Curva I-V de Paneles Fotovoltaicos

Universidad de Huelva
Departamento de Ingeniería Electrónica, de Sistemas

Informáticos y Automática
Prototipo experimental para la medida y caracterización

de las curvas I-V y P-V de módulos y Arrays FVs : diseño,
modelado, implementación y pruebas
Memoria para optar al grado de doctor

presentada por:
Eladio Durán Aranda
Fecha de lectura: 17 de diciembre de 2009
Bajo la dirección del doctor:
José Manuel Andújar Márquez
Huelva, 2010
ISBN: 978-84-92944-45-3
D.L.: H 130-2010
TESIS DOCTORAL
Prototipo Experimental para la Medida y Caracterización

de las Curvas I-V y P-V de Módulos y Arrays Fotovoltaicos:
Diseño, Modelado, Implementación y Pruebas
Autor:
Eladio Durán Aranda
Director:
Dr. José Manuel Andújar Márquez
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA, DE SISTEMAS

INFORMÁTICOS Y AUTOMÁTICA
Huelva, noviembre de 2009

D. José Manuel Andújar Márquez, Catedrático de Escuela Universitaria de la
Escuela Politécnica Superior de la Universidad de Huelva,
CERTIFICA:
Que D. Eladio Durán Aranda, Ingeniero en Electrónica, ha realizado bajo mi

dirección y dentro del programa de doctorado Ingeniería de Control, Informática
y Electrónica, el trabajo de investigación correspondiente a su Tesis Doctoral
titulado:
Prototipo Experimental para la Medida y Caracterización de las

Curvas I-V y P-V de Módulos y Arrays FVs: Diseño, Modelado,
Implementación y Pruebas
Revisado el presente trabajo, estimo que puede ser presentado al Tribunal que
ha de juzgarlo.
Y para que así conste a efectos de lo establecido en el artículo octavo del

Real Decreto 778/1998 y por la normativa Reguladora del titulo de Doctor de la
Universidad de Huelva, autorizo la presentación de este trabajo en la Universidad de
Huelva.
Huelva, a 13 de Noviembre de 2009
Director: Dr. José Manuel Andújar Márquez
Doctorando: Eladio Durán Aranda

Esta tesis está dedicada a Eladia Aranda Tamayo, a Manuel Durán Tena y a
mí familia: Teresa, Eladio, Alejandro y Bárbara.
Agradecimientos
Agradezco sinceramente a todos aquellos compañeros de los Departamentos

de Ingeniería Electrónica, de Sistemas Informáticos y Automática, de Tecnología de
la Información, de Matemáticas y de Ingeniería Eléctrica de la UHU, así como, del
Departamento de Física Aplicada II de la UMA; a los grupos de investigación de
Control y Robótica, y de Sistemas Electrónicos y Mecatrónica; a los compañeros del
CSIF; a los becarios; a los alumnos; al personal de administración y servicios; a mis
familiares y a mis amigos; y, a todos los que han colaborado, me han ayudado, o
simplemente han compartido algo conmigo, por pequeña que haya sido su
aportación, les estoy eternamente agradecido.
Quiero resaltar también mi agradecimiento y respeto hacia dos personas muy

importantes en el desarrollo y la elaboración de esta Tesis, José Manuel Andújar
Márquez y Mariano Sidrach de Cardona Ortín.
Índice de Contenidos
Índice de Contenidos VIII
Índice de Figuras XII
Índice de Tablas XVIII
Capítulo 1. Planteamiento General .............................................................................1
1.1. Resumen de la Tesis .............................................................................................................3
1.2. Estructura de la Tesis ...................................................................................... 6
1.3. Objetivos ......................................................................................................... 8
1.4. Innovaciones que aporta la Tesis .................................................................... 9
1.5. Rendimiento científico de la Tesis................................................................ 10
Capítulo 2. Fundamentos de la Tecnología FV:
Caracterización de Dispositivos ........................................................ 19
2.1. Introducción .................................................................................................. 20
2.2. Breve recorrido histórico sobre la tecnología fotovoltaica........................... 22
2.3. Fundamentos, tipos y características de células solares ............................... 30
2.4. Sistemas fotovoltaicos (FVs) ........................................................................ 46
2.5. Caracterización de dispositivos FVs............................................................. 53
2.6. Medidas en condiciones estándares de dispositivos FVs.............................. 57
2.7. Métodos de medida de curvas I-V de módulos y arrays FVs....................... 60
2.8. Comparación de los diferentes métodos de medida de curvas I-V

de módulos y arrays FVs.............................................................................. 74
2.9. Conclusiones ................................................................................................. 78
VIII
Capítulo 3. Estudio y análisis de topologías de convertidores CC/CC para la

medida de curvas I-V de generadores FVs .........................................79
3.1. Introducción .......................................................................................................................... 80
3.2. Convertidor Reductor (Buck)........................................................................ 82
3.2.1. Convertidor Reductor en CCM .......................................................... 83
3.2.2. Convertidor Reductor en DCM .......................................................... 86
3.3. Convertidor Elevador (Boost) ....................................................................... 90
3.3.1. Convertidor Elevador en CCM........................................................... 91
3.3.2. Convertidor Elevador en DCM .......................................................... 93
3.4. Convertidor Reductor-Elevador (Buck-Boost).............................................. 97
3.4.1. Convertidor Reductor-Elevador en CCM........................................... 98
3.4.2. Convertidor Reductor-Elevador en DCM ........................................ 100
3.5. Convertidor Cuk.......................................................................................... 103
3.6. Convertidor SEPIC ..................................................................................... 104
3.7. Convertidor Zeta ......................................................................................... 106
3.8. Convertidores CC/CC como emuladores de resistencia variable ............... 107
3.9. Análisis comparativo de diferentes configuraciones

Reductoras-Elevadoras ............................................................................... 120
3.10. Técnicas de reducción del rizado aplicadas

a convertidores CC/CC ............................................................................ 132
3.11. Conclusiones............................................................................................. 144
Capítulo 4. Prototipos Experimentales.................................................................. 147
4.1. Introducción ........................................................................................................................148
4.2. Implementación del barrido del ciclo de trabajo

mediante microcontrolador ......................................................................... 149
IX
4.3. Diseño de los convertidores CC/CC usados en los prototipos.................... 156
4.4. Medidas experimentales con módulos FVs ................................................ 159
4.5. Sistema de medida experimental de módulos y arrays FVs....................... 165
4.6. Medidas de arrays FVs............................................................................... 184
4.7. Conclusiones ............................................................................................... 191
Capítulo 5. Conclusiones y Desarrollos Futuros .................................................. 193
5.1. Conclusiones ......................................................................................................................194
5.2. Desarrollos futuros...................................................................................... 197
Apéndice I. Tecnologías de Células Solares .......................................................... 199
A1.1. Células de Silicio Cristalino (c-Si) .......................................................... 200
A1.2. Células multiunión................................................................................... 202
A1.3. Células de Arseniuro de Galio (GaAs) .................................................... 204
A1.4. Células de Película Delgada (Thin-Film) ................................................ 205
A1.5. Células con concentrador solar ............................................................... 224
Apéndice II. Normativa relacionada con la caracterización
de dispositivos FVs ............................................................................. 225
A2.1. Normas IEC-UNE-EN aprobadas............................................................ 227
A2.2. Normas del comité técnico 82 (CT82) de la Comisión Electrotécnica

Internacional en Proyecto (marzo 2004) ................................................. 229
A2.3. Normas UL relacionadas con la energía solar fotovoltaica ..................... 231
A2.4. Normas IEEE relacionadas con la energía solar fotovoltaica.................. 232
A2.5. Normas del Joint Research Centre, Inspra, Italia.................................... 233
Bibliografía ................................................................................................................. 235
Índice Alfabético ........................................................................................................ 255
X
XI
Índice de Figuras
Figura 2.1 Irradiancia solar ........................................................................................ 22
Figura 2.2 Alexandre Edmond Becquerel (1820-1891)........................................... 23
Figura 2.3 Willoughby Smith (1828-1891) ............................................................ 23
Figura 2.4 Prototipo de célula FV desarrollada en 1954.............................................. 24
Figura 2.5 Satélite Vanguard I................................................................................ 25
Figura 2.6 Skylab.................................................................................................... 26
Figura 2.7 Mercado fotovoltaico mundial y español en 2008 ................................ 29
Figura 2.8 Planta solar de Olmedilla de Alarcón (Cuenca).................................... 30
Figura 2.9 Circuito equivalente de una célula solar ............................................... 31
Figura 2.10 Características I-V y P-V de una célula iluminada................................ 32
Figura 2.11 Sección de una célula fotovoltaica........................................................ 36
Figura 2.12 Proceso de pérdidas a nivel de células solares ...................................... 37
Figura 2.13 Espectro de la luz solar y eficiencia cuántica ....................................... 37
Figura 2.14 Rendimiento y perspectivas de coste para la primera, segunda y tercera

generación de tecnologías fotovoltaicas................................................ 40
Figura 2.15 Principales mecanismos para la mejora del rendimiento en células de

tercera generación ................................................................................. 42
Figura 2.16 Evolución de la eficiencia de las células solares desde 1975 ............... 45
Figura 2.17 Fotografía de vivienda y sistema FV aislado de la red de distribución 50
Figura 2.18 Fotografía del faro del Fangal (Tarragona)........................................... 51
Figura 2.19 Fotografía de sistema distribuido .......................................................... 52
XII
Índice de Figuras
Figura 2.20 Sistema centralizado.............................................................................. 53
Figura 2.21 Características I-V y P-V típicas de un módulo FV .............................. 54
Figura 2.22 Sistema de medida para obtener las curvas I-V de un módulo FV ....... 61
Figura 2.23 Esquema basado en resistencia variable ............................................... 63
Figura 2.24 Esquema basado en carga capacitiva .................................................... 64
Figura 2.25 Esquema basado en carga electrónica ................................................... 65
Figura 2.26 Esquema basado en amplificador.......................................................... 67
Figura 2.27 Curvas I-V en los cuadrantes I, II y IV ................................................. 68
Figura 2.28 Esquema funcional de una carga de cuatro cuadrantes......................... 69
Figura 3.1 Convertidor Reductor............................................................................ 82
Figura 3.2 Corriente por la inductancia en CCM ................................................... 87
Figura 3.3 Convertidor Elevador ............................................................................ 91
Figura 3.4 Convertidor Reductor-Elevador ............................................................ 97
Figura 3.5 Convertidor Cuk.................................................................................. 103
Figura 3.6 Convertidor SEPIC.............................................................................. 105
Figura 3.7 Convertidor Zeta ................................................................................. 106
Figura 3.8 Girador ................................................................................................ 107
Figura 3.9 Diferentes configuraciones del Girador .............................................. 108
Figura 3.10 Características de entrada y salida de un LFR .................................... 111
Figura 3.11 Modelo de gran señal del LFR ............................................................ 112
Figura 3.12 Corrección activa del factor de potencia mediante Boost ................... 113
Figura 3.13 Curva I-V de un módulo FV................................................................ 114
Figura 3.14 Representación de Ri/R en función de D para el convertidor

Reductor en CCM ............................................................................... 115
XIII
Índice de Figuras
Figura 3.15 Representación de Ri/R en función de D para el convertidor

Elevador en CCM................................................................................ 116
Figura 3.16 Representación de Ri/R en función de D para los convertidores

con relación de conversión buck-boost en CCM ................................ 117
Figura 3.17 Convertidores SEPIC, Cuk y Boost implementados con

MatLab /Simulink® ............................................................................ 118
Figura 3.18 Resultados de simulación obtenidos para los convertidores

SEPIC y Cuk ....................................................................................... 119
Figura 3.19 Resultados de simulación obtenidos con el convertidor Boost ........... 120
Figura 3.20 Convertidores reductores-elevadores evaluados ................................. 122
Figura 3.21 Convertidores SEPIC, Cuk y Bo-Bu-CC implementados

con MatLab /Simulink® ..................................................................... 130
Figura 3.22 Resultados de simulación obtenidos para los convertidores

implementados. ................................................................................... 132
Figura 3.23 Convertidor SEPIC y Cuk con inductores acoplados ......................... 133
Figura 3.24 Circuito equivalente e inductores acoplados....................................... 135
Figura 3.25 Corriente y tensión en el módulo FV con inductores no acoplados

(Kcoupling = 0, L1 = 800 µHr y L2 = 200 µHr). Convertidor SEPIC ...... 138
Figura 3.26 Corriente y tensión en el módulo FV con inductores acoplados

(Kcoupling = 0.5, L1 = 800 µHr y L2 = 200 µHr). Convertidor SEPIC ... 139
Figura 3.27 Conexión de convertidores CC/CC en paralelo .................................. 141
Figura 3.28 Reducción del rizado de corriente a la entrada del generador FV,
para N = 2 y N = 4. .............................................................................. 142
Figura 3.29 Implementación mediante MatLab/Simulink® de cuatro

convertidores SEPIC en paralelo ........................................................ 143
Figura 3.30 Resultados de simulación con cuatro SEPIC en SOM........................ 144
XIV
Índice de Figuras
Figura 3.31 Resultados de simulación con cuatro SEPIC en IOM......................... 144
Figura 4.1 Esquema simplificado del módulo CCP1 en modo PWM.................. 151
Figura 4.2 Diagrama de flujo de la función DCS ................................................. 153
Figura 4.3 Fotografía de la tarjeta de ensayo........................................................ 154
Figura 4.4 Diferentes ciclos de servicio y frecuencias medidos .......................... 155
Figura 4.5 Convertidor SEPIC.............................................................................. 156
Figura 4.6 Diagrama de bloques del esquema experimental ................................ 159
Figura 4.7 Fotografía del convertidor SEPIC....................................................... 160
Figura 4.8 Fotografía de los convertidores Zeta, Buck, Variante Buck, Cuk y
Buck-Boost. ......................................................................................... 161
Figura 4.9 Fotografía de los convertidores CSC, Bo-BuCC, Bu-BoCC y Boost. 162
Figura 4.10 Curva I-V obtenida con diferentes convertidores.

Representación XY ............................................................................. 164
Figura 4.11 Diagrama de bloques del sistema de medida basado en pantalla LCD
alfanumérica........................................................................................ 166
Figura 4.12 Fotografías del sistema de medida con pantalla LCD alfanumérica... 168
Figura 4.13 Diagrama de bloques del sistema de medida con pantalla GLCD...... 169
Figura 4.14 Fotografías del sistema de medida con pantalla GLCD...................... 170
Figura 4.15 Bloques del sistema de medida implementado mediante

NI LabVIEW®.................................................................................... 172
Figura 4.16 Interfaz de usuario basada en LabVIEW®. ........................................ 172
Figura 4.17 Fotografías del prototipo de medida mediante IV. ............................. 175
Figura 4.18 Curvas I-V y P-V obtenidas con el sistema de medida mediante IV.
DCS entre el 0% y el 100%................................................................. 176
XV
Índice de Figuras
DCS entre el 0% y el 50%................................................................... 177
DCS entre el 50% y el 100%............................................................... 178
Figura 4.21 Sistema de medida con cuatro convertidores SEPIC .......................... 179
Figura 4.22 Señales PWM de 25 kHz, desplazadas ¼ de periodo ......................... 181
Figura 4.23 Curvas I-V y P-V obtenidas con cuatro convertidores SEPIC ............ 183
Figura 4.24 Fotografía del convertidor SEPIC escalado a 1 kW ........................... 185
Figura 4.25 Curvas I-V y P-V de cuatro módulos conectados en serie-paralelo .... 186
Figura 4.26 Fotografía del prototipo experimental implementado con cuatro

convertidores SEPIC en paralelo ........................................................ 187
Figura 4.27 Instalación fotovoltaica medida .......................................................... 188
Figura 4.28 Curvas I-V y P-V de la instalación de 2,4 kW medida con cuatro
convertidores SEPIC en IOM.............................................................. 188
Figura 4.29 Curvas I-V y P-V de la instalación de 5,1 kW medida con cuatro
convertidores SEPIC en IOM.............................................................. 189
Figura 4.30 DCS entre el 0 y el 20% de las curvas I-V y P-V

de la instalación de 5,1 kW ................................................................. 189


Figura A1.1 Célula solar monocristalina y policristalina ....................................... 202
Figura A1.2 Estructura interna de una célula de a-Si............................................ 207
Figura A1.3 Células de a-Si .................................................................................. 209
XVI
Índice de Figuras
Figura A1.4 Estructura interna de una célula CdTe/CdS ...................................... 210
Figura A1.5 Estructura interna de una célula CIGS.............................................. 212
Figura A1.6 Nanoestructuras CIGS de tinta ......................................................... 212
Figura A1.7 Sección transversal de una célula CIS .............................................. 213
Figura A1.8 Funcionamiento de una célula orgánica como LED......................... 214
Figura A1.9 Estructura de una célula orgánica ..................................................... 215
Figura A1.10 Célula solar orgánica ........................................................................ 215
Figura A1.11 Fotosíntesis artificial en células DSC ............................................... 218
Figura A1.12 Estructura de una célula DSC ........................................................... 219
Figura A1.13 Esquema energético de una célula solar DSC .................................. 221
Figura A1.14 Paneles solares de TiO2 sensibilizado ............................................... 222
Figura A1.15 Integración de módulos de DSC ....................................................... 223
XVII
Índice de Tablas
Tabla 2.1 Características de algunos tipos de células solares ............................... 34
Tabla 2.2 Saltos energéticos EG de algunos semiconductores. ............................. 38
Tabla 2.3 Principales características de los métodos utilizados

para la medida de curvas I-V ........................................................................ 77
Tabla 3.1 Expresiones de Ri/R en CCM y DCM

para los diferentes convertidores......................................................... 110
Tabla 3.2 Valores de Ri, Rcrit, y Kcrit. para los diferentes convertidores. ............. 114
Tabla 3.3 Tensión de bloqueo en los semiconductores,

para las topologías analizadas ............................................................. 126
Tabla 3.4 Corriente media por los semiconductores,

Tabla 3.5 Tensión media en el condensador C1,

Tabla 3.6 Corriente media a través de los inductores,

Tabla 4.1 Características de los componentes usados en el convertidor SEPIC. 159
Tabla 4.2 Características de los componentes usados en los convertidores

Boost, Cuk, Bo-Bu-CC y Bu-BoSIC................................................... 162
Tabla 4.3 Componentes usados en la PCB del prototipo con pantalla LCD....... 167
Tabla 4.4 Componentes usados en la PCB del prototipo con pantalla GLCD.... 170
Tabla 4.5 Características eléctricas de los componentes usados en las PCBs

del prototipo de medida mediante IV.................................................. 174
XVIII
Índice de Tablas
Tabla 4.6 Componentes usados en la implementación del convertidor

SEPIC escalado ................................................................................... 185
XIX
Capítulo 1
Planteamiento General de la Tesis
Esta Tesis no esta concebida como un trabajo aislado, sino que dentro del
Grupo de Investigación en el que se ha desarrollado, forma parte del conjunto de
Tesis que se están realizando de forma simultanea y que persiguen implementar lo
que pretende ser un sistema generador de energía eléctrica autónomo, continuo y no
contaminante; nombre y objetivo del proyecto de I+D DPI 2007-62336 que financia
en parte esta Tesis. Se trata de un sistema que mediante el vector hidrogeno, pueda
funcionar las 24 horas de todos los días del año generando su propio combustible de
forma no contaminante, y produciendo energía eléctrica para alimentar cargas de CA
y CC, también de forma no contaminante. La fuente de energía renovable es
fotovoltaica, y se emplea tanto para producir electricidad de forma diurna como para
producir hidrogeno mediante electrolisis del agua. Cuando no hay luz solar, la
electricidad es producida mediante pilas de combustible, utilizando el hidrogeno
producido y almacenado. El otro proyecto de investigación, esta vez de transferencia
de tecnología, que financia esta Tesis, es el contrato suscrito con la empresa
Hynergreen Technologies S.A que lleva por titulo Diseño, desarrollo, construcción
y pruebas de un sistema generador de energía eléctrica basado en pilas de
combustible, integrado por un depósito de hidrógeno y un electrolizador para la
producción del mismo. Dentro de las tareas de los proyectos de investigación
mencionados anteriormente, esta Tesis tiene por objetivo el diseño, desarrollo y
Tesis Doctoral 1
Planteamiento General
construcción de un sistema para la medida de las curvas corriente-tensión (I-V) y

potencia-tensión (P-V) de módulos y arrays fotovoltaicos (FVs).
La principal aplicación del sistema objeto de esta Tesis es que va a permitir

caracterizar en tiempo real, la potencia y energía de los sistemas FVs de los
proyectos en desarrollo. Además, permitirá también por comparación con las curvas
proporcionadas por el fabricante, conocer el deterioro y/o averías de los módulos
que configuran los sistemas FVs.
El prototipo de sistema de medida de las curvas I-V y P-V de módulos y

arrays FVs desarrollado en esta Tesis, está basado en el estudio, diseño e
implementación de convertidores CC/CC en diferentes topologías, así como de sus
circuitos de control. Parte de la tecnología desarrollada ha sido sinérgica con la
necesaria para regular la potencia a la salida de las pilas de combustible, objeto de
otra Tesis en el seno del Grupo de Investigación. Así, mediante el diseño y
construcción de sistemas acondicionadores de potencia (convertidores CC/CC
reductores y elevadores) se consigue que a partir de una tensión no regulada
suministrada por las pilas de combustible, se garantice, dentro de la potencia
nominal del sistema hibrido, tensiones continuas estabilizadas, independientemente
de la corriente demandada por la/s carga/s.
El Grupo de Investigación en el seno del cual se ha realizado esta Tesis, tiene

capacidad de producir hidrogeno de forma renovable (energía solar fotovoltaica +
agua + electrolizador) en el propio laboratorio, y de recargar baterías de forma
también renovable (a partir de energía primaria renovable); siendo las distintas
partes del sistema hibrido, ámbitos de otras Tesis en curso en el grupo y, por tanto,
no abordados por ésta.
Tesis Doctoral 2
1.1. Resumen de la Tesis
La importancia de los sistemas fotovoltaicos (FVs) en la generación de

electricidad aumenta día a día. Este crecimiento es uno de los más altos en el ámbito
de las energías renovables y esta tendencia se espera que continúe en los próximos
años. Como una consecuencia, un número cada vez mayor de nuevos componentes y
sistemas fotovoltaicos, principalmente módulos e inversores, están emergiendo en el
mercado FV, con lo cual, la necesidad de caracterizar dichos sistemas se ha
convertido en un aspecto cada vez más importante. Dos de los elementos claves en
el análisis de una célula solar, módulo o conjunto de módulos (arrays), son las
curvas tensión-corriente (característica I-V) y tensión-potencia (característica P-V).
La medida y caracterización de las curvas I-V y P-V de un generador

fotovoltaico son de interés por innumerables razones, entre otras porque
proporcionan información muy útil para el diseño, la instalación y el mantenimiento
de los sistemas FVs. Desde el punto de vista del diseño, el conocimiento de dichas
curvas permite la implantación de aplicaciones fotovoltaicas más eficientes. En la
industria fotovoltaica, la caracterización resulta crucial para el desarrollo de los
procesos de producción y verificación. Como herramienta de garantía de calidad,
permite la determinación de la potencia máxima en virtud de condiciones reales de
funcionamiento, las cuales no suelen coincidir con las condiciones estándar de
medida (STC) que suministran los fabricantes. La comparación entre ambas
proporciona la diferencia entre la potencia real instalada y la nominal acordada entre
el proveedor y el cliente, lo cual aumenta la credibilidad del sector fotovoltaico. Para
los fabricantes, la posibilidad de efectuar evaluaciones sucesivas durante el periodo
de vida del producto, permite realizar un seguimiento de la calidad del mismo.
Debido a la dispersión de los parámetros eléctricos en los procesos de fabricación de
módulos, uno de los problemas actuales es conocer la verdadera potencia de pico
instalada en plantas fotovoltaicas. Como herramienta de diagnóstico y
mantenimiento, permite la detección de anomalías (sombreado, ramas
desconectadas, células rotas o diodos defectuosos) junto con la cuantificación de la
Tesis Doctoral 3
degradación de la potencia real a lo largo del tiempo, comparando los resultados de

medidas anteriores. Para la investigación y el desarrollo de equipos, son un
indicador clave que ayuda a identificar las necesidades futuras, o para orientar
ulteriores decisiones, facilitando la comparación de los sistemas que difieren en
términos de diseño, tecnología o ubicación geográfica, y la validación de modelos de
estimación de rendimiento durante la fase de diseño.
Actualmente, la compra de módulos fotovoltaicos se realiza en términos de

potencia de pico en condiciones de exterior. Esto, resulta especialmente relevante en
los países donde existen tarifas por la inyección de energía renovable a la red
eléctrica (REFIT, Renewable Energy Feed-in Tariffs), medidas en kWh producidos
disponibles, como Alemania y España. Los módulos generalmente son
comercializados en términos de potencia de pico (Wp), probados en condiciones
estándar (STC), es decir, bajo una elevada irradiación directa de 1.000 W/m2, una
temperatura de 25ºC y con sólo un tipo de espectro solar (AM1.5: irradiancia
directa, principalmente). En virtud de las condiciones reales en el exterior, esta
potencia de pico es raramente alcanzada, ya que la temperatura de un módulo se
sitúa en el rango de 40-60ºC bajo iluminación, las horas de 1.000 W/m2 de
irradiancia suponen sólo aproximadamente el 1% del total de horas de Sol y el
espectro solar cambia continuamente con las diferentes condiciones climáticas. La
luz difusa por ejemplo, domina cuando el cielo está nublado o durante la mañana y
la tarde. En Europa del Norte y Central, la mayoría de la energía solar proviene de la
irradiación de luz difusa (más del 50% de los rayos solares) e incluso en la
Comunidad de Madrid sigue siendo difusa en torno al 33%. Por lo tanto, para
predecir cuál será la producción de energía real de un módulo o un sistema FV con
una cierta potencia nominal de fábrica, es necesario evaluar sus comportamientos
bajo condiciones climáticas reales.
De la misma forma, el número creciente de nuevos componentes y

dispositivos FVs, la incorporación de nuevas tecnologías, técnicas de ensamblado y
sistemas de monitorización y control, hacen que la caracterización de curvas I-V sea
un aspecto cada vez más importante. El testeo y la comprobación de las diferentes
Tesis Doctoral 4
características de un producto no es sólo una parte de cada una de sus fases de

desarrollo, sino también la clave de validación del producto final. En sistemas FVs,
el conocimiento de las curvas I-V en tiempo real permite controlar el flujo de energía
en el array de módulos en virtud de las condiciones de irradiación, temperatura o la
inevitable degradación de los módulos fotovoltaicos. La medida de las
características I-V por tanto, es de gran importancia, ya que puede ser considerado
como un certificado de calidad y de rendimiento para cada generador fotovoltaico.
Por otro lado, los convertidores CC/CC son ampliamente utilizados en

sistemas de generación fotovoltaicos como interface entre el generador FV y la
carga, permitiendo el seguimiento del punto de máxima transferencia de potencia
(MPPT). Su misión principal es la de acondicionar la energía producida por el
conjunto de módulos siguiendo una estrategia de control determinada. Los
convertidores electrónicos de potencia son, en la actualidad, unos elementos
fundamentales en las fases de generación, transporte y distribución de los sistemas
eléctricos. Estos dispositivos permiten un intercambio más flexible de la potencia
entre los generadores y las cargas, y también pueden mejorar la calidad de la energía
transmitida.
Existe una característica intrínseca asociada al proceso de conversión CC/CC,

relacionada con la capacidad que presentan estos sistemas para reflejar o adaptar la
resistencia vista desde su entrada y la conectada a su salida. En este sentido, los
convertidores son similares a los transformadores cuando son empleados como
adaptadores de impedancia, excepto que en los convertidores el parámetro de
adaptación no es la relación de espiras entre el secundario y el primario, sino el ciclo
de trabajo (D) que puede ser gobernado electrónicamente. Una nueva aplicación de
esta capacidad se propone en esta Tesis para determinar la característica I-V de un
generador FV.
Los procedimientos utilizados hoy en día para obtener la característica I-V de

un generador FV, están basados en la conexión de una carga variable en los
terminales del generador y seguidamente medir la tensión y la corriente
Tesis Doctoral 5
proporcionadas, mientras dicha carga varía entre cortocircuito y circuito abierto.

Esta misma estrategia ha sido implementada empleando convertidores CC/CC
haciendo variar su ciclo de trabajo, esto es, variando la carga vista por el generador
FV desde sus terminales. El método desarrollado basado en convertidores CC/CC
presenta características que lo hacen más adecuado para la medida de las curvas I-V
de módulos y arrays. El principal inconveniente de esta metodología es la
generación de rizado de corriente asociada con la técnica de conmutación de los
convertidores, aunque como se verá en este trabajo existen técnicas para reducirlo.
Sin embargo, un convertidor CC/CC proporciona una alta densidad de potencia,
puede funcionar en paralelo para aumentar su capacidad de potencia y puede ser
reconfigurado.
1.2. Estructura de la Tesis
La Tesis está estructurada en cinco capítulos y dos apéndices. Este primer

capítulo pretende justificar, a modo de resumen del trabajo realizado, el empleo de
convertidores CC/CC en la caracterización de las curvas I-V y P-V de generadores
FVs. A continuación, después de compendiar la estructura de la Tesis, se establecen
los objetivos de la misma, las innovaciones que aporta y el rendimiento científico
que ha producido hasta la fecha.
En el segundo capítulo se describen los diferentes tipos de células solares, las

cuales constituyen el elemento básico de un sistema fotovoltaico. En la primera parte
se presentan las características de la radiación solar. A continuación se realiza un
resumen de la historia de la tecnología fotovoltaica junto con una descripción de las
diferentes tecnologías empleadas en la fabricación de células solares. En la segunda
parte se resalta la importancia de la caracterización y medida de las curvas I-V de
generadores FVs, junto con los métodos actuales que permiten dicha medida.
Finalmente se realiza una comparación de los diferentes métodos en términos de:
Tesis Doctoral 6
flexibilidad, modularidad, fidelidad, tiempo de respuesta, visualización directa y

coste.
En el capítulo 3 se describe el funcionamiento de las diferentes

configuraciones básicas de convertidores CC/CC: Reductor, Elevador y Reductores-
Elevadores, junto con la aplicación de dichos convertidores en la caracterización de
las curvas I-V y P-V de generadores FVs, basada en su capacidad para emular una
resistencia. Se comparan las distintas configuraciones que permiten dicha
caracterización y se describen las dos técnicas más importantes para la reducción del
rizado: mediante el intercalado de convertidores y empleando inductores acoplados.
En el cuarto capítulo se muestran los resultados experimentales obtenidos con

diferentes prototipos, tanto de convertidores CC/CC como de sistemas de medida.
Se realiza el diseño e implementación de los circuitos adicionales (de control y de
excitación) que permiten el correcto funcionamiento de los convertidores usados, se
implementan algunos prototipos experimentales de medida basados en la
metodología propuesta y se aportan sus resultados experimentales, referentes a la
medida de las curvas I-V y P-V de módulos, arrays y de una instalación formada por
48 módulos fotovoltaicos (5 kW). En el último capítulo, el quinto de esta Tesis, se
destacan las conclusiones más relevantes y se esbozan las líneas de investigación
que han sido abiertas.
En el apéndice I se realiza una descripción detallada de las diferentes

tecnologías de células solares: silicio cristalino (c-Si), células multiunión, células de
arseniuro de galio (GaAs) y células de película delgada (Thin-Film). Dentro de éstas
se encuentran las de silicio amorfo (a-Si), teluro de cadmio/sulfuro de cadmio
(CdTe/CdS), cobre indio-galio (CIGS, CuInGaSe2) y diseleniuro de cobre-indio
(CIS, CuInSe2), las células orgánicas y las células sensibilizadas con colorante (Dye
Solar Cell, DSC). Por último, se describen las células con concentrador solar.
En el apéndice II se incluye todo lo relativo a las actividades de

normalización relacionadas con la caracterización de dispositivos FV. Así, se alude a
los diferentes organismos encargados de estas cuestiones: Comité Electrotécnico
Tesis Doctoral 7
Internacional CEI (Internacional Eletrotechnical Comisión, IEC); Comité Técnico

82 (TC82), encargado de realizar la normalización en energía solar fotovoltaica
(ESF) dentro de la IEC; CEN (Organismo Europeo de la Normalización) que asumió
las tareas de normalización de los distintos organismos nacionales y que fue
completado luego por CENELEC para la normalización eléctrica y electrónica;
Asociación Española de Normalización y Certificación, AENOR, que es la entidad
reconocida por el Ministerio de Industria y Energía para desarrollar las tareas de
normalización en los sectores industriales y de servicios.
1.3. Objetivos
El objetivo general de esta Tesis Doctoral es contribuir en la caracterización

de las curvas I-V y P-V de generadores fotovoltaicos, empleando una metodología
novedosa basada en convertidores CC/CC, y proponer métodos para el diseño e
implementación de sistemas de medida basados en dicha metodología. Este objetivo
global puede descomponerse en tres objetivos concretos: decidir en base a un
análisis y estudio previos el convertidor CC/CC adecuado que permite una completa
y fiable reproducción de dichas curvas; optimizar el diseño y la implementación de
sistemas de medida basados en esta metodología; y aplicar técnicas de reducción del
rizado de corriente asociado con el proceso de conversión CC/CC que mejoren la
reproducción de las curvas I-V obtenidas.
Para alcanzar los objetivos propuestos, se ha realizado un extenso trabajo

experimental en el desarrollo y prueba de prototipos de laboratorio. En una primera
fase, se han estudiado, simulado e implementado los convertidores CC/CC más
representativos para evaluar su capacidad en la reproducción de las curvas I-V y P-V
de módulos y arrays fotovoltaicos. Los resultados obtenidos han servido como base
para establecer la topología más adecuada para esta aplicación. A partir de aquí, con
los datos y experiencia adquiridos, se ha abordado la segunda fase de este trabajo de
investigación que ha consistido en el desarrollo de un sistema completo de medida
Tesis Doctoral 8
empleando la metodología propuesta. Este sistema ha sido implementado en

diferentes versiones y capacidades bajo una misma filosofía. Así se han construido
varios prototipos con convertidores CC/CC de potencias diferentes, incluso con
configuraciones en paralelo funcionando en modo intercalado para reducir el rizado.
1.4. Innovaciones que aporta la Tesis
Las aportaciones novedosas principales que componen esta memoria pueden

resumirse en las siguientes:
Desarrollo de un nuevo método de medida de curvas I-V y P-V de

generadores fotovoltaicos basado en convertidores CC/CC. Este método
ha sido comprobado experimentalmente sobre diferentes configuraciones
(Buck, Boost, Buck-Boost, CSC, Cuk, SEPIC, Zeta, Buck-Boost en
cascada y Boost-Buck en cascada). Este trabajo previo ha permitido
seleccionar la topología más adecuada para esta aplicación.
Desarrollo de un nuevo algoritmo de control, implementado en

microcontroladores y controladores digitales de señal, que ha permitido
realizar la medida y captura de las curvas I-V y P-V de generadores
fotovoltaicos. El algoritmo está basado en el barrido del ciclo de servicio
(DCS).
Implementación de diferentes prototipos de sistemas de medida basados

en la metodología propuesta, que proporcionan buenos resultados
experimentales en módulos, arrays y en instalaciones de hasta 5 kW.
Esto no supone una barrera, ya que la metodología es de aplicación para
instalaciones de mayor potencia, se trata simplemente de constatar que
sólo se ha probado hasta esta potencia.
Aplicación y evaluación de técnicas de reducción de rizado (inductores

acoplados e intercalado de convertidores CC/CC) que permiten una
Tesis Doctoral 9
mejora significativa en la reproducción de las curvas I-V y P-V del

generador fotovoltaico.
1.5. Rendimiento científico de la Tesis
Este apartado esta dedicado a enmarcar el entorno científico en el que se ha

desarrollado la Tesis y a destacar los resultados de la investigación realizada; para
ello se detallan las publicaciones con índice de impacto así como los congresos
internacionales más importantes.
También, dentro del entorno científico de la Tesis, se hará hincapié en los

Proyectos de Investigación que han permitido financiarla. En definitiva, el objetivo
principal de este apartado es mostrar que la memoria que se presenta constituye la
recopilación ordenada e hilvanada de una producción científica realizada durante los
últimos cinco años.
Por último, quizás como resultado final de este trabajo de investigación, se

detalla la solicitud de patente del sistema de medida y caracterización de las curvas
I-V y P-V de generadores FVs desarrollado.
Producción científica clasificada por aportaciones
Método de medida de curvas I-V y P-V de generadores fotovoltaicos

basado en convertidores CC/CC.
El desarrollo del nuevo método de medida de curvas I-V y P-V de

generadores fotovoltaicos basado en convertidores CC/CC, ha dado origen a la
publicación de los trabajos siguientes:
1. E. Durán, J. M. Andújar, System for Testing and Monitoring of PV

Modules. Renewable Energy, Noviembre 2009. En revisión. Índices
Tesis Doctoral 10
de calidad: Revista oficial del WREN (World Renewable Energy

Network). Revista incluida en el JCR en la categoría energy & fuels.
Índice de impacto 2008: 1,663. Pos. 22/67.
2. E. Durán, J. M. Andújar, F. Segura, A High-Flexibility DC Load for

Fuel Cell and Solar Arrays Power Sources Based on DC-DC
Converters, IEEE Transaction on Industrial Electronics, Julio 2009.
En revisión. Índices de calidad: Revista incluida en el JCR. Es la nº
1 en la categoría automation & control systems. Índice de impacto
2008: 5,468. Pos. 1/53.
3. E. Durán, J. M. Andújar, J. Galán, M. Sidrach-de-Cardona,

Methodology and Experimental System for Measuring and
Displaying I-V Characteristic Curves of PV Facilities, Progress in
Photovoltaics: Research and Applications. En prensa; URL:
http://dx.doi.org/10.1002/pip.909. Índices de calidad: Revista
incluida en JCR. Revista de más alto índice de impacto en el campo
de la energía solar, nº 8 en la categoría energy & fuels. Índice de
impacto 2008: 2,652. Pos. 8/67.
4. E. Durán, J. Galán, M. Sidrach-de-Cardona, J.M. Andújar, Measuring

the I-V Characteristic Curve of PV Generators, IEEE Industrial
Electronics Magazine, vol. 3, Núm. 3, pp. 4-14, Septiembre 2009.
Índices de calidad: Revista de reciente aparición (2007) de la
prestigiosa IEEE Industrial Electronics Society. Revisión por pares.
Comité científico internacional. Publica sólo 4 números al año.
Indexada en: Science Citation Index Expanded (SciSearch) y Journal
Citation Reports / Science Edition. Está indexada también en el ISI y
en SCOPUS. Está pendiente de índice de impacto (JCR) en 2009.
5. J.M. Enrique, E. Durán, M. Sidrach-de-Cardona, J.M. Andújar, M.A.

Bohórquez, J.E. Carretero, A new approach to obtain I-V and P-V
curves of PV panels by using DC-DC converters, Proc. of the 31st
Tesis Doctoral 11
IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2005, Orlando,

EEUU. pp. 1769-1772, January 3-7, 2005. Índices de calidad:
Congreso internacional del mayor prestigio en su ámbito, revisión por
pares, indexado en ISI y SCOPUS. Este trabajo tiene ya 9 citas.
6. M.A. Bohórquez, J.M. Enrique, E. Durán, M. Sidrach-de-Cardona,

J.E. Carretero, J.M. Andújar, Analysis and monitoring of failures in
PV panels by means of I-V and P-V curves using DC-DC converters,
Proc. of the World Renewable Energy Congress , WREC 2005,
Aberdeen, Scotland, UK. pp. 477-483, May 22-27, 2005.
7. J.M. Andújar, J.M. Enrique, E. Durán, M.A. Bohórquez, Sistema

para la generación automática de curvas I-V, P-V y monitorización
de módulos fotovoltaicos, Proc. XXV Jornadas de Automáticas.
ISBN: 84-688-7460-4. Ciudad Real, 2004.
Comparación de diferentes convertidores CC/CC para la obtención de

las curvas I-V y P-V de generadores FVs.
El método basado en convertidores CC/CC ha sido comprobado

experimentalmente sobre diferentes configuraciones: Buck, Boost, Buck-Boost,
CSC, Cuk, SEPIC, Zeta, Buck-Boost en cascada, y Boost-Buck en cascada. Esto ha
permitido seleccionar la topología más adecuada para esta aplicación, dando origen
a la publicación de los trabajos siguientes:
1. E. Durán, J. Galán, M. Sidrach-de-Cardona, J. M. Andújar, A New

Method to Obtain I-V Characteristics Curves of Photovoltaic
Modules Based on SEPIC and Cuk Converters, EPE Journal
(European Power Electronics and Drives Journal), vol. 18, Núm. 2,
Pag. 5-15, Septiembre 2008. Índices de calidad: Órgano Oficial de la
Asociación EPE (European Power Electronics and Drives). Revista
Tesis Doctoral 12
incluida en el JCR en la categoría engineering, electrical & electronic.

