Em construção

Eletrônica Analógica

Dispositivos Semicondutores
de três terminais (Estrutura física
e operação, características corrente
tensão, polarização cc e
funcionamento como chave)
Prof. Dr. Jair Fernandes de Souza
 Dispositivos de 3 terminais
Dispositivos cujo princípio básico é: Usa-se uma tensão
entre dois terminais para controlar o fluxo de corrente no
terceiro terminal.

Dois principais dispositivos de três terminais: MOSFET e BJT

MOSFET – Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-

Semicondutor

BJT – Transistor Bipolar de Junção

MOSFETs – dispositivos amplamente empregados em

projetos de circuitos integrados
 MOSFETs
Estrutura e operação física Estrutura N-MOSFET:

 Substrato tipo p
 Regiões de fonte e
dreno n+
 Camada fina de
material dielétrico
(SiO2) de espessura
tox (2 – 50 nm)

 Eletrodo de porta (metal ou silício policristalino)

 Eletrodos de fonte (source – S), de dreno (drain – D) e
substrato ou corpo (body – B)
Porta isolada – corrente 10-15 A
 MOSFETs
Operação N-MOSFET:
Uma tensão aplicada na porta
controla o fluxo de corrente entre
fonte e dreno
Corrente circula do dreno para
fonte na região do canal

Sem tensão de porta:

Há dois diodos face a face em
Dimensões do canal:
série entre fonte e dreno
L – comprimento (0,1 a 3 m)
Diodos impedem circulação de
W – largura (02 a 100 m)
corrente do dreno para fonte
(1012)
 MOSFETs
Criando um canal para
circulação da corrente:
 Considere S e D aterrado e
uma tensão VGS positiva
aplicada à porta G
 Tensão positiva em G faz
com que lacunas livres sejam
repelidas da região do
substrato sob a porta.
 Forma-se uma região de
depleção
Aumentando-se a tensão positiva em G, portadores
minoritários no substrato são atraídos para a região sob a
porta
 MOSFETs
Criando um canal para
circulação da corrente:

 Uma região n é criada na

superfície do substrato,
conectando as regiões de
fonte e dreno – canal ou
camada de inversão
 Aplicando-se uma ddp entre
D e S, uma corrente circulará
pelo canal

MOSFET canal n ou transistor NMOS

 MOSFETs
Criando um canal para
circulação da corrente:

Denomina-se tensão de limiar -

Vt (threshold voltage) o valor
de VGS necessário para formar
o canal

Faixa de Vt: +0,5 a +1,0 V

Efeito de Campo

Campo elétrico no capacitor de placas paralelas na porta do

transistor controla a quantidade de cargas negativas no canal e
por conseguinte sua condutividade.
 MOSFETs
Aplicando um pequeno VDS:
Com o canal formado,
aplica-se uma ddp entre D e
S (VDS  50 mV)
Corrente iD circula pelo
canal (Sentido D para S)
iD  densidede elétrons no
canal  VGS
VGS = Vt  canal
fracamente induzido  iD
desprezível
VGS > Vt  mais elétrons
no canal   condutância, ID  VGS
 resistência e  iD ID  VDS
 MOSFETs
Aplicando um pequeno VDS:
iD versus VDS para diferentes VGS
VGS  Vt  R
infinito
Resistência
linear cujo  VGS > Vt  R
valor é diminui
controlado gradualmente
por VGS
MOSFET tipo
enriquecimento

iG  0
 MOSFETs
Aumentando VDS:

Mantendo-se VGS constante

com valor maior que Vt ;

VDS aparece como uma

queda de tensão ao longo do
canal, tensão aumenta de
zero na fonte até VDS no
dreno;
A tensão entre a porta e os pontos ao longo do canal diminui
de VGS na fonte até VGS - VDS no dreno;
Como a profundidade do canal depende dessa tensão, o
canal não tem profundidade uniforme – estreitamento do
canal.
 MOSFETs
À medida que
aumenta-se VDS, o A curva entorta-se
canal torna-se mais porque a resistência
do canal aumenta
estreito e sua com VDS

resistência aumenta Praticamente uma linha

reta com inclinação
proporcionalmente; proporcional a (VGS – Vt)

A curva ID x VDS não

será mais uma linha
reta, mas sim uma
curva;
Aumentando-se VDS até o valor que reduz a tensão entre a
porta e o canal no dreno para Vt (VGD= Vt ou VGS - VDS= Vt ou
VDS= VGS - Vt), a profundidade do canal diminui até próximo de
zero no dreno e dizemos que o canal está estrangulado
(pinched-off).
 MOSFETs
Aumentando-se VDS Mostrar simulação
além do
estrangulamento, o
A corrente satura porque o
efeito será pequeno canal estrangula próximo ao
dreno e VDS não mais afeta o
sobre a forma do canal

canal;

