +VS/2 respecto de la toma media de la batería, salvo caídas de tensión despreciables en el
semiconductor. Durante los semiperíodos en que se excita Q2, la tensión en dicho extremo de la carga
es -VS/2. La tensión resultante en la carga es una onda cuadrada de amplitud VS/2.
Para realizar las ondas de intensidad de salida io(t) se ha supuesto por simplicidad que la carga
consiste en un circuito RLC que tiene una impedancia a los armónicos de la tensión de salida de
forma que absorbe una intensidad io(t) senoidal pura. El ángulo de retardo ϕ de dicha intensidad
respecto a la componente fundamental de vo(t) se ha supuesto de 60º.
Observando la evolución relativa de vo(t) e io(t) se confirma la necesidad de disponer diodos en

antiparalelo con los transistores que permitan la circulación de la intensidad reactiva.
[11_1] [11_2]
El ángulo o período de conducción de los diodos coincide con el argumento ϕ de la impedancia de

carga, siendo nulo para una carga con cos ϕ = 1, en cuyo caso podrían eliminarse los diodos. El
mayor período de conducción para los diodos y menor para los transistores se da con carga reactiva
pura, tanto capacitiva como inductiva cos ϕ = 0, ambos períodos son de 90º.
El valor medio de la intensidad conducida por cada transistor es:

1 Ip
[1 − cos (π - ϕ )]
π -ϕ
I Q ( AV ) = ∫ I p sen (ωt )dt = E 11.1
2π 0 2π
y la de cada diodo:
Ip 1 π
I D ( AV ) = (1 − cos ϕ ) = ∫π ϕ I sen (ωt )dt E 11.2
2π 2π
p
-
siendo Ip el valor de pico de la intensidad de salida.
La corriente media entregada al circuito por cada mitad de batería es igual a la que circula por los
transistores menos la que circula por los diodos, es decir:
Ip
I S ( AV ) = [cos ϕ − cos (π − ϕ )] E 11.3
2π
La tensión eficaz de salida viene dada por la siguiente expresión:
T
2 2 VS2 V
Vo ( RMS ) = ∫
T 0 4
dt = S
2
E 11.4
La tensión instantánea de salida expresada en series de Fourier será:

∞
2 VS
vo (t ) = ∑ sen (nω t ) para n = 1,3,5... E 11.5
n =1 nπ
cuando la frecuencia de la tensión de salida en rad/seg., es ω = 2πf. Para n = 1 tendremos un valor

eficaz de la componente fundamental de:
2VS
Vo1( RMS ) = = 0.45 VS E 11.6
n 2
Para una carga RLC la corriente instantánea de salida viene dada por:

∞
2VS
io (t ) = ∑ sen (nωt − ϕ n )
2
n =1 ⎛ ⎛ 1 ⎞⎞
nπ R 2 + ⎜⎜ nωL − ⎜ ⎟ ⎟⎟
⎝ ⎝ nωC ⎠ ⎠
⎛ 1 ⎞
⎜ nωL − ⎟
⎝ nωC ⎠
ϕ n = arctg E 11.7
R
donde n = 1,3,5...
Si Io1(RMS) es la intensidad eficaz del fundamental en la carga, la potencia a la salida:
Po1( RMS ) = Vo1( RMS ) × I o1( RMS ) × cos ϕ1 = I o21( RMS ) × R
PROBLEMA 11.1
Dado el circuito inversor con batería de toma media de la figura, donde VS = 48 V y la carga es
resistiva y de valor R = 2.4Ω. Calcular:
a) La tensión eficaz de salida a la frecuencia del fundamental Vo1(RMS) .
b) Potencia eficaz de salida Po(RMS) .
c) La corriente media y de pico de cada transistor.
d) La tensión inversa de pico VQ(BR) de bloqueo cada transistor.
e) La distorsión armónica total THD.
f) El factor de distorsión DF.
g) El factor armónico y el factor de distorsión del armónico de menor orden.
h) Simular este circuito con Pspice y obtener: Tensión e intensidad en la carga.
Intensidades instantánea y media en los transistores. Análisis espectral de Fourier.
Listado de componentes de Fourier para la tensión de salida (visualizar el fichero
.OUT). Comparar los resultados con los obtenidos teóricamente.
Solución:
a) Según la ecuación [E 11.6], la tensión eficaz de salida a la frecuencia del fundamental
es:
Vo1( RMS ) = 0.45 × 48 = 21.6 V
b) La potencia de salida se calcula como sigue:
VS 48 Vo2( RMS ) 24 2
Vo ( RMS ) = = = 24 V Po ( RMS ) = = = 240 W
2 2 R 2.4
c) La corriente de pico de cada transistor es:
…

…
VS 24
I pQ = = = 10 A
R 2 .4
Cada transistor conduce durante el 50 % de cada ciclo, por tanto, la corriente media que circula
por cada transistor es:
I Q ( AV ) = 0.5 × 10 = 5 A
d) La tensión inversa de pico de bloqueo de cada transistor es:
VQ ( BR ) = 2 × 24 = 48 V
e) La distorsión total es:
1 ⎛ ∞ ⎞ 1
THD = ⎜⎜ ∑ Von2 ⎟⎟ = Vo2( RMS ) − Vo21( RMS ) =
Vo1 ⎝ n =3,5, 7... ⎠ Vo1( RMS )
=
1
21.6
(24 2
)
− 21.6 2 = 0.4834 = 48.34%
como Vo(RMS) = 24 V y Vo1(RMS) = 21.6 V, los demás armónicos aportan:
24 –21.6 = 2.4 V
f) La tensión eficaz de todos los armónicos exceptuando la del fundamental viene

representado por VH y es:
2 2 2
⎛ ∞ V2 ⎞ ⎛V ⎞ ⎛V ⎞ ⎛V ⎞
VH = ⎜⎜ ∑ on2 ⎟⎟ = ⎜ o23 ⎟ + ⎜ o25 ⎟ + ⎜ o27 ⎟ + ...
⎝ n =3,5,7... n ⎠ ⎝3 ⎠ ⎝5 ⎠ ⎝7 ⎠
Como:
Vo1 0.45 × VS
Von = Vo1 = 0.45 × Vs ⇒ Von =
n n
La tensión eficaz de todos los armónicos quedará, sustituyendo la igualdad anterior en la
expresión de VH, como:
2 2 2 2 2
⎛ 0.45 ⎞ ⎛ 0.45 ⎞ ⎛ 0.45 ⎞ ⎛ 0.45 ⎞ ⎛ 0.45 ⎞
V H = VS ⎜ 3 ⎟ + ⎜ 3 ⎟ + ⎜ 3 ⎟ + ⎜ 3 ⎟ + ⎜ 3 ⎟ ... ≈ 0.01712 VS
⎝ 3 ⎠ ⎝ 5 ⎠ ⎝ 7 ⎠ ⎝ 9 ⎠ ⎝ 11 ⎠
El factor de distorsión, será:
VH V
DF = = 0.01712 S = 3.804 %
Vo1 Vo1
g) El armónico de orden más bajo es el tercero (armónico que produce mayor

distorsión después del fundamental):
Vo1 21.6
Vo 3 = ⇒ Vo 3( RMS ) = = 7.2 V
3 3
Factor armónico (distorsión normalizada del tercer armónico):

…
⎛ Vo1 ⎞
⎜ ⎟
Vo 3 ⎝ 3 ⎠ 1
HF3 = = = = 33.33%
Vo1 Vo1 3
Factor de distorsión del tercer armónico:
⎛ Vo 3 ⎞ ⎛ Vo1 ⎞
⎜ 2 ⎟ ⎜ 3 ⎟
3 ⎠ ⎝3 ⎠ 1
DF3 = ⎝ = = = 3.704%
Vo1 Vo1 27
h) Para simular el circuito hay que excitar los transistores con fuentes de tensión
alternas y desfasadas entre sí 180º. Estas fuentes excitan a los transistores a través
de una resistencia de base Rg tal como se muestra en la figura.
Las demás consideraciones para el análisis se pueden observar en el listado de la simulación que
proporcionamos más abajo.
Los valores tomados de la simulación son:

R = 2.4 Ω
Vg1 = Vg2 = 5 V
Rg1 = Rg2 = 100 Ω
VS = 48 V
f = 50 Hz
Problema11_1: CIRCUITO INVERSOR CON BATERIA DE TOMA MEDIA

* Resistencias:
RG1 6 2 100 ; Resistencia de base del transistor Q1
RG2 4 7 100 ; Resistencia de base del transistor Q2
* Fuentes excitadoras de los transistores:
VG1 6 3 PULSE(5 0 0 0 0 10M 20M)
VG2 7 5 PULSE(5 0 10M 0 0 10M 20M)
* Fuente c.c. de toma media:
V1S/2 1 0 24
V2S/2 0 5 24
* Carga:
R 3 0 2.4
* Transistores y definicion del modelo QMOD mediante una linea .MODEL:
Q1 1 2 3 QMOD
Q2 3 4 5 QMOD
.MODEL QMOD NPN (IS=6.374F BF=416.4 CJC=3.6P CJE=4.4P)
* Parametros para el analisis con PsPice:
.OP
.PROBE
.four 50 V(3,0) ; *ipsp*
.tran 1.000u .3 0 0 ; *ipsp*
.END

El listado de las componentes de Fourier se encuentra al final del archivo Problema11_1.OUT

que crea el programa durante la simulación. Para este ejemplo tenemos:
La comparación entre los datos teóricos y los que nos ofrece Pspice se muestra en la siguiente
tabla:
TEÓRICO PSPICE
Apartado Dato Dato
a) Vo1(RMS) = 21.6 V Vo1(RMS) = 21.46 V
b) Vo(RMS) = 24 V Vo(RMS) = 23.835 V
c) IpQ = 10 A IpQ = 9.928 A
c) IQ(AV) = 5 A IQ(AV) = 4.8828 A
e) THD = 48.34% THD = 42.8%
f) HF3 = 33.33% HF3 = 33.33%
g) Vo3(RMS) = 7.2 V Vo3(RMS) = 7.156 V
La variación existente entre la distorsión armónica total THD que proporciona Pspice con
respecto a la teórica se debe a que el programa sólo tiene en cuenta, como ya hemos mencionado,
los nueve primeros armónicos.
PROBLEMA 11.2
Dado el inversor monofásico de batería de toma media de la figura, donde VS = 600 V, R = 10

Ω, L = 0.05 H y la frecuencia f = 50 Hz. Calcular:
a) Intensidad máxima Io en la carga.

b) Tiempo de paso por cero de la intensidad en la carga después de un semiciclo.
c) Intensidad media IQ(AV) por los transistores.
d) Intensidad media ID(AV) por los diodos.
Solución:
a) Para el primer intervalo, en el que conduce Q1, la ecuación de su malla será:
VS di (t )
= vo (t ) = R × io (t ) + L o
2 dt
y para el segundo intervalo tendremos:
VS di (t )
− = vo (t ) = R × io (t ) + L o
2 dt
…

Estas dos ecuaciones son iguales salvo en el signo, por tanto, su solución es:
⎡V ⎤ ⎛ ⎞
t t
− −
i o (t ) = ⎢ S ⎥ × ⎜1 − e τ ⎟−I e τ
⎣ 2 R ⎦ ⎜⎝ ⎟ o
⎠
donde:
⎛ −
T
⎞
⎜
⎛ V ⎞ 1− e τ 2 ⎟ L 0.05
Io = ⎜ S ⎟ × ⎜ T
⎟ τ= = = 0.005 seg.
⎝ 2R ⎠ ⎜ − ⎟ R 10
⎝1+ e
2τ
⎠
Como f = 50 Hz, tendremos un período T = 0.02 seg., por tanto, la intensidad máxima en la carga
es:
⎛ −
0.02
⎞
⎛ 600 ⎞ ⎜ 1 − e 2×0.005 ⎟
Io = ⎜ ⎟×⎜ ⎟ = 22.85 A
⎝ 2 × 10 ⎠ ⎜
0.02
1 + e
−
2×0.005 ⎟
⎝ ⎠
b) El tiempo t1 de paso por cero de la intensidad io(t) lo obtenemos igualando a cero la
ecuación que rige a esta intensidad y sustituyendo en ella la ecuación de Io.
Haciendo esto obtendremos como solución:
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
⎜ 2 ⎟ ⎜ 2 ⎟
t1 = T × ln⎜ T ⎟ = 0.005 × ln⎜ 0.02 ⎟ = 2.83 mseg.
⎜ − ⎟ ⎜ − ⎟
⎝ 1 + e 2τ ⎠ ⎝ 1 + e 2×0.005 ⎠
c) Como la carga no es resistiva, el desfase entre tensión e intensidad viene dado por:
⎛ ωL ⎞ ⎛ 2π × 50 × 0.05 ⎞
ϕ = arctg ⎜ ⎟ = arctg ⎜ ⎟ = 57.51º
⎝ R ⎠ ⎝ 10 ⎠
El valor de la intensidad media por los transistores lo vimos en la teoría y viene dada por la
ecuación:
Io
I Q ( AV ) = [1 − cos(π − ϕ )] = 22.85 [1 − cos(180º −57.51º )] = 5.6 A
2π 2π
d) El cálculo para la intensidad media de los diodos se realiza de igual forma:
Io
I D ( AV ) = (1 − cos ϕ ) = 22.85 (1 − cos 57.51º ) = 1.68 A
2π 2π

