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    Efecto Avalancha en Un Diodo

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    Paúl Sánchez
    Este documento describe el efecto de avalancha en diodos. Explica que ocurre cuando la tensión inversa aplicada aumenta más allá del valor de ruptura. Esto causa una multiplicación de pares electrón-hueco que hace que la corriente crezca rápidamente, lo que se conoce como efecto de avalancha. También señala que este efecto es responsable de la ruptura en diodos con una zona de carga espacial ancha, mientras que el efecto Zener opera en diodos con una zona más estrecha.

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    Efecto Avalancha en Un Diodo

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    Paúl Sánchez
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    Este documento describe el efecto de avalancha en diodos. Explica que ocurre cuando la tensión inversa aplicada aumenta más allá del valor de ruptura. Esto causa una multiplicación de pares electrón-hueco que hace que la corriente crezca rápidamente, lo que se conoce como efecto de avalancha. También señala que este efecto es responsable de la ruptura en diodos con una zona de carga espacial ancha, mientras que el efecto Zener opera en diodos con una zona más estrecha.

    Descripción original:

    Cómo se produce

    Título original

    Efecto Avalancha en un diodo

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    Este documento describe el efecto de avalancha en diodos. Explica que ocurre cuando la tensión inversa aplicada aumenta más allá del valor de ruptura. Esto causa una multiplicación de pares electrón-hueco que hace que la corriente crezca rápidamente, lo que se conoce como efecto de avalancha. También señala que este efecto es responsable de la ruptura en diodos con una zona de carga espacial ancha, mientras que el efecto Zener opera en diodos con una zona más estrecha.

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    Efecto Avalancha en Un Diodo

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    Paúl Sánchez
    Este documento describe el efecto de avalancha en diodos. Explica que ocurre cuando la tensión inversa aplicada aumenta más allá del valor de ruptura. Esto causa una multiplicación de pares electrón-hueco que hace que la corriente crezca rápidamente, lo que se conoce como efecto de avalancha. También señala que este efecto es responsable de la ruptura en diodos con una zona de carga espacial ancha, mientras que el efecto Zener opera en diodos con una zona más estrecha.

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    ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

    Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica


    Ingeniería en Electrónica y Redes de Información
    DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

    Nombre: Paúl Sánchez


    Fecha: 16-04-2018
    GR-2

    Efecto Avalancha en Diodos

    El efecto avalancha ocurre en diodos donde un lado de la juntura está


    fuertemente dopado respecto del otro.

    La tensión de ruptura, en estos casos, es inversamente proporcional a la


    concentración de impurezas del lado menos dopado.

    En este caso la zona de carga espacial es más ancha, y el campo interno i es


    pequeño;

    ¿Cómo se produce entonces la avalancha?


    Dentro de la zona de carga espacial siempre existen portadores libres debido a
    la generación térmica.

    Si comenzamos a aumentar el valor de la tensión inversa Vi ya sabemos que se


    origina un campo 0 que se suma al campo interno i (que ahora es de valor
    pequeño).

    Mientras el valor de Vi sea bajo, el campo total sobre la juntura no es suficiente


    para producir, por choque, pares electrón-laguna en cantidad suficiente como
    para alterar mucho el valor de la corriente a través de la juntura.

    A medida que Vi aumente aumentará el campo total sobre la zona de carga


    espacial; los portadores libres (al tener mayor camino medio libre) aumentarán
    su energía cinética y los choques tendrán la probabilidad de arrancar electrones
    ligados a los átomos de la red cristalina; se producirán mayor cantidad de pares
    electrón- laguna lo que llevará a un aumento de la corriente de juntura (recordar
    que, en una juntura polarizada en forma inversa, la corriente de juntura está
    formada por portadores minoritarios).

    Un mayor número de portadores libres aumenta la probabilidad de choques y, si


    el campo externo sigue creciendo, mayor será la energía cinética adquirida por
    los portadores libres lo que lleva a un nuevo aumento de la corriente en el diodo
    al producirse mayor cantidad de pares electrón-hueco por esos choques.

    El proceso es acumulativo y se denomina “multiplicación por avalancha” Si se


    sigue aumentando la tensión inversa externa se llega a un valor crítico donde la
    corriente en el diodo crece en forma brusca; se ha llegado a la ruptura de la
    juntura.

    El valor de la corriente en el diodo solo puede ser limitado por el circuito externo
    y la tensión entre ánodo y cátodo permanece casi constante (Vz).

    Una vez alcanzado el valor de la tensión de ruptura, si la tensión externa Vi sigue


    creciendo, la tensión Vz se mantiene sensiblemente constante a costa de un
    crecimiento de la corriente en el diodo.

    Los valores de Vz que producen ruptura por avalancha están por encima de los
    8V.

    Debemos tener presente que ambos mecanismos estudiados están presentes


    en el proceso de la ruptura de la juntura predominando el efecto zener para
    tensiones menores de 6V. y el efecto avalancha para tensiones mayores de 8V.

    Entre estas tensiones existe un rango de valores (6V  Vz  8V) en el cual los dos
    mecanismos existen simultáneamente predominando uno u otro, según sea la
    distribución exacta de impurezas en las junturas.

    Aun sabiendo que existen ambos mecanismos, el término “diodo zener” se utiliza
    para denominar tanto a los diodos de avalancha, como a los de efecto zener.

    En la actualidad, se pueden encontrar en el mercado, diodos zener de silicio con


    tensiones de zener desde 2,4V. hasta tensiones del orden de 200V.
    (generalmente los valores de tensión de zener no son números enteros) y con
    probabilidades de disipar hasta 50W de potencia en la juntura.

    BIBLIOGRAFÍA

    - ZENER. Diodos de Ruptura ó Diodos Zener. [archivo PDF]. Recuperado de:


    http://materias.df.uba.ar/labo3aa2014c1/files/2014/04/Apunte-diodo-zener-
    1344535622.pdf

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