1

SUMÁRIO

INTRODUÇÃO ............................................................................................................... 3

UNIDADE I – INTRODUÇÃO A ELETRÔNICA DE POTÊNCIA ................................... 9

1 Sistemas Elétricos Monofásicos e Trifásicos ........................................................... 9

2 Potência em Circuitos CA ........................................................................................ 14
3 Introdução a Eletrônica de Potência ......................................................................... 15
Ideias Chaves ........................................................................................................... 19
Recapitulando............................................................................................................ 19

UNIDADE II – TRANSISTORES DE POTÊNCIA I – UJT E FET ................................... 20

1 Introdução aos Transistores de Potência .................................................................. 20

2 Transistor de Unijunção – UJT .................................................................................. 22
3 Transistor de Efeito de Campo – JFET ..................................................................... 25
4 Aplicações de Circuitos com UJT e FET ................................................................... 28
Ideias Chaves ............................................................................................................ 31
Recapitulando............................................................................................................. 31

UNIDADE III – TRANSISTORES DE POTÊNCIA II – MOSFET E IGBT ........................ 32

1 MOSFET de Depleção ............................................................................................... 32

2 MOSFET de Crescimento .......................................................................................... 35
3 Aplicação de Circuitos com MOSFET ........................................................................ 37
4 Transistor Bipolar com Porta Isolada – IGBT.............................................................. 41
Ideias Chaves ............................................................................................................. 42
Recapitulando.............................................................................................................. 42

UNIDADE IV – INTRODUÇÃO AOS TIRISTORES ......................................................... 43

1 Introdução aos Tiristores ............................................................................................ 43

2 Diodo Shockley .......................................................................................................... 45
3 Chave Unilateral e Bilateral de Silício – SUS E SBS ................................................. 47
Ideias Chaves ............................................................................................................. 49
Recapitulando.............................................................................................................. 49

UNIDADE V – RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO – SCR ............................... 50

1 Introdução ao SCR (Sillicon Controlled Rectifier) ....................................................... 50

2 Outros Métodos de Disparo e Bloqueio do SCR ........................................................ 53
3 Aplicações de Circuitos com SCR .............................................................................. 55
Ideias Chaves ............................................................................................................. 58
Recapitulando.............................................................................................................. 58
 2

UNIDADE VI – TIRISTORES BIDIRECIONAIS: DIAC E TRIAC ..................................... 59

1 Diodo de Corrente Alternada (DIAC) .......................................................................... 59
2 Triodo de Corrente Alternada (TRIAC) ....................................................................... 60
3 Aplicações de Circuitos usando Tiristores Bidirecionais ............................................ 63
Ideias Chaves ............................................................................................................. 67
Recapitulando.............................................................................................................. 67

UNIDADE VII – APLICAÇÕES DE CIRCUITOS COM TIRISTORES ....................................... 68

1 Aplicações de Circuitos com Tiristores ....................................................................... 68

2 Dissipadores de Calor ................................................................................................. 75
Ideias Chaves .............................................................................................................. 80
Recapitulando............................................................................................................... 80

UNIDADE VIII – CIRCUITOS DE DISPARO ................................................................... 81

1 Circuitos de Disparo .................................................................................................. 81

2 TCA-785 .................................................................................................................... 89
Ideias Chaves ........................................................................................................... 90
Recapitulando............................................................................................................ 90

BIBLIOGRAFIA .............................................................................................................. 91
 3

INTRODUÇÃO

A função da eletrônica de Potência é controlar o fluxo de potência dos dispositivos elétricos

ou eletrônicos até a carga. Esta carga pode ser entendida como um dispositivo que irá
transformar a energia elétrica em outra forma de energia, como calor (aquecedores),
movimento (motores), etc...

Para compreender todo o processo envolvido na Eletrônica de Potência, faz-se necessário

o entendimento da eletricidade básica.

Ao longo dos anos, vários cientistas descobriram que a eletricidade parece se comportar
de maneira constante e previsível em dadas situações, ou quando sujeitas a determinadas
condições. Estes cientistas, tais como Faraday, Ohm, Lenz e Kirchhoff, para citar apenas
alguns, observaram e descreveram as características previsíveis da eletricidade e da
corrente elétrica, sob a forma de certas regras.

Para compreendermos estas regras e facilitar nosso entendimento da Eletrônica de

Potência, precisamos entender que a eletricidade vem do elétron, portanto do átomo.

Átomo
Tudo que ocupa lugar no espaço e matéria. A matéria e constituída por partículas muito
pequenas chamada de átomos. Os átomos por sua vez são constituídos por partículas
subatômicas: elétron, próton e nêutron, sendo que o elétron corresponde a carga negativa
(-) da eletricidade. Os elétrons estão girando ao redor do núcleo do átomo em trajetórias
concêntricas denominadas de orbitas.

Figura 1 – Estrutura Átomo – Internet adaptado autor

O próton corresponde a carga positiva (+) da eletricidade. Os prótons se concentram no

núcleo do átomo. E o número de prótons no núcleo que determina o número atômico do
átomo. Também no núcleo é encontrado o nêutron, carga neutra fundamental da
eletricidade.
No seu estado natural um átomo está sempre em equilíbrio, ou seja, contém o mesmo
número de prótons e elétrons. Como cargas contrárias se anulam, e o elétron e próton
possuem o mesmo valor absoluto de carga elétrica, isto torna o átomo natural num átomo
neutro.
 4

Cargas Elétricas (Coulomb)

Alguns átomos são capazes de ceder elétrons e outros são capazes de receber elétrons.
Quando isto ocorre, a distribuição de cargas positivas e negativas que era igual deixa de
existir.

Um corpo passa a ter excesso e outro falta de elétrons. O corpo com excesso de elétrons
passa a ter uma carga com polaridade negativa, e o corpo com falta de elétrons terá uma
carga com polaridade positiva.

Figura 2 – Cargas Elétricas – Instituto Federal Santa Catarina 2009

A quantidade de carga elétrica que um corpo possui e dada pela diferença entre número de
prótons e o número de elétrons que o corpo tem. A quantidade de carga elétrica e
representada pela letra Q, e é expresso na unidade COULOMB.

A carga de 𝟏 𝑪𝒐𝒖𝒍𝒐𝒎𝒃 = 𝟔, 𝟐𝟓 × 𝟏𝟎𝟏𝟖 elétrons, ou 6.250.000.000.000.000.000 (6

quintilhões, 250 quatriliões de elétrons. Dizer que um corpo possui 1 Coulomb negativo
significa que um corpo possui 𝟔, 𝟐𝟓 × 𝟏𝟎𝟏𝟖 mais elétrons que prótons.

Portanto, ao surgir uma carga elétrica, temos uma diferença de potencial entre prótons e
elétrons, dando origem ao conceito de potencial elétrico.

Potencial Elétrico (V – volts)

Em virtude da força do seu campo eletrostático, uma carga e capaz de realizar trabalho ao
deslocar outra carga por atração ou repulsão. Essa capacidade e chamada de potencial
elétrico. Cargas elétricas diferentes produzem uma d.d.p. (diferença de potencial).

A Forca Eletromotriz (F.E.M.) pode ser definida como a energia não elétrica transformada
em energia elétrica, ou vice-versa, por unidade de tempo.

A sua unidade fundamental é o Volt. A diferença de potencial é chamada também de

Tensão Elétrica. A tensão elétrica e representada pela letra E ou U.

Corrente Elétrica (A – ampère)

Determinados materiais, quando são submetidos a uma diferença de potencial, permitem
uma movimentação de elétrons de um átomo a outro fazendo os átomos se deslocar de um
dos polos da ddp para o outro polo, e é este fenômeno que e denominado de corrente
elétrica.
 5

Pode-se dizer, então que cargas elétricas em movimento ordenado formam a corrente
elétrica, ou seja, corrente elétrica e o fluxo de elétrons em um meio condutor. A corrente
elétrica e representada pela letra I e sua unidade fundamental e o Ampère.

Define-se 1 A (Ampère) como sendo deslocamento de 1 C (𝟔, 𝟐𝟓 × 𝟏𝟎𝟏𝟖 elétrons) através

de um condutor durante um intervalo de 1 s.

Figura 3 – Corrente Elétrica – Instituto Federal Santa Catarina 2009

Resistência Elétrica (ohm )

Define-se resistência como sendo a capacidade que um material possui de se opor a
passagem de corrente elétrica através de sua estrutura.

Corpos bons condutores são aqueles em que os elétrons mais externos, mediante estimulo
apropriado (atrito, contato ou campo magnético), podem ser retirados dos átomos.
Exemplos de corpos bons condutores: alumínio, platina, prata, cobre, ouro. A resistividade
do cobre e aproximadamente de 𝟏𝟎−𝟔 𝛀/𝒄𝒎

Corpos maus condutores são aqueles em que os elétrons estão tão rigidamente solidários
aos núcleos que somente com grandes dificuldades podem ser retirados por um estimulo
exterior. Exemplos de corpos maus condutores: porcelana, vidro, madeira, borracha, etc. A
resistividade da mica e aproximadamente de 𝟏𝟎𝟏𝟐 𝛀/𝒄𝒎

Resistor Elétrico
A energia elétrica pode ser convertida em outras formas de energia. Quando os elétrons
caminham no interior de um condutor, eles se chocam contra os átomos do material de que
é feito o fio. Nestes choques, parte da energia cinética de cada elétron se transfere aos
átomos que começam a vibrar mais intensamente. No entanto, um aumento de vibração
significa um aumento de temperatura.

O aquecimento provocado pela maior vibração dos átomos é um fenômeno físico a que
damos o nome de efeito joule. É devido a este efeito joule que a lâmpada de filamento
emite luz. Inúmeras são as aplicações práticas destes fenômenos. Exemplos: chuveiro,
ferro de engomar, ferro elétrico, fusível, etc.
 6

O efeito joule e o fenômeno responsável pelo consumo de energia elétrica do circuito,

quando essa energia se transforma em calor. O componente que realiza essa
transformação e o resistor, que possui a capacidade de se opor ao fluxo de elétrons
(corrente elétrica).

Circuito Elétrico
Circuito elétrico é um conjunto de dispositivos, composto por uma fonte de tensão e outros
dispositivos que permitem a circulação de uma corrente elétrica. O circuito elétrico,
geralmente é composto por:

• Fonte de tensão: responsável em fornecer energia para o sistema;

• Condutores: responsável em fornecer um caminho com baixa resistência para a

circulação de corrente elétrica;

• Carga: Elemento que vai utilizar (transformar) a corrente elétrica, limitando este valor
(note que um sistema sem carga corresponde a um curto-circuito);

• Seccionadores: responsáveis em controlar/ bloquear o fluxo da corrente (Ex.

Interruptor);

• Proteção: sistema responsável em garantir a segurança da instalação e/ou usuários.

Quando ocorrer um evento não permitido no sistema ele desliga automaticamente o
circuito (Ex. Disjuntor, fusíveis, etc.)

Figura 4 – Exemplo de Circuito – Internet adaptado autor

Lei de Ohm ()

Considere o resistor abaixo, mantido a uma temperatura constante. Quando o mesmo for
submetido a uma tensão elétrica (d.d.p.) V circulará pelo mesmo uma corrente elétrica I.
Mudando o valor da d.d.p. para V1, V2, ... Vn , o resistor passa a ser percorrido por uma
corrente I1, I2, … In.

O Físico alemão George Simon Ohm, verificou que o quociente da tensão aplicada pela
respectiva corrente circulante era uma constante do resistor.

V = tensão elétrica (V) volts

𝑽
𝑹= R = resistência elétrica () ohms
𝑰
I = corrente elétrica (A) ampères
 7

Figura 5 – Aplicação da Lei de Ohm – IFSC 2009

A resistência elétrica não depende nem da tensão, nem da corrente elétrica, mas sim da
temperatura e do material condutor.

Potência Elétrica (Watts)

Se um trabalho está sendo executado em um sistema elétrico, uma quantidade de energia
está sendo consumida. A razão em que o trabalho está sendo executado, isto é, a razão
em que a energia está sendo consumida é chamada Potencia.

𝑻𝒓𝒂𝒃𝒂𝒍𝒉𝒐
𝑷𝒐𝒕ê𝒏𝒄𝒊𝒂 =
𝑻𝒆𝒎𝒑𝒐

Em eletricidade, a tensão realiza trabalho de deslocar uma carga elétrica, e a corrente

representa o número de cargas deslocadas na unidade de tempo. Assim em eletricidade:

𝑡𝑟𝑎𝑏𝑎𝑙ℎ𝑜 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑚𝑜𝑣𝑖𝑑𝑎

𝑷𝒐𝒕ê𝒏𝒄𝒊𝒂 = × =𝑽×𝑰
𝑢𝑛𝑖𝑑. 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑢𝑛𝑖𝑑. 𝑑𝑒 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑜

Portanto, a Potência é dada em Watt sendo expressa pela fórmula

P = Potência (W) watts

𝑷=𝑽×𝑰 V = tensão elétrica (V) volts

I = corrente elétrica (A) ampères

Fórmulas:

𝑽 𝑽 𝑽𝟐
𝑽=𝑹×𝑰 𝑰= 𝑹= 𝑷=𝑽×𝑰 𝑷= 𝑷 = 𝑹 × 𝑰𝟐
𝑹 𝑰 𝑹

Múltiplos e Submúltiplos das Unidades de Medidas

As unidades de medida das grandezas físicas são agrupadas em sistemas de unidades
onde as medidas foram reunidas e padronizadas no Sistema Internacional de Unidades,
abreviado para a sigla SI.
 8

As grandezas formadas com prefixos SI têm múltiplos e submúltiplos. Os principais são

apresentados na tabela a seguir.

Figura 6 – Múltiplos e Submúltiplos do SI – Alexander, Sadiku 2013

Exercícios

1 – Calcule a variável que está faltando...

Respostas:
a) R = 30 ; I = 2A ; V = ? a) 60 V
b) V = 12V ; R = 1K ; I = ? b) I = 12mA
c) V = 220V ; I = 2,2A ; R = ? c) 100
d) V = 20V ; I = 20mA ; P = ? d) 400mW
e) V = 9V ; P = 490mW ; I = ? e) I = 54,44 mA

2 – Calcule os valores das incógnitas nos circuitos abaixo:

Respostas:
a) R = 2,4K ou 2.400
b) V = 77 V

3 – Calcule o valor da potência dissipada nos resistores dos circuitos acima.

Respostas: a) P = 60mW b) P = 2,695 W ou 2.695mW

 9

UNIDADE I – INTRODUÇÃO A ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

A eletrônica de potência trata das aplicações de dispositivos semicondutores de potência,

como tiristores e transistores, na conversão e no controle de energia elétrica em níveis altos
de potência aplicados à indústria.

Essa conversão é normalmente de AC para DC ou vice-versa, enquanto os parâmetros

controlados são tensão, corrente e frequência. Portanto, a eletrônica de potência pode ser
considerada uma tecnologia interdisciplinar que envolve três campos básicos: a potência,
a eletrônica e o controle.

Portanto, para melhor compreendermos a eletrônica de potência, vamos entender um

pouco sobre circuitos que envolvem maiores potências, como os sistemas monofásicos e
trifásicos.

1. Sistemas Elétricos Monofásicos e Trifásicos

A tensão e a corrente produzidas por fontes geradoras podem ser contínuas ou alternadas.
A corrente é contínua quando circula no circuito num único sentido. Corrente continua é a
energia elétrica que apresenta dois polos definidos e fixos no tempo, ou seja, as cargas
elétricas geradas ficam sempre no mesmo polo. Os gráficos abaixo mostram o
comportamento da corrente continua no eixo tempo.

Figura 7 – Formas de onda da tensão contínua – IFSC 2009

Entretanto, se a corrente sai ora por um, ora por outro borne, na fonte geradora, circula ora
num, ora noutro sentido, no circuito, é corrente alternada. Corrente alternada corresponde
a fonte de energia onde os polos ficam se alternando constantemente no tempo.
 10

Se representássemos num gráfico os valores da corrente no eixo vertical e o tempo

horizontal, obteríamos uma curva, como a da figura abaixo, para representação da variação
da corrente alternada.

Figura 8 – Exemplo de Circuito – Internet adaptado autor

Vemos aí que, no instante inicial, a corrente tem valor nulo, crescendo até um valor máximo,
caindo novamente a zero; neste instante, a corrente muda de sentido, porém, seus valores
são os mesmos da primeira parte. O mesmo acontece com a tensão.

A essa variação completa, em ambos os sentidos, sofrida pela corrente alternada, dá-se o
nome de ciclo. O número de ciclos descritos pela corrente alternada, na unidade de tempo
(em 1 segundo), chama- se frequência. Sua unidade é o ciclo/segundo ou Hertz.

Figura 9 – Frequência e período – Internet adaptado autor

O período T da função periódica é o tempo de um ciclo completo ou o número de segundos

por ciclo. O inverso desse valor é o número de ciclos por segundo, conhecido como
frequência cíclica f da senoide. Consequentemente, o período é dado pela fórmula:

𝟏 T = período (s) segundos

𝑻=
𝒇 f = frequência (Hz) Hertz
 11

A equação da tensão alternada senoidal é:

Vinst. = tensão instantânea (V) volts

𝑽𝒊𝒏𝒔𝒕. = 𝑽𝒑 × 𝐬𝐢𝐧(𝝎𝒕 + 𝝓)
Vp = tensão máxima ou de pico (V) volts

Sin(t+) = seno do ângulo naquele momento (graus º)

Os valores de tensão CA dependem do tempo em que são medidas, porém como a

velocidade de variação é alta (no caso do Brasil, 60 ciclos por segundo – 60 Hz), utiliza-se
outros valores de referência, como valor médio e valor eficaz conforme figura abaixo:

Figura 10 – Valores de amplitude para uma tensão CA – Internet adaptado autor

Entretanto, na prática, não é o valor máximo o empregado e sim o valor eficaz. Por
exemplo, um motor absorve uma corrente de 5 A que é o valor eficaz.

Define-se como valor eficaz de uma corrente alternada ao valor de uma

corrente contínua que produzisse a mesma quantidade de calor numa
mesma resistência (Lei de Joule).

Valor eficaz (Vef): também chamado de RMS (root mean square), é o valor que produz o
mesmo efeito que um valor em corrente continua faria. É igual a 0,707 vezes o valor de pico
(Vp). A maioria dos instrumentos de medida e calibrada em unidades eficazes ou medio-
quadraticas, o que permite a comparação direta dos valores CC e CA.

𝑽𝒑
𝑽𝒆𝒇 = 𝑽𝒆𝒇 = 𝑽𝒑 × 𝟎, 𝟕𝟎𝟕
√𝟐

Valor médio (Vm): é a tensão média da onda senoidal durante um meio ciclo.
Geometricamente, corresponde à altura de um retângulo que tem a mesma área da
senoide.