A corrente pelo canal

se manterá constante
a partir de VDS= VGS –
Vt – a corrente de Para cada VGS  Vt haverá um
dreno satura – região correspondente VDsat;
de saturação;
Região da curva ID x VDS obtida
VDsat= VGS - Vt para VDS < VDsat é chamada de
região de triodo.
 MOSFETs
Relações ID - VDS
Região triodo:

ox = permissividade do óxido de silício

ox = 3,9.0 = 3,9 x 8,854x10-12 = 3,45x10-11 F/m
tox = espessura do óxido (processo de
fabricação)
n = mobilidades dos elétrons no canal
Exemplo: Para tox = 10 nm
 MOSFETs
Relações ID - VDS
Região de saturação:

Exemplo 1: Considere o processo tecnológico para o qual

Lmin= 0,4 m, tox= 8 nm, n= 450 cm2/V.s e Vt= 0,7 V.
a) Obtenha Cox e kn´

b) Para um MOSFET com W/L=8 m/0,8 m, calcule os valores de VGS

e VDS,min necessários para que o transistor opere na região de
saturação com um corrente ID= 100 A

c) Para o dispositivo em (b), obtenha o valor de VGS necessário para

fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1000  para
um VDS muito pequeno
 MOSFETs
Solução exemplo 1: (a)
 MOSFETs
(b) Na saturação

 

(c) MOSFET na região triodo com VDS muito pequeno


 MOSFETs
Símbolos para circuito:
Canal n Canal p

A seta aponta o sentido do

fluxo de corrente
 MOSFETs
Características Corrente-tensão
iD (mA)
vDS  vGS - Vt
Regiões de operações:
vDS  vGS - Vt

vGS = Vt+2,0 Região de corte;

vDS = vGS - Vt Região triodo;
vGS = Vt+1,5
Região de saturação.
vGS = Vt+1,0

vGS = Vt+0,5

vDS (V)
vGS  Vt (CORTE)

Região de saturação  FET opera como amplificador

Regiões de corte e triodo  FET opera como chave

 MOSFETs
Circuitos com MOSFET
Exemplo: Projete o circuito da figura abaixo de modo que o transistor
opere com ID = 0,4 mA e VD = +0,5 V. O transistor NMOS tem Vt = 0,7 V,
nCox = 100 A/V2, L = 1 m e W = 32 m.
VD > VG  FET na saturação

Cálculo de RS:

Cálculo de RD:
 MOSFETs
Exemplo: Projete o circuito da figura abaixo para obter uma
corrente iD de 80 A. Dê o valor necessário para R e calcule
a tensão cc, VD. Suponha que o transistor NMOS tenha Vt =
0,6 V, nCox = 200 A/V2, L = 0,8 m e W = 4 m.
VD = VG  FET na saturação

Como a fonte está aterrada  VG = VD = 1 V

Cálculo de R:
 MOSFETs
Exemplo: Projete o circuito da figura abaixo para estabelecer
uma tensão de dreno de 0,1 V. Qual é a resistência efetiva
entre o dreno e a fonte nesse ponto de operação? Suponha
Vt = 1 e Kn´(W/L) = 1 mA/V2.
VD < VG  FET na região triodo

Como o FET está operando na região triodo com VDS

muito pequeno:
 MOSFETs
Exemplo: Analise o circuito mostrado na figura abaixo a fim
de determinar todas as tensões dos nós e as correntes nos
ramos. Suponha Vt = 1V e Kn´(W/L) = 1 mA/V2.
Como a corrente de porta é zero:

Logo:

Assumindo que o FET está na saturação:

 MOSFETs
Para ID,1  NMOS em corte  s/ significado físico
Para ID,1  
 MOSFETs
Exemplo: Projete o circuito da figura abaixo de modo que o
transistor opere na saturação com ID = 0,5 mA e VD = +3 V.
Suponha um transistor PMOS tipo enriquecimento tendo
Vt=-1 V e kp`(W/L) = 1 mA/V2. Qual é o maior valor que RD
pode ter para manter a operação na região de saturação?
Região de saturação:
 MOSFETs
Cálculo de RG1 e RG2:

Adotando-se

Cálculo de RD:

A saturação ocorre até que VD exceda VG por |Vt|, portanto:

Logo,
 MOSFETs
Exemplo: Os transistores NMOS e PMOS no circuito da
figura abaixo estão casados com kn´(Wn/Ln) = kp´(Wp/Lp) = 1
mA/V2 e Vtn = -Vtp = 1 V. Determine as correntes de dreno iDn
e iDp, bem como as tensões vo para vI = 0 V, +2,5 V e -2,5 V.
Para VI = 0 V

Como , Qp e Qn conduzindo

A corrente através do resistor de 10 K é zero. Logo vo = VD = 0 V

VG – VD = 0 V, VGD < Vt (NMOS) e VGD > Vt (PMOS). Logo Qp e Qn operam na
saturação, logo:
 MOSFETs
Para VI = +2,5 V

Como , Qn está conduzindo e Qp está cortado.

vo = VD = -2,5 V  VGD > Vt, logo Qn está operando na região triodo.

Considerando VDS muito pequeno temos:

iD,n também pode ser obtido por: 

Substituindo (2) em (1): ,

VDS muito pequeno

 MOSFETs
Para VI = -2,5 V

Como , Qn está cortado e Qp está conduzindo.

vo = VD = +2,5 V  VGD < Vt, logo Qp está operando na região triodo.

