意味 | 例文 (10件) |
CAP1を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
The CAP1 has a high milk clotting activity rate and is usable as a milk-clotting enzyme.例文帳に追加
CAP1は凝乳活性の比率が高く、凝乳酵素として利用可能である。 - 特許庁
The sample-and-hold circuit 300 includes a switch SW1, a capacitor CAP1, and an amplifier 310.例文帳に追加
サンプルホールド回路300は、スイッチSW1とキャパシタCAP1と増幅器310とを有している。 - 特許庁
A 1st terminal of the capacitor CAP1 is coupled to the 2nd terminal of the switch SW1, and a 2nd terminal of the capacitor CAP1 is coupled to a voltage for storing the sampling result of the input signal V_in.例文帳に追加
キャパシタCAP1の第一の端子はスイッチSW1の第二の端子に接続され、キャパシタCAP1の第二の端子は電圧に接続され、入力信号V_inのサンプリング結果を蓄積する。 - 特許庁
This new aspartic protease CAP1 has only at most 37% homology with known protease, has more homology to pepsin secreted by mammalian in the stomach than microorganism-originated aspartic protease and has a very unusual sequence.例文帳に追加
この新規アスパラギン酸プロテアーゼCAP1は、公知のプロテアーゼと最大でも37%の相同性しか有さず、また、微生物由来のアスパラギン酸プロテアーゼよりも哺乳類が胃内に分泌するペプシンに相同性があり、非常に珍しい配列を有する。 - 特許庁
A plurality of cognitive gateways CGW1 and CGW2 are arranged on the upper layer of the plurality of cognitive base stations CBS1 and cognitive access points CAP1.例文帳に追加
複数のコグニティブゲートウェイCGW1,CGW2は、複数のコグニティブ基地局CBS1及びコグニティブアクセスポイントCAP1よりも上位層に配置される。 - 特許庁
The first and second previously defined application open signals SO1 and SO2 are defined without depending on fundamental technology of the plural terminal performance means CAP1, CAP2, CAP3 and CAP4.例文帳に追加
第1および第2の事前定義されたアプリケーションオープン信号SO1およびSO2は複数の端末性能手段CAP1、CAP2、CAP3、CAP4の基礎技術には依存せずに定義されている。 - 特許庁
A plurality of cognitive base stations CBS1 and cognitive access points CAP1 are arranged on the upper layer of the plurality of cognitive terminals CAT1 and CAT2.例文帳に追加
複数のコグニティブ基地局CBS1及びコグニティブアクセスポイントCAP1は、複数のコグニティブ端末CAT1,CAT2の上位層に配置される。 - 特許庁
The first capacitor CAP1 has a first lower electrode 51 formed on the first upper surface and an upper electrode 70 formed on the first lower electrode 51 via a dielectric film 60.例文帳に追加
第1キャパシタCAP1は、第1上面上に形成された第1下部電極51と、第1下部電極51上に誘電体膜60を介して形成された上部電極70と、を備える。 - 特許庁
A semiconductor apparatus has a semiconductor substrate 10, an insulating layer 20 formed on the semiconductor substrate 10 with an opening OP, and first and second capacitors CAP1 and CAP2 formed on the insulating layer 20.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板10と、半導体基板10上に形成され、且つ、開口部OPを有する絶縁層20と、絶縁層20上に形成された第1キャパシタCAP1及び第2キャパシタCAP2と、を備える。 - 特許庁
The semiconductor storage device 80 includes memory transistors TR1 and TR2 which are disposed adjacently in the same element formation region and have a pair of source/drain layers 5, and ferroelectric capacitors CAP1 and CAP2 connected through a via and a barrier metal film 13 to the other one of source/drain layers 5 of the memory transistors and one of the source/drain layers 5 of the memory transistor TR2.例文帳に追加
半導体記憶装置80は、同一素子形成領域に隣接配置される、一対のソース/ドレイン層5を有するメモリトランジスタTR1及びTR2と、メモリトランジスタのソース/ドレイン層5の他方とメモリトランジスタTR2のソース/ドレイン層5の一方に、ビア及びバリアメタル膜13を介して接続される強誘電体キャパシタCAP1及びCAP2とを有する。 - 特許庁
意味 | 例文 (10件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
![]() ログイン |
Weblio会員(無料)になると
![]() |
![]() ログイン |
Weblio会員(無料)になると
![]() |