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FZ methodとは 意味・読み方・使い方
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「FZ method」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL BY FZ METHOD例文帳に追加
FZ法単結晶育成装置 - 特許庁
METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL BY FZ METHOD例文帳に追加
FZ法半導体単結晶成長方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL BY FZ (FLOATING ZONE) METHOD例文帳に追加
FZ法シリコン単結晶の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL BY FZ METHOD例文帳に追加
FZ法シリコン単結晶の製造方法 - 特許庁
MEASUREMENT METHOD AND SYSTEM DURING MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL BY FZ METHOD, AND CONTROL METHOD AND SYSTEM DURING MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL BY FZ METHOD例文帳に追加
FZ法半導体単結晶製造時の測量方法、測量システム、FZ法半導体単結晶製造時の制御方法、制御システム - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CRYSTAL BY FZ METHOD例文帳に追加
FZ法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 - 特許庁
A β-Ga_2O_3-based single crystal 8 is produced by the FZ method (floating-zone method).例文帳に追加
β−Ga_2O_3系単結晶8は、FZ法(フローティングゾーン法)により製造される。 - 特許庁
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「FZ method」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
METHOD AND SYSTEM FOR AUTOMATICALLY ADJUSTING POSITION OF IMAGE MEASUREMENT CAMERA IN FZ METHOD例文帳に追加
FZ法における画像計測カメラ位置の自動調整方法、自動調整システム - 特許庁
SILICON CRYSTAL MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING FZ (FLOATING-ZONE) SILICON SINGLE CRYSTAL USING THE MATERIAL例文帳に追加
シリコン結晶素材及びこれを用いたFZシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁
In addition, defining (Fx^(n+1), Fy^(n+1), Fz^(n+1))=(fx^(n+1), fy^(n+1), fz^(n+1)), each axis torque Ti is calculated by the Newton-Euler method and employed in a torque command (step S3).例文帳に追加
更に、(Fx^(n+1),Fy^(n+1),Fz^(n+1))=(fx^(n+1),fy^(n+1),fz^(n+1))として、Newton−Euler法により、各軸のトルクTiを計算し、トルク指令に採用する(ステップS3)。 - 特許庁
To prevent generation of a defect just after starting bring up monocrystal by making an adjusting operation of FZ monitoring operation and a device main body easy, in the monocrystal bring up device of FZ method.例文帳に追加
FZ法の単結晶育成装置において、FZの監視作業及び装置本体の調整作業を容易にし、育成開始直後の不具合の発生を防止する。 - 特許庁
The method for producing the gallium oxide single crystal which applies an FZ method (floating zone melting method) in multistep is characterized in that the gallium oxide single crystal is obtained by using the gallium oxide single crystal produced by the FZ method as a source rod and is obtained under the atmosphere containing oxygen by the FZ method, wherein the crystal grows within 2.5-20 mm/h of a growth rate.例文帳に追加
FZ法(浮遊帯域溶融法)により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にFZ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にFZ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を2.5〜20mm/hの範囲で結晶成長させる。 - 特許庁
To provide a method of stably manufacturing a silicon single crystal to be manufactured by FZ method with prescribed resistivity.例文帳に追加
FZ法で製造されるシリコン単結晶を所定の抵抗率で安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF FZ SINGLE CRYSTAL SILICON USING SILICON CRYSTAL ROD MANUFACTURED BY CZ METHOD AS RAW MATERIAL例文帳に追加
CZ法により製造したシリコン結晶棒を原料としたFZ単結晶シリコンの製造方法 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a silicon wafer having uniform in-plane resistance by an FZ (floating zone) method.例文帳に追加
面内抵抗が均一なFZ法(フローティングゾーン法)によるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
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