Problemas de Los Examenes Del Curso 2.011-2.012

2014-2015
FUNDAMENTOS DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA I
Aurelio García Marcos
PROBLEMAS DE LOS EXÁMENES DEL

CURSO 2011-2012
Con los problemas y ejercicios originales

PROBLEMAS DE LOS EXÁMENES DEL CURSO 2011-2012
2
PRIMERA SEMANA
FEBRERO CURSO 2011-2012
3
4
5
6
PREGUNTA
1- Se conectan en cascada tres amplificadores con las siguientes características:
1. Amplificador 1: Avo1  10; Ri1  3k; Ro1  100

2. Amplificador 2: Avo 2  20; Ri 2  2k; Ro 2  200
3. Amplificador 3: Avo3  30; Ri 3  1k; Ro 3  300
Calcular los parámetros del modelo simplificado del amplificador en cascada

suponiendo que los amplificadores están conectados en el orden 1, 2, 3.
A) Ri  3k; Ro  300; Avo  4731

B) Ri  300; Ro  3k; Avo  4348
C) Ri  2k; Ro  200; Avo  3348
D) Ri  200; Ro  2k; Avo  4438
EJERCICIO
1.4. Se conectan en cascada tres amplificadores con las siguientes características.
1. Amplificador 1: Avo1 =10, Ri1 =1 kΩ, Ro1 =100 Ω

Calcular los parámetros del modelo simplificado del amplificador en cascada,

suponiendo que los amplificadores estén conectados en el orden 1, 2, 3.
Respuesta Ri =1 kΩ, Ro =300 Ω, Avo =5.357.
Planteamiento del problema:
En este tipo de problemas (amplificador en cascada), se construye un amplificador

equivalente, de tal forma que la entrada del segundo se conecta a la salida del
primero, la entrada del tercero a la salida del segundo y así sucesivamente.
7
Resolución de la pregunta:
Representando la cascada de los amplificadores dados:
La impedancia de entrada de la cascada es igual a la impedancia de entrada del

primer amplificador:
Ri  Ri1  3k
Ri  3k
La impedancia de salida de la cascada es igual a la impedancia de salida del último

amplificador:
R0  Ro3  300
Ro  300
La ganancia de tensión de la cascada es igual al producto de las ganancias de cada

amplificador:
Ri 2 Ri 3 2000 1000
Avo  Av1 Av 2 Av 3  Avo1 Avo 2 Avo3  10 20 30  4762
Ro1  Ri 2 Ro 2  Ri 3 100  2000 200  1000
Avo  4.762
La respuesta es:
A) Ri  3k Ro  300 Avo  4.762
8
Resolución del ejercicio:
Procediendo de forma análoga tendremos:
La impedancia de entrada de la cascada es igual a la impedancia de entrada del

primer amplificador:
Ri  Ri1  1k
Ri  1k
La impedancia de salida de la cascada es igual a la impedancia de salida del último

amplificador:
R0  Ro3  300
Ro  300
La ganancia de tensión de la cascada es igual al producto de las ganancias de cada

amplificador:
Ri 2 Ri 3 2000 3000
Avo  Av1 Av 2 Av 3  Avo1 Avo 2 Avo 3  10 20 30  5.357
Ro1  Ri 2 Ro 2  Ri 3 100  2000 200  3000
Avo  5.357
La respuesta es:
Ri  3k Ro  300 Avo  5.357
9
10
PREGUNTA
2- Un diodo tiene un tiempo de transición de 10 ns. Hallar los valores para los
parámetros del circuito equivalente en pequeña señal rd y Cdif , si I DQ  8mA ,
Suponiendo un coeficiente de emisión n  1, y una temperatura de 300 ºK.
A) rd  1,17, Cdif  2037 pF

B) rd  3,25, Cdif  3077 pF
C) rd  12,5, Cdif  1118 pF
D) rd  5,20, Cdif  1920 pF
EJERCICIO
3.21. Cierto diodo tiene un tiempo de transición de 10 ns. Hallar los valores para los
parámetros del circuito equivalente en pequeña señal rd y Cdif , si I DQ  5mA ,
Suponiendo un coeficiente de emisión n  1, y una temperatura de 300 ºK.
Respuesta rd  5,2 y Cdif  1920 pF .
Nos piden la resistencia dinámica y la capacidad de difusión.
- La resistencia dinámica viene dada por:
(n  Coeficiente de emisión)
nVT
rd  => Dónde: ( VT  Tensión Térmica)
I DQ
( I DQ  Corriente en el punto de trabajo)
- La capacidad de difusión viene dada por:
(  T  Tiempo de transito)
 T I DQ
Cdif  => Dónde: ( I DQ  Corriente punto de trabajo)
VT
( VT  Tensión Térmica a 300 ºK)
11
- Para la resistencia dinámica tenemos:
n 1 (n  Coeficiente de emisión)
VT  26mV Siendo ( VT  Tensión Térmica)
I DQ  8mA ( I DQ  Corriente en el punto de trabajo)
Sustituyendo valores:
nVT 1* 26 *10 3V

rd    3,25
I DQ 8 *10 3 A
rd  3,25
- Para la capacidad de difusión tenemos:
 T  10 (  T  Tiempo de transito)
I DQ  8mA Siendo ( I DQ  Corriente punto de trabajo)
VT  26mV ( VT  Tensión Térmica a 300 ºK)
Sustituyendo valores en la expresión de la capacidad de difusión:
 T I DQ 10 *10 9 s * 8 *103 A
Cdif   3
 3,077 *10 9 F
VT 26 *10 V
Cdif  3.077 pF
La respuesta es:
B) rd  3,25, Cdif  3077 pF
12
- Para la resistencia dinámica tenemos:
n 1 (n  Coeficiente de emisión)
VT  26mV Siendo ( VT  Tensión Térmica)
I DQ  5mA ( I DQ  Corriente en el punto de trabajo)
nVT 1 * 26 *10 3V

rd    5,2
I DQ 5 *10 3 A
rd  5,2
- Para la capacidad de difusión tenemos:
 T  10ns (  T  Tiempo de transito)
I DQ  5mA Siendo ( I DQ  Corriente punto de trabajo)
VT  26mV ( VT  Tensión Térmica a 300 ºK)
Sustituyendo valores en la expresión de la capacidad de difusión:
 T I DQ 10 *10 9 s * 5 *10 3 A
Cdif   3
 1,923 *10 9 F
VT 26 *10 V
Cdif  1923 pF
La respuesta es:
rd  5,2, Cdif  1923 pF
13
14
PREGUNTA
3- Se está diseñando un transistor NMOS en el que iD  0,5mA cuando

vGS  vDS  5V . Además las condiciones de fabricación nos dan qué KP  50A / V 2 y
Vto  1V . Suponiendo que   0 , calcular la proporción anchura-longitud necesaria
para el transistor.
A) W / L  2,25
B) W / L  1,25
C) W / L  3,25
D) W / L  0,95
PROBLEMA
5.7. Se necesita un transistor NMOS para el que iD  0,5mA cuando vGS  vDS  5V .
Las restricciones de fabricación nos dan KP  50A / V 2 y Vto  1V . Suponer que
  0 . Calcular la proporción anchura-longitud necesaria para el transistor. Si
L  2 m, ¿cuál es el valor de W? Repetir el problema para   0,05.
La relación anchura longitud viene dada por:
( KP  Constante dada por el fabricante)