Considerando VDS muito pequeno temos:


 MOSFETs
O MOSFET como amplificador e como chave
 MOSFETs operando na região de saturação atuam como
fonte de corrente controlada por tensão ( iD  VGS).

 O MOSFET saturado pede ser usados para implementar

um amplificador de transcondutância.

 MOSFETs também podem ser polarizados para operar

como chave, isto é, estar completamente “conduzindo”
ou completamente “aberto”.
 MOSFETs
Operação em grandes sinais – características
de transferência
 Estrutura básica do  Utiliza-se um resistor RD para
amplificador MOSFET fonte transformar a variação em iD
comum (FC) em uma tensão de saída vo.

iD
vo = vDS  Amplificador de
+ transcondutância é
vGS = vI transformado em um
-
amplificador de tensão.

 Rede de dois acessos em  Necessário uma fonte cc para

que o terminal de fonte é ligar o MOSFET e fornecer
comum a entrada e a saída. corrente para sua operação.
 MOSFETs
Característica de transferência – derivação gráfica
iD
vGS = VDD Operação do circuito
Triodo Saturação
fonte comum
controlada pela
vGS > VIB característica iD x vDS
e pela relação entre iD
vGS = VIB e vDS imposta pela
conexão do dreno à
vGS < VIB fonte VDD através de
RD.
IDQ
vGS =VIQ
Reta de carga
Inclinação = -1/RD
vGS= ...

0
VOC VOB = VIB - Vt VOQ = VDSQ VDD vDS = vo
 MOSFETs
iD vGS = VDD
Triodo Saturação

vGS > VIB

vGS = VIB

vGS < VIB

IDQ
vGS =VIQ
Reta de carga
Inclinação = -1/RD
vGS= ...

0V VOQ = VDSQ vDS = vo

OC VOB = VIB - Vt VDD

 Reta de carga intercepta o eixo vDS em VDD (iD=0) e tem inclinação -1/RD.

 Para cada valor de vI = vGS temos uma curva iD – vDS e obtem-se vo a

partir do ponto de interseção.
 MOSFETs
iD vGS = VDD
Triodo Saturação

vGS > VIB

vGS = VIB

vGS < VIB

IDQ
vGS =VIQ
Reta de carga
Inclinação = -1/RD
vGS= ...

0V VOQ = VDSQ vDS = vo

OC VOB = VIB - Vt VDD

 Para vI < Vt  transistor cortado iD = 0, vo = vDS = VDD  ponto A.

 vI > Vt  transistor conduz, iD aumenta e vo diminui.

 Indo do ponto A até o ponto B sobre a reta de carga o transistor estará na

saturação.
 MOSFETs
iD vGS = VDD
Triodo Saturação

vGS > VIB

vGS = VIB

vGS < VIB

IDQ
vGS =VIQ
Reta de carga
Inclinação = -1/RD
vGS= ...

0V VOQ = VDSQ vDS = vo

OC VOB = VIB - Vt VDD

 Um ponto particular Q é obtido para VGS= VIQ com coordenadas VOQ = VDSQ
e IDQ.

 Operação na saturação continua até vo decrescer e ficar Vt abaixo de vI.

 MOSFETs
iD vGS = VDD
Triodo Saturação

vGS > VIB

vGS = VIB

vGS < VIB

IDQ
vGS =VIQ
Reta de carga
Inclinação = -1/RD
vGS= ...

0V VOQ = VDSQ vDS = vo

OC VOB = VIB - Vt VDD

 Para vDS = vGS – Vt o MOSFET entra na região triodo de operação 

ponto B.
 Ponto B
 MOSFETs
iD vGS = VDD
Triodo Saturação

vGS > VIB

vGS = VIB

vGS < VIB

IDQ
vGS =VIQ
Reta de carga
Inclinação = -1/RD
vGS= ...

0V VOQ = VDSQ vDS = vo

OC VOB = VIB - Vt VDD

 Para vI > vIB, transistor entra na região triodo.

 Para vI = VDD a tensão correspondente VOC muito pequena – ponto C.

 MOSFETs
Operação como chave
MOSFET opera nos pontos
extremos da curva de
transferência:
 vI < Vt, dispositivo desligado
operando em algum ponto do
segmento XA, vo = VDD.

 vI próxima de VDD, dispositivo

ligado operando perto do
ponto C com vo muito
pequeno.
 MOSFETs
Operação como amplificador linear
Utilizar o segmento
correspondente ao modo
saturação curva de transferência.

Dispositivo polarizado em um
ponto localizado próximo ao meio
da curva.

Ponto Q – ponto de polarização

cc – ponto quiescente.

Tensão a ser amplificada vi é

sobreposta a tensão cc VIQ.

Para vi suficientemente pequeno

(segmento linear da curva) vo 
vi, porém maior por fator igual ao
ganho de tensão em Q (Av).
 MOSFETs
Operação como amplificador linear
 Ganho de tensão é igual à
inclinação da curva de
transferência no ponto de
polarização Q.

 A inclinação é negativa 
amplificador FC tem
característica inversora.

 Se vi for aumentada o sinal

de saída será distorcido –
não linearidade.
 MOSFETs
Operação como amplificador linear
 Sinal de saída será
sobreposto sobre a tensão de
dreno VOQ ou VDSQ.