𝟐𝑽𝒑
𝑽𝒎 = 𝑽𝒎 = 𝑽𝒑 × 𝟎, 𝟔𝟑𝟕
𝝅
 12

A menos que seja feita alguma ressalva, todas as medidas de ondas senoidais CA são
dadas em rms, onde as letras V e I são usadas para indicar os valores rms de tensão e
corrente, respectivamente. Por exemplo, entende-se que V = 220V represente uma tensão
rms.

Os sistemas que fornecem energia elétrica da rede (concessionária) através de dois fios,
geralmente um é fase e o outro é neutro. Neste caso dizemos ter um sistema monofásico,
cuja tensão elétrica entre fase e neutro é de 127 Vca (rms) ou 220 Vca (rms) dependendo
da região (em Minas Gerais, o sistema monofásico entrega 127 Vca rms).

O estudo dos circuitos trifásicos é de extrema importância, porque toda nossa geração
de energia, transmissão e distribuição é trifásica. Em outras palavras, todo nosso sistema
elétrico é CA e trifásico. Nas nossas residências utilizamos monofásicos para alimentar
nossas cargas elétricas.

Observe, que o sistema monofásico, no entanto, deriva do sistema trifásico. Na realidade,

ao final deste capítulo, chegaremos à conclusão de que mesmo o sistema monofásico faz
parte do sistema trifásico.

Os sistemas trifásicos são circuitos compostos por três fontes de tensão de igual amplitude,
porém defasadas de 120º elétricos umas das outras.

Figura 11 – Sistema Trifásico – Internet adaptado autor

Dizemos que um conjunto de tensões trifásicas são equilibradas entre si

quando estas tensões estão defasadas de 120° umas das outras e
possuem o mesmo valor de amplitude e frequência.

Se os três terminais comuns de cada fase forem ligados juntos num terminal comum
indicado por N (neutro), e as outras três extremidades forem ligadas a uma linha trifásica
(3 ), o sistema será ligado em estrela ou Y.
 13

Figura 12 – Sistema Trifásico Estrela – Gussow 2009

Como se pode ver na figura acima, a corrente que passa pela linha, é a mesma que passa
pelos elementos, isto e, a corrente de linha é igual a corrente de fase.

O ponto comum aos três elementos chama-se neutro. Se deste ponto se tira um condutor,
temos o condutor neutro, que em geral e ligado a terra. A tensão aplicada a cada elemento
(entre condutores de fase e neutro) é chamada tensão de fase e a entre dois condutores
de fase tensão de linha.

VL = tensão linha (V) volts rms – entre duas fases

𝑽𝑳 = 𝑽𝑭 × √𝟑
VF = tensão de fase (V) volts rms – entre fase e neutro

Se as três fases forem ligadas em série para formar um percurso fechado, o sistema é
ligado em triângulo ou .

A extremidade final de um elemento e ligada a inicial do outro, de modo que os três fiquem
dispostos eletricamente, segundo os lados de um triangulo equilátero. Os vértices são
ligados a linha.

Figura 13 – Sistema Trifásico Triângulo – Gussow 2009

 14

A extremidade final de um elemento é ligada à inicial do outro, de modo que os três fiquem
dispostos eletricamente, segundo os lados de um triângulo equilátero. Os vértices são
ligados à linha.

Temos que a tensão da linha e igual a tensão da fase e a corrente da linha será:

𝑰𝑳 = 𝑰𝑭 × √𝟑 IL = corrente de linha (A) ampère rms

Em geral, as cargas monofásicas (lâmpadas e pequenos motores) são ligadas a tensao

mais baixa e as trifásicas (forca, aquecimento industrial etc.) a mais alta.

As cargas monofásicas, num circuito trifásico, devem ser distribuídas igualmente entre as
fases, para que uma não fique sobrecarregada em detrimento das outras.

2. Potência em Circuitos CA

A potência consumida por um circuito de corrente contínua é dada em watts, pelo produto
da tensao pela corrente.

Em corrente alternada, este produto representa a potência aparente do circuito, isto é, a

potência que o circuito aparenta ter uma vez que há uma defasagem entre V e I. A potência
aparente e medida em volt-ampere (VA):

S = potência aparente (VA) volt-ampere

𝑺=𝑽×𝑰 V = tensão (V) volts

I = corrente (A) ampere

A potência que produz trabalho nos circuitos de CA é chamada potência ativa (ou potência
real), e é dada, em watts (W), pelo produto:

P = potência real (W) watt

V = tensão (V) volts
𝑷 = 𝑽 × 𝑰 × 𝐜𝐨𝐬 𝜽 I = corrente (A) ampere
cosseno  = ângulo base – fator de potência

O fator cos  (cosseno do angulo de base) é chamado fator de potência do circuito, pois é
ele que determina qual a percentagem de potência aparente que é empregada para
produzir trabalho. O fator de potência (FP) é de suma importância nos circuitos de CA.

No Brasil foi especificado o valor mínimo do fator de potência em 0,93 medido junto ao
medidor de energia. Mede-se o fator de potência em aparelhos chamados de medidores de
cos . O fator de potência pode ser determinado por:
 15

𝑷(𝒑𝒐𝒕ê𝒏𝒄𝒊𝒂 𝒓𝒆𝒂𝒍)
𝑭𝑷 = 𝐜𝐨𝐬 𝜽 =
𝑺 (𝒑𝒐𝒕ê𝒏𝒄𝒊𝒂 𝒂𝒑𝒂𝒓𝒆𝒏𝒕𝒆)

O fator de potência deve ser o mais alto possível, isto é, próximo a unidade. Deste modo,
com a mesma corrente e a mesma tensao, conseguimos uma maior potência real (ativa),
que, como sabemos, é a que produz trabalho no circuito.

A potência reativa é a porção da potência aparente que hora é fornecida pelo gerador a
carga, hora é devolvida pela carga ao gerador (parte da potência aparente que não é
convertida em trabalho). É calcula por:

Q = potência reativa (VAR) volt-ampere-reativo

V = tensão (V) volts
𝑸 = 𝑽 × 𝑰 × 𝐬𝐢𝐧 𝜽
I = corrente (A) ampere
seno  = ângulo base

A potência total aparente (ST) em volt-amperes e a potência total reativa (QT) em volt-
amperes-reativo estão relacionadas com a potência total PT em watts. Portanto, uma carga
trifásica equilibrada tem a potência real, a potência aparente e a potência reativa dadas
pelas equações abaixo:

𝑷𝑻 = √𝟑 × 𝑽𝑳 × 𝑰𝑳 𝐜𝐨𝐬 𝜽 (W) 𝑺𝑻 = √𝟑 × 𝑽𝑳 × 𝑰𝑳 (VA)

𝑸𝑻 = √𝟑 × 𝑽𝑳 × 𝑰𝑳 𝐬𝐢𝐧 𝜽 (VAR)

Figura 14 –Triângulo de Potências – Gussow 2009, adaptado autor

3. Introdução a Eletrônica de Potência

A demanda pelo controle de energia elétrica para sistemas de acionamento de máquinas

elétricas e controles industriais existe há muitos anos e isto conduziu ao desenvolvimento
do antigo sistema Ward-Leonard para se obter uma tensão CC variável utilizada no controle
dos acionamentos de máquinas CC. A eletrônica de potência revolucionou o conceito de
 16

controle de potência para a conversão de energia e para o controle dos acionamentos das
máquinas elétricas.

A conversão de formas de energia está presente em muitas áreas da indústria e também

em nossas residências. Isto atualmente é obtido de forma automatizada pelo uso da
eletrônica de potência. Algumas finalidades da conversão de energia são: aplicações
diferentes da energia, dificuldades de armazenamento e transmissão da energia, alteração
e adaptação de amplitudes, forma e quantidades de energia, assim como o
reaproveitamento da energia.

Figura 15 – Conversão de formas de energia – IFSC 2015

A função da eletrônica de potência é controlar o fluxo de potência, processando a energia

das fontes de alimentação disponíveis (rede elétrica, geradores ou baterias) através de
dispositivos semicondutores de potência, para alimentar as cargas.

A Importância da eletrônica de potência pode ser observada através de uma lista onde
aparecem algumas de suas aplicações:

Residencial e comercial: iluminação – reatores eletrônicos; computadores pessoais;

equipamentos eletrônicos de entretenimento; elevadores; sistemas ininterruptos de energia
(“nobreak”); equipamentos de escritório.

Industrial: acionamento de bombas, compressores, ventiladores, máquinas ferramenta e

outros motores; iluminação; aquecimento indutivo; soldagem.

Transporte: veículos elétricos; carga de baterias; locomotivas; metrô.

Sistemas Elétricos: transmissão em altas tensões CC; fontes de energia alternativa (vento,
solar, etc.); armazenamento de energia.

Aeroespaciais: sistema de alimentação de satélites; sistema de alimentação de naves;

 17

Telecomunicações: carregadores de baterias; fontes de alimentação CC; sistemas

ininterruptos de energia (UPS).

A eletrônica de potência combina potência, eletrônica e controle. O controle trata das

características dinâmicas e de regime permanente dos sistemas de malha fechada. A
potência cuida de equipamentos de potência rotativas e estáticos para a geração,
transmissão e distribuição de energia elétrica. A eletrônica trata dos dispositivos e circuitos
de estado sólido para o processamento de sinais que permitam alcançar os objetivos de
controle desejados.

A eletrônica de potência pode ser definida como a aplicação da eletrônica de estado sólido
para o controle e conversão da energia elétrica. O inter-relacionamento da eletrônica de
potência com a energia, a eletrônica e o controle é mostrado na Figura abaixo:

Figura 16 – Relação da eletrônica de potência com energia, controle e potência– Rashid 1999

A eletrônica de potência é primariamente baseada no chaveamento dos dispositivos

semicondutores de potência. Com o desenvolvimento da tecnologia dos semicondutores de
potência, as capacidades nominais e a velocidade de chaveamento dos dispositivos de
potência melhoraram enormemente.

O desenvolvimento da tecnologia de microprocessadores e microcomputadores teve

grande impacto no controle e na sintetização da estratégia de controle para os dispositivos
semicondutores de potência. Percebe-se aí a interdisciplinaridade da Eletrônica de
potência.

Figura 17 – Interdisciplinaridade da Eletrônica de Potência – IFSC 2015

 18

Os equipamentos de eletrônica de potência modernos usam: 1 – semicondutores de

potência, que podem ser considerados como o músculo; 2 – a microeletrônica, que tem a
inteligência do cérebro.

Os sistemas de eletrônica de potência consistem em muito mais que um conversor de

energia. Como pode ser visto no diagrama de blocos da Fig. 18, necessita-se também de
filtros para minimizar os ruídos e harmônicos de tensão e corrente gerados pelo circuito de
potência, os quais operam em regime chaveado; circuitos de comando para impor ao
semicondutor do conversor sua entrada em condução ou bloqueio; e a realimentação e
controle que mantém o sistema operando no ponto desejado mesmo com mudanças na
entrada (fonte) ou na saída (carga).

Figura 18 – Diagrama em Blocos de um sistema de Eletrônica de Potência – CEFET 2005

O circuito de potência é composto por semicondutores de potência e elementos passivos

(indutores, capacitores e resistores), podendo assumir várias configurações em função das
características de tensão, corrente e frequência da fonte de alimentação e da carga.
Pelo fato de não haver partes móveis, esses circuitos de potência são chamados de
conversores estáticos, os quais podem ser classificados como: Conversores CA – CC
(Retificadores), Conversores CC – CA (Inversores), Conversores CC – CC (Choppers) e
Conversores CA – CA (Cicloconversores e Controladores CA).

Figura 19 – Conversores de Potência – CEFET 2005

 19

Os circuitos de eletrônica de potência (ou conversores, como são usualmente chamados)

podem ser divididos nas seguintes categorias:

1. Retificadores não controlados (AC para DC) – converte uma tensão monofásica ou
trifásica em uma tensão DC e são usados diodos como elementos de retificação.

2. Retificadores controlados (AC para DC) – converte uma tensão monofásica ou trifásica
em uma tensão variável e são usados SCR’s como elementos de retificação.

3. Choppers DC (DC para DC) – converte uma tensão DC fixa em tensões DC variáveis.

4. Inversores (DC para AC) – converte uma tensão DC fixa em uma tensão monofásica ou
trifásica AC, fixa ou variável, e com frequências também fixas ou variáveis.

5. Conversores cíclicos (AC para AC) – converte uma tensão e frequência AC fixa em uma
tensão e frequência AC variável.

6. Chaves estáticas (AC ou DC) – o dispositivo de potência (SCR ou TRIAC) pode ser
operado como uma chave AC ou DC, substituindo, dessa maneira, as chaves mecânicas e
eletromagnéticas tradicionais.

IDEIAS-CHAVES

Sistema elétrico monofásico e trifásico, potência aparente, reativa e real, conversores de

energia.

RECAPITULANDO...

• Corrente alternada corresponde a fonte de energia onde os polos ficam se

alternando constantemente no tempo.
• Valor eficaz da tensão ou corrente elétrica, também chamado de valor RMS (root
mean square), é o valor que produz o mesmo efeito que um valor em corrente
contínua produziria.
• Os sistemas trifásicos são circuitos compostos por três fontes de tensão de igual
amplitude, porém defasadas de 120º elétricos umas das outras.
• Em corrente alternada, o produto da tensão pela corrente elétrica representa a
potência aparente do circuito, isto é, a potência que o circuito aparenta ter uma vez
que há uma defasagem entre V e I.
• O fator cos  (cosseno do angulo de base) é chamado fator de potência do circuito,
pois é ele que determina qual a percentagem de potência aparente que é empregada
para produzir trabalho.
• A potência reativa é a porção da potência aparente que hora é fornecida pelo
gerador a carga, hora é devolvida pela carga ao gerador (parte da potência aparente
que não é convertida em trabalho).
• A função da eletrônica de potência é controlar o fluxo de potência, processando a
energia das fontes de alimentação disponíveis (rede elétrica, geradores ou baterias)
através de dispositivos semicondutores de potência, para alimentar as cargas.
• A eletrônica de potência combina potência, eletrônica e controle.
 20

UNIDADE II – TRANSISTORES DE POTÊNCIA I – UJT E FET

1. Introdução aos Transistores de Potência

Assim como existem materiais condutores e materiais isolantes, existe um tipo de material
que é um meio termo entre esses dois primeiros. Esse material é o semicondutor. O
semicondutor, portanto, possui um nível de condutividade entre os extremos de um isolante
e um condutor.

Para entender o funcionamento e as diversas topologias da eletrônica de potência é

importante que se conheça bem os dispositivos semicondutores que compõem sua parte
ativa, ou seja, suas características de tensão, corrente, comando e velocidade de
comutação.

Em temperatura ambiente e completamente puro, o Si e o Ge (semicondutores) são

isolantes, ou seja, não conduzem corrente elétrica. Existem duas formas de aumentar a
condutibilidade desses materiais. Uma delas é aumentando a sua temperatura.

Outra forma de aumentar a condutibilidade do material semicondutor é introduzindo

impurezas em sua estrutura química, tornando então, um semicondutor contaminado
(também chamado de dopagem). Essas impurezas, são inseridas de forma uniforme pelo
material e em quantidade controlada (um para um milhão, por exemplo) esse semicondutor
apresentará novas características.

Este efeito da dopagem torna o material semicondutor com camada positiva (lacunas) e
também com camada negativa (elétrons) conforme figura abaixo:

Figura 20 – Semicondutores – Internet adaptado autor

 21

Em eletrônica de potência, os semicondutores podem ser considerados como chaves,

podendo estar no estado fechado ou conduzindo (ON) e aberto ou bloqueado (OFF).
Podem ser divididos em três grupos de acordo com o grau de controlabilidade. Esses
grupos são:

Chaves não controladas: estado ON e OFF dependendo do circuito de potência. Ex. diodos.

Chaves semi-controladas: estado ON controlado por um sinal externo e OFF dependendo

do circuito de potência. Ex.: SCR, TRIAC.

Chaves Controladas – os estados ON e OFF são controlados por sinal externo. Ex.
Transistor (BJT), MOSFET, IGBT, GTO.

Operando como chave, o semicondutor apresenta dois tipos de perdas de energia, as quais
geram dissipação de calor sobre o mesmo: as perdas em condução e as perdas em
comutação.

A figura a seguir apresenta as formas de onda de tensão, corrente e potência dissipada

sobre um semicondutor que opera como chave.

Figura 21 – Comutação nos Semicondutores de Potência – CEFET 2005

Quando o semicondutor está em condução, flui através do mesmo uma corrente Ion e
aparece sobre ele uma baixa queda de tensão Von, as quais são responsáveis pelas
perdas em condução.

Quanto maiores forem Ion e Von, maior será a perda de condução, assim, é desejável
semicondutores que apresentam baixos valores de tensão quando em condução.

A comutação pode ser de dois tipos: OFF para ON (entrada em condução) ou de ON para
OFF (bloqueio). No primeiro caso, quando o semicondutor entra em condução sua tensão
cai até próximo de zero (Von) e a corrente cresce. Enquanto estes valores não se
estabilizam aparecem as perdas por comutação. Tais perdas ocorrem também durante o
bloqueio, onde a corrente cai até zero enquanto a tensão no semicondutor cresce atingindo
o valor Voff. Quanto maiores forem a tensão Voff, a corrente Ion, a duração da comutação
(toff/on e ton/off) e a frequência de comutação, maior será a perda de comutação. Assim, é
desejável que o semicondutor apresente comutações rápidas para diminuir as perdas de
comutação.
 22

O que diferencia um transistor de potência, de um transistor comum, é a sua capacidade

de trabalhar com, e em alguns casos com ambos.
Transistores com correntes de coletor acima de 1 A são normalmente considerados
transistores de potência, e as tensões de operação, ou seja, tensões máximas que
suportam entre coletor e emissor podem superar os 1000 V.

Nas aplicações industriais encontramos estes componentes em diversos tipos de

equipamentos. Eles são utilizados em fontes de alimentação tanto do tipo linear como
chaveado, na excitação de relés, solenoides e no controle de outros tipos de cargas, em
comutação e muito mais.

Conforme mostra a figura abaixo, estes transistores são dotados de invólucros que facilitem
a dissipação do calor que geram.

Figura 22 – Transistores de Potência – Internet adaptado autor

Os transistores são dispositivos semicondutores de três camadas, conforme figura abaixo:

Figura 23 – Camadas do transistor – Internet adaptado autor

2. Transistor de Unijunção – UJT

O transistor de Unijunção (UJT- Unijunction Transistor) tem duas regiões dopadas com três
terminais externos. Ele tem um emissor e duas bases. O emissor é fortemente dopado. Por
essa razão, a resistência entre as bases é relativamente alta, tipicamente de 5 a 10 k
quando o emissor está aberto. Chamamos essa resistência de resistência interbase,
simbolizada por RBB.