W  2K
  Dónde:
L  KP
( K  Constante de la corriente de drenaje)
Para calcular K primero hay que determinar la región de funcionamiento, y

partiendo de la corriente de drenaje en cada región se calcula la constante K.
Región Corriente Constante de corriente de drenaje

Corte iD  0
iD  K vGS  Vto  1  vDS  iD
2
Saturación K
vGS  Vto 2 1  vDS 

iD  K 2vGS  Vto vDS  vDS
2

1  v DS  K
iD
Activa
2vGS  Vto v DS  vDS
2

1  vDS 
15
Hay que comenzar por identificar la región de funcionamiento:
vGS  Vto
=> Que el transistor trabaja en la región de saturación
vDS  vGS  Vto ,
En la región de saturación la corriente de drenaje viene dada por:
iD
iD  K vGS  Vto  1  vDS 
2
=> K
vGS  Vto 2 1  vDS 
Como λ=0, sustituyendo tendremos:
iD 0,5 *10 3 A
K   31,25A / V 2
vGS  Vto  5V  1V 
2 2
Sustituyendo éste valor en la relación anchura-longitud:
6 2
 W  2 K 2 * 31,25 *10 A / V
    1,25
 L  KP 50 *106 A / V 2
La respuesta es:
W 
B)    1,25
L
16
a) Para   0
Hay que comenzar por identificar la región de funcionamiento:
vGS  Vto
iD
iD  K vGS  Vto  1  vDS 
2
=> K
vGS  Vto 2 1  vDS 
Como λ=0, sustituyendo tendremos:
iD 0,5 *10 3 A
K   31,25A / V 2
vGS  Vto  5V  1V 
2 2
6 2
W  2 K 2 * 31,25 *10 A / V
     1,25
L  KP 50 *106 A / V 2
Para L  2 m => W  2,5m
La respuesta es:
W  2,5m
17
a) Para   0,05
La región de funcionamiento es la misma ya que:
vGS  Vto
iD
iD  K vGS  Vto  1  vDS 
2
=> K
vGS  Vto 2 1  vDS 
Como   0,05 , sustituyendo tendremos:
iD 0,5 *10 3 A
K   25A / V 2
vGS  Vto 2 1  vDS  5V  1V  1  0,05 * 5V 
2
6 2
 W  2 K 2 * 25 *10 A / V
   1
 L  KP 50 *10 6 A / V 2
Para L  2 m => W  2 m
La respuesta es:
W  2 m
18
PREGUNTA
4- Un determinado CI está formado por puertas lógicas, cada una de las cuáles
consume 0,1 mW de potencia estática. La máxima disipación de potencia estática
admisible para el chip es de 20W, ¿cuál es el número máximo de puertas que puede
contener el chip?
A) N  80000
B) N  950000
C) N  120000
D) N  200000
EJERCICIO
6.9. Suponga que un determinado CI está formado por puertas lógicas, cada una de
las cuales consume 0,25 mW de potencia estática. La máxima disipación de
potencia estática admisible para el chip es de 20 W (esta cantidad no resulta extraña
como disipación de los circuitos integrados de un computador). ¿Cuál es la cantidad
máxima de puertas que puede contener el chip?
Respuesta 80.000 (cantidad considerablemente inferior al número de puertas que

contienen los chips de computador de alto rendimiento).
En este tipo de problemas, para calcular el número de puertas, lo que hay que hacer
es dividir la potencia admisible del chip entre la potencia que consume cada puerta;
es decir:
Wtotal
nº puertas 
Wconsumida
19
20W
nº puertas   200.000
0,1mW
La respuesta es:
D) N  200.000
20W
nº puertas   80.000
0,25mW
La respuesta es:
N  80.000
20
PREGUNTA
5- Las señales de entrada de un amplificador diferencial son:

v1 t   0,7 cos30t   25sen150t 
v2 t   0,7 cos30t   25sen150t 
Hallar la expresión para la tensión en modo común, vicm y la diferencial, vid
A) vid  0,7 cos30t , vicm  25 cos150t ,

B) vid  2,8sen30t , vicm  25sen150t ,
C) vid  25sen30t , vicm  1,4sen150t ,
D) vid  1,4 cos30t , vicm  25sen150t ,
Cómo la tensión de entrada diferencial y tensión de entrada en modo común, vienen

dadas por:
vid  vi1  vi 2
1
vicm  vi1  vi 2 
2
Solo hay que sustituir valores en ambas expresiones para calcular las tensiones
pedidas.
21
Puesto que la tensión de entrada diferencial y tensión de entrada en modo común,

son:
vid  vi1  vi 2
1
vicm  vi1  vi 2 
2
vid  0,7 cos30t   25sen150t    0,7 cos30t   25sen150t   1,4 cos30t 
1
vicm  0,7 cos30t   25sen150t    0,7 cos30t   25sen150t   25sen150t 
2
La respuesta es:
D) vid  1,4 cos30t , vicm  25sen150t ,
22
PROBLEMA 1
Sea el amplificador en emisor común de la figura:
Supóngase que, para β=300, el punto Q resultante es I CQ  4,24mA y VCE  6,51V .
VT 300 * 0,026V

r    1839,6
I CQ 4,24mA
1 1
RB    3,33k
1 / R1  1 / R2 1 / 10k  1 / 5k
1 1
RL    667
1 / RL  1 / RC 1 / 2k  1 / 1k
Método rápido de comprobar las respuestas: En la pregunta 6- nos piden AV y en la

pregunta 7- nos piden la ganancia de corriente Ai y la ganancia de potencia G . Por
lo qué en las respuestas se ha de verificar la relación G  Av Ai
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6- Hallar los valores de AV , AVO , Z in y Z o
A) AV  119, AVO  63, Z in  11,2k; Z o  1,8k

B) AV  109, AVO  163, Z in  1185; Z o  1k
C) AV  208, AVO  2,22, Z in  600; Z o  120
D) AV  55, AVO  77, Z in  7,3k; Z o  12k
Resolución:
vo  R 300 * 667
AV   L   108,8
vin r 1839,6
vo R 300 *1k
AV   C   163
vin r 1839,6
1 1
Z in    1185
1 / RB  1 / r 1 / 3333  1 / 1839,6
Z o  RC  1k
La respuesta es:
B) AV  109, AVO  163, Z in  1185; Z o  1k
24
7- Hallar los valores de Ai y G
A) Ai  64,6; G  7039
B) Ai  16,6; G  5117
C) Ai  94,7; G  9811
D) Ai  22,4; G  1134
Resolución:
La ganancia de corriente viene dada por:
io Z 1185
Ai   AV in  109 *  64,6
iin RL 2k
La ganancia de potencia viene dada por el producto entre la ganancia de tensión y la

