Arsen(III)-selenid

Kristallstruktur
	_ As3+ 0 _ Se2−
Kristallsystem	monoklin
Raumgruppe	P21/n (Nr. 14, Stellung 2)
Gitterparameter	a = 1207,74 pm; b = 990,37 pm; c = 428,35 pm; β = 90,458°
Allgemeines
Name	Arsen(III)-selenid
Andere Namen	Arsentriselenid
Verhältnisformel	As2Se3
Kurzbeschreibung	brauner geruchloser Feststoff
Externe Identifikatoren/Datenbanken
EG-Nummer	215-119-5
ECHA-InfoCard	100.013.745
PubChem	14772
Wikidata	Q4119943
Eigenschaften
Molare Masse	386,7 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	4,75 g·cm−3
Schmelzpunkt	360 °C
Löslichkeit	nahezu unlöslich in Wasser
Sicherheitshinweise
H- und P-Sätze	H: 301‐331‐373‐410
	P: 260‐264‐301+310‐304+340‐311‐403+233
Toxikologische Daten	> 5000 mg·kg−1 (LD50, Ratte, oral)
	Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet.; Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Arsen(III)-selenid (As₂Se₃) ist ein Selenid gebildet aus den beiden chemischen Elementen Arsen und Selen.

Gewinnung und Darstellung

Arsen(III)-selenid kann durch Reaktion der Elemente im Vakuum bei Temperaturen über 200 °C gewonnen werden.^[5]

\mathrm {2\ As+3\ Se\longrightarrow As_{2}Se_{3}}

Eigenschaften

Arsen(III)-selenid ist ein schwarzglänzendes sprödes Granulat oder blättriges Pulver, das praktisch unlöslich in Wasser ist. Es ist instabil bei erhöhter Temperatur. Infolge leichter Oxidierbarkeit muss stets mit der Anwesenheit von Arsen- und Selenoxid gerechnet werden. Der Schmelzpunkt der amorphen Substanz unter Luftausschluss liegt bei 360 °C.^[3] Arsen(III)-selenid besitzt eine monokline Kristallstruktur mit der Raumgruppe P2₁/n (Raumgruppen-Nr. 14, Stellung 2)Vorlage:Raumgruppe/14.2.^[6] Es existiert jedoch noch zwei Hochdruckmodifikationen, wobei die zuerst entstehende eine monokline Kristallstruktur mit der Raumgruppe C2/m (Raumgruppen-Nr. 12)Vorlage:Raumgruppe/12 besitzt.^[7]

Verwendung

Anwendung findet Arsentriselenid als lichtempfindliche Beschichtung und als Photoleiter an der Oberfläche der Transfertrommel bei Geräten der Elektrofotografie wie Kopiergeräten und Laserdruckern.^[8] Arsenselenid wird als Chalcogenidglas für Infrarotoptiken verwendet, da es Licht mit Wellenlängen zwischen 870 nm und 17.200 nm überträgt.^[2]

Einzelnachweise

↑ A.C. Stergiou, P.J. Rentzeperis: The crystal structure of arsenic selenide, As₂Se₃. In: Zeitschrift für Kristallographie, 1985, 173, S. 185–191 doi:10.1524/zkri.1985.173.3-4.185
↑ ^a ^b ^c ^d ^e Datenblatt Arsenic(III) selenide, 99.999% (metals basis) bei Alfa Aesar, abgerufen am 24. Oktober 2013 (Seite nicht mehr abrufbar).
↑ ^a ^b ^c ^d Eintrag zu Arsentriselenid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 8. Januar 2020. (JavaScript erforderlich)
↑ Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter die Gruppeneinträge zu arsenic compounds, with the exception of those specified elsewhere in this Annex und selenium compounds with the exception of cadmium sulphoselenide and those specified elsewhere in this Annex im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 18. März 2017. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.
↑ Moriaki Wakaki, Takehisa Shibuya, Keiei Kudo(deceased): Physical Properties and Data of Optical Materials. CRC Press, 2007, ISBN 978-1-4200-1550-8, S. 30 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
↑ Roger Blachnik (Hrsg.): Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Begründet von Jean d’Ans, Ellen Lax. 4., neubearbeitete und revidierte Auflage. Band 3: Elemente, anorganische Verbindungen und Materialien, Minerale. Springer, Berlin 1998, ISBN 3-540-60035-3, S. 308 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
↑ Z. Borisova: Glassy Semiconductors. Springer Science & Business Media, 2013, ISBN 978-1-4757-0851-6, S. 191 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
↑ Patent EP26384: Verfahren zum Glätten einer aus As₂Se₃ bestehenden fotoleitenden Schicht. Angemeldet am 12. September 1980, veröffentlicht am 8. April 1981, Anmelder: Siemens Aktiengesellschaft, Erfinder: Eberhard Bayer, Karl Kempter, Hauke Harms, Andreas Meyer.‌

[1] A.C. Stergiou, P.J. Rentzeperis: The crystal structure of arsenic selenide, As₂Se₃. In: Zeitschrift für Kristallographie, 1985, 173, S. 185–191 doi:10.1524/zkri.1985.173.3-4.185

[Alfa-2] Datenblatt Arsenic(III) selenide, 99.999% (metals basis) bei Alfa Aesar, abgerufen am 24. Oktober 2013 (Seite nicht mehr abrufbar).

[GESTIS-3] Eintrag zu Arsentriselenid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 8. Januar 2020. (JavaScript erforderlich)

[CLP_100.240.769-4] Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter die Gruppeneinträge zu arsenic compounds, with the exception of those specified elsewhere in this Annex und selenium compounds with the exception of cadmium sulphoselenide and those specified elsewhere in this Annex im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 18. März 2017. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.

[Moriaki_Wakaki,_Takehisa_Shibuya,_Keiei_Kudo(deceased)-5] Moriaki Wakaki, Takehisa Shibuya, Keiei Kudo(deceased): Physical Properties and Data of Optical Materials. CRC Press, 2007, ISBN 978-1-4200-1550-8, S. 30 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

[Jean_d’Ans,_Ellen_Lax,_Roger_Blachnik-6] Roger Blachnik (Hrsg.): Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Begründet von Jean d’Ans, Ellen Lax. 4., neubearbeitete und revidierte Auflage. Band 3: Elemente, anorganische Verbindungen und Materialien, Minerale. Springer, Berlin 1998, ISBN 3-540-60035-3, S. 308 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

[Z._Borisova-7] Z. Borisova: Glassy Semiconductors. Springer Science & Business Media, 2013, ISBN 978-1-4757-0851-6, S. 191 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

[eppat1-8] Patent EP26384: Verfahren zum Glätten einer aus As₂Se₃ bestehenden fotoleitenden Schicht. Angemeldet am 12. September 1980, veröffentlicht am 8. April 1981, Anmelder: Siemens Aktiengesellschaft, Erfinder: Eberhard Bayer, Karl Kempter, Hauke Harms, Andreas Meyer.‌

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Verwendung

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