 Valor de VDSQ deve permitir a

excursão desejada do sinal
de saída.

 VDSQ deve ser suficientemente

menor que VDD e
suficientemente maior que
VOB.

VDSQ muito próximo de VDD – picos positivos do sinal de

saída atingem VDD e são ceifados pois MOSFET desliga.

VSDQ muito próximo de VOB – picos negativos entrarão

na região triodo do MOSFET – sinal de saída distorcido.
 BJTs
TBJs ainda são preferidos em circuitos analógicos,
integrados ou discretos de RF.

Em projetos modernos, transistores BJTs são combinados

com MOSFETs para criar circuitos inovadores que
aproveitam todas as vantagens de ambos (tecnologia
BiMOS ou BiCMOS):
MOSFETs – alta impedância de entrada e baixo consumo de
potência

BJTs – Operação em frequências muito altas, capacidade de

drenar altas correntes e confiabilidade em condições severas
 BJTs
Estrutura e operação física

Compostos por
duas junções pn:

Junção emissor-base (JEB)

Junção coletor-base (JCB)

 BJTs
Estrutura e operação física

Modo ativo = modo

ativo direto
BJT opera como
amplificador
Modos de corte e de
saturação
Aplicações de
chaveamento

Modo ativo reverso

Pouco aplicado
DIAGAMAS DE BANDAS BJTs
Modo ativo direto

Condição de polarização
na qual uma junção é
polarizada diretamente e
a outra é polarizada
reversamente. Este
arranjo é muito
importante porque torna
possível a amplificação
de um sinal.
DIAGAMAS DE BANDAS BJTs

Modo de corte

Polarização negativa
aplicada a ambas as
junções tende a aumentar
as barreiras de energia e
esvaziar a região da base
removendo os poucos
elétrons presentes sob
condições de equilíbrio.
DIAGAMAS DE BANDAS BJTs
Modo de saturação

Polarização positiva
aplicada a ambas as
junções reduz a altura das
barreiras e injeta elétrons
na região da base, o vasto
aumento resultante na
densidade de elétrons da
base permite o imediato
fluxo de corrente entre as
duas junções.
 BJTs
Operação do BJT npn no modo ativo
Polarização direta da JEB
 Elétrons injetados do
emissor na base (iE);

 Lacunas injetadas da
base no emissor (iB).

Deseja-se iE >> iB
Logo, o projeto do dispositivo deve garantir emissor fortemente
dopado e base estreita fracamente dopada.
 BJTs
Operação do BJT npn no modo ativo
Para base estreita:

 np0 – valor em equilíbrio

térmico da
concentração de
elétrons na base

np = 0 na interface coletor-base pois  vBE – tensão emissor-

base de polarização
elétrons são capturados pela região direta
de depleção da JCB
 VT – tensão térmica
Perfil de np linearmente decrescente
garante que elétrons injetados na base
difundam em direção ao coletor.
 BJTs
Operação do BJT npn no modo ativo
Corrente de difusão In é diretamente proporcional à
inclinação da reta que representa o perfil de concentração

AE – área da seção transversal da junção emissor-base

q – carga do elétron
Dn – constante de difusão de elétrons na base
W – largura efetiva da base
 BJTs
Operação do BJT npn no modo ativo
A corrente de coletor
A grande maioria dos elétrons que difundem na base
alcançam os limites da região de depleção da JCB e são
arrastados (“coletados”), passando a constituir a corrente de
coletor iC.

Então: , mas

Logo, , fazendo-se

Temos, Obs: iC é independente de vCB

 BJTs
Operação do BJT npn no modo ativo

Na expressão da corrente de saturação

substituindo-se , temos

ni – concentração intrínseca de portadores

NA – concentração e dopantes na base

 Inversamente proporcional a W
 Diretamente proporcional a AE (fator de escala de corrente)
IS :
 Diretamente proporcional a ni2 (forte dependência com a
temperatura)

Dois BJTs idênticos exceto pelo fato de que um tem o dobro da área de
JEB do outro  para o mesmo valor de vBE, o dispositivo maior terá o
dobro da corrente de coletor em relação ao dispositivo menor (projeto CIs).
 BJTs
Operação do BJT npn no modo ativo
A corrente de base

iB1 é devido às lacunas injetadas da região da base na

região do emissor

Dp – constante de difusão de lacunas no emissor

Lp – comprimento de difusão de lacunas no emissor

ND – concentração de dopantes no emissor

 BJTs
Operação do BJT npn no modo ativo
A corrente de base

iB2 – é devido às lacunas da base que são fornecidas pelo

circuito externo para repor as lacunas perdidas na base
pelo processo de recombinação.

b – tempo médio que um elétron minoritário leva para

recombinar na base com uma lacuna majoritária (tempo
de vida de portador minoritário).
 BJTs
Operação do BJT npn no modo ativo
A corrente de base


Como, , para

ou

 é uma constante para um dado transistor – ganho de corrente de

emissor comum

Para BJTs npn modernos,  fica na faixa de 50 a 200, podendo ser da

ordem de 1000 para dispositivos especiais
 BJTs
Projeto do BJT

 depende significativamente de dois fatores:

