Conceptos de Electrónica de Potencia: Rectificador
Conceptos de Electrónica de Potencia: Rectificador
Conceptos de Electrónica de Potencia: Rectificador
Rectificador
P
+ +
Convertidor
P
Inversor
Figura 1-2 Un convertidor puede funcionar como un rectificador o un inversor,
dependiendo de la dirección de la potencia media P.
2RL +
+
9V RL 3 V
Figura 1-4 Un divisor de voltaje simple para crear 3 V a partir de una fuente de 9 V.
4 Capítulo 1 Introducción
+
+
9V vx(t)
(a)
vx(t)
9V
3V
Promedio
T T T
3
(b)
Figura 1-5 (aa) Un circuito conmutado; (b) una forma de onda devoltaje pulsada.
Figura 1-6 Un filtro de paso bajo permite que solo el valor promedio de vx pase a través de la carga.
Control de interruptores
+ +
Figura 1-7 Comentarios se utiliza para controlar el interruptor y mantener la tensión de salida deseada.
El Diodo
Un diodo es el interruptor electrónico más simple. Es incontrolable en que las
condiciones de encendido y apagado están determinadas por voltajes y
corrientes en el circuito. El diodo es sesgado hacia delante (encendido) cuando
la corriente id (Fig. 1-8a) es positivay sesgada inversamente (desactivada)
cuando vd es negativa. En el caso ideal, el diodo es un cortocircuito
Ánodo
id
+
id Yo En
vd
Desactivado
vd Ⅴ
Cátodo
(a)
(b) (c)
i
En
Desós
T
trr
(d) (e)
Figura 1-8 (a) Diodo rectificador; (b) característica i-v; (c) característica i-v
idealizada;
(d) invertir el tiempo de recuperación trr; (e) Diodo Schottky.
cuando es sesgado hacia adelante y es un circuito abierto cuando sesgado
atrás. Las características de tensión de corriente reales e idealizadas se
muestran en la Fig. 1-8b y c. La característica idealizada se utiliza en la
mayoría de los análisis de este texto.
Una característica dinámica importante de un diodo nonideal es la
corriente de recuperación inversa. Cuando un diodo se apaga, la corriente
en él disminuye y momentáneamente
se vuelve negativo antes de convertirse en cero, como se muestra en la Fig. 1-
8d. El tiempo trr es el tiempo de recuperación inversa, que suele ser inferior a 1
μs. Este fenómeno puede llegar a ser importante en aplicaciones de alta
frecuencia. Los diodos de recuperación rápida están diseñados para tener un trr
más pequeño que los diodos diseñados para aplicaciones de frecuencia de línea.
Los diodos de carburo de silicio (SiC) tienen muy poca recuperación inversa, lo
que resulta en circuitos más eficientes, especialmente en aplicaciones de alta
potencia.
Los diodos Schottky (Fig. 1-8e) tienen una barrera de metal a silicio en
lugar de una unión P-N. Los diodos Schottky tienen una caída de tensión
directa de típicamente 0,3 V. Estos se utilizan a menudo en aplicaciones de
bajo voltaje donde las gotas de diodo son significativas rel- ative a otros
circuitos voltages. La tensión inversa para un diodo Schottky está limitada
a unos 100 V. La barrera metal-silicio en un diodo Schottky no está sujeta a
transitorios de recuperación y se enciende y apaga más rápido que los diodos de
unión P-N.
Tiristores
Los tiristores son interruptores electrónicos utilizados en algunos circuitos
electrónicos de potencia donde se requiere el control del encendido del
interruptor. El término tiristor a menudo se refiere a una familia de
dispositivos de tres terminales que incluye el rectificador controlado por
silicio (SCR), el triac, el tiristor de desvíode puerta (GTO), el tiristor
controlado por MOS (MCT), y otros. Thyristor y SCR son términos que a
veces se usan como sinónimos. El SCR es el dispositivo utilizado en este
libro de texto para ilustrar los dispositivos de encendido controlados en la
familia de los tiristores. family. Los tiristores son capaces de grandes
corrientes y grandes voltajes de bloqueo para su uso en aplicaciones de alta
potencia, pero las frecuencias de conmutación no pueden ser tan altas como
cuando se utilizan otros dispositivos como MOSFET.
Los tres terminales del SCR sonánodo, cátodo y compuerta (Fig.1-9a). Para
que el SCR comience a conducirse, debe tener una corriente de
compuerta aplicada mientras que tiene una tensión positiva de ánodo a
cátodo. Después de establecer la conducción, la puerta sig- nal ya no es
necesaria para mantener la corriente de ánodo. El SCR continuará conduciendo
mientras la corriente del ánodo siga siendo positiva y por encima de un valor
mínimo llamado nivel de retención. Higos. 1-9a y b muestran el símbolo
del circuito SCR y la característica de voltaje de corriente idealizada.
