Efecto Hall
Efecto Hall
Efecto Hall
= [1]
donde E
p
es el ancho de energa de la BP del SC, k=8.62510
-5
eV/K es la constante de
Boltzmann y T la temperatura absoluta (en K).
Recordemos que:
o la conductividad es el inverso de la resistividad , y sus unidades son (m)
-1
.
o la densidad de corriente (corriente por unidad de rea) es J = qnv, donde n es la
concentracin de portadores, y segn la ley de Ohm: J = E.
o la velocidad promedio de los portadores es v = E, donde es la movilidad de los
portadores.
Por tanto:
E E J = = qn [2]
de donde
qn = [3]
2.2 Efecto Hall en un semiconductor.
Si un material SC de forma rectangular con una anchura h, un espesor d y una longitud l por
el que circula una corriente estacionaria I es colocado en el seno de un campo magntico
homogneo B como muestra la figura 2, los portadores de carga negativa (electrones, q=-e) o
positiva (huecos, q=e), que se mueven con una velocidad promedio v, sienten la accin de la
fuerza magntica o de Lorentz dada por F = q (v x B). Esta fuerza hace que los portadores se
desven, acumulndose en la regin superior (canto trasero) o inferior (canto frontal) del SC,
dependiendo del tipo de conductividad n o p de ste (ver figura 3) y del sentido de I y B.
Figura 1. Dependencia de la conductividad
con la temperatura en un SC.
2
Figura 2. Efecto Hall en un semiconductor tipo n.
La acumulacin de portadores en estas regiones genera un campo elctrico denominado
campo de Hall E
H
,
que es perpendicular a B y I y que se opone a que ms portadores se
acumulen, alcanzndose el equilibrio para valores dados de I y B. Ligada a E
H
aparece el
voltaje de Hall, V
H
= E
H
d, que se puede medir conectando un voltmetro como se muestra en
la figura 2. Dependiendo de si la lectura del voltmetro es positiva o negativa, y conociendo el
sentido del B y de la corriente I que circula por el circuito proporcionada por la batera,
podemos deducir si los portadores de carga en el material SC son las cargas positivas (huecos)
o las negativas (electrones). Como se puede comprobar en el caso de figura 2 los portadores
son los electrones, as como en la figura 3a), mientras que en la 3b) los portadores son los
huecos.
Figura 3. a) SC tipo n: los portadores son electrones. b) SC tipo p: los portadores son huecos.
En el equilibrio, es decir, cuando la fuerza elctrica debida al campo de Hall F
H
se iguala a la
fuerza de Lorentz F
L
tenemos:
vB E qvB qE
H H
= = =
L H
F F
ya que
H H H H
F E F qE q = =
y
B v F B v F
L L
= = si , qvB ) q(
Como el espesor de la muestra SC es d entonces el voltaje de Hall V
H
ser:
vB E V
H H
d d = =
Sabiendo que la densidad de corriente es:
qnv J =
3
y que adems, J=I/A, donde A es el rea de la muestra (A=dh), entonces:
nqA
I
nq
J
v qnv J = = = = J
y podemos escribir V
H
como:
nq
IB
B
nq
I
V
H
h
d
dh
= =
Si denotamos por R
H
al coeficiente de Hall, cuya expresin viene dada por 1/qn, y que tiene
valor positivo en el caso de huecos y negativo en el caso de electrones, tenemos finalmente:
h
I
B R V
H H
= [4]
Por tanto podemos rescribir la ecuacin [3] utilizando el coeficiente de Hall como
H
R
= [5]
3 Para saber ms...
TIPLER P.A. y MOSCA, G., Fsica para la Ciencia y la Tecnologa, Vol 2. 5 edicin.
Ed. Revert, Barcelona, 2005. Captulo 26. Pginas 783-785.
SERWAY, R.A y JEWETT, W. Fsica, Vol 2, 3 edicin. Ed. Thomson-Paraninfo,
Madrid, 2003. Captulo 2. Pginas 843.
En internet
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html
http://www.eeel.nist.gov/812/effe.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_Hall
http://personales.upv.es/jquiles/prffi/magnetismo/ayuda/hlphall.htm
4
4 Material
1. Mdulo de Hall
2. Placa portadora del semiconductor (germanio tipo p o n)
Dimensiones del SC: d = 1 mm, h = 10 mm y l =20 mm
3. Electroimn
4. Fuente de alimentacin
5. Teslmetro
6. Polmetro digital
7. Sonda para medir el campo magntico tangencial
8. Cables de conexin
Figura 4.Puesto de trabajo e instrumentacin.
4
5
1
6
3
7
2
8
5
5 Mtodo experimental
5.1 Medida del potencial de Hall V
H
como funcin de la intensidad de la corriente que circula
por la muestra.
5.1.1 Con la fuente apagada (interruptor en el panel trasero del equipo) comprobar
que:
- el selector de salida de voltaje en CA (puente 1) se encuentra en la posicin de
12 V.
- la posicin de los controles de voltaje (2) y corriente (3) se encuentran al
mnimo.
Figura 5. Fuente de voltaje en CC y CA.
5.1.2 Conectar la salida de voltaje en CA de la fuente (4) a la entrada del mdulo de
Hall (5), marcada con 12V~ y que se encuentra en la parte trasera del mismo.
