Invers or

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UNIVERSIDAD ALAS PERUANAS

Facultad de Ingenieras y Arquitectura


Escuela acadmico profesional de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones

CIRCUITO INVERSOR DE 12VDC A 220VAC


Curso:
ELECTRNICA INDUSTRIAL
Profesor:
ING. VELASQUEZ MACHUCA LUIS
Alumno:

Ciclo:
IX

CONTENIDO
1. OBJETIVOS 3
2. MARCO TEORICO

3. IMPLEMENTACION Y DIAGRAMA DE BLOQUES DEL INVERSOR

4. DISEO ORIGINAL 7
5. DISEO IMPLEMENTADO 8
6. CIRCUITO INVERSOR

10

7. FUNCIONAMIENTO y MEDICIONES OBTENIDAS


8. CONCLUSIONES

15

9. OBSERVACIONES

16

10.RECOMENDACIONES
11.BIBLIOGRAFA

12

16

17

1. OBJETIVOS
Implementar un inversor de 12Vdc a 220Vac
Afianzar el conocimiento sobre la forma de trabajo de los transistores BJT
y MOSFET

2. MARCO TEORICO
INVERSOR DE VOLTAJE DC A VAC
Es un dispositivo que nos
permite cambiar un voltaje de
entrada de corriente continua
determinada a un voltaje de
salida de corriente alterna,
con la magnitud y frecuencia
deseada por el usuario o el
diseador que es 160 Hz en
nuestro caso. Los inversores
se utilizan en una gran
variedad
de
aplicaciones,
desde pequeas fuentes de
alimentacin
para
computadoras, hasta aplicaciones industriales para controlar alta potencia.
Los inversores tambin se utilizan para convertir la corriente continua
generada por los paneles solares fotovoltaicos, acumuladores o bateras,
etc. en corriente alterna y de esta manera poder ser inyectados en la red
elctrica o usados en instalaciones elctricas aisladas donde no concurren
personas con frecuencia.

Un inversor simple consta de un oscilador que puede ser senoidales o


cuadrada que controla a un transistor, el cual se utiliza para interrumpir la
corriente entrante y generar una onda rectangular.
Esta onda rectangular alimenta a un transformador que suaviza su forma,
hacindola parecer un poco ms una onda senoidales y produciendo el
voltaje de salida necesario. Las formas de onda de salida del voltaje de un
inversor ideal deberan ser sinusoidales. Una buena tcnica para lograr
esto es utilizar la tcnica de PWM logrando que la componente principal
senoidales sea mucho ms grande que las armnicas superiores.

Los inversores ms modernos han comenzado a utilizar formas ms


avanzadas de transistores o dispositivos similares, como MOSFET e IGBT.
Los inversores ms eficientes utilizan varios artificios electrnicos para
tratar de llegar a una onda que simule razonablemente a una onda
senoidales en la entrada del transformador, en vez de depender de ste
para suavizar la onda.
Se pueden clasificar en general en dos tipos:
1) inversores monofsicos
2) inversores trifsicos.
Se pueden utilizar condensadores e inductores para suavizar el flujo de
corriente desde y hacia el transformador.
Adems, es posible producir una llamada "onda senoidales modificada", la
cual se genera a partir de tres puntos: uno positivo, uno negativo y uno de
tierra. Una circuitera lgica se encarga de activar los transistores de
manera que se alternen adecuadamente. Los inversores de onda
senoidales modificada pueden causar que ciertas cargas, como motores,
por ejemplo; operen de manera menos eficiente.
Los inversores ms avanzados utilizan la modulacin por ancho de pulsos
con una frecuencia portadora mucho ms alta para aproximarse ms a la
onda seno o modulaciones por vectores de espacio mejorando la distorsin
armnica de salida. Tambin se puede pre distorsionar la onda para
mejorar el factor de potencia (cos ).
Los inversores de alta potencia, en lugar de transistores utilizan un
dispositivo de conmutacin llamado IGBT (Insulated Gate Bipolar transistor
o Transistor Bipolar de Puerta Aislada).
ZONA DE TRABAJO DE TRANSISTORES
Una de las zonas de trabajo de los transistores es la de corte y saturacin
que permite que estos dispositivos se comporten como swicht
electrnicos, este es el uso que le damos a estos dispositivos en nuestro
proyecto tanto para los BJT como para los MOSFET.

EL MOSFET COMO INTERRUPTOR.