El tiristor de apagado de compuerta (GTO) de la Fig. 1-9c, al igual que el
SCR, se enciende por una corriente de compuerta de corta duración si la tensión
de ánodo a cátodo es positiva. Cómo- nunca, a diferencia del SCR, el GTO se
puede apagar con una corriente de puerta negativa. Por lo tanto, el GTO es
adecuado para algunas aplicaciones en las que se requiere el control de
encendido y apagado de un interruptor. La corriente de desvío de compuerta
negativa puede ser de duración breve (unos pocos microsegundos), pero su
magnitud debe ser muy grande en comparación con la corriente de encendido.
Típicamentely, la corriente de apagado de la puerta es un tercio de la corriente
del ánodo en el estado. La característica idealizada i-v es similar a la de la Fig.
1-9b para el SCR.
Ánodo
iA Un Ánodo
+
vA iA
En
Puerta K
Desós
Puerta
G vAk
K
Cátodo
Cátodo (b) (c)
(a)
Ánodo
MT2
Un Onu
G
Puerta
o
Puerta G
K K
MT1
Cátodo
(d)
(e)
Figura 1-9 Dispositivos tiristores: (a) Rectificador controlado por silicio (SCR); (b)SCR
idealizado i-v
característica; (c) tiristor de desvío de compuerta (GTO); (d) triac; (e) tiristor controlado por
MOS (MCT).
Transistores
Los transistores funcionan como interruptores en circuitos electrónicos de
potencia. Los circuitos de accionamiento de transistores están diseñados
para tener el transistor en estado completamente encendido o
completamente apagado. Esto difiere de otras aplicaciones de transistores,
como en un circuito de amplificador lineal donde el transistor opera en la
región que tiene simultáneamente alto voltaje y corriente.
Desag
üeDiD iD iD
En
vGs3 vGs2 vGs1
+
vGs a 0
Puert vDS
a G+
vGS Desós
S vDs vDS
Fuente
Figura 1-10 ((a) MOSFET (canal N) con diodo corporal; (b) Característicasdel MOSFET;
(c) características de MOSFET idealizadas.
Colector
C
iC iC iB3
B + iB2 iB1
Base vCE
iB Un 0
iB
E
Emisor vCE(SAT) vCE
(a)
(b)
iC
En
Desactivado
vCE
(c) (d)
Figura 1-11 (a) BJT (NPN); (b) Característicasde BJT; (c)características idealizadas de BJT;
(d) Configuración de Darlington.
C
E
(a)
Colector
C
Puerta G
E
Emisor
(b)
EJEMPLO 1-1
Selección de interruptores
El circuito de la Fig. 1-13a tiene dosinterruptores o. El interruptor S1 está encendido
y conecta la fuente de tensión (VVs a 24 V) a la fuente de corriente (IIo a 2 A). Se
desea abrir el interruptor S1 para des- conectar Vs de la fuente actual. Esto
requiere que un segundo interruptor S2 cerca para proporcionar un trayecto para
Io actual, , como en la Fig. 1-13b. Más adelante, S1 debe volver a cerrarse y S2
debe abrirse para restaurar el circuito a su estado original. El ciclo es repetir
a una frecuencia de 200 kHz. Determine el tipo de dispositivo necesario para
cada interruptor y los requisitos de tensión máxima y alquiler de cada uno.
■ Solución
El tipo de dispositivo se elige entre los requisitos de encendido y apagado, los requisitos
de voltaje y corriente del interruptor para los estados de encendido y apagado, y la
velocidad de conmutación requerida.
Los puntos de funcionamiento de estado estacionario para S1 están en (v1, i1)
á (0, Io) para S1 cerrado y (VVs, 0) para el interruptor abierto (Fig. 1-13c). Los
puntos de operación están en los ejes i y v V I positivos, y S1 debe apagarse
cuando i1 i o > 0 y debe encenderse cuando v1 V s > 0. Por lo tanto, el
dispositivo utilizado para S1 debe proporcionar control tanto de encendido
como de apagado. La característica MOSFET
12 Capítulo 1 Introducción i1S1
+v1
i1 S1
v2
+ v1 á +
+ S2
+ v2 Io Vs Io
Vs
i2
S2
+
(b)
i2
i1 i2
S1 S2
Cerrado (0, Io) (0Yoo) Cerrado
Abierto Abierto
v v2
(Vs, 0) (Vs,0)
(c) (
d
)
S1
S1
+
S2 Vs + Io
Io
S2
(e)
1
https://www.cadence.com/products/orcad/pages/downloads.aspx#demo
14 Capítulo 1 Introducción
EJEMPLO 1-2
(b)
(c)
Figura 1-15 (aa) Circuito para el ejemplo 1-2; (b) edición del modelo de interruptor PSpice Sbreak
16 Capítulo 1 Introducción
para que Ron sea 0,001K; (c) la configuracióndel análisis transitorio; (d) la salida dela sonda.
