p*rnとは 意味・読み方・使い方

When the monitored signal strength difference D_n is equal to and higher than the threshold W, the measured duration P_Mn is stored as holding time P_Rn.例文帳に追加

また、監視している信号強度差Ｄ_ｎがＷ閾値以上になったときは、測定した持続時間Ｐ_Ｍｎを保持時間Ｐ_Ｒｎとして保持する。 - 特許庁

When the sum total of the measured duration P_Mn and the stored holding time P_Rn is equal to or higher than a specified value P_Tn, the n-th measurement cell is notified to a radio network controller.例文帳に追加

そして、測定した持続時間Ｐ_Ｍｎおよび保持した保持時間Ｐ_Ｒｎの合計が規定値Ｐ_Ｔｎ以上になったとき、当該ｎ番目の測定セルを無線ネットワーク制御装置に報告する。 - 特許庁

The method includes: injecting boron into an NMOS region RN using a resist mask 31 and other resist masks as an injection mask; and forming p-type impurity regions which become a halo region of access transistor and drive transistor.例文帳に追加

レジストマスク３１と他のレジストマスクを注入マスクとして、ＮＭＯＳ領域ＲＮにボロンを注入することにより、アクセストランジスタおよびドライブトランジスタのハロ領域となるｐ型不純物領域が形成される。 - 特許庁

Here, a combat scene between an enemy EN and a principal HI is animated and displayed in accordance with the values of a point P and damage D selected in accordance with a random number RN.例文帳に追加

ここでは、敵ＥＮと主人公ＨＩとの攻防シーンが乱数値ＲＮに従って選択されたポイントＰとダメージＤの値に応じて動画表示される。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step wherein after P+ ions are implanted into a polysilicon film 7 in an nMOSFET region Rn, a heat treatment is given to diffuse phosphorus into a lower portion of the film 7.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴ領域Ｒｎのポリシリコン膜７に、Ｐ+ のイオン注入を行った後、リンをポリシリコン膜７の下部にまで拡散させるために熱処理を行う。 - 特許庁

A High-k insulating film 103, an N-type transistor cap film 104 and a metal containing film 105 are deposited sequentially over the whole surface of a semiconductor substrate 101 including an N-type transistor area Rn and a P type transistor area Rp.例文帳に追加

Ｎ型トランジスタ領域ＲｎとＰ型トランジスタ領域Ｒｐとを含む半導体基板１０１上の全面にHigh-k絶縁膜１０３、Ｎ型トランジスタ用キャップ膜１０４及び金属含有膜１０５を順次堆積する。 - 特許庁

Then, after donor impurities are injected in the NMIS region RN and acceptor impurities are injected in the PMIS region RP among the first polysilicon film E1a and a second polysilicon film formed thereon, these are processed to form an n-type gate electrode and a p-type gate electrode.例文帳に追加

その後、第１多結晶シリコン膜Ｅ１ａおよびその上に形成した第２多結晶シリコン膜のうち、ＮＭＩＳ領域ＲＮにはドナー不純物を、ＰＭＩＳ領域ＲＰにはアクセプタ不純物を注入した後、これらを加工して、ｎ型のゲート電極とｐ型のゲート電極とを形成する。 - 特許庁