11.2.3 PUENTE MONOFASICO.
Fig. 11. 6
Inversor monofásico.
Consta de dos ramas semiconductoras conectadas como se especifica en las figuras 11.6 y 11.7; en
estas figuras se han materializado los circuitos mediante tiristores, a los cuales se han conectado
diodos en antiparalelo para conducir la intensidad reactiva.
Manteniendo excitados T1 y T4 (instante t1), el extremo X de la carga queda conectado al polo
positivo de la batería y el extremo Y al polo negativo, quedando la carga sometida a la tensión VS de
la batería. Bloqueando T1 y T4 y excitando T2 y T3 (instante t3), la tensión en la carga se invierte.
Haciendo esto de forma alternativa, la carga queda sometida a una tensión alterna cuadrada de
amplitud igual a la tensión de la batería VS , lo cual supone una ventaja con respecto al inversor con
batería de toma media. En contrapartida, aquí se necesitan el doble semiconductores que en dicha
configuración.
Fig. 11. 7
Formas de onda en la carga.
En la figura 11.7 se muestran los períodos de conducción, la forma de onda en la carga y los
elementos que atraviesa la corriente en cada intervalo de tiempo. Para el instante t2 la carga tendrá
una tensión positiva en el extremo “Y” y negativa en el “X”, por tanto, ésta se descargará a través de

los diodos D2 y D3 cediendo potencia a la batería; en el instante t4 la tensión en la carga es la

contraría que en el instante t2 y por tanto conducen los diodos D1 y D4. En ambos intervalos de
tiempo se libera la energía reactiva acumulada en la carga durante los instantes t1 y t3
respectivamente.
[11_3]
La forma de onda en la carga se ha representado suponiendo una impedancia infinita para los
armónicos de la tensión de salida, y por tanto tenemos una tensión senoidal pura. El ángulo de
retardo ϕ de la intensidad de carga con respecto a la onda fundamental de la tensión de salida se ha
tomado aproximadamente de 60º.
Las ecuaciones [E 11.1] y [E 11.2] del apartado anterior siguen siendo válidas para este caso, pero la
intensidad media suministrada por la batería es el doble de la expresada en [E 11.31].
Por otra parte la tensión eficaz de salida viene dada por:
T
2 2 2
T ∫0
Vo ( RMS ) = VS dt = VS E 11.8
La tensión instantánea de salida en serie de Fourier difiere de la que teníamos para un circuito
inversor con batería de toma media en que ahora tenemos el doble de tensión en la salida y por tanto:
∞
4VS
vo (t ) = ∑ sen (nω t ) para n = 1,3,5... E 11.9
n =1, 3, 5... nπ
para n = 1 tenemos el valor de la tensión eficaz de la componente fundamental:
4VS
Vo1( RMS ) = = 0.90 VS E 11.10
π 2
La intensidad instantánea de salida para una carga RLC será:
∞
4 VS
io (t ) = ∑ sen (nωt − ϕ n )
2
n =1 ⎛ ⎛ 1 ⎞⎞
nπ R 2 + ⎜⎜ nωL − ⎜ ⎟ ⎟⎟
⎝ ⎝ nωC ⎠ ⎠ E 11.11
1
nωL −
ϕ n = arctg nωC
R
PROBLEMA 11.3
En el circuito de la figura la batería VS = 48 V y la carga R = 2.4 Ω, calcular:
a) Tensión eficaz del fundamental.

b) Potencia media en la carga.
c) Intensidad de pico y media de cada transistor.
d) Tensión inversa de pico VQ(BR) de bloqueo de los transistores.
e) Distorsión armónica total THD.
f) Factor de distorsión DF.
g) Factor armónico y factor de distorsión del armónico de menor orden.
h) Simular el circuito con Pspice y obtener: Las intensidades media e instantánea en Q1. El
análisis de Fourier que proporciona el programa. Comparación con los datos teóricos.
…

Problema11_3.cir
Solución:
a) La tensión eficaz del fundamental viene dada por la ecuación [E 11.10] y es:
Vo1( RMS ) = 0.90 × 48 = 43.2 V
b) La potencia media entregada a la carga viene dada por la ecuación genérica:
VS2 48 2
Po ( AV ) = = = 960 W
R 2.4
c) La intensidad de pico por cada pareja de transistores será:
48
I PQ = = 20 A
2.4
Cada rama del inversor conduce durante el 50% de cada ciclo, por tanto, la intensidad
media de cada rama es:
20
I Q ( AV ) = = 10 A
2
d) La tensión de pico de bloqueo, será igual a la que tiene la fuente C.C. y es:
V BR = 48 V
e) Para calcular la distorsión armónica total THD de forma exacta necesitamos
conocer la tensión aportada por todos los armónicos.
Como Vo(RMS) = 48 V y Vo1(RMS) = 43.2 V, los demás armónicos aportan:
48 - 43.2 = 4.8 V
∞
1 1
THD =
Vo1
∑V
n =3, 5 , 7...
2
on =
Vo1( RMS )
Vo2( RMS ) − Vo21( RMS ) =
1
= 48 2 − 43.2 2 = 48.43%
43.2
f) El factor de distorsión aplicando un filtro de segundo orden será:
∞ 2 2 2
1 ⎛ Von ⎞ 1 ⎛ Vo 3 ⎞ ⎛ Vo 5 ⎞ 0.3424 VS
DF =
Vo1
∑ ⎜ 2 ⎟ =
n =3, 5... ⎝ n ⎠
⎜ 2 ⎟ + ⎜ 2 ⎟ + ... =
Vo1 ⎝ 3 ⎠ ⎝ 5 ⎠ 0 .9 V S
= 3.804%

…
g) El armónico de orden más bajo es el tercero:
Vo1
Vo 3 =
3
Vo 3 1
HF3 = = = 33.33%
Vo1 3
⎛ Vo 3 ⎞
⎜ 2 ⎟
3 ⎠ 1
DF3 = ⎝ = = 3.704%
Vo1 27
. La tensión de pico inversa de bloqueo de cada transistor y la tensión de salida para inversores
con batería de toma media e inversores en puente monofásico son las mismas, sin embargo, para
el inversor en puente la potencia de salida es cuatro veces mayor y la componente del
fundamental es el doble que en el inversor con batería de toma media.
h) Para simular el circuito hemos introducido cuatro fuentes de tensión alterna Vg con
sus respectivas resistencias en serie Rg.
Los valores tomados para el circuito de la figura son: Vg = 5.8 V; f = 50 Hz y Rg =100 Ω.
Los diodos que se introducen en el circuito no son necesarios para este análisis, puesto que la
carga es puramente resistiva y no desfasa la tensión e intensidad de salida. Sin embargo, se ha
introducido para que el lector pueda experimentar con otras cargas en este tipo de configuración
Como podríamos comprobar en el listado las amplitudes obtenido en el .OUT de los armónicos
pares es nula, esto se debe a que la tensión de salida es una onda cuadrada en cuya composición
sólo intervienen los armónicos impares.
La comprobación entre éstos se encuentra reflejada en la siguiente tabla:
TEÓRICO PSPICE
Apartado Dato Dato
a) Vo1(RMS) = 43.2 V Vo1(RMS) = 42.76 V
c) IpQ = 20 A IpQ = 19.792 A
c) IQ(AV) = 10 A IQ(AV) = 10.058 A
e) THD = 48.43% THD = 42.87%
f) HF3 = 33.33% HF3 = 33.33%

PROBLEMA 11.4
El puente inversor de la figura tiene una carga RLC de valor R = 10Ω, L = 31.5mH y C = 112µF.
La frecuencia del inversor es de 60 Hz y la tensión de entrada VS = 220 V. Calcular:
a) La corriente instantánea de salida en series de Fourier.

b) El valor eficaz de la intensidad total en la carga y la debida al primer armónico.
c) Distorsión total de la corriente de carga.
d) Potencia activa en la carga y del fundamental.
e) Intensidad media de entrada.
f) Intensidad media y de pico de cada transistor.
g) Simular con Pspice este circuito y obtener: La tensión e intensidad instantáneas en la carga.
Intensidad instantánea de los diodos. Comparación de las intensidades de base de los
transistores. Intensidad eficaz en la carga. Intensidades media e instantánea de colector de
cada transistor. Análisis espectral de Fourier de la intensidad en la carga y el listado de
componentes armónicos de dicha intensidad.
Solución:
a) Para calcular la intensidad instantánea en series de Fourier se calcula primero la

impedancia de la carga para cada armónico y se divide la tensión instantánea en
series de Fourier por dicha impedancia. Para n = 1:
2
⎛ 1 ⎞
Z o1 = 10 + ⎜ 2π 60 × 31.5 × 10 −3 −
2
−6 ⎟
= 15.4 Ω
⎝ 2π 60 × 112 × 10 ⎠
⎛ 1 ⎞
⎜ 2π 60 × 31.5 × 10 −
−3
−6 ⎟
ϕ o1 = arctg ⎜ 2π 60 × 112 × 10 ⎟ = −49.7º
⎜ 10 ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
La tensión instantánea en series de Fourier viene dada por la ecuación [E 11.9] con la que
calculamos la amplitud de cada armónico, por tanto, para n = 1:
4 × 220
Vo1 = sen (2π 60 × t ) = 280.1 × sen(120 π t )
π
Vo1 280.1
I o1 = = sen (120π t + 49.7 ) = 18.1 sen(120 π t + 49.7 )
Z o1 15.4
Dando valores a “n” (3, 5 ,7...) se calculan los siguientes armónicos:
Vo 3 = 93.4 sen (3 × 120π t )

Z o3 = 29.43 Ω
ϕ o3 = 70.17º

…
I o 3 = 3.17 sen(3 × 120π t − 70.17º )
Vo 5 = 56 sen(5 × 120π t )
Z o5 = 55.5 Ω
ϕ o5 = 79.63º
I o 5 = 1 sen(5 × 120π t − 79.63º )
Haciendo el sumatorio obtenemos la intensidad instantánea en series de Fourier:
i (t ) = 18.1sen(120π t + 49.7 º ) + 3.17 sen(3 × 120π t − 70.17 º ) +

o
+ 1sen(5 × 120π t − 79.63º )
b) Como:
Ip
I ( RMS ) =
2
para el primer armónico tendremos:
I o1 18.1
I o1( RMS ) = = = 12.8 A
2 2
Considerando hasta el quinto armónico, la corriente de pico en la carga será:
I o = 18.12 + 3.17 2 + 12 = 18.4 A

18.4
I o ( RMS ) = = 13.01 A
2
c) La distorsión armónica total para la intensidad se calcula de la misma forma que

para la tensión, resultando:
(I )
∞
1 1 1
THD =
I o1
∑I
n =3,5...
2
on =
I o1
2
o − I o21 =
18.1
18.4 2 − 18.12 = 18.28%
d) Las potencias son:

Po = I o2( RMS ) × R = 13.012 × 10 = 1692.6 W
Po1 = I o21( RMS ) × R = 12.8 2 × 10 = 1638 W
e) La intensidad media que suministra la fuente es:
Po 1692
I ( AV ) = = = 7.69 A
VS 220
f) Según el apartado “b” tendremos una intensidad de pico por los transistores:
I pQ = 18.4 A
Como cada rama conduce durante el 50% de cada período tenemos:
7.69
I Q ( AV ) = = 3.845 A
2
…

…
El circuito que se simulará con Pspice es el que se muestra en la figura siguiente:
Los valores tomados para la simulación son: R = 10Ω, L = 31.5 mH, C = 112 µF, f = 60 Hz y las
resistencias de base Rg1 = Rg2 = Rg3 = Rg4 = 100Ω.
Descripción del circuito: Problema11_4.cir
Para el caso de carga RLC, sabemos que la tensión y la intensidad se desfasan un cierto ángulo
que corresponde con el argumento que presenta la carga. En este caso al ser de carácter
capacitivo, la intensidad se adelanta en fase respecto de la tensión. Esto es apreciable en la figura
11.8, donde además se puede observar que la intensidad es ahora más senoidal que en los casos
anteriores. Esto se debe a la presencia del condensador y de la bobina en la carga. El desfase
mencionado anteriormente se encuentra reflejado en la figura 11.9. En ella se puede comprobar
el período de conducción del diodo D3 y las intensidades que recorren a D1 y D3.
Fig. 11. 8 Tensión e intensidad instantánea en la carga.

…

Fig. 11. 9 Análisis espectral de Fourier para io(t).