10.0 V
5.0 V
2.5 V
0
V(Vcontrol:+)
V
40 V
Voltaje del resistor
de carga
20 V
SEL>>
0V
0s
20 μs 40 μs 60 μs 80 μs
V(Rload:2 Tiem
)
po
(d)
Figura 1-15 ((continuación))
Transistores
Los transistores utilizados como interruptores en circuitos electrónicos de
potencia se pueden idealizar para la simulación mediante el uso del interruptor
controlado por voltaje. Como en el ejemplo 1-2, un transistor ideal se puede
modelar como muy pequeño en resistencia. Una resistencia en la que
coincida con lacterística de chara MOSFETse puede utilizar para simular la
resistencia conductora RDS(ON) de un MOSFET para determinar el
comportamiento de un circuito con com- ponents nonideal. Si se requiere una
representación precisa de un transistor, un modelo puede estar disponible
en la biblioteca de dispositivos PSpice o en el sitio web del fabricante.
Los modelos IRF150 e IRF9140 para MOSFET de potencia se encuentran
en la biblioteca de demostración ver- sion. library. El modelo MOSFET
MbreakN o MbreakN3 predeterminado debe tener parámetros para el VTO de
tensión de umbral y el KP de hormiga constagregado al modelo de dispositivo
PSpice para una simulación significativa. Los sitios web del fabricante,
como International Rectifier en www.irf.com, tienen modelos SPICE
disponibles para sus
VPULSE
V1 a 0 Rg M1
V2 a 12 + IRF150 + Vs
Vcontrol 10
TD a 24V
á
0o Rloa 2
TR 1n
d
TF a 1n
PW a 10us
PER 25us
0
Diodos
Se asume un diodo ideal cuando se desarrollan las ecuaciones que describen un
circuito de electrónica de potencia, lo cual es razonable si los voltajes del
circuito son mucho más grandes que la caída de tensión directa normal a través
de un diodo conductor. La corriente de diodo está relacionada con el voltaje del
diodo por
id á ISevd>nVT — 1
(1-2)
donde n es el coeficiente de emisión que tiene un valor predeterminado de 1 en
PSpice. Un diodo ideal se puede aproximar en PSpice estableciendo n a un
número pequeño como 0.001 o 0.01. El diodo casi ideal se modela con la parte
Dbreak con modelo PSpice
modelo Dbreak D n a 0.001
Tiristores (SCR)
Un modelo SCR está disponible en la biblioteca de piezas de la versión de
demostración de PSpice y se puede utilizar para simular circuitos SCR. Sin
embargo, el modelo contiene un número relativamente grande de componentes
que impone un límite de tamaño para la versión de demostración PSpice.
Un modelo SCR simple que se utiliza en varios circuitos en este texto es un
interruptor en serie con un diodo, como se muestra en la figura. 1-17. Cerrar
el interruptorled de control de voltaje equivale a aplicar una corriente de
compuerta al SCR, y el diodo evita la corriente inversa en el modelo. Este
sencillo modelo SCR tiene la disadvan- tage significativa de requerir que
el interruptor controlado por voltaje permanezca cerrado durante todo el
tiempo del SCR, por lo que requiere cierto conocimiento previo del
comportamiento de un cir- cuit que utiliza el dispositivo. En los capítulos
posteriores se incluye más explicaciones.
Figura 1-18 El menú Opciones para configuraciones que pueden resolver problemas de
convergencia. RELTOL e ITL4 se han cambiado aquí.
1.8 Bibliografía
M. E. Balci y M. H. Hocaoglu, "Comparison of Power Definitions for Reactive Power
Compensation in Nonsinusoidal Circuits", International Conference on Harmonics
and Quality of Power, LakePlacid, N.Y. 2004.
L. S. Czarnecki, "Considerations on the Reactive Power in Nonsinusoidal Situations",
International Conference on Harmonics in Power Systems, Worcester
Polytechnic Institute, Worcester, Mass., 1984, págs. 231–237.
A. E. Emanuel, "Powers in Nonsinusoidal Situations, A Review of Definitions
and Physical Meaning", IEEE Transactions on Power Delivery,vol. 5, no. 3,
julio de 1990.
G. T. Heydt, Electric Power Quality, Stars in a CirclePublications, West
Lafayette, Ind., 1991.
W. Sheperd y P. Zand, Energy Flow and Power Factor in Nonsinusoidal Circuits,
Cambridge University Press, 1979.
