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CAPÍTULO 7

ESTABILIZAÇÃO DA POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES

INTRODUÇÃO de destruir os fios de conexão dos dispositivos,

embora a corrente necessária para tal, seja bem
Ao lançar um transistor no comércio, o maior que a especificada como corrente máxima
fabricante fornece todas as informações sobre absoluta.
ele e as inclui em seus manuais para facilitar o Embora o β dependa do transistor, ele
trabalho dos técnicos e projetistas de circuitos. pode sofrer variações de acordo com o valor de
Uma das principais informações IC. Assim, para valores muito elevados de
fornecidas é a família de curvas características corrente, o β diminui. A figura 7-1 nos mostra
de saída do transistor. De posse dela, entre três curvas para alguns tipos de transistores.
outras coisas, podemos traçar a linha de carga e
a curva de máxima dissipação de potência. A
primeira nos possibilita a escolha do ponto “Q”
(ponto quiescente) ou POE (ponto de operação
estática) e a segunda nos assegura se o transistor
está trabalhando dentro de seus limites.
Aparentemente, para que um transistor
não se danifique durante seu funcionamento,
baste que ele trabalhe dentro dos limites de
dissipação de potência. Entretanto, existem
outros aspectos a serem considerados, tais
como: corrente, tensão e temperatura.
Portanto, antes de entrarmos no traçado
da curva de máxima dissipação de potência,
faremos considerações sobre essas limitações. Figura 7-1 Ganho em função da IC para vários
transistores
LIMITAÇÕES DOS TRANSISTORES
BIPOLARES Na figura 7-2, são apresentadas as curvas
características de saída e é delimitada a faixa
Como qualquer componente eletrônico, possível de operação, em termos de corrente do
o transistor em funcionamento normal, não deve coletor. Nesta figura estamos considerando
ultrapassar os valores limites de tensão, apenas a limitação de corrente do coletor.
corrente, potência, temperatura e frequência, Ainda com relação às especificações de
fornecidos pelo fabricante, sob pena de correntes, o fabricante fornece, às vezes, os
desempenho não satisfatório, diminuição do valores limites das correntes de base e de
tempo de vida ou mesmo destruição do emissor.
componente.
Limitações de tensões
Limitações de correntes
Como limitação de tensão, geralmente o
O fabricante especifica a corrente de fabricante fornece os valores máximos das
coletor (máxima absoluta) que pode fluir no tensões entre os três terminais, ou seja, os
transistor, embora esta definição não seja muito valores máximos de VBE, VBC e VCE, quando as
clara, uma vez que na realidade, desde que a junções são polarizadas inversamente.
potência dissipada não ultrapasse o valor Sabemos que, no funcionamento normal
também especificado por ele, a corrente do do transistor, a junção base-emissor é polarizada
coletor pode ser aumentada até um ponto que diretamente, mas o fabricante costuma dar a
não destrua o material do transistor. Entretanto, tensão máxima inversa, caso ela venha a ser
mesmo sem exceder a potência especificada, a polarizada inversamente, fato que ocorre,
corrente pode ser suficientemente alta a ponto quando o transistor é usado como chave.

7-1
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Quanto à junção base-coletor, ela A figura 7-3 mostra a ocorrência do fato

normalmente é polarizada no sentido inverso, com diversos valores de corrente de emissor.
havendo portanto, necessidade de fornecer os Esta figura mostra também que o fabricante
valores máximos inversos de VBC e VCE. fornece a BVBCO , que é a tensão de ruptura
entre o coletor e a base. A letra “B” significa
ruptura (Breakdown em inglês) e a letra “O”
significa que o emissor está aberto (Open).
Geralmente, o fabricante especifica
também a tensão máxima permissível entre o
coletor e o emissor, com a base aberta. Esta
especificação é dada em termos de BVCEO,
tensão inversa de ruptura entre o coletor e o
emissor. O conjunto de curvas representativas
deste fenômeno é ilustrado na figura 7-4.
Figura 7-2 Delimitação da região de funcio-
namento de um transistor em
função da máxima IC

Lembramos que VCE = VBC + VBE.

