Tesis Electronica Potencia

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL PERU
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
“ANALISIS DE UN CONTROL DE VELOCIDAD DE

MOTORES DE INDUCCION BASADO EN
CONMUTADORES DE ULTIMA GENERACION”
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TESIS
PARA OPTAR EL TITULO PROFESIONAL DE:
INGENIERO ELECTRICISTA
ALVARADO CORDOVA, LUIS ANGEL
HUANCAYO-PERU
2008
ASESOR:
Ing. Guido Arauzo Gallardo

A MIS PADRES
HERMANOS
Y DEMAS FAMILIARES
RESUMEN
El problema del control de velocidad en los motores asíncronos, solo pudo ser
posible con el gran avance tecnológico que tuvo la electrónica en las últimas
décadas. En la actualidad contamos con dispositivos que pueden manejar gran
capacidad de corriente sometidos a altas tensiones y trabajando a altas frecuencias
(del orden de los 200Khz.), con los parámetros internos mejorados de los
conmutadores estáticos hoy podemos realizar configuraciones circuitales que hace
unos cuantos años atrás nos hubiera sido imposible realizarlos.
El problema que más nos debe interesar es que los conmutadores en la
configuración circuital siempre trabajan como circuitos abiertos y circuitos
cerrados alternativamente ya sea unitariamente, de dos en dos o de tres en tres
conmutadores etc. Prácticamente se forman dos grupos antagónicos bien
marcados de conmutadores; o sea mientras un grupo están abiertos el otro está
cerrado, y por ningún motivo en un tiempo determinado a un conmutador de uno
de los grupos que le toca estar abierto se encuentre cerrado, se originaría un corto
circuito severo inmediatamente, destruyéndose inmediatamente todo el sistema de
potencia. Es por esta razón que para evitar lo dicho líneas arriba se ha usado se
usa y se seguirá usando la técnica llamada modulación por ancho de pulsos
(PWM), mientras no se encuentre otra técnica que supere y sea de diseño más
fácil. En ésta tesis se trata de analizar y explicar de una forma fácil la filosofía del
funcionamiento de la modulación por ancho de pulsos con dispositivos estáticos
existentes en el mercado. Y para esto se ha dividido la Tesis en tres capítulos :

El primer capítulo se hace mención a los conmutadores de última generación; en
el segundo capítulo se estudian los métodos para controlar la velocidad de un
motor de inducción, finalmente en el último capítulo se analiza la modulación de
ancho de impulso (pwm).
A.C.L.A.
INTRODUCCION
Desde la aparición de los motores eléctricos los investigadores, tanto de
los sistemas electromagnéticos como de la electrónica de control, han
trabajado en el desarrollo de sistemas complejos que proporcionen el par
mecánico deseado a la velocidad necesaria con el mínimo coste y la mayor
sencillez desde el punto de vista del mantenimiento posterior.
Desde el comienzo el motor que proporciona las mejores prestaciones
desde el punto de vista mecánico es el motor de corriente continua (CC).
Este dispositivo permite una sencilla variación de la velocidad de giro
mediante la variación de la tensión de alimentación, al mismo tiempo que
garantiza la posibilidad de modificar el par electromagnético generado
modificando la corriente de alimentación del rotor en los sistemas de
excitación independiente.
De esta forma se garantiza un funcionamiento a “par constante” en todo el
rango de velocidades para el que se diseñaba el dispositivo, pudiendo
trabajar en modo de “potencia constante” a velocidades superiores a la
nominal. El principal inconveniente de este tipo de motor está originado
por el relativamente alto coste de mantenimiento que presenta al necesitar
un sistema de escobillas con el fin de introducir la corriente de excitación
del rotor.
Los motores asíncronos de jaula de ardilla, por el contrario, presentan un
menor coste de mantenimiento y una mayor vida útil del sistema a costa de
empeorar sus características electromecánicas dado que, aunque no
precisan introducir de forma externa alimentación en el rotor, presentan en

caso de ser alimentados mediante un sistema trifásico de tensiones una
curva fija par velocidad, por lo que únicamente trabajan de forma óptima
en un restringido rango de velocidades de giro.
Con el fin de sustituir el empleo de los motores de corriente continua, se
ha desarrollado un gran abanico de posibles soluciones tanto mecánicas
como electrónicas. Una de las más empleadas durante los últimos 20 años
consiste en modificar las tensiones y corrientes de alimentación de la
máquina mediante un dispositivo electrónico operando en modo
conmutación. La unión del motor de inducción con el regulador tensión-
frecuencia variable ha impulsado la sustitución del motor de corriente
continua en un gran número de aplicaciones. Sin embargo hoy en día
todavía existen aplicaciones en las que únicamente el desarrollo de
convertidores de muy bajo coste permitirá la sustitución del motor CC.
Con el fin de controlar el coste final del convertidor tensión frecuencia
variable es necesario, por un lado, mejorar las metodologías de diseño de
los mismos con el fin de aprovechar todos los avances tecnológicos que
ofrecen los fabricantes de sistemas electrónicos de potencia. Por otro lado
es necesario estudiar profundamente la problemática de la emisión
electromagnética de los convertidores.
Durante los últimos años, están proliferando dispositivos electrónicos que
durante su funcionamiento normal, emiten radiaciones electromagnéticas
que pueden interferir con el funcionamiento normal de otros sistemas
conectados a las mismas líneas de alimentación o situados en las cercanías
de los emisores.
INDICE
DEDICATORIA
RESUMEN
INTRODUCCION
INDICE
CAPITULO 1
CONMUTADORES DE ÚLTIMA GENERACIÓN
1.1 Desarrollo de los componentes electrónicos 14
1.2 Generalidades 17
1.3 Estructura de los sistemas electrónicos de potencia 19
1.4 Aplicaciones de la electrónica de potencia 22
1.5 Diodos semiconductores de potencia 23
1.5.1 Parámetros de interés en diodos para aplicaciones de potencia 25
1.5.2 Tipos de diodos 26
1.6 Encapsulados 26
1.6.1 Radiadores de calor 30
1.7 Los tiristores 30
1.7.1 Constitución y funcionamiento 32
1.8 Tipos de tiristores 34
1.9 Activación del tiristor 38
1.9.1 Conmutación de tiristores 39
1.9.2 Otros tipos de tiristores 40
1.10 Aplicaciones de los tiristores 43
1.11 Transistores de potencia 48

1.12 Transistores Bipolares 48
1.13 Mosfet de potencia 53
1.13.1 Funcionamiento 53
1.13.2 Curvas características 55
1.14 Los IGBT 58
1.14.1 Estructura y funcionamiento 60
1.15 Interruptores y reles estáticos 62
1.15.1 Generalidades 62
1.15.2 Interruptores monofásicos 63
1.15.3 Interruptores de corriente continua 65
1.15.4 Relés de estado sólido 67
CAPÍTULO 2
MÉTODOS PARA CONTROLAR LA VELOCIDAD DE UN
MOTOR DE INDUCCIÓN
2.1 Control clásico de la velocidad de giro del motor 70
2.2 Modificación del número de polos de la máquina 71
2.3 Variación de la resistencia del secundario 74
2.4 Variación de la tensión de alimentación 76
2.5 Técnica de la concatenación 77
2.6 Otros sistemas concatenados 78
2.7 Variación de la tensión y la frecuencia de alimentación 80
2.8 Control de velocidad empleando convertidores estáticos 83
2.9 Cicloconvertidores 86
2.10 Convertidores MATRIX 92

CAPÍTULO 3
MODULACIÓN DE ANCHO DE IMPULSO
3.1 Fundamento teórico 93
3.2 Recomendaciones para los valores MA y MF 98
3.3 Control de onda cuadrada 100
3.4 Inversores monofásicos en configuración de puente completo 101
3.4.1 Control PWM Bipolar 103
3.4.2 Control PWM Unipolar 103
3.4.3 Control por desplazamiento de fase 104
3.5 Inversores Trifásicos 106
3.5.1 Inversores trifásicos con control PWM 107
3.5.2 Amplitudes normalizadas de los armónicos mas relevantes 109
3.5.3 Sobremodulación 110
CONCLUSIONES
RECOMENDACIONES
BIBLIOGRAFIA
ANEXOS
CONCLUSIONES
1. Con el fin de variar la velocidad de giro del motor es posible emplear dos
técnicas diferentes, una de ellas consiste en variar la velocidad de giro del
campo magnético generado en el estator. La segunda de ellas se basa en
modificar el deslizamiento del motor.
2. En una máquina de inducción, para una carga determinada, la
disminución de la tensión de alimentación reducirá el par
electromagnético desarrollado por el motor con el cuadrado de la
reducción de la tensión lo cual se traducirá directamente en un aumento
del deslizamiento.
3. Al método de control por variación de la resistencia del secundario
Debido a que la velocidad y el deslizamiento de un motor de inducción
de rotor bobinado son proporcionales a la resistencia del rotor, a este
sistema para el control de la velocidad y para la limitación de la corriente
transitoria de arranque se denomina a veces control de deslizamiento.
4. En el método de variación de la tensión de alimentación debido a la
incapacidad en este tipo de sistema para la variación de la velocidad de
alcanzar el par nominal de la máquina, a pesar de que permite modificar
la velocidad de la máquina hasta cierto punto, únicamente resultará útil
en aquellos sistemas que trabajan normalmente parcialmente cargados o
con cargas mecánicas cuya característica par-velocidad se decremente
notablemente al disminuir la velocidad de giro.
5. La concatenación de máquinas posee la ventaja de permitir variaciones
de velocidad más amplias y suaves que en los motores de inducción por

debajo de las velocidades síncronas si se compara con la variación del
número de polos y el control de deslizamiento mediante resistencia
secundaria.
RECOMENDACIONES
1. Se recomienda en caso de reducir la frecuencia de alimentación un 10 %,
será necesario reducir la tensión aplicada al sistema otro 10 % para
mantener el flujo dentro de la máquina más o menos constante. Este tipo
de control permite variar la velocidad de giro de la máquina al mismo
tiempo que aumenta sus prestaciones equiparándola a la máquina de
corriente continua en la que par y velocidad se pueden considerar
desacoplados, ya que el par se controla con la corriente mientras que la
velocidad se controla con la tensión aplicada.
2. Se recomienda el control de onda cuadrada, porque una de las ventajas de
esta forma de onda, es que los interruptores están en estado saturado una
sola vez por ciclo, lo cual resulta particularmente importante en el caso
de tener alta potencia; en estos casos, se impone la utilización de IGBTs,
los cuales tienen un tiempo de apagado y encendido relativamente altos.
3. Se recomienda investigar más para el caso de los inversores de potencia,
cuando se aprovecha la señal resultante (PWM) de dicha comparación
para excitar los transistores que forman la topología, de forma que en los
instantes en que la señal resultante de la comparación esta en estado alto,
el interruptor T+ esta cerrado, y cuando esta es negativa, es T- el que está
saturado.
4. Se recomienda antes de hacer uso de los dispositivos electrónicos de
potencia, fijarse correctamente en los datos del fabricante en cuanto se
refiere a capacidades de corriente, niveles de tensión, frecuencia de
trabajo, niveles de potencia, tiempos de recuperación, tiempos de

establecimiento, recuperación, tiempos de conexión y desconexión del
dispositivo, capacidades interiores, etc.

BIBLIOGRAFÍA
1. ALVAREZ LOPEZ, EDMUNDO “Formas de modelar motores
trifásicos”. Hispano Europea, Indianápolis EEUU. 2,000
2. BARRANTES ALMONACID, ROBERTO. “Tratamiento de los
convertidores electrónicos” International Editores, México. 1,998
3. BADEMEAU FONTIER, ELVIS “Diseño y aplicación de los
Variadores electrónicos” Limusa, México. 2,001
4. MALONEY TIMOTHY JHON.”Electrónica industrial moderna”.
International Editores, México. 2,002
5. EGUSQUIZA TORREALVA JUAN ALBERTO “Tratamiento de las
pérdidas en los accionamientos electrónicos” Prentice Hall, México,
1999
6. HUFFMAN TH. ELVIS. “The Design and use of Hazard – free
Switching networks” Prentice Hall, New York. 2,003
7. SANTANA TINOCO, MARIO. “Convertidores Electrónicos de
Energía” Prentice Hall, New York. 2,003.
8. Juan Díaz Gonzáles “Inversores PWM” Tecnología Electrónica,
España, 1,998
ANEXOS
ANEXO 1
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA

ANEXO 2
(a)
(b)
ANEXO 3
AMPLITUDES NORMALIZADAS DE LOS DISTINTOS
ARMÓNICOS (Vs)h/(Ve/2)
ANEXO 4
TENSIÓN EN LA CARGA (SUPERIOR) Y TENSIONES ENTRE LOS

PUNTOS A Y MASA Y B Y MASA. RESPECTO A LA FIGURA 3.4
ANEXO 5
Amplitudes de los distintos armónicos, en función del parámetro α

ANEXO 6
Valores eficaces normalizados de los distintos armónicos

CAPITULO 1
CONMUTADORES DE ÚLTIMA GENERACIÓN
1.1 DESARROLLO DE LOS COMPONENTES ELECTRONICOS

La electrónica de potencia, que trata sobre la conversión y el control de la
energía eléctrica, ha permitido grandes avances en la regulación de las
máquinas eléctricas, tanto en lo que se refiere a generadores como a
motores. Se puede decir que la electrónica de potencia comienza en 1903
cuando Cooper-Hewitt, trabajando con lámparas de vapor de mercurio,
descubre el efecto rectificador de las mismas y su utilización para la c.a. en
c.c.; más tarde, en 1908, el alemán Schäefer construye rectificadores de
vapor de mercurio, con envoltura metálica, que permitirán rectificar
potencias más elevadas. Aunque durante los dos decenios siguientes se
desarrollan diferentes tipos de rectificadores metálicos y mecánicos (en
1923 Presser inventa el rectificador de selenio y en 1925 Grondahl
descubre el rectificador de óxido de cobre), solamente se utilizan en
pequeñas potencias y no pueden por ello competir con los rectificadores de
vapor de mercurio, en la conversión de grandes potencias.
La rectificación o conversión de la c.a. a c.c. era y es necesaria para
aquellas aplicaciones en las que el proceso productivo requiere c.c., tal es