El listado de componentes de Fourier para la intensidad en la carga se muestra a continuación:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(R)


1 6.000E+01 1.802E+01 1.000E+00 4.742E+01 0.000E+00

2 1.200E+02 2.422E-02 1.344E-03 -1.542E+02 -2.016E+02
3 1.800E+02 2.726E+00 1.513E-01 -6.635E+01 -1.138E+02
4 2.400E+02 1.123E-02 6.229E-04 2.600E+01 -2.142E+01
5 3.000E+02 1.040E+00 5.768E-02 -6.873E+01 -1.162E+02
6 3.600E+02 8.265E-03 4.585E-04 5.438E+01 6.962E+00
7 4.200E+02 5.559E-01 3.084E-02 -7.311E+01 -1.205E+02
8 4.800E+02 7.409E-03 4.110E-04 6.358E+01 1.616E+01
9 5.400E+02 3.385E-01 1.878E-02 -9.073E+01 -1.381E+02
TEÓRICO PSPICE
Apartado Dato Dato
a) Vo = 220 V Vo = 221.808 V
b) Io = 18.4 A Io = 20.298 A
b) Io(RMS) = 13.01 A Io(RMS) = 12.92 A
f) IQ(AV) = 3.845 A IQ(AV) = 4.706 A
a) Io1 = 18.1 A Io1 = 18.02 A
a) Io3 = 3.17 A Io3 = 2.726 A
a) Io5 = 1 A Io5 = 1.040 A
c) THD = 18.28% THD = 16.58%
Nótese que a partir del quinto armónico (en el listado) la amplitud que se presenta para cada uno
de ellos es tan pequeña que no es significativo introducirla en los cálculos teóricos.

PROBLEMA 11.5
En un inversor monofásico en puente como el de la figura tenemos los siguientes datos: VS = 200
V, R = 30Ω, L = 0.16 H y T = 12.5 mseg. Calcular:
a) La intensidad de pico en la conmutación.

b) El tiempo de conducción de los diodos.
c) El tiempo de conducción de los transistores.
d) La intensidad media suministrada por la fuente.
e) La potencia media en la carga.
Solución:
a) La constante de tiempo para este circuito es:
L 0.16
τ= = = 5.33 mseg
R 30
por tanto, la intensidad de pico es:
⎛ −
T
⎞ ⎛ −
0.0125
⎞
⎜
⎛ ⎞ 1− e τ
V 2 ⎟ ⎛ 200 ⎞ ⎜ 1 − e 2×0.00533 ⎟
Io = ⎜ S ⎟ × ⎜ T
⎟=⎜ ⎟×⎜ 0.0125
⎟ = 3.51 A
⎝ R ⎠ ⎜ − ⎟ ⎝ 30 ⎠ ⎜ − ⎟
⎝1+ e ⎝1+ e
2τ 2× 0.00533
⎠ ⎠
b) El tiempo de conducción de cada diodo será:
⎛ ωL ⎞ ⎛ 2π × 0.16 ⎞
ϕ = arctg ⎜ ⎟ = arctg ⎜ ⎟ = 69.54º
⎝ R ⎠ ⎝ 0.0125 × 30 ⎠
69.54º×12.5
t D on = = 2.41 mseg.
360º
c) El tiempo de conducción de cada transistor será:
t Q on = 6.25 − 2.41 = 3.84 mseg.
d) Para las intensidades medias de los diodos y de los transistores los cálculos se
efectúan del siguiente modo:
Io
I D ( AV ) = (1 − cos ϕ ) = 3.51 (1 − cos 69.54º ) = 0.36 A
2π 2π
Io
I Q ( AV ) = [1 − cos(π − ϕ )] = 3.51 [1 − cos(180º −69.54º )] = 0.75 A
2π 2π
…

La intensidad media que suministra la batería será igual a la que soportan los transistores menos
la reactiva que devuelven los diodos, para cada semiperíodo:
( )
I S ( AV ) = 2 × I Q ( AV ) − I D ( AV ) = 2 × (0.75 − 0.36 ) = 0.78 A
e) La potencia media que consume la carga es igual a la que cede la batería y es:
Po ( AV ) = I S ( AV ) × V S = 0.78 × 220 = 171.6 W
11.2.4 PUENTE TRIFÁSICO.
El inversor trifásico se utiliza normalmente para los circuitos que necesitan una elevada potencia a la
salida.
Los primarios de los transformadores deben estar aislados unos de los otros, sin embargo, los
secundarios se pueden conectar en triángulo o en estrella, tal como se muestra en la figura 11.10.
Los secundarios de los transformadores se conectan normalmente en estrella para de esta forma
eliminar los armónicos de orden 3, (n = 3, 6, 9...) de la tensión de salida.
Fig. 11. 10
Formas de conexión.
Este inversor se puede conseguir con una configuración de seis transistores y seis diodos como se
muestra en la figura 11.11.
Fig. 11. 11
Inversor trifásico.
A los transistores le podemos aplicar dos tipos de señales de control: desfasadas 120º ó 180º entre sí.
Ángulo de conducción de 180º.
Cada transistor conduce durante 180º. Desfasando convenientemente las señales de control de los
transistores hacemos que conduzcan en cualquier instante tres de ellos. En la figura 11.11 cuando se
dispara Q1 el terminal “a” queda conectado al extremo positivo de la fuente de continua.
Tenemos seis modos de operación durante un ciclo y la duración de cada uno de ellos es de 60º,
siendo la secuencia de disparo de los transistores: 1,2,3 - 2,3,4 - 3,4,5 - 4,5,6 - 5,6,1 - 6,1,2. Las
señales aplicadas en puerta a los transistores se muestran en la figura 11.12.

Fig. 11. 12
Señales aplicadas a las bases de los
transistores y formas de onda en la salida.
La carga se puede conectar en estrella o en triángulo tal y como se muestra en la figura 11.13. Para
una conexión en triángulo la corriente de fase se obtiene directamente de la tensión entre líneas. Para
una conexión en estrella la tensión entre línea y neutro viene determinada por la intensidad de línea.
Existen tres modos de operación por semiciclo y sus circuitos equivalentes se muestran en la figura
11.14.
Fig. 11. 13
Tipos de conexiones.
Fig. 11. 14
Circuitos equivalentes.
Durante el modo 1 para 0 ≤ ω t ≤ π/3 tenemos:
VS 2V
Req = R +
R 3R
= i1 (t ) = = S
2 2 Req 3R
i1 (t )R V S − 2VS
v an (t ) = v cn (t ) = = vbn (t ) = −i1 (t )R =
2 3 3
Durante el modo 2 para π/3 ≤ ω t ≤ 2π/3 tenemos:
VS 2V
Req = R +
R 3R
= i 2 (t ) = = S
2 2 Req 3R

− i 2 (t )R − VS 2VS
vbn (t ) = v cn (t ) = = v an (t ) = i2 (t )R =
2 3 3
Durante el modo 3 para 2π/3 ≤ ω t ≤ π tenemos:
VS 2V
Req = R +
R 3R
= i1 (t ) = = S
2 2 Req 3R
i3 (t )R VS − 2VS
v an (t ) = vbn (t ) = = v cn (t ) = −i3 (t )R =
2 3 3
Fig. 11. 15
Tensiones de fase.
Fig. 11. 16
Tensiones de línea.
En las figuras 11.15 y 11.16, se muestran las tensiones de fase y de línea respectivamente como vab(t)
que puede ser expresada en series de Fourier como sigue, teniendo en cuenta que cambia para π/6 y
que los armónicos pares son cero:
∞
4VS ⎛ nπ ⎞ ⎛ π⎞
v ab (t ) = ∑
n =1,3,5... nπ
cos⎜
⎝ 6
⎟ × sen n⎜ ω t + ⎟
⎠ ⎝ 6⎠
E 11.12
vbc(t) y vca(t) vienen dadas por las siguientes ecuaciones en las que se cambia la fase de la tensión.
120º para vbc(t) y 240º para vca(t):
∞
4V S ⎛ nπ ⎞ ⎛ π⎞
vbc (t ) = ∑
n =1, 3, 5... nπ
cos⎜
⎝ 6 ⎠
⎟ × sen n⎜ ω t − ⎟
⎝ 2⎠
E 11.13

∞
4VS ⎛ nπ ⎞ ⎛ π⎞
vca (t ) = ∑
n =1, 3, 5... nπ
cos⎜
⎝ 6 ⎠
⎟ × sen n⎜ ω t − 7 ⎟
⎝ 6⎠
Las tensiones eficaces de línea serán:
2π
2 2
V L ( RMS ) =
2π ∫ 0
3 VS2 dω t =
3
VS = 0.8165 VS E 11.14
De la ecuación [E 11.12] obtendremos que la n-ésima componente de la tensión eficaz de línea será:
4VS ⎛ nπ ⎞
VLn ( RMS ) = cos⎜ ⎟ E 11.15
2 nπ ⎝ 6 ⎠
por tanto, para n = 1, tendremos la tensión eficaz de línea del fundamental:
4VS
V L1( RMS ) = cos 30º = 0.7797 VS E 11.16
2π
El valor eficaz de la tensión de fase viene dado por la tensión de línea:
V L ( RMS ) 2VS
V F ( RMS ) = = = 0.4714 V S E 11.17
3 3
Para cargas puramente resistivas, los diodos en antiparalelo con los transistores no conducen, pero
para una carga inductiva la intensidad en cada rama del inversor puede estar retrasada con respecto a
la tensión como se muestra en la figura 11.17:
Fig. 11. 17
Inversor trifásico con carga RL.
Cuando el transistor Q4 de la figura 11.11 está en corte, el único camino para que circule la corriente
negativa de línea ia(t) es a través de D1, en este caso el terminal “a” de la carga queda conectado a la
fuente de continua a través de D1 hasta que la intensidad en la carga invierte su sentido para t = t1 .
Durante el período entre 0 ≤ t < t1, el transistor Q1 no conduce. De igual forma, el transistor Q4 no
conducirá para t = t2. El tiempo de conducción de los transistores y diodos depende de la potencia
entregada a la carga.
Para una conexión de la carga en estrella, la tensión de fase es:
Vab
Van = E 11.18
3

con un retraso de 30º, de la ecuación [E 11.12] obtenemos la intensidad de línea ia(t) para una carga
RLC:
⎡ ⎤
⎢ ⎥
∞
⎢ 4 VS nπ ⎥
ia (t ) = ∑ ⎢ cos sen(nω t − ϕ n )
6 ⎥
E 11.19
2
n =1, 3, 5...
⎢ 3 nπ R 2 + j ⎛ nω L − 1 ⎞ ⎥
⎢ ⎜ ⎟ ⎥
⎣ ⎝ nω C ⎠ ⎦
donde:
⎛ 1 ⎞
⎜ nω L − ⎟
⎝ nω C ⎠
ϕ n = arctg E 11.20
R
PROBLEMA 11. 6
El inversor trifásico de la figura tiene una carga conectada en estrella de valor R = 5 Ω y un valor
de L = 23 mH, la frecuencia del inversor es f = 33 Hz y la tensión C.C. de entrada es VS =220 V.
a) Expresar la tensión instantánea de línea vab(t) y la intensidad de línea ia(t) en series de

Fourier.
b) Determinar la tensión de línea eficaz VL(RMS) .
c) La tensión de fase VF(RMS) .
d) La tensión de línea eficaz a la frecuencia del fundamental VL1(RMS) .
e) La tensión de fase eficaz a la frecuencia del fundamental VF1(RMS) .
f) La distorsión armónica total THD.
g) El factor de distorsión DF.
h) El factor armónico y el factor de distorsión del armónico de menor orden.
i) La potencia activa en la carga Po(RMS) .
j) La corriente media de la fuente IS(AV) .
k) PROPUESTO:
Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes gráficas: Tensión de fase y de línea en
la carga. Tensión e intensidad de fase junto con la intensidad instantánea del diodo D1.
Comparación de la intensidad de base de los transistores. Tensión eficaz de línea, de fase e
intensidad eficaz en la carga. Análisis espectral de la tensión de línea y componentes de Fourier
de ésta.
Solución:
f) La tensión instantánea de línea vab(t) viene dada por la ecuación [E 11.12]:
ω = 2π × 33 = 207 rad / seg.

