Elektronik 1 Sunum 5 9736

Elektronik
1
5. Sunum
Kaynak: Elektronik Cihazlar ve Devre
Teorisi, Robert L. BOYLESTAD, Palme
Yayıncılık
1
Giriş
•  Bu ders kapsamında sinüzoidal AC bölgede
transistörlerin temsil edilmelerinde kullanılan
modeller ele alınacakNr. Bu modeller
kullanılarak BJT yükselteçlerin AC tepkisi
incelenecekQr.
•  Transistörlü devrelerin AC analizinde ilk
konulardan bir giriş sinyalinin büyüklüğüdür.
Giriş sinyalinin genliğine göre küçük sinyal ve
büyük sinyal analiz tekniklerinden hangisinin
uygulanacağına karar verilecekQr.
2
Giriş
•  Bu bölümde küçük sinyal tekniği ele
alınmaktadır.
•  Transistörlü devrelerin küçük sinyal AC
analizinde üç model kullanılır. Bunlar re, karma
π modeli ve karma eşdeğer model
kullanılacakNr.
•  Ders notlarımızda re modeline ağırlık
verilecekQr.
3
AC Domende Yükseltme
•  Transistörlü yükselteç devrelerinde yükseltme
için ihQyaç duyulan ek güç transistörün
kutuplanmasında kullanılan DC gerilimin
kaynakları taraVndan sağlanır.
•  Yükselteçler girişlerine uygulanan ve
yükselQlmesi istenilen AC giriş sinyalinin şekline
bağlı olarak DC gerilim kaynaklarının gerilim ve
akımını şekillendirir ve çıkışta yükselQlmiş sinyali
oluştururlar. Tabii bu süreçte bir miktar DC güç
devre elemanları üzerinde harcanır.
4
•  Bu durum basitçe aşağıdaki şekilde özetlenmektedir.
•  Yukarıdaki devrede iac(p-p)>>ic(pp) olduğu için AC

domende yükseltme yapılmışNr. iT sinyalindeki DC
bileşen Idc seri bir kondansatör ile süzülebilir.
5
•  Yukardaki örnekten de anlaşıldığı gibi bu
devrelerde yükselteç devrelerin aynı anda DC
ve AC sinyaller bulunur. Bu devrelerin
analizinde DC ve AC sinyaller süper pozisyon
teoreminde olduğu gibi ayrı ayrı
düşünülebilirler.
•  Böylelikle yükselteç devrelerin analizinde DC
ve AC analiz ayrı ayrı ele alınabilirler.
6
•  Yükselteç devrelerinin AC tepkisi
incelenmeden önce sistemin tam bir DC analizi
yapılabilir.
•  DC analiz yapıldıktan sonra AC tepki DC
analizden bağımsız olarak belirlenebilir.
•  Fakat AC analizde kullanılacak bileşenlerden
bazıları DC koşullardan etkilenebilir,
dolayısıyla AC ve DC analiz gerçekte bağımsız
değildir.
7
BJT Transistörlerin Modellenmesi
•  Küçük sinyal analizinin en önemli kısmı eşdeğer
devrelerin kullanılmasıdır.
•  Eşdeğer devre veya model belirli çalışma
koşullarında transistörün gerçek davranışını en iyi
şekilde yansıtan devre elemanlarının birleşimidir.
•  Transistörün uygun AC eşdeğer devresi
belirlendikten sonra transistör sembolü yerine bu
devre konulabilir. Daha sonra devre analizi
yöntemleri kullanılarak istenilen değerler
hesaplanır.
8
•  Transistör devrelerin analizinde en sık karma
eşdeğer devre kullanılmışNr. Transistör bilgi
sayfalarında ilgili parametreler vardır ve analiz
bunların eşdeğer devreye konmasıyla basitçe
yapılır. Ancak bu eşdeğer devre parametrelerinin
tanımlı olduğu çalışma koşulları gerçek çalışma
koşullarına benzemeyebilir. Devrenin gerçek
çalışma koşulları transistör bilgi sayfalarındaki
çalışma koşullarına yakın olduğunda bu durum
problem oluşturmaz.
9
•  Eşdeğer devre parametrelerinin gerçek çalışma
koşullarınca belirlendiği re eşdeğer devrelerin
kullanımı zamanla artmışNr.
•  Ancak re eşdeğer devre modelinde çıkış ve giriş
parametreleri arasındaki bağlılığı gösteren
terimler yoktur. Bu bazen önemli olabilmektedir.
•  re modeli, yüksek frekans analizinde kullanılan
karma π modelinin basitleşQrilmiş halidir. Karma
π modelinde çıkış ve giriş büyüklüklerini
ilişkilendiren geribesleme parametreleri de
mevcudur.
10
•  Yükselteç devrelerinin AC analizleri yapılırken
sadece AC sinyallerle ilgilenilir. Bu nedenle
yükselteç devresindeki tüm DC gerilim kaynakları
kısa devre yapılır. DC gerilim kaynakları yalnızca
yükseltecin Q çalışma noktasını belirlemek için
önemlidir.
•  Ayrıca devrede kullanılan kondansatörler,
devrenin çalışma frekansında (girişteki AC sinyalin
frekansı) çok küçük reaktansa sahip olacak
şekilde seçilmişQr. Dolayısıyla kondansatörler de
kısa devre edilebilir veya yerlerine küçük değerli
dirençler bağlanabilir.
11
•  AC analiz için yapılan bu işlemler aşağıda örnek
bir devre için gösterilmektedir.
12
•  Bu devrede dikkat edilecek olursa RE direnci CE
kondansatörü taraVndan kısa devre edilmiş ve
devreden çıkarılmışNr. Bu nedenle CE
kondansatörüne köprü ya da by-pass (atlatma)
kondansatörü adı verilir.
•  C1 ve C2 kondansatörleri ise bağlaşım (kuplaj)
kondansatörü adını alırlar.
•  Devredeki kondansatörler DC sinyaller ve AC
sinyaller arasında bir yalıNm oluştururlar ve DC
sinyallerin çıkış ve girişe etki etmesine engel
olurlar.
13
•  AC eşdeğer devre tanımlanırken aşağıdaki şekilde
gösterilen Zi, Zo, Ii, Io, Vi ve Vo gibi parametrelerin doğru
tanımlanmaları önemlidir.
•  Devrenin görünüşü değişse de bu indirgenmiş devre ile
baştaki devre niceliklerinin aynı olması istenir.
•  Bu ders notlarında aşağıda gösterilen akım yönü,
gerilim polaritesi ve empedanslar kullanılacakNr.
14
•  Hesaplamalar sonucunda bu akım ve gerilim
yönlerinin ters olduğu bulunursa eksi işareQ
uygulanır.
•  Yukarıdaki şekildeki akım ve gerilim yönlerine
göre Zi giriş empedansı Zi=Vi/Ii bağınNsı ile ve Zo
çıkış empedansı Zo=Vo/Io bağınNsı ile
hesaplanabilir ve poziQf değerler elde edilir.
•  Yukarıda verilen örnek yükselteç devresinin AC
analizinde, ortak toprak noktası kullanılarak
aşağıdaki devre elde edilir.
15
•  Bu devrede transistör yerine eşdeğer devresi

