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    El documento presenta tres ejercicios sobre circuitos con diodos zener, transistores bipolares y JFET. El primer ejercicio calcula las resistencias R1 y R2 para proteger un voltímetro de sobrecargas usando un diodo zener. El segundo ejercicio determina los puntos de funcionamiento de dos circuitos con transistores bipolares. El tercer ejercicio calcula los valores de R1, R2 y RG para obtener un punto de trabajo específico en un circuito con JFET.

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    El documento presenta tres ejercicios sobre circuitos con diodos zener, transistores bipolares y JFET. El primer ejercicio calcula las resistencias R1 y R2 para proteger un voltímetro de sobrecargas usando un diodo zener. El segundo ejercicio determina los puntos de funcionamiento de dos circuitos con transistores bipolares. El tercer ejercicio calcula los valores de R1, R2 y RG para obtener un punto de trabajo específico en un circuito con JFET.

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    El documento presenta tres ejercicios sobre circuitos con diodos zener, transistores bipolares y JFET. El primer ejercicio calcula las resistencias R1 y R2 para proteger un voltímetro de sobrecargas usando un diodo zener. El segundo ejercicio determina los puntos de funcionamiento de dos circuitos con transistores bipolares. El tercer ejercicio calcula los valores de R1, R2 y RG para obtener un punto de trabajo específico en un circuito con JFET.

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    El documento presenta tres ejercicios sobre circuitos con diodos zener, transistores bipolares y JFET. El primer ejercicio calcula las resistencias R1 y R2 para proteger un voltímetro de sobrecargas usando un diodo zener. El segundo ejercicio determina los puntos de funcionamiento de dos circuitos con transistores bipolares. El tercer ejercicio calcula los valores de R1, R2 y RG para obtener un punto de trabajo específico en un circuito con JFET.

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    (2) EJERCICIO 1 (realizar los clculos con una precisin de 5 cifras significativas) El diodo zener puede emplearse para

    prevenir sobrecargas en los aparatos de medicin. El circuito de la figura representa un voltmetro de continua que seala 25 V a fondo de escala. La resistencia del medidor (Rm) es de 560 y a fondo de escala lo atraviesa una corriente de 0,2 mA. Si el diodo zener tiene VZ = 20 V, hallar R1 y R2 para que cuando Vi > 25 V el diodo entre en regulacin y la sobrecorriente sea desviada del medidor.

    R2 Vi Z1

    R1

    Rm= 560 Medidor


    Fondo de escala 200 A

    Para tensiones bajas de Vi el zener Z1 est en corte y el circuito equivalente sera:

    R2 Vi

    R1

    Rm= 560 Medidor


    Fondo de escala 200 A

    Por el medidor habr una corriente

    I=

    Vi proporcional a la tensin de entrada. R 2 + R1 + Rm

    Cuando el voltmetro tenga a la entrada la tensin de fondo de escala, en ese instante la corriente debe ser la de fondo de escala y el zener debe empezar a regular para que si la tensin de entrada sigue aumentando la corriente por el medidor no supere la de fondo de escala y el exceso lo absorba el zener. Por lo tanto, para Vi = 25 V (fondo de escala) => I = 0,2 mA y VA = 20 V (tensin que tiene que haber en el punto A para que el zener empiece a regular)

    V A = I ( R1 + Rm ) = I R1 + I Rm R1 = I=

    V A I Rm 20V 0,2mA 0,560 K = = 99,44 K I 0,2mA

    Vi V A V V A 25V 20V R2 = i = = 25K R2 I 0,2mA

    R1 = 99,44 k R2 = 25 k

    EJERCICIO 2 (realizar los clculos con una precisin de 5 cifras significativas) Determinar los puntos de funcionamiento de los transistores bipolares de los siguientes circuitos: DATOS: Diodos ideales, transistores bipolares con |VBEon| = 0,6 V, |VCEsat| = 0,2 V, = 100 (1) a)
    10 K