 Largura da região da base, W

 Razão de dopagem das regiões de base e emissor (NA/ND)

Para obter  elevado:

 A base deve ser estreita (W pequeno) e levemente dopada

 O emissor deve ser altamente dopado (NA/ND pequeno)

 BJTs
Operação do BJT npn no modo ativo
A corrente de emissor

Como, temos

Para, tem-se

Considerando temos

Portanto,
 - ganho de corrente em base comum – é uma
constante ligeiramente menor que 1

Exemplo: Se  = 100, então   0,99

 BJTs
Modelos de circuito equivalente BJT polarizado
no modo ativo
direto:
Tensão vBE produz
uma corrente iC com
relação exponencial
que flui pelo terminal
do coletor e
independe do valor
de vBC;

Terminal de coletor
Corrente iB é um fator 1/F da corrente de coletor; comporta-se como
uma fonte de
Corrente iE igual a soma das correntes iC e iB; corrente ideal com
valor de corrente
Como iB << iC ( >> 1), iE  iC ou iC é uma fração F determinado por vBE;
de iE.
 BJTs
Exercícios:
1) Considere um transistor npn com vBE = 0,7 V com iC = 1 mA. Calcule
vBE para iC = 0,1 mA e 10 mA.

Para iC = 0,1 mA

Para iC = 10 mA
 BJTs
Exercícios:
2) Dado tipo de transistor foi especificado para ter  com valores na faixa
de 50 a 150. Encontre a faixa de valores de  do transistor.

Para  = 50 

Para  = 150 

Faixa de valores de : 0,98 a 0,993

 BJTs
Exercícios:
3) Medições em um TBJ de um dado circuito mostram que a corrente da
base é de 14,46 A, a corrente de emissor é de 1,46 mA e a tensão
emissor-base é de 0,7 V. Para essas condições, calcule ,  e IS.


 BJTs
Exercícios:
4) Calcule o valor de  para dois transistores que possuem  = 0,99 e
0,98. Para correntes de coletor de 10 mA, calcule a corrente de base
para cada transistor.

Para  = 0,99,

Para  = 0,98,

Para  = 0,99 e  = 99,

Para  = 0,98 e  = 49,

 BJTs
A estrutura dos TBJs reais
 BJTs
O modelo de Ebers-Moll (EM)
O modelo EM pode ser usado para
prever o comportamento do TBJ em
todos os seus possíveis modos de
operação.
Correntes nos três nós:

Usa-se a equação dos diodos para obter iDC e iDE

 BJTs
O modelo de Ebers-Moll (EM)
Substituindo-se iDC, iDE e usando-
se a relação
obtemos as expressões das
correntes iE, iC e iB, em função
das tensões de junção vBE e vBC.

Exemplo para modo ativo direto:

vBE positivo na faixa de 0,6 V a 0,8 V
vBC negativo
 BJTs
O modelo de Ebers-Moll (EM)
Exercício:
5) Para um TBJ com F = 0,99, R = 0,02 e IS = 10-15 A, calcule o segundo
termo do lado direito da cada uma das equações obtidas no exemplo
do slide anterior para verificar que eles podem ser desprezíveis.
Então calcule iE, iC e iB para vBE = 0,7 V.

Para iE:

Para iC:

Para iB:
BJTs
 BJTs
Operação no modo de saturação
 Saturação em TBJ significa algo
completamente diferente do que
no MOSFET.
 A operação no modo saturação
do TBJ é análoga à operação na
região triodo do MOSFET.
 Por outro lado, a operação na
região de saturação do MOSFET
corresponde à operação do TBJ
no modo ativo.

 vCB não tem efeito sobre iC no

modo ativo
 A situação muda drasticamente
na saturação
 BJTs
Operação no modo de saturação
Considerando-se a expressão de
EM para iC, desprezando-se os
termos que não envolvem
exponencial.

 Primeiro termo do lado direito

resulta da polarização direta
da JEB enquanto que o
segundo resulta da
polarização direta da JCB

 Segundo termos torna-se

significativo quando vCB
excede 0,4 V
 BJTs
Operação no modo de saturação – concentração de
portadores minoritários na base

Como JBC está polarizado

diretamente, a concentração de
elétrons na borda da base junto
ao coletor não é mais igual a zero
(proporcional a )
 BJTs
Símbolos e convenções para circuitos
 Por convenção, o fluxo de corrente
deve ser de cima para baixo como
nos circuitos abaixo.

 Potenciais mais altos em cima do

que em baixo.

 Emissor identificado por uma

seta.

 Polaridade do dispositivo
indicada pelo sentido da seta.

 Seta aponta o sentido que a

corrente flui no emissor.
BJTs
Um BJT npn cuja JEB
está diretamente
polarizada operará no
modo ativo enquanto o
potencial no coletor não
cair abaixo do potencial
da base mais que  0,4
V. Caso contrário o BJT
saí do modo ativo e entra
na região de saturação.