çizilerek ve devre analizi metotları kullanılarak
arzu edilen değerler hesaplanabilir.
16
•  Bu devreler yükselteç devreleri olduğu için çıkış
gerilimi Vo’nun, giriş gerilimi Vi ile ilişkisini yani
gerilim kazancını incelemek gereklidir. Gerilim
kazancı Av ile gösterilir ve Av=Vo/Vi şeklinde ifade
edilir.
•  Benzer şekilde yükselteç devrelerinde akım
kazancı da Ai ile gösterilir ve Ai=Io/Ii olarak
tanımlanır.
•  Güç yükselteçlerinde Ap ile gösterilen güç
kazancıda hesaplanır. Ancak küçük sinyal
yükselteçlerinde güç seviyesi düşük olduğundan
güç kazancının hesaplanmasına gerek yoktur.
17
•  Özetle bir devrenin AC eşdeğeri aşağıdaki adımlarla
elde edilir.
–  1. Tüm DC kaynaklar kısa devre yapılır.
–  2. Bütün kondansatörler kısa devre yapılır.
–  3. Kısa devre edilen elemanların devrede etkinliği
olmayacağından devreden çıkarılırlar.
–  4. Devre daha kullanışlı biçimde yeniden çizilir.
•  AC analizi tamamlama için transistör yerine eşdeğer
modeli çizilir.
•  Aşağıda sırası ile ortak emetörlü, bazlı ve kollektörlü
BJT yapılarının re eşdeğer devresi tanımlanacakNr.
18
Ortak Emetörlü BJT’nin re Eşdeğer
Devresi
•  Ortak emetörlü yapının eşdeğer devresi, cihaz
karakterisQği ve birkaç yaklaşım ile oluşturulacakNr. Bu
amaçla aşağıdaki devreyi ele alalım.
•  Giriş kısmıyla bakılınca Vbe
geriliminin Vi’ye eşit olduğu
görülür. Ayrıca giriş akımı Ii’de,
baz akımı Ib’dir.
•  Ortak emetörlü devrede ileQm
yönünde kutuplu B-E
ekleminin akımı Ie emiter
akımıdır.
19
Devresi
•  VCB geriliminin ortalama değeri için IE, VBE karakterisQği
aşağıdaki gibidir. Bu karakterisQk ileQm yönünde
kutuplu diyot karakterisQğine benzerdir.
•  Bu nedenle eşdeğer devrede giriş kısmı basitçe Ie
akımına sahip bir diyodur.
20
Devresi
•  Aşağıdaki şekilde görüldüğü gibi kollektör karakterisQği
sabit bit β’ya sahip olacak şekilde yeninde çizilirse,
transistörün çıkış kısmının karakterisQği büyüklü βIb
olan kontrollü bir akım kaynağı olarak görülür ve
21
Devresi
•  Bu eşdeğer devrede diyot
yerine değeri IE akımı
taraVndan belirlenen bir
direnç konulabilir. Daha
önceki derslerimizde
bulduğumuz gibi bu direnç
değeri diyotun değişken
işaret direnç değeri olan
rD=26mV/ID şeklindedir.
Emetör akımı söz konusu
olduğu için re=26mV/IE’dir
(26mV oda sıcaklığında
hesaplanan ısıl gerilimdir).
22
Devresi
•  Bu devrenin giriş taraVndan bakıldığında Zi
aşağıdaki gibi hesaplanır.
23
Devresi
•  Sonuçta ortak emetörlü BJT’nin re eşdeğer
devresi aşağıdaki gibi elde edilir.
•  BTJ’nin çıkış empedansının da devreye dahil

edilmesi ile daha doğru bir eşdeğer devre elde
edilebilir.
24
Devresi
•  Çıkış direncinin hesaplanmasında, ortak emetörlü
devrenin çıkış karakterisQği kullanılabilir. Bu
hesaplama aşağıda gösterilmektedir.
25
Devresi
•  Tipik olarak VA (Early gerilimi olarak bilinir), VCE’den

yeterince büyük olduğundan ro aşağıdaki gibi ifade
edilebilir.
•  Bu ifadede VA sabit olduğundan artan kollektör akımı

çıkış direncini düşürecekQr.
•  BJT çıkış karakterisQğinde gösterilen eğim direncin tersi
olacağından ro aşağıdaki gibi hesaplanabilir.
26
Devresi
•  Bu ifade ve çıkış karakterisQğinden görüldüğü gibi

eğri ne kadar yatay olursa çıkış direnci o kadar
yüksek olacakNr.
•  Çıkış direncinin de eklenmesi ile elde edilen
eşdeğer devre aşağıdaki gibidir.
27
Devresi
•  Tipik bir ortak emetörlü BJT’de, β 50 ile 200

arasındayken βre direnç değeri bir kaç yüz ohmdan 6kΩ
ile 7kΩ’a kadar çıkabilir. Çıkış direnci ise Qpik olarak
40kΩ ile 50kΩ arasındadır.
•  İlerleyen analizlerde ortak emetörlü bağlanNda giriş ve
çıkış gerilimleri arasında 180° faz farkı olduğu
görülecekQr.
28
Ortak Bazlı BJT’nin re Eşdeğer Devresi
•  Ortak bazlı bağlanNnın re eşdeğer devresi, ortak
emetörlü yapıya benzer olarak elde edilebilir. Giriş ve
çıkış devresinin genel karakterisQkleri cihazın gerçek
davranışına yakınlaşarak eşdeğer devreyi
oluşturacakNr.
•  Aşağıdaki şekilde ortak bazlı pnp BJT gösterilmektedir.
29
•  Ortak emetörlü bağlanNda olduğu gibi ortak bazlı
bağlanNda da baz-emetör arasındaki bağlanN bir
diyotla gösterilebilir.
•  Bu bağlanNnın çıkış devresinde ise emetör ve kollektör
akımları α ile ilişkilendirilmektedir. Aşağıda bu eşdeğer
devre gösterilmektedir.
30
•  Ayrıca bu devrede kollektör akımını tanımlayan
akım kaynağının yönü pnp transistöre uygun
olarak yukarı doğru çizilmişQr.
•  Bu eşdeğer devrede diyot re=26mV/IE değerinde
bir direnç ile değişQrilebilir.
•  Ayrıca BJT’nin çıkış direncini göstermesi için çıkışa
ro direnci eklenebilir. Aşağıda gösterilen ortak
bazlı bağlanNnın çıkış karakterisQği kullanılarak ro
direnci hesaplanabilir. Devreden görüldüğü gibi
ro=ΔVCB/ΔIC’dir Bu çıkış karakterisQğinde çizgiler
yaklaşık olarak yatay olduğundan ro değeri yüksek
olacakNr.
31
•  Ortak bazlı BJT’nin çıkış karakterisQği ve ro değerinin

belirlenmesi için yukarıdaki şekil incelenebilir.
32
•  Sonuç olarak ortak bazlı pnp transistör için yukarıdaki eşdeğer

devre elde edilir.
•  Tipik olarak ortak bazlı devrede giriş direnci birkaç ohm ile
50Ω arasındadır. Çıkış direnci ro Qpik olarak mega ohm
seviyesindedir.
•  İlerleyen analizlerde ortak bazlı bağlanNda giriş ve çıkış
gerilimleri arasında faz farkı olmadığı görülecekQr. 33
Ortak Kollektörlü BJT’nin re Eğdeğer
Devresi
•  Ortak kollektörlü bağlanN için yeni bir eşdeğer
devre tanımlanmasına gerek yoktur.
•  Ortak kollektörlü bağlanNnın küçük sinyal AC
analizinde ortak emetörlü bağlanN için elde
edilen eşdeğer devre kullanılacakNr.
34
pnp’ye Karşın npn BJT Eşdeğer
Devreleri
•  AC sinyal poziQf ve negaQf değerler arasında
salınım yapNğından, npn ve pnp BJT’lerin
küçük sinyal AC analizinde kullanılacak
eşdeğer devrelerde değişiklik yapmaya gerek
yoktur aynı eşdeğer devre hem npn hem de
pnp BJT’ler için kullanılabilir.
35
Ortak Emetörlü Sabit Kutuplamalı
Yükselteç Devresi
•  BJT yükselteçlerin küçük sinyal AC analizleri için
yukarda elde evğimiz re eşdeğer devreler kullanılabilir.
•  Aşağıdaki sabit kutuplamalı devrenin AC analizi için
aşağıdaki işlemler gerçekleşQrilir ve çeşitli devre çözüm
teknikleri kullanılarak istenen değerler bulunur.
–  1. Tüm DC kaynaklar kısa devre yapılır.
–  2. Bütün kondansatörler kısa devre yapılır.
–  3. Kısa devre edilen elemanların devrede etkinliği
olmayacağından devreden çıkarılırlar.
–  4. Devre daha kullanışlı biçimde yeniden çizilir.
–  5. BJT yerine uygun eşdeğer devre çizilir.
36
Yükselteç Devresi
•  Aşağıdaki devreyi inceleyelim.
37
Yükselteç Devresi
•  Bu devrede transistör yerine ortak emetörlü
devre için elde edilen eşdeğer devre konularak
38
Yükselteç Devresi
•  Bu devrenin analizi için ilk işlem basamağı β, re ve
ro değerlerinin hesaplanmasıdır.
•  Tipik olarak β transistör bilgi sayfalarından elde
edilebilir veya uygun bir ölçü aleQ ile ölçülebilir. ro
değeri yine transistör bilgi sayfalarından veya
karakterisQklerden elde edilebilir.
•  re değeri re=26mV/IE formülü kullanılarak
hesaplanır. IE akımı devrenin DC analizi yapılarak
bulunur.
39
Yükselteç Devresi
•  Yukarıdaki devre analiz edilerek giriş empedansı, çıkış
empedansı ve gerilim kazancı hesaplanabilir (akım kazancının
hesaplanması daha sonra anlaNlacakNr). Giriş empedansı
aşağıdaki gibi bulunur.
•  Genellikle RB>10βre olduğundan Zi≅βre olur.

