Laboratorio 3 Transistor BJT 2019

ELECTRÓNICA ANALOGICA
CODIGO: AE3010
LABORATORIO N° 04
“EL TRANSISTOR BJT”
1.- Catasi Pacheco Ivan Reynaldo

Alumno (os): 2.- Chambi Quispe, Edgardo
3.- Turpo Gonzales Cristopher Anthony
Programa : Nota:
Profesor : Ulises Gordillo
Fecha de entrega : Hora:
ANALISIS DE TRABAJO SEGURO (ATS) 01
FECHA
TAREA: Laboratorio 03: EL TRANSISTOR BJT DIA
LABORATORIO X AMBIENTE R1 EQUIPO D
FIRMA
Prof. Ulises Gordillo TRABAJO
TALLER SESION Nº
FIRMA FIRMA FIRMA
FIRMA FIRMA FIRMA

Catasi Pacheco Ivan Reynaldo
Chambi Quispe Edgardo
urpo Gonzales Cristopher
CARACTERISTICAS DE EQUIPOS Y HERRAMIENTAS

………….………….………….………….………….………….…
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………….………….………….………….………….………….…
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………….………….………….………….………….
X X …………………………………………………………..…………
………….………….………….………….
………………………………………………………………………
OTROS
DE LA TAREA RIESGOS MEDIDAS DE CONTR
(ESPECIFICAR PARA
CADA CASO)
ratorio X Con cuidado y evitar el desorden

o esté en buen estado
me del laboratorio
aciones
umentos de medición y
X Ser ordenadamente al traer
o
nte X Realizar una revisión al circuito que todo
ciones
cuito Desmontar ordenadamente
teriales X Llevar cada instrumento donde correspon
ar
EVALUACIÓN Página 1 / 7
I. OBJETIVOS
o Analizar diferentes circuitos de polarización de un transistor bipolar.
o Obtener el circuito de polarización que regule y estabilice de forma eficiente un transistor bipolar.
II. MATERIAL Y EQUIPO

o Transistor NPN BC140.
o Resistencias varias.
o Tablero de prueba.
o Fuente de tensión continúa.
III. SEGURIDAD
Tener cuidado con el tipo y niveles de voltaje que
suministran a las tarjetas.
Antes de utilizar el multímetro, asegurarse que

está en el rango y magnitud eléctrica adecuada.
Tener cuidado en la conexión y en la desconexión
de los equipos utilizados.
IV. BASE TEÓRICA
Los transistores bipolares son componentes semiconductores

activos. Estos tienen dos junturas PN y por lo tanto tres capas
consecutivas de materiales semiconductores dopados
diferentemente. Según su secuencia de capas, los transistores
bipolares se dividen básicamente en transistores NPN y
transistores PNP.
En los transistores bipolares las tres capas y sus respectivos

terminales se denominan emisor, base y colector. El emisor
(emittere [lat.] = producir) suministra los portadores de carga. El
colector (collector [lat.] = colector) los recolecta nuevamente. La
base (basis [lat.] = base) es el elemento de control y en
anteriores procesos de producción, también fue la zona base
para las dos junturas PN.
Para alcanzar un efecto amplificador la juntura emisor-base debe ser operada en dirección directa y la
juntura base-colector en dirección inversa. Con una pequeña corriente de control fluyendo en la base,
entonces se puede influenciar una corriente principal considerablemente mayor fluyendo en el colector. La
relación entre la variación de la corriente de colector C y la variación de la corriente de base B se denomina
“amplificación de corriente”.
IV. PROCEDIMIENTO:
VERIFICACIÓN DEL DISPOSITIVO
Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las terminales (base, emisor y
colector) usando el ohmímetro, reporte las mediciones entre terminales (polarizando directa e
inversamente).
Terminales Zpol-directa (ohm) Zpol-inversa (ohm)

Base – Emisor 0.594 OL
Base – Colector 0.590 OL
Colector - Emisor OL OL
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR POR RESISTENCIA FIJA:

