Seminrios Tcnicos 2003 Eletricistas e e Engenheiros Tcnicos Projetistas

Mdulo 6 ?? S Dimensionamento Proteo contra sobretenso de instalao de eltrica atmosfricas origem pela demanda e de para consumo raios

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Necessidade de proteo interna das estruturas
Assim como a NBR-5419:2001 estabelece um critrio para decidir sobre a necessidade de proteo externa de uma estrutura contra descargas atmosfricas, tm sido propostos vrios critrios para fazer o mesmo quando se trata de equipamentos ou aparelhos da tecnologia da informao instalados. Note-se que atualmente quase todas as residncias e escritrios tm esse tipo de equipamento. No Brasil, se uma estrutura necessita de proteo externa, devemos pelo menos proteger as entradas dos circuitos de fora e de telefonia, como previsto nas NBR.5419:2001 e NBR -5410:1997. Estas normas pedem a instalao de uma barra de equalizao dos potenciais (TAP ou LEP) nas entradas das instalaes; estas barras devem receber os fios PE (terra, fio verde, fio verde-amarelo) e a elas devem estar ligados os terminais terra dos protetores dos condutores de fora. Dessas barras devem sair conexes ao sub-sistema de aterramento da edificao (anel de aterramento ou aterramento pela fundao). A comisso que est fazendo a reviso da NBR-5410 tem um grupo de trabalho (GT-4) dedicado exclusivamente proteo e est sendo prevista uma reviso radical em relao norma atual. (NBR 5419:1997) 6.4.2.4.1 Em qualquer instalao deve ser previsto um terminal ou barra de aterramento principal e os seguintes condutores devem ser a ele ligados: a) condutor de aterramento; b) condutores de proteo principais; c) condutores de equipotencialidade principais; d) condutor neutro, se disponvel; e) barramento de equipotencialidade funcional (ver 6.4.8.5), se necessrio; f) condutores de equipotencialidade ligados a eletrodos de aterramento de outros sistemas (por exemplo, SPDA). NOTAS 1 O terminal de aterramento principal realiza a ligao equipotencial principal (ver 5.1.3.1.1). 2 Nas instalaes alimentadas diretamente por rede de distribuio pblica em baixa tenso, que utilizem o esquema TN, o condutor neutro deve ser ligado ao terminal ou barra de aterramento principal diretamente ou atravs de terminal ou barramento de aterramento local; 3 Nas instalaes alimentadas diretamente por rede de distribuio pblica em baixa tenso, que utilizem o esquema TT, devem ser previstos dois terminais ou barras de aterramento separados, ligados a eletrodos de aterramento eletricamente independentes, quando possvel, um para o aterramento do condutor neutro e o outro constituindo o terminal de aterramento principal propriamente dito. 4 Os condutores de equipotencialidade destinados ligao de eletrodos de aterramento de SPDA devem ser dimensionados segundo a NBR 5419.
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Em alguns pases, como a Frana, a concessionria obriga o consumidor a instalar pelo menos os protetores na entrada da instalao. Na Alemanha, as companhias de seguro que exigem essa proteo: se o usurio quiser fazer seguro de seus equipamentos, ter que fazer a proteo. Nos EUA, a ANSI recomenda um critrio baseado em medies e clculos das correntes e tenses em vrias partes (denominadas categorias) e na estimativa (at um certo ponto subjetiva) da exposio da estrutura e das linhas de alimentao de suas instalaes, s descargas atmosfricas. Na IEC foi proposto um projeto que leva em conta uma anlise dos riscos, que embora matematicamente correto, de trabalhosa aplicao. A coordenao da isolao So necessrias inicialmente algumas definies: Coordenao da isolao a classificao das caractersticas dos equipamentos eltricos, considerando as condies do microambiente e outros esforos importantes. Proteo dos circuitos de fora em Mdia Tenso Estes circuitos so normalmente protegidos por pra-raios de 12kV ou mais (dependendo da tenso da rede e do tipo de aterramento do neutro), 5kA ou 10 kA dependendo da maior ou menor exposio aos raios, e so do tipo vlvula com ou sem centelhador. Os pra-raios de mdia tenso deixam passar surtos de tenso da ordem de 40 a 50kV (quando so do tipo com centelhador e 30 a 40kV quando so do tipo de ZnO sem centelhador). Esses surtos passam, pela capacitncia parasita entre os enrolamentos do transformador, para o secundrio atingindo valores da ordem de 4 a 6kV. Os pra-raios polimricos so usados nas zonas urbanas para evitar os danos causados pela queda de cacos de porcelana e peas internas dos pra-raios sobre as pessoas ou objetos. Atualmente s so usados pra-raios sem centelhador, base de blocos de ZnO, com preferncia para os polimricos. Estes circuitos so normalmente protegidos por pra-raios de 12kV ou mais Proteo dos circuitos de fora em Baixa Tenso A proteo dos circuitos de Fora em BT deve ser executada num conjunto de eventos:

Esquema de aterramento adequadamente utilizado (item 4.2.2.2 Esquemas de aterramento, da NBR

5410:1997)

Equalizao dos Potenciais entre massas metlicas e aterramentos, Instalao de DPSs (item 6.3.5, da NBR 5410:1997)
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A designao dos aterramentos dos sistemas feita sempre por duas letras: A 1 indica como o neutro da fonte ligado terra: T (ligao direta a um eletrodo ou malha, ou I (isolado ou atravs de resistncia de alto valor)
a a

A 2 Representa a ligao das massas terra: T (ligao terra a um eletrodo que no o da fonte) N (ligao terra atravs do condutor Neutro)

Ento os aterramentos so assim denominados: TT, TN (TN-C, TN-S, TN-C-S), IT TT - A fonte aterrada em eletrodo na entrada e as massas so aterradas em outro eletrodo TN - A fonte aterrada em eletrodo na entrada e as massa so aterradas em um condutor que IT - A fonte no aterrada ou aterrada atravs de resistncia de alto valor 1500 500 .

ou malha de terra. aterrado tambm na entrada, junto com o Neutro.

