EFECTO FOTOELÉCTRICO

I. Introducción
El efecto fotoeléctrico (EF) consiste esencialmente en la eyección de electrones por un
material fotosensible sólido (metálico, semiconductor o aislante) causada por la
incidencia de una radiación electromagnética. Éste fenómeno fue descubierto por Hertz
y Hallowachs a fines del siglo XIX al observar que una chispa entre dos electrodos
saltaba más fácilmente cuando uno de ellos era iluminado.

En esta experiencia se utilizó un fototubo o fotocelda, consistente de un fotocátodo

sensible y de un ánodo o colector. Si existe una diferencia de potencial entre el cátodo y
el ánodo y se ilumina al cátodo, entonces se observa que fluye una corriente a través del
tubo:

Los electrones son arrancados del cátodo (esto por el efecto fotoeléctrico) y son
acelerados hacia el ánodo o son frenados dependiendo del signo del campo aplicado.

En general, las energías cinéticas de los fotoelectrones individuales que son eyectados
para una frecuencia e intensidad de radiación fijas están distribuidas a lo largo de un
rango desde cero hasta valores indefinidamente grandes. Sin embargo, el número
relativo de electrones rápidos es muy pequeño y a partir de las investigaciones
originales se concluyó que existía un máximo de energía cinética de emisión EM. En
particular, se encontró que el máximo aparente de energía cinética era independiente de
la intensidad de la radiación pero que era función de su frecuencia y del material del
cátodo sensible (fotocátodo). Además, las curvas de distribución espectral de la emisión
fotoeléctrica presentaban un umbral mínimo (también aparente) de frecuencia v0 de
radiación a partir del cual la emisión fotoeléctrica era detectable.

A. Modelo de Einstein
Estos resultados originales llevaron a Einstein (1905) a la hipótesis de que la emisión
fotoeléctrica se debía a una interacción corpuscular en la cual la energía hv de un cuanto
de energía radiante era “absorbido” por el electrón del metal que incrementaba su
energía cinética en esa cantidad. En este contexto sugirió que el máximo de energía
cinética de emisión estaba dado por:

EM = hv – ϕ (1)

Donde ϕ es la función trabajo que corresponde a la pérdida de energía por los electrones
al escapar del metal. Como la energía cinética debe ser siempre positiva la ecuación (1)
implica que existe una frecuencia umbral dada por:

Hv0 = ϕ (2)
Si la frecuencia de la luz incidente es mayor que v0 observaremos fotoemisión mientras
que si es menor no habrá corriente. En este contexto hv0 es la energía justa necesaria
para arrancar al electrón del material con energía cinética cero y su medición permite el
cálculo trivial de la función trabajo.

Por otro lado, si se pone una diferencia de potencial V entre el cátodo y el ánodo,
entonces sólo aquellos electrones con energía cinética: En>=eV alcanzarán el ánodo (En
es la energía asociada a la velocidad normal al cátodo y eV es el trabajo del campo sobre
la carga). En particular, existirá un potencial crítico V0 (dado por EM = eV0) para el
cual si V < V0 todos los fotoelectrones serán acelerados de vuelta hacia el cátodo y no
habrá corriente. Este potencial V0 satisface:

eV0 = hv-ϕ (3)

Esta ecuación permite un cálculo independiente de la constante de Planck (h) a partir de

un gráfico de eV0 vs v.
B. Modelo moderno del efecto fotoeléctrico
El punto de partida para el entendimiento del EF dado por la famosa ecuación de
Einstein (1) no provee una explicación completa ni satisfactoria del conjunto completo
de observaciones experimentales. Por ejemplo, no describe la dependencia funcional de
la emisión con la temperatura de la superficie fotosensible. Además, experimentalmente
la emisión decrece rápida y monótonamente con el voltaje de retardo pero no se anula
para ningún punto definido del eje de voltajes como lo sugiere la ecuación (3).
Históricamente, este valor crítico V0 que sólo ocurre para un fotoemisor a cero grados
kelvin fue erróneamente concebido como consecuencia de la sensibilidad finita de los
aparatos experimentales originales.

Según la literatura consultada, el trabajo de Fowler (2) marca el comienzo de lo que

podría ser llamada la era moderna de la fotoelectricidad. Una teoría general de la
emisión fotoeléctrica debe considerar:

 El modelo del sólido que especifica los estados permitidos de energía

electrónica.

