Consola Mezcladora

ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
ESCUELA DE INGENIERA
IMPLEMENTACION DE UNA CONSOLA MEZCLADORA CON

MODULACIN EN FRECUENCIA, CON SIETE ENTRADAS DE
AUDIO, PARA SER ACOPLADA A UN AMPLIFICADOR DE
POTENCIA.
PROYECTO PREVIO A LA OBTENCIN DEL TITULO DE INGENIERO EN

ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES
NAVARRO MNDEZ DIANA VERNICA
DIRECTOR: ING. ANTONIO CALDERN
Quito, agosto del 2003

DECLARACIN
Yo, NAVARRO MNDEZ DIANA VERNICA, declaro bajo juramento que el

trabajo aqu descrito es de mi autora; que no ha sido previamente presentada
para ningn grado o calificacin profesional; y, que he consultado las referencias
bibliogrficas que se incluyen en este documento.
A travs de la presente declaracin cedo mis derechos de propiedad intelectual

correspondientes a este trabajo, a la Escuela Politcnica Nacional, segn lo
establecido por la Ley de Propiedad Intelectual, por su Reglamento y por la
normatividad institucional vigente.
L
Navarro Mndez Diana Vernica
CERTIFICACIN
Certifico que el presente trabajo fue desarrollado por la

Seorita Navarro Mndez Diana Vernica, bajo mi
supervisin.
Ing. Antonio Caldern

DIRECTOR DE PROYECTO
AGRADECIMIENTO
y.
E! agradecimiento ms profundo a mi Padre Celestial por

mantenerme con vida, a mis papitos por facilitarme los
medios para poder realizar mis sueos y anhelos, al
Ing. Caldern por su paciencia y acertada direccin.
(Diana Vernica Navarro Mndez

NDICE
INTRODUCCIN l
CAPTULO i: FUNDAMENTOS TERICOS
FUNDAMENTOS TERICOS 4
1.1 MEZCLADO 5
1.1.1 MEZCLADO LINEAL 5
1.1.2 MEZCLADO NO LINEAL ............7
1.1.3 MEZCLADORES 8
1.1.4 SISTEMAS ESTEREOFONICOS 10
1.2 AMPLIFICADORES DE RADIOFRECUENCIA 11
1.2.1 AMPLIFICADORES DE TENSIN DE RADIOFRECUENCIA............... 11
1.2.1.1 Parmetros que influyen en la frecuencia de trabajo "f0" .........13
1.2.1.2 Determinacin del factor de amplificacin de corriente PO del transistor
bipolar a la frecuencia de trabajo fo,...............,.,,,,. 14
1.2.1.3 Determinacin del Factor de Amplificacin de Voltaje p, para el transistor
bipolar.................. .............16
1.2.1.3.1 Factor de. amplificacin de voltaje // enfundan de la ganancia de
potencia del transistor 77
1.2.2 AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIA 19
1.2.2.1 Amplificador de Potencia Clase A 22
1.2.2.2 Amplificador de Potencia Clase C 26
1.2.3 AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A Y C CUANDO r 0 R a c 31
1.3 OSCILADORES DE RADIOFRECUENCIA 34
1.3.1 CARACTERSTICAS DE LOS OSCILADORES 34
1.3.2 CLASIFICACIN DE LOS OSCILADORES....... 40
1.3.2.1 Osciladores RC............... ...................40
1.3.2.2 Osciladores LC 40
1.3.2.2.1 Clasificacin de los osciladores LC,.,...........................................44
1.3.2.3 Osciladores a Cristal .....................49
1.4 REDES TRANSFORMADORAS DE EMPEDANCIAS 51
1.4.1 REDES TIPO "L"..... ..51
1.4.1.1 Red tipo L elevadora....... 52
1.4.1.2 Red tipo L reductora 53
1.4.2 REDES TIPO "T" 54
1.4.3 REDES TIPO "TI" ..56
vi
1.4.4 REDES INDUCTIVAS 58
1.4.4.1 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR 58
1.5 MODULACIN 61
1.5.1 MODULACIN DE AMPLITUD 61
1.5.2 MODULACIN EN FRECUENCIA 61
1.5.2.1 Anlisis Matemtico ..63
1.5.3 NDICE DE MODULACIN 64
1.5.4 MODULACIN POR UNA SINUSOIDE DE FRECUENCIA SENCILLA 64
1.5.5 REQUERIMIENTOS DEL ANCHO DE BANDA PARA UNA SEAL
MODULADA EN FRECUENCIA ...66
1.5.6 CIRCUITOS MODULADORES FM 67
1.5.6.1 Circuito modulador con diodo varactor 68
1.5.6.2 Circuito modulador FM basado en la utilizacin de un oscilador controlado
porvoltaje(VCO) 70
CAPTULO 2: DISEO DE LA CONSOLA
2.1 DIAGRAMA DE BLOQUES DE LA CONSOLA 74

2.1.1ETAPADEPREAMPLIFICACIN ...........75
2.1.2 ETAPA DE MEZCLA. 75
2.1.3 ETAPADEMODULACIN 75
2.1.4 ETAPA DE PREAMPLIFICACIN DE POTENCIA ..........75
2.2 DISEO DEL PREAMPLIFICADOR DE POTENCIA 76
2.3 DISEO DEL MODULADOR FM 93
2.3.1 CLCULOS PARA DETERMINAR LOS ELEMENTOS DEL BLOQUE DE
AMPLIFICACIN ....95
REALIMENTACIN 104
2.4 DISEO DEL MEZCLADOR 108
2.4.1 DISEO PARA UN AMPLIFICADOR INVERSOR 108
2.5 DISEO DE LOS PREAMPLEEICADORES 112
2.5.1 PREAMPLIFICADORES PARA LOS MICRFONOS .............113
2.5.2 PREAMPLIFICADORES LINE (TAPE Y CD PLAYER) 115
2.5.3 PREAMPLIFICADORPHONO (TOCADISCOS)..... .........116
Vil
2.6 DISEO DEL CIRCUITO ACONDICIONADOR DE LAS ENTRADAS 119
2.7 FUENTES DE ALIMENTACIN PARA LA CONSOLA 122
CAPTULO 3: PRUEBAS Y RESULTADOS
3.1 CALIBRACIN 126

3.1.1 CIRCUITO PREAMPLIFICADOR DE POTENCIA 126
3.1.2 CIRCUITO MODULADOR FM 126
3.1.2.1 Cambios realizados 127
3.1.3 CIRCUITO PREAMPLIFICADOR Y MEZCLADOR 128
3.2 ELABORACIN DEL MDULO 129
CAPTULO 4: CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES 139
BIBLIOGRAFA 142
ANEXOS , 144
vin
INTRODUCCIN
OBJETIVOS
El presente proyecto tiene como objetivo principal el implementar una consola mezcladora
y moduladora en frecuencia que operar en el rango de FM; y que ser utilizada por la
carrera con fines didcticos.
La implementacin de la consola permitir habilitar el amplificador de potencia que trabaja

en banda ancha en el rango de FM, proyecto que se encuentra en el Laboratorio de
Electrnica de Alta Frecuencia
La consola permitir tener como entradas las seales obtenidas de cuatro micrfonos, un
tocadiscos (phono), casetera (tape) y cd player; lo que hace que el mdulo se constituya
bsicamente de dos partes principales las mismas que sern: ]a mezcla de las seales y la
modulacin para luego ser acoplada al amplificador de potencia de banda ancha.
El desarrollo terico necesario para el diseo de las partes constitutivas de la consola se

presentarn de manera que ser fcilmente entendido, en los captulos posteriores; estos
diseos sern desarrollados en base a los conocimientos adquiridos.
CONTENIDO DE LOS CAPTULOS
El primer captulo contiene los fundamentos tericos en los cuales se basa el desarrollo de
la presente tesis; esto es: conocimientos bsicos sobre tipos de mezclas, amplificadores de
radiofrecuencia, osciladores de radiofrecuencia, y moduladores FM.
En el segundo captulo se presentan los clculos y criterios de diseo empleados en la

elaboracin del proyecto, es decir, el diseo de cada una de las etapas constitutivas de la
consola.
En el tercer captulo se analiza el comportamiento prctico de los circuitos, los cambios
que se han realizado basndose en los resultados de las pruebas efectuadas en el
laboratorio.
En el cuarto captulo, se presentan las conclusiones y recomendaciones obtenidas a lo largo

de la realizacin del proyecto; as como tambin se detalla los registros bibliogrficos que
se han utilizado.
En los anexos, se presentan los desarrollos matemticos utilizados para la demostracin de

algunas de las frmulas utilizadas, as como tambin las caractersticas elctricas de los
elementos empleados como el transistor 2N918 y circuito integrado TL081,
CAPITULO 1
FUNDAMENTOS TERICOS
El presente proyecto tiene por objetivo la implementacin de un pequeo sistema de

transmisin FM, mediante la construccin de una consola que permitir la habilitacin del
amplificador de potencia que trabaja en el rango de FM que se encuentra en el laboratorio
de Electrnica de Alta Frecuencia.
El equipo a ser diseado permitir el manejo de siete entradas de audio provenientes de

diversas fuentes como lo son micrfonos, tocadiscos (phono)3 cd player y casetera (tape);
el mismo que cumplir con las funciones de mezclador y permitir manejar una o ms de
las siete entradas a seleccionar; la seal resultante ser modulada en frecuencia y
amplificada como se lo describe en el diagrama de bloques de la figura 1.1, para lo cual es
necesaria la revisin de los principios tericos en los cuales se ha basado el diseno y
construccin de la consola, los mismos que se detallarn en el presente captulo.
Seal de salida al
AMPLIFICADOR Y Amplificador de
ACOPLADOR Potencia
IMPEDANCIAS
MEZCLADOR
(PROCESADOR
DE AUDIO)
Figura 1.1 Diagrama de bloques bsico de las funciones de la consola
La etapa de mezcla (procesador de audio) es la encargada de procesar las seales de

entrada (seales de audio) y adaptarlas a los requerimientos de un modulador FM de bajo
nivel de potencia para luego amplificar la seal modulada hasta el nivel de salida deseado.
Fundamentos Tericos Captulo 1
Los principios tericos estudiados y utilizados para la elaboracin del proyecto se

describirn a continuacin.
1.1 MEZCLADO1
Mezclado es el proceso de combinar dos o ms seales y es esencial en las comunicaciones

electrnicas. Principalmente, existen dos maneras en las cuales las seales pueden
combinarse esto es: de manera lineal y no lineal.
1.1.1 MEZCLADO LINEAL
Las sumas (mezclado) lineales ocurren cuando dos o. ms seales se combinan en un

dispositivo lineal, tal como una red pasiva o un amplificador de pequea seal; la suma de
estas se fusiona de tal manera que no produce nuevas frecuencias y la forma de onda de
salida no es ms que la suma lineal de cada una de las seales de entrada.
As podemos apreciar de manera grfica en la figura 1.2 la amplificacin de una frecuencia

de entrada simple, la misma que matemticamente expresamos como:
Vsal=A*Ven
de donde:
Ven = Va * sen(2 * n * fa * t) EC 1.2
por lo tanto reemplazando la ecuacin 1.2 en la ecuacin 1.1
= A*Va*sen(2*7u*fa*t)
Ecl.3
1 Wayne Tomasi SISTEMAS DE COMUNICACIONES ELECTRNICAS Segunda edicin Mxico 1996

Prentce Hall Hispanoamericana S.A. Captulo 1 pgs. 28-33
A*Va
Va
fa fa
Figura 1.2 Amplificacin lineal de una frecuencia de entrada simple a) amplificador lineal,
b) dominio del tiempo, c) dominio de la frecuencia
fa
Vsn =
r\)
\J
Figura 1.3 Mezclado lineal a) amplificador lineal, b) dominio del tiempo, c) dominio de la frecuencia
Mientras que la figura 1.3 indica dos frecuencias de entrada combinadas en un

amplificador de seal pequea, cada seal de entrada es amplificada con una ganancia A
obtenindose matemticamente lo siguiente, (a partir de lo planteado en la ecuacin 1.1):
Vsal=A*Ven
si:
Ven = Va*sen(2*7T*fa*t) + Vb*sen(2*7i;*fb*t) Eci.4
se obtiene:
*** Ecl - 5
donde el voltaje de salida Vsal es una forma de onda compleja que contiene ambas
frecuencias de entrada.
En los sistemas de audio de alta fidelidad es importante que el espectro de salida contenga
slo la frecuencia de entrada original; de lo que se concluye que la operacin de un
mezclador lineal es el ms deseado.
1.1.2 MEZCLADO NO LINEAL
Ocurre cuando dos o ms seales se combinan en un dispositivo no lineal tal como un

diodo o amplificador de seal grande; en este tipo de mezclado las seales de entrada se
combinan produciendo componentes de frecuencia adicionales.
En la figura 1.4 podemos observar la amplificacin no lineal de una frecuencia de entrada

simple; la seal de salida de un amplificador no lineal no es una seal seno o coseno,
matemticamente lo expresamos como una serie de potencias infinita, as tenemos:
Ecl - 6
en donde:
Ven - Va * sen(2 * ?r * fa * t)
por lo tanto reemplazando la ecuacin 1.7 tenemos:
Vsal A * Va * sen(27ifat) + B * [Va * sen(27rfat)]2 + C * [Va * sen(27rfat)]3 Ecl.8
Ven = Va
fa + 2*fa + 3"fa + .
Ven = Va
c*vl
c)
Figura 1.4 Amplificacin no lineal de una frecuencia de entrada simple a) amplificador no lineal,
b) dominio del tiempo, c) dominio de la frecuencia
1.1.3 MEZCLADORES
Una mesa de mezclas2 es un sistema capaz de proporcionar, a partir de varias seales de

entrada (figura 1.5), seales de salida que son mezclas de las de entrada. Cada seal de
salida ser una suma, en diferentes proporciones, de las seales de entrada. La mesa tiene n
entradas y m salidas, siendo n y m nmeros que varan segn el modelo.
2 http:/Av\nv.metka.net/rotos775/audosondo/audiosondo,html
ENTRADAS SAUDAS
En
Figura 1.5 Diagrama de una mesa de mezclas con entradas y salidas
Por lo tanto un mezclador no es ms que un dispositivo (circuito electrnico) cuya funcin

consiste en combinar una o varias seales de entrada cuyo nmero depender de las
aplicaciones a las cuales est sujeto y proporcionndonos a la salida una seal unificada
para nuestro caso.
La mezcla de las seales se realiza con base en los conceptos de un mezclado lineal con lo
cual se permitir controlar los niveles de salida de cada una de las seales segn se lo
desee.
Un circuito mezclador lineal, es bsicamente un sumador en el cual se realiza el control de

las seales de entrada previamente amplificadas. Debido a que el origen de las seales
vara, para la etapa de la mezcla es necesario contar con preamplificadores; cuyas
funciones en general son:
Amplificar cualquier entrada a nivel de lnea.

" Ajustar el volumen.
Ajustar los graves y los agudos si es necesario.
Presentar la carga de impedancia correcta para las entradas.
Presentar una baja impedancia para las salidas.
Una de las funciones que brindan los preamplificadores es la de amplificar las seales de
tal manera que todas las entradas al circuito sumador posean las mismas caractersticas
elctricas.
Si tenemos un tocadiscos se necesitar un preamplificador con entrada phono debido a que

este tiene una salida que es muy pequea (3mV), en comparacin con las seales obtenidas
de una casetera (tape) que rodea los (150mV).
Los micrfonos tambin requieren pre amplificador es especiales; algunos micrfonos

tambin requieren, telealimentacin.. La telealimentacin es el suministro de energa para
que funcione el micrfono, y que proviene del preamplificador.
Los prearnplificadores de micrfonos estn incluidos en caseteras y mezcladores de

micrfonos. Si nicamente se tienen entradas de alto nivel, tales como la salida de un
reproductor de CD y la salida de una casetera, el fin principal del preamplificador es
seleccionar entre entradas y proporcionar un control de volumen principal. Si solo se
escucha CD's; es posible eliminar el preamplificador consiguiendo un reproductor de CD
con salida de nivel variable y conectarla directamente a un amplificador de potencia.
Un buen preamplificador permite el uso de esos dispositivos sin sacrificar la calidad del
sonido.
1.1.4 SISTEMAS ESTEREOFNICOS3
Es un sistema conocido tambin como multicanal, utilizado para conseguir un efecto

espacial acstico, ya que permite identificar la posicin de la fuente sonora, a diferencia de
los sistemas monofnicos que no facilitan la localizacin acstica de la fuente sonora.
Los equipos que se considerarn para el desarrollo de la consola presentan salidas

estereofnicas de dos canales (izquierdo y derecho).
J ESCUDERO MONTOYA, Francisco J. ELECTROACSTJCA APLICADA, Editorial Dossat, S.A., Madrid 1954, Leccin 52,
pags. 805-811
COBO, Guillermo Estudio, planificacin y diseo de sonorizacin para locales cerrados Quito- 1999., Captulo I, pg. 82-83
ZAMBRANO, Jorge Programa computacional para el diseo de sonorizacin de locales cerrados Quito 2000, Captulo 1,
pg. 20-22
10
fundamentos Tericos Captulo 1
1.2 AMPLIFICADORES DE RADIOFRECUENCIA
Los amplificadores de radiofrecuencia son aquellos que amplifican nicamente la seal

con la frecuencia de trabajo establecida, es decir el circuito trabajar a una nica frecuencia
y para ste propsito se utilizan circuitos sintonizados (resonantes).
Si se realiza una comparacin entre los circuitos amplificadores de audiofrecuencia y los

de radiofrecuencia (KF); se establece que: los rangos de las frecuencias de trabajo son
distintos, es decir, los amplificadores de audiofrecuencia amplifican cualquiera de las
seales cuyas frecuencias se encuentren dentro del rango de bajas frecuencias (2KHz-
20KHz), mientras que los de amplificadores (RF) realizan las mismas funciones que uno
de audio3 pero a una sola frecuencia de trabajo, sin embargo, ambos sistemas aplican
amplificacin de tensin y de potencia.
1.2.1 AMPLIFICADORES DE TENSIN DE RADIOFRECUENCIA
Esta clase de circuitos se emplean para la transmisin y recepcin de seales de

radiofrecuencia, o como multiplicadores de frecuencias.
Los circuitos ms frecuentemente empleados son similares a los que se utilizan para
disear los amplificadores de audiofrecuencia en configuracin de emisor-comn, sin
embargo esta clase de circuitos requieren de un circuito sintonizado (circuito LC) en
colector como se observa en la figura 1.6. El objetivo de estos circuitos sintonizados es
resonar a una determinada frecuencia de trabajo (f0) y acoplar las impedancias.
En amplificadores de audiofrecuencia las capacitancias de entrada (Cn) y salida (C0) del

circuito tienen poca relevancia debido a las altas reactancias que se presentan en estos
circuitos, mientras que en los amplificadores KF estas capacitancias parsitas (Cn y C0)
son importantes (figura 1.6) y se las debe considerar para independizar el circuito de stas
y de parmetros del transistor.
11
+Vcc
R1
* Salida
CB
II 1
II
ada
R2 Cin
RE2
Figura 1.6 Circuito amplificador de RF
En la figura 1.7 se presenta el circuito equivalente de salida del amplificador de la figura

1.6; este circuito es similar al que se lo obtiene para bajas frecuencias, con la variante, que
en estos casos se debe considerar la resistencia de prdidas (Rp) que presenta la bobina, la
impedancia de salida del transistor (ro), las capacitancias tanto de salida (Co)5 como la del
circuito sintonizado (C) y la bobina (L).
7) ro< Rp< RL< Co = - C= -

L L
.Req ' * Ceq*

Figura 1.7 Circuito equivalente de salida del amplificador de RF
De la figura anterior se define a la resistencia equivalente como:
Ecl.9
= r 0 //R p //R 1
En la siguiente grfica (figura 1.8), se presenta el diagrama de voltajes de salida y de

entrada del circuito amplificador de la figura 1.6:
12
Vcc = Ve
VIn
Figura 1.8 Diagrama de voltajes de entrada y salida
Donde :
* YC : voltaje de colector.
* VE : voltaje de emisor.
* VCE ' voltaje de colector-emisor.
* vo : voltaje de salida.
* vin : voltaje de entrada.
Vact: voltaje necesario para lograr que el transistor trabaje en la zona activa
y evitar posibles distorsiones.
Para efectuar el anlisis de estos circuitos es importante considerar parmetros corno: la

frecuencia de trabajo, factor de amplificacin de voltaje y ganancia de voltaje. A
continuacin se determinan estos parmetros:
1.2.1.1 Parmetros que influyen en la frecuencia de trabajo "f0"
Una vez establecida la frecuencia de trabajo, se debe determinar los parmetros que nos
permitan operar a esta frecuencia, para lo cual tenemos la siguiente ecuacin:
1 Ec 1.10
donde L representa el valor de la bobina del circuito resonante del colector, y Ceq de
acuerdo a lo presentado en la figura 1.7 es:
13
= C//C
As, C es la capacitancia del encuito sintonizado y Co es la capacitancia parsita de salida

del transistor (figura 1.6). Con el fin de independizar el circuito de la capacitancia parsita
(Co) se debe considerar que:
CCo Ecl"12
Los elementos reactivos influyen en la determinacin del ancho de banda y el factor de

calidad, as tenemos:
EL
Ec 1.13
XL Ecl.14
siendo:
Qb : factor de calidad de la bobina.
Rp : resistencia de prdidas de la bobina.
XL : reactancia de la bobina L.
Q : factor de calidad del circuito.
R^q : resistencia equivalente.
1.2.1.2 Determinacin del factor de amplificacin de corriente po del transistor

bipolar a la frecuencia de trabajo fo
Partiendo del anlisis del circuito hbrido 71 equivalente para el transistor bipolar se
determina la siguiente ecuacin la misma que se establece en el anexo A, y en base a sta,
se realiza la grfica correspondiente a la respuesta de frecuencia de la ganancia de corriente
(figura 1.9):
r - P
1
l+*_F Ecl.15
f J-R
4 E.J ANGELO Circuitos electrnicos (tratamiento unificador de vlvulas de vaco y transistores ) 2da Edicin Me. Graw Hill
Captulo 8 1964
5 Ver Anexo A
14
fr= p * fn n~ po * fo
Figura 1.9 Grfica correspondiente a (a curva caracterstica de la ganancia de corriente
De donde:
M B : frecuencia de corte
p : factor de amplificacin de comente a la frecuencia de corte (fB)
m fr : frecuencia a la cual la ganancia de corriente es unitaria (Gi=l)
* f 0 : frecuencia de trabajo
po : factor de amplificacin de comente a la frecuencia de trabajo (f0)
Realizando un anlisis a partir de lo presentado en la grfica se deduce que para el diseo

de los amplificadores es importante conocer el valor de la frecuencia fr (proporcionado por
el fabricante), para de esta manera determinar el factor de amplificacin de comente (p0)
adecuado; as, observando la figura, se determina que para la regin en la que la ganancia
de corriente permanece constante, se cumple que:
f-LtJ Ec 1.16
Mientras que para la regin en la que la ganancia de corriente no es constante (regin de

altas frecuencias), como se seala en la figura, el factor de amplificacin de comente (p0)a
se lo determina a la frecuencia de trabajo f0) con lo que tenemos:
BP o-- L
Ec 1.17
15
1.2.1.3 Determinacin del Factor de Amplificacin de Voltaje u, para el transistor

bipolar
En base al desarrollo que se obtiene para el circuito equivalente del transistor en funcin
de los parmetros h tenemos que, mediante el uso de derivadas parciales se puede mostrar
que el parmetro hre para el circuito equivalente del transistor en la regin de operacin
para una configuracin en emisor comn, se determina como se presenta en la siguiente
ecuacin:
Av,CE
h, dv BE Av BE Ec 1.18
IB =cte
Considerando a las variaciones del voltaje colector-emisor (Av CE ) y base-emisor (Av BE )

como el voltaje de salida (vo) y el voltaje de entrada (vin) respectivamente, se puede
concluir que el inverso de hre es igual a la relacin entre vo y vin, y adems, se define de
esta manera que el factor de amplicacin de voltaje para el transistor bipolar (u.) sera
como se representa a continuacin:
Ec 1.19
hr v.
y conociendo que el parmetro hre en funcin de los parmetros Y es:
re * re Ec 1.20
y se establece que:
Yie e.
oie + Ji*b.le
EC 1.21
+ J* b re
Determinando el mdulo de la ecuacin 1.21 se tiene:
Ec 1.22
c Desarrollo realizado por el Ing. Antonio Caldern

7 BOYSLESTAD- NASHELSKY, Louis ELECTRNICA: TEORA BE CIRCUITOS Captulo 7 pgs. 333-339
16
1,2.1.3.1 Factor de amplificacin de voltaje / en funcin de la ganancia de potencia del

transistor8
A continuacin se plantear el desarrollo para determinar el factor de amplificacin de

voltaje (jj.) en trminos de la ganancia de potencia (Gp) del transistor, la misma que es
funcin de la frecuencia:
2
P,. Ecl.23
donde:
Ec 1,24
0 R,
y
Ec 1.25
-inT
De donde:
P0 : representa la potencia de salida suministrada a la carga.
v0 : voltaje de salida.
Req : resistencia equivalente de carga.
Pn : potencia de entrada.
vn : voltaje de entrada.
RnT: resistencia de entrada del transistor.
Por lo tanto reemplazando las ecuaciones 1.24, 1.25 en 1.23 tenemos que:
Ec 1.26
Para una configuracin en emisor comn tenemos que RnT = ([3 + l)*(re + RE1) y por
definicin de ganancia de voltaje es A=Vo/Vin, por lo que s reemplazamos estas ecuaciones
en la ecuacin 1.26 tenemos:
v Desarrollo realizado por el Ing. Antonio Caldern
17
por lo tanto, en el diseo que se realiza para amplificadores de alta frecuencia tanto de
tensin como de potencia hay que indicar que el valor de la ganancia de voltaje (A) que se
proporcione a una etapa de amplificacin debe ser menor mximo igual al valor
establecido para el factor ji0-
1.2.2 AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIA
En amplificaciones relacionadas con las comunicaciones, los amplificadores de potencia de

RP se utilizan para suministrar energa a otro amplificador de potencia o a una antena.
Los circuitos ms utilizados para estas aplicaciones corresponden a las configuraciones en

clase A y C, los clase C se utilizan para potencias de salida altas, donde la consideracin de
rendimiento es significativo, mientras que los clase A se lo utiliza cuando se requieren
valores de potencia de salida muy bajos y la consideracin de rendimiento no es
importante.
Para iniciar el estudio de este tipo de amplificadores, es conveniente considerar las

especificaciones mximas para el transistor, como son la potencia de disipacin mxima
(PdmxX el voltaje colector-emisor mximo (Vcemx) y la corriente de colector mximo
(Icmx) como se muestra en la figura 1.10.
Je
ICmx
VCEmx
Figura 1.10 Regin de trabajo del transistor (zona sombreada)
19
Donde:
* Icmx : corriente de colector mximo que puede soportar el transistor.
* VcEmx : voltaje colector-emisor mximo que puede soportar el transistor.
m Pomx : potencia de disipacin mxima del transistor.
* Isn : corriente de base.
En realidad, bajo la curva de disipacin mxima del transistor (Pdmx)? existe una familia de
curvas de disipacin de potencia (Pd) como se describen en la figura 1.11:
< Pd3 < Pdmx
Pdmx
Pd3
Pd2
VCE
Figura l.ll Familia de curvas de disipacin de potencia
Para el diseo de este tipo de amplificadores se suele hacer que la recta de carga dinmica
pase tangente a la curva de disipacin de potencia del transistor obtenindose el punto de
tangencia (T) como se indica en la, figura 1.12.
Recta de carga
1CT
dinmica
VCE
Figura 1.12 Punto de trabajo para un transistor
20
Donde:
ICM : punto donde las variaciones de la comente de colector son mximas.
" VCEM : punto donde las variaciones del voltaje de colector-emisor son mximas.
ICT : corriente de colector en el punto de tangencia.
VCET : voltaje de colector-emisor en el punto de tangencia.
Pd : potencia de disipacin.
As tambin, para realizar el anlisis respectivo de acuerdo a la clase de operacin del

amplificador (A C) que se desea utilizar, se verifican las siguientes relaciones obtenidas
matemticamente9 con lo que se demuestra que, para los circuitos amplificadores de
potencia tenemos que:
VVCET = V
v /
12- Ec 1.32
CT = CM Ecl.33
?d =VCET *ICT Ecl.34
Para un amplificador CLASE A:

p _ o *p Ec 1.35
d
J- A -^ -1- n
Para un amplificador CLASE C:

p _p /9
rd- r o '- Ecl.36
Donde
P0 : representa la potencia de salida que se desea obtener.
* Pd : la potencia de disipacin del transistor.
Para cumplir con la potencia de salida Po requerida, el elemento activo (transistor) exige
una carga ptima, la misma que se le denominar Rae, y viene dada por la ecuacin:
y CUTLER, Philip ANLISIS DE CIRCUITOS CON SEMICONDUCTORES, Ediloria! Mac Graw-Hill Mxico edicin 1978
Captulo 7, pg. 445^190
21
Ec 1.37
T> _
JA.,,,,
L CM
y como por lo general el valor que requiere ver el transistor (Rae) como carga ptima no
coincide con el establecido en la carga RLs se hace necesario, para este tipo de
amplificadores, la utilizacin de una red transformadora de impedancias (RTI) para
facilitar la obtencin de este valor.
1.2.2.1 Amplificador de Potencia Clase A
Estos amplificadores son utilizados cuando los requerimientos de potencia son muy bajos,
lo que hace que la condicin de rendimiento no sea demasiado importante. Para esta clase
de circuitos, la seal de salida vara los 360 completos del ciclo de la seal de entrada.
A continuacin se presenta un diagrama esquemtico para esta configuracin (figura 1.13):

-t-Vcc
Rl
CB Salida
11 1
II
ada
RL
R2 Cin
RE2
Rref
Figura 1.13 Circuito amplificador de potencia en clase A
En la figura 1.14 se presenta el circuito equivalente de salida del amplificador de potencia

en clase A:
J) ro < Rp < Rref< Co - = C - =

, L
Rae ' l Ceq

Figura 1.14 Circuito equivalente de salida del amplificador clase A
r0 : impedancia de salida del transistor.

