REATOR ELETRNICO DE BAIXO CUSTO E ALTO FATOR DE POTNCIA

Ricardo de Oliveira Brioschi, Marcelo Malini Lamego e Jos Luiz Freitas Vieira
Departamento de Engenharia Eltrica Caixa Postal: 01-9011 - Vitria - Esprito Santo - Brasil - CEP: 29060-970 Telefone: (55-27) 3352699 Fax: (55-27) 3352650 E-mail: [email protected]

Resumo: Este artigo apresenta um reator eletrnico de baixo custo e alto fator de potncia projetado para acionar duas lmpadas fluorescentes conectadas em srie. O baixo custo alcanado pela utilizao de um nico estgio de processamento de potncia e pelo emprego da tcnica autooscilante que utiliza o prprio indutor ressonante para a gerao dos sinais de comando das chaves semicondutoras. Este reator composto por um conversor boost operando no modo descontnuo, o qual proporciona alto fator de potncia para a rede de alimentao. As lmpadas fluorescente so acionadas por uma forma de onda de corrente senoidal no modulada de alta freqncia, a qual gerada por um circuito ressonante LC paralelo. Este reator eletrnico opera acima da freqncia de ressonncia para proporcionar comutao sob tenso nula, o que aumenta o seu rendimento. Os resultados experimentais so apresentados para duas lmpadas fluorescentes de 40W conectadas em srie operando em 40kHz. O reator eletrnico alimentado a partir da rede de 127V +/- 10% e 60Hz. Os resultados experimentais confirmam o elevado rendimento e o alto fator de potncia deste reator eletrnico. Abstract: This paper presents a low cost high power factor electronic ballast designed to drive two series connected fluorescent lamps. The low cost is achieved due to a single power processing stage based on a self-oscillating technique, which employs the resonant inductor to generate the drive signals. A boost converter operating in discontinuous conduction mode provides high power factor to the utility line. A self-oscillating LC parallel resonant converter yields a high frequency unmodulated sine wave current to drive the fluorescent lamps. This electronic ballast operates above the resonant frequency to perform zero voltage switching, which increases the efficiency. Experimental results have been obtained for two series connected 40W fluorescent lamps operating at 40kHz switching frequency from 127V +/- 10%, 60Hz utility line. These results confirm that the proposed electronic ballast presents high power factor and high efficiency.
Artigo submetido em 29/10/97 1a. Reviso em 26/02/98; 2a. Reviso em 02/06/98 Aceito sob recomendao do Ed. Cons. Prof.Dr. Edson Watanabe

INTRODUO

A lmpada fluorescente tem se tornado uma importante fonte de iluminao artificial devido ao seu grande tempo de vida til e sua alta eficcia, quando comparada com as lmpadas incandescentes. Entretanto, estas lmpadas apresentam caractersticas de impedncia negativa, o que requer dispositivos que atuem limitando a sua corrente, para evitar a sua destruio por corrente excessiva. Alm disto, tais lmpadas requerem elevadas tenses para sua ignio. Estes problemas tm sido resolvido pela utilizao de um reator magntico. Apesar de seu baixo custo, estes reatores apresentam grande peso e volume, baixo fator de potncia e efeito denominado de flickering (Hammer e McGowan, 1985; Kazimierkczuk e Szaraniec, 1993; Nho et alii, 1991; Laskai e Pitel, 1995; Mahmoud, 1989; Wood, 1989). Quando as lmpadas fluorescentes so acionadas em altas freqncias sua eficcia luminosa aumenta, o rudo audvel e o flickering so eliminados (Hammer e McGowan, 1985; Kazimierkczuk e Szaraniec, 1993; Mahmoud, 1989; Wood, 1989). Entretanto, isto requer o uso de um reator eletrnico para acionar as lmpadas. Com o objetivo de obter um reator eletrnico de alto fator de potncia de baixo custo, um nico estgio de processamento de potncia tem sido utilizado (Hiramatsu et alii, 1992; Shimizu et alii, 1997; Vieira et alii, 1995; C et alii, 1996; Deng e Cuk, 1994; Takahashi, 1990; Laskai et alii, 1994; Licitra et alii, 1991; Deng e Cuk, 1995; Blanco et alii, 1996; Chen et alii, 1996; Wood, 1994, Alves et alii, 1996). Este artigo apresenta um reator eletrnico de alto fator de potncia, baseado em um nico estgio de processamento de potncia. A topologia utilizada apresenta uma pequena modificao no esquema bsico das topologias auto-oscilantes (Hiramatsu et alii, 1992; Shimizu et alii, 1997; Wood, 1994), onde se utiliza o prprio indutor ressonante para gerar, de forma auto-oscilante, os sinais de comando para as chaves semicondutoras. Desta forma, no mais necessrio a utilizao de um ncleo toroidal para acionar as chaves
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A R3 M2 D7 LS2 D8 R2 B Cp