∞
4VS ⎛ nπ ⎞ ⎛ π⎞
v ab (t ) = ∑
n =1,3, 5... nπ
cos⎜
⎝ 6
⎟ sen n⎜ ω t + ⎟
⎠ ⎝ 6⎠
…

…
v ab (t ) = 242.58 × sen(207 t + 30º ) − 48.52 × sen 5(207 t + 30º ) − 34.66 × sen 7(207 t + 30º ) +
+ 22.05 × sen 11(207 t + 30º ) + 16.66 × sen 13(207 t + 30º ) − 14.27 × sen 17(207 t + 30º )...
Z L = R 2 + (nω L ) = 5 2 + (8.67n )
2 2
arg = arctg
(nω L ) = 8.67 n
R 5
Usando la siguiente ecuación podemos obtener la intensidad instantánea de línea ia(t):
∞ ⎡ 4 VS nπ ⎤⎥
i a (t ) = ∑ ⎢
n =1, 3, 5... ⎢ 3 nπ R + (nω L )
2 2
cos
6 ⎥
× sen(nω t − ϕ n )
⎣ ⎦
donde:
nω L
ϕ n = arctg
R
por lo que nos queda:
i a (t ) = 14 × sen(207 t − 43.6º ) − 0.64 × sen (5 × 207 t − 78.1º ) − 0.33 × sen (7 × 207 t − 81.4º ) +
+ 0.13 × sen (11 × 207 t − 84.5º ) + 0.10 × sen (13 × 207 t − 87.5º ) − 0.06 × sen (17 × 207 t − 86.4º )...
g) De la ecuación [E 11.14] obtenemos que:
V L ( RMS ) = 0.8165 × 220 = 179.63 V
h) Aplicando la ecuación [E 11.17] tenemos que:
179.63
V F ( RMS ) = = 103.7 V
3
i) De la ecuación [E 11.16] obtenemos:
4 × 220 × cos 30º

V L1( RMS ) = = 171.53 V
2π
j) Aplicando nuevamente la ecuación [E 11.17] obtendremos la tensión eficaz de fase
del fundamental:
171.53
V F 1( RMS ) = = 99.03 V
3
k) De la ecuación [E 11.14] obtenemos:
∞
V L1( RMS ) = 0.8165 × VS ∑V Ln
n =5, 7 ,11...
2
= V L2 − V L21 = 0.2423 VS
0.2423 × VS
THD = = 29.65%
0.8165 × VS
l)
∞ 2
⎛ V Ln ⎞ 0.00667 × VS
V LH = ∑ ⎜ 2 ⎟ = 0.00667 × V S
n =5, 7 ,11... ⎝ n ⎠
DF1 =
0.8165 × VS
= 0.81%

…
m) El armónico de orden más bajo es el quinto, puesto que en la configuración trifásica
se eliminan los armónicos de orden triple:
V L1( RMS ) 171.53

V L 5( RMS ) = = = 34.306 V
5 5
VL5 1
HF5 = = = 20%
V L1 5
VL5 1
DF5 = 2
= = 0.8%
V L1 × 5 125
n) Para calcular la potencia necesitamos calcular primero la intensidad de línea eficaz

IL(RMS):
I L = 14 2 + 0.64 2 + 0.33 2 + 0.13 2 + 0.10 2 + 0.06 2 = 14.01 A

IL
I L ( RMS ) = = 9.91 A
2
Po ( RMS ) = 3 × I L2( RMS ) × R = 3 × 9.912 × 5 = 1473 W
o) La intensidad media de la fuente la obtenemos a partir de la potencia:
Po ( RMS ) 1473
I S ( AV ) = = = 6 .7 A
VS 220
p) A continuación mostramos el circuito para la simulación con Pspice:
Problema11_6.cir
A partir del circuito y de su listado correspondiente:
Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes gráficas: Tensión de fase y de línea en la
carga. Tensión e intensidad de fase junto con la intensidad instantánea del diodo D1.
Comparación de la intensidad de base de los transistores. Tensión eficaz de línea, de fase e
intensidad eficaz en la carga. Análisis espectral de la tensión de línea y componentes de Fourier
de ésta.

Ángulo de conducción de 120º.
Fig. 11. 18
Tensiones de puerta y de línea.
Para este tipo de control cada transistor conduce durante 120º, haciéndolo dos transistores al mismo
tiempo. Siendo, por tanto, las señales de puente y la de salida las mostradas en la figura 11.18.
¿Qué ventajas puede tener el hecho de que conduzcan 2 titistores?
Observar que tiristores conducen en cada instante
De la gráfica se deduce que la secuencia de conducción de los transistores es: 6,1 – 1,2 – 2,3 – 3,4 –
4,5 – 5,6 – 6,1. Luego existen tres modos de operación por semiciclo, siendo el circuito equivalente
para una carga conectada en estrella el mostrado en la figura 11.19.
Fig. 11. 19
Circuito equivalente para la conexión de una carga resistiva en
estrella.
Durante el modo 1, para 0 ≤ ω < π/3, conducen los transistores Q1 y Q6. Siendo:
V − VS
v an (t ) = S vbn (t ) = vcn (t ) = 0
2 2
Durante el modo 2, para π/3 ≤ ω < 2π/3, conducen los transistores Q1 y Q2. Siendo:
V − VS
v an (t ) = S vcn (t ) = vbn (t ) = 0
2 2
Durante el modo 3, para 2π/3 ≤ ω < π, conducen los transistores Q2 y Q3. Siendo:
V − VS
vbn (t ) = S v cn (t ) = v an (t ) = 0
2 2

11.3 Modulaciones básicas
Los inversores no modulados (de onda cuadrada), aunque son muy sencillos de implementar tienen
un gran número de desventajas:
- La tensión obtenida presenta una distorsión elevada.

- Necesitan filtros voluminosos.
Estos inconvenientes limitan la utilización de los inversores no modulados en aplicaciones tales

como la variación de la velocidad de motores asíncronos, donde las tensiones no sinusoidales
producen vibraciones en los motores y el rango de variación de las frecuencia (10-400Hz) dificulta la
utilización de filtros.
Una señal no modulada presenta armónicos muy próximos a la fundamental, por lo que requiere
filtros con frecuencias de corte muy bajas y pueden atenuar no solo a los armónicos, sino también al
fundamental.
Para evitar el problema anterior sería muy interesante obtener una señal donde los armónicos y la
fundamental estuvieran muy separadas. Esto se puede conseguir con el control por modulación PWM
(Pulse Width Modulation) como se verá más adelante.
Resumen
[11_4]
Un requerimiento muy común de los inversores prácticos es la posibilidad de mantener constante el

valor eficaz de la tensión de salida frente a las variaciones de la tensión de entrada y de la corriente
de la carga, o incluso poder variar la tensión de salida entre unos márgenes más o menos amplios.
Las soluciones existentes para este último problema se pueden agrupar en tres procedimientos:
• Control de la tensión continua de entrada.

• Regulación interna en el propio inversor.
• Regulación en la tensión de salida.
El método más eficiente para la regulación interna del inversor consiste en modular la anchura de los
pulsos (PWM). Las técnicas más utilizadas son:
1. Modulación en anchura de un pulso por semiperíodo.

2. Modulación en anchura de varios pulsos por semiperíodo.
3. Modulación senoidal.
4. Modulación senoidal modificada.
5. Modulación en modo de control de la corriente (Por banda de histéresis).
Modulación en anchura de un pulso por semiperiodo.
En un control de este tipo sólo existe un pulso por cada semiciclo, y variando la anchura de este pulso
controlamos la tensión de salida del inversor. En la figura 11.20 se muestra la generación de las
señales de puerta de los transistores y la tensión de salida de un inversor en puente monofásico.
Dicha generación de señales de puerta se obtienen por comparación de una onda rectangular (onda de
referencia) de amplitud Ar con una onda triangular (portadora) de amplitud Ac.
La frecuencia de la señal de referencia determina la frecuencia de la tensión de salida, y variando Ar

desde 0 hasta Ac conseguimos variar la anchura del pulso δ desde 0º hasta 180º.

La relación entre Ar y Ac determina la amplitud del "índice de modulación M".
Ar
M = E 11.21
Ac
La tensión eficaz de salida viene dada por:
π +δ
2 δ
∫ π δ V d (ω t ) = V
2
Vo ( RMS ) = −
2
S S E 11.22
2π 2
π
Fig. 11. 20
Modulación en anchura de un pulso por
semiperíodo.
La tensión instantánea de salida se expresa en series de Fourier de la siguiente forma:

∞
4 × VS ⎛ nδ ⎞
v o (t ) = ∑
n =1, 3, 5... nπ
sen⎜
⎝ 2 ⎠
⎟ × sen(nω t ) E 11.23
Fig. 11. 21
Evolución de los armónicos.
En esta figura se observa que el armónico dominante es el

tercero y el factor de distorsión aumenta significativamente para
tensiones bajas de salida Ar/Ac = 0.
En la figura 11.22 se representa la variación de las amplitudes de la onda fundamental y de los

armónicos en función del ancho del impulso. También se ha representado la distorsión armónica total
de la salida, que viene dada por:
1 ∞ V32 + V52 + V72 + ...
THD =
Vo1
× ∑Von2 =
n =3, 5, 7... V1
E 11.24

Fig. 11. 22
Fundamental y armónicos en función de δ.
En esta figura se observa que la distorsión armónica es mínima aproximadamente para el ancho de
impulso δ = 120º, cuando el tercer armónico vale cero.
PROBLEMA 11. 7
Diseñar un circuito inversor en puente monofásico para una simulación con Pspice. Se desea que
convierta a alterna la tensión continua que proporciona una sola batería de valor VS = 100 V y
que actúe sobre una carga puramente resistiva de valor R = 2.5Ω. La frecuencia de salida ha de
ser 50 Hz.
Como especificaciones tenemos que se debe controlar la tensión de salida mediante una
modulación PWM de un pulso por semiperíodo y presentar un índice de modulación M = 0.6.
Se pide:
a) Diseñar el circuito inversor y el circuito de control para el análisis con el simulador

y calcular el ancho del pulso .
b) Calcular la tensión eficaz de salida Vo(RMS) y la potencia media en la carga.
c) Obtener las siguientes gráficas: Tensión en la carga. Comparación de las señales
portadora y de referencia. Comparación entre dos intensidades de colector de cada
una de las ramas. Análisis espectral de la tensión de salida.
d) Presentar el listado del programa para simular el circuito.
Solución:
a) Para el diseño del circuito inversor se opta por un puente monofásico tal y como se
muestra en la figura.
Problema11_7.cir

…
en donde: VS = 100 V; Rg1=…=Rg4=100 Ω; VX = VY = 0 V (Fuentes que permiten medir la
intensidad de paso); R = 2.5 Ω; f = 50 Hz
Para excitar los transistores ajustándose a las especificaciones es necesario diseñar un circuito de
control que insertaremos en el listado de Pspice a modo de subcircuito y actuará directamente
sobre los transistores. Dicho circuito de control se muestra en la siguiente figura y consta de un
amplificador que compara las señales de referencia con la portadora, las cuales son generadas a
parte. Los valores tomados para el diseño son:
RF = 100 KΩ; R1 = R2 = 1 KΩ; RIN = 2 MΩ; RO = 75 Ω; Rr1 = Rr2 = RC = =2 MΩ; C0 = 10 pF;

E1(Fuente de tensión dependiente de los nudos 5-0)
El circuito de control actúa a modo de cuadripolo en donde los dos polos de entrada son los
nudos 1 y 2. En dichos polos se conectan los nudos 17 y 15 de las fuentes Vc y Vr1
respectivamente para una rama inversora y los nudos 17 y 16 de las fuentes Vc y Vr2 para la otra
rama. En general lo que se hace es amplificar la diferencia de tensiones V(17,16) para una rama
y la diferencia V(17,15) para la otra, estando Vr1 desfasada 180º respecto de Vr2 .
Fig. 11. 23 Señales portadora y de referencia.
Para ajustarnos a la especificación del índice de modulación y frecuencia de salida vamos a

comparar una señal portadora triangular Ac con una de referencia Ar cuadrada por lo que
prefijando la amplitud de una de ellas podemos calcular la amplitud de la otra. Prefijamos a 50
voltios la amplitud de la señal triangular, por lo que:
…

…
Ar
M = Ar = M × Ac = 0.6 × 50 = 30 V
Ac
Para calcular δ basta con aplicar una relación: si para un M = 1 tendríamos un ancho de pulso de
180º, para M = 0.6 tendremos un ancho de pulso δ = 108º que equivale a un tiempo Tδ = 6 mseg.
La relación de frecuencias entre la señal triangular y la cuadrada ha de ser 2, es decir, la

triangular ha de tener el doble de frecuencia que la cuadrada para que al compararlas se pueda
obtener un pulso por semiperíodo, por tanto, se deduce que las frecuencias que han de usarse son
50 Hz para la cuadrada y 100 Hz para la triangular.
b) La tensión eficaz de salida, en general, viene dada por:
π +δ
2 δ 108º
Vo ( RMS ) = ∫π δ
2 VS2 d (ω t ) = VS × = 100 × = 77.45 V
2π π
-
2
180º
La potencia media es:

Vo2( RMS ) 77.45 2
Po ( AV ) = = = 2402.5 W
R 2.5
c) Algunas de las gráficas que hemos obtenido tras simular el circuito se muestran a
continuación:
Fig.7. 24 Tensión en la carga
En las figuras 11.23 y 11.24 se comprueba que el tiempo de conducción de los transistores es
aproximadamente igual al indicado en teoría.
En la figura 11.25 se aprecia que el armónico nº 3 disminuye en amplitud y el nº 5 aumenta. Este

hecho no afecta a la distorsión armónica total, pero es de gran utilidad a la hora de filtrar la señal,
puesto que es más fácil eliminar los armónicos de frecuencias más alejadas a la del fundamental.

Fig. 11. 25 Análisis espectral de la tensión de salida.