el caso, como ya es sabido, en los procesos electroquímicos y en la
tracción eléctrica.
En 1928 aparece el tiratrón y el rectificador de vapor de mercurio
controlado (ignitrón), que permite regular la c.c. que produce el
rectificador, haciendo posible la sustitución de los grupos Ward – Leonard
rotativos por convertidores estáticos. En la década de 1930–40 se
establecen claramente los principios de funcionamiento de los inversores
(convertidores estáticos c.c – c.a) por Prince, Fitzgerald, Henderson y
Sabbah y los cicloconvertidores (convertidores de c.a a c.a de diferente
frecuencia sin efectuar el paso intermedio de la c.c.) por el ruso Rissik, que
se utilizaron en algunos ferrocarriles europeos en tracción eléctrica
monofásica con motores de c.a. de colector a una frecuencia de 16 2/3 Hz.
En 23 de Diciembre de 1947, los científicos John Bardeen y Walter H.
Brattain, de los Laboratorios de la Bell Telephone de E.E.U.U. descubren
el transistor de unión, cuya teoría de funcionamiento es desarrollada por
William Shockley, asentando la base de la electrónica de semiconductores
que se irá desarrollando más adelante. En la década de 1950 se empiezan a
construir rectificadores de estado sólido, a base de silicio, que fueron
sustituyendo progresivamente a los rectificadores de vapor de mercurio
para potencias pequeñas y medias.
La verdadera revolución en la electrónica de potencia comienza con el
descubrimiento en 1956 del tiristor o SCR (semiconductor controlled
rectifier) por J. L. Moll de los Laboratorios Bell, que comercializó la
Compañía General Electric a comienzos de 1958.
15
A partir del tiristor, que permite la rectificación controlada en forma de
regulador de fase, se desarrollan otros dispositivos tales como el triac
(bidirectional triode thyristor), el LASCR o SCR activado por luz (Light
activated silicon controlled rectifier), el diac (bidirectional diode thyristor),
y otros como el transistor uniunión UJT (unijunction transistor), el PUT
(programmable unijunction transistor), etc. A partir de 1960 las potencias
de estos dispositivos controlados de silicio van aumentando, por lo que
poco a poco se van imponiendo en la regulación de todo tipo de máquinas
eléctricas.
Los componentes modernos más importantes, que se utilizan en la
regulación de máquinas eléctricas son: los GTO (gate turn-off thyristor, es
decir, tiristores de apagado por puerta), los IGBT (insulated gate bipolar
transistor, o transistor bipolar de puerta aislada) que son transistores que
combinan las ventajas de los tipo bipolar y los de tecnología MOSFET
(metal – óxido semiconductor y de efecto de campo). En 1988 la General
Electric anuncia un dispositivo denominado MCT (MOS controlled
thyristor o tiristor controlado MOS) al que los técnicos auguran un gran
futuro en las aplicaciones para el control de velocidad de máquinas
eléctricas.
Aparte de los desarrollos de componentes electrónicos de alta potencia,
conviene destacar otros dispositivos y técnicas electrónicas que
intervienen en los lazos de regulación de máquinas y cuya génesis
descansa en el descubrimiento del circuito integrado. En el año 1971 la
empresa americana Intel construye el primer microprocesador del mundo
16
(el 4004), que se llamó entonces “ordenador microprogramable en un
chip” y más tarde, en 1972, se le da el nombre definitivo de
microprocesador.
La electrónica de potencia requiere una formación multidisciplinar en
áreas tan diversas como: dispositivos semiconductores, circuitos
convertidores, máquinas eléctricas, electrónica analógica y digital, teoría
del control, diseño asistido por ordenador y microprocesadores.
1.2 GENERALIDADES
La electrónica de potencia trata sobre la utilización de la electrónica de
estado sólido en el control, conmutación y conversión de energía eléctrica
para aplicaciones de potencia, Estas últimas abarcan, desde equipos
domésticos hasta sistemas espaciales, pasando por sistemas de
transmisión, distribución y conversión de potencia AC y DC, consoladores
de velocidad de motores eléctricos, fuentes de alimentación ininterrumpida
(UPS), etc.
En otras palabras, la electrónica de potencia combina la fuerza de los
sistemas eléctricos con las habilidades del control automático y la
capacidad de procesamiento de señales de los dispositivos y circuitos
electrónicos de estado sólido, sirviendo de enlace entre las fuentes de
energía y las cargas. Se trata pues, de una ciencia interdisciplina en la cual
convergen varias tecnologías, como se ilustra en la figura 1.1. Todas ellas
intervienen, total o parcialmente, en el diseño de cualquier equipo
electrónico de potencia.
17
La electrónica de potencia aprovecha las propiedades de conmutación
inherentes de los semiconductores de potencia, las cuales son muy
superiores a las de sus contrapartes electromecánicas. Los mismos, que se
examinan en detalle en esta sección de la tesis, son más rápidos, eficientes,
confiables, económicos, livianos y compactos, y tienen una mayor
disponibilidad y vida útil. Además, se prestan a la integración y pueden ser
fácilmente controlados desde todo tipo de dispositivos, circuitos y sistemas
digitales.
Diseño asistido por

computadora (CAD)
Técnicas, analogías y Dispositivos

digitales semiconductores de potencia
Control por PC Electrónica de Tecnología de

uC o uP potencia convertidores
Teoría de Control Maquinas eléctricas
Circuitos VLSI
Figura 1.1 Naturaleza interdisciplinaria de la electrónica de potencia
Adicionalmente con los notables avances en los campos de la
microelectrónica y los semiconductores de potencia, muchos problemas
que antes eran imposibles de tratar por otros métodos, encuentran ahora
una solución fácil y conveniente. La fusión de la micro-electrónica con la
electrónica de potencia ha permitido también ejecutar y vislumbrar
muchas aplicaciones reales y potenciales completamente nuevas. Cada vez
18
más la electrónica de potencia condiciona la forma como el hombre
moderno produce, transporta, distribuye y utiliza la electricidad. Esto nos
reconfirma el liderazgo de la electrónica en todos los campos de la
actividad humana. Se puede decir que la electrónica de potencia toma
ventaja de las características de conmutación inherentes a los diodos,
tiristores transistores y otros tipos de semiconductores de potencia.
1.3 ESTRUCTURA DE LOS SISTEMAS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA
Los equipos electrónicos de potencia, como se mencionó anteriormente,
constituyen el enlace fundamental entre los sistemas generadores de
potencia y las cargas, (Ver figura 1.2)1. Los mismos constan de una parte
de potencia y una parte de control. La sección de potencia convierte la
energía de la fuente a la forma requerida por la carga. Está compuesta
primariamente por dispositivos semiconductores de potencia tales como
diodos, tiristores. transistores y circuitos integrados de potencia, (Ver
ANEXO 1).
Figura 1.2 Estructura general de un sistema electrónico da potencia
1
BARRANTES ALMONACID, ROBERTO. “Tratamiento de los convertidores electrónicos”
pag. 54
19
La sección de control se encarga de producir las señales necesarias para
gobernar la sección de potencia en la forma deseada. También desarrolla
funciones auxiliares de protección, señalización, etc. La misma utiliza
dispositivos discretos pasivos y activos, circuitos integrados,
microcontroladores, y otros tipos de componentes que funcionan con bajos
niveles de potencia.
Los principales tipos de dispositivos semiconductores de potencia
utilizados en la actualidad son los diodos de potencia, los tiristores, los
transistores bipolares de potencia (BJT), los MOSFET de potencia, los
transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y los transistores de
inducción estáticos (SIT). Dentro de cada una de estas categorías existen
sus propias variantes.
Los convertidores de potencia, a su vez, estudian bloques funcionales se
representan en la figura 1.3, pueden ser básicamente de cinco tipos:
rectificadores (AC/DC), inversores (DC/AC), reguladores DC (DC/DC),
reguladores A.C (AC/AC) e interruptores estáticos. Un caso particular son
los cicloconvertidores los cuales convierten potencia AC de una frecuencia
a otra.
Los convertidores pueden ser también clasificados de acuerdo a la manera
como se realiza la conmutación o cambio de estado de sus
semiconductores de potencia. Desde este punto de vista se habla de
convertidores de conmutación por línea, forzada o por carga, dependiendo
de si el voltaje de desconexión lo proporciona la fuente primaria de
alimentación, una fuente de potencia auxiliar o la propia carga. La
20
conmutación por línea se denomina también conmutación natural.
Nuevamente, dentro de cada una estas categorías existen sus propias
variantes.
Figura 1.3 Acción básica y simbología de los convertidores

estáticos de potencia
Por ejemplo, la conmutación forzada de un tiristor se puede lograr de siete
formas diferentes, denominadas: (a) autoconmutación. (b) conmutación
por impulso, (c) conmutación por pulso resonante, (d) conmutación
complementaria, (e) conmutación por pulso externo, (f) conmutación del
lado de la carga y (g) conmutación del lado de la línea. Los detalles
inherentes a cada caso serán tratados en los capítulos pertinentes.
El modo de conmutación es muy importante debido a que define la manera
como se transfiere la potencia de un dispositivo de potencia a otro dentro
de un convertidor. Si se ignora, pueden ocurrir traslapamientos,
cortocircuitos, sobrecargas y otros inconvenientes.
21
1.4 APLICACIONES DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Los sistemas electrónicos de potencia ocupan un lugar importante en la
tecnología moderna. Sus aplicaciones son virtualmente ilimitadas, puesto
que en la mayoría de los casos se requiere la conversión controlada de la
energía eléctrica para satisfacer condiciones y necesidades de
funcionamiento específicas. Las siguientes son algunas áreas claves de
aplicación:
 Fuentes de alimentaciones estándar y especiales desde fracciones de
vatio hasta varios megavatios. Dentro de esta categoría, ocupan un
lugar muy importante las fuentes de potencia conmutadas o SMPS
(switched mode power supplies), utilizadas extensivamente en
computadoras, televisores y otros tipos de productos electrónicos, así
como en la sección de control de muchos sistemas electrónicos de
potencia.
 Fuentes de potencia ininterrumpida o UPS (uninterruptible power
supplies) desde cientos de vados hasta cientos de kilovatios. Estos
equipos son ampliamente utilizados en sistemas de cómputo y
comunicaciones, así como en hospitales y otras situaciones donde no
se pueden tolerar las perturbaciones usuales en las líneas de potencia
ac públicas.
 Sistemas de transmisión DC de alto voltaje o HVDC (high voltaje
direct current).
 Filtros activos de potencia y sistemas de compensación de potencia
reactiva.
22
 Sistemas de acondicionamiento de potencia.
 Sistemas de calentamiento inductivo y controles de luz temperatura,
etc.
 Drives industriales de motores AC y DC. Este tipo de sistemas,
convierten energía eléctrica en alguna forma de energía mecánica
controlada con el fin de satisfacer requisitos específicos de la carga;
por ejemplo, el control de la velocidad de un tren de laminación, el
control de la posición de un brazo robótico o el control del torque de
una bobinadora.
 La electrónica de potencia juega también un papel muy importante en
la investigación y desarrollo de fuentes de energía alternativas libres
de polución. Actualmente, la mayor parte de la energía eléctrica
utilizada en el mundo es general da desde plantas alimentadas por
combustibles fósiles, lo cual trae consecuencias graves para el medio
ambiente. El empleo de fuentes alternativas, basadas por ejemplo en
el uso de la energía solar proporciona una solución limpia. La
electrónica de potencia interviene en estos procesos para racionalizar
el consumo y garantizan un uso mas enciente de la energía eléctrica
producida.
1.5 DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Un diodo funciona como una puerta de una sola vía, a fin de llevar a cabo
varias funciones, como la de interruptores en los rectificadores, Inversión
de carga de condensadores y transferencia de energía entre componentes.
Analicemos ahora sus principales características y aplicaciones.
23
Los diodos de potencia son similares, en cuanto a funcionamiento, a los
diodos de señal de unión pn. Sin embargo, los diodos de potencia tienen
mayores capacidades en el manejo de la energía, del voltaje y la corriente,
que los diodos de señal ordinarios.
Su respuesta a la frecuencia (o velocidad de conmutación) es baja en
comparación con los diodos de señal. Al igual que en estos últimos,
cuando el potencial del ánodo es positivo con respecto al cátodo, se dice
que tiene polarización directa o positiva y el diodo conduce presentando
una pequeña caída de voltaje a través de él, figura 1.4. El diodo conduce si
el voltaje aplicado es mayor que un valor específico denominado voltaje
de umbral, de corte o de activación, el cual típicamente es de 0.7V.
Cuando el potencial del cátodo es positivo con respecto al ánodo, se dice
que el diodo tiene polarización inversa. En esta condición fluye una
pequeña corriente inversa (corriente de fuga) en el rango de los micro o
miliamperios, cuya magnitud crece lentamente en función del voltaje
inverso, hasta llegar a un voltaje de avalancha o zener.
Figura 1.4 Simbolo de la Unión PN y del Diodo
Si el voltaje inverso es alto, por lo general mayor de 1000 V. supera un
voltaje específico conocido como voltaje de ruptura. En este punto la
corriente inversa aumenta rápidamente, pero el dispositivo no se destruirá
24
siempre y cuando la disipación de potencia esté dentro del "nivel seguro"
especificado en la hoja de datos del fabricante (Ver figura 1.5).
Figura 1.5 Característica V- I del diodo
A menudo es necesario limitar la comente inversa, en la región ele ruptura,
a fin de mantener la disipación de la energía dentro de los valores
permisibles.
Cuando un diodo está en modo de conducción directa y su corriente se
reduce a cero (debido al comportamiento natural del circuito del diodo o a
la aplicación de un voltaje inverso), el diodo continúa conduciendo por un
corto período de tiempo denominado: tiempo de recuperación inversa.
En el apagado del diodo, una vez que el diodo se ha polarizado en inversa,
la corriente circula durante algún tiempo antes de hacerse cero. Este
tiempo se denomina Tiempo de Recuperación Inversa trr y generalmente es
menor de 1 μs por lo que en principio sólo puede dar problemas en
aplicaciones de alta frecuencia.
1.5.1 PÁRAMETROS DE INTERÉS EN DIODOS PARA

APLICACIONES DE POTENCIA
 Corriente máxima en conducción.
 Capacidad de bloqueo de tensiones inversas.
25
 Caída de tensión en conducción.
 Tiempos de recuperación inversa.
1.5.2 TIPOS DE DIODOS
•Schottky
o Se usan cuando se desea una pequeña caída de tensión en
conducción (unos 0.3V).
o En contrapartida, presentan escasas capacidades de bloqueo
(50-100V).
Diodos de recuperación rápida
o Se usan en circuitos de alta frecuencia.
o Presentan bajos tiempos de recuperación inversa.
Diodos de frecuencia de línea
o Se diseñan para trabajar a 50-60 Hz, por lo que el trr no es
importante.
o Presentan muy buenas capacidades de bloqueo de tensiones
inversas (llegan hasta algunos kilovoltios).
o Presentan buenas capacidades de conducción (llegan hasta
algunos kiloamperios)
o Pueden conectarse en paralelo para mejorar aún más las
capacidades de conducción y bloqueo.
1.6 ENCAPSULADOS
Mientras que para los diodos de baja y media potencia se emplea el
plástico como material del encapsulado (hasta un límite de 1 vatio,
aproximadamente), por encima de este valor se hace necesario un
26
encapsulado metálico, y en potencias elevadas deberá estar la cápsula
preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador o
disipador de calor, por medio de un sistema de sujeción, consistente en dar
al cátodo la forma de cilindro roscado. De esta manera, el diodo puede ser
atornillado sobre el radiador (Ver figura 1.6).
Figura 1.6 Diodo rectificador de alta potencia. La configuración de

su cápsula permite que pueda montarse sobre un radiador
En otros casos, la sujeción se realiza mediante una placa atornillada al
radiador, que presiona la base del diodo (cátodo) sobre el mismo, logrando
una buena fijación y un contacto eléctrico adecuado. Otra variante consiste
en la utilización de diodos tipo "press-pak", que son dispositivos en forma
de cilindro con dos caras planas, correspondientes a sus dos terminales:
cada una de las cuales tiene un pequeño alojamiento cilíndrico en su
centro. La sujeción se realiza introduciéndolo a presión entre dos
"mordazas", dotadas cada una de ellas de un pivote de referencia que se
aloja en el agujero correspondiente de la cara del diodo. Cuando los diodos
"press-pak" son para grandes intensidades (que es el caso más frecuente de
aplicación de dicho encapsulado) las mordazas de sujeción suelen ser
huecas, permitiendo la circulación de agua de refrigeración. La entrada se
27
realiza por un racor exterior, que se conecta en una goma o tubo plástico,
saliendo el líquido por otro racor similar. En la figura 1.7 se puede ver un
montaje muy utilizado, consta de dos diodos ''press-pak" refrigerados por
agua. La entrada se realiza por los extremos, mientras que la salida es
común a ambos y tiene lugar en el racor central.
Figura 1.7 Conjunto de dos diodos “pess – pak” con sus mordazas
de sujeción. Este montaje está preparado para ser
refrigerado por agua.
En determinadas aplicaciones, el diodo está dotado de un kit de montaje,
consistente en una tuerca, vanas arandelas, una placa-terminal, dos
arandelas de mica y un separador de teflón que sirve para fijar el diodo al
radiador cuando éste no es lo suficientemente grueso como para poderlo
roscar. Se puede afirmar que para intensidades comprendidas entre 5 y 40
A (con tensiones inversas de 50 a l 200 v), los diodos son del tipo ánodo
rígido y encapsulados: 120. 123. 125 ó 126 (referencias de General
Electric), (Ver figura 1.8). Para intensidades elevadas, en la gama que va
de 100 a 275 A (con tensiones inversas de 50 a 1200 V), los diodos son de
ánodo flexible y encapsulados: 127. 128 ó 129 de la misma firma, (Ver
figura.1.9).
28
Figura 1.82 Diferentes encapsulados correspondientes a diodos de
silicio de corriente media.
Y. por último, en la gama más alta, es decir, la comprendida entre 400 y
1500 A (con tensiones inversas de 100 a 3 000 V), los diodos pertenecen
al tipo "press-pak" ya mencionado, en dos variedades de encapsulado: la
109.1 y la 182, (Ver figura 1.10).
127
128
129
Figura 1.9 Encapsulados de ánodo flexible correspondientes a