y
D5 F1 VCA D2 Lf D1 D3 Cf D4 R1 C1 Lb D6 D11

Lr Lp1 vFL Lp2

Cb

M1 D9 D10 C

Co

LS1

Figura 1 - Diagrama completo do reator eletrnico. semicondutoras, reduzindo assim o custo final do reator com o aumento de sua confiabilidade. Este reator eletrnico utiliza um conversor boost operando no modo de conduo descontnua. As lmpadas fluorescentes so acionadas por uma forma de onda de corrente senoidal no modulada de alta freqncia, com baixo fator de crista, gerada por um circuito ressonante LC. O reator eletrnico opera acima da freqncia de ressonncia para proporcionar comutao sob tenso nula (ZVS), o que aumenta o seu rendimento. disso, este circuito define a freqncia de chaveamento, que deve ser maior que a freqncia de ressonncia para proporcionar comutao sob tenso nula. A capacitncia Cb por ser bem maior do que Cp no apresenta influncia significativa na freqncia de oscilao do circuito. Entretanto, o capacitor Cb o responsvel pelo bloqueio do nvel contnuo de tenso e corrente no circuito ressonante.

PRINCPIO DE OPERAO

DESCRIO DO REATOR

O diagrama completo do reator eletrnico mostrado na Figura 1. O estgio de correo de fator de potncia e o circuito ressonante LC so combinados em um nico estgio, permitindo que ambos estgios compartilhem as duas chaves semicondutoras do reator eletrnico. O estgio de correo de fator de potncia formado por um conversor boost operando no modo de conduo descontnua com razo cclica constante. Para garantir este modo de operao, a tenso do barramento CC deve ser igual ou maior do que o dobro da tenso de pico da entrada. Neste modo de operao, a corrente de entrada acompanha de forma bem aproximada a onda senoidal da tenso de entrada, proporcionando alto fator de potncia. A partir do instante em que o reator ligado rede de alimentao, o capacitor C1 comea a se carregar atravs da resistncia R1. Quando a tenso no capacitor C1 suficiente para provocar a ruptura do diac D11, este gera um pulso que faz com que o MOSFET M1 entre em conduo. A tenso entre dreno e source do MOSFET M 1, levada a zero, estabelecendo desta forma entre os pontos A e B, uma tenso com valor igual ao do barramento. Isto suficiente para iniciar a oscilao no circuito ressonante, cuja freqncia determinada por Lr e Cp. As lmpadas se comportam como um circuito aberto, portanto, a tenso sobre elas cresce de forma oscilatria. Iniciado o processo de oscilao, os enrolamentos secundrios do indutor ressonante LS1 e LS2 geram tenses apropriadas para o comando dos MOSFETs. O diodo D6 inibe a gerao de pulsos adicionais de partida (Vieira,1995). O diodo D5 evita a circulao de corrente na freqncia de chaveamento na ponte retificadora de diodos de entrada, alm de bloquear as oscilaes entre o capacitor de filtro de entrada Cf e o indutor boost Lb (Vieira,1995). O circuito ressonante paralelo LrCp estabelece uma tenso elevada durante o processo de ignio das lmpadas, e mantm a corrente no valor nominal em regime permanente. Alm
150

O reator eletrnico proposto pode ser visto como sendo composto por dois conversores independentes simplificados. O primeiro obtido quando o circuito ressonante LC paralelo considerado como uma resistncia equivalente Ro. O conversor resultante mostrado na Figura 2, o qual representa um conversor boost de duas chaves semicondutoras operando como estgio de pr-regulao.
S2 G2 D5 i Lb Lb M2 B vin G1 M1 Ro Co +
Lb

A io

+ v

Vo C

Figura 2 - Conversor boost de duas chaves semicondutoras. As principais formas de onda do conversor boost de duas chaves semicondutoras so mostradas na Figura 3. O segundo conversor obtido quando a capacitncia Co grande o suficiente para ser considerado uma fonte de tenso. Desta forma, o conversor boost pode ser substitudo por uma fonte de tenso de alta freqncia, VSW, de amplitude pico-apico igual a Vo. O conversor resultante mostrado na Figura 4, o qual representa um conversor ressonante LC paralelo. Este conversor tem se mostrado muito atrativo para o uso em sistemas eletrnicos de iluminao, j que ele garante o valor apropriado de tenso para ignio das lmpadas, e mantm a corrente de funcionamento de regime permanente no valor adequado.