A Figura abaixo mostra o circuito equivalente de um UJT.

 23

Figura 24 – Estrutura e circuito equivalente UJT – Internet adaptado autor

O diodo emissor aciona a junção das duas resistências internas, RBI e RB2. Quando o
diodo emissor não está conduzindo, RBB é a soma de RB1 e RB2. Quando a tensão de
alimentação está entre as duas bases (VBB), como mostrado na Figura, a tensão através
de RB1 é dada por:

𝑹𝑩𝟏
𝑽𝑹𝑩𝟏 = × 𝑽𝑩𝑩 𝒐𝒖 𝑽𝑹𝑩𝟏 = 𝜼 × 𝑽𝑩𝑩
(𝑹𝑩𝟏 + 𝑹𝑩𝟐 )

𝑹𝑩𝟏
𝜼= 𝑹𝑩𝑩 = 𝑹𝑩𝟏 + 𝑹𝑩𝟐
𝑹𝑩𝑩

O UJT é constituído por uma barra de material N levemente dopada, que forma as regiões
de base 1 e base 2, e uma pequena região com material P, compondo a região do emissor.
Entre as bases 1 e 2, existe uma região com um elevado valor resistivo denominado de
região de interbases (RBB). O circuito equivalente é mostrado na Figura abaixo:

Figura 25 – Estrutura e circuito equivalente UJT – Internet adaptado autor

Nesse circuito equivalente existem duas resistências que compõem a RBB, que são RB1 e
RB2. Com o emissor aberto, a resistência entre o emissor e a base 2 (RB2) é menor do que
a resistência entre emissor e base 1 (RB1). Essas resistências serão responsáveis em
realizar uma divisão de tensão internamente no dispositivo, após ser aplicado uma
 24

diferença de potencial entre as mesmas. Existe também um diodo composto pela junção
do emissor e a região entre as bases.

Se for aplicado um potencial no emissor VE < 0,7 +VRB1 o UJT estará cortado, pois o diodo
está reversamente polarizado. Onde VRB1 = η ⋅VBB , sendo que η é a razão intrínseca de
disparo cujo valor está compreendido entre 0,4 e 0,8 (valores estes definidos pelos
fabricantes do dispositivo).

Quando VE > 0,7 + η ⋅VBB = VP (tensão no ponto de pico), o diodo fica polarizado
diretamente e o UJT dispara. A explicação física para o disparo é dada pela realimentação
positiva interna. O aparecimento de uma corrente aumenta o número de portadores na
região próximo à base 1, o que diminui a resistividade e consequentemente a resistência
RB1, como consequência diminui a tensão em RB1, incrementando mais ainda a
polarização direta, e assim aumentando ainda mais a corrente.

Esse ciclo leva a um aumento muito grande na corrente (o disparo), limitada unicamente
pelas resistências externas. Após ter disparado, o UJT só voltará a cortar novamente
quando a tensão de emissor não for mais suficiente para manter a polarização direta da
junção, essa tensão é chamada de tensão de vale, VV. Essa característica de
funcionamento do UJT pode ser observada no gráfico abaixo:

Figura 26 – Curva característica estática do UJT – Rashid 1999

Vejamos um exemplo do funcionamento do UJT. Seja o circuito abaixo:

Dados UJT 2N4871

 = 0,85
VBB = 10V
IV = 7mA
VEV = 1V
 25

Calcule:
a) a tensão de disparo Vp (pico);
b) o valor da corrente de emissor IE no momento do disparo;
c) o valor da tensão de corte aplicado no emissor do UJT.

Solução:

𝑎) 𝑉𝑃 = 0,7 × 𝜂 × 𝑉𝐵𝐵 𝑉𝑃 = 0,7 × 0,85 × 10 𝑽𝑷 = 𝟗, 𝟐𝑽

𝑉𝐸 20
𝑏) 𝐼𝐸 = 𝐼𝐸 = 𝐼𝐸 = 0,05𝐴 𝑜𝑢 𝑰𝑬 = 𝟓𝟎𝒎𝑨
𝑅 400

𝑐) 𝑉𝑐 = 𝑉𝐸𝑉 + 𝑉𝑅 𝑉𝑐 = 1 + (7𝑚𝐴 × 400Ω) 𝑽𝒄 = 𝟑, 𝟖𝑽

3. Transistor de Efeito de Campo – JFET

Os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e elétrons, e são

utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem aplicações nos quais os
transistores unipolares com a sua alta impedância de entrada são uma alternativa melhor.

Este tipo de transistor depende de um só tipo de carga, daí o nome unipolar. Ha dois tipos
básicos: os transistores de efeito de campo de junção (JFET – Junction Field Effect
transistor) e os transistores de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET).

O FET é o dispositivo preferido para a maior parte das aplicações em chaveamento. Por
que? Porque não existem portadores minoritários em um FET. Portanto, ele pode entrar em
corte mais rápido visto que não há carga armazenada para ser retirada da área da junção.

Os transistores bipolares são dispositivos controlados por corrente, isto é, a corrente de

coletor e controlada pela corrente de base, enquanto nos transistores de efeito de campo
(FET) a corrente é controlada pela tensao ou pelo campo elétrico.

Para fabricar um JFET, um fabricante difunde duas áreas de semicondutor tipo p em um

semicondutor tipo n. Estas regiões p estão conectadas internamente para obter um único
terminal externo simples chamado de porta (gate).

A Figura a seguir mostra uma pastilha de semicondutor tipo n. O terminal inferior é chamado
de fonte (source), e o superior é chamado de dreno (drain). A tensão de alimentação VDD
força os elétrons livres a circular da fonte para o dreno.
 26

Figura 26 – Estrutura e símbolo do JFET – Nicolett PUC-SP

O transistor pode ser um dispositivo com canal n (condução por elétrons) ou com canal p
(condução por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao com
canal p com sinais opostos de tensao e corrente.

A expressão efeito de campo está relacionada com as camadas de depleção em torno de

cada região p. As camadas de depleção existem porque os elétrons livres se difundem da
região n para as regiões p. A recombinação dos elétrons livres e lacunas criam as camadas
de depleção mostradas pelas áreas coloridas.

O princípio de funcionamento do JFET é bem simples. O objetivo é controlar a corrente ID

que circula entre a fonte e o dreno. Isto e feito aplicando-se uma tensao (negativa) na porta.
A Figura a seguir mostra a tensão de polarização normal para um JFET. A tensão de
alimentação no dreno é positiva e a tensão de polarização da porta é negativa.

Figura 27 – Polarização do JFET – Malvino e Bates 2016

A porta tipo p e a fonte tipo n formam o diodo porta-fonte. Com um JFET, o diodo porta-
fonte fica sempre com polarização reversa. Em virtude da polarização reversa, a corrente
de porta IG é de aproximadamente zero, o que é equivalente dizer que o JFET tem uma
resistência de entrada quase infinita.

Os elétrons que circulam da fonte para o dreno devem passar pelo estreito canal entre as
camadas de depleção. Quando a tensão da porta se torna mais negativa, as camadas de
 27

depleção se expandem e o canal de condução torna-se mais estreito. Quanto mais negativa
for a tensão na porta, menor a corrente entre a fonte e o dreno.

O JEFT é um dispositivo controlado por tensão porque uma tensão na entrada controla
uma corrente na saída. Em um JFET, a tensão porta-fonte VGS determina a corrente que
circula entre a fonte e o dreno.

Quando VGS é zero, circula a corrente máxima no dreno no JFET. É por isso que um JFET
é citado como um dispositivo normalmente em condução. Por outro lado, se VGS é negativa
o suficiente, as camadas de depleção se tocam e a corrente de dreno é cortada.

A Figura 28a mostra um JFET com tensões de polarizações normais. Neste circuito, a
tensão porta-fonte VGS é igual à tensão de alimentação da porta VGG, e a tensão dreno-
fonte VDS é igual à tensão de alimentação do dreno VDD.

Se conectarmos a porta e o dreno em curto, como mostrado na Figura 28b, obteremos a

corrente de dreno máxima porque VGS = 0. A Figura 28c mostra o gráfico da corrente de
dreno ID versus tensão dreno-fonte VDS para esta condição de porta em curto. Note como
a corrente aumenta rapidamente e depois fica na horizontal quando VDS torna-se maior que
VP.

Figura 28 – Polarização normal JFET – Malvino e Bates 2016

Por que a corrente de dreno permanece quase constante? Quando VDS aumenta, as
camadas de depleção se expandem. Quando VDS = Vp, as camadas de depleção quase se
tocam. O canal de condução estreito então estrangula ou evita que a corrente aumente. É
por isso que a corrente tem um limite superior de IDSS.

A região ativa de um JFET é entre VP e VDS (máx). A tensão mínima VP é chamada de

tensão de estrangulamento e a tensão máxima VDS (máx) é a tensão de ruptura.

Entre o estrangulamento e a ruptura, o JFET funciona como uma fonte de corrente de

aproximadamente IDSS quando VGS = 0. IDSS significa a corrente de dreno para a fonte com
a porta em curto. Esse é o valor máximo de corrente de dreno que um JFET pode produzir.

A Figura a seguir mostra as curvas de dreno para um JFET com uma IDSS de 10 mA. A
curva de cima é sempre para VGS = 0, a condição de porta em curto. Neste exemplo, a
tensão de estrangulamento é de 4 V e a tensão de ruptura é de 30 V.

A curva imediatamente abaixo é para VGS = –1 V, a próxima para VGS = –2 V, e assim por
diante. Como você pode notar, quanto mais negativa a tensão porta-fonte, menor a corrente
de dreno.
 28

Figura 28 – Curva característica do JFET – Malvino e Bates 2016

A parte debaixo da curva é importante. Observe que uma VGS de – 4 V reduz a corrente de
dreno para quase zero. Essa tensão é chamada de tensão porta-fonte de corte e é
representada por VGS (corte) nas folhas de dados. Nessa tensão de corte as camadas de
depleção se tocam. Em consequência, o canal de condução desaparece. É por isso que a
corrente de dreno é quase zero.

Na Figura 28, observe que VGS (corte) = – 4 V e VP = 4 V. Isso não é uma coincidência. As
duas tensões sempre têm as mesmas grandezas porque estes valores representam onde
as camadas de depleção se tocam ou quase se tocam.

As folhas de dados podem fornecer os dois valores, e você pode notar que eles têm sempre
os mesmos valores absolutos. Como forma de equação:

VGS(corte) = –VP

A curva de transcondutância de um JFET é um gráfico de ID versus VGS. Fazendo a leitura

dos valores de ID e VGS para cada curva de dreno na Figura 28, podemos traçar a curva na
Figura 29. Observe que a curva não é linear porque a corrente aumenta mais rápido quando
VGS aproxima de zero.

Todo JFET tem uma curva de transcondutância, onde os pontos extremos da curva são
VGS(corte) e IDSS. A equação para este gráfico é:

𝟐
𝑽𝑮𝑺
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 × (𝟏 − )
𝑽𝑮𝑺(𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆)

4. Aplicações de Circuitos com UJT e FET

Muitas aplicações dos componentes UJT e JFET existem na prática. Vejamos o UJT
utilizado em um oscilador de relaxação. Este oscilador irá produzir uma onda dente de serra
utilizada no controle de dispositivos de potência.
 29

As funções dos componentes do circuito são:

• R1 - Fornecer pulsos de tensão de saída do oscilador

e limitar a corrente de descarga do capacitor;

• R2 - Estabiliza termicamente o UJT por meio da

variação de tensão;

• RT - Limitar a tensão de carga no capacitor em um

determinado tempo;

• CT - Levar ao emissor do UJT a tensão necessária

para o dispositivo conduzir.

O funcionamento desse circuito é iniciado com o carregamento do capacitor (CT), sendo a

corrente de carga limitada pelo resistor (RT), constituindo uma constante de carga que irá
durar até que a tensão do capacitor chegue ao valor limite VP do dispositivo UJT.

O tempo de carga do capacitor será definido conforme os valores de CT e RT, ou seja, T =

RT x CT (constante de tempo de carga do capacitor). Após o valor de tensão no capacitor
atingir o valor de pico (VP) do UJT, a junção emissor-base 1 atinge potencial suficiente para
polarizar diretamente o diodo interno e por consequência disso a resistência RB1 diminuirá,
descarregando o capacitor.

O tempo de descarga do capacitor será definido conforme os valores de RB1, R1 e CT, ou

seja, T = (RB1 + R1) x CT (constante de tempo de descarga de CT).

O gráfico a seguir ilustra o comportamento do circuito (oscilador de relaxação)

Figura 29 – Gráfico Oscilador de relaxação com JFET – Internet adaptado autor

 30

Pode-se calcular a frequência de operação para o circuito oscilador de relaxação com UJT
conforme a equação descrita abaixo:

O JFET pode funcionar como uma chave que transmite ou bloqueia um pequeno sinal CA.
Para obter esse tipo de funcionamento, a tensão porta-fonte VGS tem apenas dois valores:
zero ou um valor maior que VGS (corte). Nesse modo, o JFET opera na região ôhmica ou
na região de corte.

Chave paralela
A Figura 30a mostra um JFET como chave paralela. O JFET pode estar em condução ou
em corte, depende se VGS for de valor alto ou baixo. Quando VGS for alto (0 V), o JFET
opera na região ôhmica (ou saturação). Quando VGS for baixo, o JFET está em corte.

Por isso, podemos usar a Figura 30b como um circuito equivalente. Para funcionamento
normal, a tensão CA na entrada deve ter um sinal baixo, tipicamente menor que 100mV.

Um pequeno sinal garante que o JFET permaneça na região ôhmica quando o sinal atingir
seu valor de pico positivo. Além disso, RD é muito maior que RDS para garantir uma
saturação forte: RD >> RDS

Quando o valor de VGS é alto, o JFET opera na região ôhmica e a chave na Figura 30b
fecha. Como RDS é muito menor que RD, Vout é muito menor que Vin.

Quando o valor de VGS é baixo, o JFET entra em corte e a chave na Figura 30b abre. Nesse
caso, Vout = Vin. Portanto, o JFET como uma chave paralela transmite o sinal CA ou
bloqueia o sinal.

Figura 30 – JFET como chave analógica em paralelo – Malvino e Bates 2016

Chave em série
A Figura 31a mostra um JFET como chave em série e a Figura 31b mostra o circuito
equivalente. Quando VGS é alta, a chave está fechada e o JFET é equivalente a uma
 31

resistência RDS. Nesse caso, a saída é aproximadamente igual à entrada. Quando VGS é
baixa, o JFET está em corte e Vout é aproximadamente zero.

Figura 31 – JFET como chave analógica em série – Malvino e Bates 2016

IDEIAS-CHAVES

Semicondutores de Potência, Transistor de Unijunção (UJT), Transistor de Efeito de

campo de Junção (JFET), Oscilador de Relaxação.

RECAPITULANDO...

• O semicondutor possui um nível de condutividade entre os extremos de um isolante

e um condutor, cujas características de tensão, corrente, comando e velocidade de
comutação devem ser conhecidas.
• os semicondutores podem ser considerados como chaves, podendo estar no
estado fechado ou conduzindo;
• O transistor de Unijunção (UJT- Unijunction Transistor) tem duas regiões dopadas
com três terminais externos. Ele tem um emissor e duas bases;
• Se for aplicado um potencial no emissor VE < 0,7 +VRB1 o UJT estará cortado, pois
o diodo está reversamente polarizado;
• Quando VE > 0,7 + η ⋅VBB = VP (tensão no ponto de pico), o diodo fica polarizado
diretamente e o UJT dispara;
• O princípio de funcionamento do JFET é bem simples. O objetivo é controlar a
corrente ID que circula entre a fonte e o dreno. Isto e feito aplicando-se uma tensao
(negativa) na porta;
• O JEFT é um dispositivo controlado por tensão porque uma tensão na entrada
controla uma corrente na saída. Em um JFET, a tensão porta-fonte VGS determina a
corrente que circula entre a fonte e o dreno;
• A curva de transcondutância de um JFET é um gráfico de ID versus VGS.
 32

UNIDADE III – TRANSISTORES DE POTÊNCIA II – MOSFET E IGBT

Um transistor bipolar de junção BJT é um dispositivo controlado por corrente e requer

corrente de base para que flua corrente no coletor. Como a corrente de coletor é
dependente da entrada na base, o ganho de corrente é altamente dependente da
temperatura da junção.

Um MOSFET de potência é um dispositivo controlado por tensão e requer apenas uma

pequena corrente de entrada. A velocidade de chaveamento é muito alta e os tempos de
chaveamento são da ordem de nanosegundos.

Os MOSFET de potência estão encontrando aplicações crescentes em conversores de alta

frequência e baixa potência. Eles não têm o problema do fenômeno de ruptura secundária
como os BJTs. Entretanto os MOSFETS têm os problemas de descarga eletrostática e
necessitam de cuidados especiais no manuseio.

O FET com óxido de semicondutor e metal (Metal-Oxide Semiconductor Field Effet

Transistor), ou MOSFET, tem os terminais de fonte, porta e dreno. Difere de um JFET,
porém, no caso do MOSFET, a porta é isolada do canal. Por isso, a corrente na porta é
ainda menor que em um JFET.

Existem dois tipos de MOSFET, o de modo de depleção e o de modo de crescimento. O

MOSFET modo de crescimento é mais usado nos circuitos discretos e integrados. Nos
circuitos discretos, a principal aplicação é em chaveamentos de potência, que significa a
condução e o corte de correntes mais altas. Nos circuitos integrados, a principal ligação é
no chaveamento digital, o processo básico por trás dos modernos computadores.

Embora seu uso tenha diminuído, os MOSFETs no modo de depleção ainda são muito
encontrados no estágio inicial dos circuitos de comunicação como os amplificadores de RF.

1. MOSFET de Depleção

A Figura abaixo mostra um MOSFET no modo de depleção, uma pastilha de material n

com uma porta isolada no lado esquerdo e uma região p no lado direito. A região p é
chamada de substrato. Os elétrons que circulam da fonte para o dreno passam pelo
estreito canal entre a porta e o substrato p.
 33

Uma camada fina de dióxido de silício (SiO2) é depositada no lado esquerdo do canal. O
dióxido de silício é o mesmo que vidro, que é um isolante. Em um MOSFET a porta é
metálica. Pelo fato de a porta metálica ser isolada do canal, circula uma corrente
desprezível pela porta mesmo que a tensão na porta seja positiva.