Sabemos que si en un MOSFET la tensin entre la Puerta y la Fuente es menor
que la tensin umbral, VGS<VT, el transistor est cortado. Es decir, entre los
terminales de Fuente y Drenador, la corriente es nula, ya que existe un circuito
abierto. Sin embargo, cuando VGS es mayor que VT se crea el canal, y el
transistor entra en conduccin. Cuanto mayor es la tensin de puerta menor es
la resistencia del canal, y sta puede llegar a aproximarse a un cortocircuito.
As, el MOSFET es capaz de funcionar como un interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea frecuentemente en electrnica digital,
para transmitir o no, los estados lgicos a travs de un circuito. Existe, sin
embargo, una pequea dificultad: cuando el MOSFET tipo N acta como
cortocircuito es capaz de transmitir las tensiones bajas; sin embargo las
tensiones altas se ven disminuidas en una cantidad igual al valor de la tensin
umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensin en sta ha de ser VH (VH >
VT). Al transmitir VH, el terminal de la izquierda acta
como Drenador, ya que est a una tensin ms alta, y
el de la derecha como Fuente. A medida que la
tensin en el terminal de Fuente aumenta, la tensin
entre la Puerta y la Fuente, VGS, disminuye. Todo esto
ocurre hasta que la tensin de la Fuente alcanza el
valor VH-VT, momento en que VGS iguala la tensin
umbral y el transistor deja de conducir.
En cambio, al transmitir la tensin VL el terminal de la
izquierda acta como Fuente y el de la derecha como
Drenador. La tensin entre la Puerta y la Fuente
permanece en todo momento constante, a igual a VH-VL (valor que debe ser
superior a la tensin umbral), por lo que en el Drenador se llega a alcanzar VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite correctamente las tensiones altas,
y falla en las bajas. Para evitar estos inconvenientes se conectan en paralelo
dos transistores MOSFET, uno N y otro P.
Para terminar este punto, las tensiones bajas son transmitidas sin error por el
MOSFET tipo N, mientras que las altas lo son por el tipo P. Esta configuracin,
se denomina puerta de paso. Para su funcionamiento, las tensiones en las
puertas han de ser complementarias (cuando una es alta la otra es baja, y
viceversa); esto se indica aadiendo un crculo a una de las puertas, o una
barra sobre una de las tensiones.

EL MOSFET COMO INVERSOR.


El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutacin implica que la tensin
de entrada y salida del circuito posee una excursin de tensin, elevada (de 0 a
VDD) entre los niveles lgicos alto H (asociada a la tensin VDD) y bajo L
(asociada a la tensin 0). Para el nivel bajo, se persigue que VGS > Vt y que el
transistor se encuentre trabajando en la regin hmica, con lo cual VDS << 1.
Mientras que para en el nivel alto, se persigue que la tensin de salida sea
elevada, y en general, que el transistor est funcionando en la regin de corte,
con VDS >> 1. Se puede considerar que, el transistor MOSFET es capaz de
funcionar como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se basa en sus
caractersticas en conmutacin: pasando de la regin de corte a la regin
hmica.
El transistor MOSFET en conmutacin, basado en un interruptor con resistencia
de Drenador, es fundamental en circuitos digitales, puesto que la conmutacin
de corte a saturacin y viceversa, implica unos tiempos de retardo de gran
importancia en estos sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una resistencia normal
como RD. En este circuito Vin puede ser alta o baja.
Cuando Vin est en nivel bajo, el MOSFET est en corte y Vout es igual a la
tensin de alimentacin. Cuando Vin est en nivel alto, el MOSFET est en
conduccin y Vout cae a un nivel bajo. Para que este circuito funcione la
corriente de saturacin ID (sat) tiene que ser menor que ID (on).
RDS (on) << RD

Se denomina inversor, porque la tensin de salida, es de nivel opuesto a la


tensin de entrada. Lo nico que se requiere en los circuitos de
conmutacin, es que las tensiones de entrada y de salida se puedan
reconocer fcilmente, ya sea en nivel alto o bajo.

3. IMPLEMENTACION Y DIAGRAMA DE BLOQUES DEL


INVERSOR
Inicialmente el diseo lo encontramos en una pgina de internet el cual fue
simulado el software proteus y funciono de forma eficiente, sin embargo
cuando lo llevamos a la prctica notamos que el oscilador constituido por
una compuerta NOT CMOS no era eficiente al momento de la prueba por lo
que decidimos cambiarlo por un NE 555 en configuracin ASTABLE

SWITCH CON MOSFET


TRANSFORMADOR

ETAPA DE
POTENCIA Y
GENERACION DE
SEAL ALTERNA

ALIMENTACION CON
7805
CONFIGURACION
ASTABLE DE 555

ZONA DE SATURACION
DE TRANSISTORES
C1815

ETAPA DE
GENERACION DE
ONDA

ETAPA DE
CONMUTACION Y
AMPLIFICACION

4. DISEO ORIGINAL

5.
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5.
DISEO IMPLEMENTADO
Previamente a implementarlo en una placa lo probamos en un protoboard
utilizando el siguiente diagrama

EL TRANSFORMADOR

Seal a la entrada del transformador:

6.
CIRCUITO INVERSOR
Circuito con la etapa de oscilacin y amplificacin

Circuito con la etapa de switching

10

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ESQUEMA DE LA PLACA EN PCB

ARMADO DE DISIPADOR
Como sabemos el trabajar con el encapsulado T220 requiere el uso de
disipadores en nuestro caso al utilizar 4 dispositivos MOSFET optamos por
utilizar un disipador para microprocesador con cooler integrado que permitir
el enfriamiento de estos dispositivos como se aprecia en la figura.

