2017年には1台の技術「3D V-NAND」を解説 ライター：米田 聡 2014年7月1日に掲載したレビュー記事，そしてイベントレポートでお伝えしたとおり，Samsung Electronics（以下，Samsung）の新型PCユーザー向け製品として初めて「3D V-NAND」（Three-Dimensional Vertical NAND）技術を用いたフラッシュメモリを搭載するのが最大の特徴だ。 3D V-NANDによる効果の一端は，it」のセッションに基づいて紹
フラッシュストレージ市場が日本でも本格化。Violin Memory、Pure Storageが相次いで国内参入 いま、ストレージに内蔵されるデバイスはディスクドライブからフラッシュメモリのような半導体へと進化の途上にあります。この大きな変化の中で、1月21日と22日、米国の新興フラッシュストレージベンダが相次いで日本への参入を発表しました。いずれも企業の基幹業務向け共有ストレージアレイを、フラッシュメモリベースで開発したものです。 両社ともに、その最大の競合はEMCや技術で立ち向かうことになります。それぞれの製品と戦略がどのようなものか取材しました。 Violin Memoryは独自技術で性能と信頼性を追求 21日に日本への本格参入を発表したのはViolin Memo
EMCがサーバサイドフラッシュの新製品投入、Fusion-ioとの競合強化へ。Violin Memoryもサーバサイドフラッシュ参入 サーバのPCIeにフラッシュストレージを直結することで、従来のストレージよりも圧倒的に高速なデータへのアクセスを実現するサーバサイドフラッシュは、新興ベンダーのFusion-ioがほぼ単独で切り開いてきたカテゴリです。いま、このカテゴリに相次いで競合ベンダからの製品投入が相次いでいます。 EMCジャパンは7日、同社のサーバサイドフラッシュであるXtremSFにeMLCチップを用いた新しいモデルを投入すると発表しました。 同社は昨年、SLCチップを用いたサーバサイドフラッシュ製品を1種類発表し、サーバサイドフラッシュ市場へ参入していましたが、今回はeMLCチップを用いて550GBから2.2TBまでの容量を持つ4つの製品を相次いで投入し、ラインナップの充実を図り
不揮発性メモリであるフラッシュメモリをメインメモリのメモリスロットに装着することで、超高速のフラッシュストレージとして利用できる「Memory Channel Storage」を、米Diablo TechnoPCIeインターフェイスを備えたフラッシュストーレジ製品などがありました。 Memory Channel Storageは、PCIeインターフェイスよりもさらに高速なメモリバス経由でストレージにアクセスする仕組みで、あらゆるストレージと比べてもさらに高速なものになります。プレスリリースから引用します。 This innovative approach utilizes the industry standard DIMM
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