Índice de impacto 2008: 0,435. Pos. 180/229.
2. E. Durán, M. Sidrach-de-Cardona, J. Galán, J. M. Andújar,

Comparative Analysis of Buck-Boost Converters Used to Obtain I-V
Characteristic Curves of Photovoltaic Modules, IEEE Power
Electronics Specialists Conference, pp. 2036-2042, 2008. Índices de
calidad: Congreso internacional del mayor prestigio en su ámbito,
revisión por pares, indexado en ISI y SCOPUS.

Application of the Buck-Boost-Derived Converters to Obtain the I-V
Curve of Photovoltaic Modules, IEEE Power Electronics Specialists
Conference, pp. 413-417, 2007. Índices de calidad: Congreso
internacional del mayor prestigio en su ámbito, revisión por pares,
indexado en ISI y SCOPUS. Este trabajo tiene ya 5 citas.
Comparación de diferentes métodos para la obtención de las curvas I-V

y P-V de generadores FVs.
La comparación de los diferentes métodos en términos de: flexibilidad,

modularidad, fidelidad, tiempo de respuesta, visualización directa y coste, ha
permitido establecer las ventajas e inconvenientes de la metodología basada en
convertidores CC/CC, dando origen a la publicación del trabajo siguiente:
1. E. Durán, M. Piliougine, M. Sidrach-de-Cardona, J. Galán, J.M.

Andújar, Different Methods to Obtain the I-V Curve of PV Modules:
A Review, Proceedings of the 33rd IEEE PVSC, San Diego, CA,
2008.
Tesis Doctoral 13
Implementación del barrido del ciclo de servicio (DCS) mediante

microcontrolador y controladores digitales de señal.
El desarrollo de un nuevo algoritmo de control basado en el barrido del ciclo

de servicio (DCS), implementado en microcontroladores y controladores digitales de
señal, ha permitido realizar el recorrido de las curvas I-V y P-V de generadores
fotovoltaicos, lo cual ha dado origen a la publicación de los trabajos siguientes:
1. E. Durán, M. Sidrach-de-Cardona, J. Galán, J.M. Andújar,

Measurement method for PV modules based on DC-DC converters
with microcontroller Proc. of 13th European Conference on Power
Electronics and Applications, EPE 2009, Barcelona, España. pp. 1-
10, Septiembre 8-10, 2009.
2. E. Durán, J. Galán, M. Sidrach-de-Cardona, M. Ferrera, J. M.

Andújar, A New Application of Duty Cycle Sweep Based on
Microcontroller to Obtain the I-V Characteristic Curve of
Photovoltaic Modules, IEEE International Conference on Industrial
Technology, pp. 1023-1028, Chengdu, China, 2008. Índices de
calidad: Congreso internacional del mayor prestigio en su ámbito,
revisión por pares, indexado en ISI y SCOPUS.
3. J.M. Andújar, E. Durán, Barrido y Control del Ciclo de Servicio en la

Modulación PWM Mediante Microcontrolador: una Aplicación a los
Generadores Fotovoltaicos, Actas de las XXVII Jornadas de
Automática, pp. 1224-1228. ISBN: 84-689-9417-0, (2006).
Aplicación y evaluación de técnicas de reducción de rizado (inductores

acoplados e intercalado de convertidores CC/CC).
La aplicación y evaluación de técnicas de reducción de rizado (inductores

acoplados e intercalado de convertidores CC/CC) que permiten una mejora
Tesis Doctoral 14
significativa en la reproducción de las curvas I-V y P-V del generador fotovoltaico,

ha dado origen a la publicación de los trabajos siguientes:
1. E. Durán, J. Galán, M. Sidrach-de-Cardona, F. Segura, An

Application of Interleaved DC-DC Converters to Obtain I-V
Characteristics Curves of Photovoltaic Modules, 34th Conference of
the IEEE Industrial Electronics Society (IECON), pp. 2284-2289,
2008.
2. E. Durán, J. Galán, M. Sidrach-de-Cardona, Interleaved DC-DC

Converters to Obtain the I-V Characteristic Curve of photovoltaic
Modules, Proceedings of 22nd European Photovoltaic Solar Energy
Conference. European Photovoltaic Solar Energy Conference, pp.
318-321, ISBN: 3-936338-22-1, 2007.
3. E. Durán, J.M. Enrique, M.A. Bohórquez, M. Sidrach-de-Cardona,

J.E. Carretero, J.M. Andújar, A new application of the coupled-
inductors SEPIC converter to obtain I-V and P-V curves of
photovoltaic modules, Proc. of 11th European Conference on Power
Electronics and Applications, EPE 2005, Dresden, Germany, pp. 123-
130, September 11-14, 2005. Índices de calidad: Congreso
internacional del mayor prestigio en su ámbito, revisión por pares,
indexado en ISI y SCOPUS.
4. E. Durán, M. Sidrach-de-Cardona, J.M. Enrique, M.A. Bohórquez,

J.E. Carretero, J.M. Andújar, New I-V Photovoltaic Curves Tracer
Based on DC-DC Converters With Coupled Inductors, Proceedings
of 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference . European
Photovoltaic Solar Energy Conference, pp. 2101-2104, ISBN: 3-
936338-19-1, 2005.
Tesis Doctoral 15
Técnicas de seguimiento del punto de máxima transferencia de potencia

en sistemas fotovoltaicos.
Los convertidores CC/CC junto con los sistemas de seguimiento del punto de
máxima transferencia de potencia (MPPT) son usados para evitar las pérdidas que se
produce en los sistemas fotovoltaicos como consecuencia de que el punto de trabajo
del generador no esté en el MPPT. El análisis de las diferentes topologías de
convertidores CC/CC para esta aplicación, ha dado origen a la publicación del
trabajo siguiente:
1. J.M. Enrique, E. Durán, M. Sidrach-de-Cardona, J.M. Andújar,

Theoretical assessment of the maximum power point tracking of
photovoltaic facilities with different converter topologies, Solar
Energy, pp. 31-38, 2007.
Aplicación de convertidores de potencia al control y regulación de la

potencia en sistemas híbridos: fotovoltaico + pila de combustible +
baterías.
Esta Tesis se ha desarrollado en el seno del Grupo de Investigación de forma

paralela a otras, creándose sinergias entre ellas, ya que sus objetivos eran culminar
tareas de un mismo proyecto. Fruto de esto han sido colaboraciones puntuales entre
doctorandos para combinar resultados conformando sistemas más complejos, lo cual
en el caso del autor de esta memoria ha dado origen a las publicaciones siguientes:
1. F. Segura, E. Durán, J.M. Andújar, Design, building and testing of a

stand alone fuel cell hybrid system, Journal of Power Sources, Vol.
193(1), pp. 276-284, 2009. Índices de calidad: Revista incluida en el
JCR. Es la nº 4 en la categoría energy & fuels. Índice de impacto
2008: 3,477. Pos. 4/67.
Tesis Doctoral 16
2. F. Segura, J.M. Andújar, E. Durán, AC and DC Output Fuel Cell

Hybrid System: Design, Building and Testing. 13th European
Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2009,
Barcelona, Spain, ISBN: 9789075815009/IEEE CATALOG Number
CFP09850 – CDR, 2009.
3. F. Segura, E. Durán, J.M. Andújar, J. Brey, C. García. Design and

verification methodology reconfigurable for the loads of fuel cells.
Fuel Cells Science and Technology 2008. Scientific Advances in Fuel
Cell Systems, Copenhague, Dinamarca, Fuel cells science and
technology 2008, P1.56-P1.56.
Proyectos de investigación que financian la Tesis
Diseño de un Sistema de propulsión controlado por lógica borrosa para

un vehículo de emisión cero (DPI2005-01065).
Entidad financiadora: Ministerio de Educación y Ciencia
Entidades participantes: Universidad de Huelva
Duración: 15/10/2005 a 15/10/2006
Subvención: 11.900 €
Investigador responsable: Dr. José Manuel Andújar Márquez
Sistema híbrido generador de energía eléctrica autónomo, continuo y no

contaminante (DPI2007-62336).
Entidad financiadora: Ministerio de Educación y Ciencia
Tesis Doctoral 17
Duración: 01/10/2007 a 30/09/2010
Subvención: 121.000 €
Diseño, desarrollo, construcción y pruebas de un sistema generador de

energía eléctrica basado en pilas de combustible, integrando un depósito
de hidrógeno y un electrolizador para la producción del mismo
Empresa financiadora: Hynergreen Technologies, S.A.
Duración: 01/07/2006 a 31/12/2008
Cuantía del proyecto: 208.800 €
Patente
1. E. Durán, J.M. Andujar, M. Sidrach-de-Cardona, Procedimiento y

dispositivo de medida de las curves características en sistemas
fotovoltaicos, patente registrada con número P200930198, 2009.
Tesis Doctoral 18
Capítulo 2
Fundamentos de la Tecnología FV:

Caracterización de Dispositivos
En este capítulo se describen los diferentes tipos de células solares, las cuales
constituyen el elemento básico de un sistema FV, y se resalta la importancia de la
caracterización y medida de las curvas I-V de generadores FVs. En la primera parte
del capítulo se presentan las características de la radiación solar, se realiza un
resumen de la historia de la tecnología fotovoltaica y las diferentes tecnologías
empleadas en la fabricación de células solares. En la segunda parte se revisa la
normativa relacionada con la caracterización de dispositivos FVs junto con los
métodos actuales que permiten dicha medida. Finalmente se comparan los diferentes
métodos descritos en términos de: flexibilidad, modularidad, fidelidad, tiempo de
respuesta, visualización directa y coste.
Tesis Doctoral 19
Introducción
2.1. Introducción
El Sol es una fuente de energía con un flujo radiante de 3,86.1026 W,

equivalente a una densidad de 62,5 MW por cada m2 de superficie solar; y es el
origen de todas las energías renovables. La Tierra recibe del Sol una cantidad de
energía anual de aproximadamente 5,4.1024 J, cifra que equivale a 4.500 veces la
energía que se consume. La irradiancia solar (radiación por unidad de superficie,
W/m2) que llega a la Tierra es de aproximadamente 1 kW/m2. La radiación recibida
por unidad de superficie procedente de un foco puntual de flujo radiante constante
varía en razón inversa al cuadrado de la distancia entre el foco y el receptor (Sol y
Tierra, respectivamente).
El Sol emite radiación electromagnética con una distribución espectral que

abarca desde 100 nm hasta 2.500 nm, similar a la emisión de radiación de un cuerpo
negro a 6.000 K. Un 5% de la energía corresponde al intervalo de longitudes de onda
inferiores a 380 nm, un 49% a longitudes de onda entre 380 y 780 nm (región
visible) y el 46% restante a longitudes de onda superiores a las 780 nm.
Tanto la irradiancia solar total como su distribución espectral varían debido a

que los rayos solares, al atravesar la atmósfera, son a la vez parcialmente absorbidos
y dispersados. El espesor efectivo de atmósfera que los rayos solares deben atravesar
varía en función del movimiento aparente del Sol sobre la bóveda celeste. También
varía la composición de la atmósfera de unos días a otros, e incluso de unos instantes
a otros, así como la aleatoriedad en la existencia o no de nubes y en las
características de éstas [1].
En término medio solo el 47% de la radiación incidente sobre la atmósfera

terrestre alcanza la superficie del planeta. El 31% lo hace directamente (radiación
directa) y el otro 16% (radiación difusa) después de ser dispersada por polvo en
suspensión, vapor de agua y moléculas del aire. La energía restante, un 53%, es
reflejada hacia el espacio exterior o absorbida en la atmósfera.
Tesis Doctoral 20
Introducción
A consecuencia de la interacción de la radiación solar con la atmósfera, la

energía que llega a la superficie tiene diferentes componentes: radiación directa (no
sufre ningún fenómeno y llega a la Tierra en la dirección del Sol) y radiación difusa
(procede del resto de direcciones). A las componentes directa y difusa hay que
añadir que un captador inclinado también puede recibir radiación previamente
reflejada en el suelo. El conjunto de radiaciones que alcanza la superficie terrestre,
suma de todas las radiaciones, se denomina radiación global.
Cuando la radiación solar atraviesa la atmósfera terrestre es absorbida y

reflejada en forma selectiva, modificando su distribución espectral. Se define masa
de aire (Air Mass, AM) x, al espesor de atmósfera atravesado por la radiación solar
para una dirección angular dada, respecto del espesor correspondiente al Sol en el
zenit (vertical del lugar) [1]. Para ángulos de elevación del Sol θz (distancia cenital),
comprendidos entre aproximadamente 30° y 90°, la variación de masa de aire
atmosférica en función de θz se puede aproximar mediante la ecuación 2.1.
1
x≈ (2.1)
cos θ z
AM se define como AM0 fuera de la atmósfera, donde la intensidad de la

radiación electromagnética llega a ser de 1.400 W/m2, se usa en aplicaciones
espaciales. Sobre la Tierra y a nivel del mar, la menor masa de aire corresponde a la
incidencia vertical de la radiación solar sobre un punto dado de la Tierra, ya que en
tal caso, θz = 90° y x = 1. Esto corresponde a una potencia de 1.000 W/m2 y a un
nivel de radiación solar AM1.0. Al ángulo de incidencia en el que la potencia de la
radiación electromagnética se reduce aproximadamente la mitad (800 W/m2) de la
existente en el exterior de la atmósfera, se le denomina AM2.0. En aplicaciones
terrestres, se usa AM1.5, que corresponde a una distancia cenital de 48,19º, y al
espectro recibido en una superficie inclinada 37º respecto a la horizontal mirando al
Sol (figura 2.1).
Tesis Doctoral 21
Historia de la Tecnología FV
Figura 2.1 Irradiancia solar. AM0 equivale al nivel de irradiancia por encima de la
atmósfera. AM1.0 representa el nivel de irradiancia recibido en la Tierra a nivel del mar
con el Sol en el cenit. AM1.5 con el Sol en un ángulo oblicuo de 48.2 º, con un mayor
recorrido óptico a través de la atmósfera de la Tierra; y AM2.0 un ángulo oblicuo que se
extiende a 60.1 º. Fuente: LaserFocusWorld.
2.2. Breve recorrido histórico sobre la tecnología

fotovoltaica
A lo largo de la historia, tanto el ser humano como otros seres vivos han
utilizado la energía solar como opción energética y fuente de vida, pero no fue hasta
mediados del siglo XIX cuando se descubrió la posibilidad de utilizar la luz solar
como fuente para la producción de energía eléctrica.
A continuación se muestra un breve esquema sobre la historia de la energía

solar fotovoltaica.
• El descubrimiento en 1839 de Alexandre Edmond Becquerel (Fig. 2.2) es

considerado como el punto de partida.
Alexandre Edmond Becquerel descubrió que se generaban pequeñas

cantidades de corriente cuando se iluminaba uno de los electrodos de una
Tesis Doctoral 22
solución electrolítica conductora, y apreció un aumento de la generación

eléctrica con la luz.
Figura 2.2 Alexandre Edmond Becquerel (1820-1891).
• En 1873 Willoughby Smith (Fig. 2.3) descubre el efecto fotovoltaico en el

Selenio sólido.
Figura 2.3 Willoughby Smith (1828-1891).
• En 1877 W. G. Adamas y R. E. Day observan el efecto fotovoltaico en

Selenio sólido. Construyen la primera fotocélula de Selenio [1].
• En 1900 Max Planck postula la naturaleza cuántica de la luz.
Tesis Doctoral 23
• En 1904 Albert Einstein publica su trabajo acerca del efecto fotovoltaico,

al mismo tiempo que un artículo sobre la teoría de la relatividad.
• En 1921 Albert Einstein obtiene el Premio Nobel de Física por sus teorías
explicativas del efecto fotovoltaico; for his services to Theoretical Physics,
and especially for his discovery of the law of the photoelectric effect.
• En 1947 John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley de los

laboratorios Bell inventan el transistor bipolar; empieza el desarrollo de la
tecnología del silicio.
• En 1954 Daryl Chapin, Calvin Fuller y Gerald Pearson (Fig. 2.4a) de los
Laboratorios Bell Telephone desarrollan la primera célula de silicio (Fig.
2.4b), y publican el artículo A New Silicon p-n junction Photocell for
converting Solar Radiation into Electrical Power. Esta célula da origen a
la primera estructura fotovoltaica que lograba convertir luz en electricidad
con una eficiencia razonable (6%) [2].
a)
b)
Figura 2.4 a) Gerald Pearson, Daryl Chapin, y Calvin Fuller autores del prototipo. Fuente:
California Solar Center. b) Prototipo de célula FV desarrollada en 1954 formada por tiras de papel
de silicio incrustado en plástico transparente; proporcionaba 0,185 W. Fuente: IEEE Spectrum.
Tesis Doctoral 24
• En 1955 se desarrolla el primer producto fotovoltaico para aplicaciones

espaciales. La empresa Hoffman Electronic (EE.UU.) comercializa células
con una eficiencia del 3% de 14 mW a 1.500 $ por watio pico (Wp).
• En 1957 Hoffman Electronics fabrica células que alcanzan un rendimiento

del 8%.
• En 1958 se lanza el Vanguard I, el primer satélite alimentado parcialmente

con energía solar fotovoltaica. El satélite lleva instalados 0,1 W en una
superficie aproximada de 100 cm2, para alimentar un transmisor de 5 mW.
La Unión Soviética muestra en la exposición Universal de Bruselas sus
células fotovoltaicas con tecnología de silicio.
Figura 2.5 Satélite Vanguard I.
• En 1959 Hoffman Electronic alcanza el 10% de rendimiento en sus células

comerciales.
• En 1962 se lanza el primer satélite de comunicaciones, el Telstar, con una

potencia fotovoltaica instalada de 14 W.
• En 1963 se instala en Japón un sistema de 242 W en un faro. Sharp

desarrolla una forma práctica de producir módulos de silicio.
Tesis Doctoral 25
• En 1964 la nave espacial Nimbus es lanzada con 470 W de paneles

fotovoltaicos instalados.
• En 1967 se desarrolla la primera célula solar de película delgada (thin-

film) mediante sulfuro de cadmio (CdS). Se descubren nuevos materiales
fotovoltaicos para aumentar el rendimiento de las células en base a
trabajos teóricos con arseniuro de galio (GaAs), arseniuro de indio (InAs) y
teluro de cadmio (CdTe). Se establecen las estrategias de implementación
tipo tándem, y células multiunión.
• En 1973 la Universidad de Delaware construye Solar One, una de las

primeras viviendas con energía fotovoltaica. Las placas fotovoltaicas
instaladas en el techo tenían una doble función: generar energía eléctrica y
actuar de colector solar (calentado el aire bajo ellas; el aire era llevado a
un intercambiador de calor para acumularlo). Ese mismo año, la nave
espacial Skylab lleva instalados 20 kW de paneles.
Figura 2.6 Skylab.
• Entre 1974-1977 se fundan las primeras compañías dedicadas a energía

solar. Las aplicaciones terrestres superan a las aplicaciones espaciales. El
Lewis Research Center (LeRC) de la NASA establece las primeras
aplicaciones en lugares aislados. La producción de paneles fotovoltaicos
en el mundo supera los 500 kW.
• En 1978 el Lewis Research Center (LeRC) de la NASA instala un sistema

FV de 3,5 kWp en la reserva india Papago (Arizona). Se emplea hasta la
Tesis Doctoral 26
llegada de las líneas eléctricas en 1983, y apartir de entonces se dedica

exclusivamente al bombeo de agua. J. M. Woodall y H. J. Hovel
desarrollan células con GaAs que consiguen rendimientos del 21.9%.
• En 1980 ARCO Solar es la primera empresa que alcanzó una fabricación

industrial de 1 MW de módulos al año.
• En 1981 se desarrolla el primer avión movido por energía fotovoltaica,

Solar Challenger. Se instala en Jeddah, Arabia Saudi, una planta
desalinizadora abastecida por un sistema FV de 8 kW.
• En 1982 la producción mundial de células fotovoltaicas supera los 9,3

MW. Entra en funcionamiento la planta ARCO Solar Hesperia en
California de 1 MW. Volkswagen comienza a investigar sobre vehículos
con techos solares.
• En 1983 la producción mundial de energía fotovoltaica supera los 21,3

MW, y las ventas superan los 250 millones de $. El Solar Trek, un
vehículo alimentado con energía solar con 1 kW atraviesa Australia; 4.000
km en menos de 27 días. La velocidad máxima es 72 km/h, y la media 24
km/h. ARCO Solar construye una planta de energía solar de 6 MW en
California, en una extensión de 120 acres (48 hectáreas); conectada a la
red eléctrica, suministra energía para unas 2.500 viviendas.
• En 1992 se instala una planta fotovoltaica en la Antártida (Lago Hoare) de

0,5 kW, con baterías de 2,4 kWh. Se utiliza para abastecer los
equipamientos de laboratorio, iluminación, PCs e impresoras y un pequeño
horno microondas.
• En 1994 se celebra la primera Conferencia Mundial fotovoltaica en Hawai.
• En 1996 el avión Ícaro, recubierto de 3.000 células fotovoltaicas con una

superficie de 21 m2 sobrevuela Alemania.
Tesis Doctoral 27
• En 1997 los primeros módulos utilizando triple unión de células de silicio

amorfo son comercializados por Sharp y Sanyo.
• En 1998 se celebra la segunda Conferencia Mundial fotovoltaica en Viena.

Se alcanza un total de 1.000 MWp de sistemas fotovoltaicos instalados.
• En 2000 Alemania y Japón despuntan a nivel mundial como productores.

Alemania se pone a la cabeza como consumidor. En España se alcanzan
los 12 MW de potencia instalada y se promueven subvenciones mediante
el PER 2000-2010.
• En 2002 se producen más de 500 MWp de generadores fotovoltaicos en un

año.
• En 2003 se celebra la tercera Conferencia Mundial fotovoltaica en Japón y

continúa el desarrollo sostenido, al contar con el apoyo de la sociedad y las
administraciones de los países desarrollados. La potencia instalada en
España asciende a 27 MW.
• En 2004 se producen e instalan más de 1.000 MW de módulos

fotovoltaicos a nivel mundial.
• En 2005 la revisión del PER en España para el periodo 2005-2010 fija

como nuevo objetivo el incremento de potencia fotovoltaica a 400 MW.
• En 2007 se producen más de 2.000 MW de módulos fotovoltaicas a nivel

mundial.
• En 2008 se producen e instalan más de 5.700 MW de módulos

fotovoltaicos a nivel mundial. En España se alcanzan 2.600 MW, lo que
supone el 45,2% de la potencia total instalada. Andalucía aporta el 0,60%.
Tesis Doctoral 28
La figura 2.7 recoge la situación del mercado fotovoltaico mundial y español

en 2008. La figura 2.8 muestra una de las plantas fotovoltaicas de mayor tamaño
instaladas en España.
Figura 2.7 Mercado fotovoltaico mundial y español en 2008. Fuente: ASIF (Asociación de la
Industria Fotovoltaica).
Tesis Doctoral 29
Figura 2.8 Planta solar de Olmedilla de Alarcón (Cuenca), construida en septiembre de 2008.
Ocupa 50 hectáreas con una potencia instalada de 60 MWp y una capacidad de 85 GWh.
Fuente: NOBESOL.
2.3. Fundamentos, tipos y características de células

solares
El elemento básico de un sistema FV es una célula solar. Las células solares

se asocian en serie y en paralelo, su posterior encapsulado da como resultado la
obtención de los conocidos paneles o módulos FVs. Los módulos a su vez se pueden
conectar, formando un número conveniente de cadenas (arrays). De este modo es
posible realizar tanto pequeños sistemas FVs de baja potencia (con sólo unos pocos
vatios), como grandes instalaciones (centrales de varios megavatios).
El proceso de conversión de energía fotovoltaica puede ser explicado

mediante el circuito equivalente de una célula solar conectada a una carga mostrado
en la figura 2.9 [3].
Tesis Doctoral 30
Tipos de Células Solares
I ph RS
I RP I
I ph D RP Carga V
 qVD 
I s  e K BT − 1
 
Figura 2.9 Circuito equivalente de una célula solar.
Parte de la energía producida por una célula, se disipa a través de las

resistencias de contacto (Rs) y a través de corrientes de fuga entre ambos lados del
dispositivo (Rp). Eléctricamente, estos efectos son equivalentes a dos resistencias
parásitas en serie y en paralelo (Rs y Rp mostradas en la figura 2.9).
En este circuito, la corriente I proporcionada por la célula solar es

proporcional a la corriente producida por la fuente Iph, la cual representa la corriente
fotovoltaica generada. Cuando la corriente por la carga (I) en el circuito mostrado en
la figura 2.9 es cero (circuito abierto), prácticamente toda la corriente generada
circula a través del diodo (despreciando la que circula por Rp), obteniéndose la
condición de circuito abierto en los extremos de la célula. Esta corriente es
denominada corriente de oscuridad, en analogía a la corriente que circularía por la
célula en ausencia de iluminación cuando ésta es sometida a una diferencia de
potencial V (ecuación 2.2).
 qV  K T I 
I oscuridad = I s e K BT − 1 ⇒ Voc = B ln  sc + 1 (2.2)
  q  Is 
Donde KB es la constante de Boltzmann (1,38.10-23 J/K), T es la temperatura

en Kelvin, q es la carga de un electrón (1,6.10-19 C), Isc la corriente de cortocircuito e
Is la corriente inversa de saturación del diodo. La ecuación 2.2 indica que Voc se
incrementa con la intensidad de la luz solar siguiendo una función logarítmica.
Tesis Doctoral 31
Las características I-V de una célula solar iluminada son mostradas en la

figura 2.10. El régimen de funcionamiento de una célula solar abarca desde V = 0
(cortocircuito) hasta Voc (circuito abierto). Excepto en estos dos puntos, la célula
proporciona potencia eléctrica. Voc representa la máxima tensión proporcionada por
la célula a corriente cero (sin carga o en vacío), mientras que Isc representa la
máxima corriente extraíble con tensión cero (carga en cortocircuito). Para V < 0 la
célula consume potencia para generar una foto corriente, la cual da origen a la
emisión de luz.
I sc
Pm Pm
Im
Potencia [P ]
Corriente [I ]
0
0 Vm
Tensión [V ]
Vm Voc Tensión [V ]
Figura 2.10 Características I-V y P-V de una célula iluminada.
Respecto de la figura 2.10, tanto Rs como Rp deterioran la forma de la curva

comparada con el rectángulo definido por los valores Voc e Isc. Para obtener células
eficientes se requiere Rs pequeña y Rp grande.
La ecuación de Shockley (ecuación 2.3) describe la relación entre la tensión

(V) y la corriente (I) proporcionada por una célula.
 q(V + I RS ) AK BT  V + I RS
I = I ph − I s e − 1 − (2.3)
  RP
Las curvas características mostradas en la figura 2.10 presentan un punto de

máxima potencia, Pm, en Vm e Im, donde la potencia proporcionada por la célula es
máxima. La potencia suministrada por una célula puede ser maximizada,
maximizando el área bajo la curva I-V (figura 2.10). El factor de forma (FF, fill
factor) dado por la ecuación 2.4, es un indicador de la calidad de una célula, y mide
la relación entre el área definida por Vm e Im respecto de la establecida por Voc e Isc,
Tesis Doctoral 32
que serían ambas un rectángulo (línea discontinua y área sombreada de la figura

2.10).
I m Vm
FF = (2.4)
I sc Voc
La eficiencia de una célula, ecuación 2.5, es la densidad de potencia

entregada en el punto de funcionamiento respecto de la densidad de potencia de la
luz incidente (Ps)
I m Vm
η= (2.5)
Ps
Los cuatro parámetros descritos: Isc, Voc, FF y η establecen las características

de una célula solar. A efectos de comparación, estos parámetros deben ser
expresados bajo condiciones estándar (STC) de iluminación: AM1.5, una densidad
de potencia incidente de 1.000 W/m2 (que se define como 1 sol) y a una temperatura
ambiente de 25ºC. Cabe destacar que la media de densidad de potencia solar de la
superficie terrestre es de 170 W/m2, es decir, una sexta parte de la densidad estándar
elegida para comparar la eficiencia de células solares. Se ha de tener también en
cuenta que la eficiencia de las células convencionales disminuye rápidamente a bajas
densidades de potencia, y que células con menor eficiencia nominal pueden
proporcionar un mejor rendimiento a menor intensidad de luz y temperatura más
alta.
La tabla 2.1 muestra que las células con mayor densidad de corriente tienden
a tener menor Voc [4 y 5]. Esto es una consecuencia del salto de energía (band gap)
del semiconductor empleado. En general, las diferentes aplicaciones fotovoltaicas
requieren un compromiso entre la fotocorriente y la tensión Voc.
Tesis Doctoral 33
TABLA 2.1 Características de algunos tipos de células solares.

Tipo de Densidad de corriente
Área (cm2) Voc (V) FF Eficiencia (%)
Célula (mA/cm2)
c-Si 4,0 0,706 42,2 82,8 24,7
p-Si 1,1 0,654 38,1 79,5 19,8
a-Si 1,0 0,887 19,4 74,1 12,7
GaAs 3,9 1,022 28,2 87,1 25,1
CuInGaSe2 1,0 0,669 35,7 77,0 18,4
CdTe 1,1 0,848 25,9 74,5 16,4
El principio físico que rige la conversión fotovoltaica de una célula solar

puede se también explicado tomando como base una unión p-n de material
semiconductor. Cuando la luz solar incide sobre dicha unión (generalmente sobre el
lado n), los fotones que la constituyen suministran la cantidad de energía necesaria a
los electrones de valencia del semiconductor para romper el enlace que los mantenía
unidos a sus átomos respectivos [6].
En los sólidos covalentes, los átomos están ligados por electrones de valencia
compartidos, con lo que estos electrones forman parte de la banda de valencia.
En semiconductores absolutamente puros (intrínsecos), la conducción por

electrones y huecos es el producto de la rotura de los enlaces entre sus átomos. La
concentración de electrones n es igual a la concentración de huecos p; a estas
concentraciones se denominan concentraciones intrínsecas de portadores ni de un
semiconductor. En el cero absoluto (0 K), los electrones permanecen fijos en la
banda de valencia, mientras que la banda de conducción está totalmente vacía, con
lo que los semiconductores intrínsecos se comportan como aislantes.
Cuando por aumento de la temperatura u otra causa, la energía de un electrón

alcanza la necesaria para liberarse de su enlace, puede pasar de la banda de valencia
a la de conducción, y por tanto, superar la banda prohibida (1,12 eV para el Si). En
esas circunstancias, el electrón abandona su estado en la banda de valencia y pasa a
ocupar un estado en la banda de conducción, comportándose a partir de ese
momento como un electrón libre de un metal. En la banda de valencia, a su vez, se
Tesis Doctoral 34
ha creado un vacío o hueco correspondiente al nivel de energía que ha dejado

vacante el electrón, el cual puede ser ocupado por electrones de la banda de valencia
[7].
Una forma de conseguir que existan electrones libres en la banda de

conducción es a base de introducir impurezas en el semiconductor intrínseco, es
decir, dopándolo, dando lugar a un semiconductor extrínseco. Para obtener
semiconductores extrínsecos se introduce en el cristal cierto número de impurezas
con una concentración mucho menor que la del constituyente básico.
Cuando impurezas especiales, conocidas como dopantes, se introducen en un

semiconductor, pueden controlar la concentración relativa de electrones en la banda
de conducción y de huecos en la banda de valencia. Estas impurezas pueden ser
donadoras (cuando aportan electrones a la banda de conducción) o bien aceptadoras
(crean defecto de electrones en la banda de valencia). En el primer caso, la
concentración de electrones es mucho mayor que la de huecos, y debido a que la
corriente se debe esencialmente a los electrones, estos semiconductores son
denominados tipo n. En el segundo caso, la concentración de huecos es mucho
mayor que la concentración de electrones, los portadores de la corriente son los
huecos y el semiconductor se denomina de tipo p. Los portadores de estas bandas
pueden por lo tanto difundirse cuando la perturbación (comunicación de energía
externa) sea apropiada.
Cuando un flujo de fotones incide sobre una célula construida a partir de una
unión p-n, parte de ellos son absorbidos en el material. Los fotones que poseen una
energía mayor al salto energético (band gap, EG) entre la banda de conducción y la
de valencia, pueden ser absorbidos y forzar el salto de un electrón entre estas dos
bandas. Como este salto deja un hueco en la banda de valencia, la absorción de un
fotón genera un par electrón-hueco. Si esta generación tiene lugar a una distancia de
la unión inferior a la denominada longitud de difusión, existe una alta probabilidad
de que estos portadores sean separados por el elevado campo eléctrico existente en
la unión p-n, produciéndose la separación de ambas cargas; el electrón se desplaza
Tesis Doctoral 35
hacia la zona n y el hueco hacia la zona p, creándose con ello una corriente eléctrica
cuando ambas regiones son conectadas mediante un circuito exterior.
El salto energético entre bandas limita la porción de radiación que puede ser
absorbida en un semiconductor. Sólo los fotones con energía mayor a EG son
capaces de crear un par electrón-hueco (figura 2.11) y, por tanto, contribuir al
proceso de transformación energética. Esto establece que en una célula fotovoltaica
se ha de minimizar la reflexión y la recombinación y maximizar la absorción.
Figura 2.11 Sección de una célula fotovoltaica.
Si la longitud de difusión es muy corta (corto recorrido), existe una elevada

probabilidad de que después de su creación, el electrón y el hueco vuelvan a
recombinarse, y por tanto, de no generar corriente eléctrica. Esta energía luminosa,
que en principio fue absorbida para crear el par, se transforma en calor, hecho no
deseable en las células fotovoltaicas, pues es éste uno de los mecanismos más
importantes de pérdidas. Por tanto, aquellos fotones con energía mayor que EG,
utilizarán la parte sobrante en calentar el semiconductor, y los que contengan menos
energía pasarán a través del material (figura 2.12) sin producir corriente eléctrica
[8].
Tesis Doctoral 36
Figura 2.12 Proceso de pérdidas a nivel de células solares: (1) fotones no absorbidos con energía
menor a EG; (2) pérdidas térmicas debido al calentamiento del semiconductor; (3) y (4) pérdidas
debido a los contactos; (5) pérdidas debido a la recombinación. Fuente: University of New
South Wales, Autralia.
La energía que contiene un fotón varía en función de su longitud de onda,

yendo desde los 0,5 eV hasta los 2,9 eV. La luz roja tiene una energía de 1,7 eV y la
azul de 2,7 eV. De esta forma, la naturaleza espectral de la luz solar es un aspecto
fundamental que afecta al diseño eficiente de las células solares (figura 2.13).
Figura 2.13 Espectro de la luz solar y eficiencia cuántica de los semiconductores más empleados
en células solares. Fuente: Hahn-Meitner-Institut Berlín.
Tesis Doctoral 37
Los cristales de silicio tienen un salto de banda de 1,12 eV. El de otros

semiconductores varía entre 1,0 eV y 1,6 eV. La tabla 2.2 indica el salto energético
de los principales semiconductores.
TABLA 2.2 Saltos energéticos EG de algunos semiconductores.
Semiconductor EG (eV)
Te 0,33
Ge 0,67
CuInSe2 1,05
Si cristalino 1,12
Cu2S 1,20
InP 1,34
GaAs 1,42
CdTe 1,45
CdSe 1,72
Si amorfo -1,75
Cu2O 2,10
GaP 2,25
CdS 2,42
TiO2 3,00
Si bien el desarrollo tecnológico de la industria microelectrónica trajo

aparejado el mayor énfasis en la investigación y desarrollo de células de Si, existen
otros materiales semiconductores que tradicionalmente han sido utilizados y que
continúan en investigación para usos fotovoltaicos [9]:
• Silicio (mono y policristalino).
• Silicio amorfo hidrogenado (a-Si(H))
• Compuestos formados por elementos de las columnas III y V de la tabla

periódica: GaAs, InP, GaInP, AlGaAs.
• Compuestos formados por elementos de las columnas II y VI de la tabla

periódica: CdS, CdTe.
• Materiales compuestos: Cu2InGaSe4, CuInSe2 (CIS), CuInGaSe (CIGS).
Tesis Doctoral 38
El ciclo de Carnot, que proporciona la eficiencia de un motor térmico ideal

(ecuación 2.6), puede ser utilizado para calcular de forma teórica el porcentaje de luz
solar que puede ser convertido en electricidad. Para ello, asumiendo que la radiación
solar es la de un modelo de cuerpo negro, con temperatura (T1) de la superficie solar
de 6.000 K y temperatura de la célula de 300 K (T2), se tiene que [9]:
T2 300
η = 1− ⇒ η = 1− = 0, 95 (2.6)
T1 6000
Landsberg y Baruch calcularon en 1989 que el límite termodinámico teórico

se situaba entorno al 86% [10]. Sin embargo, el máximo rendimiento que una célula
de una sola unión p-n puede proporcionar está limitado por el balance de energía
descrito por Shockley-Queisser [11] en 1961, y se sitúa entorno al 32% [12].
Esta diferencia respecto al límite descrito por Shockley-Queisser se debe al

hecho de que una célula simple esta caracterizada por dos niveles de energía, aún
cuando el espectro solar contiene fotones con un rango muy amplio de energía.
El esfuerzo de investigación que se viene llevando a cabo en esta área ha

resultado en un aumento continuo de la eficiencia a la vez que se reducían
significativamente los costes (figura 2.14) [7].
Hoy en día la tecnología más extendida es la que se conoce como de primera

generación, basada en uniones p-n de silicio. Esta primera generación de células
solares proporciona elevados costes de producción, con moderada eficiencia (13-
18%, sin concentración). La principal razón del alto coste es que la materia prima de
estas células es el silicio monocristalino (70% en la industria microelectrónica).
Tesis Doctoral 39
Figura 2.14 Rendimiento y perspectivas de coste para la primera, segunda y tercera generación
de tecnologías fotovoltaicas. El intervalo 67 - 87% representa el límite termodinámico, y el 31-
41% representa el límite para células con una sola unión p-n. Fuente: University of New South
Wales, Autralia.
La segunda generación la constituyen las llamadas células de película

delgada (thin-film), donde el semiconductor se deposita en diferentes tipos de
sustrato. Están basadas en el uso de finas láminas epitaxiales de semiconductores.
Esta tecnología proporciona células solares de bajos costes de producción, pero con
baja eficiencia (5-10%). Hay dos tipos de células de película delgada, las utilizadas
en aplicaciones espaciales y las terrestres. Las primeras cuentan normalmente con
una mayor eficiencia AM0 (28-30%), pero también mayores costes por vatio. Las
terrestres, por otro lado, se fabrican con menores costes, pero también son menos
eficientes (7-9% de eficiencia AM0). Una de las ventajas de esta tecnología es su
reducido peso, permitiendo su colocación sobre materiales flexibles o ligeros,
incluso sobre textiles. Esta segunda generación de células fotovoltaicas comprende
actualmente un pequeño segmento del mercado terrestre, pero aproximadamente el
90% del espacial; emplea materiales que obtienen un rendimiento relativamente alto,
con un ahorro muy importante de material semiconductor respecto a las de silicio
(usan aproximadamente un 1% de material semiconductor en comparación con las
obleas de silicio), y es posible depositar las sustancias semiconductoras sobre
Tesis Doctoral 40
muchos tipos de sustratos de materiales flexibles (cerámicos o vidrio). Los objetivos

actuales de este tipo de tecnología son: la mejora de los aspectos relacionados con la
fabricación: costes de producción, procesos industriales de fabricación, inversión en
investigación, mejora del rendimiento de los paneles comerciales aumentando su
rendimiento al 10% para los próximos años, hasta llegar al 15% a medio plazo, y
aumentar la fiabilidad de los módulos (estabilidad de los materiales al paso del
tiempo). Esta segunda generación en un futuro próximo tendrá costes inferiores a la
tecnología basada en silicio (costes de materiales), sin la limitación del tamaño de
las obleas de silicio, y rendimientos igual o ligeramente superiores a los de la
primera generación.
Las características de la tercera generación de células solares pasan por

conseguir altos rendimientos con bajos costes de fabricación, lo que redundará en
una mejora del período de recuperación energético o pay-back que actualmente es de
2,3 años, y que disminuirá sensiblemente al mejorar la tecnología hasta valores
(previstos) de entre 0,3 y 0,4 años.
Los dos mecanismos más importantes de pérdidas en células de una sola

unión p-n son: la incapacidad de absorber fotones con energía menor que la de la
banda de energía (band-gap), y la termalización (exceso de calor) de la energía del
fotón que excede dicho salto energético. Actualmente existen diferentes tecnologías,
figura 2.15, [7] (algunas en desarrollo y otras disponibles comercialmente) que
intentan paliar dichas pérdidas. Entre otras: incrementar el número de saltos
energéticos mediante células multiunión o tándem de celdas, bandas intermedias,
pozos cuánticos absorbentes (Quantum Well) y división espectral (Spectral Spliting);
captura de portadores (pares electrón-hueco) antes de la termalización (Hot
Carriers); y mediante múltiples portadores (electrón-hueco) obtenidos por fotones
de alta energía o portadores únicos con múltiples fotones de baja energía, lo cual se
consigue mediante lentes bifaciales.
Tesis Doctoral 41
a) Diagrama de diferentes soluciones.
b) Células solares con varios band-gap. c) División espectral.
d) Pozos cuánticos absorbentes. e) Células solares multiunión.