diodos de silicio de corriente elevada
2
BADEMEAU FONTIER, ELVIS “Diseño y aplicación de los Variadores electrónicos” pag.
32
29
109.1 182
Figura 1.103 Encapsulado tipo “Press-pak” de diodos de silicio para

la gama más elevada de corriente
1.5.1 RADIADORES DE CALOR
El radiador o disipador de calor es un complemento imprescindible
para el montaje y utilización de diodos y otros componentes de
potencia, debido a que los mismos necesitan entregar al ambiente
una determinada cantidad de potencia, en forma de calor.
Cuando la disipación de potencia de un componente llega a ser tan
elevada como para poder producir daños internos a su estructura, es
necesario montarlo sobre un disipador adecuado que facilite su
refrigeración, evitando que se alcance una Temperatura peligrosa. De
la misma forma, a veces existen bloques de diodos montados sobre
conjuntos estancos, cuyas potencias de disipación son tan elevadas
que se hace imprescindible la refrigeración forzada a base de un
ventilador que acelere la evacuación de calor.
1.7 LOS TIRISTORES
Los tiristores han revolucionado notablemente la forma de controlar y
manejar potencia en electrónica. Analicemos su funcionamiento,
3
33
30
características y los miembros más representativos de esta familia de
semiconductores.
Los tiristores en general, son dispositivos semiconductores formados por
cuatro o más capas alternadas de materiales tipo N y P que producen, por
retroalimentación interna, un efecto de enganche o enclavamiento. el cual
los hace extremadamente útiles en aplicaciones de conmutación y de
control de potencia.
Un tiristor es un componente cuya principal aplicación es la de servir
como interruptor accionado eléctricamente. Por lo general cuentan con tres
terminales, figura 1.11, llamados la compuerta, el ánodo y el cátodo; entre
los dos últimos se conecta el circuito a controlar como interruptor,
mientras que el terminal de compuerta sirve generalmente para hacer
posible la iniciación del paso de corriente. Al iniciarse el paso de corriente,
el voltaje en el circuito del tiristor baja inmediatamente a un valor
denominado voltaje de paso o de conducción que puede estar cercano a 1
voltio. Una vez iniciado el paso de la corriente, éste se mantiene a menos
que se tome alguna medida, la cual principalmente consiste en disminuir
su intensidad por debajo de un valor denominado corriente de
mantenimiento.
Comparado con un interruptor electromecánico, un tiristor tiene una vida
útil muy larga puede operar a muy altas velocidades, no genera chispas,
trabaja silenciosamente, y es insensible a la gravedad y a las vibraciones.
Además, una vez disparado, su resistencia de conducción es muy baja.
31
Figura 1.11 Simbología típico del tiristor.
1.7.1 CONSTITUCIÓN Y FUNCIONAMIENTO
Un tiristor está formado por la unión de cuatro costales, según la
secuencia P-N-P-N. Al terminal conectado al cristal P de un extremo
se le denomina ánodo y al terminal conectado al cristal N del otro
extremo se le denomina cátodo.
Para explicar su funcionamiento se puede hacer una analogía con un
modelo de tres diodos, figura 1.12, denominados DI. D2 y D3, donde
D l y D3 están ubicados en el mismo sentido. Cuando a un tiristor se
le aplica un voltaje variable entre el ánodo y el cátodo, al aumentar el
voltaje positivo del ánodo, el tiristor permite un pequeño paso de
corriente, debido a que el diodo D2 está en polarización inversa y por
lo tanto la corriente resultante será muy cercana a la corriente inversa
de D2. Este proceso corresponde al tramo 1-2 de la curva
característica del tiristor.
Si se continúa aumentando el voltaje aplicado hasta llegar a Vd
(voltaje de disparo), el diodo D2 entra a su región de avalancha,
punto en el cual la corriente ya no es controlada por el voltaje
aplicado, sino por la resistencia exterior R y las resistencias internas
de los diodos DI y D3. Es por esto que una vez alcanzado el valor
32
Vd. el voltaje cae bruscamente y la corriente alcanza el valor Iq con
lo que el tiristor conduce, sin que esta corriente pueda ya ser
controlada con el voltaje aplicado.
Figura 1.12 Modelo de tiristor y curva de funcionamiento
El punto 3 de la curva V-I del tiristor es Vf (voltaje de funcionamiento)
que es el valor en voltios de la caída de tensión en los diodos D1 y D3,
conjuntamente. Debido a que una vez disparado el tiristor no existe ningún
control sobre éste, se debe definir algún procedimiento de bloqueo. Este
procedimiento consiste en aplicar entre ánodo y cátodo una tensión inversa
(con el negativo sobre el ánodo y el positivo sobre el cátodo). El voltaje
inverso podrá, acto seguido, ser desconectado y el tiristor se mantendrá en
su nuevo estado.
Todo lo relacionado con materiales y tipos de encapsulado fijación,
radiadores y kits de montaje, es similar a lo que se indicó anteriormente
para los diodos de potencia. La única diferencia es que este componente
dispone de tres terminales en lugar ele los dos del diodo. Además, cuando
uno de los electrodos va roscado, en el diodo se trata del cátodo y en el
tiristor es el ánodo.
33
Para intensidades comprendidas entre 7.5 y 110 A (con voltajes inversos
de 25 a 1,300V) los tiristores son del tipo de cátodo rígido: para
intensidades elevadas, en el rango de 180 a 470 A (y tensiones inversas de
25 a 1, 700 V) los tiristores son de cátodo flexible y por último, la gama
más alta que está entre 850 y l, 400 A (tensiones inversas de 100 a 1,700
V), los tiristores pertenecen al tipo press pak ya mencionados
anteriormente.
1.8 TIPOS DE TIRISTORES
Según la construcción física y la metodología de activación-desactivación,
los tiristores pueden clasificarse en varias categorías.
1. Tiristores de control de fase (SCR). Este dispositivo es muy
utilizado como interruptor de potencia, pudiendo conmutar
corrientes desde 1 hasta más de 2 500 A. Posee un tercer
terminal llamado compuerta (gete) al cual normalmente se
referencia con la letra G y que actúa como un terminal de control
de disparo del mismo.
i. Cuando en un tiristor de este tipo se ha producido el disparo
por corriente de compuerta, ya no es necesario que esa
corriente se mantenga. Por el contrario, si esa corriente se
mantiene puede causar daños en los diodos internos ya que
ella se suma con la corriente del ánodo, figura 1.13.
ii. Entre mayor sea la corriente de compuerta IG menor será el
voltaje de disparo Vd Esto quiere decir que si en un SCR se
polariza positivamente la compuerta con respecto al cátodo,
34
el voltaje de disparo disminuye, entre mas grande sea dicho
voltaje.
Figura 1.13 Símbolo y curva característica de un SCR. A

medida que se inyecta una señal de disparo por la
compuerta, se obtienen diferentes voltajes de
disparo.
2. Tiristores de conmutación rápida. Como su nombre lo indica,
estos dispositivos pueden conmutar a altas velocidades. Están
diseñados para soportar cambios bruscos en el voltaje alrededor
de 1000 V/us y 1000 A /us. La desactivación rápida es muy
importante para reducir el tamaño de los demás componentes del
circuito de conmutación.
3. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO). Al igual que
un SCR. estos dispositivos se pueden activar con una señal
positiva de compuerta. La diferencia radica en que se pueden
desactivar mediante una señal negativa de compuerta. Es decir
que un GTO se activa con un pulso positivo corto y se desactiva
con un pulso negativo corto.
35
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC). En estos tiristores se
puede iniciar el paso de corriente en los dos sentidos. Un TRIAC
se puede considerar como si fueran dos SCR conectados en
antiparalelo, con una compuerta común, figura 1.14. En el
TRIAC no es posible identificar sus terminales como ánodo y
cátodo. Si el terminal MT2 es positivo con respecto al terminal
MT1. el TRIAC se activa aplicando una señal de compuerta
positiva entre G y MT1. Si MT2 es negativa con respecto a MT
Leí TRIAC se activa con una señal negativa entre G y MT1.
M t2
G
M t1
Figura 1.14 Símbolo de un tiristor de triodo bidireccional

(Triac)
5. Tiristores de conducción inversa (RCT). También conocido
como tiristor asimétrico o ASCR, este dispositivo puede
considerarse como un tiristor que incluye un diodo en paralelo,
con el cual se busca originar un flujo de corriente inversa
debido a cargas inductivas y mejorar la desactivación de un
circuito de conmutación, figura 1.15.
36
A
T1
B
Figura 1.15 Símbolo de un tiristor de conducción inversa
(RCT)
6. Tiristores de inducción estática (SITH). Su funcionamiento es
igual que el de un SCR. Su principal atractivo es su alta
capacidad en el manejo de voltaje y corriente (puede llegar a 2
500 V y 500 A) y su alta velocidad de conmutación.
7. Rectificadores controlados de silicio activados por luz
(LASCR). Se activan por la acción directa de luz sobre el
silicio. Su compuerta se diseña para proporcionar la suficiente
sensibilidad para el disparo a partir de fuentes luminosas tales
como diodos LED.
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH). Este dispositivo
combina un MOSFET y un tiristor en paralelo figura 1.16. Si a
la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje, en el tiristor
se origina una corriente de disparo. Este tiristor se puede
activar como los demás, pero no se puede desactivar mediante
el control de compuerta.
37
Anodo
T1
G
C•todo
Figura 1.16 Símbolo da un tiristor controlado por

FET (FET-CTH)
1.9 ACTIVACIÓN DEL TIRISTOR
Para incrementar la corriente del ánodo y activar el tiristor existen varias
alternativas. Entre ellas se tienen las siguientes:
1. Temperatura. La temperatura aumenta la corriente de deriva.
Cuando se alcanza la suficiente corriente el tiristor pasará a
estado de conducción.
2. Voltaje. Al aumentar el voltaje ánodo-cátodo hasta llegar a
Vd.
3. Variación rápida del voltaje. Si el voltaje ánodo-cátodo
cambia de manera brusca, ese fenómeno se puede sentir en el
interior del componente originando un proceso de disparo.
4. Luz. Si por algún método logra hacer llegar la luz hasta las
uniones de un tiristor se puede activar este. Los dispositivos de
este tipo se denominan LACS (Light Activate Silicon
Controlled Switch).
38
5. Corriente de compuerta Si un tiristor está polarizado
directamente, la inyección de una corriente de compuerta.
debido a un voltaje positivo de compuerta, entre ella; y los
terminales del cátodo provocará su activación.
1.9.1 CONMUTACIÓN DE TIRISTORES
Los circuitos que utilizan tiristores muchas veces requieren que una
vez se ha activado el tiristor (debido a una señal de compuerta) y se
han cumplido los requisitos de la carga, sea necesario desactivarlo.
De esa manera, a menos que se aplique una nueva señal en la
compuerta, no habrá paso de señal desde el ánodo hacia el cátodo.
El proceso de desactivación de un tiristor se denomina conmutación.
Este proceso, por lo general, requiere componentes adicionales como
condensadores e inductancias que permiten, en un momento dado,
llevar a cero la corriente o el voltaje en el dispositivo.
Un tiristor se puede desactivar de dos formas: por conmutación
natural o por conmutación forzada. En la primera, figura 1.17,
utilizada para circuitos AC, el tiristor se desactiva de forma
automática con el cruce por cero del voltaje de entrada en cada
semiciclo, punto en el cual la corriente a través suyo llega a cero y
aparece un voltaje inverso.
La conmutación forzada figura 1.18, se utiliza con DC y requiere de
un circuito adicional para llevar la corriente a cero. Existen varias
técnicas para lograr esto último, la mayoría basadas en la utilización
de elementos almacenadores de energía como condensadores e
39
inductancias, los cuales pueden originar un comportamiento
sensorial de la corriente partiendo de una alimentación en CD.
Figura 1.17 Tiristor con conmutación natural.
Figura 1.18 Circuito de autoconmutación
1.9.2 OTROS TIPOS DE TIRISTORES
Además de los ya mencionados, existen otros componentes de la
familia de los tiristores, utilizados principalmente para propósitos de
control. A continuación examinaremos algunos de ellos.
Diodo alternativo de corriente (DIAC). Es un dispositivo cuya
estructura se compone de dos diodos conectados en antiparalelo,
figura 1.19. Se trata de un tiristor que conduce en ambos sentidos, en
40
el momento en que se alcance el voltaje de disparo de cada uno de
ellos.
Cuando se aplica a través de la fuente VI, un voltaje variable sobre el
ánodo, figura 1.20, el mismo puede llegar a un valor donde puede
disparar el tirisitor A. De igual manera, si sobre el ánodo se aplica un
voltaje que lo polariza negativamente en relación al cátodo, se
dispara el tiristor B cuando el voltaje ha llegado al valor adecuado.
Figura 1.19 Símbolo, estructura interna y circuito equivalente del DIAC
Figura 1.20 Esquema de funcionamiento y curva del DIAC
Interruptor unilateral de silicio (SUS). Este dispositivo consta de
un SCR pero con la compuerta conectada al ánodo y un diodo zener
conectado en configuración antiparalelo, figura 1.21.
41
Figura 1.21 Símbolo y esquema de un SUS.
Interruptor bilateral de silicio (SBS). Este componente contiene dos
SUS conectados en antiparalelo, (Ver figura 1.22). Su funcionamiento es
similar al del TRIAC.
Figura 1.22 Símbolo y esquema de un SBS
Interruptor controlado por silicio (SCS). Su funcionamiento es idéntico
al de un SCR normal, excepto que posee dos compuertas, una por el ánodo
y la otra por el cátodo, figura 1.23.
Figura 1.23 Símbolo del SCS
42
Tiristor de conducción inversa (ICT). En este componente se agrupan un
tiristor convencional y un diodo, conectados en antiparalelo, figura 1.24.
Figura 1.24 Símbolo y circuito equivalente a un ICT
1.10 APLICACIONES DE LOS TIRISTORES
Los tiristores son dispositivos muy confiables. Por esta razón, son
ampliamente utilizados como interruptores de estado sólido en
aplicaciones de control de potencia, particularmente en el gobierno de
cargas AC tales como lámparas incandescentes, resistencias calefactores,
motores eléctricos, etc. Desde este punto de vista, el control puede hacerse
de dos formas: (a) controlando la porción de cada ciclo durante la cual el
circuito conduce corriente, o (b) controlando el número de ciclos
completos durante los cuales esto ocurre. En el primer caso se habla de
control por fase en el segundo de control por ciclos. También existe la
alternativa del control on/off.
El control por fase se ilustra en la figura 1.25. En este caso, durante la
primera porción de cada semiciclo de la onda AC, el tiristor se mantiene
abierto previniendo la circulación de corriente a través de la carga. A un
ángulo de retardo específico, el interruptor se cierra, permitiendo que todo
el voltaje de línea quede aplicado a la carga y circule corriente durante el
resto de ese semiciclo. Variando el ángulo de retardo a se controla la
43
porción de la onda seno total que se aplica a la carga y, por tanto, la
potencia aplicada a la misma.
Un sencillo circuito de control por fase con tiristor se muestra en la figura
1.26. En este caso, el triac (TRI) se dispara cuando se aplica un pequeño
pulso de corriente a su compuerta a través del diac (DI), y conmuta cuando
la corriente a través suyo cruza por cero. Durante cada semiciclo, el
condensador C2 se carga a través de R3+P2 y la carga. Cuando el voltaje a
través de C2 alcanza el valor de ruptura del diac (37V), este último
conduce, permitiendo que C2 libere la energía almacenada y se dispare el
triac. El control del ángulo de disparo, y por tanto del brillo de la lámpara,
lo provee P2. El potenciómetro PI actúa como control de brillo fino y
puede ser sustituido por una resistencia fija. En el caso de control por
ciclos o proporcional, figura 1.27, el triac se dispara únicamente en los
puntos de cruce de la corriente o el voltaje AC. La potencia se regula
proporcionando a la carga paquetes de ciclos completos en forma
periódica. A mayor número de ciclos por unidad de tiempo, mayor es la
potencia desarrollada, y viceversa.
Esta técnica se utiliza principalmente para controlar cargas resistivas, por
ejemplo, resistencias calefactoras de hornos. Su principal ventaja, con
respecto al control por fase, es que produce muy poca interferencia
electromagnética (EMI) y, por tanto, no afecta la operación de equipos
electrónicos sensibles a estos fenómenos ubicados en las vecindades.
44
Figura 1.25 Control por fase de una forma de onda AC
Figura 1.26 Desvanecedor de luces para lámpara