ganancia de corriente
G  AV Ai   109 *  64,6   7041
La respuesta es:
A) Ai  64,6; G  7039
25
8- Si vs t   0,001senwt V , hallar la expresión de vo t 
A) vo t   122senwt V
B) vo t   72,5 coswt mV
C) vo t   76,6 senwt mV
D) vo t   67,6senwt mV
Resolución:
Tenemos por definición que:
vo t 
AV t  
vs t 
De donde:
vo t   AV t  * vs t 
Sustituyendo datos:
vo t   AV t  * vs t   109 * 0,001senwt V  109senwt mV
La respuesta es:
vo t   76,6 senwt mV
Vemos que la respuesta que nos dan por buena no corresponde con la solución
hallada, es uno más de los muchos fallos en este tipo de exámenes.
26
PROBLEMA 2
El FET de la figura tiene Vto  2V e I DSS  4mA
PROBLEMA
5.68. El FET de la Figura P5.68 tiene Vto  2V e I DSS  4mA . Si I DQ  9mA, hallar el
valor de R2 suponiendo que el dispositivo trabaja en la región de saturación. ¿Cuál
es el valor máximo de RD permitido si el punto de trabajo debe permanecer en la
región de saturación?
Estamos ante un circuito de cuatro resistencias en el que tendremos:
R2
Tensión puerta-fuente: VGSQ  VSS  RS I DQ (1)
R2  R1
Tensión drenador-fuente: VDSQ  VSS   RD  RS I DQ (2)
Además, en la región de saturación tenemos:
I DSS  KVto2
Teniendo en cuenta que:
I DQ  K VGSQ  Vto 
2
Podemos determinar VGSQ :
I DQ
VGSQ  Vto 
K
27
9- Suponiendo que I DQ  9mA , hállese el valor de R2 suponiendo que el dispositivo

trabaja en la región de saturación.
A) R2  2,30M;
B) R2  112k;
C) R2  1M;
D) R2  12M;
Resolución:
En primer lugar tenemos:
I DSS  KVto2 => K

I DSS

4mA  1mA / V 2
Vto2
 2V 2
2
Podemos determinar VGSQ :
I DQ 9mA
VGSQ  Vto   2V   1V
K 1mA / V 2
Cómo además en el circuito, en la ecuación (1) tenemos qué:
R2
VGSQ  VSS  RS I DQ
R2  R1
Sustituyendo valores y resolviendo, determinamos que:
R2
1V  20V  103  * 9mA
R2  10 
6
R2
1V  9V  20V
R2  10 6 
R2
1V  2V => 1VR 2  10 6   2VR 2
R2  10 6 
La respuesta es:
C) R2  1M
28
10- ¿Cuál es el valor máximo de RD permitido si el punto de trabajo debe

permanecer en la región de saturación?
A) RD max  889
B) RD max  1,6k
C) RD max  435
D) RD max  2,5k
Resolución:
Para que el dispositivo funcione en saturación requerimos:
VGSQ  1V  Vto  2V
VDSQ  VGSQ  Vto   1V   2V   3V
Teniendo en cuenta la ecuación (2):
VDSQ  VSS   RD  RS I DQ
20  RD  RS I DQ  3
RD  RS I DQ  20  3
17
RD   RS
I DQ
Por lo tanto:
17V
RD   103   1889  1000  889
9mA
La respuesta es:
A) RDMax  889
29
30
SEGUNDA SEMANA
FEBRERO CURSO 2011-2012
31
32
33
34
PREGUNTA
1- El circuito de la figura emplea realimentación negativa. Suponiendo que los

amplificadores operacionales son ideales, y usando la restricción del punto suma,
analizar el circuito para hallar el valor de vo .
A) VO  11V
B) VO  1V
C) VO  11V
D) VO  12V
PROBLEMA
2.10. Cada uno de los circuitos mostrados en la Figura P2.10 emplea realimentación
negativa. Suponer que los amplificadores operacionales son ideales, y utilizar la
restricción del punto suma. Analizar los circuitos para hallar el valor de vo para
cada circuito.
Planteamiento del Problema:
En este tipo de problemas hay que aplicar las leyes de Kirchhoff:
Para ello sé señalizan los nodos y corrientes, después se analiza el nodo del punto-
suma donde io  0 , seguido el nodo donde el potencial es igual que en el nodo del
punto-suma y posteriormente el resto de nodos según el sentido de la corriente.
35
Señalando las corrientes y los nodos:
Por la restricción del punto-suma, tenemos:
i0  0
VA  VB  5V
Nodo C:
VA  VC  i1R  2mA * 3k  6V
De dónde:
VC  VA  6V  5V  6V  1V
Cómo:
Vo  VC  1V
La respuesta es:
B) Vo  1V
36
Resolución del problema:
Señalando las corrientes y los nodos:
Por la restricción del punto-suma, tenemos: ( i0  0 ; VA  VB )
Nodo B:
5V  VB  0 => VB  5V
i0  0
Nodo A:
VA  VB  5V
i1  2mA
Nodo C:
VA  VC  i1R  2mA * 3k  6V => VC  VA  6V  5V  6V  1V
Cómo:
Vo  VC  1V
La respuesta es:
B) Vo  1V
37
38
PREGUNTA
2- Se dispone de un diodo a una temperatura de 30 ºC. Súbitamente se le aplica una

corriente directa de 1000 mA y la tensión pasa a ser de 0,75 V. Al pasar varios
minutos el diodo se calienta debido a la disipación de potencia y la tensión baja
hasta 0,55 V. Calcular la temperatura final del diodo.
A) T final  100 º C
B) T final  80º C
C) T final  150 º C
D) T final  130 º C
PROBLEMA
3.7. Cierto diodo está a una temperatura de 25º C. De repente, se le aplica una
corriente directa de 100 mA y la tensión pasa a ser de 0,65 V. Tras varios minutos,
el diodo se calienta debido a la disipación de potencia y la tensión es de 0,45 V.
Averiguar la temperatura del diodo.
A medida que el diodo se calienta, su tensión directa disminuye aproximadamente

2mV /º C . Así, la variación de la temperatura viene dado por:
T  Variación de temperatura
T  V / 2mV /º C 
V  Tensión inicial – Tensión final
39
Sustituyendo valores en la expresión:
T  V / 2mV /º C 
Tendremos:
T  0,75V  0,55V ) /(2mV /º C   0,2V /(2mV /º C )  100º C.
La temperatura del diodo final es:
T final  Tinicial  T  30º C  100º C  130º C.
La respuesta es:
D) T final  130º C.
Sustituyendo valores en la expresión:
T  V / 2mV /º C 
Tendremos:
T  0,65V  0,45V ) /(2mV /º C   0,2V /(2mV /º C )  100º C.
La temperatura del diodo final es:
T final  Tinicial  T  25º C  100º C  125º C.
La respuesta es:
T final  125º C .
40
PREGUNTA
3- Un transistor npn tiene un valor de   100 . Determinar su región de

funcionamiento si I B  55A e I C  2,5mA
A) Se halla en la región de saturación

B) Se halla en la región activa
C) Nos falta información para poder afirmar en que región se halla
D) Se halla en la región de corte
EJERCICIO
4.9. Un transistor npn tiene un valor de   100 . Determinar la región de

funcionamiento si (a) VBE  0,2V , y VCE  5V ; (b) I B  50A e I C  2,0mA ; (c)
VCE  5V , y I B  50A .
Respuesta (a) Corte; (b) Saturación; (c) Activa.
En este tipo de problemas hay que tener en cuenta las condiciones que ha cumplir el
transistor en cada región, estas son:
Transistor npn
Región funcionamiento Condiciones Observaciones
I B  0; VBE  VCC  RB I B ; I C  I B
Región Activa
VCE  0,2V VCE  VCC  RC I C
I B  0; VBE  VCC  RB I B ; VBE  0,7V
Región de Saturación
I B  I C  0 VCE  VCC  RC I C ; VCE  0,2V
I B  0; I B  0; IC  0
Región de Corte
VBE  0,5V ; VBC  0,5V ; VCE  VCC
En la tabla anterior, también figuran las correspondientes ecuaciones, aunque en