Figura 32 – Estrutura MOSFET – Malvino e Bates 2016 e PUC-SP

A Figura 33a mostra um MOSFET no modo de depleção com uma tensão na porta negativa.
A fonte VDD força os elétrons livres a circular da fonte para o dreno. Esses elétrons circulam
pelo estreito canal do lado esquerdo do substrato p. Como no caso do JFET, a tensão na
porta controla a corrente no dreno. Quando a tensão é suficientemente negativa, a corrente
no dreno é cortada. Portanto, o funcionamento de um MOSFET no modo de depleção é
similar ao de um JFET quando VGS é negativa.

Como a porta está isolada, podemos também usar uma tensão positiva na entrada, como
mostra a Figura 33b. A tensão positiva na porta aumenta o número de elétrons livres que
circulam pelo canal. Quanto mais positiva a tensão na porta, maior a condução da fonte
para o dreno.

Figura 33 – Mosfet-D com porta negativa e com porta positiva – Malvino e Bates 2016

A Figura 34a mostra uma família de curvas de dreno para um MOSFET no modo de
depleção canal n típico. Observe que as curvas acima de VGS = 0 são positivas e as curvas
abaixo de VGS = 0 são negativas. Como é um caso de JFET, a curva de baixo é para VGS
= VGS (corte) e a corrente no dreno será aproximadamente zero. Conforme mostrado,
 34

quando VGS = 0 V, a corrente no dreno será igual à IDSS. Isso demonstra que o MOSFET
no modo de depleção, ou MOSFET-D, é um dispositivo normalmente em condução.

Quando VGS é negativa, a corrente no dreno será reduzida. Em comparação com um JFET
canal n, o MOSFET canal n pode ter VGS positiva e ainda assim funcionar corretamente. É
por isso que não há junção pn para ele ficar diretamente polarizado. Quando VGS tornar-
se positiva, ID aumentará seguindo a equação quadrática:

Figura 34 – MOSFETs no modo de depleção canal n: (a) curvas do

dreno; (b) curva de transcondutância. Malvino e Bates 2016

Quando VGS é negativa, o MOSFET-D está operando no modo de depleção. Quando VGS
é positiva, o MOSFET-D está operando no modo de crescimento. Assim como no JFET, as
curvas do MOSFET-D mostram uma região ôhmica, uma região de fonte de corrente e uma
região de corte.

A Figura 34b é a curva de transcondutância para um MOSFET-D. Novamente, IDSS é a

corrente no dreno com a porta em curto com a fonte. IDSS já não é a corrente máxima
possível no dreno. A curva parabólica de transcondutância segue a mesma relação
quadrática que existe em um JFET. Isso significa que a análise de um MOSFET no modo
de depleção é quase idêntica à de um circuito com JFET. A principal diferença é a
possibilidade de VGS ser relativa ou positiva.

Existe também um MOSFET-D canal p. Ele consiste em um canal p do dreno para a fonte,
ao longo de um substrato tipo n. Novamente, a porta é isolada do canal. O funcionamento
do MOSFET canal p é complementar ao do MOSFET canal n. Os símbolos esquemáticos
para os MOSFETs-D canal n e canal p estão na Figura 35.

Figura 35 – Símbolo esquemático Mosfet-D canal n e canal p – Malvino e Bates 2016

 35

2. MOSFET de Crescimento

O MOSFET no modo de depleção foi parte da evolução para se chegar ao MOSFET modo
de crescimento, abreviado para MOSFET-E. Sem o MOSFET-E, os computadores
pessoais que agora são largamente utilizados não existiriam.

Figura 36a mostra um MOSFET-E. O substrato p se estende agora por todo o dióxido de
silício. Como você pode ver, já não existe um canal n entre a fonte e o dreno. Como funciona
um MOSFET-E? A Figura 36b mostra as polaridades normais para a polarização. Quando
a tensão na porta é zero, a corrente da fonte para o dreno é zero. Por essa razão, um
MOSFET-E é normalmente em corte quando a tensão na porta é zero.

O único modo de obter corrente é com a tensão na porta positiva. Quando a porta é positiva,
ela retira elétrons livres da região p. Os elétrons livres se recombinam com as lacunas
próximas do dióxido de silício. Quando a tensão na porta é suficientemente positiva, todas
as lacunas em contato com o dióxido de silício são preenchidas e os elétrons livres
começam a circular da fonte para o dreno. O efeito é semelhante a criar uma camada fina
de material tipo n próximo do diodo de silício.

Figura 36 – Mosfet modo crescimento: não polarizado e polarizado – Malvino e Bates 2016

A camada fina de condução é chamada de camada de inversão tipo n. Quando ela existe,
os elétrons livres podem circular facilmente da fonte para o dreno. O valor de VGS mínimo
que cria a camada de inversão tipo n é chamado de tensão de limiar (threshold),
simbolizado por VGS(th). Quando VGS é menor que VGS(th), a corrente no dreno é zero.

Quando VGS é maior que VGS(th) a camada de inversão tipo n conecta a fonte ao dreno e
a corrente de dreno pode circular. Valores típicos de VGS(th) para dispositivos de baixo
sinal são entre 1 V e 3 V.

O JFET é tratado como um dispositivo no modo de depleção porque sua condutividade

depende da ação das camadas de depleção. O MOSFET-E é classificado como um
dispositivo no modo de crescimento porque uma tensão na porta acima da tensão de limiar
faz crescer sua condutividade. Com uma tensão zero na porta, um JFET está em condução,
enquanto um MOSFET-E está em corte. Portanto, o MOSFET-E é considerado um
dispositivo normalmente em corte.

Um MOSFET-E para pequeno sinal tem uma potência nominal de 1 W ou menos. A Figura
37a mostra uma família de curvas do dreno para um MOSFET-E de pequeno sinal típico. A
curva mais baixa é a curva de VGS(th). Quando VGS for menor que VGS(th), entra em
condução e a corrente no dreno é controlada pela tensão na porta.
 36

A parte quase vertical do gráfico é a região ôhmica e as partes quase horizontais são a
região ativa. Quando polarizado na região ôhmica, o MOSFET-E é equivalente a um
resistor. Quando polarizado na região ativa, ele é equivalente a uma fonte de corrente.
Embora o MOSFET-E possa ser operado na região ativa, o principal uso é na região
ôhmica.

A Figura 37b mostra uma curva de transcondutância típica. Não há corrente no dreno
enquanto VGS não for igual à VGS(th). A corrente no dreno então aumenta rapidamente até
atingir a corrente de saturação ID(saturação). Além desse ponto, o dispositivo fica
polarizado na região ôhmica. Portanto, ID não pode aumentar, mesmo que haja aumento
em VGS. Para garantir a saturação forte, é usada uma tensão na porta de VGS(lig) bem
acima de VGS(th), como mostra a Figura 37b.

Figura 37 – Gráficos do Mosfet – Malvino e Bates 2016

Quando VGS = 0, o MOSFET-E (EMOS) está em corte porque não há um canal de condução
entre a fonte e o dreno. O símbolo esquemático na Figura 38a tem uma linha tracejada para
o canal que indica a condição de normalmente em corte. Como você sabe, a tensão na
porta maior que a tensão de limiar cria uma camada de inversão do tipo n que conecta a
fonte ao dreno. A seta aponta para a camada de inversão, que age como um canal n quando
o dispositivo está conduzindo.

Existe também um MOSFET-E canal p. O símbolo esquemático é similar, com a diferença

de que a seta aponta para fora, como mostra a Figura 38b. O MOSFET-E canal p também
é um dispositivo no modo de crescimento normalmente em corte. Para ligar um MOSFET-
E canal p, a porta tem que ser negativa em relação à fonte. O valor – VGS tem que alcançar,
ou exceder, o valor – VGS(th) para o MOSFET entrar em condução. Quando isso ocorre,
uma camada de inversão tipo p é formada com as lacunas sendo os portadores majoritários.

O MOSFET-E canal n usa elétrons como os portadores majoritários que têm maior
mobilidade que as lacunas no canal p. Isso resulta em RDS(lig) menor e velocidades de
comutação maiores para o MOSFET-E canal n.
 37

Figura 38 – Símbolos Mosfet Crescimento – Braga 2014

Os MOSFET têm uma fina camada de dióxido de silício, um isolante que impede a
circulação de corrente de porta tanto para tensões positivas como negativas. Essa camada
isolante e mantida tão fina quanto possível para dar a porta um melhor controle sobre a
corrente de dreno. Como a camada e muito fina, e fácil destrui-la com uma tensao porta –
fonte excessiva.

Além da aplicação direta de tensao excessiva entre a porta fonte, pode-se destruir a
camada isolante devido a transientes de tensao causados por retirada/colocação do
componente com o sistema ligado. O simples ato de tocar um MOSFET pode depositar
cargas estáticas suficientes que excedam a especificação de VGS máximo. Alguns
MOSFET são protegidos por diodos Zener internos em paralelo com a porta e a fonte. Mas
eles têm como inconveniente, a diminuição da impedância de entrada.

3. Aplicação de Circuitos com MOSFET

Por que o MOSFET-E revolucionou a indústria do computador? Em virtude de sua tensão

de limiar ela é ideal para o uso como dispositivo de chaveamento. Quando a tensão na
porta for bem acima da tensão de limiar, o dispositivo chaveia do corte para a saturação.
Esta ação de ligar e desligar é o fator principal para o funcionamento do computador.
Quando você estudar circuitos de computador, verá como um computador típico usa
milhões de MOSFETs-E como chave de liga e desliga para processar um dado. (Dados
incluem números, textos, gráficos e todas as informações que podem ser codificadas em
números binários.)

Chaveamento de cargas passivas

A Figura 39 mostra um MOSFET-E com uma carga passiva. A palavra passiva se refere
aos resistores comuns como RD. Neste circuito, Vin pode ser baixa ou alta. Quando Vin é
baixa, o MOSFET-E está em corte e Vout é igual à tensão da fonte de alimentação VDD.
Quando Vin é alta, o MOSFET-E satura e vout cai para um valor baixo. Para um circuito
funcionar corretamente, a corrente de saturação no dreno ID(sat) tem de ser menor que
ID(lig) quando a tensão na saída for igual ou maior que VGS(lig). Isso equivale a dizer que a
resistência na região ôhmica tem de ser muito menor que a resistência passiva no dreno.

Em símbolos: RDS(lig) << RD

 38

Um circuito como o da Figura 39 é o mais simples que pode ser montado para computador.
Ele é chamado de inversor porque a tensão na saída é a oposta à da tensão na entrada.
Quando a tensão na entrada é baixa, a tensão na saída é alta. Quando a tensão na entrada
é alta, a tensão na saída é baixa. Não é necessária uma precisão alta quando analisar
circuitos de chaveamento. Tudo o que importa é que as tensões na entrada e na saída
podem ser reconhecidas facilmente como baixa ou alta.

Figura 39 – Mosfet chaveamento carga passiva – Malvino e Bates 2016

Chaveamento com carga ativa

Os circuitos integrados (CIs) consistem em centenas de transistores microscopicamente
pequenos, que podem ser bipolar ou MOS. Os circuitos integrados anteriores usavam
resistores como cargas passivas como na Figura 39. Mas a carga passiva com resistência
apresenta um grande problema. Ela é fisicamente muito maior que um MOSFET. Por isso,
os circuitos integrados de resistores com cargas passivas eram muito grandes, até que
alguém inventou os resistores com carga ativa. Isso reduziu enormemente o tamanho
dos circuitos integrados e também dos computadores pessoais atuais.

A ideia-chave era livrar-se das cargas passivas com resistores. A Figura 40a mostra a
invenção: chaveamento com carga ativa.

Figura 40 – Carga ativa, Circuito Equivalente, Gráfico – Malvino e Bates 2016

 39

O MOSFET inferior age como uma chave, mas o MOSFET superior age como uma
resistência de valor alto. Note que o MOSFET superior tem sua porta conectada ao seu
dreno. Por isso, ele se tornou em um dispositivo de dois terminais com uma resistência
ativa de:

onde VDS(ativa) e ID(ativa) são as tensões e correntes na região ativa. Para o circuito
trabalhar corretamente, a RD do MOSFET superior tem de ser maior comparada com
RDS(lig) do MOSFET inferior. Por exemplo, se o MOSFET superior funciona como uma RD
de 5 kΩ e o inferior como uma RD(lig) de 667 Ω, como mostra a Figura 40b, então a tensão
na saída será baixa.

A Figura 40c mostra como calcular o valor de RD para o MOSFET superior. Pelo fato de
VGS = VDS, cada ponto de operação deste MOSFET tem de cair ao longo da curva para
dois terminais como mostra a Figura 40c. Se você verificar cada ponto plotado nesta curva
para dois terminais, verá que VGS = VDS.

A curva para dois terminais na Figura 40c significa que o MOSFET superior age como uma
resistência de RD. O valor de RD mudará ligeiramente para pontos diferentes. Por exemplo,
no ponto mais alto da Figura 40c, a curva para dois terminais tem ID = 3 mA e VDS = 15 V.
Com a Equação, podemos calcular:

15𝑉
𝑅𝐷 𝑹𝑫 = 𝟓𝑲𝛀
3𝑚𝐴
O próximo ponto abaixo tem estes valores aproximados: ID = 1,6 mA e VDS = 10 V.
Portanto:

10𝑉
𝑅𝐷 𝑹𝑫 = 𝟔, 𝟐𝟓𝑲𝛀
1,6𝑚𝐴

Por meio de um cálculo similar, o ponto mais baixo, onde VDS = 5 V e ID = 0,7 mA, tem um
RD = 7,2 kΩ. Se o MOSFET inferior tem o mesmo conjunto de curvas de dreno como o do
superior, então o MOSFET inferior tem uma RDS(lig) de:

2𝑉
𝑅𝐷 𝑹𝑫 = 𝟔𝟔𝟕𝛀
3𝑚𝐴

Esse é o valor mostrado na Figura 40c. Como mencionado anteriormente, não importa o
valor exato para os circuitos de chaveamento digital enquanto as tensões puderem ser
distinguidas facilmente como baixa ou alta. Portanto, o valor exato de RD é importante. Ela
pode ser de 5 kΩ, 6,25 kΩ ou 7,2 kΩ. Qualquer um destes valores é alto suficiente para
produzir uma tensão baixa na saída na Figura 40b.
 40

MOSFET como Portas Lógicas

O MOSFET e muito utilizado na fabricação de circuitos integrados de portas logicas,

registradores e memorias, entre outros. Isto se justifica pelo fato desse dispositivo dissipar
baixíssima potência e, também, por possibilitar a integração em larga escala (ocupa uma
pequena área). Inicialmente analisemos um MOSFET de acumulação canal n funcionando
como chave DC:

Figura 41 – Mosfet de crescimento funcionando como chave DC – CTIG 2009

Conclui-se que o circuito funciona como um inversor, pois com V E = 0V tem-se VS = VDD e
com VE = VDD temos VS = 0V. Para a implementação de circuitos lógicos utiliza-se,
basicamente, o MOSFET como chave. Porém, como o resistor ocupa uma área muito
grande no circuito integrado, ele é substituído por um MOSFET atuando como resistor de
carga. A figura a seguir mostra a implementação de duas portas logicas utilizando MOSFET
como componente:

Figura 42 – Mosfet como Portas Lógicas – CTIG 2009

 41

4. Transistor Bipolar com Porta Isolada – IGBT

Os MOSFETs de potência e TBJs podem ser usados em aplicações de chaveamento de

alta potência. O MOSFET tem a vantagem de ser mais rápido no chaveamento e o TBJ
apresenta baixa perda na condução. Pela combinação da baixa perda na condução de um
TBJ com o chaveamento rápido do MOSFET de potência, podemos nos aproximar de uma
chave ideal.

Esse dispositivo híbrido existe e é chamado de transistor bipolar com porta isolada
(IGBT). O IGBT está essencialmente envolvido com a tecnologia do MOSFET de potência.
Sua estrutura e operação são semelhantes às de um MOSFET. A Figura 43 mostra a
estrutura básica de um IGBT canal n. Sua estrutura é semelhante a de um MOSFET de
potência canal n construído com um substrato tipo p.

Figura 43 – Estrutura básica do IGBT – Malvino e Bates 2016

Como mostrado, ele tem um terminal de porta, um de emissor e um de coletor. As duas

versões deste dispositivo são chamadas de IGBTs punch-through (PT) e sem punch-trough
(NPT). A Figura 43 mostra a estrutura de um IGBT PT. O IGBT PT tem uma camada isolante
n+ entre suas regiões p+ e n_, o dispositivo NPT não tem a camada isolante n+.

As versões NPT têm valores de condução VCE(lig) mais altos que as versões PT e um
coeficiente positivo de temperatura. O coeficiente positivo de temperatura faz do NPT o
escolhido para conexões em paralelo. A versão PT, com uma camada extra n+, tem a
vantagem de uma alta velocidade de chaveamento. Ela tem um coeficiente negativo de
temperatura.

Além da estrutura básica mostrada na Fig.43, diversos IGBTs são fabricados com outras
estruturas mais avançadas. Uma versão destes tipos avançados é o IGBT FS (Field-Stop
IGBT – IGBT de retenção de campo). O IGBT FS combina as vantagens do IGBT PT e do
IGBT NTP e, ao mesmo tempo, eliminam as desvantagens dessas duas estruturas.

Controle do IGBT
As Figuras 44a e 44b, mostram dois símbolos esquemáticos comuns para um IGBT de
canal N. Observe na Fig. 44b a presença do chamado diodo intrínseco. Este diodo
construído no interior do IGBT é similar aos diodos implantados no interior dos FETs de
potência. A Figura 44c mostra também um circuito equivalente simplificado para este
dispositivo. Como você pode ver, o IGBT é essencialmente um MOSFET de potência no
lado da entrada e um TBJ no lado da saída.
 42

Figura 44 – Símbolos do IGBT, Circuito Equivalente Simplificado – Malvino e Bates 2016

A entrada de controle é uma tensão entre o terminal da porta e do emissor. Exatamente

como no FET de potência, os circuitos de acionamento de porta para IGBT necessitam ter
a habilidade de carregar e descarregar rapidamente a capacitância de entrada dos IGBT
para aplicações em circuitos de alta velocidade de chaveamento. A saída é uma corrente
entre os terminais coletor e emissor. Devido ao fato da saída do IGBT basear num transistor
de junção bipolar, ocorre uma redução da rapidez no seu processo de desligamento em
relação ao FET de potência.

O IGBT é um dispositivo normalmente em corte de alta impedância de entrada. Quando a

tensão na entrada, VGE, é alta o suficiente, a corrente no coletor começa a circular. Esse
valor mínimo de tensão é a tensão de manutenção da porta, VGE(th).

IDEIAS CHAVES
Mosfet de Depleção, Mosfet de Crescimento, Curva de Corte e Saturação, Curva de
Transcondutância, Transistor Bipolar de Porta Isolada - IGBT

RECAPITULANDO...