Caracterstica do esquema TT:

1 2 3 N Carga

Possuem dois eletrodos (ou malhas) separados, com resistncias de aterramento de alguns Ohms (10-20); As correntes de curto circuito so relativamente baixas, da ordem de dezenas de ampres; Existe o risco de produzir tenses de toque elevadas (> 50 V , ou > 25 V) que podem levar ao choque fatal. Este sistema obrigatoriamente necessita de proteo atravs de dispositivo diferencial residual (DR). (NBR 5410:1997, item 5.1.3.1.5, b).

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Caractersticas do esquema TN e suas variaes: um esquema que por ter circuitos de corrente de falta com baixa impedncia, proporciona correntes de curto-circuito elevadas; Pode ter seu desligamento pelo DPCC: disjuntor ou fusvel; O comprimento do lao da corrente de curto-circuito tem limite mximo em funo da coordenao da proteo; A tenso de toque pode ser alta (corrente de falta x impedncia do lao de cc) Deve-se usar o DR nas reas frias.

Esquema de aterramento TN-C

1 2 3
PEN

O Esquema de Aterramento TN-S:

1 2 3
N PE

Carga

O Esquema de Aterramento TN-C-S:

1 2 3
PEN PE

Carga

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O esquema de aterramento IT Neste esquema a corrente de curto fase-terra muito pequena, portanto no h atuao do DPCC; Deve haver um controle da impedncia para terra com uso de DSI, Dispositivo Supervisor da Isolao. A tenso de toque muito pequena Em caso de falta terra (F T), a tenso das fases ss para terra passa ser a tenso de linha (F-F). por isso os DPSs devem ser dimensionado para a tenso F.F. As correntes de curto F-F so muito altas.

1 2 3 N

Carga

Os pulsos nos sistemas de fora EMP - pulso eletromagntico LEMP - EMPs gerados pelos raios SEMP - EMPs gerados pelas manobras nos circuitos NEMP - EMPs gerados por exploses nucleares

Pulsos eltricos ESD - pulsos gerados por descargas eletrostticas ou induo eletrosttica.

Tenso disruptiva a mxima tenso atingida antes do DPS comear a conduzir corrente (vlida para os DPS que tm gaps). Tenso residual a mxima tenso atingida depois do DPS comear a conduzir corrente (vlida para qualquer DPS). Nvel de proteo O maior dos dois valores acima. Corrente mxima de impulso Corrente que o DPS pode descarregar uma vez sem ser deteriorado ou destrudo.

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Corrente nominal de impulso Corrente que o DPS pode descarregar 15 vezes sem ser deteriorado. Corrente subseqente Corrente de freqncia industrial que passa pelo DPS, em seguida corrente de impulso. A durao desta corrente no mximo de ciclo para os DPS com centelhador e varistor de SiC (Carboneto de Cilcio) de poucos ms para os DPS de ZnO sem centelhador. Avalanche trmica Um varistor quando submetido a descargas elevadas ou a muitas descargas comea a conduzir uma corrente de fuga elevada o que aumenta sua temperatura e reduz sua resistncia. Isto causa um aumento da corrente de fuga e da temperatura chegando esta a valores to altos que pode causar a exploso ou queima do varistor com risco de incndio. Condicionamento e ciclo de servio Verificao do funcionamento em condies de operao com condies combinadas de tenso e corrente e verificao da extino da corrente subseqente. Origem dos surtos gerados pelos raios Induo eletrosttica e = p..h.E Onde: E - campo eltrico na altura da linha (kV/m) h - altura mdia da linha (m) - coeficiente dependente da forma de descarga da nuvem p - coeficiente dependente da existncia de condutor aterrado (neutro ou cabo de guarda) Ordem de grandeza dos surtos Causados por pulsos eletromagnticos (EMP) temos: 65 kV em Mdia tenso e 14 kV em Baixa Tenso Causados por pulsos eltricos (ESD) temos: 15kV em Baixa Tenso

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Causados por Induo eletromagntica Os surtos induzidos so causados por ondas eletromagnticas que se propagam pelo ar quando da ocorrncia de uma descarga atmosfrica. Se considerarmos uma linha de transmisso / distribuio, onde :

d
d = distncia ao plano vertical da linha

x = a distncia ao longo da linha do ponto em que se quer calcular a sobretenso A tenso induzida pode ser calculada por: V(x) = di/dt.o . h/8 . log d2/(d2 + x2) Onde: di/dt = a taxa de crescimento da corrente o = a permeabilidade do ar = 0,4 x 10-6 (.s/m) h = a altura mdia da linha (m) Em linhas de mdia tenso, V(x) da ordem de centenas de kV (at 400 kV) Em linhas de baixa tenso, V(x) da ordem de dezenas de kV (at 20 kV) Estes valores de V(x) podem ser reduzidos em 30% ou 40% se houver um condutor aterrado (cabo de guarda ou Neutro) posicionado acima ou abaixo da linha Descargas Diretas

u =
Onde:

1 Z + 2Zc

I - Valor de crista da corrente (valor mdio no Brasil - 45kA), valor mximo: 200kA Z - Impedncia do gerador equivalente (50 a 100) Zc - Impedncia caracterstica da linha (200 a 300) u tem valor tpico de 3 MV Para descarga diretas h uma reduo ao longo da linha, pois o pulso naturalmente dividido por 2. ( 50% da corrente para cada lado da mesma).

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Outros fatores atenuantes so o efeito corona, a descarga de contorno dos isoladores e a atuao dos DPS. Sendo assim podemos dizer que via de regra os pra raios de mdia tenso, so geralmente submetidos a tenses entre 100 e 150kV; esses pra-raios reduzem esta tenso para nveis da ordem de 30 a 40kV. Na baixa tenso, em funo da capacitncia primrio / secundrio do transformador, estas tenses sero reduzidas em 6 a 20 %, significando valores em torno de 6 a 8 kV. Contudo, se considerarmos as linhas BT numa rede de longa de distribuio rural, estas tenses podero ser da ordem de 20kV ou mais. Portanto deveremos considerar um NBI Nvel Bsico de Isolamento para as linhas BT conforme sua forma de instalao. Para linhas externas 25 a 50kV, para linhas internas 6 a 8kV. Devemos entender NBI como o impulso de tenso atmosfrico que o equipamento deve suportar quando novo (se for de material orgnico sua suportabilidade poder cair 20 a 25%) NBI para alguns componentes de um sistema eltricos em baixa tenso (BT): Fusveis: F-F: 8kV ; F-T: 6kV Medidores: 8kV (s vezes 6kV) Disjuntores F-F: 8kV; F-T: 6kV (caixa moldada) Cabo Tranado: 20kV

Valor e freqncia dos surtos na Baixa Tenso (BT) As estatsticas americanas e europias coincidem nos valores, mas no na quantidade por ano (nos EUA maior): 20kV (1 por ano) 10kV (9 por ano) 2kV (10 por ano)

Nas zonas rurais h predominncias dos pulsos eletromagnticos (LEMP); Nas zonas urbanas: temos podemos distribuir a incidncia dos pulsos da seguinte maneira : LEMP - 40%; SEMP - 60%. A Norma ANSI C62.41-1991 indica os valores esperados das tenses e correntes nos vrios trechos (categorias) da instalao. J a IEC 664-1980 fornece as tenses que os equipamentos devem suportar nas vrias categorias da instalao.