este caso no son necesarias.
41
Dado qué se cumple que:
IB  0 => Regiones de funcionamiento la Activa y/o la de Saturación
Y además tenemos que:
I B  100 * 55A  5,5mA
I C  2,5mA
Por lo tanto:
I B  I C  0 => Que la región de funcionamiento es la de saturación
La respuesta es:
A) Se halla en la región de saturación
42
a) VBE  0,2V , y VCE  5V ;
Como:
VBE  VBC  VCE => VBC  VBE  VCE  0,2V  5V  5,2V
Se verifica que:
VBE  0,5V ;
=> Que funciona en la región de corte
VBC  0,5V
Región de Corte
b) I B  50A e I C  2,0mA ;
Como:
I B  50A  0 I B  100 * 50A  5,0mA  I C
Se verifica:
IB  0
=> Que funciona en la región de Saturación
I B  I C
c) VCE  5V , y I B  50A .
Como se verifica que:
IB  0
=> Que funciona en la región Activa
VCE  0,2V ,
Región Activa
43
44
PREGUNTA
4- Un chip de un computador contiene 20000 puertas, que tienen una disipación de

potencia estática igual a cero. En el caso peor la salida de cada puerta oscila a
150MHz. La disipación de potencia dinámica total que se permite para el chip es de
10W. Si la tensión de alimentación es de 5 V, determinar la carga permitida para
cada puerta.
A) CL  130 fF
B) CL  800 pF
C) CL  40 fF
D) CL  150 pF
En este tipo de problemas la potencia dinámica disipada viene dada por:
f  La frecuencia
Pdin  f * C L * VSS 
2
Siendo CL  La capacidad de carga
VSS  La tensión de alimentación
Despejando la capacidad de carga en la expresión de la potencia dinámica:
Pdin
CL 
f * VSS 
2
45
Sustituyendo valores, la capacidad de carga del chip es:
10W
CL   2,67 pF
150 *106 Hz 5V 
2
Por lo que la capacidad de carga por puerta será:
CL
C L  puerta    133 fF
20000 puertas
La respuesta es:
A) C L  puerta   133 fF
46
PREGUNTA
5- Un amplificador presenta una ganancia de corriente en cortocircuito de 9.

Cuando el amplificador funciona con una carga de 100 Ω, la ganancia de corriente
es de 7. Calcular la resistencia de salida del amplificador.
A) R0  200
B) R0  250
C) R0  350
D) R0  150
PROBLEMA
1.39. Un amplificador presenta una ganancia de corriente en cortocircuito de 10.

Cuando el amplificador funciona con una carga de 50 , la ganancia de corriente es
de 8. Calcular la resistencia de salida del amplificador.
Puesto que la relación entre la ganancia de corriente en carga y la ganancia de

corriente en abierto ó cortocircuito, viene dada por la expresión:
Ai  Ganancia de corriente en carga.
Aisc  Ganancia de corriente en cortocircuito.

Ro
Ai  Aisc Donde:
Ro  RL
Ro  Resistencia de salida.
RL  Carga.
Puesto que:
Ro
1 => Ai  Aisc
Ro  RL
47
- Representando el amplificador en cortocircuito, tenemos:
Dónde:
iO Aisc ii
Ai    Aisc  9
ii ii
- Representando el amplificador del enunciado en carga, tenemos:
Como la ganancia de corriente en carga viene dada por:
io Aisc ii RO RO
Ai    Aisc
ii ii RO  RL R0  RL
Dónde, nos dicen que:
Ai  7
Aisc  9
RL  100
48
Ro RO
Ai  Aisc => 79
Ro  RL RO  100
7 RO  700  9 RO => 9  7RO  700
La respuesta es:
C) R0  350
49
Del planteamiento de este tipo de problemas tenemos:
Ai  Ganancia de corriente en carga.
Aisc  Ganancia de corriente en cortocircuito.

Ro
Ai  Aisc Donde:
Ro  RL
Ro  Resistencia de salida.
RL  Carga.
Sustituyendo valores, en la relación entre la ganancia en carga y la ganancia en

cortocircuito:
Ro Ro
Ai  Aisc => 8  10
Ro  RL Ro  50
De donde:
8 Ro  400  10Ro
2 Ro  400 => Ro  200
La respuesta es:
Ro  200
50
PROBLEMA 1
Consideremos el seguidor de fuente de la figura, siendo VDD  15V ; RL  1k,

R1  R2  1M . El transistor NMOS tiene KP  50A / V 2 ,   0, L  1,5m,
W  150m y Vto  1V .
 50A / V  150m 
2
L  KP KP  W
  => K      2,5mA / V 2
W  2K 2 L  2  1,5m 
Los valores del punto Q deben satisfacer la ecuación:
2
Despejando VGSQ :
I DQ
VGSQ  Vto 
K
R2 106
VG  VDD *  15V * 6  7,5V
R1  R2 10  106
VS  VG  VGSQ VS  4,5V
I DQ 10mA
VGSQ  Vto   1V   1V  2V  3V
K 2,5mA / V 2
51
6- Hallar el valor de RS para I DQ  10mA
A) RS  350
B) RS  400
C) RS  450
D) RS  150
Resolución:
R2 106
VG  VDD *  15V * 6  7,5V
R1  R2 10  106
VS  VG  VGSQ VS  4,5V
I DQ 10mA
VGSQ  Vto   1V   1V  2V  3V
K 2,5mA / V 2
Puesto que:
VS 4,5V
RS    450
I DQ 10mA
La respuesta es:
C) RS  450
52
7- Calcular la ganancia de tensión AV
A) AV  0,72
B) AV  0,99
C) AV  1,29
D) AV  0,18
Resolución:
g m  2 KP W / L I DQ  2 * 50 *106 150 / 1,5 10  0,316S

vo g m RL
AV  
vin 1  g m RL
1 1
RL    310,34
1 / rD  1 / RS  1 / RL 1 /   1 / 450  1 / 1000
vo g m RL 0,316 * 310

AV     0,989
vin 1  g m RL 1  0,316 * 310
La respuesta es:
B) AV  0,99
53
8- Calcular la resistencia de entrada, Rin
A) Rin  0,5M
B) Rin  2M
C) Rin  1,5M
D) Rin  137,3k
Resolución:
1 RR 10 6 *106
Rin  R1 // R2   1 2  6  0,5 *10 6   0,5M
1 / R1  1 / R2 R1  R2 10  106
La respuesta es:
A) Rin  0,5M
54
PROBLEMA 2
La tensión de salida de un amplificador operacional varía entre -10 y +10 V y puede

suministrar o absorber 25 mA. El slew-rate es de 10 V/µs. Se usa el amplificador
operacional en la configuración de la figura:
PROBLEMA
2.54. La tensión de salida de un amplificador operacional varía entre -10 y +10 V, y

puede suministrar o absorber 25 mA. El slew-rate es 10 V/ߤs. Se utiliza el
amplificador operacional en la configuración mostrada en la Figura P2.54.
(a) Hallar el ancho de banda de potencia del amplificador operacional.
(b) Para una frecuencia de 5 kHz y RL=100 Ω, ¿qué tensión máxima de salida es
posible sin distorsión?
(c) Para una frecuencia de 5 kHz y RL =10 kΩ, ¿qué tensión máxima de salida es
(d) Para una frecuencia de 100 kHz y RL =10 kΩ, ¿qué tensión máxima de salida es
Hay un error en el enunciado dónde dice El slew-rate es de 10 V/µs, debe decir El

slew-rate es de 1 V/µs
55
- En este tipo de problemas, normalmente hay que calcular el ancho de banda de

potencia, que viene dado por:
SR  slew-rate (velocidad de subida)