Se deja propuesto al lector la simulación de este ejemplo para varios ciclos de la tensión de
salida y observe como la potencia media en la carga y la tensión eficaz en ésta son Po(AV) =
2418.6 W y Vo(RMS) = 77.618 V que coinciden prácticamente con los valores calculados en el
apartado “b”, asimismo sería interesante la simulación para varias anchuras de pulso y
comprobar los efectos que producen estas distintas anchuras en los armónicos.
PROBLEMA 11.8
En un inversor monofásico en el que la tensión de salida se modula mediante un impulso por

semiperíodo, calcular:
a) El valor de α necesario para que la componente fundamental de la tensión de salida

sea de 50 V para VS = 250 V.
b) La amplitud del tercer armónico de la tensión de salida para este valor de α.
Solución: α = 80,86º; B3 = -48,37

Modulación en anchura de varios pulsos por semiperíodo.
Cuando la tensión entregada a la carga se necesita que sea lo más senoidal posible, con o sin filtro de
salida, conviene reducir al máximo el contenido de armónicos de la onda de salida.
Fig. 11. 26
Modulación en anchura de pulsos.
Este método consiste en hacer que en cada semiperíodo haya un número entero de impulsos a la
salida, los cuales están modulados en anchura. La señal de salida se obtiene por comparación de una
señal de referencia con una portadora tal y como se ve en la figura 11.26 conjuntamente con las
señales de puerta que se utilizan para conmutar a los transistores.
La frecuencia fr de la señal de referencia nos proporciona la frecuencia “f” que tendrá la señal de
salida, y la frecuencia fc de la onda portadora nos determina el número “p” de pulsos por semiciclo.
El índice de modulación M controla la tensión de salida, conociéndose este tipo de modulación

también como “Modulación Uniforme de Anchura de Pulsos” (UPWM). El número de pulsos por
semiciclo lo obtenemos del siguiente modo:
fc mf
p= = E 11.25
2× f 2
donde:
fc
mf =
f
es conocida como la proporción de la frecuencia de modulación.
La variación del índice de modulación de cero a uno nos variará el ancho del pulso de 0 a π/p y la
tensión de salida desde cero a VS.
Si δ es la anchura de cada pulso, la tensión eficaz de salida se obtiene a partir de:
⎛π ⎞
⎜⎜ ⎟⎟ +δ
2× p ⎝ p⎠
p ×δ
VS2 d (ω t ) = VS ×
2 ×π ∫
Vo ( RMS ) = 2 E 11.26
⎛π ⎞
⎜⎜ ⎟⎟ −δ π
⎝ p⎠
2
La tensión instantánea de salida en series de Fourier se expresa como:

∞
vo (t ) = ∑B n × sen(nω t ) E 11.27
n =1, 3, 5...
donde el coeficiente Bn se determina al considerar un par de pulsos, tal que el pulso positivo, de
duración δ comienza para ωt = αm y el pulso negativo de la misma anchura comienza para ωt =αm+π.
A medida que aumentamos el número de pulsos por ciclo cobran mayor importancia en amplitud los
armónicos superiores, por lo que resulta mucho más fácil el filtrado posterior de la señal y obtener
una onda senoidal lo más perfecta posible.
En las gráficas de la figura 11.27 se observa este efecto:
Fig. 11. 27 Armónicos para varios pulsos por semiperiodo.
PROBLEMA 11.9
Dado el circuito de la figura, en donde: Rg1 = ... = Rg4 = 100 Ω, f = 50 Hz, VS = 100 V, VX = VY
= 0 V y R = 2.5 Ω.
Se pide:
a) Diseñar el circuito de control para obtener cinco pulsos por semiciclo. Con un índice de
modulación M = 0.6, calcular el ancho de pulso que se produce para estas condiciones.
b) Calcular la tensión eficaz Vo(RMS).
c) Obtener mediante simulación con Pspice las siguientes gráficas: Tensión de salida.
Comparación de la señal de referencia con la portadora. Análisis espectral de la tensión de
salida.
Problema11_9.cir
…

…
Solución:
a) Para obtener cinco pulsos por semiperíodo a la salida es necesario comparar dos
señales (una portadora triangular y otra de referencia cuadrada) en donde la frecuencia de la
portadora ha de ser diez veces superior a la de referencia y como ésta debe tener una frecuencia fr
= f = 50 Hz, tendremos:
f c = 10 × f = 10 × 50 = 500 Hz
El ancho de pulso que se produce viene dado por la relación siguiente: si para M = 1 el ancho de
pulso es 180º/5 para un M = 0.6 tenemos:
δ = 36º×0.6 = 21.6º ⇒ Tδ = 1.2 mseg.

El circuito de control que se va a utilizar es el mismo que el del ejemplo 7.9, pero ahora la
frecuencia de la fuente Vc es de 500 Hz.
b) La tensión eficaz se calcula del siguiente modo:

⎛π ⎞
⎜⎜ p ⎟⎟ +δ
2× p ⎝ ⎠
p ×δ 5 × 21.6º
VS2 d (ω t ) = VS ×
2 ×π ∫
Vo ( RMS ) = 2 = 100 × = 77.45 V
⎛π ⎞
⎜⎜ ⎟⎟ −δ π 180º
⎝ p⎠
2
Como puede verse, la tensión eficaz de salida coincide con la del ejercicio 7.9 y esto se debe a
que ambos ejercicios poseen el mismo índice de modulación.
c) En las figuras 11.28 y 11.29 se puede observar el ángulo de conducción de los

transistores, que coincide con el teórico del apartado “a”. Simulando este ejemplo para más
ciclos (al menos dos ciclos o un total de 40 mseg.) obtendremos una tensión eficaz a la salida de
Vo(RMS) = 76.068 V aproximándose mucho al valor teórico del apartado “b”.
Como puede observarse en la figura 11.30, los armónicos de orden más bajo están disminuidos
en amplitud con respecto a los que produce la modulación de un pulso por semiperíodo, sin
embargo, los de mayor orden (a partir del séptimo) crecen en amplitud. Por lo tanto, para este
tipo de modulación es más fácil aplicar un filtro de segundo orden para obtener una señal
senoidal lo más perfecta posible, eliminando los armónicos de orden más alto.
Fig. 11. 28 Tensión de salida.

…

Fig. 11. 30 Comparación de la señal portadora con la de referencia.
Modulación senoidal.
Para generar las señales de control de los interruptores de forma que se consigan formas de onda de
este tipo son necesarias dos señales:
1. Una señal de referencia: es la forma de onda que se pretende conseguir a la salida. En caso
de los inversores suele ser una senoide.
2. Una señal portadora: es la que establece la frecuencia de conmutación. Se utiliza una señal
triangular

Fig. 11. 31 Señal portadora y señal de referencia.
Tanto para la modulación senoidal como para los otros tipos de modulación estudiados pueden existir
a su vez dos tipos: modulación bipolar y modulación unipolar.
Modulación bipolar:
Se compara la señal de referencia con la portadora
Fig. 11. 32 Comparación
En el caso de un inversor en Puente Completo (Fig. 11.33), la estrategia sería la siguiente:
M1 y M2 conducen cuando Vref > Vtri

M3 y M4 conducen cuando Vref > Vtri
Se llama bipolar porque la salida siempre pasa de +Vin a -Vin

Fig. 11. 33 Inversor en puente completo
Modulación unipolar:
Fig. 11. 34
Generación de pulsos utilizando dos ondas
senoidales y tensión de salida.

Se necesitan dos señales de referencia: +Vref y - Vref
Para el caso de un inversor en puente:
M1 y M4 son complementarios
M2 y M3 son complementarios
Cuando uno está abierto, el otro está cerrado
Fig. 11. 35 Inversor en puente completo
PROBLEMA 11.10
Circuito de control bipolar de un puente monofásico
Problema11 10.cir
En lugar de mantener constante la anchura de todos los pulsos como en el caso anterior, se varían en
proporción a la amplitud de una onda senoidal; de esta forma el factor de distorsión y los armónicos
de orden más bajos son reducidos significativamente.
Las señales de puerta se obtienen por comparación entre la citada señal senoidal (señal de referencia)
y una señal triangular (señal portadora). La frecuencia de la señal de referencia fr determina la
frecuencia “f” de la tensión de salida y su amplitud Ar controla el índice de modulación M y por
consiguiente la tensión eficaz de salida Vo(RMS) . El número de pulsos por semiciclo depende de la
frecuencia de la señal portadora como se puede observar en la figura 7.43.
Ac Ar Las mismas señales de puerta se pueden generar usando

Ar M= una onda portadora triangular unidireccional como la
Ac que se muestra en la figura 11.36.
Fig. 11. 36
Comparación entre una onda senoidal y una triangular
unidireccional.

Podemos observar en la figura 11.34 que la anchura de cada pulso de la señal de excitación
corresponde a los intervalos existentes entre los puntos de corte de la onda portadora y la de
referencia, obteniéndose el doble de pulsos si utilizamos dos ondas senoidales en vez de una. δm es la
anchura de un pulso p-ésimo que varía al modificar el índice de modulación y modificando éste se
altera la tensión eficaz de salida, que vendrá dada por:
p
δm
Vo ( RMS ) = VS ∑π
p =1
E 11.28
11.3.1 DEFINICIONES Y CONSIDERACIONES RELATIVAS A LA MODULACIÓN

PWM
A continuación apuntamos algunas definiciones y consideraciones que resultan de utilidad al utilizar

PWM.
Índice de modulación de frecuencia mf:

f portadora f triangular
mf = =
f referencia f senoidal
La tensión de salida PWM tiene una frecuencia fundamental que coincide con la frecuencia de la
señal de referencia senoidal y las frecuencias armónicas existen en y alrededor de los múltiplos de la
frecuencia de conmutación. Al aumentar la frecuencia de la portadora (aumento de mf) aumentan las
frecuencias a las que se producen los armónicos.
Se suele considerar que mf es grande si es mayor que21.
1. La señal triangular y la senoidal deben estar sincronizadas

mf debe ser un número entero porque de lo contrario se pueden producir oscilaciones
subarmónicas indeseables para la mayoría de aplicaciones
2. mf debe ser un entero impar

En todos los casos salvo en inversores monofásicos con modulación unipolar
3. Las pendientes de la señal triangular y de la senoidal deben ser opuestas en los cruces por
cero
- Señales sincronizadas
- “mf” entero impar
- Pendientes opuestas
Fig. 11. 37
Simetría impar, sólo tiene términos seno impares

Índice de modulación de amplitud ma:
Vreferencia f
ma = = senoidal
Vportadora f triangular
Si ma<1, la amplitud de la frecuencia fundamental es linealmente proporcional a ma:
V1 = m a ⋅ Vin
Esto implica que podemos controlar la amplitud de la tensión de salida controlando el valor de ma.
Si ma >1, la amplitud de la tensión de salida aumenta al aumentar ma pero de forma no lineal. A esto
se le llama sobremodulación
Fig. 11. 38
Índice de modulación de amplitud ma.
Sobremodulación.
Aumenta la tensión de salida y empeora el contenido armónico
Fig. 11. 39
Efectos de la sobremodulación
Si ma aumenta mucho, la tensión de salida pasa a ser cuadrada.
Fig. 11. 40
Relación entre el voltaje de pico fundamental de salida y el índice de
modulación ma.