•  Bir sistemin çıkış empedansı hesaplanırken Vi=0 alınmalıdır.
Bu durumda Ii=Ib=0 olur ve devrenin çıkışındaki akım kaynağı
açık devre yapılır. Bu durumda çıkış empedansı aşağıdaki gibi
hesaplanabilir.
Eğer ro≥10Rc ise Zo≅Rc bulunur.

40
Yükselteç Devresi
•  Son olarak AV ile gösterilen gerilim kazancının
hesaplanması aşağıdaki gibidir.
ise
ve olur.
ro>10Rc olması durumunda eşitliği kullanılabilir.
41
Ortak Emetörlü BağlanNnın Faz
BağınNsı
•  Yukarıda görüldüğü gibi ortak emetörlü bağlanN için gerilim kazancı
negaQf olarak elde edilmektedir. Bunun nedeni βIB değerindeki
akım kaynağının Rc üzerinde Vo’a zıt yönde gerilim oluşturmasıdır.
•  Bu durum giriş ve çıkış işaretleri arasından 180° faz farkı olmasına
neden olur.
•  Aşağıdaki çizimler giriş ve çıkış gerilimleri arasındaki faz farkını
göstermektedir.
42
Yükselteç Devresi
•  Örnek: Aşağıdaki devrenin küçük sinyal AC
eşdeğer devresini çiziniz ve Zo, Zi ve Av
değerlerini hesaplayınız.
43
Yükselteç Devresi
44
Ortak Emetörlü Gerilim Bölücülü
Yükselteç Devresi
•  Aşağıda gerilim bölücülü kutuplama devresi
gösterilmektedir.
45
Yükselteç Devresi
•  AC küçük sinyal analizi için gerekli düzenlemeler
yapılır ve transistör yerine re eşdeğeri kullanılırsa
•  Bu devrenin analizi aşağıdaki gibi

gerçekleşQrilebilir.
46
Yükselteç Devresi
•  Bu devrenin giriş empedansı aşağıdaki gibi hesaplanır.
•  Vi=0V yapılırsa Ib=0 A ve βIb=0mA olur sonuçta çıkış

empedansı aşağıdaki gibi hesaplanır.
•  ro≥10Rc olması durumunda Zo≅Rc yazılabilir. Gerilim

kacancı AV ise aşağıdaki gibi hesaplanır.
47
Yükselteç Devresi
•  Sonuç olarak gerilim kazancı aşağıdaki gibi
hesaplanır.
•  Ro≥10Rc olması durumunda ise gerilim kazancı

aşağıdaki gibi elde edilir.
•  Gerilim kazancının negaQf olması giriş ve çıkış

gerilimleri arasında 180° faz farkı olduğunu
gösterir. 48
Yükselteç Devresi
•  Örnek: Aşağıdaki devrede için aşağıdaki değerleri
hesaplayınız.
•  a) re,
•  b) Zi,
•  c) Zo (ro=∞ için),
•  d) Av (ro=∞ için),
•  e) c ve d şıklarını
ro=50kΩ için
tekrar
hesaplayınız.
49
Yükselteç Devresi
50
Ortak Emetörlü, Emetör Direnci
Köprülenmemiş Yükselteç Devresi
•  RE direncinin CE atlatma (by-pass) kondansatörü ile
köprülenmediği ortak emetörlü devre aşağıda
gösterilmektedir.
•  Bu devrenin küçük sinyal
AC analizi için eş değer
devre çizilirken önceki
devrelerin aksine RE
direnci de etkin
olacakNr.
•  Sonuç olarak aşağıdaki
eşdeğer devre elde
edilir.
51
•  Bu eşdeğer devrede etkisi küçük olduğundan ro ihmal

edilmişQr.
•  Bu devrenin analizi aşağıdaki gibi gerçekleşQrilir.
52
•  Bu devrenin giriş kısmına Kirchhoff gerilim yasası
uygulanarak Zi empedansı hesaplanabilir.
•  β>>1 olduğundan Zb yaklaşık olarak aşağıdaki gibi elde

edilebilir.
53
•  Genellikle RE, re’den çok büyük olduğundan
Zb≅βRE olarak elde edilir. Bu durumda giriş
empedansı Zi=RB//Zb olarak elde edilir.
•  Zo çıkış emepedansının hesaplanması için Vi=0
yapılır ve sonuç olarak Ib=0 olur ve βIb=0
olacağından akım kaynağı açık devre yapılarak Zo
hesaplanır. Bu durumda Zo=Rc olarak elde edilir.
•  Av gerilim kazancının hesaplanması aşağıdaki gibi
gerçekleşQrilir.
54
•  Bu ifade de Zb≅β(re+RE) yazılarak gerilim kazancı

yaklaşık olarak aşağıdaki gibi elde edilir.
55
•  Gerilim kazancı ifadesinde Zb≅βRE yazılması durumunda
ise aşağıdaki ifade elde edilir.
•  Diakkat edilirse bu gerilim kazancı ifadesinde β yoktur.

Bu da gerilim kazancının β’daki değişimlerden
etkilenmediğini gösterir. Ayrıca gerilim kazancının RE ile
ters oranNlı olduğu görülmektedir yani büyük RE
değerleri kazancın düşmesine neden olur. Ayrıca
gerilim kazancının negaQf olması yine giriş ve çıkış
gerilimi arasında 180° faz farkı olduğunu gösterir.
56
•  ro’ın etkisi: Yukarıdaki işlemlerde ro hesaba
kaNlmamışN. Aşağıdaki ifadeler de ise ro direncinin
hesaba kaNlması ile elde edilen ifadeler
gösterilmektedir.
•  Bu ifadedeki Rc/ro her zaman (β+1)’den daha düşük

olduğundan,
•  ro≥10(RC+RE) ise
•  olarak elde edilir.

57
•  Bu durumda (β+1)≅β bağınNsı da kullanılarak Zb
aşağıdaki gibi elde edilebilir.
•  Zo direnci aşağıdaki gibi elde edilir.
•  Bu ifade de ro>>re olduğu için Zo aşağıdaki gibi

yazılabilir.
58
•  Bu ifade düzenlenerek Zo aşağıdaki gibi elde edilir.
•  Tipik olarak 1/β ve re/RE değerleri ve toplamları birden

küçüktür. Bu nedenle yukarıdaki ifadede ro ile çarpılan
katsayı birden yüksek olmaktadır. Bu nedenle
yukarıdaki işlem sonucu ro’ın herhangi bir değeri için
Zo≅RC olarak elde edilir.
59
•  ro direncinin ihmal edilmemesi durumunda
gerilim kazancı aşağıdaki şekilde elde edilir.
•  re/ro<<1 olacağı için bu ifade aşağıdaki gibi elde

edilir.
60
•  Ayrıca bu ifade ro≥10RC için daha önce elde edilen
aşağıdaki gerilim kazancı ifadesine dönüşür.
61
•  Örnek: Şekildeki
devre için re, Zi, Zo
ve Av değerlerini
hesaplayınız.
62
63
•  Not: Aşağıda ortak emetörlü
kutuplamanın bir biçimi
gösterilmektedir. Bu
bağlanNda RE’direnci yerine
RE1 ve RE2 olmak üzere iki
direnç kullanılmışNr ve CE
kondansatörü yalnızca RE2
direncini köprülemektedir.
•  Yani DC sinyaller (ve DC
analiz) için emetör ucunda
RE1+RE2 direnci görülürken,
AC sinyaller (ve AC analiz) için
emetör ucunda yalnızca RE1
direnci görülür.
64
Emetör İzleyici Devre
•  Şekilde gösterildiği çıkışın
emetör ucundan alınması
ile emetör izleyici devre
elde edilir.
•  Baz emetör uçları
arasındaki gerilim
düşümü nedeniyle bu
bağlanNda çıkış gerilimi,
giriş geriliminin biraz
alNnda olur. Dolayısıyla
Av≅1’dir.
65
•  Ayrıca bu devrede giriş ve çıkış gerilimleri aynı fazdadır
yani Vo ile Vi aynı anda poziQf ve negaQf tepe
değerlerine ulaşır.
•  Bu devrenin AC eşdeğeri çizildiğinde, bu bağlanNnın
ortak kollektörlü bağlanN olduğu görülür.
•  Daha önce ortak kollektörlü bağlanNyı incelerken
öğrendiğimiz gibi bu devre sıklıkla empedans
uygunlaşNrmada kullanılır. Bu devrenin analizi
yapıldığında girişinde yüksek empedans ve çıkışında
düşük empedans olduğu görülür.
•  Sonuç olarak, sistemden en yüksek güç aktarımını
gerçekleşQren ve yükün kaynak empedansına
uyumlandırıldığı trafoya benzer bir yapı ortaya çıkar.
66
•  Yukarıdaki
devrede gerekli
düzenlemelerin
yapılarak,
transistör
yerine re
eşdeğer
devrenin
yerleşQrilmesi
ile yandaki
bağlanN elde
edilir.
67
•  Bu bağlanNda ro direnci ihmal edilmişQr. Bu
devrenin analizi aşağıdaki gibi gerşekleşQrilir.
68
•  Zo’ın hesaplanması için ise öncelikle aşağıdaki gibi
Ib akımının denklemi yazılır.
•  Ib, (β+1) ile çarpılarak Ie akımı aşağıdaki gibi

