UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA

DE TULA-TEPEJI

ORGANISMO PÚBLICO DESCENTRALIZADODEL GOBIERNO DEL ESTADO DE HIDA

PRACTICA 6
Transistor bipolar
OBJETIVO

Identificar las zonas de operación de corte y saturación del transistor bipolar en configuración
de emisor común.

MATERIALES Y COMPONENTES

1 Fuente de CD
1 Transistor 2N2222 o equivalente
1 Diodos 1N4148
1 Motor, foco o relevador de CD
1 Multímetro
Resistores 1 KΩ y 22KΩ (según transistor)
Protoboard
Cable 20 AWG

INTRODUCCIÓN

Dependiendo de la polarización de las dos uniones PN que conforman los transistores

bipolares, estos pueden operar normalmente en tres zonas de operación: zona de corte, zona activa y
zona de saturación. Para las aplicaciones del transistor como amplificador es necesario operar el
dispositivo en la zona activa. Para utilizar el transistor como un interruptor electrónico se requiere
operarlo en las zonas de corte (como interruptor abierto) y saturación (como interruptor cerrado).

Operación en la zona de corte.

En esta zona existe una muy pequeña cantidad de corriente circulando del emisor al colector,
comportándose el transistor de manera análoga a un circuito abierto. La característica que define la
zona de corte es que ambas uniones, tanto la unión colector-base como la unión base-emisor, se
encuentran polarizadas inversamente.

Operación en la zona de saturación

En la zona de saturación circula una gran cantidad de corriente desde el colector al emisor y
se tiene solo una pequeña caída de voltaje entre estas terminales. El comportamiento del transistor es
análogo al de un interruptor cerrado. Esta zona se caracteriza porque las uniones colector-base y
base-emisor se encuentran polarizadas directamente.

Operación en la región activa

La región activa del transistor bipolar es la zona que se utiliza para usar el dispositivo como
amplificador. La característica que define a la región activa es que la unión colector-base esta

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polarizada inversamente, mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada en forma

directa.

Características de Voltaje contra Corriente

Para describir el comportamiento de los transistores bipolares, se requiere de dos conjuntos de

características, que dependen a su vez de la configuración usada. Una de ellas describe la
característica de voltaje contra corriente de entrada, y la otra, la característica de voltaje contra
corriente de salida.

Configuración en emisor común

La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se denomina

configuración de emisor común, se denomina así dado que el emisor es común tanto al lado de
entrada (Base) como al de salida (Colector). En la Figura 6.1 se ilustra un circuito de emisor común
con un transistor NPN. En este circuito, la fuente VBB polariza directamente la unión BE y controla la
corriente de base. El voltaje CE puede variar cambiando VCC.

Figura 6.1 Circuito con Transistor Bipolar NPN en configuración Emisor Común

En esta configuración se muestran las curvas características del transistor para describir su
comportamiento (ver Figuras 2 (a) y 2 (b)). La primera corresponde a la relación de entrada, la cual es
una gráfica de la corriente de entrada IB contra el voltaje de entrada VBE (o voltaje VEB para un
transistor PNP). La segunda, es la relación entre la corriente de salida IC contra el voltaje de salida
VCE (o voltaje VEC para un transistor PNP) para diferentes valores de la corriente de base IB.

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a) Característica VI de entrada b) Característica VI de salida

Figura 6. 2 Características corriente-voltaje de un transistor en configuración emisor común.

DESARROLLO

1. Imprimir las dos primeras hojas de datos del fabricante para el modelo de transistor 2N2222 o
equivalente y obtener el tipo de Transistor, agregar la imagen e identificar sus terminales.

gTipo de transistor: _____2N2222____..

Identificación de terminales:

Subrayar con un color rojo o azul, en la hoja de datos los parámetros que se muestran a continuación,
y anotarlos en la tabla siguiente:
Voltaje Base – emisor en modo activo VBE 5V
5V
Voltaje Base – emisor en saturación VBEsat
Voltaje Colector – emisor en saturación V CEsat 30 V
Ganancia de corriente hFE (βF) en modo activo 100
Corriente máxima de colector IC 0.8 A
Voltaje máximo de Colector – Emisor VCE 30 V
Disipación máxima de potencia P 0.5 W

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Tabla 6.1

2. Conectar en protoboard el circuito de la Figura 6.3, para medir el voltaje de la fuente de

alimentación Vc , los voltajes entre las terminales base-emisor (V BE) y base-colector (VBC) del
transistor. En base a los resultados obtenidos directamente de las mediciones anteriores,
determinar que polarización tienen las uniones Base-Emisor y Base-Colector (inversa o
directa). Concluir en que región de operación se encuentra el transistor. Justificar la respuesta.
Registrar los valores obtenidos en la tabla 6.2.
RC

1KΩ

Q1
2N2222A VC
RB 12 V
22kΩ

VB
1.5 V

Figura 6.3 Transistor en configuración de emisor común.