incandescente, basado en control por fase.
Un ejemplo de circuito de control por ciclos enteros se muestra en la figura
1.28. En este caso, el control del disparo del triac lo provee un CI CA3059
(IC1), el cual incluye, en una misma cápsula, los siguientes bloques
funcionales: (a) una fuente de alimentación que le permite operar
directamente de la fuente AC, (b) un amplificador diferencial que prueba
la condición de sensores o señales de control externas: (c) un detector de
cruce por cero que sincroniza los pulsos de salida con la onda AC,y (d) un
circuito de disparo que proporciona los pulsos de compuerta requeridos
por el triac. El termistor R3 y el potenciómetro R2 actúan como el sensor y
el selector de temperatura del sistema, respectivamente.
45
Figura 1.274 control por ciclos enteros de una forma de onda AC
Figura 1.28 Regulador de temperatura para horno basado en

control proporcional o por ciclos enteros.
Figura 1.29 Control on/off o asincrónico de una forma de onda AC
4
BADEMEAU FONTIER, ELVIS “Diseño y aplicación de los Variadores electrónicos” pags.
67 -72
46
El control por fase y el control por ciclos son métodos sincrónicos, es
decir, en ellos la conexión de la carga se realiza siempre en puntos fijos de
la onda AC. En el caso de control on/off o asincrónico, (Ver figura 1.29),
la conexión se realiza en cualquier punto de la forma de onda. La
desconexión se efectúa por sí sola en los puntos de cruce por cero después
de haber suspendido la señal de disparo.
Un ejemplo sencillo de circuito de control on/off se muestra en la figura
1.30. En este caso, el triac (TR1) se dispara mediante un opto acoplador
MOC3010 (Ül). Cuando se aplica a la entrada del circuito un nivel alto,
digamos +5V. El LED interno de Ul conduce y excita el fototriac,
produciéndose así una corriente de compuerta que dispara el triac; conecta
la carga a la red AC El opto acoplador Ul, el triac TR1 y los componentes
pasivos asociados constituyen lo que se denomina un relé de estado sólido
o SSR (Solid State Relay) del tipo DC/AC, capaz de manejar tanto cargas
resistivas como inductivas.
Figura 1.30 Círculo de control on/of de potencia para carga

inductiva o resistiva.
47
1.11 TRANSISTORES DE POTENCIA
Estos elementos se utilizan como elementos de conmutación y pueden
trabajar a una velocidad mayor en comparación con los tiristores, pero sus
capacidades de voltaje y corriente son inferiores a estos últimos.
Figura 1.31 Estructura y símbolos de los transistores bipolares.
Dentro de los transistores de potencia se pueden distinguir cuatro grupos
fundamentales: los transistores bipolares de juntura (BJT), los transistores
semiconductores de metal de óxido de efecto de campo (MOSFET), los
transistores de inducción estática (SIT) y los transistores bipolares de
compuerta aislada (IGBT). Analicemos a continuación las características
más importantes de cada uno de ellos.
1.12 TRANSISTORES BIPOLARES
Poseen dos uniones: la unión colector-base y la unión emisor-base.
Internamente poseen tres regiones: cuando son dos regiones n y una p. se
conoce como transistor NPN y cuando son dos regiones p y una n, se
conoce como transistor PNP, (Ver figura 1.31).
48
Los transistores tienen ciertas limitaciones, por lo que es necesario
asegurarse muy bien de la conveniencia de acoplar un dispositivo de este
tipo en determinadas aplicaciones.
Para esto, se debe acudir a su hoja de datos técnicos. En estas hojas se
deben consultar el tipo de transistor (NPN o PNP) la máxima corriente de
colector, la ganancia, el voltaje máximo entre colector y emisor, la
potencia aceptada y la frecuencia máxima de trabajo del dispositivo.
Es igual de importante elegir el tipo de encapsulado del transistor que se
va a utilizar, ya que cada tipo presenta un rango característico de corriente
y voltaje.
Cuando se utilizan transistores para procesos de conmutación, la
temperatura originada a niveles altos de comente, puede destruir el
dispositivo Por esta razón, se debe mirar en las especificaciones del
fabricante, los límites de corriente de colector, el voltaje colector-emisor,
al igual que los voltajes de ruptura soportados.
En aplicaciones de conmutación, normalmente se usa una configuración en
emisor común, figura 1.32, cuya curva característica de entrada de
corriente de colector (lc) contra voltaje colector-emisor (Vce), se muestra
en la figura 1.33. En esta figura se aprecian las tres regiones de operación
de un transistor: de corte, activa y de saturación. En la región de corte, el
transistor está desactivado debido a que su corriente de base no posee el
nivel suficiente para activarlo. En la región activa, el transistor amplifica la
corriente de base y el voltaje colector-emisor disminuye con la corriente de
base. En la región de saturación, la comente de base es tan alta que hace
49
que el voltaje colector-emisor se haga bajo y el transistor actúe como
interruptor.
Fig. 1.32 Configuración en emisor común
Fig. 1.33 Curva que caracteriza el funcionamiento del

transistor bipolar NPN
En aplicaciones de circuitos de potencia, los BJT se operan en saturación,
con un voltaje pequeño, usualmente de l o 2 voltios, manteniendo pérdidas
50
mínimas en la conducción de potencia. Los BJT de potencia poseen una
ganancia de corriente baja, generalmente no exceden a 10. Esa ganancia
puede mejorarse conectando transistores en configuración Darlington
como se muestra en la figura 1.34, en esta configuración la salida de un
transistor maneja al segundo transistor. El resultado es el aumento en la
capacidad de manejo de corriente, pero un deterioro en la velocidad de
conmutación. Una aplicación típica de conmutación con BJT es el manejo
de una carga inductiva, (Ver figura 1.35). El circuito externo determina la
corriente de colector que debe tener cuando se llegue al estado de
activación.
Fig. 1.34 Par de BJT en configuración Darlington
Fig. 1.35 Circuito para la conmutación de una carga inductiva
51
Para que el BJT pueda soportar la corriente aplicada, se le debe conectar
una mínima cantidad de carga acompañada de una corriente mínima de
base para establecer y mantener dicha carga. Las ondas de la conmutación
durante el encendido del BJT se muestran en la Figura 1.36. Como se
puede observar, después de un retardo inicial, debido a cierta capacitancia
encontrada entre base y emisor, se empieza a cargar la base y la corriente
en el colector alcanza su valor de estado activado.
Fig. 1.36 Formas de onda del encendido del BJT
El voltaje entre colector y emisor empieza a caer abruptamente, pero esa
rata disminuye en el momento en que se conecta la carga. Toda la carga
almacenada debe removerse durante el apagado del dispositivo.
Los BJT poseen un off-delay debido a la carga almacenada durante la
etapa de conducción. El proceso de apagado puede acelerarse invirtiendo
la dirección de la corriente de base. La corriente inversa se debe aplicar de
manera gradual, ya que corrientes inversas demasiado abruptas, conducen
a pérdidas muy grandes durante la conmutación. Para aumentar las
52
capacidades en el manejo de corriente y voltaje, se pueden realizar
conexiones de estos dispositivos en serie o en paralelo. Por ejemplo si se
conectan en serie, se aumenta la capacidad en el manejo de voltaje, pero se
debe tener en cuenta que si siguen este tipo de conexión, se deben activar
y desactivar simultáneamente, y presentar iguales características de
ganancia, voltaje de umbral, de estado activo y tiempo de desactivación.
1.13 MOSFET DE POTENCIA
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que
requiere sólo de una pequeña corriente de entrada. Su velocidad de
conmutación es muy alta (del orden de los nanosegundos). Los MOSFET
pueden ser de dos tipos: MOSFET de agotamiento y MOSFET de
enriquecimiento.
Estos dispositivos simplifican drásticamente los circuitos de control
debido a que son controlados por voltaje, poseen una impedancia de
entrada prácticamente infinita (superior a 40 M) y demandan muy poca
corriente de la fuente de señal.
1.13.1 FUNCIONAMIENTO
Los MOSFET de potencia son dispositivos de portadores
mayoritarios (monopolares) de tres terminales controlados por
voltaje. Estos terminales se denominan drenador, surtidor o fuente y
compuerta, y sustituyen, en su orden, el colector, el emisor y la base
de un transistor bipolar o BJT. Pueden ser de canal N o de canal P,
según los portadores de corriente sean electrones o huecos y son,
invariablemente, dispositivos normalmente OFF o de
53
enriquecimiento. La compuerta esta eléctricamente aislada del canal
por una fina película de óxido (SIO) y, por regla general, el sustrato
está conectado internamente al surtidor o fuente. Por tanto, debido a
que el sustrato y el canal forman una unión PN, existe
inherentemente un diodo entre el drenador y la fuente, como se
ilustra en la figura 1.37. La presencia de este diodo impide utilizar el
MOSFET de potencia como un dispositivo bidireccional.
Figura 1.375 Simbología
Al aplicar entre la compuerta y el surtidor un voltaje de magnitud y
polaridad apropiadas, se forma por inducción electrostática una capa
de inversión (canal), la cual conecta la fuente a la región ligeramente
dopada del drenador forzando la circulación de corriente entre ambos
terminales. La intensidad de esta corriente depende de la cantidad de
voltaje aplicado a la compuerta.
Puesto que la impedancia de entrada es extremadamente alta,
prácticamente no fluye corriente a través de la compuerta y la
ganancia de corriente del dispositivo (relación entre las corrientes de
drenador y de compuerta) es extremadamente alta, del orden de 109.
5
56
54
1.13.2 CURVAS CARACTERÍSTICAS
Este tipo de curvas muestran como varía la corriente de drenador (ID)
en función del voltaje entre drenador y fuente (VDS) para distintos
valores de voltaje de compuerta (VGS). En la figura 1.38 se muestra,
como ejemplo, la característica de salida del transistor TMOS
MPT50N05E. Para efectos prácticos, la característica se divide en
dos regiones claramente definidas: una de resistencia constante (A) y
otra de corriente constante (B), La primera se denomina también
zona óhmica o lineal, y la segunda zona activa o de saturación.
Fig. 1.38 Curva característica de salida
Observar que, en la región óhmica la corriente de drenador aumenta
casi proporcionalmente con el voltaje de drenador a fuente y. a partir
de un cierto nivel, se mantiene constante. Note además que el
espaciamiento entre las líneas de corriente constante es
sustancialmente mas uniforme en un MOSFET que en un BJT de
55
potencia. Por tanto, un incremento dado en el voltaje de compuerta
produce siempre un mismo incremento en la corriente de drenador.
Los MOSFET de potencia pueden ser controlados fácilmente
mediante niveles lógicos TTL y CMOS. La figura 1.39 ilustra varios
métodos para conmutar cargas de potencia utilizando algunas
familias lógicas usuales. En la figura 1.39 (a) se presenta un ejemplo
de interfaz con un dispositivo CMOS de la serie estándar 4000. a
través de un buffer 4049B y en la figura 1.39(b) otro de interfaz con
una salida TTL de colector abierto. En ambos casos se utiliza el
MTP3055E, un MOSFET de potencia de 12A/60V muy popular en
la industria.
La impulsión directa desde una salida CMOS estándar, aunque es
posible, no es recomendable debido a que se sacrifica la velocidad de
conmutación. Las salidas TTL en tótem pole no son adecuadas para
manejar directamente MOSFET de potencia convencionales debido a
que el V típico proporcionado (3.5 V) puede ser insuficiente para
asegurar que el dispositivo trabaje en la zona óhmica. En estos casos,
se recomienda utilizar un MOSFET de nivel lógico.
Este tipo de MOSFET de potencia, como el MTP3055EL. han sido
diseñados específicamente para ser manejados por dispositivos
lógicos de 5V. Se caracterizan por poseer una mayor
trasconductancia y un menor voltaje de umbral que sus contrapartes
convencionales. La figura 1.39 (c) muestra como realizar la interfaz
con un dispositivo CMOS de alta velocidad (serie 74HC) y la figura
56
1.39 (d)6 la forma de realizarla con un dispositivo TTL Schottky de
baja potencia (serie 74LS) o TTL Schottky rápido (serie 74F).
Observe que en el primer caso no se requiere resistencia de pull up
(RP) debido a que los dispositivos HC entregan 4.95 V en el estado
alto. Cualquiera cíe estos circuitos se puede utilizar como buffer para
interconectar un MOSFET de potencia de nivel lógico con un
microprocesador o un micro-controlador. Si se desea emplear un
MOSFET de potencia convencional, debe utilizarse una compuerta
de colector abierto de alto voltaje como la 74LS26 o un desplazador
de nivel lógico como el 4504B.
Fig. 1.39 Interfaz con familias lógicas
6
BADEMEAU FONTIER, ELVIS “Diseño y aplicación de los Variadores electrónicos” pags.
123- 126
57
1.14 LOS IGBT
Los transistores bipolares de compuerta aislada o IGBT (Insulated Gate
Bipolar Transistors), son el avance tecnológico mas reciente en el campo
de los semiconductores de potencia. Fueron desarrollados originalmente
por las firmas japonesas Hitachi y Toshiba como respuesta a la necesidad
de disponer de un transistor de potencia prácticamente ideal, capaz de
conmutar corrientes muy fuertes asociadas a voltajes muy altos, por
ejemplo 400A y 1200 V. con un mínimo de pérdidas y a una velocidad
razonable.
Los IGBT al igual que los MOSFET, son dispositivos de tres terminales
controlados por voltaje, transportan corriente verticalmente ofrecen una
elevada impedancia de entrada y una baja resistencia de salida, no
presentan el fenómeno de avalancha térmica, son fáciles de controlar
porque prácticamente no exigen corriente de entrada, toleran
razonablemente picos de corriente, pueden ser conectados en paralelo para
aumentar la capacidad de manejo de corriente, tienen una alta ganancia de
corriente, etc. No obstante, los IGBT ofrecen características de conducción
superiores y. aunque actualmente no son tan rápidos como los MOSFET
de potencia, sus características de conmutación tienden a ser muy
parecidas.
De otro lado, los IGBT son dispositivos de portadores minoritarios, disipan
menos calor que cualquier otro semiconductor de potencia bajo las mismas
condiciones de operación, son más rápidos y eficientes que los transistores
bipolares y tienen más altas densidades de comente que los MOSFET de
58
potencia equivalentes. Por tanto, requieren menores áreas de pastilla y
pueden manejar voltajes de salida más altos que estos últimos, con muy
bajas pérdidas.
En contraste con los MOSFET de potencia, los IGBT no poseen un diodo
inverso integral entre sus terminales de salida. Esta propiedad, que puede
ser una ventaja o una desventaja dependiendo de la frecuencia de
operación, los requisitos de corriente y otros factores, permite al usuario
seleccionar externamente el diodo de recuperación rápida más adecuado a
sus necesidades específicas. Todas las características anteriores han
contribuido a popularizar los IGBT y hacerlos imprescindibles en muchas
aplicaciones. Se asegura, incluso, que la ingeniería moderna de sistemas
de control y manejo de potencia no sería la misma sin estos dispositivos.
Naturalmente, los IGBT tienen también algunas limitaciones, siendo la
más notable su velocidad de conmutación, relativamente más baja que la
de un MOSFET de potencia.
Los IGBT se clasifican de acuerdo a su velocidad en lentos, rápidos y
ultra-rápidos, cada uno optimizado para operar en un rango de frecuencias
específico. Los IGBT lentos o de velocidad estándar, por ejemplo, el
ERGBC30S (600V/35A) de International Rectifier, trabajan desde DC
hasta 1kHz. Se caracterizan por su baja caída de voltaje en estado de
saturación.
Los IGBT rápidos, por ejemplo, el IRGBC40F (600V/ 50A), trabajan
óptimamente en el rango de 3KHz a 10KHz. Ofrecen una baja caída de
voltaje en directo y muy bajas pérdidas de conmutación. Se utilizan en
59
Drives de motores AC/DC y aplicaciones generales de conmutación.
Finalmente, los IGBT ultra-rápidos, por ejemplo el IRGPC50Ü
(600W50A) están optimizados para trabajar en el rango de 10KHz a
100KHz. Se caracterizan por sus bajas pérdidas de conmutación. Se
utilizan principalmente en fuentes conmutadas y aplicaciones generales de
modulación de pulsos (PWM).
1.14.1 ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO
Los IGBT son físicamente muy compactos, aunque ligeramente más
grandes de lo usual. Las presentaciones más comunes son las
cápsulas TO-3, TO-220 y TO-247.La figura 1.40 compara los
tamaños relativos de un IGBT y un MOSFET de potencia TO-247.
Los IGBT de gran potencia pueden alcanzar dimensiones
descomunales, semejantes a las de un relevo o de un conductor
electromecánico, y poseen tornillos de conexión (clemas) en lugar de
terminales soldables. Los electrodos de un IGBT se denominan
colector (C), emisor (E) y compuerta (gate) (G) los cuales sustituyen,
en su orden, el colector, el emisor y la base de un transistor bipolar
(BJT) o el drenador el surtidor y la compuerta de un MOSFET de
potencia.
Fig. 1.40 Aspecto físico
60
Dependiendo de su polaridad, existen IGBT NPN e IGBT PNP. Los
primeros son equivalentes a un transistor PNP manejado por un
MOSFET de canal N y los segundos a un transistor NPN manejado
por un MOSFET de canal P. La mayor parte de los IBGT disponibles
comercialmente son dispositivos NPN o de canal N.
Fig. 1.41 Simbología y circuitos equivalentes.
Para comprender como opera un IGBT consideremos el circuito
equivalente NPN de la figura 1.41. En condicionen normales, con un
voltaje de compuerta VGE=0, entre colector y emisor circula una
corriente de tuga (ICES) muy débil y el IGBT está esencialmente
bloqueado. A medida que aumenta el voltaje positivo de compuerta,
llega un punto en el cual se supera un valor umbral (VGE(th)) y el
dispositivo entra en conducción, permitiendo la circulación de una
comente de colector (IC). A partir de entonces, una pequeña variación
61
VG del voltaje de compuerta, por ejemplo 0.5V, provoca una gran
variación Ic de la corriente de colector, digamos 10A.
1.15 INTERRUPTORES Y RELÉS ESTÁTICOS
Las características de conmutación únicas de los transistores y tiristores de
potencia los hacen ideales como sustitutos estáticos o de estado sólido de
contactores y otros tipos de interruptores electromecánicos similares. Este
ítem examina las principales configuraciones de interruptores para AC y
DC con semiconductores, así como su utilización en relés de estado sólido
(SSR) para aplicaciones de control de potencia.
1.15.1 GENERALIDADES
Los interruptores estáticos, como su nombre lo indica, son circuitos
que realizan las mismas funciones de los interruptores
electromecánicos, pero utilizando dispositivos de estado sólido
controlables, es decir tiristores (SCR, TRIAC GTO) y transistores
(BJT, MOSFET, IGBT). Por tanto, pueden operar a velocidades muy
altas de conmutación, no poseen partes móviles, no presentan efectos
de rebote, tienen una larga vida útil, son silenciosos, no producen
arcos, etc. Además, pueden ser diseñados para detectar retrasos de
tiempo, enclavarse o ser disparados por transductores de posición, de
proximidad, etc.
Los interruptores estáticos pueden ser básicamente de dos tipos: de
corriente alterna (AC) y de corriente continua (DC). Los primeros, a
su vez, pueden ser monofásicos o trifásicos. Para la interrupción de
corriente alterna se utilizan tiristores de conmutación natural,
62
mientras que para la interrupción de corriente continua se utilizan
tirístores de conmutación forzada y transistores. Los relés de estado
sólido o SSR (solid state relays) son simplemente interruptores
estáticos utilizados para controlar potencia de comente alterna o de
comente continua, y proporcionar algún tipo de aislamiento eléctrico
entre el circuito de control y la carga.
1.15.2 INTERRUPTORES MONOFÁSICOS
La forma más sencilla de interrumpir una corriente alterna
monofásica es utilizando dos tiristores conectados en paralelo
inverso, como se indica en la figura 1.42. El tiristor T1 se dispara en.
t = 0° y el tiristor T2 en  = . Bajo estas condiciones, el voltaje de
salida (Vo) es el mismo voltaje de entrada (Vs). Los dos tiristores
pueden ser sustituidos por un triac, como se indica en la figura 1.43.
En ambos casos, la conmutación se realiza por línea. Si la carga es
inductiva, T1 y T2 deben ser disparados cuando la corriente cruce
por cero, después del semiciclo positivo o negativo del voltaje de
entrada, respectivamente. Los valores promedio y efectivo de la
corriente a través de cada tiristor son, en su orden, Im/2, siendo Im el
valor máximo de la corriente de línea.
Fig. 1.42 Interruptor monofásico de corriente alterna