elde edilir.
•  Bu ifadede Zb yerine yazılarak Ie aşağıdaki gibi

hesaplanır.
69
70
•  Bu bağınN ile tanımlanan devre aşağıdaki
gibidir ve bu devre kullanılarak devrenin çıkış
direnci Zo belirlenebilir.
•  Zo’ın belirlenmesi için Vi
kısa devre edilir ve
aşağıdaki bağınN elde
edilir.
71
•  RE Qpik olarak re’den çok büyük olduğundan Zo≅re
olur.
•  Av gerilim bölücü kuralıyla ve şekildeki devre
kullanılarak aşağıdaki gibi elde edilir.
72
•  RE, re’den her zaman çok daha büyük
olduğundan RE+re≅RE olur ve gerilim kazancı
aşağıdaki gibi bulunur.
•  Daha önce belirvğimiz gibi bu bağlanNda Vi ve

Vo arasında faz farkı yoktur. Bu durum gerilim
kazancının poziQf elde edilmesinden
anlaşılmaktadır.
73
•  ro’ın etkisi: ro’ın hesaba kaNlmasıyla emetör izleyici
devre için aşağıdaki bağınNlar elde edilir.
olur.
•  Ro≥10RE koşulunun sağlanması durumunda aşağıdaki
bağınN elde edilir.
β, 1’den çok büyük olduğundan
olur. HaNrlanacağı gibi daha önce
de aynı sonuç elde edilmişQ.
74
•  Zo, yukarıdaki devrenin analizi sonucunda
•  β≅(β+1) yaklaşımı yapılırsa,
•  ro>>re olduğu için Zo, herhangi bir ro değeri için

aşağıdaki bağınN elde edilir.
75
•  ro’ın hesaba kaNlması durumunda gerilim kazancı
Av aşağıdaki gibi elde edilir.
•  Eğer ro>>re olduğu ve β+1≅β yaklaşımı

kullanılırsa gerilim kazancı yaklaşık olarak
76
•  Ancak Zb≅β(re+RE) olduğundan,
•  ve gerilim kazancı aşağıdaki gibi bulunur.
77
•  Örnek: Yandaki
devrede re, Zi, Zo
ve Av değerlerini
hesaplayınız.
78
79
•  Açıklama: Çözülen örnekler ro’ın ihmal
edilmesinin sonuçları çok değişQrmediği
göstermektedir.
•  Aşağıda değişik emetör izleyici devreleri
gösterilmektedir. Bunların analizleri için daha
önce anlaNlan yönteme çok benzerdir.
•  Aşağıda gösterilen ilk devrede RC direncinin
kullanılmaması devrenin çalışması için bir engel
değildir. Esasen RC direncinin tek etkisi Q çalışma
noktasının belirlenmesidir.
80
81
Ortak Bazlı Yükselteç Devresi
•  Ortak bazlı bağlanNnın temel özellikleri, göreceli
olarak düşük giriş empedansı ve yüksek çıkış
empedansı olması ve 1’den daha düşük akım
kazancına sahip olmasıdır. Bununla birlikte
gerilim kazancı çok yüksek olabilmektedir.
82
•  Yukarıdaki devrede gerekli düzenlemeler
yapılarak, transistör yerine re eşdeğer modelinin
yerleşQrilmesiyle aşağıdaki yapı elde edilir.
83
•  Dikkat edilirse mega ohm mertebesinde
olduğundan eş değer devrede ro kullanılmamışNr.
84
•  RE>>re kabulü yapılarak akım kazancı Ai aşağıdaki gibi
hesaplanır.
•  Analizler sonucunda Av’nin poziQf çıkması giriş ve çıkış

gerilimlerinin aynı fazda olduğunu gösterir.
•  Ayrıca ortak bazlı devrede ro direnci mega ohm
mertebesindedir ve dolayısıyla bulunan sonuçları çok
etkilemeyecekQr.
85
•  Örnek: Şekildeki devre için re, Zi, Zo, Av ve Ai
değerlerini belirleyiniz.
86
87
Kollektör Geribeslemeli Yükselteç
•  Bu bağlanN aşağıda gösterilmektedir.
•  AC analiz için
gerekli
değişiklikler
yapılarak
transistör yerine re
eşdeğer devrenin
bağlanması ile
aşağıdaki devre
elde edilir.
88
•  Dikkat edilirse eşdeğer devreye ro dahil

edilmemişQr. Transistörün çıkış direnci ro’ın etkisi
bu daha sonra tarNşılacakNr.
•  Bu devrenin analizi aşağıdaki gibi yapılır.
89
•  Bu eşitlik düzenlenerek aşağıdaki bağınN elde edilir.
90
•  Son olarak aşağıdaki bağınN elde edilir.
91
•  RC genelde re’den çok yüksek olduğundan Zi
aşağıdaki gibi yazılabilir.
•  Zo’ı bulmak için Vi sıVra eşitlenirse aşağıdaki devre

elde edilir ve bu devreden Zo aşağıdaki gibi yazılır.
92
•  Gerilim kazancı Av ilk eşdeğer devre yardımıyla
aşağıdaki gibi hesaplanır.
93
•  RC>>re olduğundan;
•  olur. RF>>RC ise,
•  elde edilir. Bu ifadeden anlaşılacağı gibi devrenin giriş

ve çıkış gerilimleri arasında 180° faz farkı vardır.
94
•  ro’ın etkisi: Eşdeğer devrede ro’ın da kullanılması ile
aşağıdaki eşitlikler elde edilir.
•  ro≥10RC koşulu kullanılarak aşağıdaki bağınN elde edilir.
95
•  RC>>re ve RC>>RC/β olduğundan,
•  olur. Tipik olarak RF>>RC olduğu için,
•  olur. Bu sonuç daha önce elde edilen sonuçla

aynıdır. 96
•  ro’ın dahil edilmesi ile Zo aşağıdaki gibi bulunur.
•  ro≥10RC olması durumunda
•  olur. ro≥10RC ve RF>>RC olması durumunda ise

•  elde edilir.
97
•  Av gerilim kazancı ise aşağıdaki gibi hesaplanır.
•  Ro≥10RC ise
•  olur. RF>>RC ise •  olur.
98
•  Örnek: Aşağıdaki devrede re, Zi, Zo ve Av’yi hesaplayınız.
•  Zi, Zo ve Av değerlerini ro=20kΩ için tekrar hesaplayınız.
99
• 
100
RE Dirençli Kollektör Geribeslemeli
Yükselteç
•  Açıklama: RE direnci bulunduran aşağıdaki
devrenin küçük sinyal AC analizi sonucu aşağıdaki
sonuçlar elde edilir.
101
Kollektör DC Geribeslemeli Yükselteç
•  Bu bağlanN şekilde gösterilmektedir.
•  Bu devredeki C3 kondansatörü RF direncini giriş ve
çıkışa dağıtarak devre için istenilen AC giriş ve
çıkış direnç seviyelerini belirler.
102
•  Bu devreni uygun şekilde çizilmesi ve transistör
yerine re eşdeğer devresinin çizilmesi ile
aşağıdaki eşdeğer devre elde edilir.
103
•  Bu devrenin analizi sonucunda aşağıdaki
bağınNlar elde edilir.
•  ro≥10RC olması durumunda çıkış empedansı

104
•  Gerilim kazancı ise aşağıdaki gibi elde edilebilir.
105
•  ro≥10RC için gerilim kazancı aşağıdaki gibi
yazılabilir.
•  Gerilim kazancının negaQf olması bu devre için

de giriş ve çıkış gerilimleri arasında 180° faz
farkı olduğunu gösterir.
106
•  Örnek: Aşağıdaki devre için re, Zi, Zo ve Av
107
108
Akım Kazancının Belirlenmesi
•  Buraya kadar yükselteç devrelerin akım
kazançları hesaplanmadı.
•  Bunun nedeni gerilim kazancının gerçekte en
önemli kazanç olması ve yükselteç devrelerin
akım kazancının, gerilim kazancı ile birlikte
tanımlı giriş ve yük empedansları sayesinde
doğrudan hesaplanabilmesidir.
•  Bu amaçla aşağıdaki iki kapılı devreyi göz
önüne alalım.
109
•  Bu devrenin akım kazancı Ai aşağıdaki gibi elde

edilir. Analiz yapılırken tanım gereği giriş ve
çıkış akımlarının sisteme girecek yönde olduğu
göz önünde bulundurulmalıdır.
110
, ve olduğuna göre
•  elde edilir. RL, Vo ve Io’ın yerine göre belirlenir.

