TIPOS DE TRANSISTORES

INDICE
Contenido
PORTADA.........................................................................................................................................1
INDICE..............................................................................................................................................2
INTRODUCCIÓN.............................................................................................................................3
DESARROLLO.................................................................................................................................4
TIPOS DE TRANSISTORES........................................................................................................4
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR...................................................................................4
TIPOS DE CONFIGURACIÓN........................................................................................................4
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.......................................................................5
TIPOS DE CONFIGURACIÓN........................................................................................................5
TRANSISTORES DE CONMUTACIÓN PEQUEÑOS........................................................6
TIPOS DE CONFIGURACIÓN........................................................................................................6
TRANSISTORES DE POTENCIA.........................................................................................7
TIPO DE CONFIGURACIÓN..........................................................................................................7
TRANSISTORES DE ALTA FRECUENCIA........................................................................8
TIPOS DE CONFIGURACIÓN..............................................................................................8
FOTOTRANSISTORES..........................................................................................................9
TIPOS DE CONFIGURACIÓN........................................................................................................9
TRANSISTORES UNIUNIÓN..............................................................................................10
TIPOS DE CONFIGURACIÓN......................................................................................................10
CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LOS TRANSISTORES................................................11
Encapsulado.........................................................................................................................11
Cables....................................................................................................................................11
Material semiconductor.....................................................................................................11
Usar el transistor como interruptor................................................................................11
Usar el transistor como amplificador.............................................................................11
Ejemplos del transistor BJT como:........................................................................................15
a) Oscilador..............................................................................................................................15
b) Amplificador........................................................................................................................16

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CONCLUSIÓN................................................................................................................................18
BIBLIOGRAFÍA.............................................................................................................................18

INTRODUCCIÓN

A continuación, se presentará un trabajo que habla a cerca de

los transistores, el cual es un pequeño dispositivo
semiconductor que cierra o abre un circuito o amplifica una
señal; se emplea en circuitos integrados para generar bit. A lo
largo del documento se abarcarán diferentes puntos
importantes como los diferentes tipos principales que existen,
también las configuraciones y características mas importantes
de ellos, así mismo se presentara una imagen real del
transistor y una imagen del símbolo utilizados en los circuitos,
esto nos sirve para identificarlos a la hora de hacer las
practicas, y por ultimo se agregaran ejemplos de los
transistores como oscilador y amplificadores.

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 DESARROLLO
TIPOS DE TRANSISTORES
TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR

Los transistores de unión bipolar son transistores que están formados por 3
regiones, la base, el colector y el emisor. Los transistores de unión bipolar, a
diferencia de los transistores FET, son dispositivos controlados por corriente. Una
pequeña corriente que entra en la región de base del transistor causa un flujo de
corriente mucho mayor desde el emisor a la región de colector.
Los transistores de la unión bipolar vienen en dos tipos principales, NPN y PNP.
Un transistor NPN es uno en el que el portador de corriente mayoritario son
electrones. El electrón que fluye del emisor al colector forma la base de la mayoría
del flujo de corriente a través del transistor. El otro tipo de carga, los agujeros, son
una minoría. Los transistores PNP son lo contrario. En los transistores PNP, la
mayoría del portador de corriente son agujeros.