11.3.2 ARMÓNICOS GENERADOS
La serie de Fourier se calcula eligiendo un mf que sea entero impar, entonces la salida muestra una
simetría impar y la serie de Fourier se expresa como:
∞
v0 (t ) = ∑ Vn ⋅ sen(nω 0 t )
n =1
Cada armónico Vn se calcula sumando el armónico n de cada uno de los p pulsos de un periodo
completo
p
Vn = ∑ Vnk
k =1
Fig. 11. 41
Cálculo de Vn
El contenido armónico de un pulso k cualquiera será:

T
2
v(t ) ⋅ sen (nω 0 t ) d (ω 0 t )
T ∫0
Vnk =
Armónicos en la modulación PWM Bipolar
El espectro de la frecuencia normalizado de la conmutación bipolar para ma = 1 se muestra en la

figura 11.42. Las amplitudes de los armónicos son una función de ma porque la anchura de cada
pulso depende de las amplitudes relativas de las ondas sinusoidal y triangular.
En el caso de la conmutación bipolar, los armónicos aparecen en:
mf, 2mf, 3mf, 4mf, 5mf, 6mf……
Además de armónicos a estas frecuencias, también aparecen armónicos en las frecuencias
adyacentes:
mf ±2, mf ±4
2mf ±1, 2mf ±3, 2mf ±5
etc….
Fig. 11. 42
Espectro de frecuencia
para PWM bipolar para
ma = 1
En la siguiente tabla se indican algunos de los primeros coeficientes de Fourier normalizados Vn /

Vin, si se desea una tabla más detallada se puede consultar el libro de Mohan.
ma=1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
n=1 1.00 0.90 0.80 0.70 0.60 0.50 0.40 0.30 0.20 0.10
n = mf 0.60 0.71 0.82 0.92 1.01 1.08 1.15 1.20 1.24 1.27
n = mf ±2 0.32 0.27 0.22 0.17 0.13 0.09 0.06 0.03 0.02 0.00

Armónicos en la modulación PWM Bipolar
En el caso de la conmutación unipolar, el contenido armónico es menor y los primeros armónicos

aparecen a frecuencias más elevadas. Si se elige mf entero par:
2mf, 4mf, 6mf……
Además de armónicos a estas frecuencias, también aparecen armónicos en las frecuencias adyacentes
como en el caso anterior
Fig. 11. 43
Espectro de frecuencia
para PWM unipolar para
ma = 1
Los coeficientes de Fourier normalizados Vn / Vin para el esquema PWM unipolar son los siguientes:
ma=1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
n=1 1.00 0.90 0.80 0.70 0.60 0.50 0.40 0.30 0.20 0.10
n = 2mf ±1 0.18 0.24 0.31 0.35 0.37 0.36 0.33 0.27 0.19 0.10
n = 2mf ±3 0.21 0.18 0.14 0.10 0.07 0.04 0.02 0.01 0.00 0.00
PROBLEMA 11.11
Dado el circuito inversor en puente monofásico de la figura, en el que los datos son:
R = 2.5Ω; Rg1 = ... = Rg4 = 100 Ω; VS = 100 V; VX = VY = 0 V; f = 60 Hz
Problema11_11.cir
Se pide:
a) Diseñar el circuito de control para modular la tensión de salida senoidalmente con cinco
pulsos por semiperíodo unipolar y con índice de modulación M = 0.9.
b) Calcular la tensión eficaz de salida Vo(RMS) .
c) Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes gráficas: Tensión de salida.
Comparación de las señales de referencia con la portadora. Análisis espectral de la tensión
de salida. Listado del programa.
d) Simular el circuito para diez pulsos por semiperíodo y compárese el análisis espectral de la
tensión de salida con el de cinco pulsos por semiperíodo.

Solución:
a) El circuito de control es el siguiente:
Los valores tomados son:
R1 = R2 = 1 KΩ; RIN = Rr1 = Rr2 = Rc = 2 MΩ; RF = 100 KΩ; Ro = 75 Ω; Co = 10 pF;

E1 = 2·105
Para obtener la modulación pedida, se compara las señales de referencia senoidales (Vr1 y Vr2) de
frecuencia fr = 60 Hz con una señal portadora (Vc) de frecuencia fc diez veces mayor para
obtener cinco pulsos por semiperíodo.
Para que el índice de modulación sea M = 0.9 se fija la amplitud de la señal portadora
(triangular) a 50 voltios, por lo que la amplitud de la de referencia ha de ser:
Ar = M × Ac = 0.9 × 50 = 45 V
b) La tensión eficaz de salida viene dada por la ecuación:
p
δm
Vo ( RMS ) = VS ∑π
p =1
Analizando con Pspice un semiciclo de la tensión de salida, podemos obtener la duración de cada
uno de los pulsos.
Seguidamente mostramos una figura en la que se han anotado las anchuras de cada uno de los
pulsos. Estos datos se obtienen utilizando las herramientas que proporciona el programa.

Fig. 11. 45 Anchuras de los pulsos del primer semiperíodo.

En la siguiente tabla recogemos todos estos datos junto con los tiempos de inicio y fin de cada
uno de los pulsos. Las anchuras δm se expresan tanto en tiempo como en grados.
δm Tiempo inicial Tiempo final Duración (mseg.) Duración (grados)
δ1 0.6428 mseg. 1.1545 mseg. 0.5117 mseg. 11.06º
δ2 1.9985 mseg. 3.1906 mseg. 1.1921 mseg. 25.76º
δ3 3.4389 mseg. 4.8947 mseg. 1.4558 mseg. 31.46º
δ4 5.1118 mseg. 6.3654 mseg. 1.2536 mseg. 27.09º
δ5 7.1785 mseg. 7.6923 mseg. 0.5138 mseg. 11.10º
Utilizando estos valores para el cálculo de la tensión eficaz de salida, tendremos:
100
Vo ( RMS ) = × 11.06º +25.76º +31.46º +27.09º +11.10º = 76.91V
180º
c) Las gráficas pedidas son:
Fig.7. 45 Tensión de salida

…

Fig. 11. 47 Comparación de las señales de referencia con la portadora.
En la figura 11.47 observaremos que los armónicos de menor orden (3, 5 y 7), son atenuados,
pero en cambio, los de orden algo mayor (9,11...) son amplificados.
d) Para obtener diez pulsos por semiperíodo, la frecuencia de la señal triangular ha de

ser veinte veces mayor que la de referencia, es decir, fc = 1200 Hz, siendo fr = 60
Hz.

Fig. 11. 49 Tensión de salida para diez pulsos.
Fig. 11. 49 Análisis espectral de la tensión de salida para diez pulsos.
Para que el mismo circuito module la tensión de salida con diez pulsos por semiperíodo, basta
con cambiar en el listado las frecuencias de las señales de referencia y portadora. En general,
basta con sustituir el apartado "* Generación de señales de referencia y portadora" del listado
ofrecido anteriormente por el que mostramos a continuación:
* Comparacion de senales de referencia y portadora:

VC 17 0 PULSE(50 0 0 416.75U 416.75U 1N 833.5U)
RC 17 0 2MEG
VR1 15 0 SIN(0 -45 60 0 0 0)
RR1 15 0 2MEG
VR2 16 0 SIN(0 45 60 0 0 0)
RR2 16 0 2MEG
Como conclusión al comparar las dos simulaciones podemos decir que al aumentar el número de
pulsos por semiciclo se reduce el contenido de armónicos significativamente, tal y como se
aprecia en las gráficas de los análisis espectrales. Esto se debe a que este tipo de modulación
elimina los armónicos de orden menor o igual a 2p-1.
…

…
La tensión eficaz de salida para la simulación de cinco pulsos por semiperíodo que Pspice
proporciona es Vo(RMS) = 76.459 V. Esto lo podemos comprobar simulando el ejemplo para
varios ciclos.
Si se desea, se puede utilizar para la simulación con diez pulsos por semiperíodo el
archivo (Problema11_11A.CIR) contenido en el disquete adjunto.
[Rashid]
PROBLEMA 11.12
Utilizamos un puente inversor de onda completa para generar una tensión de 60Hz en bornas de
una carga R-L serie, usando PWM bipolar. La entrada de continua del puente es de 100V, el
índice de modulación de amplitud ma es 0,8 y el índice de modulación de frecuencia mf es 21
(ftriangular = 21·60 = 1260Hz). La carga tiene una resistencia R = 10Ω y una inductancia L= 20mH.
Calcular:
a) La amplitud de la componente de 60Hz de la tensión de salida y la corriente de la carga
b) La potencia absorbida por la resistencia de carga
c) El factor DAT de la corriente de carga
Problema11_12.cir
Solución:
a) Con ayuda de la tabla de los coeficientes de Fourier normalizados para PWM bipolar, la
amplitud de la frecuencia fundamental de 60Hz es:
V1 = m a ⋅ Vin = 0,8 ⋅ 100 = 80 V
Las amplitudes de la corriente se calculan utilizando el análisis de fasores:
Vn Vn
In = =
Zn R + (nω 0 L )
2 2
Para la frecuencia fundamental,

80
I1 = = 6,39 A
10 + (1 ⋅ 2 π 60 ⋅ 0,02 )
2 2
b) Con mf = 21, los primeros armónicos tienen lugar para n = 21, 19 y 23. Ayudándonos
nuevamente de la tabla de coeficientes de Fourier:
V21 = 0,82 ⋅ 100 = 82 V

V19 = V23 = 0,22 ⋅ 100 = 22 V
La potencia para cada frecuencia se calcula a partir de:
2
⎛I ⎞
Pn = (I n,ef ) R = ⎜ n ⎟ R
2
⎝ 2⎠
En la siguiente tabla se resumen las amplitudes de las tensiones, las corrientes y las potencias
resultantes a estas frecuencias.
…

n fn (Hz) Vn (V) Zn (Ω) In (A) In,rms (A) Pn (W)

1 60 80,0 12,5 6,39 4,52 204,0
19 1.140 22,0 143,6 0,15 0,11 0,1
21 1.260 81,8 158,7 0,52 0,36 1,3
23 1.380 22,0 173,7 0,13 0,09 0,1
La potencia absorbida por la resistencia de carga es
P = ∑ Pn ≈ 204,0 + 0,1 + 1,3 + 0,1 = 205,5 W
Los armónicos de nivel superior aportan poca potencia, y pueden ser despreciados.
c) El factor DAT de la corriente de carga se calcula aproximando la corriente eficaz de los

armónicos mediante los primeros términos indicados en la anterior tabla
∑ (I )
2
n =2
n, ef
(0,11)2 + (0,36)2 + (0,09)2
DAT = ≈ = 0,087 = 8,7%
I1,ef 4,52
Utilizando el desarrollo truncado en serie de Fourier de la tabla anterior, se subestima el factor

DAT. Sin embargo, como la impedancia de la carga aumenta y las amplitudes de los armónicos
en general disminuyen a medida que aumenta n, la aproximación anterior debería ser aceptable
(hasta n = 100, se obtiene un DAT de 9,1%)
[Hart]
Modulación en modo de control de corriente (Por banda de histéresis).
En aplicaciones como conducción de servomotores DC y AC, es la corriente del motor (suministrada

por el convertidor o inversor en conmutación) la que necesita ser controlada, aunque siempre se
emplea un inversor en fuente de tensión (VSI).
Mediante el control de banda de tolerancia se obtienen las señales conmutadas para controlar la
corriente de salida.
En la figura 11.50 se puede observar una corriente de referencia senoidal iA, donde la corriente de
fase actual es comparada con la banda de tolerancia alrededor de la corriente de referencia asociada
con esa fase.
Fig. 11. 50 Control de la corriente por banda de tolerancia.

La frecuencia de conmutación depende de cómo de rápida cambia la corriente desde el límite

superior al límite inferior y viceversa.
En la figura podemos observar el circuito de inversor en puente monofásico y su control

correspondiente con las formas de onda asociadas para las bandas de histéresis deseadas.
Fig. 11. 51 Inversor control por histéresis.

Fig. 11. 52 Formas de onda asociadas.
11.4 Filtrado
11.4.1 FILTRADO DE LA TENSIÓN DE SALIDA.
Cuando se requiere reducir la distorsión armónica de la tensión de salida de un inversor de frecuencia

fija o poco variable, se dispone un filtro a la salida que permite el paso de la onda fundamental y se lo
impide a los armónicos.
Casi todos los filtros empleados para este propósito tienen configuración en L y en la figura 11.53 se
presenta el esquema generalizado.
Zs
C
Representación esquemática de un filtro y
Von Zp VoFn
A
R Z Ln armónicos a eliminar por el filtro
G
A [11_5]
Fig. 11. 53
Esquema de conexión de un filtro.
Filtro
La rama serie debe tener una baja impedancia a la frecuencia del fundamental para que no halla
pérdidas de tensión y una alta impedancia a la frecuencia de los armónicos que se quieren eliminar.
La rama paralelo debe comportarse de forma opuesta para no cargar al inversor con una intensidad de
frecuencia igual a la del fundamental y para cortocircuitarse a la frecuencia de los demás armónicos.
Se llama atenuación del filtro para una determinada frecuencia, a la relación entre la tensión de
salida y la de entrada a dicha frecuencia. Llamando Zsn y Zpn a la impedancia de las ramas serie y
paralelo. Para el armónico de orden “n” y para funcionamiento en vacío se tiene:
VoFn Z pn
atenuación = = E 11.29
Von Z sn + Z pn
Zsn y Zpn dependen de la frecuencia considerada y por tanto, al igual que la atenuación, suele ser
mayor para frecuencias más elevadas debido al comportamiento inductivo de Zsn y capacitivo de Zpn .
En caso de tener una cierta carga de impedancia ZLn, la atenuación mejora porque la impedancia
paralelo Z’pn a considerar sería el equivalente de Zpn y ZLn:
Z pn × Z Ln
Z ′pn =
Z pn + Z Ln

siempre menor que Zpn.
En la figura 11.54 se presentan algunos de los filtros en L más utilizados. Los que tienen en la rama
serie una sola bobina tienen el inconveniente de que se pierde en ella tensión de la frecuencia
fundamental. Los que tienen en la rama paralelo un condensador sólo tienen el inconveniente de que
se deriva por él una parte de la intensidad de la frecuencia fundamental.
Fig. 11. 54
Diversos tipos de filtros en “L”.
Ambos inconvenientes se pueden eliminar en los inversores de frecuencia fija utilizando ramas
resonantes sincronizadas con la frecuencia fundamental de forma que a dicha frecuencia:
1
ω 1 × LS =
ω1 × C S
E 11.30
1
ω1 × L p =
ω1 × C p
con lo que:
1
Z s1 = jω1LS − j =0
ω1CS
E 11.31
⎛ ⎞
( jω L )⎜⎜ − j 1 ⎟
⎟
ω1C p
1 p
Z p1 = ⎝ ⎠ =∞
⎛ ⎞
( jω1 L p ) + ⎜⎜ − j 1 ⎟⎟
⎝ ω1C p ⎠
y por tanto, la caída de tensión en la rama serie es nula y el consumo de intensidad en la paralela
también lo es.
La atenuación de un filtro de este tipo para un armónico de orden “n” puede deducirse sustituyendo
en la ecuación [E 11.29] las expresiones de Zsn y Zpn para la frecuencia nω1 y resulta:
VoFn 1
= 2
E 11.32
Von ⎛ 1 ⎞ Cp
1− ⎜n − ⎟
⎝ n ⎠ Cs