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vLb vin t

onde: = sendo: Vp Vo (5)

-(Vo-vin) iLb Ibm

Vp - Tenso de pico de entrada; Vo - Tenso do barramento CC.

4.2

Potncia de Entrada

A potncia de entrada obtida pela seguinte equao: Pin = 1 v CA (). i CA (). d

io Ibm

(6)

t0

t1

t2

t 3 = Ts

onde: v CA () = Vp .sen () Substituindo as equaes (4) e (7) em (6) resulta em: Pin =
2 Vo 8. . L b . f s

Figura 3 - Corrente no indutor boost de duas chaves semicondutoras.

(7)

VSW

Cp

2 .sen 2 d 1 .sen

(8)

4.3
Figura 4 - Conversor ressonante LC paralelo simplificado.

Indutncia Boost

ANLISE MATEMTICA

A indutncia boost obtida da equao (8), considerando que a potncia de sada dada por Po = .Pin, onde o rendimento do reator eletrnico. A indutncia boost normalizada definida por: Lb 1 = k Po onde: k=
2 . Vo 8. . f s

As caractersticas relevantes do reator eletrnico so definidas por: corrente de entrada, fator de potncia e a distoro harmnica total (THD). Os principais parmetros a serem determinados so: as indutncias boost e ressonante.

2 .sen 2 d 1 .sen

(9)

4.1

Corrente na Entrada

A corrente de pico no indutor boost durante o perodo de chaveamento, obtida da Figura 3, dada por: I bm = v in . t c Lb (1)

(10)

Os tempos de crescimento e decrescimento, so obtidos pelas seguintes equaes: 1 tc = 2. f s td = I bm . L b ( Vo v in ) (2)

A indutncia boost normalizada como uma funo de , com Po como parmetro, obtida pela equao (9) mostrada na Figura 5. Lb/k
0,04

Po = 20W

0,03

(3)

0,02

40W 80W 110W

Devido ao filtro de alta freqncia de entrada, a corrente na rede de alimentao pode ser obtida a partir do valor mdio da corrente do indutor boost, de acordo com a seguinte equao (Lui & Lin,1989): Vo .sen i CA () = 8. L b . f s 1 .sen (4)

0,01

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

Figura 5 - Indutncia boost normalizada em funo de , com Po como parmetro.

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151

4.4

Fator de Potncia
(11)

O fator de potncia definido por: FP = Pin VCA rms . I CA rms

fo =

1 2 L r . C p Lr Cp R Zo 1 Q2 L , para Q L 1

(14)

Zo =

(15)

Considerando que a tenso de entrada no possui componentes harmnicos, o fator de potncia pode ser dado por:

QL =

(16)

FP =

2 .

.sen 2 d 1 .sen 0

(12)

fr = fo 1 onde:

(17)

.sen d 1 .sen

O fator de potncia em funo de , dado pela equao (12), mostrado na Figura 6.

fo - freqncia natural de oscilao; Zo - impedncia caracterstica; QL - fator de qualidade na freqncia natural; fr - freqncia ressonante.

0,998

0,996

O circuito ressonante LC paralelo alimentado por uma onda quadrada de amplitude Vo/2. Sua componente fundamental, obtida pela anlise de Fourier, dada por: v1 =
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5

0,994

2. Vo .sen(2 . f s . t )

(18)

0,992

Figura 6 - Fator de potncia em funo de .