SR
f FP  Donde:
2VoMax
VoMax  Tensión máxima de salida
- Para calcular la tensión máxima de salida sin distorsión, para una frecuencia y
carga dadas, hay que tener en cuenta cuando comienzan los recortes, ya que nos
limitan la tensión y la corriente.
Aplicando kirchhfoff, llegamos a:
1 1 
io  Vo   
 R2 RL 
ioMax
Si io  ioMax (del recorte) => VoMax 
1 1 
  
 Ro RL 
- En ocasiones la frecuencia dada es superior a la calculada en el ancho de banda de

potencia, por lo que hay que calcular la tensión máxima de salida como:
SR
VoMax 
2 * f FP
56
9- Hallar el ancho de banda de potencia del amplificador operacional.
A) f FP  53,9kHz
B) f FP  159Hz
C) f FP  1,59kHz
D) f FP  15,9kHz
Resolución:
El ancho de banda de potencia viene dado por la expresión:
SR  1V / s
SR SR 1V / 10 6 s
f FP  Donde: f FP    15,9kHz
2VoMax 2VoMax 2 *10V
VoMax  10V
La respuesta es:
D) f FP  15,9kHz
57
10- Para una frecuencia de 5kHz y RL  100 ¿Qué tensión máxima de salida es
A) VoM  1,24V
B) VoM  4,98V
C) VoM  2,49V
D) VoM  9,23V
Resolución:
Teniendo en cuenta que los recortes pueden comenzar cuando la tensión de salida
alcanza 10 V, o cuando la corriente de salida alcanza 25 mA.
Vo
i2 
R2
Vo Vo 1 1  R  RL
io  i2  iL io    Vo     Vo 2
R2 RL  R2 RL  R2 RL
Vo
iL 
RL
R2  RL 100k  100
io  Vo  10V  100,1mA
R2 RL 100k *100
Se verificaría que io  100,1mA  I oMax  25mA . Por lo que no puede alcanzarse la

máxima tensión de salida posible VoMax  10V
Por lo que, en este caso la tensión máxima de salida, se da cuando io  I o max :
R2  RL
Si en la expresión: io  Vo despejamos Vo :
R2 RL
R2 RL 100k *100
VoMax  ioMax  25mA  2,497V
R2  RL 100k  100
La respuesta es:
C) VoM  2,49V
58
c) Para una frecuencia de de 5kHz y RL  10k, ¿qué tensión máxima de salida es

Teniendo en cuenta que los recortes pueden comenzar cuando la tensión de salida
alcanza 10 V, o cuando la corriente de salida alcanza 25 mA.
Vo
i2 
R2
Vo Vo 1 1  R  RL
io  i2  iL io    Vo     Vo 2
R2 RL  R2 RL  R2 RL
Vo
iL 
RL
R2  RL 100k  10k
io  Vo  10V  1,1mA
R2 RL 100k *10k
Como se verificaría que io  1,1mA  I oMax  25mA . Se puede alcanzar la máxima

tensión de salida posible VoMax  10V
La respuesta es:
C) VoMax  10V
Limitada por el máximo de la tensión de salida
59
d) Para una frecuencia de 100kHz y RL  10k, ¿qué tensión máxima de salida es

En esta situación la frecuencia que nos dan es superior al ancho de banda de

potencia calculado en el apartado a); es decir:
f  100kHz  f FP  15,9kHz
Por lo que de la expresión, del ancho de banda de potencia:
SR
f FP 
2Vo max
Despejando la tensión máx. de salida tendremos:
SR
Vo max 
2f FP
SR 10 6V / s
Vo max    1,59V
2f FP 2 *100kHz
Vo max  1,59V
60
ORIGINAL
SEPTIEMBRE CURSO 2011-2012
61
62
63
64
PREGUNTA
1- Una fuente de 20 V suministra 1,5 A a un amplificador determinado. La potencia

de la señal de salida es de 3 W y la potencia de la señal de entrada es de 0,8 W.
Calcular la potencia disipada en el amplificador y su rendimiento.
E) Pd  33,42W ;   8%
F) Pd  27,08W ;   10%
G) Pd  22,33W ;   12%
H) Pd  4,6W ;   20%
Puesto que ha de verificarse:
Pi  PS  P0  Pd => Pd  Pi  PS  P0
Dónde:
Pi  0,8W Potencia de entrada
PS  VS I S  20V *1,5 A  30W Potencia suministrada por la fuente
P0  3W Potencia de salida
Pd  ??? Potencia disipada
65
Por lo tanto:
Pd  0,8W  30W  3W  27,8W
El rendimiento viene dado como la relación entre la potencia de salida y la potencia

suministrada por la fuente, es decir:
P0 3W
 *100%  *100%  10%
PS 30W
La respuesta es:
B) Pd  27,08W ;   10%
66
PREGUNTA
2- ¿Cuál de los siguientes es un valor aproximado para la tensión térmica a una

temperatura de 300 K?
A) VT  15mV
B) VT  26mV
C) VT  36mV
D) VT  8mV
67
La tensión térmica a 300 ºK, tiene un valor aproximado a 26mV
La respuesta es:
B) VT  26mV
68
PREGUNTA
3- Un transistor npn tiene un valor de   100. Determinar la región de

funcionamiento si (a) VBE  0,3V y VCE  5V ; (b) I B  45A e I C  1mA
A) (a) Transistor en corte, (b) Transistor en saturación

B) (a) Transistor en saturación, (b) Transistor en región activa
C) (a) Transistor en corte, (b) Transistor en región activa.
D) (a) Transistor en región activa, (b) Transistor en saturación.
Análisis del problema:
En este tipo de problemas hay que tener en cuenta las condiciones que ha cumplir el
transistor en cada región, estas son:
Transistor npn
Región funcionamiento Condiciones Observaciones
I B  0; VBE  VCC  RB I B ; I C  I B
Región Activa
VCE  0,2V VCE  VCC  RC I C
I B  0; VBE  VCC  RB I B ; VBE  0,7V
I B  I C  0 VCE  VCC  RC I C ; VCE  0,2V
I B  0; I B  0; IC  0
Región de Corte
VBE  0,5V ; VBC  0,5V ; VCE  VCC
En la tabla anterior, también figuran las correspondientes ecuaciones, aunque en