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Categorias das instalaes pela ANSI C64.41

Alimentao

Ento atravs de tabelas diagrama so fornecidos os valores de corrente e tenso esperados nas trs categorias, a forma de impulso de tenso e corrente e o Impulso de tenso para. Forma dos pulsos em suas respectivas origens: Atmosfrico: Manobra: 1,2 / 50 s 250 / 2500 s

Senoidal amortecido: 0,5 s, 100 kHz, atenuao 40%/ciclo (ring wave)

Forma dos Impulsos Produzidos por Gerador Combo (Hbrido)

I V I/ 2 8 20 m s V/ 50 m s Tenso: 1,2/50 ms 1,2

Corrente: 8/20 ms

Impulsos de corrente Os impulsos de correntes so usados para ensaiar os DPS. Atmosfrico: 8/20s, 4/10s, 10/350s Senoidal amortecido: 0,5 s, 100 kHz

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Ring wave - onda senoidal amortecida
f= 100kHz

D = 40%

0,5ms

(usada s pela ANSI)

Essa Norma considera que essa onda (ring wave) conseqncia do deslocamento da onda unidirecional pelas indutncias e pelas capacitncias parasitas dos condutores

Valores dos Parmetros das ondas pelas Normas Americanas

Onda Senoidal Amortecida Valores esperados nas vrias categorias e nos vrios nveis de exposio aos surtos atmosfricos e de manobra.

L o ca l A1 A2 A3 B1 B2 B3

E x p o si o T e n s o ( kV ) C o rre n t e ( kA ) I m p e d n cia ( o h m s) B aixa 2 0, 07 30 M d ia 4 0, 13 30 A lt a 6 0, 2 30 B aixa 2 0, 17 12 M d ia 4 0, 33 12 A lt a 6 0, 5 12

Valores dos parmetros dos surtos pelas normas americanas (Onda Combinada)

L o ca l B1 B2 B3 C1 C2 C3

E x p o si o T e n s o (kV ) C o rre n te (kA ) Im p e d n cia (o h m s) B aixa 2 1 2 M d ia 4 2 2 A lta 6 3 2 B aixa 6 3 2 M d ia 10 5 2 A LTA 20 10 2

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Valores esperados nas diversas categorias e nos diversos nveis de exposio ( Locais). Esses valores obtidos nas tabelas serviro para escolha dos DPS que devero reduzir as tenses que aparecerem a valores de no mximo (70 a 80%) dos suportveis pelos equipamentos. Na baixa tenso tambm usamos o termo tenso de grampeamento (clamping voltage) que a maior tenso que o DPS deixa passar, seja disruptivo, seja residual. As categorias das instalaes pela IEC 364-1 Categoria de sobretenso Valor numrico que especifica uma tenso suportvel de impulso. So especificadas pela IEC para as categorias I, II, III e IV (da instalao).

Alimentao

IV

III

II

Valores das tenses suportveis de impulso (NBI) So fornecidos em funo da tenso fase-Neutro (em V) Tenso suportvel de impulso o mximo valor do impulso de tenso de forma padronizada (1,2/50 s) que no leva perfurao da isolao nem a descarga disruptiva externa, sob condies determinadas (dependem do equipamento). Pela IEC os valores so apresentados a seguir: No sistema 380/220V as tenses suportveis de impulso so: I: 1,5 KV II: 2,5 kV III: 4 kV IV: 6 kV. No sistema 220/127 V so, respectivamente: I: 0,8 kV II: 1,5 kV III: 2,5 kV IV: 4 kV.

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( NBR 5410-1997) 5.4.3.1 A avaliao dos riscos provocados por sobretenses de origem atmosfrica deve levar em considerao: a) as caractersticas das alimentaes de alta e de baixa tenso e das linhas de sinal; b) as caractersticas de instalao que afetam a impedncia do condutor de aterramento; c) a sua exposio ao de descargas atmosfricas; d) as eventuais protees contra sobretenses existentes a montante; e) outros condutores metlicos que entram ou saem da edificao, em especial de torres de sinalizao e / ou de antenas; f) os nveis de tenso suportvel e da categoria dos equipamentos quanto s sobretenses, conforme tabela 23; g) o tipo de alimentao dos equipamentos (sensveis) monofsicos, se entre fase e neutro, ou entre duas fases; h) o aterramento dos circuitos de sinal dos equipamentos Tabela 23 - Nvel de tenso suportvel e da categoria dos equipamentos Nvel presumido de sobretenso transitria (kV) Categoria dos equipamentos Tenso nominal da instalao em corrente alternada (V) 120/240 ; 127/220 ; 220/380 I Equipamento especialmente protegido II Aparelhos eletrodomsticos e eletroprofissionais III Circuitos de distribuio e terminais IV Localizados na origem da instalao 6,0 1,5 2,5 1,5 0,8 Linhas eltricas de sinal -

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Uncontrolle
VOLTAG

IV: (6) 4kV See note 2 III: (4) 2,5kV Installation Category IV Installation Category III Fixed installation following installation category IV II: (2,5) 1,5kV I: (1,5) 0,8kV Installation Category II Installation Category I

Primary supply level. Overhead lines and cable systems including distribution bus and its associated overcurrent protection equipment

Appliances, portable equipment Special equipment or etc following parts equipment installation category following installation III category II telecomunication electronic, etc

Se os equipamentos e/ou aparelhos no forem capazes de suportar os valores esperados, devero ser instalados DPS que reduzam as tenses a 70-80% dos valores suportveis pelos equipamentos. Os DPS so escolhidos de acordo com a corrente na curva (8/20s) que so capazes de descarregar e com a queda de tenso produzida por essa corrente. fixado o nmero de vezes que o DPS deve descarregar; 15 vezes.