Imagen real Símbolo en circuito

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TIPOS DE CONFIGURACIÓN

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Los transistores de efecto de campo son transistores que están formados por 3
regiones, una compuerta, una fuente y un drenaje. A diferencia de los transistores
bipolares, los FET son dispositivos controlados por voltaje. Un voltaje colocado en
la puerta controla el flujo de corriente desde la fuente hasta el drenaje del
transistor.
Los transistores de efecto de campo tienen una impedancia de entrada muy alta,
desde varios megóhms (MΩ) de resistencia a valores mucho mayores. Esta alta
impedancia de entrada hace que tengan muy poca corriente a través de ellos.
(Según la ley de ohm, la corriente es inversamente afectada por el valor de la
impedancia del circuito. Si la impedancia es alta, la corriente es muy baja.) Así que
los FETs dibujan muy poca corriente de la fuente de alimentación de un circuito.
Por lo tanto, esto es ideal porque no perturban los elementos de potencia del
circuito original a los que están conectados. No causarán que la fuente de energía
se cargue abajo. El inconveniente de los FET es que no proporcionarán la misma
amplificación que se podría obtener de los transistores bipolares. Los transistores
bipolares son superiores en el hecho de que proporcionan una mayor
amplificación, a pesar de que los FET son mejores en que causan menos carga,
son más baratos y más fáciles de fabricar.
Transistores de efecto de campo vienen en 2 tipos principales: JFETs y
MOSFETs. JFETs y MOSFETs son muy similares, pero MOSFETs tienen valores
de impedancia de entrada aún más altos que JFETs. Esto causa aún menos carga
en un circuito.

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 Imagen real Símbolo en circuito

TIPOS DE CONFIGURACIÓN

TRANSISTORES DE CONMUTACIÓN PEQUEÑOS

Transistores de Conmutación Pequeños son transistores que se utilizan

principalmente como interruptores, pero que también se pueden utilizar como
amplificadores. Los valores típicos de hFE para transistores de conmutación
pequeños oscilan entre 10 y 200, con valores de Ic máximos de aproximadamente
10 a 1000mA. Vienen en formularios NPN y PNP.
En términos de para el diseño, transistores de conmutación pequeños se utilizan
principalmente como interruptores. Aunque pueden utilizarse como amplificador,
su valor de hFE sólo oscila a aproximadamente 200, lo que significa que no son
capaces de la amplificación de transistores de señal pequeños, que pueden tener
una amplificación de hasta 500. Esto hace que los transistores de conmutación
pequeños sean más útiles para la conmutación, aunque pueden ser utilizados
como amplificadores básicos para proporcionar ganancia. Cuando se necesita
más ganancia, los transistores de señales pequeñas funcionan mejor como
amplificadores.

Imagen real Símbolo en circuito

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TIPOS DE CONFIGURACIÓN

TRANSISTORES DE POTENCIA

Los transistores de potencia son adecuados para aplicaciones en las que se está
utilizando mucha corriente, corriente y tensión.
El colector del transistor está conectado a una base metálica que actúa como
disipador de calor para disipar el exceso de potencia.
Las potencias típicas varían entre 10 y 300 W, con frecuencias de
aproximadamente 1 a 100 MHz. Los valores máximos de corriente de colector (Ic)
oscilan entre 1 y 100 amperios (A). Los transistores de potencia vienen en NPN,
PNP y Darlington (NPN o PNP).

Imagen real Símbolo en circuito

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TIPO DE CONFIGURACIÓN

TRANSISTORES DE ALTA FRECUENCIA

Los transistores de alta frecuencia son transistores que se utilizan para señales
pequeñas que funcionan a altas frecuencias para aplicaciones de conmutación de
alta velocidad.
Estos son transistores que se utilizan para las señales de alta frecuencia y debe
ser capaz de encender y apagar a muy altas velocidades. Los transistores de alta
frecuencia se utilizan en aplicaciones de alta frecuencia (HF), de frecuencia muy
alta (VHF), de ultra alta frecuencia (UHF), de televisión por cable (CATV) y de
antena maestra (MATV). Tienen una frecuencia de frecuencia máxima de unos
2000 MHz y una corriente de colector máxima (Ic) de 10 a 600 mA. Están
disponibles en ambos formatos NPN y PNP.

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 Imagen real Símbolo en circuito

TIPOS DE CONFIGURACIÓN

FOTOTRANSISTORES

Los fototransistores son transistores sensibles a la luz.