 El ángulo de incidencia de la onda electromagnética y su estado de polarización.

 El cálculo de las probabilidades de transición entre los estados inicial y excitado

del electrón.

 La probabilidad de un electrón excitado para escapar de la barrera de potencial

que existe en la superficie del solido (un electrón con energía insuficiente para
escapar de la barrera de potencial seria reflejado nuevamente hacia el interior del
cuerpo).

La teoría desarrollada por Du Bridge (3) y Fowler (2) para la emisión aplica el modelo
de Sommerfeld de un metal según el cual μ (energía de Fermi) representa la mayor
energía de la banda de conducción y W0 es el incremento discontinuo de la barrera de
energía potencial en la superficie del metal. En ella también se omite el coeficiente de
transmisión de la barrera superficial (se considera un metal no-reflectante), se ignoran
las colisiones electrón –electrón y electrón – fonón (al asumir emisión superficial y no
en volumen), se propone que la probabilidad de absorción de un cuanto de energía es
independiente del estado inicial del electrón, y que la absorción del fotón no altera la
dirección de movimiento del electrón (4). La expresión final de la emisión (electrones
emitidos por fotón incidente) en esta teoría es:
Cualquiera de las series puede ser evaluada utilizando los primeros términos con una
rápida convergencia (sin embargo, en este informe se utilizaron los valores tabulados en
(4). En esa expresión el parámetro es:

Donde v0 es la frecuencia del fotón incidente. Entonces la frecuencia umbral del efecto
fotoeléctrico v0 definida por: hv0 = W0 –μ es por construcción la función del trabajo del
emisor a cero grados kelvin. Se ha encontrado experimentalmente que la función trabajo
termiónica

(W0 −μ) y la función trabajo fotoeléctrico (ϕ) para los metales coinciden muy bien por
lo cual podemos escribir: ϕ = W0 − μ = hv0, que coincide con la ecuación (2).

La función de Fowler £ indica el número de electrones emitidos (en la superficie del