Os modos das sobretenses Modo comum

i/3

Modo Diferencial

i i u
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Escolha dos protetores dos circuitos de fora em BT - Recomendaes bsicas Uma vez decidido que se deva fazer a proteo dos circuitos secundrios, a escolha das caractersticas nominais dos vrios dispositivos disposio deve ser feita de acordo com o grau de exposio da instalao, com o nvel cerunico, com a posio do componente no circuito e com a suportabilidade do equipamento que se deseja proteger. (NBR 5410:1991) 5.4.3.2 Em instalaes alimentadas por rede de distribuio em baixa tenso, situadas em zonas expostas a raios (AQ2 e AQ3 conforme 4.3.1.11), se necessrio, devem ser instalados, na origem da instalao, dispositivos adequados de proteo contra sobretenses do tipo no curto-circuitante, tais como pra-raios de resistncia no linear de baixa tenso (pra-raios secundrios).

Tabela 11 Raios (Inserida Parcialmente) Cdigo AQ2 Classificao Indiretos Caractersticas Riscos provenientes da Aplicaes e exemplos Instalaes alimentadas por linhas areas Partes da instalao situadas no exterior das edificaes

rede de alimentao AQ3 Diretos Riscos provenientes da exposio dos equipamentos

5.4.3.3 Nos casos de serem as linhas eltricas de sinal constitudas por condutores metlicos, devem ser instalados dispositivos de proteo contra sobretenses, do tipo curto-circuitante, tais como centelhadores, no Ponto de Terminao da Rede - (PTR). NOTA - Quando os cabos de sinal forem providos de proteo metlica, estas devem ser aterradas. A grosso modo poderamos generalizar a instalao dos DPS da seguinte forma: Na sada dos transformadores ou nos quadros de entrada (QGBT) so recomendados pra-raios de 40 ou 50 kA (ou mesmo mais) que pela IEC so designados pra-raios de corrente. Para os quadros de distribuio afastados do QGBT de cerca de 15 m so recomendados protetores de 15kA (mnimo de 10 kA) e junto s cargas mais sensveis so especificados supressores de surto de 2 a 4 kA. possvel introduzir uma indutncia no circuito para substituir o comprimento do cabo, se no houver a citada distncia de 15m (mnimo de 10m).

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Nota: As correntes indicadas so as mximas (para uma operao) dos varistores; a nominal a corrente que ele dever suportar suportar por 15 vezes; costuma-se escolher junto ao equipamento a corrente que ele capaz de escoar um nmero elevado de vezes ( 20 ou mais vezes, em qualquer caso, no mnimo 15 vezes). Os valores recomendados correspondem classificao ANSI C3 (no mnimo C2) para as entradas das instalaes de baixa tenso, B3 para os quadros de distribuio e A3 para as tomadas dos ETI. (NBR 5410:1997) 6.3.5 Dispositivos de proteo contra sobretenses 6.3.5.1 Se, pela avaliao de 5.4, for necessria a instalao de proteo contra sobretenso, a sua seleo deve respeitar os seguintes critrios: a) quando utilizada a proteo em cascata, deve ser efetuada a coordenao adequada, entre os vrios estgios, da tenso nominal e da corrente de descarga dos dispositivos de proteo contra sobretenses em geral, desde a origem da instalao at aos equipamentos a serem protegidos; NOTA - Quando necessrio podem ser instalados filtros ou impedncias para efeito de coordenao de tenso e corrente entre os estgios. b) quando as caractersticas dos equipamentos o exigirem, devem ser instalados tambm dispositivos de proteo contra sobretenses apropriados, tais como supressores entre as linhas; c) a tenso nominal (ou mxima tenso de operao em servio contnuo), dos dispositivos de proteo contra sobretenses bem como tenso residual dos de tipo no curto-circuitante, devem ser superiores mxima tenso entre a terra da instalao, e os condutores de fase, ou de sinal; d) no caso de dispositivos de proteo contra sobretenses cujas caractersticas no impeam a sua exploso, princpio de incndio ou outros efeitos danosos, deve ser prevista a proteo do dispositivo contra sobrecorrentes e/ou sobreaquecimento; e) os dispositivos de proteo contra sobretenses devem ser de tipo no curto-circuitante para proteger o sistema de energia; NOTA - Excepcionalmente podem ser utilizados dispositivos do tipo curto-circuitante desde que haja proteo contra sobrecorrente devidamente coordenada. f) para os sistemas de sinal, os dispositivos de proteo contra sobretenses devem ser do tipo curtocircuitante, quando externos ao equipamento. NOTA Para reduzir as impedncias das ligaes dos dispositivos de proteo contra sobretenses as linhas devem estar o mais prximo possvel do terminal de aterramento.

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6.3.5.2 Os dispositivos de proteo contra sobretenses devem ser instalados na origem da instalao. Devem ser ligados: a) no esquema TN, entre cada condutor fase e o terminal de aterramento principal; b) no esquema TT, entre cada condutor ativo (fases e neutro) e o terminal de aterramento principal; c) no esquema IT, admitindo o neutro no distribudo, entre cada condutor fase e o terminal de aterramento principal. NOTAS 1 No caso de instalaes alimentadas por rede de distribuio em baixa tenso, admite-se ligar os dispositivos de proteo contra sobretenses entre cada condutor fase, inclusive o condutor PEN (esquema TN), ou entre cada condutor ativo (esquema TT), e um terminal de aterramento local ligado ao eletrodo de aterramento da origem da instalao distinto do da edificao, quando ligado ao terminal de aterramento principal da edificao. 2 No aconselhvel, em princpio, prever equipamentos de tecnologia da informao (ver 6.4.8) em instalaes com esquema TT ou IT. 3 Os dispositivos de proteo contra sobretenses devem ser instalados a jusante do dispositivo de seccionamento, mas a montante do dispositivo DR. 4 Na eventualidade de serem os dispositivos de proteo contra sobretenses instalados a jusante de um dispositivo DR, este dispositivo dever ser tipo S. 6.3.5.3 Se necessrio, os dispositivos de proteo contra sobretenses suplementares podem ser instalados, ao longo da instalao e principalmente junto ao equipamento a ser protegido, ligados entre o condutor PE e os condutores das linhas vindas do exterior da edificao, tanto de energia, como de sinal, se metlicas. NOTA - Os dispositivos de proteo contra sobretenses suplementares, devem ser ligados entre cada fase e neutro e entre neutro e condutor de proteo, e/ou entre cada fase e o condutor de proteo e entre o neutro e o condutor de proteo. 6.3.5.4 Um nico conjunto de dispositivo de proteo contra sobretenses instalado na origem da

