Informe 3 (Rectificador de Media Onda)
Informe 3 (Rectificador de Media Onda)
Informe 3 (Rectificador de Media Onda)
Fecha: 24/04/18
Cevallos Ricardo
[email protected]
Mena Tinoco Devvin
[email protected]
RESUMEN: En esta práctica del biestable formado por tres uniones pn con
Laboratorio de Electrónica de Potencia, se la disposición pnpn. Está formado por tres
implementó un circuito de disparo de un terminales, llamados Ánodo, Cátodo y
SCR, mediante este se procedió a realizar Puerta. La conducción entre ánodo y
mediciones del voltajes y corrientes y su cátodo es controlada por el terminal de
ángulo de disparo, comprobamos, puerta. Es un elemento unidireccional
colocando una carga RL y observamos el
(sentido de la corriente es único),
comportamiento presentado con esta
conmutador casi ideal, rectificador y
carga que se explicara en este informe.
amplificador a la vez.
PALABRA CLAVE: Bobina, Diodo,
Resistencia, SCR, DIAC.
1. OBJETIVOS
1.1 OBJETIVO GENERAL
Implementar un circuito oscilador de
relajación con SCR y observar sus
características.
1.2 OBJETIVO ESPECIFICO
Estudiar el funcionamiento y
características del SCR Figura N.-1 Símbolo SCR
Observar la variación de
intensidad luminosa que presenta
el foco al variar el ángulo de 2.2. FUNCIONAMIENTO BÁSICO
disparo del SCR. DEL SCR
Observar las formas de onda de
voltaje y corriente sobre la carga. El siguiente gráfico muestra un circuito
equivalente del SCR para comprender su
Colocar una carga inductiva en
funcionamiento. Al aplicarse una corriente
serie al foco y observar sus
IG al terminal G (base de Q2 y colector de
características. Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y
2. MARCO TEÓRICO causa que exista una corriente de colector
2.1 SCR de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base
El SCR (Silicon Controled Rectifier o del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa
Rectificador Controlado de Silicio, Figura más corriente en IC2, que es lo mismos
1), es un dispositivo semiconductor que IB1 en la base de Q1.
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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA LABORATORIO ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Fecha: 24/04/18
Borneras - Multímetro
Transformador
Foco 200w
Boquilla
SCR
Diac 30v
Potenciómetro 100KΩ
Figura N.-2 Modelo Tiristor con dos Resistencia 1Ω (10w)
transistores
Capacitor cerámico 104
(200v)
Gafas de protección
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Fecha: 24/04/18
6. CONCLUSIONES