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Tema
3.2 Estructura de los sistemas de memoria

Introduccin
La memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el computador guarda
los datos que est utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal por que los datos y
programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.
Se le llama RAM porque es posible acceder a cualquier ubicaci n de ella aleatoria y rpidamente
Fsicamente, estn constituidas por un conjunto de chips o mdulos de chips normalmente conectados a la tarjeta
madre. Los chips de memoria son rectngulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pin es" o
contactos:
La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que
la RAM es mucho ms rpida, y que se borra al apagar el computador, no como los Disquetes o discos duros en donde la
informacin permanece grabada.
Tipos de RAM
Hay muchos tipos de memorias DRAM, Fast Page, EDO, SDRAM, etc. Y lo que es peor, varios nombres. Trataremos estos
cuatro, que son los principales, aunque mas adelante en este Informe encontrar prcticamente todos los dems tipos.
DRAM: Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA, ya que es "la original", y por tanto la ms lenta.
Usada hasta la poca del 386, su velocidad tpica es de 80 70 nanosegundos (ns), tiempo ste que tarda en
vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, es ms rpida la de 70 ns que la de 80 ns.
Fsicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos ltimos de 30 contactos.
Fast Page (FPM): a veces llamada DRAM (o slo "RAM"), puesto que evoluciona directamente de ella, y se usa desde
hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo ms rpida, tanto por su estructura (el modo de Pgina Rpida)
como por ser de 70 60 ns.
Usada hasta con los primeros Pentium, fsicamente aparece como SIMMs de 30 72 contactos (los de 72 en los
Pentium y algunos 486).
EDO: o EDO-RAM, Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos
datos mientras los anteriores estn saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo ms rpida (un 5%, ms o
menos).
Muy comn en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72
contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.
SDRAM: Sincronic-RAM. Funciona de manera sincronizada con la velocidad de la placa (de 50 a 66 MHz), para lo que
debe ser rapidsima, de unos 25 a 10 ns. Slo se presenta en forma de DIMMs de 168 contactos; es usada en los
Pentium II de menos de 350 MHz y en los Celeron.
PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz de funcionar a esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2,
Pentium II a 350 MHz y computadores ms modernos; tericamente se trata de unas especificaciones mnimas que
se deben cumplir para funcionar correctamente a dicha velocidad, aunque no todas las memorias vendidas como
"de 100 MHz" las cumplen.
PC133: o SDRAM de 133 MHz. La ms moderna (y recomendable).
Material
1 Sistema mnimo con Microprocesador, circuito de reloj, circuito de reset, memoria EEPROM, PPI 8255 y decodificador
de direcciones con GAL22V10D.
1 Circuito Integrado SRAM 6116.
Equipo
1 Fuente de C.D.
1 Osciloscopio
1 Multmetro
1 Punta lgica para prueba de tercer estado
1 Circuito de Leds de prueba
Procedimiento Experimental
1. Implemente el circuito mostrado en la figura 6.8 considerando que ya se tiene armado el sistema mnimo de
microprocesador incluyendo la memoria EEPROM y el PPI 8255 y solo deber adicionarse el circuito integrado 6116 que
integra la memoria SRAM.
2. Utilice la figura 6.5 para guiarse en la implementacin fsica.
Figura 6.5 Implementacin de memoria SRAM.

3. Edite el siguiente programa en lenguaje ensamblador, tal y como se muestra en la figura 6.6 y obtenga el cdigo de
mquina.
Figura 6.6 Programa de registro de corrimiento.

4. Programe la memoria EEPROM en el programador universal con el archivo P06 Registro de corrimiento.hex.
5. Escriba la funcin decodificadora de direccin en un proyecto de ISPLEVER tal y como se muestra en la figura 6.7.
6. Programe la GAL con el archivo con terminacin .jed y pruebe el sistema completo para comprobar el funcionamiento
del sistema.
7. Mida el tiempo de encendido del led y el tiempo entre cambios producido por el sistema, comprobando que se
cumplan los tiempos de diseo.
El tiempo de encendido fue de 130ms, mientras que el periodo fue 11.70s que es el tiempo que tarda en encender el
mismo led. Se debe tomar en cuenta que la frecuencia del microprocesador Z80 fue a 3MHz.
En la primera imagen tenemos el ciclo que tarada en encender un led, mientras que en la segunda tenemos el pulso que
hace prender al led que segn nuestros cursores es aproximadamente de 130ms.
Figura 6.7 Habilitacin de la memoria SRAM con la GAL22V10D.

Cuestionario
1. Es posible llamar una y otra vez en forma recursiva a las subrutinas con la estructura de la pila de este
microprocesador?
Si ya que estas son ocupados para procesos de detencin del microprocesador como el uso del Stack pointer.
2. Porque se establece la direccin inicial de la pila en la direccin final de la SRAM y no en la posicin inicial.
Es debido a que la subrutina ocupa un concepto llamado LIFO (Last In Fi rts Out) este funciona como si fuera una tina
llena de bloques y donde el ltimo bloque es el primero que tomamos para vuestro uso.
3. Justifique la expresin de Boole empleada para la activacin de la SRAM.
Para activar la SRAM tenemos el uso de las direcciones A11-A15 igual que la EEPROm el problema aqu es que son las
mismas direcciones por lo que para evitar activar las dos memorias al mismo tiempo tendremos que negar A13 y A12 e
igual que la EEPROM usaremos una OR y una XNOR para RD y WR ya que no puede estar activadas al mismo tiempo.
4. Explique el concepto LIFO empleado en la pila del microprocesador Z80.
El trmino LIFO es el acrnimo ingls de Last In, First Out (ltimo en entrar, primero en salir) . El trmino LIFO se utiliza
en estructuras de datos y teora de colas. Guarda analoga con una pila de platos, en la que los platos van ponindose
uno sobre el otro, y si se quiere sacar uno, se saca primero el ltimo que se puso.
5. Como identifica el microprocesador a cul de las 2 memorias del circuito se est accediendo.
Atreves del uso de una tabla de verdad de direcciones con la cual tendremos que en cierta combinacin A12 y A13
son las que marcaran la diferencia entre usar la SRAM y EEPROM.
Conclusiones
Debido a que solo vimos como prendan los leds, no se logr ver cmo funciona una subrutina por lo que la nica
relacin que podemos hacer es que los leds tenan una secuencia infinita.
Como observacin la frecuencia de 4MHz no fue ptima para nuestro sistema ya que se pasmaba por lo que se debi
reducir la frecuencia a 3MHZ.
Bibliografa
Manual de Z80 Zilog
Diccionario De Informtica & Internet
Mrcia Regina Sawaya
Nobel
3ra edicin

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Figura 6.7 Habilitacin de la memoria SRAM con la GAL22V10D.

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