" Rp : resistencia de prdidas que presenta la bobina.
Rref: impedancia reflej ada.
C0 : capacitancia parsita de salida del transitor.
C : capacitancia del circuito tanque.
L : inductancia de la bobina.
Dibujando sobre el grfico de las caractersticas del transistor, la curva de disipacin de

potencia del transistor., las rectas de carga tanto esttica como la dinmica y las seales de
salida tanto de voltaj e como de corriente, se tiene la grfica de la gura 1.15:
* vop : voltaje de salida pico ideal.

* vopr : voltaje de salida pico real.
m iopi : corriente de salida pico ideal.
vopr : voltaje de salida pico real.
* Pdr : potencia de disipacin real del transistor.
* ICM : punto donde las variaciones de la corriente de colector son mximas.
VCEM ' punto donde las variaciones del voltaje colector-emisor son mximas.
* ICT : comente de colector en el punto de tangencia.
* VCET voltaje colector-emisor en el punto de tangencia.
*
ICQ : corriente de colector en el punto Q de trabajo del transistor.
* VCEQ : voltaje colector-emisor en el punto Q de trabajo del transistor.
* Vcc : voltaje de polarizacin.
VE : voltaje de emisor.
23
Recta de carga
esttica
Figura 1.15 Curvas de voltaje y corriente de salida para un circuito amplificador ciase A
Analizando la grfica presentada en la figura 1.15 tenemos que para un amplificador de

potencia clase A se cumple:
Ec 1.38
por lo que:
V Ec 1,39
10 Grficas realizadas por el Ing. Antonio Caldern
24
Donde vop es el voltaje de salida pico ideal, vopr voltaje de salida pico real representados
en la figura 1.15 y TJ es un factor para compensar las prdidas que se producen en la red
transformadora de impedancias; as tenemos:
Si: T| = 1 tenemos una red transformadora de impedancias ideal.

Si: TI = 1.1 tenemos una red transformadora de impedancias con 10% de prdidas.
Si: TI = 1.2 tenemos una red transformadora de impedancias con 20% de prdidas.
Por lo tanto, las especificaciones mximas que debern cumplirse para el transistor se las
puede observar de la figura 1.15, stas son:
I , > Ic Ec 1.47
V >V +V
VCErax V CEM ^ V E
EC 1-48
Donde :
* Pdmx : potencia de disipacin del transistor mxima.
* VcEmx : voltaje colector-emisor mximo.
* Icmx : corriente de colector mxima.
El desarrollo que se obtiene a partir del circuito equivalente de salida es similar al

presentado pralos amplificadores de tensin.
1.2.2.2 Amplificador de Potencia Clase C
Los amplificadores clase C son capaces de proporcionar grandes cantidades de potencia, en

este tipo de amplificadores se incluye un circuito sintonizado (figura 1.16) para eliminar
los armnicos mayores en la seal de salida.
26
CB
Entrada
RB
Figura 1.16 Circuito amplificador de potencia clase C
Un amplificador de clase C, se polariza para operar a menos de 180 del ciclo de seal de
entrada. Sin embargo el circuito sintonizador a la salida proporcionar un ciclo completo
de seal de salida para la frecuencia fundamental. Por lo tanto, este tipo de operacin se
limita a usarse a una frecuencia fija, como ocurre en circuitos de sintona tales como los de
radio o comunicaciones.
El anlisis terico se lo realizar en base al circuito presentado en la figura 1.16, resultando

similar al determinado para un amplificador de potencia clase A, por lo tanto a
continuacin se presenta el circuito equivalente de salida del amplificador:
ro Rp < Rref< Co -p L=k*L1
l Rae ' ^ Ceq
Figura 1.17 Circuito equivalente de salida del amplificador de potencia clase C
Donde:
ro : impedancia de salida del transistor.
Rp : resistencia de prdidas que presenta la bobina.
Rref : impedancia reflejada.
Co : capacitancia parsita de salida del transistor.
C : capacitancia del circuito tanque.
L : inductancia de la bobina referida desde el primario del transformador.
27
Una de las diferencias que se presentan entre los amplificadores de potencia clase A y
clase C se evidencia en las seales de salida, tanto de comente como de voltaje, por la
localizadn del punto de trabajo (Q) y el punto de tangencia (T)3 es por esto que se tomar
en consideracin las formas de onda representadas en la figura 1.18, donde:
vopi : voltaje de salida pico ideal.

i0p : comente de salida pico ideal.
Pdr : potencia de disipacin real del transistor.
ICM : punto donde las variaciones de la comente de colector son mximas.
VCEM: punto donde las variaciones del voltaje colector-emisor son mximas.
ICT : comente de colector en el punto de tangencia.
VCET - voltaje colector-emisor en el punto de tangencia.
ICQ : comente de colector en el punto Q de trabajo del transistor.
" VCEQ ' voltaje colector-emisor en el punto Q de trabajo del transistor.
Vcc ' voltaje de polarizacin.
H VE : voltaje de emisor.
Q : punto de trabajo del transistor.
T : punto de tangencia entre la recta de carga dinmica y la curva de disipacin
del potencia del transistor.
28
Recta de carga
esttica
Figura 1.18 Curvas de voltaje y corriente de salida para un circuito amplificador clase C
De la grfica 1.18 tenemos:

V =V Ec 1.49
vcc V CEM
Ec 1.50
V CC= V op
donde:
Por lo tanto, para determinar el voltaje de salida pico real (vopr); tenemos:
29
= VCEM = Vopr + Vact + V^ Ec 1.51
vCC
V
rt = v +V +v / A
opr ^ act ^ opr ' "
v v V
Eci.52
despejando vopr tenemos;
T opr ^
Siendo Vact el voltaje para mantener el transistor trabajando en la regin activa.
Para determinar la potencia real disipada por el transistor tenemos la ecuacin 1.43,
expresin que se utiliza tanto para amplificadores de potencia clase A como para un clase
C:
P -n *
( YP
V *p
UopJ *
Por lo que la potencia de disipacin ideal del transistor para un amplificador en clase C
viene dada por la ecuacin 1.35:
P,
^ d =P
A o /2
As tambin tenemos que; la comente de colector en el punto de tangencia vine dada por:
P
I = dr
^CET
Y para cumplir con la potencia de salida Po requerida, la carga ptima Rae, viene dada por
la ecuacin:
V Ec 1.55
T? V CEM
Las especificaciones mximas que deber cumplir el transistor tanto de potencia, voltaje y
comente vendrn dadas por las siguientes expresiones:
P >P
A dmx x dr Ec 1.56
Ec 1.57
V >9 *V Ec 1.58
v CEmx ^ v CC
El desarrollo anteriormente presentado para los amplificadores de potencia clase A y clase

C es vlido cuando la impedancia de salida del transistor (r0) es mucho mayor que la carga
ptima que requiere ver el transistor (Rac) es decir:
Ec 1.59
Por lo que a continuacin se presentar el desarrollo respectivo para cuando ro presenta un

valor bajo y comparable con el de Rac.
1.2.3 AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASE A Y C CUANDO r0 * Rac
Cuando r0 sea comparable con Rae, se debe aplicar el criterio de mxima transferencia de
potencia tanto para el diseo de amplificadores clase A como en clase C; a continuacin se
presentar el desarrollo respectivo para este caso.
) m < Rref< Co -= C7 * L
11 Req' *Ceq>
Figura 1.19 Circuito equivalente de salida para un amplificador de potencia
clase A C
A partir de la figura 1.19 tenemos que:

m Rref: impedancia reflejada.
* C0 : capacitancia parsita de salida del transistor.
" C : capacitancia del circuito tanque.
* L : inductancia de la bobina
31
En la grfica de la figura 1.19 no se ha considerado la resistencia de prdidas de la bobina

(Rp) puesto que ste presenta un valor alto en comparacin con ro y Rref ; por lo tanto
aplicando el teorema de mxima transferencia de potencia, se considera que:
o _ EC i.eo
De donde.
R e q =r 0 //R r e f
Ec 1.61
Al aplicar el teorema de mxima transferencia de potencia, se consigue que la potencia que

se tiene tanto en r0 como en Rref sean iguales, por lo que, para conseguir que esto suceda la
potencia de salida del transistor a la que se denominar (To5) deber ser el doble de la
requerida en la carga (P0) y considerando las prdidas que se producen en la red
transformadora de impedancias por medio del factor retenemos:

? *nr| *"P
rc Ec 1.62
Donde , aplicando el concepto para determinar la potencia P= V /R se tiene que:

/ \
, Req EC1.63
reemplazando la expresin que se obtuvo para Req y despejando el voltaje de salida pico
real, (voprX tenemos:
Ec 1.64
Con el valor del voltaje pico real se determina que tanto para los amplificadores clase A y
C se cumple que:
'*
32
EC1.65
Y para determinar la potencia de disipacin real del transistor Pdr tenemos lo planteado en
la ecuacin 1.43:
P -
rdr
VP! *p
r di
Ecl-66
Como se puede observar en la ecuacin anterior (ecuacin 1.66) ya no se consideran las

prdidas que se presentan en la red transformadora de impedancias, puesto que estas ya
fueron tomadas en cuenta en la expresin que se obtuvo para determinar la potencia de
salida Po'.
As, la potencia de disipacin del transistor y el voltaje de polarizacin sern:
Para un amplificador CLASE A:

p _ o * pi Ec 1.67
rd ~z r o
VCC=Vop+VE Ed.68
Para un amplificador CLASE C:
Pd=P'0/2 Ecl.69
V C C =V o p i EC1.70
Ya determinadas las expresiones para el clculo de la potencia, el anlisis es similar al

presentado para cada uno de los amplificadores de potencia tanto en clase A como clase C.
33
1.3 OSCILADORES DE RADIOFRECUENCIA12
Un oscilador es un dispositivo capaz de convertir la energa de corriente continua

(correspondiente a una fuente de alimentacin de DC) en corriente alterna a una
determinada frecuencia, la cual puede o no ser variable.
Este tipo de osciladores presentan numerosas aplicaciones entre las cuales tenemos:
generadores de frecuencias de radio y de televisin, osciladores locales en los receptores,
generadores de barrido en los tubos de rayos catdicos, se usan en una estacin de
radiodifusin como parte del transmisor, sistemas de radar, hornos microondas, etc.
La mayora de los equipos electrnicos utiliza para su funcionamiento seales elctricas de

uno de estos tres tipos (figura 1.20): ondas sinusoidales, ondas cuadradas y ondas tipo
diente de sierra, las cuales se observan en la figura 1.20.
Figura 1.20 a) onda sinusoidal; b) onda cuadrada; c) onda tipo diente de sierra
Los osciladores son circuitos electrnicos generalmente alimentados con corriente continua
capaces de producir ondas sinusoidales y no sinusoidales a una determinada frecuencia.
Existe una gran variedad de tipos de osciladores que, por lo general, se conocen por el
nombre de su creador.
1.3.1 CARACTERSTICAS DE LOS OSCILADORES 13
Para que un circuito oscile, este debe cumplir con ciertas caractersticas bsicas, las
mismas que se detallan a continuacin:
12 LAPATINE, Sol
ELECTRNICA EN SISTEMAS DE COMUNICACIN, Limusa Noriega editores, Mxico Edicin
tercera, captulo 4 pgs 91-112
13 DUNGAN Frank R. SISTEMAS ELECTRNICOS DE TELECOMUNICACIN Editorial Paraninfo, 1996, Espaa,
Captulo 2, pg 65-126
34
" La amplificacin es necesaria para restituir las prdidas de los circuitos.
Es necesaria una red (circuito oscilante) que permita establecer la frecuencia de

oscilacin deseada.
" Una seal de realimentacin positiva "bloque de realimentacin" necesaria para

mantener la oscilacin y compensar las prdidas en la etapa.
Es necesario que el oscilador sea de auto arranque, sin ninguna seal de entrada.
Para realizar un estudio de los circuitos osciladores, es primordial analizar las causas que
hacen posible la oscilacin, y cumpliendo con las caractersticas que se detallaron
anteriormente tenemos:
vin vo
Figura 1. 21 Diagrama de bloques de un sistema en lazo cerrado

con rea [mentacin positiva
En la figura 1.21 se explica de manera grfica que, para que un circuito oscile, es necesaria
la presencia de realimentacin positiva, es decir, que el voltaje ve deber ser el resultado de
la suma entre los voltajes vm y v^, para lo cual resulta indispensable que estas dos seales
posean la misma fase, para producir la realimentacin indicada.
Para el sistema de la figura 1.21, tenemos que el voltaje de salida (v0) se expresa en
funcin de la ganancia en lazo abierto (A) y el voltaje ve como sigue:
= A*v_ Ec 1.71
35
Con el objetivo de determinar la ganancia en lazo cerrado (G), tenemos que a partir de la
ecuacin anterior y reemplazando los equivalentes de acuerdo a lo indicado en la figura
1.21 obtenemos lo siguiente:
v 0 =A*(v B +B*v 0 )
Ec 1.72
1-A*B
donde; A y B representan la ganancias en lazo abierto de los bloques de amplificacin y

realimentacin respectivamente.
Una de las caractersticas para tener un circuito oscilador es no tener un voltaje de entrada
(vin 0), aplicando este criterio, decimos que G=co lo cual implica que:
1-A*B=0
A*B = 1 Ec 1.73
de donde analizamos que el producto A*B debe ser igual a uno y positivo con lo que
tenemos dos condiciones a cumplir:
A (+) y B (+) lo que significa que en los bloques A y B no se produzcan defasajes en

las seales.
VO
vf
Figura 1. 22 Diagrama de bloques de un sistema en lazo cerrado sin desfase
36
A (-) y B (-) lo que significa que en los bloques A y B se produzcan defasajes de

180 en las seales.
vo
vf
Figura 1. 23 Diagrama de bloques de un sistema en lazo cerrado con desfase de 180
El criterio de Barkhausen 14 para oscilacin, especifica un producto de retroalimentacin de

|A*B| igual a la unidad y un ngulo de fase de retroalimentacin igual a cero a un mltiplo
|A*B=1
ZAB = 0 360
Para determinar de mejor manera las condiciones que requieren cumplir cada uno de los
bloques tanto el de amplificacin como el de realimentacin, se realizar un anlisis a
partir de la forma general para expresar las funciones de transferencia del bloque A y del
bloque B:
A = Ar+j*A Ecl.74
B = BJ+j*Bi Ecl-75
A
A Bi
Ar Br
Figura 1. 24 Diagramas fesoriales de los bloques de amplificacin y real mentacin
J LAPATINE , Sol ELECTRNICA EN SISTEMAS DE COMUNICACIN, LimusaNoriega editores, Mxico Edicin

tercera, captulo 4 pgs 93
37
En las ecuaciones L74, 1.75 y en la figura 1.24 se presentan las siguientes abreviaciones:
Ar : parte real de la funcin de transferencia del bloque A.

Ai: parte imaginaria de la funcin de transferencia del bloque A.
Br : parte real de la funcin de transferencia del bloque B.
Bi: parte imaginaria de la funcin de transferencia del bloque B.
a: ngulo de desfase que se produce en el bloque A.
(3 : ngulo de desfase que se produce en el bloque B.
A partir de los datos de la figura 1.24 obtenemos lo siguiente:

A
tana = L tan/? =
A]
UJ
As para cumplir lo establecido en el criterio de Barkhausen, tenemos que:
Para cumplir con la condicin de |A*B|=1
A*B| = 1
|A|*B[ = 1
? *VB?+B? =1
Que las funciones de transferencia tanto de A como de B sean positivas (figura 1.22),
implica tener un ngulo de defasaje de 0, mientras que si estas son negativas, el ngulo de
defasaje ser igual a 180 (figura 1.23), por lo tanto se determina que las componentes
imaginarias (A y B) de las funciones de transferencia sern iguales a cero, es decir:
38
A(+) entonces a = 0 de donde tana = O por lo tanto Ai = O

B(-l-) entonces (3 = 0 de donde tan(3 = 0 por lo tanto Bi = 0
A() entonces a = 180 de donde tana = O por lo tanto Ai = 0

B(-) entonces (3 = 180 de donde tan(3 = 0 por lo tanto Bi=0
Este anlisis se lo ha realizado para establecer las condiciones que deben cumplir cada uno
de los bloques, por ejemplo de las condiciones que A = B = O se puede determinar la
frecuencia de oscilacin del circuito, as tambin reemplazando estos valores en la
ecuacin 1.76 determinamos que:
Ar*Br=l Ecl - 77
Otra consideracin que se debe tornar en cuenta en el momento de disear un circuito

oscilador es que los bloques no deber ser vistos mutuamente como una carga, es decir, que
el bloque B no debe cargar el bloque A (ZinB=co) y de igual manera que el bloque A no
debe cargar el bloque B (ZinA=co) como se representa en la siguiente figura:
ZinA ZoA
ZnA = co (caso ideal) ZnB = co (caso ideal)
ZnA - ZoB (caso real) real)
ZoB ZinB
Figura 1. 25 Diagramas fasoriales de los bloques de amplificacin y realimentacin
39
1.3.2 CLASIFICACIN DE LOS OSCILADORES15
Generalmente se clasifican segn los componentes utilizados en las redes deterroinadoras

de frecuencia. Las tres clasificaciones bsicas de los osciladores sinusoidales son
osciladores resistencia-capacidad, osciladores inductancia-capacidad y osciladores a
cristal.
1.3.2.1 Osciladores RC
Este tipo de osciladores utiliza en sus redes resistencias y capacitores para determinar la
frecuencia del oscilador, el diseo de este tipo de osciladores es muy barato debido a la
variedad de elementos de esta clase que se conocen y se pueden adquirir en el mercado.
Este tipo de circuitos son relativamente estables cuando se los utiliza en gamas de baja
frecuencia y nuestro estudio se basar ms detalladamente en el uso de osciladores de
radiofrecuencia (RF) como lo son los que se describirn a continuacin,
13.2.2 Osciladores LC
Esta clase de circuitos osciladores generalmente se representan como se indica en la figura

1.26, donde tambin se representa el bloque amplificador (A) y el bloque de
realimentacin constituido por los elementos Xi, X2 y Xs los mismos que pueden ser
reactancias de tipo inductivas o capacitivas.
Figura 1.26 Esquema general de un oscilador
15 DUNGAN Franlc R. SISTEMAS ELECTRNICOS DE TELECOMUNICACIN Editorial Paraninfo, 1996, Espaa,

Captulo 2, pg 65-126
40
En la figura 1.27 se presenta un diagrama equivalente del circuito oscilador de la figura

1.26, donde la fuente de voltaje que se observa representa el voltaje de salida del circuito
amplificador y ZOA la impedancia de salida del bloque amplificador (bloque A), as
tenemos:
RoA Bloque B
ZinB
Figura 1.27 Diagrama esquemtico de la red de realimentacin (bloque B)
Para realizar el anlisis matemtico de este tipo de circuitos se ha tomado en cuenta la

consideracin planteada en la introduccin a los circuitos osciladores, donde se determina
que ninguno de los bloques que constituyen el oscilador deben ser una carga; a partir de lo
cual se ha considerado que RinA= (RinA resistencia de entrada del bloque A) como se
puede observar en la figura 1.27, as tambin se tiene que RoAZinB> siendo RÂ la
impedancia de salida del bloque A y ZjnB la impedancia de entrada al bloque B.
Con el objetivo de determinar la funcin de transferencia para la ganancia brindada por el

bloque B, a la cual se denominar (B), se proceder a determinar el voltaje de
realimentacin (Vf) en funcin de los elementos que componen la red y realizando un
divisor de voltaje sobre Xa tenemos:
Ec 1.78
de donde V0 es el voltaje sobre Z^ y se determina a partir de un divisor de voltaje entre

la impedancia ROA y ZnB con lo cual tenemos que:
Zin
Ec 1.79
oA
41
en donde, ZnB se la obtiene resolviendo el circuito presentado en la figura 1.27., de esta

manera se consigue que se plantee en funcin de las reactancias, a partir de lo cual se
determina la siguiente expresin:
Zin B =X,//(X 2 + X 3 ) ECI.SO
reemplazando las expresiones 1.79, 1.80 en la ecuacin 1.78 tenemos que:
v = X3 , X,//(X2 + X3) ,
f X,+X 3
-X,*X 3
J*ROA*(X]+X2+X3)-X1(X2+X3) Eci.81
Por lo tanto de la ecuacin 1.81, podemos obtener la siguiente expresin:
la cual representar la funcin de transferencia del bloque B donde v0 es el voltaje de salida

del bloque A (entrada para el bloque B) y Vf el voltaje de salida del bloque B. As tenemos:
E _vf_
0 J*R O A *(X 1 +X 2 +X 3 )-X,(X 2 +X 3 )
Racionalizando la expresin anterior con el fin de obtener la parte real e imaginaria

tenemos:
Ecl ' 82
Parte real de la funcin de transferencia B:
~D
X.*X 3 [X 1 *(X 2 +X 3 )]
r [X 1 *(X 2 +X 3 )] 2 +[R OA *(X I H-X 2+ X 3 )] 2
42
* Parte imaginaria de la funcin de transferencia B :
Considerando la condicin planteada para que un circuito oscile, la misma que establece
que las componentes imaginarias de las funciones de transferencia deben ser iguales a cero
(Ai = Bi = 0) y a partir de la ecuacin 1.84 obtenemos la siguiente condicin:
(X I +X 2 +X 3 ) = 0 Ecl-85
Expresin que se utilizar para determinar la frecuencia de oscilacin, reemplazando los

elementos que se tienen como componentes del bloque B. Sustituyendo esta condicin en
la ecuacin establecida para la parte real decimos que:
R - --3
r (X 2 +X 3 ) Ecl - 86
Para cumplir con el criterio de Barkhausen donde se establece que |A*B|=1 y

reemplazando la expresin 1.86 tenemos:
A = Ecl.87
X,
^3
Reemplazando la expresin(X } + X2 + X3) = O, en la ecuacin establecida para determinar

la impedancia de entrada del bloque B (Z^) se tiene:
43
.X.1 -H .X.2 "1" A.
. !|e X l *(X,+X 3 )
* "-
Zin0 =
Con lo cual idealmente aseguramos la condicin en donde se establece que el bloque B no

debe cargar al bloque A, puesto que en la prctica se cumple que la impedancia de entrada
al bloque B es mucho mayor que la impedancia de salida del bloque A (ZnB ROA)-
1.3.2.2.1 Clasificacin de os osciladores LC
De acuerdo al tipo de elemento reactivo dentro del bloque de realimentacin (bloque B),
cada configuracin toma diferentes nombres, as se presentan en la figura 1.28 algunos de
los circuitos osciladores mayormente utilizados:
A ^^
>/
k ^
X1 ^ X1
ti ct -
\3
~T C2
Jb)
X1
C1
c)
Figura 1.28 Diagramas esquemticos para Osciladores LC tipo: a) Hartiey; b) Colpttts y c) Clapp
A manera de ejemplo se presentar el desarrollo matemtico para uno de los circuitos

osciladores de la figura 1.28, correspondiente al diagrama esquemtico de un oscilador
44
Bartley (figura 1.28 (a)), en donde, tenemos que las reactancias Xi, Xa, Xs vienen
representadas por una bobina (Li)5 un capacitor (C) y otra bobina (La) respectivamente; por
lo que en base a esta consideracin se presenta el siguiente procedimiento., para el bloque
de realimentacin de la figura 1.29:
L1
Figura 1.29 Circuito para el bloque de realimentacin de un oscilador Hartley
" Para determinar la frecuencia de oscilacin debemos cumplir con la condicin:
(X,+X2+X3)=0
siendo necesario expresar esta ecuacin en trminos de reactancias; para esto se considera
la frecuencia angular de oscilacin (w0) y cada uno los elementos que constituyen la red, a
partir de lo cual tenemos:
X1=j*w0*L,
x,~ l
- j*w0*C1
X3=j*w0*L2
por lo tanto:
1
J*W O *L!+- -+j*w 0 *L, =0
y despejando la frecuencia angular w0 tenemos:
Ecl..
por lo tanto la frecuencia de oscilacin viene expresada como:
f =
2*7r*. N /(L 1 +L 2 )*C 1
Es importante determinar el ngulo de desfasamiento que se produce en el bloque B

para de esta manera establecer la configuracin con la que debe cumplir el bloque A, que
puede ser emisor comn o base comn. As, partiendo de la expresin establecida para el
bloque B, tenemos:
B-
(X 2 +X 3 )
Con la finalidad de asegurar que el corrimiento de fase sea mnimo es decir que el ngulo
de fase sea aproximadamente de 0 360, se establece que se necesita una menor
cantidad de realimentacin, lo que se consigue cumpliendo con la siguiente condicin:
X3 X 2 Ecl.90
con lo cual tenemos:
j*w 0 *C
B = j * W 0 *C* j * W 0 *L 2 Ecl.91
Expresin a partir de la cual podemos determinar el ngulo 0:
Ec 1.92
o ;
9 = 90+90
0 = 180
Por lo que el bloque A deber ser un circuito que produzca un desfase de 180 en la seal,
es decir un circuito amplificador en configuracin emisor comn..
46
Para determinar la ganancia del bloque A (bloque de amplificacin) en funcin de los

elementos del bloque B (bloque de realimentacin), debemos considerar que el bloque B
es en esencia un circuito multiresonante (figura 1.29), por lo que analizaremos el
comportamiento de la impedancia del circuito en funcin de la frecuencia , adems que la
ganancia del bloque A es negativa porque esta produce un desfase de 180 y de este
anlisis tenemos:
Z A
wo1 =wop /"^ wo2=wos
Figura 1.30 Curva caracterstica del comportamiento de la mpedanca en funcin

de la frecuencia
Z = jwL * Ec 1.93
donde, wop se define como la frecuencia de resonancia paralelo y wos la frecuencia de

resonancia serie, que vienen dadas por las expresiones que se obtienen de realizar el
anlisis para determinar la impedancia del bloque de realimentacin, as:
\vO2 p =
VV
Ec 1.94
Ec 1.95
1 Ver Anexo A
47
JPnndatneiros Tericos Captulo 1
Por lo tanto, de la ecuacin 1.88 tenemos que considerar que la frecuencia de trabajo del
circuito es en s la frecuencia de resonancia paralelo, como se demuestra en la ecuacin
1.94 luego de efectuar el anlisis del comportamiento de la impedancia en funcin de la
frecuencia, as;
1
A 1 = -,
X,
siendo y
-A-l =
j * w o p *L 2
1
Ec 1.96
y reemplazando el equivalente que se obtuvo para la frecuencia de resonancia serie

tenemos:
w"os f~
_ "Ss
- ,,
W
" op I"
-ôp
Ec 1.97
Ec 1,98
Otro tipo de oscilador utilizado para radiofrecuencia es el oscilador Arrnstrong o conocido

tambin como circuito oscilador de realimentacin inductiva, debido a la accin de la
bobina L2 (figura 1.31).
+Vcc
RFC
R1
R2
RE
C2 -
Figura 1.31 Oscilador Armstrong
48
La frecuencia de oscilacin est determinada por:

1
f =-
La bobina LI induce una tensin en la bobina de realimentacin l^. Esta tensin inducida
es la seal que se utilizar para la realimentacin hasta la base del transistor Qi; en el
transformador hay un desfase de 180 por lo que hay realimentacin positiva La
caracterstica que identifica este oscilador es el acoplamiento por transformador que se
encuentra en la bobina de realimentacin.
1.3.2.3 Osciladores a Cristal
Mientras que la estabilidad de frecuencia de los osciladores LC tales como el Hartley y el

Colpitts puede ser buena, la frecuencia no es lo suficientemente precisa para ciertas
aplicaciones crticas, tales como los transmisores de radiodifusin, o el oscilador local en
un receptor.
Los osciladores que se construyen teniendo como base cristales de cuarzo pueden ser
extremadamente exactos y estables, especialmente si se mantiene constante la temperatura.
La mayora de estaciones de Radiodifusin (tanto de TV como de Radio) mantienen sus
osciladores de frecuencia portadora en cmaras termostticas especiales para asegurar una
temperatura constante.
En efecto, si a un cristal de cuarzo le aplicamos sobre sus caras opuestas una diferencia de
potencial., y el dispositivo est montado adecuadamente, comenzaran a producirse fuerzas
en las cargas del interior del cristal. Estas fuerzas entre sus cargas provocaran
deformaciones en el cristal y daran lugar a un sistema electromecnico que comenzara a
oscilar.
El comportamiento elctrico del cuarzo se puede asemejar al de una inductancia, una

resistencia y un condensador conectados en paralelo con otro condensador (figura 1.32).
49
a)
Figura 1.32 a) Representacin de un cristal de cuarzo; b) equivalente elctrico

de un oscilador piezoelctrico
Por lo tanto, es equivalente colocar un circuito con estos componentes que poner un cristal
de cuarzo.
Sin embargo, vuelve a ocurrir lo mismo que en los circuitos formados por un condensador
y por una inductancia. Esto es, las oscilaciones del cristal no duran indefinidamente, ya que
se producen rozamientos en la estructura interna que hacen que se vayan amortiguando
hasta llegar a desaparecer. Por tanto, necesita de un circuito externo figura 1.33 que
mantenga las oscilaciones, compensando las prdidas producidas por el rozamiento.
tVcc
R1
Salida
Y Q1
k
I
XTAL c=i R2 >
T I
Figura 1.33 Oscilador a Cristal de resonancia paralelo
En la figura 1.33 se muestra el diagrama esquemtico de un oscilador que utiliza un cristal

como un circuito resonante paralelo que es la configuracin ms comnmente utilizada.
50
1.4 REDES TRANSFORMADORAS DE IMPEDANCIAS
La caracterstica principal de este tipo de circuitos es la de adaptar los valores o

requerimientos de impedancias de entrada o salida, del generador a la carga, a la frecuencia
para la cual ha sido diseada, como lo podemos observar en la figura 1.34.
Existen varios mtodos para acoplar impedancias en base a la utilizacin de redes

transformadoras de impedancias.
Rref
Figura 1.34 Red transformadora de impedancias
Entre las principales redes transformadoras de impedancias utilizadas para altas

frecuencias (RF) tenemos:
Redes tipo "L".

Redes tipo "T".
Redes tipo "T".
" Redes Inductivas.
Los desarrollos matemticos correspondientes a los diseos de las rede L, T y 71 se

analizan de manera detallada en el anexo A, es por esto que en esta seccin se presentarn
solamente las ecuaciones necesarias para realizar los diseos.
1.4.1 REDES TIPO "L"
Para la transformacin de impedancias mediante una red de este tipo se analizarn los dos
casos que podran presentarse as:
51
1.4.1.1 Red tipo L elevadora
Esta configuracin (figura 1.35) se la utiliza cuando la impedancia reflejada o requerida es

mayor que el valor de resistencia que tenemos en la carga (Rgf >RL).
Zin = Rref
Figura 1.35 Red acopladura tipo L para Ref > RL
Donde:
R re f: representa la resistencia que se desea obtener vista desde el generador a
la carga.
RL : representa la resistencia que se tiene como carga.
Rg : representa la resistencia del generador.
Xi , X2 : representan las reactancias de los elementos que constituyen la red.
Para determinar el valor de Rrefs se analizar el circuito de la figura 1.35 de donde

obtenemos que:
Z n =R re f EC i.ioo
EC 1.101
El desarrollo matemtico para este tipo de redes se presenta en el anexo A, as separando

de la ecuacin anterior la parte real y la imaginaria se tiene:
RL*xf .
m 2 R2L-f-(X,+X2)2
Y a partir de lo planteado en la ecuacin 1.100, Rref ser la parte real de la impedancia Zn

con lo que tenemos lo siguiente:
52
ref p 2 j. cy 4- v ^ EC 1.103
Ecl"104
resolviendo el sistema de ecuaciones formado por las dos expresiones anteriores,

determinamos las soluciones para Xi y Xi:
1.105
1.106
Hay que tener precaucin con los signos, es decir que X] y Xo no deben tener signos
iguales, lo que significa que los elementos que conformen la red deben ser diferentes.
1.4.1.2 Red tipo L reductora
Rg X2
Zin = Rref
Figura 1.36 Red acopladura tipo Lpara Ref < RL
Siendo:
la carga.
Rg ; representa la resistencia del generador.
Xi , X2 : representan reactancias de los elementos que constituyen la red.
53
Este tipo de configuracin (figura 1.36) se la utiliza para casos en los cuales la impedancia
reflejada es menor que la de carga (Ref < RL)S as, hay que considerar lo explicado en el
caso anterior con lo que:
Zh=j*X1+X2//RI.) Ec 1.107
Racionalizando17 y separando la parte real e imaginaria tenemos:
Ec 1.108
,2 - xX>" + J
Ec 1.109
Q=(X,+X2)*R2L+X,*X*
Ec 1.110
Resolviendo el sistema de ecuaciones que se presenta (ecuaciones 1.109 y 1.110) tenemos:
x = Ec 1.111
X,=+VR ref *(R L -R ref ) Ec 1.112
1.4.2 REDES TIPO T"
X2
RL
Zin = Rref
Figura 1.37 Red transformadora de impedancia tipo T
17 Desarrollo matemtico para determinar las ecuaciones se presentan en el Anexo A
54
Siendo:
la carga.
Xi , Xa, Xs: representan las reactancias de los elementos que constituyen la red.
Para determinar el valor de Rref debemos analizar el circuito, as, resolvindolo tenemos:
Z- =R Ec 1.113
. = i * X i J X3 (j X2 + R L ) Ec 1.114
in 1 j :f:
* /"v _i_ v 3i';\_+T?K L
(A 2 -t-A
Racionalizando la ecuacin anterior y separando la parte real e imaginaria de la ecuacin

tenemos:
r> * v2
Ec 1.115
Resolviendo el sistema de ecuaciones y tomando en cuenta las siguientes igualdades:
9 Xp=(Xi+X3y> reactancia del primario. Ec 1>117
Xs (X2 + X) i reactancia del secundario. EC i.iis
" X m X3 ; reactancia comn. EC 1.119
(X, +X 3 )(X 2 +X 3 ) = XjX 2 4-XJX3 +X 2 X 3 +X 32 . EC 1.120
55
Tenemos:
X=+ Ec 1.121
Ec 1.122
_jR L *(Xm 2 -R ref *R L )
Xs=+
Tef
En donde se deber cumplir con la condicin:
Ec 1.123
Del desarrollo matemtico se concluye que tanto Xp como Xs deben tener signos iguales,
as como tambin hay que considerar que al resolver la desigualdad presentada en la
ecuacin 1.123, se tienen dos alternativas para su solucin, un valor para Xm positivo
(bobina) o negativo (capacitor). Obtenidos los valores de Xm, Xp y Xs reemplazamos estos
valores en las ecuaciones 1.117, 1.118, 1.119 para determinar los valores de Xi,X2, 7X3.
1.4.3 REDES TIPO "re"
Zin = Rref Yin = Gref

a) " ' "" b)
Figura 1.38 a) Red acopladura tipo *; b) equivalente expresado en funcin de admitancias
De donde:
la carga.
X] , X.2 , Xs: representan las reactancias de los elementos que constituyen la red.
Grcf"- representa la admitancia que se desea obtener vista desde el generador a
la carga.
56
GL : representa la admitancia que se tiene como carga.

Gg : representa la admitancia del generador.
BI , Ba , BS: representan las susceptancias que constituyen la red.
Una red acopladura tipo "TT" la podemos observar en su configuracin general en el

circuito de la figura 1.38 (a), y su desarrollo matemtico se lo efectuar en base a su
equivalente expresado en admitancias. As tenemos en el circuito de la figura 1.38 (b)
Y. = i * B I EC 1.125
1 j*(B 2 +B
El desarrollo matemtico es similar al efectuado para una red T, por lo cual se presenta un
resumen de las ecuaciones utilizadas para la resolucin de este tipo de circuitos:
_+ Gre f *(Bm 2 -G ref *G L )

Bp = : Ec 1.126
Bs = G L *(Bm 2 -G ref *G L ) EC 1.127

V G.ref
J
Adems, debemos cumplir con la siguiente condicin:
Brr>G ref *G L Ecl-128
Considerando las igualdades que se plantean a continuacin, se prosigue con el desarrollo,

y tenemos:
B p =(B 1 + B 3 ) ; susceptancia del primario. Ec 1.129
Bs = (B2 + B 3 ); susceptancia del secundario. EC 1.130
" Bm = B3 ; susceptancia comn. Ec 1.131
" (B I +B 3 )CB 2 --B 3 )=B ] B 2 +B I B 3 H-B 2 B 3 +B 3 2 .
57
Realizando un anlisis similar al efectuado en las redes T, determinamos que tanto Bp

como Bs debern tener signos iguales. Una vez calculados los valores de Bm; Bp y Bs
utilizamos las ecuaciones 1.129, 1.130, 1.131 para determinar los valores de B b B2, y B3.
1.4.4 REDES INDUCTIVAS
a)
M
C1 L1 L2 -4* C2
c)
Figura 1.39 Redes Inductivas: a) sintona simple en primario; b) sintona simple en secundario ; c) sintona doble
El transformador propiamente dicho, es una red ampliamente utilizada como acoplador de

impedancia., y con posibilidades de sintonizar en el primario; secundario o ambos a la vez
como se observa en la figura 1.39, donde M representa la inductancia mutua existente entre
los devanados del transformador.Para utilizar una red transformadora de impedancias bajo
el manejo de un transformador, es importante analizar el comportamiento de esta red a
altas frecuencias, para lo cual se considerar el circuito equivalente del transformador.
1.4.4.1 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR 18
Figura 1.40 Circuito equivalente del transformador
18 .LANGFORD, Smith TheRadiotron Desgner's Bandbook Radio Corporation of America
58
Considerando el circuito equivalente del transformador, presentado en la figura 1.40,

tenemos que:
" n : resistencia del devanado del primario.

12 : resistencia del devanado del secundario.
Lpi: inductancia de prdidas del primario.
Lp2i inductancia de prdidas del secundario.
m LI : inductancia del devanado del primario.
La : inductancia del devanado del secundario.
M : inductancia mutua.
Ci: capacitancia parsita del devanado del primario.
2 : capacitancia parsita del devanado del secundario.
CM: capacitancia parsita entre el devanado.
RN : prdidas del ncleo (por histresis y comentes de fuga).
ni : nmero de vueltas del devanado del primario.
n2 : nmero de vueltas del devanado del secundario.
As, teniendo como base el circuito presentado en la figura 1.40 y el desarrollo efectuado
en el anexo A, se tiene:
CpT kL1 n ZL
Figura 1.41 Circuito equivalente del transformador para alta frecuencia19
Donde:
CPT: capacitancia de prdidas del transformador.
k : coeficiente de acoplamiento mutuo.
n : relacin de vueltas entre los devanados del primario y secundario.
ZL : impedancia de carga.
19 Circuito equivalente del transformador desarrollado por el Jng. Antonio Caldern.
59
Lo que se resume a decir que, en el circuito de la figura 1.42 a), se presenta un diagrama
esquemtico del transformador, y en los literales b) y c), el transfonnador visto desde el
primario y el secundario respectivamente.
Vi O" KL2
b) c)
Figura 1.42 a) Diagrama esquemtico del transformador; b) visto desde el primario;

c) visto desde el secundario
Conociendo que un transformador puede aumentar o disminuir los niveles de voltaje o

comente de acuerdo con la relacin de vueltas o embobinados y la impedancia que se
conecta a su extremo, tenemos:
Transformacin de Voltaje: Ec 1.133

v
Ec 1.134
Transformacin de Comente: =
I 2 n,
Transformacin de Impedancias: Ec 1.135

Z
'2 V -^2.
60
1.5 MODULACIN20
La modulacin nace de la necesidad de transportar la informacin a travs del espacio.

Este es un proceso mediante el cual dicha informacin (onda moduladora) se inserta a un
soporte de transmisin.
La modulacin se puede definir como un proceso en el cual se mezcla una seal de audio
(onda modulante) con una de radiofrecuencia (portadora) la misma que es asignada por una
entidad de control. La seal portadora puede modularse en cualquiera de varias formas
para reflejar la presencia de la seal de audio (modulante); as la amplitud de la portadora:
cambia para corresponder a las variaciones de audio, modulacin de amplitud AM
"Amplitude Modulation"; la frecuencia de la portadora puede variarse en cuyo caso
tenemos una modulacin de frecuencia FM "Frequency Modulation".
1.5.1 MODULACIN DE AMPLITUD
En este tipo de modulacin, la seal de radiofrecuencia "portadora" vara su amplitud, de

acuerdo con la amplitud del audio "seal modulante".
La modulacin de amplitud tiene en la prctica dos inconvenientes: por un lado, no

siempre se transmite la informacin con la suficiente calidad, ya que el ancho de banda en
las emisiones est limitado; y por otra parte, en la recepcin es difcil eliminar las
interferencias producidas por descargas atmosfricas, motores, etc.
1.5.2 MODULACIN EN FRECUENCIA21
La modulacin de frecuencia consiste en variar la frecuencia de la onda portadora de

acuerdo con la intensidad de la onda de informacin como se muestra en la fgura 1.43. La
amplitud de la onda modulada es constante e igual que la de la onda portadora.
20 LAPATINE, SolELECTRNICA EN SISTEMAS DE COMUNICACIN , LimusaNoriega editores, Mxico Edicin

21 LAPATINE, Sol ELECTRNICA EN SISTEMAS DE COMUNICACIN, Limusa Norega editores, Mxico Edicin
WayneTomas SISTEMAS DE COMUNICACIONES ELECTRNICAS Segunda Edicin Mxico 1996
Prentce Hall Hispanoamericana S.A. Captulo 6 pgs 229-238
61
La frecuencia de la portadora oscila ms o menos rpidamente, segn la onda moduladora,

esto es; si aplicamos una moduladora de 100 Hz, la onda modulada se desplaza arriba y
abajo cien veces en un segundo respecto de su frecuencia central, que es la portadora;
adems el grado de esta variacin depender del volumen con que modulemos la
portadora, a lo que denominamos "ndice de modulacin".
Seal Portadora
Seal Modulante
Seal Modulada en Frecuencia
U V IIIV V V V V V V V V IIHIV
Figura 1.43 Seal modulada en frecuencia
Debido a que los ruidos o interferencias que se mencionaron anteriormente alteran la

amplitud de la onda, no afecta a la informacin transmitida en FM, puesto que la
informacin se extrae de la variacin de frecuencia y no de la amplitud la misma que es
constante, por lo cual, como consecuencia de estas caractersticas de modulacin podemos
observar cmo la calidad de sonido o imagen es mayor cuando modulamos en frecuencia
que cuando lo hacemos en amplitud o banda lateral.
Adems al no alterar la frecuencia de la portadora en la medida que aplicamos la

informacin, podemos transmitir seales sonoras o informacin de otro tipo (datos o
imgenes), que comprenden mayor rango de frecuencias moduladoras, sin por ello abarcar
mayor ancho de banda. ste es el motivo por el que las llamadas "radiofrmulas" utilizan
la frecuencia modulada, o dicho de otro modo, el nacimiento de las estaciones que a
62
mediados de los sesenta eligieron este sistema para emitir sus programas con mayor
calidad de sonido dio origen a la radiodifusin musical.
Otros usos de la frecuencia modulada son la telefona mvil, televisin y servicios de

comunicacin entre los trabajadores de empresas de paquetera, talleres, comercios, etc.
1.5.2.1 Anlisis Matemtico
La frecuencia instantnea (frecuencia precisa de la portadora, en un instante de tiempo) de

la onda modulada en frecuencia matemticamente se expresa como:
f = fp*(l + k*Vm*COSCD n ] t) Ec 1,136
donde:
fp : frecuencia de portadora sin modular [Hz].
k : constante de proporcionalidad.
com: 2*7t*fm (frecuencia moduladora) [rad/s].
Vm: voltaje pico de la seal moduladora [Voltios].
El mximo cambio de la desviacin de frecuencia de portadora ocurre cuando eos cmt=l

en donde la frecuencia instantnea ecuacin 1.136 llega a ser:
f = fp*(lk*Vm) EC 1.137
La mxima desviacin de frecuencia (cambio de la frecuencia de portadora), se expresa

como:
8 = p*k*Vm Ecl-138
Matemticamente se puede demostrar que el voltaje instantneo de la seal FM es:

c
Vft) = A * COS(OLt +_C"- * COSO> mt)
^ ' ^ P
F un U! /
EC 1.139
f- ., ., r^n
donde:
A : mximo voltaje de la seal portadora [Voltios].
o)p : 2*7i;*fp [rad/s].
63
1.5.3 NDICE DE MODULACIN
Para una onda modulada en frecuencia, el ndice de modulacin (nif) se lo determina de

diferente manera que al de una onda modulada en amplitud; por lo tanto el ndice de
modulacin se expresa como:
(mximo) desviacin de frecuencia 5

Z ^
frecuencia Ai
de modulacin = 7~
m Ec 1-140
Ahora, la ecuacin 1.139 se la expresa as:
V(t) = A * COS(CD t+m f * coso)mt)
1.5.4 MODULACIN POR UNA SINUSOIDE DE FRECUENCIA SENCILLA
La modulacin en frecuencia contiene muchas bandas laterales las mismas que se las
calcula por medio de tablas (tabla 1.1) o las curvas denominadas funciones de Bessel de la
figura 1.44. Para el anlisis de frecuencia de una onda con modulacin FM, consideramos
la siguiente igualdad, la misma que se expresa como una funcin de Bessel as:
TU
cos(a + m * eos (3) = ] Jn(m) * cos(ce + n*p + n*) EC 1142
donde, Jn(m) es la funcin de Bessel de primera clase de ensimo orden con argumento m;
aplicando la ecuacin 1.142 a la ecuacin 1.141 tenemos:
90 -_
V(t) - A * Jn(m) * cos(copt + n * o>mt + n * )
Ec 1.143
expandiendo la ecuacin 1.143, y tomando sus primeros trminos tenemos:
64
- -Jl(m)*cos
V(t) = A
- J2(m) * cos[((Bp + o> m )t]+ J2(m) * cos[((Dp - Ec 1.144
Las ecuaciones muestran que con la modulacin FM, una seal de frecuencia sencilla
produce un nmero infinito de frecuencias laterales (bandas laterales). En la figura 1.44 se
muestran las curvas para las amplitudes relativas de la portadora y varios conjuntos de
frecuencias laterales, para valores de m hasta 12; se puede observar que la amplitud de las
seales de la grfica vara en forma de una onda senoidal amortiguada.
Indica de modulacin
(m)
Figura 1.44 Curvas para las amplitudes relativas de la portadora y varios conjuntos de frecuencias laterales22
En la tabla 1.1 se presentan datos slo para frecuencias laterales importantes (amplitud
igual o mayor que 1 % de la amplitud de la portadora no modulada) con valores de m hasta
10.
1 Wayne Tornas! SISTEMAS DE COMUNICACIONES ELECTRNICAS Segunda Edicin Mxico 1996

Prentice Hall Hispanoamericana S.A. Captulo 6 pgs 240
65
m Jo Ji J2 J3 J4 J5 J6 J7 J8 J9 Jio Ju Jiz Ju J
0.00 1.00
; _ ; _ ; ; ; ; : :
-- -- --
098 0.12
0.25
0.5 0.94 0.24 0.03 - - - - - - - - -
- - - -
1.0
1.5
0.77
0.51
0.44
0.56
0.11
0.23
0.02
0.06
-
0.01 -
-
-
- -
-
-
-
-
- -
-
-
- ~- _- --
2.0
2.4
0.22
0
0.58
0.52
0.35
0.43
0.13
0.20
0.03
0.06 0.02
-
- _
-
-
-
-
- -
-
-
- -- -- --
2.5 -0.05 0.50 0.45 0.22 0.07 0.02 0.01
- -
-
-
-
_ - -
3.0
4.0
^0,26 0.34
-0.40 -0.07
0.49
0.36
0.31
0.43
0.13
0.28
0.04
0.13
0.01
0.05 0.02 -
-
- -
-
-
- -- -_ --
5.0
6.0
-0.18 -0.33 0.05
0.13 -0.28 -0.24 0.11
0.36 0.39
0.36
0.26
0.36
0.13
0.25
0.05
0.13
0.02
0.06
-
0.02 -
-
- -- -- _-
7.0
8.0
0.30
OJ7
0.00
0.23
-0.30 -0.17
-0.11 -0.29 -0.10
0.16 0.35
0.19
0.34
0.34
0.23
0.32
0.13
0.22
0.06
0.13
0.02
0.06
-
0.03 . - -
9.0 -0.09 0.25 0.14 -0.18 -0.27 -0.06 0.20 0.33 0.31 0.21 0.12 0.06 0.03 0.01 -
10.0 0.25 0.05 0.25 0.06 -0.22 -0.23 -0.01 0.22 0.32 0.29 0.21 0.12 0.06. 0.03 0.01
Tabla l.l Funciones de Bessel de Primer Orden J n (tn) :
1.5.5 REQUERIMIENTOS DEL ANCHO DE BANDA PARA UNA SEAL

MODULADA EN FRECUENCIA
Con la modulacin angular, se producen varios conjuntos de bandas laterales, razn por la
cual el ancho de banda es ms significante que en una seal modulada en amplitud con la
misma seal modulante.
Las formas de onda de modulacin angular se clasifican generalmente como de ndice

bajo, mediano o alto. Para el caso de ndice bajo, la desviacin de fase pico (ndice de
modulacin), es menos que 1 [rad], y el caso de ndice alto ocurre cuando la desviacin de
fase pico es mayor que 10 [rad], los ndices de modulacin, mayores que 1 y menores que
10 se clasifican como un ndice mediano. El ndice de modulacin m determina las
caractersticas espectrales de la seal FM. Para los valores de m por debajo de alrededor
de 0.2, la densidad espectral de una seal FM consiste en dos bandas laterales sobre una
gran portadora, lo que se conoce como FM de banda angosta.
1 Wayne Tomasi SISTEMAS DE COMUNICACIONES ELECTRNICAS Segunda Edicin Mxico 1996

Prentce Hall Hispanoamericana S.A. Captulo 6 pgs 239
66
Como se puede observar en la tabla 1.1 para una seal con modulacin angular de ndice
bajo, la mayora de la informacin de la seal se cargar por el primer conjunto de bandas
laterales. Y el mnimo ancho de banda requerido es aproximadamente el doble de la
frecuencia de la seal modulante ms alta.
Los detalles espectrales para valores mayores de m; llamados FM de banda ancha,

dependen de cada seal moduladora en particular porque la generacin de FM no es lineal.
Sin embargo, el ancho de banda total puede aproximarse agregando el doble de la
desviacin de frecuencia pico al doble del ancho de banda de la seal moduladora (Regla
de Carson).
La Regla de Carson aproxima el ancho de banda de una onda con modulacin FM, como
el doble de la suma de la desviacin de frecuencia pico y la mxima frecuencia de la seal
modulante; as:
B = 2*(5 + rm mix ) Eci.145
en donde:
5 : mxima desviacin de frecuencia [Hz].
nmx frecuencia ms alta de la seal modulante [Hz].
La Regla de Carson es una aproximacin y proporciona anchos de banda de transmisiones

que son un poco ms angostos que los anchos de banda proporcionados por las tablas de
Bessel, en esta regla se considera un 98% de la potencia total en la onda modulada.
El ancho de banda real necesario es una funcin de la forma de onda de la seal modulante
y la calidad de la transmisin que se desea; as segn las normas de radiodifusin se
especifica una desviacin mxima de 75 KHz y una frecuencia moduladora mxima de 15
KHz.
1.5.6 CIRCUITOS MODULADORES FM
Existen varias formas para obtener seales moduladas en frecuencia, a continuacin

revisaremos dos maneras para llevar a cabo la implementacin de circuitos moduladores en
frecuencia.
67
1.5.6.1 Circuito modulador con diodo varactor
Un diodo de capacidad variable por tensin, llamado varactor o varicap, es aquel en el cual
la capacidad de la unin vara electrnicamente con facilidad. Esta variacin, se lleva a
cabo simplemente cambiando la polarizacin inversa del diodo.
Un diodo varactor puede conectarse de diversas maneras para que afecte a un circuito
resonante. Por esta razn, un modulador por diodo varactor es uno de los sistemas ms
sencillos para generar una seal de FM, siendo el diodo varactor uno de los componentes
capacitivos del circuito de realimentacin que posee el modulador (figura 1.45).
En estos circuitos, la frecuencia del oscilador de RF est determinada por la polarizacin

inversa aplicada a los diodos varactores.
+Vcc
L
' P Cd ,, Cc2
R1 >> || Vv Salida
" <
Q1
: RL
2 Cv -
RE1
CB - LCHRF C1
II
Entrada
RE2 CE -
-t
Figura 1.45 Circuito modulador FM con diodo varactor
Para el estudio de la grfica anterior tenemos el siguiente circuito equivalente de salida

mostrado en la figura 1.46.
Rp^ RL< Co =p L:
( Ceq '
Figura 1.46 Circuito equivalente de salida del circuito modulador con diodo varactor
24 Ver anexo B sobre el diodo varactor
68
Donde:
Req: resistencia equivalente del circuito de salida.
r0 : resistencia de salida del transistor.
R p : resistencia de prdidas de la bobina.
RL : resistencia de carga.
" Ceq: capacitancia equivalente del circuito.
Cv : capacitancia del diodo varactor.
CE : capacitancia de emisor.
C0 : capacitancia de salida del transistor.
Rn: resistencia de entrada del bloque de realimentacin.
L : inductancia del bloque de realimentacin.
Del circuito de la figura 1.46 podemos decir que:
D //R L Ecl-146
C V *C E
r> i n Ec 1.147
El anlisis matemtico para esta clase de circuito es similar al que se realiza para los
amplificadores de tensin, por lo que solamente se estudiar lo concerniente al circuito de
realimentacin (bloque B) representado en la figura I Al:
JL
CE
Figura A7 Circuito de realimentacin Bloque B
As, para cumplir con las condiciones desarrolladas para que un circuito oscile donde se
establece que A-lXa/Xs y en funcin de los elementos utilizados (figura I Al*), tenemos
que:
69
X3
E
Ecl'148
El voltaje para mantener polarizado el varactor Vv es:
Ec 1.149
donde Vp es el voltaje correspondiente a la capacitancia del diodo varactor y VREI el

voltaje en.
Por el teorema del efecto Miller tenemos que el valor para la capacitancia parsita de salida
es:
A ob Ec 1,150
Con lo cual podemos determinar la capacitancia equivalente CEQ indicada anteriormente:

_(C V *C)
1.5.6.2 Circuito modulador FM basado en la utilizacin de un oscilador controlado

por voltaje (VCO)
El Oscilador Controlado por Tensin (VCO "Voltage Controlled Oscillator") es uno de los
dispositivos que se utilizan habitualmente como moduladores FM. Se trata de un oscilador
cuya frecuencia tiene una dependencia lineal respecto al voltaje aplicado.
70
f I/ I
M !/
\v - ;raj
?ND ~ * J~ GND
0.1 0F 0 10UF |
GND
1 4-
10
ei 1 a
c
J ; DUT
12 5
TANK AOC
MV1404.H
1
^
o -* i 9
NC
2
11 \ 4- .
HC | NC _a
13 1
NC E NC 6 P^
VCO-INPUT
Ll
S
Si
MVH94.H U4
J
7
J
o* END r GND
Figura 1.48 Modo de conexin del circuito integrado MC1648P
Se ha considerado la utilizacin del circuito integrado MC1648P que es un oscilador

controlado por voltaje; el mismo que debe ser conectado como se indica en la figura 1.48
por recomendacin del manual; pero en base a estudios desarrollados se aconseja la
siguiente configuracin para su utilizacin (figura 1.49).
O. lu
l IN '
O
Vin 10
W/2101
Slk '
r
1
/^-
\
Cv:
r
O. luF
Figura 1.49 Circuito Modulador FM con VCO modificado
En este diseo es importante detenrrinar la seal pico de audio necesaria para mantener el
ancho de banda requerido el mismo que viene dado por la siguiente frmula26.:
25 CALDERN, Ral Antonio Micrfono inalmbrico con circuitos integrados , Quito- 1978
26 CALDERN, Ral Antonio Micrfono inalmbrico con circuitos integrados , Quito- 1978
71
CAPITULO 2
DISEO DE LA CONSOLA
2.1 DIAGRAMA DE BLOQUES DE LA CONSOLA
La consola consta principalmente de las etapas de mezcla y modulacin, siendo necesarias

tambin las etapas de preamplifcacin tanto para la mezcla como para la etapa siguiente a
la modulacin (preamplifcacin de potencia). As se puede observar en la figura 2.1:
ENTRADAS ETAPA DE ETAPA ETAPA ETAPA DE

PREAMPLIFCACIN DE MEZCLA DE MODULACIN PREAMPLIFCACIN
DE POTENCIA
PHONO
TAPE
Figura 2.1 Diagrama de bloques de la consola
74
Diseo de la Consola Captulo 2
2.1.1 ETAPA BE PREAMPLIFICACIN
Esta etapa es la encargada de receptar las seales de audio3 prepararlas y proporcionar la

seal de entrada requerida por el circuito modulador; como se explic en el primer
captulo, la preamplificacin es un proceso que se emplea para acondicionar las entradas al
circuito sumador; es decir, permite amplificar las seales que se obtienen de los diferentes
dispositivos que nos proveen stas a nuestra consola; as tenemos los preamplificadores
para micrfonos, preamplificadores line (casetera y cd player) y para phono (tocadiscos).
2.1.2 ETAPA DE MEZCLA
Es la etapa constituida por un circuito amplificador sumador, el cual es el encargado, como

su nombre lo indica, de realizar la mezcla de las seales que se obtienen de cada uno de los
circuitos preamplifcadores.
2.1.3 ETAPA DE MODULACIN
Debido a los requerimientos del amplificador de potencia del laboratorio, la consola

constar de un circuito oscilador-modulador que operar en el rango de FM, este bloque
ser el encargado de realizar la modulacin de la seal.
2.1.4 ETAPA DE PREAMPLIFICACIN DE POTENCIA
Con la implementacin de esta etapa se permitir acoplar y proporcionar el nivel de

voltaje y potencia requeridos por el amplificador del laboratorio de Electrnica de Alta
Frecuencia.
A continuacin se presentarn los diseos de cada una de las etapas que forman parte de la
implementacin de la consola:
75
Diserto de la Consola Captulo
2.2 DISEO DEL PREAMPLIFICADOR DE POTENCIA
Para el desarrollo del diseo de esta etapa es importante considerar los requerimientos del
amplificador de potencia del laboratorio., en lo referente a la potencia e impedancia de
entrada.
As, en la tabla 2.1 se detallan los datos requeridos para el diseo del preamplifcador de
potencia:
Para el amplificador:
Parmetro Valor y Unidades
Po 13mW
A .5
TI- 20%
RL son
fo lOOMHz
Tabla 2.1 Datos para el amplificador
Donde:
Po : potencia de salida.
A': ganancia de voltaje.
r| : factor de compensacin de prdidas que se producen en la red
transformadora.
RL : resistencia de carga.
fo : frecuencia de trabajo.
Para el fransislor:
fr 800 MHz
C0b 2pf
r0 20 KO
Ho 8.68
Tabla 2.2 Datos caractersticos para el transistor
76
Diseo de la Consola Captulo
Donde:
fj : frecuencia a la cual la ganancia de comente es unitaria.
C0b : capacitancia parsita entre colector base.
ro : impedancia de salida del transistor a la frecuencia de trabajo.
" lô : factor de amplificacin de voltaje a la frecuencia de trabajo.
En base a los datos que se presentan en las tablas 2.1 y 2.2. tenemos que al analizar la
potencia que debe suministrar la consola; se establece la utilizacin de un circuito
amplificador de potencia en clase A, cuyo diagrama circuital se presenta en la figura 2.2:
+Vcc
Salida
Entrada
Figura 2.2 Circuito amplificador de potencia en ciase A
Para comenzar el diseo de esta etapa asumimos el valor para la polarizacin del circuito
(Vcc) y voltaje de emisor VE, considerando la facilidad en Ja implementacin de las
fuentes de alimentacin; as tenemos que:
V CC =12V
El desarrollo se facilita si se realiza un anlisis a partir de las curvas que se presentan en la

figura 2.3s por lo tanto, de acuerdo a lo que se puede observar, se procede a determinar el
voltaje colector - emisor en el punto Q:
77
V CEQ =V CC -V E
V C EQ=(12-3)V
V C EQ=9V
Determinado ya el valor del voltaje VCEQ, calculamos los voltajes VCET y vop que por lo
que se puede observar de la figura 2.3 se tiene:
yCET= VCEQ=vop
f 3 9V
Con el dato que se obtiene para el voltaje colector emisor (VCET) en el punto de tangencia,
se procede a determinar el voltaje de salida pico real (v0prX para lo cual se asume un voltaje
Vact de 2V con el fin de evitar recortes en nuestra seal de salida; adems hay que verificar
que la ganancia de voltaje (A) no sea mayor que el factor de amplificacin de voltaje (ji0)
que se presenta a nuestra frecuencia de trabajo., as; de acuerdo con lo sealado y en base a
la ecuacin 1.42 tenemos:
V
V
= , CET
-VY a c t i
v opr i
1+
A
opr ~~ i
+-
5
78
Reda de carga
esttica
Figura 2.3 Curvas de voltaje y corriente de salida para un circuito amplificador clase A
Para determinar la potencia de disipacin ideal y real del transistor, debemos considerar
que se trata de un amplificador clase A, y en base al estudio realizado en el primer
captulo, tenemos que:
P,.01 = ? *PO
A
P di =2*13mW
P di =26mW
79
J)iseo de la Consola Captulo 2.
p -1.2* 9V V *26mW
dr 5.83Vj
P dr =74.35mW
Concordando con la teora presentada en el primer captulo en lo que se refiere a los

amplificadores de potencia, tenemos que determinar la carga Rac que requiere el transistor,
para lo cual se considera la corriente de colector en el punto de tangencia, la corriente de
colector mxima como se presenta a continuacin:
T __ Pdr 1Ctvl= 2"* 1CT -p VCEM

-CT ''
J-r-v JN.,,,,
CET ICM = 2 * 8 .26mA
74.35mW T - co A 18V
QV -16-52mA
- R =
9V ac 16.52mA
ICT -8.26mA R =
Para obtener la ecuacin que nos ayude a determinar la ganancia para nuestro circuito, es
importante recordar que se trata de un circuito con una configuracin en emisor-comn y
que la ganancia que se de a esta etapa corresponde a un valor menor que el determinado
para el factor de amplificacin ja0= 8.48, por lo que la ganancia que se dar a esta etapa
ser de 55 as tenemos:
R Ec2-1
re+R EI
entonces:
re + R E] =
A
1089.44
5
R E 1 =217.89Q
Como se puede observar en la expresin anterior (re-f R E ] =217.89Q), se requiere
80
Diseilo de la Consola Captulo 2
establecer un valor adecuado para la resistencia dinmica, con la finalidad de independizar

nuestro circuito de parmetros del transistor, para lo cual primero procedemos a determinar
la corriente de salida pico, la misma que viene dada en funcin del voltaje de salida pico
real y la resistencia Rae:
i pr
P T? Ec 2.2
ac
5.83V
1089.44Q
i op =5.35mA
por lo tanto para evitar obtener una seal con posibles recortes y observando en la figura
2.3 tenemos que cumplir con la siguiente desigualdad:
ICQ - 0 p Ec2.3
I CQ >5.35mA
Una vez establecido el valor mnimo que debe tener la comente de colector, y observando
la figura 2.4, se determina la comente de emisor como:
I E = IG 4- I c / p
i E ~-P!*i
p c
de donde se considera que
IEIC
por lo tanto:
81
+Vcc
Entrada
Figura 2.4 Diagramas de las corrientes que circulan por el circuito amplificador clase A27
As, asumimos un valor para la corriente de emisor con el fin de hacer que la resistencia
dinmica sea despreciable en comparacin con la resistencia de emisor RE (^REI)? por
lo que se ha considerado lE=IcQ=6.22mA a partir de lo cual tenemos:
_25mV
re
= 25mV
~ 6.22mA
re = 4O
por lo tanto:
RE =(217.89-4)0
R E1 =213.890
por lo tanto se determina un valor estndar de:

R E 1 =220Q
con lo cual cumplimos que reREi, as:

4O 220O
27 Grficas presentadas por el Ing. Antonio Caldern
82
Continuando con el diseo, calculamos el valor de la resistencia R^, para lo cual tenemos
que determinar la resistencia de emisor total por medio del voltaje de emisor que es de 3 V,
y la comente de emisor que es 6.22mA., as:
Ec2 - 5
R =- 3V
6.22mA
RET = 482.31Q
por lo tanto:
RET = RE + Rfi2 Ec 2.6
R E 2 = (481.31-220)0
R E2 =261.310
En base al circuito mostrado en la figura 2.4 para la representacin de las corrientes, se

procede a determinar las corrientes IB Ii, fe-
Para la corriente de base, en primer lugar debemos determinar el factor (30 (ganancia de
corriente) a la frecuencia de trabajo (f0=100MHz)? y considerando que la frecuencia a la
cual la ganancia de comente es unitaria f? es SOOMHz.
f
Po = "
ô
_ SOOMHz
0 "
lOOMHz
a partir del dato calculado para la ganancia de corriente, determinamos la corriente de base:
TJL R
- !-
c
B Po
_ 6.22mA
J-TI - '
B 8
I R =0.78mA
83
Con la comente de base establecida, se procede a determinar el valor de las restantes

corrientes, para lo cual cumplimos con la siguiente condicin I 2 I B , con la finalidad de
mantener estabilidad de polarizacin, para evitar variaciones en el voltaje de base y con
ello el voltaje de emisor; en base a lo planteado y presentado en el esquema de comentes
(figura 2.4) tenemos que:
CORRIENTE EN R2
T2
1 1iu
0 * T1B
I 2 =10*0.78mA
I, = 7.8mA I, =8.55mA
Determinadas las corrientes, calculamos los valores para los siguientes elementos que
constituyen el circuito, es decir el valor para Ra y RI, para lo cual necesitamos los valores
para los voltajes de base (voltaje en Ra) y en Rj:
VOLTAJE EN R VOLTAJE EN Rj
yB ~ vfi +V
V v^ JBE V
V RI =(12-3.6)V
Vn=3.6V V R I =8.4V
Con los datos de comentes y voltajes se calculan los valores para las resistencias:
CALCULO PARA R l
Ec2.7 Ec2.8
B R =
R2 = R1
I2
3.6V 8.4V
R,=-
7.8mA 8.55mA
=461.54Q R, =982.5Q
Para el clculo de los capacitores, hay que considerar la frecuencia de trabajo, y las
condiciones que se plantearn a continuacin, con la finalidad de que sus impedancias no
afecten al desempeo del circuito, por lo cual tenemos:
84
Para el capacitor de emisor CE:
X C E 270Q
EC2.10
2*7l*f*XCE
a>.2*7*100MHz*27Q
1
C E >58.95pF
por lo tanto :
C E =0.1nP
Para el capacitor de base CB:
siendo Rn la resistencia de entrada al circuito, y viene dada por la siguiente expresin:
R b = [(g + 1X224Q)] // 1KQ // 470Q

R n =275.96Q
entonces:
XCB275.96Q
Ec 2.13
* 2*7c*f*X C B
1
B ~2*7t*100MHz*28.3Q
C B >56.24pF
as:
C B =0.1nF
Para el clculo de los elementos que componen el circuito tanque de colector representado
en la figura 2.5, tenemos que determinar el valor del capacitor variable C el mismo que
debe ser mayor comparado con la capacitancia Co para de esta manera independizar
85
Diseio de la Consola Captulo 2
nuestro circuito de capacitancias parsitas, para lo cual deber cumplir con la condicin
planteada a continuacin:
Figura 2.5 Circuito tanque de colector
ca Ec 2.14
donde, aplicando el teorema del efecto Miller tenemos:
Ec 2.15
A ob
C 0 =1.6pF
por lo que:
C1.6pF
C = 30pF
Realizando un anlisis del circuito equivalente de salida del amplificador de la figura 2.6
tenemos:
?) ro < Rp < Rl_ | =CoC -= =

L L
Rae ' v- Ceq
Figura 2.6 Circuito equivalente de salida del amplificador clase A
De la figura 2.6 procederemos a determinar Ceq para luego establecer el valor de la bobina:
Ec 2.16
86
c e q =c+c 0
C eq =31.6 P F
"(2*7t*fJ 2 *C e
1
(2*7i*100MHz)2*31.6pF
L = 0.08uH
Un factor que hay que determinar en el momento de la construccin de una bobina, es el

factor de calidad, para lo cual tenemos la ecuacin 1.13 presentada en el captulo 1:
Qh
^<.b =-
-TI-
para lo cual tenemos que considerar las prdidas que se presenten en la bobina, para hacer
el circuito independiente de las prdidas de la bobina:
R p Rac
R p 1089.44Q
R p =14KQ
y siendo:
XL=2*7C*fo*L
X L =2*7c*100MHz*0.08uH
X L =50.27Q
por lo tanto el factor de calidad de la bobina ser:
50.27Q
87
Q b >278
Al exigir el elemento activo un valor fijo para Rae, es necesaria la utilizacin de una red
transformadora de impedancias, debido a que la resistencia que se tiene como carga no es
la requerida por el transistor. La red acopladura que nos brinda mejores resultados al
momento de implementarla, corresponde a una red tipo T3 figura 2.7:
Xi X2
X3
Zin = Rref
Figura 2.7 Diagrama de una red acopladura tipo T
Para iniciar el diseo de la red acopladura (figura 2.7) es importante considerar

determinados datos como lo es la RL= 50Q (impedancia de entrada del mdulo del
laboratorio) y Rac calculados anteriormente. Para determinar el valor de Rref tenemos el
circuito equivalente de la figura 2.6 de donde:
RaC=Rref//r0//Rp Ec2 - 20
de donde, teniendo como datos los valores para RaC; ro y Rp, determinamos el valor de Rref:
1.09KQ = R rcf //20KQ //14KQ
R ref =1.26KQ
Determinamos el valor de Xm cumpliendo con lo planteado en la ecuacin 1.113 con lo

que:
Xm2>Rref*RL
Xm 2 >1.26KQ*50Q
Xm>251Q
Analizando la respuesta que se tiene para la reactancia mutua Xm, se presentan dos
opciones a considerar, la primera implica tomar el valor positivo lo que significara que el
elemento a utilizar corresponder a una bobina, mientras que si se toma la segunda opcin
(valor negativo), el elemento a utilizar sera un capacitor. En base al anlisis realizado se
ha considerado tener facilidad en el momento de calibrar de la red, por lo cual tomamos el
siguiente valor para Xm:
por lo tanto con el valor de Xm, podemos ya determinar el elemento Xs mediante la

siguiente expresin:
X m =X 3
X 3 =-500Q
el valor negativo nos indica que el elemento a utilizar ser un capacitor, as tenernos:
C
3 2 *7t*f*X3
C =
*->3
3 2*7C*100MHz*500Q
C 3 =3.183pF
Con las ecuaciones presentadas en el primer captulo (ecuaciones 1.121 y 1.122)

obtenemos los datos necesarios con los cuales podremos determinar los valores de los
dems elementos de la red:
Xp- r e - R r e f * R L ) RL*(Xm2-Rref*RL)
RL V R-ref
V _.jl260*(500 2 -1260*50) 50*(5002 -1260*50)

AP ~ ~-\r Xs = J -
V 50 V 1260
= 2170,81Q
Tomando los valores negativos para Xp y Xs setieneque:
89
Xp =
f~V
V^M
i "V "\V
+^-3/
/"V r "V* ^
-^s ~\-^-2 ~T~~^3J
- 2170.81Q = (X1 - 5000) - 86.14O = (X2 - 500Q)

Xj=-1670.810 X 2 =413.860
Con los valores anteriormente calculados, podemos determinar los siguientes elementos,
para los cuales se considera que Xi ser una reactancia capacitiva y Xa una reactancia
inductiva:
1
C,=
2*7r*f*X, 2*7T*f0
1 413.86Q
C, -
2*7c*100MHz*1670.8in 2*7t*100]VlHz
L 2 =0.67uH
Para enlistar los elementos que se utilizarn en esta etapa tenemos:
Caractersticas del transistor a utilizar (tabla 2.3): estn definidas por parmetros como
la potencia mxima de disipacin, el voltaje colector-emisor mximo y la corriente
mxima que el transistor debe soportar viene dada por las expresiones presentadas en las
ecuaciones 1.46,1.47 y 1.48
dmx > Pdr

V CBBx >V CEM +V E
P dmix >56mW
*dmx >56mW
Cenix >21V
Icmx >12.40mA
Tabla 2.3 Datos para determinar el transistor
90
m En la tabla 2.4 se presentan los valores de los elementos que constituyen la red
transformadora:
Impcdancia (Q) Elemento Valor y Unidades
x, G! 0.95pF
X2 L2 0.66pH
X3 C3 3.18pF
Tabla 2.4 Lista de elementos para la Red Transformadora
En la tabla 2.5 se presenta la lista de elementos utilizados para el amplificador de

potencia:
Elemento Valor y Unidades
RI iKn
R2 470O
RE] 2200
R-E2 2?on
CB O.lnF
CE O.lnF
C 30pF
L O.ljiH
Tabla 2.5 Lista de elementos para el amplificador de potencia
En el diagrama de la figura 2.8 se presenta el esquemtico del circuito ha implementarse

con los valores de los elementos utilizados en la elaboracin de esta etapa de la consola.
91
+Vcc2
CT~HL
0 =fc 1uHF
R1 _- \ ... VI
> SOpF1r^ X1 **-
iK < M (W\
II
CB 1 0.95pF 0,66uH
u r 01
I 0.1nF <1
- X3 Salida
Entrada RE1 L =
3.18pF <
: 22 <
470' 1
RE2 \E =L
270 | o.1 nF
Rin
Figura 2.8 Diagrama esquemtico del circuito amplificador de potencia
El diseo del circuito que se ha presentado corresponde a una configuracin en emisor

comn. Por lo tanto, es importante determinar su resistencia y capacitancia de entrada:
Ec 2.21
)]// 1KQ // 470Q

R^-275.960
Para el clculo de la capacitancia de entrada (Qn) aplicando el criterio del efecto Miller
tenemos:
C n= (A-l)*C ob
C in =(5-l)*2pF
Cfa = 8pF
En base a los datos obtenidos, tenemos que, para realizar el diseo de la etapa de
modulacin, debemos considerar que el voltaje que debe suministrar sta al amplificador
vendr dado a partir de la aplicacin del concepto de lo que representa la ganancia de
voltaje, para lo cual consideramos la ganancia que se dio al amplificador de potencia
(A5) y que el voltaje de salida pico real es 6.77V, con lo que:
92
Pr
Ec 2.22
V opr
A
6.77V
: =1.3V
Para el diseo de la siguiente etapa, consideraremos el diagrama de bloques de la figura

2.9, donde se analizan los requerimientos de la etapa consecuente, as:
V=1.3V
SEAL
DE ENTRADA
RL= SOohmios
Po= 13mW
Rlrt=275,96 ohmios
Cln=8pF
Figura 2.9 Diagrama de bloques del circuito amplificador de potencia y modulador FM
2.3 DISEO DEL MODULADOR FM
Wcc
Salida ai
Amplificador
j
R1 Cc1 Vv Cc2 de Potencia
II
IRL J
Q1
5L e v i ]
L RE1
r R2 i
LCHRF
W\I -
Cl
II
ih
RE2 CE - Entrada
RIn
Figura 2.10 Diagrama esquemtico del circuito oscilador modulador con un diodo varactor
93
El diseo correspondiente a esta etapa, se basa en la utilizacin de un circuito oscilador

modulador representado en la figura 2.10.
Los datos requeridos para la elaboracin del diseo se presentan a continuacin:
Para el amplificador:
Datos Valor y Unidades
A 5
> lOOMHz
RL 285Q
Qiip 8pF
V0 1.3V
Tabla 2.6 Datos requeridos para el diseo del modulador
Donde:
A : ganancia de voltaje.
f 0 : frecuencia de trabajo.
RL : resistencia de carga (Resistencia de entrada del amplificador de potencia).
" Cnp : capacitancia parsita de entrada del amplificador de potencia.
v0 : voltaje de salida del oscilador-modulador (dato requerido por el
amplificador de potencia).
Para el ti-ansistor: los datos que se utilizan para caracterizarlo son los presentados en la
tabla 2.7 de acuerdo a lo especificado en el anexo B; donde se detallan las caractersticas
elctricas del transistor 2N918 utilizado para frecuencias altas, con lo que tenemos:
Datos Valor y Unidades
fr SOOMHz
Ro 20KQ
C0 1.6pF
Mo 8
Tabla 2.7 Datos caractersticos del transistor
94
Diseo de, la Consola Captulo 2
Donde:
fr : frecuencia a la cual la ganancia de comente es unitaria.
C0 : capacitancia parsita de salida.
u0 : factor de amplificacin de voltaje a la frecuencia de trabajo.
2.3.1 CLCULOS PAJRA DETERMINAR LOS ELEMENTOS DEL BLOQUE DE

AMPLIFICACIN
Para establecer un voltaje de polarizacin, determinamos el VCE y VE de acuerdo con lo

planteado en el diagrama de voltajes que se presenta en la figura 2.11:
vcc = Ve
Figura 2.11 Diagrama de voltajes de salida
Ec2.23
V CE =1.3V + 1
V CE =2.3V
V E >1V
de donde para determinar el voltaje de polarizacin Vcc consideramos lo siguiente:
95
EC2.24
VCC = (2.3 + 2)V
Vcc = 4.3V
Para la fcil elaboracin de una fuente de alimentacin estandarizamos el valor que

utilizaremos para polarizar el circuito, con lo que tambin aseguramos que nuestra seal de
salida no sufra recortes, aumentando el voltaje de la regin activa a 1.7 voltios en lugar de
1 voltio como lo habamos determinado anteriormente, con lo que tenemos:
V
v cc =5V
Jv
Para determinar los dems elementos que forman parte del modulador, se considerar para
el anlisis, la utilizacin del circuito equivalente de salida del modulador de la figura 2.9, a
partir de lo cual tenemos:
Rp R L < Co
t. Req > V Ceq ;
Figura 2.12 Circuito equivalente de salida del circuito modulador con diodo varactor
Del circuito de la figura 2.12, consideramos la resistencia equivalente R^, bajo la siguiente
expresin:
de donde, para independizar el circuito de las prdidas que se presentan en la bobina,

tenemos:
r0//RpRL
r 0 //R p 275.96Q
96
Conocidos los valores de r0=20K\L= 275. 96Q, y despejando la resistencia de prdidas

de la bobina Rp, tenemos:
_ _ _ 20KT1
275.96n
_
R p 279.82D
R p =10*279.82KQ
R p =2.8KQ
por lo que obtenemos:

R e q =r 0 //R p //R L
= 20KQ//2.8KQ//275.96Q
R eq =248.1Q
Al ser un circuito oscilador, est constituido a la vez por un bloque amplificador, por lo
cual es importante considerar la ganancia que se dar a sta etapa, por lo que tenemos que
la ganancia de voltaje viene dada por:
R pn Ec 2.25
re + R E1
de donde
A
248.1Q
R
A partir de la expresin (re + R E1 =49.62Q); se procede a determinar el valor para la

resistencia dinmica (re)3 cumpliendo con el siguiente criterio reREi3 para lo cual en
primer lugar determinamos la comente de salida pico, como se presenta a continuacin:
97
1.3V
op 248.1Q
i op =5,24mA
y parta evitar recortes en la seal de salida, tenemos que:
I c >5.24mA
Considerando que la comente de emisor viene dada por la suma de las corrientes de
colector y de base, se tiene que:
T-"-E ~
~ ITc
I E =I C =6mA
por lo tanto la resistencia dinmica vendr dada por:

25mV
re =
25mV
re =
y reemplazando el valor obtenido para la resistencia dinmica re tenemos:
R E ! = (49.62-4.17)0
R E1 =45.45Q
R E 1 =47Q
Para determinar la resistencia total de emisor (RET)S tenemos:
R
X
=^
6mA
oo o o o
RTTT =
por lo tanto:
"O _ T> i "D
JVET JXE1 -T JXE2
^ E2 ~ *** ET "^ El
R E2 = (333.33 -47)Q
R E2 =286.330
R E 2 =300Q
El siguiente paso lo constituye la determinacin de las corrientes, para lo cual

determinamos la corriente de base, as, en primer lugar debemos determinar el factor p0
(ganancia de comente) a la frecuencia de trabajo (f0=100MHz), y la frecuencia a la cual la
ganancia de comente es unitaria T es SOOMHz.
= SOOMHz
0 "lOOMHz
a partir del dato calculado para la ganancia de corriente, determinamos la corriente de base:
, Ir
Po
6mA
TJ-T3 =
I B =0.75mA
Cumpliendo con la siguiente condicin 12 I B , con la finalidad de mantener estabilidad

de polarizacin, determinamos las corrientes Ii e k, como se presenta a continuacin:
T
-2 = 1i u
0*T
-"-E T
-"-l 1TB- ^ J- -T2
I 2 = 10 * 0.75mA I, = (0.75 + 7.5)mA

I 2 =7.5mA
99
Determinadas las corrientes, calculamos los valores para los siguientes elementos que
constituyen el circuito, es decir el valor para R2 y RI, para lo cual necesitamos los valores
para los voltajes de base (voltaje en R2) y en RI:
VOLTAJE EN R,
VB =VE ~+VJBE
V V V
Y B = ( 2 + 0.6)V V R1 =(5-2.6)V
V R =2.6V V R1 =2.4V
Con los datos calculados para los voltajes y corrientes, determinamos los valores de las
resistencias:
CALCULO PARA R2
Ec 2.26 Ec 2.27
= 2.6V 2.4V
2 ~ 7.5mA 8.25mA
= 346.670 != 290.910
R 2 =330O
Para el clculo de los capacitores que forman parte del circuito, consideraremos que sus
reactancias debern cumplir con las condiciones que se plantean a continuacin:
* Para el capacitor de emisor CB:
Primera Condicin: Segunda Condicin:
X C B ( p 0 + l ) * ( r e + R E1 ) XCBR1//R2
XCB (8 + 1)* (4.17+ 47)0 X CB 330O//300Q
X CB 465.3O XCB 157.14Q
por lo tanto, al cumplir con la menor de las condiciones, se tiene que:
100
XCB 157.14Q
1
:*7r*f 0 *X c
1
* 2*7i*100MHz*15.7Q
CB >101.37pF
por lo tanto:
CB =47nF
Para el capacitor de emisor CE, cumplimos con el criterio empleado para que se
^ presente la oscilacin, donde se establece que el bloque A no debe cargar al bloque B es

decir, que la resistencia de entrada del amplificador (R;n)? debe ser mayor a la rmpedancia
de salida del bloque de realimentacin XCE R^ 3 para lo cual tenemos:
| EC2.28
RE2 (re + RE1)
1
*" 0- + 0_
300 ^ 51.7
R in =44.1Q
por lo tanto:
X CE 44.1Q
X C E <10Q
1
2*7r*100MHz*10Q
C E >159.15pF
Y asignando un valor estndar tenemos:

C E =10nF
101
* Para determinar el valor de la bobina de choque asumimos que sta, a la frecuencia de

oscilacin, debe presentar una alta reactancia con el n de no causar interferencias con la
parte de baja frecuencia (circuito mezclador), por lo que se establece que:
v -v> "y EC 2.30
X C H R F >SOQ
de donde:
X CHRF

^ * 71 * f 0
8QQ
CHRF - 2 *7i;*100MHz
L'CHRF
Para el clculo de los capacitores GI y 2 tenemos que cumplir con las condiciones
que se plantearn posteriormente, de tal manera que, con Ci evitemos que la seal de
radiofrecuencia afecte a la etapa que nos proporciona la seal de entrada (bajas
frecuencias), lo que se consigue haciendo que para las altas frecuencias, su
comportamiento sea similar a un cortocircuito (presente baja reactancia); mientras que Cl
presente un valor bajo de reactancia para las bajas frecuencias:
2.31
XCT
XC1 56.2Q
X CI < 5.620
XC2XCHRF
XC2 800
X C 2 <10Q
102
Por lo tanto, en base a los resultados obtenidos determinamos los valores de los
capacitores:
CALCULO PARA C
>-
1 1
2*7t*100MHz*5.62Q 2*7r*100MHz*10Q
C, >28.32pF C2 >159.15pF
por lo tanto: =10nF
Para determinar el valor de los capacitores Cci y Cci debemos cumplir con la siguiente
condicin:
^CCl ^^ -^-L Ec 2.33
XCC1275.96Q
XCC1 <27.6Q
C.,>-
'Cl
7t*f
-"-
* ;L *
1
>'
2*7r*100MHz*27.6Q
C cl >57.66pF
CC =C C2 =0.1nF
Estos capacitores son colocados con la fnalidad de obtener una seal sin componente de
DC.
103
Diseo de la Consota Captulo

REALIMENTACIN
El desarrollo que se presentar para esta parte del diseo se lo efectuar en base al circuito
de la figura 2.13:
X2
xi - Cv
Ll _
X3
CE
Figura 2.13 Circuito de realmentadn Bloque B
Considerando que el circuito anterior; representa el bloque de realimentacin de un

oscilador, donde, para cumplir con las condiciones de oscilacin tenemos la siguiente
ecuacin:
por lo tanto del circuito observamos que XI, X2 y X3 vienen representados por reactancias
inductiva, capacitiva (diodo varactor) y capacitiva respectivamente., as tenemos:
p
C =
(A-l)
c = 159.15pF
5-1
C v =39.79pF
Para determinar el valor de la inductancia, analizamos el circuito equivalente de salida del

modulador presentado en la figura 2.11, a partir de la cual podemos decir que:
104
teniendo como dato el valor de la capacitancia C0= l.pF y el valor calculado para Cv,
tenemos:
? *
eq
^"an
39.79pF + 159.15pF
por lo tanto:
JL
L 5=
(2 * TI n OOMKz)2 * 41 .43pF
Para conservar polarizado inversamente el varactor, es necesario determinar el voltaje con

el cual conseguimos ste objetivo; y viene dado por la ecuacin:
Vv = I E * R E 2 + V p
de donde el voltaje Vp se lo obtiene de las curvas caractersticas del diodo28, as, para la
capacitancia Cv=39.79pF (capacitancia del diodo varactor) que se obtuvo anteriormente
tenemos que Vp 2.4V
Vv = (6*l(T 3 *300--2.4)V
Vv = (1.8 + 2.4)V
Vv = 4.2V
Para el circuito modulador, la tabla 2.8 contiene los valores de los elementos que lo
conforman.
28 Ver en el anexo B
105
Elementos Valor y Unidades
Ri 30oa
R-2 330O
RE 470
Rfi2 330O
CB 47nF
CE O.lnF
CGI O.lnF
Cc2 O.lnF
Ci O.lpF
C2 O.lfiF
L 0.1u,H
LCHRF 0.1 6uU
Tabla 2.8 Lista de elementos para el modulador
En la figura 2.14 se presenta el diagrama esquemtico correspondiente al circuito

oscilador-modulador, en este grfico se representan cada uno de los elementos con sus
respectivos valores.
+Vcc
5V
L Salida al
Ccl Cc2 Amplificador
0.1 U
R1 > i n u
e Poten
300 1 11
" 1
| RL
Q1 <
2 " i
RE1 LCHRF C1
CB - z R2 > O.luH
47 0
.1uF
47nF 3301
II
II
Entrada
RE2 CE - C2 _L
300 10nF 10uF]~
Figura 2.14 Diagrama esquemtico final del modulador
106
Para proporcionar los datos requeridos para el diseo de la siguiente etapa (circuito
sumador y preamplificadores), es importante determinar que nivel de voltaje de entrada
soportara el circuito modulador, con el fin de conservar el ancho de banda, considerando
que ste valor permitido para modulacin en frecuencia corresponde a 150KHz.
Se procede a determinar el pico de voltaje que har posible que se conserve el ancho de
banda, por lo tanto se debe considerar la nueva capacitancia equivalente Ceq3 la misma que
ser calculada a la frecuencia de trabajo ms la desviacin de frecuencia 8= 75KHz; as
tenemos:
c i
eq * *
c =
(2 * TI * (100MH + 75KHz))2 * 0.07uH