Lenses
Direct
Sunlight
Solar
Cells Diffuse
Diffuse
Daylight
Daylight
Front
Glass
Heat
Electricity
f) Generación múltiple. g) Generación de múltiples pares mediante un fotón.
Figura 2.15 Principales mecanismos para la mejora del rendimiento en células de tercera generación.
Fuente: Ref. [9].
Tesis Doctoral 42
Las células fabricadas con tecnología de tercera generación son muy

diferentes de los dispositivos semiconductores de las generaciones anteriores, ya que
realmente no presentan la tradicional unión p-n para separar los portadores de carga
fotogenerados. Para aplicaciones espaciales se están estudiando dispositivos de
pozos cuánticos y dispositivos que incorporan nanotubos de carbono, con un
potencial de más del 45% de eficiencia AM0. Para aplicaciones terrestres, se
encuentran en fase de investigación dispositivos que incluyen células
fotoelectroquímicas, células solares de polímeros, células solares de nanocristales y
células solares de tintas sensibilizadas [13].
Una de las tendencias más significativas en los últimos 30 años, lo cual es un

indicativo claro del éxito de la investigación, es la mejora continua de células solares
de mayor eficiencia para todas las tecnologías (figura 2.16). Entre los logros más
notables que se muestran en la figura 2.16 se destacan el 24,7% de eficiencia
obtenido en células solares de silicio cristalino (Universidad de Nueva Gales del Sur
[UNSW], Australia), el 19,2% de eficiencia en células solares de Seleniuro de Cobre
Indio Galio (CIGS) de NREL (National Renewable Energy Laboratory, EE.UU.), y
el 35,2% de eficiencia en células solares de triple unión GaInP2/GaInAs/Ge de
concentración (Spectrolab). Si bien éstos y los demás resultados de la figura 2.16
son claramente importantes, sigue habiendo diferencias notables entre los resultados
prácticos y los valores previstos teóricamente para cada tecnología. Además, las
eficiencias obtenidas por células comerciales (o incluso el mejor prototipo) están
alrededor del 50% al 65% de las mejores expectativas teóricas.
Hoy en día, el silicio está presente como materia prima en el 87% de los
módulos fotovoltaicos, tanto en la tecnología cristalina, como de forma esporádica
en la de lámina delgada de silicio amorfo. La primera se encuentra más introducida,
ya que aunque su proceso de elaboración es más complicado, presenta mejores
resultados en términos de eficiencia, con valores entorno al 14% para el silicio
monocristalino y el 10% para el policristalino. Actualmente, el teluro de cadmio o el
diseleniuro de indio-cobre, conocido como CIS, proporcionan eficiencias entorno al
16%.
Tesis Doctoral 43
Un aspecto importante a tener en cuenta sobre la utilización de tecnologías de

silicio es la obtención de la materia prima. Para aplicaciones fotovoltaicas, el silicio
desestimado en la industria electrónica es utilizado por la industria fotovoltaica
como materia prima para producir silicio cristalino de grado solar. Por tanto, podría
decirse que en cierta medida la industria fotovoltaica depende de la electrónica, ya
que la materia prima que emplea es un subproducto de menor pureza a un coste
sensiblemente inferior. La fusión del silicio para la obtención del silicio de grado
solar a un precio aceptable para las aplicaciones solares, constituirá el gran reto
tecnológico de la energía solar fotovoltaica basada en este material.
Se prevé que las tecnologías irán evolucionando hacia una reducción de

costes mediante la disminución en la aplicación de materias primas y energía,
mejora de la eficiencia de las células y optimización de los procesos de producción.
Otro reto tecnológico será el de aumentar la eficiencia de las células fotovoltaicas
hasta valores en torno al 18% para el silicio monocristalino y alcanzar el desarrollo
comercial de las tecnologías CdTe y CIS. Igualmente, se prevé un elevado desarrollo
de los sistemas de concentración, que permitan conseguir niveles de eficiencia
sensiblemente superiores, tanto en los sistemas estáticos, sin seguimiento solar y con
medios refractivos (células bifaciales), como en los sistemas dinámicos con
seguimiento solar que permiten concentrar la radiación por reflexión.
Desde un balance energético global, los módulos fotovoltaicos son un

instrumento de producción de energía, ya que producen mucha más energía de la
que se emplea para su fabricación. Los principales consumos energéticos se
producen en la construcción del módulo y en su estructura de montaje, siendo
favorable su balance energético con un período de recuperación o pay-back
energético que actualmente es de 2,3 años, y que disminuirá sensiblemente, al
mejorar la tecnología, hasta valores entre 0,3 y 0,4 años.
Tesis Doctoral 44
Figura 2.16. Evolución de la eficiencia de las células solares desde 1975. Fuente: Departamento
de Energía de los EEUU.
En el Apéndice I se realiza una descripción de las principales tecnologías

aplicadas en la fabricación y comercialización de células solares.
Tesis Doctoral 45
Sistemas FVs
2.4. Sistemas fotovoltaicos (FVs)
Una célula solar representa el dispositivo más pequeño de producción de

energía fotovoltaica (disponibles en 12,5 cm2, 15 cm2 y hasta 20 cm2 de tamaño).
Las células solares se asocian en serie y en paralelo; su posterior encapsulado da
como resultado la obtención de los conocidos paneles o módulos FVs. Los módulos
proporcionan típicamente una potencia nominal de entre 50 W y 300 W, y presentan
una vida útil entorno a 20 años; éstos a su vez se pueden conectar formando un
número conveniente de cadenas (arrays). De este modo es posible realizar tanto
pequeños sistemas FVs de baja potencia (con sólo unos pocos vatios), como grandes
instalaciones (centrales de varios megavatios).
El término sistema fotovoltaico incluye el conjunto de componentes:

fotovoltaicos, eléctricos, sistemas electrónicos y de control, junto con todos los
elementos asociados con el montaje, los cuales permiten captar y transformar la
energía solar disponible en energía eléctrica.
Estos sistemas, independientemente de su utilización y de la potencia, se

pueden dividir en dos categorías: aislados (stand alone) y conectados a la red (grid
connected).
Los sistemas aislados, por el hecho de no estar conectados a la red eléctrica,

están equipados normalmente con sistemas de acumulación de la energía producida.
La acumulación es necesaria porque el campo fotovoltaico puede proporcionar
energía sólo en las horas diurnas, mientras que a menudo la mayor demanda por
parte del usuario se concentra en las horas de la tarde y de la noche. Durante la fase
de insolación es por tanto, necesario prever una acumulación de la energía no
utilizada, que es proporcionada a la carga cuando la energía disponible es reducida e
incluso nula.
Tesis Doctoral 46
Sistemas FVs
Una configuración de este tipo implica que el campo fotovoltaico debe estar
dimensionado de forma que permita, durante las horas de insolación, la alimentación
de la carga y de la recarga de las baterías de acumulación.
Por el contrario, los sistemas conectados en red no suelen tener sistemas de

acumulación, ya que la energía producida durante las horas de insolación es
canalizada a la red eléctrica; por tanto, durante las horas de insolación escasa o nula,
la carga viene alimentada por la propia red. Un sistema de este tipo, desde el punto
de vista de la continuidad de servicio, resulta más fiable que uno no conectado a la
red que, en caso de avería, no tiene posibilidad de alimentación alternativa. Se
pueden obtener sistemas de alta fiabilidad integrando el sistema aislado con una
fuente energética tradicional, por ejemplo, diesel (sistema híbrido diesel-
fotovoltaico).
La tarea de los sistemas conectados a la red es, por tanto, la de introducir en

la red la mayor cantidad posible de energía. La estructura física de un sistema
fotovoltaico (aislado o conectado a la red) puede ser muy diferente, pero
normalmente se pueden distinguir tres elementos fundamentales: el campo
fotovoltaico, el sistema de acondicionamiento de potencia y el sistema de
adquisición de datos.
Es necesario tener en cuenta que en el caso especial de sistemas sin

acumulación conectados en red, es la red misma la que desempeña la tarea de
acumulador, en este caso de capacidad infinita.
Los principales componentes que forman un sistema fotovoltaico conectado a

la red son: módulos fotovoltaicos, inversor para la conexión a red, dispositivo de
intercambio con la red eléctrica y contador de energía bidireccional.
El inversor es uno de los componentes más importantes en los sistemas

conectados a red, ya que maximiza la producción de corriente del dispositivo
fotovoltaico y optimiza el paso de energía entre el módulo y la carga. Es un
dispositivo que transforma la energía continua producida por los módulos (12 V, 24
Tesis Doctoral 47
Sistemas FVs
V, 48 V) en energía alterna (generalmente 220 VRMS) para alimentar el sistema y/o

introducirla en la red, con la que trabaja en régimen de intercambio.
Los inversores para la conexión a la red eléctrica están equipados

generalmente con un dispositivo electrónico que permite extraer la máxima potencia
del generador fotovoltaico. Este dispositivo sigue el punto de máxima potencia
(MPPT) y tiene la función de adaptar las características de producción del campo
fotovoltaico a las exigencias de la carga.
El dispositivo de intercambio con la red sirve para que la energía eléctrica

introducida en la misma tenga todas las características requeridas por ella.
Finalmente, el contador de energía mide la energía producida por el sistema
fotovoltaico durante su periodo de funcionamiento.
Los principales componentes que forman un sistema fotovoltaico aislado son:

módulos fotovoltaicos, regulador de carga, inversor y sistema de acumulación
(baterías de acumulación).
En este tipo de sistemas, la energía producida por los módulos fotovoltaicos

es almacenada en baterías de acumulación. La carga es alimentada a través del
regulador de carga por la energía acumulada en las baterías.
El regulador de carga sirve fundamentalmente para preservar los

acumuladores de un exceso de carga por el generador fotovoltaico y de la descarga
por el exceso de uso. Ambas condiciones son nocivas para la correcta funcionalidad
y la duración de los acumuladores.
Normalmente la potencia requerida por el usuario no es proporcional a la

radiación solar (y, por consiguiente, a la producción eléctrica de un sistema
fotovoltaico), con lo cual, una parte de la energía producida por el campo
fotovoltaico tiene que ser almacenada para poder ser reutilizada cuando el usuario la
necesite. Esta es la finalidad del sistema de acumulación.
Tesis Doctoral 48
Sistemas FVs
En cuanto al inversor, su finalidad en los sistemas aislados es la de

transformar corriente continua producida por el campo fotovoltaico, en corriente
alterna necesaria para la alimentación directa de los usuarios.
Existen cuatro aplicaciones principales de los sistemas fotovoltaicos [14]:
Sistemas aislados para aplicaciones domésticas
Existen innumerables sistemas aislados cuyo principal objetivo es el de

suministrar electricidad a hogares y pueblos que no están conectados a la red
eléctrica. Estos sistemas proporcionan la electricidad para el alumbrado, la
refrigeración y otras cargas de baja potencia; han sido instalados en todo el mundo y
son a menudo el método más apropiado para satisfacer las demandas de energía de
comunidades aisladas de la red eléctrica. El tamaño de este tipo de sistemas suele ser
en general de unos pocos kilovatios, y ofrecen una alternativa económica a la
ampliación de la red de distribución eléctrica en distancias de más de 1 o 2 km de las
líneas eléctricas. La definición de estos sistemas es cada vez más confusa, debido a
la proliferación de mini-redes, desarrolladas específicamente para el abastecimiento
de electricidad, sobre todo en zonas rurales. En la figura 2.17 se muestra un ejemplo.
Tesis Doctoral 49
Sistemas FVs
Figura 2.17 Fotografía de vivienda y sistema FV aislado de la red de distribución.
Sistemas aislados para aplicaciones no domésticas
Las instalaciones aisladas no domesticas, fueron las primeras aplicaciones

comerciales de los sistemas fotovoltaicos terrestres. Proporcionan energía eléctrica a
una amplia gama de aplicaciones, como telecomunicaciones, bombeo de agua,
refrigeración en granjas y ayudas a la navegación. Este tipo de aplicaciones
requieren bajas cantidades de electricidad, pero tienen un gran interés, ya que
suponen una solución de suministro comercialmente competitiva en costos con otras
fuentes de generación. En la figura 2.18 se muestra un ejemplo.
Tesis Doctoral 50
Sistemas FVs
Figura 2.18 Fotografía del faro del Fangal (Tarragona).
Sistemas con conexión distribuida
Un sistema de generación distribuido consta de varias unidades modulares

relativamente pequeñas, situadas cerca de los emplazamientos de consumo,
intentando satisfacer las necesidades de continuidad y calidad de la energía eléctrica
de los consumidores de forma económica. Estos sistemas complementan la
generación tradicional de grandes unidades.
Las unidades modulares de los sistemas con generación distribuida suelen

estar integrados en los locales del propio cliente, en edificios comerciales, o en
zonas públicas edificadas para tal fin (figura 2.19). El Tamaño no es una
característica determinante, ya que tanto el consumo como la generación se
Tesis Doctoral 51
Sistemas FVs
encuentran distribuidos. En este caso, la energía es volcada en el centro de

transformación más cercano.
Figura 2.19 Fotografía de sistema distribuido.
Sistemas con conexión centralizada
Los sistemas con conexión centralizada realizan las funciones de las centrales
eléctricas. La potencia suministrada por dicho sistema no está asociada con un
cliente particular, y no se encuentran concebidos específicamente para realizar
funciones de red eléctrica, sino para el suministro de grandes potencias de forma
independiente o centralizada.
Tesis Doctoral 52
Sistemas FVs
Figura 2.20 Sistema centralizado. Fuente: Suravia S.L.
2.5. Caracterización de dispositivos FVs
La importancia actual de los sistemas fotovoltaicos en la generación de

electricidad no deja de aumentar. Este aumento es uno de los más altos en el ámbito
de las energías renovables y sigue una tendencia que se espera continúe en los
próximos años. Como consecuencia, un número cada vez mayor de nuevos
componentes y sistemas fotovoltaicos, principalmente módulos e inversores están
emergiendo en el mercado FV [14]. La necesidad de caracterizar dichos sistemas se
ha convertido en un aspecto cada vez más importante [15 y 16], fundamentalmente
por los requerimientos de calidad, durabilidad y eficiencia que está exigiendo el
mercado.
Dos de los elementos claves en el análisis de una célula solar, módulo o

conjunto de módulos (arrays), son las curvas corriente-tensión (característica I-V) y
potencia-tensión (característica P-V) representadas en la figura 2.21. Estas curvas
contienen dos puntos importantes: la corriente de cortocircuito (Isc) o máxima
corriente extraíble del panel a tensión cero (carga en cortocircuito), y la tensión de
circuito abierto (Voc) o máxima tensión proporcionada por el panel a corriente cero
Tesis Doctoral 53
Caracterización de Dispositivos FVs
(sin carga). El producto de la tensión y la corriente representa la potencia

suministrada para cada condición de funcionamiento. Cada curva presenta un punto
de máxima potencia (MPP), el cual representa el punto óptimo de operación para un
uso eficiente del panel (Pm en la figura 2.21b).
a) Curva I-V.
b) Curva P-V.
Figura. 2.21 Características I-V y P-V típicas de un módulo FV.
La medida y caracterización de las curvas I-V y P-V de un generador

fotovoltaico son de interés por innumerables razones, y proporcionan información
muy útil para el diseño, la instalación y el mantenimiento de los sistemas FVs. Sólo
la medida experimental de dichas características permite conocer los parámetros
eléctricos reales de un módulo o array.
La caracterización de las curvas I-V y P-V de un módulo o array proporciona:
Tesis Doctoral 54
• Desde el punto de vista del diseño, el conocimiento de las curvas I-V y P-

V permite la implantación de aplicaciones fotovoltaicas más eficientes.
• En la industria fotovoltaica, la caracterización resulta crucial para el

desarrollo de los procesos de producción.
• Como herramienta de garantía de calidad, permite la determinación de la

potencia máxima en virtud de condiciones reales de funcionamiento, las
cuales pueden extrapolarse a condiciones estándar de medida (STC). Por
tanto, puede realizarse la comparación entre la potencia nominal instalada
y la acordada entre el proveedor y el cliente, lo cual aumenta la
credibilidad del sector fotovoltaico.
• Para los fabricantes, las sucesivas evaluaciones se convierten en puntos de

referencia de la calidad del producto final fabricado. Debido a la
dispersión de los parámetros eléctricos en los procesos de fabricación de
módulos, uno de los problemas actuales es conocer la verdadera potencia
de pico instalada en plantas fotovoltaicas.
• Como herramienta de diagnóstico y de mantenimiento, permite la

detección de anomalías (sombreado, ramas desconectadas, células rotas, o
diodos defectuosos), junto con la cuantificación de la degradación de la
potencia real a lo largo del tiempo, comparando los resultados de medidas
anteriores [17].
• Para la investigación y el desarrollo de equipos, son un indicador clave

que ayuda a identificar las necesidades futuras, o para orientar futuras
decisiones, facilitando la comparación de los sistemas que difieren en
términos de diseño, tecnología o ubicación geográfica, y la validación de
modelos de estimación de rendimiento durante la fase de diseño [18].
Actualmente, la compra de módulos fotovoltaicos se realiza en términos de

potencia de pico en condiciones de exterior. Esto resulta especialmente relevante en
Tesis Doctoral 55
los países donde existen tarifas por la inyección de energía renovable a la red
eléctrica (REFIT, Renewable Energy Feed-in Tariffs) medida en kWh producidos
disponibles, como Alemania y España. Los módulos se comercializan en términos
de potencia de pico (Wp) probados en condiciones estándar (STC), es decir, bajo una
irradiación directa ideal de 1.000 W/m2, una temperatura ambiente de 25 ºC y con
sólo un tipo de espectro solar (AM1.5: irradiancia directa, principalmente). En virtud
de las condiciones reales en el exterior, la potencia de pico de prueba es raramente
alcanzada, ya que por un lado la temperatura de un módulo se sitúa en el rango de
40-60 ºC bajo iluminación, y por otro las horas de 1.000 W/m2 de irradiancia
suponen aproximadamente sólo el 1% del total de horas de Sol. Además, el espectro
solar cambia continuamente con las diferentes condiciones climáticas; la luz difusa,
por ejemplo, domina cuando el cielo está nublado o durante la mañana y la tarde [19,
20, y 21]. En Europa del Norte y Central, la mayoría de la energía solar proviene de
la irradiación de luz difusa (más del 50% de los rayos solares) e incluso mucho más
al sur, en la Comunidad de Madrid por ejemplo, sigue siendo difusa el 33% de la
energía solar total. Por lo tanto, aparte de los test realizados durante el proceso de
fabricación para condiciones estándares, para predecir cuál será la producción de
energía real de un módulo o un sistema FV, con una cierta potencia nominal, es
necesario evaluar el comportamiento de los diferentes módulos en virtud de las
condiciones climáticas reales a las que vaya a estar sometido [22].
Por otro lado, el creciente número de nuevos componentes y dispositivos

FVs, la incorporación de nuevas tecnologías, técnicas de ensamblado y sistemas de
control, hacen que la caracterización de curvas I-V sea un aspecto cada vez más
importante. El testeo y la comprobación de las diferentes características no es sólo
parte de cada una de las fases de desarrollo, sino también parte de la validación del
producto final. En sistemas de conversión de energía, el conocimiento de las curvas
I-V en tiempo real permiten controlar el flujo de energía en el array solar en virtud
de las condiciones de irradiación, temperatura o degradación de los módulos
fotovoltaicos. La medida de las características I-V reales son, por tanto, de gran
Tesis Doctoral 56
importancia, ya que pueden ser consideradas como un certificado de calidad y de

rendimiento para cada generador fotovoltaico.
2.6. Medidas en condiciones estándares de dispositivos

FVs
La caracterización eléctrica de un dispositivo fotovoltaico a través de la

medida de su curva I-V, es el mecanismo que proporciona la información
fundamental sobre sus parámetros de comportamiento cuando se ponga en
operación, lo cual proporciona una información fidedigna de su capacidad de
producción de energía. Como ya se ha dicho, los parámetros proporcionados por los
fabricantes de dispositivos FVs son medidos en condiciones estándares obtenidas
usando un simulador solar de interior. Sin embargo, dichas condiciones rara vez
ocurren en campo, por tanto, la estimación de las características eléctricas de un
dispositivo o sistema FV requiere la traslación de dichas características a
condiciones de exterior. Este asunto está generando una intensa actividad en lo
referente a la normalización de los métodos de medida de la característica I-V, tanto
de células, como de módulos fotovoltaicos. El objetivo es poder contar con unos
procedimientos universales que permitan a los laboratorios acreditados comparar
entre sí dispositivos de fabricantes diferentes en condiciones reales. En el apéndice
II se presenta una revisión de las principales normas relacionadas con la
caracterización de dispositivos FVs.
En lo referente a la medida de curvas I-V, la norma europea EN 60904:1 [23]

establece la manera en la que ha de realizarse la medida de dichas características.
Son también de especial importancia todo el grupo de normas EN 60904:1-10
incluidas en el Apéndice II, por ser complementarias de la primera. Otra norma
fundamental es la EN-60891 [24], que establece la manera de realizar la traslación
de la característica I-V desde unas condiciones de medida a otras diferentes. Estas
normas junto con sus equivalentes americanas incluidas también en el apéndice II,
Tesis Doctoral 57
Medidas en STC
presentan la base para la medida y extrapolación de curvas I-V. Sin embargo, el

incremento en el desarrollo de la energía solar, junto con el aumento y diversidad de
las aplicaciones [14], y la posibilidad de analizar sistemas que ya llevan tiempo
funcionando, ha llevado a que diversos laboratorios y centros de investigación
sugieran variaciones o mejoras con respecto a lo establecido en dichas normas.
Particularmente, con respeto a los procesos de extrapolación existen

diferentes estudios que proponen variaciones de éstos, o nuevas ecuaciones con el
fin de ampliar los rangos de validez o disminuir el error. En general, los métodos
podrían clasificarse en dos grandes grupos [25 y 26]: (1) los algebraicos, que utilizan
dos ecuaciones separadas para convertir cada punto de la curva I-V medida
utilizando los coeficientes de temperatura y algún otro parámetro, como la
resistencia serie Rs, o el factor de idealidad m; y (2) los numéricos, que utilizan la
descripción analítica de la curva I-V mediante un modelo matemático que es
extrapolado a las condiciones deseadas. Entre los métodos algebraicos podemos
destacar, aparte de los incluidos en las normas EN-60891 y ASTM (American
Society of Testing and Materials) E1036-96 [27], el método de Blaesser [28], el de
Anderson [29], o el método utilizado por el NREL (National Renewable Energy
Laboratory) [30], basado en la norma ASTM pero con modificaciones que mejoran
la extrapolación. Entre los métodos numéricos existen diversos trabajos [31, 32, 33,
34 y 35] que proponen ecuaciones para la variación de los parámetros del modelo
con las condiciones atmosféricas. Una comparación del grado de aplicabilidad de
estos métodos en diferentes tipos de módulos puede encontrarse en [25, 26 y 36].
Aunque algunos autores apuntan una precisión ligeramente mayor para los métodos
numéricos [36], otros estudios sin embargo señalan que no existe una diferencia
apreciable entre uno y otro método, presentando un nivel de precisión del ± 2% en
Isc y Voc, y del ± 3% en Im y Vm. Estos estudios recomiendan utilizar los métodos
algebraicos debido a su mayor simplicidad.
La tendencia actual no obstante, va un paso más allá. Como se sabe, los

valores característicos de un módulo en condiciones estándar de medida (CEM:
1.000 W/m2 y 25 ºC) no son suficientes para predecir con fiabilidad el
Tesis Doctoral 58
Medidas en STC
comportamiento del mismo en operación real, lo cual es un handicap para el

empresario que quiere invertir en este tipo de energías [37]. En este sentido, se han
propuesto otras condiciones que parecen ser mas realistas como las RRC (Realistic
Reporting Conditions) [38], que contempla los datos meteorológicos tabulados para
una localización especifica, o las PTC (Photovoltaic USA Test Conditions) [30]
medidas en condiciones de: 1.000 W/m2, 20 ºC y una velocidad del viento de 1 m/s.
Todas estas propuestas van encaminadas a obtener una predicción fiable de la
potencia que se obtendrá de un módulo fotovoltaico cuando opere en condiciones
reales, fomentando así la inversión en este tipo de energías, ya que con los datos
proporcionados por los fabricantes disponibles en su etiquetado no parece ser
posible predecir su producción con más precisión del ± 10% [37]. La Comisión
Electrotécnica Internacional (IEC) cuenta con un borrador de norma [39] que
establece los requerimientos para evaluar el funcionamiento de módulos
fotovoltaicos tanto en términos de potencia (W) como en términos de producción
(Wh), aunque está todavía en fase de revisión. El Instituto de Ingeniería y
Electrónica de Estados Unidos (IEEE, Institute of Electrical and Electronics) ha
trabajado también sobre ello con en el fin de emitir una norma y, aunque por el
momento parece ser que los trabajos están detenidos, si pueden conseguirse los
últimos borradores de la futura norma [40] y algunas referencias [30, 41, y 42].
Los trabajos mas recientes intentan predecir el comportamiento del módulo

fotovoltaico en condiciones reales a partir de la creación de matrices de irradiancia-
temperatura-potencia para cada tipo de módulo. Es de destacar el método que está
siendo desarrollado en ESTI-ISPRA [43], que crea la matriz a partir de medidas en
interior, obteniéndose una precisión del 2 % para medidas de p-Si [44], si bien para
otras tecnologías (a-Si, Si-Ge o Cd-Te) es necesario combinar medidas de interior y
exterior [45]. También es de interés el método en desarrollo en los laboratorios
LEEE-TISO en Italia, que obtiene un error medio del 1,1 % para diversos tipos de
módulos cuando la rejilla de la matriz es de 10 W/m2 por ºC [46], pudiendo
aumentar o disminuir el error en función del tamaño de la rejilla empleada para
construir la matriz [47].
Tesis Doctoral 59
Medidas en STC
Estos métodos parece que van a solventar el problema de las discrepancias

existentes hoy en día entre las predicciones energéticas basadas en los valores de
potencias dados por el fabricante y la producción real de un sistema, si bien están
aún en fase de desarrollo y a la espera de una normativa internacionalmente
aceptada.
2.7. Métodos de medida de curvas I-V de módulos y

arrays FVs
En la figura 2.21 se muestran las características I-V y P-V típicas de un

módulo fotovoltaico, así como la dependencia de estas variables con la temperatura
y la radiación solar. Estas curvas contienen dos puntos importantes: la tensión a
circuito abierto (Voc) y la corriente de cortocircuito (Isc). La tensión en circuito
abierto representa la máxima tensión proporcionada por el panel a corriente cero (sin
carga o en vacío), mientras que la corriente en cortocircuito representa la máxima
corriente extraíble del panel (carga en cortocircuito). Para cada punto de la curva I-
V, el producto de la corriente y la tensión representa la potencia proporcionada por el
módulo. Las curvas P-V presentan un punto de máxima potencia (Pm) en Vm e Im. El
factor de forma (FF, fill factor) es un indicador de la calidad de un módulo, y mide
la relación entre el área definida por Vm e Im respecto de la establecida por Voc e Isc
(ecuación 2.7). El valor ideal del FF es uno, ya que ello supondría que se podría
extraer del módulo una potencia máxima ideal equivalente al producto de la máxima
tensión disponible (Voc) por la máxima corriente (Isc).
I m Vm
FF = (2.7)
I sc Voc
Han sido desarrollados una variedad amplia de sistemas de medida de curvas

I-V para medir el rendimiento y el resto de parámetros de dispositivos FVs, desde
células con un área de 0,01 cm2 hasta sistemas de varios kW [47]. Todos los
procedimientos utilizados experimentalmente para medir la característica I-V de un
Tesis Doctoral 60
Métodos de Medida
dispositivo fotovoltaico, están basados en controlar la corriente suministrada por el

generador FV. Por ello se emplea una carga variable conectada en los terminales del
mismo dispositivo. La variación de dicha carga desde cortocircuito a circuito abierto
permite medir todos los puntos de la curva I-V desde Isc a Voc respectivamente
(figura 2.22).
Carga
Módulo V Variable
FV
Medidor
Tensión-Corriente
Figura 2.22 Sistema de medida típico para obtener las curvas I-V de un módulo FV.
A continuación se realizará una revisión de los métodos más usados para

realizar el barrido del par (V , I) a la salida de un dispositivo FV y trazar su curva I-
V. De forma genérica, los factores que influyen en la calidad de la medida realizada
y en la elección de uno y otro método son: coste, volumen de medidas realizadas,
velocidad, repetibilidad, precisión, facilidad de uso y mantenimiento del sistema de
medida. En [48] se realiza una revisión crítica de los diferentes métodos que
permiten la medida de las curvas I-V de módulos fotovoltaicos.
Tesis Doctoral 61
Métodos de Medida
Medida de la curva I-V mediante resistencia variable
La forma más sencilla de medir la curva I-V de un módulo o array FV es

utilizar una resistencia variable (R) como se muestra en la figura 2.23. La variación
de la resistencia desde circuito abierto a cortocircuito permite que la corriente
suministrada por el panel cambie desde su valor mínimo (cero en circuito abierto),
hasta su valor máximo (cortocircuito, Isc). La medida de la tensión y corriente
durante toda la variación de la resistencia, permite realizar un recorrido completo de
la curva I-V del módulo.
Módulo V R
FV
Medidor
Tensión-Corriente
Figura 2.23 Esquema basado en resistencia variable.
La variación de la resistencia es realizada manualmente en muchos casos,

aunque debe hacerse de forma uniforme. Debido a las limitaciones en la disipación
de grandes niveles de potencia en la resistencia variable, este método sólo es
aplicable a medidas de baja potencia. Por otro lado, la propia resistencia impide
alcanzar el par de valores (Voc , Isc). No obstante lo anterior, medir los valores (V , I)
de un módulo FV mediante una carga resistiva puede proporcionar una forma
económica de aproximar sus características.
Este método ha sido usado en la referencia [49] realizando los incrementos de

resistencia de forma manual. Para cada valor de R, la tensión y corriente (en
Tesis Doctoral 62
Métodos de Medida
realidad, la caída de tensión en una resistencia shunt) son medidas mediante dos
multímetros digitales. En [50] se argumenta que el cambio manual de la resistencia
hace el proceso muy lento, por lo que la radiación solar y las condiciones térmicas
pueden cambiar durante la medida. En [51 y 52] se automatiza el proceso mediante
un conjunto de resistencias de carga accionados a través de relés. Éstos son
gobernados mediante una tarjeta y un PC. Los valores de las resistencias se
seleccionan para obtener una buena densidad de puntos alrededor del codo de la
curva I-V (en torno al MPP). Para realizar la medida de los pares de valores I-V se
emplean dos canales analógicos de la tarjeta. Con esta metodología, la operación
manual sobre la resistencia se evita y el tiempo de adquisición se mejora.
Medida de la curva I-V mediante carga capacitiva
El método capacitivo se basa en emplear un gran condensador como carga

(figura 2.24), el cual es descargado en el inicio de la medida para después cargarse
mediante la apertura de S3 y el cierre de S1. Mientras la carga del condensador se
incrementa, la corriente decrece y la tensión aumenta. Cuando la carga del
condensador se ha completado, la corriente suministrada por el módulo se hace cero
y se obtiene la condición de circuito abierto. En lugar de iniciar la carga del
condensador desde la corriente en cortocircuito, se puede comenzar con S2 cerrado,
por lo que el condensador sería inicialmente cargado con tensión negativa, con lo
que el barrido empieza en el cuadrante II, lo cual permite medir el valor de Isc.
Tesis Doctoral 63
Métodos de Medida
I
S1 S2 S3
Módulo V C Vb R
FV
Medidor
Tensión-Corriente
Figura 2.24 Esquema basado en carga capacitiva.
Para obtener una curva I-V fiable con el método capacitivo, se requieren
condensadores de alta calidad (baja ESR) y bajas pérdidas. Además son necesarios
tres interruptores accionados con la secuencia apropiada y la descarga previa del
condensador para iniciar una nueva medida. Al no ser cíclica la reproducción de la
curva I-V, no es posible una visualización directa y tampoco una reproducción
parcial de dicha curva.
El tiempo de carga del condensador es directamente proporcional a su valor y

a la tensión de circuito abierto del generador fotovoltaico, e inversamente
proporcional a la corriente de cortocircuito [49]. Cuanto mayor sea la velocidad de
medida requerida, menor debería ser el tamaño del condensador. Puesto que el
método requiere la descarga previa del condensador antes de iniciar una nueva
medida, este tiempo extra hace relativamente lento el método capacitivo
(generalmente alrededor de 1 s).
Basado en este método, han sido propuestos diferentes esquemas en la

literatura. En [53], la tensión y la corriente son medidas mediante una tarjeta y un
PC; la medida se inicia con el envío desde la tarjeta de una señal de disparo al
interruptor que conecta el condensador con el dispositivo FV. En [54] se describe
una carga capacitiva portátil basada en transistores bipolares de puerta aislada
Tesis Doctoral 64
Métodos de Medida
(IGBTs), la cual permite medir arrays FVs en condiciones reales de funcionamiento.

Los interruptores de la figura 2.24 se sustituyen por IGBTs y el condensador es
realizado mediante la asociación en paralelo de resistencias y capacidades.
Medida de la curva I-V con carga electrónica
El método basado en la carga electrónica (figura 2.25) emplea un transistor

(MOSFET generalmente) como carga. Variando la tensión puerta-fuente, se modula
la resistencia entre drenador y fuente, y por tanto el flujo de corriente suministrada
por el módulo. El recorrido de la curva I-V del módulo cuando se realiza mediante
este método, requiere que el MOSFET recorra sus tres zonas de funcionamiento
(corte, saturación y tríodo) y por tanto, que la mayor parte de la potencia
suministrada por el módulo tenga que ser disipada por dicho transistor, lo cual limita
en cierta medida sus aplicaciones a media potencia.
Circuito
Q de Control
Módulo V
FV
Medidor
Tensión-Corriente
Figura 2.25 Esquema basado en carga electrónica.

literatura. Así en [55], se propone una simple carga electrónica con MOSFET para
obtener la curva I-V de módulos FVs debido a su mayor velocidad de barrido. Su
Tesis Doctoral 65
Métodos de Medida
principal ventaja es la variación rápida de la resistencia de carga equivalente

proporcionada por el MOSFET. Varios MOSFETs pueden acoplarse en paralelo
para aumentar la capacidad de corriente de la carga electrónica. La tensión y la
corriente son medidas con un simple divisor de tensión y un sensor shunt
respectivamente. Los valores de tensión y corriente son capturados mediante un
osciloscopio para visualizar la curva I-V. Isc y Voc se obtienen mediante dos
detectores de pico de voltaje y corriente, y las señales son multiplicadas mediante un
multiplicador para obtener la potencia instantánea, por lo tanto, un tercer detector de
pico puede ser utilizado para capturar el valor del MPP. En [56] se presenta un
sistema supervisor de plantas de energía fotovoltaica basado en la medida de las
curvas I-V, las cuales son medidas en cortos intervalos de tiempo, para prevenir
interferencias de nubes durante las medidas realizadas en exterior. La carga
electrónica está constituida por varios transistores bipolares en cascada. Al reducir
gradualmente la corriente de base de los transistores, el punto de funcionamiento del
generador fotovoltaico se mueve desde Isc a Voc. Para medir la corriente y la tensión
se emplea una tarjeta de adquisición de datos de alta velocidad con convertidor A/D.
La innovación de este circuito radica en que el barrido de la curva I-V es controlado
mediante una rampa de corriente, en lugar de una rampa de tensión. Finalmente, en
[57] se presenta un circuito de medida de las curvas I-V y P-V de células multiunión,
mediante un transistor MOSFET de canal N y un amplificador operacional.
Medida de la curva I-V con amplificador de potencia
Este método se basa en un amplificador tradicional de potencia clase B

(figura 2.26) que permite invertir tanto la corriente como la tensión en el módulo, lo
cual posibilita medir las curvas I-V en oscuridad de un dispositivo FV.
Tesis Doctoral 66
Métodos de Medida
+Vdc
R'
R Q1'
Q1
Circuito
de Control
I
AV
Q2
V Módulo
R Q2' FV
R'
−Vdc
Medidor
Tensión-Corriente
Figura 2.26 Esquema basado en amplificador.
El circuito de la figura 2.26 emplea dos transistores bipolares para permitir la

circulación de corriente entrante y saliente a través del módulo, y una fuente de
alimentación simétrica para disponer de tensión inversa y directa. En este caso, al
igual que ocurre con el método de carga electrónica, los BJTs deben operar en sus
tres modos de funcionamiento (corte, zona activa y de saturación), por tanto, la
mayor parte de la potencia suministrada por el módulo tiene que ser disipada por los
transistores, lo cual limita sus aplicaciones a media potencia.

