三結晶法の英語

無水結晶性ドセタキセルを水に懸濁後、ろ過し乾燥して結晶性ドセタキセル三水和物を得る方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for obtaining crystalline docetaxel trihydrate by suspending anhydrous crystalline docetaxel in water and subsequently filtering and drying it. - 特許庁

少なくとも多結晶セットチャンバ、ゾーニングチャンバおよび単結晶取出しチャンバを具備するフローティングゾーン法（ＦＺ法）による単結晶育成装置において、チャンバに近接して設ける作業用フロアを、少なくとも多結晶セット用、ゾーニング用および単結晶取出し用の各作業面に対応する位置に三箇所設けることを特徴とするＦＺ法単結晶育成装置。例文帳に追加

This single crystal-growing apparatus is obtained by providing three floors for working respectively in close to chambers corresponding to respecting working faces at least for multicrystal set, for zoning and for taking out of single crystal, in the apparatus for growing crystal by floating zone method(FZ method), equipped with at least multicrystal set chamber, a zoning chamber and a single crystal taking out chamber. - 特許庁

半導体分野等を含め非常に応用の広い炭化珪素単結晶を得ること、及び、炭化珪素単結晶に三フッ化窒素プラズマを用いて平滑にできる炭化珪素単結晶のエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide single crystal of wide applications, including semiconductor category, and to provide the etching method of the silicon carbide single crystal, capable of smoothing with nitrogen trifluoride plasma on it. - 特許庁

複合金属超微粒子三次元超結晶及びその製造方法、並びに製造装置例文帳に追加

THREE-DIMENSIONAL SUPER CRYSTAL COMPOSITE METAL ULTRAFINE PARTICLE, METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

高加工精度な三次元ナノフォトニック結晶を容易に形成できる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for easily forming a three-dimensional photonic crystal with high working precision. - 特許庁

三次元構造が制御された金属酸化物微結晶体、および三次元構造を制御可能な金属酸化物微結晶体の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a metal oxide minute crystal controlled in three-dimensional structure, and a manufacturing method of a metal oxide minute crystal capable of controlling its three-dimensional structure. - 特許庁

複合金属超微粒子から構成される三次元超結晶、及びこの三次元超結晶を工業的規模で安定に作製できるようにした製造方法並びに製造装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To obtain a three-dimensional super crystal constituted of composite metal ultrafine particles and to provide both a method for stably producing the three-dimensional super crystal on an industrial scale and a production apparatus therefor. - 特許庁

結晶成長方法に関し、ゾーン法を適用して三元以上の化合物半導体結晶を成長させるに際し、るつぼの形状に合わせて加工した材料など面倒な成長材料を用いることなく結晶成長を行うことができるようにする。例文帳に追加

To perform crystal growth without using any elaborated growth material such as a material fabricated correspondingly to the shape of a crucible, in the growth process for an at least ternary compound semiconductor crystal, using a zone method. - 特許庁