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7. FUNCIONAMIENTO y MEDICIONES OBTENIDAS


Utilizamos un generador de onda cuadrada con el NE555 que nos
determinara el tipo de seal que utilizaremos para alimentar nuestra carga
AC refinada con el transformador, y una salida doble en contrafase del
astable, para lo cual utilizamos una compuerta NOT 4069 de tecnologa
CMOS utilizando la seal de salida y su seal opuesta, de modo que a la
entrada de los transistores C1815 las salidas estn siempre desfasadas
180 o en contrafase, la frecuencia la podemos calcular utilizando la
frmula de la configuracin astable del 555.
T1=0.693(R7+R6) C2 =
T2=0.693.R6.C1 =
F=1/(T1+T2)= 160Hz
Este pulso recibido en la base de los BJT tiene suficiente nivel de voltaje
para con una resistencia calculada de 10k llevarlos al estado de corte y
saturacin.
El voltaje de base de los transistores es de 4.98 v y la corriente de base de
los transistores es de 0.5mA o 500uA.
Permitiendo una corriente de colector mxima de 17mA en el tiempo T1 y
0mA en el tiempo T2, y opuestamente al funcionamiento del otro
transistor.
La siguiente etapa consta de una configuracin push pull de transistores
MOSFET de canal N y canal P, esta etapa de potencia es esencial en este
inversor ya que esta configuracin nos proporcionara la energa necesaria
para para alimentar el transformador y obtener nuestra seal ac inducida
en la salida del transformador.
Los MOSFET tiene la caracterstica de tener un gran ancho de banda y una
gran velocidad de conmutacin por lo que la frecuencia con la que
trabajamos se encuentra total mente dentro del rango de trabajo. Mientras
aumenta la frecuencia mejor es la induccin en el secundario del
transformador por eso no utilizamos los 60Hz de la red sin embargo el
abuso de la alta frecuencia podra ocasionar daos en los dispositivos
como los bjt es por ello la limitacin de 160Hz.

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SEALES OBTENIDAS EN EL OSCILOSCOPIO DEL SOFTWARE PROTEUS


SALIDA DEL ASTABLE 555

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SEAL DE SALIDA
MOSFET

DE LOS TRANSISTORES BJT Y

Debido a que este circuito es de potencia no podemos medir


la salida y visualizar el voltaje de salida del transformador
para asegurar no descomponer nuestra herramienta de
medicin en este caso el osciloscopio.

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8. CONCLUSIONES
1. Debemos ser cuidadoso al momento de trabajar con este tipo de
circuitos ya que percibimos energa segn el diseo igual que la
tensin de red.
2. Este tipo de proyectos son muy tiles en lugares donde no contamos
con el servicio de energa elctrica, al cual se le puede acoplar un
panel solar de modo que aprovecharamos la energa solar que
tenemos a nuestro alrededor.
3. Mediante

este

circuito

comprobamos

el

funcionamiento

de

dispositivos conocidos, tales como transistores BJT y MOSFET.

4. Demostramos que con un poco de ingenio podemos lograr dar una


solucin eficaz a un gran problema que es el no contar con energa
elctrica.
5. Este trabajo se puede mejorar con el estudio de la cantidad energa
requerida para un determinado uso como tales como alimentar una
casa, una estacin de transmisin de telefona, un hibernadero, etc.
6. Estamos en la capacidad de dar soluciones demostrando una de las
ventajas de la ingeniera electrnica.

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9. OBSERVACIONES

Es crtico el tipo de materiales que se utilizan debido a que depende de estos la


salida que se pudiera obtener.

Cuando la seal es muy pequea no es posible observarla en el osciloscopio eso


en el rango de menos de 20mV.

10.

RECOMENDACIONES

Probar cada instrumento antes de usarlo como el osciloscopio, para verificar el


correcto funcionamiento de cada uno Ajustar la escala del osciloscopio de 1 10
para no tener problemas en el momento de visualizar la seal.

Graduar la fuente de alimentacin con la que vamos a trabajar y comprobar el valor


con el multmetro.

No olvidar cambiar la escala del multmetro para las diferentes medidas que se van
a realizar ya sea resistencia o voltaje.

Asegurarse de que haya buen contacto en el momento de armar el circuito en el


protoboard. Esto podra ocasionar problemas.

Verificar si cada herramienta est funcionando correctamente

17

Armar los circuitos siguiendo el diseo del ejercicio

18

11.

BIBLIOGRAFA

1. Linear Databook de los fabricantes de los circuitos integrados 2009.


2. J. Jacob, Applicati ons and Design with Analog Integrated Circuits, Prentice-Hall,
1993.
3. Circuitos electrnicos por Lpez Arambur, Fernando/ Lima Ciencias 2003.

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