este caso no son necesarias.
69
a) Para un transistor npn con: VBE  0,3V y VCE  5V
VBE  VBC  VCE => VBC  VBE  VCE  0,3V  5V  5,3V
Como se verifica que:
VBE  0,5V
=> Que el transistor (a) está en la región de corte
VBC  0,5V
b) Para un transistor npn con: I B  45A e I C  1mA . Tenemos que:
I B  100 * 45A  4,5mA
Puesto que:
IB  0
=> Que el transistor (b) esta en saturación
I B  I C
La respuesta es:
A) (a) Transistor en corte, (b) Transistor en saturación
70
PREGUNTA
4- Un JFET de canal tiene Vto  4V . Además, iD  1mA para vGS  3V y vDS  5V .
Hallar I DSS para este dispositivo.
A) I DSS  101mA
B) I DSS  54mA
C) I DSS  16mA
D) I DSS  26mA
La corriente de saturación con polaridad cero, viene dada por la expresión:
I DSS  KVto2
Donde la constate K es función de la corriente y esta a su vez depende de la región

de funcionamiento, de acuerdo a los valores de la siguiente tabla:
Tabla de condiciones
Región Condiciones Corriente
Corte vGS  Vto iD  0
Óhmica
vGS  Vto

iD  K 2vGS  Vto v DS  vDS
2

1  vDS 
vGS  vGS  Vto 
vGS  Vto
iD  K vGS  Vto  1  vDS 
2
Saturación
vGS  vGS  Vto 
Una vez comprobada la región de funcionamiento, se calcula la constante K y se

sustituye dicho valor en la expresión:
I DSS  KVto2
71
Nos están pidiendo la corriente de saturación con polarización cero, luego ya nos
están indicando que la región de funcionamiento es la de saturación; no obstante
podemos comprobarlo:
Primero vGS  Vto

La región de funcionamiento es la de saturación
Segundo vDS  vGS  Vto
Puesto que el valor de la corriente de saturación con polarización cero viene dada
por:
I DSS  KVto2
En la región de saturación para la corriente viene dada por:
iD  K vGS  vto 
2
Despejando la constante de drenaje:
iD
K
vGS  vto 2
Por lo tanto la corriente de saturación con polaridad cero será:
iD
I DSS  V2
vGS  vto 2 to
iD 1mA
I DSS  V2   4V 2  16mA
vGS  vto 2 to
 3V   4V 2
La respuesta es:
C) I DSS  16mA
72
PREGUNTA
5- Una capacidad de carga de 100fF es excitada por un inversor con una frecuencia
de 300 MHz y una amplitud de VDD = 2,5 V. Determinar la potencia disipada.
A) Pdin  0,39mW
B) Pdin  1,11mW
C) Pdin  0,19mW
D) Pdin  0,77mW
La potencia dinámica disipada viene dada por:
f  Frecuencia en MHz
2
Donde: CL  Capacidad de carga en fF
VSS  Tensión de alimentación en V
El enunciado tiene un fallo, la frecuencia la han dado en Hz cuando querían darla en

MHz:  f  300MHz 
73
La potencia dinámica disipada viene dada por:
2
Donde:
f  300 MHz
Pdin  f * C L * VSS   300 *106 *100 *10 15 2,5  0,1875mW

2 2
CL  100 fF
VSS  2,5V
La respuesta es:
C) Pdin  0,19mW
74
PROBLEMA 1
Considerar el circuito cargador de baterías de la figura adjunta, siendo los valores

correspondientes de Vm  22V , R  5 y VB  15V . Hallar la expresión de la
corriente como función del tiempo.
La ecuación del circuito de la figura es:
Vm senwt   VB  it R
La corriente como una función del tiempo, será:
Vm senwt   VB
i t  
R
75
6- Hallar la corriente de pico, suponiendo un diodo ideal
A) I Max  2,5 A
B) I Max  0,3 A
C) I Max  4,4 A
D) I Max  1,4 A
Resolución:
La corriente máxima se da cuando el cociente de la expresión:
i t  
R
Sea máximo, y esté será máximo cuando el sen(wt) sea igual a 1. Por lo que la
intensidad máxima se expresará como:
Vm  VB
i t  
R
Sustituyendo valores en la expresión de la intensidad Max.
Vm  VB 22V  15V 7V
I Max     1,4 A
R 5 5A
La respuesta es:
D) I Max  1,4 A
76
7- Hallar la expresión de la corriente en función del tiempo
2VB  Vm senwt 
A) i t  
R
Vm sen wt 
B) i t  
R
VB senwt   Vm
C) i t  
2R
V senwt   VB
D) i t   m
R
Resolución:
En el análisis del problema ya se obtuvo la expresión de la corriente en función del

tiempo, viene dada por:
i t  
R
La respuesta es:
D) i t  
R
77
A condición de que esta expresión se obtiene un resultado positivo.

De lo contrario, i (t) = 0. Para determinar el intervalo para el que el diodo está en el
estado en que debemos resolver esta ecuación:
Provided that this expression yields a positive result.

Otherwise i(t) = 0. To determine the interval for which the diode is in the on state
we must solve this equation:
78
8- Hallar el porcentaje de cada ciclo en el que el diodo está con conducción.
A) El porcentaje es del 25,3%

B) El porcentaje es del 11,2%
C) El porcentaje es del 8,3%
D) El porcentaje es del 5,3%
Resolución:
Resolviendo encontramos dos raíces: t1  0,775 / w y t 2  2,37 / w radian.
T1 y T2 se indican en las formas de onda mostradas en la página anterior. El periodo

de la cerámica de seno es T  2 / w . Así, el porcentaje del tiempo que el diodo está
en conducción es:
2,37 / w  0,775 / w
Diodo en conducción  *100  25,3%
2 / w
La respuesta es:
A) El porcentaje es del 25,3%
79
Solving we find two roots: t1  0,775 / w and t 2  2,37 / w radian.

T1 and t2 are indicated on the waveforms shown on the preceding page. The period
of the sine ware is T  2 / w . Thus the percentage of the time that the diode is on is.
2,37 / w  0,775 / w
Diode on  *100  25,3%
2 / w
80
PROBLEMA 2
Un amplificador presenta una resistencia de entrada de 30 Ω, una resistencia de

salida se 15 Ω y una ganancia de corriente en cortocircuito de 3000. La fuente de
señal presenta una tensión interna de 100mV rms, y una impedancia interna de 180
Ω, la carga del amplificador es una resistencia de 10 Ω.
Representando el amplificador en cortocircuito, tendremos:
Acoplando la fuente y la carga tendremos:
81
9- Hallar la ganancia de corriente y la ganancia de tensión del amplificador.
E) Ai  1200; AV  800
F) Ai  800; AV  650
G) Ai  1800; AV  600
H) Ai  1500; AV  300
Resolución:
Como tenemos que:
i0 R0 15
Ai   Aisc  3000  1800
ii R0  RL 15  10
RL 10
AV  Ai  1800  600
Ri 30
La respuesta es:
C) Ai  1800; AV  600
82
10- Si la fuente de alimentación proporciona una tensión de 10 V y suministra una

corriente media de 2 A, calcular la potencia disipada en el amplificador.
E) Pd  18,5W
F) Pd  12,9W
G) Pd  9,1W
H) Pd  23,9W
Resolución:
Puesto que:
Pi  PS  P0  Pd => Pd  Pi  PS  P0
Dónde:
G  AV Ai  1800 * 600  108 *10 4
Ri 30
Vi  VS  0,1  14,29mV
Ri  RS 30  180