literatura. En [58] se presenta un control basado en un PC orientado a la medida de
las características I-V de células solares de gran superficie mediante una fuente de
luz artificial (con simulador solar). La medida se realiza de forma automatizada
empleando una interfaz estándar GPIB y un PC. La alta corriente necesaria para la
prueba de grandes superficies de células solares, es proporcionada por un
amplificador de potencia con tecnología bipolar, controlado por un generador de
funciones que realiza el barrido de la tensión de salida. El generador inicia el barrido
con una mínima tensión de polarización, la cual aumenta mediante incrementos,
hasta que se alcanza el valor máximo de corriente admisible por la célula. La tensión
y corriente en cada paso son medidas mediante dos múltímetros digitales. En [53 y
Tesis Doctoral 67
Métodos de Medida
59] se emplea un circuito muy similar para realizar el barrido de la tensión aplicada
a una célula, pero en lugar de usar un generador de funciones, se emplea una tarjeta
de control con convertidor D/A.
Medida de la curva I-V con carga de cuatro cuadrantes
Una carga de cuatro cuadrantes es una fuente de alimentación capaz de

suministrar y disipar energía, que puede funcionar como fuente o sumidero de
corriente en los dos sentidos (bipolar) y aplicar tensión positiva o negativo. Esto
permite su utilización como una carga ajustable para otras fuentes de alimentación u
otros equipos. En la figura 2.27 se muestra la curva I-V que es capaz de generar una
carga de cuatro cuadrantes. En la figura 2.28 se muestra un esquema funcional de un
circuito que permite implementar una carga de cuatro cuadrantes.
+I
+Imáx.
Cuadrante II Cuadrante I
Fuente como generador Fuente como sumidero
GFV en polarz. inversa GFV como generador
Isc
+Vmáx.
S2 y S3 en ON S1 y S 4 en ON
V<0eI>0 V(t) < Voc e I > 0
Voc
-V +V
S1 y S4 en ON
No usado
V(t) > Voc e I < 0
-Vmáx.
Fuente como generador
Fuente como sumidero GFV como diodo
Cuadrante III Cuadrante IV
-Imáx.
-I
Figura 2.27 Curvas I-V en los cuadrantes I, II y IV.
En un módulo fotovoltaico el interés principal es obtener la curva I-V en el

primer cuadrante, sin embargo, la exploración de los valores situados en el segundo
Tesis Doctoral 68
Métodos de Medida
y cuarto cuadrantes, puede ser una herramienta importante de diagnóstico para

detectar posibles desequilibrios en el funcionamiento del módulo, como una o más
células sombreadas, lo que da origen a los denominados puntos calientes en
conexiones serie.
El funcionamiento de una carga de cuatro cuadrantes se basa en una fuente de

alimentación donde el valor proporcionado a su salida Vi(t) es dependiente de una
señal de referencia. Dicha señal puede ser modificada por otra referencia exterior o
programada para realizar el barrido de diferentes valores.
I
S1 S2
Módulo V Vi ( t )
FV
S3 S4
Medidor
Tensión-Corriente
Figura 2.28 Esquema funcional de una carga de cuatro cuadrantes.
El circuito mostrado en la figura 2.28 representa un esquema del

funcionamiento de una carga de cuatro cuadrantes. Con S1 y S4 cerrados y Vi(t)
mayor que la tensión en circuito abierto del módulo fotovoltaico (Voc), I < 0 y el
punto de funcionamiento del módulo FV se sitúa en el cuarto cuadrante; mientras
que con S1 y S4 cerrados y Vi(t) menor que Voc, I > 0 y el punto de funcionamiento
del módulo FV se sitúa en el primer cuadrante. Por último, con S2 y S3 cerrados, la
tensión en los extremos del módulo (V) es forzada a -Vi(t) y el punto de
funcionamiento del módulo FV se sitúa en el segundo cuadrante.
Una carga de cuatro cuadrantes es intrínsecamente cara, y además, cargas de

cuatro cuadrantes para potencias superiores a 1 kW no son comerciales.
Tesis Doctoral 69
Métodos de Medida
Basado en este tipo de cargas han sido propuestos diferentes esquemas en la

literatura. En [49] se presenta un sistema para medir distintas curvas I-V mediante
una fuente de alimentación bipolar de cuatro cuadrantes. El procedimiento consiste
en variar manualmente en pasos la tensión proporcionada por la fuente. El voltaje y
la corriente proporcionados por la célula solar se miden con dos multímetros
digitales, la corriente mediante una resistencia shunt. Una fuente de alimentación
variable también es muy útil para realizar medidas rápidas de la corriente de
cortocircuito o un punto de corriente a una determinada tensión. En [60] se describe
una metodología para la determinación de las curvas características I-V de módulos
fotovoltaicos en diversas condiciones, pero a diferencia de la referencia anterior, en
este caso la tensión de barrido de la fuente de alimentación está controlada
automáticamente por un computador. La tensión y corriente son medidas
simultáneamente por dos multímetros digitales conectados a un ordenador a través
de una interface GPIB, lo cual permite recuperar los datos adquiridos y determinar
los parámetros eléctricos principales. En [61] se describe la caracterización de una
instalación FV formada por células fotovoltaicas de concentración. Las células
solares son iluminadas con un concentrador parabólico, y un sistema basado en
persianas permite controlar el tiempo de exposición solar de las células,
obteniéndose así un tren de destellos luminosos sobre la célula, pero utilizando
radiación solar real. La sincronización de la apertura y cierre de las persianas junto
con la medida proporcionada por un grupo de instrumentos, permite obtener todos
los puntos de la curva I-V mediante sucesivos destellos de radiación. El barrido es
controlado por un generador de forma de onda programable, el cual genera una
tensión analógica que es amplificada por la fuente de alimentación. Se emplean dos
canales (corriente y voltaje) de un analizador como sistema de adquisición de datos
simultáneo de alta velocidad. En [62] las curvas también se miden utilizando el
mismo método. Los valores de irradiancia y temperatura del módulo son adquiridos
al principio y al final de la medida, lo cual permite rechazar curvas donde estas
variables varíen significativamente. En [63] la tensión de la fuente de alimentación
es controlada por un convertidor D/A mediante una tarjeta conectada a un PC. La
corriente es medida como una caída de tensión en uno de los grupos de siete
Tesis Doctoral 70
Métodos de Medida
resistencias empleados para la medida; cada grupo utiliza una de las entradas del
convertidor A/D de la tarjeta. Las resistencias se conmutan automáticamente
utilizando las señales de salida binarias proporcionadas por la tarjeta, dependiendo
del rango de corriente a medir.
Simuladores solares
Dependiendo de la ubicación del dispositivo bajo prueba, y por tanto del tipo
de iluminación empleada (artificial o natural), la caracterización de dispositivos FVs
puede ser realizada en interior o laboratorios y en exterior o en el campo de paneles.
Tradicionalmente, la medida de células y módulos fotovoltaicos en interior se realiza
con simuladores solares [64 y 65]. Esta técnica supone una práctica habitual en las
líneas de producción y fabricación de módulos FV.
En interior resulta relativamente fácil implementar unas condiciones de

medida concretas e incluso las condiciones estándar: 1.000 W/m2 de irradiancia, una
distribución espectral según AM 1.5 y una temperatura de módulo de 25 ºC. Por otro
lado, si bien en células y módulos es posible realizar la medida en interior o en
exterior, para el caso de campos de paneles éstas han de realizarse en exterior,
principalmente por la superficie a iluminar requerida, ejerciendo un menor control
sobre las condiciones de medida. Por tanto, las principales ventajas de los
simuladores solares son la uniformidad de la temperatura y la repetibilidad de la
medida, y su principal inconveniente, la limitación del área de medida. Por su parte,
las principales ventajas de la medida en exterior son: la estabilidad y uniformidad de
iluminación (en días claros el espectro puede llegar a ser ~AM 1.5), y sus
inconvenientes, la dependencia de la climatología y la temperatura elevada y no
homogénea.
De forma genérica, según el tipo de fuente de iluminación que utilizan, los

simuladores pueden ser de luz continua o de luz pulsada o flash. Para estos últimos
han sido propuestas dos metodologías diferentes. W. Keogh y A. Cuevas [66]
Tesis Doctoral 71
Métodos de Medida
propusieron un método donde el dispositivo es polarizado a una tensión diferente en

cada pulso de luz, mientras se miden los pares de puntos (V , I) en la caída de luz del
impulso luminoso. De esta forma se obtiene una familia de curvas I-V con tantos
puntos en cada curva como pulsos se emiten. Un punto de la curva es obtenido en
cada pulso, normalmente un pulso dura aproximadamente 1 ms y una curva
completa requiere al menos 100 puntos. El inconveniente de este procedimiento para
ser utilizado en una línea de producción es su lentitud. El otro método, propuesto por
Lipps et al. [67], consiste en medir la curva I-V completa en la meseta del pulso de
luz por medio de una carga y un sistema de adquisición de datos de alta velocidad.
En este caso se emiten pulsos con una duración de entre 50 y 100 ms, y se obtiene la
curva I-V en cada pulso. Esta solución es más rápida que la primera, pero más
compleja.
La técnica de luz pulsada consume menos energía y somete al dispositivo

bajo prueba a menor temperatura, por lo que es la técnica más utilizada actualmente.
El procedimiento basado en simulador solar resulta de fácil implementación

cuando se trata de módulos convencionales ya que el nivel de irradiancia necesario
es de 1.000 W/m2. Por el contrario, para el caso de células de concentración, los
altos niveles de irradiancia necesarios en unos casos (por encima de 300 soles para
células de 1 cm2) o el tamaño de las células en concentraciones medias (20 soles
sobre una célula típica de 50 cm2), hacen que esta técnica sea difícil de utilizar. El
problema se acentúa cuando se trata de módulos de concentración, donde el área a
iluminar es mucho mayor. La refrigeración de las células para mantener la
temperatura uniforme y constante a 25°C es un problema añadido con las energías
que se manejan en concentración. De la misma forma, para la medida de células y
módulos multiunión, se requieren varios simuladores solares, uno para cada
intervalo espectral de lo contrario se introducen grandes errores en la medida de Isc y
del MPP [68].
La medida de curvas I-V con simuladores solares debe cumplir lo establecido

en dos normas internacionales: ASTM E 927-05 [69] (standard specifications for
Tesis Doctoral 72
Métodos de Medida
solar simulation for terrestrial PV testing) e IEC 60904-9 (solar simulator

performance requirements) [70]. Ambas normas definen el espectro, la uniformidad
espacial en el tiempo y la estabilidad de la fuente luminosa de los simuladores
empleados.
Tesis Doctoral 73
Comparación de los diferentes Métodos ´
2.8. Comparación de los diferentes métodos de medida

de curvas I-V de módulos y arrays FVs
En este apartado se realiza una comparación de los diferentes métodos

descritos en el apartado 3.3 en términos de los siguientes parámetros: flexibilidad,
modularidad, fidelidad, tiempo de respuesta, visualización directa y coste [48].
Flexibilidad
La flexibilidad es un factor importante de comparación para seleccionar uno

de los métodos. La posibilidad de configurar la velocidad de barrido, la dirección
desde Isc a Voc o desde Voc a Isc, y la reproducción de zonas específicas de la curva I-
V son parámetros a considerar para evaluar la flexibilidad.
La reproducción de la curva I-V, tanto con carga resistiva como capacitiva no

es cíclica, por lo que una visualización directa o una reproducción parcial de dicha
curva no son posibles. Los métodos basados en carga electrónica muestran una gran
flexibilidad, pero la reproducción de puntos alrededor del MPP requiere la
disipación de excesiva potencia, especialmente con generadores de alta potencia, ya
que los transistores operan en su zona lineal. Con una carga de cuatro cuadrantes,
una reproducción parcial de la curva I-V también es posible, pero requiere de una
compleja programación de la señal Vi(t). La carga de cuatro cuadrantes tiene las
mismas restricciones, respecto de la potencia, que la carga electrónica.
Modularidad
Una configuración modular y escalable es también un parámetro importante

de comparación. Tanto los métodos de carga resistiva y capacitiva como el de carga
electrónica, presentan dificultades cuando la potencia del generador FV bajo prueba
se incrementa. Para el de carga capacitiva el principal problema es la velocidad,
mientras que para los métodos de carga resistiva y electrónica es la disipación de
potencia. En el caso de la carga de cuatro cuadrantes, la modularidad sólo es posible
Tesis Doctoral 74
con algunos fabricantes que proporcionan diferentes formas de combinar varias

cargas que permiten su control, pero supone un gran incremento en términos de
coste.
Fidelidad
Es difícil evaluar qué método es más fiel, ya que esta característica depende
en gran medida del sistema de adquisición de datos. Por otro lado, la reproducción
del punto exacto de tensión cero (Isc) resulta difícil, debido a la propia naturaleza de
todos los sistemas de medida, los cuales están basados en una inserción de
resistencia en los terminales del módulo o generador FV. Sin embargo, también se
puede observar que una inserción de baja resistencia en Isc no degrada en exceso la
reproducción de la curva I-V, debido principalmente a que en la zona donde ocurre,
tanto la pendiente de la curva como la variación de la corriente son prácticamente
nulas; en esta zona, el módulo fotovoltaico se comporta como una fuente de
corriente constante de valor Isc, por lo que puede considerarse irrelevante. Este
efecto se minimiza significativamente con asociaciones resistivas en paralelo. Tanto
el método de resistencia variable como los basados en carga electrónica requieren
una extrapolación de puntos para conocer el valor de Isc. En el método con carga
capacitiva se puede aplicar una interpolación de puntos, pero sólo cuando la carga
del condensador empieza con tensión negativa. La carga de cuatro cuadrantes sólo
necesita un método de interpolación alrededor de Isc.
Tiempo de respuesta
Una respuesta rápida de funcionamiento es particularmente interesante, ya

que garantiza que todos los puntos de la curva han sido obtenidos en las mismas
condiciones climáticas. Tanto en medidas en interior, como en exterior, se requieren
tiempos de medida cortos además de precisión. Con el fin de proporcionar resultados
precisos, es esencial que las condiciones ambientales no cambien significativamente
entre las diferentes medidas. También un trazado rápido de las curvas I-V reduce el
sobrecalentamiento y el tamaño de los componentes, así como la carga empleada. El
Tesis Doctoral 75
método basado en la carga de cuatro cuadrantes proporciona tiempos de medida

cortos, del orden de cientos de milisegundos. Con el método basado en la carga
capacitiva, el tiempo de carga del condensador es directamente proporcional al valor
del condensador y a la tensión de circuito abierto del generador fotovoltaico, e
inversamente proporcional a la corriente de cortocircuito. Además, cuanto mayor sea
la velocidad del sistema de medida, menor será el tamaño de los condensadores. Sin
embargo, este método requiere la descarga previa de la capacidad antes de volver a
realizar una nueva medida, y este tiempo extra hace más lento el método capacitivo.
El tiempo de operación requerido por este método es normalmente de 1 s. Los
métodos basados en cargas electrónicas muestran una mayor dispersión entre los
tiempos de medida, dependiendo tanto de la forma de onda aplicada para realizar el
barrido (rampa lineal, sinusoidal ...) como del tipo de control (sin realimentación o
con ella). Esto origina una gran variedad de respuestas. Desde cargas electrónicas
que emplean un tiempo de medida semejante a la carga de cuatro cuadrantes hasta
otras con tiempos comparables al requerido por la carga capacitiva.
Visualización directa
La visualización directa de la curva medida mediante un osciloscopio u otro

sistema de representación, proporciona la posibilidad de realizar un primer test
rápido sobre el módulo; sin embargo, no todos los métodos permiten una
visualización directa. La reproducción de la curva I-V mediante el método de carga
resistiva y capacitiva no es cíclica, con lo cual no es posible una visualización
directa o una reproducción parcial de dicha curva.
Coste
En general, una buena evaluación de los costes puede ser realizada

dependiendo de los requerimientos del sistema de adquisición de datos, de las
técnicas utilizadas, analógicas o digitales, del software de programación requerido, y
del número de sensores necesarios. La eliminación de los sensores de corriente y
tensión disminuye los costes considerablemente. El método capacitivo requiere
Tesis Doctoral 76
velocidad de adquisición y capacidad de almacenamiento de datos en una memoria,

lo que resulta en un coste elevado.
Quizás, la mejor manera de evaluar los métodos analizados, en términos de

coste, sea teniendo en cuenta todas las características anteriores como un conjunto
completo a un precio razonable. Desde este punto de vista, el método más
económico es el que admita flexibilidad, modularidad, y fidelidad, junto con
capacidad para representar curvas de gran potencia y permita una visualización
directa de dichas curvas.
En la tabla 2.3 se resumen las propiedades analizadas de cada método.
TABLA 2.3: Principales características de los métodos utilizados para la medida de curvas I-V.
Tiempo de Capacidad de
Modularidad Fidelidad Coste Flexibilidad
Respuesta Visualización
Resistencia
Variable Media Media Bajo Bajo Media No
Carga
Capacitiva Baja Media Bajo Alto Baja No
Carga
Electrónica Alta Media Media Alto Alta Si
Amplificador
de Potencia Alta Alta Media Alto Alta Si
Carga de 4
Cuadrantes Baja Alta Alto Alto Baja No
Como se verá en capítulos sucesivos, el objetivo fundamental de esta Tesis es

proponer y justificar una nueva metodología de medida de curvas I-V en módulos y
arrays FVs; así como diseñar, construir y testear un sistema electrónico que
implemente dicha metodología. Por supuesto, el objetivo perseguido es mejorar las
características de los métodos actuales que se resumen en la tabla 2.3.
Tesis Doctoral 77
Conclusiones ´
2.9. Conclusiones
En este capítulo se han descrito los diferentes tipos de células solares, las
cuales constituyen el elemento básico de un sistema fotovoltaico. Se ha resaltado la
importancia de la caracterización y medida de las curvas I-V de generadores FVs
teniendo en cuenta diferentes aspectos. Finalmente se han comparado los diferentes
métodos descritos en términos de: flexibilidad, modularidad, fidelidad, tiempo de
respuesta, visualización directa y coste.
Tesis Doctoral 78
Capítulo 3
Estudio y análisis de topologías de

convertidores CC/CC para la medida
de curvas I-V de generadores FVs
En este capítulo se presentan las bases teóricas del objetivo de esta Tesis:
El uso de convertidores CC-CC para implementar medidores de curvas I-V y P-V
de módulos y arrays FVs. Para fundamentar la propuesta de investigación se
analizan, en primer lugar, las diferentes configuraciones básicas de convertidores,
con objeto de justificar la adecuación o no de cada una de ellas al cometido
propuesto. Así, se analizan las topologías reductora, elevadora y reductora-
elevadora. A partir del estudio teórico realizado, sobre la capacidad de cada una
de las configuraciones para emular una resistencia variable, en función del control
de su ciclo de trabajo, se realiza una selección de las configuraciones más
adecuadas para la implementación del sistema de medida objeto de esta Tesis.
Este análisis teórico es complementado y apoyado mediante simulación. Por
último, a partir de la constatación del rizado que introducen los convertidores
como consecuencia de la conmutación de sus transistores, se estudian las dos
técnicas más importantes para la reducción de este rizado: mediante el intercalado
de convertidores y empleando inductores acoplados.
Tesis Doctoral 79
Introducción
3.1. Introducción
El principal objetivo de la conversión CC/CC es el de transferir potencia

eléctrica en forma de corriente continua, con las menores pérdidas y, por tanto,
con la mayor eficiencia posible.
Los convertidores conmutados CC/CC forman parte normalmente de un

sistema de conversión CA/CC. La alimentación es de tensión continua no
regulada, obtenida mediante la rectificación de la tensión de red. La misión del
convertidor es transformar la entrada de tensión continua no regulada en una
tensión de salida regulada y de un nivel deseado, para los rangos de carga
especificados en su diseño. En los sistemas fotovoltaicos, los convertidores
CC/CC son utilizados como interface entre el generador FV y la carga,
permitiendo, mediante la conexión de un sistema de control, el seguimiento del
punto de máxima transferencia de potencia (MPPT, Maximum Power Point
Transfer). En líneas generales, la misión del convertidor CC/CC es la de
acondicionar la energía producida por el conjunto de células siguiendo una
estrategia de control determinada.
En los convertidores CC/CC la tensión media de salida puede ser

controlada para ser igual a una tensión de referencia determinada,
independientemente de las variaciones que se puedan producir tanto en la tensión
de alimentación como en la carga.
En particular, para una tensión de entrada determinada, la tensión media

de salida puede ser gobernada mediante los tiempos en que el interruptor del
convertidor conduce o no conduce. Estos tiempos se denominan Ton y Toff
respectivamente.
El método más utilizado para el control de la tensión de salida de un

convertidor CC/CC es el denominado modulación por ancho de pulso (PWM,
Pulse-Width Modulation), y consiste en emplear un periodo de conmutación Ts
constante, Ts = Ton+Toff, de forma que variando el tiempo de conducción Ton, es
Tesis Doctoral 80
Introducción
posible controlar la tensión media de salida. En general, el ciclo de trabajo (D,

Duty Cycle) de una señal periódica es la relación entre el intervalo durante el cual
la señal se encuentra a nivel alto (ancho del pulso) respecto del periodo. La
técnica PWM lo que hace precisamente es modificar el ciclo de trabajo de una
señal periódica. De forma más concreta, el ciclo de trabajo de un convertidor CC-
CC se define como la relación entre el intervalo de conducción de su interruptor
(transistor), Ton y el periodo de la señal de conmutación (Ts). Esto es, D = Ton/Ts.
Los convertidores CC/CC pueden ser divididos en reductores de tensión

(Vg > Vo), elevadores (Vg < Vo), y reductores-elevadores, en los que la tensión de
salida (Vo) puede ser mayor o menor que la de entrada (Vg,) dependiendo del ciclo
de trabajo D.
Un primer análisis de los diferentes convertidores, puede ser realizado

suponiendo las hipótesis siguientes:
• Funcionamiento en régimen permanente, es decir; tensión en el

generador constante y ciclo de trabajo definido para unas
condiciones de carga determinadas.
• Los dispositivos semiconductores son considerados como

interruptores ideales, aún siendo dispositivos semiconductores de
potencia, tales como transistores bipolares, MOSFETs, IGBTs, etc.
• Las pérdidas en los elementos inductivos y capacitivos se suponen

despreciables.
• La etapa de salida del convertidor está compuesta por un filtro paso

bajo y la carga, que se modela como una resistencia.
A continuación se realiza una primera descripción de los diferentes

convertidores CC/CC no aislados que emplean un solo interruptor de potencia.
Esta descripción es realizada en base a las tres relaciones de conversión: reductor,
elevador y reductor-elevador; así como al modo de corriente por el inductor:
Tesis Doctoral 81
Introducción
corriente continuada (CCM, Continuous Conduction Mode) y corriente

discontinua (DCM, Discontinuous Conduction Mode).
3.2. Convertidor Reductor (Buck)
Como su nombre indica, este convertidor proporciona una tensión media

de salida menor que la tensión de entrada.
En la figura 3.1a se muestra el esquema eléctrico de este convertidor, el

cual incluye un diodo de libre circulación y un filtro de salida formado por una
inductancia L y un condensador C.
a) Esquema eléctrico del convertidor Reductor.

VD ( t )
Vg
Vo
0
t
TON TOFF
TS
b) Tensión a la entrada del filtro LC.

Figura 3.1 Convertidor reductor.
El convertidor funciona de la forma siguiente: En el intervalo de

conducción del interruptor (Q), la fuente Vg suministra energía tanto a la carga
como a los elementos del filtro paso bajo. Durante el intervalo de no conducción
del interruptor, la corriente del inductor L circula a través del diodo, transfiriendo
parte de su energía hacia la carga.
Tesis Doctoral 82
Convertidor Reductor
Dependiendo de la corriente por la inductancia, el convertidor presenta dos

modos de funcionamiento distintos:
• Modo de conducción continuo (CCM, Continuous Conduction

Mode). En este modo, la intensidad que circula a través de la
inductancia nunca se anula.
• Modo de conducción discontinuo (DCM, Discontinuous

Conduction Mode). En este modo, la intensidad que circula por el
inductor se anula para un intervalo del periodo de no conducción.
3.2.1. Convertidor Reductor en CCM
El análisis del convertidor reductor en el modo de conducción continuo

puede ser realizado para dos intervalos: intervalo de conducción del interruptor e
intervalo de no conducción del interruptor (ver figura 3.1).
• Durante el intervalo de conducción del interruptor, la intensidad por la

inductancia crece linealmente. En este intervalo el diodo de libre circulación se
encuentra polarizado inversamente. El resultado es una tensión VL = Vg − Vo
positiva y constante en el inductor que hace que la intensidad iL crezca

linealmente. Esta situación se mantiene mientras el interruptor permanece
cerrado.
La aplicación de la ley de Kirchoff de tensiones para el intervalo de

conducción, el cual dura entre 0 y TON, proporciona:
diL
Vg = L + Vo
dt
Donde se ha despreciado la caída en conducción del interruptor.
Separando las variables e integrando:
Tesis Doctoral 83
Vg − Vo
t = iL ( t ) − iL ( t = 0 ) (3.1)
L
Vg − Vo
Que es la ecuación de una recta de pendiente m = , positiva al ser
L
Vg > Vo.
Definiendo iL (TON ) = I 2 e iL ( t = 0) = I1 en (3.1), se obtiene:
Vg − Vo
TON = I 2 − I1 (3.2)
L
• Durante el intervalo de no conducción del interruptor, el diodo de libre

circulación conduce la intensidad de la inductancia (ya que ésta no puede
cambiar instantáneamente su valor). En este intervalo, la tensión del inductor
−Vg
es VL = − Vg y la intensidad decrece linealmente con pendiente m = .
L
Operando de la misma forma que en el intervalo anterior, pero teniendo en

cuenta que el diodo está en conducción durante el tiempo TON hasta TS, se obtiene:
diL
0=L + Vo
dt
Donde se ha despreciado la caída en conducción del diodo de libre

circulación.
Separando las variables e integrando:
Vo
− (TS − TON ) = iL (TS ) − iL (TON ) (3.3)
L
Por continuidad de ambos intervalos iL ( t = 0) = iL (TS ) y por tanto (3.3) se
convierte en:
Tesis Doctoral 84
Vo
− (TS − TON ) = I1 − I 2 (3.4)
L
Igualando (3.2) y (3.4) se obtiene:
Vg − Vo Vo
TON = (TS − TON )
L L
Finalmente se obtiene la ecuación (3.5), que proporciona la relación entre

la tensión de salida (Vo) y la aplicada a la entrada del convertidor (Vg) en CCM.
TON
Vo = Vg = Vg ⋅ D (3.5)
TS
En este modo de funcionamiento, la tensión de salida es directamente

proporcional al ciclo de trabajo D y a la tensión aplicada en su entrada, con lo que
el convertidor reductor puede ser asemejado a un transformador de corriente
continua donde la relación de transformación puede ser controlada
electrónicamente en el rango [0,1], variando el ciclo de trabajo D del convertidor.
Suponiendo que no existen pérdidas en los elementos del circuito, la

potencia suministrada por la fuente debe ser igual a la entregada a la carga:
Pg = Po ⇒ Vg ⋅ I g = Vo ⋅ I o (3.6)
Sustituyendo Vo / Vg de (3.5) se obtiene que:
I g = Io ⋅ D (3.7)
Esta expresión indica que al conservarse la potencia, este convertidor

presenta un comportamiento reductor para la tensión y elevador para la corriente.
Tesis Doctoral 85
Vg Vo ⋅ I o
De (3.6) se deduce que = y, sustituyendo I g2 por el valor dado en
Ig I g2
Vg Vo Vg
(3.7), = . Si se define ahora la resistencia efectiva (Ri) como Ri = ,
Ig Io ⋅ D 2
Ig
esta puede ser expresada por:
Vg R
Ri = = (3.8)
Ig D2
La ecuación anterior indica que la resistencia efectiva vista por el

generador es directamente proporcional a la conectada a su salida, e inversamente
proporcional al cuadrado del ciclo de trabajo D, estando su valor comprendido en
el rango [R, ∞), cuando D varía desde 1 a 0.
Nótese que el cálculo de Ri se ha realizado a partir del valor medio de la

corriente suministrada por el generador Ig; por tanto, se supone que este valor es
mucho mayor que su rizado ∆Ig.
3.2.2. Convertidor Reductor en DCM
El funcionamiento en el modo de conducción discontinua se establece

cuando la corriente por la inductancia se anula durante el intervalo de no
conducción del interruptor. El cambio más significativo respecto del modo
continuo, es que la tensión de salida no es proporcional al ciclo de trabajo
solamente.
El límite para que el convertidor evolucione del modo continuo al

discontinuo se produce cuando la intensidad por la inductancia se hace cero, justo
al final del periodo de conmutación TS.
Suponiendo una evolución de la corriente lineal, tal y como aparece en la

figura 3.2, se tiene que:
Tesis Doctoral 86
iL ( t )
I2
iL ,med . = I L ∆iL
TS
2
I1
0
t
TON TOFF
TS
Figura 3.2 Corriente por la inductancia en CCM.
1
I 2 = iL,med . + ∆I
2
(3.9)
1
I1 = iL,med . − ∆I
2
Donde ∆I representa el rizado de corriente e IL el valor medio de la

corriente por el inductor.
Como:
Vg − Vo Vo
∆I = iL ( t = TON ) − iL ( t = 0 ) = TON = (TS − TON )
L L
(3.10)
Vg ⋅ D ⋅ (1 − D ) ⋅ TS Vo ⋅ (1 − D ) ⋅ TS
∆I = I 2 − I1 = =
L L
1
En este caso (en DCM): I1 = 0 ⇒ 0 = I L − ∆I
2
Sustituyendo la expresión de ∆I y considerando que IL = Io se obtiene:
Vo ⋅ TS
0 = I o − (1 − D ) (3.11)
2⋅ L
Planteando las tres relaciones a las que da origen la ecuación anterior:
Tesis Doctoral 87
∆I V ⋅T
- Sí: I o = ⇒ I o = (1 − D ) ⋅ o S
2 2⋅ L
La corriente por la inductancia se anula justo al final del periodo.
∆I V ⋅T
- Si: I o > ⇒ I o > (1 − D ) o S
2 2⋅ L
La corriente por la inductancia no se anula y el convertidor funciona en

modo continuo.
∆I V ⋅T
- Si: I o < ⇒ I o < (1 − D ) o S
2 2⋅ L
La corriente por la inductancia se anula y el convertidor funciona en modo

discontinuo.
Por tanto, para unas condiciones de funcionamiento dadas por: Ts, Vo, Vg,
∆I
D y R, si se cumple que I o < , entonces el modo de funcionamiento será
2
discontinuo.
Así, se puede hablar de valores críticos en el ciclo de trabajo, en la

inductancia y en la resistencia de carga, que llevan al convertidor a un
funcionamiento con corriente discontinua.
El valor crítico de D, Dcrítico, que marca la frontera entre un modo de

funcionamiento y otro, se obtiene despejando D de (3.11). Así,
2⋅ L V
- Dcrítico = 1 − ; con R = o
R ⋅ TS Io
Si D ≥ Dcrítica , el convertidor funciona en modo continuo.
Respecto del valor crítico de la inductancia, nuevamente se obtiene

despejándolo de (3.11): esto es,
Tesis Doctoral 88
R ⋅ TS V
- L crítica = (1 − D ) ; con R = o
2 Io
Si L ≥ L crítica , el convertidor funciona en modo continuo.
Donde Dcrítico y Lcrítica representan por tanto los valores umbrales para
obtener iL > 0 durante todo el periodo de conmutación y por tanto modo de
funcionamiento CCM.
Operando de forma análoga para R se obtiene que:
2⋅ L
- R = .
crítica
(1 − D )TS
Por tanto, si R ≤ R crítica , el convertidor funciona en modo continuo.
La obtención de la expresión de la tensión de salida del convertidor

funcionando en el modo de conducción discontinuo, se realiza utilizando el
mismo razonamiento que para el modo continuo, es decir, dividiendo su
funcionamiento en dos intervalos: intervalo de conducción del interruptor e
intervalo de no conducción, y relacionando éstos mediante las condiciones finales
e iniciales de uno y otro respectivamente. Esto proporciona la relación entre la
tensión de salida (Vo) y la aplicada a la entrada del convertidor (Vg) en DCM:
2 ⋅ Vg
Vo =
 8⋅ L  (3.12)
1 + 1 + 
 R ⋅ D 2 ⋅ Ts 
Al igual que para CCM, suponiendo que no existen pérdidas en los

elementos del circuito, la potencia suministrada por la fuente debe ser igual a la
entregada a la carga:
Vg ⋅ I g
Pg = Po ⇒ Vg ⋅ I g = Vo ⋅ I o ⇒ Vo =
Io
Tesis Doctoral 89
Sustituyendo este valor en (3.12) y despejando Ig:
2 ⋅ Io
Ig =
 8⋅ L  (3.13)
1 + 1 + 
 R ⋅ D 2 ⋅ Ts 
Utilizando de nuevo el concepto de resistencia efectiva (Ri) se tiene que

Vg
Ig = . Sustituyendo este valor en (3.13), reemplazando el valor de Vg en la
Ri
Vo
expresión resultante por el que se obtiene de (3.13), y considerando R = , se
Io
deduce que el valor de la resistencia efectiva está dado por:
2
Vg R  8⋅ L 
Ri = =  1 + 1 +  (3.14)
Ig 4  R ⋅ D 2 ⋅ Ts 

R  8⋅ L 
2

generador se encuentra dentro del rango  1 + 1 +  , ∞  cuando D varía
4  R ⋅ Ts  
 
desde 1 hasta 0.
En este modo de funcionamiento, igual que se hizo CCM, se ha supuesto

que la magnitud del rizado de corriente en el generador es mucho más pequeño
que su valor medio Ig.
3.3. Convertidor Elevador (Boost)
Como su nombre indica, este convertidor proporciona una tensión mayor

que la aplicada a su entrada. En la figura 3.3, se muestra el circuito eléctrico de
este convertidor
Tesis Doctoral 90
Convertidor Elevador
Figura 3.3 Convertidor Elevador.
El convertidor funciona de la forma siguiente:
• En el periodo de conducción del interruptor, el diodo se polariza

inversamente aislando la etapa de entrada de la de salida. La
energía suministrada por la alimentación es almacenada en el
inductor.
• Durante el intervalo de no conducción del interruptor, la energía

suministrada por la alimentación es transferida a la carga a través
del inductor y el diodo.
Al igual que ocurre con el convertidor reductor, el análisis para el elevador

se divide en dos modos: modo de conducción continúo (CCM) y modo de
conducción discontinuo (DCM).
3.3.1. Convertidor Elevador en CCM
El análisis del convertidor elevador en el modo de conducción continuo,

puede ser realizado para dos intervalos: intervalo de conducción del interruptor e
intervalo de no conducción del interruptor.
Durante el intervalo de conducción del interruptor, la intensidad por la

inductancia crece linealmente. En este intervalo, el diodo se encuentra polarizado
inversamente. El resultado es una tensión VL = Vg positiva y constante en el
Tesis Doctoral 91
inductor que hace que la intensidad iL crezca linealmente. Esta situación se

mantiene mientras el interruptor permanezca cerrado.
Durante el intervalo de no conducción del interruptor, el diodo queda

polarizado directamente y conduce la corriente de la inductancia. En este
intervalo, la tensión del inductor es VL = Vg − Vo y la corriente decrece
Vg − Vo
linealmente con pendiente
L
La aplicación de las leyes de Kirchoff de tensión y corriente para ambos

intervalos, relacionados mediante la corriente final e inicial en el inductor,
proporcionan la relación entre la tensión de salida (Vo) y la aplicada a la entrada
del convertidor (Vg) en CCM. Esto es:
Vg
Vo = (3.15)
1− D
La ecuación anterior muestra que la tensión de salida es mayor que la de

entrada para 0 < D < 1 , y que para este modo de funcionamiento, la tensión de
salida es proporcional al ciclo de servicio D para una tensión de alimentación
dada.

Pg = Po ⇒ V g ⋅ I g = Vo ⋅ I o
Sustituyendo en (3.15):
Io
Ig = (3.16)
1− D
Lo cual implica que este convertidor tiene un comportamiento elevador

para la tensión y reductor para la corriente.
Tesis Doctoral 92
De nuevo, al expresar la corriente por la fuente, en función de la

Vg
resistencia efectiva, , se tiene que sustituyendo este valor de Ig en (3.16),
Ri
reemplazando Vg en la expresión resultante por su valor en (3.15), y considerando

Vg
que Ri = , se deduce que el valor de la resistencia efectiva está dado por:
Ig
Vg
= R (1 − D )
2
Ri = (3.17)
Ig

generador, es directamente proporcional a la conectada a su salida y al cuadrado
del complemento del ciclo de servicio, estando su valor comprendido en el rango
[0, R).
3.3.2. Convertidor Elevador en DCM
Siguiendo el mismo razonamiento que para el convertidor reductor, el

límite para que el convertidor evolucione desde CCM a DCM se establece cuando
la intensidad por la inductancia se hace cero, justo al final del periodo (ver figura
3.2).
Teniendo en cuenta que para el convertidor elevador la corriente que

circula por el inductor es la misma que proporciona la fuente, la ecuación (3.9)
puede expresarse como:
1
I2 = I g + ∆I
2
1
I1 = I g − ∆I
2
Tesis Doctoral 93
Donde ∆I representa el rizado de corriente e Ig el valor medio de la

corriente por el inductor.
Vg ⋅ D ⋅ Ts
Como: ∆I =
L
Considerando que la corriente al inicio es nula,
1
I1 = 0 ⇒ 0 = I g − ∆I (3.18)
2
Sustituyendo la expresión de ∆I se obtiene:
Vg ⋅ D ⋅ Ts
0 = Ig − (3.19)
2⋅L
Según que el valor de Ig esté o no en el punto medio de la variación de

corriente por el inductor, el convertidor funciona de forma diferente. Así, a partir
de la ecuación (3.19) se deducen los modos de funcionamiento siguientes:
∆I V g ⋅ D ⋅Ts
- Sí: I g = ⇒ I g =
2 2 ⋅ L
∆I V g ⋅ D ⋅Ts
- Si: I g > ⇒ I g >
2 2 ⋅ L

modo continuo.
V ⋅ D ⋅ Ts
- Si: I g < ∆ I ⇒ I g < g
2 2⋅L

discontinuo.
Tesis Doctoral 94
El valor de inductancia crítica (Lcrítica) y resistencia de carga crítica (Rcrítica)

que dividen los modos de funcionamiento continuo y discontinuo, se obtienen
sustituyendo en la expresión anterior Vg de (3.15), Ig de (3.16) con la condición
Vo
R= ; así:
Io
R ⋅ Ts
D (1 − D )
2
- L c r ític a =
2
Si L ≥ L crítica , el convertidor funciona en modo continuo. De la expresión
anterior se deduce que :
2⋅L
- R crítica =
D ⋅ (1 − D ) ⋅ Ts
2
Si R ≤ R crítica , el convertidor funciona en modo continuo.

funcionando en el modo de conducción discontinuo, se realiza utilizando el
mismo razonamiento que para el modo continuo, es decir, dividiendo su
intervalo de no conducción, y relacionando estos mediante las condiciones finales
e iniciales de uno y otro intervalo respectivamente. Esto proporciona la relación
entre la tensión de salida (Vo) y la aplicada a la entrada del convertidor (Vg) en
DCM. Esto es:
Vg  2 ⋅ R ⋅ D 2 ⋅ Ts 
Vo = 1 + 1 +  (3.20)
2  L 


Tesis Doctoral 95
Vg ⋅ I g
Pg = Po ⇒ Vg ⋅ I g = Vo ⋅ I o ⇒ Vo = (3.21)
Io
Sustituyendo este valor en (3.20) y despejando Ig,
Io  2 ⋅ R ⋅ D 2 ⋅ Ts 
Ig = 1 + 1 +  (3.22)
2  L 
 
A partir de la expresión anterior, teniendo en cuenta (3.21), se puede

obtener el valor de la resistencia efectiva del convertidor como:
Vg 4⋅ R
Ri = = 2
Ig  
2 ⋅ R ⋅ D 2 ⋅ Ts (3.23)
1 + 1 + 
 L 
 
Vo
Donde R = .
Io
La ecuación (3.23) indica que la resistencia efectiva vista por el generador

 
 
 4⋅R 
se encuentra dentro del rango  2
, R cuando D varía desde uno
 2 ⋅ R ⋅ Ts  
 1 + 1 +  

  L  

hasta cero.
También al igual que en CCM, se supone que la magnitud del rizado de

corriente en Ig es mucho más pequeño que su componente de valor medio.
Tesis Doctoral 96
Convertidor Reductor-Elevador
3.4. Convertidor Reductor-Elevador (Buck-Boost)
Este convertidor permite obtener una tensión media de salida mayor o

menor que la de entrada, pero con polaridad negativa respecto del terminal
común. Su esquema eléctrico se muestra en la figura 3.4.
En funcionamiento en régimen cíclico, la razón de conversión de este

convertidor es el producto de las razones de los convertidores elevador y reductor
conectados en cascada. Esto es, a partir de (3.5) y (3.15), para un mismo ciclo de
trabajo se tiene que:
Vg ⋅ D
Vo =
1− D
Figura 3.4 Convertidor Reductor-Elevador.
El convertidor funciona de la forma siguiente:
• En el periodo de conducción del interruptor, la fuente Vg suministra

energía al inductor y el diodo queda polarizado inversamente,
aislando la etapa de entrada de la de salida. La energía suministrada
por la alimentación es pues almacenada en el inductor.
• Durante el intervalo de no conducción del interruptor, el diodo

conduce y la energía almacenada en el inductor es transferida a la
carga.
Tesis Doctoral 97
Al igual que ocurre con los dos convertidores estudiados, el análisis para
el reductor-elevador se divide en dos modos: modo de conducción continuo
(CCM) y modo de conducción discontinuo (DCM).
3.4.1. Convertidor Reductor-Elevador en CCM
El análisis del convertidor reductor en el modo de conducción continuo

puede ser dividido en dos intervalos: intervalo de conducción del interruptor e
intervalo de no conducción del interruptor.
• Durante el intervalo de conducción del interruptor, la intensidad

por la inductancia crece linealmente. En este intervalo, el diodo se
encuentra polarizado inversamente. El resultado es una tensión VL
= Vg positiva y constante en el inductor que hace que la corriente iL
crezca linealmente. Esta situación se mantiene mientras el
interruptor permanezca cerrado.
• Durante el intervalo de no conducción del interruptor, el diodo

conduce la corriente de la inductancia. En este intervalo, la tensión
del inductor es VL = Vo y la intensidad decrece linealmente con
−Vo
pendiente .
L
La aplicación de las leyes de Kirchoff de tensión y corriente para ambos

intervalos, relacionados mediante la corriente final e inicial en el inductor,
proporciona la relación entre la tensión de salida (Vo) y la aplicada a la entrada
del convertidor (Vg) en CCM.
D
Vo = − Vg (3.24)
1− D
Tesis Doctoral 98
La expresión anterior muestra que este convertidor puede reproducir, para

0 < D < 1, una tensión de salida mayor o menor que la aplicada a su entrada. Esto
es,
1
- Si D = ⇒ Vo = Vg
2
1
- Si D > ⇒ Vo > Vg
2
1
- Si D < ⇒ Vo < Vg
2

Vg ⋅ I g
Pg = Po ⇒ Vg ⋅ I g = Vo ⋅ I o ⇒ Vo = (3.25)
Io
Sustituyendo este valor en (3.24) y despejando Io,
D
I g = Io (3.26)
1− D
Lo cual implica que este convertidor puede tener, para un ciclo de trabajo
determinado, un comportamiento reductor o elevador, tanto para la tensión como
para la corriente.
A partir de la expresión anterior, teniendo en cuenta (3.25), se puede

obtener el valor de la resistencia efectiva del convertidor como.
R ⋅ (1 − D )
2
Vg
Ri = = (3.27)
Ig D2
Vo
Donde R = .
Io
Tesis Doctoral 99
La ecuación (3.27) muestra que la resistencia efectiva (Ri) vista por el

generador es función de la conectada a la salida del convertidor, y del ciclo de
trabajo D. La variación de D entre 1 y 0 provoca que Ri varíe en el intervalo [0,
∞).
3.4.2. Convertidor Reductor-Elevador en DCM
Siguiendo el mismo razonamiento que para los convertidores anteriores, el

límite para que el convertidor evolucione desde CCM a DCM se establece cuando
la intensidad por la inductancia se hace cero, justo al final del periodo.
1
I 2 = iL,med . + ∆I
2
1
I1 = iL,med . − ∆I
2
Considerando que la corriente por el inductor al inicio es nula,
1
I1 = 0 ⇒ 0 = iL ,med − ∆I
2
Como:
Vg ⋅ D ⋅ TS Vo ⋅ (1 − D ) ⋅ Ts
∆I = = (3.28)
L L
Ig V g ⋅ D ⋅ Ts
0 = −
D 2⋅L
Ig
Donde se ha tenido en cuenta que, iL ,med =
D
A partir de la ecuación (3.28) se deducen los modos de funcionamiento

siguientes del convertidor:
Tesis Doctoral 100

I ∆I V ⋅ D 2
⋅Ts
- Si: g
= ⇒ I g =
g
D 2 2 ⋅ L
I ∆I V ⋅ D 2
⋅Ts
- Si: g
> ⇒ I g >
g
D 2 2 ⋅ L

modo continuo.
I ∆I V ⋅ D 2
⋅Ts
- Si: g
< ⇒ I g <
g
D 2 2 ⋅ L

discontinuo.
Los valores de inductancia y resistencia de carga que llevan al convertidor

a un modo de funcionamiento u otro pueden ser obtenidos a partir de la expresión
siguiente:
Vg ⋅ D 2 ⋅ Ts
L=
2I g
Vo
Sustituyendo Vg de (3.24), Ig de (3.26) y teniendo en cuenta que R = , se
Io
tiene que:
R ⋅ Ts
(1 − D )
2
- L crítica =
2
Si L ≥ L crítica , el convertidor funciona en modo continuo. De la expresión
anterior se deduce que:
2L
- R crítica = .
Ts ⋅ (1 − D )
2
Tesis Doctoral 101

