ELETRNICA

Prof. Me. Simon Carmo Patrcio

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UNIDADE 2
FSICA DOS SEMICONDUTORES
2.1. Introduo
2.2. Constituio de diodos e juno PN

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2.1. Introduo
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UNIDADE 2: FSICA DOS SEMICONDUTORES
2.1. Introduo
O termo condutor aplicado a qualquer material que
sustenta um grande fluxo de carga ao se aplicar, atravs de
seus terminais, uma fonte de tenso de amplitude limitada.
Isolante o material que oferece um nvel muito baixo de
condutividade quando submetido a uma fonte de tenso.
Portanto, materiais semicondutores tm um nvel de
condutividade entre os extremos de um isolante e de um
condutor, ou seja, podem apresentar caractersticas de
condutores ou isolantes, dependendo da forma como se
apresenta sua estrutura qumica.
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Os semicondutores so materiais utilizados na fabricao
de dispositivos eletrnicos, como por exemplo diodos,
transistores e circuitos integrados. Eles no so bons nem
maus condutores, mas apresentam uma resistncia
intermediria entre condutor e isolante. Com a diminuio
de temperatura que ele submetido, possvel atingir
caractersticas mais prximas de um isolante, j com o
aumento da temperatura, ele passa a ser um melhor
condutor.
Exemplo de materiais:
Condutores: prata, cobre, alumnio; Semicondutores:
germnio, silcio, carbono; Isolantes: vidro, borracha,
porcelana.
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2.1. Introduo
2.2. Constituio de diodos e juno PN

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2.2. Constituio de diodos e juno PN
O Silcio (Si) e o Germnio (Ge) so os
semicondutores usados na construo de
dispositivos eletrnicos, sendo o Silcio o mais
utilizados por ser mais facilmente encontrado e
no to sensvel a variao de temperatura
como o Germnio. Falando das caractersticas
destes materiais, eles possuem 4 eltrons na sua
camada de valncia (tetravalente), que sua
ltima camada, e a que se relaciona com o
exterior para formar ligaes.
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Semicondutor Intrnseco (puro):
Tanto o Si quanto o Ge possuem 4 eltrons na sua
ltima camada. Porm se estabilizam quando
possuem 8 eltrons. Como tudo na natureza tende
ao equilbrio, quando vrios tomos de Si, ou de Ge,
so colocados juntos, formam uma estrutura
cristalina e compartilham eltrons da ltima
camada formando um cristal semicondutor,
mostrado na figura abaixo, atravs de ligaes
covalentes. Conforme aumenta a quantidade de
tomos, vai se formando uma cadeia e todos os
tomos passam a ter 8 eltrons na sua camada de
valncia.
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Este cristal estvel chamado de semicondutor
intrnseco, e est em sua forma pura, ou seja, sem
outros materiais ou impurezas. Porm, quando em
sua forma pura e na temperatura ambiente, os seus
eltrons esto to fortemente ligados que o cristal
passa a ter caractersticas de um material isolante.
Para que ele possa conduzir corrente eltrica e
ento ser utilizado na eletrnica, necessrio
adicionar outras substncias ou impurezas ao cristal
semicondutor, formando um semicondutor
extrnseco. Outra forma de aumentar a
condutividade do semicondutor o aumento da
temperatura.
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Semicondutor Extrnseco:
Os semicondutores extrnsecos so tambm
chamados de dopados ou impuros. O processo de
adicionar impurezas ao cristal semicondutor para
que ele tenha caractersticas mais prximas a um
condutor chamado de dopagem. As impurezas
adicionadas sero correspondentes a materiais
trivalentes (com trs tomos na sua camada de
valncia), ou pentavalentes (com 5 tomos na sua
camada de valncia). Usando o Si como exemplo,
no semicondutor intrnseco tnhamos apenas
tomos de Si. Se tirarmos um desses tomos e
adicionarmos um tomo trivalente ou pentavalente,
acontece um fenmeno interessante.
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Se adicionarmos um tomo trivalente, teremos a ligao conforme a
figura abaixo (a), em que foi adicionado o Boro (B). Como o B possui
apenas 3 eltrons na camada de valncia (trivalente), falta um eltron
para completar a ligao com um dos tomos de Si. Este buraco
resultante chamado de lacuna, e corresponde ausncia de um
eltron esperado na ligao covalente. Assim, o semicondutor est
dopado positivamente, e chamado de semicondutor do tipo P.

(a)

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Da mesma forma se adicionarmos um tomo pentavalente,
figura (a) abaixo em que foi adicionado o tomo de fsforo (P)
(pentavalente), desta vez sobrar um eltron para completar a
ligao, chamado de eltron livre. E assim tem-se um
semicondutor do tipo N e o semicondutor est dopado
negativamente.

(b)

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Exemplos de tomos pentavalentes: Arsnio (As), Chumbo (Pb)
e Fsforo (P).
Exemplos de tomos trivalentes: Alumnio (Al), Boro (B), Glio
(Ga).

