Memoria a cambiamento di fase

Phase-change memory, PCM, (anche conosciute come OUM, Ovonic Unified Memory o C-RAM, Chalcogenide RAM oppure PRAM, Phase-change RAM ) sono un tipo di memoria non volatile allo stato solido, il cui materiale principe è una lega calcogenura composta da Germanio (Ge), Antimonio (Sb), Tellurio (Te) chiamata GST, in grado di cambiare fase (cristallina o amorfa) in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente di programmazione che attraversa la cella di memoria che, riscaldando in modo opportuno il GST, induce il cambiamento di fase. L'utilizzo delle due differenti fasi in una memoria elettronica digitale nasce dall'osservazione sperimentale di una bassa resistenza elettrica per la fase cristallina (1 logico) e di un'elevata resistenza elettrica per quella amorfa (0 logico). Il medesimo materiale e il medesimo concetto di immagazzinamento digitale di informazione sono stati utilizzati a partire dai primi anni 90 nelle applicazioni per dischi ottici (CD e DVD), nei quali il cambiamento di fase del materiale comporta il cambiamento locale di riflettività. In particolare una regione amorfa presenta bassa riflettività, mentre una regione cristallina presenta alta riflettività; la scrittura delle fasi è ottenuta in questo caso riscaldando localmente il materiale per mezzo di impulsi laser e la lettura avviene mediante impulsi laser di bassa potenza. PCM è una delle nuove tecnologie di memoria che tentano di competere nel mercato delle memorie flash, ormai giunte al limite di scaling.