UNION Medición Polarización(directa o inversa)

Base - Emisor VBE= 2.8 V INVERSA

Base - Colector VBC= .610 V DIRECTO

Colector - Emisor- VCE= 3.43 V INVERSA

Colector
Tabla 6.2

Realizar las mediciones en el circuito para determinar la corriente de base I B, la corriente de

colector IC y la corriente de emisor IE. Considerando el valor de las corrientes obtenidas en la tabla
anterior determine el factor de amplificación del transistor β (también llamada ganancia de corriente
hFE ) en la hoja de datos proporcionada por el fabricante). Registrar los resultados en la Tabla 6.3.

CORRIENTE MEDIDA GANANCIA

MEDIDA HOJA DE DATOS

IC/IB

IB= IC= .11 A IE= 4.32 A hFE= 0.29600 hFE= 100

37.162uA

Tabla 6.3

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3. Ajustar el voltaje de la fuente VB a un valor de 3.5 V y realizar las mediciones de los voltajes
entre las terminales base-emisor (VBE) y base-colector (VBC) del transistor. En base a los
resultados obtenidos directamente de las mediciones anteriores, determinar la polarización de
las uniones Base-Emisor y Base-Colector y concluir en que región de operación se encuentra
el transistor. Justificar la respuesta .Registrar los valores obtenidos en la tabla 6.3.
UNION Medición Polarización(directa o inversa)

Base - Emisor VBE= .629 V INVERSA

Base - Colector VBC= .645 V DIRECTA

Colector - Emisor- VCE= 0.16 V INVERSA

Colector
Tabla 6.3

Realizar las mediciones en el circuito para determinar la corriente de base I B, la corriente de

colector IC y la corriente de emisor IE. Considerando el valor de las corrientes obtenidas en la tabla
anterior determine el factor de amplificación del transistor β (también llamada ganancia de corriente
hFE en la hoja de datos proporcionada por el fabricante). Registrar los resultados en la Tabla 6.4.
CORRIENTE MEDIDA GANANCIA

MEDIDA HOJA DE DATOS

IB= IC= 0.06 mA IE= 4.38 mA hFE= .470632 hFE= 100

127.488uA

Tabla 6.4

4. Ajustar el voltaje de la fuente VB a un valor de 0 V y realizar las mediciones de los voltajes

entre las terminales base-emisor (VBE) y base-colector (VBC) del transistor. En base a los
resultados obtenidos directamente de las mediciones anteriores, determinar la polarización de
las uniones Base-Emisor y Base-Colector y concluir en que región de operación se encuentra
el transistor. Justificar la respuesta .Registrar los valores obtenidos en la tabla 6.5.

UNION Medición Polarización(directa o inversa)

Base - Emisor VBE= 8.67 V INVERSA

Base - Colector VBC= .566 V DIRECTA

Colector - Emisor- VCE= 8.65 V INVERSA

Colector
Tabla 6.5

Realizar las mediciones en el circuito para determinar la corriente de base I B, la corriente de

colector IC y la corriente de emisor IE. Considerando el valor de las corrientes obtenidas en la tabla

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anterior determine el factor de amplificación del transistor β (también llamada ganancia de corriente
hFE en la hoja de datos proporcionada por el fabricante). Registrar los resultados en la Tabla 6.6.

CORRIENTE MEDIDA GANANCIA

MEDIDA HOJA DE DATOS

IB= IC= 13.367 mA IE= 0 hFE= hFE=100

13.666pA 9.780493158x10-8

Tabla 6.6

Compare el resultado obtenido directamente de la medición para el voltaje VCE con el voltaje de
alimentación Vcc. Escriba sus observaciones

5. Tomando como referencia el circuito de la Figura 6.4, realizar los cálculos para que el
transistor seleccionado pueda funcionar en corte y saturación, de acuerdo con la carga
conectada. Conectar el circuito en protoboard y medir los parámetros de I C, IB, VBE, VCE, VBC
para los casos de corte (S1 abierto) y saturación (S1 cerrado) del transistor. Registrar los
resultados en la Tabla 6.7. Es posible cambiar el foco por un motor de CD.

CORTE SATURACIÓN
IC 44.970 nA 1.888 nA
IB 9.058 uA 280.624 mA
VCE 12 V 7.851 V
VBE 11.45 V 7.051 V
VBC 510.325 mV 841. 325 mV

Tabla6.7

12V

Q1
S1 2N2222A
R1 12V VC

5V VB

Figura 6.4 Transistor como conmutador

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6. Realizar el circuito de la Fig. 6.4 ajustando el valor de R1, si se cambia el foco de 12 V por un relevador
del voltaje al voltaje que se tenga disponible, para activar una carga de 120 VCA con la señal de control
de 5 VCD.

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