(AC) con tiristores
63
(AC) con triac.
Otra alternativa es utilizando un puente mixto de tiristores y diodos,
como se muestra en la figura 1.44. En este caso los dos tiristores
tienen un cátodo común y, por tanto, las señales de compuerta están
referidas al mismo punto. El tiristor T1 y el diodo D1 conducen
durante el semiciclo positivo, mientras que el tiristor T2 y el diodo
D2 lo hacen durante el semiciclo negativo. La misma función puede
ser llevada a cabo con un rectificador tipo de puente de diodos y I un
solo tiristor como se ilustra en la figura 1.45.

(AC) con puerta de diodos y tiristores

(AC) con tiristor y rectificador de puente
64
En esta configuración, llamada un interruptor bidireccional, la
corriente a través de la carga es alterna, mientras que la que pasa a
través de T1 es continua. Para aplicaciones de baja potencia, el
tiristor puede ser sustituido por un transistor.
1.15.3 INTERRUPTORES DE CORRIENTE CONTINUA
Para la interrupción de corriente continua pueden utilizarse
transistores de potencia bipolares de unión (BJT), de efecto de
campo (MOSFET) o bipolares de compuerta aislada (IGBT), así
como tiristores de conmutación forzada (SCR) o de desconexión por
compuerta (GTO). En el caso de tiristores, la desactivación debe ser
realizada por técnicas de conmutación forzada. En la figura 1.46 se
muestra un ejemplo de interruptor de corriente continua para carga
resistiva utilizando un BJT.
Fig. 1.46 Interruptor de corriente continua

(CC) con transistor bipolar
En el caso de una carga inductiva, debe conectarse a través de la
carga un diodo inversamente polarizado, como se indica en líneas
punteadas, para proteger el transistor de los voltajes transistor
generados durante la desconexión.
65
En la figura 1.47 se muestra un ejemplo de interruptor estático de DC
utilizando un tiristor de conmutación forzada (T1) y los circuitos de
desconexión correspondientes. Si se dispara el tiristor T3, el
condensador C se carga a través de T3, la fuente Vs y la bobina L.
Después de un tiempo t = to = p LC , la corriente de carga se hace
cero y el condensador está cargado a un voltaje 2Vs.
Fig. 1.47 Interruptor de corriente continua (DC) con tiristor.
Bajo esta condición, si T l conduce y suministra potencia a la carga,
entonces el tiristor T2 se dispara y desconecta a T1. El tiristor T3
conmuta por sí solo. El condensador se descarga a través de la
resistencia de la carga. En el caso de una carga inductiva, debe
incluirse un diodo volante (Dm). Adicionalmente, para evitar la
aparición de un voltaje-negativo sobre el condensador, debe
conectarse una resistencia (R) y un diodo (D1), tal como se indica.
En lugar de transistores o tiristores de conmutación forzada, pueden
utilizarse tiristores de desactivación por compuerta (GTO), como se
índica en la figura 1.48. Un GTO se activa mediante la aplicación de
un pulso positivo de corta duración a su compuerta, como en un
66
tiristor normal, pero puede ser desactivado mediante un pulso de
compuerta negativo sin necesidad de circuitos adicionales. Los
interruptores de DC, en general, pueden ser utilizados para controlar
el flujo de potencia en aplicaciones de muy alto voltaje o muy alta
corriente, así como en situaciones donde se requiera una acción de
conexión o desconexión muy rápida.
Fig. 1.48 Interruptor de corriente continua (DC) con GTO
1.15.4 RELÉS DE ESTADO SÓLIDO
Los relés de estado sólido o SSR (solid sate relays), como su nombre
lo indica, son circuitos que utilizan interruptores de estado sólido,
principalmente transistores y tiristores, para sustituir relés
electromecánicos y conmutar cargas de potencia a partir de señales
de control de bajo nivel. Estas últimas pueden provenir, por ejemplo,
de puertos de computadora o de sistemas digitales y estar dirigidas a
motores, lámparas, resistencias calefactores, solenoides, etc. El
aislamiento entre el circuito de control y la etapa de potencia, lo
proporciona generalmente un optoacoplador pero también puede ser
un transformador, un relé de lengüeta (reed), u otro dispositivo
similar.
Los relés de estado sólido pueden ser diseñados para controlar
potencia AC o DC. Los primeros utilizan tiristores como elementos
67
de conmutación y los segundos transistores para el mismo propósito.
En la Figura 1.49 se muestra como ejemplo el circuito básico de un
SSR para CC utilizando un optoacoplador con salida por transistor
bipolar. Este último conduce cuando se aplica al LED una comente
de valor adecuado, por ejemplo 20 mA, y se bloquea cuando a través
del mismo circula una corriente cero o inferior a un valor mínimo
especificado. La comente de excitación puede ser proporcionada por
una fuente de corriente propiamente dicha o una fuente de voltaje en
serie con una resistencia limitadora.
Fig. 1.49 Relé de estado sólido de corriente continua

(DC) con acoplamiento óptico.
Un ejemplo de circuito básico de SSR para AC se muestra en la
figura 1.50. En este caso se utiliza un triac (TR1) como interruptor
de potencia y la señal de control de la compuerta se proporciona a
través de un transformador de pulsos. La carga está representada por
RL. El transformador puede ser sustituido por un optoacoplador o un
relé reed. Todos estos dispositivos pueden ser obtenidos
comercialmente como módulos con capacidades específicas de
potencia, o construidos por el usuario a la medida de sus
necesidades.
68
Fig. 1.50 Relé de estado de corriente alterna
(AC) con acoplamiento por transformador.
69
CAPITULO 2
MÉTODOS PARA CONTROLAR LA VELOCIDAD DE UN
MOTOR DE INDUCCIÓN
2.1 CONTROL CLÁSICO DE LA VELOCIDAD DE GIRO DEL MOTOR
Antes del desarrollo de los actuales sistemas de control de velocidad
basados en el empleo de convertidores estáticos de frecuencia, las
máquinas de inducción no eran las más adecuadas en aquellas aplicaciones
en las que era necesario obtener un elevado grado del control de la
velocidad. El rango normal de velocidades de este tipo de máquinas está
comprendido entre su velocidad nominal y un 5 % de deslizamiento,
definiendo el deslizamiento como la diferencia entre la velocidad
instantánea de la máquina y su velocidad de sincronismo en por unidad.
Dentro de dicho rango puede considerarse que la velocidad de giro de la
máquina es directamente proporcional al par mecánico aplicado en el eje.
Sin embargo, cualquier aumento del deslizamiento implica necesariamente
una disminución del rendimiento del sistema debido al aumento de las
corrientes que circulan por los bobinados del rotor (al aumentar el número
de cortes entre el campo magnético del estator y las bobinas del rotor)
aumentando las perdidas en el cobre. Puede considerarse que dichas
pérdidas son proporcionales al deslizamiento del rotor.
70
Con el fin de variar la velocidad de giro del motor es posible emplear dos
técnicas diferentes, una de ellas consiste en variar la velocidad de giro del
campo magnético generado en el estator. La segunda de ellas se basa en
modificar el deslizamiento del motor. Para modificar la velocidad de
sincronismo es posible variar el número de polos del motor o la frecuencia
de la tensión de alimentación.
60 f S
S  (2.1)
p
Donde p representa el número de pares de polos, fs la frecuencia de la
alimentación y Ws la velocidad de sincronismo.
El control del deslizamiento nominal de la máquina puede realizarse bien
variando la resistencia del rotor o bien modificando la tensión de
alimentación del motor. Existen dos sistemas clásicos orientados al control
de la velocidad de giro del motor de inducción: variación de la velocidad
de sincronismo y control del deslizamiento. Para ello, se han
desarrollado una gran cantidad de alternativas que se describen a
continuación.
2.2 MODIFICACIÓN DEL NÚMERO DE POLOS DE LA MÁQUINA
Esta técnica se enmarca dentro de los sistemas orientados a la variación de
la velocidad de sincronismo de la máquina. En la bibliografía
especializada en el control de motores los principales sistemas orientados a
la modificación del número de polos de la máquina de inducción son:
· Método de los polos consecuentes.
· Implementación de múltiples devanados en el estator.
71
El Método de los polos consecuentes es el más antiguo de los sistemas de
variación de la velocidad de giro de un motor del que se tiene constancia.
Las primeras descripciones del mismo datan de 1897. Se basa en el hecho
de que el número de polos en los devanados del estator de un motor de
inducción se puede cambiar con facilidad en relación 2:1 con sólo efectuar
unos pequeños cambios en la conexión de las bobinas siempre que los
polos estén lo suficientemente independizados entre sí. Mediante la
conexión de bobinas en serie o en paralelo se varía el número de polos
totales del motor.
Este sistema es especialmente útil en los motores asíncronos de jaula de
ardilla en los cuales el número de polos del rotor siempre coincide con el
número de polos del estator. Las máquinas dotadas de este tipo de
bobinado en el estator reciben el nombre de motores de inducción de
velocidad múltiple y poseen devanados en el estator específicamente
diseñados para la variación del número de los polos empleando métodos
de conmutación manual y/o automática, en la cual los diversos devanados
del estator primarios se conectan en combinación serie o paralelo. En
algunos casos es posible realizar combinaciones de los polos con el fin de
obtener relaciones de 3:1 ó 4:1.
El ANEXO 2(a) muestra una configuración de polos concéntricos no
consecuentes mientras que en el ANEXO 2(b) puede observarse como a
pesar de tratarse también de una configuración concéntrica, los polos de
cada una de las fases están distribuidos según una configuración de polos
consecuentes.
72
Una segunda técnica para lograr velocidades diferentes empleando el
sistema de la variación de polos consiste en implementar dos bobinados
con diferente número de polos simultáneamente en el estator. Mediante la
conmutación de la tensión de alimentación de uno de los bobinados al
segundo es posible variar la velocidad de giro del motor.
La variación polar como método de control de la velocidad presenta las
siguientes ventajas:
 Elevado rendimiento a cualquier ajuste de la velocidad.
 Buena regulación de la velocidad para cualquier ajuste de la misma.
La velocidad variará solo ligeramente respecto de la velocidad de
vacío dado que el motor trabaja con deslizamientos reducidos para
todas las velocidades seleccionables mediante el cambio del número
de polos. Dicha variación suele estar comprendida entre un 2 y un 8%
de la velocidad de vacío.
 Simplicidad en el control del cambio de velocidad ya que puede ser
realizado externamente mediante configuraciones de contactores.
 Sistema auxiliar para el control de la velocidad relativamente barato.
Por otro lado los principales inconvenientes de la variación polar son los
siguientes:
 Necesidad de un motor especialmente diseñado debido a la peculiar
configuración de las bobinas del estator.
 Imposibilidad de conseguir una variación gradual de la velocidad de
giro del motor.
73
 Dada una relación entre las velocidades de giro, por ejemplo 2:1 ,
imposibilidad de obtener una velocidad de giro intermedia.
Cuando se combinan ambos sistemas en una máquina es posible encontrar
combinaciones de velocidades síncronas que evitan el último problema
mencionado en las máquinas de polos consecuentes. Comparando ambos
sistemas de variación del número de polos, la implementación de dobles
bobinados presenta una serie de desventajas frente al empleo de polos
consecuentes. Las desventajas más importantes son las siguientes:
o Mayor tamaño y peso de la máquina dado que para cada velocidad
únicamente se emplea uno de los bobinados.
o Coste del motor más elevado debido al mayor tamaño de la carcasa
y a la necesidad de emplear una mayor cantidad de cobre.
o Mayor reactancia de dispersión porque las ranuras necesarias para
los dos devanados son más profundas.
o Peor regulación de la velocidad (mayores variaciones respecto a la
velocidad deseada) debido a la mayor reactancia de cada uno de los
bobinados.
2.3 VARIACIÓN DE LA RESISTENCIA DEL SECUNDARIO
Este tipo de controles de velocidad únicamente puede ser implementado en
las máquinas asíncronas de rotor bobinado, en las cuales un aumento de la
resistencia del rotor produce un incremento en el deslizamiento del motor.
Este sistema presenta las siguientes ventajas:
o Permite una amplia variación de la velocidad de giro por debajo de
la velocidad síncrona del motor.
74
o Presenta una gran simplicidad de funcionamiento tanto desde el
punto de vista manual como automático.
o Los costes iniciales y de mantenimiento son bajos para ambos tipos
de regulador (manuales y automáticos).
Dentro de los inconvenientes cabe destacar los siguientes:
 Bajo rendimiento debido al aumento de las pérdidas en la resistencia
del rotor. A medida que aumenta el deslizamiento estas pérdidas
pueden llegar a hacer inviable este tipo de control.
 Pobre regulación de la velocidad. A pesar de que la velocidad de giro
del motor puede tomar cualquier valor a medida que se varía la
resistencia del rotor, el rango dentro del cual puede variarse dicha
velocidad no es excesivamente grande como puede comprobarse en
la Figura 2.1.
Figura 2.1 Control de velocidad mediante variación de la