Un tipo común de fototransistor se asemeja a un transistor bipolar con su base de
plomo eliminado y reemplazado con un área sensible a la luz. Es por ello que un
fototransistor tiene sólo 2 terminales en lugar de los 3 terminales. Cuando esta
superficie se mantiene oscura, el dispositivo está apagado. Prácticamente, no
fluye corriente del colector a la región emisora. Sin embargo, cuando la zona
sensible a la luz está expuesta a la luz, se genera una pequeña corriente de base
que controla una corriente de colector a emisor mucho mayor.
Al igual que los transistores regulares, los fototransistores pueden ser transistores
bipolares o de efecto de campo. Los fototransistores de efecto de campo

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(photoFET) son transistores de efecto de campo sensibles a la luz. A diferencia de
los transistores fotobipolares, los fotoFET usan luz para generar un voltaje de
puerta que se utiliza para controlar una corriente de drenaje-fuente. PhotoFETs
son extremadamente sensibles a las variaciones de la luz y son más frágiles,
eléctricamente hablando, que los fototransistores bipolares.

Imagen real Símbolo en circuito

TIPOS DE CONFIGURACIÓN

TRANSISTORES UNIUNIÓN

Los transistores uniunión son transistores de tres derivaciones que actúan

exclusivamente como interruptores controlados eléctricamente; no se utilizan
como amplificadores. Esto difiere de otros transistores en que los transistores
generales suelen proporcionar la capacidad de actuar como un interruptor y
también como un amplificador. Sin embargo, un transistor unijunción no
proporciona ningún tipo decente de amplificación debido a la forma en que se
construye. Simplemente no está diseñado para proporcionar un voltaje suficiente o
un impulso de corriente.
Las tres derivaciones de un transistor de uniones son B1, B2, y un cable emisor
que es el conductor que recibe la corriente de entrada. La operación básica de un
UJT es relativamente simple. Cuando no existe diferencia de potencial (tensión)
entre su emisor y cualquiera de sus conductores de base (B1 o B2), sólo una

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corriente muy pequeña fluye de B2 a B1. Sin embargo, si se aplica al emisor una
tensión de activación positiva suficientemente grande - con respecto a su base -,
una corriente más grande fluye desde el emisor y se combina con la pequeña
corriente B2 a B1, dando lugar a una gran corriente de salida B1. A diferencia de
otros transistores, donde los cables de control proporcionan poca corriente
adicional, el UJT es justo lo contrario. Su corriente de emisor es la fuente primaria
de corriente para el transistor. La corriente B2 a B1 es sólo una cantidad muy
pequeña de la corriente combinada total. Esto significa que los transistores de
uniones no son adecuados para propósitos de amplificación, sino sólo para
conmutación.

Imagen real Símbolo en circuito

TIPOS DE CONFIGURACIÓN

CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LOS

TRANSISTORES
Encapsulado
Los transistores se ponen en diferentes encapsulados, dependiendo del tipo de
transistor y su uso deseado. Algunos transistores se fabrican con encapsulados de
plástico, pero otros, especialmente aquellos que generan calor, llevan
encapsulados de metal. Los transistores que generan una gran cantidad de calor a

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menudo tienen una placa de metal para un disipador de calor o un disipador de
calor integrado.

Cables
Los transistores tienen tres cables. Uno de ellos es la base (B). Otro es el colector
(C). El tercer cable es el emisor (E). Se deben hacer las tres conexiones para que
el transistor funcione. El cable base es el que activa el transistor. El colector es el
cable positivo. El emisor es el cable negativo.

Material semiconductor
Un número de diferentes materiales semiconductores se han utilizado en los
transistores en los últimos años. Aunque la mayoría de los transistores modernos
están hechos de silicio, muchos transistores anteriores fueron hechos de
diferentes semiconductores, como el arseniuro de galio (GaAs) o el germanio
(Ge).