Problemas
1-1. La fuente actual en el ejemplo 1-1 se invierte para que la corriente positiva esté
hacia arriba. La fuente de corriente debe conectarse a la fuente de tensión
cerrando alternativamente S1 y S2. Dibuje un circuito que tenga un MOSFET y
un diodo para lograr este cambio.
1-2. Simular el circuito en el ejemplo 1-1 utilizando PSpice. Utilice el interruptor de
tensión controlado Sbreak para S1 y el diodo Dbreak para S2. (aa ) Edite los
modelos PSpice para idealizar el circuito utilizando RON a 0,001 K para el
conmutador y n a 0,001 para el diodo. Visualice el voltaje a través de la
fuente de corriente en Sonda. (b) Utilice RON a 0,1 K en Sbreak y n a 1
(el valor predeterminado) para el diodo. ¿En qué se diferencian los resultados
de las partes a y b?
1-3. El modelo MOSFET de potencia IRF150 se encuentra en la biblioteca EVAL
que acompaña a la versión de demostración de PSpice. Simule el circuito
en el ejemplo 1-1, utilizando el IRF150 para el MOSFET y el modelo de diodo
predeterminado Dbreak para S2. Utilice un circuito de accionamiento de
compuerta idealizado similar al de la Fig. 1-16. Visualice el voltaje a través de la
fuente de corriente en Sonda. ¿Losresultados difieren de los que utilizan
interruptores ideales?
1-4. Utilice PSpice para simular el circuito del Ejemplo 1-1. Utilice el QbreakN
predeterminado de PSpice BJT para el Switch S1. Utilice un circuito de
accionamiento base idealizado similar al del circuito de accionamiento de
compuerta para el MOSFET en la Fig. 1-9. Elija una resistencia base adecuada
para asegurarse de que el transistor se enciende para un transistor hFE de 100.
Utilice el Dbreak de diodo predeterminado PSpice para switch S2. Visualice la
tensión a través de la fuente de corriente. ¿En qué se diferencian los resultados
de aquellos que utilizan interruptores ideales?
CHAPTER 2
Cálculos de potencia
2.1 Introducción
Los cálculos de potencia son esenciales para analizar y diseñar circuitos
electrónicos de potencia. Los conceptos básicos de potencia se revisan en este
capítulo, con particular em- phasis en los cálculos de potencia para circuitos
con voltajes y corrientes no insoidales. El tratamientont adicional se da a
algunos casos especiales que se encuentran con frecuencia en la electrónica
de potencia. Se muestran los cálculos de potencia mediante el programa de
simulación de circuito pSpice.
i(t i(t)
)
+ +
v(t) v(t)
(a) (b)
Energía
La energía, o el trabajo, es la integral del poder instantáneo. Observando la
convención de signo pasivo, la energía absorbida por un componente en el
intervalo de tiempo de t1 a t2 es
t2
(2-2)
W Un P(t)
3
Despegue
t1
Si v(t) está envoltios e i(t) está enamperios, la potencia tiene unidades de vatios
y la energía tiene unidades de julio.
Potencia media
Las funciones periódicas de voltaje y corriente producen una función de
potencia instantánea periódica. La potencia media es el promedio de tiempo de
p(t) durante uno omás períodos. El power P promedio se calcula a partir de
t0+T t0+T
P á 1p(t) Despegue á 1
v(t)i(t) Despegue (2-3)
T 3 3T
t0 t0
P- W
(2-4)
T
La potencia promedio a veces se denomina potencia real o potencia
activa,especialmente encircuitos de CA. El término potencia generalmente
significas potenciapromedio. power. La potencia media total absorbida en un
circuito es igual a la potencia media total suministrada.
2.2 Potencia y energía 23
EJEMPLO 2-1
Energía y energía
El voltaje y la corriente, consistentes con la convención de signo pasivo, para un
dispositivo se muestran en la Fig. 2-2a y b. (a) Determinar lapotencia instantánea
p(t) absorbida por el dispositivo.
(b) Determine la energía absorbida por el dispositivo en un período. (c) Determinar la aver-
potencia de edad absorbida por el dispositivo.
■ Solución
i(t) á b
—15
6 ms < t < 20 ms
A
(a) La potencia instantánea se calcula a partir de Eq. (2-1). El voltaje y la corriente son
expresado como
p(t) Un C — 300 W
ower, que se muestra en la Fig. 2-2c, es el producto de la tensión
20 V
0 < t < 10 ms
10 ms < t < 20 ms
0 < t < 6 ms
6 ms 20 ms
6 ms 10 ms 20 ms
se expresa como
Instantánea p
d corriente y
20 V
0
i(t)
20 A
0
15 A
p(t )
400 W
0
T
•300 W
10 ms
(a)
T
(b)
T
(c)