instalao pode proteger vrios circuitos a jusante. NOTAS 1 Para sistemas de baixa tenso de 60 Hz com at 127 V nominal terra, devem utilizar-se dos dispositivos de proteo contra sobretenses do tipo no curto-circuitante, como pra-raios secundrios, com tenso contnua/nominal 175 V, tenses de referncia/proteo e residual com valor mximo de crista de 700V, e corrente nominal de 10 kA (ou 20 kA nas reas crticas).

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2 Para sistemas de baixa tenso de 60 Hz com at 220 V nominal terra, devem utilizar-se dispositivos de proteo contra sobretenses de tipo no curto-circuitante, como pra-raios secundrios, com tenso contnua/nominal 280 V, tenses de referncia/proteo e residual com valor mximo de crista de 700 V , com corrente nominal 10 kA (ou 20 kA nas reas crticas). 3 Para linhas eltricas de sinal, devem utilizar-se dispositivos de proteo de tipo curto-circuitante, como centelhador (recomenda-se o tipo tripolar / balanceado), com tenso disruptiva entre 300V e 500 V , em corrente contnua, e capacidade mnima de corrente de 10 kA (ou 20 kA nas reas crticas), com onda de 8/20 s, e corrente mnima de 10 A (ou 20 A nas reas crticas) sob 60 Hz por 1 s. Para equipamentos com circuito de sinal aterrado pode ser utilizado centelhador bipolar ou tripolar / balanceado com tenso disruptiva entre 200V e 500 V, em corrente contnua, com ou sem os protetores de sobrecorrentes de 150 mA nominal, integrados. Nos condutores contidos num cabo com blindagem aterrada podem ser utilizados centelhador de 5 kA. 6.3.5.6 Quando a distncia entre a origem da instalao e o quadro de entrada da edificao ultrapassar 10 m, e a origem estiver fora da zona de influncia da ligao equipotencial principal da edificao, a entrada da edificao deve ser considerada como origem efetiva da instalao. Portanto, todas as consideraes referidas no seguimento devem ser a efetuadas, sem entretanto deixar de as executar tambm na origem formal da instalao, como um sistema independente. NOTA - A interligao entre o terminal de aterramento da origem da instalao e o terminal de aterramento principal deve ser realizada pelo condutor PEN. 6.3.5.7 O condutor de terra de proteo PE deve ser instalado junto com os condutores de energia correspondentes, at aos pontos servidos, porm, para instalaes extensas, o PE deve ser multi-aterrado localmente s armaes estruturais. 6.3.5.8 O condutor de proteo PE deve ser utilizado como a referncia de potencial para aterramento dos equipamentos e dos supressores de sobretenso locais, tanto para a instalao de energia como de sinal. NOTA - Todas as ligaes de aterramento, (incluindo as dos dispositivos de proteo contra sobretenses) referentes a cada equipamento, devem ser to curtas e retilneas quanto possvel e convergir num mesmo ponto do PE. 6.3.5.9 Quando vivel, prefervel utilizar equipamentos de tecnologia da informao alimentados entre fases, em vez de entre fase e neutro. Neste caso os dispositivos de proteo contra de sobretenses do tipo no curto-circuitante, se necessrios, devem ser ligados entre cada fase e o condutor PE, ou entre cada fase e o terminal "terra" do equipamento.

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6.3.5.10 Quando os equipamentos de tecnologia da informao so alimentados entre fase e neutro, os dispositivos de proteo contra sobretenses, se necessrios, devem ser do tipo supressores de sobretenso e ligados entre fase e neutro e entre o neutro e o condutor PE, ou entre o neutro e o terminal de "terra", do equipamento. 6.3.5.11 Os dispositivos destinados proteo contra sobretenses provenientes dos condutores mencionados em 5.4.3.1 e) devem ser instalados no ponto de entrada ou de sada (dos condutores) da edificao. O terminal "terra" dos dispositivos deve ser ligado a um terminal de aterramento prximo, interligado a uma armadura de ao local da edificao, com o traado mais curto e retilneo possvel, diretamente ou atravs de um condutor de proteo.

6.3.5.14 Em uma instalao com edificaes separadas, devem ser aplicadas as prescries anteriores a cada edificao. NOTA Quando existirem cabos de sinal interligando edificaes os terminais de aterramento principal, ou terminais de aterramento prximo ligados s armaduras de ao local da edificao, devem ser interligados com condutores de eqipotencialidade (cabo guarda) adequados que acompanhem o traado dos cabos de sinal.

Constituio dos DPS Os DPS podem ser constitudos por: um centelhador independente um varistor independente uma associao centelhador em srie com varistor associao centelhador/varistor em paralelo + fusvel

Centelhador Corta um pulso de tenso reduzindo muito rapidamente a tenso

Tenso disruptiva

Ao valor do pico que o centelhador deixa passar denominado tenso disruptiva.