Si R ≤ R crítica , el convertidor funciona en modo continuo.

funcionando en el modo de conducción discontinuo (DCM), se realiza utilizando
el mismo razonamiento que para el modo continuo, es decir, dividiendo su
intervalo de no conducción, y relacionando éstos mediante las condiciones finales
e iniciales de uno y otro respectivamente. Esto proporciona la relación entre la
tensión de salida (Vo) y la aplicada a la entrada del convertidor (Vg) en DCM:
R ⋅ Ts
Vo = − D ⋅ V g (3.29)
2⋅L

Vg ⋅ I g
Pg = Po ⇒ Vg ⋅ I g = Vo ⋅ I o ⇒ Vo =
Io
Sustituyendo este valor de Vo en (3.29) y despejando Ig se tiene que:
R ⋅ Ts
I g = D ⋅ Io (3.30)
2⋅L
Vg
Utilizando de nuevo la definición de resistencia efectiva Ri = ,
Ig
despejando Vg de (3.29), dividiendo el resultado por (3.30), y teniendo en cuenta

Vo
que R = , se tiene que:
Io
Vg 2⋅ L
Ri = = (3.31)
Ig D 2 ⋅ Ts
Tesis Doctoral 102


2⋅ L 
generador se encuentra dentro del rango  ,∞ cuando D varía desde uno hasta
 Ts 
cero. También, al igual que en CCM, se supone que la magnitud del rizado de
corriente en Ig es mucho más pequeño que su componente de valor medio.
3.5. Convertidor Cuk
El convertidor Cuk (fig. 3.5), también permite obtener una tensión de

salida mayor o menor que la tensión de entrada, y con polaridad negativa respecto
del terminal común.
Figura 3.5 Convertidor Cuk.
Siguiendo el mismo razonamiento que para los convertidores anteriores,

su funcionamiento puede ser dividido en dos intervalos. En el intervalo de
conducción del interruptor, la fuente Vg suministra energía al inductor L1;
mientras que el inductor L2 también almacena energía debido a la tensión VC1, lo
cual además polariza inversamente al diodo. Las corrientes iL1 e iL2 circulan a
través del interruptor con pendientes positivas.
Durante el intervalo de no conducción del interruptor, iL1 e iL2 circulan a

través del diodo en sentido decreciente.
Suponiendo corriente continuada por L1 y L2, y que la tensión en C1

permanece constante, la aplicación de la ley de Kirchoff de tensiones para el
intervalo de conducción, el cual dura entre 0 y TON, proporciona:
Tesis Doctoral 103

Convertidor Cuk
diL1 di
Vg = L1 y Vo + VC1 = − L2 L 2
dt dt
Y para el intervalo TON < t < TS .
diL1 di
Vg − VC1 = L1 y − Vo = L2 L 2
dt dt
Relacionando ambos intervalos mediante la continuidad de las corrientes

en los dos inductores y operando, se obtiene:
Vg −Vo
VC1 = Vg − V0 = =
1− D D
D
Con lo cual: Vo = − Vg
1− D
En este convertidor la transferencia de energía entre la fuente y la carga se

realiza a través del condensador C1. Su principal ventaja radica en que la corriente
suministrada por la fuente primaria es continuada debido a la conexión en serie de
L1 y Vg.
3.6. Convertidor SEPIC
El convertidor SEPIC (Single-Ended Primary Inductance Converter), al

igual que los anteriores, también permite obtener una tensión de salida mayor o
menor que la tensión de entrada, pero sin invertir la tensión de salida respecto de
la entrada. Su esquema eléctrico se muestra en la figura 3.6.
Tesis Doctoral 104

Convertidor SEPIC
Figura 3.6 Convertidor SEPIC.
En el periodo de conducción del interruptor, la fuente Vg suministra

energía al inductor L1; mientras que el inductor L2 también almacena energía
debido a la tensión VC1. El diodo queda polarizado inversamente debido a la
tensión de C1 y C2. Las corrientes iL1 e iL2 circulan a través del interruptor con
pendientes positivas. Durante el intervalo de no conducción del interruptor, la
energía almacenada en L1 y L2 es transferida a la carga.
Suponiendo corriente continuada por L1 y L2, y que la tensión en C1

permanece constante; la aplicación de la ley de Kirchoff de tensiones para el
intervalo de conducción, el cual dura entre 0 y TON, proporciona:
diL1 di
Vg = L1 y VC1 = − L2 L 2
dt dt
diL1 di
Vg − VC1 − Vo = L1 y Vo = L2 L 2
dt dt

en los dos inductores y operando, se obtiene:
Vo (1 − D)
VC1 = Vg =
D
D
Con lo cual, Vo = Vg
1− D
Tesis Doctoral 105

Convertidor SEPIC
En este convertidor, al igual que ocurría en el de Cuk, la transferencia de

energía entre la fuente y la carga se realiza a través del condensador C1. También,
la corriente suministrada por la fuente primaria es continuada debido a la
conexión en serie de L1 y Vg.
3.7. Convertidor Zeta
Este convertidor es similar al SEPIC, ya que también permite obtener una

tensión de salida mayor o menor que la tensión de entrada y no invierte la
polaridad de la tensión de salida respecto de la de entrada. La diferencia
fundamental entre ambas topologías radica en la posición relativa de los
componentes y en que la corriente por la fuente de entrada para el Zeta es
discontinua. Su esquema eléctrico se muestra en la figura 3.7.
Figura 3.7 Convertidor Zeta.
En el periodo de conducción del interruptor, la fuente Vg suministra

energía a ambos inductores y a la carga. El diodo queda polarizado inversamente
debido a Vg y la tensión de C1, ya que Vc1 = -Vo. Las corrientes iL1 e iL2 circulan a
través del interruptor con pendientes positivas. Durante el intervalo de no
conducción del interruptor, la energía almacenada en L1 es liberada sobre C1. y la
de L2 sobre la carga a través del diodo. Suponiendo corriente continuada por L1 y
L2, y que la tensión en C1 permanece constante, la aplicación de la ley de Kirchoff
de tensiones para el intervalo de conducción, el cual dura entre 0 y TON,
proporciona:
Tesis Doctoral 106

Convertidor Zeta
diL1 di
Vg = L1 y Vg − VC1 − Vo = L2 L 2
dt dt
diL1 di
VC1 = L1 y − Vo = L2 L 2
dt dt

en los dos inductores y operando se obtiene:
Vg ⋅ D
Vo =
(1 − D)
3.8. Convertidores CC/CC como emuladores de

resistencia variable
La realización de giradores empleando convertidores CC/CC en 1987 [71

y 72], puede ser considerada la primera referencia a los emuladores de resistencia
mediante convertidores CC/CC. Un girador es una red de dos puertos que permite
construir una impedancia conectada en el puerto de salida, en su dual, vista desde
la entrada, respecto de la conductancia de giro g [73], de esta forma, el girador
convierte una capacidad en un inductor, una resistencia en una conductancia, una
fuente de tensión en una de corriente, y viceversa. En la figura 3.8 se muestra el
símbolo eléctrico y las ecuaciones genéricas del girador. En la figura 4.9 se
muestran distintas configuraciones del girador.
i1 g i2
 v1   0 1 g   v2 
 =  
v1 v2  i1   g 0   −i2 
i1 = gv2 ; i2 = − gv1
Figura 3.8 Girador.
Tesis Doctoral 107

Convertidores CC/CC como Emuladores de Resistencia
Existen diferentes modelos de circuitos equivalentes que permiten

caracterizar el comportamiento de un convertidor CC/CC, tanto en modo
continuado como discontinuo: modelos de pequeña y gran señal, modelos
basados en transformadores de CC y modelos basados en el girador. Sin embargo,
el modelo que mejor describe el funcionamiento de un convertidor CC/CC como
emulador de resistencia, es el basado en el girador, denominado loss-free resistor
(LFR) [74].
i1 g i2
dv2
v1 C v2 i2 = −C
dt
i 
d 1
g C di C
− gv1 = −C   ⇒ v1 = 2 1 ⇒ LEmulada = 2
dt g dt g
i1 g i2
v1 L v2 CEmulada = g 2 L
i1 g i2
1
v1 R v2 GEmulada =
R g2
Figura. 3.9 Diferentes configuraciones del Girador.
Un LFR es una red de dos puertos, cuyo puerto de entrada presenta una
característica I-V resistiva, y el de salida una fuente de potencia Po cuyo valor se
corresponde con la potencia absorbida por la entrada, figura 3.10a. Toda la
potencia consumida por la resistencia emulada a la entrada (Ri) es transferida al
Tesis Doctoral 108

puerto de salida. Algunas realizaciones y aplicaciones del modelo LFR pueden

ser consultadas en [75 y 76].
La potencia en los terminales de entrada del convertidor se puede expresar

mediante:
Vg 2
P=
Ri
Y la potencia en la resistencia R por:
V2
P=
R
Suponiendo un modelo sin pérdidas, ambas potencias han de ser iguales:
Vg 2 V2
P= =
Ri R
Por tanto, la relación de tensiones salida entrada estará dada por la relación
de las dos resistencias:
V R
=± (3.32)
Vg Ri
La sustitución en la ecuación (3.32) de todas las relaciones de conversión

salida-entrada obtenidas (con V = Vo), para los convertidores analizados en los
apartados anteriores, tanto en CCM como en DCM, proporciona las ecuaciones
que se muestran en la tabla 3.1.
Tesis Doctoral 109

TABLA 3.1: Expresiones de Ri/R en CCM y DCM para los diferentes convertidores.
Ri/R (CCM) Ri/R (DCM)

2
1 1  8⋅ L 
Convertidor Buck 1 + 1 + 
D2 4  R ⋅ D 2 ⋅ Ts 
4
2
(1 − D )  
2
Convertidor Boost 2 ⋅ R ⋅ D 2 ⋅ Ts
1 + 1 + 
 L 
 
(1 − D )
2
2⋅ L
Convertidores Buck-Boost
D2 R ⋅ D 2 ⋅ Ts
De las relaciones mostradas en la tabla 3.1 puede deducirse que sólo los
convertidores con relación de conversión buck-boost (en CCM), permiten emular
resistencias de entrada en el intervalo [0, ∞).
Tesis Doctoral 110

Ig I
P
Vg Ri ( D ) V R
a) Modelo LFR de un convertidor.
I
I
1
m=
Ri ( D )
V Ri ( D ) V
b) Características de entrada de un LFR.
I
I
P =V ⋅ I
V V
c) Características de salida de un LFR.
Figura. 3.10 Características de entrada y salida de un LFR.
El modelo basado en el girador permite la incorporación de los efectos

debido al rizado de tensión y corriente producidos tanto a la entrada como a la
salida del convertidor, tal y como se muestra en la figura 3.11, lo cual permite
hacer extensivo el modelo para valores instantáneos de tensión, corriente y
potencia [77].
Tesis Doctoral 111

∆vg ∆v
I
Ig P
Vg ∆ig Ri ( D ) V R
Figura. 3.11 Modelo de gran señal del LFR.
Para obtener una característica de entrada lo más próxima posible a una

resistencia, la componente de rizado generada por el propio proceso de
conmutación implícito en la conversión CC/CC, debe ser minimizada tanto como
sea posible. Esto es, debe cumplirse que:
∆vg ∆ig
1 y 1
Vg Ig
Una forma usual de reducir el rizado es utilizar un filtro paso bajo y

aumentar la frecuencia de conmutación. Sin embargo, si bien esto reduce el
tamaño de los componentes del filtro, produce el efecto negativo de aumentar las
pérdidas por conmutación. Por último la incorporación de capacidades e
inductancias añade impedancias reactivas no deseadas a la resistencia emulada.
Por tanto, cuando se emplea un convertidor CC/CC como emulador de
resistencia, se han de tener en cuenta tres aspectos: el rizado, las pérdidas en
conmutación y la calidad de la resistencia emulada.
Además de lo mencionado anteriormente, se han desarrollado dos técnicas

para reducir el rizado: intercalando el funcionamiento de varios convertidores
[78, 79, 80, y 81], y empleando inductores acoplados magnéticamente [82 y 83].
La principal aplicación de los convertidores CC/CC como emuladores de

resistencia ha sido en la corrección activa del factor de potencia (PFC, Power
Factor Correction) o como prerreguladores [84-93]. En este caso, se intercala un
Tesis Doctoral 112

convertidor entre el rectificador y el filtro capacitivo (fig. 3.12) de una fuente de

alimentación, para conseguir que la corriente siga a la tensión y así obtener un
factor de potencia cercano a la unidad.
iL L D
iFase Io
VL
vFase VS Q CFiltro Vo Carga
Convertidor
Elevador
Figura 3.12 Corrección activa del factor de potencia mediante convertidor Boost.
Esta técnica permite conseguir un factor de potencia elevado si se hace

conmutar al MOSFET de forma que la intensidad de entrada sea prácticamente
senoidal y en fase con la tensión de la red. Un control en modo corriente del
convertidor hace que la señal de referencia para la intensidad por la inductancia
sea un seno rectificado, ya que se obtiene del producto de una señal con forma de
onda senoidal y una señal constante que representa el error de tensión de salida.
Esta propiedad del proceso de conversión CC/CC para actuar como

emulador de resistencia, puede ser aplicada en la obtención de curvas I-V de
módulos fotovoltaicos [94, 95 y 96] y otras fuentes de potencia [97]. Esto puede
ser explicado tomando como base la figura 3.13 que representa, para una
temperatura y radiación dadas, la curva I-V de un módulo FV. En esta figura se
dibuja una recta cuya pendiente va aumentando desde cero (Ri = ∞) hasta infinito
(Ri = 0), y por tanto describiendo punto a punto la curva del módulo FV cuando
se varía el ciclo de servicio del convertidor.
Las tres configuraciones de convertidores CC/CC son similares a un

transformador de CC, tanto en CCM como en DCM. En un transformador de CC
la relación de transformación puede ser controlada electrónicamente variando el
ciclo de servicio D del convertidor en el rango [0, 1].
Tesis Doctoral 113

rA
Ri = 0
I sc
rB
A
IA B
IB
Corriente [I ]
C rC
IC
Ri = ∞
0 VA VB VC Voc
Tensión [V ]
Figura 3.13 Curva I-V de un módulo FV.
En la tabla 3.2 se muestra, para las diferentes topologías de convertidores,

la relación entre la resistencia efectiva (Ri) vista por el generador que alimenta el
convertidor, con respecto a la conectada en su salida (R). En esta tabla, para
definir el límite entre CCM y DCM se utiliza un parámetro K, cuya principal
particularidad es que está definido de la misma forma para las tres topologías de
convertidores estudiadas:
2 ⋅ Leq
K=
R ⋅ TS
TABLA 3.2 Valores de Ri, Rcrit, y Kcrit. para los diferentes convertidores.
Kcrit. Rcrit. Ri (CCM) Ri(DCM)
( )
Convertidor reductor 2 Leq . R R 2
(1 − D ) 1 + 1 + 4K 2
(Buck) (1 − D ) TS D2 4 D
4⋅R
Convertidor elevador 2 Leq .
D (1 − D ) R (1 − D )
2 2 2
 2 
D (1 − D ) TS 1 + 1 + 4 D K 
2
(Boost)
 
Convertidores reductores- 2 Leq . R (1 − D )
2
K ⋅R
(1 − D )
2
(1 − D )
2
elevadores (Buck-Boost) TS D2 D2
2 Leq
Donde K= DCM ocurre para K<Kcrit. o R>Rcrit.
RTS
El parámetro adimensional K es una medida de la tendencia del
convertidor para evolucionar a CCM. Grandes valores de K llevan al convertidor
Tesis Doctoral 114

a CCM, mientras pequeños valores de dicho parámetro hacen funcionar al

convertidor en DCM. El valor Kcrít. establece el límite entre ambos modos y es
función del ciclo de servicio D. Por tanto, si K es mayor que Kcrít., entonces el
convertidor funcionará en CCM para todos los valores del ciclo de trabajo dentro
del rango [0, 1].
Teniendo en cuenta las expresiones de Ri dadas en la tabla 3.2 y que el

rango de D se encuentra en el intervalo [0, 1], se pueden establecer las
conclusiones siguientes:
De la tabla 3.2 se deduce que para el convertidor reductor, la variación de

D en el intervalo [0, 1] hace que la resistencia Ri (CCM) tome valores en el
intervalo Ri (CCM ) ∈ [ R , ∞ ) , y la resistencia Ri (DCM) se encuentra en el rango
R
( ) 
,∞ .
2
Ri ∈  ⋅ 1 + 1 + 4 K
4 
De acuerdo con estas expresiones, un convertidor reductor no puede

emular a su entrada resistencias menores que la conectada en su salida (fig. 3.14);
por tanto, si se utilizara para reproducir la curva I-V de un módulo, no podría
emular los valores cercanos a la corriente de cortocircuito del panel FV.
Figura 3.14 Representación de Ri/R en función de D para el convertidor Reductor en CCM.
Tesis Doctoral 115

 
 4⋅ R 
En este caso, Ri (CCM ) ∈ [ 0, R ] y Ri ( DCM ) ∈  , R
( )
2
 1+ 1+ 4 
 K 
Lo cual indica que un convertidor elevador no puede emular resistencias

mayores que la conectada en su salida (fig. 3.15); por tanto, no permite reproducir
los valores próximos a la tensión de circuito abierto cuando se emplea para
caracterizar la curva I-V de un módulo FV.
Figura 3.15 Representación de Ri/R en función de D para el convertidor Elevador en CCM.
Convertidores Reductores-Elevadores
Para los convertidores con relación de conversión buck-boost se cumple:
Ri (CCM ) ∈ [ 0, ∞ ) y Ri ( DCM ) ∈ [ K ⋅ R, ∞ )
Por tanto, estas configuraciones son capaces de realizar un barrido

completo de la curva I-V de un módulo en CCM (fig. 3.16), desde la tensión en
circuito abierto (Voc), hasta la corriente de corto circuito (Isc).
Tesis Doctoral 116

Figura 3.16 Representación de Ri/R en función de D para los convertidores con relación de
conversión buck-boost en CCM.
Del análisis teórico realizado se deduce que las configuraciones con

relación de conversión buck-boost son las adecuadas para realizar la medida y
caracterización de la curva I-V de un generador FV [98 y 99].
Como complemento al análisis teórico anterior, se van a realizar a

continuación comprobaciones prácticas mediante simulación. La simulación ha
sido realizada con MatLab/Simulink®; el modelo de módulo implementado está
basado en las ecuaciones que describen la corriente y la tensión de un módulo FV
[3], con los parámetros del módulo BP Saturno (ns = 60 y np = 1). Se han tomado
como ejemplo dos configuraciones reductoras-elevadoras SEPIC (figura 3.6) y
Cuk (figura 3.5), y la configuración elevadora (figura 3.3). En la figura 3.17 se
muestra el modelo de módulo implementado conectado a las estructuras SEPIC,
Cuk y Boost, El barrido del ciclo de servicio ha sido implementado mediante la
comparación de dos señales triangulares de la misma amplitud, y una relación de
frecuencias de 103; la frecuencia de la señal PWM obtenida es establecida por la
portadora de 25 kHz, mientras que la señal triangular de baja frecuencia establece
el número de puntos del barrido.
Las figuras 3.18 y 3.19 muestran los resultados de la simulación para los
convertidores SEPIC, Cuk y Boost, para las mismas condiciones de irradiancia,
temperatura y carga (R = 5 Ω). En estas figuras, se pueden apreciar las
Tesis Doctoral 117

predicciones del análisis teórico realizado. En la figura 3.18 puede observarse la

capacidad de las topologías SEPIC y Cuk para reproducir todos los puntos de la
característica I-V de un módulo, incluyendo Voc e Isc. Mientras que la figura 3.19
muestra la imposibilidad del convertidor Boost para reproducir los puntos
cercanos a Voc. Resultados similares se obtendrían con el convertidor Buck, pero
en este caso, este convertidor no permitiría reproducir los puntos cercanos a Isc.
a) Convertidor SEPIC.
b) Convertidor Cuk.
C) Convertidor Boost.
Figura 3.17. Convertidores SEPIC, Cuk y Boost implementados con

MatLab /Simulink®.
Tesis Doctoral 118

a) Barrido de i(t) y v(t) obtenidos con el convertidor SEPIC.
b) Curvas I-V y P-V obtenidas con el convertidor SEPIC.
c) Barrido de i(t) y v(t) obtenidos con el convertidor Cuk.
d) Curvas I-V y P-V obtenidas con el convertidor Cuk.

Figura 3.18. Resultados de simulación obtenidos para los convertidores SEPIC y Cuk.
Tesis Doctoral 119

a) Barrido de i(t) y v(t) obtenidos con el convertidor Boost.
b) Curvas I-V y P-V obtenidas con el convertidor Boost.

Figura 3.19. Resultados de simulación obtenidos con el convertidor Boost.
3.9. Análisis comparativo de diferentes

configuraciones Reductoras-Elevadoras
Tanto las topologías con un solo inductor: Buck, Boost, CSC (Canonical
Switching Cell) y Bu-BoSIC (Buck-Boost Single Inductor Converter), como las
que emplean dos inductores (Cuk, SEPIC y Zeta), así como combinaciones:
Boost-Buck en cascada y Buck-Boost en cascada (topologías con dos
interruptores); han sido ampliamente analizados en la literatura desde diversos
puntos de vista (relación de tensión, principio de funcionamiento, strés eléctrico
de corriente y tensión, y rendimiento) [100-106].
En este apartado se realiza una comparación de diferentes convertidores

CC/CC con relación de conversión buck-boost. Concretamente se evalúan ocho
topologías con dicha relación de conversión, y por tanto con capacidad para
reproducir completamente la curva I-V de un módulo FV. Los convertidores son
Tesis Doctoral 120

Comparación de diferentes Configuraciones Buck-Boost
analizados atendiendo a los aspectos siguientes: rizado producido en la entrada,

condiciones de funcionamiento de los dispositivos de potencia y de los
componentes pasivos que forman cada una de las estructuras, y capacidad para
implementar aislamiento entre la entrada y la salida [107].
Los ocho convertidores mostrados en la figura 3.20 proporcionan la misma

relación de conversión dada por la ecuación 3.33.
D D
Vo = Vg e I g = Io
1− D 1− D
Vg R ⋅ (1 − D ) (3.33)
2
Ri ( CCM ) = = ⇒ Ri (CCM ) ∈ [ 0, ∞ )
Ig D2
Convertidor Buck-Boost con un solo inductor
Un convertidor Buck-Boost con un solo inductor (Bu-BoSIC, Buck-Boost

Single Inductor Converter) (figura 3.20a) proporciona una tensión de salida
mayor o menor que la aplicada a su entrada, pero con polaridad opuesta. La
principal ventaja del convertidor Bu-BoSIC es su número reducido de
componentes. Sus inconvenientes son el rizado elevado a la entrada y la tensión
también elevada que han de bloquear tanto el interruptor de potencia como el
diodo. El inductor L actúa como elemento de transferencia de energía entre la
entrada y la salida.
Convertidor Cuk
El convertidor Cuk (figura 3.20b) también proporciona una tensión de

salida con polaridad opuesta respecto de la aplicada a su entrada. El condensador
C1 actúa como elemento de transferencia de energía entre la salida y la entrada.
Una ventaja importante de este convertidor es que tanto la corriente a la entrada
como a la salida es continuada. Su principal inconveniente es el elevado número
Tesis Doctoral 121

de componentes pasivos necesarios y la mayor capacidad de tensión del

condensador C1. Una versión aislada del convertidor Cuk puede ser obtenida
intercalando un transformador de alta frecuencia en los extremos del condensador
C1 .
L1 C1 L2
S iL1 iL 2
ig iL D io
ig VL1 VL 2 io
Vg VL C Vo R VC 1
L
Vg S1 D C2 Vo R
a) Convertidor Buck-Boost con un solo

inductor (Bu-BoSIC). b) Convertidor Cuk.
L1 C1 C1
iL1 D L2 iL2
ig VL1 io ig S1 VL2
VC 1 iL1 VC 1 io
Vg S1 L2 VL2 C2 Vo R Vg C2 Vo R
VL1 L1 D
iL 2
c) Convertidor SEPIC. d) Convertidor Zeta.

C1 iL L D2
ig
ig S1 VL io
S1 VC1 D
io Vg D1 S2 C Vo R
Vg iL C2 Vo R
VL L
f) Convertidor Buck-Boost en cascada (Bu-Bo-CC).
e) Convertidor CSC.
i1 i′1 N1 N 2 i2
iL1 L1 D1 L2 io
D
ig VL1 S2 VL2 ig Lµ V1 V2 C Vo R
io
Vg S1 VC 1 C1 D2 C2 Vo R Vg
S1
g) Convertidor Boost-Buck en cascada (Bo-Bu-

CC) h) Convertidor Flyback.
Figura 3.20. Convertidores reductores-elevadores evaluados.
Tesis Doctoral 122

Convertidor SEPIC
El convertidor SEPIC (Single-Ended Primary Inductance Converter)

(figura 3.20c) debe su denominación a que en su versión aislada, la potencia fluye
a través del transformador con una única polaridad de tensión en el primario -
Single-Ended Primary Inductance -, fue desarrollado en los laboratorios AT&T
Bell en 1970 [108], con la intención de diseñar una nueva topología con mejores
propiedades que sus contemporáneas. El convertidor SEPIC no produce una
tensión invertida a su salida, y al igual que el convertidor Cuk, el terminal de
control del interruptor de potencia está referido a la tensión negativa del
generador, lo cual facilita la implementación de circuitos de excitación. En el
convertidor SEPIC la transferencia de energía entre la entrada y la salida se
realiza a través de L1 y C1. La capacidad de tensión del condensador C1 es menor
que la del convertidor Cuk la corriente de entrada no es pulsatoria. Una versión
aislada del convertidor SEPIC puede ser obtenida usando un transformador de
alta frecuencia en lugar del inductor L2.
Convertidor Zeta
El convertidor Zeta (figura 3.20d) es también denominado SEPIC inverso,

debido a que este convertidor puede ser obtenido intercambiando el puerto de
entrada con el de salida. Estos dos convertidores mantienen una relación dual y
por tanto de bidireccionalidad. En el convertidor Zeta la transferencia de energía
entre la entrada y la salida se realiza también a través de L1 y C1. El inconveniente
principal de este convertidor radica en que la corriente de entrada es pulsante.
Una versión aislada del convertidor Zeta puede ser obtenida usando un
transformador de alta frecuencia en lugar del inductor L1.
Tesis Doctoral 123

Convertidor CSC
El convertidor CSC (Canonical Switching Cell) [101] (figura 3.20e) es

considerado la configuración básica para muchos convertidores. Así por ejemplo,
si dos inductores L1 y L2 son añadidos al circuito mostrado en la figura 3.20e, en
lugar del inductor L, el convertidor CSC se convierte en el Cuk. En el convertidor
CSC la transferencia de energía entre la entrada y la salida se realiza a través de L
y C, la principal ventaja de este convertidor radica en el número reducido de
componentes necesarios para realizar la conversión. Además, la corriente de
entrada es no pulsatoria. Al igual que el Cuk, requiere un condensador con
capacidad de tensión mayor que el necesario para el convertidor SEPIC.
Conexiones en cascada
La relación de conversión buck-boost puede ser obtenida mediante la

conexión en cascada de dos configuraciones básicas, el convertidor reductor y el
convertidor elevador (figuras 3.20f y g), de esta forma la relación de conversión
del conjunto es el producto de cada una de las relaciones individuales, cuando los
dos interruptores funcionan con el mismo ciclo de servicio. Dicha relación de
conversión puede ser obtenida empleando como primera etapa un convertidor
reductor, resultando un Buck-Boost en cascada (Buck-Boost-Cascaded Converter,
Bu-Bo-CC); o bien empleando una primera etapa formada por un convertidor
Boost, con lo cual se obtiene un Boost-Buck en cascada (Boost-Buck-Cascaded
Converter, Bo-Bu-CC). La principal diferencia entre ambas topologías es el
menor número de componentes requeridos por la configuración Bu-Bo-CC.
Además, el convertidor Bu-Bo-CC exhibe corriente de entrada no pulsatoria y
ambos no invierten la tensión obtenida a la salida. En el convertidor Bu-Bo-CC la
transferencia de energía entrada-salida es realizada mediante el inductor, mientras
que en el Bo-Bu-CC es realizada a través del condensador C1. El mayor número
de componentes de esta configuración compensa, en cierta mediada, la menor
capacidad de bloqueo requerida para los interruptores y diodos.
Tesis Doctoral 124

Convertidor Flyback
El convertidor Flyback es una versión aislada del convertidor Bu-BoSIC,

donde el inductor es remplazado por un transformador Flyback. Un transformador
Flyback (FBT) funciona a frecuencias mucho más altas (mayores de 10 kHz) que
un transformador habitual. El núcleo de este transformador es de ferrita que a
estas frecuencias de trabajo tiene mejores propiedades que el núcleo de chapas
con entrehierro de un transformador convencional. Una de las aplicaciones más
conocidas del FBT es como transformador de líneas para alimentación de tubos
de rayos catódicos.
La figura 3.20h muestra dicho convertidor con un modelo eléctrico simple

del transformador, el cual incluye la inductancia magnetizante Lµ vista desde el
devanado primario, junto con un transformador ideal con relación de espiras
N1/N2. La relación de conversión en CCM para el convertidor Flyback incluye la
relación de espiras y esta dada por la ecuación siguiente:
D N2 D N2
Vo = Vg ⋅ e I g = Io ⋅
1 − D N1 1 − D N1
El valor de la inductancia magnetizante Lµ establece la banda entre CCM y

DCM para este convertidor; por tanto Lµ es un parámetro importante de diseño.
La principal desventaja del convertidor Flyback es que el interruptor de potencia
S1 se encuentra conectado en serie con el generador, lo cual da origen a que la
corriente suministrada por dicho generador sea pulsante.
A continuación se comparan las diferentes configuraciones analizadas en

términos de rizado de entrada y tamaño de los elementos que las configuran. En
todos los casos se supone que los convertidores funcionan en CCM, para las
mismas condiciones de carga e igual barrido del ciclo de servicio.
Tesis Doctoral 125

Condiciones de funcionamiento de los elementos que

forman los convertidores analizados
En las tablas 3.3 y 3.4 se muestra un resumen de la tensión y la corriente

que han de soportar, tanto el interruptor/es como el/los diodo/s, para cada uno de
los convertidores analizados.
Todos los semiconductores de las topologías que emplean un solo

interruptor están sometidos a las mismas condiciones de tensión, mientras que en
las topologías con dos interruptores la tensión de bloqueo es menor, pero por
contra estas configuraciones requieren un mayor número de dispositivos activos.
TABLA 3.3 Tensión de bloqueo en los semiconductores para las topologías analizadas.
Interruptor/es Diodo/s
SEPIC Vg+Vo Vg+Vo
Cuk Vg+Vo Vg+Vo
Zeta Vg+Vo Vg+Vo
CSC Vg+Vo Vg+Vo
Bu-BoSIC Vg+Vo Vg+Vo
Flyback Vg+Vo N1/N2 Vg N2/N1+Vo
Bo-Bu-CC Vg+Vo Vg+Vo
Bu-Bo-CC S1=Vg y S2=Vo D1=Vg y D2=Vo
Respecto de la corriente, tanto para los diodos como para los interruptores,
se establece una mayor similitud. Los interruptores deben permitir una
circulación de corriente media igual a la del generador (Ig), y los diodos la de la
carga (Io).
En la tabla 3.5 se resume la tensión media que debe manejar el

condensador de enlace entre la entrada y la salida C1. Puede observarse que sólo
en la topología SEPIC la tensión en dicho condensador es igual a la del generador
de CC.
Tesis Doctoral 126

TABLA 3.4 Corriente media por los semiconductores para las topologías analizadas.
Interruptor/es Diodo/s
Vg D 2 Vg D
SEPIC R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
Vg D 2 Vg D
Cuk R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
Vg D 2 Vg D
Zeta R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
Vg D 2 Vg D
CSC R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
Vg D 2 Vg D
Bu-BoSIC R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
2
Vg D 2  N2  Vg D  N 2 
Flyback R ⋅ (1 − D )
2    
R ⋅ (1 − D )  N1 
 N1 
Vg D 2 Vg D 2
S1 = D1 =
R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
Bo-Bu-CC
Vg D 2 Vg D
S2 = D2 =
R ⋅ (1 − D ) R
Vg D 2 Vg D
Bu-Bo-CC R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
TABLA 3.5 Tensión media en el condensador C1 para las topologías analizadas.
VC1
SEPIC Vg
Cuk Vg+Vo
Zeta Vo
CSC Vg+Vo
Bu-BoSIC N/A
Flyback N/A
Bo-Bu-CC Vg+Vo
Bu-Bo-CC N/A
Rizado de corriente a la entrada
Para caracterizar la curva característica I-V de un módulo fotovoltaico de

forma fiable, el barrido de los diferentes puntos que la configuran debe realizarse
progresivamente, o varias veces durante varios ciclos, pero con bajo rizado.
Cuando el interruptor S1 es conectado en serie con el generador, como ocurre en
los convertidores Zeta, Bu-BoSIC, Flyback y Bu-Bo-CC, la corriente
Tesis Doctoral 127

suministrada por el generador es pulsatoria con gran contenido de armónicos. Por

tanto, desde este punto de vista, las configuraciones anteriores no son las más
adecuadas para reproducir la curva I-V de un módulo FV. Esto no ocurre en los
convertidores Cuk, SEPIC, CSC y Bo-Bu-CC, con lo cual, estas configuraciones
proporcionan un menor rizado en la corriente de entrada y menos problemas de
ruido. Una ventaja adicional del convertidor SEPIC y el Cuk, es que sus
inductores pueden ser acoplados magnéticamente, lo cual permite disminuir el
rizado de forma apreciable.
Tamaño de los inductores
Los parámetros utilizados para determinar el tamaño de los inductores son

el balance voltios-segundos, o tensión aplicada durante un periodo de
conmutación, y el valor eficaz o medio de la corriente a través del inductor.
La ecuación siguiente permite calcular la tensión aplicada durante un

periodo de conmutación para todos los convertidores evaluados.
Vg Vo
v ⋅ s = Vg D TS = TS
Vo + Vg
En la tabla 3.6 se muestra para cada uno de los convertidores analizados,

la corriente media por los inductores en un periodo de conmutación.
La tabla 3.6 muestra que los convertidores CSC, Bu-BoSIC y Bu-Bo-CC,

requieren la mayor corriente a través del inductor L1 para las mismas condiciones
de carga y barrido del ciclo de servicio. Además, el inductor L2 de la topología
SEPIC requiere una corriente media mayor, para las mismas condiciones de
carga, tensión de entrada y ciclo de servicio que el resto de topologías. Por tanto,
desde este punto de vista, los convertidores Cuk, Zeta y Bo-Bu-CC requieren un
menor tamaño del inductor L2.
Tesis Doctoral 128

TABLA 3.6 Corriente media a través de los inductores, para las topologías analizadas.
IL1,AVG IL2,AVG
Vg D 2 Vg D
SEPIC R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
2
Vg D 2 Vg D
Cuk R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
Vg D 2 Vg D
Zeta R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
Vg D
CSC R ⋅ (1 − D )
2 N/A
Vg D
Bu-BoSIC R ⋅ (1 − D )
2 N/A
2
Vg D  N2 
Flyback 2 
R ⋅ (1 − D )  N1 
 N/A
Vg D 2 Vg D
Bo-Bu-CC R ⋅ (1 − D )
2
R ⋅ (1 − D )
Vg D
Bu-Bo-CC R ⋅ (1 − D )
2 N/A
En la figuras 3.21 y 3.22, se muestran los resultados de simulación para

algunas de las topologías analizadas. La simulación ha sido realizada con
MatLab/Simulink®. El modelo de módulo implementado está basado en las
ecuaciones que describen la corriente y la tensión de un módulo FV [3], con los
parámetros del módulo BP Saturno (ns = 60 y np = 1). El barrido del ciclo de
servicio ha sido implementado mediante la comparación de dos señales
triangulares de la misma amplitud y una relación de frecuencias de 103. La
frecuencia de la señal PWM obtenida es establecida por la portadora de 25 kHz,
mientras que la señal triangular de baja frecuencia fija el número de puntos del
barrido.
Nótese a efectos de simulación los resultados que se obtienen con

cualquier topología reductora-elevadora son prácticamente análogos. En
consecuencia, el decantarse por una topología u otra para implementar un sistema
de captura de las curvas I-V de un generador FV, ha de estar basado en criterios
experimentales y de implementación física.
Tesis Doctoral 129

Teniendo en cuenta las topologías evaluadas y tras un análisis e

implementación de las mismas, se puede concluir que si bien los convertidores
Cuk y SEPIC son muy similares desde diferentes puntos de vista, este último
requiere un tamaño de capacidad C1 menor, lo cual hace que dicha topología sea
la óptima para caracterizar la curva I-V de un generador FV.
a) Convertidor SEPIC.
b) Convertidor Cuk.
C) Convertidor Boost-Buck en cascada (Bo-Bu-CC).
Figura 3.21. Convertidores SEPIC, Cuk y Bo-Bu-CC implementados con

MatLab /Simulink®.
Tesis Doctoral 130

a) Barrido de v(t) e i(t) obtenidos con el convertidor SEPIC.
b) Curvas I-V y P-V obtenidas con el convertidor SEPIC.
c) Barrido de v(t) e i(t) obtenidos con el convertidor Cuk.
d) Curvas I-V y P-V obtenidas con el convertidor Cuk.
Tesis Doctoral 131

e) Barrido de v(t) e i(t) obtenidos con el convertidor Boost-Buck en cascada (Bo-Bu-CC).
f) Curvas I-V y P-V obtenidas con el convertidor Boost-Buck en cascada (Bo-Bu-CC).
Figura 3.22. Resultados de simulación obtenidos para los convertidores

implementados.
3.10. Técnicas de reducción del rizado aplicadas a

convertidores CC/CC
Existen diversas técnicas que permiten reducir el rizado de corriente a la

entrada del convertidor CC/CC, y que por tanto mejoran el comportamiento de
dicho convertidor como emulador resistivo. Esto es de especial importancia para
el objetivo fundamental de esta Tesis, que no es otro que el de implementar un
prototipo experimental de medidor de curvas I-V para generadores FVs. Ha de
tenerse en cuenta que cuanto menor componente de rizado introduzca el
convertidor a su entrada (terminales de salida del generador FV), mayor calidad
de curva I-V se obtendrá. En este apartado se analizan dos de las técnicas de
reducción del rizado más conocidas: reducción del rizado mediante inductores
acoplados e intercalado de convertidores.
Tesis Doctoral 132