metal) por fotón incidente. En particular, para un fototubo de electrodos plano-paralelos,
la ecuación (4) también corresponde a la curva de fotocorriente vs. Voltaje (retardador).
En esta práctica se intentó ajustar los datos experimentales a la curva dada por la
ecuación (4) para la determinación de la constante de Planck y de la frecuencia umbral.
II. Arreglo experimental
Para el estudio del efecto fotoeléctrico (EF) se utilizó como fotocelda una ampolla de
vidrio al vacío recubierta en una de sus caras por Potasio (el fotocátodo) y un colector o
ánodo de forma circular, ambos enfrentados como se indica en la figura 3. La misma fue
iluminada por una fuente de luz incandescente de espectro continuo. En el camino
óptico entre la fuente de luz y la fotocelda se ubicó un monocromador de prismas
(Zeiss) para seleccionar una longitud de onda definida de la fuente contínua. Este filtro
se colocó precisamente frente a la fotocelda de modo de minimizar la incidencia de
fotones de longitud de onda no deseada provenientes del
ambiente (ver figura 3). La longitud de onda indicada por el dial del monocromador fue
calibrada contra líneas espectrales de fuentes conocidas como se muestra en la figura 2.
Efecto fotoeléctrico externo
Es la formación y liberación de partículas eléctricamente cargadas que se produce en la
materia cuando es irradiada con luz u otra radiación electromagnética. El término efecto
fotoeléctrico designa varios tipos de interacciones similares. En el efecto fotoeléctrico
externo se liberan electrones en la superficie de un conductor metálico al absorber
energía de la luz que incide sobre dicha superficie. Este efecto se emplea en la célula
fotoeléctrica, donde los electrones liberados por un polo de la célula, el fotocátodo, se
mueven hacia el otro polo, el ánodo, bajo la influencia de un campo eléctrico. El estudio
del efecto fotoeléctrico externo desempeñó un papel importante en el desarrollo de la
física moderna. Una serie de experimentos iniciados en 1887 demostró que el efecto
fotoeléctrico externo tenía determinadas características que no podían explicarse por las
teorías de aquella época, que consideraban que la luz y todas las demás clases de
radiación electromagnética se comportaban como ondas. Por ejemplo, a medida que la
luz que incide sobre un metal se hace más intensa, la teoría ondulatoria de la luz sugiere
que en el metal se liberarán electrones con una energía cada vez mayor. Sin embargo,
los experimentos mostraron que la máxima energía posible de los electrones emitidos
sólo depende de la frecuencia de la luz incidente, y no de su intensidad. En 1905, para
tratar de explicar el mecanismo del efecto fotoeléctrico externo, Albert Einstein sugirió
que podría considerarse que la luz se comporta en determinados casos como una
partícula, y que la energía de cada partícula luminosa, o fotón, sólo depende de la
frecuencia de la luz. Para explicar el efecto fotoeléctrico externo, Einstein consideró la
luz como un conjunto de "proyectiles" que chocan contra el metal. Cuando un electrón
libre del metal es golpeado por un fotón, absorbe la energía del mismo. Si el fotón tiene
la suficiente energía, el electrón es expulsado del metal. La teoría de Einstein explicaba
muchas características del efecto fotoeléctrico externo, como por ejemplo el hecho de
que la energía máxima de los electrones expulsados sea independiente de la intensidad
de la luz. Según la teoría de Einstein, esta energía máxima sólo depende de la energía
del fotón que lo expulsa, que a su vez sólo depende de la frecuencia de la luz. La teoría
de Einstein se verificó por experimentos posteriores. Su explicación del efecto
fotoeléctrico, con la demostración de que la radiación electromagnética puede
comportarse en algunos casos como un conjunto de partículas, contribuyó al desarrollo
de la teoría cuántica. El término efecto fotoeléctrico también puede referirse a otros tres
procesos: la fotoionización, la fotoconducción y el efecto fotovoltáico. La
fotoionización es la ionización de un gas por la luz u otra radiación electromagnética.
Para ello, los fotones tienen que poseer la suficiente energía para separar uno o más
electrones externos de los átomos de gas. En la fotoconducción, los electrones de
materiales cristalinos absorben energía de los fotones y llegan así a la gama de niveles
de energía en la que pueden desplazarse libremente y conducir electricidad. En el efecto
fotovoltáico, los fotones crean pares electrón-hueco en materiales semiconductores. En
un transistor, este efecto provoca la creación de un potencial eléctrico en la unión entre
dos semiconductores diferentes.
 Efecto fotoeléctrico interno
En el fotoefecto interno los electrones excitados permanecen dentro de la sustancia,
contrario al fotoefecto externo. Cuando el material es irradiado, electrones de la banda
de valencia son llevados a la banda de conducción y aumenta la conductividad eléctrica
del material irradiado. Este aumento de conductividad se llama fotoconducción. En el
caso en de los metales, debido a su alta conductividad eléctrica base, el aumento de
conductividad por radiación es insignificante, por eso el fotoefecto interno se emplea
tanto en los semiconductores dopados como en los intrínsecos.

La conductividad intrínseca es ocasionada por electrones y huecos térmicamente

generados, que están presentes en iguales concentraciones. Cuando la sustancia es
irradiada, portadores de carga libres adicionales son producidos por la energía del fotón
con lo que se mejora la conductividad. Mediante el dopado deliberado de un
semiconductor con donantes o aceptores, se obtiene un semiconductor tipo P o N.

Fotoefecto de unión
El fotoefecto de unión es un fotoefecto interno y se utiliza en fotodiodos, diodos de
avalancha, fototransistores, transistores de efecto de campo y fototiristores. Estos
componentes se fabrican como semiconductores dopados donde energías cuánticas más
pequeñas son necesarias para elevar la conductividad que en el caso del semiconductor
intrínseco. La construcción de un fotodiodo o un fototransistor es la misma en principio
como en un diodo o un transistor.

Elementos básicos

Los elementos básicos del sistema de control típico abarcan cuatro componentes
principales:

1. Una fuente de radiación típica, esto, es algo específicamente diseñado para emitir
radiación.
2. Un receptor de radiación que contiene un elemento fotosensitivo para cambios
sensibles en radiación.
3. Un amplificador para aumentar la salida eléctrica del elemento sensible a un nivel útil.
4. Un dispositivo de salida que ejecute alguna función de control como resultado de la
señal amplificada.
Medida de h por Millikan
La letra h en la ecuación de Einstein, es importante porque es fundamental para la
estructura de la materia y, por lo tanto, es una constante universal. Habiendo sido
introducida primero por Planck, en 1901, el nombre de la constante de Planck se ha
adherido firmemente a este símbolo h. La primera confirmación experimental de la
ecuación fotoeléctrica de Einstein vino en 1912, cuando A. L. Hugues; e independiente
O. W. Richardon y K. T. Compton, observaron que la energía de los fotoelectrones
aumentaba proporcionalmente con la frecuencia. La constante de proporcionalidad que
ellos encontraron es aproximadamente igual a la constante h de Planck.

