DIODO RECTIFICADOR

Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en
polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas
características
son las que permite a este tipo de diodo rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que
pueden soportar.

DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un
voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se
emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50 watt y
para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

DIODO VARACTOR
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de sintonía. Es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actúan como condensadores
variables controlados por voltaje. Esta característica los hace muy útiles como elementos de
sintonía en receptores de radio y televisión. Son también muy empleados en osciladores,
multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una
variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.
DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)
Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto sucede,
ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si este se ha polarizado
directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su
composición.

DIODO TÚNEL
Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer una
zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una región de resistencia
negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta última propiedad
los
hace muy útiles como detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores,
etc.,
en aplicaciones de alta frecuencia.

DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida o de portadores
calientes, están hechos de silicio y se caracterizan por poseer una caída de voltaje directa muy
pequeña, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rápidos. Se emplean en fuentes de potencia,
sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.
FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa puede
ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide
sobre la unión PN. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida
por que se genera un mayor número de portadores minoritarios, y viceversa. Son muy
utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de iluminación, contadores de objetos,
sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.

Diodo Gunn: Este diodo tiene características muy diferentes a los anteriores, ya que no es
rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos
terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre ánodo y cátodo una
tensión continua de 7 V, de modo que el ánodo sea positivo con respecto al cátodo, la corriente
que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia
que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la
emisión de microondas se produce cuando las zonas de campo eléctrico elevado se desplazan
del ánodo al cátodo y del cátodo al ánodo en un constante viaje rapidísimo entre ambas zonas,
lo que determina la frecuencia en los impulsos.

TRANSISTORES

Transistor Bipolar. El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de su
denominación inglesa Bipolar Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales
denominados emisor, base y colector.
La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente de
corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es controlada por la
corriente en el terminal de base. La mayoría de funciones electrónicas se realizan con circuitos
que emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los cuales son los dispositivos
básicos de la electrónica moderna.
Estructura Física
La estructura física de un transistor bipolar consta de dos uniones PN dispuestas una a
continuación de la otra. Entre los terminales de emisor y base hay una unión PN, denominada
unión emisora, y entre los de base y colector otra unión PN, llamada unión colectora.
Tipos
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. Estos nombres proceden de la
descripción de su estructura física. En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo N,
la base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura física del transistor PNP es dual a la
anterior cambiando las regiones P por regiones N, y las N por P.
Transistor bipolar
El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje tenga
el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la
misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector. Además, si la
base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si
de dos diodos en oposición se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta región
tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.
Funcionamiento del transistor
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal
de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que se controla la potencia. Con pequeñas
variaciones de corriente a través del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a través
de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta
variación de corriente en variaciones de tensión según sea necesario.
Fundamento físico del efecto transistor
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el
emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede
considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente
elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no debería
circular corriente, pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que
circula por emisor-base.
Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa (diodo B).
Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy pequeña (IB). Si se
unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión (lo que llamaremos base del transistor)
sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que circulaba por A (IA), va a quedar absorbida
por el campo existente en el diodo B.
De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la base
una corriente muy pequeña. El control se produce mediante este terminal de base porque, si se
corta la corriente por la base ya no existe polarización de un diodo en inversa y otro en directa,
y por tanto no circula corriente.

Polarización del Transistor Bipolar

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que
aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar
el transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del
circuito en el que se engloba.
Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.
Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se
cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que la corriente por el emisor
lleva sentido contrario al que llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en
corte basta con no polarizar en directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con que
VBE=0.
Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus
terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y la
colector-base en inversa.
Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-colector se
encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica sólo lo
siguiente:
donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores
determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación circula también
corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación: II CB = ⋅ β

El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el paso de una cierta

cantidad de corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea principal; existen 2 tipos de
JFET los de canal n y los de canal p, se comentará para el caso de JFET de canal n, lo que se
comente para el de canal n, es similar para el de canal p, la diferencia será el sentido de las
corrientes y las tensiones sobre el JFET; constan de 3 pines, los cuales reciben los nombres de
drenaje(D), compuerta(G) y fuente(S); lo que hace el JFET es controlar la cantidad de corriente
que circula entre el drenaje y la fuente, esa corriente se  controla mediante la tensión que exista
entre la compuerta y la fuente.

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una

familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta
es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como
un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que
fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET
son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión
positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción,
respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de
deplexión que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexión se hacen
más grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga más dificultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tension inversa
en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los
electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de deplexión van al drenaje, por lo
que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente .

POLARIZACION
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal de
drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se
polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal
drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado
se llama pinch-off y es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla
cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El JFET es
controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta a fuente modifican la región de
rarefacción (deplexión) y causan que varíe el ancho del canal.
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas características del transistor
JFET. Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la imagen,
nótese que se distinguen tres zonas importantes: la zona óhmica, la zona de corte y la zona de
saturación.
Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas ellas
normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas de simulación
(como SPICE) permiten hacen barridos de CD básicos para obtener las curvas, en base a los
modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (más adelante
se verá) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de señal, sin embargo no son las
únicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la configuración para formar
osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc.

MOSFET. Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste
en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado
en la industria microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos integrados de uso
comercial están basados en transistores MOSFET.
Funcionamiento
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que,
mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un
área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Tipos de Mosfet
Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya
realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS: Sustrato
de tipo n y difusiones de tipo p. Las áreas de difusión se denominan fuente y drenador, y el
conductor entre ellos es la puerta.
Estados de los Mosfet
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:
Estado de corte
Estado de corte Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato.
Estado de NO conducción
El MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador
aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos.
Conducción lineal
Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región
de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en pMOS) en la región de
deplexión que darán lugar a un canal de conducción.
El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de potencial
entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como una
resistencia controlada por la tensión de puerta.
Saturación: Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece.
La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre
ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
Características eléctricas del JFET
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n
con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados, (p. ej.2N4416). Es un
elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta
(gate).
La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En un
JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que
exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una tensión más
negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente.
Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los
transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a
diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source o
fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source
o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura