Ujt, Put, SCS
Ujt, Put, SCS
Ujt, Put, SCS
Abstract The present work of an understanding of the magnitud de IE nunca es mayor que IEO, una vez establecida la
importance of new technologies in semiconductors and the conduccin en VE=VP el potencial del emisor VE se reducir al
areas in which they can be used, there is talk of some incrementarse IE ya que la resistencia RB1 decrece por la
characteristics of Silicon Carbide and Gallium Nitride. The corriente creciente IE. El dispositivo tiene una regin de
difference that exists with silicon with these compounds is high resistencia negativa con el tiempo llegar al punto de valle y
in terms of the power range and frequency rate at which they cualquier aumento adicional de IRB1 colocar el dispositivo en
can work so their applications are oriented towards power la regin de saturacin aproximndose a las del diodo
electronics and radio frequency. semiconductor.
I. INTRODUCCIN
Fig. 4 Construccin y configuracin de polarizacin de un PUT Fig. 8 Curva caracterstica del SCS
De acuerdo a la Fig. 5 en el estado de pagado la corriente es muy Una aplicacin del SCS es el control y parada de un motor Fig.9,
baja y el voltaje varia entre cero y el voltaje pico despues pasa cuando el transistor inferior se enciende conduce corriente el
por un estado inestable hasta el estado de encendido siendo el motor arranca y funciona. El motor puede detenerse
voltaje mayor que Vv y la corriente mayor que Iv. El voltaje para interrumpiendo la fuente de alimentacin con un SCR, y esto se
que se encienda es igual a 0.7 V por ser de silcio mas el voltaje denomina conmutacin natural.
en RB1.
III. CONCLUSIONES
IV. REFERENCIAS