00 Transistor 2 (Teórica)
00 Transistor 2 (Teórica)
00 Transistor 2 (Teórica)
Curvas Características
Característica de Entrada
A característica de entrada de um
0 0,2 0,4 0,6 0,8 UBE(V transistor NPN na montagem de
Emissor Comum corresponde a um
UBE) díodo polarizado directamente,
relacionando os valores de IB e de UCE.
3
A partir desta característica podemos determinar a resistência de entrada Ri,
também conhecida por resistência dinâmica ou resistência para sinais, pela relação
entre os incrementos de UBE e IB, com UCE constante: Ri = UBE/IB, com UCE
constante. O valor desta resistência (impedância para sinais) na montagem EC é
baixo, estando compreendido entre 10 e 1000.
Característica de Saída
4
maioria dos transistores de silício de média potência, pode-se considerar saturado
quando UCE=0,2V e UBE=0,7V. No intervalo compreeendido entre U CE>0,2V e
valores próximos de UCEmáx encontra-se a zona activa ou linear. Esta zona
corresponde àquela em que o transistor opera efectivamente como amplificador
(comportando-se como um amplificador de corrente), em que a pequenos aumentos
de IB correspondem grandes aumentos de IC, de forma quase independente de UCE.
5
Análise do transistor como elemento amplificador
IC(mA)
Considerando o circuito anterior,
se UCC=9V e RC=1k, o ponto A
10 B terá as coordenadas (9 ; 0) e o
ponto B (0 ; 9mA), porquê? Unindo
8 estes dois pontos obeteremos uma
6 recta de carga, para RC=1k.
2 A
UCE(V)
0 6 9 6
3
Se substituirmos RC por 2k, obtém-se outra recta de carga com inclinação menor
relativamente ao eixo UCE.
Fica ao critério do aluno traçar a nova recta de carga.
Conclusões:
Todas as rectas de carga de um mesmo circuito (U CC constante) apresentam
um ponto em comum, que é ponto A referido.
A inclinação das rectas de carga será tanto maior quanto menores forem os
valores das resistências de carga.
A amplificação da tensão aumenta com o aumento da resistência de carga
R C.
A máxima corrente IC que pode circular no transistor (ponto B) será tanto
maior quanto menor for a resistência d carga RC.
A potência dissipada pelo transistor, P=UCE x IC será tanto maior quanto
menor for a resistência de carga RC.
Os pontos de trabalho nas vizinhanças de A e B representam
respectivamente o bloqueio ou corte e saturação do transistor.
IC(mA)
Efeito da temperatura no
transistor 10 B
O aumento de temperatura numa
junção faz aumentar a corrente 8 Q2
inversa de saturação IC0 que por sua
6 Q1 7
Q
4
2 A
UCE(V)
0 3 6 9
vez faz aumentar também a corrente de colector e consequentemente a potência.
O aumento da temperatura, ainda que não provoque o denominado embalamento
térmico que levaria à destruição do transistor, causa no entanto um deslocamento
das suas características e assim o seu ponto de trabalho. Este deslocamento pode,
no entanto, chegar à região de deformação da característica (zona não linear),
resultando numa distorção. Na figura o ponto Q passa para as posições Q1 e Q2.
Necessidade da estabilização
R C=
R1 RC 4k7
C2 R1=12k C2
uo uo
C1
ui 10F 1F
BC547
1F R2 RE RE1=180
1
470 CE CB R2=2k2 ui
RE 1k 47F
2 47F
C1
RE2=1k
10F
9
Montagem de Colector
Comum UCC = 15V
R1
12K
C1
ui C2
uo
1F R2 10F
15K RE BC547
4K7
10