• Um MOSFET de potência é um dispositivo controlado por tensão e requer apenas

uma pequena corrente de entrada. A velocidade de chaveamento é muito alta e os
tempos de chaveamento são da ordem de nanosegundos;
• MOSFETs no modo de depleção ainda são muito encontrados no estágio inicial dos
circuitos de comunicação como os amplificadores de RF;
• MOSFET modo de crescimento é mais usado nos circuitos discretos e integrados.
Nos circuitos discretos, a principal aplicação é em chaveamentos de potência, que
significa a condução e o corte de correntes mais altas. Nos circuitos integrados, a
principal ligação é no chaveamento digital, o processo básico por trás dos modernos
computadores;
• O transistor bipolar com porta isolada (IGBT) possui baixa perda na condução
quando comparado com um TBJ e possui também o chaveamento rápido do
MOSFET.
 43

UNIDADE IV – INTRODUÇÃO AOS TIRISTORES

1. Introdução aos Tiristores

A partir de agora estudaremos uma nova família de componentes usados nos controles de
potência. É a família dos tiristores ou diodos de quatro camadas.

Formados por uma estrutura em que quatro camadas de materiais semicondutores P e N

são formadas, eles apresentam características de resistência negativa e de disparo muito
interessantes para aplicações em controle.

No controle de dispositivos de alta potência alimentados pela rede de energia ou ainda a

partir de corrente alternada trifásica de inversores, controles industriais, etc. são usados
dispositivos semicondutores especiais. Esses dispositivos, formados basicamente por
estruturas de 4 camadas pertencem a família dos tiristores.

Encontramos tiristores controlando cargas resistivas de alta potência como lâmpadas e

elementos de aquecimento em estufas, fornos e outras aplicações industriais assim como
controlando cargas indutivas como motores, transformadores inversores, solenoides e
muitos outros dispositivos semelhantes.

Dependendo do arranjo dessas camadas de materiais semicondutores, poderemos ter

diversos tipos de dispositivos que atualmente são utilizados em aplicações práticas tanto
envolvendo circuitos de corrente continua como alternada.

A palavra tiristor vem do grego e significa “porta”, usada no mesmo sentido de abrir-se
uma porta e deixar alguém passar por ela. Um tiristor é um dispositivo semicondutor que
usa uma realimentação interna para produzir uma ação de chaveamento.

Os tiristores mais importantes são os retificadores controlados de silício (SCR) e o TRIAC.

Assim como os FETs de potência, o SCR e o TRIACs podem chavear correntes de altos
valores. Por isso, podem ser usados para proteção de sobretensão, controles de motor,
aquecedores, sistemas de iluminação e outras cargas de correntes altas.
 44

DIODO DE 4 CAMADAS

O funcionamento do tiristor pode ser explicado em termos do circuito equivalente mostrado

na Figura 45a. O transistor superior Q1 é um dispositivo PNP e o transistor inferior Q2 é um
dispositivo NPN. O coletor de Q1 aciona a base de Q2. De modo similar, o coletor de Q2
aciona a base de Q1.

Figura 45 – Tiristores: travas com Transistores – Malvino e Bates 2016

A conexão não usual na Figura 45a usa uma realimentação positiva. Qualquer variação na
corrente da base de Q2 é amplificada e realimentada por Q1 para aumentar a variação
original. Esta realimentação positiva continua mudando a corrente na base de Q2 até que
os dois transistores entrem em saturação ou em corte.

Por exemplo, se a corrente na base de Q2 aumenta, a corrente no coletor de Q2 aumenta.

Isso aumenta a corrente na base de Q1 e a corrente no coletor de Q1. Uma corrente maior
no coletor de Q1 aumentará ainda mais a corrente na base de Q2. A ação de amplificar e
realimentar continua até que os dois transistores sejam levados à saturação.

Nesse caso, o circuito total age como uma chave fechada 45b. Por outro lado, se algo
causar uma diminuição na corrente na base de Q2, a corrente no coletor de Q2 diminui, a
corrente na base de Q1 diminui, a corrente no coletor de Q1 diminui e a corrente na base
de Q2 diminui mais ainda. Essa ação continua até que os dois transistores sejam levados
para o corte.

Logo, o circuito funciona como uma chave aberta 45c. O circuito na 45a é estável em
qualquer um dos estados; aberto ou fechado. Ele permanecerá em um dos estados
indefinidamente até que alguma força externa aja. Se o circuito está aberto, ele permanece
aberto até que algo aumente a corrente na base de Q2. Se o circuito está fechado, ele
permanece fechado até que alguma coisa diminua a corrente na base de Q2. Pelo fato de
o circuito poder permanecer em um estado indefinidamente, ele é chamado de trava (latch).

FECHANDO UMA TRAVA

A Figura 46a mostra uma trava conectada a um resistor de carga com uma fonte de tensão
de VCC. Suponha que a trava esteja aberta, como mostra a Figura 46b. Como não há
corrente no resistor de carga, a tensão na trava é igual à tensão de alimentação. Então, o
ponto de operação está no extremo inferior da reta de carga CC (Figura 46d).

O único modo de fechar a trava na Figura 46b é pelo disparo (breakover). Isso significa
usar uma tensão de alimentação de VCC suficientemente alta para atingir a ruptura
(breakdown) do diodo coletor Q1. Como a corrente no coletor de Q1 aumenta, a corrente
 45

na base de Q2 dará início à realimentação positiva. Isso leva os dois transistores à

saturação, como descrito anteriormente.

Quando saturados, os dois transistores idealmente agem como um curto-circuito e a trava

fica fechada (Figura 46c). Idealmente, a tensão na trava é zero quando ela está fechada e
o ponto de operação está no extremo superior da reta de carga (Figura 46d).

Na Figura 46a, o disparo pode ocorrer também se Q2 atingir a ruptura primeiro. Embora a
ruptura tenha início em qualquer um dos diodos coletores, ela termina com os dois
transistores no estado de saturação. Essa é a razão pela qual o termo disparo é usado em
vez de ruptura para descrever este tipo de fechamento da trava.

Figura 46 – Circuito de travamento – Malvino e Bates 2016

ABRINDO UMA TRAVA

Como abrimos a trava na Figura 46a? Reduzindo a tensão de alimentação VCC a zero. Isso
força os transistores a sair da saturação e entrar em corte. Chamamos esse tipo de abertura
de corrente baixa de desligamento porque ela depende da redução da corrente na trava
a um valor baixo suficiente para tirar o transistor fora da saturação.

2. Diodo Shockley

A Figura 47a era chamada originalmente de diodo Shockley em consideração ao inventor.

São usados também vários outros nomes para este dispositivo: diodo de quatro camadas,
diodo PNPN e chave unilateral de silício (SUS).

O dispositivo deixa a corrente circular em um sentido apenas. O modo mais fácil de

entender como ele funciona é visualizá-lo separado em duas partes, como mostra a Figura
47b. A metade da esquerda é um transistor PNP e a metade da direita é um transistor
NPN. Logo, o diodo de quatro camadas é equivalente à trava na Figura 47c.

A Figura 47d mostra o símbolo esquemático de um diodo de quatro camadas. O único modo
de fechar o diodo de quatro camadas é pelo disparo. O único modo de abri-lo é pelo
desligamento por corrente baixa, o que significa reduzir a corrente a um valor abaixo da
corrente de manutenção (indicado nas folhas de dados).
 46

A corrente de manutenção é o valor baixo da corrente em que os transistores saem de

saturação para o corte. Após o disparo de um diodo de quatro camadas, a tensão no
componente cai idealmente para zero. Na realidade, existe alguma tensão no diodo de
trava.

A Figura 47e mostra o gráfico da corrente versus tensão para o 1N5158 que está em
condução. Como você pode ver, a tensão no dispositivo aumenta quando a corrente
aumenta: 1 V com 0,2 A, 1,5 V com 0,95 A, 2 V com 1,8 A e assim por diante.

Figura 47 – Diodo de 4 Camadas – Malvino e Bates 2016

CARACTERÍSTICA DE DISPARO

A Figura 48 mostra o gráfico da corrente versus tensão de um diodo de quatro camadas.

O dispositivo tem duas regiões de operação: corte e saturação. A linha tracejada é o
caminho de transição entre o corte e a saturação. Ela é tracejada para indicar que o
dispositivo chaveia rapidamente entre os estados de liga e desliga.

Figura 48 – Disparo do Diodo de 4 Camadas – Malvino e Bates 2016

Quando o dispositivo está em corte, a corrente é zero. Se a tensão no diodo tentar exceder
o valor de VB, o dispositivo dispara e seu ponto de operação move-se rapidamente ao longo
da linha tracejada indo para a região de saturação. Quando o diodo está em saturação, ele
opera na linha de cima.

Enquanto a corrente que circula por ele for maior que a corrente de manutenção IH, o diodo
permanece travado no estado de condução. Se a corrente tornar-se menor que IH, o
dispositivo assume o estado de corte.
 47

A aproximação ideal para um diodo de quatro camadas é uma chave aberta quando em
corte e uma chave fechada quando em saturação. A segunda aproximação inclui a tensão
de joelho Vk, aproximadamente 0,7 V na Figura 48.

3 Chave Unilateral e Bilateral de Silício – SUS E SBS

SUS é o acrônimo para Sillicon Unilateral Switch ou Chave Unilateral de Silício. Trata-se de
um dispositivo semicondutor da família dos tiristores usado em comutação.

Na figura 49 temos o símbolo usado para representar esse componente e seu circuito
equivalente, que nos permite entender seu funcionamento.

Figura 49 – SUS e Circuito equivalente – Braga 2014

Os SUS são usados no disparo de SCRs e na produção de pulsos (formas de onda), além
de outras aplicações. Como os SCRs e outros dispositivos da família os SUS consistem em
chaves regenerativas com a diferença de que em sua porta (gate) existe um diodo Zener
que determina a tensao de disparo do componente.

Outro fato que diferencia o SUS de um SCR e que seu disparo e feito pela porta de anodo.
Em funcionamento, quando a tensao entre o anodo e o catodo tornar-se suficientemente
positivo para produzir a condução do diodo Zener, o SUS dispara, ou seja, passa de estado
de desligado para o de plena condução, fluindo então uma corrente intensa entre o anodo
e o catodo.

Normalmente o diodo Zener interno existente nos SUS tem uma tensao de 7,4 V o que,
levando-se em conta a barreira de potencial entre o anodo e a porta, determina uma tensao
de disparo da ordem de 8 V. Para os casos em que se desejar uma tensao de disparo
menor, basta ligar um diodo Zener de valor apropriado entre a porta e o catodo.

Os SUS tem as seguintes especificações principais:

• Dissipação (Pd) – é a potência máxima que podem dissipar, normalmente expressa
em miliwatts;
• Pico inverso de tensao (Vdrm) – e a maior tensao que pode ser aplicada no sentido
inverso;
• Corrente máxima de anodo (IA) – e a corrente máxima que podem conduzir no
disparo;
• Corrente de pico máxima de anodo (IAP) – e o valor de pico da corrente de anodo;
• Corrente máxima de porta (IG) – e a corrente máxima que pode flui pelo terminal de
porta.

A curva característica desse componente é mostrada na figura abaixo:

 48

Figura 50 – Curva da Chave Unilateral de Silício (SUS) – Braga 2014

Observe que ela e semelhante à de um SCR, com a diferença de que a tensao de disparo
e programada pela porta, ou da ordem de 7 V se ela for mantida desligada. Observe que
ela é semelhante à de um SCR, com a diferença de que a tensao de disparo é programada
pela porta, ou da ordem de 7 V se ela for mantida desligada.

SBS significa Silicon Bilateral Switch ou Chave bilateral de Silício. Esse componente, da
família dos tiristores, consiste num semicondutor usado principalmente em circuitos de
comutação. Na figura 51 temos o símbolo adotado para representar o SBS assim como os
seus circuitos equivalentes.

Figura 51 – Chave Bilateral de Silício (SBS) – Braga 2014

O SBS, conforme podemos ver consta de dois SUS ligados em oposição, representados na
figura por SCRs com disparo pelo anodo, ou disparo programado e Zeners externos. Assim,
da mesma maneira que os SUS são usados nos circuitos de disparo de SCRs, os SBS são
usados no disparo de TRIACs, pois conduzem corrente nos dois sentidos.

Figura 52 – Curva da Chave Bilateral de Silício (SBS) – Braga 2014

 49

Se o sinal aplicado a porta for positivo em relação ao terminal A1 é o diodo Zener 2 que
conduz e deste modo, é disparado o SCR2. Se o sinal for positivo em relação ao terminal
A2, neste caso é o diodo Zener 1 que conduz e o disparo é de SCR1.

Veja que a ligação externa de diodos Zener entre a porta e o anodo, desde que sua tensao
seja menor que a do Zener de disparo interno, permite alterar as características de disparo
deste componente.

As principais características deste componente são especificadas da seguinte forma:

• Dissipação (Pd) – é a potência máxima que podem dissipar, normalmente expressa
em miliwatts;
• Corrente máxima de anodo (IA) – e a corrente máxima que podem conduzir no
disparo;
• Corrente de pico máxima de anodo (IAP) – e o valor de pico da corrente de anodo;
• Corrente máxima de comporta (IG) – e a corrente máxima que pode flui pelo terminal
de porta.

A tensao típica de disparo do SBS está entre 7 e 9 V, mas pode ser alterada pela
polarização conveniente do gate.

Como o SBS pode conduzir a corrente em ambos os sentidos, ao disparar, ele é utilizado
no disparo de Triacs enquanto o SUS é usado no disparo de SCRs.

IDEIAS CHAVES
Tiristores, Diodo de 4 Camadas, Diodo Shockley, Chave Unilateral de Silício, Chave
Bilateral de Silício, Disparo por Tensão.

RECAPITULANDO...
• Os Tiristores são formados por uma estrutura de quatro camadas de materiais
semicondutores P e N, apresentam características de resistência negativa e de
disparo rápido.
• Encontramos tiristores controlando cargas resistivas de alta potência como
lâmpadas e elementos de aquecimento em estufas, fornos e outras aplicações
industriais assim como controlando cargas indutivas como motores, transformadores
inversores, solenoides e muitos outros dispositivos semelhantes.
• O diodo Shockley é fechado pelo disparo (tensão). O único modo de abri-lo é pelo
desligamento por corrente baixa.
• Os SUS são usados no disparo de SCRs e na produção de pulsos (formas de onda).
 50

UNIDADE V – RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO – SCR

O SCR (Sillicon Controlled Rectifier) é o tiristor mais utilizado. Ele pode chavear correntes
de altos valores. Por isso, ele é sempre utilizado no controle de motores, fornos,
condicionadores de ar e aquecedores de indução.

1 Introdução ao SCR (Retificador Controlado de Silício)

Na figura 53 está representada uma analogia entre um SCR e dois transistores e seu
símbolo equivalente. Observe que o SCR é subdividido em dois transistores: um do tipo
PNP e outro do tipo NPN (analogia ao diodo de 4 camadas). Quando o anodo está positivo
em relação ao catodo, ou seja, o potencial do emissor do transistor T1 está positivo em
relação ao potencial do emissor do transistor T2, o SCR está pronto para conduzir. Quando
é aplicada uma tensão na base do transistor T2 (gatilho do SCR), ele conduz e ativa a base
do transistor T1.

Agora os dois transistores estão conduzindo, e o transistor T 1 passa a alimentar a base do

transistor T2, estabelecendo uma realimentação. Dessa forma, mesmo que a tensão no
terminal G (gatilho) seja suprimida, o circuito permanece conduzindo.

Figura 53 – 4 Camadas, Circuito Equivalente e Símbolo SCR – IFMG 2015

Como o gatilho de um SCR está conectado à base de um transistor interno, ele precisa de
pelo menos 0,7 V para disparar um SCR. As folhas de dados listam esse valor de tensão
como tensão de disparo do gatilho VGT.
 51

Em vez de especificar a resistência de entrada do gatilho, o fabricante fornece a corrente

mínima de entrada necessária para fazer o SCR entrar em condução. As folhas de dados
listam a corrente como corrente de disparo do gatilho IGT. A folha de dados para um SCR
de série 2N6504 apresenta os valores típicos de tensão e de corrente de:

VGT = 1,0 V
IGT = 9,0 mA

Isso quer dizer que a fonte que aciona o gatilho de um SCR da série 2N6504 típico tem de
fornecer 9,0 mA com 1,0 V para disparar o SCR. Além disso, a tensão de ruptura ou a
tensão de bloqueio é especificada como valor de pico repetitivo no estado desligado da
tensão direta, VDRM, e seu valor de pico repetitivo no estado desligado da tensão reversa,
VRRM. Dependendo da série de SCR que estiver sendo usada, a faixa de tensão de ruptura
varia de 50 V a 800 V.

TENSÃO DE ENTRADA EXIGIDA

Um SCR como o mostrado na Figura 54a tem uma tensão de gatilho de VG. Quando ela é
maior que VGT, o SCR entra em condução e a tensão na saída cai de VCC para um valor
baixo. Algumas vezes, usamos um resistor no gatilho como mostrado aqui. Esse resistor
limita a corrente no gatilho em um valor seguro.

Figura 54 – Disparando e Bloqueando o SCR – Malvino e Bates 2016

A tensão na entrada necessária para disparar um SCR tem de ser maior que:

Vin = VGT + VRG Vin = VGT + IGTRG

Nessa equação, VGT e IGT são a tensão e a corrente de disparo no gatilho do dispositivo.
Por exemplo, a folha de dados de um 2N4441 fornece VGT = 0,75 V e IGT = 10 mA. Quando
tiver o valor de RG, o cálculo de Vin é imediato.

BLOQUEANDO UM SCR

Depois que um SCR entra em condução, ele permanece conduzindo mesmo que você
reduza a alimentação do gatilho, Vin, a zero. Nesse caso, a saída permanece baixa
indefinidamente. Para bloquear o SCR, você deve reduzir a corrente do anodo para o
catodo a um valor abaixo da corrente de manutenção, IH. Isso pode ser feito reduzindo-se
 52

VCC a um valor baixo. A folha de dados do 2N6504 lista um valor típico da corrente de
manutenção de 18 mA.

O SCR com valores nominais de potências menores ou maiores geralmente tem valores
respectivos menores ou maiores de corrente de manutenção. Como a corrente de
manutenção circula pelo resistor de carga na Figura 54, a tensão de alimentação para
desligar tem de ser menor que:

VCC = 0,7 V + IHRL

Além da redução de VCC, outros métodos podem ser usados para reativar o SCR. Dois
métodos comuns são a interrupção da corrente e uma comutação forçada. Tanto pela
abertura da chave em série na Figura 54a como pelo fechamento da chave em paralelo na
Figura 54b, a corrente de anodo para catodo cairá para um valor abaixo da corrente de
manutenção e o SCR chaveará para seu estado de corte.