resistencia del rotor
75
Tradicionalmente este tipo de dispositivos se ha empleado en sistemas que
requieren un elevado par de arranque al mismo tiempo que aceleraciones y
deceleraciones relativamente rápidas tales como grúas de fundiciones
siderúrgicas y donde una elevada corriente de arranque ocasiona serias
perturbaciones de línea.
Debido a que la velocidad y el deslizamiento de un motor de inducción de
rotor bobinado son proporcionales a la resistencia del rotor, este sistema
para el control de la velocidad y para la limitación de la corriente
transitoria de arranque se denomina a veces control de deslizamiento.
2.4 VARIACIÓN DE LA TENSIÓN DE ALIMENTACIÓN
Dado que en cualquier máquina de inducción el par generado por la misma
es proporcional a la inducción que existe dentro de la máquina, se puede
considerar que dicho par varía con el cuadrado de la tensión aplicada en
los bobinados del estator. Para una carga determinada, la disminución de
la tensión de alimentación reducirá el par electromagnético desarrollado
por el motor con el cuadrado de la reducción de la tensión lo cual se
traducirá directamente en un aumento del deslizamiento.
Debido a la incapacidad en este tipo de sistema para la variación de la
velocidad de alcanzar el par nominal de la máquina, a pesar de que permite
modificar la velocidad de la máquina hasta cierto punto, únicamente
resultará útil en aquellos sistemas que trabajan normalmente parcialmente
cargados o con cargas mecánicas cuya característica par-velocidad se
decremente notablemente al disminuir la velocidad de giro. Dentro de este
tipo de cargas se incluyen los sistemas de ventilación en los cuales el par
76
resistente aumenta parabólicamente con el cuadrado de la velocidad de
giro.
La Figura 2.2 muestra la posibilidad de variar la velocidad de motor dentro
de un rango limitado variando el voltaje de la línea.
Figura 2.2 Control de la velocidad de giro por variación de

tensión de línea
2.5 TÉCNICA DE LA CONCATENACIÓN
La técnica de la concatenación consiste en acoplar mecánicamente al
mismo eje un motor de inducción de rotor devanado y uno de jaula de
ardilla . El motor jaula de ardilla se alimenta directamente de la tensión de
salida que aparece en el rotor en circuito abierto del motor de rotor
devanado.
Suponiendo que el motor de inducción de rotor devanado cuenta con p1
pares de polos y el motor en jaula de ardilla p2 pares de polos, la velocidad
síncrona del conjunto de ambos motores alimentados a una frecuencia fs
77
responderá a la siguiente expresión.
60 f S
S 
p1  p2
La concatenación de máquinas posee la ventaja de permitir variaciones de
velocidad más amplias y suaves que en los motores de inducción por
debajo de las velocidades síncronas si se compara con la variación del
número de polos y el control de deslizamiento mediante resistencia
secundaria. Sin embargo presenta los siguientes inconvenientes:
 Gran disminución del rendimiento durante el funcionamiento en
cascada.
 Mala regulación de la velocidad al añadir resistencias de rotor.
 Bajo par de arranque y de vacío.
2.6 OTROS SISTEMAS CONCATENADOS
A partir de la configuración anteriormente descrita se han documentado un
gran número de sistemas para obtener velocidad regulable de forma
continua. Entre ellos cabe destacar los grupos propulsores propuestos por
Leblanc, Kramer y Scherbius.
El sistema Leblanc parte de la configuración concatenada de dos motores
de rotor bobinado sustituyendo uno de ellos por un convertidor de
frecuencia de inducción (transformador de frecuencia variable) y el control
de la resistencia secundaria variable por un transformador regulable en
tensión trifásico. La velocidad del motor es proporcional a la tensión
exterior secundaria, que se ajusta en todo momento por el
autotransformador variable que alimenta al convertidor de frecuencia de
inducción por medio de los anillos colectores, y a la posición de las
78
escobillas que controla la fase de la tensión secundaria respecto a la
tensión inducida en el rotor devanado. Se trata por lo tanto de un sistema
de control de velocidad mediante variación de la tensión de alimentación
muy eficaz para motores de elevada potencia nominal.
Kramer propuso una variación del grupo impulsor diseñado por Leblanc
conectando el transformador variable a los anillos colectores del motor de
rotor bobinado en vez de unirlo a la línea de alimentación. Las principales
ventajas de esta nueva configuración son tres. En primer lugar es posible
realizar un ajuste del factor de potencia del sistema mediante el decalado
de la posición de fase de las escobillas. Por otra parte incrementando la
tensión aplicada al rotor del convertidor es factible aumentar la velocidad
por encima de la síncrona.
Finalmente el convertidor de frecuencia también actúa como motor al
convertir la potencia que se le suministra a través del autotransformador en
potencia mecánica en el eje.
Finalmente Scherbius desarrolló un sistema trabajando en corriente alterna
a partir del sistema propuesto por Leblanc con la idea de reducir el elevado
coste de la solución Kramer.
La necesidad de emplear máquinas específicamente diseñadas encarece
enormemente los costes iniciales de instalación de este tipo de soluciones.
Sin embargo, es necesario mencionar que, en los tres casos, la energía
regenerada por el sistema motor en aquellas ocasiones en las que la carga
suministraba energía es devuelta a la red de alimentación, por lo que las
79
soluciones basadas en el empleo de una conmutatriz entran en el grupo de
los sistemas regenerativos.
2.7 VARIACIÓN DE LA TENSIÓN Y LA FRECUENCIA DE

ALIMENTACIÓN
Si se varía la frecuencia eléctrica aplicada al estator de un motor de
inducción ya sea de rotor bobinado o de jaula de ardilla, la velocidad de
rotación de sus campos magnéticos variará en relación directa con el
cambio de la frecuencia realizada y por lo tanto la curva característica par-
velocidad del motor se modificará.
Mediante el empleo de este sistema es factible aumentar la velocidad del
motor por encima de la velocidad nominal base, definida ésta como la
velocidad nominal de la máquina cuando se la alimenta a la frecuencia
nominal para la que se ha desarrollado. Sin embargo, en caso de necesitar
disminuir la velocidad de giro, será necesario reducir al mismo tiempo la
frecuencia y la tensión de alimentación con el fin de evitar que el flujo
magnético dentro del motor aumente excesivamente y se produzcan
saturaciones no deseadas en el hierro.
La Figura 2.3. muestra la evolución de las curvas par-velocidad de un
motor asíncrono trabajando por encima de la velocidad de sincronismo
base manteniendo constante la tensión de alimentación.
Aproximadamente puede afirmarse que en una bobina de un polo la
relación que existe entre la tensión de alimentación, la frecuencia de
alimentación y el flujo magnético responde a la siguiente expresión:
V
V  4.44 fN  m   Cte. m
f
80
Figura 2.3 Curvas par – velocidad. Tensión constante y frecuencia variable
Siendo V la tensión de alimentación, f la frecuencia de alimentación, N el
número de espiras de la bobina y F m la amplitud del flujo magnético
dentro del circuito.
Por lo tanto en caso de reducir la frecuencia de alimentación un 10 %, será
necesario reducir la tensión aplicada al sistema otro 10 % para mantener el
flujo dentro de la máquina más o menos constante. Este tipo de control
permite variar la velocidad de giro de la máquina al mismo tiempo que
aumenta sus prestaciones equiparándola a la máquina de corriente
continua en la que par y velocidad se pueden considerar desacoplados, ya
que el par se controla con la corriente mientras que la velocidad se
controla con la tensión aplicada. La Figura 2.4 muestra las curvas par-
velocidad de una máquina asíncrona en la que se ha modificado el voltaje
de la alimentación linealmente con la frecuencia.
81
Figura 2.4 Par- Velocidad manteniendo constante la relación V/f
Hasta la aparición de los convertidores estáticos de potencia, la única
forma de lograr una frecuencia variable a partir de los 50 ó 60 Hz de la red
de alimentación consistía en emplear los transformadores de frecuencia
variable precursores conceptuales de los motores de inducción. Pero como
ya se ha comentado anteriormente este tipo de dispositivos encarecían
enormemente el coste final de los sistemas.
Se suele fijar el inicio de la era de la electrónica de potencia alrededor de
1950 con la introducción del tiristor (silicon controlled rectifier) a pesar de
que uno de los primeros dispositivos desarrollado para el procesamiento de
energía, el rectificador de mercurio controlado por rejilla, apareció en
1928. El alto coste y las malas prestaciones de estos dispositivos
impidieron su empleo sistemático.
Históricamente puede comprobarse que los primeros pasos que se dieron
se concentraron en la sustitución de los rectificadores rotativos
convencionales por los de estado sólido con tiristores, y por lo tanto
82
durante un extenso periodo de tiempo, la solución preferida por los
diseñadores de sistemas de velocidad variable consistió en el empleo de
motores de corriente continua.
La aparición de los microprocesadores de alta velocidad y la aparición de
nuevos semiconductores de potencia rápidos como el GTO (del inglés,
Gate Turn Off thyristor) o el IGBT (del inglés, Insulated Gate Bipolar
Transistor) entre otros ha permitido que se desarrollen sistemas de
alimentación conmutada para la alimentación de máquinas asíncronas.
2.8 CONTROL DE VELOCIDAD EMPLEANDO CONVERTIDORES