Técnicas de Reducción del Rizado: Inductores Acoplados
Inductores acoplados
La condición de rizado cero (Zero Ripple Condiction, ZRC) y el fenómeno

de traslado del rizado de corriente entre inductancias acopladas fue investigado
originalmente en el convertidor Cuk [109], pero puede ser extendido al resto de
topologías con dos o más inductores sometidos a las mismas formas de tensión.
Esta técnica permite reducir el rizado en el generador sin incrementar la
frecuencia de conmutación y sin la necesidad de filtros adicionales.
El circuito eléctrico de las estructuras SEPIC y Cuk con inductores

acoplados, se muestra en la figura 3.23.
a) Convertidor SEPIC. b) Convertidor Cuk.
Figura 3.23. Convertidor SEPIC y Cuk con inductores acoplados.
Las ventajas del acoplamiento magnético aplicado al diseño de

convertidores susceptibles de ello, se refieren a la disminución de tamaño y peso,
y a la mejora del rendimiento del sistema. Sin embargo, la ventaja más importante
que aporta el acoplamiento magnético sobre la estructura SEPIC para la
aplicación de esta Tesis es la reducción del rizado de la corriente de entrada,
debido al acoplamiento magnético entre las dos inductancias del convertidor (L1 y
L2 en la figura 3.23a). Esta posibilidad hace a esta técnica especialmente atractiva
para la obtención de las curvas I-V y P-V de módulos fotovoltaicos [110 y 111].
Respecto de las topología mostradas en la figura 3.23, habría que decir, a

modo de introducción, que un inductor acoplado es un dispositivo que en
convertidores se emplea, principalmente, para almacenar energía durante un ciclo
de conmutación, aunque también puede ser usado para reducir el tamaño del
Tesis Doctoral 133

convertidor, usando un solo núcleo en lugar de dos (o más) para implementar

convertidores con múltiples salidas, y para trasladar el rizado de corriente desde
un devanado a otro. Por otro lado, un transformador se emplea principalmente
para transferir potencia entre los dos devanados que lo forman, para realizar un
escalado de los niveles de tensión y corriente, para aislar eléctricamente dos
sistemas y para obtener múltiples salidas desde un primario.
El análisis cuantitativo de la reducción del rizado en la corriente de entrada

de las topologías de la figura 3.23, puede realizarse utilizando el circuito
equivalente en T de la estructura magnética acoplada mostrada en la figura 3.24.
En dicho modelo, L1 y L2 representan las inductancias de dispersión debidas a
flujos magnéticos no concatenados entre devanados, y Lµ la inductancia
magnetizante.
Lµ
V Lµ = V2
L µ + Ll 2 (3.34)
Por otro lado, la tensión aplicada a Ll viene dada por:

1
di1
VLl = Ll1
1
dt
Si no existe rizado en la corriente de entrada( il ), solo componente de

1
valor medio, se debe cumplir que:
dil1
= 0 ⇒ VLl = 0
dt 1
Tesis Doctoral 134

a) Inductores acoplados. b) Modelo en T.
2
N 
L1 = Ll1 +  1  ⋅ Lµ
 N2 
L2 = Ll2 + Lµ
Figura 3.24. Inductores acoplados y circuito equivalente en T.
Entonces, como:
N1
VLl1 = V1 − VLµ
N2
Un rizado de corriente nulo en la entrada implica que:
N1
V1 = VLµ
N2
Sustituyendo en la expresión anterior el valor de VLµ dado en la ecuación

3.34:
Lµ N1
V1 = ⋅ V2 ⋅
Lµ + Ll2 N2 (3.35)
En los convertidores SEPIC y Cuk, las tensiones en los dos inductores son
iguales, V1 = V2; por tanto, de (3.35) se deduce que la relación a cumplir será:
Tesis Doctoral 135

Lµ N2
=
Lµ + Ll2 N1
Por tanto, la condición para eliminar el rizado de alta frecuencia de la

corriente de entrada será (ZRC):
Lµ N2
Kr = =
Lµ + Ll2 N1 (3.36)
Donde Kr se define como el coeficiente de acoplamiento del secundario.
En realidad, el rizado de alta frecuencia de la corriente en L1 no

desaparece, sino que es trasladado a la inductancia L2.
Del análisis anterior se puede observar que la ZRC es independiente del

valor de la inductancia de dispersión Ll debida al primario. En la práctica,
1
existen dos causas principales que provocan la aparición de un rizado residual en

la corriente de entrada [112]:
• Error en la condición de rizado cero. En diseños prácticos, la condición

de rizado cero (ecuación 3.36) no puede cumplirse en su totalidad,
debido a la dificultad para acoplar los inductores con un número exacto
de espiras.
• Error en el establecimiento de la tensión. Esta no idealidad está

relacionada con la aplicación de distintas tensiones a los inductores (V1
≠ V2). Esto es debido principalmente al rizado existente en la tensión
del condensador.
La cuantificación del rizado residual de la corriente de entrada puede ser

obtenido refiriendo todas las inductancias al primario, e introduciendo en el
análisis las dos no idealidades mencionadas:
Tesis Doctoral 136

di1 1  N1  1   N1  
=  V1 − K r ⋅ ⋅ V2  = (V1 − V2 ) + V2  1 − K r ⋅ 
dt Leq  N2  Leq   N2 
Donde:
2 (3.37)
Ll ⋅ Lµ  N1 
Leq = Ll1 + 2 ⋅ 
Ll2 + Lµ  N 2 
El primer sumando de la ecuación 3.37 cuantifica la contribución al rizado

de la diferencia entre las tensiones aplicadas a las inductancias acopladas, y el
segundo sumando cuantifica la diferencia en la construcción del acoplamiento
magnético.
En la figuras 3.25 y 3.26, se muestran los resultados de simulación

obtenidos cuando se emplean inductores no acoplados y acoplados, para la
reproducción de las curvas I-V de un módulo FV. La simulación ha sido realizada
con PSpice©. El modelo de módulo ha sido implementado mediante bloques
ABM (Analog Behavioral Modeling) y está basado en las ecuaciones que
describen la corriente y la tensión de un módulo FV [3], con los parámetros del
módulo BP Saturno (ns = 60 y np = 1). El barrido del ciclo de servicio ha sido
implementado mediante la comparación de dos señales triangulares de la misma
amplitud y una relación de frecuencias de 103. La frecuencia de la señal PWM
obtenida es establecida por la portadora de 25 kHz, mientras que la señal
triangular de baja frecuencia establece el número de puntos del barrido.
El modelo en T usado por PSpice© para caracterizar dos inductores

acoplados emplea los parámetros siguientes:
• L1 y L2 son los inductores acoplados.
• Kcupling es el coeficiente de acoplamiento entre inductores (0 ≤ Kcupling ≤

1).
• Lm es la inductancia mutua:
Tesis Doctoral 137

Donde: Lm = K coupling L1 ⋅ L2
La ZRC para el modelo utilizado por PSpice© puede ser deducida desde la
N 22 L2
ecuación 3.36, con = y Lm = L2
N12 L1
L2
Por tanto: K r =
L1
Nótese en la figura 3.26 como cuando los inductores que forman la

estructura del convertidor se acoplan magnéticamente, con un grado de
acoplamiento proporcional a la relación entre sus valores inductivos (ZRC), la
tensión y la corriente proporcionadas por el módulo carecen de rizado, los
armónicos se atenúan y el barrido de la curva I-V del módulo puede ser realizado
de forma más fiable.
Figura 3.25. Corriente y tensión en el módulo FV con inductores no

acoplados (Kcoupling = 0, L1 =800µHr y L2 =200µHr). Convertidor SEPIC.
Tesis Doctoral 138

Figura 3.26. Corriente y tensión en el módulo FV con inductores acoplados

(Kcoupling = 0.5, L1 =800µHr y L2 =200µHr). Convertidor SEPIC.
Intercalado de convertidores
El funcionamiento en modo intercalado de convertidores CC/CC se

remonta probablemente a los años setenta [113] y constituye una de las
alternativas más prometedoras [114], en el desarrollo de nuevas técnicas de
paralelización. El modo intercalado exhibe menor amplitud de rizado y menor
contenido armónico que la operación en modo síncrono, sin reducir el
rendimiento de la conversión [115]. Sin embargo, la técnica de intercalado
requiere un mayor número de componentes y de circuitos auxiliares.
Las aplicaciones principales de la técnica de intercalado se encuentran en

la corrección activa del factor de potencia en alta potencia (más de 1,5 kW), y en
reguladores de tensión (VR, voltage regulators) para fuentes de alimentación de
alta potencia a muy baja tensión (más de 150 A y 0,8 V). De entrada, esta técnica
parece especialmente atractiva para la obtención de curvas I-V de módulos y
arrays FVs, debido a su capacidad de reproducir curvas de considerable potencia
con bajo rizado.
Tesis Doctoral 139

Técnicas de Reducción del Rizado: Intercalado de Convertidores
La estructura propuesta en la figura 3.27 para la medida de curvas I-V en

generadores FVs de alta potencia es conceptualmente simple [116, 117 y 118].
Considerando el funcionamiento de N convertidores CC/CC conectados en
paralelo a un mismo generador, la corriente proporcionada por el array (Ig) es
distribuida en N corrientes por los convertidores I1, I2, ……IN. Si todos los
convertidores son controlados de forma síncrona, el sistema se comportaría como
un solo convertidor (en términos de corriente de rizado), mientras que puede
demostrarse [114] que si los convertidores funcionan en modo intercalado, la
amplitud de la corriente de rizado absorbida por los N convertidores en paralelo,
es menor siempre o igual que la requerida por un solo convertidor. Esto es debido
a que el rizado de corriente por el inductor de cada uno de los convertidores se
encuentra desfasado, lo cual da origen a una reducción del rizado de entrada total
por cancelación. El funcionamiento de N convertidores en modo intercalado
requiere que dichos convertidores operen a la misma frecuencia de conmutación,
pero con un desfase de 2π/N radianes en el funcionamiento de cada uno de ellos.
De lo anterior se deduce que la conexión en paralelo de convertidores

SEPIC en modo de funcionamiento intercalado (IOM Interleaved Operation
Mode) puede proporcionar una reducción significativa del rizado de corriente a la
entrada. El análisis cuantitativo de la reducción de dicho rizado en este modo
puede ser caracterizado usando el factor de cancelación (Fc) expresado mediante
la ecuación 3.38.
N −1
i
∆I g ∏ N
−D
FC = =N i =1
para N = 2,3, 4.... (3.38)
∆I i N −1
 i 1
∏  N −D + N
i =1  
El factor de cancelación varía entre 0 y 1, y representa la relación entre el

rizado total a la entrada de la conexión de convertidores (∆Ig), y el rizado en cada
convertidor conectado en paralelo (∆Ii). Cuanto más próximo a cero sea Fc, más
pequeño resulta el rizado de corriente a la entrada, o dicho de otra forma, mayor
es la cancelación de rizados individuales.
Tesis Doctoral 140

La cancelación de rizado no depende sólo del número de convertidores

conectados, sino también del ciclo de trabajo de éstos. En la figura 3.28 se
muestra cómo varía el factor de cancelación de rizado con el ciclo de trabajo para
el caso de conectar en paralelo dos y cuatro convertidores. En esta gráfica se
puede observar que para N = 2, el mejor factor de cancelación en la corriente de
entrada se obtiene para D = 50%, y que para N = 4, no hay rizado a la entrada
para un ciclo de servicio del 25%, 50% y 75%. También para N = 4, la mayor
cancelación de rizado se obtiene para ciclos de trabajo comprendidos entre un
20% y un 80%. Fuera de este intervalo, la cancelación de rizado disminuye.
Generador Ig I1 Convertidor
FV
Vg CC/CC Vo1 R1
1
D1
Convertidor
I2
CC/CC Vo 2 R2
2
D2
IN Convertidor
CC/CC Vo N RN
N
DN
Figura 3.27. Conexión de convertidores CC/CC en paralelo.
Aunque en teoría el problema de anular el rizado podría parecer resuelto,

es necesario destacar que para realizar un barrido completo de la curva I-V de un
generador FV mediante convertidores CC/CC, se requiere que D varíe desde 0 a
1, y por tanto que el ciclo de trabajo no sea fijo. Esta variación de D provoca que
Tesis Doctoral 141

la cancelación del rizado a la entrada no sea del 100% en todo el intervalo, si bien
como se verá, se mejora notablemente.
En la figuras 3.29, 3.30 y 3.31 se muestran el sistema implementado en la

simulación y los resultados obtenidos. El generador FV simulado esta compuesto
de 24 módulos FVs de 80 Wp en configuración serie-paralelo, conectados a
cuatro convertidores SEPIC en paralelo con una resistencia de carga de 5 Ω.
Corriente de Entrada vs Ciclo de Trabajo

1
0 .9
Rizado de la corriente de Entrada
0 .8
Factor de Cancelación ( FC )
0 .7
N =4
N =2
0 .6
0 .5
0 .4
0 .3
0 .2
0 .1
0
0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4 0 .5 0. 6 0 .7 0 .8 0 .9 1
Ciclo de Trabajo ( D )
Figura 3.28. Reducción del rizado de corriente a la entrada del generador FV,
para N = 2 y N = 4.
La simulación, también ha sido realizada con MatLab/Simulink®. El

modelo de módulo implementado está basado en las ecuaciones que describen la
corriente y la tensión de un módulo FV [3], con los parámetros del módulo BP
Saturno (ns = 60 y np = 1). El barrido del ciclo de trabajo ha sido implementado
mediante la comparación de dos señales triangulares de la misma amplitud y una
relación de frecuencias de 103. La frecuencia de la señal PWM obtenida es
establecida por la portadora de 25 kHz, mientras que la señal triangular de baja
frecuencia establece el número de puntos del barrido.
En una primera simulación (figura 3.30), los cuatro convertidores fueron

configurados en modo de operación síncrono (Synchronous Operation Mode,
SOM), con la misma fase, el mismo periodo de conmutación (40 µs), idéntico
Tesis Doctoral 142

barrido del ciclo de servicio e igual ciclo de servicio instantáneo. Posteriormente

(figura 3.31) los cuatro convertidores fueron configurados para operación
intercalada (Interleaved Operation Mode, IOM) con la misma frecuencia de
conmutación que en SOM, pero con instantes de conmutación desfasados una
fracción igual (10 µs) del periodo de conmutación. Como se puede observar,
cuando las curvas son obtenidas en SOM contienen mucho rizado. Sin embargo,
cuando son obtenidas en IOM, tanto la tensión como la corriente muestran bajo
rizado, y la captura de las curvas I-V y P-V son obtenidas con mayor definición.
Figura 3.29. Implementación mediante MatLab/Simulink® de cuatro

convertidores SEPIC en paralelo.
Tesis Doctoral 143

Figura 3.30. Resultados de simulación con cuatro convertidores SEPIC en SOM.
Figura 3.31. Resultados de simulación con cuatro convertidores SEPIC en IOM.
3.11. Conclusiones
En este capítulo se ha descrito un método para la medida de las curvas I-V

y P-V de generadores fotovoltaicos empleando convertidores CC/CC. Para ello,
se han analizado nueve configuraciones diferentes de convertidores (Buck, Boost,
Buck-Boost, CSC, Cuk, SEPIC, Zeta y las conexiones en cascada Buck-Boost y
Boost-Buck), tanto de forma teórica como experimental mediante simulación.
Esto ha permitido establecer que la topología más adecuada para esta aplicación
es la SEPIC, sobre la que se ha establecido un criterio de diseño de los diferentes
componentes que la configuran. De la constatación del rizado que introducen los
convertidores como consecuencia de la conmutación de sus transistores, se
analizan las dos técnicas consideradas más apropiadas para la reducción de este
rizado: mediante el intercalado de convertidores y empleando inductores
Tesis Doctoral 144

Conclusiones
acoplados. En este sentido, se concluye que el intercalado de convertidores,

además de reducir el rizado de corriente, permite la reproducción de curvas de
mayor potencia debido a la paralelización, lo cual resulta una ventaja de esta
técnica frente a la de inductores acoplados.
Tesis Doctoral 145

146
Capítulo 4
Prototipos Experimentales
En este capítulo se muestran los diseños, desarrollos, prototipos y resultados

experimentales obtenidos en esta investigación, tanto de convertidores CC/CC como
de sistemas de medida. Se realiza un estudio y diseño de los circuitos necesarios de
control y de excitación que permiten el correcto funcionamiento de los convertidores
usados, y se proponen algunos sistemas experimentales de medida. Finalmente, en
base a la metodología descrita, se aportan los resultados experimentales referentes a
la medida de las curvas I-V y P-V obtenidas sobre módulos e instalaciones de varios
kW de potencia.
Tesis Doctoral 147

Introducción
4.1. Introducción
Los resultados experimentales que se muestran en este capítulo se refieren a

distintas configuraciones de convertidores CC/CC y prototipos de sistemas de
medida de curvas I-V y P-V. Todos los diseños, desarrollos y montajes están basados
en análisis teóricos y de simulación realizados en los capítulos anteriores. Estos,
junto a la experimentación, han permitido seleccionar la estructura más adecuada
para esta aplicación.
En la verificación experimental de los diferentes prototipos y sistemas, se ha

empleado como instrumento de medida un osciloscopio de prestaciones y calidad
contrastados (LeCroy digital de 500 MHz).
Hubiera sido de interés complementar el trabajo de esta investigación con un

análisis comparativo exhaustivo de los sistemas que aquí se proponen respecto de
los disponibles en el mercado para propósitos análogos. Sin embargo, la información
sobre dichos instrumentos comerciales se encuentra limitada a la proporcionada en
los manuales de funcionamiento y en las páginas webs de los fabricantes, quedando
fuera del alcance presupuestario de este trabajo la adquisición de costosos equipos
con el único fin de compararlos. En virtud de lo anterior, la comparativa se
circunscribe a lo presentado en la tabla 3.1.
El método de medida basado en convertidores CC/CC que se presenta en esta

Tesis, posee características que lo hacen preferible para la medida de las curvas I-V
y P-V de módulos y arrays fotovoltaicos. No obstante, el principal inconveniente de
esta metodología es la generación de rizado de corriente asociada con la técnica de
conmutación, el cual como ya se ha visto en el capítulo anterior, puede ser
minimizado mediante diferentes técnicas. Sin embargo, el uso de convertidores
CC/CC proporciona una alta densidad de potencia, puede funcionar en paralelo para
escalar la potencia y puede ser reconfigurado mediante software.
Tesis Doctoral 148

DCS mediante Microcontrolador
4.2. Implementación del barrido del ciclo de trabajo

mediante microcontrolador
Una de las estrategias más ampliamente utilizadas en el control de

convertidores de potencia es la configuración de su ciclo de trabajo mediante la
técnica de modulación del ancho de pulso (pulse width modulation, PWM). Esta
técnica ha sido una de las mayores áreas de investigación en electrónica de potencia
durante los últimos treinta años, y continua provocando un considerable interés y
atención. La modulación por ancho de pulso o alguna de sus variantes, se encuentra
en casi todos los convertidores de potencia modernos [119 y 120].
Tradicionalmente, la forma de generar PWM a frecuencia constante ha sido

mediante la comparación de una señal triangular (portadora) con una señal de
referencia (moduladora) de frecuencia mucho menor que la primera. Cuando la
amplitud de la moduladora es mayor que la amplitud de la señal triangular, se
obtiene una señal de nivel alto, y en otro caso de nivel bajo. De otro modo, si la
amplitud de la señal moduladora varía desde cero al valor máximo de la señal
portadora, se obtiene un barrido del ancho de pulso (el ciclo de trabajo varía desde 0
a 1). Este método analógico de generación PWM ha sido reemplazado por sistemas
basados en técnicas digitales, los cuales permiten combiar las relaciones de las
señales mediante software y además, proporcionan una mayor fiabilidad y
resolución [121, 122, y 123].
La importancia de la técnica PWM y sus aplicaciones ha motivado que

muchos sistemas digitales como procesadores digital de señal (DSPs, digital signal
processors), microcontroladores (µC), y controladores digitales de señal (DSCs
digital signal controllers), incorporen un módulo capaz de generar este tipo de
señales.
El barrido del ciclo de trabajo (DCS, duty cycle sweep) [124 y 125] de una
señal PWM se utiliza en generadores de barrido de tubos de rayos catódicos y en
generadores de funciones [126], para un amplio rango de frecuencias (por encima de
Tesis Doctoral 149
20 MHz), con rangos elevados del ciclo de trabajo (20% al 80%) y también con muy
pequeños (0,5%).
Un microcontrolador permite realizar el barrido completo del ciclo de trabajo

(desde 0 hasta 1 y viceversa) para distintas frecuencias e intervalos de duración del
incremento y decremento del ciclo [124 y 125]. Esta utilidad ha sido empleada en
esta Tesis para controlar el/los convertidor/es que permiten la reproducción de las
curvas I-V y P-V de los generadores FVs.
El microcontrolador (µC) utilizado para implementar el barrido del ciclo de

trabajo ha sido el PIC 18F252 de Microchip. Las características principales de este
dispositivo pueden ser resumidas en las siguientes: emplea una arquitectura tipo
RISC (reduced instruction set computer, arquitectura de procesador con juego
reducido de instrucciones) para la unidad de control, con un conjunto de 75
instrucciones, las cuales pueden ser ejecutadas a 20 MHz. Utiliza una memoria de
programa tipo FLASH (memoria programable no volátil de bajo consumo) de 32 K
que es más rápida y de mayor densidad que la memoria EEPROM. Como memoria
de datos emplea una EEPROM de 256 bytes. La memoria RAM tiene una capacidad
de almacenamiento de 1.536 bytes. Dispone además de 17 fuentes de interrupciones,
tres puertos E/S, cuatro temporizadores internos y dos módulos
Capture/Compare/PWM (CCP) que proporcionan señales moduladas en anchura de
pulso. Respecto de los módulos para comunicaciones digitales dispone de uno serie
(A/E/USART, universal serial asynchronous receiver transmitter) y otro para bus
I2C (MSSP, SPI/I2C).
Cada módulo CCP, denominados CCP1 y CCP2 (ambos módulos son

prácticamente idénticos), contiene un registro asociado (CCPR1 y CCPR2) de 16
bits que puede trabajar como registro de 16 bits de captura, registro de 16 bits de
comparación, y registro de ciclo de trabajo del PWM. CCPR1 (igual que CCPR2)
esta formado por dos registros de 8 bits: CCPR1H (byte alto) y CCPR1L (byte bajo).
La figura 4.1 muestra un diagrama de bloques simplificado a nivel de registros del
módulo CCP1 en modo PWM.
Tesis Doctoral 150

Figura 4.1 Esquema simplificado del módulo CCP1 en modo PWM.
El modo de operación del módulo es controlado por los 4 bits de menor peso
de otro registro: CCP1CON (CCP1CON<5:4>). El módulo PWM se configura
mediante el Timer 2 (TMR2), el cual se inicializa al valor definido por los 8 bits del
registro PR2. [127 y 128]. El Timer 2 y PR2 permiten ajustar la frecuencia de la señal
PWM almacenada a un valor en el rango 0 a 255. El contenido del temporizador está
formado por una palabra de 10 bits almacenada en los registros CCPR1H y CCPR1L
El periodo de la señal PWM es establecido mediante el valor cargado en el registro
PR2, y esta dado por la ecuación (4.1).
PWM Period = ( PR 2 ) + 1 4 TOSC (TMR 2 Prescale Timer ) (4.1)
El TMR2 Prescale Timer puede ser establecido en 1, 4 o 16. TOSC es el

periodo del reloj interno del µC (FOSC = 20 MHz). Esto establece, que la frecuencia
de la señal PWM pueda ser ajustada entre 1,22 kHz (para PR2 = 0 y Prescale Timer =
1) y 5 MHz (para PR2 = 255 y Prescale Timer = 16). Respecto del ciclo de trabajo D,
es establecido mediante el valor del registro CCPR1L y dos bits del registro
CCP1CON<5:4> de la forma siguiente:
PWM Duty Cycle = ( CCPR1L : CCP1CON < 5 : 4 > ) ⋅ TOSC (TMR 2 Prescale Timer ) (4.2)
Tesis Doctoral 151

El barrido del ciclo de trabajo puede ser realizado tanto en sentido ascendente
como descendente. Esto es, D es incrementado desde el 0% hasta el 100%, lo cual se
consigue aumentando y recargando el temporizador PWM (TMR2) en cada
iteración. Cuando TON = D·T (TMR2 = PWM Duty Cycle · PWM Period) se inicia el
decremento de TON desde el 100% al 0%. Este proceso continua cíclicamente con
intervalos regulares de tiempo.
La salida PWM de 10 bits (1.024 valores discretos desde 0% al 100%)

proporciona una resolución (y frecuencia determinada) dada por la ecuación (4.3).
F 
Log  OSC 
 FPWM  (4.3)
PWM Resolution ( bits ) =
Log ( 2 )
Durante la inicialización del µC todos los registros y funciones son

restaurados. En TMR2 es cargado el valor de PR2 y comienza la cuenta hasta cero;
cuando llega a cero, se produce una interrupción. El algoritmo que realiza el barrido
del ciclo de trabajo ha sido desarrollado usando un compilador de C de Microchip,
fabricante del µC. El programa modifica gradualmente (incrementa o decrementa) la
duración de TON mediante el valor de una variable interna denominada a. El
algoritmo (figura 4.2) inicializa esta variable a 1 y TON decrece gradualmente hasta
el valor inferior establecido (Inferior_Límite). Cuando dicho valor es alcanzado la
variable a toma el valor 0. Como ahora a es distinto de 1, TON se incrementa hasta su
límite superior (Superior_Límite). Lo cual vuelve a provocar que a valga 1.Tanto
Inferior_Límite como Superior_Límite determinan el mínimo y máximo valor de D
en cada caso.
Todos los resultados experimentales han sido obtenidos programando el

microcontrolador para generar una frecuencia de señal PWM de 25 kHz, con Fosc =
20MHz, preescalado de 1/4 y un tiempo de retardo de 1 ms. Para estos valores la
ecuación 4.1 proporciona un valor de PR2 igual a 49 y una resolución de 7,6438
(ecuación 4.3). Este último valor ha sido aproximado al siguiente valor entero, 8
Tesis Doctoral 152

bits. El mínimo tiempo de resolución es igual a un TCY (instruction cycle time, 200
ns) [127 y 128].
DCS_PWM
Inicialización del
Módulo PWM
Inicialización de a = 1
No Si
a = 1?
Incrementa Ton Decrementa Ton
Si No No Si
Ton ≥ Superior_Limite? Ton ≤ Inferior_Limite?
Ton = Superior_Limite Ton = Inferior_Limite

a=1 a=0
Figura 4.2 Diagrama de flujo de la función DCS.
El periodo de barrido (Tsweep) es proporcional a la relación entre el periodo de

conmutación y la frecuencia del reloj interno preescalada. Está dada por la ecuación
(4.4).
TPWM
TSWEEP = t Delay + TPWM  (4.4)
4 TOSC 
Esta ecuación establece un Tsweep de 208 ms, cuando el tiempo de retardo

(tDelay) es de 1 ms y 200 pasos. Este tiempo de barrido se corresponde con un DCS
desde el 0% al 100%. Para un DCS entre el 0% y el 50% se requiere la mitad de
tiempo (104 ms). Si el tiempo de retardo se hace cero, el tiempo de barrido es de
solo 8 ms (el incremento de Ton es realizado cada 40 µs).
De forma paralela a la implementación de los diferentes prototipos de

convertidores se ha diseñado e implementado una tarjeta de ensayo sobre la que
Tesis Doctoral 153

probar algoritmos que permitieran, a distintas frecuencias, realizar el barrido del

ciclo de servicio por tramos y en todo el rango. En la figura 4.3, se muestra una
fotografía de la tarjeta de ensayo implementada, la cual está basada en el µC
analizado.
Figura 4.3 Fotografía de la tarjeta de ensayo.
Los cinco pulsadores y el microinterruptor de la fila superior de la figura 4.3

permiten seleccionar un valor de frecuencia PWM entre diez posibles, en el rango de
10 kHz a 100 kHz, a intervalos de una década, lo cual permite optar entre diez
posibles frecuencias distintas de trabajo. El intervalo de 10 kHz a 50 kHz es cubierto
por los cinco pulsadores, mientras que el intervalo de 50 kHz a 100 kHz es cubierto
por dichos pulsadores cuando está accionado el microinterruptor, con lo cual se
añaden 50 kHz a cada frecuencia base y se completa el rango de frecuencias
indicado.
Al ser accionado uno de los pulsadores para establecer un valor de frecuencia

concreto, se pone en marcha un mecanismo de tratamiento de la interrupción
provocada, que empieza con la identificación del pulsador accionado.
Mediante software también es posible establecer intervalos de recorrido del

ciclo de servicio entre el 0% y el 100%. La figura 4.4 muestra diferentes señales
PWM de distintas frecuencias y ciclos de servicio generados por la placa de ensayo,
capturadas mediante el osciloscopio LeCroy de 500 MHZ.
Tesis Doctoral 154
a)
b)
c)
Figura 4.4 a) Diferentes ciclos de servicio y frecuencias medidos. b) D = 0.5%. c) D = 99.5%.
Tesis Doctoral 155

Diseño de los convertidores CC/CC
4.3. Diseño de los convertidores CC/CC usados en los

prototipos
Los diferentes convertidores CC/CC construidos han sido diseñados para

realizar la medida de curvas I-V de módulos con características eléctricas similares
al I-94/12 de Isofoton. El criterio de diseño que ha permitido seleccionar los
diferentes componentes se encuentra orientado a la estructura SEPIC [99] (figura
4.5), aunque una metodología similar es de aplicación para el resto de convertidores
implementados.
L1 C1
iL1 D
ig VL1 io
VC 1
Vg S1 L2 VL2 C2 Vo R
iL 2
Figura 4.5 Convertidor SEPIC.
La selección del condensador de enlace C1 en un convertidor SEPIC

convencional se realiza suponiendo que la tensión en el condensador permanece
constante. Cuando el convertidor SEPIC es utilizado para reproducir la curva I-V de
un generador FV, dicha suposición presenta dos restricciones: 1) ha de poder
presentar un valor constante durante un periodo de conmutación y 2) ha de seguir la
curva I-V del generador durante el periodo de barrido (frecuencia de barrido, ωSWEEP)
de la misma. Esto se traduce por un lado en que la frecuencia de resonancia (ωr)
establecida por C1, L1 y L2 debe ser mayor que la frecuencia de barrido (para evitar
oscilaciones debido a descargas), y por otro que ωr debe ser menor que la frecuencia
de conmutación (ωS) para asegurar tensión constante durante un periodo de
conmutación. La frecuencia de resonancia debe cumplir además que el convertidor
no funcione en modo discontinuo resonante (DQRM, discontinuous quasi-resonant
mode) ni con tensión discontinua en el condensador (DCVM, discontinuous-
Tesis Doctoral 156

capacitor-voltage mode). Las restricciones anteriores pueden ser expresadas

mediante la inecuación siguiente.
1 D 2 TS
ω S > ω r > ω SWEEP ; con ω r2 = y C1 >
C1 ( L1 + L2 ) 2R
Si fS = 100 fr y fr = 10 fSWEEP, con un periodo de conmutación (Ts) de 40 µs las

inecuaciones anteriores se satisfacen para C1 = 470 µF.
Un periodo de conmutación de 40 µs (fS = 25 kHz), permite obtener curvas

con poco rizado y bajas pérdidas debidas a la conmutación. Mayores frecuencias de
conmutación provocan mayores pérdidas, mientras que menores requieren mayores
valores del filtro LC, lo cual provoca en este caso mayores pérdidas debidas al
aumento de las resistencias parásitas asociadas con dichos componentes. La elección
de la frecuencia de conmutación no es nada sencillo, debido a que este parámetro
influye directamente en las pérdidas en los componentes pasivos y activos, y en el
rizado de la corriente y por tanto de la tensión de entrada.
La selección de los inductores L1 y L2 se ha realizado fijando un valor límite

del rizado para la corriente máxima a la frecuencia de conmutación, y para la
máxima corriente proporcionada por el generador FV. El valor pico a pico del rizado
de corriente está dado por la ecuación siguiente.
Vg
∆iL1 = DTS
L1
Teniendo en cuenta que el valor máximo del rizado de corriente se obtiene

para D = 1 y Vg = Voc, la ecuación anterior permite obtener el valor de L1 a partir del
máximo rizado admisible. Así, considerando que el rizado sea inferior al 15% (los
valores prácticos de diseño se encuentran entre el 10 y el 15%) de la corriente media
por L1 cuando el generador suministra la máxima corriente, se obtiene que L1 = 800
µH. A partir de aquí, fijando el valor de Leq (L1║L2) en 160 µH, lo cual establece la
Kcrít. del convertidor, se tiene que L2 = 200 µH.
Tesis Doctoral 157

La elección de la resistencia de carga R ha sido realizada imponiendo

funcionamiento en CCM en todo el barrido del ciclo de trabajo, lo cual exige que
(ver capítulo 3):
2 Leq
> (1 − D )
2
K > K crit . ⇒
R TS
Esta relación debe ser cumplida para D = 0, con lo cual:
2 Leq
>R
Ts
Teniendo en cuenta el valor de Leq y que Ts = 40 µs, la inecuación anterior se

satisface para R = 5 Ω.
La potencia disipada por la resistencia de carga R durante el tiempo de

barrido puede ser determinada considerándola igual a la proporcionada por el
módulo FV, esto es, suponiendo despreciables las pérdidas en el convertidor. Tanto
la tensión como la corriente instantánea en los terminales del generador FV durante
un barrido (TSWEEP) realizan una transición entre los puntos Voc e Isc. Mientras que la
corriente crece desde cero, la tensión decrece hacia cero, por tanto, la potencia
disipada por R puede ser obtenida determinando el área bajo la curva I-V durante la
transición. Esto establece que la potencia media disipada por R esté dada por la
ecuación general siguiente:
Voc I sc trise
PR =
a TSWEEP
Donde trise es el tiempo de subida de la corriente (tiempo de bajada para la

tensión), y a puede ser definido como un parámetro de transición comprendido entre
2 y 6. La ecuación anterior es aproximada en el sentido de que la curva I-V del
generador FV no es un rectángulo, por tanto, los valores de a son empíricos, siendo
mayores cuanto más se aproxime la curva I-V a un rectángulo.
Tesis Doctoral 158

Considerando trise ≈ TSWEEP, a = 5, Voc = 19,8 V e Isc = 6,54 A, la potencia

media disipada por la resistencia de carga es aproximadamente 25 W.
En la tabla 4.1 se resumen las características eléctricas de los componentes

empleados en la implementación del convertidor SEPIC.
TABLA 4.1: Características de los componentes usados en el convertidor SEPIC.
Diodo Schottky MBR 1045 45 V, 10 A, 0,45 V a 6 A, 100ºC

MOSFET MTP 15N06VL 60 V, 15 A, 85 mΩ
L1 CH 820088 820 µH, 8,8 A, 110 mΩ
L2 CH 220086 220 µH, 8,6 A, 42 mΩ
C1 TK Serie 470 µF, 25 V
C2 TK Serie 330 µF, 25 V
R ARCOL 4,7 Ω, 25 W
4.4. Medidas experimentales con módulos FVs
Los primeros prototipos de los diferentes convertidores implementados junto

con la tarjeta de ensayo, permitieron realizar las primeras verificaciones
experimentales para módulos FV de 100 W. Así, para cada uno de los convertidores
se implementó el esquema mostrado en la figura 4.6.
V Vo R
µC
Figura 4.6 Diagrama de bloques del esquema experimental.
Tesis Doctoral 159

Medidas con módulos FVs
El módulo FV utilizado para estos ensayos iniciales fue el I-94/12 de

Isofoton, el cual tiene las características eléctricas siguientes medidas en condiciones
estándar (irradiancia 1.000 W/m2 y temperatura de módulo de 25ºC):
Tensión de circuito abierto Voc = 19,8 V

Corriente de cortocircuito Isc = 6,54 A
Potencia máxima Pm = 94 W
Máx. corriente en el MPP Im = 5,88 A
Máx. tensión en el MPP Vm = 16 V
El circuito de control empleado ha sido implementado mediante la tarjeta de

ensayo desarrollada (ver figura 4.3). Los bajos niveles de corriente y tensión
proporcionados por el µC deben ser adaptados mediante un circuito de excitación
(driver) antes de ser aplicados al interruptor de potencia del convertidor CC/CC. Los
MOSFETs de potencia presentan una capacidad puerta-fuente considerable, la cual
debe ser cargada por encima de la tensión umbral. El circuito driver es el encargado
de proporcionar la corriente necesaria, para cargar dicha capacidad en el menor
tiempo. El circuito driver empleado se basa en el CI TC 4452, el cual es adecuado
para excitar MOSFETs e IGBTs incluso a frecuencias de conmutación elevadas. En
la figura 4.7 se muestra un primer prototipo del convertidor SEPIC desarrollado,
junto con su circuito de control y driver.
Figura 4.7 Fotografía del convertidor SEPIC.
Tesis Doctoral 160

En las figuras 4.8 y 4.9 se muestran el resto de convertidores desarrollados

para verificar los resultados experimentales según el esquema de la figura 4.6.
Figura 4.8 Fotografía de los convertidores Zeta, Buck, Variante Buck, Cuk y Buck-Boost.
La figura 4.10 muestra la evolución de la tensión y la corriente en los

terminales de un módulo I-94/12 de Isofoton, cuando se emplean los convertidores,
Boost, SEPIC, Cuk, Bo-Bu-CC y Bu-BoSIC; para las mismas condiciones de
irradiancia, barrido y carga. Los resultados experimentales han sido obtenidos con
un osciloscopio LeCroy de 500 MHz.
Tesis Doctoral 161

Figura 4.9 Fotografía de los convertidores CSC, Bo-BuCC, Bu-BoCC y Boost.
En la tabla 4.2 se muestran los valores de los componentes pasivos

empleados en la implementación de los convertidores Boost, Cuk, Bo-Bu-CC y Bu-
BoSIC.
TABLA 4.2: Características de los componentes usados en los convertidores Boost, Cuk, Bo-
Bu-CC y Bu-BoSIC.
Boost Cuk Bo-Bu-CC Bu-BoSIC

L1 820 µH 820 µH 820 µH 820 µH
L2 N/A 220µH 220µH N/A
R 4,7 Ω, 25 W 4,7 Ω, 25 W 4,.7 Ω, 25 W 4,7 Ω, 25 W
C1 N/A 470 µF 470 µF N/A
C2 330 µF 330 µF 330 µF 330 µF
Tesis Doctoral 162

a) Curvas I-V y P-V obtenidas con el convertidor Boost. Representación XY.
b) Curva I-V obtenida con el convertidor SEPIC. Representación XY.
c) Curva I-V obtenida con el convertidor Cuk. Representación XY.
Tesis Doctoral 163

d) Curva I-V obtenida con el convertidor Bo-Bu-CC. Representación XY.
e) Curva I-V obtenida con el convertidor Bu-BoSIC. Representación XY.
Figura 4.10 Corriente (Canal C1); 2A/div, 100ms/div. Tensión (Canal C2);
5V/div, 100ms/div.
En la figura 4.10a se aprecia, como ya se predijo en el análisis teórico y en la

simulación del capítulo anterior, que el convertidor Boost sólo puede reproducir la
curva hasta Isc, pero no hasta Voc. Las figuras 4.10b y 4.10c muestran que tanto el
convertidor SEPIC como el de Cuk, permiten un barrido completo de la curva I-V
del módulo debido a su relación de conversión buck-boost. En realidad, ambas
topologías presentan características muy similares. En la figura 4.10d se muestran
los resultados obtenidos con la conexión en cascada de dos convertidores elevador y
reductor (Bo-Bu-CC); en este caso el contenido de rizado es mayor que el obtenido
con el convertidor SEPIC y el Cuk. Esto es debido principalmente a que este
Tesis Doctoral 164

convertidor requiere la conmutación de cuatro dispositivos. De la misma forma, en

la figura 4.9e, se muestran los resultados obtenidos con el convertidor Buck-Boost
de un solo inductor (Bu-BoSIC). Dado el gran rizado introducido por este
convertidor, ha sido necesario emplear una gran capacidad de entrada (2║3.300 µF,
50 V) para atenuarlo; aún así, las curvas presentan un gran contenido de rizado.
Estos primeros prototipos de baja potencia permitieron verificar

experimentalmente la utilización de convertidores CC/CC en la reproducción de
curvas I-V de generadores FVs.
4.5. Sistema de medida experimental de módulos y

arrays FVs
En base a la metodología descrita y en virtud de los resultados obtenidos, se

abordó la realización de prototipos de sistemas completos de medida. Se diseñaron,
construyeron y probaron diferentes configuraciones, aunque en todas ellas se utilizó
la misma topología de convertidor: SEPIC, ya que como se ha demostrado en este
trabajo de investigación, es la más adecuada para esta aplicación.
Sistema de medida con pantalla LCD alfanumérica
Un primer sistema capaz de medir las curvas I-V y P-V de un módulo FV ha

sido implementado en base al esquema mostrado en la figura 4.11.
Este primer sistema de medida se encuentra orientado a la captura y

almacenamiento en una memoria externa al microcontrolador de los valores de
tensión y corriente, para su posterior volcado en un PC mediante el bus serie (RS-
232). El PC es el encargado de la representación. Los valores característicos (Voc, Isc
y MPP) del módulo FV bajo ensayo son representados mediante una pantalla LCD
alfanumérica. Las principales características de este sistema son su simplicidad y
autonomía de funcionamiento respecto de la red eléctrica.
Tesis Doctoral 165

Sistemas de Medida Experimental
Vg Vo R
Ig
Figura 4.11 Diagrama de bloques del sistema de medida basado en pantalla LCD alfanumérica.
En términos generales el sistema funciona como sigue: El convertidor SEPIC

emula una resistencia variable, cuyo valor es modificado mediante el ciclo de trabajo
D de una señal PWM. Esta señal de control es generada por el PIC 16F876 y su
nivel es adaptado mediante un circuito driver. La tensión y la corriente en los
terminales del módulo son medidas mediante dos divisores resistivos. Los valores
analógicos capturados son escalados y aplicados al convertidor A/D interno del
microcontrolador, el cual los transfiere a una memoria externa para posteriormente
ser volcados sobre el PC a través del puerto serie (RS-232). Las medidas de las
curvas I-V y P-V almacenadas en el PC pueden ser representadas empleando un
software adecuado como Excel o similar. Una simple interfaz de usuario formada
por cuatro pulsadores (enter, exit, up, y down), junto con la pantalla de texto LCD
(bloque LCD de la figura 4.11), permiten el acceso a las distintas funciones:
configuración de medida (fecha y hora de la medida, número de pasos del barrido,
retardo), datos almacenados (estado de la memoria, borrado, visualizar Voc, Isc y
Tesis Doctoral 166

MPP), conexión al computador (seleccionar medida y envío) y medida manual,

donde el sistema genera un ciclo de trabajo constante y se sitúa en un punto concreto
de la curva I-V.
En la figura 4.12 se muestran las fotografías del sistema implementado, y en

la tabla 4.3 las características eléctricas de los componentes más importantes
utilizados en dicha implementación.
TABLA 4.3: Componentes usados en la PCB del prototipo con pantalla LCD.
µControlador PIC 16F876 28-Pin 8-Bit CMOS Flash

Memoria EEPROM 24LC256 256 I2C CMOS Serial EEPROM
Comunicación Serie MAX 232 RS-232, Driver/Receiver
Alimentación aislada NMA 1505D DC/DC Converter, 1W
Driver TC 4452 High-Speed MOSFET Driver
Pantalla LCD C-2600A Alfanumérica, 4 Filas, 20 Caracteres
Tesis Doctoral 167

Figura 4.12 Fotografías del sistema de medida con pantalla LCD.
Tesis Doctoral 168

Sistema de medida con pantalla GLCD
Una variante del esquema de la figura 4.11 se muestra en la figura 4.13. Las
diferencias principales entre uno y otro son que en este caso los sensores de tensión
y corriente no son intrusivos, ya que se trata de sensores de efecto Hall. Estos
sensores facilitan mucho la conexión, ya que no ha de ser física. Por otro lado son
muy precisos, rápidos y tienen una alta inmunidad al ruido y amplio ancho de banda.
Lógicamente, el cambio de sensores obligó a rediseñar el circuito acondicionador.
Otra novedad importante de este diseño es la pantalla GLCD (Grafical Liquid

Cristal Display), la cual permite la representación de gráficas además de caracteres,
por tanto, ya no es necesario el PC. Respecto de la lógica de funcionamiento de este
sistema es análoga al anterior con las salvedades mencionadas.
Figura 4.13 Diagrama de bloques del sistema de medida con pantalla GLCD.
En la figura 4.14 se muestran las fotografías del sistema implementado, y en

la tabla 4.4 se resumen las características eléctricas de los componentes más
importantes utilizados en dicha implementación.
Tesis Doctoral 169

Figura 4.14 Fotografías del sistema de medida con pantalla GLCD.
TABLA 4.4: Componentes usados en la PCB del prototipo con pantalla GLCD.