Usar el transistor como interruptor

Un uso común del transistor es el de interruptor. De hecho, los transistores
miniaturizados grabados en un circuito integrado de silicio (IC) configurados como
interruptores son los pilares fundamentales de las tecnologías digitales. Los
transistores existen, cuando se configuran como interruptores, en dos estados:
apagado y encendido, o 0 y 1. Esta es la base de la tecnología digital binaria.

Usar el transistor como amplificador

Los transistores pueden amplificar la corriente porque su producción varía en
proporción a sus entradas. Un transistor que está diseñado como un amplificador
de señal amplificará proporcionalmente la señal de entrada. A medida que
aumenta la señal de entrada, la señal de salida se incrementará.

El transistor se puede conmutar en corte y conducción variando la polarización en

el electrodo de base con respecto al potencial de emisor. Ajustando la polarización
a un punto situado aproximadamente a mitad de camino entre el corte y la
saturación se situará el punto de trabajo del transistor en la región activa de
funcionamiento. Cuando funciona en esta región el transistor es capaz de
amplificar. Las características de un transistor polarizado en la región activa se
pueden expresar en términos de tensiones de electrodo y de corrientes lo mismo
que en los tubos de vacío.

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El comportamiento del transistor se puede analizar en términos matemáticos por
medio de ecuaciones que expresan las relaciones entre sus corrientes, tensiones,
resistencias y reactancias. Estas relaciones se denominan parámetros híbridos y
definen los valores instantáneos de tensión y de corriente que existen en el circuito
sometido a examen. Los parámetros permiten predecir el comportamiento del
circuito en particular sin construirlo realmente.
A continuación, se enumeran algunos de los parámetros más útiles en las
aplicaciones del transistor:
1. Ganancia de tensión: Se expresa como razón de la resistencia de salida a la
resistencia de entrada. La resistencia de entrada de un transistor típico es baja,
aproximadamente 500 ohmnios, mientras que la resistencia de salida es
relativamente alta, ordinariamente más de 20.000 ohmnios. Para un transistor de
unión la ganancia de resistencia suele ser mayor de 50.
2. Ganancia de tensión: Es el producto de alfa y la ganancia de resistencia.
Aunque un transistor de unión tenga un valor de alfa menor que la unidad, si por el
contrario posee una ganancia de resistencia del orden de 2.000 a causa de que su
resistencia de salida es extremadamente alta, la ganancia de tensión será
aproximadamente 1.800
3. Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado y la ganancia
de resistencia. Es del orden de 400 o 500.
Hay tres configuraciones básicas: conexión de base a masa, conexión de emisor a
masa y conexión de colector a masa. Las tres corresponden, aproximadamente, a
los circuitos de rejilla a masa, cátodo a masa y placa a masa en la terminología del
tubo de vacío.
El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta impedancia de
salida, y desde el circuito de entrada hasta el de salida no se produce inversión de
fase de la señal. El circuito de emisor a masa tiene una impedancia de entrada
más alta y una impedancia de salida más baja que el circuito de base a masa, y se
produce una inversión de fase entre la señal de entrada y la de salida. Esto
proporciona ordinariamente la máxima ganancia de tensión en un transistor.

CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

 Son el único tipo de transistor que se activa mediante entrada de corriente
(entrada en la base).
 Tienen la menor impedancia de entrada de todos los transistores
 La baja impedancia (o resistencia) permite que la corriente fluya a través de
la base del transistor. 
 Tienen la mayor amplificación de todos los transistores.