V 2 14,29 *10 3
Pi  i 

2
 6,8W
Ri 30
P0  GPi  108 *10 4 * 6,8 *10 6  7,35W
PS  VS I S  10 * 2  20W
Pd  Pi  PS  P0  6,8 *10 6 W  20W  7,35W  12,65W
La respuesta es:
B) Pd  12,9
83
84
RESERVA
SEPTIEMBRE CURSO 2011-2012
85
86
87
88
PREGUNTA
1- Dos puntos de la región de saturación de un transistor NMOS son: ( vGS  2V ,

iD  1mA ) y ( vGS  3V , iD  4mA ). Suponer que   0 . Calcular los valores de vto y K
para este transistor.
A) vto  1V , K  0,5mA / V 5
B) vto  0,12V , K  0,75mA / V 5
C) vto  4,3V , K  1,5mA / V 5
D) vto  2,5V , K  3,5mA / V 5
Resolución:
En la región de saturación, tenemos que iD  K vGS  vto 2 . Sustituyendo los valores

obtenemos dos ecuaciones:
1mA  K 2  vto 
2
4mA  K 3  vto 
2
Dividiendo la segunda entre la primera, se obtiene:
4
3  vto 2
2  vto 2
Resolviendo, determinamos que:
 
4 4  4vto  vto2  9  6vto  vto2
3vto2  10vto  7  0
10  10 2  12 * 7 10  4
vto    2,33V ó1V 
6 6
El único resultado posible es Vto  1V , ya que para Vto  2,33V el primer punto no
estaría en la región de saturación por no verificar:
vGS  Vto
89
Sustituyendo en cualquiera de las dos ecuaciones que encontramos:
1mA 1mA
1mA  K 2  vto 
2
=> K   1mA / V 2
2  vto  2V  1V 
2 2
La respuesta es:
A) Vto  1V K  1mA / V 2
90
PREGUNTA
2- Dos transistores Q1 y Q2 conectados en paralelo son equivalentes a un solo

transistor, tal y como se ve en la Figura. Si los transistores tienen cada uno IES1 = IES2
= 1013 A, y β1 = β2 = 100, hallar IES y β para el transistor equivalente. Suponer la
misma temperatura para todos los transistores.
A)   150; I ES  10 13 A
B)   200; I ES  3 *10 12 A
C)   100; I ES  2 *10 13 A
D)   300; I ES  5,2 *1013 A
Resolución:
Señalizando las corrientes en ambos transistores:
Debido a que los transistores son idénticos y VBE es la misma para ambos
transistores, podemos concluir que IC1 = IC2 y IB1 = IB2. Así tenemos:
iC iC 1  iC 2 2iC 1
 eq     1  100
iB iB1  iB 2 2iB1
91
Por otra parte, tenemos:
iE  iE1  iE 2
iE  I ES1 expVBE / VT  1  I ES 2 expvBE / VT  1
iE   I ES1  I ES 2  expVBE / VT  1  I ESeq expvBE / VT  1
Así se concluye que:
I ESeq  I ES1  I ES 2  2 *10 13 A
La respuesta es:
C)   100; I ES  2 *10 13 A
92
PREGUNTA
 vD 
3- Consideremos un diodo con polarización directa, de manera que iD  I S exp 
 nVT 
. Suponer que VT  0,026V y n  1. ¿Qué incremento debemos aplicar a vD para
triplicar la corriente?
A) vD  18mV
B) vD  8,3mV
C) vD  28,5mV
D) vD  58,2mV
Resolución:
Supongamos que tenemos VD1 para una corriente de iD1 y para VD 2  VD1  vD nos
dicen que iD 2  3iD1 , entonces podemos escribir:
iD 2  I S expVD1  vD  / nVT   3iD1  3I S expVD1 / nVT 
I S expVD1 / nVT  expvD / nVT   3I S expVD1 / nVT 
Simplificando:
expvD / nVT   3
Tomando logaritmos
vD / nVT   ln3
vD  nVT ln 3  1 * 0,026 ln 3  28,5mV
La respuesta es:
C) vD  28,5mV
93
94
PREGUNTA
4- En el circuito de la figura adjunta se emplea realimentación negativa. Utilizar la

restricción del punto-suma (para ambos amplificadores operacionales) para obtener
 Vo1  V 
la expresión de las ganancias de tensión A1    y A2   o 2  .
 vin   vin 
A) A1  7 / 3; A2  5 / 3
B) A1  4 / 3; A2  7/3
C) A1  8 / 3; A2  7 / 3
D) A1  4 / 3; A2  8 / 3
Resolución:
Señalizando las corrientes y los nudos:
Nudo A:
vin
vin  Riin => iin 
R
iin  i1  i2
95
Nudo B:
vB  vo1
Además: vB  i1 4 R
vB  vC
Nudo C:
vo1
vC  v3 => vB  vo1  vC  v3 => vo1  v3 e i1 
4R
v3
i3 
R
v3
i4  i3 
R
Nudo D:
v3
v3  vD   Ri4   R  v3 => vD  2v3  2vo1
R
vD  i2 4 R
Cómo además:
vo 2
vD  vo 2 => vo 2  2vo1 e i2 
4R
Cómo:
iin  i1  i2 => iin  i1  i2  0
vo1 vo 2
iin   0
4R 4 R
Por lo que:
vin vo1 2vo1 1 2  3 vo1 4

  0 => vin   vo1  vo1  vo1    => A1  
R 4R 4 R 4 4  4 vin 3
4
A1  
3
96
Por otra parte como:
vo 2 2vo1 8
A2    2 A1  
vin vin 3
8
A2  
3
La respuesta es:
4 8
D) A1   ; A2  
3 3
97
98
PREGUNTA
5- Un amplificador determinado presenta una ganancia diferencial Ad  60.000 . Si

se interconectan los terminales de entrada y se les aplica una señal de 1,1 V se
genera una señal de salida de 0,11 V. ¿Cuáles son la ganancia de modo común de
amplificador y la CMRR, expresadas en dB?
I) Acm  10dB; CMRR  75dB

J) Acm  20dB; CMRR  116dB
K) Acm  20dB; CMRR  57 dB
L) Acm  30dB; CMRR  125dB
Resolución:
La ganancia en modo común del amplificador viene dada por:
Vocm 0,11
Acm    0,1
Vicm 1,1
La ganancia en modo común en decibelios viene dada por:
AcmdB  20 log Acm  20 log 0,1  20dB
AcmdB  20dB
La razón de rechazo en modo común viene dada por:
Ad
CMRRdB  20 log
Acm
Ad 6 *10 4
CMRRdB  20 log  20 log  115,56dB
Acm 0,1
La respuesta es:
B) Acm  20dB; CMRR  116dB
99
Puesto que ha de verificarse:
Ad
CMRR  20 log
Acm
Puesto que el logaritmo del cociente es igual a la diferencia de los logaritmos:
Ad
20 log  20 log Ad  20 log Acm
Acm
Dónde:
20 log Ad  20 log 60.000  95,56dB
20 log Acm  20 log 0,1  20dB
Por lo tanto:
20 log Ad  95,56    20  115,56
La única respuesta que verifica esta condición es:
B) Acm  20dB; CMRR  116dB
100
PROBLEMA 1
Se conecta un amplificador ideal de transconductancia que presenta una ganancia de

transconductancia en cortocircuito de 0,1 S, como muestra la figura adjunta.
101
6- Calcular la resistencia Rx  vx / ix vista en bornes de entrada.
A) Rx  20
B) Rx  10
C) Rx  30
D) Rx  40
Resolución:
Por otra parte al tratarse de un amplificador de transconductancia (Fuente de