Comunicación Serie MAX 232 RS-232, Driver/Receiver
Driver TC 4452 High-Speed MOSFET Driver
Pantalla GLCD Displaytech 128240A Gráfica, Monocromo, 240x128 puntos
Sensor de Corriente LEM-LA55-P/SP1 Closed Loop Hall Effect Current Sensor
Sensor de Tensión LEM-LV 25-P Closed Loop Hall Effect Voltage Sensor
Amplificador Operacional OP-270 Monolithic Dual OPAM
Alimentación aislada dual TEL 3-1222 DC/DC Converter, 3W
Tesis Doctoral 170

Sistema de medida mediante instrumento virtual
En este caso, toda la labor de control, monitorización y representación del

sistema de medida está realizada por un instrumento virtual (IV) implementado en
LabVIEW® que se ejecuta en un PC [129]. Respecto de la arquitectura del sistema
(ver figura 4.15), ésta es análoga a la anterior, con la diferencia fundamental de que
la interface de usuario y el control del sistema es realizado ahora por un IV (ver
figura 4.16). La lógica de funcionamiento del sistema es similar a los casos
anteriores, sólo que ahora, a través del puerto serie, el µC y el PC se comunican tras
enviar y recibir datos bajo el control del IV. Desde éste, el usuario puede controlar
todos los parámetros del sistema.
El IV mostrado en la figura 4.16 ha sido diseñado para facilitar la

configuración y manejo del sistema. Los parámetros de control han sido agrupados
teniendo en cuenta su propósito: modos de funcionamiento, comunicación a través
del puerto serie, configuración de la señal PWM, captura de la información y
representación gráfica.
El sistema proporciona fundamentalmente dos modos de funcionamiento,

denominados Trazador y Generador.
Como Trazador el microcontrolador genera la señal PWM, cuyos principales

parámetros (frecuencia, ciclo de servicio y tiempo de barrido) son establecidos desde
el IV. La señal PWM es aplicada a través del driver al convertidor CC/CC. A
continuación, los valores de tensión y corriente establecidos en los terminales del
módulo son medidos mediante los sensores de efecto Hall, acondicionados,
procesados por el microcontrolador y transferidos al computador a través del puerto
serie. Esta información es representada gráficamente en el panel frontal de la
aplicación para visualizar las curvas I-V y P-V del módulo, donde el número de
muestras capturadas pueden ser establecidas por el usuario desde el IV.
Tesis Doctoral 171

Vg Vo R
Ig
Figura 4.15. Bloques del sistema de medida implementado mediante NI LabVIEW®.
Figura 4.16. Interfaz de usuario basada en LabVIEW®.
Tesis Doctoral 172

Un modo de funcionamiento alternativo al anterior es el modo Generador. En

este modo, el usuario también configura desde el IV los parámetros de la señal
PWM generada por el microcontrolador que es aplicada al convertidor CC/CC. Sin
embargo, la diferencia principal respecto del modo Trazador es que los valores de
tensión y corriente establecidos en los terminales del módulo no son capturados por
los sensores de medida; por tanto, no son enviados al computador para su
representación posterior. La utilidad de este modo Generador es permitir que el
sistema pueda funcionar sin el circuito de medida. En este caso, las curvas pueden
ser capturadas y evaluadas con otro sistema de medida o representadas directamente
en un osciloscopio equipado con sonda de corriente.
El IV permite configurar la señal PWM desde el computador, con valores de

frecuencia desde 1,22 kHz hasta 5 MHz y un ciclo de trabajo que puede ser
establecido en un valor entre 0 y 1. Además, el IV permite configurar el barrido del
ciclo de trabajo (DCS) y su duración. Cuando se selecciona un DCS entre el 0% y el
100%, el TON es incrementado desde 0 a 1 a intervalos de tiempo regulares. Cuando
el TON se hace igual al periodo de conmutación (TS), empieza a decrementarse. Este
proceso continúa cíclicamente y el intervalo de crecimiento también puede ser
seleccionado por el usuario. Se ha dotado al sistema de la posibilidad de configurar
el DCS a valores finales e iniciales diferentes de 0 y 1. Por ejemplo, se puede
realizar el DCS entre 0,3 y 0,8. Esto proporciona la posibilidad de visualizar sólo
zonas concretas, a elegir por el usuario, de las curvas I-V y P-V del módulo. El
tiempo de barrido es establecido por la ecuación (4.4), donde el usuario establece en
el IV el parámetro tDelay.
El sistema también proporciona los valores de Voc, Isc, MPP y el FF del

módulo medido. También ofrece la posibilidad de procesar los valores de tensión y
corriente medidos mediante una aproximación establecida. En la figura 4.16 se
emplea una aproximación de NI LabVIEW® mediante un polinomio de segundo
orden.
Tesis Doctoral 173

En la figura 4.17 se muestran las fotografías de la implementación

experimental del sistema de la figura 4.15. La tabla 4.5 resume las características
eléctricas de los componentes más importantes utilizados en dicha implementación.
TABLA 4.5: Características eléctricas de los componentes usados en las PCBs del prototipo.

Comunicación Serie MAX 232 Multichannel RS-232, Driver/Receiver
Sensor de Corriente LEM-LA 55-P/SP1 Closed Loop Hall Effect Current Sensor
Sensor de Tensión LEM-LV 25-P Closed Loop Hall Effect Voltage Sensor
Amplificador
OP-270 Monolithic Dual OPAM
Operacional
Alimentación aislada TEL 3-1222 DC/DC Converter, 3W
En la figura 4.18 se muestran las medidas de tensión, corriente y potencia en

los terminales del módulo I-94/12 de Isofoton adquiridas mediante un osciloscopio
(figura 4.18a), y las capturadas con el sistema de medida implementado (figura
4.18b). El análisis comparativo de ambas figuras muestra las excelentes prestaciones
del IV desarrollado. Nótese que ahora, para que la comparativa sea fiable, no se ha
implementado ninguna aproximación polinómica en el IV.
Una propiedad adicional del sistema de medida implementado es la

posibilidad de reproducir sólo tramos de las curvas capturadas. Esto es posible
porque el circuito de control permite configurar diferentes intervalos del barrido del
ciclo de servicio. De esta forma, cuando el barrido es realizado entre el 0% y el 50%,
se recorre la zona alrededor de Voc, donde el generador funciona como fuente de
tensión (figuras 4.19a y b); en este caso, el barrido es realizado a doble frecuencia
(104 ms) que en el caso anterior (figuras 4.18a y b). Cuando el barrido es realizado
entre el 50% y el 100%, se recorre la zona alrededor de Isc y Pm (figuras 4.20a y b),
empleando igual tiempo de barrido que en el intervalo anterior.
Tesis Doctoral 174

Figura 4.17 Fotografías del prototipo de medida mediante IV.
Tesis Doctoral 175

a)
b)
Figura 4.18. a) Corriente (Canal C1); 2A/div, 100ms/div. Tensión (Canal C2); 5V/div,
100ms/div y potencia (Math C1*C2: 43 W/div, 100 ms/div). Representación en modo XY. b)
curvas I-V y P-V obtenidas con el sistema de medida. DCS entre el 0% y el 100%.
Tesis Doctoral 176

a)
b)
Tesis Doctoral 177

a)
b)
Tesis Doctoral 178

Con la misma configuración de sistema de medida que el mostrado en la

figura 4.15 se ha realizado una variante en el convertidor SEPIC, sustituyendo este
por cuatro de la misma topología funcionando en modo intercalado (IOM). Esto ha
requerido la incorporación al sistema de medida de un circuito que permita generar
cuatro señales PWM de la misma frecuencia (25 kHz), con idéntico DCS pero con
instantes de conmutación desfasados una fracción igual del periodo (10 µs). Una
fotografía del sistema implementado se muestra en la figura 4.21.
Figura 4.21 Sistema de medida con cuatro convertidores SEPIC.
Tesis Doctoral 179

Para la operación en IOM de los cuatro convertidores SEPIC se ha diseñado e

implementado un circuito de control basado en el dsPIC 30F2010, el cual dispone de
dos temporizadores independientes, capaces de generar dos señales PWM con
frecuencia y ciclo de trabajo diferentes. Para producir el desplazamiento de fase se
han utilizado cuatro biestables tipo D (SN74273), los cuales contienen a su vez ocho
registros cada uno, con un total de treinta y dos salidas, todas ellas conectadas en
cascada. La información a la entrada de los biestables tipo D son transferidas a las
salidas (Q) durante el flanco positivo del pulso de sincronización. El
microcontrolador genera una señal PWM de 25 kHz, con DCS y una señal de
sincronización de 1 MHz para los biestables. Por tanto, el ciclo de trabajo
instantáneo es retardado por cada registro 1 µs. Las salidas con retardos 0 µs, 10 µs,
20 µs y 30 µs son las utilizadas para excitar a cada uno de los cuatro convertidores
SEPIC del sistema experimental. En la figura 4.22 se muestran las cuatro señales
PWM desfasadas con diferentes ciclos de trabajo instantáneo.
Para esta nueva configuración del sistema de medida la interfaz de usuario (el
IV) ha sido modificado y mejorado. También ha sido necesario rediseñar el circuito
acondicionador para adaptarlo a los nuevos valores de tensión y corriente.
En la figura 4.23 se muestran las medidas de tensión, corriente y potencia

adquiridas mediante un osciloscopio (figura 4.23a). En la figura 4.23b las capturadas
con el sistema de medida implementado para cuatro módulos I-94/12 de Isofoton
conectados en serie-paralelo, los cuales están conectados a su vez a cuatro
convertidores SEPIC en modo intercalado.
Tesis Doctoral 180

Figura 4.22. Señales PWM de 25 kHz, desplazadas ¼ de periodo.
Tesis Doctoral 181

a)
b)
Tesis Doctoral 182

c)
100ms/div y potencia (Math C1*C2: 200W/div, 100 ms/div). Representación en modo XY. b)
curvas I-V y P-V obtenidas con el sistema de medida. c) curvas I-V y P-V obtenidas con el
sistema de medida procesadas.
Tesis Doctoral 183

Medidas de Arrays FVs
4.6. Medidas de arrays FVs
El diseño e implementación de convertidores CC/CC de una mayor potencia

que los empleados hasta ahora, pueden ser abordados desde dos puntos de vista
diferentes: mediante el escalado de uno de menor potencia (asociando componentes
o empleando componentes con mayor capacidad) o mediante la asociación de varios
convertidores en paralelo de menor potencia.
El primer prototipo basado en el convertidor SEPIC escalado que ha

permitido medir curvas de generadores de mayor potencia (1 kW) se muestra en la
figura 4.24 [130]. El objetivo principal en el diseño de este convertidor fue
reproducir la curva I-V de 10 módulos distribuidos en dos ramas en paralelo de cinco
módulos conectados en serie. Esto hizo que la tensión de entrada al convertidor
fuera cinco veces la que produce un módulo solo y la corriente el doble. Este
escalado fue trasladado a todos los componentes (pasivos y activos) que forman el
convertidor. El dimensionado de los inductores ha sido realizado utilizando cuatro
inductores del mismo valor y las mismas dimensiones que los empleados en el
convertidor de 100 W, dispuestos en dos ramas en paralelo de dos inductores en
serie; de este forma, los valores totales de las inductancias L1 y L2 son iguales a las
usadas en el convertidor base pero la capacidad de corriente es el doble.
Del mismo modo, puesto que los módulos FV empleados proporcionan una
tensión de circuito abierto de unos 20 V, el escalado de dicha tensión a cinco
módulos conectados en serie establece que el interruptor de potencia elegido deberá
tener una capacidad de bloqueo de tensión superior a unos 100 V. Por otro lado, la
conexión de otros cinco módulos en paralelo con los anteriores, proporciona una
corriente total de cortocircuito de unos 13 A, para la cual debe ser también
dimensionado el interruptor de potencia. El diodo ha sido escalado conectando tres
diodos análogos a los del convertidor base, para poder cumplir de este modo los
requisitos en cuanto a tensión de bloqueo y corriente. Las características eléctricas
de los componentes que forman el convertidor se muestran en la tabla 4.6.
Tesis Doctoral 184

Figura 4.24 Fotografía del convertidor SEPIC escalado a 1 kW.
En la figura 4.25 se muestran las curvas de un array formado por cuatro

módulos I-94/12 de Isofoton distribuidos en dos ramas, medidas con el convertidor
SEPIC escalado. Este convertidor también ha permitido visualizar cortocircuitos y la
conexión (figura 4.25b) o desconexión de una rama (figura 4.25c).
TABLA 4.6: Componentes usados en la implementación del convertidor SEPIC escalado.
Diodo Schottky 3xMBR 1045 45 V, 10 A, 0,45 V a 6 A, 100ºC

IGBT 1x HGT40N60B3 600 V, 40 A, 85 mΩ
L1 4xCH 820088 820 µH, 8,8 A, 110 mΩ
L2 4xCH 220086 220 µH, 8,6 A, 42 mΩ
C1 1xTK Serie 470 µF, 400 V
C2 1xTK Serie 330 µF, 400 V
R 1xARCOL 4,7 Ω, 50 W
Tesis Doctoral 185

a)
b)
c)
Figura 4.25 a) Curvas de cuatro módulos conectados en serie-paralelo. b) Desconexión de dos
Módulos. c) Conexión de una rama.
Tesis Doctoral 186

Por último, con objeto de seguir aumentando la capacidad de medida de

potencia del sistema desarrollado, ha sido construido un prototipo formado por
cuatro convertidores SEPIC como el mostrado en la figura 4.24, funcionando en
IOM, con una frecuencia de 25 kHz (periodo de conmutación 40 µs) e instantes de
conmutación desfasados igual fracción de periodo (10 µs) [131]. En las figuras 4.26
y 4.27 se muestra una fotografía del prototipo y de la instalación FV ubicada en la
Escuela Politécnica de la Universidad de Huelva (Departamento de Ingeniería
Eléctrica y Térmica), la cual ha sido utilizada para testear el prototipo. La instalación
está formada por 48 módulos I-106 distribuidos en cuatro ramas conectadas en
paralelo, con 12 módulos cada una. En condiciones estándar de medida (irradiancia
1.000 W/m2, un espectro solar de AM1.5G y temperatura de módulo de 25ºC) estos
módulos proporcionan una potencia máxima (Pm) de 106 Wp, una corriente de
cortocircuito (Isc) de 6,54 A, y una tensión de circuito abierto (Voc) de 21,6 V. En
estas condiciones la potencia de pico de dicha instalación es de 5,1 kWp.
Figura 4.26. Fotografía del prototipo experimental implementado con cuatro convertidores
SEPIC en paralelo.
Tesis Doctoral 187

Figura 4.27. Instalación fotovoltaica medida.
Primero ha sido medida la curva I-V de una de las partes de la instalación con
capacidad para proporcionar 2,4 kW. Los resultados se muestran en la figura 4.28. A
continuación se midió la instalación completa (figura 4.29). Con objeto de mostrar
todas las posibilidades del sistema desarrollado, se ha realizado también un recorrido
de las curvas I-V y P-V, mediante tramos, como se muestra en las figuras 4.30, 4.31,
y 4.32.
Figura 4.28. Curvas I-V y P-V de la instalación de 2,4 kW medida con cuatro convertidores
SEPIC en IOM. Corriente (Canal C1); 5A/div, 100ms/div. Tensión (Canal C2); 100V/div,
100ms/div y potencia (Math C1*C2: 2kW/div, 100 ms/div). Representación en modo XY.
Tesis Doctoral 188

Figura 4.29. Curvas I-V y P-V de la instalación de 5,1 kW medida con cuatro convertidores
SEPIC en IOM. Corriente (Canal C1); 10A/div, 100ms/div. Tensión (Canal C2); 100V/div,
100ms/div y potencia (Math C1*C2: 5kW/div, 100 ms/div). Representación en modo XY.
Figura 4.30. DCS entre el 0 y el 20%. Escalas: 5A/div, 100V/div, y 2kW/div, 100ms/div.
Tesis Doctoral 189

Tesis Doctoral 190

Conclusiones
4.7. Conclusiones
Este capitulo ha estado dedicado a la experimentación con la finalidad de

desarrollar diferentes prototipos que implementen la metodología propuesta en esta
Tesis. Así, se han abordado las tareas siguientes: (1) Un algoritmo de control
implementado en microcontroladores y controladores digitales de señal, que realiza
el recorrido de las curvas I-V y P-V de generadores fotovoltaicos. El algoritmo está
basado en el barrido del ciclo de servicio (DCS). (2) Desarrollo de circuitos
adicionales (de control y de excitación) que permiten el funcionamiento adecuado de
los convertidores implementados. (3) Realización de diferentes prototipos de
sistemas de medida basados en la metodología propuesta: sistema de medida con
pantalla LCD alfanumérica, sistema de medida con pantalla GLCD y sistema de
medida implementado mediante instrumento virtual. (4) Ensayos para obtener
resultados experimentales sobre módulos, arrays y en una instalación de 5 kW.
Como conclusión final se puede establecer que la metodología propuesta

presenta un comportamiento adecuado y fiable en términos de: flexibilidad,
modularidad, fidelidad, tiempo de respuesta, visualización directa y coste.
Tesis Doctoral 191

192
Capítulo 5
Conclusiones y Desarrollos Futuros
Este último capítulo que cierra la memoria de esta Tesis está orientado a
recoger todas las conclusiones derivadas de los trabajos de investigación realizados,
lo cual conformará la primera sección del capítulo, así como las principales
aportaciones y futuras líneas de trabajo que se prevé pueden surgir de la Tesis, que
serán el objeto de la segunda sección.
En esta Tesis se ha descrito un método para la medida de las curvas I-V y P-V
de generadores fotovoltaicos empleando convertidores CC/CC. Para ello, se han
analizado nueve configuraciones diferentes de convertidores (Buck, Boost, Buck-
Boost, CSC, Cuk, SEPIC, Zeta y las conexiones en cascada Buck-Boost y Boost-
Buck), mediante resultados de simulación y experimentales. Esto ha permitido
establecer que la topología más adecuada para esta aplicación es la SEPIC, sobre la
que se ha establecido un criterio de diseño de los diferentes componentes que la
configuran.
Se ha propuesto un algoritmo de control, implementado en

microcontroladores y controladores digitales de señal, que realiza la captura de las
curvas I-V y P-V de generadores fotovoltaicos. Este algoritmo está basado en el
Tesis Doctoral 193

Conclusiones
barrido del ciclo de servicio. Esto ha permitido la implementación de los circuitos

adicionales (de control y de excitación) que permiten el correcto funcionamiento de
dichos convertidores.
A partir de los resultados de simulación y experimentales obtenidos, se han

analizado y aplicado técnicas convencionales de reducción del rizado, tales como el
acoplamiento de los inductores que forman la estructura y la conexión en
funcionamiento intercalado de varios convertidores SEPIC.
La implementación de diferentes prototipos de sistemas de medida basados

en la metodología propuesta, y los resultados experimentales obtenidos en módulos,
arrays y en una instalación de 5 kW, han permitido establecer que la metodología y
el prototipo que la implementa desarrollados en esta Tesis, presenta una respuesta
excelente en términos de: flexibilidad, modularidad, fidelidad, tiempo de respuesta,
visualización directa y coste.
5.1. Conclusiones
En el Capítulo 2 de esta Tesis se describen los diferentes tipos de células

solares, las cuales constituyen el elemento básico de un sistema fotovoltaico. Se
resalta la importancia de la caracterización y medida de las curvas I-V de
generadores FVs teniendo en cuenta los aspectos siguientes:
• Desde el punto de vista del diseño, el conocimiento de las curvas I-V y P-

V permite la implantación de aplicaciones fotovoltaicas más eficientes.
• En la industria fotovoltaica, la caracterización resulta crucial para el

desarrollo de los procesos de producción.
• Como herramienta de garantía de calidad, permite la determinación de la

potencia máxima en virtud de condiciones reales de funcionamiento, las
cuales pueden extrapolarse a condiciones estándar de medida (STC). Por
Tesis Doctoral 194

Conclusiones
tanto, permite la comparación entre la potencia nominal instalada y la

acordada entre el proveedor y el cliente, lo cual aumenta la credibilidad
del sector fotovoltaico.
• Para los fabricantes, la posibilidad de realizar evaluaciones sucesivas en el

tiempo de su producto, es una referencia de la calidad del mismo. Debido
a la dispersión de los parámetros eléctricos en los procesos de fabricación
de módulos, uno de los problemas actuales es conocer la verdadera
potencia de pico instalada en plantas fotovoltaicas.
• Como herramienta de diagnóstico y de mantenimiento permite la

detección de anomalías (sombreado, ramas desconectadas, células rotas, o
diodos defectuosos), junto con la cuantificación de la degradación de la
potencia real a lo largo del tiempo, comparando los resultados de medidas
anteriores.
• Para la investigación y el desarrollo de equipos son un indicador clave que

ayuda a identificar las necesidades futuras, o para orientar futuras
decisiones, facilitando la comparación de los sistemas que difieren en
términos de diseño, tecnología o ubicación geográfica y la validación de
modelos de estimación de rendimiento durante la fase de diseño.
El análisis de los métodos actuales que permiten la medida de las curvas I-V
y P-V de un módulo o array, aporta conclusiones acerca de la flexibilidad,
modularidad, fidelidad, tiempo de respuesta, visualización directa y coste de dichos
métodos. Esto ha permitido realizar una comparativa con la metodología y el sistema
desarrollado en esta Tesis.
En el Capítulo 3 se analiza el uso de convertidores CC/CC para implementar

medidores de curvas I-V y P-V de módulos y arrays FVs. A partir del estudio teórico
realizado sobre la capacidad de cada una de las configuraciones (reductora,
elevadora y reductora-elevadora) para emular una resistencia variable, se concluye
que sólo las configuraciones con relación de conversión buck-boost permiten
Tesis Doctoral 195
Conclusiones
realizar un recorrido completo de la curva I-V de un generador FV; por tanto, estas
configuraciones resultan las más adecuadas para esta aplicación. Dicha conclusión,
en principio fruto del análisis teórico, es confirmada mediante simulación.
Se analizan nueve configuraciones diferentes de convertidores (Buck, Boost,

Buck-Boost, CSC, Cuk, SEPIC, Zeta y las conexiones en cascada Buck-Boost y
Boost-Buck). Fruto de este análisis se deduce que la topología más adecuada para
esta aplicación es el convertidor SEPIC. A partir de aquí se desarrolla un criterio de
diseño de los diferentes componentes que la configuran, lo cual permite la
construcción de los diferentes prototipos de convertidores.
De la constatación del rizado que introducen los convertidores como

consecuencia de la conmutación de sus transistores, se analizan las dos técnicas
consideradas más apropiadas para la reducción de este rizado: mediante el
intercalado de convertidores y empleando inductores acoplados. En este sentido, se
concluye que el intercalado de convertidores, además de reducir el rizado de
corriente, permite la reproducción de curvas de mayor potencia debido a la
paralelización, lo cual resulta una ventaja de esta técnica frente a la de inductores
acoplados.
El Capítulo 4 ha sido dedicado a la experimentación con la finalidad de

desarrollar diferentes prototipos que implementen la metodología propuesta en esta
Tesis. Así, se han abordado los siguientes aspectos:
• Un algoritmo de control implementado en microcontroladores y

controladores digitales de señal, que realiza el recorrido de las curvas I-V y
P-V de generadores fotovoltaicos basado en el barrido del ciclo de servicio
(DCS).
• Circuitos adicionales (de control y de excitación) que permiten el

funcionamiento adecuado de los convertidores implementados.
Tesis Doctoral 196

Desarrollos Futuros
• Diferentes prototipos de sistemas de medida basados en la metodología

propuesta: sistema de medida con pantalla LCD alfanumérica, sistema de
medida con pantalla GLCD y sistema de medida implementado mediante
instrumento virtual.
• Ensayos para obtener resultados experimentales sobre módulos, arrays y

en una instalación de 5 kW.
Quizás, la conclusión más importante del Capítulo 4 ha sido la de establecer

que la metodología propuesta presenta buenas prestaciones en términos de:
flexibilidad, modularidad, fidelidad, tiempo de respuesta, visualización directa y
coste.
Los Apéndices I y II, aportan respectivamente, un análisis de las diferentes

tecnologías de células solares y aspectos relativos a las actividades de normalización
relacionadas con la caracterización de dispositivos FV.
Se considera pues que el objetivo de esta Tesis: Estudiar, diseñar e

implementar un prototipo experimental para la medida y caracterización de las
curvas I-V y P-V de módulos y arrays FVs se ha cumplido de forma satisfactoria, a
la vez que se han abierto nuevas y desafiantes líneas de investigación.
5.2. Desarrollos futuros
Lejos de considerar esta Tesis como un trabajo cerrado, las aportaciones que
la conforman han terminado siendo puertas abiertas hacía futuras líneas de
investigación. Con esta filosofía, se proponen las siguientes líneas de trabajo:
Desarrollar estrategias que permitan la determinación del punto de

funcionamiento de un generador fotovoltaico y su carga, utilizando la
metodología basada en convertidores CC/CC.
Tesis Doctoral 197

Desarrollos Futuros
Diseñar e implementar convertidores CC/CC y CC/CA conectados a

generadores fotovoltaicos orientados a la determinación y evaluación del
punto de funcionamiento del generador.
Adaptar la metodología y el prototipo desarrollado para que la medida y

visualización de las curvas I-V pueda ser realizada sin efectuar
desconexiones en las instalaciones FV bajo prueba.
Implementar un seguidor del punto de máxima potencia basado en el

barrido del ciclo de servicio (DCS) por tramos o intervalos.
Tesis Doctoral 198

Apéndice I
Tecnologías de Células Solares
En este apéndice se presenta una descripción acerca de los principales

materiales empleados en aplicaciones fotovoltaicas.
Tesis Doctoral 199

Células c-Si
A1.1.Células de Silicio Cristalino (c-Si)
Debido principalmente a su abundancia en la Tierra, las células fotovoltaicas

de Si cristalino son las más desarrolladas y usadas comercialmente. Tanto las celdas
de Si monocristalino como las de Si policristalino (poli-Si) se elaboran a partir de
obleas (wafers o discos) cortadas de lingotes (mono o policristalino). De los varios
métodos empleados, los más generalizados son el Czochralski (Si-CZ) y Zona
Flotante (Si-FZ) [1]. El método Czochralski es el más usado comercialmente y el
más económico. El crecimiento CZ consiste en fundir el Si en un crisol con trazas
del dopante (boro para obtener un material tipo p y fósforo para un tipo n). Usando
una semilla cristalina con la orientación requerida y bajo condiciones controladas de
temperatura y en ambiente de argón, se extraen de la fundición lingotes cristalinos
de entre 10 y 15 centímetros de diámetro y de decenas de centímetros de longitud.
Los cristales tipo Zona Flotante son mucho más costosos y de mayor pureza.
Éstos se obtienen por una refundición en forma localizada (2 a 3 cm) del lingote. De
esa forma las impurezas del cristal son expulsadas hacia la superficie del mismo, de
tal manera que eliminando ésta se obtiene un lingote de mayor calidad que el
original.
Una vez obtenido el lingote se cortan las obleas de un espesor de 300 µm

aproximadamente, siendo el desperdicio ocasionado por el corte uno de los
problemas que inciden en el costo de las células de este material.
La estructura de una celda de c-Si consta esencialmente de una capa

conductora en la parte superior, una película antireflectiva o una superficie tratada,
una película delgada de Si tipo n de 0,3 mm (llamada colector), la unión, un
substrato de Si tipo p de 250 µm y un contacto inferior.
El Si monocristalino se utiliza también para fabricar celdas de alta eficiencia

para usos espaciales, aunque presentan el inconveniente de un peso relativamente
elevado debido al espesor requerido. La eficiencia más alta alcanzada en celdas a
Tesis Doctoral 200

Células c-Si
nivel de laboratorio de Si-FZ es de un 25% y en Si-CZ del 22%. Para celdas

iluminadas con radiación concentrada se obtuvieron eficiencias de hasta el 29%
[132].
Las técnicas de fabricación de silicio policristalino son, en general, más

sencillas que las requeridas para producir silicio monocristalino, mientras que la
pureza del material de partida es similar. Cuando el Si está fundido (antes de crecer
los lingotes), el material se dopa con boro a un nivel de 1016 átomos/cm3,
obteniéndose silicio monocristalino con una resistividad de aproximadamente 1,5
Ω.cm. Las obleas entonces que se cortan son ya silicio monocristalino.
Las ventajas de las celdas de Si cristalino (mono y poli) se resumen a

continuación:
• El Si es uno de los elementos más abundantes en la Tierra.
• Su estabilidad temporal es superior a 30 años.
• Son las celdas más desarrolladas y estudiadas debido a los avances

tecnológicos de la industria electrónica.
• La industria está bien establecida y son celdas utilizadas comercialmente.
• Sus cualidades eléctricas, químicas y mecánicas son uniformes.
• El ensamblado del sistema, los costos de mantenimiento e inversión son

bastante bajos.
• En comparación con otros materiales fotovoltaicos (celdas de a-Si(H),

CdTe y CIS), el silicio posee una eficiencia relativamente alta.
Entre las desventajas del silicio mono y policristalino se citan las siguientes:
• El sustrato de Si es todavía relativamente caro debido a las pérdidas en el

corte. Por otro lado, su ancho de banda de 1,12 eV no es el ideal, puesto
Tesis Doctoral 201

Células c-Si
que teóricamente la mayor eficiencia se lograría con materiales de anchos

de banda entre 1,4 y 1,5 eV.
• Su capacidad de absorción es relativamente baja, con lo cual se requieren

espesores de 25 µm o más para absorber toda la luz, mientras que otros
materiales requieren espesores de tan solo 1 a 2 µm.
• Los módulos no pueden obtenerse por integración monolítica, ya que las

celdas están limitadas por las medidas y deben soldarse e interconectarse
en serie.
En cuanto a la diferencia entre las células monocristalinas y policristalinas, se

refieren al mayor coste y rendimiento de las primeras, y a que las células
policristalinas están compuestas por distintos tipos de silicio, lo que provoca que la
célula pase de tener un color homogéneo a tener un aspecto no uniforme.
Figura A1.1 Célula solar monocristalina y policristalina.
A1.2. Células multiunión
El principal objetivo de las células solares formadas por varias uniones de

semiconductor es conseguir un dispositivo con una mayor capacidad de absorción
del espectro solar, y por tanto con mayor eficiencia. Esto se consigue mediante la
adición de células con diferentes band-gap, a expensas de una mayor complejidad y
Tesis Doctoral 202

Células Multiunión
sensibilidad espectral. Esto reduce algunas de las pérdidas debido a las limitaciones
del band-gap.
Cada tipo de semiconductor se caracteriza por una banda de energía, que le

hace más sensible a la luz de un determinado color, o dicho de manera más precisa,
a absorber radiación electromagnética de una determinada región del espectro. Los
semiconductores se eligen cuidadosamente para lograr absorber todo el espectro
solar produciendo la máxima electricidad posible.
Las células solares multiunión o tándem pueden hacer un mejor uso del
espectro solar por tener múltiples capas de semiconductores con diferente salto
energético de bandas. Cada capa está hecha de un material diferente, que por lo
general es un semiconductor del tipo III-V, y absorbe una porción diferente del
espectro. La capa superior tiene el mayor band-gap de modo que sólo los fotones
más energéticos son absorbidos en esta capa. Los fotones menos energéticos deben
pasar por la capa superior, ya que no son lo suficientemente energéticos para generar
pares electrón-hueco en el material. Cada capa, desde la cima hasta el fondo, tiene
un hueco de banda menor que la anterior. Por lo tanto, cada capa absorbe los fotones
que tienen energías superiores al band-gap de esa capa. La forma más común de la
célula solar multiunión se compone de tres capas, lo que se llama una célula solar de
triple unión.
La elegancia del enfoque (sugerido en primer lugar por Jackson en 1.955) es

que tanto la división del espectro, como la selectividad de fotones, son
automáticamente alcanzados mediante apilamiento.
Tesis Doctoral 203

Células de GaAs
A1.3. Células de Arseniuro de Galio (GaAs)
El arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor cuyo ordenamiento

cristalino es similar a la estructura del diamante y del Si cristalino, pero con dos
átomos diferentes por cada unidad de celda del cristal.
Sus propiedades electrónicas permiten lograr celdas con mayor eficiencia de

conversión [133]. Se han alcanzado eficiencias superiores al 27% [134], mientras
que con estructuras más complicadas tipo tándem GaAs/GaSb, se obtuvieron
eficiencias del 35% bajo iluminación concentrada (100X) [133]. En el GaAs la luz
es absorbida muy cerca de la superficie del dispositivo, necesitándose unos pocos
µm de espesor para la fabricación de una célula.
Las células multiunión de GaAs, son células altamente eficientes que han
sido concebidas para ser utilizadas en aplicaciones especiales como los satélites,
vehículos de exploración espacial, etc, que requieren un alto rendimiento. Estas
células multiunión constan de múltiples películas delgadas, cada una constituida por
un semiconductor diferente. Una célula de triple unión esta compuesta por GaAs, Ge
y GaInP2. Cada tipo de semiconductor se caracteriza por una banda de energía, que
le hace más sensible a la luz de determinado color, o dicho de manera más precisa, a
absorber radiación electromagnética de una determinada región del espectro. Los
semiconductores se eligen cuidadosamente para lograr absorber todo el espectro
solar produciendo la máxima energía eléctrica posible. Las células multiunión de
GaAs son las células solares más eficientes hasta la fecha, alcanzando valores de
hasta un 39%. También son las más costosas de producir (hasta 40$ US por cm2).
Como desventajas de estas células se pueden mencionar la escasez de galio

en la naturaleza, lo que hace que el GaAs sea un material costoso, y la toxicidad del
arsénico involucrado en la fabricación. Por ello es importante estudiar
cuidadosamente las consecuencias ambientales de la instalación de grandes sistemas
solares basados en este semiconductor.
Tesis Doctoral 204

Células de GaAs
La formación del arseniuro de galio se realiza en un horno en el cual se

colocan el Ga y el As en distintas ubicaciones y a distintas temperaturas (1238 ºC y
610 ºC, respectivamente). Se transporta el vapor de As en cantidad controlada hacia
el Ga, formando GaAs. En general, en este proceso se obtiene un material
policristalino. Este policristal puede ser recristalizado por distintas técnicas y
obtener GaAs monocristalino. Los dopantes utilizados comúnmente para el GaAs
son Zn y Cd tipo p, y Te, Se, S y Sn como dopante tipo n. La formación de la unión
en el GaAs se realiza mediante crecimiento epitaxial en lugar de por difusión de
dopantes.
La tecnología del GaAs se encuentra bastante desarrollada, principalmente

debido a su interés comercial en la fabricación de LEDs (Light-Emitting Diode) y
láser de semiconductores.
Las celdas de arseniuro de galio (GaAs) tienen una serie de ventajas que las
hacen muy atractivas: ancho de banda de 1,43 eV, alta capacidad de absorción y
altísima resistencia al calor. Tienen eficiencias del 26%, y en concentradores se han
alcanzado hasta el 29%. Pero el costo de estas celdas aún es demasiado elevado para
aplicaciones terrestres sin concentración de luz.
A1.4. Células de Película Delgada (Thin-Film)
La tecnología thin-film desarrolla células con menor coste y menores

requerimientos energéticos de producción frente a las células de c-Si. Los diferentes
tipos de células comerciales de capa delgada han hecho aparición en el mercado
durante la última década: las células de silicio amorfo (a-Si) con estructura
multiunión, las de capa delgada de silicio policristalino en sustrato de bajo coste, las
células de heterounión de diseleniuro de Cobre-Indio/Sulfuro Cadmio
(CuInSe2/CdS) y las células, también de heterounión, de Teluro de Cadmio/Sulfuro
de Cadmio (CdTe/CdS). La tecnología de capa delgada está constituida por
materiales con un espesor de entre 1 y 10 µm y se fabrican mediante procesos
Tesis Doctoral 205
Células de Thin-Film
capaces de producir grandes volúmenes a bajo coste [135 y 136]. De los diferentes
tipos, la tecnología que actualmente ha alcanzado la cuota de mercado más
importante, son las células de capa delgada de silicio amorfo.
Células de Silicio Amorfo (a-Si)
Las células fabricadas con a-Si, son las que actualmente menor rendimiento
proporcionan y las más baratas de fabricar, por tanto la principal ventaja del uso del
a-Si es su menor precio. Una célula amorfa consiste en una unión p-n con una capa
en la que se intercala una capa intrínseca (p-i-n o n-i-p); una capa transparente de
óxido conductor (TCO, Transparent Conductive Oxide) en su parte frontal, y una
capa metálica como contacto y reflector trasero. El silicio utilizado en este tipo de
células se conoce como silicio amorfo hidrogenado. Al ser un tipo de célula muy
ligera y manejable se convierte en la solución óptima para su colocación en tejados y
fachadas.
Las propiedades físicas del a-Si- hidrogenado difieren esencialmente de las

propiedades del c-Si. El Si amorfo no posee un orden en la estructura atómica del
material. Los átomos no están localizados a distancias y ángulos únicos. Esta
aleatoriedad en el ordenamiento atómico del Si modifica las propiedades
electrónicas del material, lo cual provoca en un salto energético (band-gap) de entre
1,1 y 1,75 eV (frente al 1,1 eV del c-Si), controlado mediante la formación de
aleaciones con germanio y carbono.
La estructura amorfa es posible gracias a que el a-Si absorbe la radiación

solar con una eficiencia 40 veces superior a la del c-Si, requiriéndose tan solo una
película de 1 µm para absorber un 90% de la luz. Esta disminución de la cantidad de
material, asociada con procesos de deposición de estas películas a bajas
temperaturas y sobre sustratos (películas de espesores tan pequeños que no son
manejables y requieren ser depositadas sobre un sustrato) más económicos,
constituye el gran potencial de estas celdas.
Tesis Doctoral 206
Células de a-Si
El proceso de crecimiento del a-Si es mucho menos crítico que el del Si

policristalino. El proceso de producción parte de un cristal, como sustrato
transparente de bajo coste y resistente al agua, sobre el que se deposita una fina capa
de óxido de alta conductividad óptica. Se añade una capa muy dopada tipo p de 10
nm, una capa de silicio sin dopar intrínseco de 300 nm, una capa de a-Si tipo n de 20
nm, y finalmente, un contacto metálico. La plata es la sustancia metálica más
adecuada, pero debido a su precio se suele sustituir por aluminio o aleaciones. Los
fotones producen los pares electrón-hueco en el semiconductor i, los cuales, se
encuentran dentro del campo eléctrico producido por las capas p y n. En la figura
A1.2, se muestra la estructura de una célula a-Si.
Figura A1.2 Estructura interna de una célula de a-Si.
El a-Si puede depositarse sobre distintos sustratos, tales como metal [137],
vidrio [138] o c-Si [139 y 140], facilitando la interconexión de dispositivos. La
incorporación de hidrógeno en el a-Si (silicio amorfo hidrogenado a-Si(H)), permite
la obtención de un material tipo p o n según el dopaje introducido. El alto
coeficiente de absorción (la absorción de la radiación solar por el a-Si es,
aproximadamente cuarenta veces superior a la del c-Si) y la introducción de una
capa de silicio intrínseco entre las capas p y n hizo interesantes las células de a-Si,
que con espesores de 1 µm consiguen rendimientos del 13% a nivel de laboratorio.
Tesis Doctoral 207