C eq =36.1pF
Conociendo que la capacitancia equivalente (ver figura 2.12) de nuestro circuito viene
dada por:
( C V * C E )_ i
tenemos:
200pF
Donde C'v representa la capacitancia que presenta el diodo varactor a la nueva frecuencia
(fo+5=100.075MHz) y despejando este valor de la ecuacin anterior tenemos:
C' v =30.4pF
Valor con el cual, revisando el voltaje de polarizacin inversa en la curva caracterstica del
9Q
diodo tenemos:
29 Ver en el Anexo B
107
Diseo de la Consola Captulo Z
V
Y 4V
pTV
Con este valor podemos ya determinar el voltaje pico mximo de entrada al circuito
modulador:
p p Ec 2.35
Vinpnix=2.2V
2.4 DISEO DEL MEZCLADOR
Es la etapa conformada principalmente por un circuito amplificador sumador, as; para el

diseo se considerar el diagrama de bloques presentado en la figura 2.15.
V=2.2V
CIRCUITO
AMPLIFICADOR
DE POTENCIA RL= SOohmtos
Po= 13mW
Rin=275,96 ohmios
Cn=8pF
Figura 2.15 Diagrama de bloques base para el diseo del circuito mezclador
El circuito sumador que se implementar, se encuentra formado en esencia por un

amplificador inversor, en cuyo diseo se utilizarn circuitos integrados de bajo ruido.
2.4.1 DISEO PARA UN AMPLIFICADOR INVERSOR
La figura 2.16, representa el diagrama esquemtico de un circuito amplificador inversor:
108
Figura 2.16 Amplificador inversor
As, para el circuito de la figura 2.15, se cumple:

Ec 2.36
Rp=Rt//Rf Ec 2.37
donde:
Rl = resistencia de entrada.
" Rf= resistencia de realimentacin.
Rp= resistencia para corregir o equilibrar las corrientes de entrada (offset).
Una consideracin importante para el diseo con amplificadores operacionales es el de

cumplir con lo siguiente:
Para el diseo del circuito mezclador, consideraremos el nivel de voltaje requerido por el
modulador, es decir que el voltaje de salida de esta etapa ser de 2.2V y, asumiendo una
ganancia de A=2 tenemos:
* v 0 =2.2V
A =2
Para determinar el voltaje de voltaje de entrada total al circuito sumador

consideraremos la siguiente expresin:
109
De donde, el voltaje de entrada ser:
vnT=-2.2V/2
Vin-rM.1V
Para el diseo del sumador, consideraremos que todos los preamplifcadores

proporcionarn los mismos niveles de voltaje a la entrada, as, al tener siete entradas de
audio., tenemos que el voltaje de entrada total ser:
In3+ Vin4+ Vin5+
y considerando que:
Vn2~ Vin3~ Vin4- V\$- V;n6 Vn?
tenemos:
" 7*V
nl
por lo tanto el voltaje requerido de-cada preamplificador ser de 0.15V.
Figura 2.17 Orcuito amplificador inversor sumador
As, tenemos que el voltaje de salida para el circuito de la figura 2.17 viene dador por la
siguiente expresin:
110
Diserto de la Consola Captulo 2
Ec 2.39
considerando que R = Rl = R2 = R3=R4=R5~R6=R7 en la ecuacin anterior tenemos:
2.2V = -- * (0.15 + 0.15 + 0.15 + 0.15 + 0.15 + 0.15 + 0.15)V

R V ;
De donde, el signo negativo significa que nuestra seal de salida presenta un defasaje de
180 con respecto a la seal de entrada:
Rf =
por lo tanto:
R f = 56KO
R = 27Kn
y en consecuencia:
Rp=R,//Rf
R p =27Kf//56KD
Rp=18.21Kn
R p = 22KO
Figura 2.18 Diagrama esquemtico final del circuito mezclador
111
Diseo ce la Consola Captulo 2
2.5 DISEO DE LOS PREAMPLIFICADORES
Para el desarrollo de sta etapa se considerar el diagrama de bloques que se muestra a

continuacin (ver figura 2.19):
CIRCUITOS
PREAMPLIFICADORES
RL= SOohm
Po-13mW
VC/U=0.1mV
Figura 2.19 Diagrama de bloque base para el diseo del los preamplificadores
El diseo de esta etapa se lo realizar bajo la ayuda de amplificadores con operacionaless

como lo realizado para el circuito sumador; es la etapa de acondicionamiento de las seales
de audio, la misma que se encarga de suministrar las seales adecuadas al circuito sumador
para luego dirigirse al modulador; debido a que las seales de entrada provienen de
diferentes equipos, es necesario realizar el diseo para cada una de ellas.
Para el diseo de los preamplificadores cumpliremos con las condiciones planteadas por
las siguientes ecuaciones:
Rp=R,//Rf
R f >50Kn
112
Todos los circuitos que forman parte de esta etapa poseen configuraciones similares a la
presentada en la figura 2.20 en base a la cual se presentar el desarrollo del diseo de los
preamplifcadores.
Figura 2.20 Amplificador inversor
Considerando, que para todos los preamplificadores el elemento de carga (RL) ser un
potencimetro de 50KQ (ver figura 2.17), estandarizado con este valor por la utilizacin de
stos en el mercado en los mezcladores comerciales.
2.5.1 PREAMPLIFICADORES PARA LOS MICRFONOS
Para el diseo de esta etapa, se considera que cada circuito preamplifcador deber
proporcionar una seal mxima de salida de 150mV, debido a que el mezclador requiere de
2.2V de seal de entrada y se posee siete entradas de audio. Para la realizacin de esta
parte del diseo se debe considerar que en el mercado se pueden adquirir dos tipos de
micrfonos30 los cuales se describen en la tabla 2.9
Para el diseo se ha considerado que los niveles de salida de los micrfonos son de
aproximadamente 0.5 mV; para lo cual cada uno de los circuitos de amplificacin tendr
una ganancia de 300.
30FREIR , Cristbal - GUACHAMN, Daniel Diseo y Construccin de un ecualrzador mezclador de funcionamiento manual
y mediante un computador, Quto-2001, pg.42
113
Impedancia Voltaje de Salida

Tipo de Micrfono
(0) (mV)
Baja impedancia 600 0.5
Alta impedancia 10 K 2.5
Tabla 2.9 Caractersticas tpicas de impedancia y voltaje para micrfonos
Para el diseo de estos preamplifcadores hay que considerar que tenemos como datos de
entrada los siguientes valores:
* Vin=0.5mV
A =300
RL = 50KQ
Al tener como entradas cuatro micrfonos, se considerar que estos poseern similares
caractersticas por lo que el diseo se lo realizar para uno de ellos, por lo tanto los
restantes sern iguales.
Cumpliendo con el siguiente criterio:

Rf>50KQ
asumimos un valor para Rf:

Rf=
Por lo tanto a partir de la siguiente expresin:
determinamos el valor de
Rf
300 =
Rl
R f =300R 1
RI = 10KO
114
Determinados los valores de Rf y RI podemos calcular el valor que tomar la resistencia

RP:
Rp
T?
IX i //// T?
IX t-
2.5.2 PREAMPLIFICADORES LINE (TAPE Y CD PLAYER)
Las seales de obtenidas de una tape y cd player tienen como niveles de voltaje de salida
aproximadamente 150 mV;,por lo que en estos preamplifcadores no ser necesario una
ganancia elevada; es decir la ganancia correspondiente para estos circuitos ser de 1.
Como datos de entrada tenemos que:
A =1
RL = 50KQ

R f >50KQ
asumimos un valor para Rf:
determinamos el valor de
= 56KQ
115
Determinados los valores de Rf y Rl podemos calcular el valor que tomar la resistencia

Rp:
RP = R 1 / / R f
R p =56Kn//56KQ
R p = 28KO
entonces: R P =27KQ
2.5.3 PREAMPLIFICADORPHONO (TOCADISCOS)
La seal de salida que se obtiene de un tocadiscos se ha determinado que es de

aproximadamente 3 mV por lo que el amplificador tendr una ganancia de 50.
Como datos de entrada tenemos que:
A =50
RL - 50KQ
R f >50KQ
asumirnos un valor para Rf
Rf=500KQ
A _ Rf
R1
determinamos el valor de Rj:
R f =50R 1
116
Determinados los valores de Rf y Rl podemos calcular el valor que tomar la resistencia

RP:
R P R j // R f
R p =500KO//10KQ
Elemento Valor y Unidades Elemento Valor y Unidades
Ri 56KQ Rj6 3MH

R2 27KQ RI? lOKn
R3 21KD. RIS lOKa
R4 27KH Rl9 3MQ
R5 27KQ RIO loicn
Re 27KQ Rll ioKn
Ry 27KO R22 56KQ
Rs 27KH R23 56K^
R9 22KH R24 27KO
RIO 3MO R25 56KQ
Ru 10KH Rae 56KO
Rl2 lOKn Rl7 27KO
R]3 3MQ R28 500Kf
RH 10KH R29 lOKn
Rl5 lOKn RSO lOKO
Tabla 2.10 Lista de elementos para los preamplifcadores y el mezclador
117
SALIDA
AL
CIRCUITO
MEZCLADOR
Figura 2.21 Diagrama esquemtico final de los preamplifcadores
118
2.6 DISEO DEL CIRCUITO ACONDICIONADOR DE LAS

ENTRADAS
CIRCUITOS CIRCUITOS
ACONDICIONADORES PREAMPUFICADORES
SfiAL
DESAUD
VC/U=0.15mV
Figura 2.22 Diagrama de bloques previo a la preamplificacin
Para el diseo de esta etapa se considerar el diagrama de bloques que se presenta en la

figura 2.22. Como se puede observar, los equipos que nos proporcionan las seales de
entrada presentan dos salidas (salida estereofnica de dos canales), por lo cual es necesario
implementar un circuito que permita obtener una seal unificada y equivalente a una sola,
por esta razn se ha considerado la realizacin de un circuito sumador y atenuador a la vez.
As, considerando que el objetivo de esta etapa es unificar las seales estereofnicas, el
diseo se lo efectuar de manera similar para todos los circuitos acondicionadores, por lo
tanto el voltaje de salida ser:
_ Rf
y analizando que el nivel de voltaje de la seal estereofnica es la misma para los dos
canales y que la seal de salida es equivalente a una sola de ellas, tenemos:
= vn
119
. / \. 4- V- 1
V
v
= ~ V v n,l ^ v m2J
2 R
Entonces, considerando los valores que se han podido conseguir en el mercado tenemos
que las resistencias que utilizaremos son:
Rf =
R, =
y en consecuencia:
RP=R1//R
R p =120Kn//56Kn
R p =38.18KO
y estandarizando el valor de Rp tenemos:

R p = 47KO
La alimentacin requerida para este integrado corresponde a dos fuentes, una positiva y
otra negativa cuyos valores son de +12 y -12 VDC-
120
Vin 1
MIC 1
VIn 2
VIn 1
MIC 2
Vn 2
VIn 1
MC 3
Vn 2
R44 R43
Vin 1
MIC 4 120K 56K
R45
Vin 2 \^^
"~\
120K
1
R46
47K
R47
Vn 1 A/W-
TAPE
9
R50
[ 1
47K
I1
CD Vin 2
Vin 1
PHONO
Vin 2
Figura 2.23 Diagrama esquemtico final del bloque acondicionador
121
iccuuicjuu.uoiu.act; uci laoncanie ae ios circuitos iniegraaos reguladores, se na coiocaao un

capacitor 1 u.F en paralelo a la salida para eliminar ruido.
Para la construccin de las fuentes se ha requerido de un transformador que cumpla con:

tener toma central de 12-0-12 VAC y de 3 amperios; as tambin se utilizan reguladores de
voltaje son de 5 y 12 VDC teds con 1a finalidad de indicar si las fuentes se encuentran
funcionando o no para de manera visual determinar si cada uno de los circuitos se
encuentra polarizado, y como se detalla en la figura 2.24 cada color representa un valor
distinto as:
amarillo las fuentes de 12Voc.

verde la fuente de 5Voc.
rojo la fuente de 12 VDC.
78L12
+12 V ,
TI
2tolCT 470 uF
Fuentes
- GND para el
mezclador
470 uF :IUF
1Ko
-12 V
I
+5V
470 uF
1UF
Fuentes
- GND
modulador y
78L12
amplificador da
* +12 V potencia
GND
Figura 2.24 Fuentes para polarizar los circuitos de la consola
123
Pruebas y Resultados
CAPITULO 3
En este captulo se considerarn los criterios empleados para la calibracin de cada una de
las placas que conforman la consola, as como tambin la elaboracin del mdulo.
3.1 CALIBRACIN
3.1.1 CIRCUITO PREAMPLIFICADORDE POTENCIA
Para el diseo del amplificador se ha considerado la utilizacin de una red acopladura tipo
T ya que sta presenta una buena respuesta de frecuencia.
La implementacin de este circuito se lo ha hecho bajo el criterio de no tener en su
mayora elementos de carcter inductivo, ya que con ellos se presenta mayor dificultad en
el momento de la calibracin. Por esto en el segundo captulo los elementos que se
presentan como componentes del circuito son en su mayora capacitores.
En la red acopladura que conforma el circuito amplificador de potencia se tiene la

presencia de un capacitor variable en Xs, con el cual se permite la calibracin del circuito.
En base a la manipulacin de los elementos descritos para la calibracin de esta etapa del
diseo, se ha logrado obtener los resultados esperados de acuerdo a los requerimientos
planteados en la elaboracin del diseo.
3.1.2 CIRCUITO MODULADOR FM
El analizador de espectros es el equipo utilizado para efectuar las pruebas (figura 3.1), por
lo tanto la calibracin de este circuito se realiza con la ayuda de ste, donde se puede
visualizar la frecuencia generada por el oscilador-modulador. As, tambin se identifican
los armnicos generados, debido a que nuestra onda osciladora no es una seal sinusoidal
pura.
126
Pruebas y Resultados Captulo 3
Figura 3.1 Equipo para la calibracin (analizador de espectros) y consola
Al circuito lo podemos calibrar con mayor facilidad variando la capacitancia del diodo
varactor, para lo cual se aplica un voltaje variable entre O y +12V al ctodo del diodo.
+Vcc
Punte) para aplicare!
] voltaje de polarizacin
pa ra el varacor
L Cc2 Salida
P Cc1
Rl > /
.> II
II
RE1
Q1
[ H
~ C Cv 4=-
CL
CB =- R2
i
LCHRF C1
L i "i Entrada
r C2T i
RE2 > CE -
TC
Figura 3.2 Qrcuito modulador
3.1.2.1 Cambios realizados
En los circuitos amplificadores para obtener una variacin en la ganancia es importante

analizar los elementos que influyen en la determinacin de este parmetro por lo que se ha
variado el valor de la resistencia RE-
127
Pruebas y Resultados Captulo 3
" Otro cambio que se ha realizado mediante pruebas, es el del capacitor CB colocado
entre la base del transistor y tierra a su posicin entre base y polarizacin (Vcc)3 para
mantener una mejor estabilidad en la generacin de la frecuencia portadora figura 3.3
+Vcc
Salda
CB -b
CB
Entrada
Figura 33 Cambios realizados en el circuito modulador
Los cambios efectuados ayudaron a mejorar el comportamiento de esta etapa del diseo, en
especial se observ un mejor corrimiento y estabilidad en la generacin de la frecuencia
deseada dentro del rango de los 88MHz a los IQSMHz.
3.1.3 CIRCUITO PREAMPLmCADOR Y MEZCLADOR
Para la implementacin de esta etapa, se realizaron pruebas con la finalidad de nivelar el

offset que se tiene a la salida del amplificador, afectando a la seal que se proporciona al
circuito oscilador-modulador. Para esto se ha visto necesario mantener una buena
calibracin con los circuitos integrados utilizados (TL081), ya que se presentan problemas
como, saturacin en ausencia de una seal de entrada, lo mismo que se ha superado
cumpliendo con las recomendaciones planteadas por el fabricante, as, se utiliza un
capacitor C2 para mantener equilibrado el circuito ante la presencia de ruido de alta
frecuencia (ver la figura 3.4), esto se debe a que el circuito integrado presenta una
128
Captulo 3
capacitancia de entrada Cl cuyo valor rodea los 2pF. As basndose en las pruebas y
resultados obtenidos se utiliza un capacitor C2 de 15pF.
Tambin, para mantener un nivel de offset cero es necesario la colocacin de un

potencimetro (P) de precisin de 2KO entre los pines 1 y 5 del circuito integrado, adems
en paralelo a ste un capacitor (C3) de 5.1pF. Adicionalmente el pin 7 puede ser o no
conectado a nivel de +Vcc.
Rf
C2
+Vcc
-Vcc
7
R1 2 4
oWV
i TL081 \T 6
i 3
4- .X"
:::;:::C1
i
i 1
i
i -Vv-
p

Hh C3
Figura 3.4 Conexiones sugeridas por el fabricante
Se han utilizado los amplificadores operacionales TL081 para brindar facilidad de cambio
y optimizacin en el caso de presentarse averas.
3.2 ELABORACIN DEL MDULO
En lo referente a la elaboracin de la caja, sta se la ha hecho en base a modelos tomados

de consolas mezcladoras y para la distribucin de las placas en ella se ha considerado el
criterios de mantener una buena ventilacin y distribucin, con el espaciamiento necesario
para evitar la construccin de un mdulo de tamao excesivo., as tenemos un breve
esquema de la distribucin de las placas en la caja (figura 3.5).
129
Captulo 3
jnrrr
v
4
{Parte Superior) v
c
- ;
r
c
c
3
^Xj FUENTES (Parte Inferior)
__T^
CIRCUTO MODULADOR Y AMPLIFICADOR DE

POTENCIA
Lneas de ~ Seales de entrada " Seal de

alimentacin a los circuitos salida
Figura 3.S Diagrama de la distribucin interna de las placas
Figura 3.6 Distribucin interna de las placas
En la parte frontal de la consola se ubican las entradas para los micrfonos as como el
tablero de los potencimetros y el conector para la salida de la consola:
Figura 3.7 Vista frontal de la consola
130
Captulo 3
En la zona posterior se ubican las restantes entradas (Cd; Tape y Phono)., as como tambin
se ubica el acceso para el cambio de fusibles:
Figura 3.8 Vista posterior de la consola
Como se puede observar en la figura 3.9, el cableado lo ha realizado de tal manera que se
pueda evitar interferencias, es decir se ha procedido a trenzar cada una de las conexiones
entre las placas, considerndose tambin la posible utilizacin de cable coaxial para las
conexiones con la etapa de alta frecuencia, y para facilitar el mantenimiento de la consola
se ha procedido ha etiquetar el cableado, indicando los nombres de las principales vas de
las seales de entrada a cada uno de los circuitos.
Figura 3.9 Cableado interno
131
Captulo 3
Para presentar una mejor distribucin y manejo en las placas de los circuitos, stas se han
elaborado de manera individual para cada una de las etapas de la consola; aislando as, las
etapas de alta frecuencia con las de audio. Esto tiene como finalidad evitar posibles
realimentaciones e interferencias, como se presentaron en la etapa de prueba por la que
pasaron cada uno de los circuitos. As tambin, en cada una de las placas se colocaron
puntos de pruebas con el fin de brindar facilidad para el mantenimiento y seguimiento de
averas. As tenemos:
Placa para las fuentes de polarizacin de los circuitos (+5V, +12V, -12 V)
Se ha considerado la elaboracin independiente de esta placa para mantener la polarizacin

de los circuitos de manera centralizada en caso de suceder alguna avera con las fuentes y
no subutilizar los circuitos integrados reguladores de voltaje.
Placa para los preamplificadores y mezclador
Se han unificado los circuitos preamplifcadores y mezclador para mantener aislada la

parte de baja frecuencia con la de alta frecuencia.
Figura 3.10 Placa para los circuitos preamplficadores y mezclador
132
Captulo 3
Placa para el circuito acondicionador de las seales de entrada
Figura 3.11 Placa para el circuito acondicionador
Placa para los circuitos de alta frecuencia (modulador y amplificador de potencia)
Esta placa es diferente en su construccin a las dems, debido a que presenta una malla de
tierra, con la finalidad de evitar posibles realimentaciones entre los elementos que la
conforman.
Figura 3.12 Placa para el circuito modulador y amplificador de potencia
* Placa para los potencimetros
Esta placa ha sido implementada con el fin de permitir la seleccin de las seales que se
desean mezclar, la cual por medio de cables se conecta con la placa de los circuitos
preamplificadores y mezclador.
133
Captulo 3
Figura 3.13 Placa para (os potencimetros
En este captulo se proporcionarn los diagramas esquemticos de las placas que

conforman la consola, as tenemos a continuacin:
134
+Vcc1
+Vcc2
GND
+Vcc2
+Vcc1 +Vcc2
Cc1 Cc2 X1
Rl R1
CB
Q1 Q1
Cv
RE1 RE1
=F CB R2 LCHRF C1 R2
RE2 i ENTRADA RE2

CE r., CE
GND
C2 i
Figura 3.14 Diagrama esquemtico de los circuitos amplificador de potencia y osdlador-modula
GND
-Vcc
MC1
MIC2
MIC3
MIC4
CO
TAPE
FHOND
Figura 3.15 Diagrama esquemtico de los circuitos mezclador y preamplificador
LO
CA
+Vcc
GND
-Vcc
In Mc1 In Mc3 In Me 4 In CD In TAPE In PHONO

+V
G
-V
M
M
M
M
C
TA
PH
G
OutMc4 OutCD
Figura 3.16 Diagrama esquemtico del circuito acondicionador
78L12
- +12 V,
1K
TI
2tolCT 470 uF
Fuentes
GND para el
mezclador
470 uF :IUF
1K
- -12 V
- +5V
470 UF
:iuF
Fuentes
- GND
para el
78L12 modulador y
amplificador
+12 V de potencia
GND
Figura 3.17 Diagrama esquemtico de las fuentes utilizadas para polarizar los circuitos
137
Concl^lsônes y Recomendaciones
CAPITULO 4
Es importante considerar que para las aplicaciones que nos brinda la consola ha sido
necesario determinar el tipo de modulacin y la frecuencia utilizada para la radiodifusin,
es por esto que se ha establecido la utilizacin de aquella que se site dentro del rango de
los 88 a 108 MHz? puesto que para esta forma de modulacin, se presenta una gran ventaja
al generarse seales relativamente limpias de ruidos e interferencias como las tormentas,
etc; lo que afecta en gran medida a las seales AM.
" Por motivos de calibracin y recepcin de la seal (modulada) generada por la consola,
se ha situado en los 87 MHz, con la facilidad de corrimiento dentro de los 88 MHz, esto se
ha realizado considerando que debido a las varias frecuencias portadoras que se sitan
dentro del rango FM es ms factible de esta manera la recepcin y visualizacin de la seal
en una radio convencional as como en el analizador de espectros respectivamente.
" Es importante considerar las ventajas que nos brinda la modulacin como son: facilitar
la radiacin de las seales, asignacin de canales y reduccin de ruido e interferencias.
Es significativo considerar que los elementos como las inductancias y capacitores a altas
frecuencias cumplen un papel importante dentro de estos rangos, as al ser nuestra
frecuencia de trabajo los lOOMHz estos elementos cumplen una funcin importante en el
momento de la calibracin y, por esta razn los datos calculados de manera terica son en
algunos valores diferentes a los verificados en la prctica. Se debe considerar tambin que
el diseo se lo ha realizado de manera tal, que el circuito no dependa de parmetros como
la fabricacin de la bobina, as como tambin de los transistores, etc.
139
Conclusiones y Recomendaciones Captulo 4
El corrimiento de frecuencia que se observa, nos ha permitido situar nuestra frecuencia

portadora dentro del rango de FM facilitndonos la realizacin de la transmisin ya que el
espectro de frecuencias para este rango se encuentra muy limitado.
" Con la ayuda del analizador de espectros se puede observar el aparecimiento de los
armnicos (nuevas frecuencias) debido principalmente comportamiento no lineal de los
dispositivos utilizados.
Una de las principales aplicaciones de los diodos varactores es la sintonizacin de

circuitos. Cuando se utiliza en un circuito resonante, el varactor acta como una
capacitancia variable permitiendo ajustar la frecuencia de resonancia mediante un nivel de
voltaje variable aplicado a su ctodo.
La ventaja de utilizar un amplificador de potencia clase A es que su comportamiento es

casi lineal, y en consecuencia la distorsin que se presenta es menor, mientras que su
desventaja es que presenta una baja eficiencia.
Hay que tomar en cuenta las diferencias que se presentan entre los amplificadores de
audiofrecuencia y radiofrecuencia, as la caracterstica distintiva entre estos es que para los
amplificadores de audio no se requieren de circuitos sintonizables, razn por la cual los
circuitos de radiofrecuencia presentan mejor selectividad y adaptacin de impedancias para
una buena transferencia de potencia entre las etapas que lo conforman.
La resonancia es la base de la selectividad que presentan los circuitos en los sistemas de

comunicacin, como por ejemplo en los filtros, amplificadores de radiofrecuencias,
determinacin del ancho de banda.
Se recomienda la utilizacin de micrfonos de mano del tipo dinmico de bobina mvil,

electret ya que estos no necesitan polarizacin externa como los de capacidad variable los
cuales requieren de una fuente de alimentacin denominada fantasma o "phantoni".
Se ha considerado la elaboracin de fuentes independientes para aislar las seales de

audio con las de alta frecuencia con el fin de evitar posibles interferencias.
140
Conclusiones y Recomendaciones Captulo 4
Al manejarse en la consola un solo canal ha sido necesario sumar las seales de los
canales que nos proporcionan los diferentes equipos (tocadisco, casetera, cd player,
micrfonos) ya que estos poseen salidas estereofnicas.
Hay que tener cuidado y no confundir "circuito oscilante" con "oscilador". El circuito
oscilante es el encargado de producir las oscilaciones deseadas; sin embargo, no es capaz
de mantenerlas por s solo.
Considerando que un oscilador no es ms que un generador electrnico, hay que tomar

en cuenta los requisitos principales para mantener una oscilacin como lo es tener una
etapa de amplificacin., una red que determine la frecuencia, realimentacin positiva y
capacidad de arranque automtico.
En un circuito oscilador en configuracin Hartley, el inconveniente que se presenta es

que las bobinas suelen estar mutuamente acopladas, lo que hace que la frecuencia de
oscilacin difiera ligeramente de la frecuencia calculada, y la frecuencia de oscilacin no
puede variarse fcilmente en una gama amplia por la variacin que podra darse con el
inductor.
Es importante considerar que para realizar mediciones de ancho de banda de una seal,
sta se la deber tomar al observarse en la pantalla del analizador con mxima resolucin,
para de esta manera visualizar con mejor exactitud la seal generada.
141
BIBLIOGRAFA
Internet:
www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/tdiodos/
http://ieee.udistrital.edu.co/concurso/electronica2/rnultietapa.htm
www.metka.net/fotos775/audiosonido/
http://www.metka.net/fotos775/audiosonido/audiosomdo.htrnl
http://www.comunicacio.net/digigrup/radio/quees.htm#radiodifusion
Libros :
MALVINO Principios de Electrnica Quinta Edicin Editorial Me Graw Hu

Mxico
SAVANT RODEN CARPENTER Diseo Electrnico Circuitos y Sistemas

Segunda Edicin Adisoon Wewsley Iberoamrica
WAYNE TOMASI Sistemas de Comunicaciones Electrnicas Segunda Edicin

Prentice Hall Hispanoamericana Mxico 1996
BOYLESTAD Robert, NASHELSKY Louis Electrnica: Teora de Circuitos Sexta

Edicin Prentice Hall Hispanoamericana Mxico 1996
ESCUDERO Francisco J. Electroacstica Aplicada Editorial Dossat, S.A. Madrid

1954.
CUTLER Philip Anlisis de Circuitos con Semiconductores Editorial McGraw-Hill

Mxico 1978.
142
Tesis :
CALDERN, Antonio Micrfono inalmbrico con circuitos integrados Quito

1978.
COBO, Guillermo Estudio, planificacin y diseo de sonorizacin para locales

cerrados Quito - 1999.
ZAMBRANO, Jorge Programa computacional para el diseo de sonorizacin de

locales cerrados Quito - 2000.
FREIR, Cristbal GUACHAMN, Daniel Diseo y Construccin de un

ecualizador mezclador de funcionamiento manual y mediante un computador
Quito-2001.
143
NDICE ANEXOS
ANEXO A: DESARROLLOS MATEMTICOS
A.1 DESARROLLO MATEMTICO PARA LA DETERMINACIN DE LA

GANANCIA DE CORRIENTE PARA EL TRANSISTOR BIPOLAR A-2
A.2 DESARROLLO MATEMTICO DEL COMPORTAMIENTO DE LA
IMPEDANCIA EN FUNCIN DE LA FRECUENCIA PARA UN CIRCUITO
MULTIRESONANTE A-5
A.3 DESARROLLO MATEMTICO PARA REDES TRANSFORMADORAS
DE EMPEDANCIAS A-7
A.3.1 REDES TIPO "L" A-7
A.3.1.1 Red tipo L elevadora A-7
A3.1.2 Red tipo Lreductora A-9
A.3.2 REDES TIPO "T" , A-ll
A.3.3 REDES TIPO eV A-14
A.4 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR A-16
ANEXO B: CARACTERSTICAS TCNICAS
B.l DIODOS VARACTORES B-2

B.2 TRANSISTOR 2N918 B-8
B.3 CIRCUITO INTEGRADO TL081 B-ll
ANEXO C: NORMAS TCNICAS
C.l ESTACIONES DE RADIODIFUSIN EN FRECUENCIA MODULADA

(FM) DE BAJA POTENCIA C-2
C.2 ZONAS GEOGRFICAS PARA ESTACIONES RADIODIFUSIN DE
FRECUENCIA MODULADA (FM) C-2
C.3 REQUISITOS TCNICOS C-4
Desarrollos Matemticos
ANEXO A
DESARROLLOS MATEMTICOS
A.1 DESARROLLO MATEMTICO PARA LA DETERMINACIN

DE LA GANANCIA DE CORRIENTE PARA EL TRANSISTOR
BIPOLAR
Considerando el modelo hbrido TI para el transistor1, para altas frecuencias (figura A.l):
v; x e,. v ()
7C
ro
Figura A.l Modelo hbrido 7: del transistor para altas frecuencias
Donde:
rx : resistencia de base.
rn : resistencia de base-emisor.
" ru : resistencia de la juntura colector-base.
" gm*vn : representan los datos de la fuente controlada de comente.
Cu : capacitancia de colector-base.
Cn : capacitancia de base-emisor.
ro : resistencia de salida del transistor.
ie : comente de emisor.
ib : corriente de base.
" ic : corriente de colector.
1 EJ. ANGELO Jr. CIRCUITOS ELECTRNICOS (Tratamiento unficador de vlvulas de vaco y transistores) Segunda
Edicin, Me Graw-HilI, 1964 Captulo 8 pg. 223
A-2
Desarrollos Matemticos Anexo A
Para establecer la ganancia de comente, se procede a considerar la corriente de salida en

cortocircuito que circula cuando se aplica una corriente sinusoidal de entrada entre los
terminales de la base y del emisor, as con la salida en cortocircuito el voltaje de base -
emisor (vn) en funcin de los parmetros del transistor, es:
v7T = i b* f\7tr "//X7t IIXU "//O

T xV UJ Eca - 1
Al representarse la juntura colector-base como un diodo inversamente polarizado, la

resistencia colector- base tiende a se mayor que la impedancia Xu3 a partir de lo cual se
considera que:
u u
A partir de lo cual consideramos que:

X T =X J [ //X U Eca.3
Remplazando este equivalente (XT) la ecuacin a.l nos queda:

r *T Eca.4
Representando la impedancia XT en funcin de la frecuencia, tenemos:
v =
'TI - ^ b * -i
J W \-"Y
donde:
r =r 4-r Eca.6
A-3
por lo tanto reemplazando la ecuacin a.6 en la ecuacin a.5, se tiene:
V =i * 7^ r Eca,7
Prcticamente la capacitancia Cn es 100 veces mayor que Cu, a partir de lo cual se

considera que:
C't C,,
U
Eca - 8
Por lo tanto la ecuacin a.7 queda representada como:

r Eca.9
v =
* w *C *
Si, se representa la comente de colector en funcin de los parmetros EL tenemos la

expresin que se presenta en la figura a.lcomo:
= or *y Eca.10
Y reemplazando la expresin que se obtuvo para representar el voltaje vn (ecuacin a.9)

en la ecuacin determinada para la comente de colector, se tiene:
cr *r
" :k O ni TT
lc=h :.^ " + Ec a.11
l +j*w*CB*^
En la expresin anterior se tiene que (3 = gm * rn , por lo que la ganancia de corriente viene

dada por:
i R Eca.12
La expresin presenta magnitudes de frecuencia, a partir de lo cual decimos que:

C *r.
Eca.13
wp=-
A-4
Por lo tanto la ganancia de corriente viene expresada por:

Eca.14
P
G,=-
W
1 + j*
o tambin:
Eca.15
Gf = P
j*
fr
A.2 DESARROLLO MATEMTICO DEL COMPORTAMIENTO DE

LA IMPEDANCIA EN FUNCIN DE LA FRECUENCIA PARA
UN CIRCUITO MULTIRESONANTE
El circuito de la figura constituye el bloque de realirnentacin para un oscilador tipo

Hartley, que es en particular un circuito multiresonante, a partir de lo cual se analizar el
comportamiento de su impedancia equivalente (Z) en funcin de la frecuencia:
Figura A.2 Circuito para el bloque de realimentacin de un oscilador Hartley
Considerando el circuito de la figura A.2, tenemos que la impedancia equivalente (Z) del
circuito, se representa como:
Z = jwLi// jwL 2 1 ^
JwC, Ec 3.16
por lo tanto, resolviendo la ecuacin a.!63 tenemos:
A-5
W"
L,L 2 *
Zjw
(L,+L 2 ) f i Ec a.17
C,*(Ll+L2)
de donde, para presentar de manera resumida la expresin anterior (ecuacin a. 17),

consideraremos que:
T = ^_~I~2_
(L 1 + L 2 ) Eca.18
Ec a.19
Ec a.20
a partir de lo cual tenemos que la impedancia Z se resume a:
'. = jwL : Eca.21
Por lo tanto realizando la grfica correspondiente a la curva caracterstica de la impedancia

(Z) del circuito, tenemos:
Figura A.3 Curva caracterstica del comportamiento de la impedancia en funcin

de ia frecuencia
A-6
De la grfica (figura A.3), podemos decir, que a la frecuencia w0i el circuito presenta una
alta impedancia es decir su comportamiento es el de un circuito abierto y a la frecuencia
W02 acta como un cortocircuito (impedancia cero), en base a estas consideraciones, y
haciendo una analoga con los circuitos multiresonantes, se resume a decir que a la
frecuencia w0i se comporta como un circuito resonante paralelo con lo cual tenemos que
W0i " wop (donde wop se define como la frecuencia de resonancia paralelo) y a la frecuencia
Wo2 su comportamiento es el de un circuito resonante serie, con lo cual tenemos, la
frecuencia de resonancia serie como wos, siendo w02= wos, as, se presenta la impedancia:
A.3 DESARROLLO MATEMTICO PARA REDES

TRANSFORMADORAS DE IMPEDANCIAS
Para iniciar el desarrollo matemtico de las diferentes clases de redes acopladuras de

impedancias, es importante determinar que existen varios mtodos para acoplar
impedancias en base a la utilizacin de:
Redes tipo "L"
" Redes tipo "T"
Redes tipo "71"
A.3.1 REDES TIPO "L"
Bajo la utilizacin de una red L surgen dos posibles configuraciones, las cuales se pueden
aplicar en funcin de los resultados que se desean obtener, as tenemos:
A.3.1.1 Red tipo L elevadora
La configuracin utilizada cuando la impedancia reflejada o requerida es mayor que el

valor de resistencia que tenemos en la carga (Ref >RL) se la observa a continuacin:
A-7
Zin = Rref
Figura A.4 Red acopladura tipo L para Ref > RL
De la grfica tenemos que:
: representa la impedancia que se desea obtener vista desde el generador a

la carga.
RL : representa la impedancia que se tiene como carga.
Para determinar el valor de Rref; se analizar el circuito de la figura A.4 de donde

obtenemos:
Z-
-în
=R ,
-^ref
Eca.23
Zin=j*X1//(jX2 Ec a.24
z _ * * * Ec a.25
j*(X,+X
racionalizando la ecuacin anterior:
z _j*X,*(j*X2+RJJ*(X1+X2)-RL Ec 3.26
ra j*(X 1 + X 2 ) + R L j*(X 1 + X 2 )-R L
Separando de la ecuacin a.26, la parte real e imaginaria de la impedancia de entrada (Zn)

tenemos:
Rr *V2
-î
V
jk-'M
p2 Eca.27
/^ = ~ ] 2+J
Y a partir de lo planteado en la ecuacin a.23 tenemos lo siguiente:

-o *-v-2 Eca.28
Eca.29
R 2 -KX I + X 2 ) 2
de la ecuacin a.29 despejamos la variable Xi en funcin de Xa y RL con lo cual

obtenemos:
v R^+X 2 . Eca.30
y reemplazando la ecuacin a.30 en la ecuacin a.28 tenemos:
a.31
X2
a partir de lo cual determinamos X2i
Ec a.32
sustituyendo el valor de X2 (ecuacin a.32) en la ecuacin a.30
Eca.33
A.3.1.2 Red tipo L reductora
Al anlisis matemtico que se presenta para este tipo de red es similar al desarrollado para
la red tipo L elevadora, esta configuracin (figura A.5) se la utiliza para casos en los cuales
la impedancia reflejada es menor que la de carga (Ref < RL)
A-9
Rg X2
Zin = Rref
Figura A.5 Red acopladura tipo Lpara Ref < RL
De acuerdo con la grfica presentada para poder determinar la impedancia de entrada Z,

tenemos:
Ec a.35
Ji*X
-^-2 *R
-î
racionalizando la ecuacin anterior (a.35):
z ^ Ec a.36
j*X 2 +R L
separando la parte real e imaginaria de la ecuacin a.36 tenemos:
7 =
Eca.37
con lo cual determinamos que:

Eca.38
2
R
Ec a.39
"
y de la ecuacin a.38 despejamos
Y =+ ref L
Eca.40
A-10
Desarrollos Matemticos Anexo A.
y a partir de la ecuacin a.29 determinamos que la expresin para X]3 en funcin de X2 y
V
Y _ -
Eca.41
RL-!-X2
reemplazando la expresin que define X2 ( a.40) en la ecuacin anterior (a.41) obtenemos
x,=
1 R *R
^ref -^L
Ec a.42
A.3.2 REDES TIPO "T"
X2
Zin = Rref
Figura A.6 Red transformadora de impedancia tipo T
Para determinar el valor de Rref debemos analizar el circuito, as, resolvindolo tenemos:
Ec a.43
* Eca.44
racionalizando la ecuacin anterior (a.44) tenemos la siguiente ecuacin:
A-ll
J*R L *(X,+X 3 )-[X,*(X 2 +X 3 )+X 2 *X 3 LR L -j*(X 2 +X 3 ) Eca.45

h j*(X 2 +X 3 )+R L R L ~j*(X 2 +X 3 )
y por lo tanto separando la parte real e imaginaria de la ecuacin tenemos:
:a.46
"i~T>2 . rv , -v \2 J
Para cumplir con lo establecido en la ecuacin a.23 donde se presenta que Zn=Rref
igualamos la parte real de la ecuacin a.46 a Rref y la imaginaria a cero, de donde
obtenemos lo siguiente:
R =_ ^L Eca.47
ref
(X 2 +X 3 ) 2
de la ecuacin a.48 obtenernos la expresin para determinar RL :
2 _ (X2 + X 3 )*(X 1 *X 2 -!-X l *X 3 +X 2 *X 3 ) Eca.49

(X I+ X 3 )
o
y mediante arreglos matemticos determinamos Rref de las ecuaciones a.48 y a.49
Eca.50
Resolviendo el sistema de ecuaciones y tomando en cuenta las siguientes igualdades

creadas para facilitar el desarrollo matemtico tenemos:
" -% ~ PM + X 3 ) reactancia del primario. Ec a-51
* Xs = (X2 + X 3 ); reactancia del secundario. Ec a"52
A-12
X m = X3 ; reactancia comn. Ec a. 53
(X x +X 3 )(X 2 + X 3 ) = X 1 X 2 +X ] X 3 +X 2 X 3 HhX^. Eca.54
As; dividiendo la ecuacin a.50 para la a.49 tenemos:
^rrf = ^L Eca.55
RL Xs
y multiplicando las ecuaciones a.50 y a.49:
*T> _v _ x *X Eca.56
ref "^ L ^m ^p ^-s
despejando de las ecuaciones (a.55 y a.56) Xp y Xs tenemos:
Ec a.57
v ^
Xs=t M-i---^-^ Ec a.58
Y analizando la ecuacin a.58 con el objetivo de tener solamente races reales, tenemos:
Xm 2 >R ref *R L Eca - 59
Analizando las ecuaciones a.57 y a.58 concluimos que tanto Xp como Xs debern tener
signos iguales.
A-13
A.3.3 REDES TIPO "TI"
Rg
Zin = Rref Yin = Gref

a) b)
Figura A.7 a) Red acopladura tipo TC b) equivalente expresado en funcin de admitancias
El desarrollo matemtico de este tipo de redes, se lo efectuar en base a su equivalente

expresado en admitancias. As tenemos en el circuito de la figura A.7 (b) que:
Y^ =Cr
^ Eca.60
j*B 3 *(j*B 2 Eca.6l

l+ J*(B Z +B 3 ) + G1
racionalizando la ecuacin anterior:
+B,)+Ba*B3]<l GL-j*(B2+B3) Ec a.62

j*(B 2 +B 3 )+G L G L -j*(B a +B 3 )
separando la parte real e imaginaria de la ecuacin tenemos:
v= , .l
J Ec a.63
Para determinar lo mencionado en la ecuacin a.60 igualamos la parte real de le expresin

a.63 a Rref y la imaginaria a cero, de donde obtenemos lo siguiente:
Eca.64
Ec 3.65
0 =-
A-14
i
de la ecuacin a.65 obtenemos GL :
(B2+B3)*(B]*B2-!-B1:t:B3+B2*B3) Ec a.66
(B,+B3)
y mediante aixeglos matemticos determinamos Gref2 de las ecuaciones a.64 y a.66:
2 _(B, +B3)*(B, *B 2+ B,*B 3 +B 2 *B 3 ) Ec 3.67
Si, consideramos las siguientes igualdades planteadas para continuar con el desarrollo
tenemos:
B p =(B, +B 3 ) ; susceptancia del primario. Eca.68
Bs = (B2 + B 3 ); susceptancia del secundario. Ec a.69
Bm = B3 ; susceptancia comn. Eca.70
(B 1 +B 3 )CB 2 +B 3 )=B I B 2 +B I B 3 +B 2 B3+B 3 2 . Eca.71
As; dividiendo la ecuacin a.67 para la a.70 tenemos:
y multiplicando las ecuaciones a.67 y a.66
Grrf*GL=Bm~Bp*Bs Eca.73
Despejando de las ecuaciones a.72 y a.73 Bp y Bs:
A-15
Ec a.74
G ref *CBm 2 ~G ref *GJ
Gr
G L *(Bm 2 -G r e f *G L ) Eca.75
Considerando que se desean obtener solamente races reales de las expresiones a.74 y a.753
tenemos la siguiente desigualdad:
Bm 2 >G ref *G L
A.4 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRANSFORMADOR
Considerando el circuito equivalente del transformador, presentado en la figura A.83

tenemos que:
Figura A.8 Circuito equivalente dei transformador
De donde:
* n : resistencia del devanado del primario.
" r2 : resistencia del devanado del secundario.
Lpi : inductancia de prdidas del primario.
Lp2 : inductancia de prdidas del secundario.
LI : inductancia del devanado del primario.
La : inductancia del devanado del secundario.
A-16
" M : inductancia mutua.

" Ci : capacitancia parsita del devanado del primario.
Ca : capacitancia parsita del devanado del secundario.
CM : capacitancia parsita entre el devanado.
RN : prdidas del ncleo (por histresis y corrientes de fuga).
" nj : nmero de vueltas del devanado del primario.
" 112 : nmero devueltas del devanado del secundario.
Para tener el circuito equivalente del transformador visto desde el primario, es importante
analizar los siguientes circuitos que resumen el comportamiento de un transformador de
manera simple, para lo cual tenemos:
X1
Figura A.9 a) Circuito bsico equivalente del transformador;

b) Circuito equivalente bsico visto desde el primario
donde:
Zi : impedancia del primario.
" Z2 : impedancia del secundario.
ZL : impedancia de carga.
vi : voltaje de entrada en el primario.
ii : corriente que circula por el primario.
" 2 : comente que circula por el secundario,
Xi : reactancia vista desde el primario.
X2 : reactancia vista desde el secundario.
Xm : reactancia mutua.
A-17
* ia : comente que circula por el secundario visto desde el primario.

ZL : impedancia de carga vista desde el primario,
Realizando el anlisis de mallas para el circuito de la figura A.9 (a), tenemos que:
* Eca.76
(Z2+ZL)*i2
y de igual manera efectuando el anlisis para el circuito de la gura A.9 (b), se obtienen las
siguientes igualdades:
Eca.78
= X 3 % Ec a.79
y considerando que para un trasformador se cumple que:

i Ec a.80
Donde r\a la relacin del nmero de vueltas del devanado del primario y del
secundario; reemplazando el equivalente de la igualdad (a.80); en las ecuaciones a.78 y
a.79 y dividiendo a la vez la ecuacin a.79 para el factor r| tenemos:
v*
v1 = X, *i, +X 3 % ^-*i2 Eca - 81
.A, . , (X
_ L* 4- \ - i __ _
- :1 + 2 X2+^ X2 Eca.82
TI TI TI
Igualando los coeficientes de las comente ii e 2 entre las expresiones a.76 y a. 81 tenemos
que:
A-18
j = Xj + X3
Ec a.83
"V
"V
A
~ Ec a.84
y realizando el mismo procedimiento (igualando miembro a miembro los coeficientes)

para las ecuaciones a.77 y a. 82, adems considerando que la impedancia de carga vista
desde el primario viene dada por ZL' n2*ZL tenemos:
Ec a.85
a partir de los cual podemos decir que:
Eca.86
Ec a.87
Eca.
Interpretando grficamente los resultados que se presentan en las expresiones a.86; a.87 y
a.88 en la figura A.9 b), tenemos:
21 -nXm
Figura A.10 Circuito equivalente general del transformador visto desde el primario
Considerando del grfico A.8 que las impedancias 7L\ Za vienen dadas por:
A-19
Desarrollos Matemticos Anexo
Aplicando los resultados obtenidos en el anlisis matemtico, tenemos que la figura A.

vista desde el primario ser:
n Lpl L1 -nM -nXm n U n Lp2 n i2
n z ZL
nRN > J nXm
Figura A.ll Circuito equivalente del transformador visto desde el primario
Si se analiza el circuito de la figura A.l 1 para trabajar en altas frecuencias, baja potencia y
aplicando el principio del efecto Miller, tenemos:
-nXm rTL2
n 2 ZL
Cp2
Figura A.12 Circuito equivalente del transformador para alta frecuencia y baja potencia
Para obtener el circuito presentado en la figura A.12 se ha considerado que las prdidas
que se producen en los devanados y ncleo son despreciables, al igual que las inductancias
de prdidas.
Si consideramos que para un transformador se cumple que la inductancia mutua viene dada
por:
Eca.89
donde:
M: inductancia mutua.
k : constante de acoplamiento.
LI". inductancia del devanado del primario.
L2: inductancia del devanado del secundario.
A-20
As, considerando que Ll =r\ *L 2 ; y reemplazando esta igualdad en la expresin dada

para el acoplamiento mutuo, tenemos:
Eca.90
por lo tanto la figura A.12 se presenta as:
(1-kjLl
n 2 ZL
kL1 Cp2
Fgura A.13 Circuito equivalente del transformador para alta frecuencia
Y considerando que la constante de acoplamiento es cercana a uno tenemos que:
de donde:
KL1 n 2 ZL
Figura A.14 Circuito equivalente del transformador para alta frecuencia2
Donde:
* CPT: capacitancia de prdidas del transformador.
* n : relacin de vueltas entre los devanados del primario y secundario.
* ZL: impedancia de carga.
Lo que se resume a decir que; en el circuito de la figura A.15 a), se presenta un diagrama
esquemtico del transformador, y en los literales b) y c), el transformador visto desde el
primario y el secundario respectivamente.
1 Desarrollo proporcionado por el Ing. Antonio Caldern
A-21
a)
Rg
v1 kL2
b) c)
Figura A.15 a) Diagrama esquemtico del transformador b) visto desde el primario

c) visto desde el secundario
A-22
ANEXO B
DIODOS VARACTORES
Los diodos varactores, denominados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje

variable) son semiconductores dependientes del voltaje, semejndose al comportamiento
de capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la
unin P-N cuando el elemento est polarizado inversamente.
En la figura B.l se puede apreciar el smbolo que representa el diodo varactor:
Figura B.l a) Representacin grfica del diodo varactor, b) Estructura interna del diodo
En condiciones de polarizacin inversa, los agujeros en la regin P se atraen a la terminal

del nodo y los electrones en la regin N se atraen a la terminal del ctodo, creando una
regin de poca corriente. Esta es la regin de agotamiento, son esencialmente desprovistos
de portadores y se comportan como el dielctrico de un condensador.
La regin de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a l aumenta; y

puesto que la capacitancia vara inversamente con el espesor dielctrico, la capacitancia de
la juntura disminuir cuando el voltaje aplicado a la juntura PN aumenta.
REVERSE VOLTAGE
.0 -5.5 -5.0 -4.5 -4.0 -3.5 -3.0 -2J -2.0 -1.5 -1.0
i 220pF
200pF
/ 1BQpF
/ 1GQpF
140pF
f
j 120pF
/ 100pF
BOpF
---^ SOpF
r_*-- ^
*~* 40pF
=4>1 20pF
wTRACTOR VOLTAGE-CAPACITANCE CURVE

Figura B.2 Curva caracterstica de un diodo varactor
B-3
Caractersticas Tcnicas Anexo B
En la figura B.2 se puede observar el aumento no lineal en la capacitancia cuando se

disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el varactor sea utilizado
tambin como generador armnico.
Se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en
conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de
transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina mediante:
donde:
E : representa la permitividad de los materiales semiconductores
A : rea de la unin P-N
Wd : el ancho de la regin de agotamiento
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la

regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial
declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal de voltaje
inverso para diodos varicap se limita a aproximadamente 20V. En trminos de la
polarizacin inversa aplicada,, la capacitancia de transicin se determina en forma
aproximada mediante:
r, K Ec b.2
(VT+VR)*N
Donde:
K : constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de
construccin.
N :Yz para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin.
VR : magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado.
VT -' potencial en la curva segn la grfica B.2.
B-4
Caractersticas Tcnicas Anexo B
La mxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarizacin cero, cuando
la capa de agotamiento es ms delgada, en consecuencia, mientras ms alto es el voltaje
inverso aplicado, la capacitancia disminuye.
Las caractersticas importantes a considerar para un diodo varactor son:
" Valor de la capacitancia.

* Voltaje.
" Variacin en capacitancia con voltaje.
Voltaje de funcionamiento mximo.
Corriente de la salida.
B-5
NT
H>C I K O M C S . 4 Ni.
44 FAIHAND STREET
BLOOMFIELD, NJ 07003
(973) 748-5089
NTE610thru NTE614
Voltage Variable Capacitance Diode
{Tuning Diode)
Description:
These diodes are designed for high volume requirements of FM Radio and TV tuning and AFC, gener-
al frequency control and tuning appcations; providing solid-state reliabity in replacement of me-
chanical tuning methods.
Features:
High Q with Guaranteed Mnimum Vales
Controlled and Uniform Tuning Ratio
Standard Capacitance Tolerance - 10%
Absoluta Mximum Ratinas:

Reverse Voltage, VR 30V
Forward Current IF 200mA
Device Dissipation (TA = 25C), PD 280mW
Derate Above 25C 2.8mW/C
Note 1. The NTE611 & NTE612 are discontinued devices and no longer available.
Eectrcal Characterstcs: (T/^ = +25C unless otherwise specified)

Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
Reverse Breakdown Voltage V(BR)R l R =10joA 30 - - V
Reverse Voltatge Leakage Current IR VR = 25V, TA = +25C - - 0.1 uA
Series Inductance Ls f = 250MHz, Lead Length ~ 1/16" - 6 - nH
Case Capacitance CC f = IMHz, Lead Length ~ 1/16" - 0.18 - pF
Diode Capacitance Temperatura TCC VR = 4V,f=1MHz 280 400 ppm/DC
Coefficient
Diode Capacitance
NTE610 CT V R =4V,f=1MHz 6.1 6.8 7.5 pF
NTE611 9.0 10.0 11.0 pF
NTE612 10.8 12.0 13.2 pF
NTE613 19.8 22.0 24.2 PF
NTE614 29.7 33.0 36.3 PF
Electrcal Characteristics (Cont'd): (TX - +25C unless otherwise specified)
Para meter Symbol Test Conditons Min Typ Max Unit
Figure of Merit
NTE610 Q VR = 4V,f=50MHz 450
NTE611.NTE612 400 - -
NTE613 350 - -
NTE614 200 - _
Tuning Ratio
NTE610 TR C 2 /C 30) f=1MHz 2.5 2.7 3.2
NTE611,NTE612, NTE613 2.5 2.9 3.2
NTE614 2.5 3.0 3.2
.135(3.45) Min
.185
(4.7)
.500 .019 (0.50) Da Typ

(12.7)
Min
A K
.100 (2.54)
.165
(4.2)
Max
.200 (5.08) Dia

B.2 TRANSISTOR 2N918
i Smico
56MICONDUCTORS
Data Sheet No. 2N918
Type2N918 Generic Part Number:

Geometry 0013 2M918
Polarity NPN
REF: MIL-PRF-19500/301
Qual Level: JAN - JANTXV
Features: Request Quotaton
General-purpose low-power NPN

silicon transistor.
Housed in TO-72 case.
AIso availabie in chp form using
the 0013 chip geometry.
The Min and Max limits shown are
per MIL-PRF-19500/301 which
Semicoa meets in all cases.
TO-72
Mximum Ratings
Tc = 25C unless otherwse specfied
Rating Symbol Rating Unit

Collector-Emitter voltage VCEO 15 V
Collector-Base Voltage VCBO 30 V
Emitter-Base voltage VEBO 3.0 V
Collector Current, Gontinuous le 50 mA
Power Dissipation, TA = 25C 200 mW

PT
Derate above 25C 1.14 mW/C
Power Dissipation, TA = 25C 300 mW

PT
Derate above 25C 1.71 mW/C
Operating Junction Temperatura Tj -65 to +200 C
Storage Temperature TSTG -65 to +200 C

semicofi
cdL SeMICONDUCTORS
Data Sheet No. 2N918
Electrical Characteristics
Tc = 25C unless otherwse specrfied
POFF Characterisics Symbol Min Max Unit
Coilector-Base Breakdown Vottage
30 V
ic = i.ouA V(BR)C8O
Collector-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO 15 V
Ic = 3.0 mA
Emitter-Base Breakdown Vottage
V(BR)CEO 3.0 V
lc = 1QuA
Collector-Base Cutoff Current
'CBO1 3.0 10 nA
VCB = 25V
Collector-Base Cutoff Current
'cBO2 1 uA
VCB = 25V,TA=150DC
Emitter-Base Cutoff Current
'EBO __ 10 nA
VEB^S.SV
Characteristics Symbol Mn Max 'Unit

Forward Current Transfer Rato
lc = 500uA,V C E=10V "PE 10
Ic = 3.0mA,VCE=1.0V hpE2 20 200 __
l c =10mA J VcE=10V hpE3 20
lc = 3.0 mA, VCE = 1 .0 V, Tc = -55C hFE4 10
Base-Emiter Saturation Vottage
l c =10mA, !B = 1,OmA VeEfsat) 1.0 Vdc
Collector-Emiter Saturation Voltage
l c = : 10mA J lB=1.0mA VcE(sal) 0.4 Vdc
.Small Signaf Characteristics SymboJ Mi Max "Unit i

Magnitude ofCommon Emftter, Small Signa!, Short Circuit
Forward Current Transfer Rato IW 6.0 18
VCE= 10 V, lc = 4.0 mA, f = 100 MHz
A/o/se Figure
NF 6.0 dB
VCE = 6 V, lc = 1 .0 mA, f = 60 MHz
SmaH Signa! Power Gan
GRE 15 dB
VCB = 12 V, lc = 6.0 mA, f = 200 MHz
Collector-Base Time Constant
rb'Cc 25 ps
VCB = 1 0 V, IE = -4,0 mA, f = 79.8 MHz
Oscillator Power Output
Po 30 mW
VCB = 15 V, lc= 8.0 mA, f > 500 MHz
Collector Efficiency
n 25
VCB = 15 V, ic= 8.0 mA,f > 500 MHz
Open Circuit Output Capacitance
COBOI 3.0 pF
VCB = 0 V, IE= 0, 100 kHz <f < 1 MHz
Open Circuit Output Capacitance
CoBO2 1.7 PF
VCB = 10V, le=0, 100kHz<f<1 MHz
Input Capacitance, Output Open CircuRed
QBO 2.0 PF
VEB = 0.5V, lc=0, 100kHz<f<1 MHz
B.3 CIRCUITO INTEGRADO
TL081
TL080, TL081, TL082, TL084, TL081A, TL082A, TL084A
TL081B, TL082B, TL084B, TL082Y, TL084V
JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
SLOS081A-D2297, FEBRUARY1977-REVISED NOVEMBER 1992
24 DEVICES COVER COMMERCIAL, INDUSTRIAL, AND MITARYTEMPERATURE RANGES

