Aula 7 IGBT

Aula 7: Transistores de Potência - IGBT
Prof. Allan Fagner Cupertino

[email protected]
06/10/2020 Eletrônica de Potência 1

Sumário
❑ Estrutura interna;
❑ Física de operação do IGBT;
❑ Características de comutação;
❑ Limites de operação
❑ Avanços e estruturas melhoradas.
06/10/2020 Prof. Allan Fagner Cupertino 3

Introdução

História e curiosidades
❑ Anos 60 → retificadores controlados baseados em tiristores tornaram-se populares;
❑ Anos 70 → PWM → necessidade de controlar o desligamento;
❑ GTO foi desenvolvido (alta capacidade de bloqueio de tensão e corrente).
❑ TBJ de potência Conexão Darlington;
❑ Evolução da tecnologia de encapsulamento → módulo de potência;
❑ TBJ de potência se tornou popular;

❑ MOSFET de potência disponível na década de 70 → fontes chaveadas;
❑ Década de 80: GTO e TBJ ainda eram populares;
❑ Comutação em alta frequência não era possível em alta potência;
❑ MOSFET: Muito atrativo devido a baixa potência do circuito de acionamento;
❑ MOSFET: aumento expressivo da resistência com a tensão de bloqueio.

❑ Seria possível combinar as melhores características do MOSFET e do TBJ em uma

única estrutura?
❑ Seria possível conseguir modulação de condutividade em um transistor de efeito de

campo?
❑ A resposta para estas perguntas culminou no IGBT moderno!

Comparativo – Tecnologias de dispositivos
Fonte: M. H. Rashid: Eletrônica de Potência: Dispositivos, circuitos e aplicações. 4ª. Edição, Pearson, 2014 (Livro texto)

Estrutura interna

Estrutura interna
MOSFET IGBT
Fonte: F. Iannuzzo, C. Abbate and G. Busatto, "Instabilities in Silicon Power Devices: A Review of Failure Mechanisms in Modern Power Devices," in IEEE Industrial Electronics Magazine,
vol. 8, no. 3, pp. 28-39, Sept. 2014, doi: 10.1109/MIE.2014.2305758.

Estrutura detalhada
❑ Similar ao VDMOS;
❑ Novidade: Camada 𝑃+ ;
❑ Concentrações de dopagem típicas:
➢ 𝑛+ → aproximadamente 1019 cm−3 ;
➢ 𝑝+ → aproximadamente 1016 cm−3 ;
➢ 𝑛− → entre 1014 − 1015 cm−3 ;
➢ região 𝑛− → define a tensão de ruptura;

Fonte: Mohan, Undeland and Robbins: Power Electronics: Converters, Applications and Design. 3rd. Edition, John Wiley, 2003.

Estrutura interna – IGBT
(Não essencial)

Estrutura interna
❑ Punch-through (PT) IGBT – Camada 𝑁 + está presente – Assimétrico;
❑ Non-punch-through (NPT) IGBT – Camada 𝑁 + ausente – Simétrico;
❑ Presença de um tiristor parasita;
❑ Latch-up → Limitador de performance dos primeiros dispositivos.

Aspecto real
Fonte: ON Semiconductor. Fonte: Infineon.

Curva I x V

Estrutura interna
C ou D
Resistência da
região de deriva
E ou S

Estrutura interna
Resistência da
região de deriva
Resistência de corpo
(distribuída)

Estrutura interna
❑ BJT → Dois efeitos!
❑ Aumento da corrente de coletor por um ganho 𝛽;
❑ Queda de tensão na junção emissor base;
❑ É importante notar que o ganho não é elevado;
❑ Isto acontece porque a base do TBJ é larga.
Fonte: F. Ianuzzo. “Modern IGBT gate driving methods for Enhancing reliability of Power Converters”.

Curva I x V de um MOSFET

Curva I x V de um IGBT

Física de operação

IGBT em bloqueio – NPT
❑ 𝑣𝐺𝐸(𝑡ℎ) menor que tensão limiar 𝑣𝐺𝐸(𝑡ℎ) (threshold voltage);
❑ Tensão 𝑣𝐶𝐸 resulta numa região de depleção na junção 𝐽2 ;
❑ Depleção estende-se mais por 𝑁 − (Por quê?);
❑ 𝑁 − longa o suficiente para que a depleção na atinja 𝑃+ ; 𝐽1
❑ Bloqueio de tensão reversa (simétrico).