ESTÁTICOS
Los convertidores de frecuencia estáticos, también llamados convertidores
conmutados forman parte de una extensa familia de dispositivos
orientados a procesar un flujo de potencia con las mínimas pérdidas
intermedias de forma que la señal de salida y la señal de entrada difieran
en sus niveles de tensión y de corriente o en la frecuencia de las mismas.
Todos ellos tienen en común el empleo de semiconductores de potencia
trabajando en modo de conmutación. Atendiendo a esta primera definición
general, es posible generar cuatro grupos principales con el fin de realizar
una clasificación funcional de los mismos.
En primer lugar se encuentran los convertidores CC-CC orientados a la
generación de fuentes de alimentación y al control de motores de corriente
continua.
Existe un gran número de topologías diferentes que emplean la técnica de
la modulación de anchura de pulso (PWM) para el accionamiento de
máquinas de corriente continua, aunque este tipo de dispositivos está
83
comenzando a ser sustituido por máquinas de inducción debido a su menor
coste de mantenimiento.
Durante los últimos 10 años ha aumentado de forma considerable la
necesidad de diseñar nuevas topologías para la construcción de fuentes de
alimentación de pequeño tamaño y alta eficiencia debido a que el número
de dispositivos que emplean baterías para la obtención de la energía
eléctrica es cada vez mayor.
Un sistema altamente eficiente para el desarrollo de estas nuevas fuentes
de alimentación es el empleo de fuentes conmutadas de muy alta
frecuencia (200, 300, 500 kHz). Al elevar tanto la frecuencia de trabajo,
los transformadores pueden implementarse con núcleo de ferrita o incluso
directamente con núcleo de aire por lo que el volumen final del sistema se
reduce drásticamente. Una segunda ventaja de estas fuentes de
alimentación es que a diferencia de las lineales (aquéllas que basan su
funcionamiento en emplear un transistor trabajando como una resistencia
variable para conseguir la caída de tensión necesaria) su función de
transferencia es equivalente a la de un transformador eléctrico. Es decir,
siempre puede encontrarse que la relación que existe entre la tensión de
entrada y la de salida es inversa a la relación de corrientes.
El segundo grupo en que se dividen los convertidores en función de la
frecuencia de las señales de entrada y salida son los convertidores CA-CC.
Estos dispositivos tienen una gran importancia debido a que la distribución
de energía eléctrica se realiza en alterna. Dentro de los convertidores CA-
84
CC, también llamados rectificadores, pueden distinguirse dos grandes
subgrupos.
Por un lado aquéllos que únicamente emplean diodos en su
funcionamiento, y por lo tanto, dado que los diodos conmutan
exclusivamente en función de las tensiones que en cada instante aparecen
en el sistema, no permiten ajustar la tensión de salida a conveniencia del
usuario. Y en segundo lugar aquéllos en los que los diodos son sustituidos
bien por tiristores o bien por transistores de potencia. Estos últimos
permiten trabajar variando la tensión de salida del rectificador mediante un
adecuado disparo de los elementos de conmutación y por ello han sido
muy utilizados para el control de las máquinas de tracción de corriente
continua en el área del transporte ferroviario. De los cuatro grupos a los
que se está haciendo mención los rectificadores son los más extendidos
dado que forman parte de la primera etapa de los convertidores CA-CA de
bus intermedio tanto en su versión no controlada como en la controlada.
El tercer grupo recibe el nombre de inversor (convertidor CC-CA) y
convierte sistemas continuos en sistemas alternos. Estos módulos suelen
emplearse como subsistema de salida de los convertidores CA-CA de bus
intermedio empleando la técnica de la modulación de anchura de pulso
PWM para alimentar dispositivos en modo corriente o en modo tensión.
Por último se encuentran los convertidores CA-CA generalmente
orientados al accionamiento de máquinas electromagnéticas tanto rotativas
como lineales y en sus tres vertientes tecnológicas: inducción, síncronas y
reluctancia variable. Esta familia de convertidores puede dividirse en dos
85
topologías generales claramente diferenciadas. Por un lado los
convertidores directos y por otro los convertidores que emplean un bus de
continua intermedio.
2.9 CICLOCONVERTIDORES7
Los primeros convertidores directos que se desarrollaron recibieron el
nombre de cicloconvertidores y estaban formados por dispositivos
semicontrolables, principalmente tiristores los cuales pueden ser
disparados siempre que se encuentren polarizados de forma directa, pero
pasan al estado de corte en función de la evolución de las tensiones en sus
extremos. La Figura 2.5 muestra un esquema desarrollado de la parte de
potencia de un cicloconvertidor.
Se puede comprobar cómo está constituido por una asociación de tres
puentes Graetz dobles en oposición con el fin de poder funcionar en los
cuatro cuadrantes; es decir, ser capaz de transmitir potencia desde la fuente
de alimentación al motor y desde el motor hacia la fuente de alimentación.
Cada uno de dichos puentes se comporta como un rectificador monofásico
controlado. La tensión de salida de un rectificador monofásico viene dada
por la fórmula
Va =Vm cos
Siendo Va la tensión de salida del rectificador monofásico controlado, Vm
la tensión de pico de una de las fases y  el ángulo de disparo de los
tiristores.
7
SANTANA TINOCO, MARIO. “Convertidores Electrónicos de Energía” pags. 234 -237
86
Figura 2.5 Etapa de potencia de un cicloconvertiodor
Si el valor del ángulo a se hace variar de forma cíclica de acuerdo con una
ley que proporcione una tensión continua variable desde el valor cero
hasta el máximo yendo posteriormente al valor nulo de forma senoidal, la
tensión de salida tendrá una componente fundamental senoidal de menor
frecuencia que la frecuencia de entrada y con valores de la tensión
positivos. La Tabla 2.1 muestra los valores del ángulo de disparo en
función del tiempo de ciclo de la onda que se desea obtener para el
semiciclo positivo, T2. Una vez generado el semiciclo positivo, de forma
totalmente simétrica se controla el otro medio puente rectificador que está
en oposición para generar la parte negativa del ciclo. De esta forma se
genera una onda completa de periodo 2T2 cuya frecuencia resultante vine
dada por la expresión:
87
1
f2 
2T2
Tabla 2.1 Ángulos de disparo en el semiperiodo positivo
Tiempo Ángulo  Va
0 90º 0
T2/4 45º 0.707 Vm
T2/2 0º Vm
3T2/4 45º 0.707 Vm
T2 90º 0
La Tabla 2.2 muestra los valores necesarios del ángulo de disparo para
generar la parte negativa del ciclo de salida.
Tabla 2.2 Ángulos de disparo en el semiperiodo negativo
Tiempo Ángulo  Va
T2 90º 0
5T2/4 135º -0.707 Vm
3T2/2 180º -Vm
7T2/4 135º -0.707 Vm
2T2 90º 0
Este tipo de convertidores cuenta con una importante limitación en el
rango de frecuencias de salida que pueden obtenerse ya que los tiristores
únicamente pueden ser controlados una vez en cada ciclo de la tensión de
entrada. Por ello en una red de alimentación de 50 Hz la máxima
frecuencia de salida de un convertidor es de aproximadamente 20 Hz.
La Figura 2.6 muestra la onda de salida de una fase del cicloconvertidor
generando una señal de aproximadamente 16.66 Hz.
88
Figura 2.6 Onda de tensión en una fase del cicloconvertidor
Las señales de disparo de las otras dos fases se deberán retrasar lo
necesario para que las tensiones de salida monofásicas estén desfasadas
120º entre sí. Las principales desventajas de este tipo de dispositivos son
las siguientes:
 Puede comprobarse en la Figura 2.8 cómo, debido a la baja
frecuencia de conmutación a la que trabajan los tiristores, la onda
generada cuenta con una gran cantidad de armónicos
comparándola con su armónico fundamental. Estos armónicos de
alta frecuencia no permiten alimentar máquinas en sistemas donde
el posicionado o el rizado en el par deban estar optimizados.
 La cantidad mínima de tiristores para formar una configuración
regenerativa es de 36 elementos. En función de la cantidad de
corriente que se deba proporcionar a la salida es posible que esta
cantidad de tiristores sea un múltiplo de 36.
89
 Teóricamente la tensión eficaz máxima de la onda de salida
debería ser de 1.654 veces la tensión de pico monofásica. Sin
embargo, no es posible alcanzar los 180º en el ángulo de
encendido, consecuentemente y para mantener la simetría en los
procesos de encendido cíclico de ambos puentes en oposición, el
ángulo de encendido tampoco podrá bajar hasta los 0º. Por lo tanto
existirá un ángulo amin suplementario que dejará los límites de
trabajo en el siguiente intervalo  min  180º  min
Estos nuevos límites implican una reducción de la tensión de salida
que responderá a la siguiente expresión:
Vrms  1.654Vm cos  min
 Desde un punto de vista del consumo de energía reactiva del
cicloconvertidor, hay que señalar que dado que el factor de
potencia en los rectificadores controlados depende directamente el
ángulo de disparo, es inevitable que los cicloconvertidores
empeoren el factor de potencia de las cargas ya que incluso con
cargas puramente resistivas el factor de potencia del sistema una
vez introducido el cicloconvertidor baja a 0.84. Esto se explica al
tener en cuenta que el cicloconvertidor está compuesto por tres
rectificadores controlados funcionando con ángulos de disparo que
varían cíclicamente alrededor de los 90º y el máximo consumo de
energía reactiva en un rectificador controlado se da precisamente a
los 90º.
90
 Como se ha comentado anteriormente que la frecuencia de salida
necesariamente es inferior a la frecuencia de entrada.
La principal ventaja de esta topología reside en que sus pérdidas son
menores respecto a los convertidores multinivel y de bus intermedio, al
mismo tiempo que cuentan con rendimientos comparables a los de los
rectificadores controlados. Su ámbito de aplicación es el accionamiento de
sistemas de baja o muy baja velocidad con grandes requerimientos de
corriente tales como, hornos rotativos, trenes de laminación, molinos de
cemento, etc.8
Existen actualmente diferentes líneas de investigación con el objetivo de
reducir al máximo el número de pares de tiristores necesarios. El mínimo
número de tiristores que se recoge en la bibliografía es de 18 como puede
verse en la Figura 2.7.
Figura 2.7 Configuración de un cicloconvertidor de 18 elementos
8
SANTANA TINOCO, MARIO. “Convertidores Electrónicos de Energía” pags. 321 - 323
91
2.10 CONVERTIDORES MATRIX9
Los convertidores Matrix son una evolución lógica de los
cicloconvertidores. Ya se ha comentado en el apartado anterior que uno de
los principales problemas que presentaban inicialmente los convertidores
CA-CA directos estaba relacionado con el empleo de tiristores en su
fabricación. Los avances que la electrónica de potencia ha experimentado
durante los últimos años ha permitido la aparición de nuevos dispositivos
capaces de conmutar elevadas tensiones y corrientes a velocidades cada
vez más altas, como por ejemplo los IGBT, GTO, MCT (del inglés, MOS
Controled Thyristor), etc.
Coordinando de forma adecuada los disparos de todos los elementos de
conmutación es posible aumentar la frecuencia de salida a la vez que se
reduce el contenido armónico de la tensión de salida. Sin embargo sigue
siendo inevitable el emplear una gran cantidad de dispositivos de
conmutación debido a que la transformación se produce en un único paso.
No ha sido posible implementar este tipo de topologías, a pesar de estar
recogidos en la bibliografía desde hace varias décadas, hasta que la
evolución de la electrónica digital ha evolucionado lo suficiente para
generar las secuencias de conmutación de los transistores a alta velocidad.
Actualmente están siendo empleadas en sistemas de media tensión tales
como tracción de ferrocarriles, alimentación de hornos de inducción en la
industria etc.
9
SANTANA TINOCO, MARIO. “Convertidores Electrónicos de Energía” pags. 380 - 383
92
CAPITULO 3
MODULACIÓN DE ANCHO DE IMPULSO
3.1 FUNDAMENTO TEÓRICO
Como su nombre indica, esta técnica consiste en generar pulsos de
frecuencia determinada y hacer variar el ciclo de trabajo de los mismos
(duty cycle) Para el caso de convertidores CC/CC, se obtiene dicha forma
de onda mediante la comparación de una señal triangular de frecuencia fija
con un nivel de tensión continua; dicho nivel de continua aporta la
información de la referencia a conseguir (ver figura 3.1).
Figura 3.1 Forma de generar una señal PWM
93
Esta tensión PWM si se filtrase, se obtendría un valor medio proporcional
a la referencia –onda moduladora- ya que el ancho de pulso de la misma es
proporcional a la misma y para este tipo de forma de onda cuadrada y de
amplitud constante el valor medio depende sólo del ciclo de trabajo: este
es el principio de la modulación de ancho de pulso y del funcionamiento
de los convertidores CC/CC conmutados PWM.
Si ahora planteamos una referencia de tipo senoidal, cuya frecuencia sea
notablemente menor que la de la triangular portadora, la tensión que
obtendremos, una vez filtrada la onda modulada, será también senoidal,
con mayor o menor contenido en armónicos de alta frecuencia; en la figura
3.3 se puede observar un ejemplo de una onda PWM con referencia
senoidal. De aquí en adelante y hasta que no se diga lo contrario toda la
explicación sobre la modulación PWM estará referida a la figura 3.2.
Figura 3.2 esquema de un inversor monofásico
94
Figura 3.3 Aspecto de una señal PWM Con referencia Senoidal
Por tanto, para obtener una forma de onda senoidal basta con aplicar la
forma de onda resultante de la comparación de una onda triangular con
una senoidal y filtrar adecuadamente. Para el caso de los inversores de
potencia, se aprovecha la señal resultante de dicha comparación para
excitar los transistores que forman la topología, de forma que en los
instantes en que la señal resultante de la comparación esta en estado alto,
el interruptor T+ esta cerrado, y cuando esta es negativa, es T- el que está
saturado. De esta forma, se obtiene una tensión con el aspecto indicado en
las figuras anteriores a partir de la tensión continua de entrada:
Ve
Vsen Vtri T  saturado Vs  (3.1)
2
Ve
Vsen  Vtri  T  saturado  Vs  (3.2)
2
95
Como se puede observar, los interruptores nunca están simultáneamente
en estado saturado.
Con el objeto de realizar un estudio de la manera más global posible,
normalizaremos los valores de las frecuencias y de las amplitudes de las
señales que intervienen; así, se define la modulación de amplitud como
la relación de amplitudes de la señal senoidal y de la triangular
(moduladora y portadora) :
Vsen
ma  (3.3)
Vtri
Además, definimos la modulación de frecuencia como la relación entre
las frecuencias de la señal triangular y la señal senoidal:
ftri
mf  (3.4)
f sin
Con estos parámetros, se pueden establecer algunas reglas acerca de la
tensión de salida, sus armónicos, etc.
La amplitud del armónico fundamental de la tensión de salida es ma veces
la tensión de entrada mitad.
Si se supone que la frecuencia de la señal triangular es lo suficientemente
mayor que la frecuencia de la senoidal (mf es elevado), se puede
considerar sin error apreciable que la tensión de salida modulada es
constante en cada ciclo, siendo su valor en estado alto Ve/2 y cuando está
en estado bajo -Ve/2; en estas condiciones, se puede establecer el valor
medio de la tensión de salida:
Ve  Ton Toff  Ve  Ton  Toff 

Vs       (3.5)
2  T T  2  T 
96
y se demuestra, para un ciclo, que:
Ton  Toff Vsen

  ma (3.6)
T Vtri
1. Por lo tanto, si se asume que la amplitud de la onda portadora es
constante e inferior a la amplitud de la onda referencia (es decir ma < 1),
el único término variable de un ciclo a otro es la amplitud de la onda
moduladora, la cual sigue una ley senoidal, con lo que se puede reescribir
la fórmula inicial de manera que el valor del primer armónico de la
tensión de salida toma como valor:
Van1 
Vsen
Vtri
 
sen t
Ve
2
 ma sen t  
Ve
2
(3.7)
Siendo w la pulsación de la onda senoidal de referencia, con lo cual se
puede decir que la amplitud del primer armónico de salida es ma veces la
amplitud mitad de la tensión de entrada.
2. Los armónicos de la tensión de salida aparecen como bandas laterales de
la frecuencia de conmutación y sus múltiplos; este aspecto es válido para
valores de mf > 9, lo cual se puede tomar como cierto siempre, salvo en
casos excepcionales de muy elevada potencia. Para el caso general,
puede decirse que la amplitud de los distintos armónicos es
prácticamente independiente del parámetro mf, y éste sólo define la
frecuencia a la que aparecen, de manera que puede expresarse la
frecuencia de los distintos armónicos por la siguiente expresión:
a. fs   jmf  k  f (3.8)
siendo fs la frecuencia del armónico de orden s correspondiente a la
banda lateral k para j veces el índice de modulación.
97
Para valores impares de j, sólo existen armónicos para valores pares del
parámetro k; para valores pares de j, sólo existen armónicos para valores
impares de k.
En la tabla del ANEXO 3 se recogen las amplitudes normalizadas de los
distintos armónicos (Vs)h/(Ve/2), en función del índice de modulación
mf. Sólo están representados aquellos que tienen un valor significativo
hasta j=4.
3. El parámetro mf debe de ser un entero impar: de esta manera, se obtiene
una simetría impar además de una simetría de media onda; por tanto, en
la tensión de salida sólo existirán armónicos de orden impar y
desaparecen los armónicos de orden par. En el desarrollo en serie de
Fourier, sólo existirán los términos en seno.
3.2 RECOMENDACIONES PARA LOS VALORES MA Y MF
En este apartado nos centraremos en los criterios para seleccionar el valor
de los parámetros normalizados ma y mf, tomando en cuenta los criterios
expuestos anteriormente. Así, atendiendo a la etapa de filtrado que es
necesario añadir, interesa trabajar con valores de mf lo más altos posible,
ya que los armónicos aparecerán a frecuencias elevadas, lo cual facilita el
filtrado de las mismas; sin embargo, no se debe dejar de lado que las
pérdidas en conmutación aumentan al elevar la frecuencia; si se tiene en
cuenta que es preciso funcionar fuera del rango audible, la frecuencia suele
elegirse o bien por encima de 20 Khz o por debajo de 6Khz (para casos de
muy elevada potencia), con el objeto de evitar las frecuencias en dicho
margen. Como se puede observar, existe un compromiso en la elección de
98
este parámetro; la mayoría de los autores fijan el valor de 21 como
frontera para que el valor de este parámetro pueda considerarse elevado o
bajo.
Se pueden suministrar recomendaciones según el valor de este parámetro
(asumiendo ma<1), tomando el criterio anterior:
mf<21
1.- Las señales senoidal y triangular deben de estar sincronizadas, lo cual
requiere obligatoriamente que mf sea un valor entero. La razón hay que
buscarla en que para el caso de trabajar con ambas señales
desincronizadas, la señal de salida tendría subarmónicos, lo cual es
claramente indeseable. Por tanto, si la tensión de salida debe de modificar
su frecuencia, la señal triangular debe también de cambiar.
2.- Debe de ser un valor impar, tal y como se comentó en el apartado
anterior, con el objeto de aprovechar la simetría de la forma de onda.
3.- Las pendientes de las señales Vsin y Vtri deben de tener polaridades
opuestas y coincidentes en su paso por cero. Este aspecto es
particularmente importante para el caso de valores bajos de mf.
mf>21
Las amplitudes de los subarmónicos que pueden generarse al emplear
PWM asíncrono son despreciables. Por tanto, si el valor de mf es elevado,
se puede fijar la frecuencia de la señal triangular y variar la frecuencia de
la señal senoidal. Sin embargo, si la carga a manejar es un motor, no debe
de emplearse el modo asíncrono, ya que aunque los armónicos de baja
99
frecuencia son de baja amplitud, pueden generarse corrientes de elevado
valor y claramente indeseables.
ma>1
Para el parámetro ma, se ha considerado que es siempre menor que la
unidad; si este parámetro es mayor que la unidad, estaremos en la
situación denominada sobremodulación. En esta situación, si bien la
amplitud del armónico fundamental se puede incrementar, se incrementan
el número de armónicos en la salida y aparecen a frecuencias menores.
Para este régimen de funcionamiento, se recomienda trabajar de forma
síncrona. Esta situación se debe de evitar en los sistemas de alimentación
ininterrumpida, para evitar al máximo posible la distorsión en la tensión de
salida. Sin embargo, es habitual utilizar sobremodulación. El valor de ma
queda limitado de la siguiente forma:
4
ma  (3.9)