111
RL ve RS’nin Etkisi
•  Şuana kadar çözdüğümüz devrelerde parametreler
yüksüz yükselteç için ve giriş geriliminin doğrudan
transistörün terminaline bağlı olduğu durumda
belirlenmişQr.
•  Ancak yükselteç girişince Vi gerilimini oluşturan
kaynağın praQkte bir iç direnci vardır.
•  Yükseltecin çıkışına yük bağlanmadığı durumda
hesaplanan kazanca genelde yüksüz kazanç adı verilir
ve aşağıdaki gibi ifade edilir.
112
•  Daha önce belirQldiği
gibi yukarıdaki ifade
yük bağlı olmayan
yandaki devre için
geçerlidir.
113
•  Yanda gösterildiği gibi
bu devrenin çıkışına bir
RL yükü bağlanması
durumunda devre
yandaki gibi olur ve
genel kazanç aşağıdaki
gibi elde edilir.
114
•  Şekildeki devredeki
gibi hem yük (RL)
hem de girişteki Vi
gerilim kaynağının
iç direncinin hesaba
kaNlması
durumunda kazanç
genel olarak
aşağıdaki gibi ifade
edilir.
115
•  İleride yapacağımız analizlerimiz aşağıdaki
sonuçları gösterecekQr.
–  1- Bir yükseltece RL yükü bağlandığında elde edilen
kazanç, yük yokken elde edilen kazançtan daha
düşüktür.
–  2- Yükselteç girişindeki kaynak geriliminin de hesaba
kaNlması ile bulunan kazanç, yüklü ve yüksüz durumda
elde edilen kazançtan daha düşük olacakNr. Yani aynı
yapı için AVNL>AVL>AVS ’dir.
–  3- Belirli bir tasarım için RL ne kadar yüksekse AC
kazançta o kadar yüksek olur. Yine yükselteç
girişindeki gerilim kaynağının iç direnci ne kadar
düşükse toplam kazanç o kadar yüksekQr.
116
•  Hazır bir yükselteç alındığında üreQcinin verdiği
kazanç ve diğer parametreler genelde yüksüz
durum için verilir.
•  Genellikle yük bağlı ve/veya girişteki gerilim
kaynağının iç direncinin hesaba kaNldığı
devrelerin AC analizi için iki yöntem kullanılır.
Yaklaşımlardan ilki eşdeğer devreyi yerleşQrerek
istenilen değerlerin bulunmasıdır. İkinci yöntem
ise daha sonra göreceğimiz gibi iki kapılı eşdeğer
modeli tanımlamak ve yüksüz durum için
belirlenen parametreleri kullanmakNr.
117
•  Aşağıdaki şekilde sabit kutuplamalı transistör
yükselteçte transistör yerine re eşdeğer
devresinin yerleşQrilmesi ile elde edilen devre
gösterilmektedir.
118
119
•  Zo daha önce hesaplandığı gibi bulunur.
•  Eğer girişteki Vs gerilim kaynağı ve Vo arasındaki toplam

kazanç bulunmak isteniyorsa gerilim bölücü kuralı
aşağıdaki gibi kullanılabilir.
120
•  Sonuç olarak aşağıdaki bağınN elde edilir.
•  Bu ifadeden AVS’nin AVL’den daha düşük

hesaplanacağı anlaşılır.
121
•  Örnek: Şekildeki
devreye
RL=4.7kΩ’luk yük
ve RS=0.3kΩ iç
dirence sahip Vi
gerilim kaynağının
bağlanması
durumunda AVL,
AVS, Zi ve Zo
değerlerini
hesaplayınız ve
bulunan sonuçları
yüksüz durumla
karşılaşNrınız.
122
123
•  Gerilim Bölücü Yapıda RL ve RS’nin Analizi:
Şekilde RL ve RS bağlı gerilimi bölücülü yükselteç
devresi gösterilmektedir.
124
•  Bu devreni re modeli kullanılarak elde edilen
küçük sinyal AC eşdeğer devresi ve analizi aşağıda
gösterilmektedir.
125
•  Emetör İzleyici Yapıya RL ve RS’nin etkisi: Aşağıda
RL ve Rs dirençleri kullanılan emetör izleyici yapı
ve bu yapıda transistör yerine re eşdeğer
devrenin elde edilmesi ile çizilen küçük sinyal AC
eşdeğer devre gösterilmektedir.
•  Bu devrenin analizi daha önce yapılan analize
benzerdir.
•  Daha önce RL ve RS olmayan devrelerde elde
edilen sonuçlarda RE yerine RE//RL konması ile
istenilen değerler bulunabilir.
126
127
128
İki Kapılı Sistem Yaklaşımı
•  Hazır ürünlerle çalışıldığında tasarımcı her devre
elemanı ile ayrı ayrı uğraşmak yerine iki kapılı sistem
yaklaşımı kullanılabilir.
•  Yukarıda sözü edilen hazır ürünler daha önce
incelediğimiz yüksüz durumdaki yükselteç devreleri
içerebilir. Bu hazır devrelerde kazanç, giriş ve çıkış
empedansı gibi parametreleri bilinmektedir. Ancak bu
parametreler yüksüz durumdaki devreler için elde
verilirler.
•  Yüksüz durumdaki parametreler kullanılarak hazır
devrenin içeriği tam olarak bilinmese de uygulanan yük
veya kaynak direncinin etkisi hesaplanabilir.
129
•  Aşağıda örnek bir iki kapılı sistem ve önemli
parametreleri gösterilmektedir.
•  Çıkış terminalinden bakıldığında görülen devrenin

Thevenin eşdeğeri bulunursa (direnç hesabı için
Vi kısa devre edilerek) şu sonuçlar elde edilir.
130
•  Vo elde edilirken çıkışın açık uç olduğu ve Io=0 olduğu

göz önünde bulunduruldu. Devrenin giriş taraV için
yapılan analiz sonucunda çıkışında yük olmayan devre
ve ilgili bağınNlar aşağıdaki gibi elde edilir.
131
•  Bu devrenin çıkışına RL yükünün eklenmesi ile
•  Bazı transistör yapılarında çıkışa eklenen yük giriş

direncini etkilerken, diğerlerinde çıkış direnci
kaynak direncinden etkilenebilir.
132
•  Genel durumda tanım olarak yüksüz kazanç her
hangi bir yükün uygulanmasından etkilenmez.
Her hangi bir durumda, yüksüz durumdaki gerilim
kazancı (AVNL), Rİ, RO belirli bir yapı için
tanımlandığında çıkarılacak denklemler
uygulanabilir.
•  Yukarıdaki yük içeren devrenin analizi aşağıdaki
gibi gerçekleşQrilir.
133
•  Son ifadeden devrenin çıkışına yük bağlanması
ile elde edilen gerilim kazancının (AVL) yüksüz
duruma göre daha düşük olduğu görülür.
•  Bu devrenin akım kazancı içinse aşağıdaki
bağınN elde edilir.
•  İki kapılı sistemin giriş kısmı ve girişteki kaynağın

iç direncinin yükseltecin gerilim kazancına etkisi
aşağıdaki analizle görülebilir.
134
•  Yukarıdaki devrenin analizi şu sonuçlar elde edilir.
135
•  Bu ifadede AVS yükselteç girişindeki sinyal
kaynağının etkilerinin hesaba kaNlması ile elde
edilen gerilim kazancıdır.
•  Devrenin çıkışına bağlanan yük ile birlikte,
girişindeki sinyal kaynağının direncinin de etkisini
incelemek için aşağıda gösterilen devre analiz
edilebilir.
136
•  İİ=Vİ/Rİ ve İS=VS/(RS+Rİ) olduğundan akım kazancı