Portanto, dados os valores de VBE e VCE, VBC
estará praticamente definida, pois basta verificar
a diferença entre os valores dados para se obter
VBC.
Por exemplo, se um transistor de silício
está funcionando em um circuito com VBE =
0,6V e VCE = 10V, forçosamente a tensão
inversa presente na junção base-coletor será: Figura 7-4 Curvas características de saída da
configuração emissor comum, desta-
VBC = VCE – VBE = 10 – 0,6 = 9,4V cando a tensão de ruptura da junção
emissor-coletor
Os limites dessas tensões são fixados,
por causa do efeito de ruptura que ocorre Limitações de potência
quando se aumenta a tensão inversa de uma
junção. Além das limitações de corrente e tensão
Por exemplo, se a tensão inversa entre a limitação de potência é das mais importantes
base e coletor for aumentando, com IE = 0, será para os transistores, bem como para todos os
atingida a tensão de ruptura (tensão Zener) e dispositivos semicondutores e até mesmo para
haverá um brusco aumento na corrente de todos os componentes elétricos.
coletor. Isto acontece também quando a corrente No funcionamento do transistor, o calor
de emissor é diferente de zero. é gerado na junção base-coletor, onde quase
toda a tensão externa é aplicada.
Por exemplo, num circuito em emissor
comum, a potência gerada no transistor é dada
aproximadamente por IC x VCE .
Essa limitação de potência, ou seja, a
máxima potência que o transistor pode dissipar
com segurança, depende da temperatura
máxima permissível para a junção base-emissor
(especificada pelo fabricante), da máxima
Figura 7-3 Curvas características de saída da temperatura ambiente de operação do circuito
configuração base comum, desta- (avaliada pelo projetista) e dos meios utilizados
cando a tensão de ruptura da junção para dissipar o calor produzido na junção base-
base-coletor. emissor.

7-2
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O fabricante especifica a potência De posse do valor de Pmáx podemos

máxima para o transistor, considerando o seu atribuir valores a VCE, encontrar os valores
funcionamento à temperatura de 25o C. correspondentes de IC e determinar os vários
pontos da curva, que possibilitarão o seu
CURVA DE MÁXIMA DISSIPAÇÃO DE traçado.
POTÊNCIA Por exemplo, se um transistor pode
dissipar no máximo 1W a 25o C, podemos
O traçado dessa curva é feito sobre as determinar que ele opere com uma VCE de 4 V,
curvas características de saída do transistor. e assim determinarmos a sua IC.
Para facilitar a compreensão, serão omitidos os
Pmáx 1W
valores da corrente de entrada. IC = = = 0,25 A
Sendo a potência dissipada no transistor VCE 4V
igual ao produto de IC pela VCE, temos: Com o valor suposto de VCE e o valor de
P = IC x VCE IC encontrado, determinamos o ponto “X”, que
será um dos pontos da curva, ilustrada na figura
Se fixarmos a potência máxima que o 7-5. Se montarmos uma tabela e atribuirmos
transistor pode dissipar, em uma determinada valores a VCE, encontraremos os valores
temperatura, e considerarmos IC e VCE como correspondentes de IC que, combinados com os
variáveis, teremos: valores de tensão, determinarão os pontos A, B,
Pmáx = IC x VCE C, D, E, F e G, no gráfico da figura 7-5.

P em W 1 1 1 1 1 1 1
VCE em V 1 2 3 5 6 8 10
IC em mA 1000 500 333 200 166 125 100

Tabela para determinar IC em função de VCE com “P” constante

Figura 7-5 Curva de máxima dissipação

A curva é obtida, interligando-se os Quanto mais alta for a temperatura de

pontos encontrados na tabela. Esta curva é trabalho do transistor, menor será a sua região
também chamada de curva de potência de operação. A figura 7-6 mostra como a
constante. variação de temperatura afeta a região de

7-3
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operação do transistor. Em alguns casos, em que Pelo que já vimos até aqui, fica evidente
o transistor precisa operar com altas correntes que a reta de carga é determinada por dois
(da ordem de Ampères), são usados sistemas de valores: tensão de alimentação e valor de RL .
refrigeração para reduzir a temperatura e
ampliar a região de operação.