11.4.2 DISEÑO DE UN FILTRO DE TENSIÓN.
Para diseñar un filtro de tensión a la salida de un inversor y para el caso genérico de que RL sea
mucho mayor que R hacemos las siguientes consideraciones:
• La ganancia G ≈ 1.
• La pulsación ωn toma el valor:
1
ωn ≈
LC
Fig. 11. 55
• Para el factor de amortiguamiento ε tomamos:
R C
ε≈
2 L
• La definición de estos parámetros también puede hacerse teniendo en cuenta lo siguiente:
a) RL/R suele ser mayor que diez.
b) R suele tener un valor pequeño, el suficiente para que 0.4 < ε < 0.7.
c) Cuando RL disminuye ocurre que:
o G disminuye (se atenúa el armónico principal).

o ωn aumenta (disminuye la atenuación de los armónicos de alta frecuencia no
deseados).
o ε aumenta (el sistema se hace más amortiguado, más estable, pero atenúa la
magnitud del armónico principal).
o La frecuencia de esquina viene determinada por ωn = 1/T, f = ωn/2π.
PROBLEMA 11.13
Simular con Pspice el circuito inversor de batería de toma media de la figura al que se le aplica
un circuito de control que produce una modulación en anchura de un pulso por semiperíodo.
Problema11_13.cir …

…
Datos para la simulación:
Índice de modulación M = 0.6 R = 0.4 Ω

AC = 50 V. L = 0.1 H.
RL = 100 Ω C = 10 mF.
Rg1 = Rg2 = 100 Ω V2 = 100 V.
f = 60 Hz. V1 = 100 V.
Los valores para el circuito de control son los mismos que para ejemplos anteriores.
a) Obtener las siguientes gráficas: Tensión antes del filtro. Tensión después del filtro y
análisis espectral de esta tensión. Intensidad por D1.
PROBLEMA 11.14
Dado el circuito inversor de la figura, se pide diseñar y calcular el filtro de tensión que presenta
entre los nudos (4) y (6). Los valores de los componentes tomados para el puente inversor son
los mismos que para el problema 11.11.
Se debe controlar la tensión de salida con un circuito comparador como el del problema 11.13
que proporcione una modulación senoidal con cinco pulsos por semiperíodo y un índice de
modulación M = 0.9. Los valores de los componentes del circuito comparador se tomarán del
ejemplo 11.11.
Problema11_14.cir
Como especificaciones tenemos que: f = 600 Hz. y RL = 100
Asimismo obtener las gráficas: Tensión antes del filtro. Tensión después del filtro. Análisis
espectral de la tensión de salida. Listado para la simulación.
Solución:
Para diseñar el filtro de tensión utilizaremos el método expuesto en teoría. Suponiendo un valor
ωn = 4200º, asignando un valor a R = 0.4 Ω (R debe ser mucho menor que RL) y tomando ε = 0.6
(donde 0.4 < ε < 0.7) tenemos que:
2
R C C ⎛ 1.2 ⎞ C
ε= = 0.6 ⇒ 1.2 = R ⇒ ⎜ ⎟ = ⇒ C = 9L
2 L L ⎝ 0.4 ⎠ L
1 1 1
ωn = ⇒ LC = ⇒ C=
LC ω 2
n Lω n2
igualando ambas ecuaciones:
1 1 1
9L = ⇒ L2 = ⇒ L=
Lω 2
n 9ω 2
n 9ω n2
…

y como ωn = 4200º = 73.30 rad/seg. Tenemos finalmente que:
L = 4.54 mH C = 40.92 µF R = 0.4 Ω

Las gráficas más significativas se muestran a continuación:
Fig. 11. 57 Tensión de salida sin filtro.
Fig. 11. 57 Tensión de salida después del filtro.
Comparando las figuras 11.56 y 11.57 podemos ver el efecto que produce el filtro en la
reducción de picos de tensión. La supresión de los armónicos nº3 y nº5 es un efecto producido
por la modulación senoidal. La atenuación que produce el filtro sobre el resto de los armónicos
será comprobable con la simulación del ejemplo sin filtro y comprobando que dichos armónicos
(superiores al quinto) tienen una amplitud ligeramente mayor.
Para eliminar el filtro basta con introducir un asterisco “*” al principio de cada línea que
deseemos eliminar.
Recordamos que si se desea eliminar algún componente para la simulación habrá que
reajustar el valor de los nudos en el listado.

PROBLEMA 11.15
Diseña un filtro LC pasabajo para un inversor en puente monofásico con control PWM senoidal
con once pulsos por semiperíodo para que la amplitud del componente armónico de orden once
no exceda del 4% siendo el coeficiente de Fourier de éste armónico b11 = 0.601. La tensión de
salida es Vo = 240 V, la frecuencia f = 50 Hz y la intensidad de salida Io = 16 A siendo la carga
resistiva.
Solución:
El filtro LC se muestra en la figura:
y su ecuación de definición viene dada por:
Von V
= oFn
LS + C p // R C p // R
VoFn LS + C p // R 1
= =
jωL
Von C p // R
(1 − ω 2
CL + ) R
La frecuencia de resonancia debe ser mayor a 50 Hz y no ser múltiplo de ésta para no afectar al
fundamental, tomamos, por ejemplo, fr = 140 Hz y tendremos:
1 1
fr = LS C p = = 1.29 × 10 −6
2π LS × C p (2π × 140)2
El valor de la resistencia es:

240
R= = 15 Ω
16
La frecuencia del armónico del orden 11 es f11 = 550 Hz y su amplitud es:
V11 = b11 × Vo = 0.601 × 240 = 144.24 V
que debe ser atenuada por el filtro hasta el 4% de la tensión de salida, es decir, hasta:
240 × 4
VoFn = = 9.6 V
100
sustituyendo estos datos en la ecuación de definición del filtro tendremos:
VoFn 9.6 1
= =
Von 144.24
[ ⎡
]
L ⎤
1 − (2π × 550) × 1.29 × 10 −6 + ⎢ j 2π × 550 S ⎥
2
15 ⎦
⎣
…

de donde despejando, LS = 0.018 H. Por tanto, el condensador presentará una capacidad:
1.29 × 10 −6
Cp = = 72 µF
0.018
PROBLEMA 11.16
Inversor semipuente (medio puente). Modulación bipolar
La figura muestra un inversor en medio puente con modulación “PWM”. Para obtener una
alimentación con un punto medio se han utilizado dos fuentes de tensión continua. En las
prácticas se utilizarán dos condensadores exteriores iguales. El tamaño de estos condensadores
deberá ser lo suficientemente grande para que la tensión a través de ellos pueda considerarse
constante.
La tensión obtenida en los terminales VA0 variará entre VD/2 y – VD/2 con una secuencia que
dependerá de la señal de control y la señal triangular. Los resultados mostrados en la figura han
sido obtenidos con un índice de modulación en amplitud de “0,8” y un índice de modulación en
frecuencia “15”. Como puede comprobarse en esa misma figura, los armónicos de VA0 aparecen
en las cercanías de la frecuencia de la señal triangular. Además dada la simetría de la tensión
solo tiene armónicos impares.
Las posibles combinaciones serán:
• S1 cerrado y S2 abierto.
• S1 abierto y S2 cerrado.
• S1 abierto y S2 abierto. (solo transiciones).
Queremos obtener una señal alterna de 50Hz en la carga, y los valores elegidos para R y L son R
= 30Ω y L = 78mH y se utilizará una señal triangular de 5KHz, como ‘portadora’.

Solución:
Como sabemos una carga formada por una resistencia y una bobina o inductancia en serie, se
comportan como un filtro paso bajo, por tanto primeramente comprobaremos que la frecuencia
de trabajo (50Hz) se encuentra por debajo de la frecuencia de corte de dicho filtro, para no
atenuarla. Para ello calcularemos la frecuencia de corte del filtro.
A la frecuencia de corte sabemos que XL = R, donde XL = W · L por tanto:
W · L = R , como conocemos R y L podemos obtener W:
R 30
W= = = 384’61 rad/s
L 78 · 10 -3
Y como:
384'61
W = 2 · Π · f despejando f tenemos Î f = = 61’2 Hz
2·Π
Por tanto, comprobamos que para la frecuencia de trabajo de 50 Hz estamos cerca de la
frecuencia de corte y la señal será atenuada.
Si comprobamos la frecuencia de corte simulando el circuito mediante Pspice, podemos

comprobar que para aproximadamente una caída de 3dB obtenemos una frecuencia de 61’2 Hz.
Tenemos una caída de tensión de 2 dB aproximadamente (20’4%), la cual tenemos que tener en
cuenta.
• CALCULO DE VA (Señal media)
Datos: VD = 100 V; VTRI = ± 10V, 5KHz ; VCONTROL = ± 5V, 50Hz ;
VCONTROL 5
Como sabemos VA = ma · VD/2= · VCC = · 50 = 25 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 25 voltios
menos la caída de tensión provocada por el filtro, o sea 19.9 V y una frecuencia igual a la de
control (50Hz).
VA 19'9
Si despreciamos L Î IRcarga = = = 0.633 A
R 30
• CALCULO DE VA (señal maxima)
Datos: VD = 100 V
VTRI = ± 10V, 5KHz;
VCONTROL = ± 10V, 50Hz;
VCONTROL 10
VA = ma · VD/2 = · VCC = · 50 = 50 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 50 voltios menos
la caída de tensión provocada por el filtro, o sea 39’8 V y una frecuencia igual a la de control
(50Hz).
VA 39'8
IRcarga = = = 1’32 A
R 30
…

A continuación se muestra una imagen real tomada con el osciloscopio para una señal triangular
de 500 Hz y 5 KHz respectivamente. En estas imágenes se muestra la tensión en la carga sin
filtro y la corriente con filtro.
Fig. 11. 59 Con señal triangular de 500 Hz
Fig. 11. 59 Con señal triangular de 5 KHz:
[Cortesía de la Univ. Politécnica de Cartagena]

PROBLEMA 11.17
Inversor puente completo 2 niveles
En esta topología no es necesario que la alimentación en continua disponga de punto medio (0).
Las tensiones instantáneas en los semipuentes (VA0 y VB0) son iguales pero de signo contrario
(figura 11.60), por lo que al restarlas para obtener la tensión VAB se obtiene una tensión similar a
VA0 pero de valor doble.
Fig. 11. 60 Tensión VAB, VA0, VB0.
Queremos obtener una señal alterna de 50Hz en la carga, y los valores elegidos para R y L son R
= 30Ω y L = 78mH y se utilizará una señal triangular de 5KHz, como ‘portadora’.
Solución:
A la frecuencia de corte sabemos que XL = R, donde XL = W · L por tanto:
W · L = R , como conocemos R y L podemos obtener W:
R 30
W= = = 384’61 rad/s
L 78 · 10 -3
Y como:
384'61
W = 2 · Π · f despejando f tenemos Î f = = 61’2 Hz
2·Π
Por tanto, comprobamos que para la frecuencia de trabajo de 50 Hz estamos cerca de la
frecuencia de corte y la señal será atenuada.
Si comprobamos la frecuencia de corte simulando el circuito mediante Pspice, podemos

comprobar que para aproximadamente una caída de 3dB obtenemos una frecuencia de 61’2 Hz.
Tenemos una caída de tensión de 2 dB aproximadamente (20’4%), la cual tenemos que tener en
cuenta.
…

• CALCULO DE VA (Señal media)
Datos: VD = 100 V; VTRI = ± 10V, 5KHz; VCONTROL = ± 5V, 50Hz;
VCONTROL 5
Como sabemos VA = ma · VD= · VCC = · 100 = 50 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 50 voltios menos
la caída de tensión provocada por el filtro, o sea 39’8 V y una frecuencia igual a la de control
(50Hz).
VA 39'8
Si despreciamos L Î IRcarga = = = 1’32 A
R 30
• CALCULO DE VA (señal maxima)
Datos: VD = 100 V; VTRI = ± 10V, 5KHz; VCONTROL = ± 10V, 50Hz;
VCONTROL 10
VA = ma · VD = · VCC = · 100 = 100 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 100 voltios
menos la caída de tensión provocada por el filtro, o sea 79’6 V y una frecuencia igual a la de
control (50Hz).
VA 79'6
IRcarga = = = 2’65 A
R 30
A continuación se muestra una imagen real tomada con el osciloscopio para una señal triangular
de 500 Hz y 5 KHz respectivamente. En estas imágenes se muestra la tensión en la carga sin
filtro y la corriente con filtro.
Fig. 11. 61 Con señal triangular de 500 Hz:

…

Fig. 11. 62 Con señal triangular de 5 KHz:
[Cortesía de la Univ. Politécnica de Cartagena]
11.5 Inversor como fuente de intensidad
En los inversores vistos hasta ahora los circuitos de potencia se comportaban frente a la carga como
una fuente de tensión que, al menos teóricamente, no cambia la forma de onda de la tensión de salida
ni su valor al variar la carga y sí lo hace la intensidad de salida fluctuando de positivo a negativo y
viceversa. Por el contrario, en el circuito inversor como fuente de intensidad no existe este efecto ya
que tiene como entrada una fuente de este tipo y la intensidad de salida se mantiene constante
independientemente de la carga.
En la figura 11.63, se muestra un inversor monofásico de este tipo en donde la bobina L debe tener
un valor muy alto para que la intensidad se mantenga constante, siendo los diodos D1, D2, D3 y D4,
dispuestos en serie con los transistores, utilizados para bloquear las tensiones inversas en los
transistores.
Fig. 11. 63
Inversor en fuente de corriente.