    200

    20 V

    VZ = 12 V

    Debido a la polarizacin del circuito con la fuente de 20 V, hay tensin suficiente para polarizar la unin emisor-base en directo y el zener en su zona de regulacin. Por lo tanto el zener regula y establece una tensin constante e igual a 12 V entre su ctodo y su nodo. Como el transistor es PNP => VBEon = -0,6 V y VCEsat = -0,2 V Calculamos la corriente de base que sera saliente:

    20V = VZ + VEB + I B 10 K I B =

    20V VZ V EB 20V 12V 0,6V = = 0,74mA 10 K 10 K

    Calculamos ahora la corriente de colector, que sera tambin saliente, en el caso de que el transistor estuviera saturado:

    I Csat =

    VCEsat VZ + 20V 0,2V 12V + 20V = = 39mA 200 200

    La corriente de base mnima para saturar el transistor sera:

    I B min =

    I Csat

    39mA = 0,39mA 100

    Como IB = 0,74 mA > 0,39mA => transistor est saturado e IC = 39 mA y VCE = -0,2 V

    Transistor saturado IC = 39 mA VCE = -0,2 V

    (1) b)

    1K 20 V

    10 V 1K

    Para que el transistor conduzca debera haber una corriente de emisor saliente y esto supondra una corriente de ctado a nodo en el diodo y esto supondra que el diodo estara en corte. Por lo tanto en este circuito es imposible polarizar en directa la unin de emisor-base y el diodo a la vez => transistor en corte

    Transistor en corte

    (2) c) Vi = 0 V
    12V

    2K 4K

    1K

    T1

    T2

    1K Vi

    10K

    Con Vi = 0 V T1 estara en corte. Realizando el equivalente Thevenin del circuito de entrada del transistor T2 que dara el siguiente circuito:
    12V

    1K

    RTH

    T2

    VTH

    VTH = 12V

    10 K = 7,5V 2 K + 4 K + 10 K

    RTH = 10 K // 6 K =

    10 K 6 K = 3,75K 10 K + 6 K

    Calculamos la corriente de base:

    IB =

    VTH V BE 7,5V 0,6V = = 1,84mA RTH 3,75K 12V VCEsat 12V 0,2V = = 11,8mA 1K 1K I Csat

    Calculamos la corriente de colector en el caso de que T2 saturado:

    I Csat =

    La corriente de base mnima para saturar el transistor sera:

    I B min =

    11,8mA = 0,118mA 100


    T1 en corte T2 saturado IC2 = 11,8 mA VCE2 = 0,2 V

    Como IB = 1,84 mA > 0,118mA => transistor est saturado e IC = 11,8 mA y VCE = 0,2 V

    (2) EJERCICIO 3 (realizar los clculos con una precisin de 5 cifras significativas) Calcular los valores de R1, R2 y RG en el circuito de la figura para obtener un punto de trabajo con ID = 3 mA y VDS = 15 V cuando VCC = 20 V. DATOS: VP = -2V, IDSS = 8 mA

    VCC

    RG

    R1

    R2

    VDS = 15V => Transistor saturado

    V V 3 V = 0,61237 I D = I DSS (1 GS ) 2 3mA = 8mA 1 GS 1 + GS = 2V 8 VP 2V 0,77526V VGS = 2V ( 1 0,61237 ) = 3,22474V


    Con VGS = -3,22474 V el JFET estara en corte ya que |VGS| > |VP|. Por lo tanto la respuesta correcta es VGS = -0,77526 V

    VGS = I D R1 R1 =

    VGS 0,77526V = = 0,25842 K = 258,42 ID 3mA VCC VDS + VGS 20V 15V 0,77526V = = 1,40824 K ID 3mA

    VCC = V DS VGS + I D R2 R2 =

    Con respecto a RG se puede poner cualquier valor ya que como IG 0, prcticamente se puede considerar que no hay caida de tensin en dicha resistencia y no influye en el punto de trabajo. R1 = 258,42 R2 = 1,40824 k RG cualquier valor

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