137
•  İİ=İS olduğundan akım kazancı için elde edilen
iki ifadeden aynı sonucu verir.
•  Ayrıca AVS için elde edilen ifade, girişteki sinyal
kaynağının direncinin ve yük direncinin
gerilim kazancını düşürdüğü görülür.
138
•  Örnek: Aşağıdaki yükselteç için,
•  a) RL=1.2kΩ iken AVL’yi hesaplayınız ve yüksüz kazançla
karşılaşNrınız.
•  b) a şıkkını RL=5.6kΩ için tekrarlayınız.
•  c) RL=1.2kΩ için AVS’yi hesaplayınız.
•  d) RL=5.6kΩ için akım kazancını hesaplayınız
139
140
Ardarda Sistemler
•  İki kapılı sistem ardarda bağlı sistemlerin
incelenmesi için çok uygundur. AV1, AV2, ..., Avn
sistemlerin gerilim kazancını göstermek üzere
aşağıdaki sistemi inceleyelim.
•  Bu devrenin analizi sonucunda aşağıdaki

bağınNlar elde edilir.
141
Ardarda Sistemler
•  Sistemlerin bir birine bağlanması ile gerilim

kazançlarının azalmasına neden olur.
Dolayısıyla yukarıda kullanılan AV1, AV2, ..., AVn
değerleri kendilerinden sonra gelen devrenin
yüklenmesi hesaba kaNlarak bulunmalıdır.
142
Ardarda Sistemler
•  Örnek: Aşağıdaki bağlanNda her bir yükselteç kaNnın
yüksüz durum için parametreleri verilmişQr. Emetör izleyici
yapı için verilen Zİ ve ZO değerleri ise yüklü durum
değerleridir.
•  a) Her kaNn yüklü durum kazançlarını,
•  b) Sistemin toplam AV ve AVS gerilim kazançlarını,
•  c) Sistemin toplam akım kazancını,
•  d) Emetör izleyici yapı kaldırıldığında sistemin toplam
kazancını (AVS) hesaplayınız.
143
Ardarda Sistemler
144
RC Bağlı BJT Yükselteçler
•  Yükselteç katlarını birbirine bağlamada kullanılan
en yaygın bağlanNlardan biri aşağıda iki yükselteç
için gösterilen RC bağlı devrelerdir.
•  Bu ismin kullanılma sebebi devrenin bağlaşım
kapasitörü CC (10μF kapasitörü) ve ilk kadaki
yükün RC birleşimi olmasıdır.
•  DC sinyaller açısında CC kapasitörü iki kaN
yalıNrken AC sinyallerin katlar arasında geçişine
izin vermektedir.
•  Ayrıca ikinci kaNn giriş empedansı, ilk kata yük
empedansı olarak davranmaktadır.
145
146
•  Örnek: a) Yukarıdaki RC bağlı transistör
yükselteçlerin yüksüz gerilim kazançlarını
hesaplayınız.
•  b) İkinci yükselteç kaNna 4.7kΩ’luk yük
bağlanması durumunda toplam kazancı ve
çıkış empedansını hesaplayınız.
•  c) İlk kaNn giriş ve ikinci kaNn çıkış
empedansını hesaplayınız.
147
148
Kaskod BağlanN
•  İki farklı kaskod bağlanN vardır. Her iki kaskod
bağlanNda da önceki transistörün kollektör ucu
sonraki transistörün emetör ucuna bağlıdır.
•  Ortak emetörlü yapı, ortak baz kaNndan daha
yüksek bir giriş empedansı sağlar ve ortak
emetörlü yapının gerilim kazancı yaklaşık 1
seçilerek iyi bir yüksek frekans tepkisi elde
edilebilir sonuç olarak Miller etkisi azalNlır. Ortak
bazlı bağlanN ile yüksek gerilim kazancı elde
edilir. Sonuç olarak yüksek frekanslarda iyi sonuç
verebilen bir bağlanN elde edilir.
•  Bu bağlanNlar aşağıda gösterilmektedir.
149
Kaskod BağlanN
150
Kaskod BağlanN
151
Kaskod BağlanN
•  Örnek: Yandaki
kaskod yapının
yüksüz gerilim
kazancını
hesaplayınız.
152
Kaskod BağlanN
153
Darlington BağlanN
•  İki BJT’nin çok yüksek β sağlayacak şekilde bağlanması
ile Darlington bağlanN elde edilir. Bu bağlanNnın temel
özelliği iki transistörün, β1β2 şeklinde akım kazancı
sağlayacak biçimde çalışmasıdır.
•  Bu bağlanN aşağıda gösterilmektedir.
154
Darlington BağlanN
•  Emetör İzleyici
BağlanGsı:
Darlington
transistör ile
kurulan emetör
izleyici
bağlanNsı
yandaki gibidir.
155
Darlington BağlanN
•  Bu devrenin DC analizi aşağıdaki gibi yapılır.
156
Darlington BağlanN
•  Örnek:
Şekildeki
devrenin
DC
analizini
yapınız.
157
Darlington BağlanN
158
Darlington BağlanN
•  AC Eşdeğer Devre: Yukarıdaki Darlington
transistörlü emetör izleyici devrenin AC analizi
için daha önce anlaNlan yöntemler kullanılabilir.
159
Darlington BağlanN
•  Gerilim Bölücü
Yükselteç:
Darlington çi€i
ile aşağıda
gösterilen
gerilim bölücü
yükselteç
devresi
kurulabilir.
•  Bu devrenin
analizi daha
önce anlaNlan
metotlar
kullanılarak
yapılabilir.
160
Darlington BağlanN
•  Sonuç olarak aşağıdaki bağınNlar elde edilir.
•  DC analiz:
161
Darlington BağlanN
•  AC analiz:
162
Darlington BağlanN
163
Geribesleme Çi€i
•  Geribesleme çi€i şekilde gösterilmektedir.
•  Bu bağlanN Darlington devresine benzer biçimde
çalışır.
•  Dikkat edilirse geribesleme çi€inde npn
transistörü süren bir pnp transistör vardır ve iki
BJT birlikte bir pnp transistör gibi çalışmaktadır.
164
Geribesleme Çi€i
•  Geribesleme çi€ini
kullanan praQk bir
devre yandaki şekilde
gösterilmektedir.
•  Bu devrenin DC analizi
aşağıdaki gibi
gerçekleşQrilir.
165
Geribesleme Çi€i
•  Daha önce öğrendiğimiz yöntemlerle devrenin

AC analizi sonucunda aşağıdaki sonuçlar elde
edilir.
166
Geribesleme Çi€i
167
Karma Eşdeğer Model
•  Daha önce anlaNldığı gibi karma parametreler re
modelinin aksine devrenin çalışma noktasından
bağımsızdır. Bu nedenle karma parametreler devrenin
gerçek çalışma koşullarını yansıtmayabilir. Ancak
devredeki parametrelerin beklenen değerleri hakkında
bulgu sağlamaktadır.
•  Ayrıca karma parametreleri BJT bilgi sayfalarından
belirli akım ve gerilim değerleri için doğrudan
okunurlar. Bu sayede BJT’lerin Qpik parametrelerinin
derhal öğrenilebilmesini mümkün olur.
•  Bu bölümde bir modelden diğerine nasıl geçileceği ve
parametreler arasındaki bağınNlar gösterilecekQr.
168
•  Karma eşdeğer modelin anlaNmı için aşağıdaki iki
kapılı sistemi ele alalım.
•  Bu sistemin parametrelerin analizi için

aşağıdaki iki denklemden yararlanılabilir.
169
•  Yukardaki denklemlerde akım ve gerilimleri
ilişkilendiren parametrelere h parametreleri adı
verilmektedir.
•  İlk denklemde VO=0 (çıkış kısa devre edilerek)
kabul edilerek yukarıdaki denklemlerden h11
•  Benzer şekilde ilk denklemde Iİ=0 yapılırsa h12 aşağıdaki

bulunur.
170
•  İkinci denklemde VO=0 yapılarak h21 için
aşağıdaki sonuç bulunur.
•  Benzer şekilde ikinci denklemde I1=0 yapılarak

h22 için aşağıdaki gibi elde edilir.
171
•  Bu ifadeler incelendiğinde h11, h12, h21 ve h22
parametrelerinin aşağıdaki gibi
yorumlanabileceği görülür.
–  h11èhi: Giriş direnci
–  h12èhr: Geri aktarım gerilim oranı
–  h21èhf: İleri aktarım akım oranı
–  h22èho: Çıkış iletkenliği
•  Bu karma parametreler kullanılarak BJT için
aşağıdaki eşdeğer devre elde edilir.
172
•  HaNrlanacağı gibi BJT’li devreler ortak emetörlü,

ortak bazlı veya ortak kollektörlü olarak
kullanılırlar. Yukardaki eşdeğer devre tüm bu
bağlanNlar için geçerlidir. Her bir bağlanN için h
parametreleri farklı değerler alırlar.
173
•  Hangi bağlanNnın kullanıldığını belirtmek üzere h
parametrelerinin alNna fazladan bir harf eklenir.
Ortak bazlı bağlanN için b harfi, ortak emetörlü
yapı için e harfi ve ortak kollektörlü yapı için c
harfi kullanılır.
•  Aşağıda ortak emetörlü yapının grafik sembolü ve
karma eşdeğer devresi gösterilmektedir.
174
•  Ortak bazlı bağlanN için karma eşdeğer devre
•  Yukardaki devreler ile hem npn hem de pnp