IGBT em bloqueio – PT
❑ Inserção da camada 𝑁 + (buffer ou camada de acoplamento);
❑ Redução da espessura do chip para mesma tensão de bloqueio;
❑ Junção 𝐽2 responsável por bloqueio de tensão direta;
❑ Junção 𝐽1 responsável por bloqueio de tensão direta;
❑ Problema: Junção 𝐽1 apresenta baixa tensão de bloqueio;
❑ IGBT assimétrico.

Operação diretamente polarizado
❑ Quando a tensão 𝑣𝐺𝐸 é maior que o limiar, forma-se a camada de inversão ou canal;
❑ Princípio de funcionamento muito similar ao verificado no MOSFET de potência;
❑ Diferença: Injeção de lacunas da região 𝑃+ na região de deriva;
❑ As lacunas se movimentam na camada de deriva por difusão e por deriva;
❑ As lacunas atingem a camada 𝑃+ que forma o corpo do MOSFET;
❑ A junção 𝑁 − 𝑃+ forma o coletor do transistor;

Fonte: F. Iannuzzo, C. Abbate and G. Busatto, "Instabilities in Silicon Power Devices: A Review of Failure Mechanisms in Modern Power
Devices," in IEEE Industrial Electronics Magazine, vol. 8, no. 3, pp. 28-39, Sept. 2014, doi: 10.1109/MIE.2014.2305758.

Operação diretamente polarizado
C ou D
Resistência da
𝑉𝐷𝑆(𝑜𝑛) = 𝑉𝐽1 + 𝑉𝑑𝑟𝑖𝑓𝑡 + 𝐼𝐷 𝑅𝐶ℎ𝑎𝑛𝑛𝑒𝑙 região de deriva
❑ Queda de tensão 𝑉𝐽1 → típico de uma junção PN → 0,7-1 V; G
❑ A queda de tensão no canal é muito similar ao MOSFET. Isto

acontece porque o MOSFET carrega grande parte da corrente;
❑ Diferente do caso da conexão Darlington de TBJ’s; E ou S
❑ Grande diferença: 𝑉𝑑𝑟𝑖𝑓𝑡 ;
❑ Isto acontece porque no IGBT acontece a modulação de

condutividade (dupla injeção).

Modulação de condutividade

Latch-up em IGBTs
❑ Trajetória das lacunas: Fundamental para compreender este fenômeno;
❑ Uma parte viaja em linha reta diretamente para a metalização da fonte;
❑ Contudo, grande parte apresenta uma curvatura, pois é atraída pela carga negativa na
camada de inversão;
❑ Fluxo de corrente lateral → queda de tensão lateral;
❑ Pode polarizar a junção 𝐽3 (corpo – fonte);
❑ Pode ocorrer injeção de elétrons da fonte no corpo;

Latch-up em IGBTs
❑ Neste caso o transistor parasita NPN entrará em

condução;
❑ Como ambos os transistores estão ligados, o tiristor

parasita liga;
❑ Curto circuito entre dreno e fonte;
❑ Para um dado IGBT e geometria existe um valor

crítico de corrente.

Soluções (1) – Região de corpo
❑ Minimizar o comprimento lateral da região de fonte;
❑ Região tipo 𝑃 do corpo é particionada;
❑ Região onde a camada de inversão é formada → dopagem em torno de 1016 cm−3 e

profundidade similar a região 𝑁 + da fonte;
❑ O restante da região de corpo é fortemente dopada (em

torno de 1019 cm−3 ) e mais profunda;
❑ Isto faz com que a resistência lateral diminua (maior

condutividade e maior área lateral).

Soluções (2) – eliminar contatos de emissor
❑ Eliminação de um contato de emissor (fonte);
❑ Lacunas podem ser coletadas por todo um lado da célula;
❑ Caminho adicional de circulação de lacunas (bypass);
❑ Redução da transcondutância (redução do comprimento efetivo de gate).

