Protección de circuitos inversores

Mejora de la protección del inversor con

un acoplador / controlador inteligente
Artículo cedido por Toshiba

Cuando controlamos inversores Protección de sobre- tación de información de la corrien-

IGBT de alta potencia utilizados en corriente te al controlador sin necesidad de
aplicaciones tales como control de aislamiento adicional. Sin embargo,
www.toshiba.es motores, soldadores industriales Los IGBTs del puente inversor los propios transformadores de co-
o sistemas de alimentación inin- pueden estar expuestos a corrientes rriente son físicamente grandes y
terrumpida, los controladores de excesivas en el caso de un cortocir- pueden ser demasiado voluminosos
puerta ópticos (fotoacopladores) cuito en la carga causada por la co- para las aplicaciones de hoy en día.
proporcionan importante aislamien- nexión incorrecta o por un fallo tal Por otro lado, se puede utilizar una
to galvánico para proteger al usua- como la insuficiencia del aislamien- resistencia de sensado de corriente.
rio y circuitos de control de baja to del devanado en una aplicación Aunque la resistencia puede ser
tensión de las condiciones poten- de control del motor. Otras causas pequeña, las pérdidas I2R pueden
cialmente perjudiciales en la parte de la corriente de cortocircuito no ser altas, y se requiere aislamiento
de alta potencia de la fuente. Sin deseado incluyen encendido del adicional.
embargo, se necesita protección transistor, resultando en ambos Alternativamente, usando el pin
adicional para evitar corrientes de brazos, superior e inferior, en la DESAT junto con un diodo de alta
cortocircuito que dañen los transis- misma fase del puente, sucediendo tensión para controlar la tensión
Autor: Matthias tores de potencia (figura 1), lo que al mismo tiempo. Esto puede ser de saturación VCE(sat) del IGBT in-
Diephaus, Toshiba Elec- puede aumentar considerablemente causado por condiciones del circui- curre en baja pérdida de potencia y
tronics Europe el tamaño total del inversor. to ruidosas, o por la acción de la también permite que la función de
capacitancia parasitaria Miller CCG protección pueda ser implementada
Por otra parte, la integración de entre la puerta IGBT y el colector. en el lado IGBT, lo que resulta en
la protección adecuada dentro del En caso de un corto circuito, el una respuesta rápida. Además, es
propio fotoacoplador, para crear exceso de corriente debe ser detec- relativamente barato.
un controlador inteligente, permite tado y el transistor apagado dentro La Figura 2 muestra los com-
una solución más eficiente con el del tiempo de soporte del cortocir- ponentes externos necesarios para
espacio y también proporciona una cuito, indicado por el fabricante implementar un monitor VCE(sat)
protección optimizada que puede IGBT. Esto es típicamente 10μs. Por mediante un acoplador conductor
ser difícil de diseñar utilizando com- otra parte, es deseable un desvío de propósito general como el To-
ponentes discretos. suave del dispositivo, ya que un shiba TLP352. La tensión VCE(sat)
Un camino de realimentación cambio rápido en la corriente de se supervisa. El controlador genera
aislado para indicación de fallo colector puede inducir una gran una señal de puerta que apaga el
también se puede integrar, lo que tensión colector-emisor superando IGBT suavemente cuando se detecta
resulta en un acoplador / contro- la tensión nominal de ruptura. un exceso de corriente. También,
lador inteligente que ahorra el nú- Es posible utilizar transforma- un acoplador de alta velocidad de
mero de componentes y el espacio dores de corriente para detectar 1 Mbps se utiliza para transmitir
en la placa y también mejora la la corriente que fluye en puntos señales de fallo al controlador.
fiabilidad de todo el conjunto del estratégicos en el sistema. Esto pro-
sistema. porciona un medio de retroalimen- Protección Integrada

Mediante la integración de cir-

cuito de monitorización externo
VCE(sat) - y el acoplador de retroa-
limentación en el mismo paquete
que la puerta de conductor aislado,
se puede lograr un ahorro significa-
tivo en el tamaño y la complejidad
del circuito PCB.
El controlador de puerta inte-
ligente TLP5214 supervisa la Vce
en el pin DESAT a través del diodo
externo DDESAT, como se muestra
en la figura 3. Cuando el IGBT está
funcionando normalmente, VCE
se convierte en la tensión de sa-
turación VCE(sat) (por debajo de
Figura 1. Corrientes de cortocircuito pueden dañar los transistores de potencia del inversor. aproximadamente de 2V). Cuando