4.5

Distoro Harmnica Total (THD)

O circuito ressonante LC paralelo pode ser projetado para operar na freqncia natural de oscilao fs = fo. Nesta freqncia, a amplitude da componente fundamental da tenso sobre o capacitor e a corrente na lmpada so, respectivamente dados por (Kazimieczuk e Szaraniec, 1993): VC p = I lamp = 2. Vo . Q L 2. Vo . Z o (19)

Com fator de deslocamento unitrio, a distoro harmnica total pode ser definida por: THD = 1 . 1 FP 2 FP (13)

(20)

A distoro harmnica total (THD) em funo de , dada pela expresso (13), mostrada na Figura 7.
THD(%)
12 10 8 6 4 2

Quando as lmpadas fluorescentes esto desligadas, elas podem ser consideradas como um circuito aberto. Portanto, o fator de qualidade na partida muito alto. Como mostrado pela equao (19), a tenso sobre as lmpadas ser elevada o suficiente para faz-las partir. Em regime permanente, o circuito ressonante LC paralelo opera acima da freqncia ressonante (fs > fr) proporcionando comutao sob tenso nula (ZVS). A potncia das lmpadas, obtida da equao (20), : Po =
2 R. I lamp

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

2 2. R. Vo 2 2 . Zo

(21)

Figura 7 - Distoro harmnica total (THD) em funo de .

PROCEDIMENTO DE PROJETO

4.6

Parmetros Ressonantes

Um procedimento de projeto do reator eletrnico, bem como um exemplo prtico, apresentado a seguir:

O circuito ressonante LC paralelo, mostrado na Figura 4, um filtro passa-baixa de segunda ordem, que pode ser descrito pelas seguintes equaes (Kazimieczuk e Szaraniec, 1993):
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5.1
-

Dados de Entrada
tenso de entrada: VCA = 127V +/- 10%, 60Hz freqncia de chaveamento: fs = 40kHz potncia de sada: Po = 72W corrente nominal da lmpada fluorescente: Iop = 0,36A rendimento: > 90%.

Lr = 2mH, 120/7/7 espiras no ncleo carretel, modelo CNF-28/25-100-IP6 - Thornton; Lf = 1mH, 120 espiras no ncleo carretel CNF-15/13,5/873-IP6 - Thornton; Diodos retificadores de entrada, D1 - D4 e D6, 1N4004; Diodo rpido, D5: SK3GF04 (Semikron); Diac, D11: DB3 M1, M2: IRF 840 (International Rectifier); Co = 220F/450V (eletroltico); Cp = 10nF/630V (polipropileno); Cf = 0,56F/250V (polipropileno).

As lmpadas fluorescentes utilizadas so do tipo F40WT12, cujas caractersticas so especificadas para operao sem starter e freqncia acima de 20kHz (NBRIEC00081, 1997). Quando as lmpadas fluorescentes so acionadas em altas freqncias h um aumento de sua eficcia luminosa de aproximadamente 10%, ou seja, elas produzem a mesma quantidade de lmens com uma potncia 10% menor (Wood, 1989). Tendo como objetivo a economia de energia eltrica, e considerando que foram utilizadas duas lmpadas de 40W ligadas em srie, a potncia de sada assumida foi de Po = 72W.

5.2

Seleo da Tenso de Barramento

Como este reator eletrnico sempre opera como um conversor boost no modo descontnuo com razo cclica constante, a tenso Vo deve ser maior que o dobro da tenso de pico de entrada. Para a tenso eficaz da rede de alimentao de 127V, correspondente a 179V de pico, a tenso de barramento escolhida foi de Vo = 380V. A freqncia de chaveamento determinada pelo circuito ressonante LrCp, portanto, a tenso do barramento CC variar de acordo com a tenso de entrada. Para a tenso eficaz mxima de entrada de 140V, correspondente a 195V de pico, a tenso do barramento poder atingir a Vomax = 430V.

As formas de ondas experimentais foram obtidas para: VCA = 127V, ICA = 0,615A, fs = 40kHz e Vo = 380V. As tenses e correntes na freqncia da rede de alimentao so mostradas nas Figuras 8 e 9. A tenso e a corrente de entrada, que demonstram o alto fator de potncia deste reator eletrnico, so mostradas na Figura 8. A tenso de entrada retificada vin e a corrente do indutor boost, apresentando uma envoltria de 120Hz, so mostradas na Figura 9. As formas de onda dos MOSFETs mostrando a comutao sob tenso nula (ZVS) podem ser vistas na Figura 10. A Corrente ressonante e as tenses de alta freqncia so mostradas na Figura 11. As correntes ressonantes do circuito LC paralelo em funo da tenso rms de entrada so mostradas na Figura 12. A tenso de ignio sobre as lmpadas pode ser vista na Figura 13. As caractersticas experimentais obtidas foram: = 93%, FP = 0,99, Fator de Crista = 1,4 e THD = 12%.
vCA iCA

5.3

Parmetros e k, Fator de Potncia e Distoro Harmnica Total (THD)

Para a condio nominal de operao (Vpnom = 179V e fs = 40kHz), pode-se obter a partir da equaes (5) e (10): = 0,47 e k = 0,132. Das Figuras 6 e 7 obtm-se: FP=0,993 e THD=11,52%.