Um BJT pnp operará no

modo ativo se a JEB for
diretamente polarizada e
o potencial no coletor
não ultrapassar o
potencial da base por
mais que  0,4 V.
 BJTs
Exemplo: O transistor no circuito abaixo tem  = 100 e exibe um vBE = 0,7 V
quando iC = 1 mA. Projete o circuito de modo que uma corrente de 2 mA
circule pelo coletor e a tensão no coletor seja +5V.

Cálculo de RC:

Cálculo de VBE para iC2 = 2 mA, iC1 = 1 mA

e vBE = 0,7 V

Base está aterrada  VE = - 0,717 V

Calculo de RE:
Cálculo de IE e IB:
 BJTs
Exercício:
6) No circuito mostrado abaixo, a tensão no emissor foi medida como - 0,7
V. Se  = 50, calcule IE, IB e VC.
Cálculo de IE:

Cálculo de IC:

Cálculo de IB:

Cálculo de VC:
 BJTs
Exercício:
7) No circuito mostrado abaixo, as medições indicam VB = +1,0 V e VE =
+1,7 V. Quais são os valores de  e  para esse transistor? Qual é o
valor de VC no coletor?
Cálculo de IE:

Cálculo de IB:

Cálculo de IC:

Cálculo de  e  :

Cálculo de VC:
 BJTs
Características corrente tensão dos BJTs
Característica iC - vBE

Para vBE < 0,5 V, iC é desprezível

vBE limita-se a um faixa de 0,6 V

a 0,8 V

Considerando que a junção

emissor-base esteja operando em
um valor constante de corrente, a
tensão vBE diminui cerca de 2 mV
para cada 1 oC de aumento de
temperatura.
 BJTs
Características corrente tensão dos BJTs
Características base comum Grandes sinais:
Curva iC – vCB

 - ganho de corrente
para base comum
Pequenos sinais:

Na região ativa (vCB  -0,4 V) desviam do ideal:

 Curvas não são linhas retas horizontais  iC depende levemente de vCB

 iC apresenta rápido crescimento para valores grandes de vCB

 BJTs
Exercício:
8) Considere um transistor pnp com vEB = 0,7 V para iE = 1 mA. Suponha
que a base esteja aterrada, o emissor seja alimentado por uma fonte de
corrente constante de 2 mA e o coletor esteja conectado a uma fonte de
alimentação de -5 V por uma resistência de 1 K. Se a temperatura
aumentar em 30 oC, calcule as variações nas tensões de coletor e de
emissor. Despreze o efeito de ICBO.

Como IE é constante: e
Logo VC também é constante.

VEB diminui 2 mV/oC, logo para um aumento de 30 oC

diminui 60 mV

Como a base está em um potencial fixo (terra) a

-5 V
variação de 60 mV ocorre em VE.
 BJTs
Exercício:
9) Calcule o valor de vCB em que IC de um transistor npn operando na
configuração BC com IE = 1 mA sofre redução (a) para a metade do seu
valor no modo ativo e (b) para zero. Suponha F  1 e R =0,1. O valor de
VBE foi medido para vCB = 0 e foi constatado que era 0,7 V. Repita (a) e
(b) para R = 0,01.
No modo ativo:

R = 0,1
(a) Para IC = IC/2
 BJTs
(b) Para IC = 0

R = 0,01

(a) Para IC = IC/2

(b) Para IC = 0
 BJTs
Características corrente tensão dos BJTs
Dependência de iC com a tensão de coletor – Efeito Early
Para VC < VB – 0,4 V a
JBC fica diretamente
polarizada;

BJT deixa o modo

ativo e entra na região
de saturação;

Na região ativa as
curvas apresentam
uma inclinação finita;
As retas na região ativa quando extrapoladas encontram-se em um ponto
do eixo negativo de vCE, vCE = - VA

VA – Tensão de Early – tem valores típicos na faixa de 50 a 100 V.

 BJTs
Características corrente tensão dos BJTs
Dependência de iC com a tensão de coletor – Efeito Early
Para vBE constante,
aumentando-se vCE
eleva-se a tensão de
polarização reversa da
JCB;

Aumenta-se a largura da
região de depleção da
JCB;

A largura efetiva da base

(W) é reduzida;

IS é inversamente proporcional a W, logo IS aumentará e iC também

aumentará proporcionalmente.

Efeito Early
 BJTs
Características corrente tensão dos BJTs
Dependência de iC com a tensão de coletor – Efeito Early
Dependência linear
de iC com vCE,
supondo IS constante:

Inclinação  0 das
retas iC – vCE indica que
a resistência de saída
(r0) vista no coletor é
finita.

A resistência de saída r0 no modelo de

circuito para o transistor.

I´C – corrente de coletor com efeito Early desprezado

 BJTs
Características corrente tensão dos BJTs
Modelos de circuitos para grandes sinais de um transistor
npn emissor comum operando no modo ativo.
Diodo DB modela a dependência
exponencial de iB com vBE com corrente
de escala

Os dois modelos diferem apenas na

forma como a função de controle do
transistor é expressa:
Circuito (a): Tensão vBE controla a
corrente de coletor.

Circuito (b) – Corrente iB controla a

corrente de coletor.
 BJTs
Exercício:
10) Calcule a resistência de saída de um BJT para o qual VA = 100 V, quando
IC = 0,1, 1 e 10 mA.