Outro método utilizado para reativar o SCR é forçando uma comutação, como mostra a
Figura 54c. Quando a chave é acionada, uma tensão negativa VAK é aplicada
momentaneamente. Isso reduz a corrente direta de anodo para catodo a um valor abaixo
de IH desligando o SCR. Nos circuitos reais, a chave pode ser substituída por um dispositivo
TJB ou FET.

A figura 55 mostra a curva característica do SCR.

Figura 55 – Curva característica do SCR – IFMG 2015

Existem três tipos de polarização possíveis para o SCR:

Polarização reversa – quando VAK < 0, o SCR funciona como uma chave aberta, ou seja,
não conduz. Na realidade, existe uma corrente de polarização reversa muito baixa,
geralmente na ordem de alguns nA, assim como ocorre nos diodos. Porém, quando a
tensão reversa atinge o valor da tensão de ruptura reversa VBR, o dispositivo conduz.

Polarização direta em bloqueio – há várias curvas parametrizadas pela corrente de

gatilho IG. Quando IG = 0, o SCR permanece bloqueado, desde que a tensão seja inferior a
VBO (tensão de disparo). Quando VAK = VBO, o SCR dispara e a corrente cresce, sendo
limitada pela resistência da carga, colocada em série com o SCR.
 53

Polarização direta com condução – para entrar em condução o SCR deve conduzir uma
corrente suficiente, cujo valor mínimo recebe o nome de corrente e retenção IL. O SCR não
entrará em condução, se a corrente de gatilho for suprimida antes que a corrente de anodo
atinja o valor IL. Este valor IL é geralmente de duas a três vezes a corrente de manutenção
IH que, uma vez retirada a corrente de gatilho, é a suficiente para manter o estado de
condução.

2. Outros Métodos de Disparo e Bloqueio do SCR

Disparo por Sobretensão

Quando o SCR está polarizado diretamente e sem corrente no gatilho, a junção J2 está
reversamente polarizada. Portanto, a corrente do SCR é muito pequena, formada apenas
pelos portadores minoritários. Com o aumento de VAK, esses portadores são acelerados
na junção J2, podendo atingir uma energia tão grande que provoque o fenômeno de
avalanche.

Esse fenômeno faz com que muitos elétrons se choquem e saiam das órbitas dos átomos
da rede. Estando disponíveis para condução, esses elétrons permitem que a corrente de
anodo cresça. Esse processo de disparo, nem sempre destrutivo, raramente é utilizado na
prática. Para o gatilho aberto (IG = 0), a tensão na qual o SCR passa ao estado de
condução, é chamado tensão de breakover (VBO).

Disparo por Variação de tensão (dv/dt)

Em um SCR polarizado diretamente existem cargas armazenadas na junção J2: íons
positivos de um lado e íons negativos do outro. Isso é como um capacitor carregado.
Observe a Figura 56.

Figura 56 – Capacitância da Junção J2 – IFMG 2015

Mesmo não havendo pulso no gatilho, a capacitância da junção J2 pode fazer circular uma
corrente de gatilho, devido à variação de tensão. Se a variação de tensão for muito grande,
a corrente resultante pode ser grande o suficiente para disparar o SCR. Esse disparo,
normalmente indesejado, pode ser evitado pela ação de um circuito chamado snubber,
formado por um resistor em série com um capacitor, de acordo com o circuito da Figura 57.
 54

Figura 57 – Capacitância da Junção J2 – IFMG 2015

O dimensionamento do circuito snubber deve ser feito de modo que ele funcione como um
curto-circuito para frequências acima de um valor que possa provocar uma variação de
tensão suficiente para disparar o SCR.

Disparo por Aumento de Temperatura

A corrente que circula por uma junção reversamente polarizada é extremamente depende
da temperatura. Ela é composta por portadores minoritários gerados termicamente. Essa
energia pode ser suficiente para fazer com que o SCR dispare.

Disparo por luz ou Radiação

A incidência de energia radiante sob a forma de fótons (luz), raios gama, nêutrons, prótons,
elétrons ou raios X, sobre uma janela adequadamente colocada no SCR, pode dispará-lo.
Você está lembrado de que a corrente de fuga de uma junção reversamente polarizada é
dependente da radiação e da temperatura? Essa energia pode ser suficiente para quebrar
as ligações covalentes do material semicondutor, liberando pares elétrons-lacunas e
disparando o SCR. Um dispositivo com esse modo de disparo é chamado LASCR (Light
Activated Sillicon Controlled Retiffier – Foto-SCR.

Métodos de Comutação ou Bloqueio de um SCR

Bloquear ou comutar significa cortar a corrente que ele conduz e impedir que ele retorne à
condução. Naturalmente, leva certo tempo para que o SCR possa assumir essa condição
de bloqueio. A seguir serão apresentadas algumas formas de bloqueio:

Comutação Natural
O bloqueio de um SCR ocorre quando a corrente de anodo se torna menor do que a
corrente de manutenção (IH). Em um circuito de corrente alternada, acorrente passa pelo
zero em algum ponto do ciclo. Isso já leva o SCR ao bloqueio (IA < IH). A Figura 58
exemplifica esse tipo de circuito. Portanto, ocorre bloqueio pelo zero da rede.

Figura 58 – Circuito de Comutação Natural – IFMG 2015

 55

Comutação Forçada por Bloqueio de Chave

Fechando-se CH3 da Figura 59, naturalmente a lâmpada não se apagará, pois, a chave
curto-circuita o SCR, ficando a lâmpada alimentada diretamente pela tensão da fonte. Como
o SCR real não é exatamente um curto-circuito, toda corrente da lâmpada vai passar pela
chave CH3 e a corrente de anodo do SCR cairá a zero (IA < IH). O SCR então irá bloquear.
Após soltar à chave CH3, a lâmpada se apaga e o SCR permanece bloqueado. Assim, a
lâmpada só acenderá novamente se a chave CH2 for novamente fechada, provocando a
corrente de gatilho no SCR.

Figura 59 – Circuito de Bloqueio por Chave – IFMG 2015

Comutação Forçada por Bloqueio de Capacitor

Fechando-se a chave CH1 do circuito da Figura 60, ocorre a alimentação do circuito de
gatilho. O SCR dispara e a lâmpada se acende. Já que o SCR está conduzindo, é criado
um caminho de corrente para que o capacitor C1 se carregue. Ao fechar a chave CH2, o
capacitor fica em paralelo com o SCR e aplica sobre ele uma tensão reversa, bloqueando-
o.

Figura 60 – Circuito de Bloqueio por Capacitor – IFMG 2015

3. Aplicações de Circuitos com SCR

Várias são as aplicações dos SCR’s nos circuitos de corrente contínua – CC e corrente
alternada – CA. Vejamos algumas delas.

Circuito em Corrente Contínua – CC

A Figura 61 apresenta um circuito utilizando SCR em corrente contínua. Este circuito aciona
um alarme.
 56

Figura 61 – Circuito Simples de Alarme com SCR – IFMG 2015

Observe que, inicialmente, as chaves Sw1, Sw2 e Sw3 estão fechadas (NF), levando o
gatilho do SCR a zero volt. Portanto, o SCR estará inicialmente bloqueado. Quando
qualquer uma das chaves (Sw1, Sw2 ou Sw3) for acionada, os seus contatos serão abertos
e, consequentemente, o SCR irá disparar. Observe que nesta situação, o gatilho do SCR
passa a receber corrente.

Quando o SCR entra em condução, a bobina do relé é energizada e, consequentemente, o

seu contato é fechado. Neste momento, o alarme é acionado. Quando qualquer chave for
acionada, ou seja, se tornar aberta, uma corrente irá circular através do resistor e do gatilho
do SCR, disparando-o. O diodo em paralelo com a bobina do relê, tem finalidade de
proteção contra surtos de tensão durante a retração do campo magnético. Este diodo é
conhecido como diodo de roda livre.

Para levar o SCR à condição de bloqueio e, consequentemente, desativar o alarme, basta

pressionar a chave “reset”. Ao pressionar esta chave, a corrente que passa pelo SCR se
anula (IA < IH) e ele é bloqueado.

O circuito da Figura 62 tem funcionamento semelhante ao circuito da Figura 6.2. No entanto,

o disparo ocorre quando não existe iluminação sobre o LDR.

A resistência do LDR e baixa quando ele está iluminado. Neste momento, o SCR está
bloqueado. A resistência do LDR aumenta quando a iluminação é interrompida. Esta
situação poderia ocorrer, por exemplo, quando houvesse o corte de um feixe luminoso
direcionado ao LDR.

O aumento da resistência do LDR provoca aumento de tensao e de corrente no gatilho do

SCR, levando-o a condução. Nesta condição, o rele e ativado, acionando o alarme. Para
interromper o alarme, basta pressionar o botão “reset”.
 57

Figura 62 – Circuito Simples de Alarme com SCR e LDR – IFMG 2015

Circuito em Corrente Alternada – AC

A Figura 63 apresenta um circuito que utiliza um SCR como retificador de meia onda.

Figura 63 – SCR como Retificador de Meia Onda – IFMG 2015

Segundo a sua folha de dados, o SCR TIC116B precisa de 20 mA de corrente de gatilho

para garantir o disparo, quando VAK for de 6 VCC. Além disso, para o disparo, a tensao entre
anodo e catodo (VGK) deve ser igual a VGT (aproximadamente igual a 0,6 V). Desta forma,
logo no início do semiciclo positivo, a tensao da rede de alimentação atinge um valor
suficientemente alto para garantir as condições de disparo de SCR, que conduzirá e
acenderá a lâmpada.

Desconsiderando a queda de tensao no diodo e entre gatilho e catodo, após a condução

do SCR (VGT), a tensao da rede em que o disparo ocorre pode ser calculada da seguinte
maneira:

Como as condições de disparo fixam dois valores (VAK = 6 V e IGT = 20 mA), com certeza,
entre 3,6 V e 6 V, a corrente necessária será atingida para garantir o disparo do SCR. Com
quantos graus, a tensao da rede atinge 6 V?
 58

Em que:  – ângulo de disparo em graus. Portanto, praticamente todo semiciclo positivo e

aplicado a lâmpada, como pode ser observado pelas formas de onda da Figura 64.

Figura 64 – SCR como Retificador de Meia Onda – IFMG 2015

IDEIAS CHAVES
Retificador Controlado de Silício, tensão e corrente de disparo no gate do SCR, corrente
mínima de manutenção IH entre anodo e catodo.

RECAPITULANDO...
• O SCR (Sillicon Controlled Rectifier) é o tiristor mais utilizado. Ele pode chavear
correntes de altos valores. Por isso, ele é sempre utilizado no controle de motores,
fornos, condicionadores de ar e aquecedores de indução.
• Como o gatilho de um SCR está conectado à base de um transistor interno, ele
precisa de pelo menos 0,7 V para disparar um SCR. As folhas de dados listam esse
valor de tensão como tensão de disparo do gatilho VGT.
• Existem 3 tipos de polarização dos SCR´s, polarização reversa, polarização direta
em bloqueio e polarização direta em condução.
• O SCR pode ser disparado por sobretensão entre anodo e catodo, sem nenhuma
corrente no gatilho, porém não é comum e pode danificar o SCR.
• O SCR também pode ser disparado por radiação ou por Luz (SCR sensível a Luz).
 59

UNIDADE VI – TIRISTORES BIDIRECIONAIS: DIAC E TRIAC

Os dois dispositivos estudados anteriormente, o diodo de quatro camadas e o SCR, são

unidirecionais porque a corrente só pode circular em um sentido. O DIAC e o TRIAC são
tiristores bidirecionais. Esses dispositivos podem conduzir nos dois sentidos, O diac é
algumas vezes chamado de chave bidirecional de silício (SBS).

1. Diodo de Corrente Alternada (DIAC)

O DIAC é uma chave bidirecional disparada por tensão. Normalmente, a tensão de disparo
dos DIACs ocorre entre 20 e 40 V. A curva característica do DIAC e os símbolos mais
usuais são mostrados a seguir:

Figura 65 – Diodo de Corrente Alternada (DIAC) – IFMG 2015

Portanto, ele só dispara quando a tensão aplicada sobre ele atinge as tensões de disparo
VD. Geralmente este valor se encontra entre 20 e 40 volts. Trata-se de um dispositivo
simétrico, ou seja, ele possui as mesmas condições de disparo tanto para o 1°, quanto para
o 3° quadrantes.

O DIAC pode manter-se em condução nos dois sentidos. O circuito equivalente do DIAC
são dois diodos de quatro camadas em antiparalelo*, como mostra a Figura 66a, idealmente
as mesmas travas na Figura 66b.
 60

Figura 66 – Circuitos Equivalentes do DIAC – Malvino e Bates 2016

O DIAC fica em corte enquanto a tensão aplicada nele não exceder ao valor da tensão de
disparo VD em qualquer sentido.

Por exemplo, se a polaridade de V for como a indicada na Figura 66a, o diodo da esquerda
conduz quando a tensão V exceder ao valor da tensão de disparo VD. Nesse caso, a trava
da esquerda fecha, como mostra a Figura 66c. Quando V tem a polaridade invertida, a trava
da direita fecha. A Figura 66d mostra o símbolo esquemático mais usado para o DIAC.

2. Triodo de Corrente Alternada (TRIAC)

O TRIAC funciona como um interruptor controlado e apresenta as mesmas características

funcionais de um SCR, no entanto, ele possui a vantagem de poder conduzir nos dois
sentidos de polarização.

O TRIAC funciona como dois SCRs em antiparalelo. A figura a seguir mostra o circuito
equivalente e seu símbolo usual.

Figura 67 – Triodo de Corrente Alternada (TRIAC) – IFMG 2015

O gráfico a seguir mostra a curva característica do TRIAC.

 61

Figura 68 – Curva Característica do TRIAC – IFMG 2015

Como se vê na curva característica, o TRIAC pode conduzir nos dois sentidos de

polarização. Ele entra em condução de modo análogo ao SCR, ou seja, quando for
ultrapassada a tensão de breakover (VBO) sem pulso no gatilho ou quando for aplicada
uma corrente de gatilho.

Em condução, o TRIAC apresenta-se quase como um curto-circuito. A queda de tensão

entre anodo e catodo situa-se entre 1 e 2 V.

Quando se analisa a curva característica do TRIAC, surge, em geral, o seguinte

questionamento: “Mas e o pulso de gatilho? É negativo ou positivo?”.

O TRIAC pode ser disparado tanto por pulso positivo quanto por pulso negativo. Uma visão
simplista do TRIAC é a de uma associação em antiparalelo de dois SCRs. Isso, porém, não
consegue explicar porque o TRIAC dispara com pulso negativo. Essa explicação está além
de nossos objetivos, mas a figura 69 mostra que o gate (ou porta) não está ligada na
camada N e nem na camada P, e sim isolada desta camadas.

Figura 69 – Internet – adaptado autor

 62

Como o TRIAC é bidirecional, as palavras anodo e catodo ficam sem sentido. Os terminais
do TRIAC são chamados anodo 1 (A1), anodo 2 (A2) e gatilho (G). As terminologias
“terminal principal 1” (MT1) e “terminal principal 2” (MT2) também são utilizadas para os
anodos.

O TRIAC entra em condução de modo análogo ao SCR, ou seja:

• Disparo por gatilho, ou seja, quando for aplicada uma corrente de gatilho;
• Disparo por sobretensão, ou seja, quando VAK ultrapassa a tensão de breakover
sem pulso no gatilho;
• Disparo por variação de tensao;
• Disparo por aumento de temperatura;
• Disparo por luz ou radiação.

Existem 4 modos diferentes para disparo de um TRIAC, operando em quatro quadrantes.

Tomando-se MT1 como referência, os 4 quadrantes são definidos pela polaridade de MT2
e o gatilho (G) em relação a MT1. A seguir são detalhados estes quatro modos de disparo.

Disparo no 1° quadrante – os terminais MT2 e gatilho (G) estão positivos em relação a MT1.

Disparo no 2° quadrante – o terminal MT2 está positivo e o terminal G está negativo, ambos
em relação a MT1.

Disparo no 3° quadrante – o terminal MT2 está negativo e o terminal G está negativo, ambos
em relação a MT1.

Disparo no 4° quadrante – o terminal MT2 está negativo e o terminal G está positivo, ambos
em relação a MT1. Logo, a corrente entra em G.

No 1° e 3° quadrantes, obtém-se maior sensibilidade de disparo para o TRIAC em relação

as outras possibilidades.

No 4° quadrante, a sensibilidade e pequena, e no 2° quadrante, e ainda mais reduzida,

devendo ser utilizada somente em TRIACs concebidos especialmente para este fim.

Portanto, o disparo de um TRIAC não é simétrico, ou seja, não dispara nas mesmas
condições para os quatro quadrantes.

Os Triacs são obtidos nos mesmos invólucros dos SCRs, transistores de potência e
MOSFETs. Em alguns casos fica difícil saber do que se trata, se é mesmo um TRIAC
somente observando os códigos.

A Texas Instruments, por exemplo, tem uma serie de SCRs e Triacs que recebem a
denominação “TIP” e tem todos os mesmos invólucros. O ideal e consultar o datasheet.
Na figura 70 temos invólucros comuns para Triacs.

Como esses dispositivos são utilizados em controles de potência que operam com
correntes elevadas, todos são dotados de recursos para montagem em dissipadores de
calor.
 63

Figura 70 – Invólucros comuns e dissipadores de calor p/ Triacs – BRAGA 2014

As principais especificações que devemos observar para os Triacs são:

Tensão máxima de trabalho (VDRM)

Esta característica refere-se a máxima tensão que pode aparecer entre os terminais de um
TRIAC quando ele se encontra desligado. Para os tipos comuns ela pode variar entre 50
ou 100 V até mais de 1 000 V. Podemos especificar esta tensão também em termos de
pico, para pulsos de curta duração, de modo que nos manuais aparecem as condições em
que o valor é válido.

Para a maioria dos casos, entretanto, o valor refere-se ao pico de uma tensao senoidal, já
que a principal aplicação do componente é justamente em circuitos ligado à rede local CA.

Corrente máxima IT(RMS)

Veja que o valor indicado já tem a especificação de que se trata de uma corrente rms, ou
seja, o valor eficaz da corrente alternada, já que o componente normalmente operara em
circuitos de corrente alternada.

Corrente de disparo IGT

Temos aqui a indicação da sensibilidade do comportamento ao disparo, sendo esta corrente
especificada em termos de miliamperes.