Latch-up em IGBTs
❑ Primeiras estruturas → 1968, 1970;
❑ 1984 → non-latch-up IGBT;
❑ 1985 → primeiro IGBT comercial.
Fonte: N. Iwamuro and T. Laska, "IGBT History, State-of-the-Art, and Future Prospects," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 64, no. 3, pp. 741-752, March 2017.

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Características de comutação

Transitórios de comutação
❑ Mesmo circuito utilizado para avaliar o TBJ

e MOSFET;
❑ Note a presença de uma resistência de gate;
❑ Afeta diretamente a performance do

dispositivo;
❑ Diodo 𝐷𝑓 de roda livre para assumir a

corrente 𝐼𝑜 durante o turn-off

Transitório de turn-on
❑ Crescimento da tensão 𝑣𝐺𝑆 até a tensão

limiar;
❑ Aumento linear da corrente na região ativa;
❑ Tensão em 𝑉𝑑 pois o diodo ainda conduz;
❑ Platô de Miller: Tensão de 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆,𝐼𝑜

(região ativa);
❑ Tensão 𝑣𝐷𝑆 reduz. A mudança de derivada é

relacionada a variação de 𝐶𝑔𝑑 com a tensão;
❑ Além disso, modulação de condutividade leva

tempo (Transistor opera na região linear).

𝟒 𝟑 𝟐
𝟏 𝟐 𝟑 𝟒

𝑡𝑑(𝑜𝑛) 𝑡𝑟𝑖
𝑡𝑓𝑣1 𝑡𝑓𝑣2

Efeito do diodo
❑ Recuperação reversa: 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝐺𝑆,𝐼𝑜 ;
❑ Acontece pois a corrente é maior que a

corrente da carga;
❑ Quando a corrente zera, observa-se uma

redução em 𝑉𝐺𝑆 ;
❑ Isto gera uma corrente adicional em 𝐶𝐺𝐷 e

uma terceira parte no transitório de
descarga.

Transitório de turn-off
𝟏 𝟐 𝟑
𝟏 𝟐 𝟑 𝟒

Transitório de turn-off
❑ MOSFET irá desligar rapidamente;
❑ Carga armazenada na região de deriva;
❑ Eliminação por meio de recombinação;
❑ Tempo adicional de comutação;
❑ “Cauda de corrente”.

MOSFET versus IGBT
Fonte: Microsemi Device Application Note APT0408 “IGBT Technical Overview”.

Área de operação segura
❑ Forward-bias SOA ❑ Reverse-bias SOA

Avanços e estruturas melhoradas

PT, NPT e FS IGBT

PT IGBT
❑ Fabricação usa crescimento epitaxial;
❑ Base 𝑁 − mais fina → distribuição de campo trapezoidal;
❑ Baixa capacidade de bloqueio de tensão reversa;
❑ Requer controle de tempo de vida dos portadores para redução

do tempo de desligamento;
❑ Difícil paralelismo;
❑ Perdas ao desligar mais dependentes da temperatura.


NPT IGBT
❑ Fabricação usando difusão → mais barato;
❑ Base 𝑁 − longa → distribuição de campo triangular;
❑ Bloqueio bidirecional de tensão;
❑ Alto tempo de vida dos portadores;
❑ Fácil paralelismo;
❑ Mais robusto a curto-circuito.

PT versus NPT IGBT: Perfil de dopagem
Fonte: Baliga, B. J. “Fundamentals of Semiconductor Devices”, Springer.

PT versus NPT IGBT – turn-off
❑ PT
➢ Camada 𝑁 + é projetada para apresentar baixa carga
armazenada;
➢ Deve ser fina e altamente dopada;
➢ Difusão de lacunas para o material 𝑁 − durante o
desligamento;
➢ Recombinação nesta camada;
❑ NPT
➢ Minimização da corrente bipolar (𝛽 pequeno);

➢ MOSFET → 90% da corrente;
➢ Tempo de vida tão grande quanto possível para minimizar
perdas de condução.