corriente controlada por tensión), tenemos:
Analizando las corrientes
Nodo A:
ix  Gmscvin
Nos piden:
vx
Rx  Dónde: vx  vin
ix
Por lo tanto:
vx vin 1 1
Rx      10
ix  Gmsc vin Gmsc 0,1S
La respuesta es:
Rx  10
102
7- Recalcular si el amplificador presenta una resistencia de entrada de 1.000 Ω, una

impedancia de salida de 20 Ω y una ganancia de transresistencia en circuito abierto
de 10Ω
A) Rx  2,23
B) Rx  4,57
C) Rx  2,32
D) Rx  4,28
Resolución:
Representando el esquema del amplificador, tendríamos:
Desde el circuito podemos escribir:
vx
ii 
Ri
v x  Rmocii vx  R  Rmoc 
ix  ii  => ix   ii  o 
Ro Ro  R o 
De donde:
vx Ri ii Ri 1
Rx    
ix Ri ii  R  Rmoc  Ri  Ro  Rmoc 1 1 R
  moc
 ii  o 
Ro  Ro  Ro Ro Ro Ro Ri Ro Ri
1 1
Rx    2,227
1 1 Rmoc 1 1 10 4
   
Ro Ri Ro Ri 20 103 20 *103
103
La respuesta es:
A) Rx  2,23
104
PROBLEMA 2
La siguiente figura muestra el diagrama de circuito simplificado de un inversor

lógico:
Representación de los circuitos en estado cerrado y abierto:
105
8- Suponiendo una carga en circuito abierto, hallar VOH y VOL
A) VOH  1V ; VOL  5V
B) VOH  5V ; VOL  1V
C) VOH  7V ; VOL  4V
D) VOH  4V ; VOL  7V
Resolución:
Con el interruptor cerrado, tenemos:
R2 250
VOL  VDD  5V  1V
R1  R2 1000  250
Con el interruptor abierto, la tensión de salida es VOH = 5 V.
La respuesta es:
B) VOH  5V ; VOL  1V
106
9- Hallar el valor de t PD . Suponga un pulso de entrada que conmuta abruptamente

entre ambos niveles lógicos. Nótese que:
vo t   1  4 exp t /  
Donde  es la constante de tiempo del circuito, de 0,4ns.
A) t PD  1,38ns
B) t PD  11,3ns
C) t PD  0,83ns
D) t PD  6,12ns
Resolución:
La figura muestra la forma de onda para la transición de alto a bajo
Nos dicen que el voltaje de salida viene dado por
Vo t   1  4 exp t /  
Donde:
-  es la constante de tiempo del circuito.
- La constante de tiempo es el producto de la capacitancia y la resistencia de

Thevenin de la puerta con el interruptor cerrado.
- La resistencia de Thevenin es la combinación paralela de la 1 kΩ y 250 Ω

resistencias que es 200 Ω.
Así tenemos   RD C  200C  0, 4 ns . tPLH es el tiempo requerido en el voltaje de

salida para hacer la mitad de la transición (momento en el que tenemos V o = 3V).
Es decir:
3  1  4 exp t PHL /  
107
Resolviendo encontramos:
t PHL   ln2  0,277ns
Ecuación t PHL   RDC ln0,5  0,6931RDC , se aplica para la transición de bajo a alto
con RD = 1 kW. Así en este caso tenemos:
t PLH   RD C ln0,5  0,6931RD C  1,386ns
Finalmente tendremos:
1
t PD  t PHL  t PLH   0,832ns
2
La respuesta es:
C) t PD  0,832ns
108
10- Hallar la disipación de potencia estática si la salida está a nivel alto
A) 20 mV
B) 10 mV
C) 32 mV
D) 0 mV
Resolución:
Puesto que cuando VOH  5V la corriente es nula; es decir; I DD  0 y la potencia

disipada, viene dada por P  VDD I DD  0
- La disipación de potencia estática con la salida a nivel alto es cero.
La respuesta es:
D) 0mW
109

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2014-2015

FUNDAMENTOS DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA I

Aurelio García Marcos

PROBLEMAS DE LOS EXÁMENES DEL

Con los problemas y ejercicios originales

FEBRERO CURSO 2011-2012

1- Se conectan en cascada tres amplificadores con las siguientes características:

1. Amplificador 1: Avo1  10; Ri1  3k; Ro1  100

Calcular los parámetros del modelo simplificado del amplificador en cascada

A) Ri  3k; Ro  300; Avo  4731

1.4. Se conectan en cascada tres amplificadores con las siguientes características.

1. Amplificador 1: Avo1 =10, Ri1 =1 kΩ, Ro1 =100 Ω

Calcular los parámetros del modelo simplificado del amplificador en cascada,

Respuesta Ri =1 kΩ, Ro =300 Ω, Avo =5.357.

Planteamiento del problema:

En este tipo de problemas (amplificador en cascada), se construye un amplificador

Representando la cascada de los amplificadores dados:

La impedancia de entrada de la cascada es igual a la impedancia de entrada del

La impedancia de salida de la cascada es igual a la impedancia de salida del último

La ganancia de tensión de la cascada es igual al producto de las ganancias de cada

A) Ri  3k Ro  300 Avo  4.762

Resolución del ejercicio:

Procediendo de forma análoga tendremos:

La impedancia de entrada de la cascada es igual a la impedancia de entrada del

La impedancia de salida de la cascada es igual a la impedancia de salida del último

La ganancia de tensión de la cascada es igual al producto de las ganancias de cada

Ri  3k Ro  300 Avo  5.357

A) rd  1,17, Cdif  2037 pF

Respuesta rd  5,2 y Cdif  1920 pF .

Planteamiento del problema:

Nos piden la resistencia dinámica y la capacidad de difusión.

- La resistencia dinámica viene dada por:

- La capacidad de difusión viene dada por:

- Para la resistencia dinámica tenemos:

VT  26mV Siendo ( VT  Tensión Térmica)

I DQ  8mA ( I DQ  Corriente en el punto de trabajo)

nVT 1* 26 *10 3V

- Para la capacidad de difusión tenemos:

I DQ  8mA Siendo ( I DQ  Corriente punto de trabajo)

VT  26mV ( VT  Tensión Térmica a 300 ºK)

Sustituyendo valores en la expresión de la capacidad de difusión:

B) rd  3,25, Cdif  3077 pF

Resolución del ejercicio:

- Para la resistencia dinámica tenemos:

VT  26mV Siendo ( VT  Tensión Térmica)

I DQ  5mA ( I DQ  Corriente en el punto de trabajo)

nVT 1 * 26 *10 3V

- Para la capacidad de difusión tenemos:

 T  10ns (  T  Tiempo de transito)

I DQ  5mA Siendo ( I DQ  Corriente punto de trabajo)

VT  26mV ( VT  Tensión Térmica a 300 ºK)

Sustituyendo valores en la expresión de la capacidad de difusión:

rd  5,2, Cdif  1923 pF

3- Se está diseñando un transistor NMOS en el que iD  0,5mA cuando

Planteamiento del problema:

La relación anchura longitud viene dada por:

( KP  Constante dada por el fabricante)

Para calcular K primero hay que determinar la región de funcionamiento, y

Región Corriente Constante de corriente de drenaje