Figura 7-7 Traçado da reta de carga

Na escolha da tensão de alimentação e

do valor de RL, devemos observar a máxima
dissipação de potência especificada. Para maior
Figura 7-6 Efeito da variação de temperatura segurança, não devemos permitir que a reta
sobre a região de operação do toque a curva de máxima dissipação, pois se o
transistor circuito de polarização não contar com uma boa
estabilidade, qualquer aumento na temperatura
Linha de carga ambiente poderá fazer com que a potência,
dissipada pelo transistor utilizado, ultrapasse a
A linha de carga (ou reta de carga) é a especificada pelo fabricante, levando o
linha que cruza a família de curvas de saída. transistor à sua danificação permanente.
Essa linha possibilita aos técnicos e projetistas, Na figura 7-8 temos a curva de saída
a escolha do ponto “Q”, que determina os com três linhas de carga, referentes a um
valores de tensão e corrente que polarizam o amplificador na configuração emissor comum,
transistor. onde podemos selecionar diferentes valores de
Em qualquer das três configurações ela é RL e de VCC.
traçada, levando-se em conta a curva de máxima Quando queremos que o circuito opere
dissipação de potência. como amplificador de potência, escolhemos
Duas situações de funcionamento do valores que determinem uma reta de carga mais
transistor determinam as extremidades da linha inclinada, como a de RL1 , aproveitando toda a
de carga de um amplificador: corte e saturação. potência que o transistor pode oferecer. Nesse
Para encontrar o extremo inferior da reta (ponto caso o circuito deve contar com uma ótima
“A” no gráfico da figura 7-6), supomos o estabilização de polarização que, geralmente,
transistor em corte (IC = 0). exige o emprego de diodos termistores.
Nesse caso VCE é igual à tensão da fonte É bom observar que na especificação da
de alimentação. potência máxima de um transistor, feita pelo
O extremo superior (ponto’B”) é fabricante, é deixada uma pequena margem de
encontrado, supondo-se o transistor em segurança com a qual o técnico e o projetista
saturação. não devem contar.
Nessa situação ele apresenta resistência Observando ainda a figura 7-8, é fácil
nula em sua junção coletor-emissor, concluir que com a mesma VCC (6 V) podemos
determinando uma VCE igual a zero volt, determinar a reta de carga que mais interessar,
ficando a corrente de coletor limitada apenas variando apenas a RL, a exemplo das retas
pelo resistor de carga (RL). correspondentes à RL2 e RL3.

7-4
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Figura 7-8 Traçado da reta de carga em função de RL e VCC

INSTABILIDADE TÉRMICA DOS direta de coletor). Isto pode ser provado através
TRANSISTORES da seguinte equação:
IC = β x IB + ICO
Já é de nosso conhecimento que os
transistores são instáveis à variação de Substituindo ICO pela sua equação
temperatura. Esse fenômeno é devido às correspondente, teremos:
características intrínsecas do material básico, IC = β x IB + (β + 1) ICBO
usado na sua confecção.
Por causa dessas características, quando
polarizado, o transistor apresenta uma pequena
corrente indesejável, chamada de corrente
inversa, corrente de fuga ou ainda ICBO. Esta
ICBO é a corrente que flui entre o coletor e a
base, estando o emissor em circuito aberto,
conforme aparece na figura 7-9.
Quando o transistor é polarizado como
na figura 7-10, ao atingir o circuito de base a
ICBO sofre uma amplificação, conforme o fator
beta do transistor. Esta amplificação da ICBO dá Figura 7-9 Corrente entre base e coletor, com
origem à ICO, que é definida como sendo a emissor aberto
corrente inversa do transistor, no circuito
coletor. O valor de ICO pode ser calculado
através da seguinte fórmula:

ICO = (β + 1) ICBO

Se o valor de ICBO se mantiver a um

nível pequeno, como o normal previsto para
uma determinada temperatura, os problemas
apresentados não serão prejudiciais ao circuito.
Porém, se a ICBO sofrer um aumento,
principalmente ocasionado pelo efeito térmico, Figura 7-10 Correntes inversas no transistor
o resultado será um aumento de IC (corrente polarizado

7-5
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No caso da IC aumentar em função do são os sistemas de polarização automática. É

aumento da ICBO , o ponto “Q” do circuito importante frisar que a ICO flui no coletor,
sofrerá um deslocamento ao longo da reta de independente da corrente de base. Isto pode ser
carga. verificado na curva característica de saída do
A mudança do ponto “Q” pode ser transistor, ilustrada na figura 7-11.
cumulativa e pode destruir o transistor. As Nesta curva vemos que com IB igual a
medidas utilizadas para contornar esta situação zero flui uma pequena IC.

Figura 7-11 Curva característica de saída de um transistor em configuração emissor comum.

A ICO é normalmente especificada pelo polarização se não forem empregados circuitos

fabricante e consta nas características do de compensação.
transistor. Seu valor é fornecido para A figura 7-12 mostra a variação da ICBO
determinadas temperaturas, geralmente 25o C. em função da variação de temperatura da junção
O aumento de temperatura nas junções base-coletor. O valor da corrente de fuga é de
de um transistor começa, normalmente, por um 1 mA a 125o C. Em temperaturas abaixo de 10o
aumento na temperatura ambiente ou mesmo C a corrente não causa problema.
devido ao funcionamento normal do circuito,
ainda que instantâneo. Neste caso, por causa do
transiente que leva o transistor a dissipar maior
potência.
Em qualquer situação, o circuito deve
estar em condições de manter-se em bom
funcionamento e, para isto, depende de como
ele está polarizado e estabilizado.
Já é de nosso conhecimento que a
polarização é estabelecida para um transistor
pela especificação dos valores quiescentes da
tensão entre coletor e emissor e da corrente de
coletor. Uma operação confiável do transistor
dentro de um grande intervalo de temperatura,
requer que a tensão e a corrente de polarização
permaneçam estáveis. Todavia, variações da Figura 7-12 Variação de ICBO em função da
corrente inversa em função da variação de temperatura da junção base-
temperatura, prejudicam a estabilidade da coletor