La polarización de un
transistor determina el
punto de trabajo en el
que se encuentra.
Arme el circuito.
Determine
teóricamente el punto
de trabajo del
transistor. Considere:
RB=1M
RC=1K
Vcc= 10V
Complete la siguiente
tabla. MEDIDAS VBE VCE VRB VRC IB IC H FE
TEÓRICA 0.7 7.861 9.3 2.139 9.3uA 2.139mA 230
PRACTICA 0.645V 7.98V 9.37V 2.052V 9.6uA 2.19mA 228.125
.
Grafique la recta de
carga y ubique el punto
de operación.
Lleve al punto de Vcc 10V

máxima excursión
Vce= 2 = 2 =5V
simétrica y describe el Vcc−VceQN 10V −5 V
método:
Ic = Rc = 1000 =5mA
APLICACIÓN DE TRANSISTOR BJT COMO SWITCH ELECTRONICO CONTROLADO:

Arme el circuito.
RB = 1k
RC = 90Ohms - Lampara
Vcc = 15V
Transistor BC140
Complete la siguiente
tabla. MEDIDAS VBE VCE VR2 VR1 IB IC H FE
-
TEÓRICA 0.7V 14.3v 2960.1V 14.3mA 3.289A 230
2937V
68.1mA
PRACTICA 0.868V 0.107V 14.12V 14.89V 15.28mA 228.125
.
Grafique la recta de
carga y ubique el punto
de operación.
Vcc=15V
16.6mA
Por lo tanto el punto Q esta fuera de la zona activa debido a que el transistor
se saturo.
MEDIDAS RB IBn ICn Observaciones
La Ic Q es la
394.9 36.21u 16.66mA/2=8.33m
TEÓRICA mitad del Ic
K A A
maximo
PRACTIC
10K 0.12mA 20.15mA
A
Esplique que sucede
con la iluminación de la
lampara
Cambie el valor de la MEDIDAS RB IBn ICn Observaciones
Resistencia de Base
La Ic Q es la
para conseguir en el 789.6 18.11u 16.66mA/4=4.166m
TEÓRICA cuarta parte del
Colector: k A A
Ic maximo
ICn = 0.25*IC PRACTIC
A
Esplique que sucede
con la iluminación de la
lampara
OBSERVACIONES
_
 Se observa en el circuito 1 la polarización fija del transistor, en donde no hay resistencia de
emisor.
 Se ve que la resistencia de la base es mucho mayor a la resistencia del colector.
 En el circuito 2 podemos observar que la resistencia del colector es 900Ω y está representada por
una lámpara.
 Se observa cuando la resistencia de la base es muy grande, la lámpara no enciende debido a que
la corriente de base es muy pequeña y por lo tanto la corriente del colector será pequeña.
CONCLUSIONES.
 Del primer circuito de polarización fija podemos concluir que la corriente de saturación es igual al
voltaje de la fuente entre la resistencia del colector.
 Cuando el circuito se encuentra en la zona de CORTE el voltaje colector emisor es igual al voltaje
de la fuente.
 Cuando el circuito se encuentra en la zona de SATURACION, la corriente del colector será máxima
y el el voltaje colector emisor será igual a cero.
 Para que nuestro transistor trabaje en el punto Q medio, debemos de considerar que nuestro
voltaje colector emisor sea la mitad del voltaje de la fuente.
 Los transistores BJT son dispositivos semiconductores que permiten aumentan la corriente y
disminuir el voltaje
 Los BJT generalmente se utilizan para amplificar señales, por ejemplo amplificadores de audio.

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CARACTERISTICAS DE EQUIPOS Y HERRAMIENTAS

ratorio X Con cuidado y evitar el desorden

II. MATERIAL Y EQUIPO

Antes de utilizar el multímetro, asegurarse que

IV. BASE TEÓRICA

Los transistores bipolares son componentes semiconductores

En los transistores bipolares las tres capas y sus respectivos

VERIFICACIÓN DEL DISPOSITIVO

Terminales Zpol-directa (ohm) Zpol-inversa (ohm)

Base – Colector 0.590 OL

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR POR RESISTENCIA FIJA:

TEÓRICA 0.7 7.861 9.3 2.139 9.3uA 2.139mA 230

PRACTICA 0.645V 7.98V 9.37V 2.052V 9.6uA 2.19mA 228.125

Lleve al punto de Vcc 10V

APLICACIÓN DE TRANSISTOR BJT COMO SWITCH ELECTRONICO CONTROLADO:

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