Lab 11 PARTE 1

Lab 11.
Metal Oxide Field Effect Transistor (MOSFET)
Materiales:
• 1 Transistor MOSFET 2N7000 ; 3 Resistencias (a calcular) de ½ W
• 1 Fuente DC con Terminales fijas de 5V ; Potenciómetro de 100Ω ½ W
• 2 Multímetro Propios y fusibles de repuesto para medir corriente.
• 1 generador de Funciones ; 1 Osciloscopio Tektronix
• Plantilla Propia ; Cables de Conexión ; 4 Lagartos
Parte 1. Curva VGS vs iD(Sat)
Id (sat) Vs VGS
0.01
0.01
0.01
0.01
ID (sat)
0.01
0
0 2 4 6 8 10 12
VGS
Figura 1. Diodo Base Emisor

1. Arme el circuito de la figura 1. Mantenga V1 a 5V y varíe la fuente V2 hasta que prenda el
transistor. Anote el valor al cual prende. VT = 2V.
2. Con el valor de VT llene los valores de VGS. Busque los pines del 2N7000 para saber cuáles son
las terminales del 2N7000. Adjunte la imagen.
3. Para conectar el multímetro XMM1 al drenaje, meta un cable a la barra de la platilla donde está
la pata del drenaje y con un lagarto conecta el cable al multímetro.
4. Teniendo los valores de VGS , mantenga V1 a 5V y varíe V2. Llené la tabla 1. Su multímetro ya
está conectado de forma fija al circuito asique solo varíe la fuente y anote.
5. ¡Si la corriente se acerca a los 70mA, detenga las mediciones!
X VGS Id (sat)
VT/5 400mV 0A
2VT/5 800mV 177.636pA
3VT/5 1.2V 88.818pA
4VT/5 1.6V 88.818pA
VT 2V 0A
VT+0.1 2.1V 503.814uA
VT+0.2 2.2V 2.015mA
VT+0.3 2.3V 4.532mA
VT+0.4 2.4V 8.056mA
VT+0.5 2.5V 12.585mA
Preguntas
1. ¿Cómo funciona un capacitor metal oxido semiconductor (Capacitor MOS)? Apoye su
explicación con imágenes.
En el condensador MOS, la tensión entre la compuerta y el sustrato hace que adquiera la

carga Q, que aparece a ambos lados del óxido. Pero en el caso del semiconductor esto
significa que la concentración de portadores bajo la compuerta varía en función de la
tensión aplicada a ésta.
2. Apoyándose en su explicación anterior: ¿Cómo funciona un MOSFET? Explique el MOSFET

canal N y el MOSFET canal P. Apoye su explicación con imágenes.
CANAL N
La estructura NMOS está formada por un sustrato de silicio dopado con huecos. Al aplicar
un potencial de compuerta positivo, los electrones presentes en el sustrato (portadores
minoritarios) son atraídos hacia la capa de óxido de compuerta. Al mismo tiempo, los
huecos son repelidos de la capa de óxido de compuerta debido a que el potencial positivo
los aleja. Esto ocasiona una acumulación de electrones en la cercanía del óxido, en donde
el silicio presenta un exceso de electrones y por lo tanto es de tipo n. La inversión del
dopado en el silicio (que antes era de tipo p) es lo que le da origen al nombre de esta
región. También se produce una región de agotamiento de portadores en las cercanías del
óxido, debido a que los huecos del sustrato se recombinan con los electrones atraídos.
CANAL P
La estructura PMOS está formada por un sustrato de silicio dopado con electrones. Al
aplicar un potencial de compuerta negativo, los huecos presentes en el sustrato
(portadores minoritarios) son atraídos hacia la capa de óxido de compuerta. Los
electrones son repelidos del óxido de compuerta debido a que el potencial negativo los
aleja. Los huecos se acumulan en la cercanía del óxido, en donde el silicio acumula un
exceso de huecos y por lo tanto se comporta como un material de tipo p. La
recombinación de huecos y electrones produce una región de agotamiento.
3. ¿Fluye corriente a través de la compuerta en el MOSFET? ¿Porqué?
No fluye corriente a través de la compuerta, esto se debe a que no esta físicamente conectado
en el circuito y este permanece en circuito abierto.
4. ¿Qué es un MOSFET de enriquecimiento? ¿Qué es un MOSFET de empobrecimiento?

Apoye su explicación con imágenes.
MOSFET de enriquecimiento: el MOSFET de enriquecimiento genera un canal mediante el
efecto del voltaje positivo para el canal N, aplicado a la compuerta.
MOSFET de empobrecimiento: El MOSFET de empobrecimiento se basa en la construcción

donde se depositan dos pequeñas porciones de material tipo N sobre una placa de
material tipo P, llamado sustrato. Donde el canal es parecido al JFET donde el material de
tipo N se convierten en la fuente y el drenaje del dispositivo a los cuales se conecta unos
terminales mediante contactos químicos.
5. Busque los símbolos para: MOSFET de enriquecimiento (Canal N y Canal P) y MOSFET de

empobrecimiento (Canal N y Canal P).
MOSFET de empobrecimiento
MOSFET de enriquecimiento

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Metal Oxide Field Effect Transistor (MOSFET)

• 1 Transistor MOSFET 2N7000 ; 3 Resistencias (a calcular) de ½ W

• 1 Fuente DC con Terminales fijas de 5V ; Potenciómetro de 100Ω ½ W

• 2 Multímetro Propios y fusibles de repuesto para medir corriente.

• 1 generador de Funciones ; 1 Osciloscopio Tektronix

• Plantilla Propia ; Cables de Conexión ; 4 Lagartos

Parte 1. Curva VGS vs iD(Sat)

Figura 1. Diodo Base Emisor

5. ¡Si la corriente se acerca a los 70mA, detenga las mediciones!

En el condensador MOS, la tensión entre la compuerta y el sustrato hace que adquiera la

2. Apoyándose en su explicación anterior: ¿Cómo funciona un MOSFET? Explique el MOSFET

4. ¿Qué es un MOSFET de enriquecimiento? ¿Qué es un MOSFET de empobrecimiento?

MOSFET de empobrecimiento: El MOSFET de empobrecimiento se basa en la construcción

5. Busque los símbolos para: MOSFET de enriquecimiento (Canal N y Canal P) y MOSFET de

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