3. Aplicações de Circuitos usando Tiristores Bidirecionais

Triac controlando uma fase de uma carga resistiva

Observe o circuito da figura 71

Figura 71 – Controle de fase numa carga resistiva utilizando TRIAC – IFMG 2015
 64

Dados
IGT = 50 mA (1º e 3º quadrantes)
VGT = 2,0 V (1º e 3º quadrantes)

Vamos calcular os valores do resistor fixo R1 e da resistência variável (potenciômetro – R2)

para disparo do TRIAC em 2°, 15°, 30°, 60° e 90° em relação à tensao da rede.
 65

Portanto, podem ser escolhidos os resistores apresentados na figura 72 abaixo:

Figura 72 – tabela com valores dos resistores calculados – IFMG 2015

As formas de onda da tensao sobre a carga são mostradas na sequência para cada um dos
ângulos de disparo.

Figura 73 – Forma de onda para ângulo de disparo de 2º e 15º – IFMG 2015

 66

Figura 74 – Forma de onda para ângulo de disparo de 30º e 60º – IFMG 2015

Figura 75 – Forma de onda para ângulo de disparo de 90º – IFMG 2015

Quando se utiliza um circuito com TRIAC em corrente alternada, o valor médio da tensão
na carga, para qualquer ângulo de disparo, é sempre igual a zero.

Entretanto, o valor eficaz da tensão na carga é diferente de zero e dependerá do ângulo de

disparo “alfa” (α), conforme a equação abaixo:
 67

A Tabela apresentada na figura 76 abaixo mostra os valores da tensão média, da tensão

eficaz e da potência dissipada pela carga, para cada ângulo de disparo.

Figura 76 – Tensões e Potências na Carga para os ângulos de disparo – IFMG 2015

Na Tabela acima, observa-se que, quanto maior o ângulo de disparo α do Triac, menor será
a tensao eficaz aplicada a carga e vice-versa. Disparando-o em diversos ângulos da tensão
senoidal da rede, é possível aplicar a carga RL, potências diferentes.

IDEIAS CHAVES
Diodo de Corrente Alternada, Triodo de Corrente Alternada, Tensão de disparo (V D),
tensão de breakover (VBO), Tensão máxima de trabalho (VDRM)

RECAPITULANDO...
• O DIAC e o TRIAC são tiristores bidirecionais. Esses dispositivos podem conduzir
nos dois sentidos do sinal CA;
• O TRIAC funciona como um interruptor controlado e apresenta as mesmas
características funcionais de um SCR, no entanto, ele possui a vantagem de poder
conduzir nos dois sentidos de polarização;
• O Triac entra em condução quando for ultrapassada a tensão de breakover (VBO)
sem pulso no gatilho ou quando for aplicada uma corrente de gatilho;
• A Tensão máxima de trabalho (VDRM) refere-se a máxima tensão que pode aparecer
entre os terminais de um TRIAC quando ele se encontra desligado;
• Corrente de disparo IGT é a indicação da sensibilidade do comportamento ao disparo,
sendo esta corrente especificada em termos de miliamperes.
 68

UNIDADE VII – APLICAÇÕES DE CIRCUITOS COM TIRISTORES

1. Aplicações de Circuitos com Tiristores

Os Tiristores são utilizados em circuitos de várias maneiras, seja em situações de controle

de chaveamento de cargas ou controle de potência. Podem ser aplicados em corrente
contínua CC ou corrente alternada CA.

CIRCUITOS COM SCR

No circuito da figura 77, o SCR tem uma tensão de disparo de 0,75 V e uma corrente de
disparo de 7 mA. Qual é a tensão na entrada que faz com que o SCR entre em condução?
Se a corrente de manutenção é de 6 mA, qual é a tensão de alimentação que faz com que
o SCR entre em corte?

Figura 77 – Polarização do SCR com disparo no gatilho – Malvino e Bates 2016

Gerador de Onda Dente de Serra

O circuito da Figura 78 é um gerador de onda dente de serra, muito útil em várias

aplicações, como também serve para disparar Tiristores.
 69

Figura 78 – Gerador de onda Dente de Serra SCR e circuitos equivalentes – Malvino e Bates 2016

Como a tensão no capacitor aumenta, o SCR eventualmente dispara (conduz) e descarrega

rapidamente o capacitor. Quando o SCR abre, o capacitor começa a carregar novamente.
Portanto, a tensão na saída é uma onda dente de serra.

A Figura 78b mostra o circuito equivalente de Thevenin visto pelo gatilho. A resistência
equivalente de Thevenin é:

RTH = 900 Ω || 100 Ω = 90 Ω

A equação da tensão de entrada necessária para disparar é:

Vin = 1 V + (200 μA) x (90 Ω) = 1,018 V  1V

Pelo fato de o divisor de tensão ser de 10:1, a tensão no gatilho é de um décimo da tensão
na saída. Portanto, a tensão na saída no ponto de disparo é:

Vpico = 10(1 V) = 10 V

A Figura 78c mostra o circuito equivalente de Thevenin visto do capacitor quando SCR está
em corte. A partir daí você pode ver que o capacitor tentará carregar-se até a tensão final
de +50 V com uma constante de tempo de:

RC = (500 Ω) x (0,2 μF) = 100 μs

Como o período da onda dente de serra é de aproximadamente 20% dele:

T = 0,2(100 μs) = 20 μs
A frequência é:
f = 1/20 μs
f = 50 kHz
 70

Barra de Proteção com SCR

Se não acontecer nada dentro de uma fonte de alimentação que cause um aumento
excessivo na sua tensão de saída, o resultado pode ser desastroso. Por quê? Porque
algumas cargas, como os CIs digitais de custo elevado não podem resistir a um valor muito
alto de tensão da fonte sem serem danificados.

Uma das aplicações mais importantes do SCR é a de proteger cargas delicadas e de custo
elevado contra sobretensões da fonte de alimentação.

A Figura 79 mostra uma fonte de alimentação de VCC aplicada em uma carga a ser
protegida. Sob as condições normais, VCC é muito menor que a tensão de ruptura do diodo
Zener. Nesse caso, não há tensão em R, e o SCR permanece em corte. A carga recebe
uma tensão VCC e tudo funciona normalmente.

Figura 79 – SCR usado como Barra de Proteção – Malvino e Bates 2016

Agora suponha que a tensão na fonte aumente por uma razão qualquer. Quando VCC é
muito alta, o diodo Zener conduz e a tensão é transferida para R. Se essa tensão é maior
que a tensão no gatilho do SCR, ele dispara e torna-se uma trava fechada.

Essa ação é similar a atravessar uma barra (crowbar) nos dois terminais da carga. Pelo fato
de o SCR entrar em condução rapidamente (1 μs para o 2N444l), a carga é protegida
também rapidamente contra danos causados por uma sobretensão. O valor da sobretensão
que dispara o SCR é:

VCC = VZ + VGT

Esta forma drástica, que funciona como uma barra, é necessária em muitos CIs digitais
porque eles não podem receber uma sobretensão. Em vez de destruir os CIs caros, então,
podemos usar um SCR como barra para curto-circuitar os terminais da carga ao primeiro
sinal de sobretensão.

O circuito com SCR que funciona como barra na Figura 79 é um protótipo, um circuito básico
que pode ser modificado e melhorado. Ele já é adequado para muitas aplicações como
está. Mas está sujeito a um disparo lento porque o joelho na ruptura do Zener é uma curva
disfarçada em vez de uma curva em quina. Quando levamos em consideração a tolerância
nas tensões do Zener, o disparo lento pode resultar em uma tensão de alimentação
perigosamente alta antes do disparo do SCR.

O único modo de superar o disparo lento é pela adição de um ganho de tensão, como
mostra a Figura 80.
 71

Figura 80 – Barra de Proteção com SCR e transistor (ganho tensão) – Malvino e Bates 2016

Normalmente, o transistor está em corte. Mas quando a tensão na saída aumenta, o

transistor consequentemente entra em condução e produz uma elevação de tensão em R4.
Como o transistor tem um ganho de tensão aproximado de R4/R3, um baixo valor de
sobretensão pode disparar o SCR.

Observe que um diodo comum está sendo utilizado em vez de um diodo Zener. Esse diodo
compensa o efeito da temperatura do diodo da base do transistor. O ajuste do ponto de
disparo nos permite escolher o ponto de disparo do circuito, tipicamente em torno de 10%
a 15% acima da tensão normal.

Controle de Fase com SCR

A Tabela apresentada na figura 81 mostra alguns SCRs disponíveis comercialmente. As

tensões de disparo no gatilho variam de 0,8 a 2 V e as correntes de disparo no gatilho na
faixa de 200 μA a 50 mA.

Observe também que as correntes no anodo variam de 1,5 a 70 A. Dispositivos como esses
podem controlar cargas industriais de maior valor de corrente pelo uso do controle de fase.

Figura 81 – Tabela com Amostras de SCR´s – Malvino e Bates 2016

A Figura 82a mostra a tensão CA de linha sendo aplicada em um circuito com SCR que
controla a corrente na carga com valor alto de corrente. Nesse circuito, o potenciômetro R1
e o capacitor C deslocam o ângulo de fase do sinal no gatilho.

Quando R1 é zero, a tensão no gatilho está em fase com a tensão de linha e o SCR age
como um retificador de meia onda. R2 limita a corrente a um nível seguro.
 72

Figura 82a – Controle de fase com SCR – Malvino e Bates 2016

Figura 82a – Controle de fase com SCR – Malvino e Bates 2016

Figura 82b,c,d,e – Formas de onda no controle de fase com SCR – Malvino e Bates 2016

Quando R1 aumenta, contudo, a tensão CA no gatilho atrasa a linha por um ângulo entre 0
e 90ºC, como mostra as Figuras 82b e c. Antes do ponto de disparo da Figura 82c, o SCR
está em corte e a corrente na carga é zero.
 73

No ponto de disparo, a tensão no capacitor é alta suficiente para disparar o SCR. Quando
isso ocorre, quase toda a tensão de linha aparece na carga e a corrente na carga é alta.
Idealmente, o SCR permanece travado até que a tensão de linha inverte de polaridade. Isso
está nas Figuras 82c e d.

O ângulo em que o SCR dispara é chamado de ângulo de disparo, mostrado como θ

disparo na Figura 13-22a. O ângulo entre o início e o fim da condução é chamado de ângulo
de condução, mostrado como θ condução. O controlador de fase RC no circuito 82a pode
mudar o ângulo de disparo entre 0° e 90°, o que quer dizer que o ângulo de condução muda
de 180° para 90°.

A porção sombreada na Figura 82b mostra quando o SCR está conduzindo. Pelo fato de
R1 ser variável, o ângulo da fase da tensão no gatilho pode ser mudado. Isso nos permite
controlar a porção sombreada da tensão de linha. Dito de outro modo: podemos controlar
a corrente média na carga. Isso é útil para variar a rotação de um motor, o brilho de uma
lâmpada ou a temperatura de um forno de indução.

CIRCUITOS COM TIRISTORES BIDIRECIONAIS

O circuito da figura 83 é um Dimmer usando Triac acionado por um Diac.

Figura 83 – Circuito Dimmer – IFMG 2015

O circuito tem a função de controlar a tensão elétrica na carga através do disparo do Triac,
e consequentemente a potência na carga. Muito utilizado no controle de luminosidade. Este
circuito tem a função de disparar o tiristor em ângulos maiores do que 90º com a adição do
capacitor.

Figura 84 – Tensões de Disparo com rede defasadora – IFMG 2015

 74

O capacitor C1 atrasa a tensao aplicada sobre o DIAC. Então, é comum dizer que se trata
de disparo por rede defasadora. Portanto, torna-se possível disparar o TRIAC com ângulos
maiores que 90° e 270°, pois a tensao sobre o capacitor, atrasada em relação a tensao da
rede, e quem vai disparar o DIAC e, consequentemente, o TRIAC.

CIRCUITOS OPTOACOPLADORES

Os optoacopladores ou acopladores óticos possuem a função de proporcionar isolamento

elétrico entre o circuito de disparo e o circuito de potência, já que o contato passa a ser
realizado por luz.

Eles são construídos com um LED infravermelho e um fotodetector, que pode ser um
transistor, um SCR ou um TRIAC (sensíveis a luz), de acordo com a Figura 85.

Figura 85 – Circuito de Acionamento usando Optoacoplador – IFMG 2015

A luz emitida pelo LED D2 ira acionar o fototriac Q2. Estes elementos estão encapsulados
em um único circuito integrado. Assim, polarizando diretamente o LED D2, por meio da
tensao de controle (Vcontrole), o fototriac Q2 ira conduzir, disparando o TRIAC principal Q1,
ligando a carga.

Verificação se o MOC está sendo usado dentro de seus parâmetros mínimos e máximos.
 75

2. Dissipadores de Calor

Estudamos uma grande família de dispositivos de disparo baseados na tecnologia do diodo

de quatro camadas. Uma boa parte dos dispositivos que estudamos gera bastante calor ao
funcionar e esse calor precisa ser dissipado através de meios apropriados. Entra em cena
o dissipador de calor e a refrigeração forçada, elementos importantes da eletrônica de
potência.

Se bem que os dissipadores não sejam componentes, no sentido de que operem com uma
fonte de alimentação, o fato de estarem em contato com os componentes que geram calor
os torna de extrema importância.

A maioria dos componentes eletrônicos converte energia elétrica em calor, em maior ou

menor quantidade, dependendo de suas características ou regime de operação. Se este
calor não for convenientemente transferido para o meio ambiente, o componente se aquece
além dos limites previstos e com isso pode "queimar".

Os radiadores ou dissipadores de calor são os elementos que ajudam a fazer esta

transferência, sendo por isso, de enorme importância nas montagens eletrônicas. Vamos
analisar sua função.

Quando uma corrente elétrica deve vencer uma resistência para sua circulação, ou seja,
encontra uma oposição, o resultado do "esforço" de sua passagem é a produção de calor.

Energia elétrica se converte em calor e isso é valido para a maioria dos componentes
eletrônicos comuns. O calor liberado neste processo tende a aquecer o componente e em
consequência da diferença de temperatura que se estabelece entre ele e o meio ambiente,
tem início a uma transferência de calor para esse meio ambiente.
 76

Figura 86 – Dissipação de calor pelo resistor – Braga 2014

A diferença de temperatura entre o componente e o meio ambiente determina a velocidade

com que o calor gerado é transferido. Assim, chega o instante em que o calor gerado e o
transferido se igualam quando então a temperatura do corpo que o gera se estabiliza.

A maioria dos componentes e dotada de recursos que facilitam a condução do calor gerado
para sua superfície e daí para o meio ambiente. No entanto, muitos componentes tem
dimensões insuficientes para fazer isso sozinho, ou seja, possuem uma superfície de
contato insuficiente para que o calor gerado possa ser transferido com facilidade.

Isso ocorre porque um dos fatores que influi na transferência do calor de um meio para
outro e a superfície de contato entre esses dois meios. Transistores e circuitos integrados
de potência consistem em exemplos disso.

Suas pequenas dimensões impedem que mais do que algumas centenas de miliwatts e
eventualmente alguns watts de energia seja convertida em calor e transferida (dissipada)
para o meio ambiente de modo eficiente.

Figura 87 – Fluxo de calor num dispositivo em invólucro metálico (SCR,

MOSFET ou Transistor) – Braga 2014
 77

Levando em conta que o calor gerado pode ser transferido para o meio ambiente de três
maneiras, irradiação, contato e convecção temos as seguintes possibilidades:

CONTATO

Os metais são bons condutores de calor. Assim, a montagem de componentes eletrônicos

em contato com superfícies maiores de metal, desde que não haja contato elétrico, mas
somente térmico, ajuda na transferência do calor.

Assim, para pequenos transistores, transistores de média potência, MOSFETs, SCRs e

mesmo circuitos integrados, uma solução para o problema da transferência do calor e
montá-los encostados numa superfície de metal maior, capaz de ajudar a absorver e
transferir para o meio ambiente o calor gerado.

Na figura 88 temos uma solução dotada para o caso de transistores de média potência
como os BD135 e TIP31 quando eles não operam com sua potência máxima.

Figura 88 – Usando área cobreada de uma placa como dissipador de calor – Braga 2014

Neste caso, montamos o transistor em contato com uma área cobreada maior da placa de
circuito impresso, a qual ajuda absorver o calor gerado, e como tem uma superfície maior
de contato com o ar ela transfere esse calor para o meio ambiente.

Podemos dizer que a própria placa de circuito impresso pode ser usada como radiador de
calor neste caso.

CONVECÇÃO

O componente aquecido transfere o calor para o ar ambiente que então se aquece. O ar

aquecido é mais leve que o ar frio a sua volta e por isso tende a subir. Forma-se então uma
corrente de ar quente ascendente sobre o componente que "leva o calor" para cima.

Nos aparelhos de alta potência e importante deixar orifícios de ventilação para que esse ar
quente seja expelido.

Temos então furos por baixo por onde entra o ar frio e furos por cima por onde sai o ar
quente.
 78

Figura 89 – Corrente de convecção em torno de um resistor aquecido – Braga 2014

Podemos aumentar a capacidade de transferência de calor para o meio ambiente forçando

a ventilação, o que pode ser feito com ajuda de um ventilador. Este recurso é bastante
usado nos equipamentos de alta potência e em fontes de alimentação de computadores,
ou mesmo nos microprocessadores de computadores que possuem ventoinhas de
refrigeração que forcam a circulação de ar pelos componentes que se aquecem.

Existem até "micro ventiladores" que podem ser encaixados sobre circuitos integrados e
componentes especiais para ajudar a dissipar o calor que ele gera.

IRRADIAÇÃO

Parte do calor gerado por qualquer corpo e irradiada na forma de ondas eletromagnéticas.
Uma boa parte desta radiação está na faixa dos infravermelhos e para sua propagação não
se necessita de um meio material.

Verifica-se que os corpos negros irradiam muito melhor o calor do que os corpos de outras
cores. Por este motivo, os componentes pintados de preto possuem uma capacidade maior
de irradiação de calor do que os equivalentes que tenham invólucros de cores mais claras,
conforme sugere a figura 90 abaixo:

Figura 90 – Corpos negros têm maior poder de emissão de calor – Braga 2014

Lei de Joule
Todo dispositivo eletrônico, que não apresente uma resistência nula, gera certa quantidade
de calor ao ser percorrido por uma corrente elétrica.
 79

Para o caso de um resistor, a potência elétrica desenvolvida que é convertida em calor e

determinada pela Lei de Joule. O que esta lei estabelece e que a quantidade de calor
gerado, ou potência dissipada (medida em watts), é proporcional ao produto da corrente
pela tensao no resistor, conforme a formula:

P=VxI Onde: P e a potência em watts (W)

V e a tensao em volts (V)
I e a corrente em amperes (A)

Assim, os semicondutores de potência tais como transistores bipolares, MOSFETs, IGBTs,

SCRs, Triacs, etc., no estado de condução geram calor. Como eles não são perfeitos,
sempre apresentando uma certa resistência, a quantidade de calor gerado dependera da
intensidade da corrente e dessa resistência.