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Varistor: reduz a uma onda de tenso de forma contnua:

O valor mximo remanescente denominado tenso residual. Um DPS composto por centelhador + varistor possui as duas caractersticas:

Com o DPS energizado surge uma corrente para terra denominada Corrente Subsequente que tem os seguintes aspectos:

Centelhador + varistor de Sic

Centelhador + varistor de ZnO

Portanto, um dispositivo de proteo contra sobretenses deve reduzir a sobretenso em uma linha energizada sem causar interrupo do fluxo de corrente. Dispomos dos seguintes tipos de componentes para, em associao ou no, construirmos um DPS: centelhador a gs centelhador a ar varistor de ZnO varistor de Sic pra-raios de expulso pra-raios com centelhador

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Centelhador a gs Este componente tem como vantagens: Capacidade de descarga elevada 5, 10, 20 ou mais kA Capacitncia muito baixa, pode ser usado em AF

E como desvantagens: No pode ser usado em freqncia industrial com V > 110V

Seus valores nominais so: In Vn mxima corrente que suporta em 15 atuaes tenso disruptiva em corrente contnua

Tipos:

Bipolares

Tripolares

Varistor de ZnO

Smbolo

ou

Tem como vantagens: Corrente de fuga baixa Interrompe a corrente subsequente em 2ms

Tem como desvantagens : Envelhece de acordo com as solicitaes recebidas No pode ser usado em Altas Frequncias (acima de 1MHz)

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Tem como caractersticas nominais: VMx - Tenso mxima de operao contnua IMx - Mxima corrente da forma 8/20s que pode descarregar 1 vez Inom - Mxima corrente da forma 8/20s que pode descarregar 15 vezes. Diodo para Surto (TAZ ou back to back)) Tem como vantagens: Atuao rpida Limita a tenso a 10% acima da nominal Capacitncia muito baixa Pode ser ligado em srie e em paralelo

Tem como desvantagem: Baixa capacidade de dissipao de energia (basicamente 1500W)

Classificao dos DPS (depende ainda de aprovao na IEC e ABNT), a VDE admite utilizao, e a base para a EN (europia). Classe A Pra-raios instalados em linhas areas onde eles no podem ser tocados; so testados com correntes da forma 8/20s. Classe B Pra-raios instalados com a finalidade de equalizar potenciais e controlar descargas diretas de raios; so testados com correntes da forma 10/350s. So instalados na entrada da instalao onde so esperadas correntes muito elevadas. Classe C Instalados com o propsito de proteo contra surtos na rea de distribuio. As tenses residuais precisam ser seguramente controladas. Testados com correntes 8/20s. Classe D Instalados para proteger contra surtos nas tomadas ou antes dos terminais. Testados com gerador hbrido (Z = 2) Pela VDE a diviso em classes: A- para linhas areas B-na entrada e para equalizao dos potenciais C- na distribuio (quadros) D- nas tomadas e antes dos terminais
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s
Requisitos para as classes Classe A

1 Ponta fusvel 2 Fita fusvel 3 Indicador 4 Disco de SiC 5 Centelhador

Caractersticas: Sem proteo contra contatos diretos Projetado para correntes induzidas, da forma 8/20s Capacidade de descarga: 5 kA, 8/20s O condicionamento: ensaios preliminares O ciclo de servio: sob a tenso nominal em 60Hz deve, sem envelhecer, descarregar a corrente nominal 15 vezes. CLASSE B Caractersticas: Instalado na entrada , (Categoria IV), junto ao TAP da edificao Possui proteo contra contatos diretos Projetado para correntes de raios diretos - forma 10/350s Interface ZPR 0Aou 0b/ZPR1. Valor mximo da corrente: 100kA (nvel 1) Tenso disruptiva/residual: 4 a 6 kV (mx.) Encapsulado / no encapsulado (em funo da liberao de gases)

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Avaliao da corrente conduzida pela DPS Classe B Nvel I

I = 200 kA,10/350 ms

50% Sai pelas linhas de

DPS Classe B: I = 33,3 kA, 10/350 ms

50% para o

O envelhecimento A proteo feita por sensores tipo PTC que comandam o desligamento do DPS por um disjuntor. Como isto deixa o equipamento sem proteo, alguns fabricantes oferecem DPS com reserva: cada varistor tem um outro em paralelo. Quando um deles falha (aquele que comea a conduzir primeiro), ele desligado e o outro passa a oferecer a proteo. Esta operao sinalizada para que o usurio troque o elemento deteriorado. Os locais com caractersticas mais severas, que possuam SPDA (sistema de proteo contra descargas atmosfricas), e/ou onde as edificaes forem extensas tanto vertical quanto horizontalmente, devem ser divididos em zonas de proteo considerando as sees 5.4, 6.3.5.1 e 6.3.5.3. Devem ser levadas em considerao as coordenaes adequadas de tenso, corrente e energia (ver IEC 61312-1, IEC 61312-3, IEC 61643-11 e IEC 61643-21), bem como as informaes tcnicas dos fabricantes dos DPSs instalados ao longo da instalao, para que estes no sofram degradao prematura. Conforme o caso, na categoria IV do sistema eltrico de energia, quando for considerada a possibilidade de descarga direta e a instalao for desprovida de blindagem, condutor PEN ou outros condutores metlicos aterrados externos a propriedade, malha de aterramento nica, condutor PEN no aterrado no TAP (esquema TT), recomenda-se utilizar DPSs mais robustos que atendam os testes IEC 61634-11, para classe I da corrente nominal de descarga (In), e da corrente mxima de impulso (Iimp), que representa a curva 10/350 s.

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A despeito da aplicao correta da coordenao, podero ocorrer danos no equipamento terminal, quando o DPS no for instalado no equipamento, ou prximo a esse. Portanto, deve ser considerada a existncia ou no da proteo integrada do equipamento terminal ( ver 4.3.1.10 e 6.1.3.2), conforme as informaes do fabricante. Impulso de corrente para DPS da Classe B Impulso da forma 10/350 s (forma de onda do 1 raio)
o

I/2

10

350

Aplic

ao: transio da ZPR0A / ZPR1, ou na equalizao no TAP da entrada da instalao Zonas de proteo contra raios (ZPR)

ZPR0A ZPR1 ZPR2 (100s kV) ZPR0B ZPR3 (10s V)

(106kV (10s V) (100s V) ZPR0B ET ETI I

D C B A

TAP

Modos de falha e proteo O funcionamento do DPS baseado em varistores sofre envelhecimento do componente do dispositivo de desligamento pela temperatura superficial, na proporo em que sua atuao seja exigida.

