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    Universidad Nacional Autónoma de México: Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán. Campo 4

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    Luis Figueroa
    This document describes an experiment conducted on an amplifier circuit using a BJT transistor. The objectives are to measure the voltage and current gain of the basic amplifier from experimental data and to examine the effect of the bypass capacitor on input impedance and voltage gain. The circuit diagram shows a common emitter amplifier configuration. Experimental results are presented in tables showing voltages, currents, and gains for various input signal amplitudes both with and without the bypass capacitor. The conclusions discuss applications of transistors in electronic systems and measurements taken in the experiment.

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    Universidad Nacional Autónoma de México: Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán. Campo 4

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    Luis Figueroa
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    Original Description:

    PRACTICA 6 ELECTRONICA

    Original Title

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    UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO

    FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLÁN. CAMPO 4


    INGENIERÍA INDUSTRIAL

    LABORATORIO DE ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

    PRÁCTICA #6. “AMPLIFICADOR CON EL TBJ”.

    PROFESOR: ING. FERNANDO PATLÁN CARDOSO

    REALIZADO POR:

    RUEDA FIGUEROA LUIS

    FECHA DE ENTREGA: MARTES 31 DE OCTUBRE DE 2017


    OBJETIVOS
     Obtener a partir de datos experimentales, la ganancia del voltaje y en
    corriente de un amplificado básico.
     Medir el efecto que causa en la impedancia de entrada y en la ganancia de
    voltaje en el capacitor de desvío.

    INTRODUCCIÓN
    Para operar como amplificador, el BJT debe estar polarizado en la región activa. Se
    debe establecer una polarización que permita contar con una corriente de emisor (o
    de colector) en CC que sea constante. Corriente predecible e insensible a cambios
    en la temperatura y β. La operación está altamente influida por el valor de la
    corriente de polarización.
    En esta práctica se armará un amplificador básico clase A en configuración al emisor
    común. La característica principal de este amplificador es que el transistor está
    polarizado en la región de amplificación y la corriente del colector fluye durante un
    ciclo de trabajo completo. La corriente del colector se mantiene siempre dentro de
    la porción lineal de la característica de colector.

    EQUIPO
     Fuente de voltaje de CD.
     Multímetro.
     Osciloscopio.
     Protoboard.
     Pinzas de corte.
     Generador de funciones.

    MATERIAL
     Alambres y cables para conexiones (caimán-banana, puentes y caimán-
    caimán, puentes).
     1 resistencia de 47 kΩ a ½ watt (R1)
     1 resistencia de 12 kΩ a ½ watt (R2)
     1 resistencia de 10 kΩ a ½ watt (R3)
     1 resistencia de 1.8 kΩ a ½ watt (R4)
     1 resistencia de 470 Ω a ½ watt (Rc)
     1 resistencia de 47 Ω a ½ watt (RE)
     1 Capacitor 100 µF a 25 V (Ce)
     2 Capacitores a 47 µF a 25 V (Ci, Cc)
     1 transistor BC547A
    DESARROLLO
    1. Armar el circuito siguiente:

    2. Sin conectar los capacitores Ce y el Vi apagado, medir con ayuda y anotar


    en la tabla siguiente los datos mostrados:
    VB (V) VE (V) VC (V) V CEQ (V) IB (µA) IC (mA)
    1.17 0.9 5.2 4.7 2 1.1

    3. Calibrar Vi para obtener una señal senoidal en el punto Vg=60 mVpp y una
    frecuencia de 1 kHz. Observar en el osciloscopio las señales Vg y Vs.

    4. Conectar el capacitador Ce como lo indica la línea punteada del circuito y


    repetir los pasos 2 y 3
    Vg (mVpp) 40 60 80 100 120 140 160 200 220 240 260 300
    Vs (Vpp) 40 60 84 100 116 132 148 184 204 220 236 268
    Δv 1 1 1.05 1 1.03 1.06 1.08 1.08 1.07 1.09 1.1 1.11
    Comentarios La señal se encuentra desfasada por 180°
    CONCLUSIONES
    Como ya hemos podido ver en el reporte hemos conocido la variedad de
    aplicaciones de los transistores y su utilización en la composición de sistemas
    electrónicos.
    También hemos realizado la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de
    los transistores, así como sus materiales de composición y los instrumentos para
    tomas lecturas.
    Las pruebas que hemos llevado a cabo sobre los transistores nos dan referencias
    fidedignas de tres parámetros que podemos identificar como son:
    1) La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).
    2) De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada
    patilla, bien sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.
    3) Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada
    de la ganancia del transistor en términos relativos.

    BIBLIOGRAFÍA
     Boylestad, Robert, Electrónica Teoría de Circuitos y Dispositivos
    Electrónicos, 8ª Ed., México, Editorial Pearson, 2003.
     Manual de prácticas de laboratorio “Electrónica Industrial”
    http://olimpia.cuautitlan2.unam.mx/pagina_ingenieria/electronica/prac/practi
    cas/3/M_Electronica_Industrial_2018-1.pdf (2017).

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