7-6
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Análise da polarização de um transistor constante. Tomemos como exemplo o transistor

2N408, cujas características de saída aparecem
no gráfico da figura 7-13.
A polarização de um transistor, em
princípio, seria bastante simples. Bastaria Através deste gráfico verificamos as
aplicar tensões contínuas aos elementos do condições de trabalho do transistor. A linha de
transistor, de modo que as correntes carga foi traçada entre os limites de 6V, para
permanecessem estáticas, em um nível médio e máxima VCE, e 60 mA, para máxima IC .

Figura 7-13 Curva característica de saída de um transistor em configuração emissor comum, com reta
de carga e ponto “Q”

Na figura 7-14, o transistor utilizado é de Pela análise do circuito e das curvas

germânio e a IB escolhida foi de 0,3 mA. O valor características de saída, podemos verificar os
de RB foi determinado da seguinte forma: valores de tensão e corrente CC, estáticos, para
o circuito. Com a projeção de perpendiculares,
do ponto de cruzamento de IB com a linha de
VCC − VBE 6V − 0, 2V 5,8V carga, para os eixos de IC e VCE, verificamos
RB= = = =19,3 KΩ
IB 0,3mA 0,3 mA que a IC e a VCE serão, respectivamente, 26 mA
e 3,4V.
Nesta situação podemos dizer que, com
IB de 0,3 mA, a IC será de 26 mA e a VCE será
de 3,4 V, no circuito da figura 7-14.
A IC, para uma IB de 0,3 mA, pode ainda
ser calculada através do fator beta do transistor,
que neste caso será em torno de 86.

∆ IC
β= ∴ IC = β x I B = 86 x 0,3 m A ≅ 26 mA
∆ IB

Já vimos que IC, considerando-se ICO,

pode ser formulada da seguinte forma:

Figura 7-14 Transistor PNP polarizado IC = β x IB - ICO

7-7
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Se a ICO aumentar, com o acréscimo da Na equação apresentada, “S” é o fator de

temperatura, a IC também aumentará. estabilidade de corrente e seu valor ideal é a
Observe, no circuito da figura 7-10, que unidade.
IC e ICO têm o mesmo sentido.
Logo, se a ICO aumentar, por qualquer VALORES TÍPICOS DE TENSÕES DE
motivo, a Ic aumentará, mudando o ponto “Q” JUNÇÃO PARA TRANSISTORES
do circuito.
A figura 7-15 mostra as características
Fator de estabilidade da IC, como função da VBE, para transistores de
germânio e de silício tipo NPN, e indica as
Para a análise da estabilidade da polari- várias regiões para um transistor na configu-
zação estática de um circuito amplificador, é ração emissor comum. Os valores numéricos
usada a seguinte equação: indicados são obtidos experimentalmente ou a
partir de equações teóricas. A região de corte é
∆ IC definida como sendo a região onde a IE = 0 e IC
S= = ICO, quando a polarização da junção base-
∆ I CO emissor não existe (VBE ≤ 0V).

Figura 7-15 Curvas de IC em função de VBE para transistores de germânio e de silício

7-8
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Quando a junção base-emissor é VCE − VBE 3, 4 − 0, 2

polarizada inversamente, a IB é muito pequena, RB = = = 10667 ohms
IB 300 x 10 − 6
sendo da ordem de nanoampères ou microampè-
res para os transistores de silício e de germânio,
Em situações normais, o resistor RB
respectivamente.
limitará o valor de IB em 300 µA. Esta IB produz
Nenhuma IB apreciável flui até que a
uma IC de 26 mA, que determina em RC uma
junção base-emissor seja polarizada direta-
queda de tensão de 2,6 V. Portanto, a tensão
mente, de modo que: VBE > V τ , onde V τ é VCE será igual a VCC – VCR = 3,4 V, que é o
chamada de tensão de limiar. mesmo valor observado no gráfico da figura 7-
Como a IC é nominalmente proporcional 13.
à IB, nenhuma corrente apreciável fluirá pelo RB, cujo valor é de 10667 ohms, limita a
circuito de coletor, até que exista uma corrente IB em 300 µA, desde que a VCE permaneça em
apreciável no circuito de base. 3,4 V. Suponhamos agora um aumento de ICO,
Podemos estimar a V τ , supondo que que por sua vez tende a aumentar a IC. Se a IC
VBE = V τ quando a IC alcançar aproxima- aumentasse, aumentaria também a VRC, o que
damente 1% da corrente de saturação, no diminuiria a VCE. Com a diminuição da VCE, a
circuito em emissor comum. Valores típicos de corrente através de RB também seria menor.
V τ são 0,1 V para os transistores de germânio e Com menor IB, menor seria a IC. Observamos
0,5 V para os de silício. então que qualquer tentativa de aumento de IC
O transistor estará na região ativa produz uma diminuição de IB e a IC tende a
sempre que houver uma polarização direta entre diminuir. O resultado é que a IC tende a manter-
base e emissor, suficientemente grande. A se no ponto de operação escolhido, que no caso
região ativa é atingida efetivamente quando é de 26 mA.
tivermos VBE > V τ .
Os fabricantes especificam os valores de
saturação das tensões de entrada e de saída de
vários modos. Por exemplo, podem fornecer
curvas de VCE e VBE de saturação, como funções
de IB e IC.
As tensões de saturação dependem não
somente do ponto de operação, mas também do
material semicondutor e das características de
fabricação do transistor.