Para VA = 100 V e IC = 0,1 mA

Para VA = 100 V e IC = 1 mA

Para VA = 100 V e IC = 1 mA
 BJTs
Exercício:
11) Considere o circuito da figura abaixo. Sendo VCE = 1 V, VBE é ajustado
em 0,7 V para manter uma corrente de coletor de 1 mA. A seguir,
enquanto VBE é mantido constante, VCE é aumentado para 11 V. Calcule
o novo valor de IC. Para esse transistor , VA = 100 V.


 BJTs
Características emissor comum
Ganho de corrente emissor comum 
Ponto operação Q
 Corrente de
coletor ICQ

 Corrente de base
IBQ

 Tensão coletor-
emissor VCEQ

cc ou  para grandes sinais (hFE)

ca,  incremental,  para pequenos sinais (hfe)

 BJTs
Dependência de  com o nível de corrente de operação e com a temperatura
 BJTs
Tensão de saturação VCEsat e resistência de saturação RCEsat

Zoom das curvas características de

emissor comum na região de
saturação

Curvas muito próximas   menor

Ponto de operação X:

Corrente de base IB

Corrente de coletor ICsat

Tensão coletor-emissor VCEsat

F/forçado =
fator forçado
ICsat é estabelecido pelo
projetista  transistor > fator forçado
 BJT mais
operando com  forçado
saturado
 BJTs
Tensão de saturação VCEsat e resistência de saturação RCEsat
Grande inclinação das curvas iC - vCE
 resistência entre coletor e emissor
é baixa

RCEsat varia de poucos ohms a

poucas dezenas de ohms
 BJTs
Tensão de saturação VCEsat e resistência de saturação RCEsat
 Curvas interceptam o
eixo vCE (ICsat = 0) em VT
ln(1/R)

 Tangente no ponto X tem

inclinação 1/RCEsat

 Quando extrapolada a
reta intercepta o eixo vCE
em VCEoff  0,1 V

 Característica iC – vCE
saturado pode ser
representado pelo
circuito equivalente
 BJTs
Corrente de coletor normalizada iC/(FIB) = forçado/F em função de vCE

Curva pode ser

aproximada por uma
reta tangente no
ponto forçado/F = 0,5
 BJTs
Exercício:
12) Um transistor npn caracterizado por F = 100 e R = 0,1 opera na
saturação com corrente de base constante de 0,1 mA e um forçado de 10.
Calcule os valores de VCE em iC = 0, RCEsat e VCEoff. Utilize o modelo
equivalente para obter um valor aproximado para VCEsat. Encontre um
valor mais preciso para VCEsat usando a equação e compare os
resultados. Repita para um forçado de 20.
Cálculo de VCE:

Cálculo de RCEsat:

Cálculo de VCEoff:
 BJTs
Exercício 12:
Cálculo de VCEsat:

Valor mais preciso para VCEsat

 BJTs
Exercício 12:
Para forçado = 20

Valor mais preciso para VCEsat

 BJTs
Exercício:
13) Medidas realizadas em BJT que opera na saturação com corrente de
base constante, fornecem os seguintes dados: para iC = 5 mA, vCE = 170
mV; para iC = 2 mA, vCE = 110 mV. Quais são os valores da tensão
residual (offset) VCEoff e a resistência de saturação RCEsat nessa situação?

Inclinação da reta tangente a curva iC – vCE na região de saturação (m):

 BJTs
Exercício 13: Equação da reta tangente:

Para ICsat = 0
 BJTs
O TBJ como amplificador e como chave
Duas principais áreas de aplicação dos TBJs:

Como amplificador de sinal;

Como chave.

Amplificador: TBJ operando no modo ativo comporta-se como uma fonte

de corrente controlada por tensão ( iC   vBE)  Amplificador de
Transcondutância

Polariza-se o BJT para operar em uma tensão cc emissor-base VBE e

uma correspondente corrente cc de coletor IC;

Sobrepõe-se o sinal a ser amplificado vbe sobre VBE;

vbe pequeno garante a operação do TBJ em um seguimento estreito e

praticamente linear.
 BJTs
Operação para grandes sinais – circuito emissor-comum
vI (polarização + sinal)
aplicado entre base e
emissor  vBE = vI
vO (polarização +sinal)
obtido entre coletor e
terra  vO = vCE

Funções de RC:
Estabelecer tensão de
polarização cc desejada
no coletor;

Converter ic em vce ou vo.

VCC polariza o TBJ e fornece potência ao amplificador.

 BJTs
Operação para grandes sinais – circuito emissor-comum
Curva de transferência:
0 < vI < 0,5 V  TBJ
cortado  iC
desprezível  vO = VCC
(segmento XY).

vI > 0,5 V  TBJ

começa a conduzir 
iC aumenta e vO
diminui.

vO inicialmente elevado  TBJ operando no modo ativo

(seguimento YZ).
 BJTs
Operação para grandes sinais – circuito emissor-comum
Equação para o
seguimento YZ:

Termo exponencial
justifica o
comportamento
abrupto da curva.
 BJTs
Operação para grandes sinais – circuito emissor-comum
Para tensão no coletor
vO ou vCE 0,4 V abaixo
da tensão na base vI ou
vBE o TBJ entra na
saturação (ponto Z).
Na saturação vCE=VCEsat
cai de 0,1 a 0,2 V 
quase constante.
Corrente de coletor
também quase
constante em um valor
ICsat.