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  Puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida.
 el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados
térmicamente inyectarse en la región de la base.
 La corriente colector-emisor puede ser controlada por la corriente base-
emisor o por la tensión base-emisor.
CARACTERISTICAS GENERALES
Disipación total del dispositivo (Pc): Es la potencia que se pierde al pasar el
dispositivo, generalmente por medio de la generación de calor en el componente.
Tensión colector-base (Ucb): Voltaje que circula entre las dos puertas del
transistor (Colector - Base)
Tensión colector-emisor (Uce): Voltaje que circula entre las dos puertas del
transistor (Colector - Emisor)
Tensión emisor-base (Ueb): Voltaje que circula entre las dos puertas del
transistor (Emisor - Base)
Corriente del colector DC máxima (Ic): Intensidad máxima que circula por el
colector.
Corriente colector-base (Icb): Intensidad que circula entre las dos puertas del
transistor (Colector - Base)
Corriente colector-emisor (Ice): Intensidad que circula entre las dos puertas del
transistor (Colector - Emisor)
Corriente emisor-base (Ieb): Intensidad que circula entre las dos puertas del
transistor (Emisor - Base)
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: Temperatura límite de uso del transistor.

CARACTERISTICAS ELECTRICAS DEL TRANSISITOR DE EFECTO DE

CAMPO
 Se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor.
 Por el terminal de control no se absorbe corriente.
 Una señal muy débil puede controlar el componente.

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  La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.
 Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador
permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor.
 En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor
produce una saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea
constante.

CARACTERISTICAS GENERALES

 IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en

configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0).
En la práctica marca la máxima intensidad que puede circular por el transistor.
Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias
dispersiones en este valor.
 VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al igual
que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.
 RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona
lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la
tensión de estrangulamiento.
 BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura entre
fuente y drenaje. Tensiones más altas que BVDS provocan un fuerte
incremento de ID.
 BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la
unión entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa.
Valores mayores de BVGS provocan una conducción por avalancha de la
unión.

Ejemplos del transistor BJT como:

a) Oscilador

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El oscilador se suele definir como un circuito que produce corrientes oscilatorias,
es decir, que varían en el tiempo. Podríamos decir que la salida de un circuito
oscilador proporciona, por lo general, una señal de tensión variable que nos puede
ayudar a realizar multitud de tareas. Montar un circuito oscilador puede realizarse
de muchas maneras, pero en este caso recurrimos al oscilador basado en dos
transistores y dos condensadores que marcan los tiempos.

El circuito se basa en la carga y descarga de los condensadores C1 y C2.

Todo comienza cuando el condensador Q1 se encuentra en estado de saturación
por tanto el nudo del colector de Q1 esté conectado a masa. Esto provoca que el
LED 1 se encienda y que el condensador C1 empiece a cargarse.
Llegará un momento en el cual gracias a la carga del condensador C1, el
transistor Q2 cambiará su estado pasando de corte a saturación. Esto provocará el
paso a corte del transistor Q1, el encendido del LED 2 y el inicio de la carga del
condensador C2. Pasado un tiempo, la carga de C2 provocará el cambio de
estado de ambos transistores y se iniciará de nuevo el ciclo.
Al final, tendremos una oscilación que provoca la
intermitencia entre ambos LEDs presentes en el
circuito y cuyos tiempos dependen de los
tiempos de carga y descarga de los
condensadores. Por tanto, para aumentar la
frecuencia se puede o bien reducir el valor de la
resistencia R3 y R4 o bien reducir el valor de los
condensadores.

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b) Amplificador

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 CONCLUSIÓN
En conclusión, fue un trabajo bastante interesante ya que se
pudo conocer a cerca de los transistores y aprender un poco
de sus usos, lo destacable de la información es ver como se
comportan en diferentes situaciones. El trabajar en equipo ha
facilitado la realización del trabajo en general ya que pudimos
compartir y corroborar información, de esta manera nos
ayuda a todos ya que de acuerdo a la situación actual del
país es imposible reagruparnos. #QuedateEnCasa.

BIBLIOGRAFÍA
http://www.learningaboutelectronics.com/Articulos/Tipos-de-transistores.php
https://www.elettroamici.org/es/il-transistor-ad-effetto-di-campo/
https://www.ecured.cu/Transistor_de_efecto_campo
https://www.rinconingenieril.es/oscilador-con-transistor/
http://www.labc.usb.ve/paginas/mgimenez/EC1177/Contenido/clase12.pdf
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

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