MÉTODOS DE POLARIZAÇÃO PARA

ESTABILIZAÇÃO DA IC

Existem vários meios de se conseguir

uma estabilização térmica da IC. Todos os
sistemas têm vantagens e desvantagens. Figura 7-16 Polarização automática com RB
ligado ao coletor
Polarização automática com RB ligado ao
coletor O sistema de estabilização por
realimentação de CC tirada do coletor é bom,
Na figura 7-16 podemos ver um circuito mas tem o inconveniente da realimentação de
de estabilização com RB ligado ao coletor. Os CA. Neste caso, referimo-nos às variações da
valores de RB e RC devem estar de acordo com VCE em trabalhos dinâmicos.
as características que se desejam para o circuito. Para atenuar a realimentação de CA, os
Mas considerando-se o gráfico da figura 7-13, projetistas que usam esse sistema, costumam
cuja reta de carga é para uma RC de 100 Ohms, desmembrar RB em dois resistores.
verificamos que com uma IB de 300 µA, a VCE O uso de um capacitor, como aparece na
será de 3,4 V. O cálculo de RB neste caso é dado figura 7-17, também ajuda na redução dessa
pela seguinte equação: realimentação.

7-9
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muito pequeno não entrará em cogitação. A VE

é a queda em RE e pode ser encontrada pela Lei
de Ohm.

VE = RE x IE = 26 mA x 10 ohms = 0,26 V

Sendo a VE de –0,26 V, para que a VBE

seja de 0,2 V, a VB debe ser igual a –0,46 V.
Se a VCC é de –6 V, RB deverá limita-la.
Neste caso o valor de RB é encontrado pela
equação:

VCC − VB 6 − 0, 46
RB = = = 18460 ohms
IB 0,0003
Figura 7-17 Polarização automática com atenu-
ação da realimentação CA Observando o circuito da figura 7-18,
concluímos que ao ser ligado, a IB será limitada
Estabilização por realimentação de CC com em 300 µA, determinando uma VB de –0,46V.
RE A IB de 300 µA produz uma IC de 26 mA
que fluindo em RE causa, sobre este, uma VRE
Os resistores RC e RE constituem a RL do de –0,26V. Vemos então que sendo a VE igual a
circuito e a soma de seus valores deve ser –0,26V e a VB de –0,46V, a VBE será de –0,2V,
equivalente ao valor do resistor usado na linha o que constitui uma polarização direta.
de carga. Através da fórmula IC = β x IB + ICO ,
Para esse caso, consideraremos o gráfico sabemos que se a ICO aumentar por qualquer
da figura 7-13, cuja linha de carga foi traçada razão, a IC também aumentará, saindo o circuito
para um resistor de 100 ohms. do ponto de operação escolhido.
Como o valor de RE não deve ser muito No circuito da figura 7-18, se a IC
alto, porque afeta o ganho do circuito, aumentar, a VE aumenta e a VBE diminui. Com
consideraremos como sendo de 10 ohms e RC VBE menor, a IB também será menor. A
será de 90 ohms, conforme pode ser visto na diminuição da IB resulta em diminuição da IC.
figura 7-18. Concluímos então, que neste circuito, se a IC
tende a aumentar, RE provoca uma
realimentação negativa, que tende a diminuí-la e
assim, o circuito tende a estabilizar-se
automaticamente.
Uma das desvantagens de se usar o RE é
que, em circuitos de potência, ele tende a
diminuir a potência útil do circuito. Além da
estabilização, o uso de RE tem como vantagem,
aumentar a Ri.