Para valores mayores de este parámetro, se pierde el concepto de PWM y
se degenera en un esquema de onda cuadrada.
3.3 CONTROL DE ONDA CUADRADA
Con esta técnica, cada interruptor de la rama está en estado saturado
durante medio ciclo, (180 º eléctricos). El resultado es una onda cuadrada,
que varía entre Vd/2 y –Vd/2. Si realizamos el análisis de Fourier, lo
valores de las componentes armónicas en la salida del inversor se pueden
obtener, para una tensión Vd dada, de la siguiente forma:
4 * Ve  Ve 
Vs   1.273   (3.10)
2  2 
100
para el primer armónico; para el resto, se obtiene:
VS 1
Vsn  (3.11)
n
donde Vsn sólo tiene sentido para los armónicos impares. De hecho, puede
englobarse este caso dentro de los PWM para el caso de tener ma una
valor lo suficientemente elevado como para que la onda de control
(senoidal) corte a la portadora solamente en los puntos de paso por cero.
En este caso, la tensión de salida es independiente del valor del índice de
modulación.
Una de las ventajas de esta forma de onda, es que los interruptores están
en estado saturado una sola vez por ciclo, lo cual resulta particularmente
importante en el caso de tener alta potencia; en estos casos, se impone la
utilización de IGBTs, los cuales tienen un tiempo de apagado y encendido
relativamente altos.
Por tanto, interesa limitar el número de conmutaciones por ciclo, a fin de
disminuir las pérdidas debidas a este concepto.
Sin embargo, este tipo de control tiene un grave inconveniente: no se
puede ajustar el nivel de la tensión de salida; por tanto, si se desea regular
la tensión, es necesario intercalar otro convertidor que actúe sobre la
tensión de entrada, a fin de conseguir la regulación deseada.
3.4 INVERSORES MONOFÁSICOS EN CONFIGURACIÓN DE PUENTE

COMPLETO
En la figura 3.4 se muestra la topología de un puente completo
monofásico. Esta configuración se utiliza con potencias mayores que las
de un inversor monofásico. Para la misma tensión de entrada, la tensión
máxima de salida que se puede obtener, es el doble que en el caso del
101
medio puente; por tanto, para una mima potencia, la corriente por cada
interruptor es la mitad. Si estamos trabajando con altas potencias de salida,
dado que la corriente a manejar es menor, este hecho significa una notable
ventaja, ya que será preciso paralelizar menos interruptores.
Figura 3.4 topología del convertidor en puente completo
Para esta topología, podemos distinguir dos esquemas básicos de
funcionamiento: bipolar o unipolar; por estos términos, se entenderá como
varía la tensión aplicada al conjunto rectificador-carga: para el caso
bipolar, la tensión oscilará entre el valor máximo de la tensión de entrada y
el mismo valor negativo (+Ve, -Ve), a la frecuencia de conmutación; para
el caso unipolar, para cada ciclo de conmutación, la tensión variará entre el
valor Ve y 0 o bien entre –Ve y 0, dependiendo de en que semiciclo de la
onda moduladora nos encontremos.
102
3.4.1 CONTROL PWM BIPOLAR
Para conseguir que la forma de onda varíe entre Ve y –Ve es preciso
que los interruptores del puente conmuten de forma cruzada, es
decir, que TA+ y TB estén saturados al mismo tiempo, y de igual
forma para los otros dos interruptores. De esta forma, el control de
los interruptores se realiza de la misma forma que en el caso de un
medio puente; la única diferencia es que es preciso enviar la señal de
mando a dos interruptores.
La forma de onda obtenida en el conjunto filtro+carga es
exactamente la misma que para el caso del medio puente, salvo en la
amplitud: para el caso del puente completo, ésta es doble; por tanto,
el análisis de los armónicos que aparecen en la tensión de salida, es
exactamente el mismo. La única diferencia estriba en la
desnormalización de los valores de la tabla, ya que está calculada
para un medio puente, con lo cual la tensión base es Ve/2; será
preciso por tanto, multiplicar por dos los valores de las amplitudes
normalizadas, con el objeto de realizar la corrección adecuada al
caso del puente completo.
3.4.2 CONTROL PWM UNIPOLAR
En este caso, los interruptores de las ramas no conmutan en el mismo
instante de tiempo como en el caso anterior. La forma de controlar
ambas ramas es independiente, realizando para el control dos
comparaciones distintas: por un lado, para controlar una de las ramas
se sigue la misma filosofía anterior:
103
Vsen  Vtri : TA  ON ;VAN  Ve (3.12)
Y además
Vsen  Vtri : TA  ON ;VAN  0 (3.13)
Para la otra rama, emplearemos la siguiente comparación:
Vsen  Vtri : TB  ON ;VBN  Ve (3.14)

Y para el interruptor TB- obtenemos:
Vsen  Vtri : TB  ON ;VBN  0 (3.15)
En el ANEXO 4 se puede observar la forma de onda de la tensión
entre los puntos A y N y entre los puntos B y N; la tensión de salida,
se puede obtener fácilmente mediante la diferencia de ambas; para
este esquema utilizaremos un valor de mf par.
VAB  VAN  VBN (3.16)
Debido a la presencia de los diodos en antiparalelo con los
interruptores, las tensiones deducidas en las ecuaciones anteriores
son independientes del sentido de la corriente.
Las combinaciones anteriormente establecidas nos suministran la
siguiente secuencia para los interruptores:
TA , TB  ON : VAN  Vd ;VBN  0;VS  Ve

TA , TB  ON : VAN  0;VBN  Vd ;VS  Ve
(3.17)
TA , TB  ON : VAN  Vd ;VBN  Vd ;VS  0
TA , TB  ON : VAN  0;VBN  0;VS  0
3.4.3 CONTROL POR DESPLAZAMIENTO DE FASE
Para el caso particular de los inversores en puente completo existe la
posibilidad de emplear un esquema de control de los interruptores en
el cual estos trabajan a baja frecuencia, entendiendo por baja
frecuencia la de la tensión de salida que se desea obtener. En este
104
caso, todos los interruptores trabajan con un ciclo de trabajo de 0.5,
de forma muy parecida al esquema de onda cuadrada. La diferencia
estriba en que ambas ramas se controlan de forma independiente, y
dentro de un mismo ciclo, se permite que los interruptores superiores
(TA+ y TB+) o los inferiores (TA- y TB-) estén en saturación, de forma
que la tensión de salida en el conjunto filtro+carga es nula en
determinados instantes de tiempo.
Definiremos los parámetros α y β, de forma que α es el ángulo de
solapamiento que existe entre las fases VAN y VBN, y β como 90º-α/2
(ver figura 3.5).
Figura 3.5 Formas de onda y parámetros significativos del control

por el método de fase desplazada
105
En este caso es posible controlar la tensión de salida, en cuanto a su
amplitud y frecuencia. Este hecho se justifica de forma sencilla sin
más que evaluar la expresión de los armónicos de la tensión de
salida. Para ello, se incluye el cálculo normalizado de ellos (hasta el
séptimo armónico) y se muestra en forma de curvas normalizadas
con respecto a la componente fundamental de la tensión de entrada,
en función del parámetro α.
3.5 INVERSORES TRIFÁSICOS
El estudio de los inversores trifásicos se puede realizar a través de tres
inversores monofásicos separados, de forma que cada uno de ellos
sumnistre su tensión de salida desfasada 120 º con respecto a los otros dos;
sin embargo, esta configuración requeriría un acceso separado a cada fase
de la carga, lo que en líneas generales no es posible. Por otro lado, dicha
configuración necesita doce interruptores. Por tanto, resulta más
conveniente utilizar la configuración mostrada en la figura 3.6, compuesta
por tres ramas simples, una por cada fase. El estudio es totalmente similar
al realizado en los apartados anteriores. La tensión de salida de cada rama
(VAN , por ejemplo) depende única y exclusivamente de la tensión de
entrada y del estado de los interruptores; al igual que en el caso
monofásico, la tensión obtenida es totalmente independiente de la
corriente de salida, dado que siempre existe un interruptor en estado ON
en cada rama. Nuevamente para el análisis consideraremos todos los
componentes ideales, así como que las conmutaciones de los interruptores
se producen de forma instantánea, sin ningún tiempo muerto.
106
3.5.1 INVERSORES TRIFÁSICOS CON CONTROL PWM
Al igual que los inversores monofásicos, el objetivo consiste en la
obtención de tres tensiones senoidales, controlables en magnitud y
frecuencia, a partir de una fuente de tensión continua de entrada.
Para obtener tensión trifásica completamente equilibrada, las órdenes
de control para los interruptores se generarán de forma similar al
caso monofásico: se comparará la misma onda triangular con tres
senoidales de la misma frecuencia (tres ondas moduladoras) y
desfasadas entre sí 120 º, como se advierte en la figura 3.6.
En las tensiones de salida de cada rama (VIN) observamos que existe
un nivel de continua, al ser siempre positivas; sin embargo, esta
tensión desaparece de forma natural en las tensiones de línea, (VAB,
por ejemplo) ya que todas las ramas tienen exactamente el mismo
nivel de continua; este hecho es idéntico al caso monofásico en
puente completo.
Figura 3.6 Formas de onda para obtener el control de los

interruptores para el caso trifásico
107
Para el caso de los inversores trifásicos, se hace preciso tener en
cuenta únicamente los armónicos que aparecen en la tensión de línea.
Si examinamos el espectro en frecuencia de las tensiones VAN ,VBN
y VCN observamos que existen los armónicos impares que son
bandas laterales de mf y sus múltiplos, suponiendo mf impar. Si
consideramos los armónicos de orden mf (y lo mismo ocurrirá con
sus múltiplos impares) la diferencia de fase entre el correspondiente
a VAN y el de VBN es de 120 º x mf ; por tanto, esta diferencia será de
cero si mf es impar y múltiplo de 3 (120º x (2n+1) x 3 ↔ 360 º); por
tanto, queda cancelado del espectro de VAB. Razonando de igual
forma, se concluye que los armónicos múltiplo impar de mf se
cancelan de la tensión de línea, si se elige mf impar y múltiplo de 3.
Se elige mf como impar para que sus múltiplos de 3 sigan siendo
impares y por tanto desaparezcan los armónicos de orden par. En la
figura 3.7 se observan los espectros de la tensión de línea y de las
tensiones VAN y VBN, ilustrando lo anteriormente expuesto.
Las recomendaciones para el caso de trifásico acerca de los valores
de mf y ma no difieren en gran medida de las ya expuestas para el
caso monofásico; se pueden resumir en las siguientes:
- Para valores bajos de mf, con el objeto de eliminar los armónicos
pares debe de utilizarse PWM síncrono, con mf entero e impar.
- El valor de mf debe de ser múltiplo de 3, para eliminar los
armónicos de amplitud más relevante.
108
- Las pendientes de la onda portadora y de la moduladora deben de
ser contrarias en los pasos por cero.
- Para valores elevados de mf son válidas las consideraciones
realizadas para monofásico.
- Si se trabaja con sobremodulación, se deben de respetar los
criterios expuestos para valores bajos de mf, sin importar el valor de
este.
3.5.2 AMPLITUDES NORMALIZADAS DE LOS ARMÓNICOS

MÁS RELEVANTES
En la zona lineal, (ma≤1) la amplitud del armónico de frecuencia
fundamental varía de forma lineal con el índice ma . Del análisis
realizado en los puntos anteriores, se tiene para la amplitud del
armónico fundamental de la tensión VAN que :
V
V AN 1  ma d (3.18)
2
Figura 3.7 Espectro de las tensiones de línea (superior) y VAN

y VBN
109
Por tanto, el valor eficaz de la tensión de línea a la frecuencia
fundamental, dado que las tensiones están desfasadas 120 º , se
puede escribir:
3
VAB  * ma * Vd
2 2
VAB  0.612 * ma * Vd (3.19)
Luego es posible calcular el valor eficaz de dichos armónicos sin
más que multiplicar los valores de la tabla normalizada por el factor
0.612. El resultado se muestra en la tabla del ANEXO 6.
3.5.3 SOBREMODULACIÓN
Para el caso de tener índices de modulación superiores a la unidad, la
amplitud del armónico fundamental ya no varía de forma lineal con
dicho parámetro. En la figura 3.8 se puede observar la variación del
valor eficaz del armónico principal en función de ma; como se puede
observar, a partir de la unidad, la relación deja de ser lineal hasta que
se alcanza el valor máximo de 0.78, que se corresponde con el
esquema de onda cuadrada. Con este tipo de control aparecen más
armónicos como bandas laterales de mf y sus múltiplos; sin embargo,
los armónicos dominantes tienen una amplitud más reducida que
para el caso anterior. Por tanto, las pérdidas de debido a los
armónicos no deseados no serán tan elevadas como se infiere de la
presencia de más armónicos.
Dependiendo de la naturaleza de la carga y de la frecuencia de
conmutación, las pérdidas debidas a estos armónicos en
110
sobremodulación pueden ser incluso menores que las producidas en
la zona lineal PWM.
Figura 3.810 Variación del valor normalizado del armónico

fundamental con ma
10
Juan Díaz Gonzáles “Inversores PWM” pag. 456
111

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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CENTRO DEL PERU

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

“ANALISIS DE UN CONTROL DE VELOCIDAD DE

PARA OPTAR EL TITULO PROFESIONAL DE:

ALVARADO CORDOVA, LUIS ANGEL

Ing. Guido Arauzo Gallardo

décadas. En la actualidad contamos con dispositivos que pueden manejar gran

capacidad de corriente sometidos a altas tensiones y trabajando a altas frecuencias

conmutadores estáticos hoy podemos realizar configuraciones circuitales que hace

unos cuantos años atrás nos hubiera sido imposible realizarlos.

El problema que más nos debe interesar es que los conmutadores en la

configuración circuital siempre trabajan como circuitos abiertos y circuitos

cerrados alternativamente ya sea unitariamente, de dos en dos o de tres en tres

conmutadores etc. Prácticamente se forman dos grupos antagónicos bien

marcados de conmutadores; o sea mientras un grupo están abiertos el otro está

cerrado, y por ningún motivo en un tiempo determinado a un conmutador de uno

circuito severo inmediatamente, destruyéndose inmediatamente todo el sistema de

usa y se seguirá usando la técnica llamada modulación por ancho de pulsos

funcionamiento de la modulación por ancho de pulsos con dispositivos estáticos

existentes en el mercado. Y para esto se ha dividido la Tesis en tres capítulos :

el segundo capítulo se estudian los métodos para controlar la velocidad de un

motor de inducción, finalmente en el último capítulo se analiza la modulación de

ancho de impulso (pwm).

Desde la aparición de los motores eléctricos los investigadores, tanto de

los sistemas electromagnéticos como de la electrónica de control, han

trabajado en el desarrollo de sistemas complejos que proporcionen el par

mecánico deseado a la velocidad necesaria con el mínimo coste y la mayor

sencillez desde el punto de vista del mantenimiento posterior.

Desde el comienzo el motor que proporciona las mejores prestaciones

desde el punto de vista mecánico es el motor de corriente continua (CC).

Este dispositivo permite una sencilla variación de la velocidad de giro

mediante la variación de la tensión de alimentación, al mismo tiempo que

garantiza la posibilidad de modificar el par electromagnético generado

modificando la corriente de alimentación del rotor en los sistemas de

De esta forma se garantiza un funcionamiento a “par constante” en todo el

rango de velocidades para el que se diseñaba el dispositivo, pudiendo

trabajar en modo de “potencia constante” a velocidades superiores a la

nominal. El principal inconveniente de este tipo de motor está originado

por el relativamente alto coste de mantenimiento que presenta al necesitar

un sistema de escobillas con el fin de introducir la corriente de excitación

Los motores asíncronos de jaula de ardilla, por el contrario, presentan un

empeorar sus características electromecánicas dado que, aunque no

precisan introducir de forma externa alimentación en el rotor, presentan en

en un restringido rango de velocidades de giro.

Con el fin de sustituir el empleo de los motores de corriente continua, se

ha desarrollado un gran abanico de posibles soluciones tanto mecánicas

consiste en modificar las tensiones y corrientes de alimentación de la

máquina mediante un dispositivo electrónico operando en modo

conmutación. La unión del motor de inducción con el regulador tensión-

frecuencia variable ha impulsado la sustitución del motor de corriente

continua en un gran número de aplicaciones. Sin embargo hoy en día

todavía existen aplicaciones en las que únicamente el desarrollo de

convertidores de muy bajo coste permitirá la sustitución del motor CC.

Con el fin de controlar el coste final del convertidor tensión frecuencia

variable es necesario, por un lado, mejorar las metodologías de diseño de

ofrecen los fabricantes de sistemas electrónicos de potencia. Por otro lado

es necesario estudiar profundamente la problemática de la emisión

electromagnética de los convertidores.