El Transistor BJT y SCR
El Transistor BJT y SCR
El Transistor BJT y SCR
Objetivo:
conocer el funcionamiento teorico-practico y aplicaciones del transistor BJT
1.Caractersticas y comportamiento del transistor basico BJT NPN y PNP 2.Curva caracterstica 3.E emplos de !uncionamiento ".#plicaciones Jabil $ el scr % el triac
Temas:
) El nombre de B(* se debe a su abreviacin ( bipolar junction transistor = transistor de unin bipolar ) *ecnol+icamente se desarrollaron antes ,ue los de efecto de campo o -E*. Los transistores bipolares se usan +eneralmente en electrnica anal+ica. *ambi.n en al+unas aplicaciones de electrnica di+ital como la tecnolo+/a **L o B0123&. )
%eg&n la frmula anterior las corrientes no dependen del $olta'e que alimenta el circuito ((cc), pero en la realidad si lo hace y la corriente b cambia ligeramente cuando se cambia (cc. (er figura.
Ejemplos de funcionamiento
* Funcionamiento de un switch con transistor
Ejemplos de funcionamiento
compuerta not con transitores
Ejemplos de funcionamiento
compuerta or con transistores
Ejemplos de funcionamiento
*compuertas varias
La funcion que cumplen nuestros 2 transistores son la de s itc!ar un "oltaje que en este caso alimentaran a la memoria flas! con 12# $ esta memoria consume un ni"el moderado%bajo de corriente$ por lo que se implementaron 2 transistores$ el &22 es de mas potencia que el transistor de uso 'eneral q21 equi"alente al conocido 2n 2222. Cuando nuestro circuito desea alimentar a la memoria flas!$ tendremos que mandara saturacion nuestros 2 transistores $ y en la linea (EE) se tendra que aparecer un "oltaje positi"o *debido a que nuestro transistor es n)n+$ con una corriente capa, de poder lle"ar a saturaci-n nuestro transistor &21$ esto se obtiene acerc.ndonos a nuestro "oltaje de colector en base$ en este caso la se/al pro"iene de un circuito di'ital *microcontrolador+ que proporciona una salida de 0" con una baja corriente $ este "oltaje y corriente son suficientes para lle"ar a saturaci-n nuestro transistor aun pasando a tra"es de la resistencia de protecci-n de 111 o!ms R23$ al lle"ar a la saturaci-n a nuestro transistor &22$ el potencial que se encuentra en el emisor 456$ casi se i'uala con el del colector$ obteniendo asi la saturaci-n a!ora de transistor &22 que es un p5p$ nuestro se'undo transistor al ser de mayor potencia$ posee una Beta mas peque/a$ lo que nos obli'a a proporcionar corrientes un poco mas ele"adas en su base para poderlo lle"ar a la saturaci-n$ esto se obtiene 'racias &21 que nos ayuda a ase'urar una corriente suficiente el la base del &22$ por su parte el &22 al estar saturado$ i'uala el potencial de su emisor con el de su colector *12#+$ obteniendo asi la alimentaci-n de la memoria flas! con una corriente suficiente. La resistencia R30 de 117 ubicada entre el emisor*121"+ y la base del &22$ actua como pull up en la base del tranjsistor )5) y e"itar disparos indeseados.
modelo a transistor4