Polarização por divisor de tensão

Em um circuito polarizado, a VB deve

Figura 7-18 Estabilização por realimentação de manter-se constante para que o circuito se
CC, com RE mantenha estável. Um dos sistemas usados para
manter constante a VB, partindo de uma fonte
No gráfico, vemos que com uma IB de de tensão de valor muito maior que VB, emprega
300 µA, a IC é igual a 26 mA. um divisor de tensão, conforme é visto na figura
No resistor RE fluirá esta corrente de 26 7-19.
mA mais a IB de 300 µA, que por ser de valor Conforme as características do divisor de
tensão, a VRB será mais estável, se a corrente

7-10
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que fluir por ela for muito maior que a da base. por divisor de tensão, mostrado na figura 7-19.
O ideal seria uma IRB várias dezenas de vezes RE realimenta negativamente a corrente
maior que a IB. Há, porém, vários inconve- contínua de base, pelo efeito térmico. RB tende a
nientes. Uma IB muito alta resulta em um valor manter a VB em seu nível estável.
de RB muito baixo, o que diminui a impedância
de entrada do circuito, acarretando sérios ESTABILIZAÇÃO DA POLARIZAÇÃO DE
problemas para os sistemas de acoplamento ESTÁGIOS DE POTÊNCIA
entre estágios. Também deve ser considerada a
energia que será consumida pelo divisor de Os projetos de amplificadores de
tensão. potência requerem uma atenção especial com
Em um equipamento existem dezenas de relação à polarização. Primeiro, porque neste
estágios com dezenas de resistores em sistemas caso o transistor irá trabalhar aquecido, o que
de divisores de tensão, consumindo energia poderá desencadear a instabilidade do mesmo.
inutilmente, já que a potência consumida por Segundo, porque o uso de uma RE pode
eles é só para tentar manter pequenas tensões diminuir a capacidade útil de potência do
constantes. estágio. Dois dispositivos são usados
Na prática, usa-se elaborar um divisor de comumente em estágios de potência, para sua
tensão para polarização da base, com IRB igual a estabilização térmica. Tais dispositivos são o
IB ou várias vezes maior que esta. diodo retificador e os termistores ou resistores
NTC.

Circuitos de estabilização com termistores

Já sabemos que a corrente de polarização

do transistor é sensível à temperatura. Especifi-
camente, a IC aumenta com o aumento da
temperatura. A estabilização da IC pode ser feita
utilizando-se circuitos externos, com elementos
eletricamente sensíveis à temperatura. Um
desses elementos é o termistor.
O termistor usado, neste caso, tem uma
resistência com coeficiente negativo de
Figura 7-19 Polarização por divisor de tensão temperatura, isto é, o valor de sua resistência
diminui com o aumento da temperatura. Este
Calculemos os valores de RF e RB, do tipo de termistor é chamado de resistor NTC
(Coeficiente de Temperatura Negativo).
divisor de tensão da figura 7-19, utilizando os
O circuito da figura 7-20 tem sua
valores de VB de –0,46V e IB de 300 µA.
estabilização de polarização controlada por um
Observe que estes valores já foram vistos em
termistor.
circuitos anteriores; logo, os detalhes sobre eles
podem ser recordados.
O valor de RB, supondo que a IRB seja
igual a duas vezes a IB, é facilmente encontrado
pela Lei de Ohm.

VB 0,46V 0,46V
RB = = = = 760 ohms
I RB 600 µA 6 x 10− 4 µA
O valor de RF é calculado pela equação:
VCC − VB 6V − 0,46V
RF = = = 6150 ohms
I RB + I B 300 µA + 600 µA
O sistema de polarização mais usado, Figura 7-20 Polarização de base controlada por
por apresentar melhor estabilização térmica, é o NTC

7-11
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Os valores de RB e do NTC dependem evitado pela redução da polarização direta. Isto

das características do circuito, mas o seu é feito pela ação do divisor de tensão
funcionamento é simples. A VBE no circuito é constituído por R2 e pelo termistor RT1. Devido
0,2V e a IB é 300 µA. Com o aumento da ao aumento da temperatura, a resistência de RT1
temperatura ambiente, a IC tende a aumentar é diminuída, provocando maior fluxo de
devido ao aumento da ICO. Porém, este aumento corrente através do divisor de tensão. O
da temperatura afeta também o NTC, aumento de corrente aumenta o potencial
diminuindo a sua resistência, com o negativo da conexão do resistor R2 ao emissor.
conseqüente aumento da corrente através dele. Esta ação aumenta a polarização inversa
Essa maior corrente solicitada, aumenta aplicada ao emissor e diminui a polarização
a VRF, diminuindo a VBE e menor serão a IB e a direta base-emissor. O resultado é que a IC é
IC. Como vemos, o efeito térmico que tende a reduzida. Analogamente, a diminuição da
aumentar a IC no circuito, diminui a resistência temperatura ocasiona ações inversas e evita o
do NTC, que provoca uma diminuição da IB, decréscimo da IC.
que por sua vez diminui a IC. O resultado é que C1 bloqueia a tensão CC do estágio
este simples dispositivo tende a manter o anterior e acopla o sinal CA ao circuito base-
circuito no seu ponto de operação. emissor. C2 mantém constante a VE R3 é o
resistor de carga do coletor e onde se
Controle da tensão de emissor desenvolve o sinal de saída. C3 bloqueia a
tensão CC do coletor e acopla o sinal CA ao
estágio seguinte.