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 Protección de circuitos inversores

solución más satisfactoria mediante

la creación de un cortocircuito entre
la puerta y el emisor del IGBT infe-
rior. Sin embargo, la configuración
de un circuito adecuado usando
componentes externos es complica-
do y requiere espacio adicional en
la placa, como se ve en la figura 2.
El TLP5214 tiene una pinza Miller
activa interna que elimina la nece-
sidad de componentes de sujeción
externos. El pasador Miller-clamp,
VCLAMP, que se muestra en la fi-
gura 3, está conectado a la puerta
del IGBT.
Cuando la salida del fotoacopla-
dor cambia de alta a baja, la tensión
de puerta cae por debajo de alre-
dedor de 3V y el MOSFET entre los
pasadores VCLAMP y VEE se encien-
Figura 2. Controlador/acoplador con componentes externos para protección de fallo y de pinzando de ese modo la puerta
retroalimentación. a la tensión del emisor (VEE). Esto
hace que la corriente Miller eluda
se produce un exceso de corriente que fluye en la dirección de la sa- al emisor por el pasador VCLAMP,
el dispositivo desatura y la VCE(sat) lida del fotoacoplador. A medida suprimiendo así la subida de la ten-
aumenta. Cuando la VCE(sat) se ele- que la corriente pasa a través de sión en la puerta y previniendo así,
va por encima de 6,5V, el TLP5214 la resistencia de puerta RG del cir- cortocircuitos en la parte inferior /
genera una señal de apagado suave cuito, la tensión cae y la tensión superior de los brazos.
en VOUT para proteger el IGBT y al de puerta se eleva, generando una Mediante la combinación de de-
mismo tiempo transmite una señal condición ON tensión cae y la ten- tección de desaturación IGBT, la
de fallo al controlador usando el sión de puerta se eleva, generando retroalimentación aislada de estado
acoplador de alta velocidad de 1 una condición ON falsa del IGBT, de fallo, apagado suave del IGBT,
Mbps, que está también integrado. lo que induce a un cortocircuito pinzamiento Miller vivo y bloqueo
El apagado Vout comienza dentro en los brazos superior/inferior. Este de baja tensión (UVLO) en un solo
de 700 ns, proporcionando así una encendido no deseado se puede dispositivo, el inteligente fotoaco-
protección de acción rápida. En el prevenir mediante una fuente de plador gate-driver TLP5214 ofrece
circuito convencional de la figura 2, energía negativa, lo que requiere una solución altamente integra-
la señal de fallo debe ser alimenta- de circuitos de potencia adicional. da para la conducción de IGBT y
da de nuevo al controlador: por lo Una solución menos costosa es MOSFET de potencia utilizada en
tanto, pasan unos pocos microse- utilizar una resistencia de puerta aplicaciones de inversores. Estas
gundos típicamente antes de que inferior, aunque esto puede incre- funciones se implementan de ma-
el controlador de salida comienza mentar el ruido de conmutación, y nera eficiente y rentable utilizando
a apagar el IGBT. la cantidad por la que la resisten- dos LEDs GaAlAs y dos circuitos
cia puede reducirse es limitada. La integrados de alta ganancia y de
Pinza activa Miller pinza Miller activa proporciona una alta velocidad.

El TLP5214 también integra una

pinza Miller activa para prevenir
un encendido del IGBT no deseado
causando un corto circuito a través
de los brazos superior e inferior del
puente.
La capacitancia parasitaria Miller
del IGBT, CCG, puede hacer que el
IGBT en el brazo inferior del puente
se encienda cuando el IGBT superior
se enciende. Esto sucede porque
al encender el IGBT superior hace
que la VCE del IGBT inferior au-
mente bruscamente, provocando
una corriente de desplazamiento,
IS, equivalente a CCG x (dVCG/dt) Figura 3. El TLP5214 mostrando protección de saturación integrada y circuitos pinza Miller activos.

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