BJT’lerin eşdeğer devreleri elde edilebilir.
175
•  Ortak bazlı ve ortak emetörlü devreler için hr
değeri çok küçük değerlidir yani hr≅0’dır ve
hrVo=0 yaklaşımı yapılabilir.
•  Ayrıca ortak emetörlü ve bazlı devreler için 1/ho
ile gösterilen çıkış direnci yüksek değerlidir.
•  Sonuç olarak ortak bazlı ve emetörlü devreler için
hrVo ve 1/ho elemanlarının kullanılmaması analiz
sonuçları çok etkilemeyecek ve analizleri
kolaylaşNracakNr.
176
•  re modeli ile karma eşdeğer devrenin
karşılaşNrılması için aşağıdaki devreler
kullanılabilir.
•  Ortak emetörlü yapı için re ve karma eşdeğer
devreler karşılaşNrıldığında parametreleri
arasında aşağıdaki eşitlikler olduğu görülür.
177
•  Ortak bazlı devre için re ve karma eşdeğer
devreler karşılaşNrılarak parametreleri
arasında aşağıdaki bağınNlar olduğu görülür.
178
•  Örnek: IE=2.5mA, hfe=140, hoe=20μS ve hob=0.5μS ise,
•  a) Ortak emetör karma eşdeğer devre.
•  b) Ortak bazlı re modelini çiziniz.
179
180
Yaklaşık Karma Eşdeğer Model
•  Ortak bazlı yapının ve ortak emetörlü yapının
karma eşdeğerleri kullanılarak yapılan
analizler, re modelin analizine benzer.
•  Bu eşdeğer devreler aşağıda gösterilmektedir.
181
•  Karma modelin bir çok parametresi BJT bilgi
sayfalarından veya deneysel analizlerden
belirlendiği için re modelinde kullanılan DC
analize ihQyaç yoktur.
•  Kısacası problemde hie, hfe, hib ve benzeri
parametreler belirQlmişQr.
•  Karma parametrelerin ve re modelin bileşenleri
arasında şu bağınNların olduğu unutulmamalıdır;
hie=βre, hfe=β, hoe=1/ro, h‚=-α ve hib=re.
182
Sabit Kutuplamalı Yapı
•  Aşağıda sabit kutuplamalı yapı ve yaklaşık hibrit
eşdeğeri gösterilmektedir. Bu yapının analizi, re
modeli için anlaNlan ile çok benzer olduğundan
burada kısaca ele alınacakNr.
183
ve ise
184
•  Örnek: Aşağıdaki devre için Zi, Zo, Av ve Ai
185
186
Gerilim Bölücü Yapı
•  Aşağıda gerilim
bölücülü kutuplama
devresi yanda
gösterilmektedir. Bu
devrenin AC analizi
sabit kutuplamalı yapı
ile aynı şekilde yapılır,
tek yapılması gereken
sabit kutuplamalı
devrede için elde
edilen ifadelerde RB
yerine RB1//RB2
yazılmasıdır.
187
Gerilim Bölücü Yapı
188
RE Köprülenmemiş Yapı
•  Daha önce anlaNldığı
gibi CE köprü
kapasitörünün
kullanılmaması ile
yandaki devre elde
edilir ve AC analizi
aşağıdaki gibi
gerçekleşQrilir.
189
RE Köprülenmemiş Yapı
veya
190
Emetör İzleyici Yapı
•  Aşağıda emetör izleyici yapı ve AC analizi kısaca
açıklanmaktadır.
191
Emetör İzleyici Yapı
192
Ortak Bazlı Yapı
•  Aşağıda ortak bazlı yapı, AC eşdeğeri ve AC
analizi kısaca gösterilmişQr.
193
Ortak Bazlı Yapı
194
Ortak Bazlı Yapı
•  Örnek: Aşağıdaki devre için Zi, Zo, Av ve Ai
195
Ortak Bazlı Yapı
196
Tam Karma Eşdeğer Model
•  Tam karma eşdeğer devre kullanılarak hr’nin ve
ho’ın analiz sonuçlarına etkisi gösterilebilir.
•  Karma eşdeğer model, ortak bazlı ve ortak
emetörlü yapılar için aynı olduğundan bu kısımda
gelişQrilen denklemler herhangi bir yapıya
uygulanabilir. Her bir yapı için uygun
parametrelerin yerleşQrilmesi yeterlidir. Yani
ortak bazlı yapı için h‚, hib ve diğer parametreler,
ortak emetörlü yapı için hfe, hie ve diğer
parametreler kullanılır.
197
•  Aşağıdaki genel yapıyı ele alalı. Burada yapıdan
bağımsız parametreler kullanılarak, transistör yerine
tam karma eşdeğer model yerleşQrilmesi ile aşağıdaki
eşdeğer devre elde edilir.
198
•  Akım kazancının bulunması için bu devrenin çıkış

devresine KAK yazılırsa;
ve ise
199
•  Gerilim kazancı ise aşağıdaki gibi hesaplanır;
•  Giriş empedansı aşağıdaki gibi bulunur.
200
•  Çıkış empedansının hesaplanması ise aşağıdaki
gibidir.
201
•  Örnek:
Yandaki
devrede tam
karma
eşdeğer
modeli
kullanarak
Zi, Zi’, Av, Ai
ve Zo
değerlerini
hesaplayınız.
202
203
•  NOT: Yukarıdaki örnekte yaklaşık karma eşdeğer devrenin

kullanılması durumunda elde edilen sonuçların Av ve Zi için çok
değişmediği görülür. Eğer hre ve hoe etkisinin belirlenmesi gerekliyse
tam karma eşdeğer devre kullanılmalıdır.
204
•  Örnek: Aşağıdaki devrede tam karma eşdeğer
modeli kullanarak Zi, Ai, Av ve Zo değerlerini
hesaplayınız.
205
206
207
Karma π Modeli
•  Bu model BJT’nin yüksek frekans tepkisini modelleyen
ve re ve karma eşdeğer devrelerde bulunmayan
parametreler içermektedir.
•  Aşağıda BJT’nin tam bir frekans analizi için gerekli
parametreleriyle birlikte karma π modeli
gösterilmektedir.
208
Karma π Modeli
•  Bu model düşük frekanslarda yaklaşık olarak re
modeline dönüştürülebilir.
•  Şekildeki kapasitörlerin tümü BJT eklemleri arasında
meydana gelen kaçak (paraziQk) kapasitörlerdir. Düşük
ve orta frekans bölgesinde bu kapasitansların
emepedans değerleri yüksekQr (Xc=1/(ωC)) ve açık
devre olarak kabul edilebilirler. Ayrıca rb direncinin
değeri düşük olduğu için kısa devre kabul edilebilir. re
direnci ise genellikle çok yüksek değerlidir ve bu
nedenle açık devre kabul edilebilir. Sonuç olarak re
modeline benzer bir model elde edilir.
209
Karma π Modeli
•  Bu modelin kullanımı eşdeğer parametrelerin
bulunmasına bağlıdır. Tipik olarak rπ, gm ve ro
için aşağıdaki bağınNlar yazılabilir.
•  Karma π modeli aslen yüksek frekans etkilerini

incelemek için kullanılır ve bu nedenle küçük
sinyal AC analizde kullanılmayacakNr.
210

Elektronik 1 Sunum 5 9736

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Elektronik 1 Sunum 5 9736

Uploaded by

Document Information

Original Description:

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronik 1 Sunum 5 9736

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Elektronik

• Yukarıdaki devrede iac(p-p)>>ic(pp) olduğu için AC

• Bu devrede transistör yerine eşdeğer devresi

• BTJ’nin çıkış empedansının da devreye dahil

• Tipik olarak VA (Early gerilimi olarak bilinir), VCE’den

• Bu ifadede VA sabit olduğundan artan kollektör akımı

• Bu ifade ve çıkış karakterisQğinden görüldüğü gibi

• Tipik bir ortak emetörlü BJT’de, β 50 ile 200

• Ortak bazlı BJT’nin çıkış karakterisQği ve ro değerinin

• Sonuç olarak ortak bazlı pnp transistör için yukarıdaki eşdeğer

• Genellikle RB>10βre olduğundan Zi≅βre olur.

