Final Darlington C Mamut

UNMSM
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica
Tema: Informe Final Darlington
Profesor: Celso Geronimo Huaman
Alumno: Sucapuca Espichan Caleb 15190154
Lima, Peru
2017
I.PROCEDIMIENTO
Realice la simulación del circuito de la figura 1.1 con el fin de hallar el punto de reposo Q así
como AV , A I , Z I , ZO . Llene las celdas correspondientes de la tabla 1.1.
Figura 1.1
Se presenta a continuación los datos teóricos
Primero analizamos en C.C
R2 20 k
V th = ∗Vcc= ∗7=4.66 V
R 1+ R 2 10 k +20 k
Rth =R 1 ∥ R 2=6.666 k
V th =I B 1 R th +V BE 1+ V BE 2 + I E 2 R E
V th−2 V BE
I C 2= =32.3 mA IC2
R th I C 1= =323.8uA
+ℜ β
β2
Para halar los V CE de cada transistor, analizamos su rama respectiva
V CC =V CE1 +0.7 +100∗32.8 mA
V CE 1=3.02V
Vcc=V CE 2+100∗32.8 mA
V CE 2=3.72V
Puntos de trabajo de cada transistor
Q 1 ( V CE1 ; I C 1 )=(3.02 ; 323.8uA )
Q 2 ( V CE2 ; I C 2 ) =(3.72 ; 32.3 mA )
Simulamos los puntos de operación de cada transistor
Punto de operación del Transistor Q1

Punto de operación del transistor Q2
Luego analizamos en C.A, suponiendo que β 1=β 2=100
26 mV
ℜ2= =0.791
32.83 mA
RB=20 k ∥ 10 k =6.666 k Ω
Con estos datos podemos hallar teóricamente AV , A I , Z I , Z O
-Ganancia de Voltaje
ℜ ∥ RL
AV = =0.97
2r e2 + ℜ∥ RL
-Ganancia de Corriente
ℜ
∗β ∗RB
ℜ+ RL 1
A I= ∗β2
RB+ β1 β 2 ( 2 r e 2+ ℜ ∥ RL)
A I =63.8
-Impedancia de Entrada
Z I =RB ∥ ( β 1 β 2 ( 2 r e2 + ℜ∥ RL ) )
Z I =6580 Ω
-Impedancia de Salida
Ri ∥ RB
ZO =( + 2r e2 )∥ ℜ∥ RL
β1 β2
ZO =1.799 Ω
La impedancia de entrada se puede hallar mediante un potenciómetro a la entrada. Cuando

este está al 65% el voltaje pico-pico, después del potenciómetro, está a la mitad. Es decir el
divisor de voltaje hace que las impedancias sean iguales, o sea la resistencia del potenciómetro
sería la misma que la impedancia de entrada.
Z I simulado =6.5 k Ω
ZO simulado=6 Ω
Ahora simulamos la ganancia de corriente
3.852 mA
A I simulado= =63.139
61.009 uA
Ahora simulamos la ganancia de voltaje
1.07 V
AV simulado= =0.955
1.12V
1. Implemente el circuito de la figura 1.1

2. Mida los puntos de reposo y llene los campos correspondientes de la tabla 1.1
V CE 1 ( V ) V CE 2 ( V ) I C 1 ( uA ) I C 2 ( uA ) AV AI ZI ZO
Valor 3.02v 3.72v 323.8uA 32.3mA 0.97 63.8 6580Ω 1.799Ω
calculado
Valor 2.911v 3.66v 254uA 33.07mA 0.955 63.1 6.5KΩ 6Ω
simulado
Valor
medido
Tabla 1.1
3. Aplicar una señal sinusoidal de 1KHz de frecuencia en la entrada del amplificador.
Varíe la amplitud de la señal hasta que se obtenga en la salida del amplificador la señal
de mayor amplitud no distorsionada.
En la simulación, cuando el voltaje pico-pico del generador alcanza 3.5 V la señal de
salida no se distorsiona.
4. Determine Z I , AV y A I , luego medir V g, V o , I f , I O. Realice la simulación respectiva.

Llene las tablas 1.2. Los valores de Z I , AV y A I colóquelos en la tabla 1.1
Voltaje Vg en CA V g simulado=707.07 mV
Vo simulado=385.153 mV
I O simulado =3.852 mA
I f simulado=61.008 uA
Vo Vg IO If
Valor 385.13 mV 707.07 mV 3.852 mA 61.008 uA
simulado
Valor medido
Tabla 1.2
II. CUESTIONARIO
1. Compare sus datos teóricos con los obtenidos en la experiencia
Los datos teóricos son muy cercanos a los simulados y a los calculados teóricamente,
salvo algunos casos. Esto se debe a que los mismos instrumentos, el ruido ambiental y
otros factores influyen en la medición.
2. Dibuje algunos esquemas prácticos en donde se encuentra la configuración
Darlington
3. ¿Qué modificaciones realizaría al circuito experimentado? ¿Por qué?
En la configuración Darlington se le podría añadir una resistencia entre el emisor del
primer transistor y la base del segundo transistor para que la capacitancia parásita que
aparece en altas frecuencias se descargue más rápidamente.
4. De acuerdo al experimento, cuáles son sus conclusiones
La configuración Darlington se utiliza para tener una ganancia de corriente
considerable, es decir amplifica notablemente la corriente de entrada respecto a la
salida. Esta configuración por ejemplo se usa en un TTL-Schootky donde necesita una
corriente de salida grande para poder activar los componentes al que está conectado.
III. OBSERVACIONES
Se recomienda tener una resistencia de carga baja, para que la amplificación de
corriente sea notable. También en esta configuración la resistencia de carga debe ser
igual a la de emisor para que la máxima transferencia de potencia se note.
En muchos casos la ganancia de corriente no saldrá igual a la simulada o calculada, ya
que muchos factores influyen en la medición. Como el ruido ambiental, el error de
medición propio de los instrumentos, etc.
IV. BIBLIOGRAFÍA
Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos (Robert L. Boylestad)

Fundamentos de circuitos eléctricos 3°Edición (Sadiku)
http://whatis.techtarget.com/definition/transistor
https://www.ecured.cu/Resistencia_el%C3%A9ctrica

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Se presenta a continuación los datos teóricos

Primero analizamos en C.C

V CC =V CE1 +0.7 +100∗32.8 mA

Puntos de trabajo de cada transistor

Q 1 ( V CE1 ; I C 1 )=(3.02 ; 323.8uA )

Q 2 ( V CE2 ; I C 2 ) =(3.72 ; 32.3 mA )

Simulamos los puntos de operación de cada transistor

Punto de operación del Transistor Q1

Luego analizamos en C.A, suponiendo que β 1=β 2=100

La impedancia de entrada se puede hallar mediante un potenciómetro a la entrada. Cuando

Ahora simulamos la ganancia de corriente

1. Implemente el circuito de la figura 1.1

4. Determine Z I , AV y A I , luego medir V g, V o , I f , I O. Realice la simulación respectiva.

Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos (Robert L. Boylestad)

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