Como essa resistência causa uma queda de tensao no dispositivo, podemos dizer que a
potência gerada e dada pelo produto dessa queda de tensao pela intensidade da corrente
conduzida. O calor gerado pelos dispositivos precisa ser dissipada para que não causem
elevações de temperatura capazes de danificá-los.

Conforme estudamos nos capítulos anteriores, todos os componentes semicondutores

possuem limites de dissipação e temperaturas máximas em que podem operar. Isso
significa que esses dispositivos, em condições normais de operação não conseguem
dissipar o máximo de calor que o fabricante prevê para uma aplicação típica.

Nesses casos, o dispositivo deve contar com recursos adicionais para dissipar o calor
gerado, ou seja, com dissipadores de calor.

Assim, além de recursos que permitem espalhar o calor pela própria placa de circuito
impresso, através dos materiais, a ventilação forcada, o principal meio, sem dúvida e o que
faz uso dos radiadores ou dissipadores de calor.

Estes elementos aproveitam todos os três modos de transferência de calor para o meio
ambiente. Assim, a quantidade de calor que um radiador de calor pode transferir para o
meio ambiente depende basicamente dos seguintes fatores:

TAMANHO
Na realidade, o que deve ser levado em conta é a superfície do radiador de calor que tem
contato com o meio ambiente. Para aumentar esta superfície, os radiadores são
construídos com muitas dobras ou aletas, conforme mostra a figura 91.

Figura 91 – Alguns tipos de radiadores de calor – Braga 2014

 80

Para os casos em que a potência que se deseja dissipar não seja tão grande, uma simples
chapinha fixada no componente, ou ainda dobrada na forma de "U" ou "L" já pode
dar resultados satisfatórios.

IDEIAS CHAVES
Velocidade de comutação, proteção, resposta de disparo, tolerância componentes, ângulo
de disparo, radiação térmica, dissipadores de calor.

RECAPITULANDO...
• Os optoacopladores ou acopladores óticos possuem a função de proporcionar
isolamento elétrico entre o circuito de disparo e o circuito de potência, já que o
contato passa a ser realizado por luz.
• Uma boa parte dos dispositivos que estudamos gera bastante calor ao funcionar e
esse calor precisa ser dissipado através de meios apropriados.
• A maioria dos componentes eletrônicos converte energia elétrica em calor, em maior
ou menor quantidade, dependendo de suas características ou regime de operação.
• Os radiadores ou dissipadores de calor são os elementos que ajudam a fazer esta
transferência, sendo por isso, de enorme importância nas montagens eletrônicas.
Vamos analisar sua função.
• Quando uma corrente elétrica deve vencer uma resistência para sua circulação, ou
seja, encontra uma oposição, o resultado do "esforço" de sua passagem é a
produção de calor.
• A diferença de temperatura entre o componente e o meio ambiente determina a
velocidade com que o calor gerado é transferido. Assim, chega o instante em que o
calor gerado e o transferido se igualam quando então a temperatura do corpo que o
gera se estabiliza.
• Os metais são bons condutores de calor. Assim, a montagem de componentes
eletrônicos em contato com superfícies maiores de metal, desde que não haja
contato elétrico, mas somente térmico, ajuda na transferência do calor.
• O componente aquecido transfere o calor para o ar ambiente que então se aquece.
O ar aquecido é mais leve que o ar frio a sua volta e por isso tende a subir. Forma-
se então uma corrente de ar quente ascendente sobre o componente que "leva o
calor" para cima.
• Parte do calor gerado por qualquer corpo e irradiada na forma de ondas
eletromagnéticas. Uma boa parte desta radiação está na faixa dos infravermelhos e
para sua propagação não se necessita de um meio material.
 81

UNIDADE VIII – CIRCUITOS DE DISPARO

Já analisamos o princípio de funcionamento de diversos dispositivos semicondutores

usados no controle de potência. Os tiristores aparecem hoje numa infinidade de aplicações
industriais que vão desde o controle direto das máquinas até de elementos secundários
como os que fazem seu abastecimento, que controlam o movimento das peças
manuseadas e muito mais.

Esses componentes, entretanto, não operam sozinhos. Além dos próprios circuitos de
controle, existem elementos que fazem o seu disparo, o que é fundamental para o
interfaceamento entre eles.

1. Circuitos de Disparo

O meio mais comum para levar um SCR à condução é a aplicação de uma corrente entre
os terminais gate e catodo. O fabricante do componente estabelece uma série de
especificações de disparo, entre elas: corrente de gatilho, tensão de gatilho e tempo de
disparo. Assim, o circuito de disparo deve:
• Considerar as variações das características do componente dentro dos limites
• estabelecidos pelo fabricante;
• Não exceder as especificações de tensão, corrente e potência de gatilho;
• Assegurar que o disparo não ocorra quando não desejado, através de sinais
ruidosos.
• Assegurar que o disparo ocorrerá quando desejado.
• Permitir variação do ângulo de disparo.

O disparo pode ser feito com a aplicação de corrente contínua entre gate e catodo,
entretanto esta alternativa provoca um aquecimento do componente devido à potência
dissipada na junção gate catodo.

Assim, maiores cuidados devem ser tomados no projeto considerando a especificação da

máxima potência de gatilho. Uma forma de reduzir a potência dissipada no gatilho é o
disparo por pulsos, além de possibilitar a isolação entre o circuito de disparo e o dispositivo.
A isolação elétrica, obtida por transformadores de pulso ou acopladores óticos, permite que
uma única fonte de sinal forneça os pulsos necessários para o disparo de vários tiristores.

Circuito de Disparo com Sinais CA

Os circuitos mais simples utilizam a própria fonte CA para produzir os disparos dos tiristores.
 82

A figura 92a apresenta um circuito aplicado no controle de potência na carga usando o

SCR. O ângulo de disparo é ajustado através do potenciômetro. Este circuito permite o
controle do ângulo de disparo somente até 90°, assim, o controle de tensão na carga não
é completo.

Uma maneira de resolver este problema é mostrada na figura 92b. A ideia é atrasar a tensão
que irá comandar o disparo do tiristor. Desta forma, a tensão de disparo irá ocorrer mais
tarde no semiciclo positivo.

Figura 92 – Circuitos de Disparo usando a rede CA com SCR – CEFET-ES 2005

Da mesma forma, o ângulo de disparo é variado através do potenciômetro. O diodo D1

garante que só haverá corrente de gatilho no semiciclo positivo da tensão da rede, evitando
perdas desnecessárias no gatilho do SCR quando este estiver bloqueado. O diodo D2
conduz no semiciclo negativo carregando o capacitor C1 com tensão negativa. Isso garante
que, em cada semiciclo positivo, o capacitor comece sempre a se carregar a partir de uma
tensão fixa, mantendo a regularidade do disparo.

O TRIAC também pode ser utilizado para variação de potência na carga. A única diferença
é que neste caso, a condução de corrente ocorre em ambos sentidos, ou seja, o controle
de fase pode ser feito nos semiciclos positivo e negativo.

Figura 93 – Circuitos de variação de potência com TRIAC – CEFET-ES 2005

Quando o TRIAC é usado, é frequentemente utilizado o DIAC como dispositivo de disparo,

conforme pode ser visto na Figura 93.
O circuito funciona da seguinte maneira: o capacitor carrega-se até atingir a tensão Vdiac
de disparo do DIAC. Quando isso ocorre, o DIAC entra em condução e cria um caminho de
baixa impedância para o capacitor descarregar-se sobre o gatilho do TRIAC. O ângulo de
disparo é ajustado através do potenciômetro.
 83

Circuito de Disparo com Pulsos

Como já foi dito, o disparo por pulsos evita o aquecimento do componente provocado por
disparo com sinais CC, e possibilita a isolação elétrica entre o circuito de disparo e o circuito
de potência por meio de transformadores de pulso.

A tecnologia mais comum usada no disparo de tiristores é a que faz uso de osciladores de
relaxação.

O circuito tradicional de disparo usando UJT é chamado de oscilador de relaxação,

mostrado na Figura 94.

Figura 94 – Circuito de disparo de SCR com UJT – Almeida 2014

Na prática, utiliza-se R2 << RB2, fazendo com que a queda de tensão em R2 seja
desprezível. O mesmo ocorre com R1 e RB1.

Considerando o capacitor inicialmente descarregado, este impõe Ve menor que hVbb. Com
o passar do tempo, o capacitor vai se carregando através de RT, elevando o potencial Ve
até atingir Vbb. Isso provoca o início da condução do emissor, consequentemente
diminuindo o valor de R1, descarregando rapidamente o capacitor CT, fornecendo um pulso
de tensão no ponto Vb1.

Com a descarga do capacitor, o potencial de Ve é reduzido até provocar novamente o corte

do UJT, reiniciando o ciclo.

O resistor R1 é o responsável pela coleta do pulso dado pela descarga do capacitor CT,
assumindo um valor na ordem de dezenas ou centenas de ohm.

O resistor R2 melhora a estabilidade térmica do UJT, tipicamente com valores na ordem de

centenas de ohm.

A figura 95 mostra o gráfico com as formas de onda do circuito oscilador de relaxação.

 84

Figura 95 – Formas de onda do oscilador de Relaxação – Almeida 2014

Outro componente utilizado em circuitos de disparo é o PUT – (programable Unijunction

transistor) ou Transistor de Unijunção programável. É um dispositivo de quatro camadas,
semelhante ao SCR. A diferença é que, no PUT, o terminal de gatilho situa-se na região
N, próxima ao anodo.

A Figura 96 apresenta a estrutura física simplificada, o símbolo e a analogia com dois

transistores para o PUT.

Figura 96 – Transistor de Unijunção Programável (PUT) – Almeida 2014

 85

Apesar de sua semelhança física com o SCR, o PUT é denominado transistor de Unijunção
por ser utilizado em circuitos, nos quais poderiam ser utilizados UJTs convencionais.

As características elétricas do PUT e UJT são semelhantes, mas a tensão de disparo do

PUT é programável. Além disso, o PUT é mais rápido e mais sensível do que o UJT. Em
circuitos de temporizadores, de período longo, o desempenho do PUT é superior, diante da
sua menor corrente de pico no disparo.

A Figura 97 mostra o circuito de polarização de um PUT.

Figura 97 – Polarização do PUT – Almeida 2014

Quando se analisam o circuito equivalente da Figura 97(b) e o circuito análogo do PUT com
dois transistores da Figura 96(c), conclui-se que, se VA < VG, o PUT estará cortado. A razão
é que o transistor T1 da analogia estará cortado.

Para o circuito equivalente da Figura 97(b), valem as expressões:

Com T1 cortado, IG ≅ 0 e VG = VS. Como o transistor T2 estará sem corrente de base, ele
também estará cortado. Para que o PUT dispare (VA = VP), é necessário elevar a tensão
da fonte de alimentação V até atingir VS mais a queda de tensão no diodo base-emissor de
T1, ou seja:

Se, por analogia com o UJT, for chamada de η a expressão:

A tensão de início de condução do PUT será dada por:

 86

Por essa expressão fica claro por que o PUT é chamado de programável. Enquanto, no
UJT, o parâmetro η é uma característica construtiva, no PUT ele é fixado por resistores
externos.

Quando T1 entra em condução, sua corrente de coletor alimenta a base de T2, que entra
em condução. Com T2 em condução, aumenta a corrente de base de T1, aumentando a
corrente de coletor de T1 e, novamente, a corrente de base de T2.

Trata-se, portanto, de um processo de realimentação da analogia com dois transistores,

que fará T1 e T2 saturarem. Como consequência, o PUT permanece disparado. Para o
PUT retornar à condição de bloqueio, é necessário tirar os dois transistores da saturação,
o que só é possível fazendo a corrente de anodo IA cair abaixo de um valor IV, análogo à
corrente de manutenção dos SCRs.

A Figura 98 mostra a característica estática do PUT.

Figura 98 – Característica Estática do PUT – Almeida 2014

A semelhança entre as características do PUT e UJT mostra por que o PUT é considerado
um UJT programável. Em um PUT, IP, IV, VP e η são definidos pela escolha de
componentes externos.

A Figura 99 apresenta o circuito do oscilador de relaxação com PUT.

Figura 99 – Oscilador de Relaxação com PUT – Almeida 2014

 87

O funcionamento desse circuito é análogo ao do oscilador com UJT. Quando se liga a fonte
VBB, estando o capacitor inicialmente descarregado, é aplicada ao gatilho a tensão
equivalente VS. Como a tensão de anodo é nula (VCT = 0), o PUT fica bloqueado.

O capacitor inicia sua carga, tendendo a atingir VBB. Antes, porém, a tensão no capacitor
atinge o valor VP de disparo do PUT (VCT = VA = VP). Ele dispara, tornando-se um caminho
de baixa impedância para a descarga de CT sobre RS.

Durante a descarga do capacitor, haverá um ponto em que a corrente pelo PUT cairá abaixo
de IV, bloqueando-o. Com isso, o capacitor volta a carregar-se, atingindo novamente VP,
repetindo o ciclo. A frequência de oscilação será:

A ligação do oscilador de relaxação com PUT ao gatilho de um SCR é mostrada na Figura

100.

Figura 100 – Disparo do SCR por um oscilador de relaxação com PUT– Almeida 2014

Os SCRs e TRIACs são dispositivos para controle de potência, que operam com tensões e
correntes elevadas, quando comparadas com os circuitos de sinal (circuitos analógicos e
digitais).

Para que os circuitos de sinal, utilizados em circuitos de disparo, não sejam afetadas pelas
tensões e correntes dos circuitos de potência, é necessário isolá-los galvanicamente.

Transformadores de Pulso

Os transformadores de pulso transmitem pulsos de disparo aos SCR’s e TRIAC’s. A

duração necessária do pulso de disparo depende do tipo de carga. Por exemplo, para carga
indutiva, deve-se manter o pulso aplicado por um intervalo de tempo razoável, garantindo
que o SCR esteja em condução no instante em que o pulso seja retirado. Isso resulta em
pulsos largos, que tendem a saturar o núcleo do transformador de pulso. Para evitar esta
saturação, são utilizados pulsos em alta frequência.
 88

O pulso largo é transformado em um trem de pulsos de alta frequência, de acordo com a

figura 101. A obtenção do trem de pulsos a partir do sinal de disparo pode ser feita utilizando
um oscilador de relaxação. Uma outra possibilidade é combinar o sinal de disparo com um
sinal em alta frequência, obtido por um oscilador (usando o CI555 por exemplo).

Figura 101 – Circuito de disparo por trem de pulsos. – Almeida 2014

Outra maneira de isolar pulsos de disparo é por meio de acopladores ópticos. Basicamente,
um acoplador óptico é constituído de um diodo emissor de luz (light emitter diode - LED)
infravermelho e um fotodetector. O fotodetector pode ser um transistor ou até um SCR ou
TRIAC, arranjados num mesmo invólucro. A Figura 102 ilustra duas possibilidades.

Figura 102 – Acopladores ópticos – Almeida 2014

O inconveniente na utilização de acopladores ópticos com transistor é a necessidade de
uma fonte adicional para polarizar o circuito de coletor do transistor e fornecer a corrente
de gatilho.
Uma solução interessante é usar acopladores ópticos com tiristores, como o MOC3011 da
Motorola, que usa um TRIAC como fotodetector, apresentado na Figura 103.
 89

Figura 103 – Circuito integrado MOC3011 – Almeida 2014

Com o MOC3011, é possível acionar outro TRIAC diretamente a partir de um sistema digital,
como se vê na Figura 104.

Figura 104 – Circuito de disparo com MOC3011 – Almeida 2014

Quando se deseja acionar o TRIAC Q1, o sistema digital deve fornecer nível lógico “1” à
entrada de controle da porta NAND. Assim, o pino 2 do MOC3011 vai para nível lógico “0”,
e o LED D2 fica polarizado diretamente, disparando o fotodetector Q2 e,
consequentemente, o TRIAC Q1.

2. TCA 785

A grande utilização de circuitos tiristorizados, associada às similaridades dos circuitos de

disparo, deu margem ao aparecimento de circuitos integrados de disparo. A finalidade
desses circuitos integrados é facilitar o projeto de circuitos de disparo e torná-los mais
compactos e confiáveis.

Em muitos aparelhos usados industrialmente, destaca-se a utilização do circuito integrado

TCA 785 da Siemens, mostrado na Figura 105, que será estudado a seguir.

Figura 104 – Circuito de disparo com MOC3011 – Almeida 2014

 90

Figura 105 – TCA-785 e diagrama em blocos – Almeida 2014

Não se assuste! Apesar de parecer extremamente complicado, novamente, analisando por

partes, fica fácil de entender o funcionamento do circuito. Você verá também que não é
necessário memorizar tudo o que existe internamente. Na aplicação, serão usados apenas
os parâmetros necessários ao projeto do circuito completo de disparo.

O circuito interno será explicado apenas para que você possa fixar o conceito do disparo
por pulsos. Além disso, o conhecimento de como o TCA 785 funciona ajuda a entender os
circuitos de disparo e o modo de projetá-los.

IDEIAS CHAVES
Circuitos de Disparo, Regularidade de disparo, Transistor Programável de Unijunção,
Oscilador de Relaxação, Circuito integrado TCA-785

RECAPITULANDO...
• Os componentes tiristores não operam sozinhos. Além dos próprios circuitos de
controle, existem elementos que fazem o seu disparo, o que é fundamental para o
interfaceamento entre eles.
• O fabricante do componente estabelece uma série de especificações de disparo,
entre elas: corrente de gatilho, tensão de gatilho e tempo de disparo.
• Assim, maiores cuidados devem ser tomados no projeto considerando a
especificação da máxima potência de gatilho.
• A tecnologia mais comum usada no disparo de tiristores é a que faz uso de
osciladores de relaxação.
• As características elétricas do PUT e UJT são semelhantes, mas a tensão de disparo
do PUT é programável. Além disso, o PUT é mais rápido e mais sensível do que o
UJT.
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BIBLIOGRAFIA

ALMEIDA, José Luiz Antunes. Eletrônica industrial: conceitos e aplicações com SCR´s e
Triacs. 1. ed. Érica, São Paulo, 2014

AHMED, Ashfaq. Eletrônica de potência. Prentice Hall, São Paulo, 2000

BRAGA, Newton. Curso de potência: semicondutores de potência. V.7 São Paulo, 2014

BRUMATTI, Márcio. Eletrônica de potência. CEFET-ES 2005

MALVINO, Albert; BATES, David j. Eletrônica. 8. ed. Mc Grow Hill, Porto Alegre, 2016

RASHID, Muhammed H. Eletrônica de potência: circuitos, dispositivos e aplicações. Makron

Books, São Paulo, 1999

SEGUNDO, Alan Kardek Rêgo; RODRIGUES, Cristiano Lúcio Cardoso. Eletrônica de

potência e acionamentos elétricos. Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de
Minas Gerais – campus Ouro Preto. 2015