Fig. 11. 64
Formas de onda en el inversor.
11.6 Aplicaciones
Actualmente existen multitud de aplicaciones para los convertidores DC/AC. Entre ellas puede
citarse el control de motores de corriente alterna, donde se hace necesario un rectificador controlado
para convertir a continua la señal alterna y regular la potencia entregada al motor, para después
volver a ondular la señal mediante un inversor.
La velocidad de un motor de inducción se puede controlar ajustando la frecuencia de la tensión

aplicada. La velocidad síncrona ωs de un motor de inducción está relacionado con el número de
polos, p, y la frecuencia eléctrica aplicada, ω, por la expresión:
2ω
ωS =
p
El deslizamiento, s, se define en términos de la velocidad del rotor ωr:
ωs − ω r
s=
ωs
El par es proporcional al deslizamiento
Si se cambia la frecuencia eléctrica aplicada, la velocidad del motor cambiará proporcionalmente. Sin
embargo, si la tensión aplicada se mantiene constante al disminuir la frecuencia, el flujo magnético
en el entrehierro aumentará hasta el punto de saturación. Es aconsejable mantener el flujo en el
entrehierro constante e igual a su valor nominal. Esto se consigue variando la tensión aplicada a¡de
forma proporcional a la frecuencia. La relación entre la tensión aplicada y la frecuencia aplicada
debería ser constante:
V
= constante
f
La siguiente figura presenta el diagrama de bloques de un sistema de control de motor c.a. de

inducción.

Fig. 11. 65
Control de motor C.A.
Sin embargo, las dos aplicaciones que se han considerado como más generalizadas en la actualidad
son los sistemas de alimentación ininterrumpida de C.A. y los sistemas de conversión de energía
fotovoltaica.
Los sistemas de alimentación ininterrumpida (S.A.I. o U.P.S.) se encargan a groso modo de proveer
de energía a una instalación cuando falla la tensión de red y constan de tres partes esencialmente. La
primera es específicamente un rectificador que se encarga de alimentar las baterías de C.C. cuando la
tensión de red no está cortada. La segunda parte es el inversor que se necesita para convertir la
energía de la batería a alterna, siendo la tercera parte del sistema los interruptores necesarios para
aislar al inversor de la red.
11.6.1 SISTEMAS DE CONVERSIÓN DE ENERGIA FOTOVOLTAICA.
CORRIENTE DE CONEXIÓN
SEÑ AL DEL
DEL FILTRO
RECTIFICADOR
FILTRO DC AC AC TENSIÓ N DE RED
120 HZ.
AC DC DC
RECTIFICADOR
DE ALTA INVERSOR
INVERSOR TRANSFORMADOR DE FRECU ENCIA
DE ALTA ALTA FRECUENCIA
FRECUENCIA
PANEL CONVERTIDOR AC - AC
FOTOVOLTAICO
INTENSIDAD DEL PA NEL

Fig. 11. 66
TENSIÓN DEL TRANSFORMADOR TENSIÓN DE SALIDA EN Esquema de conversión de potencia en
FASE CON LA TENSIÓN DE RED
conexión de alta frecuencia.
En un sistema fotovoltaico residencial (de unos pocos kilowatios) la potencia disponible, que varía
con la radiación solar y la temperatura, se convierte con un inversor a la tensión alterna de la línea de
consumo. La carga del consumidor se conecta al terminal de alterna y en días de sol, la potencia solar

abastece al consumidor y la sobrante se devuelve a la línea de consumo; en días nublados o después

del ocaso, la línea de consumo es la que abastece a la carga.
Este apartado describe un control mediante microprocesador de un sistema fotovoltaico residencial,

donde el microprocesador es el responsable del control de la potencia alterna de salida de acuerdo
con el sistema generador de la potencia continua, manteniendo una condición de factor unidad en el
terminal de alterna. El microprocesador tiene también las funciones de detectar la potencia máxima y
mantener al inversor operando dentro de una zona segura de tensión e intensidad.
El esquema de conversión de potencia usado en los sistemas actuales se muestra en la figura 11.66.
Básicamente la potencia continua es convertida a la línea a través de una conexión por transformador
de alta frecuencia. La tensión continua fotovoltaica se convierte primero a alta frecuencia mediante
un inversor que se acopla mediante transformador a un convertidor AC/AC para obtener la intensidad
de la línea de consumo.
El convertidor AC/AC consta de un rectificador de alta frecuencia, un filtro y un inversor tal y como
se muestra en la figura 11.66 en la que se indica también las formas de onda de los diferentes estados
de conversión. Comparado con el diseño convencional de conmutación aislado, el diseño de
conexión de alta frecuencia usado aquí permite una considerable reducción en peso del convertidor
de potencia y suavizar la fabricación de la señal de intensidad senoidal de salida en fase con la
tensión de línea.
Naturalmente, la conversión de potencia multietapa es algo más cara e influye negativamente en el

rendimiento del convertidor. El aislamiento eléctrico en una conexión de alta frecuencia es esencial
debido a que permite un sistema de fácil conexión con tierra, flexibilidad en la elección del rango de
tensión del montaje, un sistema aislante de utilidad en caso de fallo y protección del personal.
El circuito de potencia está detallado con el diagrama de bloques del controlador y se muestra en la
figura 11.67.
El sistema de tensión continua variable se convierte a alterna de alta frecuencia con un inversor en
puente completo con transistores, el cual opera en un rango de frecuencia de 10 - 16 KHz.
La tensión alterna tiene en la conexión de alta frecuencia un control PWM que la modula
senoidalmente hasta conseguir una señal de 50 Hz. La señal PWM de alta frecuencia se rectifica con
un puente de diodos el cual después de filtrar las componentes portadoras tiene la forma de onda de
un rectificador en puente. La intensidad resultante de la conexión AC/DC es mandada
alternativamente por el inversor que está alimentado por la línea de alterna para que esté en fase con
la tensión. El inversor de alta frecuencia con el rectificador y el filtro en L se considera una conexión
de alta frecuencia “c.c.-c.c. buck chopper” donde los transistores son controlados para sintetizar un
rectificador en puente en la conexión de continua.
El chopper opera como un rectificador de onda completa y contador de señal EMF grabado por la
inversión de polaridad del inversor. En vista de que la potencia a la frecuencia del fundamental de la
señal de salida del convertidor ha de compensar la salida, la corriente del sistema fluctúa con un
armónico de orden dos elevado. Se ha dispuesto un filtro por condensador de alta capacidad para
suavizar la intensidad del sistema.

CONTACTORE S INVERSOR RECTIFICADOR INVERSOR
Q1 Q2 Q5 Q6
D1 D2 CONTACTORE S
T1
D5 TE NSIÓN AC
Q3 Q4 Q7 Q8
D3 D4
CONTROL DE LAS
BASE S D E LOS
TRANSISTORES
MICROPROCESADOR
Fig. 11. 67 Circuito de potencia con controlador.



and design. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1989.
MOHAN NED, UNDELAND TORE, ROBBINS WILLIAN P. Power Electronics: Converters,

Applications and Design. Ed. John Wiley&Son, 1989.
FINNEY, David. The Power Thyristor and its applications. Ed. McGraw Hill, cop, Londres, 1980.
GARCÍA, J. C. Herramienta virtual para generación de secuencias de disparo en inversores

modulados. P. F. Carrera U. P. Cartagena.

Marcombo, 1992
HERRANZ ACERO, G. Electrónica industrial II. Sistemas de Potencia. 2ª Edición. Servicio de

publicaciones Escuela Técnica Superior de Telecomunicación, 1990
KIJELD THORBORG. Power Electronics. Ed. Prentice-Hall International.
LANDER, C. Power electronics. Ed. McGraw-Hill,1993.
LORENZO, S.; RUIZ, Jose M., MARTÍN, A.; VALENTÍN, E. L. Convertidores cc/ca (versión
básica) PECADS. II. Ed. Edibon S.A.
RASHID, M. H. Power electronics. Circuits, devices and applications. Ed. Prentice-Hall

International, 1993.
RASHID, M. H. Spice for circuits and electronics using Pspice. Ed. Prentice-Hall International,
1990

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Escuela Politécnica Superior.

Universidad de Jaén (España)

Juan D. Aguilar Peña

Escuela Politécnica Superior. Universidad de Jaén (España)

Este manual electrónico llamado

 UNIDAD Nº 0. INTRODUCCIÓN A LA ASIGNATURA. EVALUACIÓN.

Tema 0.- INTRODUCCIÓN ELECTRÓNICA DE POTENCIA

 UNIDAD Nº 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS

Tema 1.- REPASO CONCEPTOS: POTENCIA ELÉCTRICA.

Tema 2.- ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Tema 3.- DISIPACIÓN DE POTENCIA

 UNIDAD Nº 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Tema 4.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA

 UNIDAD Nº 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS

Tema 5.- TIRISTOR.

Tema 6.- GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAC Y EJEMPLOS DE

Tema 7.- CONVERTIDORES AC/DC: RECTIFICACION.

Tema 8.- FILTRADO Y FUENTES REGULADAS

Tema 9.- CONVERTIDORES DC/DC

Tema 10.- INTRODUCCIÓN A LAS CONFIGURACIONES BÁSICAS DE

Tema 11.- CONVERTIDORES DC/AC: INVERSORES.

UNIDAD Nº 0. INTRODUCCIÓN A LA ASIGNATURA

Tema 0.- Introducción a la Electrónica de Potencia

Prof. J.D. Aguilar Peña

0.2 Electrónica de potencia 1

0.3 Campos de aplicación 2

0.4 Procedimientos de conversión 3

0.5 Requisitos del dispositivo electrónico de potencia 4

0.6 Componentes de base en la electrónica de potencia 4

0.6.1.- Comparación de semiconductores con capacidad de corte 6

0.7 Evolución tecnológica de los dispositivos semiconductores 6

0.8 Clasificación de los convertidores de potencia 8

0.8.1 Según el modo de conmutación 8

0.8.2 Según el tipo de conversión 9

0.8.3 Según el tipo de energía 12

Fig 0.1 Bloques temáticos que comprende la Electrónica de Potencia

0.2 Electrónica de potencia

0.3 Campos de aplicación

© Universidad de Jaén; J. D. Aguilar; M. Olid 2

0.4 Procedimientos de conversión

Alimentación Información Señales

Fig 0.2 Diagrama de bloques de un sistema de potencia

1. Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y elementos pasivos,

Diferencia entre la electrónica de señal y electrónica de potencia:

Fig 0.3 Característica fundamental de un sistema electrónico de Señal

En la electrónica de potencia el concepto principal es la conversión de energía y el rendimiento.

© Universidad de Jaén; J. D. Aguilar; M. Olid 3

Fig 0.4 Característica fundamental de un sistema electrónico de Potencia

0.5 Requisitos del dispositivo electrónico de potencia

0.6 Componentes de base en la electrónica de potencia.

Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular corriente en sentido contrario al de

 Gate-Turn-Off Thyristors (GTOs):

 Bipolar Junction Transistor (BJT):

© Universidad de Jaén; J. D. Aguilar; M. Olid 5

 Metal-Oxide-Semiconductior Field Effect Transistors (MOSFET):

 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):

0.6.1.- COMPARACIÓN DE SEMICONDUCTORES CON CAPACIDAD DE

MOSFET Baja Alta

0.7 Evolución tecnológica de los dispositivos semiconductores.

UNIDAD Nº 0. INTRODUCCIÓN A LA ASIGNATURA. EVALUACIÓN.

UNIDAD Nº 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS

UNIDAD Nº 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA

UNIDAD Nº 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS

Gate-Turn-Off Thyristors (GTOs):

Bipolar Junction Transistor (BJT):

Metal-Oxide-Semiconductior Field Effect Transistors (MOSFET):

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):