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    Experiencia N

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    El documento describe un experimento para verificar las características de operación de diodos semiconductores de silicio y germanio. Se midieron las resistencias directa e inversa de ambos diodos, y se implementó un circuito para medir la corriente y tensión directas e inversas variando la tensión de alimentación, registrando los resultados en tablas.

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    EXPERIENCIA N° 1

    DIODO SEMICONDUCTOR CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

    I. OBJETIVOS

    Verificar las características de operación de los


    diodos semiconductores
    IV. PROCEDIMIENTO

    1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de

    Silicio. Registrar los datos en la tabla 1.1

    Tabla 1.1

    Rdirecta Rinversa
    1.98MΩ →∞

    2. Implementar el circuito de la figura 1.1.

    a. Ajustando la tensión de salida de la fuente de tensión (empezando de 0V),

    observar y medir la corriente y la tensión directa del diodo. Llene la tabla 1.2.

    b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,

    proceder como en a), registrando los datos en la tabla 1.3

    FIGURA 1.1

    Tabla 1.2

    Vcc(V) 0.483 0.511 0.581 0.652 0.764 0.881 1.165 1.695 2.202 2.899
    Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
    Vd(V) 0.473 0.496 0.541 0.574 0.609 0.631 0.664 0.697 0.715 0.727
    Tabla 1.3

    Vcc(V) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
    Vd(V) 0.0 0.68 0.72 0.74 0.75 0.76 0.78 0.79 0.81
    Id(mA) 0.0 13 13.08 54 74.3 95.8 115.2 152.1 171.5

    3. Usando el ohmímetro, medir la resistencia directa e inversa del diodo de germanio. Registrar los
    datos en la tabla 1.4

    Tabla 1.4

    Rdirecta Rinversa
    6.12kΩ →∞

    4. Repetir el circuito de la figura 1.1 para el diodo de germanio de manera similar al paso 2.

    Proceda a llenar las tablas 1.5 y 1.6

    Tabla 1.5

    Vcc(V) 0.015 0.23 0.34 0.49 0.69 0.888 1.41 1.93 2.26 2.51 3.02 3.68
    Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
    Vd(V) 0.015 0.23 0.29 0.39 0.51 0.61 0.83 1.02 1.12 1.20 1.31 1.49

    Tabla 1.6

    Vcc(V) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
    Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
    Vd(V) 0 1 2.1 4.1 6.12 8.1 10.1 12.1 15.1 18.1 20.1

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