Eğer ro≥10Rc ise Zo≅Rc bulunur.

ro>10Rc olması durumunda eşitliği kullanılabilir.

• Bu devrenin analizi aşağıdaki gibi

• Vi=0V yapılırsa Ib=0 A ve βIb=0mA olur sonuçta çıkış

• ro≥10Rc olması durumunda Zo≅Rc yazılabilir. Gerilim

• Ro≥10Rc olması durumunda ise gerilim kazancı

• Gerilim kazancının negaQf olması giriş ve çıkış

• Bu eşdeğer devrede etkisi küçük olduğundan ro ihmal

• β>>1 olduğundan Zb yaklaşık olarak aşağıdaki gibi elde

• Bu ifade de Zb≅β(re+RE) yazılarak gerilim kazancı

• Diakkat edilirse bu gerilim kazancı ifadesinde β yoktur.

• Bu ifadedeki Rc/ro her zaman (β+1)’den daha düşük

• olarak elde edilir.

• Zo direnci aşağıdaki gibi elde edilir.

• Bu ifade de ro>>re olduğu için Zo aşağıdaki gibi

• Bu ifade düzenlenerek Zo aşağıdaki gibi elde edilir.

• Tipik olarak 1/β ve re/RE değerleri ve toplamları birden

• re/ro<<1 olacağı için bu ifade aşağıdaki gibi elde

• Ib, (β+1) ile çarpılarak Ie akımı aşağıdaki gibi

• Bu ifadede Zb yerine yazılarak Ie aşağıdaki gibi

• Daha önce belirvğimiz gibi bu bağlanNda Vi ve

• β≅(β+1) yaklaşımı yapılırsa,

• ro>>re olduğu için Zo, herhangi bir ro değeri için

• Eğer ro>>re olduğu ve β+1≅β yaklaşımı

• ve gerilim kazancı aşağıdaki gibi bulunur.

• Analizler sonucunda Av’nin poziQf çıkması giriş ve çıkış

• Dikkat edilirse eşdeğer devreye ro dahil

• Bu eşitlik düzenlenerek aşağıdaki bağınN elde edilir.

• Zo’ı bulmak için Vi sıVra eşitlenirse aşağıdaki devre

• olur. RF>>RC ise,

• elde edilir. Bu ifadeden anlaşılacağı gibi devrenin giriş

• ro≥10RC koşulu kullanılarak aşağıdaki bağınN elde edilir.

• olur. Tipik olarak RF>>RC olduğu için,

• olur. Bu sonuç daha önce elde edilen sonuçla

• ro≥10RC olması durumunda

• olur. ro≥10RC ve RF>>RC olması durumunda ise

• olur. RF>>RC ise • olur.

• ro≥10RC olması durumunda çıkış empedansı

• Gerilim kazancının negaQf olması bu devre için

• Bu devrenin akım kazancı Ai aşağıdaki gibi elde

• elde edilir. RL, Vo ve Io’ın yerine göre belirlenir.

• Eğer girişteki Vs gerilim kaynağı ve Vo arasındaki toplam

• Bu ifadeden AVS’nin AVL’den daha düşük

• Çıkış terminalinden bakıldığında görülen devrenin

• Vo elde edilirken çıkışın açık uç olduğu ve Io=0 olduğu

• Bazı transistör yapılarında çıkışa eklenen yük giriş

• İki kapılı sistemin giriş kısmı ve girişteki kaynağın

•  Yukarıdaki devrede iac(p-p)>>ic(pp) olduğu için AC

•  Bu devrede transistör yerine eşdeğer devresi

•  BTJ’nin çıkış empedansının da devreye dahil

•  Tipik olarak VA (Early gerilimi olarak bilinir), VCE’den

•  Bu ifadede VA sabit olduğundan artan kollektör akımı

•  Bu ifade ve çıkış karakterisQğinden görüldüğü gibi

•  Tipik bir ortak emetörlü BJT’de, β 50 ile 200

•  Ortak bazlı BJT’nin çıkış karakterisQği ve ro değerinin

•  Sonuç olarak ortak bazlı pnp transistör için yukarıdaki eşdeğer

•  Genellikle RB>10βre olduğundan Zi≅βre olur.

•  Bu devrenin analizi aşağıdaki gibi

•  Vi=0V yapılırsa Ib=0 A ve βIb=0mA olur sonuçta çıkış

•  ro≥10Rc olması durumunda Zo≅Rc yazılabilir. Gerilim

•  Ro≥10Rc olması durumunda ise gerilim kazancı

•  Gerilim kazancının negaQf olması giriş ve çıkış

•  Bu eşdeğer devrede etkisi küçük olduğundan ro ihmal

•  β>>1 olduğundan Zb yaklaşık olarak aşağıdaki gibi elde

•  Bu ifade de Zb≅β(re+RE) yazılarak gerilim kazancı

•  Diakkat edilirse bu gerilim kazancı ifadesinde β yoktur.

•  Bu ifadedeki Rc/ro her zaman (β+1)’den daha düşük

•  olarak elde edilir.

•  Zo direnci aşağıdaki gibi elde edilir.

•  Bu ifade de ro>>re olduğu için Zo aşağıdaki gibi

•  Bu ifade düzenlenerek Zo aşağıdaki gibi elde edilir.

•  Tipik olarak 1/β ve re/RE değerleri ve toplamları birden

•  re/ro<<1 olacağı için bu ifade aşağıdaki gibi elde

•  Ib, (β+1) ile çarpılarak Ie akımı aşağıdaki gibi

•  Bu ifadede Zb yerine yazılarak Ie aşağıdaki gibi

•  Daha önce belirvğimiz gibi bu bağlanNda Vi ve

•  β≅(β+1) yaklaşımı yapılırsa,

•  ro>>re olduğu için Zo, herhangi bir ro değeri için

•  Eğer ro>>re olduğu ve β+1≅β yaklaşımı

•  ve gerilim kazancı aşağıdaki gibi bulunur.

•  Analizler sonucunda Av’nin poziQf çıkması giriş ve çıkış

•  Dikkat edilirse eşdeğer devreye ro dahil

•  Bu eşitlik düzenlenerek aşağıdaki bağınN elde edilir.

•  Zo’ı bulmak için Vi sıVra eşitlenirse aşağıdaki devre

•  olur. RF>>RC ise,

•  elde edilir. Bu ifadeden anlaşılacağı gibi devrenin giriş

•  ro≥10RC koşulu kullanılarak aşağıdaki bağınN elde edilir.

•  olur. Tipik olarak RF>>RC olduğu için,

•  olur. Bu sonuç daha önce elde edilen sonuçla

•  ro≥10RC olması durumunda

•  olur. ro≥10RC ve RF>>RC olması durumunda ise

•  olur. RF>>RC ise •  olur.

•  ro≥10RC olması durumunda çıkış empedansı

•  Gerilim kazancının negaQf olması bu devre için

•  Bu devrenin akım kazancı Ai aşağıdaki gibi elde

•  elde edilir. RL, Vo ve Io’ın yerine göre belirlenir.

•  Eğer girişteki Vs gerilim kaynağı ve Vo arasındaki toplam

•  Bu ifadeden AVS’nin AVL’den daha düşük

•  Çıkış terminalinden bakıldığında görülen devrenin

•  Vo elde edilirken çıkışın açık uç olduğu ve Io=0 olduğu

•  Bazı transistör yapılarında çıkışa eklenen yük giriş

•  İki kapılı sistemin giriş kısmı ve girişteki kaynağın

•  Yukarıdaki devrenin analizi şu sonuçlar elde edilir.

•  İİ=Vİ/Rİ ve İS=VS/(RS+Rİ) olduğundan akım kazancı

•  Bu devrenin analizi sonucunda aşağıdaki

•  Sistemlerin bir birine bağlanması ile gerilim

•  Daha önce öğrendiğimiz yöntemlerle devrenin

•  Bu sistemin parametrelerin analizi için

•  Benzer şekilde ilk denklemde Iİ=0 yapılırsa h12 aşağıdaki

•  Benzer şekilde ikinci denklemde I1=0 yapılarak

•  HaNrlanacağı gibi BJT’li devreler ortak emetörlü,

•  Yukardaki devreler ile hem npn hem de pnp

•  Akım kazancının bulunması için bu devrenin çıkış

•  Giriş empedansı aşağıdaki gibi bulunur.

•  NOT: Yukarıdaki örnekte yaklaşık karma eşdeğer devrenin

•  Karma π modeli aslen yüksek frekans etkilerini