Low-Power Consumption Hgh Input Impedance . .. JFET-Input Stage
Wide Common-Mode and Differental Internal Frequency Compensation (Except
Voltage Ranges TL080, TL080A)
Low Input Bias apd Offset Currents Latch-Up-Free Operation
Output Short-Circuit Protection High Slew Rate ... 13 V/LIS Typ
Low Total Harmonio Common-Mode Input Voltage Range
Distortion . . . 0.003% Typ Includes VCQ+
TL080 TL081,TLOB1A,TL081B TL082, TL082A, TL082B
D . P . O R P W PACKAGE D, JG, P, OR PW PACKAGE D, JG, P, OR PW PACKAGE
(TOP V1EW} (TOP VIEW} (TOP VIEW}
N1/COMP [ 1 U8 ]COMP OFFSET N1 [ 1 ^ 8 ]NC 1 OUT [ 1 8 ] Vcc+
IN- [ 2 7 ] VCC + IN~ [ 2 7 ]VCC+ 1 IN- [ 2 7 ] 2 OUT

IN+ [ 3 6 ]OUT 1N+ [ 3 6 ]OUT 1 1N+ [ 3 6 ]2!N-
VCG- [ 4 5 ] OFFSET N2 V cc _ Q 4 5 H OFFSET N2 V cc _ [ 4 5 ] 2 I N+
TL081 M . . . FK PACKAGE TL082M . . . FK PACKAGE
(TOP VIEW} (TOP VIEW)
z. i- +
f- 13
LU O 0 00
^ t Z ^>
^ ~^
~
_
O LU O O / ' II I''i-JI I
z. O ~z. ~z. i i-^ -. 3 2 1 20 19 r
/ \IIIIIII | i NL. J 4 18L NC
, -. 3 2 1 20 19 r wr 1 IN- H 5 17 C 2 OUT
NCj I4 18 r^c
7r v Nc P 6 16 [ NC
IN - ] 5
]7 15[ 2IN-
NC3 ]6 B[NCC+ 1 N+
u8 NC
IN-* ]7 15 [ OUT NC 9 10 11 12 13
NC 1 8
9 10 11 12 13
14 r NC i ii irir ~l(|
o 10 + O
iiit inr
i i z o ;z z: 2
A *
~z.
Z ->
y 2 LU
^
co
li-
TL084M . .. FK PACKAGE
li. (TOP VIEW)

o
TL084, TL84A, TL084B I J5
D, J, N, O R P W PACKAGE ^ O
fe 4
0 ^
(TOP V1FW) *~ ^ 2 ^ ^
I! I
- . 3 2 1 20 19 r
U J4 18L 4 N+
1 OUT f 1 14 ] 4 0 U T 1 [N'f
1 IN- [ 2 13 ] 4 I N - NC ]5 17 C NC
]6 isE VCC-
1 IN+ f 3 12 ]4IN+ ' V CC+
]7 15[ NC
VCG+ E 4 11 ] VCG- NC
2 IN+ [ 5 ]8 3 ]JsJ +
10 ]3INf 2 I N+
9 10 11 12 13
2 IN- T 6 9 ]3IN- IIIIIIIII
2 OUT [ 7 r~ I
8 ] 3 OUT i ^ g
c\ u
CO
{>J CO
NC-No fnternal connecton
PRODUCT10W DATA Information is curren I as o publica i ion date. Copyright 1992, Texas Insfrumenls Incorporaed
Producs conlorm to spceifications per thc terms olTraas Instruments On producs cotnptiant to ML-STD-&3, Class B, all par amcters are
standard warranty. Productlon proccssing docs not ncccssarlly ndudc
testing o( al! paramctcrs. TEXAS Icstcd unlcss olhwwisc nolcd On all othcr producs, produdion
proccssing docs nol necossarly incluttc tcslmg o all paramctc-ts.
INSTRUMENTS
POST OFFICE BOX 655303 DALLAS. TEXAS 75265
POST OFFICE BOX 1443 HOUSTON. TEXAS
77251-1443
TL081B, TL082B, TL084B, TL082Y, TL084Y
SLOS081A-D2297, FEBRUARY 1977-REV1SED NOVEMBER1992
symbols
TL080 TL081 TL082 (each amplifier)
TL084 (each amplifier)
N1/COMP
OUT OUT
OUT IN-
description
TheTL08_ JFET-input operational amplifier family is designed to offer a wider selection than any previously
developed operational amplifier famiiy. Each of these JFET-input operational amplifiers incorporates
well-malched, high-voltage JFET and bipolar transistors in a monolithic ntegrated circuit. The devices fealure
high slew rates, low input bias and offset currents, and low offset voltage temperatura coefficient. Offset
adjustment and externa! compensation options are available within the TL08_ family.
Device types with a C suffix are characterized for operation from 0C to 70C, those wth an I suffix are
characterized for operation from-40Cto 85C, and those with an M suffix are characterized for operation over
he ful/ military temperatura range of-55C to 125C.
AVAILABLE OPTIONS
VID PACKAGE
CHIP
MAX SMALL SMALL CHIP CERAMIC CERAMIC PLSTIC PLSTIC
TA at
TSSOP FORM
OUTLINE OUTLINE CARRIER DIP DIP DIP DIP
25C
(PW) (Y)
(D008) (D014) (FK) (J) (JG) (N) (P)
15 mV TL080CD TL080CP TL080CPW
15 mV TL081CD TL081CP TL081 CPW
6mV TL081ACD
TL081ACP
3mV TL0818CD TL081BGP
oc 15 mV TL082CD TL082CP TLQ82CPW TL082Y
to
6mV TL082ACD TL082ACP
70DC
3mV TL082BCD TL082BCP
15 mV TL084CD TL084CN TLOB4CPW TL084Y
6mV TL084ACD TL084ACN
3mV TL084BGD TL084BCN
-40C 6mV TL081ID TL081IP
to 6mV TL082ID TL082P
85C 6mV TL084ID TL084ID TL084IN
~55C 6mV TL081MFK TL81MJG
to 6mV TL082MFK TL082MJG
125C 9mV TL084MFK TL084MJ
The D package s available taped and reeled. Add R suffix to devce type, (e.g., TL080CDR).
TEXAS
INSTRUMENTS
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POST OFFICE BOX 1443 HOUSTON, TEXAS
77251-1443
TL081B,TL082B,TL084B
SLOS081A-D2297, FEBRUARY 1977-REV1SED NOVEMBER 1992
schematic (each amplifier)

v cc+
OUT
TL080
Only
OFFSET NI OFFSET N2
TL081 Only
C1 = 18 pF on TL081, TL082, and TL084 only (ncluding their suffix versions).

Componen! vales shown are nominal.
INSTRUMENTS
POST OFFICE BOX 655303 DALLAS, TEXAS 75265
POST OFFICE BOX 1443 HOUSTON. TEXAS
77251-1443
TL081M,TL082M,TL084M
SLOS081A-D2297, FEBRUARY 1977-REV1SED NOVEMBER1992
electrical characteristics, Vcc = 15 ^ (unless otherwise noted)

TL081M.TL082M TL084M
PARAMETER TEST CONDITIONST UNIT
MtN TYP MAX MIN TYP MAX
TA = 25C 3 6 3 9
V|Q Input offset voltage v0 o, Rs -on TA = _ 550C101250C mV
9 15
Temperature
vo = o, RS= so n,
avio coeffcient of input 18 18 u_V/C
T A =~55Cto125C
offset voltage
Tr>A = 25C 5 100 5 100 PA
l|O Input offset current vn - n
"u " TA = 125C 20 20 nA
TA = 25C 30 200 30 200 PA
!|B Input bias current*
V TA=125C 50 50 nA
12 12
Common-mode
VIPR T A =25C 11 to 11 lo V
IOIA input voltage range
15 15
Mximum peak TA = 25C, RL = 1Qkn 12 13.5 12 13.5
VOM output voltage Ri SlOk2 12 12 V
swing M RL s 2 kn 10 12 10 12
V O =10V, R[_>2kn,
Large-signal 25 200 25 200
TA = 25DC
Ayo differential voltage V/mV
V O =10V, RLS2KQ,
amplification 15 15
TA = -55Cto125C
Uniy-gain
TA = 25C 3 3 MHZ
1 bandwdth
r Input resistance TA = 25C 1012 1012 a
MKK
Common-mode
. ,, ,, vic = v icR min - VO = Q, 80 86 80 86 dB
rejection ratio Rs = 50n, TA = 250C
Supply voltage
VcC='l5Vto9V, V0 = 0,
ksvR rejecton rallo 80 86 80 86 dB
RS = 50 n, TA = 25C
(AVCCMV,0)
Supply current
No load, VO = 0, TA = 25aC 1.4 2.8 1.4 2.8 mA
cc (per amplifier)
,, . Crosstalk dB
V01/VQ2 attenuation AvD = 100. TA = 25C 120 120
t AII characteristics are measured under open-loop conditions with zero common-mode input voltage unless otherwise specified.
Input bias currents of a FGT-lnput operational amplifierare normal junction reverse currents, which are temperatura sensitive as shown in
Figure 18. Pulse techniques mus! be used that will mainain the junction tempera tures as cise io the amblent temperature as s possible.
operating characteristics, = 25C (unless otherwise noted)

PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
Vj = 10V, RI_ = 2 ka 8* 13
See Figure 1
SR SIew rate at unity gain V/us
V| = 10V, RL = 2ka CL = 100pF,
5*
T A "55 Q Cto125C, See Figure 1
tr Rise time V] = 20 mV, RL ~~ 2 ka 0.05 US
Overshoot factor CL = 1 oo pF, See Figure 1 20%

f = 1 kHz 18 nV/VHz
Vn Equvalent input noise volage
f=10Hzo10kHz 4 fiV
In Equivalen! Input noise current Rg = 100 a f = 1 kHz 0.01 pA/VHz
V0(rms) = 10 v- RS * 1 ka RL s 2 ka
THD Total harmonic distoriion 0.003%
*On producs complianl to MIL-STD-883, Class B, this parameter is not production iested.
TfeXAS
INSTRUMENTS
posr ornee BOX 555303 DALLAS, TEXAS 75265
POST OFFICE BOX 1443 HOUSTON, TEXAS 77001
Normas Tcnicas
ANEXO C
NORMAS TCNICAS
C.l ESTACIONES DE RADIODIFUSIN EN FRECUENCIA

MODULADA (FM) DE BAJA POTENCIA
De conformidad a la Norma Tcnica vigentel, las radiodifusoras en Frecuencia Modulada

(FM), de baja potencia, son aquellas estaciones con un mximo de potencia efectiva
radiada (p.e.r.) de 250 W, utilizadas para cubrir las cabeceras cantonales o sectores de baja
poblacin, cuya frecuencia pueda ser reutilizada por diferente concesionario en otro cantn
de la misma provincia o zona geogrfica.
De conformidad a las modificaciones de dicha Normal, se puede autorizar potencias

efectivas radiadas (p.e.r.) inferiores a 250 W; observndose la potencia necesaria para
cubrir la poblacin de inters.
Los transmisores de las estaciones FM de baja potencia, se ubicarn en reas perifricas de

la poblacin a servir, y el sistema radiante estar a una altura mxima de 36 m sobre la
altura promedio de la superficie de la poblacin servida.
Los procedimientos de solicitud y concesin de estas estaciones se rigen adems por lo

dispuesto en la Ley de Radiodifusin y Televisin, su Reforma y el Reglamento General a
la Ley.
C.2 ZONAS GEOGRFICAS PARA ESTACIONES

RADIODIFUSIN DE FRECUENCIA MODULADA (FM)
De conformidad a la Norma Tcnica Reglamentaria para Radiodifusin en Frecuencia

q
Modulada Analgica , se consideran las siguientes Zonas Geogrficas, en las cuales, el
CONARTEL y la Superintendencia de Telecomunicaciones autorizan y concesionan las
frecuencias para estaciones de radiodifusin en Frecuencia Modulada (FM) en todo el
territorio nacional. Se incluyen las ltimas modificaciones de la Norma Tcnica de algunas
zonas geogrficas.
C-2
Normas Tcnicas Anexo C
Zonas Cobertura de las Zonas

Geogrficas3 (Notas FMj incluye grupos de frecuencias)
FA001 Azuay Caar. Grupos de frecuencia 1, 3 y 5
Provincia de Bolvar excepto las estribaciones occidentales del ramal occidental de, la
FB0013
Cordillera de los Andes. Grupo de frecuencia 6.
FCOOl Provincia del Carchi. Grupos de frecuencias 1 y 3
FD001 Provincia de Orellana. Grupo de frecuencia 1

Provincia de Esmeraldas, excepto Rosa Zarate y La Concordia que pertenecen a la zona P,
FE001
subgrupo Pl . Grupos defrecuencias4 y 6
Provincia del Guayas, subzona 1 (independiente de la subzona 2), excepto las ciudades de El
Empalme, Balzar, Colimes, Palestina, Santa Luca, Pedro Garbo, Isidro Ayora, Lomas de
FG0013
Sargentillo, Daule, El Salitre, Alfredo Baquerizo Moreno, Simn Bolvar, Milagro, Naranjito,
Mariduea, El Triunfo, Naranjal, Balao y Bucay. Grupos de frecuencias 1, 3 y 5.
Provincia del Guayas, subzona 2, (independiente de la subzona 1), comprende las ciudades de
FG002
la Pennsula de Santa Elena y General Villamil. Grupos de Frecuencias 1, 3 y 5
FJ001 Provincia de Imbabura. Grupos de frecuencias 2 y 6
FL001 Provincia de Leja. Grupos de frecuencias 2 y 5

Provincia de Manab; excepto los cantones El Carmen y Pichincha. Grupos de frecuencias 1, 3
FM001
y 5.
FN001 Provincia de apo. Grupo de frecuencia 1 .
Provincia de El Oro, e incluye Milagro, Naranjito, Bucay, Mariduea, El Triunfo, Naranjal y
Balao de la provincia, del Guayas, La Troncal y las estribaciones del ramal occidental de la
FO0013
Cordillera de los Andes de las provincias de Chimborazo, . Caar y Azuay. Grupos de
frecuencias 2, 4 y 6
Provincia de Los Ros, e incluye El Empalme, Balzar, Colimes,. Palestina, Santa Luca, Pedro
Garbo, Isidro Ayora, Lomas de Sargentillo, Daule, El Salitre, Alfredo Baquerizo Moreno y
FR0013 Simn Bolvar de la provincia del Guayas, cantn Pichincha de la provincia de Manab y las
estribaciones occidentales del ramal occidental de la Cordillera de los Andes de las provincias
de Cotopaxi y Bolvar. Grupos de frecuencias 2, 4 y 6.
Provincia de Pichincha, subzona 1 (independiente de la subzona 2). Grupos de frecuencias 1, 3
FP001
y 5.
Provincia de Pichincha, subzona 2 (independiente de la subzona 1), comprende: Santo
Domingo de los Colorados e incluye los cantones aledaos : El Carmen (de la provincia de
FP002
Manab), Rosa Zarate y la Concordia (de la provincia de Esmeraldas). Grupos de frecuencias
1,3 y 5.
FS001 Provincia de Morona Santiago. Grupo de frecuencia 1
Provincias de Cotopaxi y Tungurahua, excepto las estribaciones occidentales del ramal
FT0013 occidental de la Cordillera de los Andes de la provincia de Cotopaxi y el cantn Baos de la
provincia de Tungurahua. Grupos de frecuencias 1, 3 y 5,
Provincia de Chimborazo, excepto las estribaciones occidentales del ramal occidental de la
FH0013
Cordillera de los Andes de esta provincia. Grupos de frecuencias 1, 3 y 5
FU001 Provincia de Sucumbios, Grupos de frecuencias 1 y 3
FX001 Provincia de Pastaza, incluido Baos (de la provincia de Tungurahua). Grupo de frecuencia 6
FY001 Provincia de Galpagos. Grupo de frecuencia 4
FZ001 Provincia de Zamora Chnchipe. Grupo de frecuencia 3.
C-3
Normas Tcnicas
j
Emisoras en Frecuencia Modulada : 428 matrices y 227 repetidoras (a nivel nacional)
Provincia Matriz Repetidora Provincia Matriz Repetidora

Azuay 28 16 Imbbura 21 6
Bolvar 14 1 Loja 25 21
Caar 8 4 Los Ros 18 10
Carchi 13 11 Manab 45 18
Chimborazo 17 9 Morona Santiago 12 15
Cotopaxi 16 1 apo 5 10
El Oro 20 9 Pastaza 9 6
Esmeraldas 14 11 Pichincha 65 16
Francisco de Orellana 6 1 Sucumbios 11 7
Galpagos 6 4 Tungurahua 15 16
Guayas 56 30 Zamora Chinchipe 4 5
C.3 REQUISITOS TCNICOS
1. Nombre propuesto para la estacin o sistema a instalarse;

2. Clase de estacin o sistema de estacin privado o de servicio pblico;
3. Banda de frecuencias;
4. Estudio tcnico de Ingeniera elaborado y suscrito por un Ingeniero en Electrnica y/o
Telecomunicaciones colegiado y registrado en el respectivo Colegio Profesional;
5. Ubicacin geogrfica y potencia de la estacin o estaciones;
6. Ubicacin y altura de la antena; y;
7. Horario de trabajo.
Nota: Los requisitos y documentos anteriormente descritos y enumerados, sern

presentados por duplicado en original y copia.
3 Norma Tcnica Reglamentaria para Radiodifusin en Frecuencia Modulada Analgica, Reg. Oficial
No. 074 del 10 de mayo del 2000
Modificaciones a la Norma Tcnica Reglamentaria para Radiodifusin en Frecuencia modulada Analgica, publicada
en el Reg. Oficial No. 103 del 13 de junio del 2003
C-4
Registro Oficial No. 74 Mircoles 10 de Mayo del 2000
No 866-CONARTEL-99
EL CONSEJO NACIONAL DE RADIODIFUSIN Y

TELEVISIN (CONARTEL)
Considerando:
Que, el Art. 2 de la Ley Reformatoria a la Ley de Radiodifisin y Televisin, promulgada en

el Registro Oficial No 691 de 9 de mayo de 1995, establece que el Estado a travs del Consejo
Nacional de Radiodifusin y Televisin CONARTEL otorgue frecuencias o canales para
radiodifusin y televisin, regule y autorice dichos servicios en todo el territorio nacional;
Que, es facultad del CONARTEL expedir reglamentos tcnicos complementarios y dems

regulaciones de esta naturaleza que se requieran para el cumplimiento de sus funciones,
conforme consta del literal "b)M, del quinto articulo innumerado, del Art. 6 de la Ley
Reformatoria a la Ley de Radiodifusin y Televisin;
Que, el Consejo Nacional de Radiodifusin y Televisin en sesin efectuada el 22 de febrero

de 1996 expidi la Resolucin CONARTEL No 003-96 con el propsito de aplicar
temporalmente los reglamentos, normas tcnicas y ms resoluciones que sobre los medios,
sistemas o servicios de radiodifusin o televisin hubiere expedido la Superintendencia de
Telecomunicaciones;
Que, el CONARTEL debido a la saturacin del espectro, determin la necesidad de realizar un

reordenamiento de las frecuencias, considerando la realidad nacional y las zonas geogrficas
existentes en base a una nueva Norma Tcnica para Frecuencia Modulada;
Que, el Consejo en sesiones de 6 y 11 de febrero, 17 y 18 de marzo de 1999, por una parte

analiz y discuti el Flan de Distribucin de Frecuencias presentado por la SUPTEL con
oficio No 643 de 19 de marzo de 1999; y por otra parte consider el proyecto de Norma
Tcnica para Frecuencia Modulada, presentado por la Asociacin Ecuatoriana de
Radiodifusin "A.E.R.",
Que, el Consejo Nacional de Radiodifusin y Televisin en sesin de 5 de noviembre de 1999,

luego de considerar distintos criterios, autoriz que el seor Presidente del CONARTEL,
proceda a incorporar correcciones gramaticales, trminos de armona con el lxico de la UIT o
exclusin de disposiciones de derecho que constan en la ley y que involuntariamente se han
incorporado en la Norma Tcnica; y,
En uso de las atribuciones legales que le corresponden,

Resuelve:
EXPEDIR LA NORMA TCNICA REGLAMENTARIA PARA RADIODIFUSIN

EN FRECUENCIA MODULADA ANALGICA.
1. OBJETIVO:
Establecer el marco tcnico que permita la asignacin de canales o frecuencias radioelctricas

en el espacio suprayacente del territorio ecuatoriano, minimizando las interferencias, de tal
forma que se facilite la operacin de los canales y se racionalice la utilizacin del espacio, de
conformidad con la Constitucin, recomendaciones de laU.I.T. y realidad nacional.
Formular planes para la adjudicacin de canales y sobre el reordenamiento de emisoras en el

espectro radioelctrico, que sean coherentes y consecuentes con la presente norma tcnica y
con sus anexos.
2. DEFINICIONES:
Adems de las definiciones y trminos tcnicos que constan en la Ley de Radiodifusin y

Televisin, su reforma, Reglamento 'General y Glosarios de la U.I.T., tmese en cuenta las
que constan a continuacin:
2.1. ESTACIN MATRIZ: Aquella que genera la programacin en forma estable y

permanente; que sealan la ubicacin del estudio, es el domicilio legal del concesionario, que
estn ubicadas en la ciudad o poblacin autorizada a servir como rea de cobertura principal.
2.2. ESTACIN REPETIDORA: La que repite la programacin para un sistema de

radiodifusin debidamente conformado.
Puede utilizar igual o diferente frecuencia en la misma u otra zona de acuerdo con el contrato.
2.3 ESTACIONES DE BAJA POTENCIA: Aquella que la potencia mnima, utilizadas para
cubrir las cabeceras cantonales o sectores de baja poblacin, cuya frecuencia pueda ser
reutilizada por diferente concesionario, en otro cantn de la misma provincia o zona
geogrfica, conforme a la presente Norma Tcnica.
2.4. FRECUENCIAS AUXILIARES: DE ENLACE MVIL: Son aquellas que permiten

circuitos circuitos de contribucin entre los estudios, distribucin primara de transmisores y
recoleccin de informacin mediante enlaces terrestres, satelitales y otros, destinados a la
transmisin de programacin o comunicacin.
2.5. COMIT TCNICO PERMANENTE: Grupo de personas designadas por el

CONARTEL, encargadas de entregar evaluaciones, recomendaciones tcnicas y sugerencias o
proyectos de reforma a los reglamentos y normas tcnicas de acuerdo a Jos trminos y
polticas que determine la respectiva resolucin.
2.6. ADJUDICACIN: Determinacin tcnica, temporal y condicionada para que el uso de

un canal que conforme un plan, sea utilizado por una o varias personas en un servicio de
radiocomunicacin terrenal.
2.7. ASIGNACIN: Autorizacin que da una administracin para que un concesionario o

estacin radioelctrica utilice un determinado canal o frecuencia en condiciones especificas,
tcnicas y oficiales.
2.8. ZONA GEOGRFICA: Superficie terrestre asociada con una estacin en la cual en
condiciones tcnicas determinadas puede establecerse una radiocomunicacin respetando la
proteccin establecida.
3. BANDA DE FRECUENCIAS:
Parte del espectro radioelctrico destinado para emisin de seales de audio y video que se
define por dos lmites especficos, por su frecuencia central, anchura, de banda asociada y toda
indicacin equivalente.
Para el servicio de radiodifusin de frecuencia modulada analgica, se establece la banda de

frecuencias de 88 a 108 MHz, aprobada en el Plan Nacional de Distribucin de Frecuencias de
Radiodifusin y Televisin
3.1. BANDA PARA FRECUENCIAS AUXILIARES: Las destinadas para enlaces de los
servicios fijo y mvil, definidas en el numeral 2.4. anterior.
4. CANALIZACIN DE LA BANDA DE FM:
Se establecen 100 canales con una separacin de 200 KHz, numerados del 1 al 100, iniciando
el canal 1 en 88.1 MHz (Anexo No 1).
5. GRUPOS DE FRECUENCIAS:
Se establecen seis grupos para distribucin y asignacin de frecuencias en el territorio

nacional.
Grupos: Gl, G25 G3 y G4 con 17 frecuencias cada uno, y los grupos G5 y G6 con 16
frecuencias. Anexo No 2.
La separacin entre frecuencias del grupo es de 1.200 KHz.
Para la asignacin de canales consecutivos (adyacentes), destinados a servir a una misma zona
geogrfica, deber observarse una separacin mnima de 400 KHz entre cada estacin de la
zona.
6. DISTRIBUCIN DE FRECUENCIAS:
La distribucin de frecuencias se realizar por zonas geogrficas, de tal manera que se

minimice la interferencia de cocanales y canales adyacentes. Las zonas pueden corresponder
a: conjunto de cantones de una provincia, provincias completas, integracin de una provincia
con cantones de otra provincia o unin de provincias.
Las zonas geogrficas se identifican con una letra del alfabeto y corresponden a lo establecido
en los anexos No 3A y 3B.
Esto no modifica las limitaciones o derecho sobre frecuencias que por provincias establece la
ley para cada concesionario, pues esta norma trata nicamente los requerimientos tcnicos.
7. DISTANCIA MNIMA ENTRE FRECUENCIAS O CANALES:
Aquella que garantiza que los valores de intensidad de campo establecidos en la norma se
cumplan por parte de las estaciones sin que ocurran interferencias.
8. REA DE SERVICIO:
Circunscripcin geogrfica en la cual una estacin irradia su seal en los trminos y

caractersticas tcnicas contractuales, observando la relacin de proteccin y las condiciones
de explotacin.
8.1 REA DE COBERTURA PRINCIPAL: Ciudad o poblado, especficos, cubiertos por

irradiacin de una seal de FM, con caractersticas detalladas en el respectivo contrato de
concesin,
8.2 REA DE COBERTURA SECUNDARIA O DE PROTECCIN: La que corresponde a

los alrededores de la poblacin sealada como rea de cobertura principal, que no puede ni
debe rebasar los lmites de la respectiva zona geogrfica.
No se requerir de nueva concesin cuando dentro de una misma provincia se reutiliza la

frecuencia concedida para mejorar el servicio en el rea de cobertura secundaria.
8.3. REA DE COBERTURA AUTORIZADA: Superficie que comprende el rea de

cobertura principal, ms el rea de cobertura secundaria de proteccin.
Las reas de cobertura que se hallen definidas, podrn ampliarse en la misma zona geogrfica
a favor del mismo concesionario, mediante la reutilizacin de las frecuencias.
9. NOMENCLATURA UTILIZADA PARA DEFINIR E IDENTIFICAR LAS

FRECUENCIAS ASIGNADAS A CADA ZONA:
- Letra inicial F = Frecuencia Modulada.

- Segunda letra = La asignada a cada zona geogrfica.
- En tercer lugar, el nmero ordinal que corresponda en forma ascendente.
10. ASIGNACIN DE FRECUENCIAS:
El CONARTEL, asignar en condiciones especficas las frecuencias, previo informe tcnico

de la SUPTEL, emitido en base a los parmetros, de la presente norma tcnica, observando la
disponibilidad de canales y el Plan Nacional de Distribucin de Frecuencias.
Todo concesionario podr reutilizar un cocanal en una misma zona geogrfica, para servir su
provincia con repetidoras.
El intercambio de frecuencias entre concesionarios o cambio por otra frecuencia disponible, de

acuerdo con la norma tcnica, es factible previa solicitud y autorizacin del CONARTEL.
Todo concesionario puede solicitar al CONARTEL el cambio de la frecuencia que le

corresponde a cualquier otra que hallare disponible. Siempre y cuando se observe lo
establecido en la presente norma.
10.1. ESTACIONES DE BAJA POTENCIA: Aquellas con un mximo de potencia de 250 w,

autorizadas para servir en cualquier poblacin de cada zona geogrfica que permiten reutilizar
su frecuencia para la irradiacin de seales a otros cantones de la misma zona, sin que su seal
se propague o rebase los lmites de la cobertura autorizada.
10.2. FRECUENCIAS AUXILIARES: se asignarn las definidas en el numeral 2.4.
Pueden ser reutilizadas por el mismo concesionario, con sujecin al estudio tcnico de enlaces
para la misma provincia y zona
11. CARACTERSTICAS TCNICAS:
Los parmetros tcnicos de la instalacin de una estacin, as como sus emisiones deben estar
de acuerdo con la presente norma y observar:
11.1. ANCHO DE BANDA: De 220 KHz para estreo y 180 KHz para monofnica, con una
tolerancia de hasta un 5%.
11.2. FRECUENCIAS DE BANDA BASE PARA AUDIO: Desde 50 Hz hasta 15 Khz.
11.3. SEPARACIN ENTRE PORTADORAS: Ser determinada por los grupos de

frecuencias correspondientes a cada zona geogrfica.
11.4. PORCENTAJE DE MODULACIN: Sin exceder los siguientes valores en las crestas de
recurrencia frecuente:
Para sistemas monofnicos o estereofnicos, nicamente 100%.

Registro Oficial No. 74 Mircoles 10 de Mayo dei 2000
Si estos utilizan, una sub-portadora: 95%.