Comparação
Fonte: S. Pendharkar and K. Shenai, "Zero voltage switching behavior of punchthrough and
nonpunchthrough insulated gate bipolar transistors (IGBT's)," in IEEE Transactions on Electron
Devices, vol. 45, no. 8, pp. 1826-1835, Aug. 1998.
Fonte: Microsemi Device Application Note APT0408 “IGBT Technical Overview”.

FS IGBT
❑ Combinação das características positivas do PT e NPT;
❑ Redução da cauda de corrente → baixa perda de comutação;
❑ Baixa dependência com a temperatura;
❑ Camada 𝑁 + → auxiliar na recombinação;
❑ Emissor não é eficiente.


Origem do FS IGBT
❑ Primeiros IGBTs foram fabricados com tecnologia PT;
❑ Problemas: Alta injeção de portadores → controle de tempo de vida, problemas de paralelismo;
❑ 1989 → NPT IGBT;
❑ Sem controle de tempo de vida, menor injeção de lacunas → fácil paralelismo;
❑ NPT → rápida substituição dos TBJs;
❑ 2000 → Field-Stop → tornar o NPT um dispositivo com campo trapezoidal;
❑ Diferença: mais fracamente dopada que a camada de buffer de um IGBT PT.


IGBT Trench
❑ Aumento da capacidade de condução de corrente!
Fonte: F. Iannuzzo, C. Abbate and G. Busatto, "Instabilities in Silicon Power Devices: A Review of Failure Mechanisms in Modern Power Devices," in IEEE Industrial Electronics Magazine,
vol. 8, no. 3, pp. 28-39, Sept. 2014, doi: 10.1109/MIE.2014.2305758.

IGBT Trench + Field Stop

Evolução da tecnologia

Evolução da tecnologia
Fonte:Franz-Josef Niedernostheide , Hans-Joachim Schulze, Thomas Laska e Alexander Philippou “Progress in IGBT development”. IET Power Electronics 2016.

RC-IGBT
❑ Shorted-Anode IGBT;
❑ Aplicação em conversores ressonantes.

IGBT de SiC (15 kV-40A)
A. Kadavelugu et al., "Characterization of 15 kV SiC n-IGBT and its application considerations for high power converters," 2013 IEEE Energy Conversion
Congress and Exposition, Denver, CO, 2013, pp. 2528-2535.

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❑ TBJ de potência Conexão Darlington;

❑ Evolução da tecnologia de encapsulamento → módulo de potência;

❑ TBJ de potência se tornou popular;

❑ MOSFET de potência disponível na década de 70 → fontes chaveadas;

❑ Década de 80: GTO e TBJ ainda eram populares;

❑ Comutação em alta frequência não era possível em alta potência;

❑ MOSFET: Muito atrativo devido a baixa potência do circuito de acionamento;

❑ MOSFET: aumento expressivo da resistência com a tensão de bloqueio.

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➢ 𝑛+ → aproximadamente 1019 cm−3 ;

➢ 𝑝+ → aproximadamente 1016 cm−3 ;

➢ 𝑛− → entre 1014 − 1015 cm−3 ;

➢ região 𝑛− → define a tensão de ruptura;

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❑ Non-punch-through (NPT) IGBT – Camada 𝑁 + ausente – Simétrico;

❑ Presença de um tiristor parasita;

❑ Latch-up → Limitador de performance dos primeiros dispositivos.

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Fonte: ON Semiconductor. Fonte: Infineon.

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❑ BJT → Dois efeitos!

❑ Aumento da corrente de coletor por um ganho 𝛽;

❑ Queda de tensão na junção emissor base;

❑ É importante notar que o ganho não é elevado;

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❑ 𝑣𝐺𝐸(𝑡ℎ) menor que tensão limiar 𝑣𝐺𝐸(𝑡ℎ) (threshold voltage);

❑ Tensão 𝑣𝐶𝐸 resulta numa região de depleção na junção 𝐽2 ;

❑ Depleção estende-se mais por 𝑁 − (Por quê?);

❑ 𝑁 − longa o suficiente para que a depleção na atinja 𝑃+ ; 𝐽1

❑ Bloqueio de tensão reversa (simétrico).

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❑ Inserção da camada 𝑁 + (buffer ou camada de acoplamento);