Posteriormente, Millikan realizo una serie de experimentos exhaustivos que

establecieron la ecuación fotoeléctrica de tan preciso, que sus trabajos se consideran
ahora como los que dan el valor más exacto de h.

Para esto fue necesario medir los tres factores v, W y ½ mv2, y despejar la incógnita h
de la siguiente ecuación:

Ve = ½ mv2
Experimentos previos realizados sobre el efecto fotoeléctrico demuestran que obtenerse
buenos resultados solo si las superficies metálicas están adecuadamente limpias.
Millikan logro obtener superficies metálicas no contaminadas preparándolas
dispositivos.

Umbral fotoeléctrico
Una vez hechas las mediciones, Millikan calculo las energías correspondientes a los
fotones para diversas frecuencias de luz y represento los resultados sobre un gráfico. El
punto de intersección entre la recta u el eje horizontal determinara la frecuencia umbral
v0.

El umbral fotoeléctrico se define como la frecuencia para la cual la luz que incide sobre
la superficie metálica solo puede liberar los electrones, pero sin comunicarles energía
cinética adicional. Para esta frecuencia, la energía cinética ½ mv2 de la ecuación de
Einstein es nula y la energía del fotón está dada por

W = hv0
El valor de h es 6.6261965 x 10-34 joule segundo.

El Premio Nobel de Física asignado a Millikan en 1923 le fue otorgado en primer lugar
por sus importantes trabajos experimentales de determinación de la constante de Plank y
en segundo lugar también por la carga electrónica e.
 APLICACIONES DEL EFECTO FOTOELÉCTRICO
Principio de funcionamiento de una celda solar
La forma más común de las celdas solares se basa en el efecto fotovoltaico, en el cual la
luz que incide sobre un dispositivo semiconductor de dos capas produce una diferencia
del potencial entre las capas. Este voltaje es capaz de conducir una corriente a través de
un circuito externo de modo de producir trabajo útil. La parte más importante de las
celdas solares son las capas de semiconductores. Para entender la operación de una
célula fotovoltaica, necesitamos considerar la naturaleza del material y la naturaleza de
la luz del sol. Las celdas solares están formadas por dos tipos de material, generalmente
silicio tipo p y silicio tipo n. La luz de ciertas longitudes de onda puede ionizar los
átomos en el silicio y el campo interno producido por la unión que separa algunas de las
cargas positivas ("agujeros o pozos") de las cargas negativas (electrones) dentro del
dispositivo fotovoltaico. Los agujeros se mueven hacia la capa positiva o capa de tipo p
y los electrones hacia la negativa o capa tipo n. Aunque estas cargas opuestas se atraen
mutuamente, la mayoría de ellas solamente se pueden recombinar pasando a través de
un circuito externo fuera del material debido a la barrera de energía potencial interno.
Por lo tanto si se hace un circuito se puede producir una corriente a partir de las celdas
iluminadas, puesto que los electrones libres tienen que pasar a través del circuito para
recombinarse con los agujeros positivos. La temperatura de la celda afecta
dramáticamente la eficiencia de la celda debido a que una temperatura mayor promueve
la recombinación dentro de la celda.
Principio de funcionamiento de una cámara digital
En general, toda cámara digital tiene como objetivo capturar las imágenes,almacenarlas
en la memoria interna de la cámara o en una tarjeta especial paraello y después
transferirlas a la computadora; en términos técnicos, transforma losimpulsos luminosos
a bits, de tal manera que la PC o MAC a la que se descarga lainformación la decodifica
o descifra. A continuación te ofrecemos un esquema del funcionamiento:

 Se activa la cámara, se ajusta el dispositivo de resolución, el flash y losdemás

parámetros. Se enfoca el objeto a fotografiar y se pulsa el botón disparador.

 La luz reflejada por el objeto entra a través de la lente de la cámara.

 La luz incide sobre el CCD que contiene múltiples elementos sensibles a la luz
la descompone en rojo, verde y azul. La cantidad de luz reflejada se convierte en
una señal eléctrica analógica y se transfiere a la electrónica de la cámara.