Si utilizan dos o ms sub-portadoras: 100%.
11.5. POTENCIA DE OPERACIN O POTENCIA EFECTIVA RADIADA (P.E.R.): Los

valores a considerarse corresponden a la potencia efectiva radiada.
La intensidad de campo necesaria para cumplir con la norma, es el valor determinado para
los requerimientos de potencia.
11.5.1. POTENCIAS MXIMAS: Las potencias efectivas radiadas, no excedern de aquellas

que se requieran para cubrir los valores mximos autorizados de intensidad de campo en el
rea de cobertura autorizada.
Por sus caractersticas y cercana a zonas pobladas, las estaciones de baja potencia tendrn un
P.E.R. de 250 vatios mximo.
11.6. INTENSIDAD DE CAMPO: Valores promedios a 10 metros sobre el nivel del suelo
mediante un muestreo de por lo menos cinco puntos referenciales.
- En general: En el borde del rea de cobertura principal > 54 dBuV/m.

En el borde del rea de cobertura secundaria o de proteccin < = 30 dBuV/m.
A otras zonas geogrficas: < 30 dBuV/m.
- Estaciones de baja potencia y de servicio comunal:

En el borde de rea de cobertura principal < =43 dBuV/m.
En otras zonas geogrficas < 30 dBuV/m.
11.7. RELACIONES DE PROTECCIN DESEADA/SEAL NO DESEADA.
Separacin entre Sistema Sistema

portadoras deseada estereofnico monofnico
O Khz (cocanal) 37dBu 28dBu

200 Khz 7 6
400 Khz -20 -20
600 Khz -30 -SOdBu
11.8. TOLERANCIA DE FRECUENCIA: La mxima variacin de frecuencia admisible para

la portadora principal ser de +- 2 Khz.
11.9. DISTORSIN ARMNICA: La distorsin armnica total de audiofrecuencia desde los

terminales de entrada de audio del transmisor hasta la salida del mismo, no debe exceder del
0.5% con una modulacin del 100% para frecuencias entre 50 y 15.000 Hz.
11.10. ESTABILIDAD DE LA POTENCIA DE SALIDA

Se instalarn los dispositivos adecuados para compensar las variaciones excesivas de la
tensin de lnea u otras causas y no debe ser menor a 95%.
11.11. PROTECCIONES CONTRA INTERFERENCIAS: Ser responsabilidad del

concesionario que genere interferencias, incorporar a su sistema los equipos, implementos o
accesorios indispensables para atenuar en por lo menos 80 dB las seales interferentes.
11.12. NIVELES DE EMISIN NO ESENCIALES: deben atenuarse con un mnimo de 80 dB

por debajo de la potencia media del ancho de banda autorizado y con una modulacin del
100%
12. SISTEMA DE TRANSMISIN:
La modificacin o sustitucin de los equipos, de un. sistema de transmisin, ser permitida

siempre y cuando no se alteren las caractersticas originales.
12.1. TRANSMISOR: El diseo del equipo transmisor debe ajustarse a los parmetros
tcnicos y a las caractersticas autorizadas.
Deber contar con instrumentos de medicin bsicos.
12.2. LINEA DE TRANSMISIN: La lnea que se utilice para alimentar la antena debe ser
gua de onda o cable coaxial, con caractersticas de impedancia que permitan un acoplamiento
adecuado entre el transmisor y la antena, con el fin de minimizar las prdidas de potencia.
12.3. ANTENA: Podrn ser de polarizacin horizontal circular o elptica; darn lugar a
patrones de radiacin y estarn orientadas para irradiar a sectores poblacionales de acuerdo a
los requerimientos y autorizaciones establecidas en el contrato.
Las torres que soporten las antenas podrn ser compartidas con otros concesionarios u otros
servicios, siempre y cuando cumplan con sus respectivas normas y parmetros tcnicos.
12.4 EQUIPOS DE ESTUDIO: El concesionario tiene libertad para: configurar los equipos y
sistemas de estudio, de acuerdo a sus necesidades y para instalar o modificar los estudios en
todo aquello necesario para el funcionamiento de la estacin.
12.5 ENLACES: Los equipos de enlace se ajustarn a los parmetros tcnicos que garanticen
la comunicacin sin provocar interferencias.
Las frecuencias auxiliares para enlace requieren autorizacin expresa. La utilizacin de todo
tipo de enlace impone el cumplimiento de las obligaciones previstas en el pliego tarifario.
Los enlaces que no utilizan frecuencias radioelctricas pueden ser utilizados, siempre y
cuando el concesionario informe y notifique lo correspondiente al CONARTEL.
13. UBICACIN DE LA ESTACIN:
13.1. LOS TRANSMISORES:
13.1.1. EN GENERAL; Fuera del rea urbana, que no provoquen saturacin en los sistemas de
recepcin de televisin, y podrn ubicarse en reas fsicas compartidas con otros
concesionarios de igual o diferente servicios inclusive de telecomunicaciones.
Los transmisores podrn instalarse dentro de las ciudades exclusivamente cuando existan reas
geogrficas aisladas que no estn pobladas y tengan una altura que supere en 60 metros a la
altura promedio de la zona urbana
13.1.2. TRANSMISORES DE BAJA POTENCIA: Se ubicarn en reas perifricas de la

poblacin a servir y el sistema radiante estar a una altura mxima de 36 metros sobre la altura
promedio de la superficie de la poblacin servida."
14. INSTALACIN DE LAS ESTACIONES:
Se harn de acuerdo a los parmetros tcnicos definidos en el contrato de concesin.
La instalacin puede ser compartida con otras estaciones y servicios similares.
14.1 DE LOS TRANSMISORES: Se instalarn y operarn de conformidad con lo estipulado

en el contrato de concesin, de acuerdo a las normas internacional es, incorporando niveles de
seguridad adecuados.
En el exterior del rea fsica que aloja el transmisor y en la torre que soporta el sistema
radiante debe existir la respectiva identificacin de acuerdo al indicativo sealado en el
contrato. Dicha identificacin tendr un formato mnimo de 1000 centmetros cuadrados.
Los transmisores en sitios colindantes a instalaciones de fuerzas armadas requieren

autorizacin expresa, excepto en aquellos lugares donde ya existen otras instalaciones en todo
caso, el concesionario dar oportuno aviso al CONARTEL antes de realizar la instalacin.
La ubicacin de transmisores en sitios contiguos a lugares con instalaciones para equipos de

radio ayuda u otros de aeronavegacin previo pronunciamiento del CONARTEL, requiere
en primer lugar autorizacin de la Direccin de Aviacin Civil, con fundamento en el anlisis
y estudio de los tcnicos de dicha entidad.
Las torres para sistemas radiantes de frecuencia modulada, no pueden ser instaladas en el cono
de aproximacin de pistas de aterrizaje, salvo autorizacin expresa de la Direccin de
Aviacin Civil u organismo competente.
Las torres para sistemas radiantes requieren balizamiento diurno, y nocturno.
14.2. ESTUDIO PRINCIPAL: Es el ambiente y rea fsica cubierta y funcional; parte de la

edificacin correspondiente al domicilio legal de la estacin matriz; y sitio desde el cual se
origina la programacin diaria de la estacin.
El estudio principal podr recibir y difundir programacin mediante frecuencias auxiliares

cualquier otro tipo de enlace debidamente autorizado por el CONARTEL.
Un sistema automatizado e independiente, instalado en el sitio donde se encuentre

funcionando el transmisor, no constituye estudio principal, pues se altera la esencia del
contrato.
14.3. ESTUDIOS SECUNDARIOS: Aquellos localizados fuera del rea de cobertura

principal, que pueden ubicarse en la misma o diferente zona geogrfica; sern de carcter
permanente o temporal y destinados para programacin especfica, podrn acceder a enlaces
para la transmisin o utilizar cualquier otro enlace que no requiera autorizacin expresa. Las
direcciones y ubicacin de los sitios debern notificarse oportunamente al CONARTEL.
14.4. ESTUDIOS MVILES: Los que fundamentalmente tienen como origen de la

programacin, vehculos o sitios especiales del territorio nacional o del exterior, tienen
programacin de carcter ocasional y utilizan como enlaces frecuencias auxiliares, terrestres,
satelitales u otros sistemas.
15. INCUMPLIMIENTO Y SANCIONES:
15.1. Constituye infraccin tcnica tipo IV del Reglamento a la Ley de Radiodifusin y

Televisin, el incumplimiento de las disposiciones impartidas respecto del reordenamiento de
frecuencias y del respectivo plan.
15.2. En el caso de que se verifiquen y comprueben interferencias por incumplimiento de las

normas tcnicas, impondr como sancin la suspensin de las emisiones hasta que se realicen
las correcciones,
16. DISPOSICIONES GENERALES:
16.1. El plan y asignacin de canales o frecuencias constante en los anexos FM5 son parte
sustancial de la presente norma tcnica.
El nmero de canales o frecuencias asignadas en cada grupo para cada zona geogrfica no
podr ser modificado, salvo imponderables tcnicos comprobados y aprobados por el
CONARTEL,
17. DISPOSICIONES TRANSITORIAS:
17.1. El Plan de reubicacin de frecuencias FM que llegare a aprobarse por parte del
CONARTEL, ser parte sustancial de la presente norma tcnica y se ejecutar en un plazo de
90 das, con participacin de la SUPTEL.
17.2. Efectuada la reubicacin de frecuencias con sujecin al Plan de Adjudicacin de

Canales y Anexos F.M., las interferencias por excesos de potencia o patrones de radiacin no
definidos para la zona a cubrir, se solucionarn estableciendo potencias efectivas radiadas
mximas, desde los cerros donde estn ubicados los transmisores. La resolucin que al
respecto emita el CONARTEL ser razonada y tendr carcter obligatorio para los
concesionarios.
17.3. Las modificaciones en los parmetros tcnicos en las concesiones afectados por la
presente norma, incluyendo el cambio de frecuencia, sern dispuestas mediante resolucin por
el CONARTEL, registradas por la Superintendencia de Telecomunicaciones y notificadas
oficialmente al concesionario para que proceda a la respectiva modificacin del contrato,
conforme lo dispone el ltimo inciso del Art. 27 en vigencia de la Ley de Radiodifusin y
Televisin.
18. PREVALENCI:
La presente Norma Tcnica para Radiodifusin en Frecuencia Modulada actual prevalece por
sobre cualquier otra disposicin o resolucin presente o pasada, consecuentemente queda
derogado todo aquello que se le oponga de manera genralo expresa.
19. VIGENCIA:
A partir de la publicacin en el Registro Oficial.
Dado y firmado en Quito, en la sala de sesiones del CONARTEL, a veinticinco de marzo de

mil novecientos noventa y nueve.
Notifquese.
f.) Aldo R. Ottati Pino, Presidente del CONARTEL.

f.) Lie. Vicente Freir R., Secretario.
RAZN.- El presente Reglamento fue discutido por el Consejo Nacional de Radiodifusin y

Televisin en sesin de 24 y 25 de marzo de 1999. CERTIFICO,
f.) Lie. Vicente Freir R., Secretario.
ANEXO No 1
Canalizacin de la banda FM (88 -108 MHz)
FRECUENCIA/ FRECUENCIA/
CANAL CANAL
MHZ MHZ
l 88.1 51 98.1
2 88.3 52 98.3
3 88.5 53 98.5
4 88.7 54 98.7
5 88.9 55 98.9
6 89.1 56 99.1
7 89.3 57 99.3
8 89.5 58 99.5
9 89.7 59 99.7
10 89.9 60 99.9
11 90.1 61 100.1
12 90.3 62 100.3
13 90.5 63 100.5
14 90.7 64 100.7
15 90.9 65 100.9
16 91.1 66 101.1
17 91.3 67 101.3
18 91.5 101.5
19 91.7 101.7
20 91.9 70 101.9
21 92.1 71 102.1
22 92.3 72 102.3
23 92.5 73 102.5
24 92.7 74 102.7
25 92.9 75 102.9
26 93.1 76 103.1
27 93.3 77 103.3
28 93.5 78 103.5
29 93.7 79 103.7
30 93.9 80 103.9
31 94.1 81 104.1
32 94.3 82 104.3
33 94.5 83 104.5
34 94.7 84 104.7
35 94.9 85 104.9
36 95.1 86 105.1
37 95.3 87 105.3
38 95.5 105.5
39 95.7 105.7
40 95.9 90 105.9
41 96.1 91 106.1
42 96.3 92 106.3
43 96.5 93 106.5
44 96.7 94 106.7
45 96.9 95 106.9
46 97.1 96 107.1
47 97.3 97 107.3
48 97.5 98 107,5
49 97.7 99 107.7
50 97.9 107.9
100
Regsir Oficial No. 74 Mircoles 10 de Mayo del 2000
ANEXO No 2
GRUPOS DE FRECUENCIAS PARA DISTRIBUCIN Y ASIGNACIN
EN EL TERRITORIO NACIONAL
GRUPO 1 GRUPO 2 GRUPO 3
CANAL [Gl] # CANAL [G2] # CANAL [G3] #
IMHZ1 FIMHZI F[MHZ1
01 88.1 1 02 88.3 1 03 88.5 1
07 89.J 2 08 89.5 2 09 89.7 2
13 90.5 3 14 90.7 3 15 90.9 3
19 91.7 4 20 91.9 4 21 92.1 4
25 5 26 93.1 5 27 93.3 5
92.9
31 94.1 6 32 94.3 6 33 94.5 6
37 95.3 7 38 95.5 7 39 95.7 7
43 96.5 S 44 8 45 96.9 8
96.7
49 97.7 9 50 97.9 9 51 98.1 9
55 10 56 10 99.3 10
98.9 99.1 57
61 100.1 11 62 100.3 63 100.5 U
U
67 101.3 12 68 101.5 12 101.7 12
69
73 102.5 13 74 102.7 13 75 102.9 13
79 103.7 14 80 14 81 104.1 14
103.9
85 15 86 105.3
104.9 105.1 15 87 15
91 106.1 16 92 106.3 16 106.5 16
93
97 107.3 17 98 107.5 107.7 17
17 99
GRUPO 4 GRUPO 5 GRUPO 6

CANAL [G1J # CANAL [G2] # CANAL [G3] #
F[MHZ1 F[V1HZ1 F[MHZ1
04 88.7 1 05 88.9 1 06 89.1 1
10 89.9 2 11 90.1 2 12 90.3 2
16 91.1 3 17 91.3 3 18 91.5 3
22 92.3 4 23 92.5 4 24 92.7 4
28 93.5 5 29 93.7 5 30 93.9 5
34 94.7 6 35 94.9 6 36 95.1 6
40 95.9 7 41 96.1 7 42 96.3 7
46 97.1 8 47 97.3 8 48 97.5 8
52 98.3 9 53 98.5 9 54 98.7 9
58 99.5 10 59 99.7 10 60 99.9 10
64 100.7 11 65 100.9 11 66 101. 1 11
70 101.9 12 71 102.1 12 72 102.3 12
76 103.1 13 77 103.3 13 78 103.5 13
82 104.3 14 83 104.5 14 84 104.7 14
88 105.5 15 89 105.7 15 90 105.9 15
94 106.7 16 95 106.9 16 96 107.1 16
100 107.9 17
ANEXO No 3A
PLAN DE ADJUDICACIN DE CANALES O

FRECUENCIAS POR ZONAS
ZONA A GRUPOS 3-5

ZONA B GRUPO 6
ZONA C GRUPOS 1-3
ZONA D GRUPO 1
ZONA E GRUPOS 4-6
ZONA G GRUPOS 1-3-5
ZONA J GRUPOS 2-5
ZONA L GRUPOS 2-5
ZONA M GRUPOS 1-3-5
ZONA N GRUPO 1
ZONA O GRUPOS 2-4-6
ZONA P GRUPOS 1-3-5
ZONA S GRUPO 1
ZONA T GRUPOS 1-3-5
ZONA U GRUPO 3
ZONA X GRUPO 6
ZONA Y GRUPO 4
ZONA Z GRUPO 3
ANEXO No 3B
NOTAS FM SOBRE DEFINICIN DE LAS CORRESPONDIENTES ZONAS

GEOGRFICAS Y GRUPOS DE FRECUENCIAS
FA001: Azuay y Caar, Grupos de frecuencias 3 y 5.

FB001: Provincia de Bolvar. Grupo de frecuencia 6.
FC001: Provincia del Carchi- Grupos de frecuencias 1 y 3.
FD001: Provincia de Orellana. Grupo de frecuencia 1.
FE001: Provincia de Esmeraldas, excepto Rosa Zarate y La Concordia que pertenecen a la
Zona P5 subgrupo Pl. Grupos de frecuencias 4 y 6.
FG001: Provincia del Guayas, subzona 1, (independiente de la subzona 2)a grupos de
frecuencias 1. 3 y 5, no comprende Pedro Garbo. Naranjal, Balao y El Empalme,
pues pertenecen al Grupo O.
FG002: Provincia del Guayas, subzona 2, (independiente de la subzona 1), comprende las
ciudades de la Pennsula de Santa Elena y General Villamil. Grupos de frecuencias 1,
3y5.
FJ001: Provincia de Imbabura. Grupos de frecuencias 2 y 5.
FL001: Provincia de Loja. Grupos de frecuencias 2y5.
FM001: Provincia de Manab, excepto el cantn El Carmen que pertenece a la Zona P,
subgrupo PI. Grupos de frecuencias 1, 3 y 5.
FN001: Provincia de apo, Grupo <ie frecuencia 1.
FO001: Provincias de Los Ros y El Oro; incluye El Empalme, Balao, Naranjal, Pedro
Garbo; La Troncal (de la provincia de Caar) y La Man (de la provincia de
Cotopaxi). Grupos de frecuencias 2, 4 y 6.
FP001: Provincia de Pichincha, subzona 1 (independiente de la subzona 2). Grupos
de frecuencias 1, 3 y 5.
FP002: Provincia de Pichincha, subzona 2, (independiente de la subzona 1), comprende:

Santo Domingo de los Colorados e incluye los cantones aledaos: El Carmen (de la
provincia de Manab) Rosa Zarate y la Concordia (de la provincia de Esmeraldas),
Grupos de frecuencias 1, 3 y 5.
FS001: Provincia de Morona Santiago. Grupo de frecuencia 1.
FT001: Provincias de Cotopaxi, Tungurahua y Chimborazo. Grupos de frecuencias 1,
3 y 5.
FU001: Provincia de Sucumbos. Grupo de frecuencia 3.
FX001: Provincia de Pastaza, incluido Baos (de la provincia de Tungurahua). Grupo de
frecuencia 6.
FY001: Provincia de Galpagos. Grupo de frecuencia 4.
FZ001: Provincia de Zamora Chinchipe. Grupo de frecuencia 3.
Registro Oficial No. 103 Viernes 13 de Junio del 2003
No 2556-CONARTEL-03
EL CONSEJO NACIONAL DE RADIODIFUSIN Y TELEVISIN CONARTEL
Considerando:
- Que, de conformidad con el Art. 2 de la Ley Reformatoria a la Ley de Radiodifusin y

Televisin, promulgada mediante Registro Oficial NQ 691 de 9 de mayo de 1995, el Estado a
travs del Consejo Nacional de Radiodifusin y. Televisin - CONARTEL otorgar
frecuencias o canales para radiodifusin o televisin; as como regular y autorizar estos
servicios en todo el territorio nacional;
- Que, es facultad del CONARTEL expedir reglamentos tcnicos complementarios y dems

regulaciones de esta naturaleza que se requieran para el cumplimiento de sus funciones,
conforme consta en el Art. 6 de la Ley Reformatoria a la Ley de Radiodifusin y Televisin,
quinto articulo innumerado, letra d);
- Que, el Consejo Nacional de Radiodifusin y Televisin en sesin de 27 de febrero de 2003

resolvi: "DISPONER QUE LA COMISIN CONFORMADA POR EL CONSEJO EN SESIN DE 27
DE MARZO DE 2002, PRESENTE LAS MODIFICACIONES A LA NORMA TCNICA
REGLAMENTARIA PARA. RADIODIFUSIN. EN FRECUENCIA MODULADA ANALGICA.
SOBRE LA ZONIFICACION CONTElvfPLAD EN DICHA NORMA. FOCALIZANDO SU ANLISIS
EN LAS SIGUIENTES ZONAS: - TUNGURA'fflJ, COTOPAXI, CHIMBORAZO: GUAYAS, EL
ORO, LOS ROS; Y.-MANABI":
- Que, con oficio No 333-ATCONARTEL-03 de 23 de abril de 2003, el Asesor Tcnico del

CONARTEL remiti el informe de la comisin respecto a las modificaciones a la Norma
Tcnica Reglamentaria para Radiodifusin en Frecuencia Modulada Analgica;
- Que, el Consejo Nacional de Radiodifusin y Televisin en sesin de 25 de abril de 2002,

analiz el oficio No 333-ATCONARTEL-03 y resolvi aprobar en primera discusin las
modificaciones a la Norma Tcnica Reglamentaria para Radiodifusin en Frecuencia
Modulada Analgica;
- Que, el Consejo Nacional de Radiodifusin y Televisin en sesin de 22 de mayo de 2003,

dentro del punto 11 del orden del da, trat en segunda discusin las modificaciones a la
Norma Tcnica Reglamentaria para Radiodifusin en Frecuencia Modulada Analgica; y,
En uso de las atribuciones legales que le corresponden,

Resuelve:
APROBAR LAS SIGUIENTES MODIFICACIONES A LA NORMA TCNICA

REGLAMENTARIA PARA RADIODIFUSIN EN FRECUENCIA MODULADA
ANALGICA.
Art. 1.- Reformar el "Anexo 3B: Notas FM sobre definicin de las correspondientes zonas
geogrficas y grupos de frecuencias", reemplazando las zonas geogrficas FB001, FG001,
FM001, F0001 y FT001, por las siguientes:
"FB001: Provincia de Bolvar excepto las estribaciones occidentales del ramal occidental de la
Cordillera de los Andes. Grupo de frecuencias 6.".
"FG001: Provincia del Guayas, Sub-zona 1 (independiente de la Sub-zona 2), excepto las
ciudades de El Empalme, Balzar, Colimes, Palestina, Santa Lucia, Pedro Garbo. Isidro Ayora,
Lomas de Sargentillo, Daule, El Salitre, Alfredo Baquerizo Moreno, Simn Bolvar, Milagro,
Naranjito, Mariduefa, El Triunfo, Naranjal, Balao y Bucay. Grupos de frecuencias 1, 3 y 5.".
"FM001: Provincia de Manab; excepto los cantones El Carmen y Pichincha. Grupos de

frecuencias 1, 3 y 5.".
"FO001: Provincia de El Oro, e incluye Milagro, Naranjito, Bucay, Mariduea, El Triunfo,
Naranjal y Balao de la provincia del Guayas, La Troncal y las estribaciones del ramal
occidental de la Cordillera de los Andes de las provincias de Chimborazo, Caar y Azuay.
Grupos de frecuencias 2, 4 y 6".
"FT001: Provincias de Cotopaxi y Tungurahua, excepto las estribaciones occidentales del

ramal occidental de la Cordillera de los Andes de la provincia de Cotopaxi y el cantn Baos
de la provincia de Tungurahua. Grupos de frecuencias 13 3 y 5.".
Art. 2.- Luego de la zona geogrfica F0001, agregar la siguiente:
"FR001: Provincia de Los Ros, e incluye El Empalme, Balzar, Colimes, Palestina, Santa
Luca, Pedro Garbo, Isidro Ayora, Lomas de Sargentillo, Daule, El Salitre, Alfredo Baquerizo
Moreno y Simn Bolvar de Ja provincia del Guayas, cantn Pichincha de la provincia de
Manab y las estribaciones occidentales del ramal occidental de la Cordillera de los Andes de
las provincias de Cotopaxi y Bolvar. Grupos de frecuencias 2, 4 y 6.".
Art. 3.- Luego del grupo FT001, agregar el siguiente:
"FH001: Provincia de Chimborazo, excepto las estribaciones occidentales del ramal

occidental de la Cordillera de los Andes de esta provincia. Grupos de frecuencias 1, 3 y 5".
Art. 4.- Reformar el "Anexo 3A: Plan de adjudicacin de canales o frecuencias por zonas",
incluyendo las siguientes zonas:
"ZONA R GRUPOS 2-4-6"

"ZONA H GRUPOS 1-3-5"
Art 5.-Agregar luego del "Anexo 3B", lo siguiente:
"DISPOSICIONES GENERALES:
1. Zona geogrfica FM001 (provincia de Manab):

Disponer que con el fin de evitar la intermodulacin cocanal en las zonas de mutua cobertura
entre las seales que se irradian desde Cerro de Hojas (Jaboncillo) y Cerro Loma de Viento,
Jas estaciones FM que emitan seal desde el Cerro Loma de Viento, deben utilizar sistemas
radiantes directivos, orientados hacia la ciudad de Baha de Carquez, de tal manera que
cubran exclusivamente esta ciudad.
2. Zona geogrfica FG001 (provincia del Guayas):

Disponer que a partir de la presente fecha, las estaciones que sirven a la ciudad de Guayaquil
deben someterse a los nuevos lmites de las zonas geogrficas contempladas en las reformas a
la norma tcnica reglamentaria para radiodifusin en frecuencia modulada analgica.
Disponer que atendiendo la solicitud del Ncleo AER Guayas de fecha 2 de abril de 2003, se
excluya de la subzona que depende de la ciudad de Guayaquil, los cantones en donde
nicamente se podr autorizar estaciones de baja potencia, con un nivel adecuado para cubrir
dicha poblacin.
3. La limitacin de mnima potencia de transmisin que se puede autorizar auna estacin de

radiodifusin FM, sealada en el Art. 31 de la Ley de Radiodifusin y Televisin, se refiere
nicamente a las estaciones FM de potencia normal, por lo que en el caso de estaciones de
baja potencia se puede autorizar potencias efectiva radiadas (P.E.R.) inferiores a 250 W,
observndose la potencia necesaria para cubrir la poblacin de inters"
Art. 6.- Notificar del contenido de esta resolucin, a la Superintendencia de

Telecomunicaciones.
Art. 7.- Disponer que la Presidencia del CONARTEL remita esta resolucin al Registro
Oficial para su publicacin.
Dado en la ciudad de Quito, en la sala de sesiones del Consejo Nacional de

Telecomunicaciones, a veintids de mayo de dos mil tres.
f.) Freddy Moreno Mora. Presidente.

f.) Lie. Vicente Freir Ramrez, Secretario.
CERTIFICO.- Este documento es fiel copia del original.- Quito, a 6 de junio de 2003.- f.)
Secretario del CONARTEL.

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IMPLEMENTACION DE UNA CONSOLA MEZCLADORA CON

PROYECTO PREVIO A LA OBTENCIN DEL TITULO DE INGENIERO EN

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DIRECTOR: ING. ANTONIO CALDERN

Quito, agosto del 2003

Yo, NAVARRO MNDEZ DIANA VERNICA, declaro bajo juramento que el

A travs de la presente declaracin cedo mis derechos de propiedad intelectual

Certifico que el presente trabajo fue desarrollado por la

Ing. Antonio Caldern

E! agradecimiento ms profundo a mi Padre Celestial por

(Diana Vernica Navarro Mndez

CAPTULO i: FUNDAMENTOS TERICOS

CAPTULO 2: DISEO DE LA CONSOLA

2.1 DIAGRAMA DE BLOQUES DE LA CONSOLA 74

CAPTULO 3: PRUEBAS Y RESULTADOS

3.1 CALIBRACIN 126

CAPTULO 4: CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES 139

La implementacin de la consola permitir habilitar el amplificador de potencia que trabaja

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Mezclado es el proceso de combinar dos o ms seales y es esencial en las comunicaciones

1.1.1 MEZCLADO LINEAL

Las sumas (mezclado) lineales ocurren cuando dos o. ms seales se combinan en un

As podemos apreciar de manera grfica en la figura 1.2 la amplificacin de una frecuencia

Ven = Va * sen(2 * n * fa * t) EC 1.2

por lo tanto reemplazando la ecuacin 1.2 en la ecuacin 1.1

1 Wayne Tomasi SISTEMAS DE COMUNICACIONES ELECTRNICAS Segunda edicin Mxico 1996

Mientras que la figura 1.3 indica dos frecuencias de entrada combinadas en un

1.1.2 MEZCLADO NO LINEAL

Ocurre cuando dos o ms seales se combinan en un dispositivo no lineal tal como un

En la figura 1.4 podemos observar la amplificacin no lineal de una frecuencia de entrada

por lo tanto reemplazando la ecuacin 1.7 tenemos:

Vsal A * Va * sen(27ifat) + B * [Va * sen(27rfat)]2 + C * [Va * sen(27rfat)]3 Ecl.8

Una mesa de mezclas2 es un sistema capaz de proporcionar, a partir de varias seales de

Figura 1.5 Diagrama de una mesa de mezclas con entradas y salidas

Por lo tanto un mezclador no es ms que un dispositivo (circuito electrnico) cuya funcin

Un circuito mezclador lineal, es bsicamente un sumador en el cual se realiza el control de

Amplificar cualquier entrada a nivel de lnea.

Si tenemos un tocadiscos se necesitar un preamplificador con entrada phono debido a que

Los micrfonos tambin requieren pre amplificador es especiales; algunos micrfonos

Los prearnplificadores de micrfonos estn incluidos en caseteras y mezcladores de

1.1.4 SISTEMAS ESTEREOFNICOS3

Es un sistema conocido tambin como multicanal, utilizado para conseguir un efecto

Los equipos que se considerarn para el desarrollo de la consola presentan salidas

1.2 AMPLIFICADORES DE RADIOFRECUENCIA

Los amplificadores de radiofrecuencia son aquellos que amplifican nicamente la seal

Si se realiza una comparacin entre los circuitos amplificadores de audiofrecuencia y los

1.2.1 AMPLIFICADORES DE TENSIN DE RADIOFRECUENCIA

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En amplificadores de audiofrecuencia las capacitancias de entrada (Cn) y salida (C0) del