5.4

Indutncia Boost

A partir da Figura 5, com = 0,47 e k = 0,132, pode-se obter: Lb = 1,31mH

Figura 8 - Tenso e corrente de baixa freqncia: tenso de entrada vCA (50V/div) e corrente de entrada iCA (0.5A/div); escala de tempo: 2ms/div.
vin

5.5

Parmetros Ressonantes
iLb

A resistncia equivalente das lmpadas : R = Po/(Iop)2 = 587,75. Da equao (21) resulta: Zo = 488,74. Para fs = fo, e usando as equaes (14)e (15) obtm-se: Cp = 8,12nF, Lr = 1,94mH. A partir das equaes (16) e (17) obtm-se: QL = 1,2 e fr = 22,11kHz.

RESULTADOS EXPERIMENTAIS
Figura 9 - Tenso e corrente retificadas: vin (50V/div) e corrente no indutor boost iLb (0.5A/div); escala de tempo: 2ms/div.
153

Um prottipo foi construdo para atender s especificaes de projeto. O diagrama completo mostrado na Figura 1, cujos principais parmetros e componentes so: Lb = 1mH, 120 espiras no ncleo carretel, modelo CNF15/13,5/8-73-IP6 - Thornton;

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700
vM 1

I Lr ICp ILF

600
iM 1

I (mA)

500 400 300 200

110

115

120

125

130

135

VCA (V)

(a) Figura 12 - Correntes ressonantes em funo da tenso de entrada: ILr - corrente da indutncia ressonante, ILF - corrente das lmpadas fluorescentes e ICp - corrente no capacitor paralelo;

vM2

iM2

(b) Figura 10 - Comutao dos MOSFETs: (a) vM1 (100V/div) e iM1 (0.5A/div), (b) vM2 (100V/div) e iM2 (1A/div); escala de tempo: 5s/div.

Figura 13 - Tenso de ignio sobre as lmpadas fluorescentes (250V/div); escala de tempo: 100ms/div.

vM 1

7
iLr

CONCLUSO

Um reator eletrnico com alto fator de potncia e baixo custo, baseado em um nico estgio de processamento de potncia foi apresentado neste artigo. Isto foi possvel permitindo que o estgio de correo do fator de potncia e o circuito ressonante LC compartilhem as duas chaves semicondutoras do reator eletrnico. Foi utilizada uma topologia com um nmero mnimo de componentes para reduzir o custo. O circuito de comando auto-oscilante, e utiliza o prprio indutor ressonante para gerar os sinais de comando dos MOSFETs, o que o torna muito simples e de baixo custo. O alto fator de potncia foi obtido pelo conversor boost operando no modo de conduo descontnua com razo cclica constante, onde a corrente de entrada acompanha de forma bem aproximada a onda senoidal da tenso de entrada. Este modo de operao na topologia apresentada assegurado quando a tenso do barramento CC igual ou maior que o dobro da tenso de pico CA da entrada. Os resultados experimentais foram apresentados para duas lmpadas fluorescentes de 40W conectadas em srie. A operao foi feita em 40kHz com o reator eletrnico ligado rede de alimentao de 127V eficazes, 60Hz, considerando uma variao de tenso de entrada +/- 10%. Os resultados experimentais obtidos confirmam a realizao de comutaes sob tenso nula, o que se refletiu no elevado rendimento do conversor que foi de 93%. Alm disso, o reator apresentou: fator de potncia = 0,99, THD = 12% e fator de crista = 1,4. A densidade de potncia apresentada pelo prottipo implementado foi de 0,68W/cm3.

(a)

v LF

iLr

(b) Figura 11 - Corrente ressonante iLr (0.5A/div) e as tenses de alta freqncia: (a) vM1 (100V/div), (b) vLF (100V/div); escala de tempo: 5s/div.

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