Figura 6. Mdulo de Hall. Vista frontal y trasera.
5.1.3 Conectar la salida de voltaje en CC de la fuente (6) a los dos extremos libres del
electroimn (uno a cada lado) (7a y 7b). Tener en cuenta que la polaridad que
se elija cambia el sentido de la corriente en las bobinas del electroimn y con
ello el sentido del campo magntico.
1
2
3
4
6
5
14
18
17
16
15
6
Figura 7. Electroimn.
5.1.4 Colocar la parte superior del ncleo de hierro del electroimn (8).
5.1.5 Calibracin del teslmetro:
- Conectar la sonda (medidor del campo magntico
tangencial) en la clavija correspondiente del
teslmetro (9) y encender ste mediante el
interruptor en la parte trasera del equipo.
- Comprobar que el selector de campo magntico
(10) est en continuo (Direct Field).
- Alejar la sonda del electroimn lo mximo
posible.
Colocar el selector de escala (11) en la escala de
1000 y ajustar con el control fino (12) hasta que
la medida del campo sea cero. Bajarlo de escala
progresivamente (a 200 y a 20) y realizar el
mismo ajuste. En caso de que no se consiga
ajustar la lectura del campo a cero, utilizar el
botn rojo (13) situado bajo el sel
-
ector de escala.
Mover este botn delicadamente.
Figura 8. Teslmetro.
5.1.6
electroimn. Atencin! La sonda no debe quedar
presionada contra la muestra.
5.1.7
H
en el mdulo de Hall, encenderlo y
seleccionar la escala de 200 mV en CD.
5.1.8
rario,
seleccionar con el botn (16) marcado con Display la medida de corriente.
Retirar la parte superior del ncleo de hierro del electroimn situada frente al
semiconductor, insertar delicadamente la sonda en la ranura del mdulo de Hall
hasta el final, con la etiqueta del mando de espaldas al observador, y comprobar
que la punta del sensor queda justo enfrente de la muestra semiconductora.
Volver a colocar la cabeza del
Conectar el polmetro como voltmetro respetando la polaridad en la salida del
voltaje de Hall (14), etiquetado con U
Encender la fuente y comprobar que en el mdulo de Hall, la lectura de la
pantalla corresponde a corriente (led mA (15) encendido). En caso cont
8
7a
7b
8
10
9
11
12
13
7
5.1.9
etro sea de 300mT. El
selector de escala del teslmetro ha de estar en 1000.
5.1.10
metro, en la escala de
200 mV, sea lo ms cercana a cero posible. Ver figura 9.
Ajustar el control de corriente (3) en la fuente a 2A; no sobrepasar este valor.
Aumentar V con el control de voltaje (2) de la fuente hasta conseguir que la
lectura del valor del campo magntico en el teslm
Con el control de corriente (17) en la muestra semiconductora, marcada con I
p
en el mdulo de Hall, ajustar hasta que la lectura de la corriente en la pantalla
del mdulo sea 0, y con el control (18) marcado con U
H
comp (voltaje
compensador de Hall), ajustar hasta que la lectura del pol
Figura 9. Montaje para la medida de V
H
frente a I.
5.1.11
e de Hall para cada
paso. Con estos valores construir una tabla de V
H
frente a I.
5.1.12 grficamente V
H
frente a I. Realizar un ajuste por mnimos
cuadrados.
5.1.13
de la concentracin de portadores n o p a partir de los
parmetros de ajuste.
Variar la corriente en la muestra utilizando el control I
p
(17) desde 60 mA
hasta 60 mA en pasos de 10 mA. En ningn caso superar estos valores y mover
el control con mucha delicadeza. Tomar la lectura del voltaj
Representar
Interpretar los valores de los parmetros de ajuste, utilizando para ello la
ecuacin [4]. Decir cul es el signo del portador de carga. Obtener el valor del
coeficiente de Hall R
H
y
8
5.2 Medida del potencial de Hall V como funcin de la intensidad del campo magntico.
.2.1 Fijar el valor de la corriente en la muestra con el control I (17) a 20 mA.
5.2.2
ara
cada paso. No sobrepasar en ningn caso el valor de 350 mT. Ver figura 10.
H
5
p
Con el control de V de la fuente (2) aumentar la intensidad del campo magntico
en la muestra hasta 350 mT, en pasos de 50 mT y tomar la lectura de V
H
p
Figura 10. Montaje para l da de V frente a B
5.2.3.
e lo ha hecho el signo de V
H
. Repetir el paso 5.2.2. desde 0
hasta 350 mT.
.2.4 Construir una tabla de V frente a B.
5.2.5 grficamente V
H
frente a B. Realizar un ajuste por mnimos
cuadrados.
5.2.6
ste y compararlo con el obtenido en el apartado 5.1.13.
Comentar el resultado.
a medi
H
Invertir el sentido del campo magntico en el electroimn. Para ello,
intercambiar los cables en las entradas (7a) y (7b). Comprobar que el signo en
la lectura del campo magntico en el teslmetro ha cambiado, y
consecuentement
5
H
Representar
Interpretar los valores de los parmetros de ajuste, utilizando para ello la
ecuacin [4]. Obtener el valor de la concentracin de portadores n o p a partir
de los parmetros de aju
9