Controle da tensão de base

Figura 7-21 Polarização de emissor controlada

por termistor

O circuito apresentado na figura 7-21,

emprega um termistor para variar a VE com a
temperatura, a fim de minimizar as variações da Figura 7-22 Amplificador com controle de
IE. Este circuito contém dois divisores de polarização de base
tensão: o primeiro é constituído por R1 e R4, e o
segundo por R2 e o termistor RT1. O circuito apresentado na figura 7-22
O primeiro divisor permite a aplicação emprega um termistor para variar a VB com a
de uma parte da VCC entre o terminal de base e temperatura, minimizando as variações da IE.
terra. A VB é desenvolvida em R1e determina Este circuito contém um divisor de tensão
uma tensão negativa na base de Q1. constituído por R1 e RT1.
O segundo divisor de tensão aplica uma O divisor de tensão aplica uma parte da
parte da VCC no terminal de emissor. A VE é VCC no circuito base-emissor. O fluxo de
desenvolvida em R2 e determina uma tensão corrente dos elétrons através do divisor está na
negativa no emissor de Q1. A tensão direta direção da seta. Esta corrente produz uma
aplicada ao terminal de base é maior que a tensão de polaridade indicada em RT1. Este
inversa aplicada ao terminal emissor, de tal circuito produz polarização direta no transistor.
modo que a polarização base-emissor resultante Se a temperatura do transistor aumentar,
é direta. a IE tende a aumentar. Todavia, a resistência de
Com um aumento de temperatura a IC RT1 diminui com o aumento da temperatura,
aumentaria normalmente, se o transistor não provocando maior fluxo de corrente através do
estivesse estabilizado. O aumento da IC pode ser divisor de tensão. Este aumento de corrente

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ocasiona um aumento na VR1. A tensão de Os diodos, quando empregados adequa-

polarização direta é reduzida e assim a IE damente na estabilização de um circuito,
também é reduzida. funcionam mais ou menos como os NTC. A
T1 acopla o sinal CA ao circuito de base- instabilidade térmica que afeta o transistor afeta
emissor. C1 mantém constante a tensão em RT1. também a eles. No circuito da figura 7-24
O primário de T2 atua como carga do coletor e é aparece um diodo com função de estabilização
onde se desenvolve o sinal de saída que é térmica.
acoplado ao secundário.

Circuitos de estabilização com diodos

O diodo pode ser usado em circuitos de

estabilização. A principal vantagem do seu uso
como elemento sensível à temperatura é por ele
poder ser feito do mesmo material que o
transistor.
Os coeficientes de temperatura das
resistências do diodo e do transistor de mesmo
material, são os mesmos. Esta condição permite
uma IC mais constante em um grande intervalo
de temperatura, porque as variações no diodo
acompanham as variações no transistor. Os
diodos de junção têm uma resistência com Figura 7-24 Circuito com estabilização térmica
coeficiente de temperatura negativo. feita por diodo

Estabilização com um diodo D1 tem sua junção semelhante à junção

base-emissor de Q1. Logo, os diodos serão
O circuito apresentado na figura 7-23 afetados igualmente pela variação de tempera-
emprega um diodo de junção, diretamente tura.
polarizado, como elemento sensível à Analisando o comportamento do
temperatura, para compensar as variações da circuito, vemos que se a IC tender a aumentar
resistência da junção base-emissor. pelo efeito térmico, a corrente através do diodo
Considere o divisor de tensão constituído também aumentará.
por R1 e D1, com a polaridade indicada. Esta Com maior corrente através do diodo,
tensão é uma polarização direta. Com o maior será a VRF, resultando em uma menor VBE
aumento da temperatura, a IC tenderia a e assim, a IB também será menor e, logicamente
aumentar. Todavia, a resistência de D1 diminui. a IC. Como resultado, D1 tende a manter a IC
Como resultado, a VR1 aumenta. Há uma queda estabilizada, mantendo o circuito no ponto de
de tensão em D1, que provoca redução na operação escolhido.
polarização direta e, consequentemente, na IC.
RESUMO

1 – A corrente ICO ou de fuga existe nos

transistores, devido aos portadores minoritários
existentes em suas estruturas.