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DPS s com centelhadores podem entrar em curto circuito, dependendo da intensidade da corrente e do tempo pelo que ela circular pelo dispositivo, deixando o condutor em curto-circuito com o aterramento. A soluo instalar-se um DPCC (fusvel ou disjuntor), como mostrado abaixo: Posio do DPCC Se instalado na linha de alimentao e antes do DPS causa o inconveniente de: ao atuar desligar toda a instalao Se instalado na derivao para o DPS causa o inconveniente de: ao atuar deixar a carga sem proteo para a prxima sobretenso, at a substituio do DPS. Cabe ao projetista, definir a melhor situao que se aplica em cada caso:

Carga Posies alternativas para o DP

Aplicaes de dps nos vrios esquemas de aterramento (T-T; TN-C; TN-S; TN-C-S; IT). DPS NO SISTEMA TT
DPS DPS CLASSE CLASSE L D D
N

I
W KWh

TAP

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Proteo com 3 dps + gap - classe b (1) em Sistema T-T

F1 F2 F3 N F4 DPS Classe B F5 F6 250 A gL/gG

L1 L2 L3 PE

Os fusveis F4 a F6 S sero necessrios Se os fusveis F1 a F3 Forem maiores que 250 A gL/gG

Aplicao de DPS no Sistema TN-C-S

II
KW

DPS DPS CLASSE CLASSL D

KWh
S

E D

PEN TAP

PE

PE

DPS CLASSE B

DPS CLASSE C

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Proteo com 3 DPS, classe b -1- em Sistema TN-C
F1 F2 F3 L1 L2 L3 PEN 250 A gL/gG F4 DPS Classe B F5 F6 Os fusveis F4 a F6 s sero necessrios se os fusveis F1 a F3 forem maiores que 250 A gL/gG TAP

Proteo contra surtos com DPS classe c - 1 - em Sistema TN-C

F1 F2 F3 L1 L2 L3 PEN F4 DPS Classe C F5 F6 125 A gL/gG Os fusveis F4 a F6 s sero necessrios se os fusveis F1 a F3 forem maiores que 125 A gL/gG TAP

Proteo contra surtos com DPS classe c - 3 - em Sistema TN-C

F1 F2 F3 L1 L2 L3 PEN F4 DPS Classe C F5 F6 Os fusveis F4 a F6 s sero necessrios se os fusveis F1 a F3 forem maiores que 100 A gL/gG

tripolar

TAP

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s
Aplicao de DPS no Sistema TN-S Condies iniciais para uma adequada proteo interna: As barras de Neutro (N) e proteo (PE ou T) devem estar interligadas e aterradas na origem da instalao, atravs de um TAP. O Terminal de Aterramento Principal (TAP ou LEP) alm de estar ligado s barras de N e PE deve estar ligado a toda tubulao metlica que entre na edificao e ao aterramento geral do edifcio. barra PE sero ligadas as massas dos equipamentos; os terminais terra dos protetores devem ser ligados s massas dos equipamentos. Os condutores neutro sero ligados barra de neutro.

II
KW

KWh
S

DPS DPS CLASSE L CLASS D E N D N

PEN TAP

PE

DPS CLASSE B

DPS CLASSE C

Proteo com 4 DPS classe b (1) em Sistema TN-S

F1 F2 F3 L1 L2 L3 N PE 250 A gL/gG F4 DPS Classe B F5 F6 Os fusveis F4 a F6 s sero necessrios se os fusveis F1 a F3 forem maiores que 250 A gL/gG TAP

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Proteo contra surtos com DPS classe c (1) em Sistema IT Neutro no distribudo, como pede aNBR 5410
F1 F2 F3 L1 L2 L3 PE 63 A gL/gG DPS Classe C F4 F5 F6 Os fusveis F4 a F6 s sero necessrios se os fusveis F1 a F3 forem maiores que 63 A gL/gG

Todas as medidas para proteo pessoal devem ter prioridade sobre outras medidas de proteo. Portanto : Os dispositivos de proteo contra sobrecorrentes(fusveis e disjuntores), os DRs, os dispositivos de monitorao da isolao e os dispositivos de proteo contra falta de devidamente coordenados com os DPS. importante salientar que os DR devem suportar impulso de corrente para no serem danificados e devem ser instalados aps os DPS para no deixarem de atuar nos casos em que houver falha simultnea do equipamento ou instalao e de um DPS. (NBR 5410:1997, item 6.3.5.2, nota 3) tenso, sempre devem estar

Posicionamento do DR em relao aos DPS no esquema de aterramento TN-S. Neste caso o DR pode atuar indevidamente, pois suporta impulsos de corrente de 250 A ou se for classe S, 3 kA..
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J para DPS e Equipamento defeituosos a jusante do DR, podemos afirmar que o DR no atuar corretamente, pois influenciado tambm pela corrente de retorno que passa pelo DPS defeituoso.

DR

L L L N

DPS

ETI
PE

Portanto a nica forma correta de instalao do DPS a montante do DR. Neste caso o DR fica entre o DPS defeituoso e o equipamento. Como o equipamento estar a jusante do DR, em caso de defeito este atuar sem problemas (dentro do nivel de suportabilidade de impulso j apresentado).
L1 L2 DR L3 N

DPS

ETI
PE

Necessidade da proteo interna - Anlise de Risco Atualmente a reviso da NBR 5410 em seu item 5.4 prope uma anlise de risco para definio da necessidade ou no da instalao dos DPS. Enquanto este mtodo no aprovado vale o item 5.4.3.1.da verso atual (1997)

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A Proposta de Rousseau A seguir apresentamos uma proposta apresentada por Alain Rousseau na Frana, baseada em vrios parmetros de maneira anloga adotada para a proteo externa: Coeficiente A: Sensibilidade ou suportabilidade do equipamento a ser protegido Alta Baixa Desconhecida ( > 2,5 kV) ( 1,5 kV) ( 1,5 kV) A=1 A=3 A=3

Coeficiente B: Custo do equipamento Baixo (USD < 2000) Mdio (2000 custo < 20000 USD) Alto ( 20000 USD) B=1 B=2 B=3

Coeficiente C: no disponibilidade do equipamento por um certo tempo Aceitvel Inaceitvel C=1 C=3

Coeficiente E: Comprimento L (em km) linha de mdia tenso L conhecido L desconhecido E = 10xL E=5

Coeficiente F: Posio do local (instalao e linhas areas) Isolado ou em crista de morro Plano com poucos edifcios em torno Local cercado por outra estrutura de mesma altura ou maior Desconhecido (adotar valor mdio) Redes (BT e MT) subterrneas e blindadas (dentro de tubulao metlica) F=0 F = 0,5 F=1 F = 1,5 F=1