RCEsat tem valor muito baixo  Caminho de baixa resistência entre o nó C e

o terra  chave fechada.
 BJTs
Ganho do amplificador
Amplificador linear  TBJ
polarizado na região ativa –
no ponto quiescente Q
caracterizado por uma tensão
cc emissor-base VBE e uma
tensão cc coletor-emissor VCE.

Do circuito (fig. a):

Se vI é sobreposto a VBE e é suficientemente pequeno 

ponto de operação instantâneo fica restrito ao
seguimento pequeno e linear em torno do ponto Q.
 BJTs
Ganho do amplificador
Inclinação da tangente à
curva em Q é o ganho de
tensão do amplificador.

Para
e vI = vBE temos:

Maximizar o ganho de tensão  Utilizar quedas de tensão sobre RC tão

grandes quanto possível.
 BJTs
Ganho do amplificador

Para VCC constante, aumentar

VRC  fazer VCE menor
VCE menor significa ponto Q
próximo ao final do
segmento da região ativa 
pico negativo de vO pode ser
ceifado.
Posicionar o ponto Q no
extremo mais alto do
seguimento YZ  ganho
reduzido e pode ceifar o
pico positivo de vO.
Ganho teórico máximo obtido polarizando-se o TBJ no limiar da saturação:

ou
 BJTs
Exercício:
14) Considere um circuito emissor comum utilizando um TBJ com IS = 10-15 A,
uma resistência de coletor RC = 6,8 K e uma tensão de alimentação VCC
= 10 V.
a) Determine o valor da tensão de alimentação VBE necessária para que o
transistor opere em VCE = 3,2 V. Qual é o valor correspondente de IC?

b) Obtenha o ganho de tensão Av nesse ponto de polarização. Se um sinal

de entrada senoidal com amplitude de pico de 5 mV for sobreposto a VBE,
encontre a amplitude do sinal de saída senoidal (operação linear).

c) Obtenha o incremento positivo em vBE (acima de VBE) que conduz o

transistor para o limiar da saturação, em vCE = 0,3 V.

d) Encontre o incremento negativo em vBE que conduz o transistor para 1%

do corte (isto é, para vO = 0,99 VCC).
 BJTs
Exercício 14:
(a)

(b)

(c)
 BJTs
Exercício 14:
(d)
 BJTs
Exercício:
15) Para a situação descrita no exercício (14), mantendo-se IC constante em
1 mA, encontre o valor de RC que resulte em um ganho de tensão de -320
V/V. Qual é a máxima excursão de sinal negativa permitida na saída
(suponha que vCE não caia abaixo de 0,3 V)? Qual é (aproximadamente)
a amplitude correspondente do sinal de entrada? (Suponha operação
linear).

VCE = 2 V

0,3V
 BJTs
Operação como chave
Modos de operação: corte e
saturação.
vI < 0,5 V  BJT no corte, iB = 0,
iC = 0 e vC = VCC.

Nó C está desconectado do

terra  chave aberta.

Aumentando-se vI acima de 0,5 V

BJT conduz.

Para correntes apreciáveis vBE 

0,7 V e vI ainda maior.
 BJTs
Operação como chave Corrente de base:

Corrente de coletor:

Relação válida somente para

dispositivo no modo ativo, ou seja,
JBC não está diretamente
polarizada, vC > vB – 0,4 V

Se vI aumenta, iB aumenta, iC aumenta e vC diminui.

Quando vC for menor que vB em 0,4 V, o TBJ sai da região ativa e entra na
saturação.
Ponto de limiar para saturação (LPS):
VBE  0,7 V
 BJTs
Operação como chave

Valor de vI para levar o BJT ao

limiar de saturação:

Aumentando vI acima de VI(LPS), iB

aumenta e coloca o BJT mais
profundamente dentro da
saturação.

vCE diminui apenas levemente. VCEsat  0,2 V

iC permanece constante em ICsat.

Chave fechada com baixa resistência associada RCEsat e pequena tensão

residual VCEoff.
 BJTs
Exercício:
16) O transistor da figura abaixo foi especificado para ter  na faixa de 50 a
150. Encontre o valor de RB que resulta na saturação com um fator
forçado de pelo menos 10.


Para  
 BJTs
Exercício:
17) Considere o circuito da figura abaixo com VCC = +5 V, vI = +5 V, RB = RC =
1 K e  = 100. Calcule a corrente de base, a corrente de coletor e a
tensão de coletor. Se o transistor estiver saturado, encontre forçado. Para
qual valor RB deveria ser aumentado a fim de trazer o transistor para o
limiar da saturação?
 

Para VCEsat = 0,2 V

 BJTs
Exercício 17:
 Referências
Sedra, Adel S. e Smith, Kenneth C., Microeletrônica – 5. ed. – São Paulo:
Pearson Prentice Hall, 2007.