2 – A principal corrente de fuga de um

transistor, é a de coletor para base, cuja
denominação é ICBO.

3 – A corrente ICO, em um circuito amplificador,

Figura 7-23 Estabilização com um diodo direta- tende a ser amplificada em uma razão (β + 1)
mente polarizado ICBO.

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4 – A corrente IC, considerando-se a ICO, é temperatura negativo, desde que a tensão de

equacionada como sendo: IC = β x IB + ICO . polarização inversa não iguale ou exceda à
tensão de ruptura.
5 – Em temperatura constante e normal,
conforme a especificada pelo fabricante, a ICO 15 – Diodos com a mesma característica da
não constitui problema num amplificador. junção base-emissor de um transistor, podem ser
usados em circuitos estabilizadores de
6 – Com o aumento da temperatura, a IC tende a polarização.
aumentar de acordo com a fórmula: Neste caso, quando instalado
IC = β x IB + (β + 1)x ICO , tirando o adequadamente, poderá estabilizar a VBE. Isto
circuito de seu ponto de operação. porque o efeito térmico que agir sobre o
transistor, agirá também sobre o diodo.
7 – Vários sistemas são usados para manter a IC
constante mesmo com o aumento da ICO. 16 – As correntes e tensões desenvolvidas num
amplificador transistorizado estabilizado em
8 – Os sistemas que tendem a manter a IC temperatura, podem ser utilizadas para estabili-
constante, consistem em polarizar o transistor de zar em temperatura outros amplificadores
tal maneira que haja uma pequena transistorizados.
realimentação CC, ou ainda por estabilização da
VBE. 17 – Os resistores NTC, têm a resistência
diminuída com o aumento da temperatura.
9 – Um dos métodos de estabilização por reali- Logo, se colocados no circuito de base, eles
mentação CC é polarizar a base com a tensão poderão diminuir a VBE que provoca a
VCE. Neste caso, se a IC aumentar estati- diminuição da IB e da IC. Isto acontece porque o
camente, a VCE diminui, reduzindo a IB. efeito térmico que agirá sobre o transistor,
também agirá sobre ele.
10 – O método mais usado para manter
constante a IC, é a realimentação CC por 18 – A reta de carga é a linha que possibilita a
resistência de emissor. Neste caso, se a IC escolha do ponto de operação do transistor.
aumentar, haverá também um aumento da VE,
que diminui a VBE, diminuindo a IB, que por sua 19 – A curva de máxima dissipação de potência
vez diminui a IC. é a curva que possibilita a limitação da região de
operação do transistor.
11 – Através de um circuito divisor de tensão
pode-se manter a VBE dentro dos limites de 20 – Todo componente elétrico possui uma
estabilização. Neste caso, o divisor deve ser potência de trabalho especificada pelo
projetado levando-se em conta as suas fabricante.
desvantagens, como por exemplo, o alto Em se tratando de transistores, existem
consumo de energia e a diminuição da mais razões para se obedecer a essa
impedância de entrada. especificação.

12 – O sistema de polarização mais adequado 21 – Para cada temperatura de trabalho do

para uma boa estabilização em circuitos transistor, há uma curva de máxima dissipação
amplificadores de baixa potência, é constituído de potência.
por um RE e por um divisor de tensão. Este
sistema é o mais usado. 22 – Um aumento de temperatura reduz a região
de operação do transistor.
13 – Em circuitos de potência, a estabilização
térmica da IC é conseguida através de 23 – A fórmula para se calcular a potência de
transistores, diodos e resistores NTC. dissipação do transistor, é: P = VCE x IC.

14 – Um diodo de junção polarizado inversa- 24 – A região de operação de um transistor é a

mente tem uma resistência com coeficiente de parte onde pode ser traçada a linha de carga.

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25 – Na curva de máxima dissipação, a potência 29 – A reta de carga do amplificador de

é a mesma em todos os pontos. potência é mais inclinada que a do amplificador
de tensão.
26 – Os limites de tensões são especificados
para transistores, por causa do efeito de ruptura 30 – O sistema de estabilização da polarização
que ocorre quando há um aumento da tensão dos amplificadores de potência deve ser de boa
inversa da junção. eficiência. Geralmente são empregados diodos,
termistores e transistores.
27 – A fim de deixar o transistor operar à
temperatura ambiente, são colocados 31 – Com a mesma tensão de alimentação
dissipadores de calor em contato com seu corpo. podemos traçar várias linhas de carga diferentes,
variando apenas o valor de RL.
28 – No traçado da reta de carga faz-se duas
suposições extremas do funcionamento do
transistor: corte e saturação.

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