 Mediante el software interno de la cámara la imagen tomada se comprime y se

almacena en la cámara sobre la memoria de tipo flash, PCMCIA, disco duro o
disquete. Luego al conectar la cámara a la PC pueden transferirse las imágenes.
Principio de funcionamiento de una fotocopiadora
La fotocopia es el resultado de reproducir un documento o parte de este en una hoja de papel
normalmente, aunque puede ser también a otro tipo de material, como una transparencia,
opalina, etc. El tamaño de los papeles es muy variado: carta, oficio, A4, A5, y muchos más
hasta llegar a los especiales para planos.

El proceso de fotocopiado se realiza por medios ópticos y fotosensibles. Primero se coloca el

original sobre una superficie de cristal o algún otro material transparente. Bajo esta superficie
corre una fuente luminosa generalmente una lámpara llamada "lámpara de exposición",
entonces la luz se refleja en las tonalidades más claras del original y esta imagen se va guiando
por espejos hasta un cilindro sensible a la luz que va girando, el cuál se energiza atrayendo
electromagnéticamente la tinta seca llamada tóner. A este elemento también se le conoce como
Fotorreceptor o Fotoconductor.

Bajo este cilindro se encuentra otro elemento que desenergiza al fotoconductor llamado corona,
y al momento del proceso del fotocopiado, cuando el papel pasa debajo del cilindro, la corona se
activa desenergizando el cilindro y haciendo que el tóner caiga sobre el papel.
 EFECTO COMPTON
El efecto Compton, es una extensión lógica del efecto fotoeléctrico. La diferencia es que
en este caso los fotones son generalmente más energéticos que cuando se produce el
efecto fotoeléctrico (rayos X o rayos g) y, como consecuencia de esto, toda su energía
no es utilizada en remover y acelerar un electrón. En este caso hay energía sobrante y el
fotón no desaparece completamente.

El efecto Compton es común que ocurra cuando los fotones incidentes caen dentro de
un rango de 0.05 MeV hasta varios MeV. Observe que el rango de energía se traslapa
con el rango de energía fotoeléctrica. Con energías muy bajas del fotón, el efecto
fotoeléctrico es dominante, pero se hace menos común al aumentar la energía del fotón.
El efecto Compton, empieza lentamente a niveles bajos de energía y se hace dominante
entre los 0,1-0,15 MeV en adelante.

En el efecto Compton, no toda la energía del fotón es absorbida por el electrón. Cuando
el electrón es disparado, hay todavía algún exceso de energía sin utilizar.
Este exceso de energía toma la forma de un nuevo fotón, que tiene una menor energía y
una mayor longitud de onda que la del fotón original, y que se mueve en una nueva
dirección (recordar que la energía de un fotón y su longitud de onda son inversamente
proporcionales).

Tomemos un ejemplo del efecto compton. Un fotón penetrante de 450 KeV se aproxima
a un átomo y choca contra un electrón que tiene una energía de enlace de 12 KeV. El
electrón es despedido del átomo adquiriendo una energía cinética de 80 KeV.
El nuevo fotón toma un camino diferente al fotón original y tiene una energía igual a:

450 KeV - 12 KeV - 80 KeV = 358 KeV

Una porción de la energía original del fotón ha sido absorbida por el material penetrado
a través del proceso de ionización.

El fotón dispersado interaccionará con la materia y será absorbido exactamente en la

misma forma que el fotón del haz de rayos-X original. Este puede atravesar por varios
efectos Compton antes de que la energía sea absorbida completamente.

Notar que a mayor energía del fotón, más pequeño el cambio de curso para el
nuevo fotón.

Los fotones con una energía muy alta, después de una colisión en donde se presente el
efecto Compton, seguirán una trayectoria muy parecida a la original, pero nunca la
misma. En otras palabras, los fotones con mucha energía se dispersan muy poco.

Se puede considerar el efecto fotoeléctrico como un fenómeno de choque en donde se

conserva el momentum total y la energía del sistema.
Sea λ0 la longitud de onda de la radiación incidente, y λ la longitud de onda de la
radiación dispersada. Compton encontró que la diferencia entre ambas longitudes de
onda estaba determinada únicamente por el ángulo θ de dispersión, del siguiente modo:

Donde λc es la constante denominada longitud de onda de compton y su valor es 2,4262

10-12 m.