Coeficiente G: Proximidade de SPDA ou estrutura mais alta (10 a 20m) Sim No Desconhecida G=2 G=0 G=1

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Clculo de risco O risco considerado igual a Ro quando parte das linhas de BT e MT for area e igual a Ru quando a rde totalmente subterrnea. Ro = A.B.C.D [F ( 8E + 20)] Ru = A.B.C.D.G

A proteo no ser necessria se: Ro 100 ou Ru 20 (verificar a existncia de surtos de manobra)

A proteo ser necessria se: 100 < Ro 1.000 ou 20 < Ru 40

A proteo ser especialmente necessria se: Ro > 1000 ou Ru > 40

Clculo da corrente Imx. do dispositivo de proteo (DPS) Calcular inicialmente RI = [ 0,25 F(1+E) + G] e escolher Imx de acordo com as relaes: Imx 15 kA se RI 6 Imx Imx 30 kA se 6 < RI 9 60 kA se 9 < RI 10

Nota: A corrente Imx a corrente que o DPS pode suportar uma nica vez e o parmetro normalmente utilizado no Brasil. A IEC passou a utilizar a Inom que a corrente que o DPS suporta 15 vezes, o que dever ser adotado tambm no Brasil, pela nova NBR-5410 / 2002 ( a ser editada). Proteo dos circuitos de telefonia recomendado usar transformadores de isolao com blindagem (chapa de cobre ou alumnio) entre os enrolamentos, para as fontes de alimentao das centrais telefnicas e de modo geral para os ETIs. Na entrada da instalao de telefonia deve haver um TAT (terminal de aterramento de telecomunicaes) aonde devem estar ligados blindagem do cabo telefnico, os terras dos protetores instalados no DG (Distribuidor Geral), e as estruturas dos quadros, painis, leitos e demais componentes metlicos dos equipamentos de telefonia. Este TAT dever estar ligado ao TAP por um condutor curto de baixa impedncia e no ligado diretamente ao anel de aterramento. Somente o TAP ser ligado ao aterramento geral do prdio (anel ou ferragem da fundao).

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6.3.5.5 Os condutores de energia e de sinal, que entram na edificao, devem convergir, sempre que possvel, para um mesmo ponto. A partir deste ponto, as linhas de energia e de sinal devem seguir, sempre que possvel, traados prximos, paralelos, em condutos separados. No caso de equipamentos de tecnologia da informao (ver 6.4.8), recomendvel que quaisquer condutos fechados sejam de material ferromagntico, aterrados e com continuidade eltrica assegurada. 6.3.5.12 As protees metlicas dos cabos de sinal vindos do exterior da edificao devem ser interligadas, podendo, em casos especficos como ocorrncia de rudo excessivo na linha e/ou controle de corroso eletroltica, a interligao ser efetuada atravs de dispositivos de proteo contra de sobretenses de tipo curto-circuitante (centelhadores): a) na origem da instalao, ao terminal de aterramento principal; b) no caso mencionado em 5.4.3.1 e) ao terminal de aterramento prximo ligado s armaduras de ao local da edificao. NOTAS 1 Pode ser aplicado o mesmo procedimento contra rudos nas interligaes internas e externas da edificao, apenas numa das extremidades dos cabos. 2 Para as protees metlicas dos cabos de sinal, devem ser utilizados dispositivos de proteo do tipo curto-circuitante, como centelhador, com tenso disruptiva entre 200V e 300 V, em corrente contnua, e capacidade mnima de corrente de 10 kA (20 kA, nas reas crticas) com onda de 8/20 s e corrente mnima de 10 A (ou 20 A nas reas crticas) sob 60 Hz por 1 s. 6.3.5.13 Os equipamentos de sinal com circuito de baixa impedncia para a terra, devem ser providos, alm de dispositivos de proteo contra sobretenses na origem da instalao, tambm de limitadores de sobrecorrente adequados aos equipamentos, os quais podem estar instalados na origem da instalao ou se constituir em parte integrante deste equipamento. As centrais telefnicas eletrnicas tm uma suportabilidade muito mais baixa aos surtos que as antigas centrais eletro-mecnicas. Embora diversas TELES do Brasil tenham especificado que os fabricantes das centrais devam proteg-las internamente de modo que elas suportem 1kV na entrada isto no tem sido satisfeito. Por esse motivo no se pode usar para proteg-las os tradicionais mdulos que contm somente centelhadores a gs ou estes com bobinas trmicas, os quais reduzem os surtos a valores da ordem a 800V ou mais. Para este tipo de central essencial usar protetores hbridos com um centelhador e um varistor ou varistor e diodo de surto (estes com nomes comerciais como Transzorb ou TAZ ou ainda Tranzil) ou ainda um Tiristor. Os mdulos MPH 160 (mdulo de proteo hbrido) satisfazem s condies de proteo das centrais eletrnicas, assim como tambm outros totalmente do estado slido. A corrente nominal deve estar entre 10 e 15 kA e a tenso residual, inferior a 400V.

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s
Os mdulos devem ser instalados no DG, nos troncos e nos ramais que saiam para fora do prdio da central. Quando as linhas de pares telefnicos forem para outros prdios deve-se usar fibras ticas ( a melhor soluo) ou interligar os aterramentos dos prdios com ligaes de impedncia muito baixa (tubos de 6 a 8 , fitas de 30cm de largura, vigas generosas ) e instalar protetores anlogos nas entradas dos prdios e/ou junto aos aparelhos, com os terminais terra ligados ao TAP ou ao condutor PE mais prximo, no prdio. Quando o nmero de ramais for grande, instalar um DG com os protetores vistos acima. Protetores das linhas de dados Para as linhas de dados a filosofia a mesma: usam-se protetores hbridos mas aqui, com trs componentes, a saber: um centelhador para descarregar a maior parte da energia do surto, um varistor para abaixar a tenso que o centelhador deixou passar e um diodo de surto para dar a proteo fina. Como os componentes da tecnologia da informao trabalham com tenses baixas (5 a 25Volts) conseguese um nvel muito bom de proteo fina (cerca de 10 % acima da tenso de operao).

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