A partir destas definies de semicondutores do tipo P e N,

pode-se comear o estudo de dispositivos usados na
microeletrnica, como por exemplo o diodo, componente mais
simples da microeletrnica, formando por uma juno P-N.

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Exerccios de Fixao
1. O que um material condutor?
2. O que um material isolante?
3. O que um material semicondutor?
4. Marque qual ou quais dos materiais abaixo so semicondutores usados na eletrnica?
( ) Silcio ( ) Carbono ( ) Cobre ( ) Germnio ( ) Boro
5. O Semicondutor intrnseco aquele que:
a) composto apenas por impurezas
b) composto apenas por Silcio ou Germnio
c) composto por Silcio ou Germnio misturado com impurezas trivalentes ou pentavalentes
d) composto por uma mistura especfica de Silcio e Germnio
6. Marque V ou F sobre o semicondutor extrnseco tipo P, em seguida, corrija as alternativas falsas.
( ) feito com a adio de impurezas trivalentes ao cristal semicondutor
( ) Possui mais eltrons livres que lacunas
( ) Uma das impurezas que geram esse tipo de semicondutor o Boro
( ) um semicondutor puro com excesso de prtons
( ) As lacunas so os principais portadores de carga nesse material
7. Na ligao covalente:
a) Os tomos emprestam seus eltrons aos tomos vizinhos
b) Os tomos perdem seus eltrons para os tomos vizinhos
c) Os tomos compartilham seus eltrons com os tomos vizinhos
d) Os tomos mantm seus eltrons para si mesmos
e) N. D. A. (nenhuma das anteriores) 16
Gerao de Pares Eltron-Lacuna
Se houver o rompimento de uma ligao covalente, ocorre a
liberao de um eltron e o surgimento de um espao vazio
onde ele se encontrava.
A esse vazio damos o nome de lacuna. Portanto, o rompimento
de cada ligao covalente gera um par eltron-lacuna.
A lacuna comporta-se como uma carga positiva. Devido ao
deslocamento de eltrons surgem lacunas sempre no sentido
contrrio ao movimento dos eltrons, conforme indica a Figura a
seguir. Eltrons
Lacunas

- + - + - +
Conduo de eletricidade por eltrons e lacunas. 17
 Eltrons
Lacunas

- + - + - +
Conduo de eletricidade por eltrons e lacunas.

Essa figura mostra que quem realmente tem mobilidade

so os eltrons livres. Ao se deslocarem em direo ao
potencial positivo da fonte, eles ocupam sucessivas
lacunas. Assim, as lacunas vo surgindo no sentido
oposto ao deslocamento dos eltrons, ou seja, como se
elas se deslocassem em sentido contrrio, isto , em
direo ao potencial negativo da fonte.
Quando os eltrons se movimentam, h possibilidade de
o eltron e a lacuna se recombinarem, eliminando, dessa
maneira, um par eltron-lacuna. Dessa forma, nem as
lacunas nem os eltrons conservam-se livres
indefinidamente.
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 Como concluso podemos afirmar que o material
semicondutor possui dois tipos de correntes ou
portadores de cargas: as lacunas so os portadores
positivos e os eltrons so os portadores negativos.

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Influncia da Temperatura nos Semicondutores.
Na realidade, a prpria temperatura ambiente
responsvel por fornecer energia suficiente para a gerao
de alguns poucos pares eltron-lacuna, fazendo com que
esse semicondutor puro tenha uma pequena
condutividade.
Nos condutores, o aumento da temperatura provoca um
movimento desordenado de eltrons, aumentando as
colises e, consequentemente, a resistncia do material.
J nos semicondutores ocorre totalmente o inverso. O
aumento da temperatura diminui a sua resistncia
devido ao aumento da gerao de pares eltron-lacuna.
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BIBLIOGRAFIA BSICA:
1. BOYLESTAD, Roberto L; NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrnicos e
Teoria de Circuito. Rio de Janeiro: Prentice-Hall do Brasil.
2. MALVINO, Albert Poul. Eletrnica, So Paulo: Mc Graw- Hill.
3. SEDRA, Adel S; SMITH, Kenneth. Microeletnica. So Paulo: Macron
Books.
BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTAR:
4. CRUZ, Eduardo Alves. Eletrnica aplicada, Erica, So Paulo, 2001.
5. REZENDE, Sergio M., Materiais e dispositivos eletrnicos, So Paulo:
Livraria da Fsica.
6. BOYLESTAD, Robet L. (Autor), Introduo anlise de circuitos, So
Paulo: Pretince Hall PTR
7. FOWLER, R. Fundamentos de Eletricidade Corrente Alternada e
Instrumentos de Medio. Porto Alegre: Srie Tekn Bookman, 2013.
Vol. II
8. SCHULER, C. Eletrnica II. 7.ed. Porto Alegre: Srie Tekn Bookman,
2013.
9. MALVINO, A. Eletrnica. 7.ed. Porto Alegre: Srie Tekn Bookman, 2012.
10. MALVINO, A. Eletrnica Vol. II. 7.ed. Porto Alegre: Bookman, 2008.

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