Difusión Clase 8
Difusión Clase 8
Difusión Clase 8
(b) Representaciones
esquemáticas de posiciones
atómicas de Cu (círculos rojos) y
Ni (círculos azules) dentro de la
unión de difusión
Nota:
CCC = FCC
CC= BCC
1 Cal = 4,184kJ
Ejemplo 1
• Una manera de fabricar transistores, que amplifican señales eléctricas, es la difusión
de átomos de impurezas en un material semiconductor como el silicio. Imagine que
una oblea de silicio de un espesor de 0.1 cm, que originalmente contiene un átomo de
fósforo por cada 10,000,000 de átomos de Si, es tratada de forma que en su superficie
existan 400 átomos de P por cada 10,000,000 de Si. Calcule el gradiente de
concentración (a) en porcentaje atómico/ cm y (b) en átomos/cm3• cm. El parámetro
de red del silicio es 5.4307 A°.
Variables que afectan la Difusión
Cs: Concentración en la superficie (que se supone que es constante durante todo el proceso)
C0: concentración uniforme inicial
Cx: Concentración a una distancia x
x: distancia desde la superficie
t: tiempo de difusión
D: coeficiente de difusión
Tabulación de los valores de función de error
Influencia de la Temperatura en la
Difusión
La temperatura tiene una gran influencia sobre los coeficientes y las tasas de difusión. Por
ejemplo, para la auto-difusión de Fe en α-Fe, el coeficiente de difusión aumenta
aproximadamente seis órdenes de magnitud (de 3x10-21 a 1,8x10-15 m2/s) en un aumento de
temperatura desde 500°C a la 900°
El coeficiente de difusión D está relacionado con la temperatura a través de una
ecuación de Arrhenius
C%