Células de a-Si
Sin embargo, en los procesos de fabricación a gran escala, el rendimiento desciende

hasta valores del 6 y el 8% (se considera que la eficiencia mínima para que puedan
ser comercialmente competitivas es del 10%).
Para el crecimiento de la película de silicio amorfo hidrogenado (a-Si(H)) se

utiliza la deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD; Plasma
Enhanced Chemical Vapor Deposition) a relativamente baja temperatura (entre 200
y 500 ºC), lo que permite el uso de diferentes sustratos de bajo coste. El espesor de
película obtenido típico es menor de 1 µm [141 y 142].
Dado que la conductividad de los materiales que conforman el emisor es baja,

se deposita un contacto transparente, comúnmente óxido de indio dopado con estaño
(ITO, Indium Tin Oxide), sobre la cara frontal, el cual actúa también como capa
antirreflectante [143].
Las primeras células comerciales basadas en a-Si(H) aparecen en 1.980 y su

eficiencia rondaba el 5% [1]. A partir de aquí, este tipo de células comienzan a
utilizarse en productos como relojes, calculadoras, juguetes, etc. En los años 90, la
eficiencia alcanzada a nivel de laboratorio fue de aproximadamente un 12% [144].
La construcción de células de a-Si compuestas de varias uniones

(multiunión), generalmente dos o tres uniones, supone una mejora en su rendimiento
(8 – 8,5%) [145], lo cual permite el uso de este tipo de células de forma masiva en la
generación de energía fotovoltaica.
Las células basadas en a-Si(H) permiten obtener dispositivos de eficiencia

razonable con técnicas sencillas. Entre las ventajas que presenta este tipo de células
se encuentran el bajo coste del material debido al poco requerimiento de Si en la
célula y la posibilidad de depositar el a-Si(H) en áreas grandes (del orden del m2).
Una de las principales ventajas de este tipo de células es que pueden fabricarse no
solamente células, sino módulos en un proceso continuo (figura A1.3).
Tesis Doctoral 208

Células de a-Si
Entre las desventajas de este material para su uso en dispositivos

fotovoltaicos cabe destacar que el a-Si sufre una degradación debido a la luz al
inicio de su operación, lo cual provoca que la eficiencia del módulo disminuya de un
10 a un 30%.
Figura A1.3 Células de a-Si.
Tesis Doctoral 209

Células de CdTe/CdS
Células de Teluro de Cadmio/Sulfuro de Cadmio (CdTe/CdS)
El band-gap del teluro de cadmio es de 1,45 eV, lo cual lo convierte en un

excelente semiconductor para el uso en células solares. El CdTe es capaz de
convertir la energía solar en electricidad con una tasa de eficiencia comparable a las
tecnologías basadas en silicio, requiriéndose sólo en torno al 1% de material
semiconductor.
Su estructura consiste de una ventana de CdS tipo n depositada sobre la

película antirreflectora; sobre ésta se deposita una película de CdTe con gran
capacidad de absorción (figura A1.4). Las células basadas en tecnología CdTe/CdS
forman parte de una tecnología con gran potencial de bajo coste. Una célula típica de
teluro de cadmio está formada por una capa (tipo p) de CdTe unida a una fina capa
tipo n de CdS. A continuación se coloca una capa de TCO (generalmente SnO2) que
va conectada con el contacto eléctrico. Se han conseguido células solares a nivel de
laboratorio con eficiencias de hasta un 16%, mientras que las fabricadas
comercialmente consiguen eficiencias del 8% [146].
La principal ventaja de esta tecnología radica en su sencillez y la multitud de

procedimientos existentes para su fabricación, la mayoría de los cuales tienen un
gran potencial para producciones a gran escala (actualmente existe una planta de 40
MW en Ohio y otra de 10 MW en Alemania; First Solar está construyendo una
planta de 100 MW en Alemania y otra en Malasia). Mientras que sus inconvenientes
son el coste de los materiales y la toxicidad del CdS.
a) b)
Figura A1.4 a) Estructura interna de una célula CdTe/CdS. b) Célula CdTe/CdS comercial.
Tesis Doctoral 210

Células CIGS/CIS
Células de Cobre Indio-Galio (CIGS, CuInGaSe2) y

Diseleniuro de Cobre-Indio (CIS, CuInSe2)
Este tipo de células presentan un gran potencial debido a su alta eficiencia y

bajo coste. Las células CIGS ofrecen un band-gap variable mediante la composición
de In-Ga, para maximizar la absorción del espectro solar. El band-gap varía desde
1,02 eV a 1,68 eV, y proporcionan el mayor coeficiente de absorción dentro de la
tecnología thin-film, lo que permite que alrededor del 99% de los fotones sean
absorbidos por los primeros micrómetros del material [147].
Una célula CIGS está formada por una capa de contacto de molibdeno,
(figura A1.5), por una fina capa de CdS o ZnS y una bicapa de aluminio y óxido de
zinc como TCO [148]. La principal ventaja de esta técnica es la reducción de costes
en materiales. Entre las desventajas aparecen, la complejidad del método de
fabricación, con una necesidad de inversión importante; y la disponibilidad de
materiales, junto con la toxicidad de la capa CdS [149].
A finales de 2007 Nanosolar comenzó a producir células solares basadas en

tecnología CIGS, empleando nanoestructuras de tinta sobre una lámina de aluminio.
Su funcionamiento es similar al de una impresora de tinta, esto permite reducir de
manera importante los costes de fabricación de células fotovoltaicas. (figura A1.6).
Tesis Doctoral 211

Células CIGS/CIS
a) b)
Figura A1.5 a) Estructura interna de una célula CIGS. b) Célula CIGS comercial.
Figura A1.6 Nanoestructuras CIGS de tinta. Fuente: Nanosolar.
Las células de Seleniuro de Cobre e Indio (CIS) constan de varias células

solares conectadas en serie. Su principal objetivo es absorber un amplio espectro de
radiación solar. Las células CIS de película delgada presentan una eficiencia de hasta
un 17% [150]. Aunque el material presenta un gran potencial, no es muy utilizado
debido a que requiere procedimientos muy específicos.
Los primeros módulos CIS fueron fabricados con una eficiencia del 8% en
2001. Desde entonces, la eficiencia de este tipo de células ha aumentado a valores
entre el 9-10% en 2002, y entre el 10-12% hoy en día. Un aspecto importante para el
desarrollo de esta tecnología es la reducción de costes de material (más costosa que
la del a-Si). Actualmente se ha alcanzado un rendimiento del 19% en células CIS
fabricadas en los laboratorios NREL (National Renewable Energy Laboratory,
EE.UU.).
Tesis Doctoral 212

Células CIGS/CIS
En la figura A1.7 se muestra la estructura de una célula CIS. Una célula CIS
está formada por un conductor transparente sobre el que se deposita una película
antirreflectora seguida del semiconductor tipo n. Esta película n, de entre 0,05 y 0,1
µm, actúa como una ventana. Esta ventana debe ser lo suficientemente delgada y
tener un band-gap superior a 2,8 eV. La película tipo p tiene generalmente 2 µm de
espesor, una alta capacidad de absorción y un band-gap de 1,0 eV, lo cual permite
obtener un Voc elevado. El material generalmente empleado para la ventana es el
CdS. En ésta se introduce una ventana de dos capas (ZnO+CdS). Por último la
película CIGS - Cu(In,Ga)Se2 - que permite una amplia flexibilidad en la selección
del ancho de banda de absorción.
a) b)
Figura A1.7 a) Fotografía de la sección transversal de una célula CIS. b) Capas de una célula
CIS. Fuente: Hahn-Meitner-Institut Berlín.
Células Orgánicas
Desde hace algún tiempo se está investigando en la posibilidad de usar

sustancias orgánicas (plásticos o polímeros) de bajo coste para confeccionar paneles
solares. En este caso no sólo su producción sería menos costosa, sino que además su
instalación sería más fácil, pudiéndose incluso ajustar a las formas arquitectónicas
debido a su flexibilidad. Las células orgánicas están fabricadas en plástico, el cual es
flexible e incluso se podría aplicar en forma de pintura sobre muros. Las células
orgánicas están basadas en polímeros y en diferentes estructuras de los átomos de
Tesis Doctoral 213

Células Orgánicas
carbono (furelenos). Como norma, para que una célula solar sea eficiente se necesita
que convierta más del 10% de la energía recibida en electricidad. Para el caso de las
células de silicio este porcentaje se eleva al 12%. Hasta ahora las células de
polímeros llegaban sólo al 3% ó el 4%, actualmente se llega al 5.2%. Este logro hace
que se esté un poco más cerca de una célula solar de polímero comercial. Según las
estimaciones, en cuatro o cinco años los paneles solares de plástico serán una
realidad.
El funcionamiento de una célula orgánica puede ser considerado como el

inverso al de un diodo LED (figura A1.8). Tanto en la célula solar como en el diodo
LED, el material orgánico es intercalado entre dos electrodos (estructura sándwich).
En el caso de la célula solar, los electrones son recolectados por el electrodo de
metal, y los huecos por el electrodo ITO. De forma inversa, en un diodo LED los
electrones son introducidos a través del electrodo de metal (cátodo), recombinándose
con los huecos introducidos a través del electrodo ITO (ánodo). En la figura A1.9 se
muestra la estructura de una célula orgánica.
Figura A1.8 Funcionamiento de una célula orgánica como LED y como célula PV.
Tesis Doctoral 214

Células Orgánicas
b)
a)
Figura A1.9 a) Estructura de una célula orgánica. b) Estructura tándem de células orgánicas.
Fuente: Konarka Technology.
Los polímeros usados en la construcción de células orgánicas se encuentran

comercialmente disponibles en grandes cantidades. Se calcula que se podrá duplicar
el porcentaje de eficiencia en un período muy corto de tiempo. El objetivo final para
la eficiencia de la célula solar de polímero está fijado en torno al 15 ó 20%, con una
vida útil de entre 15 y 20 años. Los grandes módulos de silicio con la misma vida
útil, tienen una eficiencia promedio de entre el 14 y el 18% [151]
Figura A1.10 Célula solar orgánica. Fuente: Georgia Institute of Technology.
Tesis Doctoral 215

Células DSC
Células Sensibilizadas con Colorante (Dye Solar Cell, DSC)
Las células solares sensibilizadas con colorante (dye solar cell, DSC) se
basan en una tecnología hibrida realizada con materiales orgánicos e inorgánicos
utilizando colorantes. Esta basada en semiconductores nanoestructurados
(generalmente dióxido de titanio, TiO2) sensibilizados con colorante. Debido a que
el titanio resulta relativamente barato, este tipo de células ofrecen un gran potencial
de reducción de costes [152]. El TiO2 es un semiconductor ambientalmente benigno,
ampliamente utilizado en dentríficos, bronceadores y como pigmento blanco en
pinturas.
Debido a su amplio band-gap (3 – 3,2 eV), el TiO2 sólo absorbe la parte

ultravioleta de la emisión solar, con lo cual se consigue muy poca eficiencia de
conversión. A pesar de los considerables esfuerzos de investigación que se han
realizado para desplazar la respuesta espectral del TiO2 al espectro visible, no se han
logrado los propósitos deseados. Esto es debido a que aquellos semiconductores que
tienen un band-gap bastante estrecho, como para absorber la luz visible
eficientemente se descomponen por fotocorrosión. El band-gap es también una
medida de la fuerza del enlace químico. Los semiconductores estables bajo
iluminación, normalmente óxidos de metales como el titanio, tienen una ancha
banda prohibida, y en consecuencia, son insensibles al espectro visible. Durante
mucho tiempo, la posibilidad de lograr dispositivos fotovoltaicos
fotoelectroquímicos competitivos pareció muy remota. Gracias a un sensibilizador
(molécula de colorante) que absorbe fotones en el espectro visible se pudo lograr
una estructura estable. Este mecanismo puede representar un modelo simplificado de
los procesos primarios de fotosíntesis que involucran la clorofila (figura A1.11).
En la estructura de una célula DSC, el semiconductor está formado por un

agregado de partículas de algunos nanómetros de extensión (figura A1.12), las
cuales efectúan un buen contacto entre sí permitiendo el transporte electrónico, de
modo que todas las partes de la matriz porosa se encuentran en conexión eléctrica
con el sustrato colector. Los poros de la matriz se llenan con un medio conductor de
Tesis Doctoral 216

Células DSC
huecos, como un electrolito o un polímero conductor. El resultado consiste en dos

matrices que se ínterpenetran y ofrecen un área interna enorme para la
fotogeneración. La estructura nanoporosa suele tener un espesor de unos 10 µm, y el
área para la absorción de colorante supera en unas mil veces la de un electrodo
denso con la misma extensión.
Los electrodos nanoestructurados de TiO2 se forman depositando una fina

capa de suspensión coloidal sobre un sustrato conductor transparente (vidrio
recubierto de SnO2 dopado con F) [153]. Las dimensiones típicas de las partículas se
encuentran en el intervalo de 20 - 50 nm. La estructura se sensibiliza con moléculas
de colorante que se absorben por toda la superficie interna. La célula se completa
con una segunda placa de vidrio conductor recubierto con una fina capa de platino
que no obstruye la luz. La célula se sella y se inyecta una solución de LiI (yoduro de
litio) e I2 en un disolvente orgánico.
Tesis Doctoral 217

Células DSC
a)
b)
Figura A1.11 a) Esquema de Fotosíntesis en las plantas. b) Fotosíntesis artificial en células
DSC. Fuente: Sustainable Technologies International.
Tesis Doctoral 218

Células DSC
Figura A1.12 Estructura de una célula DSC. Fuente: Sustainable Technologies Internacional y ManSolar.
Tesis Doctoral 219

Células DSC
Con ayuda de la figura A1.13, el proceso de regeneración en las células DSC

puede ser explicado en cinco pasos:
1- En principio, el sensibilizador absorbe un fotón (ocurre la fotoexcitación

del colorante) y un electrón es transferido desde el estado S° a un mayor nivel de
energía. El sensibilizador está en el estado excitado S*.
2- El colorante inyecta un electrón en la banda de conducción del TiO2
3-El electrón se filtra a través de la capa porosa TiO2 al electrodo externo y

circula a través de la carga.
4- El electrón es transferido a Triioduro (I3–) para producir Yoduro (I–).
5- El Yoduro reduce la oxidación del colorante desde el estado S+ a su estado

original S°.
Dado que el proceso de inyección desde el colorante fotoexcitado es muy

rápido, el factor esencial para el aprovechamiento de la energía fotónica consiste en
la efectiva extracción de los electrones fotogenerados. En condiciones de circuito
cerrado, esto se logra por medio de un gradiente del potencial químico de los
electrones inyectados (quasi-nivel de Fermi) que les encauza hacia el contacto. En
otras palabras, la acumulación de los electrones en la nanoestructura aporta una
fuerza de difusión que da lugar a la fotocorriente.
A medida que se acumulan electrones fotogenerados, las propiedades

eléctricas de la fase semiconductor experimentan una extraordinaria transformación,
pasando de un estado de aislante eléctrico (dieléctrico) en la oscuridad a un
comportamiento casi metálico bajo iluminación intensa [154]. Cuando la célula se
encuentra a circuito abierto bajo iluminación, los electrones se acumulan hasta que
la rapidez del proceso de reacción con I3– equilibra exactamente la velocidad de
fotogeneración de electrones y se llega a un estado fotoestacionario. Entonces, el
fotopotencial corresponde al cambio del quasi-nivel de Fermi del estado de
Tesis Doctoral 220

Células DSC
acumulación respecto del valor en la oscuridad (nivel redox), alcanzándose valores

cercanos a 800 mV.
Figura A1.13 Esquema energético de una célula solar DSC. Fuentes: Solaronix y OrionSolar.
En un terreno más práctico, la eficiencia de conversión total lograda hasta

ahora se encuentra cerca del 11%. En el ámbito de la industria, la empresa
australiana Sustainable Technologies International (STI) implantó en el 2001 la
primera planta de producción a gran escala de células solares de titanio
sensibilizado. Los paneles solares comercializados por STI, con características
típicas de 600 mm × 900 mm y potencia pico de 50 W/m2, se muestran en la figura
A1.14.
Tesis Doctoral 221

Células DSC
Figura A1.14 Paneles solares de TiO2 sensibilizado, color rojo ocre (con bandas negras
conductoras). Fuente: Sustainable Technologies Internacional.
La célula de semiconductor nanoporoso sensibilizado es un dispositivo

versátil, ya que se puede concebir para una gran variedad de configuraciones y
aplicaciones (domésticas, decorativas o arquitectónicas). Considerando las células
convencionales de unión sólida, hay que señalar que los semiconductores
inorgánicos absorben prácticamente toda la luz que excede su energía de ancho de
banda prohibida. Esto es favorable para una alta eficiencia de conversión de luz
solar en electricidad. Pero los colorantes, por otra parte, tienen una banda de
absorción bastante estrecha, y la posibilidad de configurar la absorción en diferentes
regiones de longitud de onda confiere a la célula de colorante una ventaja natural
sobre otras células solares. Es decir, se pueden realizar células de colorante en
cualquier color deseado para una aplicación concreta. En particular, se podría
utilizar un colorante con absorción en el infrarrojo que sería transparente para el ojo
humano y aún así, absorbería una fracción substancial de la luz solar. Por lo tanto, la
célula de colorante encuentra un mercado potencial y sin competencia si se desea
aprovechar las ventanas para producir electricidad. Funcionan bien en una amplia
gama de condiciones de iluminación y orientación, y son menos sensibles a un
parcial sombreado y a bajos niveles de iluminación. Estos aspectos las hacen
Tesis Doctoral 222

Células DSC
especialmente adecuados para aplicaciones arquitectónicas. Los módulos de color

DSC son excelentes elementos de construcción multifuncional, capaces de generar
electricidad en exteriores o en interiores, mientras que pueden servir de aislante
térmico y acústico. Productos como cargadores de baterías (para interiores y
exteriores) compatible con teléfonos móviles, ordenadores portátiles, reproductores
de audio y cámaras digitales se encuentran disponibles comercialmente (figura
A1.15).
a)
b) c)
Figura A1.15 a) Integración de módulos de DSC transparentes en edificios Fuente:
Schott Ibérica. b) Cargador comercial. Fuente: G24 Innovations. c) Módulo de DSC de
gran área. Fuente Solaronix.
El interés en el campo de las células DSC es demostrado por el gran número

de patentes y la reciente organización de conferencias dedicadas específicamente a
la industrialización de células DSC.
En cuanto a las perspectivas más próximas, hay que reconocer que en su

estado actual las células solares sensibilizadas no pueden competir en cuanto a
Tesis Doctoral 223

Células con Concentrador
eficiencia o durabilidad con otras alternativas del mercado de energía solar. Se han
planteado dudas sobre la estabilidad del colorante, cuya degradación, aunque ocurra
muy lentamente, inutilizaría la célula solar a medio o largo plazo. Otro
inconveniente es la fase líquida, entre otras cosas porque no resulta fácil sellar
perfectamente el disolvente orgánico, con lo que la célula se puede secar
paulatinamente y quedar inservible. Por ello, muchas de las investigaciones actuales
tienen como objeto el simplificar el proceso de producción y a la vez conseguir
mejores propiedades mecánicas, por ejemplo dotando a la célula de flexibilidad. De
este modo la célula de colorante podría competir en ciertas parcelas de mercado, por
ejemplo en aplicaciones de interiores donde los requisitos de eficiencia y durabilidad
no son tan estrictos como en aplicaciones al aire libre.
A1.5. Células con concentrador solar
Las células con concentrador solar emplean un dispositivo óptico que

concentra la luz solar en un área más pequeña de semiconductor, intercambiándose
área de célula por área de concentrador, que es más económica. Como consecuencia
del uso de un sistema concentrador, la célula se ve sometida a una irradiancia X
veces superior, donde X representa el nivel de concentración en número de soles.
Las células con concentrador trabajan a temperaturas más elevadas, y proporcionan
mayor eficiencia (entre un 20 y un 30%), pero la eficiencia no aumenta
indefinidamente con el factor de concentración, debido a la resistencia serie asociada
a los contactos. Para operar a 100 soles, una célula de 0.1 cm2 requiere un valor de
resistencia serie inferior a 50 mΩ.
Tesis Doctoral 224

Apéndice II
Normativa relacionada con la

caracterización de dispositivos FVs
Las actividades de normalización relacionadas con la caracterización de

dispositivos FV han sido llevadas inicialmente en Europa por el Comité
Electrotécnico Internacional CEI (Internacional Eletrotechnical Comisión, IEC),
organización internacional en el campo de la normalización desde la base del
consenso y el acuerdo a nivel mundial. El Comité Técnico 82 (TC82) es el
encargado de realizar la normalización en energía solar fotovoltaica (ESF) dentro de
la IEC. Como consecuencia del nacimiento de la Comunidad Económica Europea
nació el CEN (Organismo Europeo de la Normalización) que asumió las tareas de
normalización de los distintos organismos nacionales. Éste fue completado luego por
CENELEC para la normalización eléctrica y electrónica. En 1989 la Comisión
Europea encarga a CEN y CENELEC la elaboración de un conjunto de normas
aplicables a la ESF, empezando por someter a voto las normas IEC ya existentes. En
España, la Asociación Española de Normalización y Certificación, AENOR, es la
entidad reconocida por el Ministerio de Industria y Energía para desarrollar las
Tesis Doctoral 225

Normativa
tareas de normalización en los sectores industriales y de servicios. Con este

trasfondo, las normas elaboradas por el IEC pasan a denominarse normas, cuando
son aceptadas por CENELEC y en el caso de España, al ser traducidas al español y
aceptadas por AENOR, la notificación cambia a UNE-EN (por ejemplo, la norma
internacional IEC 904:1 pasa a norma europea EN-904:1 y a norma española UNE-
EN-904:1).
Además de las normas europeas, pueden destacarse las editadas por las
entidades o laboratorios siguientes:
-Sociedad Americana para Ensayos de Materiales (American Society for

Testing Materials, ASTM)
-Laboratorios Underwriters [155] (Underwriters Laboratories, norma UL),

principalmente normas de seguridad pero que también tienen algunas relacionada
con la energía solar fotovoltaica.
-Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos [156] (Institute of Electrical

and Electronics Engineers, Inc. IEEE). El comité de coordinación nº 21SCC21,
referente a células de combustible, fotovoltaica, generación distribuida y
almacenamiento de energía, ha editado algunas normas de energía solar fotovoltaica.
-Las editadas por el Joint Research Centre de ISPRA como laboratorio

acreditado de la UE [157].
En este apéndice se presentan las principales normas de energía solar

fotovoltaica editadas por la IEC, enumerando también las que están en proyecto, por
ser la entidad mas relevante en cuanto a la normalización de la energía solar FV. De
las normas propuestas por el resto de laboratorios, específicamente relacionadas con
la energía solar fotovoltaica, simplemente se ofrece un listado de las que están en
circulación actualmente. Las normas ASTM, de carácter mucho más amplio, en
relación a la FV tienen que ver sobre todo con la calibración de sensores de
Tesis Doctoral 226

Normativa
radiación, por lo que no se incluye listado. Puede consultarse, no obstante, el

catálogo anual [158].
A2.1. Normas IEC-UNE-EN aprobadas
A continuación se presenta un listado de las normas emitidas por la comisión

Electrotécnica Internacional, incluyéndose además su nomenclatura y equivalente si
han sido aprobadas como norma europea y/o española.
IEC 904-1: 1987 (EN-60904-1: 1993, UNE-EN-60904-1: 1994). Medida de

la característica intensidad-tensión de módulos fotovoltaicos.
IEC 904-2 1989, Amendment 1: 1998 (EN-609049-2:1993, EN-60904-

2/A1:1998, UNE-EN-60904-2: 1994, UNE-EN-60904-2/A1:1998). Requisito de
células solares de referencia.
ICE904-3:1989 (EN 60904-3:1994). Fundamentos de medida de dispositivos

solares fotovoltaicos de uso terrestre con datos de irradiancia espectral de referencia.
IEC904-5:1993, (EN-60904-5: 1995; UNE-EN-60904-5 1996).

Determinación de la temperatura de la célula equivalente (TCE) de dispositivos
fotovoltaicos por el método de la tensión de circuito abierto.
IEC 60904-6:1994/A1: 1998 (EN-60904-6:1994, modificada por EN-60904-

6/A1:1998, UNE-EN-6:1997, UNE-EN-60904-6/a1:1998). Requisitos para los
módulos solares de referencia.
IEC 60904-7:1998 (EN-60904-7:1998, UNE-EN-60904-7:1999). Cálculo del

error introducido por el desacoplo espectral en las medidas de un dispositivo
fotovoltaico (FV).
IEC 60904-8:1998 (EN-60904-10:1998, UNE-EN-60904-8: 1999). Medida

de la respuesta espectral de un dispositivo fotovoltaico.
Tesis Doctoral 227

Normativa
IEC60904-10:1998 (EN-60904-10:1999). Métodos de medida de la

linealidad.
IEC 61173:1992 (EN 61173:1994, UNE-EN 61173:1998): Protección contra

las sobretensiones de los sistemas fotovoltaicos (FV) productores de energías
IEC 61194:1992 (EN 61194:1995, UNE 61194:1997). Parámetros

característicos de los sistemas fotovoltaicos (FV) autónomos.
IEC 61215:1993 (EN 61215:1995, UNE 61215: 1997). Módulos

fotovoltaicos (FV) de silicio cristalino para aplicaciones terrestres. Cualificación de
diseño y aprobación de tipo.
IEC 61277:1995 (EN 61277:1998, UNE-EN6277:1998). Sistemas

fotovoltaicos (FV) terrestres generadores de potencia. Generalidades y guía.
IEC 61345:1998 (EN 61345:1998, UNE-EN 61345:1999). Ensayo

ultravioleta para módulos fotovoltaicos (FV).
IEC 61646: 1996 (EN 61646: 1997, UNE-EN 61646:1997) Módulos

fotovoltaicos (FV) de lámina delgada para aplicaciones terrestres. Cualificación de
diseño y aprobación de tipo.
IEC 61683:1999 (EN 61683: 2000, UNE-EN 61683:2001). Sistemas

fotovoltaicos. Acondicionadores de potencia. Procedimiento para la medida del
rendimiento.
IEC 61701:1995 (EN 61701: 1999, UNE-EN 61701:2000). Ensayo de

corrosión por niebla salina para módulos fotovoltaicos (FV).
IEC 61702:1995 (EN 61702: 1999, UNE-EN 61702: 2000). Evaluación de

sistemas de bombeo fotovoltaico (FV) de acoplo directo.
Tesis Doctoral 228

Normativa
IEC 61721:1995 (EN 61721:1999, UNE-EN 61721:2000). Susceptibilidad de

módulos fotovoltaicos (FV) al daño por impacto accidental (resistencia al ensayo de
impacto).
IEC 61724:1998 (EN 61724:1998, UNE-EN 61724 2000). Monitorización de

sistemas fotovoltaicos. Guías para la medida, el intercambio de datos y el análisis.
IEC 61725:1997 (EN 61725:1997, UNE-EN 61725:1998). Expresión

analítica para los perfiles solares diarios.
IEC 61727:1995 (EN 61727: 1995, UNE-EN 61727:1996). Sistemas

fotovoltaicos (FV). Características de la interfaz de conexión a la red eléctrica.
IEC 61829:1995 (EN 61829:1998, UNE-EN 61829:2000). Campos

fotovoltaicos de silicio cristalino. Medidas en el sitio de la características I-V.
IEC 61836: 1997 (es un informe técnico). Sistemas de energía solar

fotovoltaica. Términos y símbolos.
EN 50380: 2003 (UNE-EN 50380:2003). Informaciones de las hojas de datos

y las placas de características para los módulos fotovoltaicos.
IEC 60364-73712: Instalaciones eléctricas en edificios-parte 7-712: Reglas

para las instalaciones y emplazamientos especiales. Sistemas de alimentación de
energía solar fotovoltaica.
A2.2. Normas del comité técnico 82 (CT82) de la

Comisión Electrotécnica Internacional en
Proyecto (marzo 2004)
IEC 61836-2: Sistemas de energía solar fotovoltaica-Términos y símbolos-

Parte 2.
Tesis Doctoral 229

Normativa
IEC 61730-1: Cualificación de seguridad del modulo fotovoltaico. Parte 1:

Regla constructiva.
IEC 61730-2: Cualificación de seguridad del módulo fotovoltaico. Parte 2:

Regla de ensayo.
IEC 61853: Ensayos de rendimiento y evaluación energética de módulos

fotovoltaicos de uso terrestre.
IEC 62145: Módulos fotovoltaicos de silicio cristalino - Especificación de

detalles.
IEC 61215: Módulos fotovoltaicos (FV) de silicio cristalino para aplicaciones

terrestres. Cualificación del diseño y aprobación de tipo. Versión revisada.
IEC 61216: Sistemas fotovoltaicos aislados – Cualificación del diseño y

aprobación de tipo.
IEC 62234: Guías de seguridad para sistemas fotovoltaicos montados en

edificios conectados a la red eléctrica.
IEC 62253: Sistemas de bombeo fotovoltaico de acoplo directo.

Cualificación del diseño y aprobación de tipo.
IEC 61727: Baterías secundarias para sistema de energía fotovoltaica- Reglas

generales y métodos de ensayo.
IEC 62078: Programa de certificación y acreditación para componentes de

sistemas fotovoltaicos- Guías para un sistema de calidad total.
IEC 62093: Resto de componentes de sistemas fotovoltaicos - Cualificación

de diseño y aprobación de tipo.
IEC 62109: Seguridad eléctrica de inversores estáticos y controladores de

carga de utilización en sistemas fotovoltaicos.
Tesis Doctoral 230

Normativa
IEC 62116: Procedimiento de ensayo - Medidas de prevención de aislamiento

para acondicionadores de potencia utilizados en sistemas fotovoltaicos conectados a
la red eléctrica.
IEC 62108: Módulo y receptores fotovoltaicos de concentración -

Cualificación del diseño y aprobación de tipo.
IEC 62257-1: Recomendaciones para pequeños sistemas de energía

renovables e hibridos para electrificación rural. (Publicada la especificación técnica).
IEC 62257-2: Recomendaciones para pequeños sistemas de energías

renovables e híbridos para electrificación rural – Parte 2: Desde las reglas hasta un
abanico de sistemas de electrificación.

renovables e híbridos para electrificación rural – Parte 3: Desarrollo y gestión de
proyectos.

renovables e híbridos para electrificación rural - Parte 4: Selección y diseño de
sistemas.

renovables e híbridos para electrificación rural - Parte 5: Reglas de seguridad:
Protección contra riesgos eléctricos.
A2.3. Normas UL relacionadas con la energía solar

fotovoltaica
UL-1703-1993 (revisada en 2001) UL Standard for safety for flat plate

photovoltaic modules and panels.
Tesis Doctoral 231

Normativa
A2.4. Normas IEEE relacionadas con la energía solar

fotovoltaica
IEEE std 1023-2000. Recommended Practice for Sizing Lead-Acid Batteries

for Photovoltaic (PV) Systems.
IEEE std. 1145-1999. Recommended Practice for Installation and

Maintenance of Nickel-Cadmium Batteries for Photovoltaic (PV) Systems.
IEEE STD 1262-1995. Recommended Practice for Qualification of

Photovoltaic (PV) Modules.
IEEE STD 1361-2003. Guide for Selection, charging, Test and Evaluation of
Lead-Acid Batteries Used in Stand-Alone Photovoltaic (PV) Systems.
IEEE std 1513-2001. Recommended Practice for Qualification of

Concentrator Photovoltaic (PV) Receiver Sections and Modules.
IEEE std. 1547-2003. Standard for Interconnecting Distributed Resources

with Electric Power Systems.
IEEE std. 928-1986. Recommended Criteria for Terrestrial Photovoltaic

Power Systems.
IEEE std. 929-1988. Recommended Practice for Utility Interface of

Photovoltaic (PV) Systems. (Última edición en 2000, nº IEEE 929-2000).
IEEE 937-1987. Recommended Practice for Installation and Maintenance of

Lead-Acid Batteries for Photovoltaic (PV) Systems. (Última edición en 2000, IEEE
929-2000).
Tesis Doctoral 232

Normativa
A2.5. Normas del Joint Research Centre, Inspra, Italia
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21020 Ispra (VA). http://es.jrc.cec.eu.ent.
Tesis Doctoral 253

Bibliografía
158. Annual book of ASTM standards. Section Twelve. Nuclear, Solas, and
Geothermal Energy. Volume 12.02: Nuclear (I), Solar, and Geothermal
Energy (2002).
Tesis Doctoral 254

Índice Alfabético
A.
ABM ..............................................................................................................................................137
Air Mass ......................................................................................................................................... 21
Albert Einstein ..................................................................................................... 24
Alexander Edmund Becquerel ............................................................................. 23
Arrays................................................................................................................... 30
B.
Band Gap ............................................................................................................. 33

C.
Calvin Fuller ................................................................................................................................. 24

Características I-V................................................................................................ 32
Características P-V............................................................................................... 32
Células de primera generación............................................................................. 39
Células de segunda generación ............................................................................ 40
Células de tercera generación .............................................................................. 41
Células CIS .......................................................................................................... 38
Células CIGS ....................................................................................................... 38
Células multiunión ............................................................................................... 41
Célula solar de película delgada .......................................................................... 25
Célula solar de Silicio Amorfo ............................................................................ 38
Célula solar de Silicio (mono y policristalino) .................................................... 38
Célula solar de Silicio (mono y policristalino) .................................................... 38
Condiciones stándares.......................................................................................... 57
Constante de Boltzmann ...................................................................................... 31
Convertidores CC/CC .......................................................................................... 80
Convertidor CSC................................................................................................ 123
Tesis Doctoral 255

Índice Alfabético
Convertidor Cuk ................................................................................................ 103

Convertidor elevador ........................................................................................... 90
Convertidor Flyback .......................................................................................... 124
Convertidor reductor............................................................................................ 82
Convertidor reductor-elevador............................................................................. 97
Convertidor SEPIC ............................................................................................ 104
Convertidor Zeta ................................................................................................ 106
Ciclo de Carnot .................................................................................................... 39
Circuito equivalente de una célula solar .............................................................. 31
D.
Daryl Chapin ................................................................................................................................. 24

División espectral ................................................................................................ 41
DCS.................................................................................................................... 149
DSP .................................................................................................................... 149
E.
Ecuación de Shockley................................................................................................................ 32
Eficiencia de una célula ....................................................................................... 33
F.
Factor de cancelación ..............................................................................................................139

G.
Gerald Pearson ............................................................................................................................. 24

Girador ............................................................................................................... 107
H.
Hoffman Electronic .................................................................................................................... 25

I.
Inductores acoplados ................................................................................................................133

Intercalado de convertidores .............................................................................. 139
IOM.................................................................................................................... 140
J.
John Bardeen................................................................................................................................. 24
Tesis Doctoral 256

Índice Alfabético
L.
Lewis Research Center.............................................................................................................. 26

M.
Max Planck .................................................................................................................................... 23

Método capacitivo................................................................................................ 63
Método con amplificador de potencia ................................................................. 66
Método con carga de 4 cuadrantes....................................................................... 68
Método de carga electrónica ................................................................................ 65
Método de resistencia variable ............................................................................ 62
Microcontrolador ............................................................................................... 149
Modelo Matlab/Simulink................................................................................... 118
Modelo en T....................................................................................................... 135
MPPT ................................................................................................................... 80
P.
Planta solar de Olmedilla de Alarcón .................................................................................. 30

PFC .................................................................................................................... 112
PWM .................................................................................................................... 80
R.
R. E. Day ........................................................................................................................................ 23
Resistencias de pérdidas ...................................................................................... 31
S.
Semiconductores.......................................................................................................................... 34
Simuladores solares ............................................................................................. 71
Sistema aislado .................................................................................................... 50
Sistema centralizado ............................................................................................ 52
Sistema distribuido .............................................................................................. 51
SOM................................................................................................................... 143
T.
Termalización ............................................................................................................................... 41
Tesis Doctoral 257

Índice Alfabético
V.
VR ...................................................................................................................................................139
W.
Walter Brattain..................................................................................................... 24
William Shockley ................................................................................................ 24
Willoughby Smith ....................................................................................................................... 23
W. G. Adams ....................................................................................................... 23
Tesis Doctoral 258

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Universidad de Huelva

Departamento de Ingeniería Electrónica, de Sistemas

Prototipo experimental para la medida y caracterización

Memoria para optar al grado de doctor

Eladio Durán Aranda

Fecha de lectura: 17 de diciembre de 2009

Bajo la dirección del doctor:

José Manuel Andújar Márquez

Prototipo Experimental para la Medida y Caracterización

Eladio Durán Aranda

Dr. José Manuel Andújar Márquez

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA, DE SISTEMAS

Huelva, noviembre de 2009

Que D. Eladio Durán Aranda, Ingeniero en Electrónica, ha realizado bajo mi

Prototipo Experimental para la Medida y Caracterización de las

Y para que así conste a efectos de lo establecido en el artículo octavo del

Huelva, a 13 de Noviembre de 2009

Director: Dr. José Manuel Andújar Márquez

Doctorando: Eladio Durán Aranda

Agradezco sinceramente a todos aquellos compañeros de los Departamentos

Quiero resaltar también mi agradecimiento y respeto hacia dos personas muy

Índice de Contenidos VIII

Índice de Figuras XII

Índice de Tablas XVIII

Capítulo 1. Planteamiento General .............................................................................1

1.1. Resumen de la Tesis .............................................................................................................3

1.2. Estructura de la Tesis ...................................................................................... 6

1.3. Objetivos ......................................................................................................... 8

1.4. Innovaciones que aporta la Tesis .................................................................... 9

1.5. Rendimiento científico de la Tesis................................................................ 10

Capítulo 2. Fundamentos de la Tecnología FV:

Caracterización de Dispositivos ........................................................ 19

2.1. Introducción .................................................................................................. 20

2.2. Breve recorrido histórico sobre la tecnología fotovoltaica........................... 22

2.3. Fundamentos, tipos y características de células solares ............................... 30

2.4. Sistemas fotovoltaicos (FVs) ........................................................................ 46

2.5. Caracterización de dispositivos FVs............................................................. 53

2.6. Medidas en condiciones estándares de dispositivos FVs.............................. 57

2.7. Métodos de medida de curvas I-V de módulos y arrays FVs....................... 60

2.8. Comparación de los diferentes métodos de medida de curvas I-V

2.9. Conclusiones ................................................................................................. 78

Capítulo 3. Estudio y análisis de topologías de convertidores CC/CC para la

3.1. Introducción .......................................................................................................................... 80

3.2. Convertidor Reductor (Buck)........................................................................ 82

3.2.1. Convertidor Reductor en CCM .......................................................... 83

3.2.2. Convertidor Reductor en DCM .......................................................... 86

3.3. Convertidor Elevador (Boost) ....................................................................... 90

3.3.1. Convertidor Elevador en CCM........................................................... 91

3.3.2. Convertidor Elevador en DCM .......................................................... 93

3.4. Convertidor Reductor-Elevador (Buck-Boost).............................................. 97

3.4.1. Convertidor Reductor-Elevador en CCM........................................... 98

3.4.2. Convertidor Reductor-Elevador en DCM ........................................ 100

3.5. Convertidor Cuk.......................................................................................... 103

3.6. Convertidor SEPIC ..................................................................................... 104

3.7. Convertidor Zeta ......................................................................................... 106

3.8. Convertidores CC/CC como emuladores de resistencia variable ............... 107

3.9. Análisis comparativo de diferentes configuraciones

3.10. Técnicas de reducción del rizado aplicadas

3.11. Conclusiones............................................................................................. 144

Capítulo 4. Prototipos Experimentales.................................................................. 147